JP7412251B2 - Element mounting body, mounting equipment and mounting method - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 136
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 83
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 57
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 24
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
本発明は、例えば、センサ素子または半導体素子などの電子部品素子が設けられた素子基体を、実装基体の表面に、はんだ付けにより実装した素子実装体と、その実装装置と、それを用いた実装方法に関する。 The present invention relates to an element mounting body in which an element substrate provided with an electronic component element such as a sensor element or a semiconductor element is mounted on the surface of the mounting base by soldering, a mounting apparatus for the same, and a mounting device using the same. Regarding the method.
センサ素子または半導体素子などの電子部品素子を、素子基体に、はんだ付け実装する場合、誘導加熱により、はんだシートを溶かし、当該電子部品素子を、当該素子基体にはんだ付け実装している。 When an electronic component element such as a sensor element or a semiconductor element is soldered onto an element substrate, a solder sheet is melted by induction heating, and the electronic component element is soldered onto the element substrate.
具体的には、先ず、素子基体上に、はんだシートを介して電子部品素子を配置し、次に、これらを螺旋状の誘導加熱コイル内に配置し、その後、誘導加熱コイルに通電し、はんだシートを溶融させ、当該電子部品素子を、当該素子基体に、はんだ付け実装するようにしている(これに類似する先行技術文献としては、例えば下記特許文献1が存在する)。 Specifically, first, electronic component elements are placed on the element substrate via a solder sheet, then these are placed in a spiral induction heating coil, and then the induction heating coil is energized and soldered. The sheet is melted and the electronic component element is soldered and mounted on the element substrate (as a prior art document similar to this, there is, for example, Patent Document 1 below).
また、素子基体上に、はんだシートを介して電子部品素子を配置し、次に、これらをマイクロ波照射空間内に配置し、磁場領域において誘導加熱し、はんだシートを溶融させ、当該電子部品素子を、当該素子基体に、はんだ付け実装するものもある(これに類似する先行技術文献としては、例えば下記特許文献2が存在する)。 Further, an electronic component element is placed on the element substrate via a solder sheet, and then these are placed in a microwave irradiation space, and induction heating is performed in a magnetic field region to melt the solder sheet, and the electronic component element is There is also a device that is mounted on the element substrate by soldering (a prior art document similar to this includes, for example, the following Patent Document 2).
以上のような従来例で問題となるのは、センサ素子または半導体素子などの電子部品素子部分にも大量の磁束が通過し、その結果として、センサ素子または半導体素子などの電子部品素子に、大きな熱的衝撃を与えてしまうことである。
つまり、誘導加熱により、はんだシートを溶融させる上記二つの従来例では、センサ素子または半導体素子などの電子部品素子も磁束により発熱し、その結果として、その性能に悪影響を与えてしまう虞がある。
The problem with the above conventional examples is that a large amount of magnetic flux also passes through the electronic component elements such as the sensor element or semiconductor element, and as a result, a large amount of magnetic flux is generated in the electronic component element such as the sensor element or semiconductor element. This results in a thermal shock.
That is, in the above two conventional examples in which the solder sheet is melted by induction heating, electronic component elements such as sensor elements or semiconductor elements also generate heat due to magnetic flux, and as a result, there is a risk that their performance will be adversely affected.
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、電子部品素子への熱的影響が抑制された素子実装体を提供することを目的としている。 The present invention was made in order to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide an element mounting body in which thermal influence on electronic component elements is suppressed.
この発明に係る素子実装体は、少なくとも実装面部分が高周波誘導加熱が可能な金属で形成された実装基体と、実装基体よりも小さく、かつ、当該実装基体の実装面上に、はんだ付けにより実装された素子基体とを備え、実装基体は、実装面を挟んで対向する当該実装面の外側部分に、それぞれ、高周波誘導加熱ヘッドの磁気ギャップ側端部が対向配置される加熱ヘッド対向エリアを有し、素子基体は、ガラスまたはセラミックで形成された素子基板と、素子基板の実装基体とは反対側の面に設けられた電子部品素子と、素子基板の実装基体側の面に設けられた、はんだ付け容易化用の第1の金属皮膜とを有することを特徴とする。 The element mounting body according to the present invention includes a mounting base whose mounting surface portion is made of a metal capable of high-frequency induction heating, and a mounting base that is smaller than the mounting base and mounted on the mounting surface of the mounting base by soldering. The mounting substrate has a heating head facing area in which the magnetic gap side end of the high frequency induction heating head is disposed to face each other on the outer side of the mounting surface facing each other across the mounting surface. The element substrate includes an element substrate formed of glass or ceramic, an electronic component element provided on the surface of the element substrate opposite to the mounting substrate, and an electronic component element provided on the surface of the element substrate on the mounting substrate side. It is characterized by having a first metal film for facilitating soldering.
この発明によれば、上記のように構成したので、電子部品素子への熱的影響が抑制された素子実装体が得られる。 According to the present invention, with the above-described configuration, it is possible to obtain an element mounting body in which thermal influence on electronic component elements is suppressed.
以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
実施の形態1.
以下、本発明の一実施形態を、添付図面を用いて説明する。
図1~図3は、素子実装体1を示し、この素子実装体1は、導電性があり(高周波誘導加熱が可能な金属であり)、しかも磁性体のステンレス材(代表的なものとしてSUS430が有るが、SUS301、SUS304等も磁性体となっているものも存在する)により構成された実装基体2と、この実装基体2の表面側の実装面2aに、はんだ付け(図4のはんだシート7)により実装された素子基体3とを備えている。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
Embodiment 1.
