JP7419860B2

JP7419860B2 - ガスシールド溶接方法及び溶接トーチ

Info

Publication number: JP7419860B2
Application number: JP2020023000A
Authority: JP
Inventors: 直子斉藤; 武宜平岡
Original assignee: Mazda Motor Corp
Current assignee: Mazda Motor Corp
Priority date: 2020-02-14
Filing date: 2020-02-14
Publication date: 2024-01-23
Anticipated expiration: 2040-02-14
Also published as: JP2021126681A

Description

本発明は、ガスシールド溶接方法及び溶接トーチに関するものである。

アーク溶接を行うにあたって、溶接部を大気から保護するシールドガスとしてアルゴン等の不活性ガスや、不活性ガスと炭酸ガスの混合ガスを用いるガスシールドアーク溶接装置が従来から広く使用されている。このガスシールドアーク溶接装置の溶接トーチは、例えば特許文献１に開示されているように、溶接トーチの先端側に円筒状のノズルと、ノズルの中空部分に収納されたコンタクトチップと、コンタクトチップの中心軸に設けられた孔（ワイヤ通路）に挿通されてノズルの開口から突出したワイヤ状の電極を備え、ノズルの開口部からシールドガスを流出させながら母材の溶接を行う。

特開２０１７－２０９７０１号公報ＷＯ２０１３／１５７０３６

しかしながら、ワイヤ状の電極の先端から発生するアーク放電によってシールドガスの流れが乱されてしまい、シールド性が悪化して溶接不良が発生してしまうという問題があった。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、シールド性を容易に向上させることができるガスシールド溶接方法を提供することにある。

本発明のガスシールド溶接方法は、中空筒型のノズル内に設置されるとともに、前記ノズル開口部から突出する電極を用いて行うガスシールド溶接方法であって、トーチ本体と、前記トーチ本体に基端側が支持された円筒状のノズルと、前記トーチ本体に基端側が支持されるとともに前記ノズルの内部に当該ノズルの内壁から離間して配置されコンタクトチップと、前記ノズルと前記コンタクトチップとの間に前記ノズルの前記基端側から先端側の開口に向けてシールドガスが流れるガス通路とを備え、前記コンタクトチップは溶接材である電極を摺動可能に挿通させる電極通路を備えており、前記シールドガスの流れる方向に対して垂直な前記ガス通路の断面積は、前記ノズルの先端側に近づくにつれて小さくなっており、前記ノズル内を流れて前記ノズル開口部から吹き出すシールドガスにより、前記電極の先端から発生させる放電を大気と接触しないようにシールドし、前記ノズル内の前記シールドガスの流れを、前記電極の周辺の内側ガス流と、前記ノズルの内壁に沿って前記内側ガス流の回りを流れる外側ガス流との２つの流れとし、前記外側ガス流の流速が前記内側ガス流の流速よりも大きい。

上記の態様により、大気が電極の近傍に入り込むことを流速の大きい外側ガス流が防止して、シールド性を高く良好に保つことができる。また流速に違いがあることから外側ガス流の温度の方が内側ガス流の温度よりも低くなり、この温度差によってもシールド性を高く保つことができる。この態様により、ノズルの先端に近づくにつれてシールドガスの流速が大きくなり、少ないガス量でシールド性を高く保つことができる。

本発明の好ましい態様では、前記ガス通路は、前記ノズルと前記コンタクトチップとの間に配置され前記ノズルの先端側の開口まで延びている隔壁によってノズル側通路とコンタクトチップ側通路に分割されている。この態様により、シールドガスの流れがノズル側通路とコンタクトチップ側通路との２つに確実に分割されて、ノズル側通路を流れるシールドガスは溶接部分に大気が入り込むことを防ぐ役割を担い、コンタクトチップ側通路を流れるシールドガスは安定した放電を持続させる役割を担って、高いシールド性と高い溶接品質とを両立させることができる。

本発明の好ましい態様では、前記シールドガスの流れる方向に対して垂直な前記ノズル側通路の断面積は、前記ノズルの先端側に近づくにつれて小さくなっている。この態様により、ノズルの先端に近づくにつれてノズル側通路を流れるシールドガスの流速が大きくなり、少ないガス量でシールド性を高く保つことができる。

