JP7432599B2 - 電極構造体、液晶表示装置、投射型表示装置及び電極構造体の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、電極構造体、液晶表示装置、投射型表示装置及び電極構造体の製造方法に関する。

投射型表示装置に用いられる液晶表示装置には、光反射と液晶制御とを兼ねる画素電極を用いた反射型液晶表示装置が知られている。反射型液晶表示装置は、液晶の偏光を利用して入射した光の反射を画素電極によりオン・オフする。

反射型の液晶表示装置は、光の入射方向と反対側に配線等を設けることができ、透過型の液晶表示装置と比較して高解像度化に適していると言われている。また反射型の液晶表示装置は、透過型の液晶表示装置と比較して、偏光に必要な光路長を半分にでき、少ない駆動電圧で動作できる。

例えば、特許文献１には、反射型の液晶表示装置が記載されている。特許文献１には、光利用効率を高めるために、反射画素電極上に誘電体層の多層膜を設けることが記載されている。また反射型の液晶表示装置は、複数の画素電極を有する。複数の画素電極は、直上に位置する液晶をそれぞれ独立に制御するために、隙間を介して離間されている。複数の画素電極の間の隙間は、入射した光を反射できず、反射率の低下の原因となる。特許文献１では、複数の画素電極の間の隙間に、漏れ光を抑制するための遮光膜を設けている。

特開平４－３３８７２１号公報

反射型の液晶表示装置の反射率は、出力画像の輝度に大きな影響を及ぼす。反射型の液晶表示装置の反射率が向上すると、出力画像の画質が向上する。このため、液晶表示装置に入射した光の利用効率の更なる向上が求められている。

本開示は上記事情に鑑みてなされたものであり、光の利用効率を向上させることができる電極構造体、液晶表示装置、投射型表示装置及び電極構造体の製造方法を提供する。

本開示の第１の態様に係る電極構造体は、互いに離間して配置する複数の画素電極と、前記複数の画素電極に対して第１方向に積層された複数の誘電体層と、を備え、前記複数の誘電体層は、前記第１方向と交差する方向に前記複数の画素電極に亘って広がる第１誘電体層と、前記第１誘電体層より屈折率が高い誘電体材料を含み、前記複数の画素電極と共に前記第１誘電体層を挟み込むとともに、前記第１方向から見て隣接する画素電極間の隙間と重なる位置にスリットを有する第２誘電体層と、を有する。

［作用］
電極構造体に向って入射した光の一部は、第２誘電体層のスリットを通過する。第２誘電体層のスリットを通過した光は、第１誘電体層に入射する際に、光の入射方向から見て第２誘電体層の裏面側に向って回り込む。すなわち、第２誘電体層のスリットを通過した光は、第１誘電体層との境界で回折する。第２誘電体層のスリットは、複数の画素電極の間の隙間と重なる位置にある。回折現象により上記隙間に至る光の量が減少する。

第１実施形態にかかる投射型表示装置の模式図である。 第１実施形態にかかる液晶表示装置の平面図である。 第１実施形態にかかる液晶表示装置の断面図である。 第１実施形態にかかる電極構造体の断面図である。 第１実施形態にかかる電極構造体の第１の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態にかかる電極構造体の第１の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態にかかる電極構造体の第１の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態にかかる電極構造体の第２の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態にかかる電極構造体の第２の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態にかかる電極構造体の第３の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態にかかる電極構造体の第３の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態にかかる電極構造体の第３の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態にかかる電極構造体の第３の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態にかかる電極構造体の第３の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態にかかる電極構造体の第４の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態にかかる電極構造体の第４の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態にかかる電極構造体の第４の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態にかかる電極構造体の第６の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態にかかる電極構造体の第６の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態にかかる電極構造体の第６の製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態にかかる電極構造体の作用を説明するための断面図である。 第１変形例にかかる電極構造体の断面図である。 第２変形例にかかる電極構造体の断面図である。 第２実施形態にかかる電極構造体の断面図である。 第３実施形態にかかる電極構造体の断面図である。 第３変形例にかかる電極構造体の断面図である。 第４実施形態にかかる電極構造体の断面図である。 第４変形例にかかる電極構造体の断面図である。 第５変形例にかかる電極構造体の断面図である。 第５実施形態にかかる電極構造体の断面図である。 第６変形例にかかる電極構造体の断面図である。 第６実施形態にかかる電極構造体の断面図である。 第７実施形態にかかる液晶表示装置の平面図である。 第６変形例にかかる液晶表示装置の平面図である。 第８実施形態にかかる液晶表示装置の要部の平面図である。 第９実施形態にかかる液晶表示装置の平面図である。

以下、本実施形態について、図を適宜参照しながら詳細に説明する。以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本開示はそれらに限定されるものではなく、本開示の効果を奏する範囲で適宜変更して実施することが可能である。

以下の説明では、適宜、ｘ、ｙ、ｚの直交座標系を用いて説明する。ｘ方向は、後述する第２方向の一例である。ｙ方向は、後述する第３方向の一例である。ｚ方向は、後述する第１方向の一例である。各方向で＋、－を付けて、一方の方向とその反対の方向を示している。

［第１実施形態］
「投射型表示装置」
図１は、第１実施形態にかかる投射型表示装置３００の模式図である。投射型表示装置３００は、画像信号に基づき、光源から出力された光（照明光）をＲＧＢの色毎に変調して合成し、画像光を生成する。投射型表示装置３００は、例えば、プロジェクタ、ヘッドアップディスプレイのスクリーン部に画像を投影するもの等に用いられる。図１に示す投射型表示装置３００は、赤、青および緑の各色用の反射型の液晶表示装置２００Ｒ、２００Ｇ、２００Ｂを３枚用いてカラー画像表示を行う、いわゆる３板方式の反射型プロジェクタである。以下、赤、青および緑の３色の３板方式の反射型プロジェクタを例に説明するが、赤、青および緑のうちの２色を１つの液晶表示装置で制御する２板方式の反射型プロジェクタでもよいし、フィールドシークエンシャル方式等を利用し３色を一つの液晶表示装置で制御する単板方式の反射型プロジェクタでもよい。

投射型表示装置３００は、例えば、光軸Ｌに沿って光源３０１とインテグレータ３０２とダイクロイックミラー３０３（波長選択素子）とを、光の進む順に備える。光源３０１は、例えば、赤色光Ｒ、青色光Ｂおよび緑色光Ｇを含んだ白色光を発する。光源３０１は、例えば、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ等のランプ、半導体レーザ（ＬＤ）または発光ダイオード（ＬＥＤ）等の固体光源である。また光源３０１は、波長帯域ごとの光を別々に出射してもよい。インテグレータ３０２は、例えば、ＰＳコンバータ等を含む。インテグレータ３０２は、光源３０１からの光を均一化し、光の利用効率を高める。ダイクロイックミラー３０３は、例えば白色光を赤色光Ｒ、青色光Ｂおよび緑色光Ｇに分離する。

投射型表示装置３００は、赤色光Ｒおよび緑色光Ｇの光路上において、偏光ビームスプリッタ３０４と集光レンズ３０６とダイクロイックミラー３０８とを、光の進む順に有する。また投射型表示装置３００は、青色光Ｂの光路上において、偏光ビームスプリッタ３０５と集光レンズ３０７とを、光の進む順に有する。偏光ビームスプリッタ３０４，３０５は、入射光のうち所定偏光成分の光を選択的に反射する。ダイクロイックミラー３０８は、入射する赤色光Ｒと緑色光Ｇとを分離する。

偏光ビームスプリッタ３０４，３０５は、集光レンズ３０６と集光レンズ３０９Ｒ，３０９Ｇの間、及び、集光レンズ３０７と集光レンズ３０９Ｂの間に設けてもよい。この場合、図１に示す偏光ビームスプリッタ３０４，３０５の位置に、ミラーを配置する。

投射型表示装置３００は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂのそれぞれに分離された後の各光路上に、光の入射側から順に、例えば集光レンズ３０９Ｒ，３０９Ｇ，３０９Ｂと、偏光ビームスプリッタ３１０Ｒ，３１０Ｇ，３１０Ｂと、１／４波長板３１１Ｒ，３１１Ｇ，３１１Ｂと、液晶表示装置２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂとを有する。

偏光ビームスプリッタ３１０Ｒ，３１０Ｇ，３１０Ｂは、それぞれ偏光選択面を有する。偏光選択面は、例えば、入射する所定偏光成分（Ｓ偏光成分）の光を反射し、所定偏光成分（Ｐ偏光成分）の光を透過する。偏光ビームスプリッタ３１０Ｒ，３１０Ｇ，３１０Ｂに入射したＳ偏向成分は、偏向選択面で反射し、液晶表示装置２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂに至る。液晶表示装置２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂで反射したＰ偏向成分は、偏向選択面を透過し、画像表示用の光として出射される。ここではＳ偏向成分を液晶表示装置２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂに入射し、Ｐ偏向成分を画像表示用の光として出射する例を示したが、Ｐ偏向成分を液晶表示装置２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂに入射し、Ｓ偏向成分を画像表示用の光として出射してもよい。

１／４波長板３１１Ｒ，３１１Ｇ，３１１Ｂは、偏光ビームスプリッタ３１０Ｒ，３１０Ｇ，３１０Ｂと液晶表示装置２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂとの間に位置する。１／４波長板３１１Ｒ，３１１Ｇ，３１１Ｂは、通過する光の偏光状態を補正し、互いに直交する偏光成分の光に対してほぼ１／４波長の位相差を発生させる。

投射型表示装置３００は、液晶表示装置２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂからの反射光の各光路上に、例えば、クロスダイクロイックプリズム３１２と、投影レンズ３１３と、スクリーン３１４とを備えている。クロスダイクロイックプリズム３１２は、偏光ビームスプリッタ３１０Ｒ，３１０Ｇ，３１０Ｂによって選択された所定偏光成分の各色光を合成して出射する。クロスダイクロイックプリズム３１２は、例えば、３つの入射面と１つの出射面とを有する。