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described using the accompanying drawings.
1 to 3 show an element mounting body 1. This element mounting body 1 is made of conductive (metal that can be heated by high frequency induction) and magnetic stainless steel (a typical example is SUS430). There is a
なお、実装基体2は、少なくとも実装面2a部分が、高周波誘導加熱が可能な金属で形成されていればよい。
Note that it is sufficient that at least the
素子基体3は、図4に示すように、ガラスまたはセラミック材よりなる素子基板4と、この素子基板4の実装基体2とは反対側の面に設けられたセンサ素子または半導体素子などの電子部品素子5とを有する。
As shown in FIG. 4, the
なお、この図4では、素子基体3を実装基体2の表面側に実装する際に使用する保護基板6も記載しているが、この保護基板6は、はんだ付け工程で、素子基体3の上面側に着脱自在に乗せられるものであり、はんだ付け工程後には、電子部品素子5上から取り除かれる。
また、この保護基板6は、ガラスまたはセラミック材等よりなる。
Note that this FIG. 4 also shows a
Further, this
素子基体3および保護基板6は、図1~図3から理解されるように、薄い板状で、平面視が長方形となっている。
As understood from FIGS. 1 to 3, the
また、実装基体2も、図1~図3から理解されるように、板状で、平面視が長方形となっている。
Further, as understood from FIGS. 1 to 3, the
さらに、実装基体2の実装面2aも平面視が長方形で、この実装面2aの大きさは、平面視の状態で、素子基体3と略同じ大きさになっている。
Furthermore, the
ここで、特筆すべきは、図2のように、実施の形態1においては、平面視の状態で、素子基体3は、実装基体2よりも小さくしている。
What should be noted here is that, as shown in FIG. 2, in the first embodiment, the
また、この大きさの差異に基づき、実装基体2の実装面2aを、この実装基体2の外周辺から内方に配置することで、図2に示すように、実装面2aを挟んで対向する実装面2aの外側部分に、それぞれ、少なくとも一対の加熱ヘッド対向エリア2Aを設定することができる。
Furthermore, based on this difference in size, by arranging the
つまり、実装基体2の実装面2aを挟んで対向する実装面2aの外側部分の平面が、加熱ヘッド対向エリア2Aとなっているのであり、後述するが、ここに高周波誘導加熱ヘッド16,17(図10~図18参照)を構成する磁路形成体16a,16b,17a,17b(図10~図18参照)の磁気ギャップ側端部を対向配置させることが、実施の形態1の大きな特徴となっている。
In other words, the flat surface of the outer part of the
素子基板4の下面側(実装基体2側)の面には、半田付け容易化用として、蒸着膜またはスパッタリング膜よりなる金製の金属皮膜(極めて薄い物なので図示せず)が設けられている。
A gold metal film (not shown because it is extremely thin) made of a vapor-deposited film or a sputtered film is provided on the lower surface side (
そして、このような構成の素子基体3が、錫-金製のはんだシート7の溶融体によって、実装基体2の表面側の実装面2a部分に、はんだ付けで実装された状態となっている。
The
なお、実装基体2の表面全面、あるいは、少なくともこの実装面2a部分にも、蒸着膜またはスパッタリング膜よりなる金製の金属皮膜(極めて薄い物なので図示せず)が、半田付け容易化用として設けられている。
Note that a gold metal film (not shown because it is extremely thin) made of a vapor-deposited film or a sputtered film is provided on the entire surface of the
以上の構成により、素子基体3は、実装基体2の表面側の実装面2a部分に、はんだ付けされ、実装された状態となっているのである。
With the above configuration, the
実施の形態1にかかる素子実装体1は、電子部品素子5としてセンサ素子を用いるものであり、実装基体2を介して伝達される変化量を電子部品素子5で検出し、制御部(図示せず)に伝達するものである。
The element mounting body 1 according to the first embodiment uses a sensor element as the
例えば、センサ素子が歪ゲージであった場合には、実装基体2を介して検出した機械的歪量が、素子基体3の電子部品素子5に伝達されることになる。
For example, if the sensor element is a strain gauge, the amount of mechanical strain detected via the
そして、電子部品素子5によって検出された歪量は、有線または無線により外部へと伝達され、各種の制御がなされるのである。
The amount of strain detected by the
実装基体2は、図1~図5から理解されるように板状で、長方形となっており、その一端側に貫通孔8が形成されており、この貫通孔8を利用し、例えば、ボルト(図示せず)によって測定場所への取り付けが行われる。
As can be understood from FIGS. 1 to 5, the
そして、この実装基体2に素子基体3をはんだ付けで一体化することで、実装基体2に加わる歪量を、素子基体3の電子部品素子5によって検出することができるのである。
By integrating the
以下、実装基体2への素子基体3の実装方法について説明する。
先ず、図5、図6から理解されるように、実装基体2の上面側に、実装基体2の実装面2a部分に開口部9を有する樹脂製の位置決めカバー10を被せる。
A method for mounting the
First, as understood from FIGS. 5 and 6, the upper surface side of the