本発明の好ましい態様では、前記シールドガスの流れる方向に対して垂直な前記ノズル側通路の断面積は、前記ノズルの先端側に近づくにつれて小さくなっているとともに、前記ノズルの先端部分には前記ノズルの先端に近づくほど内径が拡大する内径拡大部が設けられている。すなわち、ノズル側通路の断面積は、ノズルの先端側に近づくにつれて小さくなっているのであるが、ノズルの先端ではノズル内径が大きくなってノズル側通路の断面積は逆に大きくなっている。この態様により、ノズル側通路の先端でのガスの吹き出し断面積が拡がってよりシールド性が向上する。

本発明の好ましい態様では、前記シールドガスの流れる方向に対して垂直な前記コンタクトチップ側通路の断面積は、前記ノズルの先端側に近づくにつれて大きくなっている。この態様により、ノズル側通路を流れるシールドガスは、コンタクトチップ側通路を流れるシールドガスよりも流速が大きくなり、シールド性を高く保つことができる。

本発明の好ましい態様では、前記隔壁は断熱性の材料により形成されている。断熱性の素材とは、例えば硝子繊維、炭素繊維、ロックウール、セラミックス等の無機物質や、硝子繊維や炭素繊維等と熱硬化性樹脂からなるＦＲＰなどを挙げることができる。この態様により、ノズル側通路を流れるシールドガスが電極先端の放電により発生する熱を奪うことを防止でき、安定した溶接を行うことができる。

本発明の好ましい態様では、前記シールドガスとして活性ガスが含有されたガスが用いられる。この態様により、ノズル側通路を流れるシールドガスが電極先端近辺の放電部分への大気の入り込みを確実に抑制して、コンタクトチップ側通路を流れるシールドガスが安定した放電とそれによる安定した溶接に寄与し、溶接の良好な品質を確保することができる。

本発明の好ましい態様では、前記隔壁の先端部分には、前記内径拡大部に相対する部分に屈曲部が設けられ、前記ノズル側通路のうち前記屈曲部と前記内径拡大部とに挟まれている部分は、前記シールドガスの流れる方向に対する断面積が当該流れる方向に沿って略同じである。この態様により、外側ガス流のノズルの中心軸に近づく方向への広がりは小さくなり、実用的に十分なシールド性を有する。

本発明の別のガスシールド溶接方法は、中空筒型のノズル内に設置されるとともに、前記ノズル開口部から突出する電極を用いて行うガスシールド溶接方法であって、前記ノズル内を流れて前記ノズル開口部から吹き出すシールドガスにより、前記電極の先端から発生させる放電を大気と接触しないようにシールドし、前記ノズル内の前記シールドガスの流れを、前記電極の周辺の内側ガス流と、前記ノズルの内壁に沿って前記内側ガス流の回りを流れる外側ガス流との２つの流れとし、前記ノズル内壁と前記電極との間に隔壁を設けて、当該隔壁によって前記２つの流れを形成し、前記隔壁の先端は前記ノズル内壁の先端開口まで延びており、前記外側ガス流の流速が前記内側ガス流の流速よりも大きく、前記シールドガスには活性ガスが含有されている。活性ガスとは、放電により被溶接材との化学反応が生じるガスのことで、例えば二酸化炭素を挙げることできる。この態様により２つの流れを確実に形成することができ、外側ガス流が電極先端近辺の放電部分への大気の入り込みを確実に抑制して内側ガス流が活性ガスによる安定したアーク放電とそれによる安定した溶接に寄与し、溶接の良好な品質を確保することができる。

本発明のガスシールド溶接方法は、ノズル内のシールドガスの流れを、電極の周辺の内側ガス流と、ノズルの内壁に沿って内側ガス流の回りを流れる外側ガス流との２つの流れにして、前者より後者のガス流の流速を大きくしているので、大気が電極の近傍に入り込むことを流速の大きい外側ガス流が防止して、シールド性を高く良好に保つことができる。

実施形態に係る溶接トーチの断面図である。比較形態に係る溶接トーチの断面図である。比較形態に係る溶接トーチを用いて溶接を行っている様子を表した模式的な断面図である。実施形態２に係る溶接トーチの先端部分の模式的な断面図である。実施形態３に係る溶接トーチの先端部分の模式的な断面図である。実施形態４に係る溶接トーチの先端部分の模式的な断面図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物或いはその用途を制限することを意図するものではない。以下の図面においては、説明の簡潔化のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。

