JP7456940B2 - 電気回路及び電気装置 - Google Patents
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Description
本開示は、センサ素子を含む電気回路及び電気装置に関する。
センサ素子の電流出力は微小電流であることが多いため、一旦、信号を増幅しノイズ除去した上で、マイコンに入力する必要があり、その後、トランジスタ等の能動素子を作動させることが行われる。
本開示の1つの態様の電気回路は、電流信号を出力するセンサ素子と、前記センサ素子に接続したショットキーバリアダイオードと、前記センサ素子と前記ショットキーバリアダイオードの接続点に、ゲート電極を接続した電圧駆動のトランジスタと、を有し、前記ショットキーバリアダイオードは、ショットキー接合を形成する金属層と半導体層の間の一部の領域に、絶縁体層を有する。
以下に本開示の一実施形態につき図面を参照して説明する。
図1に示すように本実施形態の電気回路は、電流信号を出力するセンサ素子S1と、センサ素子S1にアノードを接続したショットキーバリアダイオードD1と、センサ素子S1とショットキーバリアダイオードD1の接続点に、ゲート電極を接続した電圧駆動のトランジスタT1と、を有する。
ショットキーバリアダイオードD1(D2)は、図2A,2Bに示すようにショットキー接合SBを形成する金属層1と半導体層2の間の一部の領域に、絶縁体層3を有する。
シリコン酸化膜等により構成される絶縁体層3を上下に挟み、絶縁体層3に接合する一方の金属層1と、他方の半導体層2は、絶縁体層3に隣接した領域でショットキー接合SBを形成する金属と半導体の層である。
半導体層2の下面にはカソード電極金属層4が形成されており、図1の回路図で高電位側に接続される電極に相当する。
ショットキーバリアダイオードD1(D2)は、図2A,2Bに示すようにショットキー接合SBを形成する金属層1と半導体層2の間の一部の領域に、絶縁体層3を有する。
シリコン酸化膜等により構成される絶縁体層3を上下に挟み、絶縁体層3に接合する一方の金属層1と、他方の半導体層2は、絶縁体層3に隣接した領域でショットキー接合SBを形成する金属と半導体の層である。
半導体層2の下面にはカソード電極金属層4が形成されており、図1の回路図で高電位側に接続される電極に相当する。
図1に示すようにショットキーバリアダイオードD1は、高電位(Hi)側に接続される。センサ素子S1は、ショットキーバリアダイオードD1より、低電位(GND)側に接続される。
ショットキーバリアダイオードD1のカソードが高電位側に、アノードが低電位側とされた逆方向接続である。
両者の接続関係としては、センサ素子S1を、ショットキーバリアダイオードD1のアノードに対して接続している。
ショットキーバリアダイオードD1は第1電位側にあり、センサ素子S1は第1電位より低い第2電位側にある電気回路が構成される。
ショットキーバリアダイオードD1のカソードが高電位側に、アノードが低電位側とされた逆方向接続である。
両者の接続関係としては、センサ素子S1を、ショットキーバリアダイオードD1のアノードに対して接続している。
ショットキーバリアダイオードD1は第1電位側にあり、センサ素子S1は第1電位より低い第2電位側にある電気回路が構成される。
又は、図7に示すようにセンサ素子S1は第1電位側にあり、ショットキーバリアダイオードD2は第1電位より低い第2電位側にある電気回路も同様に実施し得る。この場合、ショットキーバリアダイオードD2は、低電位(GND)側に接続される。センサ素子S1は、ショットキーバリアダイオードD2より、高電位(Hi)側に接続される。
ショットキーバリアダイオードD2のカソードが高電位側に、アノードが低電位側とされた逆方向接続である。
両者の接続関係としては、センサ素子S1を、ショットキーバリアダイオードD2のカソードに対して接続している。
ショットキーバリアダイオードD2のカソードが高電位側に、アノードが低電位側とされた逆方向接続である。
両者の接続関係としては、センサ素子S1を、ショットキーバリアダイオードD2のカソードに対して接続している。
図2A,2Bに示すように、ショットキーバリアダイオードD1(D2)は、平面視(図2B)で金属層1と半導体層2とのショットキー接合SBに囲まれた領域に絶縁体層3を有し、該絶縁体層3を金属層1と半導体層2との間に有する。