なお、位置決めカバー10は、樹脂弾性を利用し、金属製の実装基体2に強固に取り付けられた状態となっている。勿論、取り外しは樹脂弾性を利用して行えるが、不用意に外れない状態となっている。
Note that the
次に、図7から理解されるように、位置決めカバー10の開口部9内に、はんだシート7、素子基体3および保護基板6を、実装基体2側から順に、装着する。
Next, as understood from FIG. 7, the
なお、この状態では、保護基板6の上部が、開口部9上に、わずかながら突出した状態となっている。
In this state, the upper part of the
この状態で、次に、図8に示すように、位置決めカバー10の開口部9を覆うように、樹脂製の押さえ治具11を、この位置決めカバー10上に装着する。この押さえ治具11は細長い板状で、両端に貫通孔12が形成されている。
In this state, next, as shown in FIG. 8, a
また、この押さえ治具11の貫通孔12に対応する位置決めカバー10の上面には、図7のように、ねじ穴13が形成されている。
Further, as shown in FIG. 7, a
このため、図9に示すように、樹脂製のねじ14を、押さえ治具11の貫通孔12を貫通させ、位置決めカバー10のねじ穴13にねじ込めば、押さえ治具11によって、保護基板6、素子基体3およびはんだシート7が、実装基体2の実装面2a部分に押圧された状態となる。
Therefore, as shown in FIG. 9, if the
図9に示す実装基体2は、図示していないが、XYテーブル上に載せられ、図10~図18に示すはんだ付けの実装装置15へと搬送される。
Although not shown, the mounting
なお、図11~図18においては、実装装置15と素子基体3の関係が理解されやすいように、位置決めカバー10を除いた状態で記載している。
Note that, in FIGS. 11 to 18, the
実施の形態1の実装装置15は、所定間隔をおいて配置された二つ(複数)の高周波誘導加熱ヘッド16,17を有する。
The mounting
また、これらの高周波誘導加熱ヘッド16,17は、磁気ギャップ20を形成する磁路形成体16a,16b,17a,17bと、これらの磁路形成体16a,16b,17a,17bに磁束を流すための磁気コイル18と、により構成されている。
In addition, these high frequency induction heating heads 16 and 17 are used to flow magnetic flux through magnetic
磁気コイル18は、内部に冷却水を循環させるパイプをループ形状にしたものであり、一例として1MHz、100Aの電流が供給される。
The
高周波誘導加熱ヘッド16,17を構成する磁路形成体16a,16b,17a,17bは、例えば、フェライトなどの軟磁性体で形成されている。
The magnetic
また、これらの高周波誘導加熱ヘッド16,17は、図10~図13から理解されるように、それぞれ、左右のC字状の磁路形成体16a,17aと逆C字状の磁路形成体16b,17bを組み合わせることにより構成されている。
Furthermore, as can be understood from FIGS. 10 to 13, these high-frequency induction heating heads 16 and 17 have left and right C-shaped magnetic
具体的には、左右のC字状の磁路形成体16aと逆C字状の磁路形成体16bの上部分にはそれぞれ貫通孔19が設けられているので、この貫通孔19を合致させた状態で、左右の磁路形成体16aと磁路形成体16bの上部を重ね合わせる。
Specifically, since through
左右の磁路形成体16aと磁路形成体16bの上部を、広い面積で重ね合わせることで、磁気抵抗が小さな状態で、磁路を形成することができる。
By overlapping the upper portions of the left and right magnetic
また、C字状の磁路形成体16aと逆C字状の磁路形成体16bの下部は所定間隔離して、ここに磁気ギャップ20を形成する。高周波誘導加熱ヘッド16の磁気ギャップ20の間隔は、C字状の磁路形成体16aと逆C字状の磁路形成体16bを、貫通孔19を中心に回動させることで調整することができる。
Further, the lower portions of the C-shaped magnetic
また、左右のC字状の磁路形成体17aと逆C字状の磁路形成体17bの上部分にはそれぞれ貫通孔19が設けられているので、この貫通孔19を合致させた状態で、左右の磁路形成体17aと磁路形成体17bの上部を重ね合わせる。
In addition, through
左右の磁路形成体17aと磁路形成体17bの上部を、広い面積で重ね合わせることで、磁気抵抗が小さな状態で、磁路を形成することができる。
By overlapping the upper portions of the left and right magnetic
また、C字状の磁路形成体17aと逆C字状の磁路形成体17bの下部は所定間隔離して、ここに磁気ギャップ20を形成する。高周波誘導加熱ヘッド17の磁気ギャップ20の間隔は、C字状の磁路形成体17aと逆C字状の磁路形成体17bを、貫通孔19を中心に回動させることで調整することができる。
Further, the lower portions of the C-shaped magnetic
実施の形態1では、二つの高周波誘導加熱ヘッド16,17を用いており、図12、図14、図15に示すように、高周波誘導加熱ヘッド16,17が、細長い素子基体3の長手方向の両側となるように、所定間隔を置いて配置されている。 In the first embodiment, two high-frequency induction heating heads 16 and 17 are used, and as shown in FIGS. 12, 14, and 15, the high-frequency induction heating heads 16 and 17 They are arranged at predetermined intervals on both sides.
高周波誘導加熱ヘッド16,17の配置状態について、さらに詳細に説明する。
高周波誘導加熱ヘッド16は、左右の磁路形成体16aと磁路形成体16bを備え、その下方側の先端間で磁気ギャップ20を形成する構成としている。
The arrangement of the high-frequency induction heating heads 16 and 17 will be explained in more detail.
