JP7418555B2 - ペデスタルヒータを洗浄するためのインシトゥｄｃプラズマ - Google Patents

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Description

本開示の実施形態は、一般に、基板を処理するための装置および方法に関する。特に、本開示の実施形態は、静電チャックの第１の電極と第２の電極との間の間隙にプラズマを生成することによって基板支持体プラズマを洗浄するための装置および方法を対象とする。
多くの堆積プロセスは、ガス分配プレートの表面と基板との間に均一な小さい間隙を維持することから利益を得ている。たとえば、原子層堆積プロセス（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）（ＡＬＤ）は、しばしば、ガスインジェクタ間隔に対して極めて小さい基板を有する。この間隙の変動により、基板表面上のガスの流れの均一性に変化が生じることがある。基板が処理ステーション間を移動させられるとき、間隙の変動はより一層顕著になる。複数の堆積処理サイクルは、ペデスタル表面とも呼ばれる基板支持体表面の不均一性と平坦性との変動を生じ得る。基板支持体の平坦性の変化はガスインジェクタと基板との間の反応空間の変動を増加させる。
複数のサイクルの後に基板支持体表面を洗浄することは均一性と平坦性とを改善する。しかしながら、そのような手順は処理チャンバの保守とダウンタイムとを生じる。現在の保守手順は、さらに、洗浄システムとしての遠隔プラズマ源（ＲＰＳ）など、費用がかかる補助システムを伴い得る。ＲＰＳシステムは、処理チャンバ内で長い経路を通って移動し、システムの洗浄効率に影響を及ぼすラジカルを生成する。生成されたラジカルはまた、洗浄処理中にラジカルが暴露されるアルミニウムシャワーヘッドまたはガスラインの表面を腐食させるか、または悪影響を及ぼし得る。
したがって、処理チャンバ内の既存の構成要素を使用して基板支持体表面を洗浄するための装置および方法が当技術分野において必要である。
本開示の１つまたは複数の実施形態は、静電チャックを有する基板支持体を対象とする。第１の電極は中央ハブを有し、第１のトランクが中央ハブから外側周縁まで第１の方向に延びる。第２の電極は、中央ハブに近接し中央ハブから離間した内側端部から、外側周縁まで、第１の方向とは逆の第２の方向に延びる。複数の第１の分岐が第１のトランクに交差する。第１の分岐の各々は、中央ハブから第１のトランク距離に位置し、近接する第１の分岐から離間している。第１の分岐の各々は、第１のトランクにおけるトランク端部から、第１のトランク距離に等しい半径をもつ中央ハブの周りの第１の方向における弓形経路中の分岐端部まで延びる第１の脚と、第１のトランクにおけるトランク端部から、第１のトランク距離に等しい半径をもつ中央ハブの周りの第１の方向とは逆の第２の方向における弓形経路中の分岐端部まで延びる第２の脚とを有する。複数の第２の分岐が第２のトランクに交差する。第２の分岐の各々は、中央ハブから第２のトランク距離に位置し、近接する第２の分岐から離間している。第２の分岐の各々は、第２のトランクにおけるトランク端部から、第２のトランク距離に等しい半径をもつ中央ハブの周りの第１の方向における弓形経路中の分岐端部まで延びる第１の脚と、第２のトランクにおけるトランク端部から、第２のトランク距離に等しい半径をもつ、中央ハブの周りの第２の方向における弓形経路中の、分岐端部まで延びる第２の脚とを有し、複数の第２の分岐は、複数の第１の分岐とかみ合い、間隙によって複数の第１の分岐から離間している。
本開示の追加の実施形態は、基板支持体を洗浄する方法を対象とする。第１の複数の分岐を有する第１の電極と、第２の複数の分岐を有する第２の電極との間にプラズマが生成される。第１の電極は中央ハブを有し、第１のトランクが中央ハブから外側周縁まで第１の方向に延びる。第２の電極は、中央ハブに近接し中央ハブから離間した内側端部から、外側周縁まで、第１の方向とは逆の第２の方向に延びる。複数の第１の分岐が第１のトランクに交差する。第１の分岐の各々は、中央ハブから第１のトランク距離に位置し、近接する第１の分岐から離間している。第１の分岐の各々は、第１のトランクにおけるトランク端部から、第１のトランク距離に等しい半径をもつ中央ハブの周りの第１の方向における弓形経路中の分岐端部まで延びる第１の脚と、第１のトランクにおけるトランク端部から、第１のトランク距離に等しい半径をもつ中央ハブの周りの第１の方向とは逆の第２の方向における弓形経路中の分岐端部まで延びる第２の脚とを有する。複数の第２の分岐が第２のトランクに交差する。第２の分岐の各々は、中央ハブから第２のトランク距離に位置し、近接する第２の分岐から離間している。第２の分岐の各々は、第２のトランクにおけるトランク端部から、第２のトランク距離に等しい半径をもつ中央ハブの周りの第１の方向における弓形経路中の分岐端部まで延びる第１の脚と、第２のトランクにおけるトランク端部から、第２のトランク距離に等しい半径をもつ中央ハブの周りの第２の方向における弓形経路中の分岐端部まで延びる第２の脚とを有し、複数の第２の分岐は、複数の第１の分岐とかみ合い、間隙によって複数の第１の分岐から離間している。間隙は、第１の電極と第２の電極との間にプラズマを生成することと、支持体表面を洗浄することとを行うように構成される。
本開示のさらなる実施形態は、基板支持体を洗浄する方法を対象とする。基板は、複数のリフトピン開口を通る複数のリフトピン上で、ある高さだけ持ち上げられる。第１の複数の分岐を有する第１の電極と、第２の複数の分岐を有する第２の電極との間にプラズマが生成される。第１の電極は中央ハブを有し、第１のトランクが中央ハブから外側周縁まで第１の方向に延びる。第２の電極は、第１の方向とは逆の第２の方向において、中央ハブに近接し、中央ハブから離間した内側端部から外側周縁まで延びる。複数の第１の分岐が第１のトランクに交差する。第１の分岐の各々は、中央ハブから１のトランク距離に位置し、近接する第１の分岐から離間している。第１の分岐の各々は、第１のトランクにおけるトランク端部から、第１のトランク距離に等しい半径をもつ中央ハブの周りの第１の方向における弓形経路中の分岐端部まで延びる第１の脚と、第１のトランクにおけるトランク端部から、第１のトランク距離に等しい半径をもつ中央ハブの周りの、第１の方向とは逆の第２の方向における弓形経路中の分岐端部まで延びる第２の脚とを有する。複数の第２の分岐が第２のトランクに交差する。第２の分岐の各々は、中央ハブから第２のトランク距離に位置し、近接する第２の分岐から離間している。第２の分岐の各々は、第２のトランクにおけるトランク端部から、第２のトランク距離に等しい半径をもつ中央ハブの周りの第１の方向における弓形経路中の分岐端部まで延びる第１の脚と、第２のトランクにおけるトランク端部から、第２のトランク距離に等しい半径をもつ中央ハブの周りの第２の方向における弓形経路中の分岐端部まで延びる第２の脚とを有し、複数の第２の分岐は、複数の第１の分岐とかみ合い、間隙によって複数の第１の分岐から離間している。間隙は、第１の電極と第２の電極との間にプラズマを生成することと、支持体表面を洗浄することとを行うように構成される。基板支持体表面に対する基板の底面の高さは、基板に損傷を与えることなしにプラズマの生成時に基板の底面を洗浄するように構成される。
