JP7421593B2 - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7421593B2
JP7421593B2 JP2022077298A JP2022077298A JP7421593B2 JP 7421593 B2 JP7421593 B2 JP 7421593B2 JP 2022077298 A JP2022077298 A JP 2022077298A JP 2022077298 A JP2022077298 A JP 2022077298A JP 7421593 B2 JP7421593 B2 JP 7421593B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pipe
piping
coil
substrate
supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022077298A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022184751A (ja
Inventor
ジョン イム，ヨン
ミン イ，サン
ジョン ド イ，
セ パク，ジン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of JP2022184751A publication Critical patent/JP2022184751A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7421593B2 publication Critical patent/JP7421593B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
    • F26B5/005—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by dipping them into or mixing them with a chemical liquid, e.g. organic; chemical, e.g. organic, dewatering aids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L11/00—Hoses, i.e. flexible pipes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、基板を処理する装置に関するものであり、より詳細には、基板に対して乾燥工程を遂行する基板処理装置に関するものである。
一般に、半導体素子を製造するためには写真工程（Ｐｈｏｔｏ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、蝕刻工程（Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、イオン注入工程（Ｉｏｎ Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、そして、蒸着工程（Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓ）などのような多様な工程が遂行される。また、このような工程らを遂行する過程でパーティクル、有機汚染物、金属不純物などの多様な異物が発生する。このような異物らは基板に欠陷を起こして半導体素子の性能及び収率に直接的な影響を及ぼす要因として作用する。半導体素子の製造工程には、このような異物を除去するための洗浄工程が必須に隋伴される。
一般な、洗浄工程は基板をケミカル及びリンス液で処理した後乾燥処理を進行する。乾燥処理の一例で、基板を高速で回転させて基板上に残留するリンス液を除去する回転乾燥工程がある。しかし、回転乾燥方式は遠心力を利用するので、基板上に形成されたパターンにリーニング（Ｌｅａｎｉｎｇ）現象を引き起こすことがある。
これに、最近には基板上にイソプロピルアルコール（Ｉｓｏｐｒｏｐｈｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ、ＩＰＡ）のような有機溶剤を供給して基板上に残留するリンス液を表面張力が低い有機溶剤で置換し、以後、基板上に超臨界状態の処理流体を供給して基板上に残留する有機溶剤を除去する超臨界乾燥工程が利用されている。
図１は、超臨界流体を利用して基板を乾燥する一般な基板処理装置を概略的に示した断面図である。図１を参照すれば、基板処理装置５０００はお互いに組合されて内部に超臨界乾燥処理する処理空間を提供する第１ボディー５１００と第２ボディー５２００を有する。第２ボディー５２００には超臨界流体が流動する配管５４００が連結される。
超臨界乾燥工程は基板（Ｗ）を処理空間に搬入する基板搬入工程、処理空間内の雰囲気を加圧する加圧工程、処理空間内の雰囲気を常圧に戻す減圧工程、そして、処理空間から基板（Ｗ）を搬出する基板搬出工程を含む。基板搬入工程では処理空間に基板（Ｗ）を搬入するために第２ボディー５２００が駆動機５３００によって第１ボディー５１００に向けて昇降される。基板搬出工程では処理空間から基板（Ｗ）を搬出するために第２ボディー５２００が駆動機５３００によって下降する。
超臨界乾燥処理過程で第２ボディー５２００は上、下方向に移動される。一般に、超臨界乾燥工程に提供される配管５４００は各種装置（例えば、バルブ、ヒーター、圧力センサー、タンクなど）と連結されてその位置が固定された状態である。第２ボディー５２００が上下移動する時、第２ボディー５２００に連結された配管５４００は、その位置が固定された状態で提供されるので、第２ボディー５２００に連結された配管５４００が破損されるか、または配管５４００が変形される問題が発生する。
韓国特許公開第１０－２００１－００５２６４０号公報
本発明は、基板に対して超臨界乾燥処理を進行する時、ハウジングの上下移動によって超臨界流体が流動する配管が伸縮することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
本発明は、基板に対して超臨界乾燥処理をする時、超臨界流体が流動する配管の損傷を予防することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
本発明は、基板に対して超臨界乾燥処理をする時、処理空間から超臨界流体を排出する配管内部で超臨界流体の凝縮による逆流を予防することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
本発明の目的はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の目的らは下の記載から当業者に明確に理解されることができるであろう。
本発明の基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置はお互いに組合されて内部に基板を処理する処理空間を提供する第１ボディー及び第２ボディーを有するハウジング、前記第２ボディーを前記第１ボディーに対して上下方向に移動させて前記処理空間を密閉または開放する駆動機、前記第２ボディーに結合されて流体が流動する配管を含むが、前記配管は前記第２ボディーの上下移動によって伸縮可能な伸縮配管を含むことができる。
一実施例によれば、前記伸縮配管はコイル配管（Ｃｏｉｌ－Ｔｕｂｅ）で提供されることができる。
一実施例によれば、前記配管は前記処理空間から前記流体を排出する排出配管を含み、前記コイル配管はその上端が下端より前記排出配管の上流に位置することができる。
一実施例によれば、前記コイル配管は前記第２ボディーが下方向に移動する時、圧縮されるように提供されることができる。
一実施例によれば、前記排出配管は前記コイル配管の下流側に連結される第１排出配管、そして、前記コイル配管の上流側で前記コイル配管及び前記第２ボディーを連結する第２排出配管をさらに含み、前記第１排出配管は前記第２ボディーが上下移動する時その高さが固定され、前記第２排出配管は前記第２ボディーが上下移動する時前記第２ボディーの上下移動によって共に上下移動するように提供されることができる。
一実施例によれば、前記配管は前記処理空間に前記流体を供給する供給配管を含み、前記コイル配管はその上端が下端より前記供給配管の上流に位置することができる。
一実施例によれば、前記コイル配管は前記第２ボディーが下方向に移動する時、引張されるように提供されることができる。
一実施例によれば、前記供給配管は前記コイル配管の上流側に連結される第１供給配管及び前記コイル配管の下流側で前記コイル配管及び前記第２ボディーを連結する第２供給配管をさらに含み、前記第１供給配管は前記第２ボディーが上下移動する時その高さが固定され、前記第２供給配管は前記第２ボディーが上下移動する時前記第２ボディーの上下移動によって共に上下移動するように提供されることができる。
一実施例によれば、前記コイル配管で前記流体が流れる通路の断面積は前記コイル配管の上端、そして、前記コイル配管の下端と連結される配管の断面積よりさらに小さく形成されることができる。
一実施例によれば、前記配管は超臨界流体が流動する配管に提供されることができる。
一実施例によれば、前記第２ボディーは前記第１ボディーより下に位置し、前記配管は前記第１ボディーに連結されて前記処理空間に前記流体を供給する第１供給配管、前記第２ボディーに連結されて前記処理空間に前記流体を供給する第２供給配管及び前記処理空間から前記流体を排出する排出配管を含み、前記コイル配管は前記第２供給配管及び前記排出配管にそれぞれ提供されることができる。
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置はお互いに組合されて基板上に残留する有機溶剤が超臨界状態の乾燥用流体によって乾燥される処理空間を形成する第１ボディーと第２ボディーが提供されるハウジング、前記第２ボディーを前記第１ボディーに対して昇下降して前記処理空間を密閉または開放する駆動機、前記処理空間内で基板を支持する支持ユニット及び前記第２ボディーに結合されて前記処理空間から前記超臨界状態の乾燥用流体を排出する排出配管を含むが、前記排出配管は前記第２ボディーの昇下降によって伸縮可能なコイル配管（Ｃｏｉｌ－Ｔｕｂｅ）を含み、前記コイル配管は前記第２ボディーが昇降して前記処理空間が密閉される時、その上端が下端より前記排出配管の上流に位置することができる。
一実施例によれば、前記コイル配管は前記第２ボディーが下降移動する時に圧縮されるように提供されることができる。
一実施例によれば、前記排出配管は前記コイル配管の下流側に連結される第１排出配管及び前記コイル配管の上流側で前記コイル配管及び前記第２ボディーを連結する第２排出配管をさらに含み、前記第１排出配管は前記第２ボディーが上下移動する時その高さが固定され、前記第２排出配管は前記第２ボディーが上下移動する時前記第２ボディーの上下移動によって共に上下移動するように提供されることができる。
一実施例によれば、前記第２排出配管は前記排出配管の上流側から下流側に順に配置された第１部分、第２部分、第３部分、そして、第４部分を含み、前記第１部分は前記第２ボディーに結合された支点から地面に対して下方向に延長され、前記第２部分は前記第１部分から地面に対して平行な方向に延長され、前記第３部分は前記第２部分から地面に対して上の方向に垂直に延長され、前記第４部分は前記第３部分から地面に対して水平に延長されるが、前記第２ボディーが下降移動する時、前記第１部分及び前記第３部分は下方向に移動し、前記コイル配管は圧縮されることができる。
一実施例によれば、前記コイル配管で前記超臨界状態の乾燥用流体が流れる通路の断面積は前記コイル配管の上端、そして、前記コイル配管の下端と連結される配管の断面積よりさらに小さく形成されることができる。
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置はお互いに組合されて基板上に残留する有機溶剤が超臨界状態の乾燥用流体によって乾燥される処理空間を形成する第１ボディーと第２ボディーが提供されるハウジング、前記第２ボディーを前記第１ボディーに対して昇下降して前記処理空間を密閉または開放する駆動機、前記処理空間内で基板を支持する支持ユニット及び前記第２ボディーに結合されて前記処理空間に前記超臨界状態の乾燥用流体を供給する供給配管を含むが、前記供給配管は前記第２ボディーの昇下降によって伸縮可能なコイル配管（Ｃｏｉｌ－Ｔｕｂｅ）を含み、前記コイル配管は前記第２ボディーが昇降して前記処理空間が密閉される時、その上端が下端より前記供給配管の上流に位置することができる。
一実施例によれば、前記供給配管は前記コイル配管の上流側に連結される第１供給配管及び前記コイル配管の下流側で前記コイル配管及び前記第２ボディーを連結する第２供給配管をさらに含み、前記第１供給配管は前記第２ボディーが上下移動する時その高さが固定され、前記第２供給配管は前記第２ボディーが上下移動する時前記第２ボディーの上下移動によって共に上下移動するように提供されることができる。
一実施例によれば、前記第２供給配管は前記コイル配管から前記供給配管の下流側に順に配置された第５部分、第６部分を含み、前記第５部分は前記第２ボディーに結合された支点から地面に対して下方向に延長され、前記第６部分は前記第５部分から地面に対して平行な方向に延長されるが、前記第２ボディーが下降移動する時、前記第５部分は下方向に移動し、前記コイル配管は引張されることができる。
