JP7462639B2 - システム応答のリアルタイム検出及び補正 - Google Patents
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Description
本願では、2018年12月14日付米国仮特許出願第62/779485号、2018年12月18日付米国仮特許出願第62/781412号及び2018年12月26日付米国仮特許出願第62/785164号に基づき優先権を主張するので、参照によりそれらの開示内容を本願に繰り入れることにする。
Claims (20)
- 周波数を有する電子ビームパラメータを変調し、
源泉位相を有する源泉波動関数とランディング角とにより記述される電子ビームを、前記電子ビームパラメータに基づき試料の方へと放射してそこで電子を散乱させ、
前記散乱電子のうち一部分を電子検出器にて検出し、それによって電子データであり電子位相を有する電子波動関数と電子ランディング角とを含むものを生成し、
プロセッサを用い前記源泉位相・前記電子位相間の位相遅延を判別し、それによってラテンシを求め、且つ
前記プロセッサを用い、また前記ラテンシと前記源泉波動関数・前記電子波動関数間の差異とを用い、電子ビームツールの応答関数を補正することによって、
電子ビームツールの応答関数を補正する方法。 - 請求項1に記載の方法であり、前記散乱電子に後方散乱電子が含まれる方法であって、前記電子ビームツールで以て、
前記後方散乱電子のうち一部分を後方散乱電子検出器にて検出し、それによって後方散乱電子データを生成する方法。 - 請求項2に記載の方法であって、前記応答関数を補正する際に、前記電子データから前記後方散乱電子データを減ずる方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記応答関数を補正する際に、
前記プロセッサを用い前記後方散乱電子データのスペクトル分布を低エネルギ側に向かい外挿し、それによって外挿後方散乱電子データを生成し、且つ
前記プロセッサを用い前記電子データから前記外挿後方散乱電子データを減ずる方法。 - 請求項2に記載の方法であって、前記応答関数を補正する際に、
前記プロセッサを用い前記後方散乱電子データのエネルギ分布関数をモデル化し、それによってモデル化エネルギ分布関数を生成し、且つ
前記プロセッサを用い、また前記電子ビームツールを用い採取した一通り又は複数通りの計測結果を用い、前記モデル化エネルギ分布関数を校正する方法。 - 請求項2に記載の方法であって、前記応答関数を補正する際に、計測パラメータ及び試料特性であり前記後方散乱電子データに基づくものが、その後方散乱電子データと前記電子データとの総和に対し占める、相対的割合を判別する方法。
- 請求項6に記載の方法であって、更に、前記相対的割合を電子データ格納ユニット上に格納する方法。
- 請求項7に記載の方法であり、前記電子ビームツールの前記応答関数を補正する際に機械学習モデルを用いる方法であって、その機械学習モデルが、前記電子データ格納ユニット上に格納されている格納済相対的割合を用い訓練されたものである方法。
- 請求項1に記載の方法であって、更に、前記電子ビームツールで以て、
前記後方散乱電子のうち第2部分を対照電子検出器にて検出し、それによって対照電子データを生成し、
前記プロセッサを用い前記電子データと前記対照電子データとを比較することで傾斜データを生成し、且つ
前記傾斜データを用い前記電子ビームの傾斜を変化させる方法。 - 電子ビームツールを備え、その電子ビームツールが、
源泉位相を有する源泉波動関数とランディング角とにより記述される電子ビームの態で電子を放出するよう構成された電子ビームエミッタ、
前記電子ビームの経路上で試料を保持するよう構成されたステージ、
前記電子ビームを前記試料に衝突させることで散乱された電子のうち一部分を検出することで、電子データであり電子位相を有する電子波動関数と電子ランディング角とを含むものを生成するよう、構成された電子検出器、
を有し、
前記電子ビームツールと電子通信するコントローラを備え、そのコントローラがプロセッサを有し、
前記コントローラが、
前記電子ビームの電子ビームパラメータであり周波数を有するものを変調せよと前記電子ビームエミッタに命令し、
前記源泉位相・前記電子位相間の位相遅延を判別し、それによってラテンシを求め、且つ
前記ラテンシと前記源泉波動関数・前記電子波動関数間の差異とを用い前記電子ビームツールの応答関数を補正するよう、
構成されているシステム。 - 請求項10に記載のシステムであり、前記散乱電子が後方散乱電子を含むシステムであって、更に、
後方散乱電子のうち一部分を検出することで後方散乱電子データを生成するよう構成された後方散乱電子検出器を備えるシステム。 - 請求項11に記載のシステムであって、前記コントローラが、前記電子データから前記後方散乱電子データを減ずることで前記応答関数を補正するよう構成されているシステム。
- 請求項11に記載のシステムであって、前記コントローラが、
前記後方散乱電子データのスペクトル分布を低エネルギ側に向かい外挿し、それによって外挿後方散乱電子データを生成し、且つ
前記電子データから前記外挿後方散乱電子データを減ずることによって、
前記応答関数を補正するよう構成されているシステム。 - 請求項11に記載のシステムであって、前記コントローラが、
前記後方散乱電子データのエネルギ分布関数をモデル化し、それによってモデル化エネルギ分布関数を生成し、且つ
前記電子ビームツールを用い採取した一通り又は複数通りの計測結果を用い前記モデル化エネルギ分布関数を校正することによって、
前記応答関数を補正するよう構成されているシステム。 - 請求項11に記載のシステムであって、前記コントローラが、
計測パラメータ及び試料特性であり前記後方散乱電子データに基づくものが、その後方散乱電子データと前記電子データとの総和に対し占める、相対的割合を判別することによって、前記応答関数を補正するよう構成されているシステム。 - 請求項15に記載のシステムであって、更に、前記相対的割合を格納するよう構成された電子データ格納ユニットを備えるシステム。
