JP7467285B2 - 基板処理装置、及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置、及び基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7467285B2
JP7467285B2 JP2020143924A JP2020143924A JP7467285B2 JP 7467285 B2 JP7467285 B2 JP 7467285B2 JP 2020143924 A JP2020143924 A JP 2020143924A JP 2020143924 A JP2020143924 A JP 2020143924A JP 7467285 B2 JP7467285 B2 JP 7467285B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
wafer
bonding
processing apparatus
displacement detection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020143924A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022039090A (ja
Inventor
慶崇 大塚
孝志 中満
宗兵 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2020143924A priority Critical patent/JP7467285B2/ja
Priority to CN202110950623.5A priority patent/CN114121716A/zh
Priority to KR1020210109642A priority patent/KR20220027766A/ko
Publication of JP2022039090A publication Critical patent/JP2022039090A/ja
Priority to JP2024060074A priority patent/JP2024071759A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7467285B2 publication Critical patent/JP7467285B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本開示は、基板処理装置、及び基板処理方法に関する。
特許文献１～３に記載の接合システムは、第１基板と第２基板を接合し、重合基板を作製する。接合システムは、表面改質装置と、表面親水化装置と、接合装置と、搬送装置とを備える。表面改質装置は、第１基板と第２基板を改質する。表面親水化装置は、改質された第１基板と第２基板を親水化する。接合装置は、親水化された第１基板と第２基板を接合し、重合基板を作製する。搬送装置は、第１基板、第２基板及び重合基板を搬送する。
特開２０１８－１０９２２号公報 特開２０１８－２６４１４号公報 特開２０１８－９３０１８号公報
本開示の一態様は、基板処理装置のスループットを向上する、技術を提供する。
本開示の一態様に係る基板処理装置は、接合装置と、搬送装置と、制御装置とを備える。前記接合装置は、第１基板と第２基板を接合し、重合基板を作製する。前記搬送装置は、前記接合装置に対する前記第１基板及び前記第２基板の搬入、並びに前記重合基板の搬出を行う。前記制御装置は、前記接合装置及び前記搬送装置を制御する。前記接合装置は、第１保持部と、第２保持部と、移動機構と、を含む。前記第１保持部は、前記第１基板を上方から保持する。前記第２保持部は、前記第２基板を下方から保持する。前記移動機構は、前記第１保持部と前記第２保持部との相対位置を基板受渡位置と接合位置との間で移動させる。前記制御装置は、前記搬送装置が前記接合装置に対する基板搬入出位置から移動開始した後であって、且つ前記第１保持部と前記第２保持部との前記相対位置が前記基板受渡位置に戻ると同時に、又は戻る前に、前記搬送装置を前記基板搬入出位置に到着させる。
本開示の一態様によれば、基板処理装置のスループットを向上できる。
図１は、一実施形態に係る基板処理装置を示す平面図である。 図２は、図１の基板処理装置の正面図である。 図３は、第１基板及び第２基板の一例を示す側面図である。 図４は、一実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 図５は、搬送装置の一例を示す側面図である。 図６は、位置調節装置の一例を示す側面図である。 図７は、接合装置の一例を示す平面図である。 図８は、図７の接合装置の正面断面図である。 図９は、図７の第１保持部及び第２保持部を示す正面断面図である。 図１０は、図４のステップＳ１０９の詳細を示すフローチャートである。 図１１（Ａ）は接合の進行開始時の一例を示す断面図であり、図１１（Ｂ）は接合の進行途中の一例を示す断面図であり、図１１（Ｃ）は接合の進行完了時の一例を示す断面図である。 図１２は、接合の進行速度の異方性の一例を示す平面図である。 図１３は、ノズルの一例を示す断面図である。 図１４は、搬送装置に対して準備指令を送信するタイミングの第１例を示すフローチャートである。 図１５は、搬送装置に対して準備指令を送信するタイミングの第２例を示すフローチャートである。 図１６は、搬送装置に対して準備指令を送信するタイミングの第３例を示すフローチャートである。
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。また、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向は互いに垂直な方向であり、Ｘ軸方向及びＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。
先ず、図１及び図２を参照して、本実施形態に係る基板処理装置１について説明する。基板処理装置１は、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを接合し、重合基板Ｔを作製する。第１基板Ｗ１は、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板である。また、第２基板Ｗ２は、例えば電子回路が形成されていないベアウェハである。なお、第２基板Ｗ２も、第１基板Ｗ１と同様に、電子回路が形成された基板であってもよい。第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とは、略同径を有する。化合物半導体ウェハは、特に限定されないが、例えばＧａＡｓウェハ、ＳｉＣウェハ、ＧａＮウェハ、又はＩｎＰウェハである。
以下、第１基板Ｗ１を「上ウェハＷ１」と記載し、第２基板Ｗ２を「下ウェハＷ２」、重合基板Ｔを「重合ウェハＴ」と記載する場合がある。図３に示すように、上ウェハＷ１の板面のうち、下ウェハＷ２と接合される側の板面を「接合面Ｗ１ｊ」と記載し、接合面Ｗ１ｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗ１ｎ」と記載する。また、下ウェハＷ２の板面のうち、上ウェハＷ１と接合される側の板面を「接合面Ｗ２ｊ」と記載し、接合面Ｗ２ｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗ２ｎ」と記載する。
図１に示すように、基板処理装置１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２及び処理ステーション３は、Ｘ軸正方向に沿って、搬入出ステーション２及び処理ステーション３の順番で並べて配置される。また、搬入出ステーション２及び処理ステーション３は、一体的に接続される。
搬入出ステーション２は、載置台１０と、搬送領域２０とを備える。載置台１０は、複数の載置板１１を備える。各載置板１１には、複数枚（例えば、２５枚）の基板を水平状態で収容するカセットＣ１，Ｃ２，Ｃ３がそれぞれ載置される。カセットＣ１は上ウェハＷ１を収容するカセットであり、カセットＣ２は下ウェハＷ２を収容するカセットであり、カセットＣ３は重合ウェハＴを収容するカセットである。なお、カセットＣ１，Ｃ２において、上ウェハＷ１及び下ウェハＷ２は、それぞれ接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊを上面にした状態で向きを揃えて収容される。
搬送領域２０は、載置台１０のＸ軸正方向側に隣接して配置される。かかる搬送領域２０には、Ｙ軸方向に延在する搬送路２１と、この搬送路２１に沿って移動可能な搬送装置２２とが設けられる。搬送装置２２は、Ｘ軸方向にも移動可能かつＺ軸周りに旋回可能であり、載置台１０上に載置されたカセットＣ１～Ｃ３と、後述する処理ステーション３の第３処理ブロックＧ３との間で、上ウェハＷ１、下ウェハＷ２及び重合ウェハＴの搬送を行う。
