JP7456279B2 - 軟磁性金属粉末及び電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、軟磁性金属粉末、及び軟磁性金属粉末を含む電子部品に関する。

インダクタ、トランス及びチョークコイル等の電子部品は、様々な電子機器の電源回路に多用される。これらの電子部品は、コイルとコイルの内側に配置される磁心とを備えている。近年、磁心の材料として、従来のフェライトの代わりに軟磁性金属粉末が多用される。軟磁性金属粉末は、フェライトに比べて、高い飽和磁化（飽和磁束密度）を有し、直流重畳特性に優れており（直流重畳許容電流が大きく）、電子部品（磁心）の小型化に適しているからである。（下記特許文献１参照。）

しかしながら、軟磁性金属粉末が磁心に用いられる場合、軟磁性金属粉末に含まれる複数の軟磁性金属粒子間の導通に因り、渦電流が磁心内で発生し易い。つまり軟磁性金属粉末が磁心に用いられる場合、コアロス（渦電流損失）が生じ易い。コアロスに因り、電源回路の効率が低下し、電子機器の消費電力が増加してしまう。したがって、コアロスを低減する必要がある。コアロスの低減のためには、軟磁性金属粒子間の電気的絶縁性が求められる。（下記特許文献２参照。）換言すれば、コアロスの低減のためには、高い耐電圧が軟磁性金属粉末に求められる。

特許第３３４２７６７号公報 特開２０１７－３４２２８号公報

本発明の目的は、高い耐電圧を有する軟磁性金属粉末、及び当該軟磁性金属粉末を含む電子部品を提供することである。

本発明の一側面に係る軟磁性金属粉末は、複数の軟磁性金属粒子を含み、軟磁性金属粒子が、金属粒子と、金属粒子を覆う酸化部（ｏｘｉｄｉｚｅｄ ｐａｒｔ）と、を含み、金属粒子が、少なくともＦｅを含み、酸化部が、Ｓ及び元素Ｍのうち少なくとも一種の元素を含み、元素Ｍが、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ及びＣｒからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素であり、金属粒子及び酸化部におけるＳ及び元素Ｍ其々の濃度の単位が、原子％であり、金属粒子及び酸化部におけるＳ又は元素Ｍの濃度が、酸化部において極大値を有する。

金属粒子における元素Ｍの濃度の平均値が、［Ｍ］ａと表され、酸化部における元素Ｍの濃度の極大値の平均値が、［Ｍ］ｍと表され、［Ｍ］ｍ－［Ｍ］ａが、０．４原子％以上であってよい。
［Ｍ］ｍ－［Ｍ］ａが、５．０原子％以下であってよい。
［Ｍ］ａが、０原子％以上１６．０原子％以下であってよく、［Ｍ］ｍが、０．４原子％以上２１．０原子％以下であってよい。

金属粒子におけるＳの濃度の平均値が、［Ｓ］ａと表され、酸化部におけるＳの濃度の極大値の平均値が、［Ｓ］ｍと表され、［Ｓ］ｍ－［Ｓ］ａが、０．２原子％以上であってよい。
［Ｓ］ｍ－［Ｓ］ａが、５．０原子％以下であってよい。
［Ｓ］ａが、０原子％以上５．０原子％以下であってよく、［Ｓ］ｍが、０．２原子％以上１０．０原子％以下であってよい。

金属粒子の少なくとも一部が、非晶質相であってよい。

金属粒子の少なくとも一部が、ナノ結晶相であってよい。

軟磁性金属粒子が、酸化部を覆う被覆部を更に含んでよい。

被覆部が、ガラスを含んでよい。

金属粒子及び酸化部の両方が、Ｓ及び元素Ｍのうち少なくとも一種の元素を含んでよい。

本発明の一側面に係る電子部品は、上記の軟磁性金属粉末を含む。

本発明によれば、高い耐電圧を有する軟磁性金属粉末、及び当該軟磁性金属粉末を含む電子部品が提供される。

図１は、本発明の一実施形態に係る軟磁性金属粒子の断面の模式図である。 図２は、本発明の他の実施形態に係る軟磁性金属粒子の断面の模式図である。 図３は、軟磁性金属粉末の製造に用いるガスアトマイズ装置の断面の模式図である。 図４は、図３に示される装置の一部（冷却水の導入部）の拡大された断面を示す。 図５は、軟磁性金属粒子の酸化部の最表面に垂直な方向における各元素の濃度分布である。

以下、図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態が説明される。図面において、同等の構成要素には同等の符号が付される。本発明は下記実施形態に限定されるものではない。

（軟磁性金属粉末）
本実施形態に係る軟磁性金属粉末は、複数の軟磁性金属粒子を含む。軟磁性金属粉末は、多数の軟磁性金属粒子の全体と言い換えられてよい。図１に示されるように、軟磁性金属粒子１は、金属粒子２と、金属粒子２を覆う酸化部３と、を含む。軟磁性金属粒子１は、金属粒子２及び酸化部３のみからなっていてよい。酸化部３は、酸化層と言い換えられてよい。酸化部３自体の電気抵抗（電気抵抗率）は金属粒子２自体の電気抵抗（電気抵抗率）よりも高い。換言すれば、酸化部３は電気的絶縁性を有している。複数の軟磁性金属粒子１同士が、電気的絶縁性を有する酸化部３を介して接触することに因り、軟磁性金属粒子１の導通が抑制され、軟磁性金属粉末の耐電圧が増加する。つまり、軟磁性金属粉末は、酸化部３の電気的絶縁性に起因する耐電圧を有している。酸化部３は、金属粒子２の一部又は全体を覆っていてよい。軟磁性金属粉末の耐電圧が増加し易いことから、酸化部３は金属粒子２の全体を覆うことが好ましい。酸化部３は、所々で途切れていてもよい。軟磁性金属粉末の耐電圧が増加し易いことから、軟磁性金属粉末に含まれる全ての軟磁性金属粒子１が、金属粒子２及び酸化部３を含むことが好ましい。ただし、軟磁性金属粉末の耐電圧が損なわれない限りにおいて、酸化部３を含まない少数の金属粒子が軟磁性金属粉末に含まれていてもよい。酸化部３の組成の詳細は後述される。

図２に示されるように、軟磁性金属粒子１は、金属粒子２及び酸化部３に加えて、酸化部３を覆う被覆部４を更に含んでよい。被覆部４自体の電気抵抗（電気抵抗率）は、金属粒子２自体の電気抵抗（電気抵抗率）よりも高い。換言すれば、被覆部４は電気的絶縁性を有している。複数の軟磁性金属粒子１同士が、電気的絶縁性を有する被覆部４を介して接触することに因り、軟磁性金属粒子１の導通が更に抑制され、軟磁性金属粉末の耐電圧が更に増加する。被覆部４は、酸化部３の一部又は全体を覆っていてよい。軟磁性金属粉末の耐電圧が増加し易いことから、被覆部４は酸化部３の全体を覆うことが好ましい。金属粒子２の一部分が酸化部３で覆われることなく露出している場合、被覆部４が金属粒子２の一部分を直接覆っていてよい。被覆部４は、組成において互いに異なる複数の被覆層からなっていてよく、複数の被覆層が酸化部３の最表面に垂直な方向において積層されていてよい。酸化部３の最表面とは、酸化部３の表面のうち金属粒子２に接していない面である。被覆部４は、組成が均一である一つの層であってもよい。

被覆部４はガラスを含んでよい。被覆部４はガラスのみからなっていてよい。被覆部４がガラスを含むことに因り、被覆部４の電気的絶縁性が向上し易く、軟磁性金属粉末の耐電圧が増加し易い。また被覆部４がガラスを含むことに因り、軟磁性金属粒子１同士の摩擦及び凝集が抑制され易く、軟磁性金属粉末の嵩密度及び充填率が増加し易く、軟磁性金属粉末全体の比透磁率が増加し易い。ただし、被覆部４の組成はガラスに限定されない。被覆部４の組成の詳細は、後述される。

以下に記載の「被覆粒子」とは、被覆部４を備える軟磁性金属粒子１を意味する。以下に記載の「未被覆粒子」とは、被覆部４を備えていない軟磁性金属粒子１を意味する。

軟磁性金属粉末は、被覆粒子と未被覆粒子の両方を含んでよい。軟磁性金属粉末に占める被覆粒子の個数の割合が高いほど、軟磁性金属粉末の耐電圧が高い。軟磁性金属粉末に占める被覆粒子の個数の割合は、９０％以上１００％以下、又９５％以上１００％以下であってよい。軟磁性金属粉末の耐電圧が増加し易いことから、軟磁性金属粉末は、被覆粒子のみからなっていてよい。ただし、軟磁性金属粉末が未被覆粒子のみからなっていてもよい。

以下に記載の「Ｖ１」とは、未被覆粒子のみからなる軟磁性金属粉末の耐電圧を意味する。以下に記載の「Ｖ２」とは、被覆粒子を含む軟磁性金属粉末の耐電圧を意味する。Ｖ１及びＶ２其々の単位は、Ｖ／ｍｍである。

金属粒子２は、少なくともＦｅ（鉄）を含む。金属粒子２は、Ｆｅのみからなっていてよい。金属粒子２は、Ｆｅを含む合金を含んでもよい。金属粒子２は、Ｆｅを含む合金のみからなっていてもよい。軟磁性金属粉末の軟磁気磁性は、金属粒子２の組成に起因する。軟磁気磁性とは、例えば、高い比透磁率、高い飽和磁化、及び低い保磁力を意味する。金属粒子２の組成の詳細は、後述される。

