TW202119538A - 用於清潔基座加熱器的原位dc電漿 - Google Patents

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Abstract

基板支撐件、基板支撐組件以及使用在第一電極和第二電極之間產生的電弧來清潔支撐表面的方法。第一電極包含複數個第一分支，複數個第一分支以指關節狀的圖案與第二電極的複數個分支相互交叉，從而在第一電極和第二電極之間產生間隙。

Description

用於清潔基座加熱器的原位DC電漿
本揭露書的實施例大體上關於用於處理基板的設備和方法。特別地，本揭露書的實施例涉及用於藉由在靜電夾盤的第一電極和第二電極之間的間隙之間產生電漿來清潔基板支撐件電漿的設備和方法。
許多沉積處理受益於在氣體分配板的表面和基板之間保持均勻且小的間隙。例如，原子層沉積處理（ALD）通常具有非常小的基板與氣體注入器的間距。這種間隙的變化會導致氣體在整個基板表面的流動均勻性發生變化。當基板在處理站之間移動時，間隙變化甚至更加明顯。多個沉積處理循環可能導致基板支撐表面（也稱為基座表面）的不均勻性和平坦度變化。基板支撐件的平坦度的變化增加了在氣體注入器與基板之間的反應空間的變化。
在多個循環之後清潔基板支撐表面改善了均勻性和平坦度。然而，這樣的處理導致處理腔室的維護和停機時間。當前的維護程序可能進一步涉及昂貴的輔助系統，諸如遠程電漿源（RPS）作為清潔系統。RPS系統會產生自由基，自由基會通過處理腔室內的長路徑行進，從而影響系統的清潔效率。產生的自由基也可能腐蝕或不利地影響在清潔處理期間自由基曝露於的鋁製噴頭或氣體管線的表面。
因此，在本領域中需要使用在處理腔室內的現有部件來清潔基板支撐表面的設備和方法。
本揭露書的一個或多個實施例涉及一種具有靜電夾盤的基板支撐件。第一電極具有中間轂，中間轂具有從中間轂向外周邊端部在第一方向上延伸的第一主幹。第二電極在與第一方向相反的第二方向上從與中間轂相鄰並與中間轂間隔開的內端部延伸至外周邊端部。複數個第一分支橫穿第一主幹。第一分支的每一個位於距中間轂的第一主幹距離處，並且與相鄰的第一分支間隔開。第一分支的每一個具有第一支腳及第二支腳，第一支腳在第一主幹處從主幹端部在第一方向上在弓形路徑中繞中間轂延伸到分支端部，半徑等於第一主幹距離，第二支腳在第一主幹處從主幹端部在與第一方向相反的第二方向上在弓形路徑中繞中間轂延伸到分支端部，半徑等於第一主幹距離。複數個第二分支橫穿第二主幹。第二分支的每一個位於距中間轂的第二主幹距離處，並且與相鄰的第二分支間隔開。第二分支的每一個具有第一支腳及第二支腳，第一支腳在第二主幹處從主幹端部在第一方向上在弓形路徑中繞中間轂延伸到分支端部，半徑等於第二主幹距離，第二支腳在第二主幹處從主幹端部在第二方向上在弓形路徑中繞中間轂延伸到分支端部，半徑等於第二主幹距離，複數個第二分支與複數個第一分支相互交叉並藉由間隙間隔開。
本揭露書的另外的實施例涉及一種清潔基板支撐件的方法。在具有複數個第一分支的第一電極與具有複數個第二分支的第二電極之間產生電漿。第一電極具有中間轂，中間轂具有從中間轂向外周邊端部在第一方向上延伸的第一主幹。第二電極在與第一方向相反的第二方向上從與中間轂相鄰並與中間轂間隔開的內端部延伸到外周邊端部。複數個第一分支橫穿第一主幹。第一分支的每一個位於距中間轂的第一主幹距離處，並且與相鄰的第一分支間隔開。第一分支的每一個具有第一支腳及第二支腳，第一支腳在第一主幹處從主幹端部在第一方向上在弓形路徑中繞中間轂延伸到分支端部，半徑等於第一主幹距離，第二支腳在第一主幹處從主幹端部在與第一方向相反的第二方向上在弓形路徑中繞中間轂延伸到分支端部，半徑等於第一主幹距離。複數個第二分支橫穿第二主幹。第二分支的每一個位於距中間轂的第二主幹距離處，並且與相鄰的第二分支間隔開。第二分支的每一個具有第一支腳及第二支腳，第一支腳在第二主幹處從主幹端部在第一方向上在弓形路徑中繞中間轂延伸到分支端部，半徑等於第二主幹距離，第二支腳在第二主幹處從主幹端部在第二方向上在弓形路徑中繞中間轂延伸到分支端部，半徑等於第二主幹距離，複數個第二分支與複數個第一分支相互交叉並藉由間隙間隔開。間隙配置為在第一電極和第二電極之間產生電漿並清潔支撐表面。
本揭露書的進一步的實施例涉及一種清潔基板支撐件的方法。通過複數個提升銷開口將基板在複數個提升銷上提升一高度。在具有複數個第一分支的第一電極與具有複數個第二分支的第二電極之間產生電漿。第一電極具有中間轂，中間轂具有從中間轂向外周邊端部在第一方向上延伸的第一主幹。第二電極在與第一方向相反的第二方向上從與中間轂相鄰並與中間轂間隔開的內端部延伸到外周邊端部。複數個第一分支橫穿第一主幹。第一分支的每一個位於距中間轂的第一主幹距離處，並且與相鄰的第一分支間隔開。第一分支的每一個具有第一支腳及第二支腳，第一支腳在第一主幹處從主幹端部在第一方向上在弓形路徑中繞中間轂延伸到分支端部，半徑等於第一主幹距離相等，第二支腳在第一主幹處從主幹端部在與第一方向相反的第二方向上在弓形路徑中繞中間轂延伸到分支端部，半徑等於第一主幹距離。複數個第二分支橫穿第二主幹。第二分支的每一個位於距中間轂的第二主幹距離處，並且與相鄰的第二分支間隔開。第二分支的每一個具有第一支腳及第二支腳，第一支腳在第二主幹處從主幹端部在第一方向上在弓形路徑中繞中間轂延伸到分支端部，半徑等於第二主幹距離，第二支腳在第二主幹處從主幹端部在第二方向上在弓形路徑中繞中間轂延伸到分支端部，半徑等於第二主幹距離，複數個第二分支與複數個第一分支相互交叉並藉由間隙間隔開。間隙配置為在第一電極和第二電極之間產生電漿並清潔支撐表面。基板的底表面到基板支撐表面的高度配置為在產生電漿時清潔基板的底表面而不損壞基板。
在描述本揭露書的幾個示例性實施例之前，應理解本揭露書不限於以下描述中闡述的構造或處理步驟的細節。本揭露書能夠具有其他實施例並且能夠以各種方式被實踐或執行。
如在這份說明書和附隨的申請專利範圍中所使用的，術語「基板」是指處理作用於其上的表面或表面的一部分。熟悉本領域者還將理解的是，除非上下文另外明確指出，否則對基板的引用也可僅指基板的一部分。另外，提及在基板上沉積可指裸基板和在其上沉積或形成有一個或多個膜或特徵的基板兩者。