- 請求項16に記載のシステムであって、前記コントローラが、機械学習モデルを用い前記応答関数を補正するよう構成されており、その機械学習モデルが、前記電子データ格納ユニット上に格納されている格納済相対的割合を用い訓練されているシステム。
- 請求項10に記載のシステムであって、更に、
前記後方散乱電子のうち第2部分を検出することで対照電子データを生成するよう構成された対照電子検出器を備え、
前記コントローラが、更に、
前記電子データと前記対照電子データとを比較することで傾斜データを生成し、且つ
前記傾斜データを用い前記電子ビームエミッタの角度を変化させ、それによって前記電子ビームの傾斜を変化させるよう、
構成されているシステム。 - 1個又は複数個のプログラムを備える非一時的コンピュータ可読格納媒体であって、そのプログラムに従い1個又は複数個の情報処理デバイス上で実行されるステップが、
電子ビームツールの応答関数を補正するステップを含み、そのステップが、
周波数を有する電子ビームパラメータを変調し、
源泉位相を有する源泉波動関数とランディング角とにより記述される電子ビームを電子ビームパラメータに基づき試料の方へと放射させることで電子を散乱させよと、電子ビームツールに命令し、
前記散乱電子のうち一部分を検出する電子検出器から、電子位相を有する電子波動関数と電子ランディング角とを含む電子データを受け取り、
前記源泉位相・前記電子位相間の位相遅延を判別し、それによってラテンシを求め、且つ
前記ラテンシと前記源泉波動関数・前記電子波動関数間の差異とを用い、前記電子ビームツールの応答関数を補正することによって、
実行される非一時的コンピュータ可読格納媒体。 - 請求項19に記載の非一時的コンピュータ可読格納媒体であって、前記1個又は複数個のプログラムが、更に、1個又は複数個の情報処理デバイス上で、
前記電子ビームパラメータ、前記電子データ及び前記応答関数を用いた機械学習アルゴリズムの訓練を実行するよう、構成されている非一時的コンピュータ可読格納媒体。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000156189A (ja) | 1998-07-09 | 2000-06-06 | Nikon Corp | 電子ビ―ム装置および電子ビ―ムの軸ずれ検出方法 |
JP2000338068A (ja) | 1999-05-25 | 2000-12-08 | Shimadzu Corp | 電子線分析装置 |
JP2005071775A (ja) | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Hitachi Ltd | 電子顕微鏡吸収電流像観察装置 |
US20090272900A1 (en) | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Zvi Nir | Pattern Invariant Focusing of a Charged Particle Beam |
JP2014143096A (ja) | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置における軌道修正方法 |
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Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5557105A (en) * | 1991-06-10 | 1996-09-17 | Fujitsu Limited | Pattern inspection apparatus and electron beam apparatus |
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US8283631B2 (en) * | 2008-05-08 | 2012-10-09 | Kla-Tencor Corporation | In-situ differential spectroscopy |
US7977633B2 (en) | 2008-08-27 | 2011-07-12 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E. V. | Phase plate, in particular for an electron microscope |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000156189A (ja) | 1998-07-09 | 2000-06-06 | Nikon Corp | 電子ビ―ム装置および電子ビ―ムの軸ずれ検出方法 |
JP2000338068A (ja) | 1999-05-25 | 2000-12-08 | Shimadzu Corp | 電子線分析装置 |
JP2005071775A (ja) | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Hitachi Ltd | 電子顕微鏡吸収電流像観察装置 |
US20090272900A1 (en) | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Zvi Nir | Pattern Invariant Focusing of a Charged Particle Beam |
JP2014143096A (ja) | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置における軌道修正方法 |
JP2018137160A (ja) | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 計測装置及び観測条件の設定方法 |
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