クロスダイクロイックプリズム３１２における光の入射面と、偏光ビームスプリッタ３１０Ｒ，３１０Ｇ，３１０Ｂにおける光の出射面との間には、スペーサ３１１Ｒ，３１１Ｇ，３１１Ｂを有してもよい。スペーサ３１１Ｒ，３１１Ｇ，３１１Ｂは、光学素子の温度変化等による応力歪みを抑制する。スペーサ３１１Ｒ，３１１Ｇ，３１１Ｂの位置には、偏光ビームスプリッタ又はダイクロイックプリズムを配置してもよい。偏光ビームスプリッタは、偏光漏れをカットする。ダイクロイックプリズムは、意図しない波長の光を反射する。

投影レンズ３１３は、クロスダイクロイックプリズム３１２の出射面とスクリーン３１４との間に位置する。投影レンズ３１３は、クロスダイクロイックプリズム３１２から出射された合成光を、スクリーン３１４に向けて投射する。

「液晶表示装置」
図２は、第１実施形態にかかる液晶表示装置２００の平面図である。液晶表示装置２００は、図１における液晶表示装置２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂの一例である。液晶表示装置２００は、画素領域Ｒｐと周辺領域Ｒｅとを有する。画素領域Ｒｐは、複数の画素Ｐｘが形成された領域である。画素領域Ｒｐは、例えば、画素Ｐｘがｘ方向に並んだ電極列Ｅｒをｙ方向に複数有する。周辺領域Ｒｅは、ｚ方向からの平面視で、画素領域Ｒｐを囲む領域である。周辺領域Ｒｅは、例えば、一つの周辺電極ＰＥを含む。

図３は、第１実施形態にかかる液晶表示装置２００の断面図である。図３は、液晶表示装置２００を図２におけるＡ－Ａ面に沿う切断面で切断した断面図である。液晶表示装置２００は、例えば、基板２１０と画素回路２２０と電極構造体１００と光制御部２３０とを有する。光制御部２３０は、画素回路２２０より偏光ビームスプリッタ３１０Ｒ，３１０Ｇ，３１０Ｂ（図１参照）の近くに位置する。光は、液晶表示装置２００に光制御部２３０側から入射する。

基板２１０は、例えば、半導体基板である。基板２１０は、例えば、シリコン基板である。基板２１０には、例えば、画素回路２２０を駆動する制御素子（例えば、トランジスタ）が設けられている。

画素回路２２０は、基板２１０と電極構造体１００との間に位置する。画素回路２２０は、光の入射方向に対して電極構造体１００の裏面に位置する。画素回路２２０を電極構造体１００の裏面に配置することで、画素回路２２０が入射光の進行を妨げるのを抑制できる。

画素回路２２０は、複数の配線２２１と複数のプラグ配線２２２と絶縁層２２３とを有する。配線２２１及びプラグ配線２２２は、絶縁層２２３の内部に設けられている。配線２２１は、ｘｙ面内に広がる。配線２２１は、ｚ方向に異なる階層に分けて、複数設けられている。配線２２１のｚ方向の階層の数は特に問わない。ある階層に位置する配線２２１は、例えば、隣り合う階層における配線間の隙間、又は、画素電極１０間の隙間Ｓｐとｚ方向に重なる位置に設けられる。当該構成により基板２１０に至る光を減らし、光の利用効率を高めることができる。プラグ配線２２２は、ｚ方向の異なる高さ位置にある配線２２１同士を接続する。配線２２１及びプラグ配線２２２は、導電性の高い材料を含み、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｌＣｕである。絶縁層２２３は、プラグ配線２２２を除き、複数の配線２２１の間を電気的に絶縁する。絶縁層２２３は、いわゆる層間絶縁膜であり、例えばＳｉＯ_２である。

光制御部２３０は、例えば、配向膜２３１，２３２と液晶層２３３と封止材２３４と共通電極２３５と対向基板２３６と偏光板２３７とを備える。

配向膜２３１，２３２は、液晶層２３３の液晶分子の配向状態を制御する。配向膜２３１，２３２は、例えば、ポリイミド膜である。配向膜２３１は、電極構造体１００に接する。

液晶層２３３は、２つの配向膜２３１，２３２に挟まれる。液晶層２３３の外周は、封止材２３４によって封止されている。液晶層２３３は、液晶分子を有する。液晶分子は、例えば、ＶＡ（Vertical Alignment）型、ＴＮ（Twisted Nematic）型、ＩＰＳ（In Plan Switching）型の液晶である。液晶分子は、画素電極１０と共通電極２３５との間の電位に応じて、向きが変化する。液晶層２３３の光の透過率は、液晶分子の向きに応じて変化し、画像が形成される。画素電極１０とｚ方向に重なる部分が一つの画素Ｐｘとなる。

共通電極２３５は、画素電極１０と共に液晶層２３３を挟む。共通電極２３５は、周辺領域Ｒｅに形成された周辺電極ＰＥと電気的に接続され、等電位となる。共通電極２３５は、例えば、可視光を透過する。共通電極２３５は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）である。

対向基板２３６は、例えば、石英、ガラス、シリコン等の光透過性を有する透明基板である。対向基板２３６は、共通電極２３５の＋ｚ方向に位置する。対向基板２３６は、共通電極２３５等を外部から保護する。偏光板２３７は、例えば、ヨウ素化合物分子が吸着配向したポリビニルアルコール（ＰＶＡ）である。

「電極構造体」
図４は、第１実施形態にかかる電極構造体１００の断面図である。図４は、図３における電極構造体１００の近傍を拡大した断面図である。電極構造体１００は、複数の画素電極１０と、複数の誘電体層２０とを備える。

複数の画素電極１０は、画素Ｐｘのそれぞれに設けられる。複数の画素電極１０は、画素領域Ｒｐ内に位置する。複数の画素電極１０は、互いに離間している。隣接する画素電極１０の間には隙間Ｓｐが形成されている。隙間Ｓｐは、ｚ方向から見て、画素電極１０の各辺に沿ってｘ方向及びｙ方向に延びる。複数の画素電極１０は、隙間Ｓｐを挟んで、ｘ方向及びｙ方向に配列する。複数の画素電極１０は、画素電極１０が隙間Ｓｐを挟んでｘ方向に並んだ電極列Ｅｒをｙ方向に複数有する。

図２における各電極列Ｅｒは、それぞれの画素電極１０及び隙間Ｓｐのｘ方向の位置が互いに一致している。すなわち、一つの画素電極１０のｙ方向の位置には隣の電極列Ｅｒの画素電極１０が位置し、一つの隙間Ｓｐのｙ方向の位置には隣の電極列Ｅｒの隙間Ｓｐが位置する。図２に示す画素電極１０は、平面視で略矩形であり、一辺の長さは例えば数μｍである。隙間Ｓｐの幅は例えば数百ｎｍである。隙間Ｓｐの幅は狭いほど好ましいが、加工が難しくなる。

画素電極１０は、例えば、第１導電膜１１と第２導電膜１２とを有する。第１導電膜１１は、例えば、Ｔｉ、ＴｉＮである。第１導電膜１１は、プラグ配線２２２と第２導電膜１２との間に位置する。第１導電膜１１は、第２導電膜１２の結晶性を高める。第１導電膜１１は、バリアメタルと呼ばれる場合がある。第１導電膜１１の厚みは、２０ｎｍ以上であることが好ましい。第１導電膜１１が十分な厚みを有すると、第２導電膜１２の結晶性が向上する。一方で、第１導電膜１１の結晶性が良好な場合は、第１導電膜１１の厚みが２０ｎｍ未満でも、第２導電膜１２の結晶性が高まる。第１導電膜１１の結晶性は、例えばイオンメタルプラズマ法、ロングスロー法等の成膜方法で、第１導電膜１１を成膜することで高めることができる。

第２導電膜１２は、例えばＡｌ金属又はＡｌ合金であり、具体例としてＡｌＣｕ合金である。第１導電膜１１により第２導電膜１２の結晶性が高まると、第２導電膜１２の第１面１２ａの平坦性が高まり、反射率が向上する。第２導電膜１２の厚みは、例えば、７０ｎｍ以上である。第１導電膜１１及び第２導電膜１２のｘ方向及びｙ方向の端部は、ｚ方向に対して傾斜してもよい。

複数の誘電体層２０は、例えば、第１誘電体層２１と第２誘電体層２２と第３誘電体層２３とを有する。第１誘電体層２１は、ｘｙ面内に複数の画素電極１０に亘って広がり、画素電極１０の間の隙間Ｓｐにも存在する。第１誘電体層２１は、例えば可視光の屈折率が１．４５以下であり、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）である。

第２誘電体層２２は、複数の画素電極１０と共に第１誘電体層２１を挟む。第２誘電体層２２は、ｚ方向から見て複数の画素電極１０の間の隙間Ｓｐと重なる位置に、スリット２２Ａを有する。スリット２２Ａは、ｚ方向から見て、画素電極１０の各辺に沿ってｘ方向及びｙ方向に延びる。第２誘電体層２２は、例えば、スリット２２Ａによって区分された複数の誘電体層からなる。スリット２２Ａの幅は、例えば、数百ｎｍである。スリット２２Ａの幅は、例えば、入射光の波長によって変えてもよい。図１に示す複数の液晶表示装置２００Ｒ、２００Ｇ、２００Ｂにおいて、それぞれの液晶表示装置２００Ｒ、２００Ｇ、２００Ｂにおけるスリット２２Ａの幅は、それぞれ異なってもよい。スリット２２Ａを形成する第２誘電体層２２の側面は、ｚ方向に対して傾斜してもよい。