如於此所使用的，「基板」是指在製造處理期間在其上執行膜處理的基板上形成的任何基板或材料表面。例如，可在其上執行處理的基板表面包括諸如矽、氧化矽、應變矽、絕緣體上矽（SOI）、碳摻雜的氧化矽、非晶矽、摻雜的矽、鍺、砷化鎵、玻璃、藍寶石的材料及諸如金屬、金屬氮化物、金屬合金和其他導電材料的任何其他材料，取決於應用。基板包括（但不限於）半導體基板。可將基板曝露於預處置處理以拋光、蝕刻、還原、氧化、羥基化、退火、UV固化、電子束固化及/或烘烤基板表面。除了直接在基板本身的表面上進行膜處理之外，在本揭露書中，所揭露的任何膜處理步驟還可在形成於基板上的底層上進行，如下面更詳細地揭露的，且術語「基板表面」旨在包括上下文指示的這種底層。因此，例如，在膜/層或部分膜/層已經沉積在基板表面上的情況下，新沉積的膜/層的曝露表面成為基板表面。
如在這份說明書和附隨的申請專利範圍中使用的，術語「前驅物」、「反應物」、「反應性氣體」及類似者可互換使用，是指可與基板表面或與基板表面上形成的膜反應的任何氣態物質。
本揭露書的實施例涉及用於在基座表面上產生原位電漿的設備和方法。一些實施例在基座表面上提供可控及/或均勻的DC電漿。本揭露書的實施例有利地可用於（例如）定期的基座表面清潔；在清潔之後對基座加熱器表面進行調校；處置基座的表面；及清潔晶圓背側或斜面。
本揭露書的一個或多個實施例有利地消除了對用於基座清潔的遠程電漿源的需要。一些實施例藉由移除RPS來提高清潔效率。一些實施例由於消除了對一個或多個遠程電漿源的需求而降低了成本。
對於原子層沉積（ALD）應用而言，沉積可能發生在基座表面上，因為兩種反應性氣體都曝露於表面，且表面維持在足夠高的溫度下以進行活化。本揭露書的一個或多個實施例有利地提供了一種用於選擇性地清潔基座表面的設備。
一些實施例允許對基座的基板接觸區域進行調校或表面處置。在一些實施例中，當基板升高到舉升銷上的基座上方時，產生直流（DC）電漿，以清潔基板的背側或斜面。在一些實施例中，將背側清潔結合到基板移出程序中。
本揭露書的實施例涉及與單基板或多基板（也稱為批量）處理腔室一起使用的基板支撐件（也稱為基座）。第1和2圖顯示了根據本揭露書的一個或多個實施例的批量處理腔室100。第1圖顯示了根據本揭露書的一個或多個實施例的以橫截面等距視圖顯示的處理腔室100。第2圖以橫截面顯示了根據本揭露書的一個或多個實施例的處理腔室100。
處理腔室100具有帶有壁104和底部106的殼體102。殼體102與頂板300一起界定了內部容積109，也稱為處理容積。
所示的處理腔室100包括複數個處理站110。處理站110位於殼體102的內部容積109中，並且以圓形佈置圍繞支撐組件200的旋轉軸線211定位。每個處理站110包含具有前表面114的氣體注入器112（也稱為氣體分配板）。處理站110定義為可於其中發生處理的區域。例如，在一些實施例中，處理站110定義為由支撐組件200的支撐表面231（如下所述）和氣體注入器112的前表面114界定的區域。在所示的實施例中，加熱器230用作基板支撐表面並形成支撐組件200的一部分。
處理站110可配置為執行任何合適的處理並提供任何合適的處理條件。所使用的氣體注入器112的類型將取決於（例如）所執行的處理的類型以及噴頭或氣體注入器的類型。例如，配置為用作原子層沉積設備的處理站110可具有噴頭或渦旋型氣體注入器。然而，配置為用作電漿站的處理站110可具有一個或多個電極及/或接地板的配置，以產生電漿，同時允許電漿氣體流向基板。在第2圖中顯示的實施例具有在圖式的左側（處理站110a）上與在圖式的右側（處理站110b）不同類型的處理站110。合適的處理站110包括（但不限於）熱處理站、微波電漿、三電極CCP、ICP、平行板CCP、UV曝光、雷射處理、泵送腔室、退火站和計量站。
第3至5圖顯示了根據本揭露書的一個或多個實施例的支撐組件200。支撐組件200包括可旋轉的中央底座210。可旋轉的中央底座210可具有對稱或不對稱的形狀，並界定了旋轉軸線211。旋轉軸線211（如第1至3圖所示）在第一方向上延伸。第一方向可被稱為垂直方向或沿著z軸線。術語「垂直」的使用不限於平行於重力的方向，且術語「水平」的使用不限於垂直於重力的方向。
支撐組件200包括與中央底座210連接並從中央底座210延伸的至少兩個支撐臂220。支撐臂220具有內端部221和外端部222。內端部221與中央底座210接觸，使得當中央底座210繞旋轉軸線211旋轉時，支撐臂220也旋轉。在一些實施例中，支撐臂220正交於旋轉軸線211延伸，使得外端部222比同一支撐臂220的內端部221離旋轉軸線211更遠。
支撐臂220可藉由熟悉該領域者已知的任何適當方式連接到中央底座210。例如，在一些實施例中，內端部221藉由使用緊固件（如，螺栓）連接到中央底座210。在一些實施例中，內端部221與中央底座210一體地形成。
支撐組件200中的支撐臂220的數量可變化。在一些實施例中，存在至少兩個支撐臂220、至少三個支撐臂220、至少四個支撐臂220或至少五個支撐臂220。在一些實施例中，存在三個支撐臂220。在一些實施例中，存在四個支撐臂220。在一些實施例中，存在五個支撐臂220。在一些實施例中，存在六個支撐臂220。
一些實施例的支撐臂220圍繞中央底座210對稱地佈置。例如，在具有四個支撐臂220的支撐組件200中，支撐臂220的每一個圍繞中央底座210以90°的間隔定位，使得由支撐臂220形成的軸線垂直於由相鄰（不橫越旋轉軸線211）支撐臂220形成的軸線。換句話說，在具有四個支撐臂220的實施例中，支撐臂佈置成提供圍繞旋轉軸線211的四個折疊對稱性。在具有三個支撐臂220的支撐組件200中，支撐臂220圍繞中央底座210以120°的間隔定位，使得由支撐臂220形成的軸線對於其他支撐臂220成120°的角度。在一些實施例中，支撐組件200具有n個數目的支撐臂220，且n個數目的支撐臂220佈置成提供圍繞旋轉軸線211的n個摺疊對稱性。
加熱器230位於支撐臂220的外端部222處。在一些實施例中，每個支撐臂220具有加熱器230。加熱器230的中心位於距旋轉軸線211一段距離處，使得當中央底座210繞旋轉軸線211旋轉時，加熱器230繞旋轉軸線211在圓形路徑上移動。
加熱器230具有配置為支撐基板或晶圓的支撐表面231。在一些實施例中，加熱器230的支撐表面231基本上共面。以這種方式使用時，「基本上共面」是指由各個支撐表面231形成的平面在由其他支撐支撐表面231形成的平面的±5°、±4°、±3°、±2°或±1°之內。
在一些實施例中，加熱器230直接定位在支撐臂220的外端部222上。在一些實施例中，如圖所示，加熱器230藉由加熱器支座234而升高在支撐臂220的外端部222上方。加熱器支座234可為任何尺寸和長度，以增加加熱器230的高度。術語「基座」用以表示加熱器支座234，其中支撐表面231連接到支座的頂部端部。支撐表面231可為加熱器230的一部分或不具有加熱元件的不同部件的一部分。