なお、載置台１０上に載置されるカセットＣ１～Ｃ３の個数は、図示のものに限定されない。また、載置台１０上には、カセットＣ１，Ｃ２，Ｃ３以外に、不具合が生じた基板を回収するためのカセット等が載置されてもよい。
処理ステーション３には、例えば３つの処理ブロックＧ１，Ｇ２，Ｇ３が設けられる。例えば処理ステーション３の背面側（図１のＹ軸正方向側）には、第１処理ブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の正面側（図１のＹ軸負方向側）には、第２処理ブロックＧ２が設けられる。また、処理ステーション３の搬入出ステーション２側（図１のＸ軸負方向側）には、第３処理ブロックＧ３が設けられる。
また、第１処理ブロックＧ１～第３処理ブロックＧ３に囲まれた領域には、搬送領域６０が形成される。搬送領域６０には、搬送装置６１が配置される。搬送装置６１は、例えば鉛直方向、水平方向及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有する。なお、搬送装置６１の詳細は、図５を用いて後述する。
搬送装置６１は、搬送領域６０内を移動し、搬送領域６０に隣接する第１処理ブロックＧ１、第２処理ブロックＧ２及び第３処理ブロックＧ３内の所定の装置に上ウェハＷ１、下ウェハＷ２及び重合ウェハＴを搬送する。
第１処理ブロックＧ１には、表面改質装置３３と、表面親水化装置３４とが配置される。表面改質装置３３は、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊ及び下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊを改質する。表面親水化装置３４は、改質された上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊ及び下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊを親水化する。
例えば、表面改質装置３３は、接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊにおけるＳｉＯ２の結合を切断し、Ｓｉの未結合手を形成し、その後の親水化を可能にする。表面改質装置３３では、例えば減圧雰囲気下において処理ガスである酸素ガスが励起されてプラズマ化され、イオン化される。そして、酸素イオンが、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊ及び下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊに照射されることにより、接合面Ｗ１ｊ、Ｗ２ｊがプラズマ処理されて改質される。処理ガスは、酸素ガスには限定されず、例えば窒素ガスなどでもよい。
表面親水化装置３４は、例えば純水等の親水化処理液によって上ウェハＷ１の接合面及び下ウェハＷ２のＷ２ｊを親水化する。表面親水化装置３４は、接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊを洗浄する役割も有する。表面親水化装置３４では、例えばスピンチャックに保持された上ウェハＷ１又は下ウェハＷ２を回転させながら、当該上ウェハＷ１又は下ウェハＷ２上に純水を供給する。これにより、純水が接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊ上を拡散し、Ｓｉの未結合手にＯＨ基が付き、接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊが親水化される。
第２処理ブロックＧ２には、接合装置４１と、基板温調装置４２とが配置される。接合装置４１は、親水化された上ウェハＷ１と下ウェハＷ２とを接合し、重合ウェハＴを作製する。基板温調装置４２は、接合前の上ウェハＷ１及び接合前の下ウェハＷ２をそれぞれ温度調節する。なお、接合装置４１の詳細は、図７～図９を用いて後述する。
図２に示すように、第３処理ブロックＧ３には、上方から下方に向けて、位置調節装置５１、及びトランジション装置５３，５４がこの順で積層されて配置される。なお、第３処理ブロックＧ３における各装置の配置場所は、図２に示す配置場所には限定されない。位置調節装置５１は、上ウェハＷ１及び下ウェハＷ２の水平方向の向きを調節する。また、位置調節装置５１は、上ウェハＷ１を上下反転し、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊを下向きにする。トランジション装置５３には、上ウェハＷ１が一時的に載置される。また、トランジション装置５４には、下ウェハＷ２や重合ウェハＴが一時的に載置される。
基板処理装置１は、制御装置９０を備える。制御装置９０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）９１と、メモリ等の記憶媒体９２とを備える。記憶媒体９２には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置９０は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、基板処理装置１の動作を制御する。
次に、図４を参照して、本実施形態の基板処理方法について説明する。図４に示すステップＳ１０１～Ｓ１０９は、制御装置９０による制御下で実施される。
先ず、複数枚の上ウェハＷ１を収容したカセットＣ１、複数枚の下ウェハＷ２を収容したカセットＣ２、及び空のカセットＣ３が、搬入出ステーション２の載置台１０上に載置される。
次に、搬送装置２２が、カセットＣ１内の上ウェハＷ１を取り出し、処理ステーション３の第３処理ブロックＧ３のトランジション装置５３に搬送する。その後、搬送装置６１が、トランジション装置５３から上ウェハＷ１を取り出し、第１処理ブロックＧ１の表面改質装置３３に搬送する。
次に、表面改質装置３３が、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊを改質する（ステップＳ１０１）。接合面Ｗ１ｊの改質は、接合面Ｗ１ｊを上に向けた状態で実施される。その後、搬送装置６１が、表面改質装置３３から上ウェハＷ１を取り出し、表面親水化装置３４に搬送する。
次に、表面親水化装置３４が、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊを親水化する（ステップＳ１０２）。接合面Ｗ１ｊの親水化は、接合面Ｗ１ｊを上に向けた状態で実施される。その後、搬送装置６１が、表面親水化装置３４から上ウェハＷ１を取り出し、第３処理ブロックＧ３の位置調節装置５１に搬送する。
次に、位置調節装置５１が、上ウェハＷ１の水平方向の向きを調節し、上ウェハＷ１の上下を反転する（ステップＳ１０３）。その結果、上ウェハＷ１のノッチＮ（図１２参照）が所定の方位に向けられ、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊが下に向けられる。その後、搬送装置６１が、位置調節装置５１から上ウェハＷ１を取り出し、第２処理ブロックＧ２の基板温調装置４２に搬送する。
次に、基板温調装置４２が、上ウェハＷ１の温度を調節する（ステップＳ１０４）。上ウェハＷ１の温調は、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊを下に向けた状態で実施される。その後、搬送装置６１が、基板温調装置４２から上ウェハＷ１を取り出し、接合装置４１に搬送する。
上ウェハＷ１に対する上記の処理と並行して、下ウェハＷ２に対する下記の処理が実施される。先ず、搬送装置２２が、カセットＣ２内の下ウェハＷ２を取り出し、処理ステーション３の第３処理ブロックＧ３のトランジション装置５４に搬送する。その後、搬送装置６１が、トランジション装置５４から下ウェハＷ２を取り出し、第１処理ブロックＧ１の表面改質装置３３に搬送する。
次に、表面改質装置３３が、下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊを改質する（ステップＳ１０５）。接合面Ｗ２ｊの改質は、接合面Ｗ２ｊを上に向けた状態で実施される。その後、搬送装置６１が、表面改質装置３３から下ウェハＷ２を取り出し、表面親水化装置３４に搬送する。
次に、表面親水化装置３４が、下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊを親水化する（ステップＳ１０６）。接合面Ｗ２ｊの親水化は、接合面Ｗ２ｊを上に向けた状態で実施される。その後、搬送装置６１が、表面親水化装置３４から下ウェハＷ２を取り出し、第３処理ブロックＧ３の位置調節装置５１に搬送する。
次に、位置調節装置５１が、下ウェハＷ２の水平方向の向きを調節する（ステップＳ１０７）。その結果、下ウェハＷ２のノッチＮが所定の方位に向けられる。その後、搬送装置６１が、位置調節装置５１から下ウェハＷ２を取り出し、第２処理ブロックＧ２の基板温調装置４２に搬送する。