The high-frequency
また、高周波誘導加熱ヘッド17も、左右の磁路形成体17aと磁路形成体17bを備え、その下方側の先端間で磁気ギャップ20を形成する構成としている。
The high-frequency
実施の形態1では、高周波誘導加熱ヘッド16を構成する左右の磁路形成体16a,16bの下方側の磁気ギャップ20側先端を、図2に示した実装基体2の加熱ヘッド対向エリア2A上に、図11、図12のように、非接触状態ではあるが、対向した状態で配置し、その後、磁束を流す。
In the first embodiment, the tips of the lower
つまり、高周波誘導加熱ヘッド16の磁路形成体16aの下方側の先端を、図2に示した加熱ヘッド対向エリア2Aのうちの図2の下方のものに、非接触状態で対向配置した場合、磁路形成体16bの下方側の先端は、図2に示した加熱ヘッド対向エリア2Aのうちの図2の上方のものに、非接触状態で対向配置された状態となる。
That is, when the lower tip of the magnetic
同様に、高周波誘導加熱ヘッド17の磁路形成体17aの下方側の先端を、図2に示した加熱ヘッド対向エリア2Aのうちの図2の下方のものに、非接触状態で対向配置した場合、磁路形成体17bの下方側の先端は、図2に示した加熱ヘッド対向エリア2Aのうちの図2の上方のものに、非接触状態で対向配置された状態となる。
Similarly, when the lower tip of the magnetic
なお、高周波誘導加熱ヘッド16の磁路形成体16aの下方側の先端が、図2に示した加熱ヘッド対向エリア2Aのうちの図2の下方のものに、非接触状態で対向配置した状態となるのは、この高周波誘導加熱ヘッド16の磁路形成体16aの下方側の先端と、実装基体2の加熱ヘッド対向エリア2Aの間に、図6に示した樹脂製の位置決めカバー10が介在しているからである。
Note that the lower tip of the magnetic
同様に、高周波誘導加熱ヘッド16の磁路形成体16bの下方側の先端が、図2に示した加熱ヘッド対向エリア2Aのうちの図2の上方のものに、非接触状態で対向配置した状態となるのは、この高周波誘導加熱ヘッド16の磁路形成体16bの下方側の先端と、実装基体2の加熱ヘッド対向エリア2Aの間に、図6に示した樹脂製の位置決めカバー10が介在しているからである。
Similarly, the lower tip of the magnetic
また、高周波誘導加熱ヘッド17の磁路形成体17aの下方側の先端が、図2に示した加熱ヘッド対向エリア2Aのうちの図2の下方のものに、非接触状態で対向配置した状態となるのは、この高周波誘導加熱ヘッド17の磁路形成体17aの下方側の先端と、実装基体2の加熱ヘッド対向エリア2Aの間に、図6に示した樹脂製の位置決めカバー10が介在しているからである。
In addition, the lower tip of the magnetic
さらに、高周波誘導加熱ヘッド17の磁路形成体17bの下方側の先端が、図2に示した加熱ヘッド対向エリア2Aのうちの図2の上方のものに、非接触状態で対向配置した状態となるのは、この高周波誘導加熱ヘッド17の磁路形成体17bの下方側の先端と、実装基体2の加熱ヘッド対向エリア2Aの間に、図6に示した樹脂製の位置決めカバー10が介在しているからである。
Furthermore, the lower tip of the magnetic
なお、図15は、実装基体2を除いて、素子基体3と、二つの高周波誘導加熱ヘッド16,17の関係が分かりやすくなるようにした図である。
In addition, FIG. 15 is a diagram in which the relationship between the
実施の形態1では、上述のように、素子基体3が細長い長方形となっているので、その長手方向の両側からの加熱をすることで、同じく長方形のはんだシート7が均一状態で溶融するような工夫を行った。
In the first embodiment, as described above, since the
図16~図18は、磁気コイル18に、1MHz、100Aの電流を供給した状態を示している。
この状態では、図16に示すように、高周波誘導加熱ヘッド16,17の磁気ギャップ20部分においては、磁路形成体16a,16b間および磁路形成体17a,17b間において、磁束21が流れる。
16 to 18 show a state in which a current of 1 MHz and 100 A is supplied to the
In this state, as shown in FIG. 16, in the
具体的には、磁路形成体17a(16a)、実装基体2の実装面2a両側部分、実装基体2の実装面2a、およびその直下部分、磁路形成体17b(16b)の方向に磁束21が流れ、また、次の状態では逆方向に磁束21が流れ、これにより、実装基体2の実装面2a部分において、誘導加熱による急速な発熱が発生し、はんだシート7が溶融し、その結果として、実装基体2の実装面2a部分に素子基体3がはんだ付けされる。
Specifically, the
なお、実施の形態1では、磁束21が、素子基体3の実装面2a両側部分近傍へと流れやすくするように、磁路形成体16a,16bおよび磁路形成体17a,17bの先端に、実装基体2の実装面2a側に向けて傾斜した傾斜面22を設けた。
In Embodiment 1, in order to make it easier for the
また、実装基体2の実装面2a部分の均一加熱を行うために、細長い素子基体3の両側に二つの高周波誘導加熱ヘッド16,17を配置している。
Furthermore, in order to uniformly heat the mounting
この結果、図17、図18から理解されるように、素子基板4の下面のみならず、この素子基板4の下部外周(フィレット部23)にも、はんだが存在する状態となり、実装基体2への素子基体3のはんだ付けに対する信頼性の高いものとなる。
As a result, as can be understood from FIGS. 17 and 18, solder is present not only on the lower surface of the