酸化部３は、Ｓ（硫黄）及び元素Ｍのうち少なくとも一種の元素を含む。例えば、酸化部３は、Ｓ及び元素Ｍのうち少なくとも一種の元素の酸化物を含んでよい。酸化部３は、Ｓ及び元素ＭのうちＳのみを含んでよい。酸化部３は、Ｓ及び元素Ｍのうち元素Ｍのみを含んでよい。酸化部３は、Ｓ及び元素Ｍの両方を含んでよい。元素Ｍは、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）及びＣｒ（クロム）からなる群より選ばれる少なくとも一種の元素である。酸化部３は、複数種の元素Ｍを含んでよい。酸化部３は、更にＦｅ、Ｓｉ（ケイ素）及びＢ（ホウ素）からなる群より選ばれる少なくとも一種の元素の酸化物を含んでよい。酸化部３は、Ｌｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）及びＫ（カリウム）なる少なくとも一種の第１族元素（アルカリ金属）を更に含んでよい。酸化部３は、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）及びＢａ（バリウム）からなる群より選ばれる少なくとも一種の第２族元素（又はアルカリ土類金属）を更に含んでよい。酸化部３が、Ｍｇ及びＣａのうち少なくとも一種を含む場合、軟磁性金属粉末の耐電圧が更に増加し易い。上記酸化物は、酸化部３の主成分であってよい。酸化部３は、酸化物のみからなっていてよい。

金属粒子２及び酸化部３におけるＳ又は元素Ｍの濃度は、酸化部３において極大である。つまり、金属粒子２及び酸化部３におけるＳ又は元素Ｍの濃度分布は、一様ではなく、酸化部３に属する任意の箇所において極大値を有する。金属粒子２及び酸化部３におけるＳ及び元素Ｍ其々の濃度の単位は、原子％である。酸化部３（又は、金属粒子２及び酸化部３の両方）が複数種の元素Ｍを含む場合、「元素Ｍの濃度」とは、全種類の元素Ｍの濃度の合計を意味する。酸化部３におけるＳの濃度の極大値は、金属粒子２及び酸化部３におけるＳの濃度の最大値であってよい。酸化部３における元素Ｍの濃度の極大値は、金属粒子２及び酸化部３におけるＳの濃度の最大値であってよい。金属粒子２及び酸化部３におけるＳ又は元素Ｍの濃度が酸化部３において極大であることに因り、酸化部３が優れた電気的絶縁性を有することができる。その結果、軟磁性金属粉末が高い耐電圧を有することができる。金属粒子２及び酸化部３におけるＳの濃度が、酸化部３において極大であり、且つ、金属粒子２及び酸化部３における元素Ｍの濃度も、酸化部３において極大であってよい。金属粒子２及び酸化部３におけるＳの濃度が、酸化部３において極大であり、且つ金属粒子２及び酸化部３における元素Ｍの濃度が、酸化部３において極大でなくてもよい。金属粒子２及び酸化部３におけるＳの濃度が、酸化部３において極大でなく、且つ金属粒子２及び酸化部３における元素Ｍの濃度が、酸化部３において極大であってもよい。金属粒子２及び酸化部３の両方が、Ｓ及び元素Ｍのうち少なくとも一つの元素を含んでよい。例えば、金属粒子２及び酸化部３の両方が、Ｓを含んでよい。金属粒子２及び酸化部３の両方が、共通する元素Ｍを含んでもよい。金属粒子２及び酸化部３の両方が、Ｓ及び元素Ｍの両方を含んでよい。金属粒子２及び酸化部３のうち酸化部３のみが、Ｓ及び元素Ｍのうち少なくとも一つの元素を含んでもよい。軟磁性金属粉末の耐電圧が増加し易いことから、軟磁性金属粉末に含まれる全ての軟磁性金属粒子１の酸化部３において、Ｓ又は元素Ｍの濃度が極大であることが好ましい。ただし、軟磁性金属粉末の耐電圧が損なわれない限りにおいて、Ｓ又は元素Ｍの濃度が酸化部３以外の部分において極大である少数の金属粒子が軟磁性金属粉末に含まれていてもよい。

金属粒子２におけるＳの濃度の平均値は、［Ｓ］ａと表される。酸化部３におけるＳの濃度の極大値の平均値は、［Ｓ］ｍと表される。［Ｓ］ａは、０原子％以上５．０原子％以下、又は０原子％以上３．５原子％以下であってよく、［Ｓ］ｍは、０．２原子％以上１０．０原子％以下、０．２原子％以上９．０原子％以下、又は０．２原子％以上７．０原子％以下であってよい。金属粒子２及び酸化部３における元素Ｍの濃度が、酸化部３において極大値を有する場合、［Ｓ］ｍは、０原子％以上１０．０原子％以下、０原子％以上９．０原子％以下、又は０原子％以上７．０原子％以下であってよい。［Ｓ］ｍ－［Ｓ］ａは、０．２原子％以上であってよい。以下に記載のΔ［Ｓ］は、［Ｓ］ｍ－［Ｓ］ａを意味する。Δ［Ｓ］が０．２原子％以上である軟磁性金属粉末の耐電圧（Ｖ１及びＶ２）は、Δ［Ｓ］が０．２原子未満である軟磁性金属粉末の耐電圧よりも高い傾向がある。同様の理由から、Δ［Ｓ］は、０．２原子％以上５．０原子％以下、又は０．５原子％以上３．６原子％以下であってよい。

金属粒子２における元素Ｍの濃度の平均値は、［Ｍ］ａと表される。酸化部３における元素Ｍの濃度の極大値の平均値は、［Ｍ］ｍと表される。［Ｍ］ａは、０原子％以上１６．０原子％以下、又は０原子％以上１５．０原子％以下であってよく、［Ｍ］ｍは、０．４原子％以上２１．０原子％以下、０．４原子％以上２０．０原子％以下、又は０．４原子％以上１７．０原子％以下であってよい。金属粒子２及び酸化部３におけるＳの濃度が、酸化部３において極大値を有する場合、［Ｍ］ｍは、０原子％以上２１．０原子％以下、０原子％以上２０．０原子％以下、又は０原子％以上１７．０原子％以下であってよい。［Ｍ］ｍ－［Ｍ］ａは、０．４原子％以上であってよい。以下に記載のΔ［Ｍ］は、［Ｍ］ｍ－［Ｍ］ａを意味する。Δ［Ｍ］が０．４原子％以上である軟磁性金属粉末の耐電圧（特にＶ２）は、Δ［Ｍ］が０．４原子未満である軟磁性金属粉の耐電圧よりも高い傾向がある。同様の理由から、Δ［Ｍ］は、０．４原子％以上５．０原子％以下、又は０．５原子％以上３．１原子％以下であってよい。

軟磁性金属粉末の耐電圧（特にＶ２）が更に増加し易いことから、Δ［Ｓ］及びΔ［Ｍ］の両方が０．５原子％以上であることが好ましい。ただし、Δ［Ｓ］及びΔ［Ｍ］のうち一方の値のみが０．５原子％以上であり、Δ［Ｓ］及びΔ［Ｍ］のうち他方の値が０．５原子％未満であってよい。Δ［Ｓ］及びΔ［Ｍ］のうち一方の値のみが０．５原子％以上であり、Δ［Ｓ］及びΔ［Ｍ］のうち他方の値が０．５原子％未満である場合も、軟磁性金属粉末の耐電圧が増加することは可能である。

金属粒子２及び酸化部３におけるＳ及び元素Ｍ其々の濃度は、下記の線分析によって測定されてよい。

２０個の軟磁性金属粒子１が、軟磁性金属粉末から無作為に選出される。各軟磁性金属粒子１の金属粒子２及び酸化部３におけるＳ及び元素Ｍ其々の濃度分布が測定される。測定された濃度分布に基づき、Ｓ及び元素Ｍ其々の濃度が極大である箇所が特定される。Ｓ及び元素Ｍ其々の濃度分布は、酸化部３の最表面に垂直な方向における軟磁性金属粒子１の断面において測定される。つまりＳ及び元素Ｍ其々の濃度分布は、酸化部３の最表面に垂直な方向に沿って測定される。酸化部３の最表面に垂直な方向とは、図１に示される深さ方向ｄである。したがって、Ｓ及び元素Ｍ其々の濃度分布は、深さ方向ｄに延びる線分に沿ったＳ及び元素Ｍ其々の濃度分布と言い換えられてよい。深さ方向ｄに延びる線分は、金属粒子２の中心と酸化部３の最表面とを結ぶ線分であってよい。深さ方向ｄに延びる線分は、金属粒子２及び酸化部３の全体を横断する線分であってもよい。Ｓ及び元素Ｍ其々の濃度分布の測定手段は、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）であってよい。ＥＤＳによって分析される断面は、例えば、走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）によって観察されてよい。

２０個の軟磁性金属粒子１其々の酸化部３において測定されたＳの濃度の極大値から、Ｓの濃度の極大値の平均値（［Ｓ］ｍ）が算出される。２０個の軟磁性金属粒子１其々の酸化部３において測定された元素Ｍの濃度の極大値から、元素Ｍの濃度の極大値の平均値（［Ｍ］ｍ）が算出される。