上記で具陳された本開示の特徴が詳細に理解され得るように、上記で手短に要約した、本開示のより詳細な説明が、そのうちのいくつかが添付の図面に示されている実施形態を参照することによって得られ得る。しかしながら、本開示は他の等しく効果的な実施形態を認め得るので、添付の図面は、本開示の一般的な実施形態を示しているにすぎず、したがって本開示の範囲を限定すると考えられるべきではないことに留意されたい。
本開示の１つまたは複数の実施形態による、処理チャンバの断面等角図を示す図である。 本開示の１つまたは複数の実施形態による、処理チャンバの断面図を示す図である。 本開示の１つまたは複数の実施形態による、支持アセンブリの底部等角図である。 本開示の１つまたは複数の実施形態による、支持アセンブリの上部等角図である。 本開示の１つまたは複数の実施形態による、支持アセンブリの部分断面概略図である。 本開示の１つまたは複数の実施形態による、基板支持体の断面概略図である。 図６における線７－７’に沿って取られた、静電チャックの断面概略図である。 図６における線７－７’に沿って取られた、静電チャックの断面概略図である。 図７の領域９の拡大図である。 本開示の１つまたは複数の実施形態による、方法の部分断面概略図である。 本開示の１つまたは複数の実施形態による、処理プラットフォームの概略表現である。
本開示のいくつかの例示的な実施形態について説明する前に、本開示は、以下の説明に記載されている構成またはプロセスステップの詳細に限定されないことを理解されたい。本開示は、他の実施形態が可能であり、様々な方法で実施または実行されることが可能である。
本明細書および添付の特許請求の範囲で使用する際、「基板」という用語は、プロセスがそれに作用する表面または表面の一部分を指す。また、基板への言及は、文脈が別段に明示しない限り、基板の一部分のみを指すこともあることが当業者によって理解されよう。さらに、基板上に堆積することへの言及は、ベア基板と、１つまたは複数の膜またはフィーチャがその上に堆積または形成された基板の両方を意味することができる。
本明細書で使用する「基板」は、任意の基板、または作製プロセス中にその上で膜処理が実行される基板上に形成された材料表面を指す。たとえば、処理がその上で実行され得る基板表面は、適用例に応じて、シリコン、酸化ケイ素、ストレインドシリコン、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、炭素ドープ酸化ケイ素、アモルファスシリコン、ドープシリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、ガラス、サファイア、ならびに金属、金属窒化物、金属合金、および他の導電性材料など、任意の他の材料などの材料を含む。基板は、限定はしないが、半導体基板を含む。基板は、基板表面を研磨、エッチング、還元、酸化、ヒドロキシル化、アニーリング、ＵＶ硬化、電子ビーム硬化および／または焼成するための前処理プロセスにさらされ得る。基板自体の表面上に直接膜処理することに加えて、本開示では、開示されている膜処理ステップのいずれかも、以下により詳細に開示されているように、基板上に形成された下層上で実行され得、「基板表面」という用語は、文脈が示すように、そのような下層を含むものとする。したがって、たとえば、膜／層または部分膜／層が基板表面上に堆積されている場合、新たに堆積された膜／層の露出した表面が基板表面になる。
本明細書および添付の特許請求の範囲で使用する際、「前駆体」、「反応物」、「反応性ガス」などの用語は、基板表面と、または基板表面上に形成された膜と反応することができる任意のガス種を指すために互換的に使用される。
本開示の実施形態は、ペデスタル表面上にインシトゥ（ｉｎ－ｓｉｔｕ）プラズマを生成するための装置および方法を対象とする。いくつかの実施形態は、ペデスタル表面上に制御可能なおよび／または均一なＤＣプラズマを与える。本開示の実施形態は、有利には、たとえば、定期的なペデスタル表面洗浄、洗浄後にペデスタルヒータ表面をシーズニングすること、ペデスタルの表面を処理すること、およびウエハの裏側または斜面を洗浄することとともに使用可能である。
本開示の１つまたは複数の実施形態は、有利には、ペデスタル洗浄のための遠隔プラズマ源の必要をなくす。いくつかの実施形態は、ＲＰＳを取り除くことによって洗浄効率を改善する。いくつかの実施形態は、１つまたは複数の遠隔プラズマ源の必要をなくすことによりコストを削減する。
原子層堆積（ＡＬＤ）適用例の場合、両方の反応性ガスが表面にさらされ、表面が活性化のために十分に高い温度に維持されるので、堆積はペデスタル表面上で行われ得る。本開示の１つまたは複数の実施形態は、有利には、ペデスタル表面を選択的に洗浄するための装置を提供する。
いくつかの実施形態は、ペデスタルの基板接触領域のシーズニングまたは表面処理を可能にする。いくつかの実施形態では、基板の裏側または斜面を洗浄するためにリフトピン上のペデスタルの上方に上げられた基板を用いて直流（ＤＣ）プラズマが生成される。いくつかの実施形態では、裏側洗浄は基板移送ルーチンに組み込まれる。
本開示の実施形態は、単一基板プロセスチャンバまたは（バッチとも呼ばれる）複数基板プロセスチャンバとともに使用するための（ペデスタルとも呼ばれる）基板支持体を対象とする。図１および図２は本開示の１つまたは複数の実施形態によるバッチ処理チャンバ１００を示す。図１は、本開示の１つまたは複数の実施形態による、断面等角図として示された処理チャンバ１００を示す。図２は、本開示の１つまたは複数の実施形態による処理チャンバ１００を断面で示す。
処理チャンバ１００は、壁１０４と底部１０６とをもつハウジング１０２を有する。ハウジング１０２は、上部プレート３００とともに、処理容量とも呼ばれる内部容量１０９を規定する。
示された処理チャンバ１００は複数の処理ステーション１１０を含む。処理ステーション１１０は、ハウジング１０２の内部容量１０９中に位置し、支持アセンブリ２００の回転軸２１１の周りに円形構成で配置される。各処理ステーション１１０は、前面１１４を有する（ガス分配プレートとも呼ばれる）ガスインジェクタ１１２を備える。処理ステーション１１０は、処理がその中で行われることができる領域として規定される。たとえば、いくつかの実施形態では、処理ステーション１１０は、以下で説明するように、支持アセンブリ２００の支持体表面２３１と、ガスインジェクタ１１２の前面１１４とによって制限された領域として規定される。示されている実施形態では、ヒータ２３０は、基板支持体表面として働き、支持アセンブリ２００の一部を形成する。