図3は、比較例のショットキーバリアダイオードD3の積層構造を示す断面図である。
図4は、比較例のダイオード(D3)と、本発明例のダイオード(D1,D2)の逆方向電圧VRに対する逆方向漏れ電流IRの関係(逆方向電圧電流特性)を示すグラフである。
約80〔V〕までは、比較例のダイオード(D3)及び本発明例のダイオード(D1,D2)は、互いにほぼ同じ特性で変遷する。これは、ショットキー接合SBの逆方向漏れ電流IRsを主とした電圧範囲11であることを示す。
同電圧範囲11を超えて電圧が増加すると、比較例のダイオード(D3)の電流値に対して本発明例のダイオード(D1,D2)の電流値は、大きく立ち上がる(電圧範囲12)。
これは、本発明例のダイオード(D1,D2)は、金属層1と半導体層2とのショットキー接合SBが逆電圧印加時で降伏前の状態にあるとき、絶縁体層3を通る逆方向漏れ電流IRtを流す逆方向電圧電流特性を有することを意味する。金属層1と半導体層2の間に位置する絶縁体層3を通る逆方向漏れ電流IRtをトンネル電流ともいう。
本発明例のダイオード(D1,D2)では、絶縁体層3を通る逆方向漏れ電流が増加する分だけ、単純なショットキーダイオードである比較例のダイオード(D3)の特性曲線に対して上に離れて上昇していく特性を示す。すなわち、本発明例のダイオード(D1,D2)では、絶縁体層3を通る逆方向漏れ電流IRtは、ショットキー接合の逆方向漏れ電流IRsより大きく立ち上がる逆方向電圧電流特性を有する。
本発明例のダイオード(D1,D2)は、これらの絶縁体層3を通る逆方向漏れ電流IRtと、ショットキー接合の逆方向漏れ電流IRsとを合算した特性となる。
絶縁体層3を通る逆方向漏れ電流IRtが片対数的に増加し、電圧範囲12において電圧VRに対して電流IRが直線的に変化するリニアリティが実現される。
図4は、比較例のダイオード(D3)と、本発明例のダイオード(D1,D2)の逆方向電圧VRに対する逆方向漏れ電流IRの関係(逆方向電圧電流特性)を示すグラフである。
約80〔V〕までは、比較例のダイオード(D3)及び本発明例のダイオード(D1,D2)は、互いにほぼ同じ特性で変遷する。これは、ショットキー接合SBの逆方向漏れ電流IRsを主とした電圧範囲11であることを示す。
同電圧範囲11を超えて電圧が増加すると、比較例のダイオード(D3)の電流値に対して本発明例のダイオード(D1,D2)の電流値は、大きく立ち上がる(電圧範囲12)。
これは、本発明例のダイオード(D1,D2)は、金属層1と半導体層2とのショットキー接合SBが逆電圧印加時で降伏前の状態にあるとき、絶縁体層3を通る逆方向漏れ電流IRtを流す逆方向電圧電流特性を有することを意味する。金属層1と半導体層2の間に位置する絶縁体層3を通る逆方向漏れ電流IRtをトンネル電流ともいう。
本発明例のダイオード(D1,D2)では、絶縁体層3を通る逆方向漏れ電流が増加する分だけ、単純なショットキーダイオードである比較例のダイオード(D3)の特性曲線に対して上に離れて上昇していく特性を示す。すなわち、本発明例のダイオード(D1,D2)では、絶縁体層3を通る逆方向漏れ電流IRtは、ショットキー接合の逆方向漏れ電流IRsより大きく立ち上がる逆方向電圧電流特性を有する。
本発明例のダイオード(D1,D2)は、これらの絶縁体層3を通る逆方向漏れ電流IRtと、ショットキー接合の逆方向漏れ電流IRsとを合算した特性となる。
絶縁体層3を通る逆方向漏れ電流IRtが片対数的に増加し、電圧範囲12において電圧VRに対して電流IRが直線的に変化するリニアリティが実現される。
図5は、以上説明した絶縁体層3を有する本発明例のダイオード(D1,D2)の温度依存性を示すグラフである。
図5に示すように、低電圧範囲13では、ショットキー接合の温度依存性に起因して、25℃と125℃とで電流値が異なっている。
これに対し、高電圧範囲14では、ショットキー接合の温度依存性の影響が小さくなり、25℃と125℃とで電流値がほぼ異ならない。
すなわち、本発明例のダイオード(D1,D2)では、絶縁体層3を通る逆方向漏れ電流(IRt)がショットキー接合(SB)の逆方向漏れ電流(IRs)より大きく立ち上がる電圧範囲と、それ未満のショットキー接合(SB)の逆方向漏れ電流(IRs)を主とした電圧範囲とを比較して、前者の温度依存性が後者の温度依存性より小さい。
