JP7436208B2 - 材料の改変についてのコヒーレント撮像およびフィードバック制御のための方法およびシステム - Google Patents

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関連出願
本出願は、２０１１年９月２６日出願の米国特許出願第１３／２４５３３４号であって現行米国特許第８８２２８７５号の継続出願である２０１４年８月２５日出願の米国出願第１４／４６７１３１号であって現行米国特許第９４５７４２８号の継続出願である２０１６年８月２９日出願の米国特許出願第１５／２５００８６号の一部継続出願であり、また２０１１年１月２１日に出願の米国仮出願第６１／４３５０７６号、２０１０年９月２５日に出願の米国仮出願第６１／３８６４９６号、および２０１６年１月１９日に出願の米国仮出願第６２／２８０４９９号の優先権を主張するものであり、これらすべては参照によりそれらの全体が本明細書に組み込まれている。

本出願は、コヒーレント撮像、および、レーザの使用などによる、材料の光学的な改変または測定に関する。

レーザは、広範な材料を加工するための重要なツールであることが知られている。例示的なプロセスとしては、溶接、ドリリング、切断、ルーティング、穿孔、焼結、および表面処理が挙げられる。材料としては、金属、半導体、誘電体、ポリマー、ならびに硬質および軟質生体組織を挙げることができる。ビームを集束させることにより、ビーム軸に対して横の方向におけるレーザの作用の改善された精度を達成することが可能であり得る。しかしながら、ビームの軸方向におけるレーザの作用を局所化することが困難な場合がある。

多くのレーザプロセスに共通しているのは、加工システムを誘導し、レーザ作用の前、最中、および／または後の品質保証データを獲得するための計測技術である。レーザ相互作用および実際上の制約の側面が、標準的な技術を妨げる場合がある。そのような側面のいくつかの例としては、プラズマ発生電気的干渉、高アスペクト比の孔、加工レーザによる眼障害、高速移動する材料、予測不可能な幾何形状、材料緩み、および加工レーザによる計測器具への潜在的な損傷が挙げられる。

レーザ切断深さの制御は、様々な顕微鏡手術でのレーザの使用を可能にする主たるものである。特に、脊髄手術に対する非常に大きな需要が存在する（一部の病院では神経外科症例の３分の１）。現在の機械工具は、原始的であり、熟練した外科医を除いては安全かつ効果的に使用することが困難である。レーザを使用することは、その高い横方向制御、工具摩耗がないこと、および非接触手術（感染制御）が理由で、望ましい。レーザ使用には、柔軟な凝固制御および天然の無菌効果など、他の利点が存在する。しかしながら、レーザは、軸制御に関しては非常に劣っている（ビームが軸方向に進み続けることを意味する）。これは、穿孔点が極めて高い精度で制御されない場合、周囲の軟組織への予期せぬ外傷がほぼ確実であるということを意味する。したがって、レーザの使用は、これまで多数の症例において避けられてきた。

現在のレーザシステムは、軟組織に対して主に使用され、一定材料が所与の露光量により除去されるという想定に基づいている。しかしながら、この想定は、常に正しいわけではなく、さらには、多くの場合、どれくらいの組織が除去される必要があるのかについて先験的には正確に分からない。非常に異なる光学特性、機械特性、および熱特性を有する組織の界面における精密な切断または切除は、神経科、整形外科、耳鼻咽喉科、および腹腔鏡の執刀医にとっては特に関心事である。角膜レーザ手術とは異なり、これらの外科的特殊性は、主に、顕微鏡スケールで不均一組織特性を有する不透明な光学的に混濁した組織タイプに関係するものであり、この場合、詳細かつ精密な光‐熱特徴付けは実現不可能である。結果として生じる非確定的な組織切断／切除プロセスは、そのような手術中のレーザの使用の大きな妨げになる。例えば、近年、複数の著者が、実際のレーザ骨切除術（骨を切断するための外科手技）は、レーザ深さ制御の欠如により制限されるということを強調している。組織の精密な除去の潜在的な利益は、外科腫瘍学および移植の本領域および他領域に重大な臨床的影響をもたらし得る。

工業用途においては、レーザ加工は、単一レーザが、機械的調節または化学的処理の変更なしに異なる材料を洗浄、溶接、および／またはマシニングするために使用され得るという利点を有する。不均一試料または多層試料のレーザ切除が達成されてきたが、これらのプロセスは、膨大な量の展開を必要とし、限られた適用性および多様な成果を有する均一の試料特性またはモデルに依存する。レーザ溶接および洗浄もまた、典型的には、広範な多パラメータ最適化を必要とする。利用可能なパラメータ空間（供給速度、パルスエネルギー、パルス持続時間、波長、アシストガス、スポットサイズ、および焦点位置を包含する）内の加工対象物（例えば、フィーチャアスペクト比、熱影響域など）の特定のセットを達成するこの問題は、材料の特徴（例えば、融解および切除しきい値、およびポリマー分子量）により作り上げられる。したがって、工業レーザプロセス開発は、膨大な時間および財政投資を必要とし、信頼性を確実にするために微細公差の原料を要求し得る。溶接およびドリリングのレーザプロセス監視および制御は、加工されている領域近くの金属温度、反射率、およびプラズマ温度を測定するためにセンサが使用されてきた。計測のこれらの形態は、レーザビーム貫入深さの正確な測定を提供しない。

レーザ溶接は、自動化されかつ高容量の製造に特によく適した工業プロセスである。レーザ溶接の多様な応用は、共通して、結合領域に局所化された相変化を作り出すためにレーザによる制御された加熱のプロセスを有する。この相変化領域（ＰＣＲ）を制御することは、溶接の幾何形状および品質ならびに溶接システムの全体的な生産性を制御するために重要である。レーザ光の高い空間コヒーレンスは、溶接エネルギーの優れた横方向制御を可能にする。軸制御（ＰＣＲの深さ）およびその後の熱拡散は、厚い材料においては問題である。これらの応用において、ＰＣＲの深さは、「キーホール溶接」として広く知られている技術を使用すると材料内の深くまで（例えば、５０マイクロメートル以上の深さ）拡張される。ここでは、ビーム強度は、光学ビームが材料内へ深く貫入することを可能にする小さな蒸気チャネル（「キャピラリ」または「キーホール」としても知られる）を開けるために表面を融解するのに十分である。特定の応用に応じて、キーホールは、狭い（例えば、＜ｍｍ）が、数ミリメートルの深さがあり、約１０^５Ｗにのぼる光パワーの適用で持続される。その結果、ＰＣＲ内側の光－物質相互作用領域は、乱れ、不安定で、かつ非常に確率論的であり得る。残念ながら、キーホール形成の不安定性は、溶接不良を結果としてもたらす内部空洞および高い溶接気孔率をもたらし得、破滅的な結果を伴う可能性がある。通常、溶接品質検証が必要とされ、多くの場合は高価なエクスサイチュおよび破壊試験を使用する。溶接撮像ソリューションが提供されるが、それらの能力は限られており、通常、溶接継手を追跡するか、または冷却された溶接継手の上面を記録するために、ＰＣＲの前または後のいずれかの領域を監視する。

Hofer et al., Optics Express 18:4898-919 (2010) Woods et al., Optics Express 16:9654-9670 (2008) Podoleanu, Optics Express 15:9867-9876 (2007) Podoleanu et al., Optics Letters 32:2300-2302 (2007) Muller et al., Optics Letters 32:3336 (2007) Vergnole et al., Optics Express 18:10446-61 (2010) Choma et al., Optics Express 11:2183-9 (2003) Yun et al., Optics Express 12:2977-2998 (2008) Wieser et al., Optics Express 18:14685-704 (2010)

本発明の一つの態様によると、材料改変プロセスにおいて試料位置に適用される材料加工ビームを生み出す材料加工ビーム源と、撮像光を生み出す撮像光源と、試料に送達される撮像光の少なくとも一成分を使用して干渉測定出力を生み出す光学干渉計であって、干渉測定出力が、試料までの少なくとも一つの光路長であって、別の光路長と比較した少なくとも一つの光路長に基づく、光学干渉計と、干渉測定出力に基づいて材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを制御するフィードバック制御器とを備える装置が提供される。材料改変プロセスは、焼結、溶接、およびろう付け、またはそれらの組合せから選択される。

本発明の別の態様によると、材料改変プロセスを実施する材料加工システムと共に使用するためのフィードバック制御装置が提供され、材料加工システムは、光アクセスポートを有し、本装置は、撮像光を生み出す撮像光源と、撮像光の第１の成分を材料加工システムの光アクセスポートに出力し、戻ってくる撮像光の反射成分を受信する入力‐出力ポートと、反射成分および撮像光の別の成分を組み合わせて干渉測定出力を生み出す光コンバイナであって、干渉測定出力が、第１の成分および反射成分が通る路長であって、撮像光の別の成分が通る路長と比較した路長に基づく、光コンバイナと、干渉測定出力に基づいて材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータに影響を与える少なくとも一つの信号を生成するフィードバック制御器とを備える。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、干渉測定出力が最初は、参照経路に沿って反射される光のみを実質的に含むかどうかを決定するようにさらに構成され、その後、干渉測定出力は、参照経路の路長と比較した試料経路の路長に基づく。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、干渉測定出力が、参照経路に沿って反射される光のみを実質的に含むものから、参照経路の路長と比較した試料経路の路長に基づくものへ遷移するのはいつか、または遷移するかどうかを決定し、またフィードバック制御器は、遷移を考慮した干渉測定出力に基づいて材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータに影響を与える少なくとも一つの信号を生成する。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、加工されている材料について干渉測定出力の変化を識別するために干渉測定出力の複数のインスタンスを処理し、フィードバック制御は、そのような変化の関数である。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、干渉測定出力の変化に基づいて、改変／試料運動「速度」または別の変化率の表示を提供する。

いくつかの実施形態において、フィードバックプロセッサは、干渉測定出力に基づいて材料の光学指数の表示をさらに生成する。

いくつかの実施形態において、本装置は、コンピュータ可読媒体と、複数の時点において干渉測定出力に基づいて材料改変プロセスの記録を生成し、その記録をコンピュータ可読媒体に記憶する記録ジェネレータとをさらに備える。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを該プロセス中に制御するリアルタイム制御器である。

いくつかの実施形態において、材料改変加工ビーム源は、固体レーザ、ファイバレーザ、またはガスレーザである。

いくつかの実施形態において、材料加工ビーム源は、イオンビームおよび電子ビームのうちの少なくとも一方である。

いくつかの実施形態において、干渉計は、コンバイナと、上記別の光路長を有する参照アームであって、撮像光の第１の成分が参照アームの入力に適用され、結果として参照アームの出力信号をもたらす、参照アームと、上記少なくとも一つの光路長を有する試料アームであって、撮像光の第２の成分が試料アームに適用され、結果として試料アームの出力信号をもたらし、試料アームの出力信号の少なくとも一成分が、試料位置からの撮像光の成分の反射を含む、試料アームとを備え、コンバイナは、参照アームの出力信号および試料アームの出力信号を組み合わせて、上記干渉測定出力として組合せ信号を生み出し、本装置は、干渉測定出力から第１のインターフェログラムを生み出すように構成される信号検出器をさらに備える。

いくつかの実施形態において、本装置は、試料アームと参照アームとの各組合せについてそれぞれのインターフェログラムが生成される、複数の試料アーム；試料アームと参照アームとの各組合せについてそれぞれのインターフェログラムが生成される、複数の参照アーム；試料アームと参照アームとの各組合せについてそれぞれのインターフェログラムが生成される、複数の参照アームおよび複数の試料アーム；のうちの少なくとも一つを備える。

いくつかの実施形態において、干渉計は、少なくとも一つのスプリッタおよび／または光サーキュレータと、スプリッタおよび／または光サーキュレータの後の少なくとも一つの試料アームとを備え、撮像信号が、試料アームに適用されて、結果として試料アームの出力信号をもたらし、試料アームの出力信号の少なくとも一成分が、試料アームおよび／または加工されている材料内の少なくとも二つの位置からの撮像信号の成分の反射を含み、試料アームが上記少なくとも一つの光路長および上記別の光路長を有し、スプリッタおよび／または光サーキュレータは、試料アームからの出力信号を受信し、それを検出器の方へ向け、本装置は、干渉測定出力からインターフェログラムを生み出すように構成される信号検出器をさらに備える。

いくつかの実施形態において、本装置は、材料加工ビームが試料位置においてどれくらい深く貫入したかを反映する深さ測定を行うために干渉測定出力に基づいて分析を実施するインターフェログラムプロセッサをさらに備える。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、干渉測定出力に基づいて分析を実施し、切断レーザに最も近い界面に対して深さ切断を制御するフィードバック制御を生成する。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、干渉測定出力に基づいて分析を実施し、現在の切断深さを超える界面に対して深さ切断を制御するフィードバック制御を生成する。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、深さ測定に基づいて材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを制御する。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器によって制御される材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータは、材料加工ビームのオン／オフ状態、材料加工ビームの平均パワー、材料加工ビームのパルス持続時間、材料加工ビームのピーク強度、材料加工ビームの密度、材料加工ビームのエネルギー、材料加工ビームの粒子種、材料加工ビームの波長、材料加工ビームのパルス繰返し率、材料加工ビームのパルスエネルギー、材料加工ビームのパルス形状、材料加工ビームの走査速度、材料加工ビームの焦点直径、材料加工ビームの焦点位置、試料上の材料加工ビームの空間パターン、材料供給速度、冷却媒体流量、カバー／アシストガス流量、カバー／アシストガス圧力、カバー／アシストガス混合、アーク溶接プロセスパラメータ（電圧、電流、およびワイヤ供給速度など）、および添加材供給速度のうちの少なくとも一つを含む。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、深さ測定が指定の深さを示すときに材料加工ビームをオフになるように制御することによって、深さ測定に基づいて材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを制御する。

いくつかの実施形態において、本装置は、材料改変源ビームがいつ指定の深さまで貫入したか、現在改変されている材料の領域が材料の他の領域に近接していること、貫入されるべき材料の残量、改変された総深さ、達成される絶対最終深さ、深さの変動、深さ変化の速度、および表面下界面までの残りの距離のうちの少なくとも一つの表示をもたらすために、干渉測定出力に基づいて分析を実施するインターフェログラムプロセッサをさらに備える。

いくつかの実施形態において、本装置は、干渉測定出力に基づいて表面下レベルにおける少なくとも一つの変化を検知するようにさらに構成される。

いくつかの実施形態において、表面下レベルにおいて検知される少なくとも一つの変化は、温度変化、状態変化、流量、および圧力波のうちの少なくとも一つを含む。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、表面下レベルにおいて検知される変化に基づいて少なくとも一つの材料改変パラメータを制御する。

いくつかの実施形態において、表面下レベルにおける変化は、スペックルパターンにおける変化を観察することにより検知される。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、インターフェログラムプロセッサからの表示に基づいて材料加工ビームをオフにするように材料加工ビーム源を制御する。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、インターフェログラムプロセッサからの表示に基づいて材料加工ビームをオンにするように材料加工ビーム源を制御する。

いくつかの実施形態において、本装置は、目標とする結果についての事前計算した合成インターフェログラムを記憶するためのメモリと、干渉測定出力から測定インターフェログラムを生み出す信号検出器と、測定インターフェログラムを事前計算した合成インターフェログラムと一緒に処理して相関結果を生み出すインターフェログラムプロセッサとを備え、フィードバック制御器が、相関結果に基づいて材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを制御する。

いくつかの実施形態において、目標とする結果についての事前計算した合成インターフェログラムは、反射が指定の深さから戻るときに予測されることの推定であり、インターフェログラムプロセッサは、検出素子ごとに測定インターフェログラムと事前計算したインターフェログラムとを乗算し、次いで合算することによって相関結果を生み出す。

いくつかの実施形態において、事前計算した合成インターフェログラムおよび測定インターフェログラムのうちの少なくとも一方は、分光計位置合わせ、分光計回折格子角度非線形性、分光計内の撮像光学系からの撮像ひずみ、波長から波数／周波数へのリサンプリング、検出器作用面積の有限サイズ、スペクトル包絡線形状、分散ミスマッチ、および画像品質を低下させるインターフェログラムに含まれる別の非理想性のうちの少なくとも一つを補償するように成形される。

いくつかの実施形態において、本装置は、材料加工ビームによって改変される体積が指定の深さにいつ頃到達したかを識別するために相関結果を処理するようにさらに構成される。

いくつかの実施形態において、本装置は、相関結果がしきい値を満たす時点から、指定の深さがいつ頃達成されたかを識別するようにさらに構成される。

いくつかの実施形態において、少なくとも一つの路長は、試料位置にある第１の反射体までであり、別の路長は、試料位置にある第２の反射体までである。

いくつかの実施形態において、少なくとも一つの路長は、試料位置にあるそれぞれの反射体までの少なくとも二つの路長であり、別の路長は、参照アームに沿う。

いくつかの実施形態において、本装置は、事前計算した合成インターフェログラムを合成するインターフェログラム合成器をさらに備える。

本発明のさらに別の態様によると、干渉測定出力を生み出し、処理するための装置が提供され、本装置は、目標とする結果についての事前計算した合成インターフェログラムを記憶するメモリと、干渉測定出力を生み出すための干渉計と、干渉測定出力から測定インターフェログラムを生み出す信号検出器と、測定インターフェログラムを事前計算した予測インターフェログラムと一緒に処理して、相関結果を生み出すインターフェログラムプロセッサと、結果がしきい値を満たすときを決定するように構成されるスレショルダとを備える。

いくつかの実施形態において、複数の目標とする結果の各々について、メモリは、それぞれの事前計算した合成インターフェログラムを記憶し、インターフェログラムプロセッサは、測定インターフェログラムを各事前計算した合成インターフェログラムと一緒に処理して、それぞれの相関結果を生み出し、スレショルダは、各相関結果がそれぞれのしきい値を満たすときを決定する。

いくつかの実施形態において、事前計算した合成インターフェログラムは、目標とする結果が試料位置において材料改変ビームにより達成されるときに予測されることの推定であるインターフェログラムであり、測定インターフェログラムは、試料位置に関するものであり、インターフェログラムプロセッサは、検出器素子ごとに測定インターフェログラムと事前計算した合成インターフェログラムとを乗算し、次いで合算することによって、相関結果を生み出す。

いくつかの実施形態において、事前計算した合成インターフェログラムおよび測定インターフェログラムのうちの少なくとも一方は、分光計位置合わせ、分光計回折格子角度非線形性、分光計内の撮像光学系からの撮像ひずみ、波長から波数／周波数へのリサンプリング、検出器の作用面積の有限サイズ、スペクトル包絡線形状、分散ミスマッチ、および画像品質を低下させるインターフェログラムに含まれる別の非理想性のうちの少なくとも一つを補償するように成形される。

いくつかの実施形態において、目標とする結果は、反射が指定の深さから戻るときに予測されることの推定である。

いくつかの実施形態において、本装置は、相関結果がしきい値を満たすときに材料改変ビームをオフにするように材料改変ビーム源を制御するフィードバック制御器をさらに備える。

いくつかの実施形態において、本装置は、相関結果がしきい値を満たすときに材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを制御するフィードバック制御器をさらに備える。

いくつかの実施形態において、少なくとも一つの加工パラメータは、材料加工ビームのオン／オフ状態、材料加工ビームの平均パワー、材料加工ビームのパルス持続時間、材料加工ビームのピーク強度、材料加工ビームの密度、材料加工ビームのエネルギー、材料加工ビームの粒子種、材料加工ビームの波長、材料加工ビームのパルス繰返し率、材料加工ビームのパルスエネルギー、材料加工ビームのパルス形状、材料加工ビームの走査速度、材料加工ビームの焦点直径、材料加工ビームの焦点位置、試料上の材料加工ビームの空間パターン、材料供給速度、冷却媒体流量、カバー／アシストガス流量、カバー／アシストガス圧力、カバー／アシストガス混合、アーク溶接プロセスパラメータ（電圧、電力、およびワイヤ供給速度など）、および添加材供給速度のうちの少なくとも一つを含む。

いくつかの実施形態において、本装置は、相関結果がしきい値を満たすときに材料改変ビームをオンにするように材料改変ビーム源を制御するフィードバック制御器をさらに備える。

いくつかの実施形態において、本装置は、事前計算した合成インターフェログラムを合成するインターフェログラム合成器をさらに備える。

本発明のさらに別の態様によると、材料改変プロセスの記録を生成する装置が提供され、本装置は、材料改変プロセスにおいて試料位置に適用される材料加工ビームを生み出す材料加工ビーム源であって、材料改変プロセスが溶接プロセスである、材料加工ビーム源と、撮像光を生み出す撮像光源と、試料に送達される撮像光の少なくとも一成分を使用して干渉測定出力を生み出す光学干渉計であって、干渉測定出力が、試料までの少なくとも一つの光路長であって別の光路長と比較した少なくとも一つの光路長に基づく、光学干渉計と、複数の時点において干渉測定出力に基づいて材料改変プロセスの記録を生成する記録ジェネレータとを備える。

いくつかの実施形態において、本装置は、コンピュータ可読記憶媒体をさらに備え、記録ジェネレータが、コンピュータ可読記憶媒体に記録を記憶する。

いくつかの実施形態において、本装置は、材料加工ビームおよび撮像光を、試料に送達されるときに実質的に同軸上に生み出すように構成される。

本発明のさらにさらなる態様によると、材料改変プロセスの記録を生成する装置が提供され、本装置は、材料改変プロセスにおいて試料位置に適用される材料加工ビームを生み出す材料加工ビーム源であって、材料改変プロセスが、材料加工ビームとしてレーザビームを用いる医療プロセスである、材料加工ビーム源と、撮像光を生み出す撮像光源と、試料に送達される撮像光の少なくとも一成分を使用して干渉測定出力を生み出す光学干渉計であって、干渉測定出力が、試料までの少なくとも一つの光路長であって別の光路長と比較した少なくとも一つの光路長に基づく、光学干渉計と、複数の時点において干渉測定出力に基づいて材料改変プロセスの記録を生成する記録ジェネレータとを備える。

本発明のさらにさらなる態様によると、材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを制御するための方法が提供され、本方法は、撮像光源を用いて撮像光を生成するステップと、試料に送達される撮像光の少なくとも一成分を使用して干渉測定出力を生み出すステップであって、干渉測定出力が、試料への少なくとも一つの光路長であって別の光路長と比較した少なくとも一つの光路長に基づく、ステップと、干渉測定出力に基づいて材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを自動的に制御するステップとを含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、材料改変プロセスにおいて材料加工ビームを試料位置に適用するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、材料改変ビームは、ドリリングレーザであり、自動的に制御するステップは、穿孔が検出された直後、または穿孔が検出された後の選択された過剰ドリリング期間の後、ドリリングレーザが停止するように制御されるように、材料改変ビームによる穿孔を制御することを含む。

いくつかの実施形態において、材料加工ビームを適用するステップは、ガスタービン内に冷却孔を製作することを含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、干渉測定出力が最初は、参照経路に沿って反射される光のみを実質的に含むかどうかを決定するステップであって、その後、干渉測定出力は、参照経路の路長と比較した試料経路の路長に基づく、ステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、干渉測定出力が、参照経路に沿って反射される光のみを実質的に含むものから、参照経路の路長と比較した試料経路の路長に基づくものへ遷移するのはいつか、または遷移するかどうかを決定するステップ、および影響を与えるためにフィードバックを生成するステップは、遷移を考慮した干渉測定出力に基づいて材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータに影響を与える。

いくつかの実施形態において、本方法は、加工されている材料について干渉測定出力の変化を識別するために干渉測定出力の複数のインスタンスを処理するステップであって、フィードバック制御が、そのような変化の関数である、ステップを含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、干渉測定出力の変化に基づいて、改変／試料運動「速度」または別の変化率の表示を生成するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、干渉測定出力に基づいて材料の光学指数の表示を生成するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、複数の時点において干渉測定出力に基づいて材料改変プロセスの記録を生成するステップと、その記録を記憶するステップとをさらに含む。

いくつかの実施形態において、干渉測定出力に基づいて材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを自動的に制御するステップは、材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを該プロセス中にリアルタイムで制御することを含む。

いくつかの実施形態において、材料改変加工ビームは、レーザビームである。

いくつかの実施形態において、材料改変プロセスにおいて試料位置に材料加工ビームを適用するステップは、金属、半導体、誘電体、硬質生体組織、軟質生体組織、ポリマー、プラスチック、木、複合物のうちの少なくとも一つに材料加工ビームを適用することを含む。

いくつかの実施形態において、材料加工ビームは、イオンビームおよび電子ビームのうちの少なくとも一方である。

いくつかの実施形態において、干渉測定出力を生み出すステップは、撮像光の第１の成分を参照アームの入力部に適用し、結果として参照アームの出力信号をもたらすことであって、参照アームが上記別の光路長を有する、ことと、撮像光の第２の成分を試料アームに適用し、結果として試料アームの出力信号をもたらすことであって、試料アームの出力信号の少なくとも一成分が、試料位置からの撮像光の成分の反射を含み、試料アームが、上記少なくとも一つの光路長を有する、ことと、参照アームの出力信号および試料アームの出力信号を組み合わせて、上記干渉測定出力として組合せ信号を生み出すこととを含み、本方法は、干渉測定出力から測定インターフェログラムを生み出すために信号検出を実施するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、試料アームと参照アームとの複数の組合せの各々についてそれぞれのインターフェログラムを生成するステップであって、複数の試料アームが存在する、ステップ、試料アームと参照アームとの複数の組合せの各々についてそれぞれのインターフェログラムを生成するステップであって、複数の参照アームが存在する、ステップ、試料アームと参照アームとの複数の組合せの各々についてそれぞれのインターフェログラムを生成するステップであって、複数の参照アームおよび複数の試料アームが存在する、ステップのうちの少なくとも一つを含む。

いくつかの実施形態において、干渉測定出力を生成するステップは、スプリッタおよび／または光サーキュレータにおいて、画像光の少なくとも一成分を試料アームに適用して、結果として試料アームの出力信号をもたらすことであって、試料アームの出力信号の少なくとも一成分が、試料アームおよび／または加工されている材料内の少なくとも二つの位置からの撮像信号の成分の反射を含み、試料アームが、少なくとも一つの光路長および上記別の光路長を有する、ことと、スプリッタおよび／または光サーキュレータにおいて、試料アームから出力信号を受信し、それを検出器の方へ向けることと、干渉測定出力から測定インターフェログラムを生み出すために信号検出を実施することとを含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、材料加工ビームが試料位置においてどれくらい深く貫入したかを反映する深さ測定を行うために干渉測定出力を分析するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、干渉測定出力に基づいて分析を実施するステップ、および切断レーザに最も近い界面に対して深さ切断を制御するフィードバック制御を生成するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、干渉測定出力に基づいて分析を実施するステップ、および現在の切断深さを超える界面に対して深さ切断を制御するフィードバック制御を生成するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを制御するステップは、深さ測定に基づく。

いくつかの実施形態において、制御される材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータは、材料加工ビームのオン／オフ状態、材料加工ビームの平均パワー、材料加工ビームのパルス持続時間、材料加工ビームのピーク強度、材料加工ビームの密度、材料加工ビームのエネルギー、材料加工ビームの粒子種、材料加工ビームの波長、材料加工ビームのパルス繰返し率、材料加工ビームのパルスエネルギー、材料加工ビームのパルス形状、材料加工ビームの走査速度、材料加工ビームの焦点直径、材料加工ビームの焦点位置、試料上の材料加工ビームの空間パターン、材料供給速度、冷却媒体流量、カバー／アシストガス流量、カバー／アシストガス圧力、カバー／アシストガス混合、アーク溶接プロセスパラメータ（電圧、電流、およびワイヤ供給速度など）、および添加材供給速度のうちの少なくとも一つを含む。

いくつかの実施形態において、深さ測定に基づいて材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを制御するステップは、深さ測定が指定の深さを示すときに材料加工ビームをオフになるように制御することを含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、材料改変源ビームがいつ指定の深さまで貫入したか、現在改変されている材料の領域が材料の他の領域に近接していること、貫入されるべき材料の残量、改変された総深さ、達成される絶対最終深さ、深さの変動、深さ変化の速度、および表面下界面までの残りの距離のうちの少なくとも一つの表示をもたらすために干渉測定出力を分析するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、干渉測定出力に基づいて表面下レベルにおける少なくとも一つの変化を検知するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、表面下レベルにおいて検知される少なくとも一つの変化は、温度変化、状態変化、流量、および圧力波のうちの少なくとも一つを含む。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、表面下レベルにおいて検知される変化に基づいて少なくとも一つの材料改変パラメータを制御する。

いくつかの実施形態において、表面下レベルにおける変化は、スペックルパターンにおける変化を観察することにより検知される。

いくつかの実施形態において、本方法は、表示に基づいて材料加工ビームをオフにするように材料加工ビーム源を制御するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、表示に基づいて材料加工ビームをオンにするように材料加工ビーム源を制御するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、目標とする結果についての事前計算した合成インターフェログラムをメモリに記憶するステップと、干渉測定出力から測定インターフェログラムを生み出すステップと、測定インターフェログラムを事前計算した合成インターフェログラムと一緒に処理して相関結果を生み出すステップとをさらに含み、材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを制御するステップは、相関結果に基づく。

いくつかの実施形態において、目標とする結果についての事前計算した合成インターフェログラムは、反射が指定の深さから戻るときに予測されることの推定であり、相関結果を生み出すステップは、検出素子ごとに第１のインターフェログラムと事前計算したインターフェログラムとを乗算し、次いで合算することを含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、分光計位置合わせ、分光計回折格子角度非線形性、分光計内の撮像光学系からの撮像ひずみ、波長から波数／周波数へのリサンプリング、検出器作用面積の有限サイズ、スペクトル包絡線形状、分散ミスマッチ、および画像品質を低下させるインターフェログラムに含まれる別の非理想性のうちの少なくとも一つを補償するように、事前計算した合成インターフェログラムおよび第１のインターフェログラムのうちの少なくとも一方を成形するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、材料加工ビームによって改変される体積が指定の深さにいつ頃到達したかを識別するために相関結果を処理するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、相関結果がしきい値を満たすときに指定の深さがいつ頃達成されたかを識別するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、少なくとも一つの路長は、試料位置にある第１の反射体までであり、別の路長は、試料位置にある第２の反射体までである。

いくつかの実施形態において、少なくとも一つの路長は、試料位置にあるそれぞれの反射体までの少なくとも二つの路長であり、別の路長は、参照アームに沿う。

いくつかの実施形態において、本方法は、事前計算した合成インターフェログラムを合成するステップをさらに含む。

本発明の依然としてさらなる態様によると、干渉測定出力を生み出し、処理するための方法が提供され、本方法は、目標とする結果についての事前計算した合成インターフェログラムをメモリに記憶するステップと、干渉測定出力を生み出すステップと、干渉測定出力から測定インターフェログラムを検出するステップと、測定インターフェログラムを事前計算した予測インターフェログラムと一緒に処理して、相関結果を生み出すステップと、結果がしきい値を満たすときを決定するステップとを含む。

いくつかの実施形態において、複数の目標とする結果の各々について、それぞれの事前計算した合成インターフェログラムをメモリに記憶するステップと、測定インターフェログラムを各事前計算した合成インターフェログラムと一緒に処理して、それぞれの相関結果を生み出すステップと、各相関結果がそれぞれのしきい値を満たすときを決定するステップ。

いくつかの実施形態において、事前計算した合成インターフェログラムは、目標とする結果が試料位置において材料改変ビームにより達成されるときに予測されることの推定であるインターフェログラムであり、測定インターフェログラムは、試料位置に関するものであり、相関結果を生み出すステップは、検出器ごとに測定インターフェログラムと事前計算した合成インターフェログラムとを乗算し、次いで合算することを含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、分光計位置合わせ、分光計回折格子角度非線形性、分光計内の撮像光学系からの撮像ひずみ、波長から波数／周波数へのリサンプリング、検出器の作用面積の有限サイズ、スペクトル包絡線形状、分散ミスマッチ、および画像品質を低下させるインターフェログラムに含まれる別の非理想性のうちの少なくとも一つを補償するように、事前計算した合成インターフェログラムおよび測定インターフェログラムのうちの少なくとも一方を成形するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、目標とする結果は、反射が指定の深さから戻るときに予測されることの推定である。

いくつかの実施形態において、本方法は、相関結果がしきい値を満たすときに材料改変ビームをオフにするように材料改変ビーム源を制御するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、相関結果がしきい値を満たすときに材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを制御するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、少なくとも一つの加工パラメータは、材料加工ビームのオン／オフ状態、材料加工ビームの平均パワー、材料加工ビームのパルス持続時間、材料加工ビームのピーク強度、材料加工ビームの密度、材料加工ビームのエネルギー、材料加工ビームの粒子種、材料加工ビームの波長、材料加工ビームのパルス繰返し率、材料加工ビームのパルスエネルギー、材料加工ビームのパルス形状、材料加工ビームの走査速度、材料加工ビームの焦点直径、材料加工ビームの焦点位置、試料上の材料加工ビームの空間パターン、材料供給速度、冷却媒体流量、カバー／アシストガス流量、カバー／アシストガス圧力、カバー／アシストガス混合、アーク溶接プロセスパラメータ（電圧、電流、およびワイヤ供給速度など）、および添加材供給速度のうちの少なくとも一つを含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、相関結果がしきい値を満たすときに材料改変ビームをオンにするように材料改変ビーム源を制御するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、事前計算した合成インターフェログラムを合成するステップをさらに含む。

本発明の別の態様によると、材料改変プロセスの記録を生成する方法が提供され、本方法は、材料改変プロセスの部分として材料加工ビームを試料位置に適用するステップであって、材料改変プロセスが溶接プロセスである、ステップと、撮像光源を用いて撮像光を生成するステップと、試料に送達される撮像光の少なくとも一成分を使用して干渉測定出力を生み出すステップであって、干渉測定出力が、試料までの少なくとも一つの光路長であって別の光路長と比較した少なくとも一つの光路長に基づく、ステップと、複数の時点において干渉測定出力に基づいて材料改変プロセスの記録を生成するステップとを含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、記録を記憶するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、材料加工ビームおよび撮像光は、試料に送達されるとき、実質的に同軸上にある。

いくつかの実施形態において、記録は、レーザ溶接の品質を含む。

いくつかの実施形態において、記録は、レーザ溶接のプロセスにおける溶融プールの素子を含む。

いくつかの実施形態において、記録は、差し迫った突破の表示を含む。

いくつかの実施形態において、試料の内側の材料界面は、材料改変プロセスを制御するために識別および使用される。

いくつかの実施形態において、記録は、キーホール安定性を含む。

いくつかの実施形態において、記録は、貫入深さを含む。

本発明の別の態様によると、材料改変プロセスの記録を生成する方法が提供され、本方法は、材料改変プロセスの部分として材料加工ビームを試料位置に適用するステップであって、材料改変プロセスが、材料改変ビームとしてレーザビームを用いる医療プロセスである、ステップと、撮像光源を用いて撮像光を生成するステップと、試料に送達される撮像光の少なくとも一成分を使用して干渉測定出力を生み出すステップであって、干渉測定出力が、試料までの少なくとも一つの光路長であって別の光路長と比較した少なくとも一つの光路長に基づく、ステップと、複数の時点において干渉測定出力に基づいて材料改変プロセスの記録を生成するステップとを含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、試料の目的とする領域の下のゼロ光路長差点の位置を選択するステップのうちの少なくとも一つをさらに含む。