（実施形態１）
実施形態１に係る溶接トーチを図１に示す。また、比較形態にかかる溶接トーチを図２に示す。

本実施形態の溶接トーチ１は、トーチ本体２と、基端部がトーチ本体２に支持された円筒状のノズル３と、基端部がトーチ本体２に支持されノズル３の内部にノズル３の内壁３５から離間して配置された棒状体のコンタクトチップ４を備えている。そして、ノズル３の内壁３５とコンタクトチップ４の外周面との間にトーチ本体２側から供給されるシールドガスをノズル３の先端の開口部から流出させることができるガス通路３０が形成されている。シールドガスは不図示のガス供給装置からトーチ本体２の本体ガス流路４１を通って流量が調節されて供給される。溶接トーチ本体２は、ロボットアームに装着可能に構成されていてもよく、作業者が手に持って溶接可能なように構成されていてもよい。

ノズル３は円筒状であり、その基端側がトーチ本体２に例えば螺合により着脱可能なように形成されている。ノズル３の先端部分は開口している。また、基端側から先端側に向かう途中３７からノズル３は内径、外径ともに先端に向かうにつれて径が小さくなって先窄まりとなっている。さらには、ノズル３の先端部に、先端に近づくほど内径が拡大する内径拡大部３６が設けられている。なお、ノズル３は基端から先端まで一定の内径・外径で形成されていてもよい。

コンタクトチップ４は円柱形の棒状体であり、その基端側がトーチ本体２に例えば螺合により着脱可能なように形成されている。コンタクトチップ４の内部には、溶接材であるワイヤ形状の電極７を挿通させ摺動可能に支持する電極通路６が設けられている。溶接時には、不図示の電極送給装置から送られる電極７がトーチ本体側から電極通路６に挿通されてコンタクトチップ４の先端から突出するとともに、不図示の電源から供給される電流がコンタクトチップ４を介して電極通路６に支持された電極７に供給される。すなわち、コンタクトチップ４は、アーク溶接で電極７の位置決めをする役割とともに電極７と接触して溶接電流を流す役割を備えている。

次に、ノズル３の内壁３５とコンタクトチップ４の外周面との間に形成されるガス通路３０について説明する。このガス通路３０は、ノズル側通路１０とコンタクトチップ側通路２０の２つから構成されている。ノズル側通路１０は、隔壁５とノズル内壁３５との間に形成されている。隔壁５は、ノズル３とコンタクトチップ４との間に配置されていてノズル３の先端開口まで延びており、断熱性の部材、例えばセラミックスにより形成されている。コンタクトチップ側通路２０は、隔壁５とコンタクトチップ４の外周面との間に形成されている。即ち、隔壁５が、ノズル３とコンタクトチップ４との間に存在する空間（ガス通路３０）を２つに分割している。

トーチ本体２側から供給されるシールドガスが、本体ガス流路４１を通って、第１ガス孔４２及び第２ガス孔（オリフィス）５１を通過してガス通路３０に流れ込む。第２ガス孔５１は隔壁５に形成されていて、第２ガス孔５１を通過したシールドガスがノズル側通路１０を流れる。この流れが外側ガス流である。そして、ノズル３内径はノズル３の途中３７から先窄まりになっているので、ガス通路３０の断面積（シールドガスが流れる方向、即ち基端側から先端側に向かう方向に対して垂直な断面積）はこの途中３７からノズル３先端に近づくにつれて小さくなっている。これにより、ノズル３の先端に近づくにつれて外側ガス流の流速が大きくなっていく。従って、ガス量が少なくても高いシールド性や安定したアーク放電のために必要なガス流速を確保することができる。なお、シールド性は、シミュレーションにより求めた酸素濃度分布によって評価することができる。

一方、図２に示す比較形態に係る溶接トーチ２００は、隔壁５ａがノズル３の開口部まで延びておらず、コンタクトチップ４の基端部分よりもさらにトーチ本体２側に隔壁５ａの先端が存在している。このため、比較形態に係るガス通路３１はノズル３内の大部分の空間で１つの通路として形成されている。このため、シールドガスは大気をシールドする部分とアーク放電する部分とが混合してしまい、シールド性と放電安定性とを両立するようにシールドガスの流れを制御することが非常に困難になっている。なお、本実施形態に係る溶接トーチ１と比較形態に係る溶接トーチ２００との違いは、隔壁の形状の違いのみである。比較形態に係る隔壁５ａはシールドガスの流れを層流にするために設置されているものである。

