JP7411660B2 - 円環形状のガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、円環形状のガラス板、磁気ディスク用ガラス基板、及び磁気ディスク - Google Patents

円環形状のガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、円環形状のガラス板、磁気ディスク用ガラス基板、及び磁気ディスク Download PDF

Info

Publication number
JP7411660B2
JP7411660B2 JP2021535474A JP2021535474A JP7411660B2 JP 7411660 B2 JP7411660 B2 JP 7411660B2 JP 2021535474 A JP2021535474 A JP 2021535474A JP 2021535474 A JP2021535474 A JP 2021535474A JP 7411660 B2 JP7411660 B2 JP 7411660B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
face
glass plate
peripheral end
magnetic disk
annular
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021535474A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2021020587A1 (ja
JPWO2021020587A5 (ja
Inventor
修平 東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Publication of JPWO2021020587A1 publication Critical patent/JPWO2021020587A1/ja
Publication of JPWO2021020587A5 publication Critical patent/JPWO2021020587A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7411660B2 publication Critical patent/JP7411660B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
    • G11B7/2531—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/0025—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by a laser beam
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B29/00—Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins
    • C03B29/02—Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins in a discontinuous way
    • C03B29/025—Glass sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/354—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by melting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/3568—Modifying rugosity
    • B23K26/3576—Diminishing rugosity, e.g. grinding; Polishing; Smoothing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
    • C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G11B5/739—Magnetic recording media substrates
    • G11B5/73911—Inorganic substrates
    • G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/54—Glass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B29/00—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents
    • B24B29/005—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents using brushes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/10—Single-purpose machines or devices
    • B24B7/16—Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings
    • B24B7/17—Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings for simultaneously grinding opposite and parallel end faces, e.g. double disc grinders
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/24—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding or polishing glass
    • B24B7/242—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding or polishing glass for plate glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/0222—Scoring using a focussed radiation beam, e.g. laser
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/04—Cutting or splitting in curves, especially for making spectacle lenses
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/09—Severing cooled glass by thermal shock
    • C03B33/091—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam

Description

本発明は、レーザ光を用いて磁気ディスク用ガラス基板になる前の円環形状のガラス板を製造する円環形状のガラス板の製造方法、このガラス板の製造方法を含んだ磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、この磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を含んだ磁気ディスクの製造方法、円環形状のガラス板、磁気ディスク用ガラス基板、及びこの磁気ディスク用ガラス基板から作られる磁気ディスクに関する。
今日、パーソナルコンピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、あるいはＤＶＤ（Digital Versatile Disc）記録装置、あるいは、クラウドコンピューティングのデータセンター等には、データ記録のためにハードディスク装置が用いられる。ハードディスク装置では、円環形状の非磁性体の磁気ディスク用ガラス基板に磁性層が設けられた磁気ディスクが用いられる。磁気ディスクは、例えば、浮上距離が５ｎｍ程度であるＤＦＨ（Disk Flying Height）タイプの磁気ヘッドに組み込まれる。
このようなＤＦＨタイプの磁気ヘッドでは、上記浮上距離が短いため、磁気ディスクの主表面に微小粒子等が付着することは避けなければならない。この微小粒子の付着を抑制するために、磁気ディスク用ガラス基板になる前の円環形状のガラス板の主表面のみならず端面においても精度よく研磨して、表面粗さが小さいことが望ましい。また、磁気ディスクが安定して高速回転するように、円環形状の磁気ディスクは真円度が高いことが望ましい。さらに、磁気ディスク用ガラス基板を製造するとき、最終製品である磁気ディスク用ガラス基板の素となる円環形状のガラス板の端面は、微細なパーティクルが主表面に付着して磁気ディスクの性能に悪影響を与えないためにも、パーティクルの発生しやすい端面の表面を滑らかにすることが好ましい。また、磁気ディスクを精度よくＨＤＤ装置に組み込む点から、さらには、ガラス基板の主表面に磁性膜を形成する際にガラス基板の外周端面を把持する治具の把持に適するように、円環形状のガラス板の端面を目標形状に揃えることが好ましい。
磁気ディスク用ガラス基板は、ガラス板から分離して取り出した円環形状のガラス素板の端面の面取り加工、端面研磨、主表面の研削及び研磨、及びガラス素板の洗浄を経て得られる。上記ガラス素板の取り出しにおいて、カッターによるスクライブ及び割断に代えて、レーザ光を用いてガラス板からガラス素板を取り出す技術が提案されている。
上記技術では、パルスレーザビームのレーザビーム焦線をガラス板内へ、所定の入射角度で方向付けて、ガラス板内でレーザビーム焦線に沿って欠陥ライン（穿孔）を生じさせることを、ガラス板およびレーザビームを相対的に平行移動して繰り返し行って、複数の欠陥ライン（穿孔）を形成する。そのとき、隣り合う欠陥ライン（穿孔）間にクラックが伝播するので、ガラス板から円環形状のガラス素板を切り出すことができる。欠陥ライン（穿孔）の間隔は、２μｍだけ離れている。
また、ガラス板から取り出した円環状のガラス素板の端面を加工してガラス板の端面を目標形状にするための方法として、ガラス素板のエッジを、レーザ光を用いて面取り加工をする方法が知られている。具体的には、超短パルスレーザを使用して、所望の面取り形状にエッジを切削し、超短パルスレーザによる処理に続いて、ＣＯ２レーザを照射する。
特表２０１７－５１１７７７号公報
上記２つの技術を利用して、ガラス板から磁気ディスク用ガラス基板の素板となる円環形状のガラス板を作製することはできる。この場合、欠陥ライン（穿孔）に基づいて円環形状のガラス素板を取り出すので、得られる円環形状のガラス素板の端面には、欠陥ラインを構成する孔の断面形状の側面の一部が残る。このため、円環形状のガラス素板から、主表面のみならず端面の表面粗さが小さい磁気ディスク用ガラス基板を得るためには、端面研磨を行わなければならない。上記レーザ光を用いた面取りの技術では、レーザ光を用いて角部の面取りを行うだけであり、レーザ光の照射による端面研磨は行われない。一方、従来行われてきた研磨ブラシを用いる端面研磨は、研磨時間が長く、生産効率のみならず、生産コストの点で好ましくない。端面研磨をするにしても、従来に比べて研磨時間が短くて済む、あるいは、研磨ブラシによる端面研磨を全く行わなくて済むような、レーザ光を用いた端面研磨が好ましい。この方法は、レーザ光によって端面の表面のガラスを溶解して粗さを低減することにより研磨を行うものである。
昨今、ハードディスクドライブ装置の大容量化のために磁気ディスクの搭載枚数を増やす必要があり、磁気ディスク用ガラス基板の板厚を薄くすることが求められている。他方、磁気ディスク用ガラス基板に関する製造コストも大幅に削減することが求められている。このため、面取りと端面研磨を一体化したレーザ光の照射による端面研磨が検討されている。