［Ｓ］ａ及び［Ｍ］ａの算出のために、各軟磁性金属粒子１の金属粒子２内に位置する任意の２０箇所においてＳ及び元素Ｍ其々の濃度が測定される。２０箇所において測定されたＳの濃度から、各軟磁性金属粒子１の金属粒子２におけるＳの濃度の平均値が算出される。２０個の軟磁性金属粒子１其々の金属粒子２において測定されたＳの濃度の平均値から、［Ｓ］ａが算出される。Ｓの濃度と同様に、２０箇所において測定された元素Ｍの濃度から、各軟磁性金属粒子１の金属粒子２における元素Ｍの濃度の平均値が算出される。２０個の軟磁性金属粒子１其々の金属粒子２において測定された元素Ｍの濃度の平均値から、［Ｍ］ａが算出される。

軟磁性金属粒子１に含まれる他の元素の濃度分布は、Ｓ及び元素Ｍ其々の濃度分布と同様の方法によって測定されてよい。

金属粒子２及び酸化部３は、Ｏ（酸素）の濃度に基づいて識別されてよい。例えば、［Ｓ］ａ及び［Ｍ］ａと同様の方法で、金属粒子２におけるＯの濃度の平均値（［Ｏ］ａ）が算出される。軟磁性金属粒子１の断面の外周部分のうち酸素の濃度が［Ｏ］ａより高い領域が、酸化部３とみなされてよい。

図１に示される内側領域３ａは、酸化部３の一部であり、且つ酸化部３の最表面からの距離が酸化部３の厚みの１／２よりも大きい領域と定義される。金属粒子２及び酸化部３におけるＳ又は元素Ｍの濃度は、内側領域３ａにおいて極大であってよい。被覆部４の有無に関わらず、内側領域３ａにおいてＳ又は元素Ｍの濃度が極大である軟磁性金属粉末は、高い耐電圧を有し易い。同様の理由から、金属粒子２及び酸化部３におけるＳ又は元素Ｍの濃度は、金属粒子２及び酸化部３の間の界面において極大であってもよい。金属粒子２及び酸化部３の間の界面は、酸化部３に属するとみなされてよい。

酸化部３においてＳ又は元素Ｍの濃度が極大である箇所は、酸化部３において他の元素の濃度が極大である箇所と異なってよい。換言すれば、酸化部３に含まれる各元素の濃度分布は、互いに異なっていてよく、酸化部３の組成は不均一であってよい。例えば、酸化部３の一部分が、Ｓ又は元素Ｍの酸化物であり、酸化部３の別の部分が、他の元素（例えば、Ｆｅ又はＳｉ）の酸化物であってよい。酸化部３に含まれる各元素の濃度分布が互いに異なる軟磁性金属粉末は、高い耐電圧を有し易い。

金属粒子２の少なくとも一部は、非晶質相であってよい。金属粒子２が非晶質相のみからなっていてよい。つまり、金属粒子２の全体が非晶質相であってもよい。非晶質相を含む軟磁性金属粒子１は、粗大な結晶相から構成される従来の軟磁性金属粒子よりも軟磁気特性に優れている。例えば、非晶質相を含む軟磁性金属粒子１は、従来の軟磁性金属粒子に比べて、高い飽和磁化と低い保磁力を有することができる。従来の軟磁性金属粒子に含まれる粗大な結晶相とは、例えば、粒径（ｇｒａｉｎ ｓｉｚｅ）又は結晶子径が３０ｎｍより大きい結晶である。金属粒子２に占める非晶質相の体積割合の増加に伴って、軟磁性金属粒子１の結晶磁気異方性が低減され、軟磁性金属粒子１から形成される磁心の磁気損失（ヒステリシス損失）が低減される。

金属粒子２の少なくとも一部は、結晶質相であってよい。金属粒子２の全体が結晶質相であってもよい。金属粒子２は、結晶質相及び非晶質相の両方を含んでよい。金属粒子２の少なくとも一部は、ナノ結晶相であってよい。ナノ結晶は、Ｆｅ単体の結晶、又はＦｅを含む合金の結晶であってよい。金属粒子２の全体がナノ結晶相であってもよい。ナノ結晶相を含む軟磁性金属粒子１は、ナノ結晶相を含まず非晶質相を含む軟磁性金属粒子よりも軟磁気特性に優れている。例えば、ナノ結晶相を含む軟磁性金属粒子１は、ナノ結晶相を含まず非晶質相を含む軟磁性金属粒子に比べて、高い飽和磁化と低い保磁力を有することができる。金属粒子２は、複数のナノ結晶相を含んでよい。金属粒子２は、複数のナノ結晶相のみからなっていてよい。金属粒子２が、一つのナノ結晶相のみからなっていてもよい。ナノ結晶相の結晶構造は、例えば、体心立方格子構造であってよい。ナノ結晶相の粒径（平均結晶子径）は、例えば、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であってよい。

軟磁性金属粉末が優れた軟磁気特性を有し易いことから、金属粒子２は非晶質相及びナノ結晶相のうち少なくとも一方を含むことが好ましい。同様の理由から、金属粒子２は、非晶質相及びナノ結晶相の両方を含んでよい。例えば、金属粒子２は、非晶質相と、非晶質相中に分散した複数のナノ結晶相と、からなるナノヘテロ構造を有してよい。金属粒子２がナノヘテロ構造を有する場合、軟磁性金属粉末の飽和磁化が増加し易く、軟磁性金属粉末の保磁力が低下し易い。ナノヘテロ構造に含まれるナノ結晶相の粒径（平均結晶子径）は、例えば、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下、又は０．３ｎｍ以上１０ｎｍ以下であってよい。

金属粒子２は非晶質相及びナノ結晶相を含まなくてもよい。例えば、金属粒子２の一部又は全体が、一つ以上の粗大な結晶相であってよい。

金属粒子２は、Ｆｅに加えて、Ｎｂ（ニオブ）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）Ｗ（タングステン）、Ｖ（バナジウム）、Ｂ（ホウ素）、Ｐ（リン）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｃ（炭素）、Ｓ（硫黄）及びＴｉ（チタン）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ａｇ（銀）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｓｎ（錫）、Ａｓ（ヒ素）Ｓｂ（アンチモン）、Ｃｕ（銅）、Ｃｒ（クロム）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｎ（窒素）、Ｏ（酸素）及び希土類元素からなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含む合金であってよい。

金属粒子２は、下記化学式１で表される合金を含んでよい。金属粒子２は、下記化学式１で表される合金のみからなっていてよい。
（Ｆｅ_{（１－（α＋β））}Ｘ１_αＸ２_β）_{（１－ｈ）}Ｍ’_ａＢ_ｂＰ_ｃＳｉ_ｄＣ_ｅＳ_ｆ （１）

上記化学式１中のＢは、ホウ素である。上記化学式１中のＰは、リンである。上記化学式１中のＳｉは、ケイ素である。上記化学式１中のＣは、炭素である。上記化学式１中のＳは、硫黄である。上記化学式１中のｈは、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆに等しい。ｈは０より大きく１未満である。

上記化学式１中のＭ’は、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ及びＶからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素である。上記化学式１中の元素Ｍ’の一部又は全部は、酸化部３に含まれる元素Ｍの一部又は全部と共通してよい。つまり、金属粒子２に含まれる元素Ｍ’の一部又は全部は、酸化部３に含まれる元素Ｍの一部又は全部と共通してよい。

上記化学式１中のＸ１は、Ｃｏ及びＮｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素である。

上記化学式１中のＸ２は、Ａｌ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｂｉ、Ｎ、Ｏ及び希土類元素からなる群より選ばれる少なくとも一種の元素である。希土類元素は、Ｓｃ（スカンジウム）、Ｙ（イットリウム）、Ｌａ（ランタン）、Ｃｅ（セリウム）、Ｐｒ（プラセオジム）、Ｎｄ（ネオジム）Ｐｍ（プロメチウム）、Ｓｍ（サマリウム）、Ｅｕ（ユーロピウム）、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）、Ｈｏ（ホルミウム）、Ｅｒ（エルビウム）、Ｔｍ（ツリウム）、Ｙｂ（イッテルビウム）、及びＬｕ（ルテチウム）からなる群より選ばれる少なくとも一種の元素である。上記化学式１中の元素Ｘ２の一部又は全部がＣｒであり、且つ酸化部３に含まれる元素Ｍの一部又は全部がＣｒであってよい。つまり、金属粒子２に含まれる元素Ｘ２の一部又は全部がＣｒであり、酸化部３に含まれる元素Ｍの一部又は全部がＣｒであってよい。

上記化学式１中のａは、
０．０２０≦ａ≦０．１４０、
０．０４０≦ａ≦０．１００、又は、
０．０５０≦ａ≦０．０８０、
を満たしてよい。
ａが小さ過ぎる場合、軟磁性金属粉末の製造過程において、粒径が３０ｎｍよりも大きい粗大な結晶が金属粒子２中に析出し易く、微細なナノ結晶相が金属粒子２中に析出し難い。その結果、軟磁性金属粉末の保磁力が増加し易い。ａが大き過ぎる場合、軟磁性金属粉末の飽和磁化が低下し易い。

上記化学式１中のｂは、
０≦ｂ≦０．２０、
０＜ｂ≦０．２０、
０．０２０≦ｂ≦０．２０、
０．０２０＜ｂ≦０．２０、
０．０２５≦ｂ≦０．２０、
０．０６０≦ｂ≦０．１５、又は、
０．０８０≦ｂ≦０．１２、
を満たしてよい。
ｂが小さ過ぎる場合、軟磁性金属粉末の製造過程において、粒径が３０ｎｍよりも大きい粗大な結晶が金属粒子２中に析出し易く、微細なナノ結晶相が金属粒子２中に析出し難い。その結果、軟磁性金属粉末の保磁力が増加し易い。ｂが大き過ぎる場合、軟磁性金属粉末の飽和磁化が低下し易い。