比較形態に係る溶接トーチ２００を用いて溶接する様子を図３に模式的に示す。２枚の金属板３００を溶接する際に、電極７の周囲をシールドガス流９２が包み込むように流れる。例えば、ＭＡＧ溶接であると、活性ガスである二酸化炭素が含まれたガスがシールドガスとして使用され、この活性ガスは電極７近辺でアーク９４に引き込まれて電離するとともに流速が数十倍に加速されて溶接部分に向かって流れる。一方、ノズル３の内壁周辺を流れるシールドガス流９２はノズル３の開口部から吹き出したあと、電極７から遠ざかる方向へ流れて酸素を含む大気が溶接部分に流れ込まないようにシールドする。しかしながら、アーク９４は高温で流速が大きいので、ノズル３の内壁周辺を流れるシールドガス流９２はその影響を受けやすく、シールド性を高く保持しにくい。特に被溶接部材の面に対して電極７を垂直ではなく、傾けて溶接を行う場合に、シールド性を保持しにくくなる。

それに対して本実施形態においては、ノズル３の先端までガス通路３０がノズル側通路１０とコンタクトチップ側通路２０とに分かれているので、大気をシールドするためのシールドガスの流れと、アーク放電に関わるシールドガスの流れとが別々の流れになり、シールド性と放電安定性とを両立するようにシールドガスの流れを制御することが可能となっている。シールドガスの供給温度を大気と同じ温度に設定してシミュレーションを行ったところ、図１のＡ点での温度は周辺の大気温とほぼ同じであったが、Ｂ点の温度はアーク放電の影響を受けて１４０度ほど周辺の大気温よりも高くなっていた。隔壁５を断熱性の部材で形成しているので、外側ガス流にアーク放電の熱が伝わらないようになり、このような温度差が生じる要因の一つになっている。このようにシールドを担う外側ガス流は温度が低いのでガス密度が高く、これによるシールド性の向上も観測された。

また、本実施形態においてはノズル側通路１０は、基端側から先端側に近づくにつれて、シールドガスが流れる方向に対して垂直な断面積が小さくなっているが、ノズル３の先端部に内径拡大部３６が設けられているので、この部分では断面積が先端側に近づくにつれて大きくなっている。ノズル側通路１０は、内径拡大部３６においてノズル３の内壁の径が拡大しており、その径の広がり度合いに比べて隔壁５の径の広がり度合いは小さいので、ノズル３の開口部においてノズル３の中心軸に近い側では中心軸に平行にシールドガスが吹き出し（内側ガス流）、ノズルの内壁面側では外方に拡がるようにシールドガスが吹き出す（外側ガス流）構成となっている。このため、ノズル側通路１０の先端での吹き出し断面積が拡がってシールド性がより向上する。なお、本実施形態ではノズル形状を先窄まりにしてノズル側通路１０断面積を基端側から先端側に近づくにつれて小さくしているが、隔壁５を基端側から先端側に近づくにつれてノズル３に近づけることにより断面積を小さくしてもかまわない。

一方、コンタクトチップ側通路２０は、隔壁５が先端側に近づくにつれて外方にやや拡がっていっている（径が大きくなっている）ので、先端側に近づくにつれて通路断面積が大きくなっている。したがって、アーク溶接に用いられるノズル３内の内側ガス流はプラズマ気流の影響を受けやすい低速となっていて、安定した溶接を行えるようになっている。

本実施形態にかかる溶接トーチ１は、比較形態に係る溶接トーチ２００に比べて、ノズル３開口部にまで延びている隔壁５によってシールドガスの流れを内側ガス流と外側ガス流との２つに明確に分けることができ、外側ガス流は流速を大きくしてシールド性を高くし、内側ガス流は外側ガス流に比べて流速を小さくしてアークを安定にすることができ、高品質の溶接を行うことができる。ノズル３の内径や内壁形状と隔壁５の径や形状とを適宜設定することによって、このような流速の異なる２つのガス流を簡単に形成することができる。