いくつかの実施形態において、ゼロ光路長差点は、測定されている試料内にあるように選択される。

いくつかの実施形態において、ゼロ光路長差点は、測定されている試料の下にあるように選択される。

いくつかの実施形態において、本方法は、感度対深度曲線を調整するトルボットバンド技術、非線形タイムゲーティング、ならびに、最終デジタル処理前にアナログフリンジ信号にアクセスし、次いで直接ハードウェア復調および／またはフィルタリングを使用して、信号がより弱い深さにおける感度を保持しながら、高反射率が予測される深さに対応する特定のフリンジ周波数を減衰させるステップのうちの少なくとも一つをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、複数の加工位置にある複数の試料を加工するために単一加工ビーム源を使用するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、複数の加工位置までの整合試料アーム経路、および共通の参照経路を使用するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、各加工位置についてそれぞれの参照アームを使用するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、試料アームの路長を動的に調節するステップ、参照アームの路長を動的に調節するステップのうちの少なくとも一つをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、複数の参照アームを切り替えるステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、目的の地点の位置を追跡するためにＩＣＩシステムを使用するステップ、目的の地点の位置に対してゼロ光路長差点の位置を（例えば、適応的に）調節するステップを含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、ａ）ドリリング中に孔の底を追跡すること、ｂ）穿孔の速度を制御すること、ｃ）材料が穿孔される時点を観察すること、ｄ）レーザが材料を穿孔する時間点を予想すること、ｅ）新しい孔の下の表面への損傷を避けるためにレーザプロセスを調節すること、ｆ）レーザがオフにされた後に孔が再充填されないこと確認すること、ｇ）所定の深さまでのドリリング、切断、または溶接を制御すること、およびｈ）選択された材料界面に対する選択された深さまでのドリリング、切断、または溶接を制御することのうちの少なくとも一つを実施するために、ＩＣＩシステムを使用するステップをさらに含む。

いくつかの実施形態において、本方法は、撮像光源が、異なる軸高さ、または撮像ビームの中心軸に対する異なる横方向変位、またはそれらの任意の組合せである試料の複数の反射性特徴部を包含する試料の面積または体積を照明するように、ＩＣＩシステムを構成するステップをさらに含む。

本発明の依然として別の態様によると、複数の時点において干渉測定出力に基づくレーザ溶接材料改変プロセスの記録が記憶されているコンピュータ可読記憶媒体が提供される。

インラインコヒーレント撮像観察および／または制御手法が上に要約されており、以下に詳細説明される。より一般的には、説明されたインラインコヒーレント撮像観察および／または制御手法のうちの任意の一つ、またはこれらのうちの二つ以上の任意の組合せは、以下の応用のうちの一つに適用され得る：
ハイブリッドレーザアーク溶接を含む、溶接、
ろう付け、
ディンプル加工、孔食、粗化、平滑化を含む、表面テクスチャリング、
光重合、金属沈殿を含む、レーザ誘導化学プロセス、
選択的アニーリングを含む、アニーリング、
焼戻、
硬化および熱処理、
焼結、
レーザ培養、
溝切断、
トレパンドリリング‐これは、レーザが、丸くきれいな孔をドリリングするために迅速に円形に向けられる場合である、
硬質組織、または金属ポリマー、セラミックのレーザ穿孔における片面突破検出、
合成器官およびそれらの先駆体のための材料を含む、生物材料の切断、
プリント回路基板ビアのドリリングおよび／またはプリント回路基板内の溝切断、
生物材料の接合または融合または溶接。

本発明のさらなる態様は、材料改変プロセスにおいて材料の位置に適用される材料加工ビームを生み出す材料加工ビーム源と、撮像光を生み出す撮像光源と、材料改変プロセスの前、最中、および／または後に材料内に作成される相変化領域および／または周囲領域に送達される撮像光の少なくとも一成分を使用して干渉測定出力を生み出す光学干渉計を含むコヒーレント撮像システムであって、干渉測定出力が、相変化領域および／または周囲領域内の少なくとも一つの地点までの少なくとも一つの光路長であって、別の光路長と比較した少なくとも一つの光路長に基づく、コヒーレント撮像システムと、干渉測定出力を受信し、材料改変プロセス中の相変化領域および／または周囲領域の特徴の表示である検出器出力を生み出す検出器と、複数の時点において検出器出力に基づいて少なくとも一つの記録を生成する記録ジェネレータとを備える装置を提供する。

この態様によると、材料改変プロセスは、付加製造プロセス、除去製造プロセス、接合プロセス、またはそれらの組合せの部分であり得る。付加製造プロセスは、レーザ焼結、選択的レーザ焼結、レーザ溶融、選択的レーザ溶融、直接金属レーザ焼結、電子ビーム溶融、粉体床３Ｄ印刷、または粉体床融合、またはそれらの異形、派生形、もしくは組合せを含み得る。付加製造プロセスは、粉末床プロセス、レーザ金属堆積、直接金属堆積、またはレーザクラッディング、またはそれらの異形、派生形、もしくは組合せを含み得る。

本装置は、コヒーレント撮像システム、検出器出力、および補助光学センサのうちの少なくとも一つから入力を受信し、材料改変プロセスの一つまたは複数のパラメータを制御するためにフィードバックとして使用される出力を生み出すフィードバックプロセッサを備え得る。

本装置は、一つまたは複数の補助光学センサをさらに備え得、一つまたは複数の補助光学センサは、相変化領域、または周囲領域、または両方から少なくとも一つの光学発光を受信し、一つまたは複数の出力を生み出し、一つまたは複数の出力は、信号プロセッサ、品質保証信号発生器、フィードバック制御器、および記録ジェネレータのうちの少なくとも一つに接続され、信号プロセッサ、品質保証信号発生器、フィードバック制御器、および記録ジェネレータのうちの少なくとも一つは、記録、報知、およびフィードバック出力のうちの少なくとも一つを生成する。

本装置は、少なくとも一つの記録に基づいて材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを制御し得る。制御される材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータは、
材料加工ビームのオン／オフ状態、
材料加工ビームの平均パワー、
材料加工ビームのパルス持続時間、
材料加工ビームのピーク強度、
材料加工ビームの密度、
材料加工ビームのエネルギー、
材料加工ビームの粒子種、
材料加工ビームの波長、
材料加工ビームのパルス繰返し率、
材料加工ビームのパルスエネルギー、
材料加工ビームのパルス形状、
材料加工ビームの走査速度、
材料加工ビームの焦点直径、
材料加工ビームの焦点位置、
材料加工ビームの空間パターン、
冷却媒体流量、
カバー／アシストガス流量、
カバー／アシストガス圧力、
カバー／アシストガス混合、
電圧および電流から選択される少なくとも一つのプロセスパラメータ、
少なくとも一つの拒否パラメータ、
添加材供給速度、
添加材供給幾何形状、ならびに
添加材供給タイプ、のうちの少なくとも一つを含み得る。

制御される材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータは、粉末層厚、充填密度、層均一性、添加材供給速度、および堆積材料の選択のうちの少なくとも一つを含み得る。

一つの実施形態において、本装置は、材料加工ビームおよび撮像光を、相変化領域および／または周囲領域内へ送達されるときに、実質的に同軸上に生み出すように構成される。

一つの実施形態において、材料改変プロセスは、添加材を材料加工ビームで改変することによって、対象物を製造、改変、または修理する。

別の実施形態において、少なくとも一つの走査システムは、コヒーレント撮像システムを材料に向ける。

さらなる実施形態において、少なくとも一つの補助センサは、材料改変プロセス発光が空間分解され得るように少なくとも一つの走査システムに結合される。少なくとも一つの補助光学センサは、光ファイバを用いて走査システムに結合され得る。光ファイバは、多層クラッドファイバもしくは多芯ファイバのうちの一方、または両方を含み得、撮像光は、少なくとも一つの光ファイバを少なくとも一つの補助光学センサと共有する。

この態様によると、材料の位置に適用される材料加工ビームを使用する材料改変プロセスを制御するための方法も本明細書に説明され、本方法は、材料改変プロセスの前、最中、および／または後に材料内に作成される相変化領域および／または周囲領域に撮像光を適用するステップと、材料改変プロセスの前、最中、および／または後の相変化領域および／または周囲領域に送達される撮像光の少なくとも一成分を使用して干渉測定出力を生み出すために光学干渉計を含むコヒーレント撮像システムを使用するステップであって、干渉測定出力が、相変化領域および／または周囲領域内の少なくとも一つの地点までの少なくとも一つの光路長であって、別の光路長と比較した少なくとも一つの光路長に基づき、干渉測定出力が、材料改変プロセス中の相変化領域および／または周囲領域の特徴の表示である、ステップと、少なくとも一つの加工パラメータ材料改変プロセスを制御するために干渉測定出力を使用するステップとを含む。

本方法によると、材料改変プロセスは、付加製造プロセス、除去製造プロセス、またはそれらの組合せの部分であり得る。付加製造プロセスは、レーザ焼結、選択的レーザ焼結、レーザ溶融、選択的レーザ溶融、直接金属レーザ焼結、電子ビーム溶融、粉体床３Ｄ印刷、粉体床融合、粉末床プロセス、レーザ金属堆積、直接金属堆積、またはレーザクラッディング、またはそれらの異形、派生形、もしくは組合せを含み得る。

本方法は、相変化領域、または周囲領域、または両方から少なくとも一つの光学発光を受信し、一つまたは複数の出力を生み出すために、一つまたは複数の補助光学センサを設置するステップと、一つまたは複数の出力を、信号プロセッサ、品質保証信号発生器、フィードバック制御器、および記録ジェネレータのうちの少なくとも一つに接続するステップであって、信号プロセッサ、品質保証信号発生器、フィードバック制御器、および記録ジェネレータのうちの少なくとも一つが、記録、報知、およびフィードバック出力のうちの少なくとも一つを生成する、ステップと、材料改変プロセスを制御すること、監視すること、および調節することのうちの一つまたは複数のために、記録、報知、およびフィードバック出力のうちの少なくとも一つを使用するステップと、をさらに含み得る。

一つの実施形態において、制御するステップは、付加製造品質保証情報を提供することを含み得る。本方法は、
材料加工ビームのオン／オフ状態、
材料加工ビームの平均パワー、
材料加工ビームのパルス持続時間、
材料加工ビームのピーク強度、
材料加工ビームの密度、
材料加工ビームのエネルギー、
材料加工ビームの粒子種、
材料加工ビームの波長、
材料加工ビームのパルス繰返し率、
材料加工ビームのパルスエネルギー、
材料加工ビームのパルス形状、
材料加工ビームの走査速度、
材料加工ビームの焦点直径、
材料加工ビームの焦点位置、
材料加工ビームの空間パターン、
冷却媒体流量、
カバー／アシストガス流量、
カバー／アシストガス圧力、
カバー／アシストガス混合、
電圧および電流から選択される少なくとも一つのプロセスパラメータ、
少なくとも一つの拒否パラメータ、
添加材供給速度、
添加材供給幾何形状、ならびに
添加材供給タイプ、から選択される少なくとも一つの加工パラメータを制御するステップを含み得る。

本方法は、粉末層厚、充填密度、層均一性、添加材供給速度、および堆積材料の選択のうちの少なくとも一つを制御するステップを含み得る。

本方法は、材料加工ビームおよび撮像光を、相変化領域および／または周囲領域に実質的に同軸上に適用するステップを含み得る。

本方法は、添加材を材料加工ビームで改変することによって、対象物を製造、改変、または修理するために使用される付加製造プロセスを制御するステップを含み得る。

本方法はまた、材料改変プロセスにおいて融合、融合の欠如、または両方を検出するために一つまたは複数の補助光学センサをさらに設置するステップを含み得る。

本発明のより良い理解のため、およびそれがどのようにして実施され得るかをより明確に示すために、実施形態は、添付の図面を参照して、例として以下に説明されるものとする。

本発明の実施形態によって提供されるインラインコヒーレント撮像システムからのフィードバック制御を特徴として有する材料加工システムのブロック図である。 図１のフィードバック制御器の例示的な実装形態のブロック図である。 材料改変ビーム源が撮像光源としても機能する撮像システムからのフィードバック制御を特徴として有する材料加工システムのブロック図である。 インラインコヒーレント撮像システムからのフィードバック制御を特徴として有する材料加工システムのブロック図である。 インラインコヒーレント撮像システムからのフィードバック制御を特徴として有する材料加工システムのブロック図である。 インラインコヒーレント撮像システムおよび平衡光検出器からのフィードバック制御を特徴として有する１チャネル材料加工システムのブロック図である。 インラインコヒーレント撮像システムおよび平衡光検出器からのフィードバック制御を特徴として有する２チャネル材料加工システムのブロック図である。 事前計算した合成インターフェログラムを使用して干渉測定出力を処理するための装置のブロック図である。 初期の１．４３×１０^５パルスまでの露光の間は、表面下構造は静的であるように見え、近時直線のエッチ速度でのマシニングの突然発生が後に続く、ウシ肋骨のレーザ切断のＭモードＯＣＴ撮像の例を示す図である。 図１０Ａおよび図１０Ｂは、ｎｓ持続時間のファイバレーザ（一定平均パワー２３Ｗ）による露光に起因する、ウシ肋骨における材料エッチ速度および除去効率の例を示す図である。 図１１Ａおよび図１１Ｂは、多層試料のレーザ切断のＭモードＯＣＴ撮像の例を示す図である。 ドリリング前（左）およびドリリング後（右）の骨のインシチュＢモードＯＣＴ画像の例を示す図である。 鋼におけるパーカッションドリリングのリアルタイムＭモード画像の例を示す図である。 本発明の実施形態によって提供される別の例示的な撮像システムのブロック図である。 選択されたフィルタ深さに重ね合わされた線を伴う、図１４のシステムからの完全に処理されたＭモード画像の描写の図（上）、および、マシニング前面が、選択された深さと交差するときに鋭いピークを呈するホモダインフィルタからの応答を示す図（下）である。 ホモダインフィルタベースの手法を使用したフィードバック制御の方法のフローチャートである。 別のインラインコヒーレント撮像システムのブロック図である。 図１７のＩＣＩシステムを特徴として有するレーザ手術システムのブロック図である。 図１７のＩＣＩシステムを特徴として有する溶接システムのブロック図である。 ホモダインフィルタリングを標準（三次スプラインリサンプリング、ＦＦＴ）処理と比較するプロットである。 撮像ビームが、レーザによって生成される特徴部よりも大きい直径を有し、またゼロ光路長差点が、測定されている材料の内側に位置する深さにあるように選択される、撮像ビームおよびレーザによって生成される特徴部を示す図である。 ステンレス鋼ホイルにおける単一パルス（垂直線によって示される５ｍｓ持続時間）酸素アシストパーカッションドリリングからのＩＣＩ生成画像を示す図である。 レーザ重ね溶接におけるフィットアップおよびギャップを査定するためにＩＣＩがどのように使用され得るかを示す概略図である。 ＩＣＩ制御されたレーザドリリングの正確性を検証するために、別個の走査式光コヒーレンス断層撮影システムによる走査を描写する図である。 同じＩＣＩシステムを複数の試料位置で使用するための様々な選択肢を描写する図である。 同じＩＣＩシステムを複数の試料位置で使用するための様々な選択肢を描写する図である。 同じＩＣＩシステムを複数の試料位置で使用するための様々な選択肢を描写する図である。 同じＩＣＩシステムを複数の試料位置で使用するための様々な選択肢を描写する図である。 試料の表面の下の特徴部の高さを測定するためのＩＣＩシステムの使用を描写する図である。 ＩＣＩシステムがマシニングレーザを直接制御する別の実施形態のブロック図である。 ＩＣＩシステムインターフェースが、レーザ制御器を介してマシニングレーザを間接的に制御し、また、他のシステム制御および／または管理構成部品（例えば、ロボット運動制御、材料送り制御など）とインターフェースをとる別の実施形態のブロック図である。 一般化された実施形態に従う装置のブロック図である。 一つの実施形態に従うコヒーレント撮像システムの図である。 図３０Ａに示されるものなどのコヒーレント撮像システムと共に使用するための付加製造装置の実施形態を示す図である。 図３０Ａに示されるものなどのコヒーレント撮像システムと共に使用するための付加製造装置の実施形態を示す図である。 一つの実施形態に従う、複数の試料アーム経路を有するコヒーレント撮像システムの概略図である。 一つの実施形態に従う、コヒーレント撮像ビーム入射角が変更されることを可能にするコヒーレント撮像システムビーム試料アーム制御器を示す図である。 固定距離コヒーレント撮像プローブビーム参照を含む材料改変装置を示す図である。 補助光学センサを含む材料改変装置を示す図である。 本明細書に説明される実施形態に従う付加製造プロセスにおける層ごとの測定を示す図である。 図３６Ａは、材料改変プロセスの概略図である。図３６Ｂ、図３６Ｃ、図３６Ｄ、図３６Ｅは、図３６Ａの材料改変プロセスの異なる材料相を区別／分解するために使用される干渉測定出力を示す図である。 付加製造プロセスにおいて界面タイプ間を区別するために使用される界面追跡方法を実証するデータを示す図である。 図３８Ａおよび図３８Ｂは、静的界面のコヒーレント撮像光路長測定は、コヒーレント撮像システムによって測定される高さ／深さおよび後方散乱強度が経時的に変化し得るということを示す図である。 コヒーレント撮像測定中の非多重散乱測定、または直接測定と比較される異なる多重散乱イベントを示す図である。 図４０Ａは、不十分なレーザパワーにある加工レーザパワーを査定するための、材料改変プロセスにおける溶融プール内のコヒーレント撮像測定を示す図である。図４０Ｂは、図４０Ａに示される結果として生じるトラックの対応するコヒーレント撮像測定を示す図である。図４０Ｃは、十分なレーザパワーにある加工レーザパワーを査定するための、材料改変プロセスにおける溶融プール内のコヒーレント撮像測定を示す図である。図４０Ｄは、図４０Ｃに示される結果として生じるトラックの対応するコヒーレント撮像測定を示す図である。図４０Ｅは、過剰なレーザパワーにある加工レーザパワーを査定するための、材料改変プロセスにおける溶融プール内のコヒーレント撮像測定を示す図である。図４０Ｆは、図４０Ｅに示される結果として生じるトラックの対応するコヒーレント撮像測定を示す図である。 図４１Ａは、付加製造プロセス粉体床高さのコヒーレント撮像測定（上方パネル）、および原材料層内の欠陥（下方パネル）を示す図である。図４１Ｂは、付加製造プロセス後方散乱強度のコヒーレント撮像測定（上方パネル）、および原材料層内の欠陥（下方パネル）を示す図である。 材料原料堆積平面内へ押し出される部品特徴部から生じる潜在的な付加製造プロセス不良を識別するために使用されるコヒーレント撮像形態測定を示す図である。 図４３Ａは、張り出し区域（例えば、図では約６．５～１３ｍｍ）を加工するときに溶融プール安定性の損失を識別するために使用される粉体床付加製造プロセスにおけるレーザ加工中の溶融プールのコヒーレント撮像を示す図である。図４３Ｂは、張り出し区域内の堆積材料の品質を査定するために使用される、結果として生じるトラックの写真である。図４３Ｃは、張り出し区域内の堆積材料の品質を査定するために使用される、結果として生じるトラックのコヒーレント撮像測定を示す図である。 コヒーレント撮像形態測定を示す図（左）、および付加製造プロセス中に下層のバルク固体材料に対する液体材料の接触角を測定／決定するために使用される図（右）である。 トラック内に堆積される付加製造プロセス材料の品質／一貫性を査定／決定するために使用される、溶融プール／ＰＣＲ／加工ビームの後に続く領域のコヒーレント撮像測定を示す図である。 付加製造プロセスにおけるＰＣＲを囲む粉体床内の露出区域を示す図である。 参照９０の材料加工ビームフレームに対する位置合わせに使用されるコヒーレント撮像測定を示す図である。 コヒーレント撮像測定が材料加工欠陥を検出するために補助光検出器測定と組み合わされる、材料改変プロセスの異なる図式態様を示す図である。 コヒーレント撮像測定が材料加工欠陥を検出するために補助光検出器測定と組み合わされる、材料改変プロセスの異なる図式態様を示す図である。

図１は、本発明の実施形態に従う、インラインコヒーレント撮像（ＩＣＩ）およびフィードバック制御を特徴として有する材料加工システムの論理ブロック図である。本システムは、焼結、溶接、およびろう付け、またはそれらの組合せなどの材料改変プロセスを実施する材料プロセッサ１０を有する。材料プロセッサ１０は、材料加工ビーム１４を生み出す材料加工ビーム源１２を有し、そしてこの材料加工ビーム１４が、試料位置１６に位置する試料を改変する。さらに、撮像光２０を生み出す撮像光源１８が示され、この撮像光２０の少なくとも一成分が、光学干渉計２２に入力される。干渉計２２は、フィードバック制御器２６に入力される干渉測定出力２４を生み出す。フィードバック制御器２６は、材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを制御するために材料プロセッサに入力されるフィードバック２９を生成する。

光学干渉計２２は、試料位置１６に送達される撮像光２０の少なくとも一成分を使用して干渉測定出力を生み出す。線２８は、光学干渉計２２と試料位置１６との間の相互作用の論理表現である。干渉測定出力２４は、試料位置までの少なくとも一つの光路の長さであって、別の光路の長さと比較した長さに基づく。光路は、明確にするために、図内には描写されないが、様々な例が後に説明される。試料位置は、そこから反射された撮像光が収集される位置である。試料位置は、異なる撮像目標を達成するために様々な選択肢から選択され得る。例えば、いくつかの実施形態において、試料位置は、加工される材料試料の物理的位置にある。いくつかの実施形態において、試料位置は、加工される材料試料の物理的位置の近くにある。いくつかの実施形態において、試料位置は、材料加工に関する意義のある情報を得るために選択される場所である。

いくつかの実施形態において、複数のインスタンスにおける干渉測定出力は、加工されている材料に関する干渉測定出力における変化を識別するために処理される。いくつかの実施形態において、フィードバック制御の少なくとも一部は、そのような変化の関数である。いくつかの実施形態において、干渉測定データにおける変化は、改変／試料運動「速度」または他の変化率の表示を提供するために使用される。

変化を識別するために干渉測定データを処理する特定の例では、いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、干渉測定出力が最初は、参照経路（この参照経路は、参照アームが存在する場合は参照アームに沿ってもよく、または試料アームに沿ってもよい）に沿って反射される光のみを実質的に含むかどうかを決定するようにさらに構成され、その後、干渉測定出力は、参照経路の路長と比較した試料経路の路長に基づく。これは、例えば、試料位置が最初は、一つのみの反射表面／表面下を有するか（参照アームがない場合）、または反射／表面下を有さず（参照アームの場合）、その後、材料が改変された後、および／または撮像光学系に対して移動された後、ある時点で、検出される追加の反射表面／表面下が存在するときに発生する可能性がある。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、干渉測定出力が、参照経路（この参照経路は、参照アームが存在する場合は参照アームに沿ってもよく、または試料アームに沿ってもよい）に沿って反射される光のみを実質的に含むものから遷移するときを決定するようにさらに構成され、その後、干渉測定出力は、参照経路の路長と比較した試料経路の路長に基づく。フィードバック制御器は、この遷移を考慮した干渉測定出力に基づいて、材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータに影響を与える少なくとも一つの信号を生成する。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器２６は、材料改変プロセスの加工パラメータを該プロセス中に制御するリアルタイム制御器である。別の実施形態において、フィードバック制御器は、連続するプロセスの合間に少なくとも一つの加工パラメータを制御する。

いくつかの実施形態において、材料改変加工ビーム源は、固体レーザ、ファイバレーザ、またはガスレーザなどのレーザである。

いくつかの実施形態において、材料改変加工ビーム源は、イオンビームおよび／または電子ビームを生成する。

そのようなシステムによって加工される材料は、例えば、金属、半導体、誘電体、硬質生体組織、軟質生体組織、プラスチック、ゴム、木、複合物のうちの一つまたは複数であり得る。他の材料も可能である。

いくつかの実施形態において、干渉計は、コンバイナ、ならびに、参照アームおよび試料アームと称される二つの異なるアームを有する。撮像光の第１の成分は、参照アームの入力部に適用され、結果として参照アームの出力信号をもたらす。撮像光の第２の成分は、試料アームに適用され、結果として試料アームの出力信号をもたらす。試料アームの出力信号の少なくとも一成分は、試料位置からの撮像光の成分の反射を含む。コンバイナは、参照アームの出力信号と試料アームの出力信号とを組み合わせて、干渉測定出力として機能する組合せ信号を生み出す。実装形態に応じて、コンバイナは、カプラ、サーキュレータ、またはスプリッタであり得、組合せ機能を実施する任意の構成部品が使用され得る。

いくつかの実施形態において、本システムはまた、干渉測定出力からインターフェログラムを生み出す信号検出器を有する。いくつかの実施形態において、信号検出器は、検出器素子のアレイの形式にある。特定の例は、ラインカメラである。そのような信号検出器の他の例は、特定の詳細な例示的実装形態の文脈において後に説明される。

干渉測定出力からインターフェログラムを生み出す信号検出器の別の例は、増幅平衡フォトダイオード対である。そのような信号検出器の他の例は、特定の詳細な例示的実装形態の文脈において後に説明される。

いくつかの実施形態において、複数の試料アームが存在し、それぞれのインターフェログラムが、試料アームと参照アームとの各組合せについて生成される。

いくつかの実施形態において、複数の参照アームが存在し、それぞれのインターフェログラムが、試料アームと参照アームとの各組合せについて生成される。

いくつかの実施形態において、複数の参照アームおよび複数の試料アームが存在し、それぞれのインターフェログラムが、試料アームと参照アームとの各組合せについて生成される。

例えば、試料位置に複数の反射体が存在する場合には、複数の試料アームが存在し得る。そのような試料アームは、試料からコンバイナへ反射を送達する際に共通の光学構成部品を共有し得るが、光路長は異なる。試料アームのいくつかは、表面下反射体へのものであり得る。

複数のインターフェログラムが生成されるいずれの場合においても、これらの複数のインターフェログラムは、次いで、材料プロセッサ１０を制御するためにフィードバック２９を生成する際にフィードバック制御器２６によって使用される。

干渉測定出力は、試料位置までの少なくとも一つの光路の長さであって、別の光路の長さと比較した長さに基づくということを思い出して欲しい。いくつかの実施形態において、「別の光路」は、単に、試料までの異なる光路である。効果的に、この場合に干渉計によって比較される二つの経路は、同じ試料の異なる反射体までの二つの経路である。この場合、撮像光は、試料位置における反射体の位置がわずかに異なる点を除いては同じである光路を通過することになる。

いくつかの実施形態において、少なくとも一つの路長は、試料位置にあるそれぞれの反射体までの少なくとも二つの路長であり、別の路長は、参照アームに沿う。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、干渉測定出力が最初は、参照経路（この参照経路は、参照アームが存在する場合は参照アームに沿ってもよく、または試料アームに沿ってもよい）に沿って反射される光のみを実質的に含むかどうかを決定するようにさらに構成され、その後、干渉測定出力は、参照経路の路長と比較した試料経路の路長に基づく。これは、例えば、試料位置が最初は、一つのみの反射表面／表面下を有するか（参照アームがない場合）、または反射／表面下を有さず（参照アームの場合）、その後、材料が除去された後、ある時点で、追加の反射表面／表面下が存在するときに発生する可能性がある。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、干渉測定出力が、参照経路（この参照経路は、参照アームが存在する場合は参照アームに沿ってもよく、または試料アームに沿ってもよい）に沿って反射される光のみを実質的に含むものから遷移するときを決定するようにさらに構成され、その後、干渉測定出力は、参照経路の路長と比較した試料経路の路長に基づく。フィードバック制御器は、この遷移を考慮した干渉測定出力に基づいて、材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータに影響を与える少なくとも一つの信号を生成する。

いくつかの実施形態において、フィードバックプロセッサは、材料加工ビームが試料位置においてどれくらい深く貫入したかを反映する深さ測定を生み出すために干渉測定出力に基づいて分析を実施する。いくつかのそのような実施形態において、フィードバック制御器は、深さ測定に基づいて材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを制御する。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、干渉測定出力に基づいて分析を実施し、加工位置に最も近い界面に対して加工（例えば、切断）の深さを制御するフィードバック制御を生成する。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、干渉測定出力に基づいて分析を実施し、現在の加工深さを超える界面に対して加工深さ（例えば、切断深さ）を制御するフィードバック制御を生成する。

材料改変プロセスの任意の加工パラメータがフィードバック制御器によって制御され得るということを理解されたい。特定の例としては、
材料加工ビームのオン／オフ状態、
材料加工ビームの平均パワー、
材料加工ビームのパルス持続時間、
材料加工ビームのピーク強度、
材料加工ビームの密度
材料加工ビームのエネルギー、
材料加工ビームの粒子種、
材料加工ビームの波長、
材料加工ビームのパルス繰返し率、
材料加工ビームのパルスエネルギー、
材料加工ビームのパルス形状、
材料加工ビームの走査速度、
材料加工ビームの焦点直径、
材料加工ビームの焦点位置、
試料上の材料加工ビームの空間パターン、
材料供給速度、
冷却媒体流量、
カバー／アシストガス流量、
カバー／アシストガス圧力、
カバー／アシストガス混合、
アーク溶接プロセスパラメータ（電圧、電流、およびワイヤ供給速度など）、および
添加材供給速度（例えば、ろう付けにおいて）が挙げられる。

特定の例において、フィードバック制御器は、深さ測定が指定の深さを示すときに材料改変源ビームをオフになるように制御することによって、深さ測定に基づいて材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを制御する。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、材料改変源ビームが、いつ指定の深さまで貫入したかの表示を生み出すために、干渉測定出力に基づいて分析を実施するインターフェログラムプロセッサを有し、この指定の深さは、例えば、絶対的であり得るか、または材料と関連付けられた表面または界面に相対的であり得る。いくつかのそのような実施形態において、フィードバック制御器は、レーザがいつ指定の深さまで貫入したかの表示に基づいて材料加工ビームをオフにするように材料加工ビーム源を制御する。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、現在改変されている材料の領域が材料の他の領域に近接しているという表示を生み出すために、干渉測定出力に基づいて分析を実施するインターフェログラムプロセッサを有する。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器は、貫入されている材料の残量の表示を生み出すために、干渉測定出力に基づいて分析を実施するインターフェログラムプロセッサを有する。

いくつかの実施形態において、インターフェログラムプロセッサは、材料がいつ指定の深さに存在するかの表示を生み出すために、干渉測定出力に基づいて分析を実施し、フィードバック制御器は、上記表示に基づいて材料加工ビームをオンにするように材料加工ビーム源を制御する。図６および図７は、光サーキュレータおよび平衡光検出器を特徴として有するそのようなシステムの二つの特定の例である。これらの図は、以下に説明される。

図２は、フィードバック制御器の部分的な例示的実装形態を示す。干渉測定出力１８を受信し、測定インターフェログラム３２を生成する信号検出器３０が示される。インターフェログラムプロセッサ３４は、測定インターフェログラム３２を受信する。目標とする結果についての事前計算した合成インターフェログラム３７が記憶されるメモリ３６が提供される。インターフェログラムプロセッサ３４は、相関結果３８を生み出すために、測定インターフェログラムを事前計算した合成インターフェログラム３７と一緒に処理する。フィードバック制御器は、測定インターフェログラム３２と合成インターフェログラム３７との類似性の尺度である相関結果に基づいて、材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを制御する。

目標とする結果についての事前計算した合成インターフェログラムは、これが測定インターフェログラムとの相関のために直ちに利用可能であるように事前計算される。目標とする結果についての事前計算した合成インターフェログラムは、これが計算のみから決定されるという意味で合成されるものであり、光信号はその生成に関与しない。

いくつかの実施形態において、目標とする結果についての事前計算した合成インターフェログラムは、指定の深さが材料加工ビームにより到達されるときに予測されることの推定である。

いくつかの実施形態において、インターフェログラムプロセッサは、検出器素子ごとに測定インターフェログラムと事前計算したインターフェログラムとを乗算し、次いで合算することによって相関結果を生み出す。

いくつかの実施形態において、事前計算した合成インターフェログラムおよび測定インターフェログラムのうちの少なくとも一方は、
分光計位置合わせ、
分光計回折格子角度非線形性、
分光計内の撮像光学系からの撮像ひずみ、
波長から波数／周波数へのリサンプリング、
検出器作用面積の有限サイズ、
スペクトル包絡線形状、
分散ミスマッチ、および
画像品質を低下させるインターフェログラムに含まれる別の非理想性、のうちの少なくとも一つを補償するように成形される。

補償は、例えば、合成インターフェログラムの個々の素子の複合的な位相および振幅の制御された変調を通じて達成され得る。変調量は、装置の経験的な較正、光伝搬の数学モデリング、システム応答の理論的解析、および上記の組合せのうちの少なくとも一つから決定され得る。厳密な方法は、補償される特定の非理想性に依存する。

特定の例は、分散である。固定分散素子では、材料の分散項から生じる、各波長の相対的な位相遅れ／前進が、合成インターフェログラム内の各素子に追加され得る。合成インターフェログラムが、測定される各深さについて異なって計算され得ることが理由で、漸進的分散（すなわち、試料に内因性の分散）もまた補償され得る。

いくつかの実施形態において、相関結果は、指定の深さがいつ材料加工ビームによりに到達されたかを識別するために処理される。これは、例えば、相関結果がいつしきい値を超えるかを決定することによって達成され得る。

いくつかの実施形態において、本システムは、事前計算した合成インターフェログラムを合成するインターフェログラム合成器をさらに含む。

別の実施形態は、材料改変プロセスを実施する材料加工システムと共に使用するためのフィードバック制御システムを提供し、この材料加工システムはカメラポートを有する。そのようなフィードバック制御システムは、図１の機能性を備えるが、材料プロセッサを含まない。この場合、光学干渉計２２は、図示されないカメラポートを通じて材料プロセッサ１０と相互作用する。フィードバック２９は、フィードバック制御器２６から材料プロセッサ１０の別の入力部へ提供される。

上に説明される実施形態は、例えば、レーザなどの材料改変ビームによって加工される前、最中、および／または後の材料の幾何形状、形態、光学散乱、および／または組成を測定するために使用され得る。いくつかの実施形態において、材料の幾何形状／形態／組成に関するフィードバック情報が提供され得（孔特徴、切断特徴、静的もしくは動的な表面下特徴、および／または溶融プール深さなど）、そのような情報は、レーザ改変プロセスなどの材料改変プロセスを制御するために、直接的または間接的のいずれかで使用され得る。