上記化学式１中のｃは、
０≦ｃ≦０．１５、
０＜ｃ≦０．１５、
０．００５≦ｃ≦０．１００、又は、
０．０１０≦ｃ≦０．１００、
を満たしてよい。
ｃが０．００５≦ｃ≦０．１００を満たす場合、軟磁性金属粉末の電気抵抗率が増加し易く、保磁力が低下し易い。ｃが小さ過ぎる場合、保磁力が増加し易い。ｃが大き過ぎる場合、軟磁性金属粉末の飽和磁化が低下し易い。

上記化学式１中のｄは、
０≦ｄ≦０．１７５、
０≦ｄ≦０．１５５、
０≦ｄ≦０．１５０、
０≦ｄ≦０．１３５、
０≦ｄ≦０．１００、
０≦ｄ≦０．０９０、
０≦ｄ≦０．０６０、
０．００１≦ｄ≦０．０４０、又は、
０．００５≦ｄ≦０．０４０、
を満たしてよい。
ｄが上記の範囲内である場合、軟磁性金属粉末の保磁力が低下し易い。ｄが大き過ぎる場合、軟磁性金属粉末の保磁力が増加し易い。

上記化学式１中のｅは、
０≦ｅ≦０．１５０、
０≦ｅ≦０．０８０、
０≦ｅ≦０．０４０、
０≦ｅ≦０．０３５、
０≦ｅ≦０．０３０、又は、
０．００１≦ｅ≦０．０３０、
を満たしてよい。
ｅが上記の範囲内である場合、軟磁性金属粉末の保磁力が低下し易い。ｅが大き過ぎる場合、軟磁性金属粉末の保磁力が増加し易い。

上記化学式１中のｆは、
０≦ｆ≦０．０３０、
０≦ｆ≦０．０１０、
０＜ｆ≦０．０１０、
０．００１≦ｆ≦０．０１０、又は、
０．００２≦ｆ≦０．０１０、
を満たしてよい。
ｆが上記の範囲内である場合、軟磁性金属粉末の保磁力が低下し易い。ｆが大き過ぎる場合、軟磁性金属粉末の保磁力が増加し易い。ｆが０より大きい場合（ｆが０．００１以上である場合）、各軟磁性金属粒子の球形度が高く、軟磁性金属粉末の圧縮成形によって作製される磁心の密度（充填率）が増加し易く、磁心の比透磁率が増加し易い。

上記化学式１中の１－ｈは、
０．６９０≦１－ｈ≦０．９５、又は
０．６９０≦１－ｈ≦０．９００、
を満たしてよい。
１－ｈが０．６９０≦１－ｈ≦０．９５を満たす場合、軟磁性金属粉末の製造過程において、粒径が３０ｎｍよりも大きい粗大な結晶が金属粒子２中に析出し難い。

上記化学式１中のα及びｈは、
０≦α（１－ｈ）≦０．４０、又は、
０．０１≦α（１－ｈ）≦０．４０、
を満たしてよい。

上記化学式１中のβ及びｈは、
０≦β（１－ｈ）≦０．０５０、
０．００１≦β（１－ｈ）≦０．０５０、
０≦β（１－ｈ）≦０．０３０、又は、
０．００１≦β（１－ｈ）≦０．０３０、
を満たしてよい。

上記化学式１中のα＋βは、０≦α＋β≦０．５０を満たしてよい。α＋βが大き過ぎる場合、微細なナノ結晶相が金属粒子２中に析出し難い。

被覆部４が軟磁性金属粒子１同士を電気的に絶縁する限り、被覆部４の組成は限定されない。例えば、被覆部４は、Ｐ（リン）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｂ（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｃ（炭素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｐｂ（鉛）、Ａｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｏ（酸素）、Ｓ（硫黄）、Ｓｅ（セレン）、Ｔｅ（テルル）、Ｆ（フッ素）、Ｃｌ（塩素）、Ｂｒ（臭素）、Ｔｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｆｅ（鉄）、Ｃо（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｍｏ（モリブデン）及びＷ（タングステン）からなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含んでよい。被覆部４は、Ｐ、Ｓｉ、Ｂｉ及びＺｎからなる群より選ばれる少なくとも一つの元素Ａを含む化合物を含むことが好ましい。Ｐ、Ｓｉ、Ｂｉ及びＺｎからなる群より選ばれる少なくとも一つの元素Ａを含む化合物は、「化合物Ａ」と表記される。化合物Ａは、例えば、Ｐを含む化合物であってよい。化合物Ａは、酸化物（好ましくは、酸化物ガラス）であってもよい。これらの化合物Ａは、金属粒子２及び酸化部３に含まれる元素（特に、Ｐ又はＳｉ）との結合し易い。特に、化合物Ａは、金属粒子２の非晶質相中に偏析した元素（特に、Ｐ又はＳｉ）との結合し易い。その結果、被覆部４が酸化部３に密着し易く、軟磁性金属粉末の耐電圧が増加し易い。

化合物Ａは、被覆部４の主成分であってよい。換言すれば、被覆部４に含まれる全元素（酸素を除く。）の質量の合計が１００質量部である場合、元素Ａの質量の合計が５０質量部以上１００質量部以下、又は６０質量部以上１００質量部以下であってよい。被覆部４は、化合物Ａのみからなっていてよい。

被覆部４が酸化物ガラスを含む場合、酸化物ガラスは、リン酸塩系ガラス（Ｐ_２Ｏ_５系ガラス）、ビスマス酸塩系ガラス（Ｂｉ_２Ｏ_３系ガラス）、ケイ酸塩系ガラス（ＳｉＯ_２系ガラス）、及びホウケイ酸塩系ガラス（Ｂ_２Ｏ_３‐ＳｉＯ_２系ガラス）からなる群より選ばれる少なくとも一種のガラスであってよい。

Ｐ_２Ｏ_５系ガラスにおけるＰ_２Ｏ_５の含有量は、５０質量％以上１００質量％以下であってよい。Ｐ_２Ｏ_５系ガラスは、例えば、Ｐ_２Ｏ_５‐ＺｎＯ‐Ｒ_２Ｏ‐Ａｌ_２Ｏ_３系ガラスであってよい。Ｒ、はアルカリ金属である。

Ｂｉ_２Ｏ_３系ガラスにおけるＢｉ_２Ｏ_３の含有量は、５０質量％以上１００質量％以下であってよい。Ｂｉ_２Ｏ_３系ガラスは、例えば、Ｂｉ_２Ｏ_３‐ＺｎＯ‐Ｂ_２Ｏ_３‐ＳｉＯ_２系ガラスであってよい。

Ｂ_２Ｏ_３‐ＳｉＯ_２系ガラスにおけるＢ_２Ｏ_３の含有量は、１０質量％以上９０質量％以下であってよく、Ｂ_２Ｏ_３‐ＳｉＯ_２系ガラスにおけるＳｉＯ_２の含有量は、１０質量％以上９０質量％以下であってよい。Ｂ_２Ｏ_３‐ＳｉＯ_２系ガラスは、例えば、ＢａＯ‐ＺｎＯ‐Ｂ_２Ｏ_３‐ＳｉＯ_２‐Ａｌ_２Ｏ_３系ガラスであってよい。

軟磁性金属粉末のメジアン径（Ｄ５０）は、例えば、０．３μｍ以上１００μｍ以下でであってよい。Ｄ５０は、個数基準の軟磁性金属粉末の粒度分布に基づいて特定されてよい。軟磁性金属粉末は、粒子径（ｐａｒｔｉｃｌｅ ｓｉｚｅ）又は粒度分布において異なる二種以上の金属粉末の混合物であってよい。軟磁性金属粉末の粒子径及び粒度分布は、篩分級又は気流分級等によって調整されてよい。軟磁性金属粉末の粒子径及び粒度分布は、例えばレーザー回折散乱法によって測定されてよい。軟磁性金属粉末の嵩密度及び比透磁率が増加し易いことから、各軟磁性金属粒子１の形状は略球であってよい。ただし、各軟磁性金属粒子１の形状は限定されない。酸化部３の厚みは、例えば、１．０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であってよい。被覆部４の厚みは、例えば、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下、５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、又は５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってよい。

金属粒子２、酸化部３及び被覆部４其々の構造、寸法及び組成は、走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）、電子エネルギー損失分光（ＥＥＬＳ）、ＴＥＭ画像の高速フーリエ変換（ＦＦＴ）解析及び粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）法等の方法によって分析されてよい。

（軟磁性金属粉末の製造方法）
本実施形態に係る軟磁性金属粉末は、ガスアトマイズ法によって製造することができる。ガスアトマイズ法の詳細は、以下の通りである。

ガスアトマイズ法は、金属原料を溶融して溶湯（ｍｏｌｔｅｎ ｍｅｔａｌ）を形成し、高圧ガスを溶湯へ噴射して液滴を形成し、液滴を冷却水で急冷して金属微粒子（微粉末）を形成する。ガスアトマイズ法の後、微粉末の熱処理を更に実施することにより、軟磁性金属粉末（未被覆粒子）が形成される。

ガスアトマイズ法は、図３に示されるガスアトマイズ装置１０を用いて実施されてよい。ガスアトマイズ装置１０は、供給部２０と、供給部２０の下方に配置された冷却部３０とを備える。図３に記載のＺ軸方向は、鉛直方向である。