また、図16からも理解されるように、実装基体2への素子基体3のはんだ付けに対して、高周波誘導加熱ヘッド16,17からの磁束21は、素子基体3の素子基板4よりも磁気抵抗の小さな実装基体2側へと流れ、電子部品素子5部分には流れにくいので、電子部品素子5が磁束21による誘導加熱を受けることは少なく、この結果として、電子部品素子5の熱劣化が起きにくくなる。
Furthermore, as can be understood from FIG. 16, when the
また、実施の形態1で特徴的なのは、素子基体3に、はんだ付けの際の応力が加わりにくく、その結果として、素子基体3および、それに実装した電子部品素子5の損傷が発生しにくいということである。
Additionally, the first embodiment is characterized in that stress is less likely to be applied to the
つまり、実施の形態1では、ステンレス材により構成された実装基体2に、ガラスまたはセラミック材よりなる素子基板4をはんだ付けしており、はんだシート7を溶融させる加熱時には、その熱により、実装基体2も素子基板4も膨張し、熱が冷めると収縮することになる。この際、実装基体2と素子基板4の熱膨張係数が、構成材料の違いにより大きく異なるので、はんだ付けされた後の冷却時に、例えば、実装基体2が大きく収縮し、それによる応力が素子基板4に加わり、その結果として素子基板4または電子部品素子5を損傷させてしまう虞がある。
That is, in the first embodiment, the
一例として、実装基体2をステンレス材で形成した場合には、その熱膨張係数は以下の通りである。
・SUS430・・・11.0(x10^-6/℃)
・SUS301・・・17.1(x10^-6/℃)
・SUS304・・・17.8(x10^-6/℃)
As an example, when the mounting
・SUS430...11.0 (x10^-6/℃)
・SUS301...17.1 (x10^-6/℃)
・SUS304...17.8 (x10^-6/℃)
これに対して、素子基板4をガラスまたはセラミック材で形成した場合には、その熱膨張係数は以下の通りである。
・パイレックス(登録商標)ガラス・・・3.3(x10^-6/℃)
・アルミナAl2O3・・・7.2(x10^-6/℃)
・ジルコニアZrO2・・・10.5(x10^-6/℃)
・炭化ケイ素SiC・・・4.4(x10^-6/℃)
On the other hand, when the
・Pyrex (registered trademark) glass...3.3 (x10^-6/℃)
・Alumina Al2O3...7.2 (x10^-6/℃)
・Zirconia ZrO2...10.5 (x10^-6/℃)
・Silicon carbide SiC...4.4 (x10^-6/℃)
このように、実装基体2をステンレス材で形成し、また素子基板4をガラスまたはセラミック材で形成した場合、はんだ付けされた後の冷却時に、例えば、実装基体2が大きく収縮し、それによる応力が素子基板4に加わり、その結果として素子基板4または電子部品素子5を損傷させてしまう虞がある。
In this way, when the mounting
これに対して、実装基体2をステンレス材で形成し、また素子基板4をガラスまたはセラミック材で形成しても、実施の形態1では、素子基板4および電子部品素子5を損傷させることは無く、この点も実施の形態1の大きな特徴である。
On the other hand, in the first embodiment, even if the mounting
この点を詳細に説明すると、実施の形態1では、上述のごとく、図16に示すように、高周波誘導加熱ヘッド16,17の磁気ギャップ20部分(実装基体2の実装面2a部分)において、実装基体2の実装面2a部分に集中的に磁束21を流し、この実装基体2の実装面2a部分を急速(例えば1秒程度)に加熱し、はんだシート7を溶融させる。
To explain this point in detail, in the first embodiment, as described above, as shown in FIG.
このように、短時間の局部的(実装基体2の実装面2a部分)な加熱をした状態では、実装基体2の実装面2a部分の外周域部分は大きく温度上昇していないので、この外周域部分の熱膨張状態はごくわずかとなる。つまり、実装基体2の実装面2a部分は1秒の加熱といえども急速に温度上昇し、それに伴い大きく熱膨張しようとするが、実装基体2の実装面2a部分の外周域部分は、急速な温度上昇は発生しておらず、熱膨張量も少ない状態となるので、その結果として、素子基体3の実装面2a部分は、熱膨張により、外周方向へと大きく伸びることは出来ず、極めて小さな伸び状態にとどまる。
In this way, in the state where the heating is carried out locally for a short time (the mounting
このように実装基体2の実装面2a部分は、はんだ付け加熱時に、大きく膨張できないので、その後、常温への温度低下の際にも、極めて小さな縮み状態しか発生せず、これが、上方にはんだ付けされた素子基体3に、大きな応力を加えないことにつながり、これにより、素子基板4および電子部品素子5の損傷が発生しないことになるのである。
In this way, the mounting
なお、実施の形態1では、実装基体2をステンレス材によって形成しているが、ステンレス材は鉄材などに比べて熱伝導率が低く、それによっても、実装基体2の実装面2a部分の急速な温度上昇状態、および、その外周域部分での温度上昇が緩慢な状態を作り出すことができる。
In the first embodiment, the mounting
つまり、ステンレス材の熱伝導率は、以下のように、鉄材に比べて極めて小さくなっている。
・鉄・・・83.5(W/m・K)
・SUS301,SUS304・・・16.3(W/m・K)
・SUS430・・・26.4(W/m・K)
In other words, the thermal conductivity of stainless steel material is extremely lower than that of iron material, as described below.