次に、基板温調装置４２が、下ウェハＷ２の温度を調節する（ステップＳ１０８）。下ウェハＷ２の温調は、下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊを上に向けた状態で実施される。その後、搬送装置６１が、基板温調装置４２から下ウェハＷ２を取り出し、接合装置４１に搬送する。
次に、接合装置４１が、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２を接合し、重合ウェハＴを作製する（ステップＳ１０９）。その後、搬送装置６１が、接合装置４１から重合ウェハＴを取り出し、第３処理ブロックＧ３のトランジション装置５４に搬送する。
最後に、搬送装置２２が、トランジション装置５４から重合ウェハＴを取り出し、載置台１０上のカセットＣ３に搬送する。これにより、一連の処理が終了する。
次に、図５を参照して、搬送装置６１の一例について説明する。搬送装置６１は、第１保持部６２ａと、第１保持部６２ａの下方に設けられる第２保持部６２ｂと、第１駆動部６４とを備える。第１保持部６２ａは、第２保持部６２ｂの上方に対向配置される。第２保持部６２ｂは、ステップＳ１０３の前に、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊを上に向けて、上ウェハＷ１を保持する。一方、第１保持部６２ａは、上記ステップＳ１０３の後、上記ステップＳ１０９の前に、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊを下に向けて、上ウェハＷ１を保持する。また、第２保持部６２ｂは、上記ステップＳ１０９の前に、下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊを上に向けて、下ウェハＷ２を保持する。
第１保持部６２ａは、吸引管６２ａ１を介して真空ポンプ６２ａ２と接続され、真空ポンプ６２ａ２の作動によって上ウェハＷ１を真空吸着する。一方、第２保持部６２ｂは、吸引管６２ｂ１を介して真空ポンプ６２ｂ２と接続され、真空ポンプ６２ｂ２の作動によって下ウェハＷ２を真空吸着する。
第１駆動部６４は、第１保持部６２ａ及び第２保持部６２ｂに接続される。第１駆動部６４は、第１保持部６２ａ及び第２保持部６２ｂを駆動し、基台６５に対して鉛直方向、水平方向及び鉛直軸周りに一体的に移動させる。なお、第１駆動部６４は、図示は省略するが、モータなどの駆動源やベルトなどの動力伝達機構を含んでいる。
搬送装置６１は、接合装置４１に対して上ウェハＷ１及び下ウェハＷ２を搬送する際に、第１保持部６２ａによって上ウェハＷ１を保持し、第２保持部６２ｂによって下ウェハＷ２を保持し、上ウェハＷ１及び下ウェハＷ２を２枚一緒に搬送する。
また、搬送装置６１は、さらに第３保持部６２ｃと、第４保持部６２ｄと、第２駆動部６６とを備える。第４保持部６２ｄは、第３保持部６２ｃの上方に対向配置される。第３保持部６２ｃは、上記ステップＳ１０９の後に、上ウェハＷ１を上に向けて、重合ウェハＴを保持する。一方、第４保持部６２ｄは、テスト用のウェハを保持する。
第３保持部６２ｃは、吸引管６２ｃ１を介して真空ポンプ６２ｃ２と接続され、真空ポンプ６２ｃ２の作動によって例えば重合ウェハＴを真空吸着する。第４保持部６２ｄは、吸引管６２ｄ１を介して真空ポンプ６２ｄ２が接続され、真空ポンプ６２ｄ２の作動によって、テスト用のウェハを真空吸着する。
第２駆動部６６は、第３保持部６２ｃ及び第４保持部６２ｄに接続される。第２駆動部６６は、第３保持部６２ｃ及び第４保持部６２ｄを駆動し、基台６５に対して鉛直方向、水平方向及び鉛直軸周りに一体的に移動させる。なお、第２駆動部６６は、図示は省略するが、モータなどの駆動源やベルトなどの動力伝達機構を含んでいる。
搬送装置６１は、第１保持部６２ａ及び第２保持部６２ｂによって、接合装置４１に対する上ウェハＷ１及び下ウェハＷ２の搬入を行い、第３保持部６２ｃによって、接合装置４１に対する重合ウェハＴの搬出を行う。ｎ（ｎは１以上の自然数）回目の接合で作製された重合ウェハＴの搬出と、ｎ＋１回目の接合で接合される上ウェハＷ１及び下ウェハＷ２の搬入とが連続して行われる。なお、搬送装置６１の構成は、図５に示す構成には限定されない。
次に、図６を参照して、位置調節装置５１の一例について説明する。位置調節装置５１は、基台５１ａと、上ウェハＷ１及び下ウェハＷ２を吸着保持して回転させる保持部５１ｂと、上ウェハＷ１及び下ウェハＷ２のノッチＮの位置を検出する検出部５１ｃと、基台５１ａを反転させる基台反転部５１ｄとを有する。
保持部５１ｂが上ウェハＷ１を吸着保持して回転させながら、検出部５１ｃが上ウェハＷ１のノッチＮの位置を検出することで、ノッチＮの位置が調節され、上ウェハＷ１の水平方向の向きが調節される。下ウェハＷ２の水平方向の向きも、同様に調節される。
基台反転部５１ｄは、例えばモータなどを備え、基台５１ａを上下反転させ、保持部５１ｂに保持された上ウェハＷ１を上下反転させる。これにより、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊが下向きになる。
次に、接合装置４１の一例について図７～図９を参照して説明する。図７に示すように、接合装置４１は、内部を密閉可能な処理容器２１０を有する。処理容器２１０の搬送領域６０側の側面には搬入出口２１１が形成され、当該搬入出口２１１には開閉シャッタ２１２が設けられる。上ウェハＷ１、下ウェハＷ２及び重合ウェハＴは、搬入出口２１１を介して搬入出される。
図８に示すように、処理容器２１０の内部には、上チャック２３０と下チャック２３１
とが設けられる。上チャック２３０は、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊを下に向けて、上ウェハＷ１を上方から保持する。また、下チャック２３１は、上チャック２３０の下方に設けられ、下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊを上に向けて、下ウェハＷ２を下方から保持する。
上チャック２３０は、処理容器２１０の天井面に設けられた支持部材２８０に支持される。一方、下チャック２３１は、当該下チャック２３１の下方に設けられた第１下チャック移動部２９１に支持される。
第１下チャック移動部２９１は、後述するように下チャック２３１を水平方向（Ｙ軸方向）に移動させる。また、第１下チャック移動部２９１は、下チャック２３１を鉛直方向に移動自在、かつ鉛直軸回りに回転可能に構成される。
第１下チャック移動部２９１は、当該第１下チャック移動部２９１の下面側に設けられ、水平方向（Ｙ軸方向）に延伸する一対のレール２９５に取り付けられる。第１下チャック移動部２９１は、レール２９５に沿って移動自在に構成される。レール２９５は、第２下チャック移動部２９６に設けられる。
第２下チャック移動部２９６は、当該第２下チャック移動部２９６の下面側に設けられ、水平方向（Ｘ軸方向）に延伸する一対のレール２９７に取り付けられる。第２下チャック移動部２９６は、レール２９７に沿って移動自在に、即ち下チャック２３１を水平方向（Ｘ軸方向）に移動させるように構成される。なお、一対のレール２９７は、処理容器２１０の底面に設けられた載置台２９８上に設けられる。
第１下チャック移動部２９１と、第２下チャック移動部２９６とで、移動機構２９０が構成される。移動機構２９０は、上チャック２３０と下チャック２３１の相対位置を、基板受渡位置と、接合位置との間で移動させる。
基板受渡位置は、上チャック２３０が上ウェハＷ１を搬送装置６１から受け取り、また、下チャック２３１が下ウェハＷ２を搬送装置６１から受け取り、下チャック２３１が重合ウェハＴを搬送装置６１に渡す位置である。基板受渡位置は、ｎ（ｎは１以上の自然数）回目の接合で作製された重合ウェハＴの搬出と、ｎ＋１回目の接合で接合される上ウェハＷ１及び下ウェハＷ２の搬入とが連続して行われる位置である。基板受渡位置は、例えば図７及び図８に示す位置である。
搬送装置６１は、上ウェハＷ１を上チャック２３０に渡す際に、上チャック２３０の真下に進入する。また、搬送装置６１は、重合ウェハＴを下チャック２３１から受け取り、下ウェハＷ２を下チャック２３１に渡す際に、下チャック２３１の真上に侵入する。搬送装置６１が侵入しやすいように、上チャック２３０と下チャック２３１とは横にずらされており、上チャック２３０と下チャック２３１の鉛直方向の間隔も大きい。
一方、接合位置は、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２とを所定の間隔をおいて向かい合わせ、接合する位置である。接合位置は、例えば図９に示す位置である。接合位置では、基板受渡位置に比べて、鉛直方向における上ウェハＷ１と下ウェハＷ２との間隔が狭い。また、接合位置では、基板受渡位置とは異なり、鉛直方向視にて上ウェハＷ１と下ウェハＷ２とが重なる。