処理ステーション１１０は、任意の好適なプロセスを実行し、任意の好適なプロセス条件を与えるように構成され得る。使用されるガスインジェクタ１１２のタイプは、たとえば、実行される処理のタイプおよびシャワーヘッドまたはガスインジェクタのタイプに依存する。たとえば、原子層堆積装置として動作するように構成された処理ステーション１１０はシャワーヘッドまたは渦タイプガスインジェクタを有し得る。一方で、プラズマステーションとして動作するように構成された処理ステーション１１０は、プラズマガスが基板に向かって流れることを可能にしながらプラズマを生成するための１つまたは複数の電極および／または接地プレート構成を有し得る。図２に示された実施形態は、図面の左側（処理ステーション１１０ａ）に、図面の右側（処理ステーション１１０ｂ）とは異なるタイプの処理ステーション１１０を有する。好適な処理ステーション１１０は、限定はしないが、熱処理ステーション、マイクロ波プラズマ、３電極ＣＣＰ、ＩＣＰ、平行プレートＣＣＰ、ＵＶ露光、レーザー処理、ポンピングチャンバ、アニーリングステーションおよび計測ステーションを含む。
図３～図５は本開示の１つまたは複数の実施形態による支持アセンブリ２００を示す。支持アセンブリ２００は回転可能なセンターベース２１０を含む。回転可能なセンターベース２１０は、対称形または非対称形を有することができ、回転軸２１１を規定する。回転軸２１１は、図１～３に見られるように、第１の方向において延びる。第１の方向は垂直方向またはｚ軸に沿ってと呼ばれることがある。「垂直」という用語の使用は重力の引く力に平行な方向に限定されず、「水平」という用語の使用は重力の引く力に垂直な方向に限定されない。
支持アセンブリ２００は、センターベース２１０に接続され、センターベース２１０から延びる少なくとも２つの支持アーム２２０を含む。支持アーム２２０は内側端部２２１と外側端部２２２とを有する。内側端部２２１は、センターベース２１０が回転軸２１１の周りを回転するとき、支持アーム２２０が同様に回転するようにセンターベース２１０と接触する。いくつかの実施形態では、支持アーム２２０は、外側端部２２２が同じ支持アーム２２０の内側端部２２１よりも回転軸２１１から離れるように、回転軸２１１と直角に伸びる。
支持アーム２２０は、当業者に知られている任意の好適な様式によってセンターベース２１０に接続され得る。たとえば、いくつかの実施形態では、内側端部２２１は締め具（たとえば、ボルト）の使用によってセンターベース２１０に接続される。いくつかの実施形態では、内側端部２２１はセンターベース２１０と一体に形成される。
支持アセンブリ２００中の支持アーム２２０の数は変動することができる。いくつかの実施形態では、少なくとも２つの支持アーム２２０、少なくとも３つの支持アーム２２０、少なくとも４つの支持アーム２２０、または少なくとも５つの支持アーム２２０がある。いくつかの実施形態では、３つの支持アーム２２０がある。いくつかの実施形態では、４つの支持アーム２２０がある。いくつかの実施形態では、５つの支持アーム２２０がある。いくつかの実施形態では、６つの支持アーム２２０がある。
いくつかの実施形態の支持アーム２２０はセンターベース２１０の周りに対称に構成される。たとえば、４つの支持アーム２２０をもつ支持アセンブリ２００において、支持アーム２２０の各々は、支持アーム２２０によって形成された軸が、近接する（回転軸２１１の向こう側ではない）支持アーム２２０によって形成された軸に直角になるように、センターベース２１０の周りに９０°間隔で配置される。別の言い方をすれば、４つの支持アーム２２０をもつ実施形態では、支持アームは、回転軸２１１の周りに４回対称性（ｆｏｕｒ－ｆｏｌｄ ｓｙｍｍｅｔｒｙ）を与えるように構成される。３つの支持アーム２２０をもつ支持アセンブリ２００では、支持アーム２２０は、支持アーム２２０によって形成された軸が他の支持アーム２２０に対して１２０°角になるように、センターベース２１０の周りに１２０°間隔で配置される。いくつかの実施形態では、支持アセンブリ２００はｎ個の支持アーム２２０を有し、ｎ個の支持アーム２２０は、回転軸２１１の周りにｎ回対称性を与えるように構成される。
ヒータ２３０は支持アーム２２０の外側端部２２２に配置される。いくつかの実施形態では、各支持アーム２２０はヒータ２３０を有する。ヒータ２３０の中心は、センターベース２１０が回転軸２１１の周りを回転したときに、ヒータ２３０が回転軸２１１の周りの円形経路を移動するように回転軸２１１からある距離に位置する。
ヒータ２３０は、基板またはウエハを支持するように構成された支持体表面２３１を有する。いくつかの実施形態では、ヒータ２３０支持体表面２３１は実質的に同一平面である。この様式で使用する際、「実質的に同一平面」とは、個々の支持体表面２３１によって形成された平面が、他の支持体表面２３１によって形成された平面の±５°、±４°、±３°、±２°または±１°内であることを意味する。
いくつかの実施形態では、ヒータ２３０は支持アーム２２０の外側端部２２２上に直接配置される。いくつかの実施形態では、図面に示されているように、ヒータ２３０は、ヒータスタンドオフ２３４によって支持アーム２２０の外側端部２２２の上方に上げられる。ヒータスタンドオフ２３４は、ヒータ２３０の高さを増加させるための任意のサイズおよび長さであり得る。「ペデスタル」という用語は、上端に支持体表面２３１が接続されているヒータスタンドオフ２３４を指すために使用される。支持体表面２３１は、ヒータ２３０の一部、または加熱要素がない異なる構成要素の一部であり得る。
いくつかの実施形態では、チャネル２３６は、センターベース２１０、支持アーム２２０および／またはヒータスタンドオフ２３４のうちの１つまたは複数中に形成される。チャネル２３６は、ヒータ２３０のための電気接続、静電チャックのための電気接続をルーティングするために、またはガス流を与えるために使用され得る。
ヒータ２３０は、当業者に知られている任意の好適なタイプのヒータであり得る。いくつかの実施形態では、ヒータ２３０は、ヒータ本体内に１つまたは複数の加熱要素をもつ抵抗加熱器である。
いくつかの実施形態のヒータ２３０は追加の構成要素を含む。たとえば、ヒータは静電チャックを備え得る。静電チャックは、ヒータが移動される間、ヒータ支持体表面２３１上に配置されたウエハが所定の位置に保持され得るように、様々なワイヤおよび電極を含むことができる。これにより、ウエハが、プロセスの開始においてヒータ上にチャックされ、異なるプロセス領域に移動する間、その同じヒータ上のその同じ位置にとどまることが可能になる。いくつかの実施形態では、ワイヤおよび電極は支持アーム２２０中のチャネル２３６を通してルーティングされる。図５は、チャネル２３６がその中に示されている支持アセンブリ２００の一部分の拡大図を示す。チャネル２３６は支持アーム２２０とヒータスタンドオフ２３４とに沿って延びる。第１の電極２５１ａおよび第２の電極２５１ｂは、ヒータ２３０と、またはヒータ２３０の内部の構成要素（たとえば、抵抗性ワイヤまたは静電チャック）と電気通信している。図示の実施形態では、第１のワイヤ２５３ａは第１のコネクタ２５２ａにおいて第１の電極２５１ａに接続し、第２のワイヤ２５３ｂは第２のコネクタ２５２ｂにおいて第２の電極２５１ｂに接続する。いくつかの実施形態では、３つ以上のワイヤがある。たとえば、加熱要素と静電チャックとをもつ例示的な一実施形態では、少なくとも２つのワイヤが加熱要素と接触しており、少なくとも２つのワイヤが静電チャックと接触している。