・Iron...83.5 (W/m・K)
・SUS301, SUS304...16.3 (W/m・K)
・SUS430...26.4 (W/m・K)
熱伝導率が小さいということは、実装基体2の実装面2a部分が誘導加熱により急速に温度上昇している際に、その部分から外周方向への熱伝導が進まない状態となり、その結果、この実装面2a部分の温度を急速に上昇させることができるのである。
The fact that the thermal conductivity is low means that when the temperature of the mounting
つまり、はんだ付け時間を短くすることができ、そのことは生産性の観点だけでなく、素子基板4および電子部品素子5の熱的および機械的な理由による劣化および損傷も起きにくくなるという事にもつながり、極めて大きく評価されるものである。
In other words, the soldering time can be shortened, which not only improves productivity, but also reduces the likelihood of deterioration and damage to the
また、従来の考え方としては、実装基体2から素子基体3への熱的膨張および収縮による応力を緩和するために、実装基体2と素子基体3との間に、高価なコバール(応力緩衝体)を介在させることも検討されるが、実施の形態1では、上述のごとく、実装基体2から素子基体3への熱的膨張および収縮による大きな応力が発生しないので、このような応力緩衝体を介在させる必要が無く、製造コストなど、様々な点で、極めて大きな効果を発揮することができる。
In addition, in the conventional thinking, in order to relieve stress caused by thermal expansion and contraction from the mounting
なお、実施の形態1では、以上のような加熱により、実装基体2の実装面2a外周へのはんだの広がりが、加熱ヘッド対向エリア2Aを超えて広がらないことが確認できた。つまり、はんだシート7は加熱により溶融し、外方へと広がることになるが、実施の形態1では、加熱ヘッド対向エリア2Aの外方には、実質的に磁束が広がらず、すなわち、この加熱ヘッド対向エリア2Aの外方部分は誘導加熱されない(理由1)。また、実装基体2を、鉄などに比べて熱伝導が小さなステンレス材によって構成することで、加熱ヘッド対向エリア2Aの外方向への熱伝導も小さくなっている(理由2)。
In addition, in Embodiment 1, it was confirmed that the spread of the solder to the outer periphery of the mounting
そして、以上の二つの理由から、上述のごとく、加熱ヘッド対向エリア2Aの外側の実装基体2表面の温度は低く保たれ、これにより、上記溶融したはんだが、それ以上外方へと広がらないのである。
For the above two reasons, as mentioned above, the temperature of the surface of the mounting
ちなみに、加熱ヘッド対向エリア2Aの短辺側寸法は、実装面2aの短辺側寸法と同じ、またはそれ以下の寸法としている。
このため、実装基体2の実装面2aにおいて、はんだの広がり寸法(実装面2aの外周から外方に広がったはんだの外周面までの距離)は、実装面2aの短辺側寸法よりも小さなものとなっている。このことが実施の形態1の製造方法を用いて製造したことの特徴点でもあり、これを目視すれば、その素子実装体1が、実施の形態1の製造方法で製造したものであることを確認できる。
Incidentally, the short side dimension of the heating
Therefore, on the mounting
また、はんだが必要以上に外方に広がらないので、近傍に配置される電子部品が存在する場合にも有利なものとなる。 Furthermore, since the solder does not spread outward more than necessary, it is also advantageous when there are electronic components placed nearby.
