JP7431875B2 - フォトニック集積回路およびフォトニック集積回路を含む光電子システム - Google Patents
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Description
- 第1のInPベースの光導波路と、隣接する第2のInPベースの光導波路とを備える、リン化インジウムInPベースの基板と、
少なくとも第1の光導波路と第2の光導波路との間に配置された誘電体平坦化層とを含み、少なくとも第1の光導波路と第2の光導波路との間において、誘電体平坦化層は、
・ 誘電体平坦化層を介して第1の光導波路と第2の光導波路との間の光学的相互作用を低減または防止するように配置された凹部を備え、
凹部の場所において、誘電体平坦化層は、
・ 第1の光導波路に向かって傾斜させて配置された第1の側壁と、
・ 第2の光導波路に向かって傾斜させて配置された第2の側壁とを有する。
2 InPベースの基板
3 第1のInPベースの光導波路
4 第2のInPベースの光導波路
5 誘電体平坦化層
6 誘電体平坦化層に設けられた凹部
7 誘電体平坦化層の第1の側壁
8 誘電体平坦化層の第2の側壁
9 誘電体平坦化層の第1の側壁に対して設けられた第1のパターン
10 誘電体平坦化層の第2の側壁に対して設けられた第2のパターン
11 第1の誘電体保護層
12 金属層
13 第2の誘電体保護層
14 気密パッケージ
20 光電子システム
α InPベースの基板に対する第1の側壁および第2の側壁の傾斜角度
β 第1のInPベースの光導波路に対する第1の側壁の第1の角度
γ 第2のInPベースの光導波路に対する第2の側壁の第2の角度
Claims (16)
- フォトニック集積回路(1)であって、
第1のリン化インジウムInPベースの光導波路(3)と、隣接する第2のInPベースの光導波路(4)とを備えるInPベースの基板(2)と、
少なくとも前記第1の光導波路(3)と前記第2の光導波路(4)との間に配置され、前記第1の光導波路(3)及び前記第2の光導波路(4)の各上面と同じ高さの平坦面を備える誘電体平坦化層(5)とを含み、少なくとも前記第1の光導波路(3)と前記第2の光導波路(4)との間において、前記誘電体平坦化層(5)が、
前記誘電体平坦化層(5)を介して前記第1の光導波路(3)と前記第2の光導波路(4)との間の光学的相互作用を低減または防止するように配置された凹部(6)を備え、
前記凹部(6)の場所において、前記誘電体平坦化層(5)が、
前記第1の光導波路(3)に向かって傾斜させて配置された第1の側壁(7)と、
前記第2の光導波路(4)に向かって傾斜させて配置された第2の側壁(8)とを有し、
前記誘電体平坦化層(5)の前記第1の側壁(7)と前記第2の側壁(8)とを少なくとも被覆するように配置された第1の誘電体保護層(11)をさらに含み、
前記第1のInPベースの光導波路(3)および/または前記第2のInPベースの光導波路(4)と電気接触し、および/または、
前記誘電体平坦化層および/または前記第1の誘電体保護層(11)の少なくとも一部を被覆するように、
配置された金属層(12)をさらに含む、フォトニック集積回路(1)。 - 前記凹部(6)の場所において、前記誘電体平坦化層(5)の前記第1の側壁(7)と前記第2の側壁(8)とが、前記InPベースの基板(2)に対して85度未満の傾斜角度αにある、請求項1に記載のフォトニック集積回路(1)。
- 前記凹部(6)は、前記InPベースの基板(2)へのアクセスをもたらすように配置されている、請求項1に記載のフォトニック集積回路(1)。
- 前記凹部(6)は、前記InPベースの基板(2)へのアクセスをもたらすように配置されている、請求項2に記載のフォトニック集積回路(1)。
- 前記凹部(6)は、細長い形状を有し、前記第1のInPベースの光導波路(3)と前記第2のInPベースの光導波路(4)との間に長手方向に延びるように配置されている、請求項1に記載のフォトニック集積回路(1)。
- 前記誘電体平坦化層(5)の前記第1の側壁(7)は、前記第1の側壁(7)がそれに従って少なくとも部分的に前記第1のInPベースの光導波路(3)に対して第1の角度βで配置される第1のパターン(9)を少なくとも部分的に備え、および/または、
前記誘電体平坦化層(5)の前記第2の側壁(8)は、前記第2の側壁(8)がそれに従って少なくとも部分的に前記第2のInPベースの光導波路(4)に対して第2の角度γで配置される第2のパターン(10)を少なくとも部分的に備え、
前記第1の角度および前記第2の角度は10度と170度の間である、請求項1に記載のフォトニック集積回路(1)。 - 前記第1のパターン(9)および/または前記第2のパターン(10)は、鋸歯状パターンと波状パターンとディザ・パターンとのうちの少なくとも1つを含む、請求項6に記載のフォトニック集積回路(1)。
- 前記第1の誘電体保護層(11)は、
酸化シリコンと、窒化シリコンと、酸窒化シリコンと、酸化アルミニウムと、酸化タンタルとのうちの1つ、または
ポリアクリレートと、ポリカーボネートと、ポリイミドと、ポリウレタンと、ポリキシリレンと、ベンゾシクロブテンと、ポリシロキサンとのうちの1つを含むポリマーベースの材料を含む、請求項1に記載のフォトニック集積回路(1)。 - 前記金属層(12)および/または前記第1の誘電体保護層(11)の少なくとも一部を被覆するように配置された第2の誘電体保護層(13)をさらに含む、請求項8に記載のフォトニック集積回路(1)。
- 前記第2の誘電体保護層(13)は、
酸化シリコンと、窒化シリコンと、酸窒化シリコンと、酸化アルミニウムと、酸化タンタルとのうちの1つ、または
ポリアクリレートと、ポリカーボネートと、ポリイミドと、ポリウレタンと、ポリキシリレンと、ベンゾシクロブテンと、ポリシロキサンとのうちの1つを含むポリマーベースの材料を含む、請求項9に記載のフォトニック集積回路(1)。 - 前記誘電体平坦化層(5)は、
酸化シリコンと、窒化シリコンと、酸窒化シリコンと、酸化アルミニウムと、酸化タンタルとのうちの1つ、または
ポリアクリレートと、ポリカーボネートと、ポリイミドと、ポリウレタンと、ポリキシリレンと、ベンゾシクロブテンと、ポリシロキサンとのうちの1つを含むポリマーベースの材料を含む、請求項1に記載のフォトニック集積回路(1)。 - 前記ポリマーベースの材料は、有機添加剤と無機添加剤のうちの少なくとも一方を含む、請求項8に記載のフォトニック集積回路(1)。