第２誘電体層２２は、第１誘電体層２１より屈折率が高い誘電体材料を含む。第２誘電体層２２は、第１誘電体層２１より屈折率が高い誘電体材料からなるものとすることができる。第２誘電体層２２と第１誘電体層２１との屈折率差は、例えば０．４５以上であることが好ましい。第２誘電体層２２は、例えば可視光の屈折率が１．４５より大きく、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮ）、五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）、酸化ニオブ（ＮｂＯ、ＮｂＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）である。画素電極１０における反射に加え、第２誘電体層２２と第１誘電体層２１との界面における反射が加わることで、電極構造体１００の反射率が向上する。

第３誘電体層２３は、スリット２２Ａを臨む第２誘電体層２２の側面２２ｓに接する。第３誘電体層２３は、少なくともスリット２２Ａの一部を埋める。第３誘電体層２３は、例えば、スリット２２Ａに埋め込まれている。第３誘電体層２３は、第２誘電体層２２より屈折率が低い誘電体材料を含む。第３誘電体層２３は、第２誘電体層２２より屈折率が低い誘電体材料からなるものとすることができる。第３誘電体層２３は、例えば可視光の屈折率が１．４５以下であり、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）である。第３誘電体層２３は、例えば、第１誘電体層２１と同様の材料からなる。第３誘電体層２３と第１誘電体層２１とが同一の材料からなる場合は、第１誘電体層２１と第３誘電体層との間に明確な界面を確認することは難しい。

第１誘電体層２１、第２誘電体層２２及び第３誘電体層２３の厚みは、入射する光の波長によって設計される。図１に示す複数の液晶表示装置２００Ｒ、２００Ｇ、２００Ｂにおいて、それぞれの液晶表示装置２００Ｒ、２００Ｇ、２００Ｂにおける第１誘電体層２１、第２誘電体層２２及び第３誘電体層２３の厚みは、それぞれ異なってもよい。

「電極構造体の製造方法」
次いで、投射型表示装置３００のうち電極構造体１００の製造方法について説明する。電極構造体１００以外の液晶表示装置２００の各部分等は、公知の製造方法で作製できる。

まず図５から図７を用いて、電極構造体１００の第１の製造方法について説明する。第１の製造方法は、導電層と、第１誘電体層と、第１誘電体層より屈折率が高い誘電体材料を含む第２誘電体層とを順に成膜する工程と、導電層、第１誘電体層及び第２誘電体層のうち、少なくとも第２誘電体層を貫通する貫通孔を形成する工程と、貫通孔内に第３誘電体層を充填する工程と、を有する。

第１の製造方法では、まず図５に示すように、導電層９１、導電層９２、誘電体層９３、誘電体層９４を順に成膜する。誘電体層９３は第１誘電体層の一例であり、誘電体層９４は第２誘電体層の一例である。各層は、例えば、スパッタリング法で積層する。導電層９１は、画素電極１０の第１導電膜１１になる層である。導電層９２は、画素電極１０の第２導電膜１２になる層である。誘電体層９３は、第１誘電体層２１の一部となる層である。誘電体層９４は、第２誘電体層２２となる層である。導電層９１、導電層９２、誘電体層９３、誘電体層９４のそれぞれを構成する材料及び膜厚は、上述する製造後の構成に合わせて適宜選択される。

次いで、誘電体層９４の一部に所定パターンのレジスト９５を形成する。レジスト９５と誘電体層９４との間に反射防止膜（ＢＡＲＣ）を形成してもよい。次いで、レジスト９５をマスクとして、導電層９１、導電層９２、誘電体層９３、誘電体層９４を加工し、導電層９１、導電層９２、誘電体層９３及び誘電体層９４に亘るホールＨを形成する。加工に用いるマスクは、レジストを用い、フォトリソグラフィー等の方法でパターニングを行う。この時、リソグラフィー工程で用いる遮光用のマスクは、例えば、バイナリーマスク、ハーフトーンマスクである。被加工物上にレジストパターンを転写したのち、異方性ドライエッチング方法を用いて、被加工物である誘電体層及び導電層の加工を行う。図６に示すように、導電層９１，９２はこの加工によって画素電極１０となり、また、誘電体層９４は加工により第２誘電体層２２となる。ホールＨの一部は、画素電極１０の間の隙間Ｓｐであり、第２誘電体層２２のスリット２２Ａである。反射防止膜（ＢＡＲＣ）やハーフトーンマスクを用いると、画素電極１０間の隙間Ｓｐを狭くできる。

次いで、図７に示すように、誘電体層９６を成膜し、ホールＨを埋める。誘電体層９６は、例えば、高密度プラズマ（ＨＤＰ）を用いて形成する。誘電体層９６は、第２誘電体層２２より屈折率が低い誘電体層材料からなる。誘電体層９６の一部は、第１誘電体層２１の一部及び第３誘電体層２３を構成する。第１の製造方法では、第１誘電体層２１と第３誘電体層２３とを同時に形成し、これらは一体化する。

最後に、誘電体層９６のうち第２誘電体層２２より＋ｚ方向に位置する部分を除去する。誘電体層９６の除去は、例えば、化学機械研磨（ＣＭＰ）を用いて行う。例えば、第２誘電体層２２がＳｉＮであり、誘電体層９６がＳｉＯ_２の場合、ＣＭＰを行う条件としてＳｉＯ_２の加工選択比をＳｉＮの加工選択比より高く設定する。例えば、スラリーとしてシリカスラリー、セリアスラリーを用いる。このような条件で加工を行うと、第２誘電体層２２がＣＭＰのストッパ膜として機能する。第３誘電体層２３の＋ｚ方向の一面は、第２誘電体層２２の＋ｚ方向の一面より凹んでもよい。誘電体層９６の一部を除去することで電極構造体１００が得られる。

次いで、第２の製造方法の説明をする。第２の製造方法は、第１の製造方法における成膜工程において、誘電体層９４の誘電体層９３と反対側の面に、犠牲層８１をさらに成膜している点が異なる。まず、図８に示すように、導電層９１、導電層９２、誘電体層９３、誘電体層９４、犠牲層８１を順に成膜する。犠牲膜８１は、製造過程で除去される。犠牲層８１は、例えば、第３誘電体層２３と同じ材料を含む。犠牲層８１は、例えば酸化シリコンである。犠牲層８１は、例えば、エッチングにより除去可能である。

次いで、誘電体層９４の一部に所定パターンのレジスト９５を形成する。次いで、第１の製造方法と同様に、レジスト９５をマスクとして、導電層９１、導電層９２、誘電体層９３、誘電体層９４及び犠牲層８１に亘るホールＨ１を形成する。導電層９１，９２はこの加工によって画素電極１０となり、また、誘電体層９４は加工により第２誘電体層２２となる。ホールＨ１は、例えば、画素電極１０に近づくにつれて縮径する。例えば、犠牲層８１の＋ｚ方向の表面位置におけるホールＨ１の幅ｗ１は、第２誘電体層２２の＋ｚ方向の表面位置におけるホールＨ１の幅ｗ２より広い。第２誘電体層２２の＋ｚ方向の表面位置におけるホールＨ１の幅ｗ２は、画素電極１０の＋ｚ方向の表面位置におけるホールＨ１の幅ｗ３より広い。画素電極１０の＋ｚ方向の表面位置におけるホールＨ１の幅ｗ３は、画素電極１０間の隙間Ｓｐの最大幅である。犠牲層８１を積層した後にホールＨ１を形成することで、画素電極１０間の隙間Ｓｐが狭くなる。

最後に、犠牲層８１及びレジスト９５を除去し、隙間Ｓｐを第３誘電体層２３で埋めることで、電極構造体１００が形成される。

次いで、第３の製造方法の説明をする。第３の製造方法は、導電層と第１誘電体層とを順に成膜する工程と、導電層及び第１誘電体層に貫通孔を形成し、画素電極を形成する工程と、画素電極間を誘電体で埋める工程と、第１誘電体層より屈折率が高い誘電体材料を含む第２誘電体層を第１誘電体層に亘って積層する工程と、第２誘電体層に開口を形成する工程と、開口を第３誘電体層で埋める工程とを有する。

まず図１０に示すように、導電層９１、導電層９２、誘電体層９３を順に成膜する。誘電体層９４が積層されていない点が、図５に示す第１の製造方法と異なる。

次いで、誘電体層９３の一部に所定パターンのレジスト９５を形成する。次いで、第１の製造方法と同様に、レジスト９５をマスクとして、導電層９１、導電層９２及び誘電体層９３に亘るホールＨ２を形成する。導電層９１，９２はこの加工によって画素電極１０となる。

次いで、図１２に示すように、誘電体層９６を成膜し、ホールＨ２を埋める。誘電体層９６の一部は、第１誘電体層２１の一部となる。そして、誘電体層９６のうち第１誘電体層２１より＋ｚ方向に位置する部分を除去する。誘電体層９６の除去は、例えば、化学機械研磨（ＣＭＰ）を用いて行う。ＣＭＰ研磨により、まず電極構造体１００の画素電極１０及び第１誘電体層２１が形成される。

次いで、図１３に示すように、第１誘電体層２１の一面に誘電体層９４を積層し、誘電体層９４の一部に所定パターンのレジスト９５を形成する。レジスト９５をマスクとして、誘電体層９４を加工する。誘電体層９４は、加工により第２誘電体層２２となる。

最後に、第２誘電体層２２に亘って、誘電体層８２を積層する。誘電体層８２は、第２誘電体層２２より屈折率が低い誘電体層材料からなる。誘電体層８２は、例えば、第３誘電体層２３と同様の材料からなる。そして、誘電体層８２のうち第２誘電体層２２より＋ｚ方向に位置する部分を除去する。誘電体層８２の一部を除去することにより、電極構造体１００が形成される。誘電体層８２の除去は、例えば、化学機械研磨（ＣＭＰ）を用いて行う。なお、誘電体層８２の一部を除去せずに、誘電体層８２を第３誘電体層２３として扱うと、後述する電極構造体１００Ａとなる。