いくつかの材料において、本明細書に説明されるシステムは、作業されている材料の幾何形状の要素、および改変ビームが相互作用している表面の下にある他の材料幾何形状要素に対するそれらの位置を検知し得る。いくつかの実施形態において、この情報は、表面下幾何形状が事前に分かり得ない、および／または特徴付けられ得ない場合でさえも、上記幾何形状の所定のマージン内で改変を誘導するために使用される。いくつかの実施形態において、骨へのレーザ切断の深さは、レーザ改変が、目的の骨の表面下層に貫入する前にいくらかの距離で中断され得るように測定される。これは、レーザ手術において安全なマージンを提供するのに有用であり得る。いくつかの実施形態において、そのようなマージン／フィードバックは、計測データの分析を使用して、いくつかの実施形態においては、手動、自動、または双方の何らかの組合せである技術を使用して、達成される。

いくつかの実施形態において、限定されるものではないが、温度変化、状態変化、流量、および／または圧力波などの、表面下レベルでの変化を検知する装置、方法、およびシステムが提供され、これらは、いくつかの実施形態において、レーザ露光プロセスについて通知するためにさらに使用され得る。いくつかの実施形態において、これらの変化は、複数の測定インターフェログラムの比較／分析に基づいて決定される。インターフェログラムの位相は、およそ数ナノメートルの試料の移動に敏感である。わずかな温度、圧力、流動、および状態変化が、この位相を変化させる組織の移動を引き起こす。また、コヒーレント画像は、内部干渉パターンを作成する、試料のマイクロスケール／ナノスケール構成部品の部分的な結果である独特の「スペックルパターン」を有する。このスペックルパターンはまた、上で述べた変化に非常に敏感である。いくつかの実施形態において、表面下変化は、スペックルパターンにおける変化の周波数を分析することによって、様々な速度のレーザ加工中に観察される。

いくつかの実施形態において、説明される装置は、レーザ溶接のプロセスにおける溶融プールの素子を追跡するために使用される。当業者は、溶融プール（および／またはキーホール）安定性および貫入深さがレーザ溶接の品質の指標であり得ることを理解するものとする。いくつかの実施形態は、これらの指標および／もしくは他の指標を測定するために、ならびに、いくつかの実施形態においては、溶接プロセスを統制し、溶接プロセス展開を助ける目的で、または、プロセスの全体もしくは部分についての品質保証データを生み出すために、使用される。

いくつかの実施形態において、撮像光源は、波長λ_０を中心とするスペクトルを有する光源であり、波長λ_０は、いくつかの実施形態においては、３００～１５０００ｎｍの間であり得、かつ幅Δλを有し得、これは、以下の関係によって表され得る軸分解能δｚを提供し得る。

いくつかの実施形態において、撮像光源は、スーパールミネセントダイオード、レーザダイオード、発光ダイオード、超高速光発振器、半導体光増幅器、およびハロゲンランプであり得るが、しかしながら、当業者は、他の適切な光源が使用され得ることを理解するものとする。他の実施形態において、光源は、いくつかの実施形態において１１００ｎｍ～１４００ｎｍの範囲にわたる発光スペクトルを有するスーパールミネセントダイオード（ＳＬＤ）、または、代替的な実施形態においては、いくつかの実施形態において７５０ｎｍ～９００ｎｍの範囲にわたる発光スペクトルを有するＴｉ：ＡｌＯ_３発振器を含み得る。いくつかの実施形態において、選択される後続の検出器技術に応じて、λ_０およびΔλによって規定されるスペクトル帯にわたって迅速に掃引される狭い瞬時線幅を有する光源が、述べられる他の源の代わりに、またはそれと一緒に使用され得る。

他の実施形態において、追加の光源が、材料改変のために含まれ得る。いくつかの実施形態において、これらの源は、２００ｎｍ～１５０００ｎｍの領域内のスペクトルを有し得、それらの放射については、いくつかの実施形態では連続的であり得、他の実施形態ではパルス状であり得る。パルス状の放射を有する実施形態においては、１ｎＪ～１ＭＪの範囲にわたるパルスエネルギーおよび１ｆｓ～３０分の範囲にわたるパルス持続時間が使用され得る。

いくつかの実施形態において、信号検出器（単一の検出器または検出器の組合せであり得る）は、目的の光の異なる波長の強度を検知する。これは、検出器アレイにわたってスペクトルを空間的に分散させるために回折素子の使用を伴い得る。代替的に、信号検出器は、スペクトルの成分の到着のタイミングが、同時であるかまたは時間的に分散されることが知られ得る、平衡または不平衡光検出器であり得る。

検出信号を測定または解読することができる電子機器が含まれ得る。情報処理チェーン内のこの地点において、信号はもはや光学的ではない。いくつかの実施形態において、これらは、限定されるものではないが、内蔵カメラハードウェア、フレーム取り込み装置、フィールドプログラマブルゲートアレイ、特定用途向け集積回路、パーソナルコンピュータ、データ取得カードを含み得る。電子機器ハードウェアは、フィードバックスキーマおよび用いられる方法またはアルゴリズムを補完するために選択され得る。

いくつかの実施形態は、孔の底の位置および／もしくは表面下界面ならびに／または撮像データ内の目的の変化を識別することができる方法またはアルゴリズムを実施する適切なコンピュータ可読記憶媒体に記憶されるソフトウェアおよび／またはハードウェアを含み、それらの位置、例えば、それらの絶対位置または相対位置に基づいて、メトリクスを計算し、パラメータを制御することができる。

図３は、改変レーザ（ＦＬ）１００が撮像光源としての役割も果たす装置のブロック図である。これにより、撮像および加工ビーム位置合わせは、結果的に自動である。対照的に、図１、図４、図５、図６、図７、図１４、図１７、図１８、図１９の実施形態は、材料加工ビーム源および撮像光源を特徴として有する。ビームスプリッタ（ＢＳ）１０２、分散補償器（ＤＣ）１０４、参照ミラー（ＲＭ）１０６、ガルバノミラー（ＧＭ）１０７、および試料１１２上に光の焦点を合わせるための対物レンズ１１６を含む自由空間マイケルソン干渉計が使用される。検出は、回折格子（ＧＲ）１１４、レンズ（ＡＳＬ）１１６、および光検出器アレイ（ＩＧＡＬＣ）１１８を備える分光計によって達成される。ＰＣ１２２およびフレーム取り込み装置（ＦＧ）１２０は、本明細書に説明される装置、方法、およびシステムの電子機器およびアルゴリズム要素を実装する。ＰＣ１２２は、フィードバック経路１２４を通じて、改変レーザ１００および／または改変プロセスの別の側面を制御し、またこの場合、フィードバック制御器として機能する。

図４は、第１の詳細な実装形態のブロック図である。この実施形態においては、別個の改変光源（ＭＬ）２００および撮像光源（ＳＬＤ）２０４が示される。この実施形態においては、二つの光路は、独立した焦点対物レンズ２０８、２１０の後で、ダイクロイックまたは他の組合せ光学系（ＤＭ）２０６によって組み合わされる。この実施形態においては、干渉計は、単一モード光ファイバに埋め込まれ得るか、または他の実施形態においては、多モード光ファイバに埋め込まれ得る。検出は、高速スペクトル検出器（ＨＳＳ）２１２を用いて達成される。示される実施形態は、試料アーム２１６および参照アーム２１８の間で５０：５０のパワー分割比２１４を表示する一方、他の実施形態では、干渉計において他の分割比が可能であり、光パワーの可用性および／または検出感度の必要性に依存し得る。いくつかの実施形態において、他の干渉計構成、例えば、マッハツェンダー、サニャック、共通経路などが可能であり得る。この実施形態では、ＤＭ２０６は、撮像光を反射し、改変光を透過させるように示されるが、追加的に、この逆も可能であり得る。いくつかの実施形態において、偏光感受型またはニュートラルな反射光学系を介したビームの組合せが発生し得る。当業者は、検出、処理、およびフィードバック電子機器が、この図内に示される実施形態から省略され、そのような処理ステップがフィードバック制御器内で実施され得ることを理解するものとする。フィードバック制御器２１４は、ＨＳＳ２１２の出力を受信し、改変レーザ２０６および／または材料改変プロセスの何らかの他の側面を制御する。

図５は、第２の詳細な実装形態のブロック図である。この実施形態では、高出力広帯域源は、広帯域源３００によって出力される分散最適化された短いパルスを単一モード光ファイバ３１０の長さ内へ結合することによって作成される。これが、いくつかの実施形態においては約６倍のスペクトル帯域幅の拡大を結果としてもたらすが、他の実施形態においては、より大きいまたはより小さい広幅化も可能である。ここに示される実施形態は、６５０～１１００ｎｍの領域内で動作するＴｉ：Ａ１０_３レーザ源３０１を特徴として有する。他の実施形態においては、他の光学撮像源からの３００～１５０００ｎｍのスペクトル域が可能である。この実施形態では、グランテイラー偏光子（ＧＴＰ）３０２、ファラデー光アイソレータ（ＩＳＯ）３０４、ハーフラムダ波長板偏光制御３０５、およびフォークプリズム分散補償３０６が示される。他の実施形態では、他の広帯域源（スーパールミネセントダイオード、他のレーザ、および／または他の広幅化方法）が、広幅化Ｔｉ：Ａ１０_３レーザ源と置き換えられ得る。

この実施形態では、改変レーザ（ＭＬ）３２０は、コリメータ３５１を通過し、撮像ビームは、試料アームコリメータ３５３を通過し、その後、改変レーザビームおよび撮像ビームは、光学系要素（ＤＭ）３１２によって組み合わされた後に、共通の焦点対物レンズ３１４によって焦点を合わされる。

そのような実施形態において、レンズは、色消し、非球面、および／または円錐（すなわち、アキシコン）であり得る。このビーム組合せは、補助流体（例えば、圧縮ガス、水噴霧）を改変プロセスに適用するために使用され得る任意選択のノズル３１６を通って焦点を合わせられ得る。ノズル噴霧はまた、光学ビームとは独立していてもよく、すなわち、双方は異なる地点から試料に送達される。マイケルソン干渉計は、５０：５０スプリッタ３２２（ただし、他の実施形態では、他の分割比が使用され得る）、参照アームコリメータ３５５、および参照ミラー３２６を含む。偏光制御器３２４、３２５、３３０も示される。この実施形態におけるスペクトル検出は、ファイバ結合型反射回折格子分光計３１８を伴う。いくつかの実施形態において、レンズ（ＡＳＬ）３２１の前の追加のミラーにより、ビームが、できる限りリトロー構成に近い反射回折格子３１８に接近および離反することが可能になり得、回折効率を改善する。いくつかの実施形態において、透過回折格子および／もしくは多重回折格子、ならびに／またはファブリーペロー分光計が使用され得る。シリコンラインカメラ３３０は、画像処理電子機器３３２に引き渡されるインターフェログラムを生み出し、画像処理電子機器３３２の出力が、フィードバック制御器３３４に引き渡される。フィードバック制御器３３４は、改変レーザ３２０または改変プロセスの何らかの他の側面を制御するためにフィードバック３３６を生み出す。

改変光および撮像光の正しい位置合わせおよびビーム成形は、撮像データおよびフィードバック制御の品質および有用性にとって有益であり得る。いくつかの実施形態において、ドリリングされている孔など、高アスペクト比の特徴部の中まで撮像することが望ましい場合がある。そのような場合、位置合わせ方法（いくつかの実施形態において、撮像光および改変光に対してダイクロイックミラービームコンバイナを使用する）は、二つのビームがコンバイナの反射表面上に実質的に同じ地点において集まると規定する。そのような実施形態において、二つのビームの適切なビーム制御（一つまたは複数のミラー）が有益である。組合せ光学系の同じ地点から生じる二つのビームの場合、それらは次いで、適当な色消し（または他の設計の）レンズを通して焦点を合わせられ得る。いくつかの実施形態において、レンズの焦点面に位置するアレイ検出器またはピンホール（いくつかの実施形態においては、改変レーザ自体により作製される）の使用は、組合せ光学系の調節を助けることができるため、両方のビームは、実質的に同じスポットに焦点が合う。これは、いくつかの実施形態において、焦点ボリュームの中心を撮像視野内の所望の場所に置くように、干渉計の参照アーム長を適合させるために使用され得る。この場所は、目下の改変用途に基づいて選択され得、追加的に、改変プロセス全体を通して調節され得る。共通の焦点レンズが使用されない場合など、他の実施形態においては、組合せ光学系上で一致するすべてのビームのための中心線を有することが有益であり得る。加えて、選択した深さをより効率的に撮像／改変するために、撮像および改変ビームの焦点位置を互いから独立してシフトすることが望ましい場合がある。いくつかの実施形態において、これは、撮像または改変ビームの発散を、それらが共通の集束レンズに到達する前に調節することによって達成され得る。例えば、撮像ビームの発散は、試料アームコリメータレンズとファイバ先端との間の距離を減少させることによって増大され得る。

撮像および改変ビームの焦点サイズは、撮像結果の品質に対する影響を有し得る。形態アスペクト比および撮像ビーム開口数について注意深い検討がなされる必要がある。撮像ビームが孔よりも横方向にはるかに小さい実施形態において、結果として生じる撮像データは、孔の底およびその下の界面の明確なシグネチャを与え得る。しかしながら、そのような実施形態において、実際的な撮像範囲は、高開口数ビーム内に存在する短いレイリー範囲によって制限され得る。いくつかの実施形態において、開口数は、孔の側壁から生じる信号を拒絶するために用いられる。そのような実施形態において、孔／切開周囲の部分が、（半）透明である試料内で照明され、撮像システムによって捕捉される場合、対応する信号は、撮像データを複雑にし得、また自動化アルゴリズムがフィードバックのためにデータを使用することをより困難にし得る。しかしながら、試料が不透明である実施形態においては、このような信号は、切断幅、改鋳堆積、およびバルク材料の深さに関する情報を提供することができるため、側壁のいくらかの照明を有することは有益であり得る。

いくつかの実施形態において、光学構成部品は、試料アームおよび参照アームにおいて、二つのアーム間の任意の分散ミスマッチを低減するために適合される（いくつかの実施形態において、群遅延および高次分散項）。これにより、軸撮像分解能を改善し得る。試料内に存在する材料によって引き起こされるさらなる分散を一致させるために、参照アームにおいてこの分散補償を変更することも有益であり得る。

分散ミスマッチは、Ｈｏｆｅｒらによって説明されるものなどの（その全体が参照により本明細書に組み込まれる、Ｏｐｔｉｃｓ Ｅｘｐｒｅｓｓ１８：４８９８－９１９（２０１０））（非特許文献１）分散符号化フルレンジ技術を使用して、システムの有効な撮像範囲を増大するように修正された干渉計および画像処理アルゴリズムに意図的に追加され得る。

試料内を撮像するとき、改変レーザによって作成され得る炭化の度合いが考慮され得る。大量のチャーリングを引き起こすレーザは、撮像深さ（および穿孔についての事前通知など）を低減することができる。炭化が低減されたレーザ（中心波長が３０００ｎｍ、９６００ｎｍなど、超短パルス）を選択することが有益であり得る。

方法およびアルゴリズムは、生データを処理し、および／またはフィードバックパラメータを提供するために使用され得、また、背景スペクトル減算のステップ、分光計画素、波長、および／または周波数空間の間のリサンプリング／補間のステップ、ノイズフロア等化のステップ、高速フーリエ変換のステップ、カサイ自動相関／ドップラーシフトのステップ、ならびに／または干渉フリンジの位相および／もしくは分離に基づく他の計算のステップを含み得る。そのような方法は、プロセッサ上で実行されるハードウェアおよび／またはソフトウェア内で実施され得る。いくつかの実施形態において、スペックルパターンおよび／またはその変化の分析は、組織分化、時間的な加熱動態、および／または試料の他の特徴を示すために用いられる。これらの分析は、例えば、スペックルおよびその振幅の空間的または時間的変動を計算することによって実施され得る。そのような方法およびアルゴリズムは、いくつかの実施形態において、発生した熱的損傷、発生している熱的損傷、および／または今後発生する熱的損傷の深さを査定するために使用される。先のステップの多くをなしで済ませる信号抽出の方法も可能である。一つの実施形態において、ホモダインまたはヘテロダイン波形のセットは、一つまたは複数の模擬光路長差、分光計における非線形性／非理想性、波長から波数／周波数への変換、光学干渉計における単一または多次の分散ミスマッチ、ドップラーシフト、非理想スペクトル形状、および撮像データに対する他の調節に基づいて、事前計算され得る。そのようなホモダイン／ヘテロダイン波形のセットは、撮像空間内のボクセルのうちの一つまたは複数において撮像情報を決定するために、ハードウェアまたはソフトウェアによって収集されるデータに対して乗算され得る。この結果は、取得データ内に存在する異なる干渉フリンジ周波数の直交性および／または準直交性に起因して獲得され得る。この手法の詳細な例は、以下に説明される。いくつかの実施形態において、方法およびアルゴリズムは、例えば高速フーリエ変換を使用する他の方法と比較した場合に、計算処理上の節約をもたらし得る。これは、一般には高速応答がプロセスからの成果の改善をもたらすリアルタイムフィードバック用途に望ましい場合がある。処理は、いくつかの実施形態において、完全なスペクトルデータセットを使用し得るか、または、他の実施形態において、データセットの小区分を使用し得る。データセットの小区分を使用する実施形態において、これは、処理時間を低減することができ、また、様々なフィードバック目的に有用であり得るより低い軸分解能を提供することができる。ホモダイン／ヘテロダインフィルタリングはまた、大量の後処理および／またはリアルタイム計算（補間、デジタル分散補償、スペクトル成形などを含む）が、システムの計算処理効率を阻害し得る光コヒーレンス断層撮影のフーリエ領域変形における一般的な画像処理での応用を有し得る。このような場合に限らず、そのような実施形態は、撮像が全被写界深度の小区分を対象とする状況において有用であり得る。

いくつかの実施形態において、界面が画像内の特定の深さにあるときに実際のインターフェログラムを測定することによってホモダイン波形を得ることが有益である。複雑なホモダイン波形は、ヒルベルト変換および他の方法を使用し得る、位相シフト光学系を用いておよび／またはデジタル処理を介して光学的に、界面を移動させることによって光学機械的に界面をシフトさせることによって得られてもよい。次いで、追加の成形ステップ（ノイズ除去、平均化、エンベロープ成形を含み得る）が、これらの波形をさらに最適化するために適用され得る。いくつかの実施形態において、スペクトルプロファイルは、アルゴリズムの有効な点広がり関数をフィードバック使用にとってより最適なものへ変化させるために、デジタル的方法、光学的方法（機械的遮蔽、偏光調節、ニュートラルな密度フィルタリング、干渉フィルタリング、ファブリーペロー素子を含むが、これらに限定されない）、または他の方法により成形される。例えば、一つの実施形態において、非ガウス型スペクトルプロファイルが、点広がり関数内に追加のローブを作成するためにホモ／ヘテロダイン波形にデジタル処理で適用され得る。これらのローブは、「早期警戒」信号、または、フィードバックアルゴリズムが解決する、構造化された極小値および極大値／最小値および最大値を提供するように操作され得る。

試料が透明または半透明の材料である実施形態において、当初は試料バルクによって占有される空間は、材料が改変レーザによって除去されると、空気で充填され得る。試料が、空気よりも大きい屈折の光学指数を有する実施形態において、材料が除去されると、任意の表面下反射体までの光路長は、減少され得る。これは、概して材料の線形除去速度および光学指数に関連する速度で、上記反射体の見かけの深さを（いくつかの実施形態においては、ゼロ光路長差点により近くに、および他の実施形態においては、ゼロ光路長差点から遠くに）変化させるという効果を有する。Ｍモード画像（後の例において示される「モーションモード」）を使用する実施形態において、表面界面および表面下界面は、これらが最終的に穿孔点で接触するまで材料除去を継続することにより互いの方へ傾く。二つの界面の分離を検知し、そのような分離をフィードバック方法またはアルゴリズムへの入力として使用することは、保持／監視されるべき外科的マージンを表すために使用され得る。フーリエ領域では、これら二つの界面は、互いに接近している二つの別個の周波数のように見える場合がある。二つの信号間の周波数差における変化を検知する方法およびアルゴリズムを実施する装置およびシステムは、そのような情報を、切断を制御することができるプロセス制御器および／またはユーザへ通信することができる。

同じ技術が、複数の界面が試料の特定の特徴部を示す任意の材料加工システムに適用され得、それらの特徴部に対する深さ測定に部分的に基づいて材料加工を制御することが望ましい。

相対的な勾配を測定することにより、除去されている材料の屈折の有効な光学指数を測定することができる。これは、フィードバックへの有用な情報であり得る材料の組成の堆積であり得る。いくつかの実施形態において、相対的な勾配における変化を追跡することによって、改変レーザが一つの材料を穿孔し、次の材料に取り掛かったときを検出することが可能であり得る。

これらの同じ原理は、孔を充填する材料が水、および／または空気以外の材料である状況にも適用され得る。

いくつかの実施形態において、サーキュレータが、干渉計に、ソースとファイバスプリッタとの間に追加される。いくつかの実施形態において、平衡光検出器（分光計に加えて、またはこれの代わりに）が、界面が干渉計のゼロ光路長差点に到着すると作成される干渉フリンジを検出するために使用される。そのような実施形態において、平衡光検出器は、検出器のアレイよりも高い測定速度、またはフーリエ領域モードロックされたレーザ（または他の掃引源）の掃引速度を有し得、フィードバック応答を改善し得る。これは、特定の深さにおける界面の到着を検出するための、高速、単純、かつ安価なフィードバックを提供することができる。いくつかの実施形態において、これは、材料がシステム光学系から特定の距離だけ離れたところに存在するときを検出するために使用され得る。集束レーザビームの有効性が、焦点と改変される材料との間の距離に依存し得るということは当業者に知られている。本実施形態は、フィードバックをピコ秒の正確性で材料加工システムへ提供するために使用され得る。いくつかの実施形態において、このフィードバックは、材料が、いくつかの実施形態においては改変レーザの焦点区域に関連し得る選択された深さ区域（ＳＤＺ）内に存在するときにのみ、改変エネルギーの放出を許可するために使用され得る。ＳＤＺ位置および厚さは、撮像光源スペクトルおよび参照アーム長の制御により調整され得る。この調整は、工場設定であってもよく、および／または操作者によって動的に設定されてもよい。いくつかの実施形態において、撮像ビームおよび改変ビームは、ハンドピースに結合され得、ＳＤＺは、ハンドピースの遠位端からいくらかの距離だけ離れて、改変ビームの焦点と共に位置付けられるように構成される。このようにして、ハンドピースは、従来の手術用メスの光学的な類似物として機能する。ＳＤＺは、メスの刃の先端のエッジに類似するものであり、ＳＤＺに位置する材料を切開するために使用され得る。

これは、限定されるものではないが、外科医に馴染みのある触覚インターフェースを提供すること、総レーザエネルギー使用量を減少させること、材料および／または患者への総レーザ露光量を減少させることを含む、多数の利点を有し得る。材料のある種のレーザ改変が、レーザエネルギーを散乱させる、および／または吸収する材料上のプラズマを発生させ得ることは当業者には知られている。そのようなプラズマが存在する間は、さらなる適用エネルギーは、所望の改変効果を有さない場合があり、より大きな熱影響区域に寄与し得る。いくつかの実施形態において、プラズマは、撮像光を遮断する場合があり、これにより、上記プラズマが消えるまで、材料からの反射がフィードバックシステムをトリガすることを防ぐ。これは、試料近くのプラズマ状態が好ましいものでない限り、改変適用エネルギーが適用されることを制限するという利点を提供する。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御は、操作者が、光電子フィードバック条件が満たされるときに改変エネルギーを放出することに対する自分の承諾を示すことができるように、操作者スイッチ（フットペダルなど）と併せて使用され得る。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御は、光パルスピッカ、デジタルシードパルス制御、ポンプ変調、シャッタ、電気光学変調器、ポッケルスセル、および／または音響光学変調器を用いて、改変エネルギー源に対して有効にされ得る。

特定の例が、光サーキュレータ３５０および平衡光検出器３５２を示す図６に描写される。平衡光検出器３５２の出力は、改変ビーム源を制御するフィードバック制御器３５４へ進む。

二つのチャネルバージョンが、図７に描写される。一方のチャネルの試料アーム下方の路長は、参照アームのものとほぼ同じであるが、チャネル２（および、もしあるならばさらなるチャネル）では、それらの対応部分とは、干渉信号内のクロストークを回避するために、非常に異なる。

図６および図７の実施形態は、材料が特定の深さに存在するときを検出するために使用され得るシステムの例である（１０ａ）。試料から生じ、システム光学系により捕捉される撮像光の反射は、参照光路長および試料光路長が一致するときに、（平衡）光検出器において干渉信号を生成することになる。

測定される試料によって誘発される光学分散は、コヒーレント画像の軸分解能に対して悪影響を有し得る。いくつかの実施形態において、試料は、光が試料内で伝搬した深さに依存し得る干渉パターンに対して波長依存の位相シフトを誘発し得る。例えば、上に説明されるようなホモダイン／ヘテロダインアルゴリズムは、これらの効果を補償するために使用され得る。試料内の材料の分散係数は、いくつかの実施形態においては、先験的に計算され得るか、または、他の実施形態においては、繰り返し決定され得る。試料によって誘発される位相シフトは、試料内への貫入の増加と直線的に増大すると仮定することから始めることができる。このようにして、検出器上の各色（すなわち、画素測定）は、それがどの色であるか、および試料内のどの深さから信号が戻ってきているのかによって決定づけられる特定の位相シフトを有し得る。各画素によって測定される色、および各ヘトロ／ホモダイン波形と関連付けられた深さが、双方とも、先験的に知られ得る場合、このひずみは、先験的に推測および計算され得、また、検出器によって測定される信号に対して乗算されるヘトロダイン／ホモダイン波形内へ組み込まれ得る。代替的に、システム内を伝搬する光学信号の測定もまた、補償に使用される分散ミスマッチ情報を提供し得る。ヘトロ／ホモダイン波形ルックアップテーブルが、撮像セッションの前に用意され得る。そのような実施形態において、分散補正は、追加のリアルタイムコンピューティング負荷がゼロの状態で適用され得る。

インターフェログラム相関しきい値化装置
これより図８を参照すると、本出願の実施形態によって提供されるインターフェログラム相関しきい値化装置が示される。干渉測定出力４８を生み出す干渉計４６が示される。干渉測定出力４８を受信し、測定インターフェログラム５２を生成する信号検出器５０が存在する。インターフェログラムプロセッサ５４は、測定インターフェログラムを受信する。事前計算した合成インターフェログラムが記憶されるメモリ５６が提供される。インターフェログラムプロセッサ５４は、相関結果５８を生み出すために、測定インターフェログラムを事前計算した合成インターフェログラムと一緒に処理する。スレショルダ６０は、相関結果がしきい値を満足するときを決定するように構成される。

目標とする結果についての事前計算した合成インターフェログラムは、これが測定インターフェログラムとの相関のために直ちに利用可能であるように事前計算される。目標とする結果についての事前計算した合成インターフェログラムは、これが計算のみから決定されるという意味で合成され、光信号はその生成に関与しない。このインターフェログラムが、様々な補償を実施するためにどのように先験的に調節され得るかの詳細は、上に提示されている。

いくつかの実施形態において、複数の目標とする結果の各々についてのそれぞれの事前計算した合成インターフェログラムが存在する。インターフェログラムプロセッサ５４は、それぞれの相関結果を生み出すために、測定インターフェログラムを事前計算した合成インターフェログラムの各々と一緒に処理する。スレショルダ６０は、各相関結果がそれぞれのしきい値を満たすときを決定する。

いくつかの実施形態において、事前計算した合成インターフェログラムは、目標とする結果が試料位置において材料改変ビームによって達成されるときに予測されることの推測であるインターフェログラムであり、および測定インターフェログラムは、試料位置に関するものである。インターフェログラムプロセッサは、波長ごとに測定インターフェログラムと事前計算した合成インターフェログラムとを乗算し、次いで合算することによって相関結果を生み出す。

いくつかの実施形態において、事前計算した合成インターフェログラムおよび測定インターフェログラムのうちの少なくとも一方は、
分光計位置合わせ、
分光計回折格子角度非線形性、
分光計内の撮像光学系からの撮像ひずみ、
波長から波数／周波数へのリサンプリング、
検出器作用面積の有限サイズ、
スペクトル包絡線形状、
分散ミスマッチ、および
画像品質を低下させるインターフェログラムに含まれる別の非理想性、のうちの少なくとも一つを補償するように成形される。

いくつかの実施形態は、事前計算した合成インターフェログラムを計算するインターフェログラム合成器を特徴として有する。

いくつかの実施形態において、目標とする結果は、材料改変ビームによって到達される指定の深さである。

いくつかの実施形態において、本装置は、相関結果がしきい値を満たすときに材料改変ビームをオフにするように材料改変源を制御するフィードバック制御器を有する。

いくつかの実施形態において、本装置は、相関結果がしきい値を満たすときに材料改変ビームをオンにするように材料改変源を制御するフィードバック制御器を有する。

いくつかの実施形態において、本装置は、事前計算した合成インターフェログラムを合成するインターフェログラム合成器を有する。

インラインコヒーレント撮像を用いた硬組織のレーザ切断の自動誘導
いくつかの実施形態において、上に説明されるシステムおよび方法のうちの一つまたは複数、ならびにコンピュータ記憶媒体に記憶される関連ソフトウェアは、レーザ照射による硬組織の除去を自動的および／または手動で誘導するために構成される。

いくつかの実施形態において、撮像技術の基本は、スペクトル領域光コヒーレンス断層撮影であるが、他の実施形態において、他の変種（掃引源ＯＣＴ、光周波数領域撮像、時間領域ＯＣＴなど）が用いられる。ＳＤＯＣＴにおいて生成される動きアーチファクトが好ましく、ＳＤＯＣＴは通常、強いマシニング光の許容可能な拒否を有することに留意されたい。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像は、レーザによりマシニングされている試料からの深さおよび反射率情報を迅速に測定するために使用される。撮像ビームは、多くの場合、射出物、プラズマ、強い撮像光を透過して、および改変区域より先を見ることができる。これにより、表面下幾何形状の識別および追跡が可能になり、いくつかの実施形態において、表面下幾何形状は、その後、組織の薄層を残しておくための参照として使用される。

撮像光およびマシニング光の組合せは、例えば、ダイクロイックミラーを用いて達成されるが、また、偏光、および当業者に知られている他の技術を用いて達成されてもよい。実際、任意の改変レーザ（２５０～１０６００ｎｍスペクトル、ＣＷ、μｓ、ｎｓ、ｐｓ、ｆｓ持続時間）が、このようにして使用され得る。これにより、用途に合わせたマシニングレーザの調整、または既存のインフラストラクチャの使用／ＦＤＡ認可を可能にし得る。

マシニングプラットフォーム内に統合される場合の撮像システムの他の有用な用途は、自動焦点、恒久的な治療記録、ならびに（走査光学系の追加を伴って）処置前計画および処置後確認である。

いくつかの実施形態は、補間、デジタル分散補償、高速フーリエ変換などを必要とするより複雑な動作の代わりに、ヘテロ／ホモダイニングのためのルックアップテーブルを使用する合理化された画像処理アルゴリズムを用いる。

他の実施形態は、走査ミラー、より複雑なマシニング源、ガスアシスト切断、より高性能の分光計設計などのうちの一つまたは複数の包含を特徴として有する。

ＳＤＯＣＴによるレーザマシニングプロセスの同軸撮像は、工業材料における、エッチ速度および形態緩みなどの、プロセス展開のための臨界パラメータを測定するための有用な情報を提供する。骨などの切断組織において、ＳＤＯＣＴは同様の利益を有する。実証のために、単一モード光ファイバ内で広幅化された８０５ｎｍの１００ｆｓモードロックされたＴｉ：Ａ１０３発振器（Ｃｏｈｅｒｅｎｔ Ｍｉｒａ９００）に基づくＳＤＯＣＴシステムが使用された。高速ＣＭＯＳ分光計およびファイバベースのマイケルソン干渉計と共に、撮像システムは、３１２ｋＨｚの最大ライン速度、１．５μｓ（測定）積分時間、１５０μｍで測定される、＜５μｍの軸分解能（空気中）および＞１００ｄＢの感度を提供する。画像は、背景スペクトル減算、ガウススペクトル成形、三次スプライン補間、ＦＦＴ、およびノイズフロア等化を使用して、４コアのＰＣ（および／または他のソフトウェア環境）上でＬａｂ ＶＩＥＷにおいて処理された。他の処理技術および方法（本説明の中で言及された）もまた適用されている。

これらの実験におけるマシニングでは、１００～２００ｎｓ（ＦＷＨＭ）パルスファイバレーザが、１０７０ｎｍで２３Ｗの試料における平均パワー、および３０～８０ｋＨｚの繰返し率で使用された（ＩＰＧ ＹＬＰ‐１００‐３０‐３０‐ＨＣ）。マシニングビームおよび撮像ビームは、ダイクロイックミラーを介して位置合わせされ、単一の５０ｍｍ色消しレンズを介して共に焦点を合わせられた。ファイバコリメータは、撮像焦点直径およびマシニング焦点直径の両方が、それぞれ５００および３４０μｍの焦点の深さでおよそ２０μｍ（１／ｅ^２）であるように選択された。撮像スポットサイズおよびマシニングスポットサイズを同じにすることにより、側壁信号（後で論じられる）を低減し、画像を単純化した。撮像光およびマシニング光は、冷却、光学系の保護、および燃焼の抑制をもたらすために、２バールでＮ_２ガス（他の場合では、他のガスおよび混合物が同様に送達された）を送達する５００μｍ直径のガスノズル口（ノズルから試料表面までの分離１ｍｍ）を通じて同軸上で送達された。

洗浄および乾燥された、ウシ肋骨の横断面は、厚い小型の骨の簡便な試料として機能した。撮像システムおよびマシニングパルス列は、孔が、骨髄軸に対して横の方向に試料内へパーカッションドリリングされると、非同期的にトリガされた。Ｍモード画像（「モーションモード」－深さおよび時間の関数としての反射率）は、切断挙動が、最初の期間は材料改変がほぼ皆無であり、その後、試料における急速な変化、および約１０ｍｍ／ｓでの切断の突然発生が続くことによって特徴付けられることを示した。この挙動は、この特定の改変源に共通である一方、他の源を使用した場合には実質的に異なることが分かっている。図９では、Ｍスキャンの例示的な断面が、１４３，０００マシニングパルスの後のこの突然発生、およびその後の孔の近時直線の進行を示す。

切断を開始するために必要とされたマシニングパルスの数は、同じ骨試料で１０^２～１０^６まで様々であった。これは、組織試料の不均質性に大いに起因する。この挙動は、この特定の改変源に共通する一方、他の源を使用する場合は実質的に異なることが分かっている。骨における吸収および熱耐性の小さな変動（血管の存在などによる）は、残留水分の最初は緩慢な変化または炭化が、光学吸収および切断の暴走する増大を導く、熱による「核形成」部位を作成し得る。発生の変動性は、組織における短い吸収深さを有する中心波長を生み出す切除光源では、低減される可能性がある。いずれの場合でも、マシニング光に露光される試料の領域のインシチュ監視が、切除の発生の直接的な読み出しをもたらした。