在一些實施例中，在中央底座210、支撐臂220及/或加熱器支座234的一個或多個中形成通道236。通道236可用以為加熱器230佈線電器連接、為靜電夾盤佈線電氣連接，或用以提供氣流。
加熱器230可為熟悉本領域者已知的任何合適類型的加熱器。在一些實施例中，加熱器230是電阻加熱器，在加熱器主體內具有一個或多個加熱元件。
一些實施例的加熱器230包括附加部件。例如，加熱器可包含靜電夾盤。靜電夾盤可包括各種電線和電極，使得當加熱器移動時，位於加熱器支撐表面231上的晶圓可被保持在適當的位置。這允許晶圓在處理的開始時被夾持在加熱器上，並在移動到不同的處理區域時保持在那個相同加熱器上的那個相同位置。在一些實施例中，電線和電極穿過支撐臂220中的通道236佈線。第5圖顯示了支撐組件200的一部分的放大圖，其中顯示了通道236。通道236沿著支撐臂220和加熱器支座234延伸。第一電極251a和第二電極251b與加熱器230或與加熱器230內側的部件（如，電阻絲或靜電夾盤）電連通。在所示的實施例中，第一電線253a在第一連接器252a處連接到第一電極251a；且第二電線253b在第二連接器252b處連接到第二電極251b。在一些實施例中，存在多於兩條的電線。例如，在具有加熱元件和靜電夾盤的示例實施例中，至少兩條電線與加熱元件接觸，且至少兩條電線與靜電夾盤接觸。
在一些實施例中，溫度測量裝置（如，高溫計、熱敏電阻、熱電偶）位於通道236內，以測量加熱器230的溫度或加熱器230上的基板的溫度的一個或多個。在一些實施例中，用於溫度測量裝置的控制及/或測量電線穿過通道236佈線。在一些實施例中，一個或多個溫度測量裝置位於處理腔室100內以測量加熱器230及/或加熱器230上的晶圓的溫度。合適的溫度測量裝置是熟悉本領域者已知的，並且包括（但不限於）光學高溫計和接觸式熱電偶。
電線可穿過支撐臂220和支撐組件200佈線以與功率源（未顯示）連接。在一些實施例中，到功率源的連接允許支撐組件200連續旋轉而不會纏結或折斷電線253a、253b。在一些實施例中，如第5圖所示，第一電線253a和第二電線253b沿著支撐臂220的通道236延伸到中央底座210。在中央底座210中，第一電線253a與中心第一連接器254a連接，且第二電線253b與中心第二連接器254b連接。中心連接器254a、254b可為連接板258的一部分，使得功率或電子信號可穿過中心連接器254a、254b。在所示的實施例中，支撐組件200可連續旋轉而不會扭曲或折斷電線，因為電線終止於中央底座210中。在一些實施例中，支撐組件200配置為允許旋轉高達約360°而不會扭曲或折斷電線。第二連接在連接板258的相反側（處理腔室的外側）上。
在一些實施例中，電線通過通道236直接或間接地連接到處理腔室外側的功率供應器270或電氣部件。在這種實施例中，電線具有足夠的鬆弛度以允許支撐組件200旋轉有限的數量，而不會扭曲或折斷電線。在一些實施例中，在旋轉方向反轉之前，支撐組件200旋轉小於或等於約1080°、990°、720°、630°、360°或270°。這允許加熱器230旋轉通過站110的每一個而不會折斷電線。
參考第4圖，加熱器230和支撐表面231可包括一個或多個氣體出口（或開口237）以提供背側氣體的流動。如下所述，背側氣體可幫助從支撐表面231移除晶圓或允許發生其他處理。如第4圖所示，支撐表面231包括複數個開口237和氣體通道238。開口237及/或氣體通道238可與真空源或氣體源（如，淨化氣體或反應性氣體）的一個或多個流體連通。在這種實施例中，可包括氣體管線以允許氣體源與開口237及/或氣體通道238流體連通。
第6至8圖顯示了根據本揭露書的一個或多個實施例的基板支撐件500。第6圖顯示了單晶圓配置中的基板支撐件500或基座的橫截面圖。然而，熟悉本領域者將認識到，第6圖中所示的基座等效於第1至5圖中所示的基座（支座234和加熱器230）。第7和8圖顯示了類似於第6圖中所示的沿著線7-7'行顯示了內部部件的基板支撐件500的一部分的示意性俯視圖。第6至8圖所示的實施例僅表示可能的配置，並且不應視為限制本揭露書的範圍。
基板支撐件500具有帶有支撐表面504和底表面506的主體502。在支撐表面504和底表面506之間的距離界定了主體502的厚度T。在一些實施例中，如第6圖所示，支撐表面504凹進在形成在主體502中的凹穴503內。在一些實施例中，凹穴503具有從基板支撐件500的外周邊邊緣509測量的深度，該深度與待處理的基板的厚度基本上相同。術語「基本上相同」是指凹穴503的深度在基板的厚度的95％至105％內。一些實施例的基板支撐件500具有帶有外周邊面508的圓形輪廓。熟悉本領域者將認識到，主體502和支撐表面504分別等效於第1-5圖所示的加熱器230和支撐表面231。
支撐表面504具有複數個淨化通道510，複數個淨化通道510延伸到主體502中一段距離或深度D。在一些實施例中，淨化通道510延伸到主體502中的深度D在0.01mm至5mm的範圍中，或在0.5至4mm的範圍中，或在1至3mm的範圍中。在淨化通道510之間的區域（未編號）也稱為檯面，且在一些實施例中在處理期間支撐晶圓。
淨化通道510的區域由密封帶512圍繞外邊緣（相對於旋轉軸線501）界定。基板座落於密封帶512上，使得基板的背側抵靠密封帶512密封。在一些實施例中，密封帶512是大體圓形的形狀（可為實心的或破裂的），其內徑略小於要處理的基板的直徑。例如，在一些實施例中，用於300mm基板的密封帶512具有小於299mm的內徑。在一些實施例中，密封帶512具有基本上與支撐表面504齊平的頂表面。
在一些實施例中，基板支撐件500是靜電夾盤，如第6至8圖中示意性顯示的。在一些實施例中，主體502包括第一電極521和第二電極522，第一電極521和第二電極522配置為將基板靜電夾持到支撐表面504上。第一電極521和第二電極522可由熟悉該領域者已知的任何合適的導電材料製成。第6圖的橫截面圖顯示了單個第一電極521和單個第二電極522，它們由於橫截面角度而顯得分開。第7和8圖顯示了相似配置的俯視圖，其中兩個電極是可見的。在一些實施例中，在整個主體上間隔有兩個以上的電極，以提供多個區域的靜電夾持力。例如，在一些實施例中，第一電極被分成內部區域和外部區域，且第二電極始終是單個電極。這種佈置允許藉由使用單獨的功率供應器或單個功率供應器的單獨的電壓源來對夾持力和電位差進行分區控制。