いくつかの実施形態では、温度測定デバイス（たとえば、高温計、サーミスタ、熱電対）が、ヒータ２３０の温度またはヒータ２３０上の基板の温度のうちの１つまたは複数を測定するためにチャネル２３６内に配置される。いくつかの実施形態では、温度測定デバイスのための制御および／または測定ワイヤがチャネル２３６を通してルーティングされる。いくつかの実施形態では、１つまたは複数の温度測定デバイスが、ヒータ２３０および／またはヒータ２３０上のウエハの温度を測定するために処理チャンバ１００内に配置される。好適な温度測定デバイスは当業者に知られており、限定はしないが、光高温計および接触熱電対を含む。
ワイヤは、電源（図示せず）と接続するために支持アーム２２０と支持アセンブリ２００とを通してルーティングされ得る。いくつかの実施形態では、電源への接続は、ワイヤ２５３ａ、２５３ｂを絡ませることまたは破壊することなしに支持アセンブリ２００の連続回転を可能にする。いくつかの実施形態では、図５に示されているように、第１のワイヤ２５３ａおよび第２のワイヤ２５３ｂは支持アーム２２０のチャネル２３６に沿ってセンターベース２１０まで延びる。センターベース２１０において、第１のワイヤ２５３ａは第１のセンターコネクタ２５４ａと接続し、第２のワイヤ２５３ｂは第２のセンターコネクタ２５４ｂと接続する。センターコネクタ２５４ａ、２５４ｂは、電力または電子信号がセンターコネクタ２５４ａ、２５４ｂを通過することができるように、接続プレート２５８の一部であり得る。図示の実施形態では、ワイヤはセンターベース２１０中で終端するので、支持アセンブリ２００はワイヤをねじるまたは破断することなしに連続的に回転することができる。いくつかの実施形態では、支持アセンブリ２００は、ワイヤをねじるまたは破断することなしに約３６０°までの回転を可能にするように構成される。第２の接続は接続プレート２５８の反対側（処理チャンバの外側）にある。
いくつかの実施形態では、ワイヤはチャネル２３６を通して処理チャンバの外側の電源２７０または電気的構成要素に直接または間接的に接続される。この種の実施形態では、ワイヤは、ワイヤをねじるまたは破断することなしに支持アセンブリ２００が限られた量回転させられることを可能にするのに十分なたるみを有する。いくつかの実施形態では、支持アセンブリ２００は、回転方向が反転させられる前に、約１０８０°、９９０°、７２０°、６３０°、３６０°または２７０°以下回転される。これにより、ワイヤを破断することなしにステーション１１０の各々を通してヒータ２３０を回転させることが可能になる。
図４を参照すると、ヒータ２３０および支持体表面２３１は、裏側ガスの流れを与えるために１つまたは複数のガス出口（または開口２３７）を含むことができる。裏側ガスは、以下で説明するように、支持体表面２３１からのウエハの除去を助けるか、または他のプロセスが行われることを可能にし得る。図４に示されているように、支持体表面２３１は複数の開口２３７とガスチャネル２３８とを含む。開口２３７および／またはガスチャネル２３８は、真空源またはガス源（たとえば、パージガスまたは反応性ガス）のうちの１つまたは複数と流体連結し得る。この種の実施形態では、開口２３７および／またはガスチャネル２３８とのガス源の流体連結を可能にするためにガスラインが含まれ得る。
図６～図８は、本開示の１つまたは複数の実施形態による基板支持体５００を示す。図６は、単一ウエハ構成における基板支持体５００またはペデスタルの断面図を示す。しかしながら、当業者は、図６に示されたペデスタルは、図１～図５に示されたペデスタル（スタンドオフ２３４およびヒータ２３０）と等価であることを認識するであろう。図７および図８は、内部構成要素を示す線７－７’に沿って図６に示された基板支持体と同様の基板支持体５００の一部分の概略上面図を示す。図６～図８に示された実施形態は、可能な構成を表すものにすぎず、本開示の範囲を限定すると取られるべきでない。
基板支持体５００は、支持体表面５０４と底面５０６とをもつ本体５０２を有する。支持体表面５０４と底面５０６との間の距離は本体５０２の厚さＴを規定する。いくつかの実施形態では、図６に示されているように、支持体表面５０４は、本体５０２中に形成されたポケット５０３内に埋め込まれている。いくつかの実施形態では、ポケット５０３は基板支持体５００の外側周囲縁部５０９から測定される深さを有し、その深さは、処理されるべき基板の厚さと実質的に同じである。「実質的に同じ」という用語は、ポケット５０３の深さが基板の厚さの９５％～１０５％内であることを意味する。いくつかの実施形態の基板支持体５００は、外側周囲面５０８をもつ円形外形を有する。当業者は、本体５０２および支持体表面５０４は、それぞれ、図１～図５に示されたヒータ２３０および支持体表面２３１と等価であることを認識するであろう。
支持体表面５０４は、本体５０２中に、ある距離または深さＤ延びる複数のパージチャネル５１０を有する。いくつかの実施形態では、パージチャネル５１０が本体５０２中に延びる深さＤは、０．０１ｍｍから５ｍｍまでの範囲内、または０．５から４ｍｍまでの範囲内、または１から３ｍｍまでの範囲内である。パージチャネル５１０間の（番号を付けられていない）領域は、メサ（ｍｅｓａ）とも呼ばれ、いくつかの実施形態では、処理中にウエハを支持する。
パージチャネル５１０のフィールドはシールバンド５１２によって（回転軸５０１に対して）外側縁部の周りで制限される。基板は、基板の裏側がシールバンド５１２に対して密閉するようにシールバンド５１２上に載っている。いくつかの実施形態では、シールバンド５１２は、処理されるべき基板の直径よりもわずかに小さい内径をもつ（実線状でも破線状でもあり得る）概して円形形状である。たとえば、いくつかの実施形態における３００ｍｍ基板のためのシールバンド５１２は、２９９ｍｍよりも小さい内径を有する。いくつかの実施形態では、シールバンド５１２は、支持体表面５０４と実質的に同じ高さの上面を有する。
いくつかの実施形態では、図６～図８に概略的に示されているように、基板支持体５００は静電チャックである。いくつかの実施形態では、本体５０２は、支持体表面５０４に基板を静電的にチャックするように構成された第１の電極５２１と第２の電極５２２とを含む。第１の電極５２１および第２の電極５２２は、当業者に知られている任意の好適な導電性材料から製造され得る。図６の断面図は、断面角度により分割されて見える単一の第１の電極５２１と単一の第２の電極５２２とを示す。図７および図８は、２つの電極がその中に見える、同様の構成のトップダウン図を示す。いくつかの実施形態では、静電チャッキング力の複数のゾーンを与えるために本体全体にわたって間隔をおいて配置された３つ以上の電極がある。たとえば、いくつかの実施形態では、第１の電極は内側ゾーンと外側ゾーンとに分割され、第２の電極は全体にわたって単一の電極である。この構成は、別個の電源、または単一の電源の別個の電圧源を使用することによってチャッキング力と電位差のゾーン制御を可能にする。
第１の電極５２１と第２の電極５２２とは間隙５１４によって分離される。いくつかの実施形態では、間隙５１４は誘電体材料を含む。いくつかの実施形態では、間隙５１４の誘電体材料は本体５０２と同じ材料である。いくつかの実施形態では、誘電体材料は酸化アルミニウム（ＡｌＯとも呼ばれるＡｌ２Ｏ３）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなる。間隙５１４は第１の電極５２１と第２の電極５２２との間の電気的短絡を防ぐ。いくつかの実施形態では、間隙５１４は、支持体表面５０４に近接するプラズマ生成を可能にするように構成される。たとえば、いくつかの実施形態の第１の電極５２１と第２の電極５２２とは、逆流ガスが存在するときに、支持体表面５０４に直接隣接してプラズマを生成する。いくつかの実施形態では、生成されたプラズマは、補助洗浄システムの使用なしに支持体表面５０４を洗浄するのに十分なエネルギーを有する。
