JP7451880B2 - 半導体パッケージおよび製造方法 - Google Patents
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Description
置し、半導体チップのデバイス面を、周辺部を含めて平坦化し、半導体ウエハプロセスを用いて各デバイスチップ間を接続する微細配線形成を行い、その上にはんだバンプを形成して半導体パッケージ基板と接続する、という方法がとられるものが代表的である。この方法を用いることで、シリコンインターポーザやTSVの形成は不要になるが、それでも、微細配線形成のために半導体プロセス設備を必要とし、また、デバイス上に直接微細配線や端子形成を行うため、同プロセスの良品率が低くなりコストへの影響が大きいという課題があった。
法を提供することである。第2の課題は、第1の課題を解決するための手段を適用し、ロジックチップとメモリチップを直接実装可能で、ワイドバンド(広帯域幅)でのチップ間接続が可能な半導体パッケージ用配線基板及び半導体パッケージ、並びにそれらの製造方法を提供することである。
前記半導体パッケージ用配線基板は、
第1の配線基板に第2の配線基板を接合し一体化した半導体パッケージ用配線基板であって、
前記第2の配線基板は、有機絶縁膜を基材とする有機配線基板であり、
前記第2の配線基板は、前記第1の配線基板よりも外形が小さく、前記第1の配線基板よりも微細な線幅の配線層が積層されて成り、
前記第1の配線基板上の、前記第2の配線基板の直上部以外、及び前記第1の配線基板と前記第2の配線基板との接合部以外の領域は封止樹脂で充填され、
前記第1の配線基板、前記第2の配線基板、前記封止樹脂の線膨張係数を、それぞれCTE1、CTE2、CTE3とするとき、CTE1≦CTE3≦CTE2であり、
前記第2の配線基板上に半導体チップが接合され、
前記第2の配線基板上の、前記半導体チップ以外、及び前記第2の配線基板と前記半導体チップとの接合部以外の領域は第2封止樹脂で充填され、
前記第2封止樹脂の線膨張係数をCTE4とするとき、CTE1≦CTE4≦CTE2である、ことを特徴とする半導体パッケージとしたものである。
1)ガラス基板上に前記第2の配線基板を作製する工程。
2)前記第2の配線基板の前記ガラス基板側と反対側の面を前記第1の配線基板と接合する工程。
3)前記第1の配線基板上の、前記第2の配線基板の直上部以外、及び前記第1の配線基板と前記第2の配線基板との接合部以外の領域を封止樹脂で充填する工程。
4)前記ガラス基板を前記第2の配線基板から剥離する工程。
5)前記第2の配線基板上に前記半導体チップを接合する工程。
6)前記第2の配線基板上の、前記半導体チップ以外、及び前記第2の配線基板と前記半導体チップとの接合部以外の領域を第2封止樹脂で充填する工程。
尚、有機配線基板Bの作製プロセスは図3~図6で別途説明する。
線10aを形成する(図5(d))。
bを有機溶剤などで洗浄して除去する(図9(b))。この時、必要に応じて、露出した銅バンプ5上にインクジェット、ディスペンスなどの方法ではんだペーストを塗布する、もしくは無電解めっきによりはんだ層を形成しても良い。
適切な線膨張係数(CTE)を有する封止樹脂で充填することで半導体チップの搭載に適切な剛性、平坦性を備えるとともに、温度サイクルや落下衝撃に対しても信頼性の高い半導体パッケージ用配線基板、及び半導体パッケージを提供できる。
1000、2000、3000、4000・・・半導体パッケージ
A・・・・・通常の配線基板
B・・・・・有機配線基板
B’・・・・・ガラス基板付き有機配線基板(個片化分)
C1・・・・(第1)封止樹脂
C1a、C1b・・・薄くした(第1)封止樹脂
C2a、C2b・・・・第2封止樹脂
D1、D2・・・・・・半導体チップ
1・・・・・ガラス基板
1’・・・・薄くしたガラス基板
2・・・・・仮接着層
3・・・・・シード層
4a・・・・第1レジスト層
4a’・・・パターニングした第1レジスト層
4b・・・・第2レジスト層(犠牲層)
5・・・・・銅バンプ
6a・・・・第1絶縁膜
6a’・・・ビアになる孔を形成した第1絶縁膜
6b・・・・第2絶縁膜
6b’、6d’・・・トレンチ形成した第2、第4絶縁膜
6c’、6e’・・・ビア形成した第3、第5絶縁膜
6f’・・・・・・端子パッドめっき用第6絶縁膜
7a・・・・(ビアになる)孔
8a・・・・第1ビア
8a’・・・表層除去した第1ビア
8b’、8c’・・・表層除去した第2、第3ビア
9・・・・・トレンチ(第1配線めっきパターン用)
10a・・・・第1配線
10a’・・・表層除去した第1配線
11・・・・端子パッド
12・・・・多層微細配線層
13・・・・はんだボールバンプ
14・・・・端子
Claims (4)
- 半導体パッケージ用配線基板を備える半導体パッケージであって、
前記半導体パッケージ用配線基板は、
第1の配線基板に第2の配線基板を接合し一体化した半導体パッケージ用配線基板であって、
前記第2の配線基板は、有機絶縁膜を基材とする有機配線基板であり、
前記第2の配線基板は、前記第1の配線基板よりも外形が小さく、前記第1の配線基板よりも微細な線幅の配線層が積層されて成り、
前記第1の配線基板上の、前記第2の配線基板の直上部以外、及び前記第1の配線基板と前記第2の配線基板との接合部以外の領域は封止樹脂で充填され、
前記第1の配線基板、前記第2の配線基板、前記封止樹脂の線膨張係数を、それぞれCTE1、CTE2、CTE3とするとき、CTE1≦CTE3≦CTE2であり、
前記第2の配線基板上に半導体チップが接合され、
前記第2の配線基板上の、前記半導体チップ以外、及び前記第2の配線基板と前記半導体チップとの接合部以外の領域は第2封止樹脂で充填され、
前記第2封止樹脂の線膨張係数をCTE4とするとき、CTE1≦CTE4≦CTE2である、
ことを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記半導体チップは前記第2の配線基板上に複数個接合されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。 - 請求項1または2に記載の半導体パッケージの製造方法であって、以下の工程を順次含む、
ことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
1)ガラス基板上に前記第2の配線基板を作製する工程。
2)前記第2の配線基板の前記ガラス基板側と反対側の面を前記第1の配線基板と接合する工程。
3)前記第1の配線基板上の、前記第2の配線基板の直上部以外、及び前記第1の配線基板と前記第2の配線基板との接合部以外の領域を封止樹脂で充填する工程。
4)前記ガラス基板を前記第2の配線基板から剥離する工程。
5)前記第2の配線基板上に前記半導体チップを接合する工程。
6)前記第2の配線基板上の、前記半導体チップ以外、及び前記第2の配線基板と前記半導体チップとの接合部以外の領域を第2封止樹脂で充填する工程。 - 前記工程1)と、前記工程2)との間に、前記第2の配線基板を断裁し個片化する工程を含む、
請求項3に記載の半導体パッケージの製造方法。
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