JP7414499B2 - 窒化物半導体装置 - Google Patents
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Description
図1~図8を参照して第1実施例の窒化物半導体装置を説明する。第1実施例の窒化物半導体装置は、窒化ガリウム(GaN)を用いた縦型MOSFETである。その縦型MOSFETは、プレーナゲート構造を有する。以下では、説明の便宜上、窒化物半導体装置を単純に半導体装置と称する。図1に半導体装置100の要部断面図を示す。
図9に、第2実施例の半導体装置200の断面図を示す。半導体装置200は、半導体装置100と比較して、高濃度領域20a、20bの構成が、高濃度領域10a、10bの構成と異なる。半導体装置200のその他の構成は、半導体装置100の構成と同一である。高濃度領域20a、20bは、ドリフト層4及びJFET領域7内において、ゲート絶縁膜12の下端からゲート絶縁膜12に対して垂直方向に延びている。一方、高濃度領域20a、20bは、高濃度領域10a、10bと異なり、ゲート絶縁膜12に平行に延びる部分を有していない。即ち、高濃度領域20a、20bの下端において、ゲート絶縁膜12に平行な方向(即ち、上下方向に対して垂直な方向)には、ドリフト層4が配置される。即ち、高濃度領域20a、20bの下端におけるゲート絶縁膜12に平行な方向では、高濃度領域20a、20bよりもn型不純物濃度が低い。
図11に、第3実施例の半導体装置300の断面図を示す。半導体装置300は、半導体装置100と比較して、高濃度領域30a、30bの構成が、高濃度領域10a、10bの構成と異なる。半導体装置300のその他の構成は、半導体装置100の構成と同一である。高濃度領域30a、30bは、ドリフト層4及びJFET領域7内において、ゲート絶縁膜12の下端から離間した位置から、ゲート絶縁膜12に対して垂直方向に延びている。即ち、高濃度領域30a、30bの上端とゲート絶縁膜12との間には、ドリフト層4(即ち、高濃度領域30a、30bよりも不純物濃度が低い領域)が配置されている。また、高濃度領域30a、30bは、高濃度領域10a、10bと同様に、ゲート絶縁膜12に平行に延びる部分を有する。
図12に、第4実施例の半導体装置400の断面図を示す。半導体装置400は、半導体装置200と比較して、高濃度領域40a、40bの構成が、高濃度領域20a、20bの構成と異なる。半導体装置400のその他の構成は、半導体装置200の構成と同一である。高濃度領域40a、40bは、第3実施例の高濃度領域30a、30bと同様に、ドリフト層4及びJFET領域7内において、ゲート絶縁膜12の下端から離間した位置から、ゲート絶縁膜12に対して垂直方向に延びている。即ち、高濃度領域40a、40bの上端とゲート絶縁膜12との間には、ドリフト層4(即ち、高濃度領域40a、40bよりも不純物濃度が低い領域)が配置されている。
図13に、第5実施例の半導体装置500の断面図を示す。半導体装置500は、半導体装置100と比較して、高濃度領域50a、50bの構成が、高濃度領域10a、10bの構成と異なる。また、ボディ領域505a、505bの構成が、ボディ領域5a、5bの構成と異なり、JFET領域507の構成が、JFET領域7の構成と異なる。さらに、ドリフト層504の構成が、ドリフト層4の構成と異なる。半導体装置500のその他の構成は、半導体装置100の構成と同一である。
Claims (5)
- n型のドリフト層と、
前記ドリフト層の上に設けられているp型の一対のボディ領域と、
前記ドリフト層の上であって前記一対のボディ領域のそれぞれとの間に設けられているn型のJFET領域と、
絶縁膜を挟んで前記一対のボディ領域と前記JFET領域に対向しているゲート電極と、
前記一対のボディ領域のそれぞれについて、前記JFET領域及び前記ドリフト層内であって前記ボディ領域から離間する位置に、上下方向に延びるn型の不純物濃度が高い高濃度領域が配置されており、
前記高濃度領域は、n型の不純物濃度が1×10 17 /cm 3 ~2×10 17 /cm 3 である、窒化物半導体装置。 - n型のドリフト層と、
前記ドリフト層の上に設けられているp型の一対のボディ領域と、
前記ドリフト層の上であって前記一対のボディ領域のそれぞれとの間に設けられているn型のJFET領域と、
絶縁膜を挟んで前記一対のボディ領域と前記JFET領域に対向しているゲート電極と、
前記一対のボディ領域のそれぞれについて、前記JFET領域及び前記ドリフト層内であって前記ボディ領域から離間する位置に、上下方向に対して傾斜して延びるn型の不純物濃度が高い高濃度領域が配置されている、窒化物半導体装置。 - 前記高濃度領域は、前記絶縁膜から離間している、請求項1または請求項2に記載の窒化物半導体装置。
- 前記高濃度領域は、前記一対のボディ領域のうちの近くに配置されている前記ボディ領域から0.1μm以上離間している、請求項1から3のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
- 前記高濃度領域の下端から上下方向に垂直な方向では、n型の不純物濃度が前記高濃度領域よりも低い、請求項1から4のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
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