一実施例によれば、前記コイル配管で前記超臨界状態の乾燥用流体が流れる通路の断面積は前記コイル配管の上端、そして、前記コイル配管の下端と連結される配管の断面積よりさらに小さく形成されることができる。
本発明は、基板に対して超臨界乾燥処理を進行する時、ハウジングの上下移動によって超臨界流体が流動する配管が伸縮することができる。
本発明は基板に対して超臨界乾燥処理をする時、超臨界流体が流動する配管の損傷を予防することができる。
本発明は基板に対して超臨界乾燥処理をする時、処理空間から超臨界流体を排出する配管内部で超臨界流体の凝縮による逆流を予防することができる。
本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
一般な基板処理装置を概略的に見せてくれる断面図である。 本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる図面である。 図２の基板処理装置の液処理チャンバに対する一実施例を概略的に見せてくれる図面である。 二酸化炭素の相変化グラフを見せてくれる図面である。 図２の基板処理装置の乾燥チャンバに対する一実施例を概略的に見せてくれる図面である。 図５の第２ボディーが下降した場合乾燥チャンバを概略的に見せてくれる図面である。 図５の乾燥チャンバに対する他の実施例を概略的に見せてくれる図面である。 図７の第２ボディーが下降した場合乾燥チャンバを概略的に見せてくれる図面である。 図５の乾燥チャンバに対する他の実施例を概略的に見せてくれる図面である。 図９の第２ボディーが下降した場合乾燥チャンバを概略的に見せてくれる図面である。
以下、本発明の実施例を添付された図面らを参照してより詳細に説明する。本発明の実施例はさまざまな形態で変形されることができるし、本発明の範囲が以下で敍述する実施例によって限定されることで解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での構成要素の形状などはより明確な説明を強調するために誇張されたものである。
本実施例には基板上に洗浄液のような液を供給して基板を液処理する工程を例で説明する。しかし、本実施例は洗浄工程に限定されないで、蝕刻工程、アッシング工程、現象工程などのように処理液を利用して基板を処理する多様な工程に適用可能である。
以下では、図２乃至図１０を参照して本発明の一実施例による基板処理装置１の一実施例に対して説明する。本発明の一実施例による基板処理装置１は超臨界乾燥工程を含んで洗浄工程を遂行することができる。
図２は、本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる平面図である。図２を参照すれば、基板処理装置１はインデックスモジュール１０、ｉｎｄｅｘ ｍｏｄｕｌｅ）と処理モジュール（ｔｒｅａｔｉｎｇ ｍｏｄｕｌｅ）２０を含む。一実施例によれば、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０は一方向に沿って配置される。以下ではインデックスモジュール１０と処理モジュール２０が配置された方向を第１方向２といって、上部から眺める時、第１方向２と垂直な方向を第２方向４といって、第１方向２と第２方向４をすべて含んだ平面に垂直な方向を第３方向６と定義する。
インデックスモジュール１０は基板（Ｗ）が収納された容器（Ｆ）から基板（Ｗ）を処理する処理モジュール２０に基板（Ｗ）を返送する。インデックスモジュール１０は処理モジュール２０で処理が完了された基板（Ｗ）を容器（Ｆ）に収納する。インデックスモジュール１０の長さ方向は第２方向４に提供される。インデックスモジュール１０はロードポート１２０及びインデックスフレーム１４０を有する。
ロードポート１２０には基板（Ｗ）が収納された容器（Ｆ）が安着される。ロードポート１２０はインデックスフレーム１４０を基準で処理モジュール２０の反対側に位置する。ロードポート１２０は複数個が提供されることができるし、複数のロードポート１２０は第２方向４に沿って一列で配置されることができる。ロードポート１２０の個数は処理モジュール２０の工程効率及びフットプリント条件などによって増加するか、または減少することができる。
容器（Ｆ）には基板（Ｗ）らを地面に対して水平に配置した状態で収納するための複数のスロット（図示せず）が形成される。容器（Ｆ）としては前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｅｄ Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）のような密閉用容器が使用されることができる。容器（Ｆ）はオーバーヘッドトランスファー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベヤー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、または、自動案内車両（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）や作業者によってロードポート１２０に置かれることができる。
インデックスフレーム１４０の内部にはインデックスレール１４２とインデックスロボット１４４が提供される。インデックスレール１４２はインデックスフレーム１４０内にその長さ方向が第２方向４に沿って提供される。インデックスロボット１４４は基板（Ｗ）を返送することができる。インデックスロボット１４４はインデックスモジュール１０、そして、バッファーユニット２２０の間に基板（Ｗ）を返送することができる。インデックスロボット１４４はインデックスハンド１４４０を含むことができる。インデックスハンド１４４０には基板（Ｗ）が置かれることができる。インデックスハンド１４４０は円周の一部が対称されるように折曲された環形のリング形状を有するインデックスベース１４４２とインデックスベース１４４２を移動させるインデックス支持部１４４４を含むことができる。インデックスハンド１４４０の構成は後述する返送ハンドの構成と同一または類似である。インデックスハンド１４４０はインデックスレール１４２上で第２方向４に沿って移動可能に提供されることができる。これに、インデックスハンド１４４０はインデックスレール１４２に沿って前進及び後進移動が可能である。また、インデックスハンド１４４０は第３方向６を軸にした回転、そして、第３方向６に沿って移動可能に提供されることができる。
処理モジュール２０はバッファーユニット２２０、返送チャンバ２４０、そして、液処理チャンバ２６０、そして、乾燥チャンバ２８０を含む。バッファーユニット２２０は処理モジュール２０に搬入される基板（Ｗ）と処理モジュール２０から搬出される基板（Ｗ）が一時的にとどまる空間を提供する。返送チャンバ２４０はバッファーユニット２２０と工程チャンバ２６０の間に、液処理チャンバ２６０、そして、乾燥チャンバ２８０の間に基板（Ｗ）を返送する空間を提供する。液処理チャンバ２６０は基板（Ｗ）上に液を供給して基板（Ｗ）を液処理する液処理工程を遂行する。例えば、液処理工程は洗浄液で基板を洗浄する洗浄工程であることができる。工程チャンバ内で基板に対してケミカル処理、そして、リンス処理がすべて遂行されることができる。乾燥チャンバ２８０は基板（Ｗ）上に残留する液を除去する乾燥工程を遂行する。
バッファーユニット２２０はインデックスフレーム１４０と返送チャンバ２４０との間に配置されることができる。バッファーユニット２２０は返送チャンバ２４０の一端に位置されることができる。バッファーユニット２２０の内部には基板（Ｗ）が置かれるスロット（図示せず）が提供される。スロット（図示せず）らはお互いの間に第３方向６に沿って離隔されるように複数個が提供される。バッファーユニット２２０は前面（ｆｒｏｎｔ ｆａｃｅ）と後面（ｒｅａｒ ｆａｃｅ）が開放される。前面はインデックスモジュール１０と見合わせる面であり、後面は返送チャンバ２４０と見合わせる面である。インデックスロボット１４４は前面を通じてバッファーユニット２２０に接近し、後述する返送ロボット２４４は後面を通じてバッファーユニット２２０に接近することができる。
返送チャンバ２４０はその長さ方向が第１方向２に提供されることができる。液処理チャンバ２６０と乾燥チャンバ２８０は、返送チャンバ２４０の側部に配置されることができる。液処理チャンバ２６０と返送チャンバ２４０は第２方向４に沿って配置されることができる。乾燥チャンバ２８０と返送チャンバ２４０は第２方向４に沿って配置されることができる。
一例によれば、液処理チャンバ２６０らは返送チャンバ２４０の両側に配置され、乾燥チャンバ２８０らは返送チャンバ２４０の両側に配置され、液処理チャンバ２６０らは乾燥チャンバ２８０らよりバッファーユニット２２０にさらに近い位置に配置されることができる。返送チャンバ２４０の一側で液処理チャンバ２６０らは第１方向２及び第３方向６に沿ってそれぞれＡＸＢ（Ａ、Ｂはそれぞれ１または、１より大きい自然数）配列で提供されることができる。また、返送チャンバ２４０の一側で乾燥チャンバ２８０らは第１方向２及び第３方向６に沿ってそれぞれＣＸＤ（Ｃ、Ｄはそれぞれ１または、１より大きい自然数）配列で提供されることができる。前述したところと異なり、返送チャンバ２４０の一側には液処理チャンバ２６０らだけ提供され、他側には乾燥チャンバ２８０らだけ提供されることができる。
返送チャンバ２４０はガイドレール２４２と返送ロボット２４４を有する。ガイドレール２４２はその長さ方向が第１方向２に返送チャンバ２４０内に提供される。返送ロボット２４４はガイドレール２４２上で第１方向２に沿って直線移動可能に提供されることができる。返送ロボット２４４はバッファーユニット２２０、液処理チャンバ２６０、そして、乾燥チャンバ２８０らの間に基板（Ｗ）を返送する。
返送ロボット２４４０はベース２４４２、胴体２４４４、そして、アーム２４４６を含む。ベース２４４２はガイドレール２４２に沿って第１方向２に移動可能になるように設置される。胴体２４４４はベース２４４２に結合される。胴体２４４４はベース２４４２上で第３方向６に沿って移動可能になるように提供される。また、胴体２４４４はベース２４４２上で回転可能になるように提供される。アーム２４４６は胴体２４４４に結合され、これは胴体２４４４に対して前進及び後進移動可能になるように提供される。アーム２４４６は複数個提供されてそれぞれ個別駆動されるように提供される。アーム２４４６らは第３方向６に沿ってお互いに離隔された状態で積層されるように配置される。
液処理チャンバ２６０は基板（Ｗ）に対して液処理する工程を遂行する。例えば、液処理チャンバ２６０は基板（Ｗ）に対して洗浄液を供給して洗浄工程を遂行するチャンバであることがある。これと異なり、液処理チャンバ２６０は液体プラズマを供給して基板上の薄膜を除去する湿式蝕刻工程を遂行するチャンバであることがある。液処理チャンバ２６０は基板（Ｗ）を処理する工程の種類によって相異な構造を有することができる。これと異なり、それぞれの液処理チャンバ２６０らはお互いに等しい構造を有することができる。選択的に、液処理チャンバ２６０らは複数個のグループに区分されてグループらのうちで何れか一つのグループに属する液処理チャンバ２６０らは洗浄工程と湿式蝕刻工程のうちで何れか一つを遂行する液処理チャンバ２６０らであることがあるし、グループらのうちで他の一つのグループに属する液処理チャンバ２６０らは洗浄工程と湿式蝕刻工程のうちで他の一つを遂行する液処理チャンバ２６０らであることがある。
以下の本発明の実施例では液処理チャンバ２６０から基板（Ｗ）上に液を供給して基板（Ｗ）を液処理する液処理工程を遂行する場合を例を挙げて説明する。
図３は、図２の液処理チャンバの一実施例を概略的に見せてくれる図面である。図３を参照すれば、液処理チャンバ２６０はハウジング２６１０、処理容器２６２０、支持ユニット２６３０、昇降ユニット２６４０、液供給ユニット２６５０、排気ユニット２６６０、そして、気流供給ユニット２６８０を含む。
ハウジング２６１０は内部に空間を有する。ハウジング２６１０は概して直方体形状で提供される。処理容器２６２０、支持ユニット２６３０、そして、液供給ユニット２６４０はハウジング２６１０内に配置される。
処理容器２６２０は上部が開放された処理空間を有する。基板（Ｗ）は処理空間内で液処理される。支持ユニット２６３０は処理空間内で基板（Ｗ）を支持して基板（Ｗ）を回転させる。液供給ユニット２６４０は支持ユニット２６３０に支持された基板（Ｗ）上に液を供給する。液は複数の種類で提供され、基板（Ｗ）上に順次に供給されることができる。
一例によれば、処理容器２６２０は案内壁２６２１と複数の回収桶２６２３、２６２５、２６２７を有する。それぞれの回収桶２６２３、２６２５、２６２７は基板処理に使用された液のうちでお互いに相異な液を分離回収する。回収桶ら２６２３、２６２５、２６２７はそれぞれ基板処理に使用された液を回収する回収空間を有する。案内壁２６２１とそれぞれの回収桶ら２６２３、２６２５、２６２７は支持ユニット２６３０を囲む環形のリング形状で提供される。液処理工程が進行される時基板（Ｗ）の回転によって飛散される液は後述する各回収桶２６２３、２６２５、２６２７の流入口２６２３ａ、２６２５ａ、２６２７ａを通じて回収空間に流入される。それぞれの回収桶にはお互いに相異な種類の処理液が流入されることができる。