次いで、第４の製造方法の説明をする。第４の製造方法は、導電層と犠牲層とを積層する工程と、導電層及び犠牲層に貫通孔を形成し、貫通孔を誘電体で埋める工程と、犠牲層を除去し、第１誘電体層及び第２誘電体層を積層する工程と、第２誘電体層に開口を形成する工程と、開口を第３誘電体層で埋める工程とを有する。

図１５は、第４の製造方法の途中を示す図である。第４の製造方法は、誘電体層９３に代えて犠牲層８１を用いている点以外は、第３の製造方法の図１０から図１２に示す工程と同じである。

次いで、誘電体層９６のうち犠牲層８１より＋ｚ方向に位置する部分を除去する。誘電体層９６の除去は、例えば、化学機械研磨（ＣＭＰ）を用いて行う。その後、犠牲層８１を除去することで、図１６に示すように画素電極１０が露出する。

次いで、図１７に示すように、残存した誘電体層９６及び画素電極１０に亘って、誘電体層９３及び誘電体層９４を順に積層する。誘電体層９３と誘電体層９６で第１誘電体層２１となる。誘電体層９４の一部には、所定パターンのレジスト９５を形成する。レジスト９５を介して誘電体層９４に開口を形成することで、誘電体層９４は第２誘電体層２２となる。開口を第３誘電体層２３で埋めることで、電極構造体１００が形成される。

次いで、第５の製造方法の説明をする。第５の製造方法は、導電層に貫通孔を形成し、画素電極を形成する工程と、画素電極間を誘電体で埋める工程と、第１誘電体層及び第１誘電体層より屈折率が高い誘電体材料を含む第２誘電体層を画素電極に亘って積層する工程と、第２誘電体層に開口を形成する工程と、開口を第３誘電体層で埋める工程とを有する。

第５の製造方法は、第３の製造方法と図１０から図１２に示す工程までは同じである。第３の製造方法では、誘電体層９６のうち第１誘電体層２１より＋ｚ方向に位置する部分を除去していたが、第５の製造方法では誘電体層９６及び第１誘電体層２１を除去し、画素電極１０を露出させる。

画素電極１０を露出させた後の工程は、第４の製造方法と同じである。図１７に示すように、残存した誘電体層９６及び画素電極１０に亘って、誘電体層９３及び誘電体層９４を順に積層する。誘電体層９３と誘電体層９６で第１誘電体層２１となる。誘電体層９４の一部には、所定パターンのレジスト９５を形成する。レジスト９５を介して誘電体層９４に開口を形成することで、誘電体層９４は第２誘電体層２２となる。開口を第３誘電体層２３で埋めることで、電極構造体１００が形成される。

次いで、図１８から図２０を用いて、電極構造体１００の第６の製造方法について説明する。第６の製造方法は、絶縁層を成膜し、絶縁層に凹部を形成する工程と、凹部に導電体を充填する工程と、絶縁層及び導電体上に、第１誘電体層、第２誘電体層を順に積層する工程と、第２誘電体層にスリットを形成する工程と、スリット内に第３誘電体層を充填する工程と、を有する。

まず図１８に示すように、プラグ配線２２２が形成された絶縁層９７を形成し、絶縁層９７の一部に凹部９７Ａを形成する。絶縁層９７の一部は、画素回路２２０の絶縁層２２３の一部となる（図３参照）。凹部９７Ａは、絶縁層９７の一部に所定パターンのレジスト９８を形成し、レジスト９８をマスクとして加工することで形成される。凹部９７Ａは、例えば、フォトリソグラフィー等により形成される。

次いで、レジスト９８を剥離する。そして、絶縁層９７及びプラグ配線２２２の一面に、導電層を２層積層する。導電層は、絶縁層９７及びプラグ配線２２２の表面に沿って形成される。そして、積層された導電層を絶縁層９７の一部が露出するまで除去する。導電層の加工は、例えばＣＭＰで行う。２つの導電層はそれぞれ、第１導電膜１６と第２導電膜１７となる。第１導電膜１６及び第２導電膜１７は、画素電極１５を形成する。画素電極１５は、第１導電膜１６及び第２導電膜１７の形状以外は、図４に示す画素電極１０と同じである。そして、図１９に示すように、画素電極１５及び絶縁層９７の一部の上に、第１誘電体層２１及び誘電体層９９を順に積層する。

次いで、図２０に示すように、誘電体層９９の一部にスリット９９Ａを設け、スリット９９Ａを第３誘電体層２３で埋める。誘電体層９９は、スリット９９Ａが形成され、第２誘電体層２２となる。第６の製造方法では、第１誘電体層２１と第３誘電体層２３とは、別々に形成される。

上述のように、第１の製造方法から第６の製造方法によれば、電極構造体１００を作製することができる。ただし、電極構造体１００の製造方法は、上記例に限定されない。

「電極構造体の作用」
図２１は、第１実施形態にかかる電極構造体１００の作用を説明するための断面図である。光Ｌ１Ａ、Ｌ１Ｂは、＋ｚ方向から－ｚ方向に向かって電極構造体１００に入射する。

まず画素電極１０とｚ方向に重なる位置に入射した光Ｌ１Ａの挙動について説明する。光Ｌ１Ａは、第２誘電体層２２の表面、第１誘電体層２１と第２誘電体層２２との界面及び画素電極１０の表面で反射する。画素電極１０は光をほとんど透過しないため、多くの光は反射される。つまり、電極構造体１００における光Ｌ１Ａの利用効率は高い。

次いで、画素電極１０とｚ方向に重ならない位置（隙間Ｓｐと重なる位置）に入射した光Ｌ１Ｂの挙動について説明する。電極構造体１００は、第２誘電体層２２にスリット２２Ａを有する。スリット２２Ａは、例えば、第３誘電体層２３で埋められている。スリット２２Ａの内部（第３誘電体層２３）の媒質と、第２誘電体層２２の媒質とは異なる。光Ｌ１Ｂは、スリット２２Ａを通過した後に、回折する。回折により光Ｌ１Ｂの一部は、回折光Ｌ２として画素電極１０側に向かう。光Ｌ１Ｂの一部が回折して回折光Ｌ２となることで、画素電極１０の間の隙間Ｓｐに向かう光Ｌ３が抑制される。回折光Ｌ２は、画素電極１０の表面で反射され、光Ｌ４となる。一方で、光Ｌ３は、隙間Ｓｐを介して画素回路２２０（図３参照）に向かう。光Ｌ３は、液晶層２３３側には戻らない。

第２誘電体層２２がスリット２２Ａを有さない場合、回折現象は生じない。したがって、光Ｌ１Ｂの多くは、光Ｌ３となり利用できない。これに対し、第１実施形態にかかる電極構造体１００はスリット２２Ａを有することで、光Ｌ１Ｂの一部が回折光Ｌ２として回折し、光Ｌ４として利用できる。したがって、第１実施形態にかかる電極構造体１００は、反射率を向上させることができ、光の利用効率を高めることができる。

第１実施形態の具体的な例について詳述した。第１実施形態は、この例に限定されるものではなく、請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

図２２は、第１変形例に係る電極構造体１００Ａの断面図である。図２２に示す電極構造体１００Ａは、第３誘電体層２３が第２誘電体層２２に亘って広がり、スリット２２Ａの全てを埋めずに一部を埋めている点が、電極構造体１００と異なる。電極構造体１００と同様の構成については、同様の符号を付し、説明を省く。

第３誘電体層２３は、第２誘電体層２２の表面に沿って形成されている。第３誘電体層２３の表面は、スリット２２Ａが形成された第２誘電体層２２の表面の形状を反映している。第３誘電体層２３は、スリット２２Ａと重なる部分に、開口２３Ａを有する。第３誘電体層２３は、第２誘電体層２２より屈折率が低い。第３誘電体層２３は、例えば、酸化シリコン等の無機の配向膜でもよい。

スリット２２Ａの内部（第３誘電体層２３）の媒質と、第２誘電体層２２の媒質とは異なる。また開口２３Ａの内部の媒質と、第３誘電体層２３の媒質とは異なる。そのため開口２３Ａ及びスリット２２Ａを通過した光は回折する。したがって、第１変形例にかかる電極構造体１００Ａにおいても、反射率を向上させることができ、光の利用効率を高めることができる。

また図２３は、第２変形例に係る電極構造体１００Ｂの断面図である。図２３に示す電極構造体１００Ｂは、スリット２２Ａが完全に埋まっている点が、第１変形例に係る電極構造体１００Ａと異なる。電極構造体１００Ａと同様の構成については、同様の符号を付し、説明を省く。

第３誘電体層２３は、第２誘電体層２２に亘って形成されている。第３誘電体層２３は、スリット２２Ａを埋めている。第３誘電体層２３は、第２誘電体層２２より屈折率が低い。第３誘電体層２３は、例えば、ポリイミド等の無機の配向膜でもよい。ポリイミド等の樹脂組成物は、硬化前は粘性があり、スリット２２Ａが埋まる。

スリット２２Ａの内部（第３誘電体層２３）の媒質と、第２誘電体層２２の媒質とは異なる。したがって、第２変形例にかかる電極構造体１００Ｂにおいても、反射率を向上させることができ、光の利用効率を高めることができる。

［第２実施形態］
図２４は、第２実施形態にかかる電極構造体１０１の断面図である。第２実施形態にかかる電極構造体１０１は第４誘電体層２４をさらに有する点が、第１実施形態にかかる電極構造体１００と異なる。その他の構成は同一であり、同一の構成には同一の符号を付し、説明を省く。