第一電極521和第二電極522由間隙514分開。在一些實施例中，間隙514包含介電材料。在一些實施例中，間隙514的介電材料是與主體502相同的材料。在一些實施例中，介電材料包含氧化鋁（Al2 O3 ，也稱為AlO）或氮化鋁（AlN）。間隙514防止在第一電極521和第二電極522之間的電短路。在一些實施例中，間隙514配置為允許在支撐表面504附近產生電漿。例如，當存在回流氣體時，一些實施例的第一電極521和第二電極522產生緊鄰支撐表面504的電漿。在一些實施例中，所產生的電漿具有足夠的能量以清潔支撐表面504而無需使用輔助清潔系統。
第7和8圖顯示了沿第6圖的線7-7'觀察的使用第一電極521和第二電極522的靜電夾盤的不同實施例。第9圖顯示了第7圖所示的靜電夾盤的區域9的放大圖。在一些實施例中，第一電極521以指關節狀圖案與第二電極522相互交叉。電極的形狀可為任何合適的形狀，並且不限於第7和8圖所示的指關節狀圖案。
第一電極521具有中間轂580，第一主幹581從中間轂580在第一方向上延伸到外周邊端部513。第二電極522具有第二主幹591並且從內端部590延伸到外周邊端部599，內端部590鄰近於第一電極521的中間轂580並與第一電極521的中間轂580間隔開。第二電極522的第二主幹591在與第一電極521的第一主幹581的第一方向相反的第二方向上延伸。
第一電極521進一步包含與第一電極521的第一主幹581交叉的複數個第一分支582。第9圖顯示了第一分支582a、582b和582c。複數個第一分支582的每一個都與中間轂580的中心相距第一主幹距離DF ，且複數個第一分支582的每一個與相鄰的第一分支582間隔開。第9圖顯示了從中間轂580的中心處的旋轉軸線501到最內側的第一分支582a的中間所測量的第一主幹距離DFa 。為了圖式的清楚和理解，到其他分支的每一個的距離沒有特別標記，但是熟悉本領域者將理解，距離DFb 是從中間轂580的中心處的旋轉軸線501到第二分支582b的中間的距離，第二分支582b在第一分支582a等的相對側上。換句話說，第一分支582中的每一個的內邊緣與第一分支582的外邊緣間隔開，或更靠近中間轂580，或者與中間轂580的外邊緣間隔開。
複數個第一分支582的每一個進一步包含從第一主幹581處的主幹端部在第一方向上延伸的第一支腳583和從第一主幹581在第二方向上延伸的第二支腳584。第一支腳583的每一個均在第一方位方向上在弓形路徑中繞具有與第一主幹距離相等的半徑的中間轂580延伸至第一分支端部585，且第二支腳584在與第一方位方向相反的第二方位方向上在弓形路徑中繞具有與第一主幹距離相等的半徑的中間轂580從第一主幹581延伸至第二分支端部586。第9圖顯示了靜電夾盤的一部分的放大圖，顯示了最內側的第一分支582a，最內側的第一分支582a具有在第一方向588a上延伸的最內側的第一支腳583a和在第二方向589a上延伸的最內側的第二支腳583b。
在一些實施例中，第一分支端部585與第二電極522的第二主幹591相距一段距離。在一些實施例中，第二分支末端部586與第二電極522的第二主幹591相距一段距離。第一分支及585和第二分支端部586與第二主幹591的距離等於間隙514。再次參照第9圖的放大圖，最內側的第一分支582a具有最內側的第一支腳583a和最內側的第二支腳584a，最內側的第一支腳583a繞在中間轂580的中心中的旋轉軸線501在第一方向588a上延伸到最內側的第一分支端部585a，最內側的第二支腳584a繞在中間轂580的中心中的旋轉軸線501在第二方向589a上延伸到最內側的第二分支端部586a。
第二電極522包含與第二主幹591交叉的複數個第二分支592。複數個第二分支的每一個都位於與第一電極521的中間轂580相距一段第二主幹距離處並且與相鄰的第二分支592間隔開。此外，複數個第二分支592的每一個具有第一支腳593，第一支腳593從第二主幹591處的主幹端部在第一徑向方向上在弓形路徑中繞具有等於第二主幹距離的半徑的第一電極521的中間轂580延伸至第一分支端部595，且第二支腳594在與第一徑向方向相反的第二徑向方向上在弓形路徑中繞具有與第二主幹距離相等的半徑的中間轂580從第二主幹591延伸至第二分支端部596。如圖所示，在一些實施例中，第一分支端部685定位成與第二電極522的第一主幹581相距一段距離。
第一分支582藉由間隙514與第二分支592相互交叉並間隔開。在一些實施例中，第一分支582和第二分支592間隔有間隙514，間隙514足以點燃緊鄰支撐表面504的電漿。
在一些實施例中，複數個第一分支582的第一支腳583的第一分支端部585和複數個第一分支582的第二支腳584的第二分支端部586延伸至第二主幹591並藉由間隙514與第二主幹591分隔開。類似地，複數個第二分支592的第一支腳593的第一分支端部595和複數個第二分支592的第二支腳594的第二分支端部596延伸到第一主幹581並藉由間隙514與第一主幹581分隔開。
在一些實施例中，參照第9圖，複數個第二分支592的最內側的分支592a至少部分地圍繞第一電極521的中間轂580延伸。複數個第二分支592的最內側的分支592a和第一電極521的中間轂藉由間隙514分隔開。複數個第二分支592的最內側的分支592a具有第一支腳593a，第一支腳593a圍繞在中間轂580的中心處的旋轉軸線501在第一方向598a上延伸到最內側的第一分支端部595a，且第二支腳594a圍繞在中間轂580的中心處的旋轉軸線501在第二方向599a上延伸到最內側的第二分支端部596a。
在一些實施例中，如第7圖所示，複數個第一分支582的最外側的分支587形成圍繞複數個第二分支592的最外側的分支598的最外側的環587a。在一些實施例中，如第7圖所示，最外側的環587a是完整的環，這意味著最外側的環587a圍繞旋轉軸線501延伸360°。在一些實施例中，第二主幹591延伸到複數個第一分支582的最外側的環587a。複數個第一分支582的最外側的環587a的第二主幹591藉由間隙514分隔開。
如第7圖所示，在一些實施例中，複數個第一分支582的最外側的環587a的表面積和複數個第二分支592的最外側的分支598的表面積是相同的。在一些實施例中，複數個第一分支582的最外側的分支587的寬度小於複數個第二分支592的最外側的分支598的寬度。