切断が開始されると、材料除去は、パルス数に対して近時直線であった。いくつかの表面下界面は、上昇して、主なマシニング前面と接触するように見えた。ＯＣＴは、光路長を測定し、したがって、媒体の屈折率によって影響を受ける。界面上の材料除去は、不動の表面下特徴部までの光路長を減少させる。勾配の比率（以下の等式で、ｌは表面下特徴部の見かけの深さ、ｘは孔深さ）は、除去されている材料の実効屈折率の直接測定をもたらす。ここで、ｎは、同様の組織について１．５３０という過去の報告とほぼ一致して、１．５であることが分かった。これらの特徴は、以下に説明されるような誘導切断のための有用な情報を提供することができる。

切除の発生の確率的性質に起因して、従来のエクスサイチュ方法を使用してパルスあたりまたはフルエンス切断率あたりに測定することは、非常に困難である。それにもかかわらず、これらのパラメータは、手術用機器および手順を操作するための重要な情報である。インラインコヒーレント撮像を用いれば、これらの測定は、容易であり、情報は、プロセスの直後（および、実際にはプロセス中）に利用可能であり、試料のさらなる改変を必要としない。実証として、２３の孔が、平均パワーを一定（２３Ｗ）に保ったまま、四つの異なる繰返し率で肋骨内にドリリングされた。図１０Ａおよび図１０Ｂは、ｎｓ持続時間のファイバレーザ（一定平均パワー２３Ｗ）による露光に起因する、ウシ肋骨における材料エッチ速度および除去効率を示す。エラーバーは、結果の標準偏差を示す。Ｍモードデータの簡単な検査によって、結果として生じる切断率を得る（９５％標準偏差信頼区域を示すエラーバーを有する図１０Ａおよび図１０Ｂ）。切除は熱プロセスによって達成されるが、材料除去は、単純に平均パワーに依存するわけではない。例えば、図１０Ａでは、エッチ速度は、パルスエネルギーがほぼ３倍になるときに、約５０％しか増大しない。この結果を示す別のやり方は、単位入射光あたりの材料除去の効率を考慮することである。多くの場合、切断速度を犠牲にすることなく光露光を低減することが望ましい。増大された材料除去効率は、切除レーザ源の繰返し率を増大することによって観察される（図１０Ｂ）。簡単な言葉で説明すると、エネルギーは半分であるが、繰返し率が２倍であるパルスの方が、エネルギーは２倍だが、繰返し率が半分であるパルスよりも切除において効率的である。これは、プラズマ生成／射出物からの遮蔽などのパルス内効果が、材料除去を低減していること、および繰返し率のさらなる増大からより高い効率性が得られ得ることを示唆する。

誘導切断における技術の汎用性を実証するため、ファイバ結合されたスーパールミネセントダイオード対（１３２０±３５ｎｍ）およびＩｎＧａＡｓフォトダイオードアレイを有する反射回折格子分光計に基づくポータブルＩＣＩシステムが使用された。このスペクトル帯の使用は、速度および検出器費用を犠牲にして、骨内のより深い撮像を可能にする。マイクロマシニングプラットフォーム内に統合されると、システムは、空気中で、１４μｍ軸分解能、３０μｍ横方向スポットサイズ（１／ｅ^２）を有する。大きい撮像ビーム幅が、切開の底ならびに以下に論じられるような周辺組織の両方から形態情報を収集するために使用される。このシステムは、１０μｓの積分時間および試料に対する７ｍＷの入射を用いて３００μｍで測定される９８ｄＢの感度を有した。軸ライン速度は、４７ｋＨｚで制限される検出器である。この実装形態において、画像は、背景スペクトル減算、線形補間、ＦＦＴ、およびノイズフロア等化を使用して、４コアのＰＣ上のＬａｂ ＶＩＥＷにおいて処理された。

ここで使用されるマシニング源は、４７ｋＨｚの繰返し率で試料に入射する、３００ｎｓのＦＷＨＭ（測定）持続時間の２３０μＪパルスを放出するためにＴＴＬコマンドを介してパルス化される、２３μｍ（１／ｅ^２）に焦点を合わせられる１０７０ｎｍの１００Ｗ（最大平均パワー）ファイバレーザ（ＩＰＧ ＹＬＲ－１００－ＳＭ）である。パルスＦＷＨＭは、３００ｎｓであると測定されるが、形状は、およそ３μｓの総持続時間と非対称性が高い。より単純なパルス形状に対応するより長い持続時間のパルスも調査されたが、切断品質の低下および再現性の減少を結果的にもたらした。

撮像ビームおよび切断ビームの両方は、ダイクロイックミラーを介して同軸上に位置合わせされ、単一の５０ｍｍ色消しレンズを介して共に焦点を合わせられた。撮像は、レーザ露光と撮像との間に最大遅延を提供するために、レーザ露光と非同期的にトリガするように電子的に制御された。組織は、パルス間の均衡へと緩むことはなかったが、遅延は、高速で変化する界面からのフリンジウォッシュアウトを最小限にすることによって、撮像コントラストを改善する。

試験試料は、ウシ腰椎の棘突起から抽出された皮質骨であった。この概念実証に好適な骨の薄片を作成するために、１ｍｍ直径の水冷却ドリルビットを使用して、約１ｍｍの空隙の上におよそ６００ｕｍの骨を残して、試料の小片をくりぬいた。骨／空気界面は、マシニングのための理想の目標界面を提供した。

レーザ露光中の骨のＭモード撮像は、マシニングパルスの関数としてのマシニング前面の進行を示す。図１１は、レーザ露光が、空隙内への穿孔を達成し（左）、および穿孔前に切開を停止する（右）ように制御される、マシニングを示す。図１１Ａは、二つのグループの１０００パルスが、空気層内への穿孔を引き起こすことを示し、次の骨層（深さ１．７ｍｍ）を示している。図１１Ｂは、七つのグループの２００パルスの適用が、貫入の１５０ミクロン手前で停止された切断を結果的にもたらすことを示す。撮像（４７ｋＨｚ）は、ドリリング後の材料緩みを示すために切断後も継続された。注釈（参考のため）：ＭＦ‐マシニング前面、ＳＩ‐表面下界面、ＡＩ‐空気界面、ＢＷ‐後壁、Ｐ‐穿孔点、ＬＯ‐マシニングレーザのオフ、ＡＧ‐空隙、ＳＢ‐残された骨。材料除去の発生は、非常に変わりやすいことが証明されており、例えば、図１１Ａ内では４００パルス、また図１１Ｂでは５０のみであり、これは、上部骨層の不均一性、ならびにＣＷマシニングにおける損傷の発生の非決定的性質に起因する可能性が高い。マシニングは、開始された後で、穿孔まできちんと定められた速度で進行し（図１１Ａ）、二次骨層が目に見えるようになった。撮像ビームの何らかの妨害が、表面下構造のシャドーイングを引き起こすが、組織条痕は、骨／空気界面に起因する最も顕著な不連続性と共に、明瞭に見ることができる。先に説明されるように、マシニング前面の下の条痕は、材料除去中、上方に移動するように見える。

マシニング前面の上からの散乱が、すべての画像において観察される。これは、孔の側壁からの散乱に由来する。側壁改変の監視を可能にするために、マシニングビームよりも広い撮像ビーム幅が使用され、これにより、横方向の走査なしにある程度の横の情報を達成することができた。横方向の走査はまた、インシチュで行われるが（以下を参照のこと）、撮像速度の低下をその代償とする。レーザ露光が終了した後（図１１Ａのパルス２０００、図１１Ｂのパルス１４００）、試料は緩み、側壁および表面下特徴部は静的になる。マシニング中の散乱光の変動は、表面形態の変化ならびに高速移動する界面のフリンジウォッシュアウトが原因で発生する。ＳＤＯＣＴでは、カメラ積分時間中に光の波長の半分を超えて移動する界面は、コントラストの低下を被ることに留意されたい。この動きによって誘発されるアーチファクトは、他の高速移動する界面が正しくない深さに現れ、したがって切開の追跡をより困難にするＯＣＴの時間領域または掃引源変動よりは好ましい。

試料を平行移動させることによって、加工前後のドリリング部位のＢモード画像が得られた。インシチュ撮像は孔軸と自動的に位置合わせされるため、高アスペクト比（＞２０）の孔内の深い撮像は容易であった。図１２は、ドリリング前（左）および後（右）のインシチュＢモードＯＣＴ画像を示す。二つの明白な孔は、下方の骨界面を示す一方、中央の孔（図１２右に対応する）は、空隙の手前１５０μｍで停止するようにドリリングされた。残された骨の厚さは、波括弧で強調される。図１２（左）内のものに対応する、孔を通して見える後壁は、ＢＷとラベル付けされる。中央の孔は、空隙の上の残された骨（図１２右の波括弧）を明白に示す。他の二つの孔は、貫通孔であり、空隙、および下方の骨層からの散乱を示す。熱切断プロセスにおける組織改変によって引き起こされる、孔の側壁からの散乱の増大は、撮像光の貫入深さを低減し、時として、より深くの特徴部を分かりにくくする。これは、改変部位の炭化をほとんど引き起こさない、または、全く引き起こさないレーザ改変プロセスを選択することによって最小限にされ得る。

これらの前向きのコヒーレント撮像能力を応用することは、場合によっては、以前に報告されたものよりも数桁大きい時間分解能を用いた、ミリメートル長スケールにわたる硬組織におけるマシニングの追跡を結果としてもたらす。リアルタイム撮像が、利用可能な先験的情報がほとんどなく、マシニングエネルギーに対して非常に確率論的な応答を有し得る組織内での正確な切断を可能にすることが実証される。この開発は、特に、神経システムなどの繊細な器官の近傍での、硬組織外科手技における微細制御への重要な一歩である。

スペクトル領域光コヒーレンス断層撮影
本明細書に説明される実施形態は、スペクトル領域光コヒーレンス断層撮影および変異形を使用する。スペクトル領域光コヒーレンス断層撮影（ＳＤＯＣＴ）は、超音波撮像の光学的アナログとして説明されてきた。本測定は、固定された参照長に対する対象物の光路長（ＯＰＬ）を得るために、白色光の光ファイバ干渉計を使用する。スペクトル領域において、試料反射の相対ＯＰＬは、干渉計からの出力におけるスペクトル干渉フリンジの間隔で符号化される。具体的に、各々がｚ_ｉの参照長とは異なるＯＰＬを有する、試料アーム内のｐ反射体のセットについて検討する。結果として生じるスペクトルインターフェログラム強度は、おおよそ

である。

Ａ（ｋ）は、撮像光源のスペクトル包絡線であり、ｋは、波数である。第１の項は、先験的に知られており、バックグラウンド信号として減算され得る。第２の項は、典型的には、非常に小さく、無視され得る。第３の項において、弱い試料反射（Ｉ_ｉ）は、その強度が強い参照信号によって乗算されており、間隔（すなわち、周波数）がその深さ（ｚ_ｉ）に依存する正弦波干渉フリンジとして現れる。各深さが異なるフリンジ周波数に対応するため、信号は、直交であり、動く部分がなくとも独立して監視され得る。したがって、取得速度および信号対雑音は、検出器および撮像の強度によって制限される。ＩＣＩは、マシニングビームと同軸上で作用することができ、三角測量法で可能なものよりもはるかに大きい孔アスペクト比での深さ検知を可能にするということが強調されるべきである。

深さ情報を抽出するために、スペクトルインターフェログラム（分光計を用いて測定される）が、補間によって一定波数の単位にリサンプリングされ得、ＦＦＴを介してＩ（ｚ）に変換され得る。結果として生じる関数（ＡスキャンまたはＡラインとして知られる）は、試料の深さ‐反射率プロファイル（ノイズフロアに関して対数単位で示される）であり、試料内の各反射界面がその深さを中心とする点広がり関数（ＰＳＦ）として現れる。ＰＳＦ半値全幅（ＦＷＨＭ）は、通常、システムの軸分解能とされ、ガウスＡ（ｋ）については、

とされる。

したがって、光源の短い中心波長（λ）および広域スペクトル（Δλ）が、高分解能撮像には望ましい。およそ５～１０μｍでの生体撮像における典型的な軸分解能は、８３０±３０ｎｍのＦＷＨＭ（眼科学）または１３１０±３５ｎｍのＦＷＨＭ（散乱組織）の準ガウス型スペクトルにより達成される。

一つの重要な撮像アーチファクトが、正のＯＰＬと負のＯＰＬとの間の曖昧性に起因して（ｚ_ｉおよび－ｚ_ｉが、同じインターフェログラムを産出する）生じ得る。スペクトルインターフェログラムは、純粋に本物であるため、深さ反射のプロファイルは、ゼロを中心に複素共役対称性を有する。画像の半分は、通常、正のＯＰＬのみを残して廃棄される。しかしながら、反射界面が参照点の負の側に位置する場合、そのシグネチャは、アーチファクトとして画像内へ折り返す。したがって、いくつかの実施形態は、適切な深さ視野（ＦＯＶ）で設計され、すべての反射界面がゼロ光路長差点の一方の側にのみに位置することを確実にするように注意が払われる。

画像を作成するために、多くのスペクトルインターフェログラムが、分光計により連続して取得され、Ａライン（「軸ライン」‐深さの関数としての反射率）へと処理され、次いで反射率対深さ対Ａライン数の３Ｄデータセットとして表示される。生体撮像においては、Ａライン数は、撮像ビームがラスター走査される際の横方向位置に対応する。これは、Ｂモード画像（Ｂ＝輝度（Ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ））として知られる、二つの空間次元の関数としての反射率の画像を生み出す。代替的に、ビームが静的である場合、Ａライン数は、時間に対応し、結果として生じる画像は、Ｍモード画像（Ｍ＝運動（Ｍｏｔｉｏｎ））と呼ばれる。このタイプの画像は、試料の深さ‐反射率プロファイルにおける高速変化を観察するのに有用である。例えば、１０７０ｎｍ中心波長、１００ｎｓ持続時間のファイバレーザ（ＩＰＧ ＹＬＰ‐１／１００／３０／３０‐ＨＣ）を用いた、３０４ステンレス鋼のパーカッションドリリング中の同軸撮像は、図１３のＭモード画像をもたらす。マシニング前面（明るい白色曲線）は、試料のバルク内へ約６００μｍ下降しているのが分かる。完全なエッチ深さ対パルス数の関係は、単一の孔をドリリングすることにより得られ、切断後の材料加工を必要としなかった。

７６０μＪパルスは、３０ｋＨｚで２０μｍｅ^－２強度直径スポットへ入射した。８．３バールの同軸酸素アシストガスジェットが使用された。撮像速度は３００ｋＨｚである。グラフの輝度は、対数目盛りでの試料反射率に対応する。示されるダイナミックレンジは、約６０ｄＢである。

数十キロヘルツの取得速度でさえ、Ｍモード画像は、エッチ速度だけでなく、溶融プール流量およびレーザドリリング／溶接プロセスの他の動態も直接測定することができる。マシニング前面の下方を検知することが可能であるため、Ｍモードデータはまた、正確な試料幾何形状が先験的に知られていないときにさえ、生体組織を含む様々な半透明材料におけるブラインド孔切断を誘導するために、適切なフィードバックハードウェアと併せて使用され得る。

図１４は、ホモダインミキシングの例として使用されることになる、本発明の実施形態によって提供される別の撮像システムの概略図である。しかしながら、ホモダインミキシングは、本明細書に説明されるシステムのいずれかと共に使用され得る。ラベル：ＩＳＯ‐ファイバ結合された光学アイソレータ４００、５０：５０‐モードカプラ４０２、ＰＣ‐偏光制御器４０６、ＴＧＲ‐透過回折格子４０８、ＡＳＬ‐空気間隔をあけたレンズ４１０、ＳｉＬＣ‐シリコンＣＭＯＳラインカメラ４１２、５０ＦＣ‐５０ｍｍファイバコリメータ４１４、１０ＦＣ‐１０ｍｍファイバコリメータ４０７、４０９。ファイバ結合されたスーパールミネセントダイオード（ＳＬＤ）４１８、カスタム分光計、および、カメラポート（より一般的には光アクセスポート）を介してレーザマシニングヘッドにインターフェース接続され得るファイバ光学マイケルソン干渉計が存在する。ＳＬＤからの撮像光は、まず、後方反射からＳＬＤを保護する光アイソレータおよび／またはサーキュレータを通過する。光は、エバネッセントモードカプラ（ビームスプリッタまたはビームコンバイナ）内へ進み、そこで光は、試料アームおよび参照アームへと分割され、次いで、ファイバの外へ出て自由空間内へ結合される。一部の光は、両方の干渉計アーム内で逆反射され、信号は、再結合され、モードカプラにおいて干渉する。偏光制御器は、単一モードファイバ内の偏光効果から生じる二つの干渉計アーム間のミスマッチを補正し、また回折格子効率を最適化する。偏光制御器と一緒に、またはその代わりに、偏光維持ファイバも使用され得る。透過回折格子は、位置合わせを容易にするために分光計内で使用される。最後に、カメラは、スペクトルインターフェログラムを測定し、ＩＥＥＥ‐１３９４を介してデータを処理のためにデスクトップコンピュータ（または、図示されない他の処理プラットフォーム）に伝送する。

以下は、図１４のシステムの性能の例示的な測定である。

いくつかの実施形態は、構成部品の選択に応じて、異なる速度、感度、分解能、および／またはダイナミックレンジを有し得る。

いくつかの実施形態において、完全なシステムはまた、特定の用途のためのマシニングヘッドとのカスタムインターフェス接続を含む。これは、一般には、カメラポートを修正し、撮像光とマシニング光を組み合わせるために正しいダイクロイック光学系を選択することによって達成され得る。加えて、撮像ビームの適切な集束ビーム直径が選択され得る。いくつかの実装形態において、撮像光およびマシニング光は、同じ対物レンズによって焦点を合わせられ（ただし、これは必須ではない）、この対物レンズの焦点距離は、既存のマシニングプロセス要求によって予め定められる。ここで、試料アームコリメータの選択および位置合わせは、撮像のための所望の焦点特性を得るために使用され得る。コリメータ位置合わせはまた、撮像光とマシニング光との間の対物レンズの焦点距離変動を補償するために使用され得る。

例示的な応用として、１００ｍｍ集束レンズを有するマシニングレーザヘッドが検討される。被写界深度にわたって均一な撮像を維持するために、コリメータの焦点距離は、集束撮像ビームのレイリー範囲がシステムの被写界深度のおよそ半分になるように選択されるべきである。上に説明される設定については、１０ｍｍコリメーティングレンズを選択し、そのため、２７μｍのビームウエスト（１／ｅ^２強度半径）および２．８ｍｍのレイリー範囲が予測される。最大軸分解能を達成するために、試料アームと参照アームとの間の分散ミスマッチの適切な補償が役立ち得ることに留意されたい。

本設計は、柔軟であり、撮像速度（アップグレードされたカメラを用いて）または軸分解能を改善するために修正され得る。後者は、より幅の広いスペクトルＳＬＤ（または他の光源）、および低減された線密度を有する回折格子を選択することによって達成される。これは、被写界深度の減少という欠点を有するが追加の金銭的コストがほとんどまたは全くなしに、著しい分解能改善をもたらす。例えば、現在の構成部品を、１２００線／ｍｍ回折格子（Ｅｄｍｕｎｄ Ｏｐｔｉｃｓ ＮＴ４８‐５８９）と対の８４０±２５ｎｍのＦＷＨＭ光源（Ｅｘａｌｏｓ ＥＸＳ８４１０‐Ｆ４１３）と置き換えることにより、３ｍｍの最大範囲にわたって６．２μｍ分解能を提供し得る。より高いスペクトル帯域幅では、最大分解能を達成するためには適切な分散ミスマッチ補償が重要であるということに留意されたい。

このようなコヒーレント撮像技術では、界面が、検出器の積分時間中に約λ／４以上移動する場合、フリンジコントラストは、著しく低下し（「ウォッシュアウト」）、その界面からの信号を消失させるということに留意されたい。これは、追跡され得る界面速度の上限に対応する。しかしながら、画像を複雑にし、自動フィードバックをより困難にする反射を生み出す特定の高速界面（例えば、射出物）を拒否するという利益も有する。最大界面速度は、検出器の積分時間に依存し、またこれが感度に影響を及ぼす。３５μｓの積分時間の場合、システムは、最大０．００６ｍ／ｓの速度で移動する界面を追跡することができる。より速く移動する界面の場合、積分時間は、（感度を犠牲にして）１μｓまたは１００ｎｓまで減少されて、それぞれ０．２１ｍ／ｓまたは２．１ｍｓの最大速度を得ることができる。これは、工業プロセスにおける典型的なエッチ速度よりも速いため、この設計は幅広い用途に適することが期待される。より短い積分時間を有するラインカメラ、平衡光検出器、および／または掃引源の使用により、さらに速く移動する界面が解像されることを可能にし得る。

ホモダイン深さフィルタリング
ＩＣＩを自動フィードバック方法として使用するために、処理は、少なくともデータ取得と同じ速さで実行することが好ましい。生体撮像において、補間およびＦＦＴ動作は、画像を形成するためにＦＯＶ内のすべての深さからの反射強度を計算するために必要である。対照的に、フィードバックシステムにおいて、撮像出力は、例えば、特定の深さに到達した後で、撮像出力の関数としての材料改変プロセスの変化（例えば、放出を終了する）をトリガするために使用される。この場合、すべての深さから反射率を計算することは、過度である場合がある。ドリリングが所定の深さに貫入したときを決定するための効率的な方法が提供される。

所望の深さｚから開始し、分光計からの較正データと共に、上に提示されるＩ（ｋ）の等式を使用して、合成インターフェログラムが、事前に計算され、一定のカメラ画素数（または検出システムに対応する基準）の単位で表現される。この計算は、先験的に完了され得、リアルタイムコンピューティング負荷に寄与しない。複数のそのような事前計算した合成インターフェログラムは、例えば、いくつかの可能な深さのうちの一つを達成すること、一連の中間ステップを通じて所望の深さへの接近を追跡すること、指定の深さからの材料の除去、一つの深さにおいて別の深さと比較してより多くの材料を達成すること、または目標深さからの後方散乱の変化を最適化することといった、異なる目標とする結果のために使用されるメモリテーブルから（個別に、または別のやり方で）生成および描写され得る。

合成インターフェログラムをカメラからの生データとホモダインミキシングすることによって、所望の深さからの信号が抽出され、これは、図２０に示されるような当業者に知られている他の方法と比較した場合に著しく低いスプリアスサイドローブ信号（補間誤差からの）を有し得る。カメラからの各撮像出力について、カメラからの生データは、画素ごとに合成インターフェログラムによって乗算され、次いで合算される。所望の深さに達するとき、合算された結果は、ピークを有することになる。

信号を複数の合成インターフェログラムと組み合わせることが望ましい場合、行列の乗算手法がとられ得る。

データ要素が、検出器から連続的にまたは準連続的に（すなわち、複数のカメラタップを介して）転送される場合、受信用電子機器は、いくつかの実施形態において、メモリおよび／またはゲート（フィールドプログラマブルゲートアレイ、ＦＰＧＡ上など）の処理リソースを守るため、および全体的なフィードバックレイテンシを低減するために、個々の要素に対する計算を、それらが利用可能になるとすぐに開始し得る。

実証するために、このフィルタ技術は、図１５で使用される分光計データに適用され、２００μｍ目標深さ（図１５では線１００によって示される）を選択している。フィルタ応答は、マシニング前面がその深さを通過する瞬間に明白な高ＳＮＲ応答を示す（図１５下）。

フィルタ応答は、ドリリングを停止するか、または材料改変プロセスのパラメータに何らかの他の変化を起こすようにフィードバック応答をトリガするために使用される。図１６は、例えば、所定の深さにいつ到達するかに基づいた、ドリリングを停止するために使用され得る、自動フィードバック制御の方法のフローチャートである。複数の深さからのフィードバックおよびプロセスの他のパラメータの制御を有するより複雑な制御システムもまた可能である。いくつかの実施形態において、ルックアップテーブルは、（異なる事前計算した合成インターフェログラムを選択することによって）目的の深さを迅速かつ動的に変更するために用いられる。

深さフィルタリングは、標準的な処理と対比して計算処理量節約を達成し得る。以前に取得された生の実験データの５７６の要素ラインの複数のブロックを処理するために必要とされる時間は、本発明者らの標準的な生体撮像コード（バックグラウンド減算、三次スプライン補間、ＦＦＴ、ノイズフロア等化）を用いた場合と、ホモダインフィルタを用いた場合の両方が、表２において比較される。処理は、Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ Ｗｉｎｄｏｗｓ ７ ６４ビット環境においてクアッドコアのＩｎｔｅｌデスクトップＣＰＵ上でシングルスレッド実行ＭＡＴＬＡＢを用いて行われた。表２の結果は、１秒あたり１０^３線（ｋｌｐｓ）を単位として表現され、相対速度増大係数は、ホモダインフィルタを使用することにより得た。

非常に小さいブロックサイズおよび非常に大きいブロックサイズに関しては、ＦＦＴ法は非常に遅い。これは、ハードウェアおよびソフトウェア環境に特有の制約の結果であり、コードの計算処理上の複雑さの結果ではない。その結果、二つの方法の最良の理論上の比較は、中間サイズのブロックである。ここでは、ＦＦＴがその最良の結果を生み出すときにさえ、ホモダインフィルタは依然として、それよりも２桁ほど優れている。

ライン周期は、生のスループット率を制限する一方で、合計フィードバックレイテンシについては最小値でしかない。割り込みレイテンシならびにデスクトップハードウェアおよびオペレーティングシステムに固有の他の遅延は、付加的であり、最終的には、支配項になり得る。この理由で、ＩＣＩベースのフィードバックの全能力は、潜在的に、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）または特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）の形式にある専用の処理ハードウェアの使用なしには実現されない。これらの構成部品は、ここで指定されるものを含み、多くの最近のカメラ内に既に存在する。カメラに搭載された、ここで説明されるホモダインフィルタアルゴリズムの実装の容易さは、デスクトップＰＣのボトルネックを回避し、カメラ自体がマシニングシステムを統制することを可能にする。

表面下の撮像
図１７は、インラインコヒーレント撮像を特徴として有するシステムの別の例である。この実装形態は、ＩＣＩの光ファイバ実装形態を特徴として有する。広帯域光源５００は、光を光ファイバ５０２内へ注入する。アイソレータは、後方反射が光源に到達することを阻止する。光カプラ５０４は、光を、参照アーム（上）５０６と試料アーム５０８（下、レーザ加工システムへ向かう）内へ分割する。分割の比率は、用途の必要性に依存する。例は、５０：５０（５０％が参照アームへ、５０％が試料アームへ）である。参照光は、参照アームに沿って進み、後方反射される。参照アームの路長は、光ファイバの様々な長さを使用して大まかな区分で、および、ミクロメートル制御を有する平行移動ステージに取り付けられたミラーを使用して細かい区分で設定され得る。通常、参照アーム長は、およそ２００マイクロメートル未満で、レーザ加工システム内のワークピースまでの光路長に一致するように設定される。多くの場合、分散を一致させ、反射された参照アームパワーを制御するために、レーザ加工プラットフォームで使用されるものと同一の焦点合わせ（合焦、集束）対物レンズを、参照ミラー（図示されない）の前に置くことが好都合である。参照アームは、分散および偏光制御を可能にする光学系５１０、５１２を含む。分散制御は、参照アームと試料アームの両方が一致した分散に近くなるように行われる。偏光制御は、通常、参照、および試料アームからの後方反射が同様の偏光状態（最大干渉について）を有するように設定される。参照アームはまた、検出器飽和および撮像ダイナミックレンジを制御するために、制御可能な強度減衰器（図示されない）を含み得る。これは、可変の中性密度フィルタ、ファイバカプラのずれ、または末端参照ミラーに対する焦点合わせ対物レンズの平行移動（すべて図示されない）によって達成され得る。試料アームファイバは、インラインコヒーレント撮像システムを出て、外部レーザ加工プラットフォームに接続される。光は、ワークピースの外へ後方散乱し、同じファイバに沿って戻る。後方反射した参照光は、光カプラ５０４において分割され、その一部が、高速分光計５１４に接続されるファイバ内へ注入される（量はカプラ分割比に依存する）。後方散乱した試料光は、光カプラにおいて分割され、その一部が、高速分光計に接続されるファイバ内へ注入される（量はカプラ分割比に依存する）。試料光および参照光は、光ファイバ５１６内で干渉する。光は、分光計内で、その波長に従って分散される。検出器は、波長の関数として強度を測定する分光計であってもよい。強め合うピークおよび弱め合うピークの位置は、参照アームと比較した試料アームの相対路長に関する情報を含む。光が、試料アーム内の一つを超える深さ（例えば、レーザキーホールの側面）から同時に後方散乱される場合、強度およびすべての深さの相対位置は、インターフェログラム内で符号化される。スペクトルインターフェログラム（波長の関数としての強度）は、検出器によって電子信号へと変換され、処理のために制御電子機器５１８へ伝送される。電子処理システムは、分光計を制御し（例えば、トリガリング）、生の検出器データを処理する。一つの処理技術（いわゆる標準ＯＣＴ処理）は、バックグラウンド減算、カメラ画素数から一定周波数段階への変換のための三次スプライン補間、深さの関数として後方散乱のグラフを得るための高速フーリエ変換である。試料アーム内に高反射界面が一つしかない場合、結果として生じるグラフは、一つの強いピークを有し、そのピークの幅はシステムの軸分解能によって設定されている。軸分解能は、分光計によって測定される波長帯域幅に反比例する（したがって、高分解能を達成するために広帯域源の必要あり）。代替的に、上に説明されるホモダインフィルタリング手法が、より高速の処理時間および改善された画像品質のために使用され得る。いくつかの実施形態において、フィードバック制御器（電子処理５１８の一部またはそれとは別個）は、材料改変プロセスの一つまたは複数の加工パラメータを制御するためにフィードバックを生成する。例は、他の実施形態の文脈において上に提供されている。

図１８は、前方視認誘導レーザ手術へのＩＣＩの応用のブロック図である。レーザは、光が非常に強く集束され得、外科医が小体積の組織を除去することを可能にすることから、組織切除に有用である。光は横次元において高精度で送達され得る一方、レーザ切開の最終深さを制御することは困難である。組織は、除去速度の大きな変動により非常に不均一であり得ることから、送達された総エネルギーは切開深さの良好な予測因子にはならない。図１８は、通常は機械的方法（例えば、ドリル）によって除去される硬組織または軟組織の体積を含む患者処置領域６００を示す。ＩＣＩシステムは、組織が切除される際に切開深さを測定し、既定の深さでレーザ露光を終了する。より重要なことには、ＩＣＩが赤外光（約１３００ｎｍ）を使用して実施されるとき、（切除面を過ぎて）組織内への撮像が可能である。これにより、界面が貫入される前に（および強い手術レーザが繊細な表面下組織を傷つけ得る前に）露光が終了されることが可能になる。

インラインコヒーレント撮像システム６０２が提供され、これは、干渉計、広帯域光源、および分光計を含み、例示的な実装形態が図１７に描写される。患者処置領域は、６００に示される。外科医によって制御され、かつフィードバック制御によって修正される露光を発生させる手術レーザ６０４が存在する。撮像ビームと手術ビームとを同軸上に組み合わせ、処置領域から後方散乱された撮像光を収集するロボット制御された焦点合わせヘッド６１０（しかし、他の実施形態では手動操作であり得る）が存在する。いくつかの実施形態において、撮像光および手術レーザ光は、撮像光および手術光が事前に組み合わされて焦点合わせヘッドに到着するように、手術レーザの伝搬路の前の方で組み合わされ得る。ＩＣＩシステム６０２からのスペクトルインターフェログラムデータは、手術レーザおよびロボット制御された焦点合わせヘッドのための電子フィードバック制御を生成する電子処理６０６に引き渡される。加えて、出力が画像ディスプレイ６０８のために生成される。

ＩＣＩ干渉計の試料アームからのビームは、手術レーザ６０４と同軸上になるように設定される。これは、適切なダイクロイックミラーを用いて自由空間内で行われ得る。これは、撮像が手術ビーム方向と同じ線に沿うことを保証する。参照アーム長は、試料アームおよび参照アームが厳密に一致されるように設定される。外科医は、自らが手術レーザを開始する前に、目標領域（およびその下）を撮像するために画像ディスプレイを使用することができる。撮像システムはまた、他の撮像モダリティ（事前に記録されたＭＲＩまたはＣＴなど）との共同登録を使用して、手術レーザの位置を微調整するために使用され得る。これにより、より大きい解剖学的特徴の文脈においては、外科医が、ＩＣＩを使用してリアルタイムで小体積の処置領域を見ることが可能になる。電子処理が、この共同記録を行う。加えて、外科医は、事前に記録された撮像モダリティを使用して、除去されるべきマージンを選択することが可能であった。

外科医は、手術レーザが、処置プランと一致する正しい処置領域をターゲットとすることを確かめると、切除プロセスを開始する。システムは、特定の深さが切断された後に露光を終了するように、または特定の事前設定マージン内に留まるように、または切除が選択された界面までの特定の距離に到達するときに露光を終了するようにプログラムされ得る。ＩＣＩシステムは、術後分析に有用である、処置手順の恒久的な記録を提供するために使用され得る。

図１９は、レーザ溶接のためのインシチュ計測のためのＩＣＩの応用のブロック図である。レーザ溶接は、自動化された大量生産によく適した、狭くかつ深い溶接をもたらす。レーザ溶接の多様な応用は、共通して、結合領域に局所化された相変化を作り出すためにレーザによる制御された加熱のプロセスを有する。この相変化領域（ＰＣＲ）を制御することは、溶接の品質および溶接システムの全体的な生産性を制御するために使用され得る。レーザ光の高い空間コヒーレンスは、溶接エネルギーの優れた横方向制御を可能にする。軸制御（ＰＣＲの深さ）およびその後の熱拡散は、厚い材料においては特に、より問題である。これらの応用において、ＰＣＲの深さは、「キーホール溶接」として広く知られている技術を使用して、材料内の深くまで（～ｍｍ）拡張される。ここでは、ビーム強度は、光学ビームが材料内へ深く貫入することを可能にする小さい蒸気チャネル（キャピラリまたは「キーホール」としても知られる）を開けるために表面を融解するのに十分である。特定の応用に応じて、キーホールは、狭い（＜ｍｍ）が、数ミリメートルの深さがあり、約１０^４Ｗにのぼる光パワーの適用で持続される。

図１９において、インラインコヒーレント撮像システム７０２が提供され、これは、干渉計、広帯域光源、および分光計を含み、例示的な実装形態が図１７に描写される。溶接プラットフォームは、７００に示される。フィードバック制御を考慮して、溶接制御器７０５によって制御される溶接ビームを生成する溶接レーザ７０４が存在する。焦点合わせ対物レンズ７０３は、溶接ワークピース７０１への送達のための撮像ビームおよび溶接ビームを組み合わせ、溶接領域から後方散乱された撮像光を収集する。アシストガス、電気アーク、添加材などの追加の溶接材が存在し得る。ＩＣＩシステム７０２からのスペクトルインターフェログラムデータは、溶接制御器７０４のための電子フィードバック制御を生成する電子処理７０６に引き渡される。加えて、出力が画像ディスプレイ７０８のために生成される。この場合、ＩＣＩシステム７０２は、ファイバ‐自由空間カプラ７２０を介して溶接プラットフォームカメラポート７１８に接続される。