供給部２０は、耐熱性を有する容器２２と、容器２２の周囲に配置されたコイル２４（加熱装置）とを備える。軟磁性金属粉末の原料として、金属原料が容器２２内に収容される。

金属原料は、Ｓ及び元素Ｍのうち少なくとも一種の元素と、Ｆｅと、を含む。金属原料は、合金であってもよい。金属原料の組成は、上記化学式１で表される組成であってよい。複数種の金属原料の混合物が用いられてよい。複数種の金属原料が用いられる場合、複数種の金属原料の全体の組成が上記化学式１に一致するように、各金属原料が秤量されてよい。金属原料は、不可避的不純物を含んでよい。全ての金属原料における不可避的不純物の含有量は、０質量％以上０．１質量％以下であってよい。金属原料の形態は、例えば、インゴット、チャンク（塊）、又はショット（粒子）であってよい。Ｓを含む酸化部３が形成される場合、酸化部３に含まれるＳは、金属原料に含まれるＳに由来してよい。元素Ｍを含む酸化部３が形成される場合、酸化部３に含まれる元素Ｍは、金属原料に含まれる元素Ｍ’及びＣｒのうち少なくとも一種の元素に由来してよい。つまり、金属原料は、上記化学式１中の元素Ｍ’又は元素Ｘ２として、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ及びＣｒからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素Ｍを含んでよい。

容器２２内の金属原料がコイル２４によって加熱される。その結果、容器２２内の金属原料が溶融して溶湯２１になる。溶湯２１の温度は、金属原料に含まれる金属の融点に応じて調整されてよい。溶湯２１の温度は、例えば、１２００℃以上１５００℃以下であってよい。

溶湯２１は、容器２２の吐出口から、冷却部３０に向けて滴下される。そして、高圧ガス２６ａが、ガスノズル２６から溶湯２１へ噴射される。その結果、溶湯２１が多数の微細な液滴２１ａになる。液滴２１ａは、高圧ガス２６ａに沿って、冷却部３０の筒体３２の内部へ移動する。筒体３２内の雰囲気は、例えば、真空であってよい。

溶湯２１へ噴射される高圧ガスは、例えば、不活性ガス又は還元性ガスであってよい。不活性ガスは、例えば、Ｎ_２（窒素）、Ａｒ（アルゴン）及びＨｅ（ヘリウム）からなる群より選ばれる少なくとも一種のガスであってよい。還元性ガスは、例えば、アンモニア分解ガスであってよい。溶湯２１が酸化され難い金属からなる場合、高圧ガスは、空気であってもよい。

冷却水を導入部３６から筒体３２の内部へ供給することに因り、水流５０が筒体３２の内部に形成されている。水流５０の形状は、逆円錐である。液滴２１ａが逆円錐状の水流５０に衝突することにより、液滴２１ａが更に微細な液滴に分解される。微細な液滴は水流５０によって急冷され、固化される。

上記のような液滴の急冷により、多数の金属微粒子からなる微粉末が形成される。微粉末の組成は、原料金属全体の組成（例えば、上記化学式１）と略一致する。

上述の通り、逆円錐状の水流５０を筒体３２の内部に形成することにより、筒体３２の内壁に沿って水流が形成される場合に比べて、空中での液滴２１ａの移動時間が短縮される。つまり、液滴２１ａが容器２２から水流５０へ到達するまでの所要時間が短縮される。空中での液滴２１ａの移動時間の短縮により、液滴２１ａの急冷が促進され、得られる金属微粒子内に非晶質相が形成され易い。また、空中での液滴２１ａの移動時間の短縮により、移動中の液滴２１ａの酸化が抑制される。その結果、液滴２１ａが水流５０中において微細な液滴へ分解され易く、最終的に得られる軟磁性金属粉末の品質が向上する。

筒体３２の中心軸線ＯとＺ軸方向とがなす角度は、θ１と表される。θ１は、例えば、０°以上４５°以下であってよい。θ１が０°以上４５°以下であることにより、液滴２１ａが逆円錐状の水流５０に接触し易い。

筒体３２の下方には、排出部３４が設けられている。微粉末を含む冷却水は、排出部３４から筒体３２の外部へ排出される。排出部３４から排出された冷却水は、例えば、貯留槽内に収容されてよい。貯留槽内において、微粉末はその自重により貯留槽の底に沈降する。その結果、微粉末が冷却水から分離される。

ガスアトマイズ法において液滴２１ａを冷却水で急冷することにより、非晶質相が金属微粒子内に形成され易い。金属微粒子の非晶質性及び形状は、冷却部３０（筒体３２）へ供給される冷却水の温度、水流５０の形状、冷却水の流速又は流量によって制御されてよい。

図４は、図３に示される冷却水の導入部３６の拡大図である。逆円錐状の水流５０を筒体３２の内部に形成するために、冷却水の流れが導入部３６の構造によって制御される。

図４に示されるように、枠体３８で囲まれた空間は、仕切部４０により、外側部４４と内側部４６に区画されている。外側部４４（外側空間部）は、筒体３２の外側に位置する。内側部４６（内側空間部）は、筒体３２の内側に位置する。外側部４４と内側部４６は、通路部４２を介して連通している。単一または複数のノズル３７が、外側部４４と連通している。冷却水は、ノズル３７から外側部４４へ供給され、通路部４２を介して外側部４４から内側部４６へ流れる。内側部４６の下方には、吐出部５２が形成されている。内側部４６内の冷却水は、吐出部５２から、筒体３２の内部へ供給される。

枠体３８の外周面は、内側部４６内の冷却水の流れを案内する流路面３８ｂである。枠体３８の下端３８ａには、凸部３８ａ１が形成されている。凸部３８ａ１は、筒体３２の内壁３３に向かって突出している。内側部４６を向く凸部３８ａ１の表面は、偏向面６２である。偏向面６２は流路面３８ｂと連続しており、流路面３８ｂを経た冷却水の向きを変える。凸部３８ａ１の先端と筒体３２の内壁３３との間には、リング状の隙間が形成されている。このリング状の隙間が、冷却水の吐出部５２に相当する。

枠体３８の凸部３８ａ１が筒体３２の内壁３３に向かって突出しており、吐出部５２の幅Ｄ１は、内側部４６の幅Ｄ２よりも狭い。このような構造により、流路面３８ｂを経た冷却水は、偏向面６２によって方向づけられる。その結果、冷却水は、筒体３２の内壁３３に衝突して、筒体３２の内側へ反射される。

冷却水が上記の流路を経ることにより、吐出部５２から筒体３２の内部へ供給される冷却水が、逆円錐状の水流５０になる。Ｄ１がＤ２と等しい場合、吐出部５２から筒体３２の内部へ供給される冷却水は、筒体３２の内壁３３に対して平行に流れるので、逆円錐状の水流５０は形成され難い。

逆円錐状の水流５０が形成され易いことから、Ｄ１／Ｄ２は、１／１０以上２／３以下、好ましくは１／１０以上１／２以下であってよい。

吐出部５２から筒体３２の内部へ供給される冷却水は、筒体３２の中心軸線Ｏに向かって直進してよい。逆円錐状の水流５０は、直進せずに、中心軸線Ｏの周りを旋回する水流であってもよい。

ガスアトマイズ法では、高圧ガス２６ａの圧力、単位時間当たりの溶湯２１の滴下量、及び水流５０の圧力等により、微粉末の粒子径及び粒度分布が制御されてよい。微粉末の粒子径及び粒度分布は、軟磁性金属粉末（未被覆粒子）の粒子径及び粒度分布と略一致する。

ガスアトマイズ法の後、微粉末（金属微粒子）の熱処理が酸化的雰囲気中で実施される。各金属微粒子の表面近傍に位置するＳ又は元素Ｍは、他の元素に比べて優先的に酸化され易い傾向がある。したがって、微粉末を酸化的雰囲気中で加熱することにより、各金属微粒子の表面は、Ｓ及び元素Ｍのうち少なくとも一種の元素を含む酸化部３になる。一方、金属微粒子の内部は酸化されず、酸化部３で覆われた金属粒子２になる。つまり熱処理により、微粉末は本実施形態に係る軟磁性金属粉末（未被覆粒子）になる。酸化的雰囲気中の酸素の濃度は、好ましくは１００体積ｐｐｍ以上１００００体積ｐｐｍ以下、より好ましくは１００体積ｐｐｍ以上１０００体積ｐｐｍ以下であってよい。酸化的雰囲気中の酸素の濃度が上記範囲内である場合、未被覆粒子中のＳ又は元素Ｍの濃度が酸化部３において極大になり易く、軟磁性金属粉末が高い耐電圧と高い飽和磁化の両方を有し易い。酸化的雰囲気中の酸素の濃度が低過ぎる場合、未被覆粒子中のＳ又は元素Ｍの濃度が、酸化部３ではなく、金属粒子２内において極大になり易い。その結果、軟磁性金属粉末が高い耐電圧を有し難い。酸化的雰囲気中の酸素の濃度が高過ぎる場合、酸化部３が厚くなり過ぎて、軟磁性金属粉末の軟磁気特性が損なわれ易い。例えば、酸化的雰囲気中の酸素の濃度の増加に伴って、軟磁性金属粉末の飽和磁化が低下し易い。また、酸化的雰囲気中の酸素の濃度の増加に伴って、Δ［Ｓ］及びΔ［Ｍ］が増加し易い。