如第8圖所示，在一些實施例中，複數個第一分支582的最外側的分支587在寬度上變化。在一些實施例中，複數個第二分支592的最外側的分支598在寬度上變化。在一些實施例中，複數個第一第一分支582的最外側的分支587的第一支腳583和第二支腳584與複數個第二分支592的最外側的分支598的第一支腳593和第二支腳594藉由間隙514分隔開。
如第7圖所示，在一些實施例中，複數個第一分支582的第一支腳583和第二支腳584的組合以及複數個第二分支582的第一支腳593和第二支腳594的組合各自分別從複數個第一分支582和複數個第二分支592的對應分支端部延伸約180度。在一些實施例中，每個支腳583、584、593、594延伸約180度減去與主幹581、591的寬度的一半加上間隙514的寬度有關的角度。
參照第8圖，在一些實施例中，第一主幹581沿著主幹的長度在方位角方向上移位若干角度。在第8圖所示的實施例中，第一主幹581在複數個第一分支582的最外側的分支587處逆時針移動約10°。在一些實施例中，第一主幹581在複數個第一分支582的一個或多個處在第一方位方移位若干角度。
參照第10圖，本揭露書的一些實施例涉及清潔基板支撐件的支撐表面504的方法及/或清潔/處置基板505的背側的方法。在一些實施例中，在產生電漿507之前，支撐表面504的清潔可發生在當藉由將基板505在支撐表面504上提升一段高度H來將基板505仍然定位在支撐表面504上時。在一些實施例中，使用提升銷515將基板505從支撐表面504上提升。基板被抬高的高度足以清潔支撐表面504，而電漿不會損壞基板的底表面505b。
藉由穿過在支撐表面504中的提升銷開口511的複數個提升銷515來實現從支撐表面504提升基板505。複數個提升銷開口511配置為允許複數個提升銷穿過複數個提升銷開口511的每一個。在一些實施例中，提升銷開口511的每一個在複數個第一分支582內。在一些實施例中，提升銷開口511的每一個在複數個第二分支592內。在一些實施例中，提升銷開口511的每一個獨立地穿過間隙514中的第一電極521、第二電極522或介電質的一個或多個。
返回參照第6圖，一些實施例包括連接到第一電極521和第二電極522的功率供應器530，以在電極521、522之間產生電壓差。功率供應器530通過傳輸線531、532連接到電極521、522。傳輸線531、532被任何合適的絕緣體電隔離以防止短路或電弧。在一些實施例中，傳輸線531、532是同軸電纜的一部分。在一些實施例中，傳輸線531、532是分開的線。
一些實施例的功率供應器530向第一電極521提供第一電壓（也稱為電位），並向第二電極522提供與第一電壓不同的第二電壓。在一些實施例中，功率供應器530配置為向電極521、522提供高壓直流（DC）和低壓交流（AC）分量。
在一些實施例中，主體502進一步包含在主體502的厚度T內的至少一個加熱元件540。一些實施例的至少一個加熱元件540通過電線533a、533b連接到功率供應器530。在一些實施例中，用於至少一個加熱元件540的功率供應器是與連接到第一電極521和第二電極522不同的功率供應器530。第6圖所示的實施例顯示了三個加熱元件區域540a、540b、540c，它們沿旋轉軸線501以不同的半徑和在不同的位置處間隔開。實施例顯示了在主體502中的第一水平上的外部區域540a和內部區域540c以及在主體502中靠近支撐表面504的第二水平上的中央區域540b。熟悉本領域者將認識到，所示實施例中的加熱元件的數量和位置僅僅是一種可能的配置，並且不應被視為限制本揭露書的範圍。。
基板支撐件500包括連接到主體502的底表面506的支撐柱550（相當於支座234）。一些實施例的支撐柱550是空心的，以容納傳輸線531、532和任何其他連接或管道（如，淨化氣體管道或氣室）。在一些實施例中，支撐柱550是具有開口以容納傳輸線531、532和任何其他連接或導管的大體上為實心的主體。
第6圖所示的實施例包括與形成在支撐表面504中的淨化通道510流體連通的淨化管線562。一些實施例的淨化管線562連接到淨化氣體源560，以允許淨化氣體從淨化氣體源560通過淨化管線562流到淨化通道510。在一些實施例中，支撐柱550包括沿著淨化管線562的長度的氣室或凹腔。在一些實施例中，如圖所示，淨化管線562連接至淨化管線562的第二支腳564，以將淨化氣體流分散到淨化通道510中的不同開口566中。在一些實施例中，淨化管線562向位於支撐表面504上的基板的背側提供淨化氣體流。這也稱為背側淨化。第7圖和第8圖所示的實施例顯示了在整個靜電夾盤上間隔開的複數個淨化管線562或第二支腳564。
返回參照第6圖，本揭露書的一些實施例包括連接至功率供應器530、氣體管線562（或氣體管線562上的閥）、電線533a、533b或電極521、522的一個或多個的控制器490。
本揭露書的另外的實施例涉及清潔基板支撐件500的支撐表面504的方法。方法包含以下步驟：當在處理站110內存在回流氣體時，在第一電極521和第二電極522之間形成的間隙514上方，在第一電極521和第二電極522之間產生電漿。所產生的電漿足以在不使用輔助清潔系統的情況下清潔支撐表面504。在處理站內存在基板的一些實施例中，方法包含以下步驟：將複數個提升銷穿過複數個提升銷開口511提升一段高度；及當處理站110內存在回流氣體時，在第一電極521和第二電極522之間形成的間隙514上方，在第一電極521和第二電極522之間產生電漿。在一些實施例中，方法進一步包含以下步驟：將基板降低到基板支撐表面上。
第11圖顯示了根據本揭露書的一個或多個實施例的處理平台400。第11圖所示的實施例僅表示一種可能的配置，並且不應被視為限制本揭露書的範圍。例如，在一些實施例中，處理平台400具有與所示實施例不同數量的處理腔室100、緩衝站420及/或機器人430配置的一個或多個。
示例性處理平台400包括具有複數個側面411、412、413、414的中央傳送站410。所示的傳送站410具有第一側面411、第二側面412、第三側面413和第四側414。儘管顯示了四個側面，但是熟悉本領域者將理解，取決於（例如）處理平台400的整體配置，傳送站410可有任何合適數量的側面。在一些實施例中，傳送站410具有三個側面、四個側面、五個側面、六個側面、七個側面或八個側面。
傳送站410具有定位在其中的機器人430。機器人430可為能夠在處理期間移動基板的任何合適的機器人。在一些實施例中，機器人430具有第一臂431和第二臂432。第一臂431和第二臂432可獨立於另一臂移動。第一臂431和第二臂432可在x-y平面上及/或沿z軸線移動。在一些實施例中，機器人430包括第三臂（未顯示）或第四臂（未顯示）。每個手臂可獨立於其他手臂移動。