第４誘電体層２４は、第２誘電体層２２及び第３誘電体層２３の第１誘電体層２１から遠い側の第１面２２ａ，２３ａに亘って広がる。第４誘電体層２４は、例えば、第２誘電体層２２より屈折率が高い誘電体材料からなる。第４誘電体層２４は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮ）、五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）、酸化ニオブ（ＮｂＯ、ＮｂＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）である。第４誘電体層２４と第１誘電体層２１との屈折率差は、例えば０．７０以上であることが好ましい。

電極構造体１０１は、第２誘電体層２２がスリット２２Ａを有する。電極構造体１０１の画素電極１０とｚ方向に重ならない位置（隙間Ｓｐと重なる位置）に入射した光Ｌ１Ｂの一部は、回折光Ｌ２’となる。したがって、電極構造体１０１は、第１実施形態にかかる電極構造体１００と同様に、反射率を向上させることができる。

また電極構造体１０１は、波長ごとの反射強度の違いを抑制することができる。回折光Ｌ２’の回折角は、波長ごとに異なる。例えば波長の大きな光は、波長の小さな光より回折角が大きい。回折光Ｌ２’が画素電極１０の表面に入射する位置は、波長ごとに異なり、画素電極１０で反射される光Ｌ４’の角度も波長ごとに異なる。その結果、例えば、ｚ方向からある角度だけ傾いた位置では赤色光の強度が強くなり、異なる角度だけ傾いた位置では青色光の強度が強くなる場合がある。波長ごと反射角の違いは、出力される画像の色むらの原因となりえる。

電極構造体１０１は、第２誘電体層２２より屈折率が高い誘電体材料を含む第４誘電体層２４を有する。光Ｌ１Ｂは、回折点に至るまでに、第４誘電体層２４の表面、第４誘電体層２４と第３誘電体層２３の界面で反射される。すなわち、第４誘電体層２４を設けると、光Ｌ１Ｂが反射する反射界面が増加する。反射界面が増加すると、回折点に至る光量が減少し、回折光Ｌ２’の強度が低下する。回折光Ｌ２’の割合が減少すると、電極構造体１０１全体から反射する反射光全体における光Ｌ４’の比率が小さくなる。光Ｌ４’は、波長ごとに強度の違いを有し、色むらの原因である。反射光における光Ｌ４’の比率が小さくなることで、波長ごとの反射強度の違いを抑制できる。

ここで回折光Ｌ２’の強度の減少は、回折点に至る光量が減少したためであって、回折光Ｌ２’と光Ｌ３’との割合が変化したわけではない。すなわち、回折光Ｌ２’の強度が減少しても、光Ｌ３’の強度が強くなるわけではない。したがって、電極構造体１０１の光の利用効率が低下するわけではない。

［第３実施形態］
図２５は、第３実施形態にかかる電極構造体１０２の断面図である。第３実施形態にかかる電極構造体１０２は複数の誘電体層３０の構成が、第１実施形態にかかる電極構造体１００と異なる。その他の構成は同一であり、同一の構成には同一の符号を付し、説明を省く。

電極構造体１０２は、画素電極１０と複数の誘電体層３０とを有する。複数の誘電体層３０は、複数の第１誘電体層３１と複数の第２誘電体層３２と複数の第３誘電体層３３とを有する。第１誘電体層３１は、ｘｙ面内に広がる。第２誘電体層３２は、スリット３２Ａを有し、ｘｙ面内に広がる。第１誘電体層３１と第２誘電体層３２とは、ｚ方向に交互に積層されている。第３誘電体層３３は、それぞれ、第２誘電体層３２のスリット３２Ａを埋める。第１誘電体層３１、第２誘電体層３２及び第３誘電体層３３のそれぞれの材料、屈折率等は、第１実施形態にかかる第１誘電体層２１、第２誘電体層２２及び第３誘電体層２３のそれぞれと同様である。

電極構造体１０２は、第２誘電体層３２がスリット３２Ａを有する。スリット３２Ａは、画素電極１０とｚ方向に重ならない位置（隙間Ｓｐと重なる位置）に入射した光の一部を回折する。したがって、電極構造体１０２は、第１実施形態にかかる電極構造体１００と同様に、反射率を向上させることができる。

また電極構造体１０２は、ｚ方向の異なる高さ位置に複数のスリット３２Ａを有する。光は、スリット３２Ａを通過した後に回折する。第３実施形態にかかる電極構造体１０２は、第１実施形態にかかる電極構造体１００より回折する箇所が多い。したがって、電極構造体１０２は、入射した光のうち画素電極１０の間の隙間Ｓｐに向かう光をより抑制することができ、光の利用効率をさらに高めることができる。

第３実施形態の具体的な例について詳述した。第３実施形態は、この例に限定されるものではなく、請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

図２６は、第３変形例に係る電極構造体１０２Ａの断面図である。図２６に示す電極構造体１０２Ａは、第２誘電体層３２に亘って第４誘電体層３４を有する点が、電極構造体１０２と異なる。電極構造体１０２Ａは、第２実施形態に係る電極構造体１０１の特徴と第３実施形態に係る電極構造体１０２の特徴とを組み合わせたものである。

第４誘電体層３４は、複数の第２誘電体層３２のうち最も＋ｚ方向に位置する第２誘電体層３２に亘って形成されている。第４誘電体層３４は、第２実施形態にかかる第４誘電体層２４と同様である。第４誘電体層３４は、図２６に示す例に限られず、複数の第２誘電体層３２のうち他の第２誘電体層３２に亘って形成されていてもよい。すなわち、電極構造体１０と重なる位置において、第１誘電体層３１、第２誘電体層３２、第４誘電体層３４、第１誘電体層３１、第２誘電体層３２の順に積層されていてもよい。

電極構造体１０２Ａは、電極構造体１０２と同様に、ｚ方向の異なる高さ位置に複数のスリット３２Ａを有する。光は、スリット３２Ａを通過した後に回折する。したがって、電極構造体１０２Ａは、入射した光のうち画素電極１０の間の隙間Ｓｐに向かう光をより抑制することができ、光の利用効率をさらに高めることができる。

［第４実施形態］
図２７は、第４実施形態にかかる電極構造体１０３の断面図である。第４実施形態にかかる電極構造体１０３は複数の誘電体層４０の構成が、第１実施形態にかかる電極構造体１００と異なる。その他の構成は同一であり、同一の構成には同一の符号を付し、説明を省く。

電極構造体１０３は、画素電極１０と複数の誘電体層４０とを有する。複数の誘電体層４０は、第１誘電体層４１と第２誘電体層４２と第３誘電体層４３とを有する。

第１誘電体層４１は、ｘｙ面内に広がる。第１誘電体層４１は、隙間Ｓｐとｚ方向に重なる位置に凹部４１ａを有する。凹部４１ａは、第１誘電体層４１と第２誘電体層４２との境界に沿った境界面Ｂｓから－ｚ方向に凹む。

第２誘電体層４２は、ｚ方向から見て画素電極１０と重なる本体部４２Ｘと、突出部４２Ｙと、を有する。突出部４２Ｙは、本体部４２Ｘのスリット４２Ａを臨む第２誘電体層４２の側面側に位置する。突出部４２Ｙは、ｚ方向から見て、隙間Ｓｐを臨む画素電極１０の側面１０ａに対してスリット４２Ａ側に突き出る部分である。突出部４２Ｙは、ｚ方向からの平面視で、画素電極１０の側面１０ａからｘ方向又はｙ方向にはみ出している。また突出部４２Ｙは、突出本体部４２Ｙａと延在部４２Ｙｂとを有する。突出本体部４２Ｙａは、本体部４２Ｘとｚ方向に同じ高さ位置にある。延在部４２Ｙｂは、第１誘電体層４１と第２誘電体層４２との界面Ｂｓから－ｚ方向に突出する。延在部４２Ｙｂは、第１誘電体層４１の凹部４１ａに配置する。延在部４２Ｙｂの下端は、画素電極１０の表面１０Ａ（１２ａ）より＋ｚ方向の位置にある。

第３誘電体層４３は、第２誘電体層４２のスリット４２Ａを埋める。第１誘電体層４１、第２誘電体層４２及び第３誘電体層４３のそれぞれの材料、屈折率等は、第１実施形態にかかる第１誘電体層２１、第２誘電体層２２及び第３誘電体層２３のそれぞれと同様である。第３誘電体層４３は、例えば、酸化シリコン等の無機の配向膜、ポリイミド等の有機の配向膜等でもよい。

電極構造体１０３は、第２誘電体層４２がスリット４２Ａを有する。スリット４２Ａは、画素電極１０とｚ方向に重ならない位置（隙間Ｓｐと重なる位置）に入射した光の一部を回折する。したがって、電極構造体１０３は、第１実施形態にかかる電極構造体１００と同様に、反射率を向上させることができる。

また電極構造体１０３は、突出部４２Ｙを有する。突出部４２Ｙは、回折を増加させる。また突出部４２Ｙは、延在部４２Ｙｂを有する。延在部４２Ｙｂも回折を増加させる。したがって、電極構造体１０３は、入射した光のうち画素電極１０の間の隙間Ｓｐに向かう光をより抑制することができ、光の利用効率をさらに高めることができる。

第４実施形態の具体的な例について詳述した。第４実施形態は、この例に限定されるものではなく、請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

図２８は、第４変形例に係る電極構造体１０３Ａの断面図である。図２８に示す電極構造体１０３Ａは、第３誘電体層４３が第２誘電体層４２に亘って広がっている点が、電極構造体１０３と異なる。電極構造体１０３と同様の構成については、同様の符号を付し、説明を省く。

第３誘電体層４３は、第２誘電体層４２の表面に沿って形成されている。第３誘電体層４３の表面は、スリット４２Ａが形成された第２誘電体層４２の表面の形状を反映している。第３誘電体層４３は、スリット４２Ａと重なる部分に、開口４３Ａを有する。

電極構造体１０３Ａは、電極構造体１０３と同様の効果を奏し、反射率を向上させることができる。電極構造体１０３Ａは、第４実施形態に係る電極構造体１０３の特徴と第１変形例に係る電極構造体１００Ａの特徴とを組み合わせたものである。