熱処理における微粉末の温度（熱処理温度）は、好ましくは３５０℃以上６５０℃以下、より好ましくは４００℃以上６５０℃以下であってよい。熱処理温度を３５０℃以上に制御することにより、未被覆粒子中のＳ又は元素Ｍの濃度が酸化部３において極大になり易く、軟磁性金属粉末が高い耐電圧を有し易い。熱処理温度を４００℃以上に制御することにより、金属微粒子（金属粒子２）中にナノ結晶相が析出し易く、軟磁性金属粉末が高い飽和磁化を有し易い。例えば、熱処理により、金属微粒子中の非晶質相の一部又は全部が、ナノ結晶相に変化してよい。熱処理により、複数のナノ結晶相が非晶質相中に析出して、ナノヘテロ構造が金属粒子２中に形成されてもよい。熱処理温度が高過ぎる場合、酸化部３が厚くなり過ぎて、軟磁性金属粉末の軟磁気特性が損なわれ易い。高圧ガス２６ａの温度、高圧ガス２６ａの圧力、及び水流５０の圧力等の調整によって、熱処理におけるナノ結晶相の析出を促進してもよい。

微粉末の温度が上記熱処理温度に維持される時間（熱処理時間）は、例えば、０．１時間以上１０時間以下であってよい。熱処理における微粉末の昇温速度は、熱処理に用いる炉に依って変更されてよく、限定されない。熱処理では微粉末を急速に昇温することが好ましい。例えば、赤外線イメージ炉が熱処理に用いられる場合、熱処理における微粉末の昇温速度は、１℃／分以上６０００℃／分以下であってよい。熱処理における微粉末の昇温速度とは、微粉末の温度が室温から熱処理温度に達するまでの昇温速度である。

熱処理の後、各軟磁性金属粒子１（未被覆粒子）の酸化部３の表面を被覆部４で覆ってよい。被覆部４の形成方法は、例えば、粉末スパッタ法、ゾルゲル法、メカノケミカルコーティング（ｍｅｃｈａｎｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｃоａｔｉｎｇ）法、リン酸塩処理法、浸漬法、及び熱処理法からなる群より選ばれる少なくとも一種の方法であってよい。例えば、被覆部４が、組成において互いに異なる複数の被覆層からなっている場合、複数の方法の組合せにより、被覆部４が形成されてよい。

メカノケミカルコーティング法では、未被覆粒子と被覆部の原料との混合物（粉末）が、粉末被覆装置の容器内に収容される。容器を回転させることにより、混合物が、容器内に設置されたグラインダーと容器の内壁との間で圧縮され、摩擦熱が混合物内に発生する。摩擦熱により、被覆部の原料が軟化する。そして、被覆部の原料が圧縮作用により被覆粒子の表面（酸化部３の表面）に固着することにより、被覆部４が形成される。容器の回転速度、グラインダーと容器の内壁との間の距離の調整により、摩擦熱を制御することができる。摩擦熱は、被覆部の原料の組成に応じて制御されてよい。

（電子部品）
本実施形態に係る電子部品は、上記の軟磁性金属粉末を含む。例えば、電子部品は、インダクタ、トランス、チョークコイル及びＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）フィルタであってよい。これらの電子部品は、コイルと、コイルの内側に配置される磁心とを備えてよい。磁心は、上記の軟磁性金属粉末を含んでよい。例えば、磁心は、軟磁性金属粉末と、バインダと、を含んでよい。バインダは、軟磁性金属粉末に含まれる複数の軟磁性合金粒子同士を結着する。バインダは、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含んでよい。コイルの内側が軟磁性金属粉末及びバインダの混合物で満たされ、且つ、コイルの全体が軟磁性金属粉末及びバインダの混合物で覆われていてよい。電子部品は、磁気ヘッド又は電磁波シールドであってもよい。

本発明は必ずしも上述された実施形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、本発明の種々の変更が可能であり、これ等の変更例も本発明に含まれる。

例えば、ガスアトマイズ法に用いる金属原料がＳ及び元素Ｍを含まない場合であっても、上記された軟磁性金属粉末を製造することは可能である。金属原料がＳ及び元素Ｍを含まない場合、被覆部４の形成方法と同様の方法により、酸化部３が形成されてよい。例えば、Ｓ及び元素Ｍの少なくともいずれかを含む酸化物を、金属微粒子の表面に直接付着させてよい。Ｓ及び元素Ｍの少なくともいずれかを、金属微粒子の表面に直接付着させた後、上記の熱処理が実施されてもよい。ただし、Ｓ及び元素Ｍのうち少なくとも一種の元素を含む金属原料から製造された軟磁性金属粉末は、Ｓ及び元素Ｍを含まない金属原料から製造された軟磁性金属粉末に比べて、耐電圧及び軟磁気特性において優れている。

下記の実施例及び比較例により、本発明がさらに詳細に説明される。ただし、本発明は下記の実施例によって何ら限定されるものではない。

以下の方法で、試料１～１４０其々の軟磁性金属粉末が作製され、分析された。ただし、試料３４、４２及び４５はない。

（金属原料の組成）
複数種の原料を所定の比率で混合することにより、試料１～１４０其々の軟磁性金属粉末の金属原料が調製された。試料１～１４０其々の金属原料全体の組成は、下記化学式１で表される。下記化学式１中のｈは、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆに等しい。
（Ｆｅ_{（１－（α＋β））}Ｘ１_αＸ２_β）_{（１－ｈ）}Ｍ’_ａＢ_ｂＰ_ｃＳｉ_ｄＣ_ｅＳ_ｆ （１）

試料１～７０及び８１～１４０其々の化学式１中の元素Ｍ’は、Ｎｂのみである。試料７１～８０其々の化学式１中の元素Ｍ’及びａは、下記表９に示される。

試料１～８０及び１３５～１４０其々の化学式１中のα及びβはいずれも、ゼロである。
試料８１～８６其々の化学式１中の元素Ｘ１及びαは、下記表１０に示される。試料８１～８６其々の化学式１中のβは、ゼロである。
試料８７～１１８其々の化学式１中のαは、ゼロである。試料８７～１１８其々の化学式１中の元素Ｘ２及びβは、下記表１０又は表１１に示される。
試料１１９～１３４其々の化学式１中の元素Ｘ１、元素Ｘ２、α及びβは、下記表１２に示される。

試料１～１６其々の化学式１中のｄ及びｅはいずれも、ゼロであった。
試料１～１６其々の化学式１中の１－ｈは、０．７９５であった。
試料１～１６其々の化学式１中のａは、０．０６０であった。
試料１～１６其々の化学式１中のｂは、０．０９０であった。
試料１～１６其々の化学式１中のｃは、０．０５０であった。
試料１～１６其々の化学式１中のｆは、０．００５であった。

試料１７～２４其々の化学式１中のｄ、ｅ及びｆはいずれも、ゼロである。試料１７～２４其々の化学式１中の１－ｈ、ａ、ｂ及びｃは、下記表２に示される。

試料２５～３０其々の化学式１中のｄ、ｅ及びｆはいずれも、ゼロである。試料２５～３０其々の化学式１中の１－ｈ、ａ、ｂ及びｃは、下記表３に示される。

試料３１～３７、１３５及び１３６其々の化学式１中のｄ、ｅ及びｆはいずれも、ゼロである。試料３１～３７其々の化学式１中の１－ｈ、ａ、ｂ及びｃは、下記表４又は表１３に示される。試料１３５及び１３６其々の金属原料全体の組成は、同じであった。

試料３８～４７其々の化学式１中の１－ｈ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、下記表５に示される。

試料５１～６０其々の化学式１中のｅ及びｆはいずれも、ゼロである。試料５１～６０其々の化学式１中の１－ｈ、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、下記表６に示される。

試料６１～６６及び１３７～１４０其々の化学式１中のｅは、ゼロである。試料６１～６６其々の化学式１中の１－ｈ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｆは、下記表７に示される。
試料１３７～１４０其々の化学式１中の１－ｈは、０．７７５０であった。
試料１３７～１４０其々の化学式１中のａは、０．０６０であった。
試料１３７～１４０其々の化学式１中のｂは、０．０９０であった。
試料１３７～１４０其々の化学式１中のｃは、０．０５０であった。
試料１３７～１４０其々の化学式１中のｄは、０．０２０であった。
試料１３７～１４０其々の化学式１中のｆは、０．００５であった。

試料６７～６９其々の化学式１中のｄ、ｅ及びｆはいずれも、ゼロである。試料６７～６９其々の化学式１中の１－ｈ、ａ、ｂ及びｃは、下記表８に示される。

試料７０～８０其々の化学式１は、元素Ｍ’及びａを除いて試料１２の化学式１と同じである。

試料８１～１３４其々の化学式１は、元素Ｘ１、元素Ｘ２、α（１－ｈ）及びβ（１－ｈ）を除いて試料１２の化学式１と同じである。

下記の表２～１３に記載の全ての試料は、実施例に分類される。

（ガスアトマイズ法）
各試料の金属原料を用いたガスアトマイズ法によって、各試料の微粉末（金属微粒子）が作製された。ガスアトマイズ法では、上述された図３及び図４に示されるガスアトマイズ装置を用いた。ガスアトマイズ法の詳細は以下の通りであった。

金属原料が容器２２内に収容された。コイル２４を用いた高周波誘導により、容器２２中の金属原料が加熱され、溶湯２１が得られた。溶湯２１の温度は、１５００℃であった。

冷却部３０の筒体３２内の雰囲気を真空にした後、冷却水を導入部３６から筒体３２の内部へ供給することにより、水流５０が筒体３２の内部に形成された。水流５０の形状は、逆円錐であった。水流５０の圧力（ポンプ圧）は、７．５ＭＰａであった。筒体３２の内径は、３００ｍｍであった。図４中のＤ１及びＤ２の比（Ｄ１／Ｄ２）は、１／２であった。図４中の角度θ１は、２０℃であった。