キーホール形成をリアルタイムで測定するために、ＩＣＩ撮像システム７０２の試料アームは、ＰＣＲ内に焦点を合わせられる溶接レーザビームと同軸および／またはほぼ同軸であるように設定される。これは、画像ビームをコリメートし、それを溶接プラットフォームカメラポート内へ向けることによって行われ得る。ＩＣＩシステムは、形成されたキーホールの深さを監視するために使用され、キーホールが、すべてのワークピースを溶接するのに適切な深さであることを確実にする。パルスレーザ溶接において、ＩＣＩシステムは、溶接レーザの繰返し率の倍数で実行され得、レーザ露光の前、最中、および後の画像を提供する。これが、蒸気チャネルの作成、およびその後の再充填に関する直接的な情報を提供する。連続波溶接源では、ＩＣＩシステムは、キーホール安定性を直接的に監視することができる。この情報からのフィードバックは、キーホール安定性を増大させるために、溶接パラメータ（レーザ強度、供給速度、およびアシストガスなど）を最適化するために使用され得る。

画像ディスプレイ７０８は、溶接の進行中に、キーホール貫入および安定性に関するリアルタイム情報を操作者に示し、ワークピース上の正確な領域に位置する溶接作成の恒久的な記録を提供する。これは、後の品質保証に重要であり得る。

本発明の別の実施形態は、共通の誘電体対物レンズが撮像光およびレーザ光を組み合わせるために使用されるファイバベースのＩＣＩを提供する。そのような実施形態は、任意選択的に、例えば、先に説明される他の実施形態のうちのいずれかにおいて規定されるようなフィードバック制御器を含む。

本明細書に説明される基本的な設計要素を組み合わせる、混合する、または置き換える他の実施形態は、可能であり得、当業者には明らかである。これらは、限定されるものではないが、改変されている材料の下面を含む、他の方向（すなわち、改変ビームと合致しない）からの撮像を含む。

ダイナミックレンジを管理するための感度対深さの操作
ＩＣＩは、反射光の強度からの情報が使用されるという点で、他の形態のコヒーレント撮像（ＯＣＴなど）とは異なる。ＯＣＴ撮像応用においては、画像全体にわたって均一のコントラストおよび視認性を維持するために、非常に平坦な感度対深さの関係を有することが望ましい場合がある。ＩＣＩにおいては、光反射性の（例えば、金属の）表面を位置付けることに主に関心があるため、画像全体にわたる均一のコントラストは、ＯＣＴの場合ほど重要ではない。

いくつかの実施形態において、明るい反射をより弱い反射に対して減衰させ、全体的なダイナミックレンジを拡張するため、撮像システムの感度対深さ関数を操作するステップがとられる。ＩＣＩは、異なる配向における材料の非常に変わりやすい反射率に起因して、そのような拡張されたダイナミックレンジからの恩恵を受ける場合がある。反射は、界面から強く発生し得るか、またはそれらは弱く発生し得る。様々な高さにおいて、複数の表面反射および内部反射が存在し得る。ＩＣＩベースのシステムの動作を、反射がより弱い可能性があると予測される目的の領域においてはより高い感度になるように構成することが可能である。

例えば、図５に示されるものなどのＩＣＩシステムを使用するとき、マシニングされた特徴部の周囲は、必然的に、孔の底よりも多くの光を撮像システム内へ反射し得る。したがって、より浅い深さからは、より強い信号が予想され得る。撮像システムが、最大感度のために構成される（孔の底を検出するためのその能力を最適化するため）場合には、孔の上部において生じるはるかに強い信号により検出器を飽和させるリスクが存在し得る。

いくつかの実施形態において、感度対深さは、ゼロ光路長差点を、試料内の目的の領域の上ではなく下に位置付けることによって管理される。これは、参照アームの長さを増大し、より浅い深さが、ここでは、フリンジ周波数を増大させることによって示されるという事実を反映するために撮像システムの出力を更新することによって達成され得る。材料の内側のゼロ光路長差点の位置は、図２１および図２３に図解により実証される。図２１では、ゼロ光路長差点Ｄは、試料より下に、特に、Ａ、Ｂ、およびＣにある反射体より下にくるように設定される。同様に、図２３では、ゼロ光路長差点Ｂは、溶接プールより下にある。他の実装形態において、ゼロ光路長差点は、測定されている材料よりも下の深さに位置するように構成される。

この手法は、本来の試料反射率（深さに伴って減少する傾向がある）の影響を弱めるために、システムの本来の感度対深さ挙動（検出器内の有限スペクトル分解能に起因して、路長差の増大に伴って減少する傾向がある）を利用する。このようにして、試料内のより深い構造（より少なく反射する傾向がある）は、表面構造（より多く反射する傾向がある）に対してより大きい感度を用いて検出される。この実践のさらなる利点は、煙、プラズマ、デブリ、および撮像システムの近傍の他の光散乱源が、画像内のより深くに現れ、減衰され、複素共役曖昧性に起因して目的の領域内へラップしないことである。これは、複素共役曖昧性により、試料の内側、またはいくつかの場合においては試料の下にゼロ光路長差点を置くことが望ましくない医療用撮像分野における技術（例えば、光コヒーレンス断層撮影）の教示とは異なる。

いくつかの実施形態において、ゼロ光路長差点は、目的の領域の上に位置する。

いくつかの実施形態において、感度対深さは、例えば、ＷｏｏｄｓおよびＰｏｄｏｌｅａｎｕによって実証されるように、感度対深さ曲線を調整するトルボットバンド技術を使用することによって管理される。参照により全体が本明細書に組み込まれる、Ｗｏｏｄｓら（Ｏｐｔｉｃｓ Ｅｘｐｒｅｓｓ１６：９６５４－９６７０（２００８））（非特許文献２）、Ｐｏｄｏｌｅａｎｕ（Ｏｐｔｉｃｓ Ｅｘｐｒｅｓｓ１５：９８６７－９８７６（２００７））（非特許文献３）、Ｐｏｄｏｌｅａｎｕら（Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ３２：２３００－２３０２（２００７））（非特許文献４）を参照されたい。この手法は、表面反射体の強力な調節可能な減衰を可能にし、また、検出器を飽和させ得る明るい表面反射を弱めるために使用され得る。

いくつかの実施形態において、感度対深さは、例えば、参照によりその全体が本明細書に組み込まれるＭｕｌｌｅｒら（Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ３２：３３３６（２００７））（非特許文献５）によって実証されるように、非線形時間ゲーティングを使用することよって管理される。この手法は、高感度の深さ窓を、その外側では感度を低減させて規定するために、非線形和周波発生を利用する。弱い反射の部位の近くに窓が置かれると、表面反射は、弱められ、検出器を飽和させることが防止される。

いくつかの実施形態において、感度対深さは、例えば、掃引源撮像システム内での、最終デジタル化の前にアナログフリンジ信号にアクセスし、次いで直接ハードウェア復調および／またはフィルタリングを使用して、信号がより弱い深さにおける感度を保持しながら、高反射率が予測される深さに対応する特定のフリンジ周波数を減衰させることによって管理される。これは、デジタルおよび／またはアナログフィルタ素子を検出器と画像プロセッサとの間のシグナリング線に追加することによって達成され得る。

感度対深さを管理するための四つの具体的な手法について説明してきた。いくつかの実施形態において、本手法の二つ、三つ、または四つすべての組合せが実施される。加えて、図５の実施形態の文脈において説明されるが、これらの手法のうちの任意の一つ、またはこれらの手法のうちの二つ以上の任意の組合せが、本明細書に説明されるか、または特許請求される他の実施形態のうちのいずれかと併せて適用され得るということが理解されるべきである。

レーザ溶接の観察およびプロセス展開
いくつかの実施形態において、図１４に示されるものなどの装置は、カメラポート、またはレーザ溶接ビーム送達システムの内側のビーム線への何らかの他の好適な光アクセスを介して、インターフェース接続される。撮像および溶接レーザビームは、ダイクロイックミラーを用いて組み合わされ、共通の対物レンズを通して焦点を合わせられる。

いくつかの実施形態において、この装置は、キーホール溶接プロセスなどのレーザ溶接プロセスを、いくつかの実施形態においては、溶接プロセスへのフィードバックありで、またはいくつかの実施形態においては、溶接プロセスへのフィードバックなしで、観察するために適用される。

フィードバックを特徴として有する本明細書に説明されるＩＣＩの実施形態のいずれかにおいて、閉回路フィードバックの動作は、一つのフィードバック制御法則、または複数のフィードバック制御法則のうちの選択された一つを使用して達成され得る。

フィードバックを特徴として有する本明細書に説明されるＩＣＩの実施形態のいずれかにおいて、材料改変プロセスは、少なくともいくつかはフィードバック制御法則であり、かつ少なくとも一つは開回路制御法則である複数の制御法則のうちの選択された一つを使用して動作することができるように構成され得る。いくつかの実施形態において、時には開回路であり、時には閉回路であるハイブリッド制御法則が使用される。開回路モードは、例えば、ゼロフィードバックデータを定める制御法則を選択することによって達成され得る。様々な理由から、閉回路制御を有効にしないことが操作者によって望まれる場合がある。所望の成果を得るための制御法則は、動作の目標に応じて大幅に変わり得ることが、当該技術分野において理解される。例えば、ＩＣＩを使用して、未制御のレーザ溶接が溶接欠陥をどれだけ引き起こすかを測定することが望ましい場合がある。ゼロフィードバックデータを定める制御法則を選択することによって、システムは、あたかも制御がないかのように動作することを強いられる。したがって、ＩＣＩは、標準的なレーザ溶接システムの性能を、特徴付けて、測定するために使用され得、この場合、標準的なシステムにおいては、ＩＣＩベースの制御は、別のやり方では利用できない。他の実施形態において、溶接深さが、より深い貫入レベルとより浅い貫入レベルとの間で変調される制御法則を有効にすることが望ましい場合がある。他の実施形態において、溶接深さ貫入の最悪の場合の境界だけが制限されて、時には開回路動作を可能にし、および貫入深さが制御範囲の限界に接近したときにのみ深さ制御された動作を可能にする制御法則を有効にすることが望ましい場合がある。

溶接ビームによってもたらされたキーホール（または他の溶接成果）の底からの位置反射率を測定することによって、レーザキーホール（または他の溶接成果）の深さの測定がもたらされ得る。いくつかの実装形態において、これは、最大３００ｋＨｚおよび３００ｋＨｚを超えた速度で達成され得る。これは、レーザ溶接の全深さのごく近い近似である。パルスレーザ溶接実験は、図５に示されるもののようなインラインコヒーレント撮像システムを用いて観察しながら実施されたが、フィードバック制御器は無効にされていた。プロセス中にＩＣＩシステムによって示される深さは、断面化、研磨、およびエッチング（当業者によって使用される分析手順）によって明らかにされる溶接シームの深さに厳密に一致することが分かった。したがって、ＩＣＩデータは、この費用が掛かりかつ破壊的な分析ステップの必要性を低減または除去し得る。さらには、そのようなＩＣＩデータはまた、プロセス展開を加速させ、１００％溶接検査、および、ハードディスクドライブまたはソリッドステートディスクなどの記憶媒体に撮像データを記憶することによる溶接の恒久的な診断記録を提供する。ＩＣＩからのフィードバックは、より生産性の高い溶接設備につながり、以前は可能ではなかった、または経済的ではなかったレーザ溶接を可能にし得る。

これは、撮像システムによって提供されるリアルタイムフィードバックは、プロセスが、より高速に加速され、および／またはより大きい深さまで押し込まれるときに、プロセスにおける原料のばらつき（例えば、乏しいフィットアップ）および不安定性（例えば、可変の溶接深さ）を補償するようにプロセス変数を変更するために使用され得ることが理由である。これは、許容可能な品質を維持しながら、より低コストの入力原料、より速い加工速度、および／またはより深い貫入を含むために、レーザ溶接システムの可用性を拡張し得る。

溶接手順の開始または終了の間の過渡効果は、溶接の成果に悪影響を有し得る（例えば、一致しないシーム深さ、例えば、充填不足）。一つの実施形態において、撮像システムによって提供されるフィードバックは、溶接の開始、終了、または両方における溶接の過渡挙動を補償するように一つまたは複数のプロセスパラメータを制御することによって、これらの欠陥を減少させるために使用され得る。特定の例において、図５に説明されるシステムは、二つの鋼プレートの重ね溶接の間ずっと、溶接キーホールの深さを測定する。溶接の開始時、撮像データは、キーホールが選択された溶接深さまで貫入していないことを示す。このデータは、フィードバック制御器によって処理され、加工ビームに対する材料供給速度を遅くする結果を伴う。これは、キーホールが、速度の調節が行われなかった場合よりも、選択された深さのより近くまで貫入することを可能にするという効果を有する。

撮像システムの多重化
いくつかの実施形態において、単一のマシニングレーザ（より一般的には、単一の加工ビーム源）が、複数の加工位置にある複数の試料を加工するために使用され、マシニングレーザは、一つまたは複数のＩＣＩシステムと対にされ得る。これは、比較的高価なマシニングレーザをより有効に活用することができ、ＩＣＩシステムの能力をより有効に活用する。これらの状況において、試料のセットからのサンプリングされたデータは、サンプリングされたデータが特定の試料と関連付けられ得るように、マシニングレーザの指向性と連携される。

いくつかの実施形態において、単一の参照アーム、およびそれぞれの試料アームは、正確に一致された伝搬遅延を伴って使用される。これの例は、図２５Ａに描写される。しかしながら、多重化されたＩＣＩ機能の観点から、独自の課題は、単一の固定参照アームが使用され得るように加工位置のセット間の全体的な伝搬遅延を一致させる能力である。この課題は、光ファイバの距離が長い場合があること、およびマルチプレクサが各多重化チャネルについて異なる（例えば、可変の）遅延を追加し得ることから生じる。

いくつかの実施形態において、一致した試料アーム経路を使用するよりも、参照経路内の動的な光路切り替えが、主な加工ビーム経路が切り替えられると同時に行われる。この手法は、各試料のための最適化された参照経路、および参照アームを加工位置における（例えば、ロボット上の）いかなる振動からも離して位置付ける自由を可能にする。これの例は、図２５Ｂに描写される。ここでは、参照マルチプレクサは、様々な固定参照アーム間で切り替えるために使用される。代替的に、何らかの他の種類の可変参照アームが用いられ得る。いくつかの実施形態において、別個の参照アームが、各加工位置に提供される。試料アームおよび参照アームは、２×２エバネッセントモードカプラの一方の側に接続され、他方の側からの接続は、各加工位置から共通の照明チャネルおよび検出チャネルまで多重化される（すなわち、スイッチまたはセレクタ）。これらのチャネルは、最も実践的な場合においては、光路長に敏感ではない。この手法はまた、光学的損失を最小限にする。光スイッチ、セレクタ、もしくはマルチプレクサの代わりとして、または光スイッチ、セレクタ、もしくはマルチプレクサに加えて、光シャッタも、試料アームおよび参照アーム内で使用され得る。すべての動的素子の動作は、任意の望ましくない光学反射信号を適切に分離するために、主な加工ビーム指向性のタイミングと連携される。この手法の例は、図２５Ｃに描写される。

いくつかの実施形態において、照明チャネルおよび検出チャネルは、２×１エバネッセントモードカプラの一方の側に接続され、その出力は、異なる加工位置へと多重化され、そこにおいて、それは、二つの出力が別個の参照アームおよび試料アームに接続される１×２エバネッセントモードカプラの一方の側に接続される。この手法は、二つの光マルチプレクサを必要とする複雑性および費用を除去する。光スイッチ、セレクタ、もしくはマルチプレクサの代わりとして、または光スイッチ、セレクタ、もしくはマルチプレクサに加えて、光シャッタも、試料アームおよび参照アーム内で使用され得る。すべての動的素子の動作は、任意の望ましくない光学反射信号を適切に分離するために、主な加工ビーム指向性のタイミングと連携される。この手法の例は、図２５Ｄに描写される。

図２５Ａ、図２５Ｂ、図２５Ｃ、および図２５Ｄにおいて、各セルは、異なるレーザ加工位置である。「レーザセル」は、材料が加工される閉鎖領域を説明する、当該業界における共通用語である。５０：５０スプリッタがここには描写されるが、他の分割比が、システムのダイナミックレンジおよび感度を調節するために使用され得る。

本発明のいくつかの実施形態において、参照アームは、いくつかの場合においては、システムの動作中に、または代替的に、システムが動作していない間、参照アームの路長が調節可能であるように構成される。調節可能な参照アームは、参照アーム路長が必要に応じて調整され得るために、システムのより単純な動作を可能にする。それに応じて、いくつかの実施形態において、主な経路の路長の調節機能が提供される。調節可能な参照アームは、例えば、
試料内の動きを補償すること、
試料内の目的の領域をより高いまたはより低い領域へ調節すること、
切替式またはマルチアーム式のＩＣＩシステムにおいて複数の試料を測定すること、
手術環境においてＩＣＩシステムを容易かつ迅速に構成すること、
のうちの一つまたは複数のために使用され得る。

調節可能な光学参照アームは、特定の例をいくつか挙げると、伸縮性の光媒体を使用すること、電動の自由空間反射体および結合装置を使用すること、または多重反射ミラー機序を使用することによって達成され得る。

調節可能な光路長要素の手動または自動調節は、ＩＣＩシステムの動作中に実施され得る。そのような調節は、ＩＣＩ画像がシステムの実行時間中にどのように捕捉されるかを調節する能力を可能にするために有益である。

いくつかの実施形態において、ＩＣＩシステムは、内部反射性界面の位置、または経時的に変化し得る目的の何らかの他の地点を追跡するために使用される。このとき、参照アームまたは試料アーム内の光路長は、内部反射性界面（または目的の何らかの他の地点）がゼロ光路長差点になるように調節され、その結果として、ゼロ光路長差点は動的に決定される。代替的に、ゼロ光路長差点は、内部反射性界面（または目的の他の地点）の場所に対して所望の相対位置を有するように選択され得る。

突破／突破後の再充填の撮像
レーザは、一般に、パーカッションドリリングおよびトレパンドリリングのようなプロセスにおいて、金属、ポリマー、組織、およびセラミック、ならびに他の材料を穿孔するために使用される。いくつかの実施形態において、ＩＣＩシステムは、
ａ）ドリリング中に孔の底を追跡すること、
ｂ）穿孔の速度を制御すること、
ｃ）材料が穿孔される時点を観察すること、
ｄ）レーザが材料を穿孔する時点を予想すること、
ｅ）新しい孔の下の表面への損傷を回避するためにレーザプロセスを調節すること、
ｆ）レーザがオフにされた後に孔が再充填されないことを確認すること、
ｇ）選択された深さまでのドリリング、切断、または溶接を制御すること、
ｈ）選択された材料界面に対する選択された深さまでのドリリング、切断、または溶接を制御すること、および
ｉ）レーザドリリング、レーザ切断、またはレーザ溶接のプロセスにおける差し迫った突破の表示を生成すること、
のうちの一つまたは組合せを実施するために使用される。

有利には、ＩＣＩシステムは、穿孔されている部分の遠位側への物理的アクセスなしに、これらの機能を実施することができる。これは、多くの既存の突破検出技術に勝る大きな利点である。

例として、図１４に示されるＩＣＩシステムは、カメラポート、またはビーム線への他の好適な光アクセスを介して、レーザドリリングシステムへインターフェース接続され得、この場合、ビーム線は、ダイクロイックミラーにより加工ビームと組み合わされる。ドリリング中に孔の底を追跡し、突破を観察するその能力を実証するために、１０７０ｎｍ光の個々の５ｍｓパルスが、１０２マイクロメートルの厚さを有する鋼ホイルに適用された。撮像焦点およびドリリング焦点は、ＣＭＯＳ検出器アレイを使用して前もって位置合わせされた。穿孔は、適用されたパルスエネルギーおよび酸素アシストガス圧力により制御され得る。三つの例示的な実験からのＭモード画像が図２２に示される。図２２は、ステンレス鋼ホイルにおける単一パルス（垂直の赤色線によって示される５ｍｓ持続時間）酸素アシストパーカッションドリリングからのＩＣＩ画像を示す。水平の破線は、ホイルの厚さを示す。図２２のタイル「ａ」において、７７ｍＪのパルスはホイルを穿孔することはできないが、ホイルは、ドリリングパルスが終了し、孔が融液で再充填される前にほぼ穿孔される（およそ１５ｕｍ以内）。タイル「ｂ」において、７７ｍＪのパルスは、ドリリングパルスの終了間際に、簡単にホイルを穿孔する。この時点で、アシストガスは、ＩＣＩシステムによって登録される信号がほとんどないパルスの後に数百マイクロ秒を残して、孔をクリアにし始める。この期間の後、孔は、元の表面深さにおける、またはその近くの単一界面のシグネチャによって示されるように再充填を行う。タイル「ｃ」においては、数ミリ秒で孔が穿孔されるようにする強いドリリングパルスが使用される。より具体的には、パルスエネルギーを１００ｍＪへ増大することにより、パルス後も開いたままである孔を約３．５ｍｓで作成する。ドリリングパルスは、アシストガスが周囲の融液をクリアにするのに十分な長さだけ孔を開いたままに保持していたため、孔は再充填されず、これは、穿孔が成功したことを確認するＩＣＩ画像によって示される。これらの解釈は、ホイルを介して伝送され、高速フォトダイオードを用いて検出される光パワーの測定によって確認される。ドリリングが完了した後に穿孔されている材料の遠位壁の深さから生じる信号の存在は、ドロスの存在、または、出口孔直径が撮像ビーム焦点の直径に相当するということを示す。

図５に詳細説明されるものなどのフィードバックプロセッサの使用により、ＩＣＩシステムは、それが測定する処理された干渉測定信号に基づいてプロセスパラメータ（例えば、パルスエネルギー）の変化をシグナリングすることにより、穿孔の速度を制御することができる。同様に、突破の検出時に、フィードバックプロセッサは、任意選択的に選択された過剰ドリリング期間の後に、ドリリングレーザが停止するようにシグナリングすることができる。これは、穿孔されている材料の遠位側に存在する材料への「後壁打撃」タイプの損傷の可能性を低減することができるという重要な特徴を有する。この能力は、ガスタービン内の冷却孔の製作などの応用分野においてＩＣＩシステムによって提供される大きな利点である。

突破のこのシグネチャは、異なる材料では異なる。金属では、穿孔の直前に、ドリリングレーザの貫入速度の明らかな加速が発生することが観察され得る。

これは、目前の穿孔を示し、穿孔点の近くで、貫入が中断させられるか、または別のやり方でプロセスを変更することを可能にするシグネチャとして使用され得る。プロセスが穿孔の直前に中断される場合、化学法（例えば、光酸エッチング）または他の手順が、孔を完全にするために使用され得る。さらには、液体の流れ、および融合後の孔のその後の閉塞が観察され得る。ＩＣＩシステムは、これらのイベントの記録を生成するため、および／または、警報、報知、警告を生成するため、および／または孔をクリアにするために追加の処理を要求するために使用され得る。

別の実施形態において、ＩＣＩシステムは、プリント回路基板ビアのレーザドリリングおよび／またはプリント回路基板内の溝切断を制御するために使用される。当業者は、これらの構造が、多くの場合、導電材料および／または絶縁材料の一つまたは複数の層の貫入により形成されるということを知っているものとする。ＩＣＩ画像プロセッサは、材料がプロセスによってどれくらい深く貫入されているか、および材料の様々な層に対するプロセスの近接を決定することができる。具体的には、撮像データにおいて、表面下層は、図１１ＢのラベルＡＩによって記されるように、画像内で上昇するように見えるそれらの傾向によってドリリング中に識別され得る。同時に、孔の底は、下降するように見える（ＭＦ）。表面下層は、これらの二つのシグネチャが、図１１Ａにおいて実証されるように点Ｐで接触するときに穿孔される。この特徴部（ここでは「鋏特徴部」と呼ぶ）およびその先駆体（図１１ＢのＭＦおよびＡＩによって強調される特徴部など）は、様々な実施形態においては、限定されるものではないが、切断、ドリリング、レーザ手術、ならびに半透明および／または全透明の媒体における任意の他の材料除去技術を含む、多くの応用におけるフィードバック制御のための実質的有用性を有する。鋏特徴部およびそれらの先駆体を検出することにより、画像プロセッサおよび／またはフィードバック制御器が、一つまたは複数のプロセス変数に対して変化をもたらすことによって、ドリリングプロセスを開始、停止、減速、および／もしくは加速すること、ならびに／または、材料改変プロセスを、改変されている材料内の表面下特徴部に関連する場所へ、たとえそのような特徴部が加工の開始前には特徴付けられていなかったとしても、誘導することを可能にする。これらの能力は、より速いおよび／またはより正確な、材料の全体的な加工を可能にすることから、有利である。いくつかの実施形態において、ＩＣＩ撮像データは、レーザ損傷に敏感である組織の周りの選択された外科的マージンへの誘導を提供し、したがってそれは、その恩恵なしでは容易に実施することができないより安全なレーザ外科手術を可能にする。

別の実施形態において、ＩＣＩシステムは、溶接プロセス中にリアルタイムで、溶接ビームの突破、および二つの材料間のギャップを検出するために使用される。この情報は、電子機器によって解釈される。いくつかの実施形態において、信号出力は、操作者および／または追加のプロセス制御電子機器による受信のために生成される。例えば、図１４に示されるＩＣＩシステムは、二つの金属シートを一緒に重ね溶接するために適用されるレーザキーホール溶接マシンのビーム送達サブシステムと（カメラポート／他の光アクセスおよびダイクロイックミラーを介して）インターフェース接続され得る（図２２を参照のこと）。この例示的なプロセスにおいて、溶接がいつ第１の材料（Ｆ）に貫入するか、貫入点における二つの表面のフィットアップ（Ａ）、および、第２の材料内への溶接のさらなる貫入（Ｄ）を決定することが望ましい。参照アーム（４１６）の長さを調節することによって、ゼロ光路長差点Ｂは、溶接の予測される最大貫入深さよりわずかに下に（画像内の複素共役曖昧性アーチファクトが発生しないように十分な距離だけ下に）位置付けられる。これは、材料内からのより深い信号を強化するのに有用であるが、それは、より深い特徴部が、必然的に、撮像システム内へより少ない光を反射し、システムが、より短い光路差においてはより感度が高いことが理由である。

撮像システムは、「Ｅ」で表される片面の視野範囲を有する。材料が貫入されると、信号は、近位の材料が深さＣへ貫入され、視野に入る際に登録され始める。プロセスが深さＦに到達すると、撮像システムは、近位の材料の遠位壁がその機械的強度を失い、変形する際に貫入の加速を登録し得る。遠位壁が深さＦにおいて貫入されると、その信号は、減衰されるか、またはそれは、完全に消失して、突破を示す。この時点で、撮像システムは、遠位の材料の近位壁からの反射を登録する。これらの二つの反射からの軸方向位置における差は、表示され得る、記憶され得る、および／またはフィードバック制御器へ中継され得る出力である、二つの材料片の溶接ギャップ／フィットアップ（Ａ）を示す。プロセスビームが遠位の材料内へ貫入し続けるとき、深さは、以前のように撮像され得るため、遠位の材料の内側の溶接の最終深さもまた、測定され得る、表示され得る、記憶媒体に記録され得る、および／またはフィードバック制御器へ中継され得る。

加えて、図１４の実施形態の文脈において説明されるが、これらの手法のうちの任意の一つ、またはこれらの手法のうちの二つ以上の任意の組合せが、本明細書に説明されるか、または特許請求される他の実施形態のうちのいずれかと併せて適用され得るということが理解されるべきである。この手法は、フィードバックありまたはなしの実施形態に適用され得る。

領域内の最小または最大の深さを決定するための意図的に焦点をぼかした／大きい撮像ビーム
いくつかの実施形態において、ＩＣＩシステムは、撮像ビームが、異なる軸高さ、または撮像ビームの中心軸に対する異なる横方向変位、またはそれらの任意の組合せにある試料の複数の反射性特徴部を包含する試料の領域または体積を照明するように構成される。いくつかの場合において、試料の反射性特徴部は、完全に試料の表面上にあり得る。他の場合において、反射性特徴部は、内部構造、界面、物体、または試料の他の反射性要素に関連し得る。これにより、加工後の横断走査または追加のＱＡステップの必要性なしに測定され得る撮像ビームの照明される領域または体積内の複数の特徴部高さの同時検出が可能になる。本発明のいくつかの実施形態において、撮像ビームが任意選択の試料加工ビームと同軸上で送達されるときに大きい効率が得られる場合がある。

特定の例として、一つの実施形態において、図１４に描写されるものなどのＩＣＩシステムは、金属内にディンプルを生み出すデバイスのためのレーザビーム送達システム上の光アクセスポートに接続される。この実施形態において、試料アームコリメータ（図１４の４０７）の焦点距離は、それが焦点合わせ対物レンズ（図示されない）に到達する前に送達ヘッド内に小さい撮像ビーム直径をもたらすために、短くなるように選択される。撮像ビームおよび加工ビームは、ダイクロイックミラーを用いて組み合わされる。この例では、加工ビームは、例えば、炭酸ガスレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、ファイバレーザ、または金属内にディンプルを生み出すことができる任意の他のレーザであり得る。この例では、試料アームは、図５の実施形態に描写されるような試料アームコリメータレンズおよび試料アーム対物レンズ（改変レーザの対物レンズとしても機能する）を有する（要素３５１および３１４を参照のこと）と仮定される。試料において、撮像ビームは、撮像ファイバ（要素４０２と参照アーム４１６のファイバコリメータ４０９との間のファイバ）のモードフィールド直径と、試料対物レンズ：試料アームコリメータレンズ焦点距離（図５のレンズ３１４、３５３）の比率との積に等しいおおよその直径を有する。５ｕｍの典型的なモードフィールド直径、および１００ｍｍの試料対物レンズ焦点距離では、５ｍｍの試料アームコリメータ焦点距離は、試料上に１００ｕｍ直径のスポットをもたらす。加えて、試料スポット直径は、試料アームコリメータレンズとファイバ先端との間の距離を変化させることによってさらに修正され得るが、これは、最適な光収集効率を結果としてもたらさない場合がある。

撮像ビームが試料に到達するとき、ビームの部分は、複数の深さから後方反射される。これらの反射は、撮像システムによって受容され、それらの光路長に基づいて干渉測定出力を作成する。この出力は、ホモダインフィルタアルゴリズムなどのアルゴリズム、または、必要に応じてスペクトル再形成、必要に応じて補間リサンプリング、カイザーベッセルフィルタリング（例えば、その全体が参照により本明細書に組み込まれる、Ｖｅｒｇｎｏｌｅら、Ｏｐｔｉｃｓ Ｅｘｐｒｅｓｓ１８：１０４４６－６１（２０１０））（非特許文献６）とのフーリエ変換の何らかの組合せを用いて信号プロセッサデバイスによって、検出されて電子的に処理され、一つまたは複数の深さの関数としての試料の反射率の表現を生成する。この測定は、利用可能な検出器技術を使用して３００ｋＨｚを超える速度で取得され得る。６００ｋＨｚを超える画像処理速度は、グラフィックプロセッサユニット上で画像データを処理することによって達成された。いくつかの実施形態において、この技術は、リアルタイムプロセス制御に適用される。

レーザ作成されるディンプルの特定の例において、これらの構造は、後に一緒に重ね溶接される二つのプレートの間にギャップを作成するために利用される。元の表面の上のディンプルの高さは、後続の溶接プロセスの間に予測されることになるギャップの重要な指針である。ディンプルは、多くの場合、二つ以上のグループで作成される。いくつかの実施形態において、最終的なディンプル幾何形状のインシチュ測定を使用して、ディンプル高さにおける検出された不備は、画像加工システムからフィードバック制御器（図５にあるような）へ供給されて、ディンプル形成プロセスパラメータに変化を引き起こす。

図２１は、その直径が目的の特徴物よりも大きくなるように試料に適用される撮像ビームの例を示す。反射は、試料内のいくつかの深さ（Ａ～Ｃ）から測定される。これらの深さは、１回の光学的取得（Ａスキャンとも呼ばれる軸方向走査）において同時に測定され得る。撮像ビームが、これらの特徴部を加工するために使用されるビームと同軸上で送達されるとき、撮像ビームは、追加の測定ステップの必要性なしに特徴部の高さおよび深さを迅速に測定することができる。一つまたは複数の深さの関数としての試料の反射率の表現は、図２１の右側に概略的に示される。Ａ：ディンプルの頂点の高さ、Ｂ：未加工表面の高さ、およびＣ：ディンプルの谷の高さの各々を表す、Ａスキャン強度内にそれぞれのピークが存在することが分かる。上に論じられたディンプルの高さは、Ａ～Ｂによって表される。特徴部内の他の高さにおける他の表面は、Ａスキャン内にシグネチャを生成し得るが、これらは、明瞭性のために図２１では省略されている。

加えて、図１４の実施形態の文脈において説明されるが、これらの手法のうちの任意の一つ、またはこれらの手法のうちの二つ以上の任意の組合せが、本明細書に説明されるか、または特許請求される他の実施形態のうちのいずれかと併せて適用され得るということが理解されるべきである。この手法は、フィードバック制御ありまたはなしの実施形態に適用され得る。

図２１では、ゼロ光路長差点（Ｄ）を測定されている材料の内側に置くという先に紹介した実践も実証される。深さＡからの反射が深さＣよりもはるかに明るい場合、この構成は、画像品質を改善するが、それは、スペクトル領域コヒーレント撮像システムが、典型的には、より低い感度でより大きい光路差からの反射を登録し、それにより、撮像システムのダイナミックレンジをシフトし、潜在的な飽和を低減することが理由である。

試料上の表面特徴部高さを測定するための本明細書に説明される方法はまた、図２６に例として示されるように、試料の表面の下の特徴部の高さを測定するために使用され得る。いくつかの実施形態において、これは、加工ビームの直近の領域内の材料を特徴付ける効果的なやり方であり得る。いくつかの実施形態において、この方法は、加工ビームを位置合わせするために使用され得る。

ドリリング制御の検証を示す実装形態例
図５に示されるインラインコヒーレント撮像システムによって提供される完全自動の深さ制御を使用することにより、１４の孔が、孔ごとに定常的に３０マイクロメートル異なる深さにおいてドリリングされた。ＰＣ（画像処理電子機器３３２の一つの実施形態）上で実行するホモダインフィルタアルゴリズムが、シリコンラインカメラ（３３０）からの生の撮像データを効率的に処理し、さらなるマシニングレーザ露光が所望の深さを達成するために必要とされるかどうかに関して決定を行うために使用された。ユーザが、一連の孔の所望の深さをＰＣ内へプログラミングした。ＰＣが、このプログラミングを読み込んで、目標とする深さにおいて試料反射率を得るために生の撮像データとミキシングするための適切なホモダイン波形を合成した。孔のドリリングが進むにつれて、選択されたしきい値が、ホモダイン出力（この場合、ノイズフロアのＲＭＳ強度の５倍）から満たされたとき、ＰＣは、プロセスを中断するためにフィードバック制御器（３３４）にシグナリングする。この実施形態において、フィードバック制御器は、ＰＣのデジタル出力サブシステム（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ＰＣＩ‐６２２９）および関数発生器（Ｔｅｋｔｒｏｎｉｘ ＡＦＧ３０２２Ｂ）で構成された。このフィードバック制御器は、変調ＣＷファイバレーザ（３２０）に、試料をドリリングするパルス（約１００マイクロ秒の持続時間）を放出するように指示した。このシステムは、３００マイクロ秒よりも良好な開回路フィードバック応答時間をもたらすことができる。