（実施形態２）
実施形態２に係る溶接トーチ１０２を図４に示す。本実施形態の溶接トーチ１０２は、実施形態１に係る溶接トーチ１とは、ノズル３０２の先端部分の形状のみが異なっているので、この異なっている部分のみを以下に説明を行う。

本実施形態の溶接トーチ１０２は、ノズル３０２の先端部分に内径拡大部が設けられていない。そして、ノズル３０２の先端部分の内壁はノズル開口に至るまで内径が漸減しており、隔壁５０２は実施形態１と同様に隔壁５０２はノズル開口に至るまで径が漸減（ノズル内壁よりも減少割合は小さい）している。そのため、実施形態１に比べて、ノズル開口から吹き出す外側ガス流の流速は大きいが、外側ガス流のノズル３０２の中心軸から離れる方向への広がりは小さくなる。これにより、シールド性は実施形態１よりは低くなるが、実用的には十分なシールド性を有している。それ以外の実施形態１の効果と同じ効果を実施形態２に係る溶接トーチ１０２は奏する。

（実施形態３）
実施形態３に係る溶接トーチ１０４を図５に示す。本実施形態の溶接トーチ１０４は、実施形態１に係る溶接トーチ１とは、隔壁５０４の先端部分の形状のみが異なっているので、この異なっている部分のみを以下に説明を行う。

本実施形態の溶接トーチ１０４は、実施形態１と同様にノズル３０４の先端部分に内径拡大部３３６が設けられており、隔壁５０４はその先端部分に外方屈曲部５１４が設けられている。外方屈曲部５１４は内径拡大部３３６に相対する部分に設けられていて、ノズル側通路のうち外方屈曲部５１４と内径拡大部３３６とに挟まれている部分は外側ガス流の流れ方向に対して通路幅がほぼ同じになるように設定されている。一方、外方屈曲部５１４はそれよりも上の部分と同じ厚みであって、そのため内側ガス流はノズル開口において実施形態１よりも外側に拡がっている。このような形状により、本実施形態では実施形態１に比べて、ノズル開口から吹き出す外側ガス流の流速は大きいが、外側ガス流のノズル３０４の中心軸に近づく方向への広がりは小さくなる。これにより、シールド性は実施形態１よりは低くなるが、実用的には十分なシールド性を有している。それ以外の実施形態１の効果と同じ効果を実施形態３に係る溶接トーチ１０４は奏する。

（実施形態４）
実施形態４に係る溶接トーチ１０６を図６に示す。本実施形態の溶接トーチ１０６は、実施形態１に係る溶接トーチ１とは、隔壁５０６の先端部分の形状のみが異なっているので、この異なっている部分のみを以下に説明を行う。

本実施形態の溶接トーチ１０６は、実施形態１と同様にノズル３０６の先端部分に内径拡大部３３６が設けられており、隔壁５０６はその先端部分に外面側屈曲部５１６が設けられている。外面側屈曲部５１６は内径拡大部３３６に相対する部分に設けられていて、ノズル側通路のうちそれら２つに挟まれている部分は外側ガス流の流れ方向に対して通路幅が同じになるように設定されている。一方、外面側屈曲部５１６の内面側はそれよりも上の部分と中心軸に対して同じ傾きを有している。そのため内側ガス流は実施形態１と同じ流れとなっている。このような形状により、本実施形態では実施形態１に比べて、ノズル開口から吹き出す外側ガス流の流速は大きいが、外側ガス流のノズル３０６の中心軸に近づく方向への広がりは小さくなる。これにより、シールド性は実施形態１よりは低くなるが、実用的には十分なシールド性を有している。それ以外の実施形態１の効果と同じ効果を実施形態３に係る溶接トーチ１０６は奏する。

（その他の実施形態）
上述の実施形態は本願発明の例示であって、本願発明はこれらの例に限定されず、これらの例に周知技術や慣用技術、公知技術を組み合わせたり、一部置き換えたりしてもよい。また当業者であれば容易に思いつく改変発明も本願発明に含まれる。