なお、実施の形態1では、素子実装体1、実装基体2、素子基体3および素子基板4を、板状で、平面視が長方形状としたが、これらは正方形でも、その他の多角形でも、円形、楕円形でもよい。
In the first embodiment, the element mounting body 1, the mounting
以上のように、実施の形態1に係る素子実装体1は、少なくとも実装面2a部分が高周波誘導加熱が可能な金属で形成された実装基体2と、実装基体2よりも小さく、かつ、当該実装基体2の実装面2a上に、はんだ付けにより実装された素子基体3とを備え、実装基体2は、実装面2aを挟んで対向する当該実装面2aの外側部分に、それぞれ、高周波誘導加熱ヘッド16,17の磁気ギャップ側端部が対向配置される加熱ヘッド対向エリア2Aを有し、素子基体3は、ガラスまたはセラミックで形成された素子基板4と、素子基板4の実装基体2とは反対側の面に設けられた電子部品素子5と、素子基板4の実装基体2側の面に設けられた、はんだ付け容易化用の第1の金属皮膜とを有する構成としたものである。
As described above, the element mounting body 1 according to the first embodiment includes the mounting
このため、実施の形態1に係る素子実装体1では、実装基体2の実装面2aに素子基体3をはんだ付け実装する場合、実装基体2の加熱ヘッド対向エリア2Aに対向配置した高周波誘導加熱ヘッド16,17の磁気ギャップ側端部から、実装基体2の実装面2a部分に磁束が供給され、実装面2aを発熱させ、はんだを溶融させ、これにより、実装基体2の実装面2a上に素子基体3をはんだ付けすることができる。
Therefore, in the element mounting body 1 according to the first embodiment, when the
つまり、実施の形態1に係る素子実装体1では、素子基体3の電子部品素子5に高周波誘導加熱ヘッド16,17からの磁束が流れることが少なく、その結果として、電子部品素子5への熱的影響を抑制することができるのである。
That is, in the element mounting body 1 according to the first embodiment, the magnetic flux from the high-frequency induction heating heads 16 and 17 hardly flows into the
また、実施の形態1に係る素子実装体1の実装装置15は、はんだを溶融させる高周波誘導加熱ヘッド16,17を備え、高周波誘導加熱ヘッド16,17は、磁気ギャップ20を有する磁路形成体16a,16b,17a,17bと、磁路形成体16a,16b,17a,17bに磁束を流す磁気コイル18とを有し、磁路形成体16a,16b,17a,17bの磁気ギャップ側端部は、実装基体2の実装面2aに素子基体3が配置された状態で、加熱ヘッド対向エリア2Aに、それぞれ対向配置される構成としたものである。
Furthermore, the mounting
このため、実施の形態1に係る素子実装体1の実装装置15では、素子基体3の電子部品素子5に高周波誘導加熱ヘッド16,17からの磁束が流れることが少なく、その結果として、電子部品素子5への熱的影響を抑制することができるのである。
Therefore, in the mounting
さらに、この実装装置15を用いた実装方法は、先ず、実装基体2の実装面2aに、はんだシート7を介して素子基体3を配置し、次に高周波誘導加熱ヘッド16,17を構成する磁路形成体16a,16b,17a,17bの磁気ギャップ側端部から、実装基体2の実装面2a部分に、磁束を供給するものである。
Furthermore, the mounting method using this mounting
このため、この実装方法では、素子基体3の電子部品素子5に高周波誘導加熱ヘッド16,17からの磁束が流れることが少なく、その結果として、電子部品素子5への熱的影響を抑制することができるのである。
Therefore, in this mounting method, the magnetic flux from the high-frequency induction heating heads 16 and 17 hardly flows into the
なお、本願発明はその発明の範囲内において、実施の形態の任意の構成要素の変形、若しくは実施の形態の任意の構成要素の省略が可能である。 Note that within the scope of the present invention, any constituent elements of the embodiments may be modified or any constituent elements of the embodiments may be omitted.
1 素子実装体
2 実装基体
2a 実装面
2A 加熱ヘッド対向エリア
3 素子基体
4 素子基板
5 電子部品素子
6 保護基板
7 はんだシート
8 貫通孔
9 開口部
10 位置決めカバー
11 押さえ治具
12 貫通孔
13 ねじ穴
14 ねじ
15 実装装置
16 高周波誘導加熱ヘッド
16a 磁路形成体
16b 磁路形成体
17 高周波誘導加熱ヘッド
17a 磁路形成体
17b 磁路形成体
18 磁気コイル
19 貫通孔
20 磁気ギャップ
21 磁束
22 傾斜面
23 フィレット部
1
17 High frequency
Claims (14)
前記実装基体よりも小さく、かつ、当該実装基体の実装面上に、はんだ付けにより実装された素子基体とを備え、
前記実装基体は、実装面を挟んで対向する当該実装面の外側部分に、それぞれ、高周波誘導加熱ヘッドの磁気ギャップ側端部が対向配置される加熱ヘッド対向エリアを有し、
前記素子基体は、
ガラスまたはセラミックで形成された素子基板と、
前記素子基板の前記実装基体とは反対側の面に設けられた電子部品素子と、
前記素子基板の前記実装基体側の面に設けられた、はんだ付け容易化用の第1の金属皮膜とを有する
ことを特徴とする素子実装体。 a mounting base at least a mounting surface portion of which is formed of a metal capable of high-frequency induction heating;
an element base smaller than the mounting base and mounted on the mounting surface of the mounting base by soldering;
The mounting base has a heating head facing area in which a magnetic gap side end of the high frequency induction heating head is arranged to face each other on the outer side of the mounting surface facing each other with the mounting surface in between,
The element substrate is
An element substrate made of glass or ceramic,
an electronic component element provided on a surface of the element substrate opposite to the mounting base;
An element mounting body comprising: a first metal film for facilitating soldering provided on a surface of the element substrate on the mounting base side.
ことを特徴とする請求項1記載の素子実装体。 The device mounting body according to claim 1, wherein the first metal film is formed of a vapor deposited film or a sputtered film.
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載の素子実装体。 The element mounting body according to claim 1 or 2, wherein a second metal film for facilitating soldering is provided on the mounting surface of the mounting base.
ことを特徴とする請求項3記載の素子実装体。 4. The device mounting body according to claim 3, wherein the second metal film is composed of a vapor deposited film or a sputtered film.
ことを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の素子実装体。 The element mounting body according to any one of claims 1 to 4, wherein the mounting base is made of stainless steel.
ことを特徴とする請求項5記載の素子実装体。 The element mounting body according to claim 5, wherein the mounting base is made of a stainless steel material selected from SUS430, SUS301, or SUS304.