結果を確認するために、別個の走査光コヒーレンス断層撮影システムが、加工された試料のトポロジを測定するために使用された。孔がドリリングされた平面内で走査するように位置合わせされて、システムは、ドリリングされた孔の深さを測定する。結果として生じる画像は、図２４に描写され、孔ごとに定常的に３０マイクロメートル異なる深さを有する１４の孔を示す。

スキャナ補正
いくつかの実施形態において、撮像ビームおよび加工ビームは、能動走査光学系およびレンズを用いて試料の方へ向けられ得る。当業者が理解するように、加工ビームを走査することにより、多くの材料加工応用（例えば、自動車溶接）に望ましい光学焦点の高速かつ正確な動きが可能になる。ＩＣＩの材料プロセッササブシステム内へのスキャナの包含は、本明細書に説明されるＩＣＩシステムの多くの利点の一部またはすべてにより、走査される材料加工を増強させる。走査光学系／レンズ組合せは、ビームが一つの場所から別の場所へ走査されるときに、材料までの光路長の変調を引き起こす場合があり、これは、一つの例においては、平坦な表面を湾曲して見えるようにする。これらの変調を光学的に管理することは、深さ視野、および／またはＩＣＩシステム内の計算処理的により効率的なフィードバック計算のための設計要件を緩和し得る。いくつかの応用において、変調は、走査光学系位置と相関される深さオフセット（例えば、画像および／またはフィードバックプロセッサ内で）を適用することによって、デジタル的に管理され得る。

一つの実施形態において、路長変調は、走査位置によって生成された予測変調および／もしくは測定変調に等しいか、またはそれに近似する量だけ参照アーム長を調節することによって、実質的に補償される。そのような調節は、電導の平行移動ステージ、圧電素子、試料もしくは参照ファイバを引き伸ばすこと、電磁ソレノイド、もしくは音声コイルを用いるもの、および／または、参照アームビーム経路から導入され得るか、または除去され得るいくつかの参照ミラーを含むことによるものであり得る。追加の調節は、所望の補正に等しい、報告された深さ測定にデジタルオフセットを追加することによって、画像処理ステップに含まれ得る。いくつかの実施形態において、存在する路長変調は、ＩＣＩの撮像構成部品によって試料上の加工されるべき全体的な領域および／または経路について直接測定される。これは、例えば、光学系が、材料を加工するときに使用されることになる運動経路を通じて走査される際に、未加工の原料を加工システム内に置き、ＩＣＩデータを記録することによって達成され得る。このデータにおいて示されるおよび／または追跡される表面トポロジと試料の知られている表面トポロジとの差は、走査によって誘発される光路長変調の光学および／またはデジタル測定の補正関数として使用され得る。

撮像システムは、このプログラムが未加工の表面の位置について記述する間にデータを収集する。試料アームおよび／または参照アーム内で、未加工の表面を把握するために路長調節ハードウェアを使用することは、その路長がシステムの全軸方向視野よりも大きく変化する場合には有利であり得る。補正の反復調節は、走査プログラムが実行する間に、未加工の表面のレベルが画像処理アルゴリズムの使用のために十分に平坦に見えるまで行われ得る。

走査レンズを通じた集束ビームの横断走査位置は、レンズ有効焦点距離と、ラジアンで表現される走査角との積に近似する。レンズの色収差（すなわち、焦点距離が波長の関数として変化する）は、撮像ビームおよび加工ビーム双方のビームが同じ走査角でレンズ内へ導入される場合に、それらが材料にわたって走査されるとき、撮像ビームと加工ビームとの間に横空間ウォークオフを引き起こし得る。いくつかの実施形態において、撮像ビームの走査角は、試料コリメータの間の撮像ビーム経路内に挿入される検流計または他の能動素子を使用して撮像ビームに小さい角度偏差を追加することによって、加工ビームと組み合わされる前に事前に補正され得る。これらの能動素子は、組み合わされたビームを走査する主要走査光学系と同期されるように制御される。この補正の検証は、双方のビームをＣＣＤもしくはＣＭＯＳ検出器アレイまたはＰＲＩＭＥＳ ＦｏｃｕｓＭｏｎｉｔｏｒなどの他のビームプロファイリング設備上に集束させることによって達成され得る。

低コヒーレンス干渉測定はまた、分光計ベースの（「スペクトル」または「フーリエ領域」と呼ばれる）構成の代わりに、またはそれに加えて、スペクトル掃引された光源（「掃引源」、「光周波数領域撮像」、および／または時として「フーリエ領域モードロックされた」と称され）構成を用いて、実施され得る。これらの手法は、Ｃｈｏｍａら（その全体が参照により本明細書に組み込まれる、Ｏｐｔｉｃｓ Ｅｘｐｒｅｓｓ１１：２１８３－９（２００３））（非特許文献７）によって区別および比較される。これらの手法の一方または両方は、本明細書に説明される、および特許請求されるインラインコヒーレント撮像システムのいずれかと共に使用され得ることを理解されたい。当業者は、これら二つの手法が（一緒にまたは別個に使用されるとき）、Ｙｕｎら（その全体が参照により本明細書に組み込まれる、Ｏｐｔｉｃｓ Ｅｘｐｒｅｓｓ１２：２９７７－２９９８（２００８））（非特許文献８）によって論じられるように、試料内に現れる運動に異なって応答するということを理解するものとする。ＩＣＩ実施形態におけるこれらの技術の一つまたは組合せの使用は、移動する物体の速度（Ｙｕｎらを参照のこと）、プロセスによる光学発光から撮像センサを分離する必要性（ここでは分光計検出が有利である）、撮像速度（現在、掃引源は、Ｗｉｅｓｅｒら（その全体が参照により本明細書に組み込まれる、Ｏｐｔｉｃｓ Ｅｘｐｒｅｓｓ１８：１４６８５－７０４（２０１０））（非特許文献９）によって論じられるように、分光計よりも迅速に撮像し得る）、ならびに、全体的な費用およびデバイスの複雑性（現在、掃引源は、比較的複雑かつ高価であり、両方の技術を使用する費用は付加的である）に基づいて選択される。

図２７は、別の実施形態の概略ブロック図である。ダイクロイックミラー（ＤＭ）へ向かう途中でファイバおよびレンズを通過する改変ビームを生成する改変レーザ（ＭＬ）が示され、ダイクロイックミラー（ＤＭ）において、改変ビームは、ＩＣＩ光学系モジュールからの撮像ビームと組み合わされる。組み合わされたビームは、ここでは実質的に同軸である。それらは、ミラーによって反射され、ノズル内の共通の対物レンズを通って試料へ向かう。試料から反射された撮像光は、ＩＣＩ光学系モジュールまで戻る。ＩＣＩ光学系モジュールは、ＭＬのための自動フィードバック制御を生成し、また、より一般的には、少なくとも一つの加工パラメータを制御するための制御信号を生成するＩＣＩプロセッサ制御器への出力を有する。

図２７の実施形態において、ＩＣＩシステムは、ＩＣＩ光学系モジュールおよびＩＣＩプロセッサ／制御器という二つの素子からなる。ＩＣＩ光学系モジュールは、ＩＣＩシステムの電気光学素子を備え、レーザ材料加工システムのノズルと光学的にインターフェース接続し、またＩＣＩプロセッサ／制御器と電気的にインターフェース接続する。ＩＣＩプロセッサ／制御器は、画像データの処理、およびマシニングレーザの動作のための制御信号の生成を担う。ＩＣＩモジュールは、互いに組み合わされ得るか、またはシステムの他の素子と組み合わされ得る。

本発明の別の実施形態において、ＩＣＩシステムは、任意選択的に、図２８に示されるように、追加のシステム素子とインターフェース接続するように構成され得る。ＩＣＩプロセッサ／制御器はまた、レーザ制御器と電気的にインターフェース接続し得、マシニングレーザの動作のために制御信号をレーザ制御器に提供し得る。ＩＣＩプロセッサ／制御器は、「システム制御および管理のバルク」と称される全体的なレーザ材料加工システムの他の側面とインターフェース接続し得る。これらの追加のシステム側面は、材料制御、供給制御、ノズル位置制御、ガス流量制御、および、個々の実装形態において要求され得るような他の側面を含み得る。

追加の同様の実施形態は、複数の試料およびノズル、ならびに／または異なる数のノズル内の反射ミラー、ならびに／または異なる順序のノズル内の反射ミラーを用いた動作を組み込むことが検討され得る。これらは、当業者には均等物として見なされる。

パルスレーザマシニングにおける完全自動のフィードバックを可能にするために、インラインコヒーレント撮像は、適切な情報を特別に設計された画像プロセッサおよびフィードバック制御器に出力するために使用される。例えば、いくつかの実施形態において、インラインコヒーレント撮像システムの撮像窓は、材料改変光パルスの開始に対する特定の時間遅延に同期される。最適な遅延は、所望されるフィードバックの種類および材料改変プロセスの対象物に依存する。パルス内（すなわち、材料改変源光が材料に入射する間）測定からのフィードバックは、材料が緩められた後とは異なる結果をもたらす。パルス内フィードバックは、材料改変プロセスの貫入の総深さを制御するために使用され得る。特に、パルス内フィードバックは、加工ビームが材料を改変し得る速度を理由とする良好な正確性のために、超高速フィードバック応答（約１～１００マイクロ秒の応答時間）から恩恵を受ける。後の時間（すなわち、材料改変光源が試料に入射しないとき）からのフィードバックは、試料（例えば、金属）の緩んだ幾何形状が関心事である孔の最終形態を制御するために使用される。

準連続の材料改変光源を使用する実施形態において、材料改変プロセスの開始への撮像システムの同期は、自動フィードバックにとって重要である。いくつかの実施形態において、材料改変が始まる前の試料の画像取得は、未加工の試料位置および／または光後方散乱特性に関するフィードバックを可能にするのに有用である。例えば、試料の上部に対する改変を制御するためのフィードバックは、オンザフライで行われ得る。加えて、未加工の光後方散乱特性は、画像処理パラメータおよび／またはフィードバック制御アルゴリズムを調節して、不均質材料のためのロバストなフィードバックを可能にするために使用され得る。

インラインコヒーレント撮像光ユニットにおいて、実際的なマシニングプロセスのためのフィードバックは、撮像光およびマシニング光の双方を試料に送達するために共通の焦点対物レンズを使用することにより大いに可能にされる。これは、市場における既存のマシニングプラットフォームおよび技術との統合を、別個の焦点対物レンズ、およびいくつかの実施形態においては、試料と対物レンズとの間の追加のダイクロイックミラーを使用して、撮像光およびマシニング光を試料に送達しようとする場合よりも、著しく容易にし、かつ費用を安くする。特に、プロセスガスの送達、プロセス射出物からのダイクロイックミラーへの損傷、および分散補償はすべて、後者の手法により妨げられる。インラインコヒーレント撮像システムは、撮像光およびマシニング光の双方を試料に送達するために共通の焦点対物レンズを使用することによって、この問題を回避する。いくつかの実施形態において、既存のシステムへの統合は、４００～９５０ｎｍのスペクトル領域内で撮像光源を動作することによってかなり助けられるが、それは、既存のカメラポートハードウェアが、多くの場合、そのような波長に相当するためである。加えて、このスペクトル領域は、より速いおよび／またはより感度の高いシリコンベースの検出器ハードウェアが使用されることを可能にする。

インラインコヒーレント撮像の実施形態における画像プロセッサ設計および構成は、低コヒーレンス干渉測定（光コヒーレンス断層撮影など）の他の応用において教示されるものとは異なる。ＩＣＩ撮像システムでは、ＯＣＴにおいて一般的に慣例であるように処理の前に数千のスペクトル取得をバッファすることは好適ではない。いくつかの実施形態において、ＩＣＩシステムは、フィードバックレイテンシ時間を低減するために１～１００のセットでスペクトルを取得する。特殊画像処理アルゴリズム、オンラインインターフェース検出、およびフィードバック制御器、ならびに、除去される材料の深さ、残っている材料の深さ、材料高さの変化、材料光学特性の変化、材料厚さの変化などのプロセス条件を示す、試料内の選択されたインターフェースを識別することによって、未処理の撮像情報を一つまたはいくつかの出力パラメータへと低減するための適切なアルゴリズムが必要とされる。

不透明材料を処理するとき、マシニングされる特徴部の底は、多くの場合、アルゴリズムが最も深い深さから最も浅い深さまで横断する際に、選択されたしきい値を上回る強度を有する第１の信号として、アルゴリズムを追跡することによって明白に識別され得る。いくつかの場合において、多重散乱光子は、撮像システムによって、この条件を誤ってトリガするのに十分な量で収集されることになる。これらの状況下では、孔の底は、アルゴリズムが最も深い深さから最も浅い深さまで横断する際に、選択されたしきい値を上回る第１のピークとして、アルゴリズムを追跡することによって明白に識別され得る。いくつかの実施形態において、画像処理アルゴリズムは、信号対雑音比を強化するために、一つまたは複数の取得の結果を平均化し得る。フィードバックのためにＩＣＩ画像を処理することにおける後続のステップは、除去される材料の深さ、残っている材料の深さ、材料高さの変化、材料光学特性の変化、材料厚さの変化などのプロセス条件を示す、試料内の選択されたインターフェースを識別することによって、未処理の撮像情報を一つまたはいくつかの出力パラメータへと低減するためのアルゴリズムの適用である。所望のフィードバックに応じて、これらの測定のうちの一つまたは複数が、これらの測定に基づいてプロセスパラメータを調節し得るフィードバック制御器に伝送される。いくつかの実施形態において、このアルゴリズムは、比例‐積分‐微分フィードバック方法を使用する。一つまたは二つ以上の出力パラメータは、マシニング光源および／または材料改変プラットフォーム内の他のサブシステムにインターフェース接続され得る。

制御される材料改変プラットフォーム内の制御パラメータは、例えば、限定されるものではないが、試料位置；材料改変ビーム指向および／または集束；材料改変光源パルスの持続時間、強度、パルスエネルギー、パルスフルエンス、および／または光周波数；ガスアシスト圧力および／またはガスタイプを含み得る。

いくつかの実施形態において、画像プロセッサは、トラブルシューティングおよび品質保証での使用のための処理チェーン内の一つまたは複数の地点に存在するデータを記憶し得る。

一部の材料の高い反射率は、検出器を飽和させ得るか、または、システム点広がり関数（時には「ショルダ」と称される）の遠方特徴をノイズフロアより上に上昇させ得る。これらのいずれも、画像品質を低減し、自動フィードバック処理を妨害し得る。ＩＣＩ検出器および／または画像プロセッサのいくつかの実施形態は、これらの悪条件を検出し、オンザフライで是正措置を取ることができる。例えば、インターフェログラムの建設的に干渉するフリンジにおける検出器飽和は、複数の深さに散在する追加の周波数成分パワーを作成するフリンジの上部をクリップする傾向があり、結果として撮像アーチファクトをもたらす。この例では、ＩＣＩ制御器のいくつかの実施形態は、検出器上の一つまたは複数の画素が飽和レベルにあることを検出し、飽和に適している異なる処理アルゴリズムに切り替えることができる。クリップされたスペクトルであっても、信号パワーの大部分は、依然として基本周波数で送達されるため、いくつかの実施形態においては、最大シーク手順が、明るい反射体の深さを位置付けるために使用され得る。本発明のいくつかの実施形態は、検出器ゲインを動的または静的に調節すること、検出器感度を調節すること、検出器積分時間を調節すること、参照アームパワーを変調すること、および／または飽和を管理する他の方法のように照明強度を変調することができる。検出器は飽和されていないが、点広がり関数ショルダがノイズフロアより上に実質的に上昇している場合、本発明のいくつかの実施形態は、ショルダ強度を許容可能なレベルより下まで（通常、ノイズフロアより下）弱めるために、デジタルダイナミックレンジ圧縮を用いることになる。

いくつかの実施形態において、フィードバック制御器の出力のうちの一つまたは複数は、ロバストなフィードバック制御を達成するためにインラインコヒーレント撮像ユニットまたは画像プロセッサユニット内でのパラメータのオンザフライ調節を可能にするように、インラインコヒーレント撮像ユニットまたは画像プロセッサユニットにインターフェース接続される。そのようなパラメータの例は、限定されるものではないが、参照アームパワー、参照アーム長、画像ビーム偏光、参照もしくは試料障害物（すなわち、ビーム遮蔽物）、画像取得時間（平均した積分時間および画像数）、検出器ゲイン、および／またはダイナミックレンジを含む。

いくつかの実施形態において用いられ得るより高度なフィードバック技術は、以下を含む：
‐主要なマシニング前面の周りで約１０の深さの窓を選択し、それらの深さ内の前面を追跡する。
‐主要なマシニング前面深さよりいくらかの距離だけ（これは、突破のどれくらい前の通知が望まれるかに依存する）下の約１０の深さの別の窓を選択し、その深さ内のインターフェース信号を検索する。
‐表面下界面が見つかったときに、それが選択した目標深さであることを確実にするために、知られている特徴部に対するシグネチャをチェックする。
‐マージン深さをフィードバック制御器に報告する。
‐フィードバック制御器が、プロセスが減速または停止される必要があるかどうかを決定し、プロセス設備に対するそのような制御を有効にする。

いくつかの実施形態は、以下のうちの一つまたは複数を特徴として有する：
‐ＳＮＲを最大限にするために、撮像焦点を目標深さのできる限り近くに置くように構成される光学系。これは、撮像焦点およびマシニング焦点が、互いから軸方向に変位されることを意味する。
‐画像処理フィードバックシステムを混乱させる可能性のある側壁反射を回避するように構成される光学系。
‐撮像システムをいつ発動させるかを制御するためのシステムタイミング。
‐試料深さの減少されたサブセットから反射強度を処理する、ホモダインフィルタアルゴリズムを含む合理化された画像処理。加えて、このアルゴリズムは、標準的な技術よりも高品質の点広がり関数をもたらす（図２０を参照のこと）。
‐処理レイテンシを低減するために画像プロセッサ内でＦＰＧＡまたはＡＳＩＣを使用して、処理速度の増加を可能にすること。
‐リアルタイムで実行することができる界面および／または信号トレンド追跡アルゴリズム。

用語「フィードバック」および「フィードバック制御」は、本明細書に説明される発明の機能を説明するために使用される場合、ＩＣＩ撮像サブシステムによって生成されるデータが、制御信号を材料加工サブシステムに提供するために制御器によってさらに処理される、自動電子および／または電気光学フィードバック制御を指す。

本明細書に説明される実施形態のいずれかは、改変ビームおよび撮像ビームのための共通の対物レンズを用いて実施され得ることに留意されたい。

本発明のすべての実施形態において、試料アーム光路および参照光路が使用される。これらの経路は、重なり合ってもよく、また本発明全体にわたって様々な地点で共有され得る。本出願における光路長は、物理的な路長ならびに光学分散および他の光周波数依存の位相変動、様々な位相および／または群速度を有する光媒体を含む、光路遅延に寄与する、撮像光によって横断されるすべての空間および物質を指す。

付加製造のコヒーレント撮像および制御
背景
付加製造（ＡＭ）（３Ｄ印刷としても知られる）は、従来の製造法（例えば、鋳造、フライス、造形、成形、鍛造、圧延など）により達成可能または実現可能な特性（例えば、幾何学的、機械的、光学的、熱的など）を有する幅広い範囲の材料の機能的で幾何学的に複雑な部分を生み出す能力を提供する。付加製造プロセスは、金属、プラスチック、有機材料、誘電体、複合材料、および機能傾斜材料を含む材料から対象物を生み出すことができる。多くの付加製造プロセスにおいて、三次元対象物は、層ごとの部品製作により生み出される。これらのプロセスの多くにおいて、各層の生成は、多くの場合は、限定されるものではないが、溶融および堆積（すなわち、相変化）を含む固体プロセスを用いて原材料原料をその所望の形態へと改変するために、レーザビームまたは電子ビームなどの局所化エネルギー源の使用を伴う。制御された局所化エネルギー源の使用は、熱エネルギーが加工対象の材料に付与されること、および材料変化が誘発されることを可能にする。材料相および温度の制御を通じて、材料の特性（例えば、表面張力および濡れ性）が、特定の所望の特性を有する新しい部分層の堆積を可能にするように改変され得る。しかしながら、付加製造プロセスに固有の根本的な複雑性が、実際には、材料堆積の必要な制御を達成することを困難にする。

ＡＭプロセスにおいては、エネルギー源‐材料相互作用の精密な制御が、十分な材料堆積および完成部品の製作（または修理）を達成するために必要とされる。多くのＡＭシステムにおいて、開回路処理は、確立されたプロセスパラメータのセットに基づいて実施される。そのような開回路処理は、好適なプロセスパラメータレジームを決定するために、広範なプロセスおよびデータベース展開を必要とする。膨大な量のリソースを必要とすることに加えて、この手法は、新しい材料の開発、部品幾何形状、およびプロセス修正を制限する。さらには、この手法は、製作される部品の特性の不確実性に起因して、機能的なアセンブリ、市販の製品、およびクリティカルな応用における付加製造部品の使用を制限する。少ないターンアラウンド回数での非常に特殊な／カスタマイズされた部品の生産、幾何学的に複雑な部品の生産、ならびに少量生産および付加的なツーリングの欠如による節約を含む、付加製造プロセスの利点を打ち消す、十分な部品特性を確実にするために、広範囲なプロセス証明が必要とされる。

金属ベースの付加製造プロセスにおいて、付加プロセスに固有の層ごとの構築の性質と組み合わせて、材料相変化を誘発し、かつ材料が所望の幾何形状／形態へと操作されることを可能にするために強い局所化エネルギー源を使用することは、相互作用が最終的に製造部品の特性（例えば、機械的、微細構造、光学的など）を決定づける幅広い複雑な基礎物理現象を結果的にもたらし、正しく制御されない場合には構築不良につながり得る。所与のＡＭプロセス中のこれらの機序の相互作用、および全体的な部品特性に対するこれらの相互作用の効果は、完全には理解されていない。さらには、これらの相互作用のバランスをとり、プロセス安定性を達成するためのプロセスパラメータの決定は、プロセス展開において大きな努力を必要とする。プロセス不安定性は、部品幾何形状および寸法の偏差、機械的、光学的、および／または電気的な部品特性の低下を結果としてもたらし得、また最終的には構築不良を結果としてもたらし得る多くの悪影響につながることが知られている。キャピラリ不安定性から生じるトラック崩壊（連続構造物からの堆積材料の分裂）、「ボーリング」として広く知られる加工欠陥は、一般的には、加工対象の材料の、その下層／周辺環境への不十分な湿潤の結果として発生する。ボーリングは、一般的には、製造プロセス中にエネルギー源によって付与される不十分なエネルギー密度の結果として生じ、部品密度および機械的特性の低下を結果としてもたらす。付加製造プロセスは、典型的には、ボーリングの効果を最小限にするためにはどのプロセスパラメータレジームを回避すべきかを決定するために、先験的なプロセス展開および／または間接的な測定技術に依拠する。しかしながら、構築パラメータおよび部品幾何形状へのボーリングの強い依存性は、そのような方法の有効性を制限する。

別の共通の金属ベースのＡＭプロセス欠陥は、張り出し構造物を加工する間に生じる。張り出し構造物は、一般的には、金属粉末などのプロセス原材料の下位層の上に構築される構造物を指す。張り出し構造物はまた、下層の支持体のない領域内に構築される構造体であってもよい。張り出し構造物の加工は、多くの場合、材料加工ビーム源が材料を改変している領域における温度、安定性、サイズ、および形態の著しい変化を結果としてもたらし、プロセス堆積特性に大いに影響を与えることができ、構築誤差の共通の源である。そのような不良を検出するための信頼できる方法は、十分に開発されていない。より一貫した結果を達成するために、プロセス支持構造物／足場が、ＡＭ部品設計に統合される。これらの構造物の使用、および張り出し加工と関連付けられた困難は、構築材料消費／浪費の増大、プロセス展開のための要件の増大、追加の設計検討事項の必要性、および部品設計制限を結果としてもたらす。

付加製造構築時間は、一般的には、これらのプロセスの幅広い採用の障害であると見なされる。付加製造プロセスの層ごとの性質は、全体的な構築時間に対する著しいボトルネックである層加工時間を結果としてもたらす。しかしながら、増大する層加工速度は、多くの場合、それに応じてプロセスパラメータのバランスがとられていない場合には、プロセス欠陥を結果としてもたらし得る。部品幾何形状の結果として生じる相互作用環境における継続的な変化に対してプロセスパラメータのバランスをとることは、困難であることが分かっている。多くのＡＭプロセスは、部品不良を発生時に識別し、それに応じてプロセスを停止または修正することができる部品不良識別システムを有さない。その結果、部品不良は、構築完了まで識別されず、構築プロセスの長さを事実上増大する。プロセスの早い段階で発生する不良を検出し、それに応じてプロセスを停止または修正する能力は、部品生産およびプロセス展開時間の著しい低減を可能にし得、またより良好な品質の部品につながり得る。

既存の付加製造プロセス監視システムは、熱安定性、ＰＣＲ程度、および光強度などのメトリックを査定するために、ＮＩＲ熱ＣＭＯＳカメラ、高温計、フォトダイオード、および高速度カメラの組合せを実装する。これらのシステムは、付加製造プロセス形態および他の干渉測定ベースのプロセスメトリックを測定することができない。

実施形態
付加製造は、「除去製造技術とは対照的に、通常は層の上に層を重ねて、３Ｄモデルデータから対象物を作製するために材料を接合するプロセス」として定義され得る材料改変プロセスである（ＡＳＴＭ Ｆ２７９２）。ここでは、この定義は、付加、改変、および修理などを含む目的のために、既存の物体の上に付加するための材料の接合を含む。

付加製造において、エネルギー源‐材料相互作用区域は、多くの場合、ワークピースの表面上の溶融（ｍｏｌｔｅｎ）プール（すなわち、「溶融（ｍｅｌｔ）プール」）の存在によって特徴付けられる。本開示において、用語「相変化領域」（ＰＣＲ）は、より一般的には、エネルギー源（すなわち、材料加工ビーム）が材料を改変する、または材料と相互作用する領域を指すために使用される。用語「ビーム相互作用区域」もまた、この領域を指すために使用される。材料の改変は、一般的には、焼結（すなわち、溶融）プロセスと称され得る。材料の改変は、一般的には、溶接プロセスとも称され得る。改変プロセスは、一般に、完全溶融、部分溶融、および液相焼結機序の何らかの組合せを含み得る。付加製造の分野において、焼結は、溶融、部分溶融、および／または液相焼結物理機序に基づくプロセスを含む総称である。本開示の目的のため、焼結という用語は、溶融、部分溶融、および／または液相焼結物理機序を含むプロセスを説明するための総称として使用される。材料に応じて、最大１００％密度が、従来の製造方法からの材料特性に匹敵する材料特性により達成される。プロセスは、選択的レーザ焼結と称され得るレーザ焼結、選択的レーザ溶融、直接金属レーザ焼結、または電子ビーム溶融のいずれかの形態を伴い得る。粉体床３Ｄ印刷、粉体床融合、および粉末床プロセスは、非限定的な例である。ＡＳＴＭ Ｆ４２規格によると、粉末床プロセスは、指向性エネルギー堆積プロセスのカテゴリに入り、一般に、レーザ金属堆積、直接金属堆積、またはレーザクラッディングと称される。

いくつかの実施形態は、ハイブリッドプロセス、例えば、付加製造および除去製造を組み合わせるプロセスを提供する。除去製造プロセスは、ターニング、ドリリング、ボーリング、リーミング、フライス、および同様のものなどの、材料の除去を含む。品質保証および／またはフィードバック制御を含む本明細書に説明される特徴は、そのようなハイブリッドプロセスに適用され得る。そのようなプロセスにおいて、品質保証および／またはフィードバック制御はまた、除去製造動作の品質保証および／または制御、付加動作と除去動作との連携およびタイミング、ならびに付加製造動作の品質保証および／または制御を含み得、これは、付加製造について本明細書に説明されるものと同じ制御特徴およびパラメータを含み得る。

付加製造システムは、限定されるものではないが、少なくとも一つの材料加工ビーム源、ビーム送達システム、材料取扱設備、原料／原材料（すなわち、付加材料）供給源、およびプロセス制御／監視システムの組合せを含み得る。材料加工ビーム源は、限定されるものではないが、レーザビームおよび／または電子ビームを含み得る。ビーム送達システムは、送達光学系および／または電磁場制御システムを含み得る。ビーム送達システムは、限定されるものではないが、検流計、ポリゴンスキャナ、ＭＥＭ（微小電気機械システム）、および／または圧電デバイスなどの、光走査ユニットをさらに含み得る。

いくつかの実施形態において、本装置は、コヒーレント撮像被写界深度に対する迅速な変更（連続的な変更または別々の変更を含む）を可能にするために干渉計の光路の何らかの部分に沿って屈折率を変更するために使用される、電気的に改変可能な光学材料を含む。

いくつかの実施形態において、本装置は、試料アーム光路長の変化を補償するおよび／またはそれに適応するために、コヒーレント撮像システムの参照アーム内にビーム走査デバイスを含む。いくつかの実施形態において、試料アーム路長の変化は、ＡＭ加工ビーム展開から生じる。

一般化した実施形態に従うブロック図は、図２９に示される。図２９を参照すると、本装置は、付加製造システム１と統合されたコヒーレント撮像システム（ＣＩＳ）２を含む。付加製造システムは、コヒーレント撮像処理３ならびに監視および／またはフィードバック制御５により三次元部品を付加的に製造（または修理もしくは改変）し、コヒーレント撮像干渉測定データに基づいて、最終的な部品特性および全体的な品質４のインシチュ査定を実施する。監視および品質保証情報は、後の使用のために保存され得る６。

インラインコヒーレント撮像（ＩＣＩ）、光コヒーレンス断層撮影（ＯＣＴ）、および低コヒーレンス干渉測定（ＬＣＩ）を含む、コヒーレント撮像測定技術は、光路長の変化、およびそこから転じて、試料形態の変化を測定するために使用される広帯域干渉測定技術である。本明細書に説明されるように、インラインコヒーレント撮像などのコヒーレント撮像測定技術は、付加製造などのレーザ加工応用の間に材料の形態変化を測定／査定するために使用され得る。そのような測定によって得られる形態および他の干渉測定出力データは、次いで、プロセスの側面を制御するために使用され得る。

コヒーレント撮像システムは、限定されるものではないが、（広帯域）光源と、少なくとも一つの「試料アーム」（試料によって終了されるか、または別途未知の光路長を有する、干渉計アーム）および少なくとも一つの「参照アーム」（きちんと定められた光路長および／または周知の終点を有する干渉計アーム）を備える干渉計と、限定されるものではないが、光回折格子などの分光計と、限定されるものではないが、フォトダイオードおよび／もしくはラインスキャンカメラ、ならびに／または電荷結合素子（ＣＣＤ）を含む、検出器と、の組合せを含み得る。一般的に、コヒーレント撮像システムは、中央処理ユニット（ＣＰＵ）、グラフィック処理ユニット（ＧＰＵ）、アナログ‐デジタル変換器（ＡＤＣ）、デジタイザ、デジタル取得デバイス（ＤＡＱ）、およびフィールドプログラマブルアレイ（ＦＰＧＡ）のうちの一つまたは複数を含む、信号処理、ストレージ、および／またはディスプレイハードウェアをさらに含む。

一つの実施形態において、コヒーレント撮像システムの検出器および／または信号プロセッサは、例えば、インコヒーレント信号時間動態、スペクトル形状、またはそれらの何らかの組合せを用いて、干渉測定出力と受信されるプロセスからのインコヒーレント発光とを見分けるように構成される。見分けられた信号は、次いで、信号プロセッサおよび／またはフィードバック制御器を経由して、本明細書の他の場所に記載される補助光検出器からのもののように取り扱われ得る。

コヒーレント撮像光源は、限定されるものではないが、ダイオード、スーパールミネセントダイオード（ＳＬＤまたはＳＬＥＤ）、または掃引源光源（例えば、ＶＣＳＥＬ‐垂直キャビティ面発光レーザ）を含み得る。コヒーレント撮像光源は、ＳＬＤの場合のように広帯域であり得、限定されるものではないが、＜２００ｎｍ、２００～４００ｎｍ、４００～７００ｎｍ（可視）、７００～９００ｎｍ（ＮＩＲ）、９００～１１００ｎｍ（何らかの形態のビームプロセス光）、１１００～２０００ｎｍ（ＩＲ）、および／または＞２０００ｎｍ（遠ＩＲ）、またはそれらの組合せを含むスペクトル帯の範囲内に入り得る。スペクトル帯域幅は、＜１ｎｍ、１～１０ｎｍ、１０～５０ｎｍ、５０～１００ｎｍ、１００～１０００ｎｍ、＞１０００ｎｍ、またはそれらの組合せを含み得る。コヒーレント撮像光源は、ＶＣＳＥＬの場合のように、狭帯域であり得、特定のスペクトル帯にわたって掃引し得る。光源幅は、＜１ｎｍ、１～１０ｎｍ、＞１０ｎｍ、またはそれらの組合せであり得る。掃引は、＜２００ｎｍ、２００～４００ｎｍ、４００～７００ｎｍ（可視）、７００～９００ｎｍ（ＮＩＲ）、９００～１１００ｎｍ（何らかの形態ビームプロセス光）、１１００～２０００ｎｍ（ＩＲ）、および／または＞２０００ｎｍ（遠ＩＲ）、またはそれらの組合せのうちのスペクトル帯にわたって実施され得る。

一つの実施形態に従うコヒーレント撮像システムが、図３０Ａに示される。この実施形態において、ＣＩＳ７は、撮像光源（ＳＬＤ）、アイソレータ、ビームスプリッタ、および撮像光を参照アームおよび試料アーム１３に送達する光学素子を含む。検出器は、分光計と共に実装され得る。