一例によれば、処理容器２６２０は案内壁２６２１、第１回収桶２６２３、第２回収桶２６２５、そして、第３回収桶２６２７を有する。案内壁２６２１は支持ユニット２６３０を囲む環形のリング形状で提供され、第１回収桶２６２３は案内壁２６２１を囲む環形のリング形状で提供される。第２回収桶２６２５は第１回収桶２６２３を囲む環形のリング形状で提供され、第３回収桶２６２７は第２回収桶２６２５を囲む環形のリング形状で提供される。第１回収桶２６２３と案内壁２６２１との間空間は液が流入される第１流入口２６２３ａで機能する。第１回収桶２６２３と第２回収桶２６２５との間空間は液が流入される第２流入口２６２５ａで機能する。第２回収桶２６２５と第３回収桶２６２７の間空間は液が流入される第３流入口２６２７ａで機能する。第２流入口２６２５ａは第１流入口２６２３ａより上部に位置され、第３流入口２６２７ａは第２流入口２６２５ａより上部に位置されることができる。
案内壁２６２１の下端と第１回収桶２６２３の間空間は液から発生されたヒューム（Ｆｕｍｅ）と気流が排出される第１排出口２６２３ｂで機能する。第１回収桶２６２３の下端と第２回収桶２６２５の間空間は液から発生されたヒュームと気流が排出される第２排出口２６２５ｂで機能する。第２回収桶２６２５の下端と第３回収桶２６２７の間空間は液から発生されたヒュームと気流が排出される第３排出口２６２７ｂで機能する。第１排出口２６２３ｂ、第２排出口２６２５ｂ、そして、第３排出口２６２７ｂから排出されたヒューム（ｆｕｍｅ）と気流は後述する排気ユニット２６６０を通じて排気される。
それぞれの回収桶２６２３、２６２５、２６２７にはその底面の下方向に垂直に延長される回収ライン２６２３ｃ、２６２５ｃ、２６２７ｃが連結される。それぞれの回収ライン２６２３ｃ、２６２５ｃ、２６２７ｃはそれぞれの回収桶２６２３、２６２５、２６２７を通じて流入された処理液を排出する。排出された処理液は外部の処理液再生システム（図示せず）を通じて再使用されることができる。
支持ユニット２６３０はスピンチャック２６３１、支持ピン２６３３、チャックピン２６３５、回転軸２６３７、そして、駆動部２６３９を有する。スピンチャック２６３１は上部から眺める時概して円形で提供される上部面を有する。スピンチャック２６３１の上部面は基板（Ｗ）より大きい直径を有するように提供されることができる。
支持ピン２６３３は複数個提供される。支持ピン２６３３はスピンチャック２６３１の上部面の縁部に所定間隔で離隔されるように配置されてスピンチャック２６３１で上部に突き出される。支持ピン２６３３らはお互いの間に組合によって全体的に環形のリング形状を有するように配置される。支持ピン２６３３はスピンチャック２６３１の上部面から基板（Ｗ）が一定距離離隔されるように基板（Ｗ）の後面縁を支持する。
チャックピン２６３５は複数個提供される。チャックピン２６３５はスピンチャック２６３１の中心から支持ピン２６３３より遠く離れるように配置される。チャックピン２６３５はスピンチャック２６３１で上部面から突き出されるように提供される。チャックピン２６３５は基板（Ｗ）が回転される時正位置から側方向に離脱されないように基板（Ｗ）の側部を支持する。チャックピン２６３５はスピンチャック２６３１の半径方向に沿って待機位置と支持位置の間に直線移動が可能になるように提供される。待機位置は支持位置に比べてスピンチャック２６３１の中心から遠く離れた位置である。基板（Ｗ）が支持ユニット２６３０にローディングまたはアンローディング時チャックピン２６３５は待機位置に位置され、基板（Ｗ）に対して工程遂行時チャックピン２６３５は支持位置に位置される。支持位置でチャックピン２６３５は基板（Ｗ）の側部と接触される。
回転軸２６３７はスピンチャック２６３１と結合される。回転軸２６３７はスピンチャック２６３１の下面と結合することができる。回転軸２６３７は長さ方向が上下方向を向けるように提供されることができる。回転軸２６３７は駆動部２６３９から動力の伝達を受けて回転可能になるように提供される。回転軸２６３７が駆動部２６３９によって回転することでスピンチャック２６３１を回転させる。駆動部２６３９は回転軸２６３７の回転速度を可変することができる。駆動部２６３９は駆動力を提供するモータであることができる。しかし、これに限定されるものではなくて、駆動部２６３９は駆動力を提供する公知された装置で多様に変形されることができる。
液供給ユニット２６４０は支持ユニット２６３０に支持された基板（Ｗ）上に液を供給する。液供給ユニット２６４０は複数個で提供され、それぞれはお互いに相異な種類の液らを供給する。一例によれば、液供給ユニット２６４０は第１液供給部材２６４２及び第２液供給部材２６４４を含む。
第１液供給部材２６４２は支持軸２６４２ａ、支持アーム２６４２ｂ、アーム駆動機２６４２ｃ、そして、ノズル２６４２ｄを含む。支持軸２６４２ａは処理容器２６２０の一側に位置される。支持軸２６４２ａはその長さ方向が第３方向６を向けるロード形状を有する。支持軸２６４２ａはアーム駆動機２６４２ｃによって回転可能になるように提供される。支持アーム２６４２ｂは支持軸２６４２ａの上端に結合される。支持アーム２６４２ｂは支持軸２６４２ａから垂直に延長される。支持アーム２６４２ｂの末端にはノズル２６４２ｄが固定結合される。支持軸２６４２ａが回転されることによってノズル２６４２ｄは支持アーム２６４２ｂと共にスイング移動可能である。ノズル２６４２ｄはスイング移動されて工程位置及び待機位置に移動されることができる。ここで、工程位置はノズル２６４２ｄが支持ユニット２６３０に支持された基板（Ｗ）と対向される位置であり、待機位置はノズル２６４２ｄが工程位置を脱した位置である。
選択的に、支持アーム２６４２ｂはその長さ方向を向けて前進及び後進移動が可能になるように提供されることができる。上部から眺める時ノズル２６４２ｄはスイング移動されて基板（Ｗ）の中心軸と一致するように移動されることができる。
第２液供給部材２６４４は支持ユニット２６３０に支持された基板（Ｗ）上に第２液を供給する。第２液供給部材２６４４は第１液供給部材２６４２と等しい形状を有するように提供される。これによって第２液供給部材２６４４に対する詳細な説明は略する。
第１処理液と第２処理液はケミカル、リンス液、そして、有機溶剤のうちで何れか一つであることができる。例えば、ケミカルは希釈された硫酸（Ｈ２ＳＯ４、Ｄｉｌｕｔｅｄ Ｓｕｌｆｕｒｉｃ ａｃｉｄ Ｐｅｒｏｘｉｄｅ）、リン酸（Ｐ２Ｏ５）、フッ酸（ＨＦ）、そして、水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）を含むことができる。例えば、リンス液は水または脱イオン水（ＤＩＷ）を含むことができる。例えば、有機溶剤はイソプロピルアルコール（Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ：ＩＰＡ）のようなアルコールを含むことができる。
排気ユニット２６５０は処理空間に発生されたヒューム（Ｆｕｍｅ）と気体を排気する。排気ユニット２６５０は基板（Ｗ）を液処理時発生されるヒュームと気体を排気する。排気ユニット２６５０は処理容器２６２０の底面に結合されることができる。一実施例で、排気ユニット２６５０は支持ユニット２６３０の回転軸２６３７と処理容器２６２０の内側壁の間空間に提供されることができる。排気ユニット２６５０には減圧ユニット（図示せず）が提供される。減圧ユニットによって基板（Ｗ）を液処理時発生されるヒュームと気体を処理空間から処理空間外部に排気する。
気流供給ユニット２６６０はハウジング２６１０の内部空間に気流を供給する。気流供給ユニット２６６０は内部空間に下降気流を供給することができる。気流供給ユニット２６６０はハウジング２６１０に設置されることができる。気流供給ユニット２６６０は処理容器２６２０と支持ユニット２６３０より上部に設置されることができる。気流供給ユニット２６６０を通じてハウジング２６１０の内部空間に供給された気体は内部空間で下降気流を形成する。処理空間内で処理工程によって発生された気体副産物は下降気流によって排気ライン２６５０を通じてハウジング２６１０外部に排出される。気流供給ユニット２６６０はファンフィルターユニットに提供されることができる。
基板処理装置１は超臨界流体を工程流体で利用して基板（Ｗ）を処理する超臨界工程を遂行することができる。超臨界工程は超臨界流体の特性を利用して遂行される。その代表的な例で、超臨界乾燥工程と超臨界蝕刻工程がある。以下では、超臨界工程に関して超臨界乾燥工程を基準で説明する。但し、これは説明の容易のためのことに過ぎないので、基板処理装置１は超臨界乾燥工程以外の他の超臨界工程を遂行することができる。
超臨界乾燥工程は超臨界流体で基板（Ｗ）の回路パターンに残留する有機溶剤を溶解して基板（Ｗ）を乾燥させる方式で遂行する。超臨界乾燥工程は乾燥効率が優秀であるだけでなく、パターン倒壊現象を防止することができる。超臨界乾燥工程に利用される超臨界流体としては有機溶剤と混和性がある物質を使用することができる。例えば、超臨界二酸化炭素（ｓｃＣＯ２：ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ ｃａｒｂｏｎ ｄｉｏｘｉｄｅ）が超臨界流体で使用されることができる。
図４は、二酸化炭素の相変化に関するグラフを見せてくれる図面である。二酸化炭素は臨界温度が３１．１℃であり、臨界圧力が７．３８ＭＰａで比較的低くて超臨界状態で作り易くて、温度と圧力を調節して相変化を制御することが容易であって、値段が安い長所がある。また、二酸化炭素は毒性がなくて人体に無害で、不燃性、非活性の特性を有する。超臨界二酸化炭素は水やその他の有機溶剤と比べて拡散係数（Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）がおおよそ１０～１００倍高くて浸透が早くて、有機溶剤の置き換えが早い。また、超臨界二酸化炭素は表面張力がほとんどなくて微細な回路パターンを有する基板（Ｗ）の乾燥に利用することに有利な物性を有する。それだけでなく、超臨界二酸化炭素は多様な化学反応の副産物で生成されることを再活用することができると共に、超臨界乾燥工程に使用した以後、これを気体に転換させて有機溶剤を分離して再使用することが可能で環境汚染の側面でも負担が少ない。
図５は、図２の乾燥チャンバに対する一実施例を概略的に見せてくれる図面である。図５を参照すれば、本発明の一実施例による乾燥チャンバ２８０は超臨界状態の乾燥用流体を利用して基板（Ｗ）上に残留する処理液を除去することができる。例えば、乾燥チャンバ２８０は超臨界状態の二酸化炭素（ＣＯ２）を利用して基板（Ｗ）上に残留する有機溶剤を除去する乾燥工程を遂行することができる。
乾燥チャンバ２８０はハウジング２８１０、加熱部材２８２０、支持部材２８３０、流体供給ユニット２８４０、流体排出ユニット２８５０、そして、駆動機２８６０を含むことができる。
ハウジング２８１０は基板（Ｗ）が処理される処理空間を提供することができる。ハウジング２８１０は臨界圧力以上の高圧を耐えることができる材質で提供される。ハウジング２８１０はお互いに組合されて内部に処理空間を提供する第１ボディー２８１２と第２ボディー２８１４を含むことができる。第１ボディー２８１２は第２ボディー２８１４より上部に位置することができる。第１ボディー２８１２、そして、第２ボディー２８１４のうちで何れか一つは駆動機２８６０と結合して上下方向に移動されることができる。例えば、第２ボディー２８１４は駆動機２８６０と結合し、駆動機２８６０によって上下方向に移動されることができる。これに、ハウジング２８１の内部処理空間は選択的に密閉されることができる。前述した例では、第２ボディー２８１４が駆動機２８６０と結合して上下方向に移動することを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、第１ボディー２８１２が駆動機２８６０と結合して上下方向に移動されることができる。以下では説明の便宜のために第２ボディー２８１４が駆動機２８６０と結合して上下方向に移動される場合を例に挙げて説明する。
加熱部材２８２０は処理空間に供給される処理流体を加熱することができる。加熱部材２８２０は処理空間内部の温度を高めることができる。加熱部材２８２０が処理空間の温度を高めることで、処理空間に供給された処理流体は超臨界状態に転換されるか、または、超臨界状態を維持することができる。
また、加熱部材２８２０はハウジング２８１０内に埋設されることができる。例えば、加熱部材２８２０は第１ボディー２８１２、そして、第２ボディー２８１４のうちで何れか一つに埋設されることができる。例えば、加熱部材２８２０は第２ボディー２８１４内に提供されることができる。これに限定されるものではなくて、加熱部材２８２０は処理空間の温度を昇温させることができる多様な位置に提供されることができる。加熱部材２８２０はヒーターであることができる。しかし、これに限定されるものではなくて、加熱部材２８２０は処理空間の温度を昇温させることができる公知された装置で多様に変形されることができる。
支持部材２８３０は処理空間で基板（Ｗ）を支持することができる。支持部材２８３０は処理空間で基板（Ｗ）の縁領域を支持できるように構成されることができる。例えば、支持部材２８３０は処理空間で基板（Ｗ）の縁領域下面を支持できるように構成されることができる。
流体供給ユニット２８４０は処理空間に処理流体を供給することができる。流体供給ユニット２８４０が供給する処理流体は二酸化炭素を含むことができる。流体供給ユニット２８４０が供給する処理流体は超臨界状態で処理空間に供給されるか、または、処理空間で超臨界状態に転換されることができる。流体供給ユニット２８４０は供給配管２８４１、ヒーター２８４５、フィルター２８４６、圧力センサー２８４７、バルブ２８４８、そして、流体供給源２８４９を含むことができる。