所示的實施例包括六個處理腔室100，兩個連接到中央傳送站410的第二側面412、第三側面413和第四側面414的每一個。處理腔室100的每一個可配置為執行不同的處理。
處理平台400還可包括一個或多個緩衝站420，緩衝站420連接到中央傳送站410的第一側411。緩衝站420可執行相同或不同的功能。例如，緩衝站可容納被處理並返回到原始卡匣的基板的卡匣，或者緩衝站之一個可容納未處理的基板，未處理的基板在處理之後被移動到另一緩衝站。在一些實施例中，緩衝站的一個或多個配置為在處理之前及/或之後對基板進行預處置、預加熱或清潔。
處理平台400還可在中央傳送站410和處理腔室100的任一個之間包括一個或多個狹縫閥418。狹縫閥418可打開和關閉以將處理腔室100內的內部容積與中央傳送站410內的環境隔離。例如，若處理腔室將在處理處理期間產生電漿，則關閉那個處理腔室的狹縫閥以防止雜散電漿損壞傳送站中的機器人可能是有幫助的。
處理平台400可連接到工廠介面450，以允許將基板或基板的卡匣裝載到處理平台400中。工廠介面450內的機器人455可用以將基板或卡匣移動進出緩衝站。基板或卡匣可由在中央傳送站410中的機器人430在處理平台400內移動。在一些實施例中，工廠介面450是另一個群集工具（亦即，另一個多腔室處理平台）的傳送站。
可提供控制器495並且將其耦合到處理平台400的各種部件以控制其操作。控制器495可為控制整個處理平台400的單個控制器，或者是控制處理平台400的各個部分的多個控制器。例如，一些實施例的處理平台400包含用於單個處理處理腔室100、中央傳送站410、工廠介面450及/或機器人430的一個或多個的單獨控制器。
在一些實施例中，處理腔室100進一步包含控制器495，控制器495連接到複數個基本共面的支撐表面231，控制器495配置為控制第一溫度或第二溫度的一個或多個。在一個或多個實施例中，控制器495控制支撐組件200（見第2圖）的移動速度。
在一些實施例中，控制器495包括中央處理單元（CPU）496、記憶體497和支持電路498。控制器495可直接控制處理平台400，或經由與特定處理腔室及/或支撐系統部件相關聯的計算機（或控制器）來控制處理平台400。
控制器495可為任何形式的通用計算機處理器的一種，其可在工業環境中用於控制各種腔室和子處理器。控制器495的記憶體497或計算機可讀介質可為容易獲得的記憶體中的一種或多種，諸如隨機存取記憶體（RAM）、唯讀記憶體（ROM）、軟碟、硬碟、光學儲存介質（如，光碟或數位視訊光碟）、快閃驅動器或任何其他形式的本地或遠程數位儲存器。記憶體497可保留可由處理器（CPU 496）操作以控制處理平台400的參數和部件的指令集。
支持電路498耦合到CPU 496，用於以常規方式支持處理器。這些電路包括快取、功率供應器、時脈電路、輸入/輸出電路和子系統及類似者。一個或多個處理可作為軟體例程儲存在記憶體498中，軟體例程在被處理器執行或調用時使處理器以於此所述的方式控制處理平台400或各個處理腔室的操作。該軟體例程也可由第二CPU（未顯示）儲存及/或執行，第二CPU遠離由CPU 496控制的硬體。
本揭露書的處理和方法的一些或全部也可在硬體中執行。這樣，處理可以軟體實現並且可使用計算機系統，以硬體（如，專用積體電路或其他類型的硬體實現）或者以軟體和硬體的組合來執行。當由處理器執行時，軟體例程將通用計算機轉換為控制腔室操作的專用計算機（控制器），使得處理被執行。
在一些實施例中，控制器495具有一種或多種配置以執行單獨的處理或子處理，以執行該方法。控制器495可連接到中間部件並且配置成操作中間部件以執行方法的功能。例如，控制器495可連接到並配置成控制氣體閥、致動器、馬達、狹縫閥、真空控制或其他部件的一個或多個。
在整個說明書中，「一個實施例」、「某些實施例」、「一個或多個實施例」或「一實施例」的引用是指結合該實施例描述的特定特徵、結構、材料或特性被包括在本揭露書的至少一個實施例。因此，在整個說明書中各處出現的短語諸如「在一個或多個實施例中」、「在某些實施例中」、「在一個實施例中」或「在一實施例中」不一定是指本揭露書的相同實施例。此外，在一個或多個實施例中，可以任何合適的方式組合特定的特徵、結構、材料或特性。
儘管已經參考特定實施例描述了本揭露書，但是熟悉本領域者將理解，所描述的實施例僅是本揭露書的原理和應用的說明。對於熟悉本領域者將顯而易見的是，在不背離本揭露書的精神和範圍的情況下，可對本揭露書的方法和設備進行各種修改和變化。因此，本揭露書可包括在附隨的申請專利範圍及其等效元件的範圍內的修改和變化。
100:處理腔室 102:殼體 104:壁 106:底部 109:內部容積 110:站 110a:站 110b:站 112:氣體注入器 114:前表面 200:支撐組件 210:中央底座 211:旋轉軸線 220:支撐臂 221:內端部 222:外端部 230:加熱器 231:支撐表面 234:支座 236:通道 237:開口 238:氣體通道 240: 241: 251a:第一電極 251b:第二電極 252a:第一連接器 252b:第二連接器 253a:第一電線 253b:第二電線 254a:連接器 254b:連接器 258:連接板 270:功率供應器 300:頂板 330: 400:處理平台 410:傳送站 411:側面 412:側面 413:側面 414:側面 418:狹縫閥 420:緩衝站 430:機器人 431:第一臂 432:第二臂 450:工廠介面 455:機器人 495:控制器 496:中央處理單元（CPU） 497:記憶體 498:支持電路/記憶體 490:控制器 500:基板支撐件 501:旋轉軸線 502:主體 503:凹穴 504:支撐表面 505:基板 505b:底表面 506:底表面 507:電漿 508:外周邊面 509:外周邊邊緣 510:淨化通道 511:提升銷開口 512:密封帶 513:外周邊端部 514:間隙 515:提升銷 521:電極 522:電極 530:功率供應器 531:傳輸線 532:傳輸線 533a:電線 533b:電線 540:加熱元件 540a:區域 540b:區域 540c:區域 550:支撐柱 560:淨化氣體源 562:管線 564:第二支腳 566:開口 580:中間轂 581:第一主幹/主幹 582:第一分支 582a:第一分支 582b:第一分支 582c:第一分支 583:第一支腳 583a:最內側的第一支腳 583b:最內側的第二支腳 583c: 584:第二支腳 584a:第二分支 584b: 584c: 585:第一分支端部 585a:第一分支端部 586:第二分支端部 586a:第二分支端部 587:最外側的分支 587a:最外側的環 588a:第一方向 589a:第二方向 590:內端部 591:第二主幹/主幹 592:第二分支 592a:最內側的分支 593:第一支腳 593a:第一支腳 593b: 594:第二支腳 594a:第二支腳 595:第一分支端部 595a:第一分支端部 5956b: 596:第二分支端部 596a:第二分支端部 597: 598:最外側的分支 598a:第一方向 599: 599a:第二方向