図３０Ｂおよび図３０Ｃは、付加製造装置の二つの例を示す。これらの実施形態によると、システムは、限定されるものではないが、少なくとも一つの材料加工ビーム源８、材料加工ビーム送達システム９Ａ、９Ｂ、付加製造原料および／または原材料取り扱いおよび供給器システム１０Ａ、１０Ｂ、限定されるものではないが、図３０Ａに示されるものなどの少なくとも一つのコヒーレント撮像システム７、ＣＩＳから試料アーム１３撮像光を受信し、コヒーレント撮像ビームインターロゲーション位置およびタイミングを実施する光スキャナもしくは他のビーム制御デバイス（例えば、ポリゴンスキャナ、検流計、および／または圧電デバイス）４３Ａ、４３Ｂ、プロセス制御システム１１、ならびに／または品質制御システム４１を含む。加工ビーム‐材料相互作用区域４２Ａ、４２Ｂも示される。実施形態によると、加工ビーム‐材料相互作用区域４２Ａおよび４２Ｂのコヒーレント撮像測定ビームインターロゲーション、ならびにその周囲領域は、干渉測定出力に基づいて付加製造プロセスに関する測定、査定、ならびに／またはＱＡおよび／もしくはフィードバック決定を実施するために、材料加工の前、最中、および／または後に実施され得る。

図３１に示されるものなどの、いくつかの実施形態において、本装置は、試料アーム光路長の変化を補償するおよび／またはそれに適応するために、コヒーレント撮像システム内に異なる長さの複数の参照アーム経路１２Ａ、１２Ｂを含む。試料アーム路長の変化は、ＡＭ加工ビーム展開から生じ得る。

図３１の実施形態はまた、複数の試料アーム経路１３Ａおよび１３Ｂを有するコヒーレント撮像システムを示す。いくつかの実施形態は、構築平面／表面／体積の異なる領域をインターロゲートするために、複数の試料アーム経路を使用し得る。本装置は、構築平面／表面／体積の同じ領域を、異なる入射角からインターロゲートするために、複数の試料アーム経路を使用し得る。いくつかの実施形態において、測定は同時に実施される。

いくつかの実施形態において、本装置は、個々の試料アーム撮像ビームが付加製造システムの構築体積／領域の異なる側面をインターロゲートするように、複数のコヒーレント撮像システム設定を含む。個々の試料アームビームは、異なる領域および／または体積をインターロゲートし得る。個々の試料アームビームは、同じ領域／体積を異なる入射角においてインターロゲートし得る。

図３２の実施形態において、本装置は、部品表面１６Ａ、１６Ｂ（または何らかの他の付加製造座標系／基準系）に対するコヒーレント撮像ビーム入射角１５Ａ、１５Ｂが自動／手動で制御／調節されることを可能にするコヒーレント撮像システムビーム試料アームビーム展開構成部品／アセンブリ１４Ａ、１４Ｂを含む。すなわち、いくつかの実施形態は、アセンブリが、試料の変化（１６Ａから１６Ｂへ）に適合するためにビーム入射角１５Ａを１５Ｂへ調節するために、１４Ａから１４Ｂへ変化するように実施され得る。本装置は、撮像ビーム入射角が付加製造加工ビーム‐試料相互作用平面に対して特定の角度（例えば、直角）のままであることを可能にする光学および／または機械および／または電気構成部品をさらに含み得る。本装置は、先に規定された平面に対する撮像ビーム入射角が、入力または制御信号に基づいて規定されることを可能にし得る。

いくつかの実施形態において、本装置は、リング形状の試料アーム照明ビームプロファイルを有するコヒーレント撮像システムを含む。ビームプロファイルは、異なる入射角から同時に試料／部品／表面をインターロゲートするために使用され得る。ビームプロファイルは、異なる空間領域において同時に試料／部品／表面をインターロゲートするために使用され得る。

図３３に示されるものなどの、いくつかの実施形態において、装置は、固定距離コヒーレント撮像プローブビーム参照２２７を含む。この参照は、絶対高さ／深さ座標系を確立するために再較正基準として使用され得る。この参照はまた、コヒーレント撮像実装形態と関連付けられた経時安定性問題を克服するために使用され得る。固定距離参照は、コヒーレント撮像ビーム２１７展開ヘッド２２８につながれた固定距離光路によって実施され得る。コヒーレント撮像ビームは、加工ビーム２１８と同じヘッドを通じて展開され得る。いくつかの実施形態において、この参照は、付加製造システム構築環境２２８内の固定参照点を通じて確立されるか、製造されている部品上の参照位置に基づいて確立される。

いくつかの実施形態において、本装置は、各々が独自の関連付けられたコヒーレント撮像システム試料アームビームを有する一つまたは複数の加工ビーム展開を実現する光学設定を含む。いくつかの実施形態において、個々の加工ビーム運動経路は、互いから切り離される。いくつかの実施形態において、個々の加工ビーム運動経路は、互い（またはいくつかの他の経路）に結合される。いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像システム試料アームビームは、加工ビーム運動から切り離される。いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像システム試料アームビームは、加工ビーム運動に結合される。

いくつかの実施形態において、本装置は、コヒーレント撮像システム試料アームの偏光を制御する／決定づけるために偏光制御器を含む。本装置は、異なる試料アーム光学偏光を処理するために分光計内に構成部品をさらに含み得る。

いくつかの実施形態において、本装置は、原材料／原料供給機序の測定、監視、および／または制御の目的のためにさらに使用される。例えば、図３３の実施形態において、本装置は、２２２に示されるように、測定ビーム２１７が原材料／原料２１９供給機序を直接撮像することを可能にするようなコヒーレント撮像システム設定を含む。

図３４の実施形態において、本装置は、フォトダイオードなどの追加または補助光学センサ８３７、および任意選択的に関連付けられたバイアス、事前増幅、増幅、およびデータ取得技術／システム（当業者に知られている）を含む。そのような補助光学センサ（本明細書では補助光検出器とも称される）は、加工されている材料からの黒体放射、材料加工ビーム（加工ビーム源８３０によって生成される）からの後方反射光、およびプロセス８２９からの任意の他の内因性の光学発光などの、コヒーレント撮像システム８３６によって直接引き起こされない、プロセスによる光学発光を測定する複数の波長域において光を収集する。そのような光学補助センサは、それらの組成または光学フィルタリングにより、２００～４００ｎｍ（ＵＶ）、４００～７００ｎｍ（可視）、７００～９００ｎｍ（ＮＩＲ）、９００～１１００ｎｍ（プロセス光）、１１００～２０００ｎｍ（ＩＲ）、および／または＞２０００ｎｍ（遠ＩＲ）などの特定の帯域の光を収集するように構成される。センサはまた、材料加工ビーム源またはそれらの何らかの物理的代用品の出力、例えばビーム送達経路内の光学系からの部分反射、を測定するためのものを含み得る。これらのセンサによって収集される光学信号は、次いで、信号プロセッサ８３８によって処理され、データ記録システム８３９によって記録され、品質保証およびより優れたプロセス知識のために他の信号と比較され、ならびに／または、フィードバックプロセッサ８４０に接続されて、材料改変プロセスを制御するためのフィードバック機序として使用され得る。補助光学センサ信号はまた、ＰＣＲから少なくとも一つの光学発光を受信して、材料改変プロセスを制御するために、記録、報知、またはフィードバック出力のうちの少なくとも一つを生成する、記録ジェネレータに接続され得る。

補助光学センサ８３７の出力は、したがって、信号プロセッサ８３８、品質保証信号発生器、フィードバック制御器８４０、および記録ジェネレータのうちの少なくとも一つに接続され得る。信号プロセッサ８３８、品質保証信号発生器、フィードバック制御器８４０、および記録ジェネレータのうちの少なくとも一つが、記録、報知、およびフィードバック出力のうちの少なくとも一つを生成する。記録、報知、およびフィードバック出力のうちの少なくとも一つは、材料改変プロセスを制御すること、監視すること、および調節することのうちの一つまたは複数のために使用され得る。

いくつかの実施形態において、本装置は、材料加工ビームと同軸上のコヒーレント撮像ビーム展開を含む。いくつかの実施形態において、本装置は、位置合わせが材料加工ビームに対するものであるが、必ずしも同軸上に位置合わせされない、コヒーレント撮像ビーム展開を含む。いくつかの実施形態において、本装置は、位置合わせがＡＭプロセス材料供給機序に対するものであるコヒーレント撮像ビーム展開を含む。粉体供給ＡＭプロセスの場合など、いくつかの実施形態において、そのような位置合わせは、粉体流への同軸位置合わせの形式で実現され得る。粉体床ＡＭプロセスの場合など、いくつかの実施形態において、そのような位置合わせは、粉体床リコート機序の運動経路に平行の位置合わせの形式で実現され得る。

内因性のプロセス発光は、一般に、様々なレーザプロセスに関する有価値データを提供することができる。しかしながら、そのような測定を本明細書に説明されるコヒーレント撮像と同時に組み合わせることは、実質的な利益をもたらすことができる。したがって、特定の実施形態において、例えば、図３４において、内因性の発光信号が、コヒーレント撮像信号と一緒に、収集され、分析され、および／または使用される。

図３４に示されるものなど、いくつかの実施形態において、追加の光学センサは、光ファイバ８３２を用いて光学システムに結合され得る。拡大された横断面に示されるように、そのような光ファイバは、マルチモード芯８３２ｂの周りに位置するクラッディング８３２ａを含み得、さらにこのマルチモード芯８３２ｂは、８３４においてシングルモードおよびマルチモードチャネルを分離するモードカプラ８３５と結合されるより小さい芯８３２ｃの周りに位置する（そのような構成は、ダブルクラッドファイバと称され得る）。そのようなカプラの例は、Ｃａｓｔｏｒ Ｏｐｔｉｃｓ（カナダ ケベック州モントリオール）によって製造されるＤＣＦＣ１である。そのような構成は、コヒーレント撮像システムが、内因性のプロセス発光（上で述べた）をマルチモード芯内に効率的に収集するのと同時に、モード分散をほとんどあるいは全く有さないより小さい芯を通じて効率的に動作することを可能にする。

いくつかの実施形態において、多芯ファイバは、複数のコヒーレント撮像およびインコヒーレント（すなわち、内因性の発光）撮像チャネルを光学システムへ送達および／または収集するために使用される。そのような芯は、同心であってもよく、共線であってもよく、グリッド内に配置されてもよく、また異なるサイズのものであってもよい。

さらなる実施形態において、光学信号を上で述べたファイバ構造内へ結合するレンズは、反射防止コートされ得、および／または、収集される波長域のうちの一つもしくは複数については無彩色で設計され得る。

図３４のいくつかの実施形態において、コヒーレント撮像光は、移動可能なミラーまたは他の走査システム８３１により材料に送達される。補助光学センサ（例えば、図３４の８３７）も特徴として有する実施形態において、補助センサもまた、走査システムを通じて結合され得、それらが収集する内因性の発光が空間分解されることを可能にし得る。このようにして、プロセスの多くの新しい側面が、明らかにされ、測定され、追跡され、質問され（品質保証およびプロセス展開目的のため）、および／または閉回路フィードバック制御のための手段として使用され得る。例えば、コヒーレント撮像システムによって測定される貫入深さに対するＰＣＲの背面への一つまたは複数の位置の赤外発光の強度を観察することにより、単に赤外測定だけよりも優れた、材料の冷却速度の測定をもたらすことができる。別の例では、コヒーレント撮像システムは、本明細書に説明される追加の光学センサによって受信される信号をより正確に特徴付けるおよび／または解釈するために使用されるＰＣＲの幾何形状の側面を測定するために使用される。そのような多点の多重波長測定は、約１０ｕｓ、１００ｕｓ、１ｍｓ、１０ｍｓ、１００ｍｓ、または１ｓの時間の小段階で、ならびに関係する材料の熱および化学時定数によって決まる中間の時間スケールにおいて、直列化または並列化され得る。

図３４に示されるものなどの実施形態において、補助光検出器測定は、コヒーレント測定と併せて使用されて、いずれかの検出方法だけでは検出することができないプロセス特徴部および／または欠陥を検出する。補助光検出器測定はまた、コヒーレント測定と併せて使用されて、融合不良および「フォールスフレンド」などのプロセス欠陥、すなわち、接合されている材料同士の不十分な融合が、ワークピース外表面上の明らかな欠損指標のない低品質継手を結果としてもたらす、溶接（限定されるものではないが、レーザ溶接、電子ビーム溶接などを含む）などの材料接合応用における加工欠陥を検出することができる。補助光検出器測定は、材料改変プロセスの結果として発せられる熱信号の測定を含み得る。熱信号は、相変化領域から、または相変化領域の後に続く領域から、または両方から発せられ得る。

いくつかの実施形態において、補助光学センサは、本明細書で述べた光学システムに結合される分光計であってもよい。そのような分光計はまた、用途による要求に応じて、信号プロセッサ、記録ジェネレータ、および／またはフィードバックプロセッサに接続され得る。

図３４のものなどの実施形態において、補助光学センサ８３７は、熱カメラ、高速可視カメラ、ボロメータ、高温計、および／または１Ｄもしくは２Ｄアレイ、またはそれらの組合せのうちの一つまたは複数を含み得る。

内因性の発光センサおよびコヒーレント撮像システムの組合せはまた、溶接プロセスと共に使用され得る。溶接プロセスは、付加製造プロセスの部分として実施され得る。溶接プロセスは、付加製造の文脈外で実施されてもよい。

いくつかの実施形態において、補助光検出器測定およびコヒーレント撮像測定の組合せは、材料加工欠陥を検出するために使用される。様々な実施形態において、材料加工は、付加プロセスまたは溶接プロセス（より大きい全体的なプロセスの一部である場合とそうでない場合とがある）であり得る。複数のコヒーレント撮像ビームが用いられてもよい。複数の補助検出器（各々がそれぞれの受光コーンおよび／または感度のスペクトル帯を有する）が用いられてもよい。図４８Ａおよび図４８Ｂは、異なる実施形態を例証する。材料加工欠陥は、ビーム‐材料相互作用区域７９２、相変化領域、および／または周囲領域内に生じ得る。補助検出器受光コーン７５０およびコヒーレント撮像ビーム７５１は、加工ビーム７４９から特定のオフセット距離（それぞれ７９３および７９４）に位置付けられる。オフセット距離は、固定され得るか、またはそれらは変化し得る。例えば、それらは、グラフィックユーザインターフェース、スクリプトインターフェース、および／またはアプリケーションプログラムインターフェース（ＡＰＩ）を通じてユーザによってプログラムされる運動経路に従って変化し得る。いくつかの実施形態において、運動経路は、コンピュータ支援製図（ＣＡＤ）ソフトウェア、コンピュータ支援製造（ＣＡＭ）ソフトウェア、または上記のようなユーザプログラミングを用いたこれらの組合せなどの別のソースからインポートされ得る。いくつかの実施形態において、運動経路は、工業用バスインターフェース（例えば、ＤｅｖｉｃｅＮｅｔ、ＰｒｏｆｉＮＥＴ、ＰｒｏｆｉＢＵＳ、Ｅｔｈｅｒｎｅｔ ＩＰ、ＥｔｈｅｒＣＡＴ、汎用シリアル通信、ＴＣＰ／ＩＰなど）、ならびに／またはプロセス制御器および／もしくはリモート加工ヘッド制御器からのアナログ入力を通じて、オンザフライで自動的に計算および／または更新され得る（例えば、プロセスの前、最中、および／または後に）。いくつかの実施形態において、ビーム位置は、プロセス自体の最近の測定に基づいて調節される。例えば、コヒーレント測定システムによって検出される材料動態の外乱が、補助検出器による確認測定を要求し得るか、またはその逆も然りである。いくつかの実施形態において、オフセット距離はゼロに等しい（すなわち、補助検出器受光コーン、コヒーレント撮像ビーム、および材料加工ビームが同軸上に位置合わせされる）。いくつかの実施形態において、補助検出器受光コーンおよびコヒーレント撮像ビームオフセットは、等しい（すなわち、補助検出器受光コーンおよびコヒーレント撮像ビームが同軸上に位置合わせされる）。いくつかの実施形態において、補助検出器受光コーンおよび／またはコヒーレント撮像ビームは、少なくとも一つの目的のプロセス領域を測定するように位置付けられる。目的のプロセス領域は、限定されるものではないが、相変化領域、相変化領域の前の領域、相変化領域の後ろの領域、および相変化領域に隣接する領域のうちの一つまたは複数を含み得る。いくつかの実施形態において、補助検出器受光コーンおよびコヒーレント撮像ビームは、同じ目的のプロセス領域を測定するように位置付けられる。いくつかの実施形態において、補助検出器受光コーンおよび／またはコヒーレント撮像ビームは、異なる目的のプロセス領域を測定するように位置付けられる。いくつかの実施形態において、プロセスは、「垂直方向」に二つの材料を接合することを含む。そのような構成において、加工ビーム経路は、加工ビームがまず上部材料７９８に、次いで材料間の継手７９９に、次いでベース材料８００に遭遇するようなものである（図４８Ａを参照のこと）。いくつかの実施形態において、プロセスは、「水平方向」に二つの材料を接合することを含む。そのような構成において、加工ビーム経路は、加工ビームが両方の材料に直接遭遇するようなものであり、継手は、材料の間に存在し、プロセスビームに露光される（そのような構成の例は、突き合わせ継手である）。

図４８Ａおよび図４８Ｂにおいて、補助光検出器受光コーンおよびコヒーレント撮像ビームの変位は、二次元（２Ｄ）で示されるということ、ならびに三次元（３Ｄ）構成も可能であるということを理解されたい。

図４８Ａおよび図４８Ｂに示されるものなどの実施形態において、検出された欠陥は、融合不良欠陥７９７を含み得る。融合不良欠陥は、物理的な材料表面上のウィットネスマーク７９６と関連付けられている場合がある。いくつかの実施形態において、融合不良欠陥は、材料表面上のウィットネスマークまたは外部融合不良指標と関連付けられていない場合がある。そのような欠陥は、一般には、「フォールスフレンド」（ドイツ語では「ｆａｌｓｃｈ Ｆｒｅｕｎｄｅ」として知られている）欠陥７９５と称される。融合不良は、底材料を溶融するのに不十分な加工ビームエネルギー（例えば、加工されていないまたは未加工の材料８０２を残すこと）から生じ得る。融合不良は、両方／すべての材料８０１を溶融／加工するのに十分な加工ビームエネルギーが存在するときにさえ生じ得るが、物理的なひずみ（非限定的な例としては、フィクスチャリング不全および／または材料ゆがみが挙げられる）が、継手内の十分な接触および／または融合を妨げる（例えば、ギャップを生み出す）８０３。融合不良またはフォールスフレンド欠陥は、ベース材料が完全に加工されるときに生じ得る。融合不良またはフォールスフレンド欠陥は、ベース材料が部分的に加工されるときに生じ得る。融合不良またはフォールスフレンド欠陥は、ベース材料が加工されないときに生じ得る。

図４８Ａおよび図４８Ｂに示されるものなど、いくつかの実施形態において、補助検出器は、例えば、黒体放射などのプロセス放射を用いて、温度を測定する。本明細書において使用される場合、用語「黒体放射」、「灰色体放射」、およびそれらの変異形はすべて、プロセス放射の置き換え可能かつ非限定的な例であると見なされる。補助検出器は、黒体放射または他のプロセス放射を測定する。いくつかの実施形態において、補助検出器は、黒体／プロセス放射および温度の何らかの組合せを測定する。温度変化は、融合不良および／またはフォールスフレンドを検出するために使用され得る。プロセス放射（例えば、黒体放射）は、融合不良および／またはフォールスフレンドを検出するために使用され得る。温度変化、および／または材料表面からのプロセス放射の変化８０４は、融合不良および／またはフォールスフレンドを検出するために使用され得る。温度変化は、温度の増加を含み得る。温度変化は、温度の減少を含み得る。プロセス放射の変化は、プロセス放射の増加を含み得る。プロセス放射の変化は、プロセス放射の減少を含み得る。

いくつかの実施形態において、補助検出器受光コーンおよび／またはコヒーレント撮像ビームの開口数（ＮＡ）は、エネルギー送達／収集を制御するため、および材料表面からの角のある反射／発光を補償するために、望遠鏡（例えば、ケプラー式、ガリレオ式、およびそれらに対する耐収差改善を含む）または当業者に知られている他の屈折／反射光学系の使用により調節され得る。

限定されるものではないが、遠隔走査される材料加工ビームを含む、いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像ビームおよび／または補助検出器受光コーンのＮＡおよび／または焦点は、ビーム送達システムにおける光学的非理想性および／またはプロセスにおける変化を補償するために、リアルタイムで能動的に調節され得る。そのような補償は、問題となっているプロセスまたは同様の以前に行われたプロセスの以前の測定によって計算／決定され得る。

図４８Ａおよび図４８Ｂに示されるものなど、いくつかの実施形態において、補助検出器測定およびコヒーレント撮像測定の組合せは、品質保証目的のために使用される（限定されるものではないが、プロセスのための品質指標を提供することなど）。測定のそのような組合せは、プロセス制御目的および／またはプロセス展開目的のために使用されてもよい。組み合わされた補助検出器およびコヒーレント撮像測定は、（時間的におよび／または空間的に）プロセスの前、プロセスの最中、および／または（時間的におよび／または空間的に）プロセスの後に行われ得る。いくつかの実施形態において、補助検出器測定は、問題となっているプロセスまたは同様の以前に行われたプロセスの以前の測定によって計算／決定され得る。

いくつかの実施形態において、「組合せ」は、どのようにして補助検出器測定およびコヒーレント撮像測定が、互いと併せて使用されるか、および／または互いと同期されるかをさらに説明し得る。補助検出器測定は、コヒーレント撮像測定を（時間的におよび／または空間的に）ゲーティングするために使用され得るか、またはその逆も然りである。補助検出器測定は、特定のコヒーレント撮像測定を重み付けする（例えば、より重要なものにする）ために使用され得るか、またはその逆も然りである。補助検出器測定は、コヒーレント撮像測定を開始するために使用され得るか、またはその逆も然りである。補助検出器測定およびコヒーレント撮像測定は、何らかの規則または不規則パターンで交代し得る。いくつかの実施形態において、補助検出器測定およびコヒーレント撮像測定は、同時に実施されてもよい。

いくつかの実施形態において、ビーム送達システムは、材料加工ビームおよび／またはコヒーレント撮像ビームの角度が、作業されている材料に対して変更されることを可能にする５軸光学スキャナを使用する。そのようなスキャナの例は、マイクロマシニングのために主に使用される、ｐｒｅｃＳＹＳ（商標）送達光学系（ＳＣＡＮＬＡＢ ＧｍｂＨ、ミュンヘン、ドイツ）である。材料加工ビームの角度は、例えば、プロセスに先行しているか（あたかもリーシュによりＰＣＲを引っ張るかのように）、またはプロセスの後に続いている場合がある。スキャナはまた、ＰＣＲ材料表面の変化に適合する目的のために、加工ビームおよび／または撮像ビームの角度を制御するために使用され得る（例えば、図３２を参照のこと）。いくつかの実施形態において、そのような制御は、ＰＣＲ表面に対する特定の角度を確実にするために使用される。そのような制御は、ＰＣＲ表面に対する適応ビーム角を達成するために使用され得る。

図３５に示されるものなど、いくつかの実施形態において、層ごとのコヒーレント撮像測定が実施され得る。例えば、３５Ａ、３５Ｂ、３５Ｃ、および３５Ｄは、異なる層における測定に対応する。干渉測定出力は、三次元物理的部品レンダリング３５Ｅを生成し得る。この情報は、物理的部品寸法を決定するため、部品公差の査定を行うため、部品密度を決定するため、空洞／多孔質の存在を検出するため、および／または構築プロセスもしくは部品そのものに関する他の決定を行うために使用され得る。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像測定は、部品設計からの検出された形態偏差に基づいて、プロセス中に是正措置を取るために使用され得る。是正措置は、材料切除、追加原料の供給、付加製造設備運動制御経路の変化の形式で、および／または材料加工の他の形式で実施され得る。材料加工の他の形式は、限定されるものではないが、再溶融を含み得る。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像システムからの干渉測定出力は、付加製造プロセスに関与する異なる材料タイプを区別／分解するために使用される。いくつかの実施形態において、金属、プラスチック、有機物、半導体、ポリマー、および誘電体などの材料を区別することが実施される。いくつかの実施形態において、異なる金属、プラスチック、有機物、半導体、ポリマー、または誘電体を区別することが実施される。いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像測定は、複合物および／または機能傾斜部品などの多材部品の付加製造に関与する材料を区別するために使用される。そのような情報は、供給材料の供給を制御／変更するため、および／または新たに堆積した材料の組成を測定／査定するために使用され得る。

いくつかの実施形態において、干渉測定出力は、コヒーレント撮像ビームインターロゲーション位置の関数としての干渉測定出力の変化（例えば、図３６Ａに示されるプロセスについては、図３６Ｂ、図３６Ｃ、図３６Ｄ、図３６Ｅに示されるような）など、材料改変プロセスの異なる材料相を区別／分解するために使用される。この情報は、原料対堆積材料、液相対固相対気相、バルク固体対粉末／微粒子固体を含む、異なるプロセス相を区別するために使用され得る。例えば、図３６Ｅは、干渉測定出力における時間変化が、図３７のプロットに示されるように、固相と液相とを見分ける（矢印を参照のこと）、および／または加工された（堆積された）材料と材料原料とを見分けるために使用される。いくつかの実施形態において、この情報は、品質保証目的のため、および／またはフィードバック／制御目的のために使用される。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像分解された材料相情報は、付加製造プロセス中の材料相変態の特性（発生、持続時間、安定性などを含む）を決定するために使用される。この情報は、プロセスの熱サイクルを決定するため、ならびに／または製造された部品の機械特性および／もしくは微細構造特性を見定めるために使用され得る。いくつかの実施形態において、この情報は、次いで、ＱＡのために使用される。材料相情報は、限定されるものではないが、機械部品特性および／または微細構造を決定づけることを含む目的のために、付加製造中に熱サイクルを制御するためのフィードバック／制御用途に使用され得る。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像システムのスペクトル帯内の材料透明性（および／または半透明性）は、付加製造プロセス中に層と層の間の（層間）結合および／または副層特徴を監視するために利用される。

いくつかの実施形態において、干渉測定出力は、加工中に材料排出を測定／数値化するために使用される。そのような情報は、プロセスパラメータ空間品質および／または安定性を査定するために使用され得る。いくつかの実施形態において、この情報は、フィードバック／制御目的のために使用される。いくつかの実施形態において、材料排出量、周波数、周期性、規則性、速度、運動量、および／または力が、干渉測定出力に基づいて決定される。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像測定は、付加製造プロセス中に、（構築または修理されることになる）部品、および／または構築プラットフォーム、および／またはフィクスチャリングを何らかの規定の座標系に対して位置合わせするために使用される。例えば、図４７の実施形態において、位置合わせ９１は、参照９０の加工ビームフレームに対して実施される。他の実施形態において、位置合わせは、運動制御主導の座標系に対して実施され得る。

いくつかの実施形態において、付加製造プロセスの前の層からの光路長測定は、光路長（および／または測定高さおよび／または測定深さおよび／または距離）参照を確立するために使用される。この参照は、コヒーレント撮像光路長および／または高さおよび／または深さおよび／または距離と関連付けられた経時安定性問題を克服するために使用され得る。例えば、静的界面のコヒーレント撮像光路長測定は、温度変化、物理的振動などを含む環境効果に起因して経時的に変化し得る。図３８Ａおよび図３８Ｂに示されるように、これらの効果は、コヒーレント撮像システムによって測定される高さ／深さ５７ａ、５７ｂおよび後方散乱強度５９ａ、５９ｂにおける変動を結果としてもたらし得る。前の層参照の使用は、測定正確性／精度に対する経時安定性の影響を克服し得るか、または最小限にし得る。これは、何分、何時間、または何日という時間スケールにわたって発生する付加製造プロセスにおいて特に重要であり得る。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像干渉測定出力は、コヒーレント撮像測定中に発生する多重散乱イベントを検出／識別するために使用される。例えば、図３９は、非多重散乱、または直接の、測定６０Ａと比較した、異なる多重散乱イベント６０Ｂ、６０Ｃを示す。この情報は、コヒーレント撮像測定のための品質保証メトリック／拒否パラメータとして使用され得る。多重散乱情報は、コヒーレント撮像測定実装のためのフィードバック制御パラメータとして使用され得る。いくつかの実施形態において、多重散乱情報は、付加製造プロセスのための品質保証メトリック／拒否パラメータとして使用される。多重散乱情報は、付加製造プロセスのためのフィードバック制御パラメータとして使用され得る。本開示の目的のため、多重散乱は、干渉計の試料アーム内の追加の反射および／または材料変化によって誘発される光路長変化（延長を含む）を含む。インターフェログラム相変化が、多重散乱を検出／識別するために使用され得る。いくつかの実施形態において、光学偏光の変化が、多重散乱を検出／識別するために使用され得る。

いくつかの実施形態において、多重散乱検出は、付加製造プロセスの品質メトリックおよび／またはフィードバック制御パラメータとして使用される。

いくつかの実施形態において、付加製造プロセスに提供されるコヒーレント撮像フィードバックは、全体的な製造および／または修理時間を低減するために使用される。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像干渉測定出力は、付加製造プロセスパラメータ品質を査定するために使用される。プロセスパラメータ品質は、ビームエネルギー／パワー、ビーム走査速度、ビームスポットサイズ、ビーム展開方法、追加のエネルギー源（追加のエネルギービーム、加熱コイル、熱交換器など）による材料予熱または冷却、添加材供給速度、添加材層厚、添加材組成、添加材密度、添加材供給幾何形状、ビーム走査／加工幾何形状、プロセス支持構造物の使用、プロセスフィクスチャリングの使用、プロセス環境酸素（または他のガス）濃度、プロセス環境温度、プロセス環境圧力、再加工戦略、加工後戦略／処置、および加工休止／中断のうちの一つまたは複数を含み得る。干渉測定出力は、形態安定性、相対／絶対形態レベル、コヒーレント測定中の信号損失の周波数、インターフェログラム相変化、界面広幅化（すなわち、Ａライン幅の増大）、界面副構造物に対する生成／改変／変化（ショルダ、副包絡線ピーク、広幅化、狭幅化を含む）、界面強度変化、形態変化、周波数偏移、分光計出力における相対頻度測定、界面強度レベル、複数界面の発生／出現／消失ならびに／またはそれらの相対位置および／もしくは強度および／または副構造物に対する変化、時間の関数としての上記パラメータ変化（時間導関数および傾斜を含む）、空間の関数としての上記パラメータ変化（空間導関数および傾斜を含む）、ならびに空間および時間の組合せの関数としての上記パラメータ変化を含み得る。加工レーザパワーを査定するために溶融プールのコヒーレント撮像測定を利用する、図４０Ａ～図４０Ｆに示される、一つの実施形態において、コヒーレント撮像高さおよび／または強度測定は、不十分なレーザ加工パワーでの加工（図４０Ａ）、十分なレーザパワーでの加工（図４０Ｃ）、および過剰なレーザパワーでの加工（一般的には、欠陥のある加工レジームであると見なされる「キーホーリング」レジームにおける加工）（図４０Ｅ）を識別するために使用される。この実施形態は、付加製造プロセスの結果を査定／識別／数値化するために、堆積されたトラック（加工後）のコヒーレント撮像測定をさらに使用する。これは、表面粗さ、不連続性、特徴、不規則性、および／または他の欠陥を含み得る。この情報は、プロセス展開目的および／またはプロセス修正目的のために使用されてもよい。上に説明される実施形態において、異なるレーザパワーレジームにおける加工の効果は、（図４０Ｂ、図４０Ｄ、および図４０Ｆ）に示される、結果として生じるトラックのコヒーレント撮像測定によって検出される。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像測定は、付加製造プロセス中の加工ビームスポットサイズおよび／または形状および／または時間的プロファイルのフィードバック／制御のために使用される。フィードバック信号は、ビームスポットサイズがより速い構築速度を達成するために増大され得る構築プロセス中に、時間／位置を決定するために使用され得る。干渉測定出力は、構築速度が増大される間、プロセスがその所望の安定性レジーム内に留まることを確実にするために使用され得る。いくつかの実施形態において、干渉測定出力は、現在の構築部分が高公差または低公差を要するかどうかに従ってスポットサイズ遷移点を決定するために使用される。

いくつかの実施形態において、付加製造プロセス粉体床（または、例えば、構築プラットフォームおよび／もしくは下層の製造／修理層を含む構築領域の上に堆積される何らかの形式の原材料）のコヒーレント撮像測定が実施される。いくつかの実施形態において、そのような測定は、限定されるものではないが、高さ／深さ／長さ（図４１Ａ、上方パネル）、および／または後方散乱強度（図４１Ｂ、上方パネル）を含み得、また、原材料層形態、均一性、厚さ、密度、材料が不足している領域７０（図４１Ｂ、下方パネルに示されるような）、過剰材料の領域、層欠陥６９（図４１Ａ、下方パネルに示されるような）、および／または層材料相を決定するために使用され得る。この情報は、ＡＭ品質保証および／またはフィードバック／制御目的のために使用される。以下のうちの一つまたは複数を含む是正措置が実施され得る：追加の材料堆積／供給、供給／堆積材料除去（低エネルギーパルスによる材料排出、供給ガス流を通じた機械的除去、直接の物理的接触による機械的除去、磁気除去などを含む方法による）、供給／堆積材料の密度に対する変更、供給／堆積材料の位置に対する変更、供給／堆積材料の材料組成に対する変更、材料堆積／供給スキームに対する変更、および材料堆積／供給速度に対する変更。

いくつかの実施形態において、付加製造プロセス堆積物の形態測定は、是正措置を堆積材料に適用するためのフィードバック／制御目的のために使用される。そのような措置は、部品公差に対する改善／変更、堆積物組成に対する改善／変更、堆積物微細構造に対する改善／変更、堆積物機械特性（例えば、密度）に対する改善／変更のうちの一つまたは複数を含み得る。いくつかの実施形態において、是正措置は、追加の材料を層に供給することを含む。いくつかの実施形態において、是正措置は、層の充填密度を増大するために層の機械充填を含む。いくつかの実施形態において、是正措置は、材料再溶融を達成するために追加加工を含む。いくつかの実施形態において、是正措置は、レーザまたは電子ビーム加工の結果としての材料切除／切断を含む。いくつかの実施形態において、是正措置は、従来の製造方法（例えば、フライス、ドリリング、切断など）、および／または化学的方法（エッチングを含む）による材料除去を含む。いくつかの実施形態において、是正措置は、堆積物研磨（機械的機序、化学的機序、レーザベースの機序、電子ビームベースの機序、および／または熱機序による）を含む。いくつかの実施形態において、是正措置は、プロセス支持構造物を追加／改変／除去するためにＡＭプロセスを修正することを含む。いくつかの実施形態において、是正措置は、化学的、機械的、および／または構造的なスタビライザ／エンハンサとして機能する新たな材料の注入／挿入／追加（部品密度を増大させるための充填材の注入を含む）を含む。いくつかの実施形態において、是正措置は、構築プロセスの最中および後のステージにおいて熱間等方加圧（ＨＩＰ）などの処置を実施することを含む。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像形態測定は、ＡＭプロセスリコート機序（ワイパブレード、リコータブレード、ローラなど）の製造／修理されている部品の特徴部との衝突に起因する潜在的なＡＭプロセス不良を識別するために使用される。そのような潜在的な不良の識別は、是正措置を実施するために使用され得る。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像形態測定は、材料原料堆積平面内への部品特徴部押出しから生じる、または別のやり方で材料原料供給と干渉する、潜在的なＡＭプロセス不良を識別するために使用される。そのような潜在的な不良の識別は、是正措置を実施するために使用され得る。例えば、図４２に示される実施形態において、コヒーレント撮像システム測定７５は、粉体床７２付加製造システムのリコータブレード７３平面７４内への部品押出部７１を識別するために使用される。