供給配管２８４１は処理空間に処理流体を供給することができる。供給配管２８４１はハウジング２８１０と連結されることができる。供給配管２８４１はメイン供給配管２８４２、上部供給配管２８４３、そして、下部供給配管２８４４を含むことができる。メイン供給配管２８４２は後述する流体供給源２８４９と連結されることができる。上部供給配管２８４３はメイン供給配管２８４２から分岐され、第１ボディー２８１２と連結されることができる。これに、上部供給配管２８４３は処理空間の上部領域に処理流体を供給することができる。下部供給配管２８４４はメイン供給配管２８４２から分岐され、第２ボディー２８１４と連結されることができる。これに、下部供給配管２８４４は処理空間の下部領域に処理流体を供給することができる。
前述した例では流体供給源２８４９にメイン供給配管２８４２が連結されることを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、流体供給源２８４９は複数個で提供され、上部供給配管２８４３は複数の流体供給源２８４９のうちで何れか一つと連結され、下部供給配管２８４４は複数の流体供給源２８４９のうちで他の一つと連結されることができる。
ヒーター２８４５は供給配管２８４１に設置されることができる。ヒーター２８４５は供給配管２８４１の上流に設置されることができる。ヒーター２８４５はメイン供給配管２８４２に設置されることができる。ヒーター２８４５は供給配管２８４１を加熱し、供給配管２８４１に流れる（または、残留する）処理流体の温度を調節することができる。選択的に、ヒーター２８４５は上部供給配管２８４２と下部供給配管２８４３にそれぞれ設置されることができる。
フィルター２８４６は後述する流体供給源２８４９から処理空間に伝達される処理流体を濾過することができる。例えば、フィルター２８４６は処理空間に伝達される処理流体に含まれることができる不純物を濾過することができる。フィルター２８４６は供給配管２８４１に設置されることができる。フィルター２８４６は供給配管２８４１の上流に設置されることができる。フィルター２８４６はメイン供給配管２８４２に設置されることができる。選択的に、フィルター２８４６は上部供給配管２８４２と下部供給配管２８４３にそれぞれ設置されることができる。
圧力センサー２８４７は処理空間及び／または供給配管２８４１の圧力を測定することができる。圧力センサー２８４７は供給配管２８４１に設置されることができる。圧力センサー２８４７は供給配管２８４１の上流に設置されることができる。圧力センサー２８４７はメイン供給配管２８４２に設置されることができる。選択的に、圧力センサー２８４７は上部供給配管２８４２と下部供給配管２８４３にそれぞれ設置されることができる。
バルブ２８４８は供給配管２８４１に設置されることができる。バルブ２８４８は供給配管２８４１の上流に設置されることができる。バルブ２８４８はメイン供給配管２８４２に設置されることができる。選択的に、バルブ２８４８は上部供給配管２８４２と下部供給配管２８４３にそれぞれ設置されることができる。バルブ２８４８は流量調節バルブであることができる。選択的に、バルブ２８４８はｏｎ／ｏｆｆバルブであることができる。バルブ２８４８の開閉によって処理空間への処理流体の供給如何が決まることができる。
流体供給源２８４９は処理流体を貯蔵及び／または供給することができる。流体供給源２８４９はリザーバー（Ｒｅｓｅｒｖｏｉｒ）であることがある。流体供給源２８４９は処理流体を供給配管２８４１に伝達することができる。
流体排出ユニット２８５０はハウジング２８１０の処理空間から処理流体を排出することができる。流体排出ユニット２８５０は排出配管２８５１、減圧バルブ２８５５、圧力調節部材２８５６、そして、回収タンク２８５７を含むことができる。
排出配管２８５１は処理空間から処理流体を排出することができる。排出配管２８５１は処理空間に供給された処理流体をハウジング２８１０の外部に排出することができる。排出配管２８５１はハウジング２８１０と連結されることができる。排出配管２８５１は第２ボディー２８１４と連結されることができる。排出配管２８５１は伸縮配管２８５２、第１排出配管２８５３、そして、第２排出配管２８５４を含むことができる。
以下では、排出配管２８５１内で処理流体が流れる方向を基準で、上流と下流を定義する。具体的に、排出配管２８５１内で処理流体はハウジング２８１０から流動されるので、排出配管２８５１内で第２ボディー２８１４と連結された支点と相対的に近い支点を上流と定義し、排出配管２８５１内で第２ボディー２８１４から処理流体が流れる方向を向けて遠くなる支点を下流と定義する。
伸縮配管２８５２はハウジング２８１０の上下移動によって伸縮することがある。伸縮配管２８５２は第２ボディー２８１４の上下移動によって伸縮することができる。伸縮配管２８５２はコイル配管（Ｃｏｉｌ－Ｔｕｂｅ）で提供されることができる。選択的に、伸縮配管２８５２はフレキシブル（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）配管で提供されることができる。伸縮配管２８５２の上端は伸縮配管２８５２の下端より排出配管２８５１の上流に位置することができる。すなわち、伸縮配管２８５２は下流側から上流側に行くほど地面に対する相対的高さが高くなる支点に位置することができる。以下では、伸縮配管２８５２がコイル配管で提供された場合で例を挙げて説明する。
コイル配管２８５２で処理流体が流れる流動通路の断面積は第１排出配管２８５３、そして、第２排出配管２８５４の処理流体が流れる流動通路の断面積より小さく提供されることができる。これはコイル配管２８５２の通路の断面積が大きく形成される場合、伸縮に要求される圧縮力または／及び引張力の大きさが大きくなるためである。これに、コイル配管２８５２で処理流体が流れる流動通路の断面積を小さく提供することで、第２ボディー２８１４の上下移動によって容易にコイル配管２８５２が引張または／及び圧縮することができる。
第１排出配管２８５３はコイル配管２８５２の下流側に連結されることができる。第１排出配管２８５３の一端はコイル配管２８５２の下端に連結されて排出配管２８５１の下流に向けて延長されることができる。第１排出配管２８５３には後述する減圧バルブ２８５５、圧力調節部材２８５６、そして、回収タンク２８５７が設置されることができる。
第２排出配管２８５４はコイル配管２８５２と第２ボディー２８１４を連結することができる。第２排出配管２８５４はコイル配管２８５２の上流側に連結されることができる。第２排出配管２８５４の一端はコイル配管２８５２の上端に連結されて排出配管２８５１の上流に向けて延長されて第２ボディー２８１４に連結されることができる。
第２排出配管２８５４は第１部分２８５４ａ、第２部分２８５４ｂ、第３部分２８５４ｃ、そして、第４部分２８５４ｄに提供されることができる。第１部分２８５４ａ、第２部分２８５４ｂ、第３部分２８５４ｃ、そして、第４部分２８５４ｄは排出配管２８５１の上流で下流に向けて順次に配置されることができる。第１部分２８５４ａの一端は第２ボディー２８１４に連結されることができる。第１部分２８５４ａの長さ方向は一端から他端まで地面に対して下方向に延長されることができる。第２部分２８５４ｂの一端は第１部分２８５４ａの他端に連結されることができる。第２部分２８５４ｂの長さ方向は一端から他端まで地面と平行な方向に延長されることができる。第３部分２８５４ｃの一端は第２部分２８５４ｂの他端と連結されることができる。第３部分２８５４ｃの長さ方向は一端から他端まで地面に対して上に向ける方向に垂直に延長されることができる。第４部分２８５４ｄの一端は第３部分２８５４ｃの他端と連結されることができる。第４部分２８５４ｄの一端から他端までその長さ方向が地面に対して水平に延長されることができる。第４部分２８５４ｄの他端はコイル配管２８５２の上端と連結されることができる。第２排出配管は２８５４はこれに限定されないで、多様な形状で変形されて提供されることができる。
減圧バルブ２８５５は処理空間から処理流体が選択的に排出されるようにできる。減圧バルブ２８５５は排出配管２８５１に処理流体が選択的に流れるようにできる。減圧バルブ２８５５はｏｎ／ｏｆｆバルブであることがある。減圧バルブ２８５５は第１排出配管２８５３に設置されることができる。
圧力調節部材２８５６は処理空間の圧力を設定圧力で一定に維持させることができる。例えば、圧力調節部材２８５６は排出配管２８５１に流れる処理流体の圧力を測定することができる。また、圧力調節部材２８５６は排出配管２８５１に流れる処理流体の圧力に根拠して処理空間の圧力を測定することができる。また、圧力調節部材２８５６は処理空間の圧力を設定圧力で維持するように、排出配管２８５１を通じて排出される処理流体の単位時間当り排出流量を調節することができる。例えば、圧力調節部材２８５６はバックプレッシャーレギュレーター（ＢＰＲ、Ｂａｃｋ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｒｅｇｕｌａｔｏｒ）であることがある。圧力調節部材２８５６は第１排出配管２８５３に設置されることができる。
回収タンク２８５７は処理空間から排出した処理流体を貯蔵する空間を提供することができる。回収タンク２８５７に貯蔵された超臨界乾燥工程に使用した処理流体を気体に転換させて有機溶剤を分離して再使用することができる。回収タンク２８５７は第１排出配管２８５３に設置されることができる。一例で、回収タンク２８５７は減圧バルブ２８５５、そして、圧力調節部材２８５６より第１排出配管２８５３の下流に設置されることができる。
図６は、図５の第２ボディーが下降した場合乾燥チャンバを概略的に見せてくれる図面である。以下では、図６を参照して一実施例による排出配管に対して詳しく説明する。
乾燥チャンバ２８０は超臨界状態の乾燥用流体を利用して基板（Ｗ）上に残留する処理液を除去することができる。例えば、乾燥チャンバ２８０は超臨界状態の二酸化炭素（ＣＯ２）を利用して基板（Ｗ）上に残留する有機溶剤を除去する乾燥工程を遂行することができる。超臨界乾燥工程は基板（Ｗ）を処理空間に搬入する基板搬入工程（Ｓ１００）、処理空間内の雰囲気を加圧する加圧工程（Ｓ２００）、処理空間内の雰囲気を常圧に戻す減圧工程（Ｓ３００）、そして、処理空間から基板（Ｗ）を搬出する基板搬出工程（Ｓ４００）を含む。
基板搬入工程（Ｓ１００）では処理空間に基板（Ｗ）を搬入するために第２ボディー２８１４が駆動機２８６０によって第１ボディー２８１４に向けて昇降される。基板搬出工程（Ｓ４００）では処理空間から基板（Ｗ）を搬出するために第２ボディー２８１４が駆動機２８６０によって第１ボディー２８１２から遠くなる方向に下降する。
図６を参照すれば、処理空間で処理流体によって乾燥工程が完了された以後、第２ボディー２８１４が駆動機２８６０によって下方向に移動される。一例で、第１ボディー２８１２及び第２ボディー２８１４が密閉された状態を基準で、第２ボディー２８１４が下方向に移動した距離がＨであると仮定する。コイル配管２８５２の下流に連結された第１排出配管２８５３には減圧バルブ２８５５、圧力調節部材２８５６、回収タンク２８５７などが設置されることで、第２ボディー２８１４が上下移動する時その高さが固定されるように提供される。第１排出配管２８５３が固定部と作用することで、第２ボディー２８１４が下方向に移動する時、コイル配管２８５２が伸縮されることができる。第２ボディー２８１４が下方向に移動する時、コイル配管２８５２が圧縮されることができる。コイル配管２８５２が変位Ｈ程度伸縮をしてくれることで、第２ボディー２８１４が下方向に移動する時、第２排出配管２８５４は第２ボディー２８１４が移動した距離Ｈ程度の下方向に共に移動される。第２ボディー２８１４が下方向に移動する時、第１部分２８５４ａと第３部分２８５４ｃはＨ距離程度下方向に移動することができる。
基板に対して超臨界乾燥処理を進行する時、第２ボディー２８１４の移動によって超臨界流体が流動する排出配管２８５１も共に移動することができる。これに、第２ボディー２８１４の移動時配管が移動することができなくて配管が破損されるか、または、配管に塑性変形が発生する技術的不利益を最小化することができる。基板に対して超臨界乾燥処理を進行する時、超臨界流体が流動する排出配管２８５１に加えられる配管衝撃を最小化することができる。排出配管２８５１に設置された各種装備らの損傷を最小化することができる。配管損傷によって超臨界流体が配管外部に流出されて設備が汚染することを予防することができる。
コイル配管２８５２で処理流体が流れる流動通路の断面積は第１配管２８５３、そして、第２配管２８５４の処理流体が流れる流動通路の断面積より小さく提供されることができる。これはコイル配管２８５２の通路の断面積が大きく形成される場合、伸縮に要求される圧縮力または／及び引張力の大きさが大きくなるためである。これに、コイル配管２８５２で処理流体が流れる流動通路の断面積を小さく提供することで、第２ボディー２８１４の上下移動によって容易にコイル配管２８５２が引張または／及び圧縮することができる。一般に、配管の流体流動断面積が小さくなれば、配管内で流動する流体の温度減少によって流体の凝縮による液化現象が惹起されることがある。これに、本実施例ではコイル配管２８５２の上端がコイル配管２８５２の下端より排出配管２８５１の上流に位置させて排出配管２８５１で流動する処理流体の凝縮による逆流を防止することができる。これにより、排出配管２８５１内で処理流体の逆流による処理空間への逆汚染を防止することができる。