図5に示すように、低電圧範囲13では、ショットキー接合の温度依存性に起因して、25℃と125℃とで電流値が異なっている。
これに対し、高電圧範囲14では、ショットキー接合の温度依存性の影響が小さくなり、25℃と125℃とで電流値がほぼ異ならない。
すなわち、本発明例のダイオード(D1,D2)では、絶縁体層3を通る逆方向漏れ電流(IRt)がショットキー接合(SB)の逆方向漏れ電流(IRs)より大きく立ち上がる電圧範囲と、それ未満のショットキー接合(SB)の逆方向漏れ電流(IRs)を主とした電圧範囲とを比較して、前者の温度依存性が後者の温度依存性より小さい。
以上の本実施形態の電気回路において、センサ素子S1の電流信号を高電圧範囲14に設定し、センサ素子S1とダイオードD1(D2)との接続点がトランジスタT1のON電圧と、OFF電圧とに変化するように設定する。
図1の電気回路では、ノーマリーONで、センサ素子S1が検出対象の外的要因(光、圧力など)を検出してその検出信号を電流信号として出力すると、ダイオードD1のアノード電位がトランジスタT1のOFF電位となり、トランジスタT1がOFFとなる。したがって、ノーマリーONで、センサ素子S1による検出でOFFとなる電気回路が構成される。
図7の電気回路では、ノーマリーOFFで、センサ素子S1が検出対象の外的要因(光、圧力など)を検出してその検出信号を電流信号として出力すると、ダイオードD2のカソード電位がトランジスタT1のON電位となり、トランジスタT1がONとなる。したがって、ノーマリーOFFで、センサ素子S1による検出でONとなる電気回路が構成される。
そして、図5に示したように高電圧範囲14では、センサ素子の電流信号に応じたゲート電圧のリニアリティを温度依存性少なく実現できるので、環境温度によらず精度よく動作させることができる。
図1の電気回路では、ノーマリーONで、センサ素子S1が検出対象の外的要因(光、圧力など)を検出してその検出信号を電流信号として出力すると、ダイオードD1のアノード電位がトランジスタT1のOFF電位となり、トランジスタT1がOFFとなる。したがって、ノーマリーONで、センサ素子S1による検出でOFFとなる電気回路が構成される。
図7の電気回路では、ノーマリーOFFで、センサ素子S1が検出対象の外的要因(光、圧力など)を検出してその検出信号を電流信号として出力すると、ダイオードD2のカソード電位がトランジスタT1のON電位となり、トランジスタT1がONとなる。したがって、ノーマリーOFFで、センサ素子S1による検出でONとなる電気回路が構成される。
そして、図5に示したように高電圧範囲14では、センサ素子の電流信号に応じたゲート電圧のリニアリティを温度依存性少なく実現できるので、環境温度によらず精度よく動作させることができる。
以上のような絶縁体層3を通る逆方向漏れ電流IRtに起因した逆方向電圧電流特性を実現するために、絶縁体層3を薄膜化して、ショットキー接合SBの降伏電圧以下の所望の電圧範囲で、漏れ電流IRtが十分に発生するように、ダイオードD1,D2を構成する。
その一つの手法としては、図6に示す絶縁体層3の縁部構造を構成することである。
図6に示すように、絶縁体層3の縁部31は、厚みが縁32に向かって漸減する勾配を有して形成され、当該勾配は、当該縁32から縁部31より内側の中央部33に近づくほど急勾配に変化している。
かかる構造により、絶縁体層3の縁32付近の薄い部分での漏れ電流IRtの発生を比較的低電圧で引き起こすことができる。
また、かかる構造は、絶縁体層3のウエットエッチングにより容易に形成することができるので、容易に実施することができる。
以上の構成に拘わらず、絶縁体層3を全体的に薄膜化して所望の特性の漏れ電流IRtを実現してもよいことは勿論である。
その一つの手法としては、図6に示す絶縁体層3の縁部構造を構成することである。
図6に示すように、絶縁体層3の縁部31は、厚みが縁32に向かって漸減する勾配を有して形成され、当該勾配は、当該縁32から縁部31より内側の中央部33に近づくほど急勾配に変化している。
かかる構造により、絶縁体層3の縁32付近の薄い部分での漏れ電流IRtの発生を比較的低電圧で引き起こすことができる。
また、かかる構造は、絶縁体層3のウエットエッチングにより容易に形成することができるので、容易に実施することができる。
以上の構成に拘わらず、絶縁体層3を全体的に薄膜化して所望の特性の漏れ電流IRtを実現してもよいことは勿論である。