また図２９は、第５変形例に係る電極構造体１０３Ｂの断面図である。図２９に示す電極構造体１０３Ｂは、第３誘電体層４３が開口４３Ａを有さない点が、第５変形例に係る電極構造体１０３Ａと異なる。電極構造体１０３Ａと同様の構成については、同様の符号を付し、説明を省く。

第３誘電体層４３は、第２誘電体層４２に亘って形成されている。第３誘電体層４３の＋ｚ方向の表面は、スリット４２Ａが形成された第２誘電体層４２の表面の形状によらず平坦化している。第４誘電体層４３は、例えば、ポリイミド等の無機の配向膜でもよい。ポリイミド等の樹脂組成物は、硬化前は粘性があり開口４３Ａが埋まる。

電極構造体１０３Ｂは、電極構造体１０３と同様の効果を奏し、反射率を向上させることができる。電極構造体１０３Ｂは、第４実施形態に係る電極構造体１０３の特徴と第２変形例に係る電極構造体１００Ｂの特徴とを組み合わせたものである。

［第５実施形態］
図３０は、第５実施形態にかかる電極構造体１０４の断面図である。第５実施形態にかかる電極構造体１０４は複数の誘電体層５０の構成が、第１実施形態にかかる電極構造体１００と異なる。その他の構成は同一であり、同一の構成には同一の符号を付し、説明を省く。

電極構造体１０４は、画素電極１０と複数の誘電体層５０とを有する。複数の誘電体層５０は、第１誘電体層５１と第２誘電体層５２と第３誘電体層５３と第５誘電体層５５とを有する。

第１誘電体層５１は、ｘｙ面内に広がる。第２誘電体層５２は、スリット５２Ａを有し、ｘｙ面内に広がる。第３誘電体層５３は、スリット５２Ａが形成された第２誘電体層５２の側面５２ｓに接する。第３誘電体層５３は、例えば、スリット５２Ａの一部を埋める。第１誘電体層５１、第２誘電体層５２及び第３誘電体層５３のそれぞれの材料、屈折率等は、第１実施形態にかかる第１誘電体層２１、第２誘電体層２２及び第３誘電体層２３のそれぞれと同様である。

第５誘電体層５５は、第３誘電体層５３の内面５３ｓに接する。第５誘電体層５５は、例えば、スリット５２Ａの一部を埋める。第５誘電体層５５は、第３誘電体層５３より屈折率が高い。第５誘電体層５５は、例えば、第２誘電体層５２と同様の材料を用いることができ、第２誘電体層５２と同じ材料からなってもよい。

電極構造体１０４は、第２誘電体層５２がスリット５２Ａを有する。スリット５２Ａは、画素電極１０とｚ方向に重ならない位置（隙間Ｓｐと重なる位置）に入射した光の一部を回折する。したがって、電極構造体１０４は、第１実施形態にかかる電極構造体１００と同様に、反射率を向上させることができる。

また電極構造体１０４は、第３誘電体層５３の内側に第３誘電体層５３より屈折率が高い第５誘電体層５５を有する。スリット５２Ａ内に屈折率が異なる部分を設けることで、回折点を増やすことができ、回折光を増加させることができる。光は、屈折率が高い媒体では速度が遅くなる。そのため、光は第２誘電体層５２及び第５誘電体層５５より屈折率が低い第３誘電体層５３を通過しやすい。すなわち、入射する光の立場に立つと、第３誘電体層５３は複スリットとみなすことができる。スリット数が増加すると回折点が増え、回折光が増加する。したがって、電極構造体１０４は、入射した光のうち画素電極１０の間の隙間Ｓｐに向かう光をより抑制することができ、光の利用効率をさらに高めることができる。

第５実施形態の具体的な例について詳述した。第５実施形態は、この例に限定されるものではなく、請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

例えば第５実施形態では、スリット５２Ａを第３誘電体層５３と第５誘電体層５５とで埋める構成を例に説明したが、より複数の誘電体層でスリット５２Ａを埋めてもよい。この場合、ｚ方向から見て、第２誘電体層５２に近い位置から低屈折率の媒体と高屈折率の媒体とを交互に並べることが好ましい。

また図３１は、第５変形例に係る電極構造体１０４Ａの断面図である。図３１に示す電極構造体１０４Ａは、第３誘電体層５３が第２誘電体層５２に亘って広がり、第３誘電体層５３の開口５３Ａが第５誘電体層５５で埋められている点が、電極構造体１０４と異なる。電極構造体１０４と同様の構成については、同様の符号を付し、説明を省く。

第３誘電体層５３は、第２誘電体層５２の表面に沿って形成されている。第３誘電体層５３の表面は、スリット５２Ａが形成された第２誘電体層５２の表面の形状を反映している。第３誘電体層５３は、スリット５２Ａと重なる部分に、開口５３Ａを有する。第５誘電体層５５は、開口５３Ａを埋める。

電極構造体１０４Ａは、電極構造体１０４と同様の効果を奏し、反射率を向上させることができる。電極構造体１０４Ａは、第５実施形態に係る電極構造体１０４の特徴と第１変形例に係る電極構造体１００Ａの特徴とを組み合わせたものである。

［第６実施形態］
図３２は、第６実施形態にかかる電極構造体１０５の断面図である。第６実施形態にかかる電極構造体１０５は第２誘電体層６２の側面６２ｓの形状が、第１実施形態にかかる電極構造体１００と異なる。その他の構成は同一であり、同一の構成には同一の符号を付し、説明を省く。

電極構造体１０５は、画素電極１０と複数の誘電体層６０とを有する。複数の誘電体層６０は、第１誘電体層６１と第２誘電体層６２と第３誘電体層６３とを有する。

第１誘電体層６１は、ｘｙ面内に広がる。第２誘電体層６２は、スリット６２Ａを有し、ｘｙ面内に広がる。第３誘電体層６３は、スリット６２Ａが形成された第２誘電体層６２の側面６２ｓに接する。第１誘電体層６１、第２誘電体層６２及び第３誘電体層６３のそれぞれの材料、屈折率等は、第１実施形態にかかる第１誘電体層２１、第２誘電体層２２及び第３誘電体層２３のそれぞれと同様である。

第２誘電体層６２の側面６２ｓは、少なくとも一部がｚ方向に対して傾斜する。側面６２ｓは、画素電極１０からｚ方向に離れるに従い、画素電極１０間の中央線Ｃから遠ざかる方向に傾斜する。スリット６２Ａのｘ方向及びｙ方向の幅は、画素電極１０から離れるに従い広くなる。

第２誘電体層６２の＋ｚ方向の第１面６２ａと側面６２ｓとの境界点６２ｓ１は、例えば、隙間Ｓｐを臨む画素電極１０の側面１０ａより中央線Ｃの近くに位置する。

電極構造体１０５は、第２誘電体層６２がスリット６２Ａを有する。スリット６２Ａは、画素電極１０とｚ方向に重ならない位置（隙間Ｓｐと重なる位置）に入射した光の一部を回折する。したがって、電極構造体１０５は、第１実施形態にかかる電極構造体１００と同様に、反射率を向上させることができる。

また電極構造体１０５は、第２誘電体層６２の側面６２ｓが傾斜している。側面６２ｓは、第３誘電体層６３から第２誘電体層６２に入射する光を画素電極１０側に曲げる。その結果、画素電極１０で反射する光の割合が高まる。また境界点６２ｓ１が画素電極１０の側面１０ａより中央線Ｃの近くに位置すると、第２誘電体層６２の一部が画素電極１０の側面１０ａに対して突出し、回折が増加する。したがって、電極構造体１０５は、入射した光のうち画素電極１０の間の隙間Ｓｐに向かう光をより抑制することができ、光の利用効率をさらに高めることができる。

なお、第６実施形態は、側面６２ｓ全てが傾斜している例を示したが、側面６２ｓの一部が傾斜していてもよい。また傾斜面のｚ方向に対する傾斜角は一定な場合に限られず、変化してもよい。例えば、側面６２の一部が湾曲し、曲率を有してもよい。

［第７実施形態］
図３３は、第７実施形態にかかる液晶表示装置２０１の平面図である。第７実施形態にかかる液晶表示装置２０１は、画素領域Ｒｐ１における画素Ｐｘの配置が、第１実施形態にかかる液晶表示装置２００と異なる。その他の構成は同一であり、同一の構成には同一の符号を付し、説明を省く。

液晶表示装置２０１は、画素領域Ｒｐ１と周辺領域Ｒｅとを有する。画素領域Ｒｐ１は、複数の画素Ｐｘが形成された領域である。画素領域Ｒｐ１は、画素Ｐｘがｘ方向に並んだ電極列Ｅｒをｙ方向に複数有する。周辺領域Ｒｅは、ｚ方向からの平面視で、画素領域Ｒｐ１を囲む領域である。

複数の電極列Ｅｒのうち任意の電極列を第１電極列Ｅｒ１と称し、第１電極列Ｅｒ１とｙ方向に隣接する電極列を第２電極列Ｅｒ２と称する。第１電極列Ｅｒ１及び第２電極列Ｅｒ２は、それぞれ画素Ｐｘと隙間Ｓｐとが交互にｘ方向に並ぶ。第１電極列Ｅｒ１の画素Ｐｘ（画素電極１０）は、第２電極列Ｅｒ２の隙間Ｓｐとｙ方向に重なる位置にある。また第２電極列Ｅｒ２の画素Ｐｘ（画素電極１０）は、第１電極列Ｅｒ１の隙間Ｓｐとｙ方向に重なる位置にある。すなわち第１電極列Ｅｒ１と第２電極列Ｅｒ２は、画素Ｐｘ（画素電極１０）のｘ方向の位置がずれている。複数の画素Ｐｘ（画素電極１０）は、ｙ方向にジグザグに並ぶ。複数の画素Ｐｘ（画素電極１０）は、例えば、千鳥配置で配列する。