前述した実施例では第２ボディー２８１４がＨ距離程度下方向に移動する時、コイル配管２８５２が変位Ｈ程度伸縮し、第１部分２８５４ａと第３部分２８５４ｃはＨ距離程度下方向に移動することで説明したが、これは本実施例を説明するために例を挙げて説明したものである。第２ボディー２８１４が移動した距離Ｈによって、コイル配管２８５２、第１部分２８５４ａ、そして、第３部分２８５４ｃは変位Ｈに近似値で下方向に移動することができる。
前述した実施例では伸縮配管２８５２が第１排出配管２８５３、そして、第２排出配管２８５４の間に提供されることを例に挙げて説明した。但し、これに限定されないで、第２部分２８５４ｂにも第２ボディー２８１４の上下移動によって伸縮可能な配管で提供されることができる。一例で、第２部分２８５４ｂはフレキシブル（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）配管で提供されることができる。これに、第２ボディー２８１４の上下移動によって配管が損傷されやすい第２部分２８５４ｂに加えられる配管衝撃を緩和することができる。
図７は、図５の乾燥チャンバに対する他の実施例を概略的に見せてくれる図面である。乾燥チャンバ２８０はハウジング２８１０、加熱部材２８２０、支持部材２８３０、流体供給ユニット２８４０、流体排出ユニット２８５０、そして、駆動機２８６０を含むことができる。本実施例では図５の乾燥チャンバ２８０に含まれるハウジング２８１０、加熱部材２８２０、支持部材２８３０、そして、駆動機２８６０は類似に提供される。これに、以下では乾燥チャンバ２８０のハウジング２８１０、加熱部材２８２０、支持部材２８３０、そして、駆動機２８６０に対する説明は略する。
図７を参照すれば、流体供給ユニット２８４０は処理空間に処理流体を供給することができる。流体供給ユニット２８４０が供給する処理流体は二酸化炭素を含むことができる。流体供給ユニット２８４０が供給する処理流体は超臨界状態で処理空間に供給されるか、または、処理空間で超臨界状態に転換されることができる。流体供給ユニット２８４０は供給配管２８４１、ヒーター２８４５、フィルター２８４６、圧力センサー２８４７、バルブ２８４８、そして、流体供給源２８４９を含むことができる。
供給配管２８４１は処理空間に処理流体を供給することができる。供給配管２８４１はハウジング２８１０と連結されることができる。供給配管２８４１はメイン供給配管２８４２、上部供給配管２８４３、そして、下部供給配管２８４４を含むことができる。メイン供給配管２８４２は後述する流体供給源２８４９と連結されることができる。上部供給配管２８４３はメイン供給配管２８４２から分岐され、第１ボディー２８１２と連結されることができる。これに、上部供給配管２８４３は処理空間の上部領域に処理流体を供給することができる。下部供給配管２８４４はメイン供給配管２８４２から分岐され、第２ボディー２８１４と連結されることができる。これに、下部供給配管２８４４は処理空間の下部領域に処理流体を供給することができる。
前述した例では流体供給源２８４９にメイン供給配管２８４２が連結されることを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、流体供給源２８４９は複数個で提供され、上部供給配管２８４３は複数の流体供給源２８４９のうちで何れか一つと連結され、下部供給配管２８４４は複数の流体供給源２８４９のうちで他の一つと連結されることができる。
下部供給配管２８４４は伸縮配管２８４４ａ、第１供給配管２８４４ｂ、そして、第２供給配管２８４４ｃを含むことができる。以下では、下部供給配管２８４４内で処理流体が流れる方向を基準で、上流と下流を定義する。具体的に、下部供給配管２８４４内で処理流体は流体供給源２８４９からハウジング２８１０を向けて流動されるので、下部供給配管２８４４内で流体供給源２８４９に連結された支点と相対的に近い支点を上流と定義し、下部供給配管２８４４内で第２ボディー２８１４と連結された支点と相対的に近い支点を下流と定義する。
伸縮配管２８４４ａはハウジング２８１０の上下移動によって伸縮することができる。伸縮配管２８４４ａは第２ボディー２８１４の上下移動によって伸縮することができる。伸縮配管２８４４ａはコイル配管（Ｃｏｉｌ－Ｔｕｂｅ）で提供されることができる。選択的に、伸縮配管２８４４ａはフレキシブル（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）配管で提供されることができる。伸縮配管２８４４ａの上端は伸縮配管２８４４ａの下端より下部供給配管２８４４の上流に位置することができる。すなわち、伸縮配管２８４４ａは上流側から下流側に行くほど地面に対する相対的高さが低くなる支点に位置することができる。以下では、伸縮配管２８４４ａがコイル配管に提供される場合を例に挙げて説明する。
コイル配管２８４４ａで処理流体が流れる流動通路の断面積は第１供給配管２８４４ｂ、そして、第２供給配管２８４４ｃの処理流体が流れる流動通路の断面積より小さく提供されることができる。これはコイル配管２８４４ａの通路の断面積が大きく形成される場合、伸縮に要求される圧縮力または／及び引張力の大きさが大きくなるためである。これに、コイル配管２８４４ａで処理流体が流れる流動通路の断面積を小さく提供することで、第２ボディー２８１４の上下移動によって容易にコイル配管２８４４ａが引張または／及び圧縮することができる。
第１供給配管２８４４ｂはコイル配管２８４４ａの上流側に連結されることができる。第１供給配管２８４４ｂの一端はコイル配管２８４４ａの上端と連結され、第１供給配管２８４４ｂの他端は上部供給配管２８４３と連結されることができる。選択的に、第１供給配管２８４４ｂの一端はコイル配管２８４４ａの上端と連結され、第１供給配管２８４４ｂの他端はメイン供給配管２８４２と連結されることができる。
第２供給配管２８４４ｃはコイル配管２８４４ａと第２ボディー２８１４を連結することができる。第２供給配管２８４４ｃはコイル配管２８４４ａの下流側に連結されることができる。第２供給配管２８４４ｃの一端はコイル配管２８４４ａの下端に連結されて下部供給配管２８４４の下流に向けて延長されて第２ボディー２８１４に連結されることができる。
第２供給配管２８４４ｃは第５部分２８４４ｄ、そして、第６部分２８４４ｅに提供されることができる。第５部分２８４４ｄ、そして、第６部分２８４４ｅは下部供給配管２８４４の下流で上流に向けて順次に配置されることができる。第５部分２８４４ｄの一端は第２ボディー２８１４に連結されることができる。第５部分２８４４ｄの長さ方向は一端から他端まで地面に対して下方向に延長されることができる。第６部分２８４４ｅの一端は第５部分２８４４ｄの他端に連結されることができる。第６部分２８４４ｅの長さ方向は一端から他端まで地面と平行な方向に延長されることができる。第２供給配管２８４４ｃの形状はこれに限定されないで、多様な形状で変形されて提供されることができる。
ヒーター２８４５は供給配管２８４１に設置されることができる。ヒーター２８４５は供給配管２８４１の上流に設置されることができる。ヒーター２８４５はメイン供給配管２８４２に設置されることができる。ヒーター２８４５は供給配管２８４１を加熱し、供給配管２８４１に流れる（または、残留する）処理流体の温度を調節することができる。
フィルター２８４６は後述する流体供給源２８４９から処理空間に伝達される処理流体を濾過することができる。例えば、フィルター２８４６は処理空間に伝達される処理流体に含まれることができる不純物を濾過することができる。フィルター２８４６は供給配管２８４１に設置されることができる。フィルター２８４６は供給配管２８４１の上流に設置されることができる。一例で、フィルター２８４６はメイン供給配管２８４２に設置されることができる。
圧力センサー２８４７は処理空間及び／または供給配管２８４１の圧力を測定することができる。圧力センサー２８４７は供給配管２８４１に設置されることができる。圧力センサー２８４７は供給配管２８４１の上流に設置されることができる。一例で、圧力センサー２８４７はメイン供給配管２８４２に設置されることができる。
バルブ２８４８は供給配管２８４１に設置されることができる。バルブ２８４８は供給配管２８４１の上流に設置されることができる。バルブ２８４８はメイン供給配管２８４２に設置されることができる。バルブ２８４８は流量調節バルブであることができる。選択的に、バルブ２８４８はｏｎ／ｏｆｆバルブであることができる。バルブ２８４８の開閉によって処理空間への処理流体の供給如何が決まることができる。
流体供給源２８４９は処理流体を貯蔵及び／または供給することができる。流体供給源２８４９はリザーバー（Ｒｅｓｅｒｖｏｉｒ）であることがある。流体供給源２８４９は処理流体を供給配管２８４１に伝達することができる。
流体排出ユニット２８５０はハウジング２８１０の処理空間から処理流体を排出することができる。流体排出ユニット２８５０は排出配管２８５１、減圧バルブ２８５５、圧力調節部材２８５６、そして、回収タンク２８５７を含むことができる。
排出配管２８５１は処理空間から処理流体を排出することができる。排出配管２８５１は処理空間に供給された処理流体をハウジング２８１０の外部に排出することができる。排出配管２８５１はハウジング２８１０と連結されることができる。排出配管２８５１は第２ボディー２８１４と連結されることができる。
減圧バルブ２８５５は処理空間から処理流体が選択的に排出されるようにできる。減圧バルブ２８５５は排出配管２８５１に処理流体が選択的に流れるようにできる。減圧バルブ２８５５はｏｎ／ｏｆｆバルブであることができる。
圧力調節部材２８５６は処理空間の圧力を設定圧力で一定に維持させることができる。例えば、圧力調節部材２８５６は排出配管２８５１に流れる処理流体の圧力を測定することができる。また、圧力調節部材２８５６は排出配管２８５１に流れる処理流体の圧力に根拠して処理空間の圧力を測定することができる。また、圧力調節部材２８５６は処理空間の圧力を設定圧力で維持するように、排出配管２８５１を通じて排出される処理流体の単位時間当り排出流量を調節することができる。例えば、圧力調節部材２８５６はバックプレッシャーレギュレーター（ＢＰＲ、Ｂａｃｋ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｒｅｇｕｌａｔｏｒ）であることがある。
回収タンク２８５７は処理空間から排出した処理流体を貯蔵する空間を提供することができる。回収タンク２８５７に貯蔵された超臨界乾燥工程に使用した処理流体を気体で転換させて有機溶剤を分離して再使用することができる。一例で、回収タンク２８５７は減圧バルブ２８５５、そして、圧力調節部材２８５６より排出配管２８５１の下流に設置されることができる。
図８は、図７の第２ボディーが下降した場合乾燥チャンバを概略的に見せてくれる図面である。以下では、図８を参照して一実施例による供給配管に対して詳しく説明する。
乾燥チャンバ２８０は超臨界状態の乾燥用流体を利用して基板（Ｗ）上に残留する処理液を除去することができる。例えば、乾燥チャンバ２８０は超臨界状態の二酸化炭素（ＣＯ２）を利用して基板（Ｗ）上に残留する有機溶剤を除去する乾燥工程を遂行することができる。超臨界乾燥工程は基板（Ｗ）を処理空間に搬入する基板搬入工程（Ｓ１００）、処理空間内の雰囲気を加圧する加圧工程（Ｓ２００）、処理空間内の雰囲気を常圧に戻す減圧工程（Ｓ３００）、そして、処理空間から基板（Ｗ）を搬出する基板搬出工程（Ｓ４００）を含む。
基板搬入工程（Ｓ１００）では処理空間に基板（Ｗ）を搬入するために第２ボディー２８１４が駆動機２８６０によって第１ボディー２８１４に向けて昇降される。基板搬出工程（Ｓ４００）では処理空間から基板（Ｗ）を搬出するために第２ボディー２８１４が駆動機２８６０によって第１ボディー２８１２から遠くなる方向に下降する。
図８を参照すれば、処理空間で処理流体によって乾燥工程が完了された以後、第２ボディー２８１４が駆動機２８６０によって下方向に移動される。一例で、第１ボディー２８１２及び第２ボディー２８１４が密閉された状態を基準で、第２ボディー２８１４が下方向に移動した距離がＨであると仮定する。コイル配管２８４４ａの上流に連結された第１供給配管２８４４ｂはメイン供給配管２８４２または上部供給配管２８４３に連結されているので、第２ボディー２８１４が上下移動する時その高さが固定されるように提供される。第１供給配管２８４４ｂが固定部と作用することで、第２ボディー２８１４が下方向に移動する時、コイル配管２８４４ａが伸縮されることができる。第２ボディー２８１４が下方向に移動する時、コイル配管２８４４ａが圧縮されることができる。コイル配管２８４４ａが変位Ｈ程度伸縮をしてくれることで、第２ボディー２８１４が下方向に移動する時、第２供給配管２８４４ｃは第２ボディー２８１４が移動した距離Ｈ程度の下方向に共に移動される。第２ボディー２８１４が下方向に移動する時、第６部分２８４４ｅはＨ距離程度下方向に移動することができる。
基板に対して超臨界乾燥処理を進行する時、第２ボディー２８１４の移動によって超臨界流体が流動する下部供給配管２８４４も共に移動することができる。これに、第２ボディー２８１４の移動時配管が移動することができなくて配管が破損されるか、または、配管に塑性変形が発生する技術的不利益を最小化することができる。基板に対して超臨界乾燥処理を進行する時、超臨界流体が流動する下部供給配管２８４４に加えられる配管衝撃を最小化することができる。下部供給配管２８４４に設置された各種装備らの損傷を最小化することができる。配管損傷によって超臨界流体が配管外部に流出されて設備が汚染されることを予防することができる。