図７および図８は、図６の線７－７’に沿って見た際の、第１の電極５２１と第２の電極５２２とを使用した静電チャックの異なる実施形態を示した。図９は、図７に示された静電チャックの領域９の拡大図を示す。いくつかの実施形態では、第１の電極５２１はフィンガージョイント状のパターンで第２の電極５２２とかみ合う。電極の形状は、任意の好適な形状であり得、図７および図８に示されたフィンガージョイント状のパターンに限定されない。
第１の電極５２１は、第１の方向において中央ハブ５８０から外側周縁５１３まで延びる第１のトランク５８１をもつ中央ハブ５８０を有する。第２の電極５２２は、第２のトランク５９１を有し、第１の電極５２１の中央ハブ５８０に近接し、第１の電極５２１の中央ハブ５８０から離間している内側端部５９０から外側周縁５９９まで延びる。第２の電極５２２の第２のトランク５９１は、第１の電極５２１の第１のトランク５８１の第１の方向とは逆の第２の方向に延びる。
第１の電極５２１は、第１の電極５２１の第１のトランク５８１に交差する複数の第１の分岐５８２をさらに備える。図９は、第１の分岐５８２ａ、５８２ｂおよび５８２ｃを示す。複数の第１の分岐５８２の各々は、中央ハブ５８０の中心から第１のトランク距離ＤＦに位置し、複数の第１の分岐５８２の各々は近接する第１の分岐５８２から離間している。図９は、中央ハブ５８０の中心における回転軸５０１から、最内の第１の分岐５８２ａの中間まで測定された第１のトランク距離ＤＦａを示す。図面および理解を明確にするために、他の分岐の各々までの距離は具体的に標示されないが、距離ＤＦｂは、中央ハブ５８０の中心における回転軸５０１から、第１の分岐５８２ａの反対側にある第２の分岐５８２ｂの中間までの距離などであることを当業者は理解するであろう。別の言い方をすれば、第１の分岐５８２の各々の内側端面は、中央ハブ５８０により近い第１の分岐５８２の外側端面から離間しているか、または中央ハブ５８０の外側端面から離間している。
複数の第１の分岐５８２の各々は、第１の方向において第１のトランク５８１においてトランク端部から延びる第１の脚５８３と、第２の方向において第１のトランク５８１から延びる第２の脚５８４とをさらに備える。第１の脚５８３の各々は、第１のトランク距離に等しい半径をもつ中央ハブ５８０の周りの第１の方位角方向における弓形経路中の第１の分岐端部５８５まで延び、第２の脚５８４は、第１のトランク５８１から、第１のトランク距離に等しい半径をもつ中央ハブ５８０の周りの第１の方位角方向とは逆の第２の方位角方向における弓形経路中の第２の分岐端部５８６まで延びる。図９は、第１の方向５８８ａにおいて延びる最内の第１の脚５８３ａと、第２の方向５８９ａにおいて延びる最内の第２の脚５８３ｂとを有する最内の第１の分岐５８２ａを示す、静電チャックの一部分の拡大図を示す。
いくつかの実施形態では、第１の分岐端部５８５は第２の電極５２２の第２のトランク５９１からある距離に配置される。いくつかの実施形態では、第２の分岐端部５８６は第２の電極５２２の第２のトランク５９１からある距離に配置される。第２のトランク５９１までの第１の分岐端部５８５と第２の分岐端部５８６との距離は間隙５１４に等しい。この場合も、拡大図について図９を参照すると、最内の第１の分岐５８２ａは、中央ハブ５８０の中心における回転軸５０１の周りの第１の方向５８８ａにおいて最内の第１の分岐端部５８５ａまで延びる最内の第１の脚５８３ａと、中央ハブ５８０の中心における回転軸５０１の周りの第２の方向５８９ａにおいて最内の第２の分岐端部５８６ａまで延びる最内の第２の脚５８４ａとを有する。
第２の電極５２２は、第２のトランク５９１に交差する複数の第２の分岐５９２を備える。複数の第２の分岐の各々は、第１の電極５２１の中央ハブ５８０から第２のトランク距離に位置し、近接する第２の分岐５９２から離間している。さらに、複数の第２の分岐５９２の各々は、第２のトランク５９１におけるトランク端部から、第２のトランク距離に等しい半径をもつ第１の電極５２１の中央ハブ５８０の周りの第１の半径方向における弓形経路中の第１の分岐端部５９５まで延びる第１の脚５９３と、第２のトランク５９１から第２のトランク距離に等しい半径をもつ第１の電極５２１の中央ハブ５８０の周りの第１の半径方向とは逆の第２の半径方向における弓形経路中の第２の分岐端部５９６まで延びる第２の脚５９４とを有する。図示のように、いくつかの実施形態では、第１の分岐端部６８５は、第２の電極５２２の第１のトランク５８１からある距離に配置される。
第１の分岐５８２は、第２の分岐５９２と交互嵌合し、間隙５１４によって第２の分岐５９２から離間している。いくつかの実施形態では、第１の分岐５８２と第２の分岐５９２とは、支持体表面５０４に直接隣接するプラズマに点火するのに十分な間隙５１４だけ離間している。
いくつかの実施形態では、複数の第１の分岐５８２の第１の脚５８３の第１の分岐端部５８５と、複数の第１の分岐５８２の第２の脚５８４の第２の分岐端部５８６とは、第２のトランク５９１まで延び、間隙５１４によって第２のトランク５９１から分離される。同様に、複数の第２の分岐５９２の第１の脚５９３の第１の分岐端部５９５と、複数の第２の分岐５９２の第２の脚５９４の第２の分岐端部５９６とは、第１のトランク５８１まで延び、間隙５１４によって第１のトランク５８１から分離される。
いくつかの実施形態では、図９を参照すると、複数の第２の分岐５９２の最内分岐５９２ａは少なくとも部分的に第１の電極５２１の中央ハブ５８０の周りに延びる。複数の第２の分岐５９２の最内分岐５９２ａと第１の電極５２１の中央ハブとは間隙５１４によって分離される。複数の第２の分岐５９２の最内分岐５９２ａは、中央ハブ５８０の中心における回転軸５０１の周りの第１の方向５９８ａにおいて最内の第１の分岐端部５９５ａまで延びる第１の脚５９３と、中央ハブ５８０の中心における回転軸５０１の周りの第２の方向５９９ａにおいて最内の第２の分岐端部５９６ａまで延びる第２の脚５９４ａとを有する。
いくつかの実施形態では、図７に示されているように、複数の第１の分岐５８２の最外分岐５８７は、複数の第２の分岐５９２の最外分岐５９８を囲む最外リング５８７ａを形成する。いくつかの実施形態では、図７に示されているように、最外リング５８７ａは完全なリングであり、これは、最外リング５８７ａが回転軸５０１の周りに３６０°延びることを意味する。いくつかの実施形態では、第２のトランク５９１は複数の第１の分岐５８２の最外リング５８７ａまで延びる。複数の第１の分岐５８２の第２のトランク５９１と最外リング５８７ａとは間隙５１４によって分離される。
図７に示されているように、いくつかの実施形態では、複数の第１の分岐５８２の最外リング５８７ａの表面積と、複数の第２の分岐５９２の最外分岐５９８の表面積とは同じである。いくつかの実施形態では、複数の第１の分岐５８２の最外分岐５８７の幅は複数の第２の分岐５９２の最外分岐５９８の幅よりも小さい。