いくつかの実施形態において、干渉測定出力は、部品の下層および／もしくは隣接する固体構造ならびに／または原料材料の下層および／もしくは隣接する固体構造への液相（一般的にはレーザ／電子ビームから生じる）の湿潤／接着を査定するために使用される。この情報は、湿潤／接着を変更するためのＡＭプロセスパラメータの制御を伴う制御／フィードバックプロセスのためにさらに使用され得る。

いくつかの実施形態において、相および／または分光測定は、供給原料層（粉体床融合プロセス中の粉体床を含む）の充填密度を査定するために使用される。この情報は、是正措置を提供するために使用されてもよい。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像形態測定は、構築／修理下の部品、および／または構築プラットフォーム、および／または別のＡＭシステム座標系に対してリコート機序（例えば、ワイパブレード、ローラ、材料噴射機序、材料押出し器など）を位置合わせするために使用される。

いくつかの実施形態において、粉末層厚の形態および／または密度測定は、低減された層厚、増大された層厚、低減された充填密度、増大された充填密度などの領域におけるＡＭプロセスパラメータを変更するために使用される。この情報は、是正が特定の領域内で実施されることを可能にするために、粉体堆積機序および誘導／制御作用を制御するために使用され得る。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像測定は、粉体床ガス遮蔽を制御するために使用される。そのような制御は、ガス遮蔽流量またはガス遮蔽流幾何形状を含み得る。コヒーレント撮像測定は、プロセス排出が十分に操作されるかどうか（例えば、排出された材料が、それらが粉体床および／または加工部品に戻らないように掃引されるかどうか）を決定するために使用され得、そうでない場合には、これらの測定は、必要に応じて遮蔽機序を変更するために使用され得る。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像干渉測定出力は、張り出し構造物の加工中にＰＣＲを監視するために使用される。付加製造プロセスにおいて、張り出し構造物（堆積されたバルク材料の代わりに生の粉体からなる下層の層を有する構造物など）を加工することは、結果として負のプロセス影響をもたらす（ＰＣＲ崩壊、ＰＣＲ膨張、堆積材料構造／形態／微細構造に対する変化などを含む）。張り出し構造物の加工中のＰＣＲおよび周囲領域のコヒーレント撮像測定は、プロセスパラメータを変更する、有害な影響を回避する、および／またはＡＭプロセス支持構造物／足場の必要性を低減／変更するように、ＡＭプロセスにフィードバックを提供するために使用され得る。例えば、粉体床付加製造プロセスにおけるレーザ加工中の溶融プールのコヒーレント撮像測定（図４３Ａ）は、張り出し区域（例えば、図内では約６．５～１３ｍｍ）を加工するときに溶融プール安定性の損失（溶融プール形態の急激な変化）を識別するために使用される。結果として生じるトラックのコヒーレント撮像測定（図４３Ｃ）および／またはトラックの写真（図４３Ｂ）は、張り出し区域（例えば、６．５～１３ｍｍ）内の堆積材料の品質を査定するために使用される。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像干渉測定出力は、ＡＭプロセス支持構造物／足場の必要性を識別するために使用される。この情報は、必要に応じて追加の支持材料を注入するために使用され得る。一つの実施形態において、この情報は、支持構造物を、それらがもはや必要とされない場合には、加工中に除去するために使用される。そのような情報はまた、必要に応じて材料および／または支持構造物の形状を変化させる／変更するために使用され得る。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像干渉測定出力は、材料流速力／速度、ワイヤ供給速力／速度、および／または堆積速度（質量／時間）の形式で原料供給速度測定を実施するために使用され得る。例えば、図３３に示されるように、干渉測定出力は、付加製造プロセス材料原料２１９の速力／速度ベースの測定を実施するために使用される。材料流のドップラーコヒーレント撮像（ドップラーＩＣＩおよびドップラーＯＣＴを含む）測定が、そのような測定を実現するために使用され得る。図３３の拡大図に示されるように、コヒーレント撮像ビーム２１７は、粉体／材料流と交差するように設定され、そのような測定が行われることを可能にするような角度２２４で２２２に示される。いくつかの実施形態において、スペックル分散コヒーレント撮像技術が、そのような測定を実現するために使用される。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像で決定された供給速度情報は、供給速度、または一つもしくは複数の他のＡＭプロセスパラメータ（例えば、粉体、走査速度、スポットサイズ、パルス長対連続モードなど）を変更するために、材料供給器を制御するために使用される。

いくつかの実施形態において、複数の材料供給速度の原料供給速度測定は、結果として生じるＡＭ堆積物の材料／合金組成を決定するために使用される。複数の異なる材料供給の場合、材料供給速度の比率（各材料の質量の比率を決定づける）は、プロセス堆積物の材料タイプ／合金を直接決定する。そのような測定は、ＡＭ堆積物の材料組成／合金を具体的に制御するように異なる材料供給速度を制御するために使用され得る。そのようなフィードバックは、複合材料の製造、機能傾斜材料（ＦＧＭ）の製造、または不均一材料の製造において実施され得る。

図３３に示されるものなど、いくつかの実施形態において、原料（粉体またはワイヤ）流２１９のコヒーレント撮像測定は、流れの精度、正確性、および／または製造／修理下の部品表面上の衝突領域（サイズ、幾何形状、および／または位置）を決定するために使用される。図３３に示される実施形態において、プロセス相互作用区域２２５を通じて測定ビーム２２６を掃引することによって行われるコヒーレント撮像測定は、加工ビーム相互作用区域２２０に対して、２１Ａおよび２１Ｂによって示される粉体流衝突領域（いくつかの実施形態においては、複数の粉体流衝突領域が存在し得る）の精度／正確性を測定および／または査定するために使用され得る。この情報は、付加製造ＱＡ目的のため、ならびに／または、原料流のスポットサイズ、その形状、および／もしくは加工（レーザ／電子）ビーム／エネルギー源に対するその衝突位置を制御するために使用され得る。コヒーレント撮像測定フィードバックは、原料流の正確性および精度を改善するために使用され得る。

いくつかの実施形態において、付加製造プロセス中に行われるコヒーレント撮像測定は、付加製造システムの運動制御設備運動経路を決定および／または制御するために使用される。例えば、コヒーレント撮像測定は、ＡＭシステム加工ビームの運動経路を制御するために使用され得る。いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像測定は、加工ビームオートフォーカスを実施するために使用される。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像測定は、粉体供給タイプ付加製造プロセス（直接エネルギー堆積とも称される）中に行われる。いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像は、品質保証およびフィードバック制御目的などの目的のために、ＰＣＲ、生の原料、および／または堆積材料の、サイズ、形態、反射率、偏光変化、相変化、質量、湿潤、接着、および／または表面張力を含む、測定を実施するために使用される。制御プロセスは、ビームパワー、スポットサイズ、走査速度、材料供給速度、ガス遮蔽、および／または運動経路幾何形状を修正することを含み得る。

様々な実施形態において、コヒーレント撮像測定は、付加製造プロセスの機能的なアセンブリ内に直接的に位置する部品の付加製造プロセスを実施するため、付加製造プロセスのアセンブリ内で直接的に部品修理を実施するため、または移動するアセンブリ内および／もしくは移動する参照フレーム内で部品の付加製造および／もしくは修理を実施するために使用され得る。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像測定は、ビーム‐材料相互作用に対する付加製造加工ビーム時間的プロファイルの影響を測定および／または査定するために使用される。実施形態は、この情報を、フィードバック／制御用途のため、および／または加工レジーム／パラメータ空間を認証するために使用することをさらに含み得る。いくつかの実施形態において、時間的プロファイルは、パルスモード対連続モード、および／またはパルス期間、および／またはパルスデューティサイクル、および／またはパルス形状を指す。この情報は、付加製造プロセス中の加熱および冷却（熱）サイクルを制御するために使用され得る。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像測定は、ビーム‐材料相互作用に対する付加製造加工ビーム空間プロファイルの影響を測定および／または査定するために使用され、任意選択的に、この情報を、フィードバック／制御用途のため、および／または加工レジーム／パラメータ空間を認証するために使用する。

いくつかの実施形態において、偏光感度のあるコヒーレント撮像が、付加製造プロセスを測定／査定するために使用される。偏光感度のあるコヒーレント撮像は、偏光感度のある光コヒーレンス断層撮影システムに類似したスキームで実施され得る。そのようなシステムは、一般に、生物医学的撮像用途に用いられる。いくつかの実施形態において、本方法は、この情報を、加工ビームおよび／または試料アームビームの多重散乱イベント（例えば、図３９を参照のこと）を分解／検出するために使用することをさらに含む。偏光感度情報は、付加製造プロセス中の材料相変化を分解／検出するために使用され得る。偏光感度情報は、プラズマおよび／もしくは他の付加製造プロセス発光の存在を検出／分解するため、または付加製造加工前／最中／後の材料特性変化を検出／分解するために使用され得る。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像形態測定は、付加製造プロセスにフィードバックおよび／または品質保証情報を提供して、形態情報なしでは不可能な構造物の製造を可能にするために使用される。

図４４に示されるものなど、いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像形態測定は、下層のバルク固体材料８１に対する液体材料８０の接触角７９を測定／決定するために使用される。方法は、この情報を、付加製造プロセスのフィードバック／制御機序において使用することをさらに含み得る。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像干渉測定出力は、加工ビームパワーの表示（直接または間接）を提供するために使用される。いくつかの実施形態において、加工ビーム伝搬によって誘発される光路長の変化は、ビームパワー測定を行うために使用される。

ＡＭ粉体材料の再利用は、付加製造の全体的な費用を低減することができるが、原料再加工技術が厳密に制御されないときは特に、一貫性のない性能の特定のリスクを追加する場合もある。したがって、本発明のいくつかの実施形態において、コヒーレント撮像システムは、材料加工の前に、原料のコヒーレント撮像形態測定により原料層高さ、原料充填、原料均一性、原料密度、および／または原料凝集の発生における変動を検知し、これにより材料加工ビームによって作用されている粉体の品質を評価する。そのような評価は、次いで、プロセスに警告する、プロセスを停止する、および／またはプロセスを制御／調節するために、操作者および／またはフィードバックプロセッサによって使用され得る。これらの評価はまた、後の検討のため、ならびに／または、今後のプロセスに通知するための経験的モデルを構築するため、および／もしくは好適なプロセスパラメータ空間を展開するために、記録ジェネレータによって保存され得る。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像測定は、材料原料設備摩耗を直接的または間接的のいずれかで検出／査定するために使用される。いくつかの実施形態は、材料原料供給設備への損傷を推測するために、材料プロセスの前に得られた原料材料形態測定を使用することをさらに含み得る。粉体床付加製造プロセスにおいて、粉体の層は、新たな層堆積物／構造物を達成するために材料加工を経る目的のために、下層の部品層の上に堆積される。粉体床プロセスにおいて、粉体層は、限定されるものではないが、リコータブレード、ワイパブレード、および／またはローラを含む機序によって堆積される。いくつかの実施形態において、限定されるものではないが、筋、空洞、粉体凝集、加工材料堆積物／副産物の存在、またはそれらの組合せを含む、堆積された粉体床層における不規則性は、堆積機序摩耗／損傷を査定／測定するために使用される。材料原料供給設備の直接得られたコヒーレント撮像形態測定は、設備摩耗／損傷を査定／測定するために使用され得る。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像干渉測定出力シグネチャは、付加製造プロセスレジームの側面を識別するために使用される。いくつかの実施形態は、形態（高さ情報の形式にあるなど）を使用して、有害な、劣った、有効な、および／または好適な、ＡＭ加工レジームを識別することをさらに含み得る。ＰＣＲ形態測定は、目標の形態レベル／しきい値以内、それより上、またはそれより下に入るように、それを分類するために使用され得る。この分類は、安定した溶融プール（ＰＣＲ）、カオス的溶融プール（形態測定を変動／振動させる形式にある）（例えば、図４０Ａ）、および／またはキーホーリングプロセスレジーム（下層の層高さを下回る溶融プール界面高さ）（例えば、図４０Ｅ）の識別を伴い得る。いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像後方散乱強度測定が、形態測定に加えて、またはそれの代わりに、上に説明されるＡＭ加工レジームを識別するために使用され得る。

図４５に示されるものなど、いくつかの実施形態において、溶融プール／ＰＣＲ／加工ビーム８３の後に続く領域８２のコヒーレント撮像測定は、ＡＭ堆積材料（「トラック」とも称される）８５の品質／一貫性を査定／決定するために使用される。溶融プール／ＰＣＲ／加工ビーム８３に先行する領域８４のコヒーレント撮像測定は、ＡＭプロセス原料（いくつかのプロセスにおいては、粉体床８６の形式にある）の品質／一貫性を決定／査定するために使用され得る。そのような情報は、品質保証目的のため、フィードバック／制御目的のため、および／またはプロセス展開目的のために使用され得る。いくつかの実施形態において、コヒーレント測定は、形態ベースの情報、後方散乱強度情報、相情報、またはそれらの組合せを暗示し得る。

いくつかの実施形態において、ＰＣＲのコヒーレント撮像測定における時間変動は、加工パラメータレジーム品質を識別するために使用される。この情報は、フィードバック／制御目的のため、品質保証目的のため、および／またはプロセス展開目的のために使用され得る。時間変動は、ＰＣＲ安定性またはＰＣＲ相変化を識別するために使用され得る。

張り出し区域の付加製造は、多くの付加プロセスにとっての課題であり、多くの場合、足場／支持構造物の使用を要する。そのような支持構造物は、プロセス材料消費を増大し、これらの構造物を除去するのに必要な加工後要件を増大させる。張り出し特徴部の加工はまた、構築不良／欠陥の可能性を増大させる。いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像測定は、張り出し加工が発生している領域を識別し、これらの構造物の加工中にプロセス安定性を測定／査定し、および／またはＱＡ／フィードバック制御信号を提供するために使用される。下層の層の形態測定は、張り出し位置がより良好に確立され、それに応じて加工されることを可能にし得る。コヒーレント撮像干渉測定出力は、安定したおよび不安定な張り出し加工レジームを識別する／特徴付けるために使用され得る。この情報は、張り出し加工と関連付けられたプロセス不良を回避する目的でＡＭプロセスを制御および／もしくは展開するため、ならびに／またはより大きい角度で伸びる（下層の平面に対して）張り出し構造物を加工するために使用され得る。いくつかの実施形態において、この情報は、材料支持構造物／足場の必要性を低減するために使用され得る。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像測定は、図４６に示されるように、ＰＣＲの周りの露出区域を監視するために使用される。限定されるものではないが、粉体床融合プロセスの間、溶融プール／ＰＣＲに隣接しかつそれに先行する粉体床の領域は、溶融プール／ＰＣＲ内への粉体吸収の結果として粉体を損失し得る（露出される）。図４６は、全体的な粉体床８９の文脈内でのＰＣＲ８７の周りの露出区域８８を示す。露出区域のコヒーレント撮像測定は、堆積物成長プロセスを監視／制御するために使用され得る。露出測定は、ＡＭプロセスへの入力質量を測定するために使用され得る。いくつかの実施形態は、堆積物／トラック堆積を決定するために形態測定の使用をさらに含み得る。入力材料質量およびトラック体積の組合せは、トラック密度および／または多孔質の存在を決定するために使用され得る。いくつかの実施形態は、この情報を、ＡＭプロセス効率を決定する、および／またはプロセスパラメータを最適化する、および／または品質保証情報／決定を提供するために使用することをさらに含み得る。露出測定は、粉体が不足する領域および／または過剰な粉体消費の領域を決定するために使用され得る。この情報は、それに応じてプロセスパラメータ（堆積物／トラック重複部分および／または加工運動経路など）を調節するために使用され得る。いくつかの実施形態において、粉体が不足する領域の識別は、追加の供給材料がその平面内に堆積されると、材料加工が一時的に停止／遅延／変更されることを結果としてもたらし得る。

いくつかの実施形態において、粉体層および加工層の比較コヒーレント撮像干渉測定出力測定は、限定されるものではないが、層密度、層微細構造、層間接着、層内接着、気孔率、物理的欠陥、公差における偏差、および／または層ゆがみを含む、層特性を査定するために使用され得る。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像システム信号損失は、ＰＣＲ表面の安定性および／または角度を推測するために使用され得る。下層の／隣接する固体構造物への溶融材料湿潤を伴う付加プロセス（限定されるものではないが、粉体床および粉体供給ＡＭプロセスを含む）は、溶融プールを伴う。材料加工ビーム源に対する溶融プールの表面の角度は、ＡＭプロセスパラメータを含む様々なパラメータ、材料特性、および環境特性に依存する。コヒーレント撮像信号損失は、コヒーレント撮像ビームが材料加工ビームと同軸上に位置合わせされる実施形態において、材料加工ビームに対する溶融プール表面角度を決定するために使用され得る。溶融プール角度情報は、ＱＡメトリックを提供するために、またはプロセスパラメータを修正するためのフィードバック／制御目的のために、使用され得る。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像システム干渉測定出力における時間変動は、ＰＣＲの程度を確立するために使用される。いくつかの実施形態は、限定されるものではないが、線間間隔、ハッチ距離、トラック重複部分、材料加工ビームパワー、材料加工ビーム走査速度などを含むＡＭプロセスパラメータを設定するために、ＰＣＲ度の使用を含み得る。ＰＣＲ度は、干渉計出力強度レベルに基づいて確立され得る。コヒーレント撮像システム干渉測定出力における空間変動（コヒーレント撮像ビームインターロゲーション領域における変動）は、ＰＣＲの程度を確立するために使用され得る。

いくつかの実施形態において、コヒーレント撮像測定は、限定されるものではないが、フォトダイオード、熱センサ、高温計、カメラ、ボロメータ、それらの１Ｄまたは２Ｄアレイのうちの一つまたは複数に基づいた追加の監視技術からの測定と並行して実施される。

いくつかの実施形態において、界面／深さ／高さ追跡技術が、さらなるＱＡメトリックおよび／または制御／フィードバックプロセスが実装されることを可能にするために、コヒーレント撮像システム干渉測定出力に対して実施される。界面追跡方法は、限定されるものではないが、材料原料、原材料、ＰＣＲ、加工堆積物／トラック、およびＡＭプロセス設備を含む界面タイプ（例えば、図３７を参照のこと）を区別するために使用され得る。異なる界面追跡方法が、限定されるものではないが、材料原料、原材料、ＰＣＲ、加工堆積物／トラック、およびＡＭプロセス設備を含む異なる界面タイプの測定／メトリックを実装するために使用され得る。界面追跡は、個々のコヒーレント撮像Ａラインの最も明るい画素位置および強度、個々のＡラインのガウシアンフィッティング、個々のＡラインの重み付け平均化の形式、および特定のしきい値より上、または特定の視野内のＡラインピークの識別のうちの一つまたは複数を含み得る。層間アルゴリズムが、限定されるものではないが、品質保証、フィードバック／制御、および／またはプロセス展開などの目的のために、界面追跡技術をさらに補うために使用され得る。

均等物
本明細書に説明される実施形態の修正および変形は、上記教示を踏まえて可能である。したがって、添付の特許請求の範囲内で、本開示が、本明細書に具体的に説明されるものとは別のやり方で実践され得ることを理解されたい。

１ 付加製造システム
２ コヒーレント撮像システム（ＣＩＳ）
３ コヒーレント撮像処理
５ フィードバック制御
７ ＣＩＳ
１０ 材料プロセッサ
１１ プロセス制御システム
１２ 材料加工ビーム源
１２Ａ 参照アーム経路
１２Ｂ 参照アーム経路
１３ 試料アーム
１３Ａ 試料アーム経路
１４ 材料加工ビーム
１４Ａ コヒーレント撮像システムビーム試料アームビーム展開構成部品／アセンブリ
１４Ｂ コヒーレント撮像システムビーム試料アームビーム展開構成部品／アセンブリ
１５Ａ コヒーレント撮像ビーム入射角
１５Ｂ コヒーレント撮像ビーム入射角
１６ 試料位置
１８ 生み出す撮像光源、干渉測定出力
２０ 撮像光
２２ 光学干渉計
２４ 干渉測定出力
２６ フィードバック制御器
２９ フィードバック
３０ 信号検出器
３２ 測定インターフェログラム
３４ インターフェログラムプロセッサ
３５Ｅ 三次元物理的部品レンダリング
３６ メモリ
３７ 合成インターフェログラム
３８ 相関結果
４１ 品質制御システム
４２Ａ 加工ビーム‐材料相互作用区域
４２Ｂ 加工ビーム‐材料相互作用区域
４３Ａ ビーム制御デバイス
４３Ｂ ビーム制御デバイス
４６ 生み出す干渉計
４８ 干渉測定出力
５０ 信号検出器
５２ 測定インターフェログラム
５４ インターフェログラムプロセッサ
５６ メモリ
５７ａ 高さ／深さ
５８ 相関結果
５９ａ 後方散乱強度
６０ スレショルダ
６０Ｂ 多重散乱イベント
６０Ｃ 多重散乱イベント
７１ 部品押出部
７５ コヒーレント撮像システム測定
７９ 接触角
８１ バルク固体材料
８３ 溶融プール／ＰＣＲ／加工ビーム
８８ 露出区域
９１ 位置合わせ
１００ 改変レーザ（ＦＬ）、線
１０２ ビームスプリッタ（ＢＳ）
１０４ 分散補償器（ＤＣ）
１０６ 参照ミラー（ＲＭ）
１０７ ガルバノミラー（ＧＭ）
１１４ 回折格子（ＧＲ）
１１６ レンズ（ＡＳＬ）
１１８ 光検出器アレイ（ＩＧＡＬＣ）
１２０ フレーム取り込み装置（ＦＧ）
１２２ ＰＣ
１２４ フィードバック経路
２００ 改変光源（ＭＬ）
２０４ 撮像光源（ＳＬＤ）
２０６ 組合せ光学系（ＤＭ）、改変レーザ
２１２ 高速スペクトル検出器（ＨＳＳ）
２１４ パワー分割比、フィードバック制御器
２１６ 試料アーム
２１７ ビーム
２１８ 加工ビーム
２２０ 加工ビーム相互作用区域
２２４ 角度
２２５ プロセス相互作用区域
２２６ 測定ビーム
２２７ 固定距離コヒーレント撮像プローブビーム参照
２２８ 展開ヘッド、付加製造システム構築環境
３００ 広帯域源
３０１ レーザ源
３０２ グランテイラー偏光子（ＧＴＰ）
３０４ ファラデー光アイソレータ（ＩＳＯ）
３０５ ハーフラムダ波長板偏光制御
３０６ フォークプリズム分散補償
３１２ 光学系要素（ＤＭ）
３１４ 対物レンズ
３１６ ノズル
３１８ ファイバ結合型反射回折格子分光計、反射回折格子
３２０ 改変レーザ（ＭＬ）
３２４ 偏光制御器
３２６ 参照ミラー
３３０ シリコンラインカメラ
３３２ 画像処理電子機器
３３４ フィードバック制御器
３３６ フィードバック
３５０ 光サーキュレータ
３５１ コリメータ、要素
３５２ 平衡光検出器
３５３ 試料アームコリメータ
３５４ フィードバック制御器
３５５ 参照アームコリメータ
４０２ 要素
４０９ ファイバコリメータ
５００ 広帯域光源
５０４ 光カプラ
５０６ 参照アーム
５０８ 試料アーム
５１０ 光学系
５１４ 高速分光計
５１８ 制御電子機器
６００ 患者処置領域
６０２ インラインコヒーレント撮像システム、ＩＣＩシステム
６０４ 手術レーザ
６０６ 電子処理
７０１ 溶接ワークピース
７０２ インラインコヒーレント撮像システム、ＩＣＩシステム
７０３ 対物レンズ
７０４ 溶接レーザ
７０５ 溶接制御器
７０６ 電子処理
７０８ 画像ディスプレイ
７１８ 溶接プラットフォームカメラポート
７２０ ファイバ－自由空間カプラ
７４９ 加工ビーム
７５０ 補助検出器受光コーン
７５１ コヒーレント撮像ビーム
７９３ 特定のオフセット距離
７９４ 特定のオフセット距離
７９５ 欠陥
７９６ ウィットネスマーク
７９７ 融合不良欠陥
７９８ 上部材料
７９９ 継手
８００ ベース材料
８０１ 材料
８０２ 材料
８０４ プロセス放射の変化
８２９ プロセス
８３０ 加工ビーム源
８３１ 走査システム
８３２ 光ファイバ
８３２ａ クラッディング
８３２ｂ マルチモード芯
８３５ モードカプラ
８３６ コヒーレント撮像システム
８３７ 補助光学センサ
８３８ 信号プロセッサ
８３９ データ記録システム
８４０ フィードバック制御器

Claims (27)

1. 材料改変プロセスにおいて材料の位置に適用される材料加工ビームを生み出す材料加工ビーム源と、
   撮像光を生み出す撮像光源と、
   前記材料改変プロセスの前、最中、および／または後に前記材料内に作成される相変化領域および／または周囲領域に送達される前記撮像光の少なくとも一成分を使用して干渉測定出力を生み出す光学干渉計を含むコヒーレント撮像システムであって、前記干渉測定出力が、前記相変化領域および／または前記周囲領域内の少なくとも一つの地点までの少なくとも一つの光路長であって、別の光路長と比較した少なくとも一つの光路長に基づく、コヒーレント撮像システムと、
   前記干渉測定出力を受信し、前記材料改変プロセス中の前記相変化領域および／または前記周囲領域の特徴を示す検出器出力を生み出す検出器と、
   前記検出器出力に基づいて少なくとも一つの記録を複数回生成する記録ジェネレータと、
   前記相変化領域、または前記周囲領域、または両方から少なくとも一つの内因性の光学発光を測定する複数の波長域において光を収集し、フォールスフレンド欠陥および／または融合不良欠陥を検出するための一つまたは複数の出力を生み出す、一つまたは複数の補助光学センサと、を備え、
   前記少なくとも一つの内因性の光学発光が、前記材料改変プロセスに因り、加工されている材料からの黒体放射を少なくとも含み、
   前記一つまたは複数の出力が、信号プロセッサ、品質保証信号発生器、フィードバックプロセッサ、および記録ジェネレータのうちの少なくとも一つに接続され、
   前記信号プロセッサ、前記品質保証信号発生器、前記フィードバックプロセッサ、および前記記録ジェネレータのうちの少なくとも一つが、記録、報知、およびフィードバック出力のうちの少なくとも一つを生成する、装置。
2. 前記材料改変プロセスが、付加製造プロセス、除去製造プロセス、接合プロセス、またはそれらの組合せの部分である、請求項１に記載の装置。
3. 前記付加製造プロセスが、レーザ焼結、選択的レーザ焼結、レーザ溶融、選択的レーザ溶融、直接金属レーザ焼結、電子ビーム溶融、粉体床３Ｄ印刷、または粉体床融合、またはそれらの異形、派生形、もしくは組合せを含む、請求項２に記載の装置。
4. 前記付加製造プロセスが、粉末床プロセス、レーザ金属堆積、直接金属堆積、またはレーザクラッディング、またはそれらの異形、派生形、もしくは組合せを含む、請求項２に記載の装置。
5. 前記コヒーレント撮像システム、前記検出器出力、および前記補助光学センサのうちの少なくとも一つから入力を受信し、前記材料改変プロセスの一つまたは複数のパラメータを制御するためにフィードバックとして使用される出力を生み出すフィードバックプロセッサをさらに備える、請求項１に記載の装置。
6. コンピュータ可読記憶媒体をさらに含み、
   前記記録ジェネレータが、前記記録を前記コンピュータ可読記憶媒体に記憶する、請求項１に記載の装置。
7. 前記装置が、前記少なくとも一つの記録に基づいて前記材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを制御する、請求項１に記載の装置。
8. 制御される前記材料改変プロセスの前記少なくとも一つの加工パラメータが、
   前記材料加工ビームのオン／オフ状態、
   前記材料加工ビームの平均パワー、
   前記材料加工ビームのパルス持続時間、
   前記材料加工ビームのピーク強度、
   前記材料加工ビームの密度、
   前記材料加工ビームのエネルギー、
   前記材料加工ビームの粒子種、
   前記材料加工ビームの波長、
   前記材料加工ビームのパルス繰返し率、
   前記材料加工ビームのパルスエネルギー、
   前記材料加工ビームのパルス形状、
   前記材料加工ビームの走査速度、
   前記材料加工ビームの焦点直径、
   前記材料加工ビームの焦点位置、
   前記材料加工ビームの空間パターン、
   冷却媒体流量、
   カバー／アシストガス流量、
   カバー／アシストガス圧力、
   カバー／アシストガス混合、
   電圧および電流から選択される少なくとも一つのプロセスパラメータ、
   少なくとも一つの拒否パラメータ、
   添加材供給速度、
   添加材供給幾何形状、ならびに
   添加材供給タイプ、のうちの少なくとも一つを含む、請求項７に記載の装置。
9. 制御される前記材料改変プロセスの前記少なくとも一つの加工パラメータが、粉末層厚、充填密度、層均一性、添加材供給速度、および堆積材料の選択のうちの少なくとも一つを含む、請求項７に記載の装置。
10. 前記装置が、前記材料加工ビームおよび前記撮像光を、前記相変化領域および／または前記周囲領域内へ送達されるときに、実質的に同軸上に生み出すように構成される、請求項１に記載の装置。
11. 前記材料改変プロセスが、添加材を前記材料加工ビームで改変することによって、対象物を製造、改変、または修理する、請求項１に記載の装置。
12. 前記材料が、金属、半導体、誘電体、ガラス、セラミック、ポリマー、プラスチック、および複合物のうちの少なくとも一つを含む、請求項１に記載の装置。
13. 前記コヒーレント撮像システムを前記材料に向ける少なくとも一つの走査システムをさらに備える、請求項１に記載の装置。
14. 少なくとも一つの補助光学センサは、材料改変プロセス発光が空間分解され得るように少なくとも一つの走査システムに結合される、請求項１に記載の装置。
15. 前記少なくとも一つの補助光学センサが、光ファイバを用いて前記走査システムに結合される、請求項１４に記載の装置。
16. 前記光ファイバが、多層クラッドファイバ、または多芯ファイバ、または両方のうちの一つであり、前記撮像光が、少なくとも一つの光ファイバを前記少なくとも一つの補助光学センサと共有する、請求項１５に記載の装置。
17. 前記少なくとも一つの補助光学センサが、材料改変プロセス発光が空間分解され得るように前記少なくとも一つの走査システムに結合される、請求項１３に記載の装置。
18. 材料の位置に適用される材料加工ビームを使用する材料改変プロセスを監視および／または制御するための方法であって、
    前記材料改変プロセスの前、最中、および／または後に前記材料内に作成される相変化領域および／または周囲領域に撮像光を適用するステップと、
    前記材料改変プロセスの前、最中、および／または後の前記相変化領域および／または周囲領域に送達される前記撮像光の少なくとも一成分を使用して干渉測定出力を生み出すために光学干渉計を含むコヒーレント撮像システムを使用するステップであって、前記干渉測定出力が、前記相変化領域および／または前記周囲領域内の少なくとも一つの地点までの少なくとも一つの光路長であって、別の光路長と比較した少なくとも一つの光路長、に基づき、
    前記干渉測定出力が、前記材料改変プロセス中の前記相変化領域および／または前記周囲領域の特徴を示す、ステップと、
    前記材料改変プロセスの少なくとも一つの加工パラメータを制御するために前記干渉測定出力を使用するステップと、
    前記相変化領域、または前記周囲領域、または両方から少なくとも一つの内因性の光学発光を測定する複数の波長域において光を収集し、フォールスフレンド欠陥および／または融合不良欠陥を検出するための一つまたは複数の出力を生み出すために、一つまたは複数の補助光学センサを設置するステップであって、前記少なくとも一つの内因性の光学発光が、前記材料改変プロセスに因り、加工されている材料からの黒体放射を少なくとも含む、ステップと、
    前記一つまたは複数の出力を、信号プロセッサ、品質保証信号発生器、フィードバック制御器、および記録ジェネレータのうちの少なくとも一つに接続するステップであって、
    前記信号プロセッサ、前記品質保証信号発生器、前記フィードバック制御器、および前記記録ジェネレータのうちの少なくとも一つが、記録、報知、およびフィードバック出力のうちの少なくとも一つを生成する、ステップと、
    前記材料改変プロセスを制御すること、監視すること、および調節することのうちの一つまたは複数のために、前記記録、前記報知、および前記フィードバック出力のうちの少なくとも一つを使用するステップと、を含む方法。
19. 制御することが、品質保証情報を提供することを含む、請求項１８に記載の方法。
20. 前記材料加工ビームのオン／オフ状態、
    前記材料加工ビームの平均パワー、
    前記材料加工ビームのパルス持続時間、
    前記材料加工ビームのピーク強度、
    前記材料加工ビームの密度
    前記材料加工ビームのエネルギー、
    前記材料加工ビームの粒子種、
    前記材料加工ビームの波長、
    前記材料加工ビームのパルス繰返し率、
    前記材料加工ビームのパルスエネルギー、
    前記材料加工ビームのパルス形状、
    前記材料加工ビームの走査速度、
    前記材料加工ビームの焦点直径、
    前記材料加工ビームの焦点位置、
    前記材料加工ビームの空間パターン、
    冷却媒体流量、
    カバー／アシストガス流量、
    カバー／アシストガス圧力、
    カバー／アシストガス混合、
    電圧および電流から選択される少なくとも一つのプロセスパラメータ、
    少なくとも一つの拒否パラメータ、
    添加材供給速度、
    添加材供給幾何形状、ならびに
    添加材供給タイプ、
    から選択される少なくとも一つの加工パラメータを制御するステップを含む、請求項１８に記載の方法。
21. 粉末層厚、充填密度、層均一性、添加材供給速度、および堆積材料の選択のうちの少なくとも一つを制御するステップを含む、請求項１８に記載の方法。
22. 前記材料加工ビームおよび前記撮像光を、前記相変化領域および／または前記周囲領域に実質的に同軸上に適用するステップを含む、請求項１８に記載の方法。
23. 添加材を前記材料加工ビームで改変することによって、対象物を製造、改変、または修理するために使用される付加製造プロセスを制御するステップを含む、請求項１８に記載の方法。
24. 付加製造プロセスを制御するステップを含み、前記材料が、金属、半導体、誘電体、ガラス、セラミック、ポリマー、プラスチック、および複合物のうちの少なくとも一つを含む、請求項１８に記載の方法。
25. 前記材料改変プロセスにおいて融合、融合の欠如、または両方を検出するために一つまたは複数の補助光学センサをさらに設置する、請求項１８に記載の方法。
26. 前記材料改変プロセスが、焼結、溶接、ろう付け、およびそれらの組合せから選択される、請求項１に記載の装置。
27. 前記材料改変プロセスが、焼結、溶接、ろう付け、およびそれらの組合せから選択される、請求項１８に記載の方法。

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