前述した実施例では第２ボディー２８１４がＨ距離程度下方向に移動する時、コイル配管２８４４ａが変位Ｈ程度伸縮し、第６部分２８４４ｅがＨ距離程度下方向に移動することで説明したが、これは本実施例を説明するために例を挙げて説明したものである。第２ボディー２８１４が移動した距離Ｈによって、コイル配管２８４４ａ、そして、第６部分２８４４ｅは変位Ｈに近似値で下方向に移動することができる。
前述した実施例では伸縮配管２８４４ａが第１供給配管２８４４ｂ、そして、第２供給配管２８４４ｃの間に提供されることを例に挙げて説明した。但し、これに限定されないで、第６部分２８４４ｅにも第２ボディー２８１４の上下移動によって伸縮可能な配管に提供されることができる。一例で、第６部分２８４４ｅはフレキシブル（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）配管に提供されることができる。これに、第２ボディー２８１４の上下移動によって配管が損傷されやすい第６部分２８４４ｅに加えられる配管衝撃を緩和することができる。
図９は、図５の乾燥チャンバに対する他の実施例を概略的に見せてくれる図面である。乾燥チャンバ２８０はハウジング２８１０、加熱部材２８２０、支持部材２８３０、流体供給ユニット２８４０、流体排出ユニット２８５０、そして、駆動機２８６０を含むことができる。本実施例では図５の乾燥チャンバ２８０に含まれるハウジング２８１０、加熱部材２８２０、支持部材２８３０、そして、駆動機２８６０は類似に提供される。これに、以下では乾燥チャンバ２８０のハウジング２８１０、加熱部材２８２０、支持部材２８３０、そして、駆動機２８６０に対する説明は略する。
図９を参照すれば、流体供給ユニット２８４０は処理空間に処理流体を供給することができる。流体供給ユニット２８４０が供給する処理流体は二酸化炭素を含むことができる。流体供給ユニット２８４０が供給する処理流体は超臨界状態で処理空間に供給されるか、または、処理空間で超臨界状態に転換されることができる。流体供給ユニット２８４０は供給配管２８４１、ヒーター２８４５、フィルター２８４６、圧力センサー２８４７、バルブ２８４８、そして、流体供給源２８４９を含むことができる。
供給配管２８４１は処理空間に処理流体を供給することができる。供給配管２８４１はハウジング２８１０と連結されることができる。供給配管２８４１はメイン供給配管２８４２、上部供給配管２８４３、そして、下部供給配管２８４４を含むことができる。メイン供給配管２８４２は後述する流体供給源２８４９と連結されることができる。上部供給配管２８４３はメイン供給配管２８４２から分岐され、第１ボディー２８１２と連結されることができる。これに、上部供給配管２８４３は処理空間の上部領域に処理流体を供給することができる。下部供給配管２８４４はメイン供給配管２８４２から分岐され、第２ボディー２８１４と連結されることができる。これに、下部供給配管２８４４は処理空間の下部領域に処理流体を供給することができる。
前述した例では流体供給源２８４９にメイン供給配管２８４２が連結されることを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、流体供給源２８４９は複数個で提供され、上部供給配管２８４３は複数の流体供給源２８４９のうちで何れか一つと連結され、下部供給配管２８４４は複数の流体供給源２８４９のうちで他の一つと連結されることができる。
下部供給配管２８４４は伸縮配管２８４４ａ、第１供給配管２８４４ｂ、そして、第２供給配管２８４４ｃを含むことができる。以下では、下部供給配管２８４４内で処理流体が流れる方向を基準で、上流と下流を定義する。具体的に、下部供給配管２８４４内で処理流体は流体供給源２８４９からハウジング２８１０を向けて流動されるので、下部供給配管２８４４内で流体供給源２８４９に連結された支点と相対的に近い支点を上流と定義し、下部供給配管２８４４内で第２ボディー２８１４と連結された支点と相対的に近い支点を下流と定義する。
伸縮配管２８４４ａはハウジング２８１０の上下移動によって伸縮することができる。伸縮配管２８４４ａは第２ボディー２８１４の上下移動によって伸縮することができる。伸縮配管２８４４ａはコイル配管（Ｃｏｉｌ－Ｔｕｂｅ）に提供されることができる。選択的に、伸縮配管２８４４ａはフレキシブル（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）配管で提供されることができる。伸縮配管２８４４ａの上端は伸縮配管２８４４ａの下端より下部供給配管２８４４の上流に位置することができる。すなわち、伸縮配管２８４４ａは上流側から下流側に行くほど地面に対する相対的高さが低くなる支点に位置することができる。以下では伸縮配管２８４４ａがコイル配管に提供される場合を例に挙げて説明する。
コイル配管２８４４ａで処理流体が流れる流動通路の断面積は第１供給配管２８４４ｂ、そして、第２供給配管２８４４ｃの処理流体が流れる流動通路の断面積より小さく提供されることができる。これはコイル配管２８４４ａの通路の断面積が大きく形成される場合、伸縮に要求される圧縮力または／及び引張力の大きさが大きくなるためである。これに、コイル配管２８４４ａで処理流体が流れる流動通路の断面積を小さく提供することで、第２ボディー２８１４の上下移動によって容易にコイル配管２８４４ａが引張または／及び圧縮することができる。
第１供給配管２８４４ｂはコイル配管２８４４ａの上流側に連結されることができる。第１供給配管２８４４ｂの一端はコイル配管２８４４ａの上端と連結され、第１供給配管２８４４ｂの他端は上部供給配管２８４３と連結されることができる。選択的に、第１供給配管２８４４ｂの一端はコイル配管２８４４ａの上端と連結され、第１供給配管２８４４ｂの他端はメイン供給配管２８４２と連結されることができる。
第２供給配管２８４４ｃはコイル配管２８４４ａと第２ボディー２８１４を連結することができる。第２供給配管２８４４ｃはコイル配管２８４４ａの下流側に連結されることができる。第２供給配管２８４４ｃの一端はコイル配管２８４４ａの下端に連結されて下部供給配管２８４４の下流に向けて延長されて第２ボディー２８１４に連結されることができる。
第２供給配管２８４４ｃは第５部分２８４４ｄ、そして、第６部分２８４４ｅに提供されることができる。第５部分２８４４ｄ、そして、第６部分２８４４ｅは下部供給配管２８４４の下流で上流に向けて順次に配置されることができる。第５部分２８４４ｄの一端は第２ボディー２８１４に連結されることができる。第５部分２８４４ｄの長さ方向は一端から他端まで地面に対して下方向に延長されることができる。第６部分２８４４ｅの一端は第５部分２８４４ｄの他端に連結されることができる。第６部分２８４４ｅの長さ方向は一端から他端まで地面と平行な方向に延長されることができる。第２供給配管２８４４ｃの形状はこれに限定されないで、多様な形状で変形されて提供されることができる。
ヒーター２８４５は供給配管２８４１に設置されることができる。ヒーター２８４５は供給配管２８４１の上流に設置されることができる。ヒーター２８４５はメイン供給配管２８４２に設置されることができる。ヒーター２８４５は供給配管２８４１を加熱し、供給配管２８４１に流れる（または、残留する）処理流体の温度を調節することができる。
フィルター２８４６は後述する流体供給源２８４９から処理空間に伝達する処理流体を濾過することができる。例えば、フィルター２８４６は処理空間に伝達する処理流体に含まれることができる不純物を濾過することができる。フィルター２８４６は供給配管２８４１に設置されることができる。フィルター２８４６は供給配管２８４１の上流に設置されることができる。一例で、フィルター２８４６はメイン供給配管２８４２に設置されることができる。
圧力センサー２８４７は処理空間及び／または供給配管２８４１の圧力を測定することができる。圧力センサー２８４７は供給配管２８４１に設置されることができる。圧力センサー２８４７は供給配管２８４１の上流に設置されることができる。一例で、圧力センサー２８４７はメイン供給配管２８４２に設置されることができる。
バルブ２８４８は供給配管２８４１に設置されることができる。バルブ２８４８は供給配管２８４１の上流に設置されることができる。バルブ２８４８はメイン供給配管２８４２に設置されることができる。バルブ２８４８は流量調節バルブであることができる。選択的に、バルブ２８４８はｏｎ／ｏｆｆバルブであることができる。バルブ２８４８の開閉によって処理空間への処理流体の供給如何が決まることができる。
流体供給源２８４９は処理流体を貯蔵及び／または供給することができる。流体供給源２８４９はリザーバー（Ｒｅｓｅｒｖｏｉｒ）であることがある。流体供給源２８４９は処理流体を供給配管２８４１で伝達することができる。
流体排出ユニット２８５０はハウジング２８１０の処理空間から処理流体を排出することができる。流体排出ユニット２８５０は排出配管２８５１、減圧バルブ２８５５、圧力調節部材２８５６、そして、回収タンク２８５７を含むことができる。
排出配管２８５１は処理空間から処理流体を排出することができる。排出配管２８５１は処理空間に供給された処理流体をハウジング２８１０の外部に排出することができる。排出配管２８５１はハウジング２８１０と連結されることができる。排出配管２８５１は第２ボディー２８１４と連結されることができる。
排出配管２８５１は伸縮配管２８５２、第１排出配管２８５３、そして、第２排出配管２８５４を含むことができる。以下では、排出配管２８５１内で処理流体が流れる方向を基準で、上流と下流を定義する。具体的に、排出配管２８５１内で処理流体はハウジング２８１０から流動されるので、排出配管２８５１内で第２ボディー２８１４と連結された支点と相対的に近い支点を上流と定義し、排出配管２８５１内で第２ボディー２８１４から処理流体が流れる方向を向けて遠くなる支点を下流と定義する。
伸縮配管２８５２はハウジング２８１０の上下移動によって伸縮することができる。伸縮配管２８５２は第２ボディー２８１４の上下移動によって伸縮することができる。伸縮配管２８５２はコイル配管（Ｃｏｉｌ－Ｔｕｂｅ）に提供されることができる。選択的に、伸縮配管２８５２はフレキシブル（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）配管に提供されることができる。伸縮配管２８５２の上端は伸縮配管２８５２の下端より排出配管２８５１の上流に位置することができる。すなわち、伸縮配管２８５２は下流側から上流側に行くほど地面に対する相対的高さが高くなる支点に位置することができる。以下では、伸縮配管２８５２がコイル配管に提供された場合で例を挙げて説明する。
コイル配管２８５２で処理流体が流れる流動通路の断面積は第１排出配管２８５３、そして、第２排出配管２８５４の処理流体が流れる流動通路の断面積より小さく提供されることができる。これはコイル配管２８５２の通路の断面積が大きく形成される場合、伸縮に要求される圧縮力または／及び引張力の大きさが大きくなるためである。これに、コイル配管２８５２で処理流体が流れる流動通路の断面積を小さく提供することで、第２ボディー２８１４の上下移動によって容易にコイル配管２８５２が引張または／及び圧縮することができる。
第１排出配管２８５３はコイル配管２８５２の下流側に連結されることができる。第１排出配管２８５３の一端はコイル配管２８５２の下端に連結されて排出配管２８５１の下流に向けて延長されることができる。第１排出配管２８５３には後述する減圧バルブ２８５５、圧力調節部材２８５６、そして、回収タンク２８５７が設置されることができる。
第２排出配管２８５４はコイル配管２８５２と第２ボディー２８１４を連結することができる。第２排出配管２８５４はコイル配管２８５２の上流側に連結されることができる。第２排出配管２８５４の一端はコイル配管２８５２の上端に連結されて排出配管２８５１の上流に向けて延長されて第２ボディー２８１４に連結されることができる。
第２排出配管２８５４は第１部分２８５４ａ、第２部分２８５４ｂ、第３部分２８５４ｃ、そして、第４部分２８５４ｄに提供されることができる。第１部分２８５４ａ、第２部分２８５４ｂ、第３部分２８５４ｃ、そして、第４部分２８５４ｄは排出配管２８５１の上流で下流に向けて順次に配置されることができる。第１部分２８５４ａの一端は第２ボディー２８１４に連結されることができる。第１部分２８５４ａの長さ方向は一端から他端まで地面に対して下方向に延長されることができる。第２部分２８５４ｂの一端は第１部分２８５４ａの他端に連結されることができる。第２部分２８５４ｂの長さ方向は一端から他端まで地面と平行な方向に延長されることができる。第３部分２８５４ｃの一端は第２部分２８５４ｂの他端と連結されることができる。第３部分２８５４ｃの長さ方向は一端から他端まで地面に対して上に向ける方向に垂直に延長されることができる。第４部分２８５４ｄの一端は第３部分２８５４ｃの他端と連結されることができる。第４部分２８５４ｄの一端から他端までその長さ方向が地面に対して水平に延長されることができる。第４部分２８５４ｄの他端はコイル配管２８５２の上端と連結されることができる。第２排出配管は２８５４はこれに限定されないで、多様な形状で変形されて提供されることができる。