図８に示されているように、いくつかの実施形態では、複数の第１の分岐５８２の最外分岐５８７の幅が変動する。いくつかの実施形態では、複数の第２の分岐５９２の最外分岐５９８の幅が変動する。いくつかの実施形態では、第１の複数の第１の分岐５８２の最外分岐５８７の第１の脚５８３と第２の脚５８４とは、間隙５１４によって複数の第２の分岐５９２の最外分岐５９８の第１の脚５９３と第２の脚５９４とから分離される。
図７に示されているように、いくつかの実施形態では、複数の第１の分岐５８２の第１の脚５８３と第２の脚５８４との組合せと、複数の第２の分岐５８２の第１の脚５９３と第２の脚５９４との組合せとは、それぞれ複数の第１の分岐５８２の対応する分岐端部と複数の第２の分岐５９２の対応する分岐端部とからそれぞれ約１８０度延びる。いくつかの実施形態では、各脚５８３、５８４、５９３、５９４は、約１８０°－トランク５８１、５９１の幅の半分に関連付けられた角度＋間隙５１４の幅が延びる。
図８を参照すると、いくつかの実施形態では、第１のトランク５８１はトランクの長さに沿った方位角方向においてある角度だけシフトする。図８に示された実施形態では、第１のトランク５８１は複数の第１の分岐５８２の最外分岐５８７において反時計回りに約１０°シフトする。いくつかの実施形態では、第１のトランク５８１は、複数の第１の分岐５８２のうちの１つまたは複数における第１の方位角方向においてある角度だけシフトする。
図１０を参照すると、本開示のいくつかの実施形態は、基板支持体の支持体表面５０４を洗浄する方法、および／または基板５０５の裏側を洗浄／処理する方法を対象とする。いくつかの実施形態では、支持体表面５０４の洗浄は、プラズマ５０７を生成する前に基板５０５を支持体表面５０４の上に、ある高さＨ持ち上げることによって、基板５０５が依然として支持体表面５０４の上に配置されているときに行うことができる。いくつかの実施形態では、基板５０５は、リフトピン５１５を使用して支持体表面５０４から持ち上げられる。基板が上げられる距離は、プラズマが基板の底面５０５ｂに損傷を与えることなしに支持体表面５０４を洗浄するのに十分である。
支持体表面５０４から基板５０５を持ち上げることは、支持体表面５０４のリフトピン開口５１１を通る複数のリフトピン５１５によって実施される。複数のリフトピン開口５１１は、複数のリフトピンが複数のリフトピン開口５１１の各々を通ることを可能にするように構成される。いくつかの実施形態では、リフトピン開口５１１の各々は複数の第１の分岐５８２内にある。いくつかの実施形態では、リフトピン開口５１１の各々は複数の第２の分岐５９２内にある。いくつかの実施形態では、リフトピン開口５１１の各々は、第１の電極５２１、第２の電極５２２、または間隙５１４中の誘電体のうちの１つまたは複数を別個に通る。
再び図６を参照すると、いくつかの実施形態は、電極５２１、５２２間の電圧差を生成するための、第１の電極５２１と第２の電極５２２とに接続された電源５３０を含む。電源５３０は伝送線路５３１、５３２を通して電極５２１、５２２に接続する。伝送線路５３１、５３２は、短絡またはアーク放電を防ぐために任意の好適な絶縁体によって電気的に分離される。いくつかの実施形態では、伝送線路５３１、５３２は同軸ケーブルの一部である。いくつかの実施形態では、伝送線路５３１、５３２は別個の線である。
いくつかの実施形態の電源５３０は、（ポテンシャルとも呼ばれる）第１の電圧を第１の電極５２１に与え、第１の電圧とは異なる第２の電圧を第２の電極５２２に与える。いくつかの実施形態では、電源５３０は、電極５２１、５２２に高電圧直流電流（ＤＣ）成分と低電圧交流電流（ＡＣ）成分とを与えるように構成される。
いくつかの実施形態では、本体５０２は本体５０２の厚さＴ内に少なくとも１つの加熱要素５４０をさらに備える。いくつかの実施形態の少なくとも１つの加熱要素５４０はワイヤ５３３ａ、５３３ｂを通して電源５３０に接続される。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの加熱要素５４０のための電源は、第１の電極５２１と第２の電極５２２とに接続されたものとは異なる電源５３０である。図６に示された実施形態は、異なる半径において、および回転軸５０１に沿った異なる位置に間隔をおいて配置された３つの加熱要素ゾーン５４０ａ、５４０ｂ、５４０ｃを示す。実施形態は、本体５０２中の第１のレベル上の外側ゾーン５４０ａおよび内側ゾーン５４０ｃと、支持体表面５０４により近い本体５０２中の第２のレベル上の中心ゾーン５４０ｂとを示す。図示の実施形態における加熱要素の数および配置は、１つの可能な構成にすぎず、本開示の範囲を限定するとして取られるべきでないことを当業者は認識するであろう。
基板支持体５００は、本体５０２の底面５０６に接続された（スタンドオフ２３４と等価な）支持ポスト５５０を含む。いくつかの実施形態の支持ポスト５５０は、伝送線路５３１、５３２および任意の他の接続またはコンジット（たとえば、パージガスコンジットまたはプレナム）を収容するために中空である。いくつかの実施形態では、支持ポスト５５０は、一般に、伝送線路５３１、５３２と任意の他の接続またはコンジットとを格納するための開口をもつ固体である。
図６に示された実施形態は、支持体表面５０４中に形成されたパージチャネル５１０と流体連結しているパージライン５６２を含む。いくつかの実施形態のパージライン５６２は、パージガスがパージライン５６２を通してパージガス源５６０からパージチャネル５１０まで流れることを可能にするために、パージガス源５６０に接続される。いくつかの実施形態では、支持ポスト５５０はパージライン５６２の長さに沿ったプレナムまたはキャビティを含む。いくつかの実施形態では、図示のように、パージライン５６２は、パージガスの流れをパージチャネル５１０中の異なる開口５６６中に分割するためにパージライン５６２の第２の脚５６４に接続する。いくつかの実施形態では、パージライン５６２は、支持体表面５０４上に配置された基板の裏側にパージガスの流れを与える。これは裏側パージとも呼ばれる。図７および図８に示された実施形態は、静電チャック全体にわたって間隔をおいて配置された複数のパージライン５６２または第２の脚５６４を示す。
再び図６を参照すると、本開示のいくつかの実施形態は、電源５３０、ガスライン５６２（またはガスライン５６２上の弁）、ワイヤ５３３ａ、５３３ｂまたは電極５２１、５２２のうちの１つまたは複数に接続されたコントローラ４９０を含む。
本開示の追加の実施形態は、基板支持体５００の支持体表面５０４を洗浄する方法を対象とする。本方法は、処理ステーション１１０内に逆流ガスが存在するときに、第１の電極５２１と第２の電極５２２との間に形成された間隙５１４の上の第１の電極５２１と第２の電極５２２との間にプラズマを生成することを含む。生成されたプラズマは、補助洗浄システムを使用せずに支持体表面５０４を洗浄するのに十分である。基板が処理ステーション内に存在するいくつかの実施形態では、本方法は、複数のリフトピン開口５１１を通して複数のリフトピンをある高さだけ持ち上げるステップと、逆流ガスが処理ステーション１１０内に存在するときに、第１の電極５２１と第２の電極５２２との間に形成された間隙５１４の上の第１の電極５２１と第２の電極５２２との間にプラズマを生成するステップとを含む。いくつかの実施形態では、本方法は、基板支持体表面上に基板を下ろすステップをさらに含む。