移動機構２９０は、上チャック２３０と下チャック２３１の相対位置を、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方向）と、鉛直方向とに移動させる。なお、移動機構２９０は、本実施形態では下チャック２３１を移動させるが、下チャック２３１と上チャック２３０のいずれを移動させてもよく、両者を移動させてもよい。また、移動機構２９０は、上チャック２３０又は下チャック２３１を鉛直軸周りに回転させてもよい。
図９に示すように、上チャック２３０は、複数（例えば３つ）の領域２３０ａ，２３０ｂ，２３０ｃに区画される。これら領域２３０ａ，２３０ｂ，２３０ｃは、上チャック２３０の中心部から周縁部に向けてこの順で設けられる。領域２３０ａは平面視において円形状を有し、領域２３０ｂ，２３０ｃは平面視において環状形状を有する。
各領域２３０ａ，２３０ｂ，２３０ｃには、吸引管２４０ａ，２４０ｂ，２４０ｃがそれぞれ独立して設けられる。各吸引管２４０ａ，２４０ｂ，２４０ｃには、異なる真空ポンプ２４１ａ，２４１ｂ，２４１ｃがそれぞれ接続される。上チャック２３０は、各領域２３０ａ，２３０ｂ，２３０ｃ毎に、上ウェハＷ１を真空吸着可能である。
上チャック２３０には、鉛直方向に昇降自在な複数の保持ピン２４５が設けられる。複数の保持ピン２４５は、真空ポンプ２４６に接続され、真空ポンプ２４６の作動によって上ウェハＷ１を真空吸着する。上ウェハＷ１は、複数の保持ピン２４５の下端に真空吸着される。
複数の保持ピン２４５は、下降することで、上チャック２３０の保持面から突出する。その状態で、複数の保持ピン２４５は、上ウェハＷ１を真空吸着し、搬送装置６１から受け取る。その後、複数の保持ピン２４５が上昇し、上ウェハＷ１が上チャック２３０の保持面に接触させられる。続いて、上チャック２３０は、真空ポンプ２４１ａ，２４１ｂ，２４１ｃの作動によって、各領域２３０ａ，２３０ｂ，２３０ｃにおいて上ウェハＷ１を水平に真空吸着する。
また、上チャック２３０の中心部には、当該上チャック２３０を鉛直方向に貫通する貫通孔２４３が形成される。貫通孔２４３には、後述する押動部２５０が挿通される。押動部２５０は、下ウェハＷ２と間隔をおいて配置された上ウェハＷ１の中心を押し下げ、下ウェハＷ２に接触させる。
押動部２５０は、押動ピン２５１と、当該押動ピン２５１の昇降ガイドである外筒２５２とを有する。押動ピン２５１は、例えばモータを内蔵した駆動部（図示せず）によって、貫通孔２４３に挿通され、上チャック２３０の保持面から突出し、上ウェハＷ１の中心を押し下げる。
下チャック２３１は、複数（例えば２つ）の領域２３１ａ、２３１ｂに区画される。これら領域２３１ａ、２３１ｂは、下チャック２３１の中心部から周縁部に向けてこの順で設けられる。そして、領域２３１ａは平面視において円形状を有し、領域２３１ｂは平面視において環状形状を有する。
各領域２３１ａ、２３１ｂには、吸引管２６０ａ、２６０ｂがそれぞれ独立して設けられる。各吸引管２６０ａ、２６０ｂには、異なる真空ポンプ２６１ａ、２６１ｂがそれぞれ接続される。下チャック２３１は、各領域２３１ａ、２３１ｂ毎に、下ウェハＷ２を真空吸着可能である。
下チャック２３１には、鉛直方向に昇降自在な複数の保持ピン２６５が設けられる。下ウェハＷ２は、複数の保持ピン２６５の上端に載置される。なお、下ウェハＷ２は、複数の保持ピン２６５の上端に真空吸着されてもよい。
複数の保持ピン２６５は、上昇することで、下チャック２３１の保持面から突出する。その状態で、複数の保持ピン２６５は、下ウェハＷ２を搬送装置６１から受け取る。その後、複数の保持ピン２６５が下降し、下ウェハＷ２が下チャック２３１の保持面に接触させられる。続いて、上チャック２３０は、真空ポンプ２６１ａ，２６１ｂの作動によって、各領域２３１ａ，２３１ｂにおいて下ウェハＷ２を水平に真空吸着する。
次に、主に図１０及び図１１を参照して、図４のステップＳ１０９の詳細について説明する。先ず、搬送装置６１が、図７に二点鎖線で示す基板搬入出位置にて、接合装置４１に対する上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の搬入を行う（ステップＳ１１１）。基板搬入出位置は、処理容器２１０の外部の位置であって、処理容器２１０の搬入出口２１１に隣接する位置である。ステップＳ１１１の際、上チャック２３０と下チャック２３１の相対位置は、図７及び図８に示す基板受渡位置である。
具体的には、先ず、搬送装置６１が、上チャック２３０の真下に上ウェハＷ１を搬入する。続いて、複数の保持ピン２４５が、下降し、上ウェハＷ１を搬送装置６１から受け取る。その後、複数の保持ピン２４５が上昇し、上ウェハＷ１が上チャック２３０の保持面に接触させられる。続いて、上チャック２３０が、上ウェハＷ１を上方から保持する。
次に、搬送装置６１が、下チャック２３１の真上に下ウェハＷ２を搬入する。続いて、複数の保持ピン２６５が、上昇し、下ウェハＷ２を搬送装置６１から受け取る。その後、複数の保持ピン２６５が下降し、下ウェハＷ２が下チャック２３１の保持面に接触させられる。続いて、下チャック２３１が、下ウェハＷ２を下方から保持する。
次に、移動機構２９０が、上チャック２３０と下チャック２３１の相対位置を、図７及び図８に示す基板受渡位置から、図９に示す接合位置に移動する（ステップＳ１１２）。その結果、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２とが、所定の間隔をおいて対向配置される。その間隔は、例えば８０μｍ～２００μｍである。また、鉛直方向視にて、上ウェハＷ１のアライメントマークと、下ウェハＷ２のアライメントマークとが重なる。
次に、真空ポンプ２４１ａの作動が停止され、図１１（Ａ）に示すように、領域２３０ａにおける上ウェハＷ１の真空吸着が解除される。その後、押動部２５０の押動ピン２５１が下降し、上ウェハＷ１の中心を押し下げ、下ウェハＷ２に接触させる（ステップＳ１１３）。その結果、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の中心同士が接合される。
上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊと下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊはそれぞれ改質されているため、まず、接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊ間にファンデルワールス力（分子間力）が生じ、当該接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊ同士が接合される。さらに、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊと下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊはそれぞれ親水化済みであるので、親水基（例えばＯＨ基）が水素結合し、接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊ同士が強固に接合される。
次に、真空ポンプ２４１ｂの作動が停止され、図１１（Ｂ）に示すように、領域２３０ｂにおける上ウェハＷ１の真空吸着が解除される。続いて、真空ポンプ２４１ｃの作動が停止され、図１１（Ｃ）に示すように、領域２３０ｃにおける上ウェハＷ１の真空吸着が解除される。
このように、上ウェハＷ１の中心から周縁に向けて、上ウェハＷ１の真空吸着が段階的に解除され、上ウェハＷ１が下ウェハＷ２に段階的に落下して当接する。そして、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の接合は、中心から周縁に向けて順次進行する（ステップＳ１１４）。その結果、上ウェハＷ１の接合面Ｗ１ｊと下ウェハＷ２の接合面Ｗ２ｊとが全面で当接し、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２とが接合され、重合ウェハＴが得られる。その後、押動ピン２５１は、元の位置まで上昇させられる。
次に、移動機構２９０が、上チャック２３０と下チャック２３１の相対位置を、図９に示す接合位置から、図７及び図８に示す基板受渡位置に移動する（ステップＳ１１５）。例えば、移動機構２９０は、先ず下チャック２３１を下降させ、下チャック２３１と上チャック２３０の鉛直方向の間隔を広げる。続いて、移動機構２９０は、下チャック２３１を横に移動させ、下チャック２３１と上チャック２３０を横にずらす。
次に、搬送装置６１が、図７に二点鎖線で示す基板搬入出位置にて、接合装置４１に対する重合ウェハＴの搬出を行う（ステップＳ１１６）。具体的には、先ず、下チャック２３１が、重合ウェハＴの保持を解除する。続いて、複数の保持ピン２６５が、上昇し、重合ウェハＴを搬送装置６１に渡す。その後、複数の保持ピン２６５が、元の位置まで下降する。