上述のように、隙間Ｓｐに入射した光は反射せず、光の利用効率の低下の原因となる。したがって、画素領域Ｒｐ１における隙間Ｓｐが占める面積が少ないと、光の利用効率が向上する。複数の画素Ｐｘの角部は、加工精度の関係上、円弧状になる場合がある。例えば図２に示すように、隣接する画素Ｐｘのｘ方向及びｙ方向の位置が一致する場合、４つの画素Ｐｘに囲まれた領域は、光の利用効率の低下の原因となる。ｘ方向又はｙ方向に隣接する画素Ｐｘ間の距離より、斜め方向に隣接する画素Ｐｘ間の距離が大きいためである。

第７実施形態にかかる液晶表示装置２０１のように、第１電極列Ｅｒ１と第２電極列Ｅｒ２の画素Ｐｘのｘ方向の位置を半ピッチ分ずらすと、４つの画素Ｐｘに囲まれた領域は形成されない。したがって、画素領域Ｒｐ１における隙間Ｓｐが占める面積を小さくでき、液晶表示装置２０１の光の利用効率を向上することができる。

また各画素Ｐｘは、例えば第１実施形態にかかる電極構造体１００を有する。そのため、第７実施形態にかかる液晶表示装置２０１は、第１実施形態にかかる電極構造体１００と同様の効果を奏する。

また図３４は、第６変形例にかかる液晶表示装置２０１Ａの平面図である。第６変形例にかかる液晶表示装置２０１Ａは、画素領域Ｒｐ２における画素Ｐｘ１の形状が、図３３に示す液晶表示装置２０１と異なる。その他の構成は同一であり、同一の構成には同一の符号を付し、説明を省く。

画素Ｐｘ１は、ｚ方向から見て六角形である。画素Ｐｘ１は、ｚ方向から見て、六方最密配列している。画素Ｐｘ１が最密配列することで、画素領域Ｒｐ２における隙間Ｓｐが占める面積を小さくできる。したがって、第６変形例にかかる液晶表示装置２０１Ａは、光の利用効率に優れる。

なお、第７実施形態では、画素Ｐｘの形状として矩形、六角形形状の場合を例に説明したが、画素Ｐｘの形状はこれらに限定されるものではない。

［第８実施形態］
図３５は、第８実施形態にかかる液晶表示装置２０２の要部の平面図である。第８実施形態にかかる液晶表示装置２０２は、４つの画素Ｐｘ（画素電極１０）に囲まれた領域にコーナー電極ＣＥを有する点が、第１実施形態にかかる液晶表示装置２００と異なる。その他の構成は同一であり、同一の構成には同一の符号を付し、説明を省く。

液晶表示装置２０２は、画素領域と周辺領域とを有する。図３５は、画素領域の一部を拡大した図である。画素領域において画素Ｐｘは、ｘ方向及びｙ方向に並んでいる。

コーナー電極ＣＥは、例えば、４つの画素Ｐｘの角部ｅｄに囲まれた領域に設けられる。コーナー電極ＣＥは、例えば、画素電極１０と同様の材料により構成される。コーナー電極ＣＥは、反射の機能を有すればよい。コーナー電極ＣＥは、画素回路２２０と接続されておらず、電位が独立したフローティング電極でもよい。またコーナー電極ＣＥをグラウンドと接続し、画素電極との間に容量を生み出してもよい。

上述のように、４つの画素Ｐｘに囲まれた領域は、光の利用効率の低下の原因となる。４つの画素Ｐｘに囲まれた領域にコーナー電極ＣＥを設けることで、画素領域における隙間が占める面積率を小さくし、光の利用効率を向上させることができる。

また各画素Ｐｘは、例えば第１実施形態にかかる電極構造体１００を有する。そのため、第８実施形態にかかる液晶表示装置２０２は、第１実施形態にかかる電極構造体１００と同様の効果を奏する。

なお、図３３に示すように、第１電極列Ｅｒ１と第２電極列Ｅｒ２の画素Ｐｘのｘ方向の位置を半ピッチ分ずれている場合は、３つの画素Ｐｘに囲まれた領域にコーナー電極を設けてもよい。

［第９実施形態］
図３６は、第９実施形態にかかる液晶表示装置２０３の平面図である。第９実施形態にかかる液晶表示装置２０３は、周辺領域Ｒｅ１の構成が、第１実施形態にかかる液晶表示装置２００と異なる。その他の構成は同一であり、同一の構成には同一の符号を付し、説明を省く。

液晶表示装置２０３は、画素領域Ｒｐと周辺領域Ｒｅ１とを有する。周辺領域Ｒｅ１は、複数の周辺電極ＰＥ１を有する。周辺領域Ｒｅ１において周辺電極ＰＥ１は、ｘ方向及びｙ方向に並ぶ。それぞれの周辺電極ＰＥ１の大きさ（面積）は、それぞれの画素電極１０の大きさ（面積）と略同一である。ここで略同一とは、画素電極１０の面積を基準に、１５％以内のブレを許容することを意味する。

電極構造体１００を作製する際に、表面を平坦にする平坦化プロセスを行う場合がある。第１の製造方法、第３製造方法、第４製造方法及び第５製造方法における誘電体層９６のうち第２誘電体層２２より＋ｚ方向に位置する部分を除去する工程（図７、図１２、図１５参照）は、平坦化プロセスの一例である。また第６の製造方法における積層された導電層を絶縁層９７の一部が露出するまで除去する工程（図１９参照）も平坦化プロセスの一例である。平坦化プロセスは、例えばＣＭＰで行う。

平坦化プロセスは、画素領域Ｒｐ及び周辺領域Ｒｅ１に亘って一度に行うことが多い。画素領域Ｒｐにおける画素Ｐｘのパターン密度と、周辺領域Ｒｅ１における周辺電極ＰＥ１のパターン密度とが異なると、画素領域Ｒｐと周辺領域Ｒｅ１とで平坦化処理の速度が変わる。その結果、画素領域Ｒｐにおける平坦化処理が周辺領域Ｒｅ１に対して進まない場合や、その逆に画素領域Ｒｐにおける電極構造体１００に過研磨が生じる場合がある。過研磨は、積層された各層の膜剥がれの原因となる。

周辺領域Ｒｅ１における周辺電極ＰＥ１は、フォトリソグラフィー等を用いてパターニングする。画素領域Ｒｐにおける画素電極１０の加工と、周辺領域Ｒｅ１における周辺電極ＰＥ１の加工とは同時に行ってもよいし、別工程として分けてもよい。

また周辺領域Ｒｅ１は、ｚ方向から見て、隣接する周辺電極ＰＥ１の間に接続部Ｃｐを有してもよい。接続部Ｃｐは、例えば、４つの周辺電極ＰＥ１のそれぞれの角部に亘る位置に設けられている。接続部Ｃｐは、複数の周辺電極ＰＥ１を電気的に接続することができれば、この場合に限られない。

周辺電極ＰＥ１は、共通電極２３５と電気的に接続される。複数の周辺電極ＰＥ１のそれぞれを互いに電気的に接続することで、それぞれの周辺電極ＰＥ１毎にプラグ配線２２２及び配線２２１を設ける必要が無くなる。

また各画素Ｐｘは、例えば第１実施形態にかかる電極構造体１００を有する。そのため、第９実施形態にかかる液晶表示装置２０３は、第１実施形態にかかる電極構造体１００と同様の効果を奏する。

以上、本開示は上記の実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲内に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。例えば、それぞれの実施形態における特徴的な構成要素を組み合わせてもよい。