図１１は、本開示の１つまたは複数の実施形態による処理プラットフォーム４００を示す。図１１に示された実施形態は、１つの可能な構成を表すものにすぎず、本開示の範囲を限定するとして取られるべきでない。たとえば、いくつかの実施形態では、処理プラットフォーム４００は、処理チャンバ１００、バッファステーション４２０および／またはロボット４３０構成のうちの、図示の実施形態とは異なる数の１つまたは複数を有する。
例示的な処理プラットフォーム４００は、複数の側面４１１、４１２、４１３、４１４を有する中央トランスファーステーション４１０を含む。示されているトランスファーステーション４１０は、第１の側面４１１、第２の側面４１２、第３の側面４１３および第４の側面４１４を有する。４つの側面が示されているが、たとえば、処理プラットフォーム４００の全体的構成に応じて、トランスファーステーション４１０に対して任意の好適な数の側面があり得ることを当業者は理解するであろう。いくつかの実施形態では、トランスファーステーション４１０は、３つの側面、４つの側面、５つの側面、６つの側面、７つの側面または８つの側面を有する。
トランスファーステーション４１０は、その中に配置されたロボット４３０を有する。ロボット４３０は、処理中に基板を移動することが可能な任意の好適なロボットであり得る。いくつかの実施形態では、ロボット４３０は第１のアーム４３１と第２のアーム４３２とを有する。第１のアーム４３１および第２のアーム４３２は他のアームとは独立して移動され得る。第１のアーム４３１および第２のアーム４３２はｘ－ｙ平面内でおよび／またはｚ軸に沿って移動することができる。いくつかの実施形態では、ロボット４３０は第３のアーム（図示せず）または第４のアーム（図示せず）を含む。アームの各々は、他のアームとは独立して移動することができる。
図示された実施形態は６つの処理チャンバ１００を含み、２つの処理チャンバは中央トランスファーステーション４１０の第２の側面４１２、第３の側面４１３および第４の側面４１４の各々に接続される。処理チャンバ１００の各々は、異なる処理を実行するように構成され得る。
処理プラットフォーム４００はまた、中央トランスファーステーション４１０の第１の側面４１１に接続された１つまたは複数のバッファステーション４２０を含むことができる。バッファステーション４２０は同じまたは異なる機能を実行することができる。たとえば、バッファステーションは、処理され、元のカセットに戻される基板のカセットを保持し得るか、またはバッファステーションのうちの１つは、処理の後に他のバッファステーションに移動される処理されていない基板を保持し得る。いくつかの実施形態では、バッファステーションのうちの１つまたは複数は、処理の前および／または処理の後に基板を前処理、予熱または洗浄するように構成される。
処理プラットフォーム４００はまた、中央トランスファーステーション４１０と処理チャンバ１００のいずれかとの間に１つまたは複数のスリットバルブ４１８を含み得る。スリットバルブ４１８は、中央トランスファーステーション４１０内の環境から処理チャンバ１００内の内部容量を隔離するために開閉することができる。たとえば、処理チャンバが処理中にプラズマを生成する場合、漂遊プラズマがトランスファーステーション中のロボットに損傷を与えるのを防ぐために、その処理チャンバのためのスリットバルブを閉じることが有用であり得る。
処理プラットフォーム４００は、基板または基板のカセットが処理プラットフォーム４００にロードされることを可能にするために、ファクトリインターフェース４５０に接続され得る。ファクトリインターフェース４５０内のロボット４５５は、基板またはカセットをバッファステーションにおよびバッファステーションから移動するために使用され得る。基板またはカセットは中央トランスファーステーション４１０中のロボット４３０によって処理プラットフォーム４００内で移動され得る。いくつかの実施形態では、ファクトリインターフェース４５０は別のクラスタツール（すなわち、別の複数チャンバ処理プラットフォーム）のトランスファーステーションである。
コントローラ４９５が与えられ、それの動作を制御するために処理プラットフォーム４００の様々な構成要素に結合され得る。コントローラ４９５は、処理プラットフォーム４００全体を制御する単一のコントローラか、または処理プラットフォーム４００の個々の部分を制御する複数のコントローラであり得る。たとえば、いくつかの実施形態の処理プラットフォーム４００は、個々の処理チャンバ１００、中央トランスファーステーション４１０、ファクトリインターフェース４５０および／またはロボット４３０のうちの１つまたは複数のための別個のコントローラを備える。
いくつかの実施形態では、処理チャンバ１００は、第１の温度または第２の温度のうちの１つまたは複数を制御するように構成された、複数の実質的に同一平面の支持体表面２３１に接続されるコントローラ４９５をさらに備える。１つまたは複数の実施形態では、コントローラ４９５は支持アセンブリ２００の移動速度を制御する（図２参照）。
いくつかの実施形態では、コントローラ４９５は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）４９６と、メモリ４９７と、サポート回路４９８とを含む。コントローラ４９５は、処理プラットフォーム４００を直接、または、特定のプロセスチャンバおよび／もしくはサポートシステム構成要素に関連付けられたコンピュータ（もしくはコントローラ）を介して制御し得る。
コントローラ４９５は、様々なチャンバおよびサブプロセッサを制御するために工業環境において使用され得る任意の形態の汎用コンピュータプロセッサのうちの１つであり得る。コントローラ４９５のメモリ４９７またはコンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、光ストレージ媒体（たとえば、コンパクトディスクまたはデジタルビデオディスク）、フラッシュドライブ、または、ローカルもしくはリモートの任意の他の形態のデジタルストレージなど、容易に利用可能なメモリのうちの１つまたは複数であり得る。メモリ４９７は、処理プラットフォーム４００のパラメータと構成要素とを制御するためにプロセッサ（ＣＰＵ４９６）によって動作可能な命令セットを保持することができる。
サポート回路４９８は、従来の様式でプロセッサをサポートするためにＣＰＵ４９６に結合される。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入出力回路、およびサブシステムなどを含む。１つまたは複数の処理は、プロセッサによって実行または呼び出されたとき、プロセッサに処理プラットフォーム４００または個々の処理チャンバの動作を本明細書で説明する様式で制御させるソフトウェアルーチンとしてメモリ４９８に記憶され得る。ソフトウェアルーチンはまた、ＣＰＵ４９６によって制御されるハードウェアから遠隔に位置する第２のＣＰＵ（図示せず）によって記憶および／または実行され得る。