- 前記ポリマーベースの材料は、有機添加剤と無機添加剤のうちの少なくとも一方を含む、請求項10に記載のフォトニック集積回路(1)。
- 前記ポリマーベースの材料は、有機添加剤と無機添加剤のうちの少なくとも一方を含む、請求項11に記載のフォトニック集積回路(1)。
- 前記フォトニック集積回路(1)は、非気密パッケージと気密パッケージ(14)とのうちの一方を備える、請求項1に記載のフォトニック集積回路(1)。
- 請求項1に記載のフォトニック集積回路(1)を含む光電子システム(20)であって、送信器と、受信器と、送受信器と、コヒーレント送信器と、コヒーレント受信器と、コヒーレント送受信器とのうちの1つである、光電子システム(20)。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050117834A1 (en) | 2002-03-08 | 2005-06-02 | Infinera Corporation | Passivation of photonic integrated circuits (PICs) |
JP2020101599A (ja) | 2018-12-20 | 2020-07-02 | 日本電信電話株式会社 | 光スイッチ素子 |
WO2020175236A1 (ja) | 2019-02-25 | 2020-09-03 | 京セラ株式会社 | 光導波路、平面型光回路および光源モジュール |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03278030A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 全反射型光導波路スイッチ |
JPH06313818A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Anritsu Corp | 光反射器 |
JP2870632B2 (ja) * | 1995-07-13 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 半導体光集積回路およびその製造方法 |
JPH11352344A (ja) * | 1998-06-09 | 1999-12-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 低クロストーク光配線 |
JP2002277657A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-25 | Nec Corp | 集積光モジュール |
US7116880B1 (en) * | 2005-06-30 | 2006-10-03 | Xerox Corporation | Decreased crosstalk in adjacent photonic waveguides |
US10041797B2 (en) * | 2014-10-02 | 2018-08-07 | Faquir Chand Jain | Fiber optic gyroscope with 3×3 and 2×2 waveguide couplers |
EP3035092B1 (en) * | 2014-12-16 | 2020-05-20 | IMEC vzw | Integrated semiconductor optical coupler. |
CN108351467B (zh) * | 2015-07-22 | 2020-10-30 | Bb光电公司 | 具有介质波导的化合物半导体光子集成电路 |
US10641957B2 (en) * | 2017-08-29 | 2020-05-05 | Juniper Networks, Inc. | Smooth waveguide structures and manufacturing methods |
US10962711B2 (en) * | 2018-11-29 | 2021-03-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor package and manufacturing method thereof |
EP3696583B1 (en) | 2019-02-15 | 2022-03-16 | EFFECT Photonics B.V. | Photonic integrated circuit having improved electrical isolation between n-type contacts |
CN112327412B (zh) * | 2020-10-27 | 2023-02-03 | 中国科学院微电子研究所 | 双层硅基光子器件的制作方法及双层硅基光子器件 |
-
2021
- 2021-03-24 EP EP21164748.2A patent/EP4063924A1/en active Pending
-
2022
- 2022-03-11 TW TW111109064A patent/TWI836371B/zh active
- 2022-03-16 JP JP2022040862A patent/JP7431875B2/ja active Active
- 2022-03-16 US US17/695,935 patent/US11899254B2/en active Active
- 2022-03-23 CN CN202210290005.7A patent/CN115128736A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050117834A1 (en) | 2002-03-08 | 2005-06-02 | Infinera Corporation | Passivation of photonic integrated circuits (PICs) |
JP2020101599A (ja) | 2018-12-20 | 2020-07-02 | 日本電信電話株式会社 | 光スイッチ素子 |
WO2020175236A1 (ja) | 2019-02-25 | 2020-09-03 | 京セラ株式会社 | 光導波路、平面型光回路および光源モジュール |
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