なお、搬送装置６１は、ｎ（ｎは１以上の自然数）回目の接合で作製された重合ウェハＴの搬出と、ｎ＋１回目の接合で接合される上ウェハＷ１及び下ウェハＷ２の搬入とを連続して行う。
次に、図１２及び図１３を参照して、変位検出部２２０の一例について説明する。変位検出部２２０は、上ウェハＷ１の中心から離れた点で、上チャック２３０に対する上ウェハＷ１の下方への変位を検出する。変位検出部２２０は、上ウェハＷ１の上チャック２３０からの離脱を検出してもよいし、上ウェハＷ１と下ウェハの当接を検出してもよい。なお、上ウェハＷ１が上チャック２３０から離脱してから下ウェハＷ２に当接するまでには、タイムラグがある。上ウェハＷ１が下ウェハＷ２に当接すると、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の間隔が所定の間隔になる。
変位検出部２２０は、上チャック２３０と上ウェハＷ１の距離を測定する。例えば、図１３に示すように、変位検出部２２０は、気体を吸引する又は吐出するノズル２２１を含む。ノズル２２１の先端は、上チャック２３０の保持面よりも上方に配置され、上ウェハＷ１と間隔をおいて配置される。
変位検出部２２０は、ノズル２２１の気体の流量を検出することで、上チャック２３０と上ウェハＷ１の距離を測定する。ノズル２２１が気体を吸引する場合も、ノズル２２１が気体を吐出する場合も、上チャック２３０と上ウェハＷ１の距離が狭いほど、気体の流動抵抗が上がるので、気体の流量が減る。気体の流量と、距離との関係は、予め実験により求められ、記憶媒体９２に記憶されたデータを読み出して用いる。
なお、変位検出部２２０は、超音波、光、又は画像で、上チャック２３０と上ウェハＷ１の距離を測定してもよい。例えば、変位検出部２２０は、超音波又は光を上ウェハＷ１に照射し、その反射波又は反射光を受光し、上チャック２３０と上ウェハＷ１の距離を測定する。その測定方式は、例えば共焦点方式、分光干渉方式、又は三角測距方式等である。光源は、ＬＥＤ、又はレーザー等である。
変位検出部２２０は、上チャック２３０と上ウェハＷ１を側方から撮像し、その画像を画像処理し、上チャック２３０と上ウェハＷ１の距離を測定してもよい。
変位検出部２２０は、上ウェハＷ１からの反射光を受光し、その受光量で上チャック２３０と上ウェハＷ１の距離を測定してもよい。上ウェハＷ１は、上チャック２３０から離脱してから、下ウェハＷ２に当接するまでの途中で、斜めになる。このとき、反射光の受光量が一時的に下がる。反射光の受光量と、距離との関係は、予め実験により求められ、記憶媒体９２に記憶されたデータを読み出して用いる。
変位検出部２２０は、変位検出部２２０と上ウェハＷ１の静電容量を測定することで、上チャック２３０と上ウェハＷ１の距離を測定してもよい。上チャック２３０と上ウェハＷ１の距離が狭いほど、変位検出部２２０と上ウェハＷ１のギャップが狭く、静電容量が大きくなる。静電容量と、距離との関係は、予め実験により求められ、記憶媒体９２に記憶されたデータを読み出して用いる。
なお、変位検出部２２０は、上チャック２３０と上ウェハＷ１の距離を測定するが、単に上チャック２３０に対する上ウェハＷ１の離脱を検出してもよい。但し、上ウェハＷ１が上チャック２３０から離脱してから下ウェハＷ２に当接するまでには、タイムラグがある。距離を測定する場合、離脱を検出する場合に比べて、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の当接するタイミングを正確に検出できる。
上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の接合の進行速度は、図１２に示すように、異方性を有することがある。図１２において、ハッチングで示す領域Ａは、あるタイミングで接合済みの領域である。図１２において、（１００）は面指数であり、[０－１１]、[００１]、[０１１]及び[０１０]は方向指数である。ミラー指数が負であることは、通常、数字の上に「－」（バー）を付すことによって表現するが、本明細書では数字の前に負の符号を付すことによって表現する。図１２に示すミラー指数は、単結晶シリコンウェハのものである。
上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の接合の進行速度は、９０°周期で変化する。これは、単結晶シリコンウェハのヤング率、ポアソン比、及びせん断弾性係数が９０°周期で変化するからである。
図１２に示すように、変位検出部２２０は、接合の進行速度が最も速い方位と、接合の進行速度が最も遅い方位との両方に設けられる。これにより、接合の進行速度の異方性を検出できる。
変位検出部２２０は、接合の進行速度が最も速い方位に複数設けられ、上ウェハＷ１の中心からの距離が異なる複数の点で、上ウェハＷ１の下方変位を検出する。これにより、最も速い進行速度を検出できる。
また、変位検出部２２０は、接合の進行速度が最も遅い方位に複数設けられ、上ウェハＷ１の中心からの距離が異なる複数の点で、上ウェハＷ１の下方変位を検出する。これにより、最も遅い、同一の方位における進行速度を検出できる。
変位検出部２２０は、その検出結果を示す信号を制御装置９０に送信する。制御装置９０は、変位検出部２２０の検出結果を用いて、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の接合が中心から周縁に向けて進行するのを監視する。例えば、制御装置９０は、複数の変位検出部２２０によって、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の接合の進行速度を求める、又は上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の接合の成否を判断する。
次に、図１４を参照して、搬送装置６１に対して準備指令を送信するタイミングの第１例について説明する。図１４に示すステップＳ２０１～Ｓ２０８は、制御装置９０による制御下で実施される。
先ず、押動部２５０が上ウェハＷ１の中心の押し下げを開始する（ステップＳ２０１）。具体的には、押動部２５０の押動ピン２５１が下降開始する。その後、制御装置９０は、ステップＳ２０１からの経過時間を、タイマーで計測する。
次に、制御装置９０は、ステップＳ２０１から設定時間が経過したか否かをチェックする（ステップＳ２０２）。設定時間が経過していない場合（ステップＳ２０２、ＮＯ）、制御装置９０は単位時間経過後に上記ステップＳ２０２を再度実施する。
一方、設定時間が経過している場合（ステップＳ２０２、ＹＥＳ）、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２との接合が十分に進行しているので、上チャック２３０が上ウェハＷ１の周縁の保持を解除する（ステップＳ２０３）。その結果、上ウェハＷ１の周縁が下ウェハＷ２の周縁に落下して当接し、接合の進行が完了し、重合ウェハＴが得られる。
次に、移動機構２９０が下チャック２３１の移動を開始する（ステップＳ２０４）。下チャック２３１は、接合位置から基板受渡位置に向けて移動を開始する。先ず、下チャック２３１は、下降させられ、続いて横にずらされる。
次に、移動機構２９０が下チャック２３１の移動を完了する（ステップＳ２０５）。下チャック２３１は、基板受渡位置にて停止する。その後、ｎ回目の接合で作製された重合ウェハＴの搬出と、ｎ＋１回目の接合で接合される上ウェハＷ１及び下ウェハＷ２の搬入とが連続して行われる。これらの一連の動作を、以下、上ウェハＷ１の搬入等とも記載する。
制御装置９０は、下チャック２３１の移動完了（ステップＳ２０５）から、上ウェハＷ１の搬入等の開始までの待ち時間を短縮すべく、下チャック２３１の移動完了の前に、搬送装置６１に準備指令を送信しておく。以下、搬送装置６１に準備指令を送信するタイミングについて説明する。
先ず、制御装置９０は、押動部２５０による押し下げの開始（ステップＳ２０１）から設定時間が経過したか否かをチェックする（ステップＳ２０６）。設定時間が経過していない場合（ステップＳ２０６、ＮＯ）、制御装置９０は単位時間経過後に上記ステップＳ２０６を再度実施する。
一方、設定時間が経過している場合（ステップＳ２０６、ＹＥＳ）、制御装置９０は搬送装置６１に準備指令を送信する（ステップＳ２０７）。搬送装置６１は、準備指令を受信すると、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２を基板温調装置４２から取り出し、図７に二点鎖線で示す基板搬入出位置に向けて移動開始する。
なお、基板温調装置４２は無くてもよい。その場合、搬送装置６１は、準備指令を受信すると、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２を位置調節装置５１から取り出し、図７に二点鎖線で示す基板搬入出位置に向けて移動開始する。
次に、搬送装置６１は、基板搬入出位置への移動を完了する（ステップＳ２０８）。搬送装置６１の移動完了（ステップＳ２０８）のタイミングが、下チャック２３１の移動完了（ステップＳ２０５）のタイミングと同時又は前であれば、待ち時間がゼロになり、接合装置４１の稼働率が向上する。