また、本明細書に記載された効果は、あくまでも例示であって限定されるものでなく、また他の効果があってもよい。

なお、本開示内容は以下のような構成であってもよい。
（１）
互いに離間して配置する複数の画素電極と、
前記複数の画素電極に対して第１方向に積層された複数の誘電体層と、を備え、
前記複数の誘電体層は、
前記第１方向と交差する方向に前記複数の画素電極に亘って広がる第１誘電体層と、
前記第１誘電体層より屈折率が高い誘電体材料を含み、前記複数の画素電極と共に前記第１誘電体層を挟み込むとともに、前記第１方向から見て隣接する画素電極間の隙間と重なる位置にスリットを有する第２誘電体層と、を有する、電極構造体。
（２）
前記第２誘電体層の前記スリットを臨む側面の少なくとも一部は、前記第１方向に対して傾斜する、前記（１）に記載の電極構造体。
（３）
前記第２誘電体層より屈折率が低い誘電体材料を含み、少なくとも前記スリットに一部を埋める第３誘電体層をさらに備える、前記（１）又は（２）に記載の電極構造体。
（４）
前記第２誘電体層より屈折率が高い誘電体材料を含み、前記第２誘電体層及び前記第３誘電体層上に広がる第４誘電体層をさらに備える、前記（３）に記載の電極構造体。
（５）
前記第３誘電体層が開口を有すると共に、前記第３誘電体層より屈折率が高い誘電体材料を含み、前記開口に埋め込まれた第５誘電体層をさらに備える、前記（３）又は前記（４）に記載の電極構造体。
（６）
前記複数の誘電体層は、前記第１誘電体層と前記第２誘電体層とを複数有し、
前記第１誘電体層と前記第２誘電体層とは前記第１方向に交互に積層されている、前記（１）から前記（５）のいずれか一つに記載の電極構造体。
（７）
前記第２誘電体層より屈折率が高い誘電体材料を含み、複数の前記第２誘電体層のうちいずれかの第２誘電体層に亘って広がる第４誘電体層をさらに備える、前記（６）に記載の電極構造体。
（８）
前記第２誘電体層は、前記スリットを臨む前記第２誘電体層の側面に、前記第１方向から見て、前記隙間を臨む画素電極の側面に対して前記スリット側に突き出た突出部を有する、前記（１）から前記（７）のいずれか一つに記載の電極構造体。
（９）
前記突出部の一部は、前記第１誘電体層内に延在している、前記（８）に記載の電極構造体。
（１０）
前記複数の画素電極は、前記第１方向と交差する第２方向に画素電極が並ぶ複数の電極列を有し、
前記複数の電極列は、前記第２方向と直交する第３方向に交互に並んで配置する第１電極列と第２電極列とを含み、
前記第３方向から見て、前記第１電極列に含まれる画素電極と前記第２電極列に含まれる画素電極とは前記第２方向にずれている、前記（１）から前記（９）のいずれか一つに記載の電極構造体。
（１１）
前記複数の画素電極のそれぞれは、前記第１方向から見て矩形又は六角形形状である、前記（１０）に記載の電極構造体。
（１２）
前記第１方向から見て、３つ以上の画素電極に囲まれる領域にコーナー電極をさらに備える、前記（１）から前記（１１）のいずれか一つに記載の電極構造体。
（１３）
前記複数の画素電極が形成された画素領域と、
前記第１方向から見て、前記画素領域を囲む周辺領域と、を備え、
前記周辺領域は、複数の周辺電極を有し、
前記複数の周辺電極のそれぞれの大きさは、前記画素電極の大きさと略同一である、前記（１）から前記（１２）のいずれか一つに記載の電極構造体。
（１４）
隣接する周辺電極を繋ぐ接続部をさらに有する、前記（１３）に記載の電極構造体。
（１５）
前記（１）から前記（１４）のいずれか一つに記載の電極構造体と、前記電極構造体と対向する共通電極と、前記電極構造体と前記共通電極との間に位置する液晶層と、前記液晶層と前記電極構造体との間に位置する配向膜と、を備える、液晶表示装置。
（１６）
前記（１５）に記載の液晶表示装置と、前記共通電極から前記電極構造体に向って前記液晶表示装置に光を照射する光源と、を備える、投射型表示装置。
（１７）
導電層と、第１誘電体層と、前記第１誘電体層より屈折率が高い誘電体材料を含む第２誘電体層とを順に成膜する工程と、
前記導電層、前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層のうち、少なくとも第２誘電体層を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に、前記第２誘電体層より屈折率が低い誘電体材料を含む第３誘電体層を充填する工程と、を有する、電極構造体の製造方法。
（１８）
前記第２誘電体層の前記第１誘電体層と反対側の面に、前記第３誘電体層と同じ材料を含む犠牲層をさらに成膜し、
前記貫通孔を形成する際に、前記第２誘電体層及び前記犠牲層に亘って貫通孔を形成する、前記（１７）に記載の電極構造体の製造方法。
（１９）
絶縁層を成膜し、前記絶縁層に凹部を形成する工程と、
前記凹部に導電層を充填する工程と、
前記絶縁層及び前記導電層上に、第１誘電体層、前記第１誘電体層より屈折率が高い誘電体材料を含む第２誘電体層を順に成膜する工程と、
前記第２誘電体層にスリットを形成する工程と、
前記スリット内に、前記第２誘電体層より屈折率が低い誘電体材料を含む第３誘電体層を充填する工程と、を有する、電極構造体の製造方法。

１０、１５ 画素電極
２０、３０、４０、５０、６０ 複数の誘電体層
２１、３１、４１、５１、６１ 第１誘電体層
２２、３２、４２、５２、６２ 第２誘電体層
２２Ａ、３２Ａ、４２Ａ、５２Ａ、６２Ａ スリット
２２ｓ、５２ｓ、６２ｓ 側面
２３、３３、４３、５３ 第３誘電体層
２４ 第４誘電体層
４２Ｙ 突出部
４２Ｙｂ 延在部
５３ｓ 内面
５５ 第５誘電体層
８１ 犠牲層
９１、９２ 導電層
９３、９４、９６、９９ 誘電体層
９７ 絶縁層
９７Ａ 凹部
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１０１、１０２、１０２Ａ、１０３、１０３Ａ、１０３Ｂ、１０４、１０４Ａ、１０５ 電極構造体
２００、２００Ｒ、２００Ｇ、２００Ｂ、２０１、２０１Ａ、２０２、２０３ 液晶表示装置
２３３ 液晶層
２３５ 共通電極
３００ 投射型表示装置
３０１ 光源
Ｂｓ 境界面
ＣＥ コーナー電極
Ｃｐ 接続部
Ｅｒ 電極列
Ｅｒ１ 第１電極列
Ｅｒ２ 第２電極列
ＰＥ、ＰＥ１ 周辺電極
Ｐｘ，Ｐｘ１ 画素
Ｒｅ、Ｒｅ１ 周辺領域
Ｒｐ、Ｒｐ１、Ｒｐ２ 画素領域
Ｈ、Ｈ１、Ｈ２ ホール

Claims (19)

1. 互いに離間して配置する複数の画素電極と、
   前記複数の画素電極に対して第１方向に積層された複数の誘電体層と、を備え、
   前記複数の誘電体層は、
   前記第１方向と交差する方向に前記複数の画素電極に亘って広がる第１誘電体層と、
   前記第１誘電体層より屈折率が高い誘電体材料を含み、前記複数の画素電極と共に前記第１誘電体層を挟み込むとともに、前記第１方向から見て隣接する画素電極間の隙間と重なる位置にスリットを有する第２誘電体層と、を有する、電極構造体。
2. 前記第２誘電体層の前記スリットを臨む側面の少なくとも一部は、前記第１方向に対して傾斜する、請求項１に記載の電極構造体。
3. 前記第２誘電体層より屈折率が低い誘電体材料を含み、前記スリットの少なくとも一部を埋める第３誘電体層をさらに備える、請求項１に記載の電極構造体。
4. 前記第２誘電体層より屈折率が高い誘電体材料を含み、前記第２誘電体層及び前記第３誘電体層上に広がる第４誘電体層をさらに備える、請求項３に記載の電極構造体。
5. 前記第３誘電体層が開口を有すると共に、前記第３誘電体層より屈折率が高い誘電体材料を含み、前記開口に埋め込まれた第５誘電体層をさらに備える、請求項３に記載の電極構造体。
6. 前記複数の誘電体層は、前記第１誘電体層と前記第２誘電体層とを複数有し、
   前記第１誘電体層と前記第２誘電体層とは前記第１方向に交互に積層されている、請求項１に記載の電極構造体。
7. 前記第２誘電体層より屈折率が高い誘電体材料を含み、複数の前記第２誘電体層のうちいずれかの第２誘電体層に亘って広がる第４誘電体層をさらに備える、請求項６に記載の電極構造体。
8. 前記第２誘電体層は、前記スリットを臨む前記第２誘電体層の側面に、前記第１方向から見て、前記隙間を臨む画素電極の側面に対して前記スリット側に突き出た突出部を有する、請求項１に記載の電極構造体。
9. 前記突出部の一部は、前記第１誘電体層内に延在している、請求項８に記載の電極構造体。
10. 前記複数の画素電極は、前記第１方向と交差する第２方向に画素電極が並ぶ複数の電極列を有し、
    前記複数の電極列は、前記第２方向と直交する第３方向に交互に並んで配置する第１電極列と第２電極列とを含み、
    前記第３方向から見て、前記第１電極列に含まれる画素電極と前記第２電極列に含まれる画素電極とは前記第２方向にずれている、請求項１に記載の電極構造体。
11. 前記複数の画素電極のそれぞれは、前記第１方向から見て矩形又は六角形形状である、請求項１０に記載の電極構造体。
12. 前記第１方向から見て、３つ以上の画素電極に囲まれる領域にコーナー電極をさらに備える、請求項１に記載の電極構造体。
13. 前記複数の画素電極が形成された画素領域と、
    前記第１方向から見て、前記画素領域を囲む周辺領域と、を備え、
    前記周辺領域は、複数の周辺電極を有し、
    前記複数の周辺電極のそれぞれの大きさは、前記画素電極の大きさと略同一である、請求項１に記載の電極構造体。
14. 隣接する周辺電極を繋ぐ接続部をさらに有する、請求項１３に記載の電極構造体。
15. 請求項１に記載の電極構造体と、前記電極構造体と対向する共通電極と、前記電極構造体と前記共通電極との間に位置する液晶層と、前記液晶層と前記電極構造体との間に位置する配向膜と、を備える、液晶表示装置。
16. 請求項１５に記載の液晶表示装置と、前記共通電極から前記電極構造体に向って前記液晶表示装置に光を照射する光源と、を備える、投射型表示装置。
17. 導電層と、第１誘電体層と、前記第１誘電体層より屈折率が高い誘電体材料を含む第２誘電体層とを順に成膜する工程と、
    前記導電層、前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層のうち、少なくとも前記第２誘電体層を貫通する貫通孔を形成する工程と、
    前記貫通孔内に、前記第２誘電体層より屈折率が低い誘電体材料を含む第３誘電体層を充填する工程と、を有する、電極構造体の製造方法。
18. 前記第２誘電体層の前記第１誘電体層と反対側の面に、犠牲層をさらに成膜し、
    前記貫通孔を形成する際に、前記第２誘電体層及び前記犠牲層に亘って貫通孔を形成し、
    前記犠牲層を除去する、請求項１７に記載の電極構造体の製造方法。
19. 絶縁層を成膜し、前記絶縁層に凹部を形成する工程と、
    前記凹部に導電層を充填する工程と、
    前記絶縁層及び前記導電層上に、第１誘電体層、前記第１誘電体層より屈折率が高い誘電体材料を含む第２誘電体層を順に成膜する工程と、
    前記第２誘電体層にスリットを形成する工程と、
    前記スリット内に、前記第２誘電体層より屈折率が低い誘電体材料を含む第３誘電体層を充填する工程と、を有する、電極構造体の製造方法。

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