本開示のいくつかのまたはすべてのプロセスおよび方法はまた、ハードウェアにおいて実行され得る。したがって、プロセスは、ソフトウェアにおいて実装され、たとえば、特定用途向け集積回路もしくは他のタイプのハードウェア実装としてハードウェアにおいて、またはソフトウェアとハードウェアとの組合せとして、コンピュータシステムを使用して実行され得る。ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって実行されたとき、汎用コンピュータを、プロセスが実行されるようにチャンバ動作を制御する特定目的コンピュータ（コントローラ）に変換する。
いくつかの実施形態では、コントローラ４９５は、本方法を実行するための個々のプロセスまたはサブプロセスを実行するための１つまたは複数の構成を有する。コントローラ４９５は、本方法の機能を実行するための中間構成要素に接続され、それらを動作させるように構成され得る。たとえば、コントローラ４９５は、ガスバルブ、アクチュエータ、モーター、スリットバルブ、真空制御または他の構成要素のうちの１つまたは複数に接続され、それらを制御するように構成され得る。
本明細書全体にわたる「一実施形態」、「いくつかの実施形態」、「１つまたは複数の実施形態」または「実施形態」への言及は、実施形態に関して説明した特定の特徴、構造、材料、または特性が本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書全体にわたる様々な場所における「１つまたは複数の実施形態では」、「いくつかの実施形態では」、「一実施形態では」または「実施形態では」などのフレーズの出現は必ずしも本開示の同じ実施形態を指すとは限らない。さらに、特定の特徴、構造、材料、または特性は１つまたは複数の実施形態において任意の好適な様式で組み合わせられ得る。
本明細書の開示について特定の実施形態に関して説明したが、説明された実施形態は本開示の原理および適用例を示すものにすぎないことを当業者は理解するであろう。本開示の趣旨および範囲から逸脱することなく、本開示の方法および装置に対して様々な改変および変形が行われ得ることが当業者に明らかになろう。したがって、本開示は添付の特許請求の範囲内の改変および変形ならびにそれらの均等物を含むことができる。

Claims (17)

  1. 静電チャックを有する基板支持体であって、
    中央ハブを有する第１の電極であって、第１のトランクが前記中央ハブから第１の外側周縁まで第１の方向に延びている、第１の電極と、
    前記中央ハブに近接し前記中央ハブから離間した内側端部から、第２の外側周縁まで、前記第１の方向とは逆の第２の方向に延びる第２のトランクを有する第２の電極と、
    前記第１のトランクに交差する複数の第１の分岐であって、前記第１の分岐の各々が、前記中央ハブからそれぞれの第１のトランク距離に位置し、近接する第１の分岐から離間しており、前記第１の分岐の各々が、前記第１のトランクにおけるトランク端部から、それぞれの前記第１のトランク距離に等しいそれぞれの第１の半径をもつ前記中央ハブの周りの第１の方向における弓形経路中の分岐端部まで延びる第１の脚と、前記第１のトランクにおけるトランク端部から、それぞれの前記第１のトランク距離に等しいそれぞれの第１の半径をもつ前記中央ハブの周りの、前記第１の方向とは逆の第２の方向における弓形経路中の、分岐端部まで延びる第２の脚とを有する、複数の第１の分岐と、
    前記第２のトランクに交差する複数の第２の分岐であって、前記第２の分岐の各々が、前記中央ハブからそれぞれの第２のトランク距離に位置し、近接する第２の分岐から離間しており、前記第２の分岐の各々が、前記第２のトランクにおけるトランク端部から、それぞれの前記第２のトランク距離に等しいそれぞれの第２の半径をもつ前記中央ハブの周りの第１の方向における弓形経路中の分岐端部まで延びる第１の脚と、前記第２のトランクにおけるトランク端部から、それぞれの前記第２のトランク距離に等しいそれぞれの第２の半径をもつ前記中央ハブの周りの第２の方向における弓形経路中の分岐端部まで延びる第２の脚とを有し、前記複数の第２の分岐が、前記複数の第１の分岐とかみ合い、間隙によって前記複数の第１の分岐から離間している、複数の第２の分岐と、
    直流及び交流を供給するように構成された前記第１の電極及び前記第２の電極に接続された電源と、
    を備え、
    前記間隙は、支持体表面の直近でプラズマを点火するように構成されている、
    基板支持体。
  2. 前記複数の第１の分岐の前記第１の脚の前記分岐端部と前記複数の第１の分岐の前記第２の脚の前記分岐端部とが、前記第２のトランクまで延び、間隙によって前記第２のトランクから分離されている、請求項１に記載の基板支持体。
  3. 前記複数の第２の分岐の前記第１の脚の前記分岐端部と前記複数の第２の分岐の前記第２の脚の前記分岐端部とが、前記第１のトランクまで延び、間隙によって前記第１のトランクから分離されている、請求項１に記載の基板支持体。
  4. 前記複数の第２の分岐の最内分岐が前記第１の電極の前記中央ハブの周りに延びる、請求項１に記載の基板支持体。
  5. 前記複数の第２の分岐の前記最内分岐と前記第１の電極の前記中央ハブとが間隙によって分離されている、請求項４に記載の基板支持体。
  6. 前記複数の第１の分岐の最外分岐が、前記複数の第２の分岐の最外分岐の周りに完全なリングを形成している、請求項１に記載の基板支持体。
  7. 前記第２のトランクが、前記複数の第１の分岐の前記最外分岐の前記完全なリングまで延びている、請求項６に記載の基板支持体。
  8. 前記複数の第１の分岐の前記最外分岐の表面積と前記複数の第２の分岐の最外分岐の表面積とが同じである、請求項６に記載の基板支持体。
  9. 前記複数の第１の分岐の前記最外分岐の幅が変動する、請求項６に記載の基板支持体。
  10. 前記複数の第２の分岐の前記最外分岐の幅が変動する、請求項６に記載の基板支持体。
  11. リフトピンがそこを貫通することを可能にするように構成された複数のリフトピン開口をさらに備える、請求項１に記載の基板支持体。
  12. 前記リフトピンが、基板の底面に損傷を与えることなしに、プラズマを生成するのに十分な高さだけ前記基板支持体の上に前記基板を上げるように構成された、請求項１１に記載の基板支持体。
  13. 前記リフトピン開口の各々が前記複数の第１の分岐内にある、請求項１１に記載の基板支持体。
  14. 前記リフトピン開口の各々が前記複数の第２の分岐内にある、請求項１１に記載の基板支持体。
  15. ガスの流れが前記基板支持体の基板支持体表面を通って前記支持体表面から出ることを可能にするための複数のガス開口をさらに備える、請求項１に記載の基板支持体。
  16. 前記第１のトランクが前記複数の第１の分岐の最外分岐において第１の方向にある角度だけシフトする、請求項１に記載の基板支持体。
  17. 前記複数の第１の分岐の最外分岐と前記複数の第２の分岐の最外分岐との組合せが、前記複数の第１の分岐の前記分岐端部から前記複数の第２の分岐の前記分岐端部まで約１８０度延びている、請求項１に記載の基板支持体。
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