上記の通り、制御装置９０は、押動部２５０による上ウェハＷ１の押し下げ（ステップＳ２０１）をトリガーとして、搬送装置６１に準備指令を送信し、搬送装置６１を基板搬入出位置に向けて移動開始させる。下チャック２３１の移動完了（ステップＳ２０５）後に搬送装置６１を基板搬入出位置に向けて移動開始させる場合に比べて、下チャック２３１の移動完了から、上ウェハＷ１の搬入等の開始までの待ち時間を短縮でき、基板処理装置１のスループットを向上できる。
制御装置９０は、下チャック２３１の移動完了（ステップＳ２０５）と同時又は前に、つまり、下チャック２３１が基板受渡位置に戻ると同時又は前に、搬送装置６１を基板搬入出位置に到着させる。下チャック２３１の移動完了から、上ウェハＷ１の搬入等の開始までの待ち時間をゼロにでき、基板処理装置１のスループットをより向上できる。
制御装置９０は、押動部２５０による上ウェハＷ１の押し下げの開始（ステップＳ２０１）から設定時間経過後に、搬送装置６１に準備指令を送信し、搬送装置６１を基板搬入出位置に向けて移動開始させる。準備指令の送信を適当に遅延することで、搬送装置６１の移動完了（ステップＳ２０８）から、上ウェハＷ１の搬入等の開始までの待ち時間を短縮できる。従って、搬送装置６１の稼働率を向上できる。また、上ウェハＷ１及び下ウェハＷ２の温度変化を抑制できる。
次に、図１５を参照して、搬送装置６１に対して準備指令を送信するタイミングの第２例について説明する。図１５に示すステップＳ３０１～Ｓ３０９は、制御装置９０による制御下で実施される。
先ず、押動部２５０が上ウェハＷ１の中心の押し下げを開始する（ステップＳ３０１）。具体的には、押動部２５０の押動ピン２５１が下降開始する。
次に、変位検出部２２０が、上ウェハＷ１の中心から離れた点で、上チャック２３０に対する上ウェハＷ１の下方への変位を検出する（ステップＳ３０２）。変位検出部２２０は、上チャック２３０に対する上ウェハＷ１の離脱を検出してもよいし、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の当接を検出してもよい。
その後、制御装置９０は、ステップＳ３０２からの経過時間を、タイマーで計測する。ここで用いられる変位検出部２２０の数、及び組み合わせは、特に限定されないが、予め設定され、記憶媒体９２に記憶される。予め設定された全ての変位検出部２２０が変位を検出すると、タイマーによる計測が始まる。
次に、制御装置９０は、ステップＳ３０２から設定時間が経過したか否かをチェックする（ステップＳ３０３）。設定時間が経過していない場合（ステップＳ３０３、ＮＯ）、制御装置９０は単位時間経過後に上記ステップＳ３０３を再度実施する。
一方、設定時間が経過している場合（ステップＳ３０３、ＹＥＳ）、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２との接合が十分に進行しているので、上チャック２３０が上ウェハＷ１の周縁の保持を解除する（ステップＳ３０４）。その結果、上ウェハＷ１の周縁が下ウェハＷ２の周縁に落下して当接し、接合の進行が完了し、重合ウェハＴが得られる。
次に、移動機構２９０が下チャック２３１の移動を開始する（ステップＳ３０５）。下チャック２３１は、接合位置から基板受渡位置に向けて移動を開始する。下チャック２３１は、下降させられ、続いて横にずらされる。
次に、移動機構２９０が下チャック２３１の移動を完了する（ステップＳ３０６）。下チャック２３１は、基板受渡位置にて停止する。その後、ｎ回目の接合で作製された重合ウェハＴの搬出と、ｎ＋１回目の接合で接合される上ウェハＷ１及び下ウェハＷ２の搬入とが連続して行われる。これらの一連の動作を、以下、上ウェハＷ１の搬入等とも記載する。
制御装置９０は、下チャック２３１の移動完了（ステップＳ３０６）から、上ウェハＷ１の搬入等の開始までの待ち時間を短縮すべく、下チャック２３１の移動完了の前に、搬送装置６１に準備指令を送信しておく。以下、搬送装置６１に準備指令を送信するタイミングについて説明する。
先ず、制御装置９０は、変位検出部２２０による変位の検出（ステップＳ３０２）から設定時間が経過したか否かをチェックする（ステップＳ３０７）。設定時間が経過していない場合（ステップＳ３０７、ＮＯ）、制御装置９０は単位時間経過後に上記ステップＳ３０７を再度実施する。
一方、設定時間が経過している場合（ステップＳ３０７、ＹＥＳ）、制御装置９０は搬送装置６１に準備指令を送信する（ステップＳ３０８）。搬送装置６１は、準備指令を受信すると、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２を基板温調装置４２から取り出し、図７に二点鎖線で示す基板搬入出位置に向けて移動開始する。
なお、基板温調装置４２は無くてもよい。その場合、搬送装置６１は、準備指令を受信すると、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２を位置調節装置５１から取り出し、図７に二点鎖線で示す基板搬入出位置に向けて移動開始する。
次に、搬送装置６１は、基板搬入出位置への移動を完了する（ステップＳ３０９）。搬送装置６１の移動完了（ステップＳ３０９）のタイミングが、下チャック２３１の移動完了（ステップＳ３０６）のタイミングと同時又は前であれば、待ち時間がゼロになり、接合装置４１の稼働率が向上する。
上記の通り、制御装置９０は、変位検出部２２０による変位の検出（ステップＳ３０２）をトリガーとして、搬送装置６１に準備指令を送信し、搬送装置６１を基板搬入出位置に向けて移動開始させる。下チャック２３１の移動完了（ステップＳ３０６）後に搬送装置６１を基板搬入出位置に向けて移動開始させる場合に比べて、下チャック２３１の移動完了から、上ウェハＷ１の搬入等の開始までの待ち時間を短縮でき、基板処理装置１のスループットを向上できる。
制御装置９０は、下チャック２３１の移動完了（ステップＳ３０６）と同時又は前に、つまり、下チャック２３１が基板受渡位置に戻ると同時又は前に、搬送装置６１を基板搬入出位置に到着させる。下チャック２３１の移動完了から、上ウェハＷ１の搬入等の開始までの待ち時間をゼロにでき、基板処理装置１のスループットをより向上できる。
制御装置９０は、変位検出部２２０による変位の検出（ステップＳ３０２）から設定時間経過後に、搬送装置６１に準備指令を送信し、搬送装置６１を基板搬入出位置に向けて移動開始させる。準備指令の送信を適当に遅延することで、搬送装置６１の移動完了（ステップＳ３０９）から、上ウェハＷ１の搬入等の開始までの待ち時間を短縮できる。従って、搬送装置６１の稼働率を向上できる。また、上ウェハＷ１及び下ウェハＷ２の温度変化を抑制できる。
変位検出部２２０を用いれば、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の接合の進行を監視できる。接合の進行を監視できない場合、押動部２５０による上ウェハＷ１の押し下げ開始（図１４のＳ２０１）から、上チャック２３０による上ウェハＷ１の周縁の保持解除（図１４のＳ２０３）までの待ち時間を、安全をみて長めに設定することになってしまう。変位検出部２２０を用いて接合の進行を監視すれば、無駄な待ち時間を短縮できる。
次に、図１６を参照して、搬送装置６１に対して準備指令を送信するタイミングの第３例について説明する。図１６に示すステップＳ４０１～Ｓ４０８は、制御装置９０による制御下で実施される。
先ず、押動部２５０が上ウェハＷ１の中心の押し下げを開始する（ステップＳ４０１）。具体的には、押動部２５０の押動ピン２５１が下降開始する。その後、制御装置９０は、ステップＳ４０１からの経過時間を、タイマーで計測する。
次に、制御装置９０は、ステップＳ４０１から設定時間が経過したか否かをチェックする（ステップＳ４０２）。設定時間が経過していない場合（ステップＳ４０２、ＮＯ）、制御装置９０は単位時間経過後に上記ステップＳ４０２を再度実施する。
一方、設定時間が経過している場合（ステップＳ４０２、ＹＥＳ）、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２との接合が十分に進行しているので、上チャック２３０が上ウェハＷ１の周縁の保持を解除する（ステップＳ４０３）。その結果、上ウェハＷ１の周縁が下ウェハＷ２の周縁に落下して当接し、接合の進行が完了し、重合ウェハＴが得られる。
次に、移動機構２９０が下チャック２３１の移動を開始する（ステップＳ４０４）。下チャック２３１は、接合位置から基板受渡位置に向けて移動を開始する。下チャック２３１は、下降させられ、続いて横にずらされる。
次に、移動機構２９０が下チャック２３１の移動を完了する（ステップＳ４０５）。下チャック２３１は、基板受渡位置にて停止する。その後、ｎ回目の接合で作製された重合ウェハＴの搬出と、ｎ＋１回目の接合で接合される上ウェハＷ１及び下ウェハＷ２の搬入とが連続して行われる。これらの一連の動作を、以下、上ウェハＷ１の搬入等とも記載する。