溶湯２１が容器２２の吐出口から、冷却部３０に向けて滴下された。そして、高圧ガス２６ａが、ガスノズル２６から溶湯２１へ噴射された。高圧ガス２６ａは、アルゴンガスであった。高圧ガス２６ａの圧力は、５ＭＰａであった。高圧ガス２６ａの噴射により、溶湯２１が多数の微細な液滴２１ａになった。液滴２１ａは、高圧ガス２６ａに沿って、冷却部３０の筒体３２の内部へ移動した。液滴２１ａが筒体３２内の逆円錐状の水流５０に衝突することにより、液滴２１ａが更に微細な液滴に分解された。微細な液滴が水流５０によって急冷され、固化されることにより、微粉末（金属微粒子）が得られた。微粉末を含む水流５０（冷却水）は、排出部３４から筒体３２の外部へ排出され、微粉末が冷却水から回収された。

ガスアトマイズ法の後、各試料の微粉末の熱処理が酸化的雰囲気中で実施された。酸化的雰囲気は、酸素及び窒素の混合ガスであった。酸化的雰囲気中の酸素の濃度は、下記表の＜Ｏ＞の欄内に示される。熱処理における微粉末の温度（熱処理温度）は、下記表のＴｅｍｐの欄内に示される。微粉末の温度が熱処理温度に維持された時間（熱処理時間）は、下記表のＴｉｍｅの欄内に示される。熱処理における微粉末の昇温速度は、下記表のＶｔの欄内に示される。

以上のガスアトマイズ法及び熱処理により、各試料の軟磁性金属粉末（未被覆粒子）が作製された。

（軟磁性金属粉末の分析）
以下の方法により、試料１～１４０其々の軟磁性金属粉末（未被覆粒子）が分析された。

軟磁性金属粉末及び熱硬化性樹脂の混合物を成型し、且つ熱硬化性樹脂を硬化することにより、成型体を得た。成型体をイオンミリングで加工して、薄膜（測定用試料）を得た。薄膜に含まれる２０個の軟磁性金属粒子の断面を、ＳＴＥＭで観察した。観察された各軟磁性金属粒子の断面において、軟磁性金属粒子中の各元素の濃度分布が測定された。各元素の濃度分布は、各軟磁性金属粒子の最表面に垂直な方向に沿って測定された。つまり、図１に示されるように、深さ方向ｄに延び、軟磁性金属粒子１を横断する線分に沿って、各元素の濃度分布が測定された。測定点の間隔は約０．５ｎｍであった。各元素の濃度分布の測定には、ＥＤＳが用いられた。各元素の濃度の単位は、原子％である。

分析の結果、試料１～１４０其々の軟磁性金属粒子（未被覆粒子）は、金属粒子と、金属粒子の全体を覆う酸化部と、からなっていた。試料１～１４０のいずれも場合も、金属粒子の組成は、金属原料全体の組成（上記化学式１）に略一致した。
試料１３７及び１３８其々の酸化部は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｎｂ及びＯから構成されていた。試料１３９及び１４０其々の酸化部は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｎｂ、Ｓ及びＯから構成されていた。

試料１～１６、４４～４７、７０～１３４、１３９及び１４０の場合、各軟磁性金属粒子におけるＳの濃度分布は不均一であった。試料３～１６、４４～４７、７０～１３４、１３９及び１４０の各軟磁性金属粒子の酸化部はいずれも、Ｓを含んでいた。２０個の軟磁性金属粒子其々の酸化部内においてＳの濃度が極大且つ最大であった場合、下記表の「［Ｓ］の最大箇所」の欄内に「酸化部」と記載される。２０個の軟磁性金属粒子其々の金属粒子内においてＳの濃度が極大且つ最大であった試料の場合、下記表の「［Ｓ］の最大箇所」の欄内に「金属粒子」と記載される。［Ｓ］の最大箇所が酸化部である試料の場合、［Ｓ］ｍ－［Ｓ］ａが算出された。各試料の［Ｓ］ｍ－［Ｓ］ａは、下記表のΔ［Ｓ］の欄内に記載される。試料３～１６其々の［Ｓ］ｍ及び［Ｓ］ａは、下記表１に示される。試料１３９及び１４０其々の［Ｓ］ｍ及び［Ｓ］ａは、下記表１４に示される。［Ｓ］ｍ及び［Ｓ］ａ其々の定義、測定方法及び算出方法は、上述の実施形態と同様である。
試料１～１６、４４～４７、７０～１３４、１３９及び１４０を除く他の全ての試料において、Ｓは検出されなかった。
なお、全実施例の［Ｓ］ａは、０原子％以上３．５原子％以下である範囲内にあり、全実施例の［Ｓ］ｍは、０原子％以上７．０原子％以下である範囲内にあった。

試料１～１４０の場合、軟磁性金属粒子における元素Ｍ’の濃度分布は不均一であった。試料６～１４０其々の酸化部はいずれも、元素Ｍ’を含んでいた。試料１０３～１０６、１２３及び１３１其々の酸化部はいずれも、元素Ｍ’だけでなく元素Ｘ２（つまりＣｒ）を含んでいた。
試料１～５、１３７及び１３８の場合、２０個の軟磁性金属粒子其々の金属粒子内において、元素Ｍ’の濃度が極大且つ最大であった。
試料６～１０２、１０７～１２２、１２４～１３０、１３２～１３６、１３９及び１４０の場合、２０個の軟磁性金属粒子其々の酸化部内において、元素Ｍ’の濃度が極大且つ最大であった。
試料１～１０２、１０７～１２２、１２４～１３０、１３２～１３６、１３９及び１４０の場合、以下に記載の元素Ｍとは、元素Ｍ’と同じである。
試料１０３～１０６、１２３及び１３１の場合、２０個の軟磁性金属粒子其々の酸化部内において、元素Ｍ’及びＣｒの濃度の合計が極大且つ最大であった。
試料１０３～１０６、１２３及び１３１の場合、以下に記載の元素Ｍとは、元素Ｍ’及びＣｒの全てを意味する。
試料６～１３６、１３９及び１４０其々の［Ｍ］ｍ－［Ｍ］ａが算出された。各試料の［Ｍ］ｍ－［Ｍ］ａは、下記表のΔ［Ｍ］の欄内に記載される。試料６～１６其々の［Ｍ］ｍ及び［Ｍ］ａは、下記表１に示される。試料１３９及び１４０其々の［Ｍ］ｍ及び［Ｍ］ａは、下記表１４に示される。［Ｍ］ｍ及び［Ｍ］ａ其々の定義、測定方法及び算出方法は、上述の実施形態と同様である。
なお、全実施例の［Ｍ］ａは、０原子％以上１５．０原子％以下である範囲内にあり、全実施例の［Ｍ］ｍは、０原子％以上１７．０原子％以下である範囲内にあった。

各元素の濃度分布の一例として、試料６３の軟磁性金属粒子内の各元素の濃度分布が、図５に示される。図５に示されるように、Ｎｂ、Ｓ、Ｓｉ及びＯ其々の濃度のピーク（極大値）があった。Ｎｂ、Ｓ、Ｓｉ及びＯ其々のピークは、軟磁性金属粒子の最表面からの深さが約２０ｎｍ以内である領域（酸化部）で測定された。特に、Ｎｂ及びＳ其々のピークは、酸化部の内側領域において測定された。酸化部の内側領域の定義は、上述の実施形態と同様である。

粉末Ｘ線回折装置を用いて、試料１～１４０其々のＸ線回折パターンが測定された。試料１～１４０其々のＸ線回折パターンと、ＳＴＥＭによる各軟磁性金属粒子の観察に基づき、試料１～１４０其々の軟磁性金属粉末の結晶構造が分析された。その結果は、下記表の「ナノ結晶」の欄に示される。ナノスケールの結晶が軟磁性金属粒子内で見つからず、且つ体心立方格子構造に由来する回折Ｘ線が検出されなった場合、「ナノ結晶」の欄内に「無」と記載される。換言すれば、軟磁性金属粒子中の金属粒子が非晶質相からなる場合、「ナノ結晶」の欄内に「無」と記載される。平均粒径が５～３０ｎｍである複数のナノ結晶が軟磁性金属粒子に含まれ、且つ体心立方格子構造に由来する回折Ｘ線が検出された場合、「ナノ結晶」の欄内に「有」と記載される。換言すれば、軟磁性金属粒子中の金属粒子がナノ結晶相を含む場合、「ナノ結晶」の欄内に「有」と記載される。

（磁気特性の測定）
以下の方法により、試料１～１４０其々の軟磁性金属粉末（未被覆粒子）の飽和磁化が測定された。

２０ｇの軟磁性金属粉末（未被覆粒子）とパラフィンが、筒状のプラスチックケース内に収容された。プラスチックケースの内径φは６ｍｍであり、プラスチックケースの長さは５ｍｍであった。プラスチックケース内のパラフィンを加熱により溶融させた後、パラフィンを凝固させることにより、測定用サンプルが得られた。この測定用サンプルの飽和磁化が測定された。飽和磁化の測定には、株式会社玉川製作所製のＶＳＭ（振動試料型磁力計）が用いられた。試料１～１４０其々の単位質量当たりの飽和磁化σｓ（単位：Ａ・ｍ^２／ｋｇ）は、下記表に示される。飽和磁化σｓは高いことが好ましい。