為了可詳細地理解本揭露書的上述特徵的方式，可藉由參考實施例來獲得上面簡要概述的本揭露書的更詳細的描述，其中一些實施例顯示在附隨的圖式中。然而，應當注意，附隨的圖式僅顯示了本揭露書的典型實施例，且因此不應被認為是對其範圍的限制，因為本揭露書可允許其他等效的實施例。
第1圖顯示了根據本揭露書的一個或多個實施例的處理腔室的橫截面等距視圖；
第2圖顯示了根據本揭露書的一個或多個實施例的處理腔室的橫截面圖；
第3圖是根據本揭露書的一個或多個實施例的支撐組件的底部等距視圖；
第4圖是根據本揭露書的一個或多個實施例的支撐組件的俯視圖；
第5圖是根據本揭露書的一個或多個實施例的支撐組件的局部橫截面示意圖；
第6圖為根據本揭露書的一個或多個實施例的基板支撐件的橫截面示意圖；
第7圖是沿第6圖中的線7-7’截取的靜電夾盤的橫截面示意圖；及
第8圖是沿第6圖中的線7-7’截取的靜電夾盤的橫截面示意圖；
第9圖是第7圖的區域9的放大圖；
第10圖是根據本揭露書的一個或多個實施例的方法的局部橫截面示意圖；及
第11圖是根據本揭露書的一個或多個實施例的處理平台的示意圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
490:控制器
500:基板支撐件
501:旋轉軸線
502:主體
503:凹穴
504:支撐表面
508:外周邊面
509:外周邊邊緣
510:淨化通道
512:密封帶
514:間隙
521:電極
522:電極
530:功率供應器
531:傳輸線
532:傳輸線
533a:電線
533b:電線
540:加熱元件
540a:區域
540b:區域
540c:區域
550:支撐柱
560:淨化氣體源
562:管線
564:第二支腳
566:開口

Claims (20)

  1. 一種具有一靜電夾盤的基板支撐件，該基板支撐件包含： 一第一電極，具有一中間轂，該中間轂具有從該中間轂向一外周邊端部在一第一方向上延伸的一第一主幹； 一第二電極，在與該第一方向相反的一第二方向上從與該中間轂相鄰並與該中間轂間隔開的一內端部延伸至一外周邊端部； 複數個第一分支，橫穿該第一主幹，該等第一分支的每一個位於距該中間轂的一第一主幹距離處，並且與相鄰的第一分支間隔開，該等第一分支的每一個具有一第一支腳及一第二支腳，該第一支腳在該第一主幹處從一主幹端部在一第一方向上在一弓形路徑中繞該中間轂延伸到一分支端部，半徑等於該第一主幹距離，該第二支腳在該第一主幹處從一主幹端部在與該第一方向相反的一第二方向上在一弓形路徑中繞該中間轂延伸到一分支端部，半徑等於該第一主幹距離；及 複數個第二分支，橫穿該第二主幹，該等第二分支的每一個位於距該中間轂的一第二主幹距離處，並且與相鄰的第二分支間隔開，該等第二分支的每一個具有一第一支腳及一第二支腳，該第一支腳在該第二主幹處從一主幹端部在一第一方向上在一弓形路徑中繞該中間轂延伸到一分支端部，半徑等於該第二主幹距離，該第二支腳在該第二主幹處從一主幹端部在一第二方向上在一弓形路徑中繞該中間轂延伸到一分支端部，半徑等於該第二主幹距離，該複數個第二分支與該複數個第一分支相互交叉並藉由間隙間隔開。
  2. 如請求項1所述之基板支撐件，其中該複數個第一分支的該第一分支的該分支端部和該複數個第一分支的該第二分支的該分支端部延伸到該第二主幹並藉由一間隙與該第二主幹分隔開。
  3. 如請求項1所述之基板支撐件，其中該複數個第二分支的該第一分支的該分支端部和該複數個第二分支的該第二分支的該分支端部延伸到該第一主幹並且藉由間隙與該第一主幹分隔開。
  4. 如請求項1所述之基板支撐件，其中該複數個第二分支的一最內側的分支圍繞該第一電極的該中間轂延伸。
  5. 如請求項4所述之基板支撐件，其中該複數個第二分支的該最內側的分支與該第一電極的該中間轂藉由一間隙分隔開。
  6. 如請求項1所述之基板支撐件，其中該複數個第一分支的一最外側的分支圍繞該複數個第二分支的一最外側的分支形成一完整的環。
  7. 如請求項6所述之基板支撐件，其中該第二主幹延伸至該複數個第一分支的該最外側的分支的該完整的環。
  8. 如請求項6所述之基板支撐件，其中該複數個第一分支的該最外側的環的一表面積與該複數個第二分支的該最外側的分支的一表面積相同。
  9. 如請求項6所述之基板支撐件，其中該複數個第一分支的該最外側的分支在寬度上變化。
  10. 如請求項6所述之基板支撐件，其中該複數個第二分支的該最外側的分支在寬度上變化。
  11. 如請求項1所述之基板支撐件，進一步包含複數個提升銷開口，配置為允許一提升銷穿過。
  12. 如請求項11所述之基板支撐件，其中該等提升銷配置為將一基板升高在該基板支撐件上方一段高度，該高度足以產生電漿而不會損壞該基板的一底表面。
  13. 如請求項11所述之基板支撐件，其中該等提升銷開口的每一個在該複數個第一分支內。
  14. 如請求項11所述之基板支撐件，其中該等提升銷開口的每一個在該複數個第二分支內。
  15. 如請求項1所述之基板支撐件，進一步包含複數個氣體開口，以允許一氣體流從該支撐表面穿過該基板支撐件的一基板支撐表面。
  16. 如請求項1所述之基板支撐件，其中該第一主幹在該複數個第一分支的一最外側的分支處在一第一方向上移位若干角度。
  17. 如請求項1所述之基板支撐件，其中該複數個第一分支的一最外側的分支與該複數個第二分支的一最外側的分支的一組合從該複數個第一分支的該分支端部延伸至該複數個第二分支的該分支端部約180度。