制御装置９０は、下チャック２３１の移動完了（ステップＳ４０５）から、上ウェハＷ１の搬入等の開始までの待ち時間を短縮すべく、下チャック２３１の移動完了の前に、搬送装置６１に準備指令を送信しておく。以下、搬送装置６１に準備指令を送信するタイミングについて説明する。
先ず、制御装置９０は、下チャック２３１の移動開始（ステップＳ４０４）から設定時間が経過したか否かをチェックする（ステップＳ４０６）。設定時間が経過していない場合（ステップＳ４０６、ＮＯ）、制御装置９０は単位時間経過後に上記ステップＳ４０６を再度実施する。
一方、設定時間が経過している場合（ステップＳ４０６、ＹＥＳ）、制御装置９０は搬送装置６１に準備指令を送信する（ステップＳ４０７）。搬送装置６１は、準備指令を受信すると、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２を基板温調装置４２から取り出し、図７に二点鎖線で示す基板搬入出位置に向けて移動開始する。
なお、基板温調装置４２は無くてもよい。その場合、搬送装置６１は、準備指令を受信すると、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２を位置調節装置５１から取り出し、図７に二点鎖線で示す基板搬入出位置に向けて移動開始する。
次に、搬送装置６１は、基板搬入出位置への移動を完了する（ステップＳ４０８）。搬送装置６１の移動完了（ステップＳ４０８）のタイミングが、下チャック２３１の移動完了（ステップＳ４０５）のタイミングと同時又は前であれば、待ち時間がゼロになり、接合装置４１の稼働率が向上する。
上記の通り、制御装置９０は、下チャック２３１の移動開始（ステップＳ４０４）をトリガーとして、搬送装置６１に準備指令を送信し、搬送装置６１を基板搬入出位置に向けて移動開始させる。下チャック２３１の移動完了（ステップＳ４０５）後に搬送装置６１を基板搬入出位置に向けて移動開始させる場合に比べて、下チャック２３１の移動完了から、上ウェハＷ１の搬入等の開始までの待ち時間を短縮でき、基板処理装置１のスループットを向上できる。
制御装置９０は、下チャック２３１の移動完了（ステップＳ４０５）と同時又は前に、つまり、下チャック２３１が基板受渡位置に戻ると同時又は前に、搬送装置６１を基板搬入出位置に到着させる。下チャック２３１の移動完了から、上ウェハＷ１の搬入等の開始までの待ち時間をゼロにでき、基板処理装置１のスループットをより向上できる。
制御装置９０は、下チャック２３１の移動開始（ステップＳ４０４）から設定時間経過後に、搬送装置６１に準備指令を送信し、搬送装置６１を基板搬入出位置に向けて移動開始させる。準備指令の送信を適当に遅延することで、搬送装置６１の移動完了（ステップＳ４０８）から、上ウェハＷ１の搬入等の開始までの待ち時間を短縮できる。従って、搬送装置６１の稼働率を向上できる。また、上ウェハＷ１及び下ウェハＷ２の温度変化を抑制できる。
なお、制御装置９０は、押動部２５０による上ウェハＷ１の押し下げの開始（ステップＳ２０１）、変位検出部２２０による変位の検出（ステップＳ３０２）、及び下チャック２３１の移動開始（ステップＳ４０４）のうち少なくとも１つをトリガーとして、搬送装置６１に準備指令を送信すればよい。制御装置は、ステップＳ２０１、Ｓ３０２及びＳ４０４から選ばれる２つ以上をトリガーとして、搬送装置６１に準備指令を送信してもよい。トリガーの数及び種類は、特に限定されないが、予め設定され、記憶媒体９２に記憶される。
制御装置９０は、少なくとも変位検出部２２０による変位の検出（ステップＳ３０２）をトリガーとして、搬送装置６１に準備指令を送信することが好ましい。変位検出部２２０は、上ウェハＷ１と下ウェハＷ２の接合の進行を監視できる。接合の進行状況に応じたタイミングで、搬送装置６１に準備指令を送信できる。
制御装置９０は、押動部２５０による上ウェハＷ１の押し下げの開始（ステップＳ２０１）から設定時間内に、予め設定された変位検出部２２０によって変位を検出しない場合、接合の進行に不具合が生じたと判断し、準備指令の送信を禁止する。その後、制御装置９０は、基板処理装置１の使用者に対してアラームを報知してもよい。
また、制御装置９０は、進行速度が最も速い方位の変位検出部２２０と、進行速度が最も遅い方位の変位検出部２２０との両方で変位を検出しない場合、接合の進行に不具合が生じたと判断し、準備指令の送信を禁止する。その後、制御装置９０は、基板処理装置１の使用者に対してアラームを報知してもよい。
なお、制御装置９０は、別のセンサなどで搬送装置６１の移動に支障がないことを確認すると、準備指令の送信を再開してもよい。
以上、本開示に係る基板処理装置、及び基板処理方法の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
１ 基板処理装置
４１ 接合装置
６１ 搬送装置
９０ 制御装置
２３０ 上チャック（第１保持部）
２３１ 下チャック（第２保持部）
２５０ 押動部
２９０ 移動機構
Ｗ１ 上ウェハ（第１基板）
Ｗ２ 下ウェハ（第２基板）
Ｔ 重合基板

Claims (15)

  1. 第１基板と第２基板を接合し、重合基板を作製する接合装置と、
    前記接合装置に対する前記第１基板及び前記第２基板の搬入、並びに前記重合基板の搬出を行う搬送装置と、
    前記接合装置及び前記搬送装置を制御する制御装置と、を備え、
    前記接合装置は、前記第１基板を上方から保持する第１保持部と、前記第２基板を下方から保持する第２保持部と、前記第１保持部と前記第２保持部との相対位置を基板受渡位置と接合位置との間で移動させる移動機構と、を含み、
    前記制御装置は、前記搬送装置が前記接合装置に対する基板搬入出位置から移動開始した後であって、且つ前記第１保持部と前記第２保持部との前記相対位置が前記基板受渡位置に戻ると同時に、又は戻る前に、前記搬送装置を前記基板搬入出位置に到着させる、基板処理装置。
  2. 前記接合装置は、前記第２基板と間隔をおいて配置された前記第１基板の中心を押し下げ前記第２基板に接触させる押動部と、前記第１基板の中心から離れた点で前記第１保持部に対する前記第１基板の下方への変位を検出する変位検出部と、を含み、
    前記制御装置は、前記押動部による前記第１基板の押し下げ、前記変位検出部による前記変位の検出、及び前記移動機構による前記相対位置の前記接合位置から前記基板受渡位置への移動開始の少なくとも１つをトリガーとして、前記搬送装置を前記基板搬入出位置に向けて移動開始させる、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記変位検出部は、複数設けられ、前記第１基板の中心からの距離が異なる複数の点で前記変位を検出し、
    前記制御装置は、複数の前記変位検出部によって、前記第１基板と前記第２基板の接合の進行速度を求める、又は前記第１基板と前記第２基板の接合の成否を判断する、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記第１基板と前記第２基板の接合の進行速度は、異方性を有しており、
    前記変位検出部は、前記進行速度が最も速い方位と、前記進行速度が最も遅い方位との両方に設けられる、請求項２又は３に記載の基板処理装置。
  5. 前記制御装置は、前記押動部による前記第１基板の押し下げの開始から、設定時間経過後に、前記搬送装置を前記基板搬入出位置に向けて移動開始させる、請求項２～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  6. 前記制御装置は、１点以上での前記変位検出部による前記変位の検出から、設定時間経過後に、前記搬送装置を前記基板搬入出位置に向けて移動開始させる、請求項２～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  7. 前記制御装置は、前記移動機構による前記相対位置の前記接合位置から前記基板受渡位置への移動開始から、設定時間経過後に、前記搬送装置を前記基板搬入出位置に向けて移動開始させる、請求項２～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  8. 前記変位検出部は、前記第１保持部と前記第１基板の距離を測定する、請求項２～７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  9. 前記第１保持部は、気体を吸引する又は吐出するノズルを含み、
    前記変位検出部は、前記ノズルの気体の流量を検出し、前記第１保持部と前記第１基板の距離を測定する、請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 前記変位検出部は、超音波、光、又は画像で、前記第１保持部と前記第１基板の距離を測定する、請求項８に記載の基板処理装置。
  11. 前記変位検出部は、