減圧バルブ２８５５は処理空間から処理流体が選択的に排出されるようにできる。減圧バルブ２８５５は排出配管２８５１に処理流体が選択的に流れるようにできる。減圧バルブ２８５５はｏｎ／ｏｆｆバルブであることができる。減圧バルブ２８５５は第１排出配管２８５３に設置されることができる。
圧力調節部材２８５６は処理空間の圧力を設定圧力で一定に維持させることができる。例えば、圧力調節部材２８５６は排出配管２８５１に流れる処理流体の圧力を測定することができる。また、圧力調節部材２８５６は排出配管２８５１に流れる処理流体の圧力に根拠して処理空間の圧力を測定することができる。また、圧力調節部材２８５６は処理空間の圧力を設定圧力で維持するように、排出配管２８５１を通じて排出される処理流体の単位時間当り排出流量を調節することができる。例えば、圧力調節部材２８５６はバックプレッシャーレギュレーター（ＢＰＲ、Ｂａｃｋ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｒｅｇｕｌａｔｏｒ）であることがある。圧力調節部材２８５６は第１排出配管２８５３に設置されることができる。
回収タンク２８５７は処理空間から排出した処理流体を貯蔵する空間を提供することができる。回収タンク２８５７に貯蔵された超臨界乾燥工程に使用した処理流体を気体に転換させて有機溶剤を分離して再使用することができる。回収タンク２８５７は第１排出配管２８５３に設置されることができる。一例で、回収タンク２８５７は減圧バルブ２８５５、そして、圧力調節部材２８５６より第１排出配管２８５３の下流に設置されることができる。
図１０は、図９の第２ボディーが下方向に移動した場合、乾燥チャンバを概略的に見せてくれる図面である。図１０を参照すれば、処理空間で処理流体によって乾燥工程が完了された以後、第２ボディー２８１４が駆動機２８６０によって下方向に移動される。一例で、第１ボディー２８１２及び第２ボディー２８１４が密閉された状態を基準で、第２ボディー２８１４が下方向に移動した距離がＨであると仮定する。
下部供給配管２８４４に設置されたコイル配管２８４４ａの上流に連結された第１供給配管２８４４ｂはメイン供給配管２８４２または上部供給配管２８４３に連結されているので、第２ボディー２８１４が上下移動する時その高さが固定されるように提供される。第１供給配管２８４４ｂが固定部と作用することで、第２ボディー２８１４が下方向に移動する時、下部供給配管２８４４に設置されたコイル配管２８４４ａが伸縮されることができる。第２ボディー２８１４が下方向に移動する時、下部供給配管２８４４に設置されたコイル配管２８４４ａが圧縮されることができる。下部供給配管２８４４に設置されたコイル配管２８４４ａが変位Ｈ程度伸縮をしてくれることで、第２ボディー２８１４が下方向に移動する時、第２供給配管２８４４ｃは第２ボディー２８１４が移動した距離Ｈ程度の下方向に共に移動される。第２ボディー２８１４が下方向に移動する時、第６部分２８４４ｅはＨ距離程度下方向に移動することができる。排出配管２８５１に設置されたコイル配管２８５２の下流に連結された第１排出配管２８５３には減圧バルブ２８５５、圧力調節部材２８５６、回収タンク２８５７などが設置されることで、第２ボディー２８１４が上下移動する時その高さが固定されるように提供される。第１排出配管２８５３が固定部と作用することで、第２ボディー２８１４が下方向に移動する時、排出配管２８５１に設置されたコイル配管２８５２が伸縮されることができる。第２ボディー２８１４が下方向に移動する時、排出配管２８５１に設置されたコイル配管２８５２が圧縮されることができる。排出配管２８５１に設置されたコイル配管２８５２が変位Ｈ程度伸縮をしてくれることで、第２ボディー２８１４が下方向に移動する時、第２排出配管２８５４は第２ボディー２８１４が移動した距離Ｈ程度の下方向に共に移動される。第２ボディー２８１４が下方向に移動する時、第１部分２８５４ａと第３部分２８５４ｃはＨ距離程度下方向に移動することができる。
基板に対して超臨界乾燥処理を進行する時、第２ボディー２８１４の移動によって超臨界流体が流動する下部供給配管２８４４、そして、排出配管２８５１が共に移動することができる。これに、第２ボディー２８１４の移動時配管が移動することができなくて配管が破損されるか、または、配管に塑性変形が発生する技術的不利益を最小化することができる。基板に対して超臨界乾燥処理を進行する時、超臨界流体が流動する下部供給配管２８４４、そして、排出配管２８５１に加えられる配管衝撃を最小化することができる。下部供給配管２８４４、そして、排出配管２８５１に設置された各種装備らの損傷を最小化することができる。配管損傷によって超臨界流体が配管外部に流出されて設備が汚染することを予防することができる。
排出配管２８５１に設置されたコイル配管２８５２の上端が排出配管２８５１に設置されたコイル配管２８５２の下端より排出配管２８５１の上流に位置させて排出配管２８５１で流動する処理流体の凝縮による逆流を防止することができる。これにより、排出配管２８５１内で処理流体の逆流による処理空間への逆汚染を防止することができる。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び／または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。
２６０ 液処理チャンバ
２８０ 乾燥チャンバ
２８１２ 第１ボディー
２８１４ 第２ボディー
２８４０ 流体供給ユニット
２８５０ 流体排出ユニット
２８６０ 駆動機

Claims (20)

  1. 基板を処理する装置において、
    お互いに組合されて内部に基板を処理する処理空間を提供する第１ボディー及び第２ボディーを有するハウジングと、
    前記第２ボディーを前記第１ボディーに対して上下方向に移動させて前記処理空間を密閉または開放する駆動機と、
    前記第２ボディーに結合されて流体が流動する配管と、を含み、
    前記配管は、
    前記第２ボディーの上下移動によって伸縮可能な伸縮配管を含み、
    前記伸縮配管はコイル配管（Ｃｏｉｌ－Ｔｕｂｅ）に提供され、
    前記コイル配管で前記流体が流れる通路の断面積は、
    前記コイル配管の上端、そして、前記コイル配管の下端と連結される配管の断面積よりさらに小さく形成されることを特徴とする基板処理装置。
  2. 基板を処理する装置において、
    お互いに組合されて内部に基板を処理する処理空間を提供する第１ボディー及び第２ボディーを有するハウジングと、
    前記第２ボディーを前記第１ボディーに対して上下方向に移動させて前記処理空間を密閉または開放する駆動機と、
    前記第２ボディーに結合されて流体が流動する配管と、を含み、
    前記配管は、
    前記第２ボディーの上下移動によって伸縮可能な伸縮配管と、前記第２ボディーの上下移動とともに上下移動する移動配管とを含むことを特徴とする基板処理装置。
  3. 前記伸縮配管はコイル配管（Ｃｏｉｌ－Ｔｕｂｅ）により構成されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記配管は前記処理空間から前記流体を排出する排出配管を含み、
    前記コイル配管は、
    その上端が下端より前記排出配管の上流に位置することを特徴とする請求項１または３に記載の基板処理装置。
  5. 前記コイル配管は、
    前記第２ボディーが下方向に移動する時、圧縮されるように構成されることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記排出配管は、
    前記コイル配管の下流側に連結される第１排出配管と、
    前記コイル配管の上流側で前記コイル配管及び前記第２ボディーを連結する第２排出配管と、をさらに含み、
    前記第１排出配管は前記第２ボディーが上下移動する時、その高さが固定され、
    前記第２排出配管は前記第２ボディーが上下移動する時、前記第２ボディーの上下移動によって共に上下移動するように構成されることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記配管は前記処理空間で前記流体を供給する供給配管を含み、
    前記コイル配管は、
    その上端が下端より前記供給配管の上流に位置することを特徴とする請求項１または３に記載の基板処理装置。
  8. 前記コイル配管は、
    前記第２ボディーが下方向に移動する時、引っ張られるように構成されることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記供給配管は、
    前記コイル配管の上流側に連結される第１供給配管と、
    前記コイル配管の下流側で前記コイル配管及び前記第２ボディーを連結する第２供給配管と、をさらに含み、
    前記第１供給配管は前記第２ボディーが上下移動する時、その高さが固定され、
    前記第２供給配管は前記第２ボディーが上下移動する時、前記第２ボディーの上下移動によって共に上下移動するように構成されることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 前記配管は超臨界流体が流動する配管により構成されることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  11. 前記第２ボディーは前記第１ボディーより下に位置し、
    前記配管は、
    前記第１ボディーに連結されて前記処理空間に前記流体を供給する第１供給配管と、
    前記第２ボディーに連結されて前記処理空間に前記流体を供給する第２供給配管と、
    前記処理空間から前記流体を排出する排出配管と、を含み、
    前記コイル配管は前記第２供給配管及び前記排出配管によりそれぞれ構成されることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  12. 基板を処理する装置において、
    お互いに組合されて基板上に残留する有機溶剤が超臨界状態の乾燥用流体によって乾燥される処理空間を形成する第１ボディーと第２ボディーが提供されるハウジングと、
    前記第２ボディーを前記第１ボディーに対して昇下降して前記処理空間を密閉または開放する駆動機と、
    前記処理空間内で基板を支持する支持ユニットと、
    前記第２ボディーに結合されて前記処理空間から前記超臨界状態の乾燥用流体を排出する排出配管と、を含み、
    前記排出配管は、
    前記第２ボディーの昇下降によって伸縮可能なコイル配管（Ｃｏｉｌ－Ｔｕｂｅ）を含み、
    前記コイル配管は、
    前記第２ボディーが昇降して前記処理空間が密閉される時、その上端が下端より前記排出配管の上流に位置し、
    前記コイル配管は、
    前記第２ボディーが下降移動する時に圧縮されるように提供され、
    前記排出配管は、
    前記コイル配管の下流側に連結される第１排出配管と、
    前記コイル配管の上流側で前記コイル配管及び前記第２ボディーを連結する第２排出配管と、をさらに含み、
    前記第１排出配管は前記第２ボディーが上下移動する時、その高さが固定され、
    前記第２排出配管は前記第２ボディーが上下移動する時、前記第２ボディーの上下移動によって共に上下移動するように提供され、
    前記第２排出配管は、
    前記排出配管の上流側から下流側に順に配置された第１部分、第２部分、第３部分、そして、第４部分を含み、
    前記第１部分は前記第２ボディーに結合された支点から地面に対して下方向に延長され、
    前記第２部分は前記第１部分から地面に対して平行な方向に延長され、
    前記第３部分は前記第２部分から地面に対して上の方向に垂直に延長され、
    前記第４部分は前記第３部分から地面に対して水平に延長されるが、
    前記第２ボディーが下降移動する時、前記第１部分及び前記第３部分は下方向に移動し、前記コイル配管は圧縮される、基板処理装置。
  13. 基板を処理する装置において、
    お互いに組合されて基板上に残留する有機溶剤が超臨界状態の乾燥用流体によって乾燥される処理空間を形成する第１ボディーと第２ボディーが提供されるハウジングと、
    前記第２ボディーを前記第１ボディーに対して昇下降して前記処理空間を密閉または開放する駆動機と、
    前記処理空間内で基板を支持する支持ユニットと、
    前記第２ボディーに結合されて前記処理空間から前記超臨界状態の乾燥用流体を排出する排出配管と、を含み、
    前記排出配管は、
    前記第２ボディーの昇下降によって伸縮可能なコイル配管（Ｃｏｉｌ－Ｔｕｂｅ）を含み、
    前記コイル配管は、
    前記第２ボディーが昇降して前記処理空間が密閉される時、その上端が下端より前記排出配管の上流に位置し、
    前記コイル配管で前記超臨界状態の乾燥用流体が流れる通路の断面積は、
    前記コイル配管の上端、そして、前記コイル配管の下端と連結される配管の断面積よりさらに小さく形成される、基板処理装置。
  14. 基板を処理する装置において、
    お互いに組合されて基板上に残留する有機溶剤が超臨界状態の乾燥用流体によって乾燥される処理空間を形成する第１ボディーと第２ボディーが提供されるハウジングと、
    前記第２ボディーを前記第１ボディーに対して昇下降して前記処理空間を密閉または開放する駆動機と、
    前記処理空間内で基板を支持する支持ユニットと、