（未被覆粒子の耐電圧の測定）
以下の方法により、試料１～１６及び１３７～１４０其々の軟磁性金属粉末（未被覆粒子）の耐電圧が測定された。

エポキシ樹脂（熱硬化性樹脂）、イミド樹脂（硬化剤）及びアセトンを混合することにより、溶液が調製された。溶液を軟磁性金属粉末（未被覆粒子）と混合した後、アセトンを揮発させることにより、顆粒が得られた。エポキシ樹脂及びイミド樹脂の質量の合計は、１００質量の軟磁性金属粉末に対して３質量部であった。メッシュを用いて、顆粒の整粒が行われた。メッシュの目開きは、３５５μｍであった。トロイダル形状の金型を用いた顆粒の成型により、成型体が得られた。金型の内径は６．５ｍｍであり、金型の外径は１１ｍｍであった。成形圧力は、３．０ｔ／ｃｍ^２であった。成型体を１８０℃で１時間加熱してエポキシ樹脂を硬化した。以上の方法により、圧粉磁心が得られた。

ソースメーターを用いて、電圧が圧粉磁心へ印加された。電圧を連続的に増加させながら、圧粉磁心における電流が連続的に測定された。圧粉磁心の耐電圧は、圧粉磁心における電流が１ｍＡに達した時点の電圧と定義される。試料１～１６其々の軟磁性金属粉末（未被覆粒子）の耐電圧Ｖ１（単位：Ｖ／ｍｍ）は、下記表１に示される。試料１３７～１４０其々の軟磁性金属粉末（未被覆粒子）の耐電圧Ｖ１は、下記表１４に示される。Ｖ１は高いことが好ましい。

（被覆部の形成）
メカノケミカルコーティング法により、試料１～１４０其々の未被覆粒子（軟磁性金属粉末）の表面全体に被覆部が形成された。被覆部の原料としては、粉末ガラスが用いられた。つまり、試料１～１４０其々の未被覆粒子の酸化部全体が、ガラスからなる被覆部で覆われた。粉末ガラスの質量は、１００質量部の未被覆粒子（軟磁性金属粉末）に対して０．５質量部であった。被覆部の厚みは、約５０ｎｍであった。

試料１～１３４及び１３７～１４０其々の被覆部の形成に使用された粉末ガラスは、リン酸塩系ガラスであった。リン酸塩系ガラスの主成分は、Ｐ_２Ｏ_５‐ＺｎＯ‐Ｒ_２Ｏ‐Ａｌ_２Ｏ_３と表される。Ｒは、アルカリ金属である。リン酸塩系ガラスにおけるＰ_２Ｏ_５の含有量は、５０質量％であった。リン酸塩系ガラスにおけるＺｎＯの含有量は、１２質量％であった。リン酸塩系ガラスにおけるＲ_２Ｏの含有量は、２０質量％であった。リン酸塩系ガラスにおけるＡｌ_２Ｏ_３の含有量は、６質量％であった。これらの４つの成分に加えて、１２質量％の副成分がリン酸塩系ガラスに含まれていた。
試料１３５の被覆部の形成に使用された粉末ガラスは、ビスマス酸塩系ガラスであった。ビスマス酸塩系ガラスの主成分は、Ｂｉ_２Ｏ_３‐ＺｎＯ‐Ｂ_２Ｏ_３‐ＳｉＯ_２と表される。ビスマス酸塩系ガラスにおけるＢｉ_２Ｏ_３の含有量は、８０質量％であった。ビスマス酸塩系ガラスにおけるＺｎＯの含有量は、１０質量％であった。ビスマス酸塩系ガラスにおけるＢ_２Ｏ_３の含有量は、５質量％であった。ビスマス酸塩系ガラスにおけるＳｉＯ_２の含有量は、５質量％であった。
試料１３６の被覆部の形成に使用された粉末ガラスは、ホウケイ酸塩系ガラスであった。ホウケイ酸塩系ガラスの主成分は、ＢａＯ‐ＺｎＯ‐Ｂ_２Ｏ_３‐ＳｉＯ_２－Ａｌ_２Ｏ_３と表される。ホウケイ酸塩系ガラスにおけるＢａＯの含有量は、８質量％であった。ホウケイ酸塩系ガラスにおけるＺｎＯの含有量は、２３質量％であった。ホウケイ酸塩系ガラスにおけるＢ_２Ｏ_３の含有量は、１９質量％であった。ホウケイ酸塩系ガラスにおけるＳｉＯ_２の含有量は、１６質量％であった。ホウケイ酸塩系ガラスにおけるＡｌ_２Ｏ_３は、６質量％であった。ホウケイ酸塩系ガラスは、上記主成分以外の残部として、更に副成分を含んでいた。
後述の通り、試料１３５及び１３６其々の被覆粒子は、被覆部としてリン酸塩系ガラスを備える被覆粒子（実施例）と同様に、高いＶ２を有していた。

（被覆粒子の耐電圧の測定）
被覆部の形成後、試料１～１４０其々の軟磁性金属粉末（被覆粒子）の耐電圧Ｖ２が測定された。被覆粒子の耐電圧Ｖ２の測定方法は、未被覆粒子の耐電圧Ｖ１の測定方法と同じであった。試料１～１４０其々の軟磁性金属粉末（被覆粒子）の耐電圧Ｖ２（単位：Ｖ／ｍｍ）は、下記表に示される。Ｖ２は高いことが好ましい。

本発明に係る軟磁性金属粉末は、例えば、インダクタの磁心用の材料に適している。

１…軟磁性金属粒子、２…金属粒子、３…酸化部、４…被覆部。

Claims (12)

1. 複数の軟磁性金属粒子を含む軟磁性金属粉末であって、
   前記軟磁性金属粒子が、金属粒子と、前記金属粒子を覆う酸化部と、を含み、
   前記金属粒子が、少なくともＦｅを含み、
   前記酸化部が、元素Ｍを含み、
   前記元素Ｍが、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ及びＣｒからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素であり、
   前記金属粒子及び前記酸化部における前記元素Ｍの濃度の単位が、原子％であり、
   前記金属粒子及び前記酸化部における前記元素Ｍの濃度が、前記酸化部において極大値を有し、
   前記金属粒子における前記元素Ｍの濃度の平均値が、［Ｍ］ａと表され、
   前記酸化部における前記元素Ｍの濃度の極大値の平均値が、［Ｍ］ｍと表され、
   ［Ｍ］ｍ－［Ｍ］ａが、０．４原子％以上３．１原子％以下である、
   軟磁性金属粉末。
2. ［Ｍ］ａが、０原子％以上１５．０原子％以下であり、
   ［Ｍ］ｍが、０．４原子％以上１７．０原子％以下である、
   請求項１に記載の軟磁性金属粉末。
3. 複数の軟磁性金属粒子を含む軟磁性金属粉末であって、
   前記軟磁性金属粒子が、金属粒子と、前記金属粒子を覆う酸化部と、を含み、
   前記金属粒子が、少なくともＦｅを含み、
   前記酸化部が、Ｓを含み、
   前記金属粒子及び前記酸化部におけるＳの濃度の単位が、原子％であり、
   前記金属粒子及び前記酸化部におけるＳの濃度が、前記酸化部において極大値を有し、
   前記金属粒子におけるＳの濃度の平均値が、［Ｓ］ａと表され、
   前記酸化部におけるＳの濃度の極大値の平均値が、［Ｓ］ｍと表され、
   ［Ｓ］ｍ－［Ｓ］ａが、０．２原子％以上３．６原子％以下である、
   軟磁性金属粉末。
4. 前記酸化部が、Ｓを含み、
   前記金属粒子及び前記酸化部におけるＳの濃度の単位が、原子％であり、
   前記金属粒子及び前記酸化部におけるＳの濃度が、前記酸化部において極大値を有し、
   前記金属粒子におけるＳの濃度の平均値が、［Ｓ］ａと表され、
   前記酸化部におけるＳの濃度の極大値の平均値が、［Ｓ］ｍと表され、
   ［Ｓ］ｍ－［Ｓ］ａが、０．２原子％以上３．６原子％以下である、
   請求項１又は２に記載の軟磁性金属粉末。
5. ［Ｓ］ａが、０原子％以上３．５原子％以下であり、
   ［Ｓ］ｍが、０．２原子％以上７．０原子％以下である、
   請求項３又は４に記載の軟磁性金属粉末。
6. 前記酸化部の厚みが、１．０ｎｍ以上２０ｎｍ以下である、
   請求項１～５のいずれか一項に記載の軟磁性金属粉末。
7. 前記金属粒子の少なくとも一部が、非晶質相である、
   請求項１～６のいずれか一項に記載の軟磁性金属粉末。
8. 前記金属粒子の少なくとも一部が、ナノ結晶相である、
   請求項１～７のいずれか一項に記載の軟磁性金属粉末。
9. 前記軟磁性金属粒子が、前記酸化部を覆う被覆部を更に含む、
   請求項１～８のいずれか一項に記載の軟磁性金属粉末。
10. 前記被覆部が、ガラスを含む、
    請求項９に記載の軟磁性金属粉末。
11. 前記金属粒子及び前記酸化部の両方が、Ｓ及び元素Ｍのうち少なくとも一種の元素を含み、
    前記元素Ｍが、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ及びＣｒからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素である、
    請求項１～１０のいずれか一項に記載の軟磁性金属粉末。
12. 請求項１～１１のいずれか一項に記載の軟磁性金属粉末を含む電子部品。

Images