  18. 一種清潔一基板支撐件的方法，該方法包含以下步驟： 在具有複數個第一分支的一第一電極與具有複數個第二分支的一第二電極之間產生電漿； 該第一電極具有一中間轂，該中間轂具有從該中間轂向一外周邊端部在一第一方向上延伸的一第一主幹； 該第二電極在與該第一方向相反的一第二方向上從與該中間轂相鄰並與該中間轂間隔開的一內端部延伸到一外周邊端部； 該複數個第一分支橫穿該第一主幹，該等第一分支的每一個位於距該中間轂的一第一主幹距離處，並且與相鄰的第一分支間隔開，該等第一分支的每一個具有一第一支腳及一第二支腳，該第一支腳在該第一主幹處從一主幹端部在一第一方向上在一弓形路徑中繞該中間轂延伸到一分支端部，半徑等於該第一主幹距離，該第二支腳在該第一主幹處從一主幹端部在與該第一方向相反的一第二方向上在一弓形路徑中繞該中間轂延伸到一分支端部，半徑等於該第一主幹距離；及 該複數個第二分支橫穿該第二主幹，該等第二分支的每一個位於距該中間轂的一第二主幹距離處，並且與相鄰的第二分支間隔開，該等第二分支的每一個具有一第一支腳及一第二支腳，該第一支腳在該第二主幹處從一主幹端部在一第一方向上在一弓形路徑中繞該中間轂延伸到一分支端部，半徑等於該第二主幹距離，該第二支腳在該第二主幹處從一主幹端部在一第二方向上在一弓形路徑中繞該中間轂延伸到一分支端部，半徑等於該第二主幹距離，該複數個第二分支與該複數個第一分支相互交叉並藉由一間隙間隔開。 其中該間隙配置為在該第一電極和該第二電極之間產生電漿並清潔該支撐表面。
  19. 一種清潔一基板支撐件的方法，包含以下步驟： 通過複數個提升銷開口將一基板在複數個提升銷上提升一高度； 在具有複數個第一分支的一第一電極與具有複數個第二分支的一第二電極之間產生電漿； 該第一電極具有一中間轂，該中間轂具有從該中間轂向一外周邊端部在一第一方向上延伸的一第一主幹； 該第二電極在與該第一方向相反的一第二方向上從與該中間轂相鄰並與該中間轂間隔開的一內端部延伸到一外周邊端部； 該複數個第一分支橫穿該第一主幹，該等第一分支的每一個位於距該中間轂的一第一主幹距離處，並且與相鄰的第一分支間隔開，該等第一分支的每一個具有一第一支腳及一第二支腳，該第一支腳在該第一主幹處從一主幹端部在一第一方向上在一弓形路徑中繞該中間轂延伸到一分支端部，半徑等於該第一主幹距離，該第二支腳在該第一主幹處從一主幹端部在與該第一方向相反的一第二方向上在一弓形路徑中繞該中間轂延伸到一分支端部，半徑等於該第一主幹距離；及 該複數個第二分支橫穿該第二主幹，該等第二分支的每一個位於距該中間轂的一第二主幹距離處，並且與相鄰的第二分支間隔開，該等第二分支的每一個具有一第一支腳及一第二支腳，該第一支腳在該第二主幹處從一主幹端部在一第一方向上在一弓形路徑中繞該中間轂延伸到一分支端部，半徑等於該第二主幹距離，該第二支腳在該第二主幹處從一主幹端部在一第二方向上在一弓形路徑中繞該中間轂延伸到一分支端部，半徑等於該第二主幹距離，該複數個第二分支與該複數個第一分支相互交叉並藉由一間隙間隔開， 其中該間隙配置為在該第一電極和該第二電極之間產生電漿，從而清潔該支撐表面，且 其中該基板的該底表面到該基板支撐表面的該高度配置為在產生電漿時清潔該基板的一底表面而不損壞該基板。
  20. 如請求項19所述之方法，進一步包含以下步驟：將該基板降低到該支撐表面上。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11772137B2 (en) 2021-07-23 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Reactive cleaning of substrate support
CN113903699A (zh) * 2021-09-22 2022-01-07 北京北方华创微电子装备有限公司 静电卡盘及半导体加工设备
TW202335174A (zh) * 2022-02-15 2023-09-01 美商瓦特洛威電子製造公司 針對半導體夾盤及加熱器之製造的固態接合方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6042686A (en) * 1995-06-30 2000-03-28 Lam Research Corporation Power segmented electrode
JP4402862B2 (ja) * 1999-07-08 2010-01-20 ラム リサーチ コーポレーション 静電チャックおよびその製造方法
JP3595515B2 (ja) * 2001-06-26 2004-12-02 三菱重工業株式会社 静電チャック
KR100573351B1 (ko) 2002-12-26 2006-04-25 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤 정전 척
JP2005285825A (ja) * 2004-03-26 2005-10-13 Advantest Corp 静電チャック及び静電チャックによる基板固定方法
US7909960B2 (en) 2005-09-27 2011-03-22 Lam Research Corporation Apparatus and methods to remove films on bevel edge and backside of wafer
US20120000606A1 (en) * 2010-07-02 2012-01-05 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Plasma uniformity system and method
US10002745B2 (en) 2016-05-03 2018-06-19 Applied Materials, Inc. Plasma treatment process for in-situ chamber cleaning efficiency enhancement in plasma processing chamber
US10811296B2 (en) * 2017-09-20 2020-10-20 Applied Materials, Inc. Substrate support with dual embedded electrodes
US20190244787A1 (en) * 2018-02-02 2019-08-08 Wei-Chuan Chou Plasma etching reaction chamber

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