上記の実施形態の溶接トーチ及びガスシールド溶接方法によってシールド性と溶接品質の両方が向上するが、さらに公知の手段を用いてシールドガスを層流にする（シールド性は向上するが内側ガス流ではアークが不安定になりやすい）ことや、ガス温を低くする（シールド性は向上するが内側ガス流ではアークが不安定になりやすい）ことを行ってもかまわない。

１，１０２，１０４，１０６溶接トーチ
２トーチ本体
３，３０２，３０４，３０６ノズル
４コンタクトチップ
５，５０２，５０４，５０６隔壁
６電極通路
７電極
１０ノズル側通路
２０コンタクトチップ側通路
３０ガス通路
３６，３３６内径拡大部

Claims

中空筒型のノズル内に設置されるとともに、前記ノズル開口部から突出する電極を用いて行うガスシールド溶接方法であって、
トーチ本体と、前記トーチ本体に基端側が支持された円筒状のノズルと、前記トーチ本体に基端側が支持されるとともに前記ノズルの内部に当該ノズルの内壁から離間して配置されコンタクトチップと、前記ノズルと前記コンタクトチップとの間に前記ノズルの前記基端側から先端側の開口に向けてシールドガスが流れるガス通路とを備え、
前記コンタクトチップは溶接材である電極を摺動可能に挿通させる電極通路を備えており、
前記シールドガスの流れる方向に対して垂直な前記ガス通路の断面積は、前記ノズルの先端側に近づくにつれて小さくなっており、
前記ノズル内を流れて前記ノズル開口部から吹き出すシールドガスにより、前記電極の先端から発生させる放電を大気と接触しないようにシールドし、
前記ノズル内の前記シールドガスの流れを、前記電極の周辺の内側ガス流と、前記ノズルの内壁に沿って前記内側ガス流の回りを流れる外側ガス流との２つの流れとし、
前記外側ガス流の流速が前記内側ガス流の流速よりも大きい、ガスシールド溶接方法。
前記ガス通路は、前記ノズルと前記コンタクトチップとの間に配置され前記ノズルの先端側の開口まで延びている隔壁によってノズル側通路とコンタクトチップ側通路に分割されている、請求項１に記載のガスシールド溶接方法。
前記シールドガスの流れる方向に対して垂直な前記ノズル側通路の断面積は、前記ノズルの先端側に近づくにつれて小さくなっている、請求項２に記載のガスシールド溶接方法。
前記シールドガスの流れる方向に対して垂直な前記ノズル側通路の断面積は、前記ノズルの先端側に近づくにつれて小さくなっているとともに、前記ノズルの先端部分には前記ノズルの先端に近づくほど内径が拡大する内径拡大部が設けられている、請求項２に記載のガスシールド溶接方法。
前記シールドガスの流れる方向に対して垂直な前記コンタクトチップ側通路の断面積は、前記ノズルの先端側に近づくにつれて大きくなっている、請求項２から４のいずれか一つに記載のガスシールド溶接方法。
前記隔壁は断熱性の材料により形成されている、請求項２から５のいずれか一つに記載のガスシールド溶接方法。
前記シールドガスとして活性ガスが含有されたガスが用いられる、請求項２から６のいずれか一つに記載のガスシールド溶接方法。
前記隔壁の先端部分には、前記内径拡大部に相対する部分に屈曲部が設けられ、
前記ノズル側通路のうち前記屈曲部と前記内径拡大部とに挟まれている部分は、前記シールドガスの流れる方向に対する断面積が当該流れる方向に沿って略同じである、請求項４に記載のガスシールド溶接方法。
中空筒型のノズル内に設置されるとともに、前記ノズル開口部から突出する電極を用いて行うガスシールド溶接方法であって、
前記ノズル内を流れて前記ノズル開口部から吹き出すシールドガスにより、前記電極の先端から発生させる放電を大気と接触しないようにシールドし、
前記ノズル内の前記シールドガスの流れを、前記電極の周辺の内側ガス流と、前記ノズルの内壁に沿って前記内側ガス流の回りを流れる外側ガス流との２つの流れとし、
前記ノズル内壁と前記電極との間に隔壁を設けて、当該隔壁によって前記２つの流れを形成し、
前記隔壁の先端は前記ノズル内壁の先端開口まで延びており、
前記外側ガス流の流速が前記内側ガス流の流速よりも大きく、
前記シールドガスには活性ガスが含有されている、ガスシールド溶接方法。