前記はんだを溶融させる高周波誘導加熱ヘッドを備え、
前記高周波誘導加熱ヘッドは、
磁気ギャップを有する磁路形成体と、
前記磁路形成体に磁束を流す磁気コイルとを有し、
前記磁路形成体の磁気ギャップ側端部は、前記実装基体の実装面に前記素子基体が配置された状態で、前記加熱ヘッド対向エリアにそれぞれ対向配置された
ことを特徴とする実装装置。 A mounting device for an element mounting body according to any one of claims 1 to 6,
comprising a high frequency induction heating head for melting the solder,
The high frequency induction heating head includes:
a magnetic path forming body having a magnetic gap;
and a magnetic coil that causes magnetic flux to flow through the magnetic path forming body,
A mounting apparatus characterized in that the magnetic gap side end portions of the magnetic path forming body are respectively arranged to face the heating head facing area in a state where the element substrate is arranged on the mounting surface of the mounting substrate.
ことを特徴とする請求項7記載の実装装置。 8. The mounting apparatus according to claim 7, wherein each end of the magnetic path forming body on the magnetic gap side is provided with an inclined surface that slopes toward the mounting surface of the mounting base.
前記位置決めカバーの開口部を覆う樹脂製の押さえ治具とを備えた
ことを特徴とする請求項7または請求項8記載の実装装置。 a resin positioning cover disposed on the mounting base and having an opening on the mounting surface of the mounting base;
The mounting apparatus according to claim 7 or 8, further comprising a resin holding jig that covers the opening of the positioning cover.
ことを特徴とする請求項7から請求項9のうちのいずれか1項記載の実装装置。 The mounting apparatus according to any one of claims 7 to 9, wherein a plurality of the high-frequency induction heating heads are arranged at predetermined intervals.
ことを特徴とする請求項7から請求項10のうちのいずれか1項記載の実装装置。 The high-frequency induction heating head includes a first magnetic path forming body and a second magnetic path forming body that change the distance of the magnetic gap by freely opening and closing an end on the side of the magnetic gap. The mounting device according to any one of item 10.
先ず、前記実装基体の実装面に、はんだシートを介して前記素子基体を配置し、
次に、前記高周波誘導加熱ヘッドを構成する磁路形成体の磁気ギャップ側端部から、前記実装基体の実装面部分に、磁束を供給する
ことを特徴とする実装方法。 A mounting method using the mounting apparatus according to any one of claims 7 to 11,
First, the element substrate is placed on the mounting surface of the mounting substrate via a solder sheet,
Next, magnetic flux is supplied to the mounting surface portion of the mounting substrate from the magnetic gap side end of the magnetic path forming body constituting the high frequency induction heating head.
先ず、前記実装基体上に、前記位置決めカバーを配置した状態で、当該位置決めカバーの開口部内において、当該実装基体側から、はんだシート、前記素子基体の順に配置された状態とし、
次に、前記押さえ治具により前記素子基体を、前記実装基体の実装面側に押し付け、
その後、前記高周波誘導加熱ヘッドを構成する磁路形成体の磁気ギャップ側端部から、前記実装基体の実装面部分に、磁束を供給する
ことを特徴とする実装方法。 A mounting method using the mounting apparatus according to claim 9,
First, the positioning cover is placed on the mounting substrate, and the solder sheet and the element substrate are placed in this order from the mounting substrate side within the opening of the positioning cover,
Next, the element substrate is pressed against the mounting surface side of the mounting substrate by the pressing jig,
A mounting method characterized in that, after that, magnetic flux is supplied from an end on the magnetic gap side of a magnetic path forming body constituting the high-frequency induction heating head to a mounting surface portion of the mounting substrate.
先ず、前記実装基体上に、前記位置決めカバーを配置した状態で、当該位置決めカバーの開口部内において、当該実装基体側から、はんだシート、前記素子基体、保護基板の順に配置され、かつ、当該保護基板の当該素子基体とは反対側が、当該開口部から突出した状態とし、
次に、前記押さえ治具により前記保護基板を、前記実装基体の実装面側に押し付け、
その後、前記高周波誘導加熱ヘッドを構成する磁路形成体の磁気ギャップ側端部から、前記実装基体の実装面部分に、磁束を供給する
ことを特徴とする実装方法。 A mounting method using the mounting apparatus according to claim 9,
First, with the positioning cover placed on the mounting base, a solder sheet, the element base, and a protective board are placed in the opening of the positioning cover in this order from the mounting base side, and the protective board is The side opposite to the element substrate is in a state of protruding from the opening,
Next, the protection board is pressed against the mounting surface side of the mounting base by the holding jig,
A mounting method characterized in that, after that, magnetic flux is supplied from an end on the magnetic gap side of a magnetic path forming body constituting the high-frequency induction heating head to a mounting surface portion of the mounting substrate.
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007242691A (en) | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Toyota Industries Corp | Bonding method and bonding device of electronic component |
JP2009154195A (en) | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Toyota Industries Corp | Soldering device |
JP2009239179A (en) | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Toyota Industries Corp | Soldering device and soldering method |
Family Cites Families (1)
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---|---|---|---|---|
JP2923096B2 (en) * | 1991-09-10 | 1999-07-26 | 株式会社日立製作所 | Tape carrier package and high-frequency heating solder bonding equipment |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007242691A (en) | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Toyota Industries Corp | Bonding method and bonding device of electronic component |
JP2009154195A (en) | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Toyota Industries Corp | Soldering device |
JP2009239179A (en) | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Toyota Industries Corp | Soldering device and soldering method |
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