以上説明した電気回路を検出部として有する電気装置を実施し得る。例えば、各種生産機械、IoT機器等を実施し得る。例えば、生産機械における稼働状況をセンサ素子S1に感知させてトランジスタT1によりON/OFF信号として出力させ、通信路を介して生産管理コンピューターシステムに送信するように実施することができる。
IoT機器でも同様に、外的要因をセンサ素子S1に感知させてトランジスタT1によりON/OFF信号として出力させ、通信ネットワークを介してパーソナル・コンピューターやモバイル・コンピューターに送信するように実施することができる。
また、データ通信により離れた装置に送信する実施形態のみならず、同電気装置に備わるモーター、ライトその他の電気機器の動作を、必要により制御ICを介して操作するように実施することができる。
このような電気装置において、電圧駆動のトランジスタを作動させるために、マイコン(ICチップ)が不要となり、低コスト化、小型軽量化を図ることができ、温度依存性が小さく、高い動作信頼性を実現できる。
IoT機器でも同様に、外的要因をセンサ素子S1に感知させてトランジスタT1によりON/OFF信号として出力させ、通信ネットワークを介してパーソナル・コンピューターやモバイル・コンピューターに送信するように実施することができる。
また、データ通信により離れた装置に送信する実施形態のみならず、同電気装置に備わるモーター、ライトその他の電気機器の動作を、必要により制御ICを介して操作するように実施することができる。
このような電気装置において、電圧駆動のトランジスタを作動させるために、マイコン(ICチップ)が不要となり、低コスト化、小型軽量化を図ることができ、温度依存性が小さく、高い動作信頼性を実現できる。
本開示は、電気回路及び電気装置に利用することができる。
1 金属層
2 半導体層
3 絶縁体層
4 カソード電極金属層
D1,D2 ショットキーバリアダイオード
D3 比較例のショットキーバリアダイオード
S1 センサ素子
SB ショットキー接合
T1 トランジスタ
2 半導体層
3 絶縁体層
4 カソード電極金属層
D1,D2 ショットキーバリアダイオード
D3 比較例のショットキーバリアダイオード
S1 センサ素子
SB ショットキー接合
T1 トランジスタ
Claims (10)
- 電流信号を出力するセンサ素子と、
前記センサ素子に接続したショットキーバリアダイオードと、
前記センサ素子と前記ショットキーバリアダイオードの接続点に、ゲート電極を接続した電圧駆動のトランジスタと、を有し、
前記ショットキーバリアダイオードは、ショットキー接合を形成する金属層と半導体層の間の一部の領域に、絶縁体層を有する電気回路。 - 前記絶縁体層は、ショットキー接合に隣接した領域で一面を前記金属層に接合し、反対面を前記半導体層に接合している請求項1に記載の電気回路。
- 平面視で前記金属層と前記半導体層とのショットキー接合に囲まれた領域に前記絶縁体層を前記金属層と前記半導体層との間に有する請求項1又は請求項2に記載の電気回路。
- 前記金属層と前記半導体層とのショットキー接合が逆電圧印加時で降伏前の状態にあるとき、前記絶縁体層を通る逆方向漏れ電流を流す逆方向電圧電流特性を有する請求項1から請求項3のうちいずれか一に記載の電気回路。
- 前記絶縁体層を通る逆方向漏れ電流は、前記ショットキー接合の逆方向漏れ電流より大きく立ち上がる逆方向電圧電流特性を有する請求項4に記載の電気回路。
- 前記絶縁体層を通る逆方向漏れ電流が前記ショットキー接合の逆方向漏れ電流より大きく立ち上がる電圧範囲と、それ未満のショットキー接合の逆方向漏れ電流を主とした電圧範囲とを比較して、前者の温度依存性が後者の温度依存性より小さい請求項5に記載の電気回路。
- 前記絶縁体層の縁部は、厚みが縁に向かって漸減する勾配を有して形成され、当該勾配は、当該縁から前記縁部より内側の中央部に近づくほど急勾配に変化している請求項1から請求項6のうちいずれか一に記載の電気回路。
- 前記ショットキーバリアダイオードは第1電位側にあり、前記センサ素子は前記第1電位より低い第2電位側にある請求項1から請求項7のうちいずれか一に記載の電気回路。
- 前記センサ素子は第1電位側にあり、前記ショットキーバリアダイオードは前記第1電位より低い第2電位側にある請求項1から請求項7のうちいずれか一に記載の電気回路。