    前記第１基板からの反射光を受光し、その受光量で前記第１保持部と前記第１基板の距離を測定するか、
    又は、前記変位検出部と前記第１基板の静電容量を測定することで、前記第１保持部と前記第１基板の距離を測定する、請求項８に記載の基板処理装置。
  12. 前記変位検出部は、前記第１保持部に対する前記第１基板の離脱を検出する、請求項２～７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  13. 前記制御装置は、前記押動部による前記第１基板の押し下げの開始から設定時間内に、前記変位検出部によって前記変位を検出しない場合、前記搬送装置を前記基板搬入出位置に向けて移動させる指令の送信を禁止する、請求項２～１２のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  14. 前記制御装置は、前記進行速度が最も速い方位の前記変位検出部と、前記進行速度が最も遅い方位の前記変位検出部との両方で前記変位を検出しない場合、前記搬送装置を前記基板搬入出位置に向けて移動させる指令の送信を禁止する、請求項４に記載の基板処理装置。
  15. 請求項１～１４のいずれか１項に記載の基板処理装置を用いて、前記第１基板と前記第２基板を接合する基板処理方法であって、
    前記搬送装置が前記基板搬入出位置から移動開始した後であって、且つ前記第１保持部と前記第２保持部との前記相対位置が前記基板受渡位置に戻ると同時に、又は戻る前に、前記搬送装置を前記基板搬入出位置に到着させることを有する、基板処理方法。
JP2020143924A 2020-08-27 2020-08-27 基板処理装置、及び基板処理方法 Active JP7467285B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020143924A JP7467285B2 (ja) 2020-08-27 2020-08-27 基板処理装置、及び基板処理方法
CN202110950623.5A CN114121716A (zh) 2020-08-27 2021-08-18 基板处理装置和基板处理方法
KR1020210109642A KR20220027766A (ko) 2020-08-27 2021-08-19 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2024060074A JP2024071759A (ja) 2020-08-27 2024-04-03 基板処理装置、及び基板処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020143924A JP7467285B2 (ja) 2020-08-27 2020-08-27 基板処理装置、及び基板処理方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2024060074A Division JP2024071759A (ja) 2020-08-27 2024-04-03 基板処理装置、及び基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022039090A JP2022039090A (ja) 2022-03-10
JP7467285B2 true JP7467285B2 (ja) 2024-04-15

Family

ID=80440938

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020143924A Active JP7467285B2 (ja) 2020-08-27 2020-08-27 基板処理装置、及び基板処理方法
JP2024060074A Pending JP2024071759A (ja) 2020-08-27 2024-04-03 基板処理装置、及び基板処理方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2024060074A Pending JP2024071759A (ja) 2020-08-27 2024-04-03 基板処理装置、及び基板処理方法

Country Status (3)

Country Link
JP (2) JP7467285B2 (ja)
KR (1) KR20220027766A (ja)
CN (1) CN114121716A (ja)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6727048B2 (ja) 2016-07-12 2020-07-22 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置および接合システム
JP6727069B2 (ja) 2016-08-09 2020-07-22 東京エレクトロン株式会社 接合装置および接合システム
JP6820189B2 (ja) 2016-12-01 2021-01-27 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220027766A (ko) 2022-03-08
CN114121716A (zh) 2022-03-01
JP2024071759A (ja) 2024-05-24
JP2022039090A (ja) 2022-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102651554B1 (ko) 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체
KR102010095B1 (ko) 박리 장치, 박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
US8997822B2 (en) Substrate inverting device, substrate inverting method, and peeling system
JP6727048B2 (ja) 基板搬送装置および接合システム
JP2022177168A (ja) 基板貼り合わせ装置および基板貼り合わせ方法
JP6145415B2 (ja) 剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、剥離装置及び剥離システム
US10121672B2 (en) Cutting method for cutting processing-target object and cutting apparatus that cuts processing-target object
JP6700130B2 (ja) 接合システム
TW201426895A (zh) 剝離裝置、剝離系統及剝離方法
KR20130141616A (ko) 박리 장치, 박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP5850814B2 (ja) 剥離システム
CN112514035A (zh) 基板处理系统和基板处理方法
JP7467285B2 (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
CN111627852A (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及接合方法
JP7544446B2 (ja) 接合装置、及び接合方法
JP6120791B2 (ja) 剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、剥離装置及び剥離システム
JP7568704B2 (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6727049B2 (ja) 接合システム
JP2021114575A (ja) 加工装置
TW202202432A (zh) 膠帶貼附裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210527

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230530

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240209

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240305

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240403

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7467285

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150