    前記第２ボディーに結合されて前記処理空間から前記超臨界状態の乾燥用流体を排出する排出配管と、を含み、
    前記排出配管は、
    前記第２ボディーの昇下降によって伸縮可能なコイル配管（Ｃｏｉｌ－Ｔｕｂｅ）と、前記第２ボディーの昇下降とともに昇下降する移動配管とを含み、
    前記コイル配管は、
    前記第２ボディーが昇降して前記処理空間が密閉される時、その上端が下端より前記排出配管の上流に位置する基板処理装置。
  15. 前記コイル配管は、
    前記第２ボディーが下降移動する時に圧縮されるように構成されることを特徴とする請求項１３または１４に記載の基板処理装置。
  16. 前記排出配管は、
    前記コイル配管の下流側に連結される第１排出配管と、
    前記コイル配管の上流側で前記コイル配管及び前記第２ボディーを連結する第２排出配管と、をさらに含み、
    前記第１排出配管は前記第２ボディーが上下移動する時、その高さが固定され、
    前記第２排出配管は前記第２ボディーが上下移動する時、前記第２ボディーの上下移動によって共に上下移動するように構成されることを特徴とする請求項１３または１４に記載の基板処理装置。
  17. 基板を処理する装置において、
    お互いに組合されて基板上に残留する有機溶剤が超臨界状態の乾燥用流体によって乾燥される処理空間を形成する第１ボディーと第２ボディーが提供されるハウジングと、
    前記第２ボディーを前記第１ボディーに対して昇下降して前記処理空間を密閉または開放する駆動機と、
    前記処理空間内で基板を支持する支持ユニットと、
    前記第２ボディーに結合されて前記処理空間に前記超臨界状態の乾燥用流体を供給する供給配管と、を含むが、
    前記供給配管は、
    前記第２ボディーの昇下降によって伸縮可能なコイル配管（Ｃｏｉｌ－Ｔｕｂｅ）を含み、
    前記コイル配管は、
    前記第２ボディーが昇降して前記処理空間が密閉される時、その上端が下端より前記供給配管の上流に位置し、
    前記コイル配管で前記超臨界状態の乾燥用流体が流れる通路の断面積は、
    前記コイル配管の上端、そして、前記コイル配管の下端と連結される配管の断面積よりさらに小さく形成される、基板処理装置。
  18. 基板を処理する装置において、
    お互いに組合されて基板上に残留する有機溶剤が超臨界状態の乾燥用流体によって乾燥される処理空間を形成する第１ボディーと第２ボディーが提供されるハウジングと、
    前記第２ボディーを前記第１ボディーに対して昇下降して前記処理空間を密閉または開放する駆動機と、
    前記処理空間内で基板を支持する支持ユニットと、
    前記第２ボディーに結合されて前記処理空間に前記超臨界状態の乾燥用流体を供給する供給配管と、を含み、
    前記供給配管は、
    前記第２ボディーの昇下降によって伸縮可能なコイル配管（Ｃｏｉｌ－Ｔｕｂｅ）と、前記第２ボディーの昇下降とともに昇下降する移動配管とを含み、
    前記コイル配管は、
    前記第２ボディーが昇降して前記処理空間が密閉される時、その上端が下端より前記供給配管の上流に位置する基板処理装置。
  19. 前記供給配管は、
    前記コイル配管の上流側に連結される第１供給配管と、
    前記コイル配管の下流側で前記コイル配管及び前記第２ボディーを連結する第２供給配管と、をさらに含み、
    前記第１供給配管は前記第２ボディーが上下移動する時、その高さが固定され、
    前記第２供給配管は前記第２ボディーが上下移動する時、前記第２ボディーの上下移動によって共に上下移動するように構成されることを特徴とする請求項１７または１８に記載の基板処理装置。
  20. 前記第２供給配管は、
    前記コイル配管から前記供給配管の下流側に順に配置された第５部分、第６部分を含み、
    前記第５部分は前記第２ボディーに結合された支点から地面に対して下方向に延長され、
    前記第６部分は前記第５部分から地面に対して平行な方向に延長され、
    前記第２ボディーが下降移動する時、前記第５部分は下方向に移動し、前記コイル配管は引張されることを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
JP2022077298A 2021-05-31 2022-05-10 基板処理装置 Active JP7421593B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210070010A KR102609394B1 (ko) 2021-05-31 2021-05-31 기판 처리 장치
KR10-2021-0070010 2021-05-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022184751A JP2022184751A (ja) 2022-12-13
JP7421593B2 true JP7421593B2 (ja) 2024-01-24

Family

ID=84193878

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022077298A Active JP7421593B2 (ja) 2021-05-31 2022-05-10 基板処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220381509A1 (ja)
JP (1) JP7421593B2 (ja)
KR (2) KR102609394B1 (ja)
CN (1) CN115483131A (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077071A (ja) 1992-09-07 2001-03-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置のガスクリーニング方法
JP2008311603A (ja) 2006-11-28 2008-12-25 Ebara Corp 基板の表面処理装置及び方法、並びに基板処理装置及び方法
JP2010060244A (ja) 2008-09-05 2010-03-18 Tokyo Electron Ltd 蒸気発生器、蒸気発生方法および基板処理装置
JP2010161165A (ja) 2009-01-07 2010-07-22 Tokyo Electron Ltd 超臨界処理装置、基板処理システム及び超臨界処理方法
JP2013004662A (ja) 2011-06-15 2013-01-07 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2013033962A (ja) 2011-07-29 2013-02-14 Semes Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101329304B1 (ko) * 2011-07-29 2013-11-14 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
KR102319449B1 (ko) * 2020-06-25 2021-11-01 무진전자 주식회사 기판 건조 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077071A (ja) 1992-09-07 2001-03-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置のガスクリーニング方法
JP2008311603A (ja) 2006-11-28 2008-12-25 Ebara Corp 基板の表面処理装置及び方法、並びに基板処理装置及び方法
JP2010060244A (ja) 2008-09-05 2010-03-18 Tokyo Electron Ltd 蒸気発生器、蒸気発生方法および基板処理装置
JP2010161165A (ja) 2009-01-07 2010-07-22 Tokyo Electron Ltd 超臨界処理装置、基板処理システム及び超臨界処理方法
JP2013004662A (ja) 2011-06-15 2013-01-07 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2013033962A (ja) 2011-07-29 2013-02-14 Semes Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220162216A (ko) 2022-12-08
CN115483131A (zh) 2022-12-16
KR102609394B1 (ko) 2023-12-06
JP2022184751A (ja) 2022-12-13
KR20230166999A (ko) 2023-12-07
US20220381509A1 (en) 2022-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106920743B (zh) 基板处理方法及基板处理系统
JP5626611B2 (ja) 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
JP5544666B2 (ja) 基板処理装置
JP5146522B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5639686B2 (ja) 基板処理方法
KR101536724B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN107611056B (zh) 用于处理基板的设备和方法
US10825698B2 (en) Substrate drying apparatus, facility of manufacturing semiconductor device, and method of drying substrate
US20140360041A1 (en) Substrate treating apparatus
JP6495030B2 (ja) ウエハ状の物品を処理する方法および装置
JP7421593B2 (ja) 基板処理装置
KR102294728B1 (ko) 액 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
JP5641374B2 (ja) 基板処理装置
JP7237042B2 (ja) 流体供給ユニット及びこれを有する基板処理装置
KR101570167B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101605713B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102578764B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20230100773A1 (en) Unit for supplying liquid, apparatus and method for treating substrate with the unit
US20230187230A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20210050210A1 (en) Method and apparatus for treating substrate
KR102155216B1 (ko) 탱크, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2023095783A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20230049801A (ko) 초임계 유체 저장부 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN116387136A (zh) 用于处理基板的设备及用于处理基板的方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220510

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230605

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230613

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230913

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231017

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240109

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240112

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7421593

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150