- 請求項1から請求項9のうちいずれか一に記載の電気回路を有する電気装置。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000021140A1 (fr) | 1998-10-08 | 2000-04-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a semiconducteur, son procede de fabrication et circuit protecteur de dispositif a semiconducteur |
JP2014007386A (ja) | 2012-05-11 | 2014-01-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び電子機器 |
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JP2018510022A (ja) | 2015-03-31 | 2018-04-12 | ドレーゲルヴェルク アクチェンゲゼルシャフト ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト アウフ アクチェンDraegerwerk AG & Co.KGaA | 測定信号増幅器および測定信号増幅器のエネルギー供給方法 |
Family Cites Families (5)
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JPS57106911A (en) * | 1980-12-23 | 1982-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Temperature controller |
JPS6489527A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-04 | Nec Corp | Schottky diode |
JPH10318783A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-04 | Yazaki Corp | 磁気検出装置及び磁気検出信号処理装置 |
JP2009064969A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Panasonic Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6412781B2 (ja) * | 2014-11-25 | 2018-10-24 | 株式会社メガチップス | 画像センサ |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000021140A1 (fr) | 1998-10-08 | 2000-04-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a semiconducteur, son procede de fabrication et circuit protecteur de dispositif a semiconducteur |
JP2014007386A (ja) | 2012-05-11 | 2014-01-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び電子機器 |
JP2015002315A (ja) | 2013-06-18 | 2015-01-05 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2018510022A (ja) | 2015-03-31 | 2018-04-12 | ドレーゲルヴェルク アクチェンゲゼルシャフト ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト アウフ アクチェンDraegerwerk AG & Co.KGaA | 測定信号増幅器および測定信号増幅器のエネルギー供給方法 |
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