ガラス板から取り出した円環形状のガラス素板の端面にレーザ光を照射して端面研磨をした場合、円環形状のガラス板の内周側（内周端面）において溶解が進行しすぎて主表面の内周側において主表面に対して隆起した球面形状の内周端面が生じ易いことがわかった。円環形状のガラス板の外周側では主表面に対して隆起した球面形状は生じ難い。円環形状のガラス板の主表面の内周側に隆起があると（内周端面が主表面に対して隆起した球面形状がある）と、その後の主表面の加工工程において両面研削や両面研磨を行う際に、円環形状のガラス板を水平に安定して配置できず、主表面において加工ムラができ、また、両面研削や両面研磨を行う際に円環形状のガラス板を保持する保持キャリアから円環形状のガラス板が飛び出すなどの問題が発生する場合がある。特に、板厚が０．６ｍｍ以下の円環形状のガラス板の端面にレーザ光を照射して端面研磨を行う場合、円環形状のガラス板の主表面の内周側に隆起が生じ易い（内周端面が主表面に対して隆起した球面形状になり易い）。
そこで、本発明は、円環状のガラス素板の内周端面及び外周端面をレーザ光の照射により溶解させることにより端面研磨を実現するとともに、内周端面（主表面の内周側）に隆起形状が生じない処理を含んだ円環状のガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。さらに、本発明は、円環形状のガラス板、磁気ディスク用ガラス基板、及び磁気ディスクを提供する。
本発明の一態様は、外周端面と内周端面とを有し、板厚が０．６ｍｍ以下の円環形状のガラス板の製造方法である。当該製造方法は、
円環形状のガラス素板の前記外周端面と前記内周端面にそれぞれレーザ光を照射することにより前記外周端面と前記内周端面を溶解させて溶解面を形成するとともに、前記外周端面及び前記内周端面における前記溶解面の表面粗さがいずれも算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下であって、かつ、前記内周端面における前記溶解面の表面粗さが前記外周端面における前記溶解面の表面粗さより大きくなるように前記レーザ光を照射して円環形状のガラス板を製造する処理を備える。
前記内周端面へ照射する前記レーザ光のパワー密度は、前記外周端面へ照射する前記レーザ光のパワー密度の８０％以下である、ことが好ましい。
前記円環形状のガラス板における前記内周端面及び前記外周端面が前記円環形状のガラス板の両側の主表面に対して隆起しないように、前記円環形状のガラス素板における前記内周端面及び前記外周端面に前記レーザ光を照射する、ことが好ましい。
前記円環形状のガラス板の製造方法では、
前記レーザ光と異なる切り出しレーザ光をガラス板に照射することによって略同心円に沿って欠陥を断続的に形成するとともに、前記欠陥を繋ぐように、内周円部と外周円部からなる線状の欠陥である円形状の分離境界線を前記ガラス板の主表面上に形成し、
前記外周円部の外側部分の加熱によって、前記ガラス板の前記外周円部の外側部分を前記外周円部の内側部分に比べて大きく熱膨張させて前記外周円部の前記内側部分と前記外周円部の前記外側部分とを分離し、
前記内周円部の外側部分の加熱によって、前記ガラス板の前記内周円部の前記外側部分を前記内周円部の内側部分に比べて大きく熱膨張させて前記内周円部の前記外側部分と前記内周円部の内側部分とを分離し、
前記ガラス板から前記外周円部の外側部分と前記内周円部の内側部分を除去して、前記円環形状のガラス素板を得ることが好ましい。
本発明の他の一態様も、外周端面と内周端面とを有し、板厚が０．６ｍｍ以下の円環形状のガラス板の製造方法である。当該製造方法は、
円環形状のガラス素板の前記外周端面と前記内周端面にそれぞれレーザ光を照射することにより前記外周端面と前記内周端面を溶解させて溶解面を形成するとともに、前記外周端面及び前記内周端面における前記溶解面の表面粗さがいずれも算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下であって、かつ、前記内周端面へ照射する前記レーザ光のパワー密度は、前記外周端面へ照射する前記レーザ光のパワー密度の８０％以下である。
本発明の他の一態様は、前記円環形状のガラス板の製造方法で製造される前記円環形状のガラス板の少なくとも主表面の研磨処理を行うことにより磁気ディスク用ガラス基板を製造する、ことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法である。
この場合、前記レーザ光の照射後、前記主表面の研磨の前に、前記円環形状のガラス板における前記内周端面及び前記外周端面に研磨ブラシによる端面研磨を行わない、ことが好ましい。
本発明の他の一態様は、前記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法により製造された磁気ディスク用ガラス基板の主表面に磁性膜を形成する、ことを特徴とする磁気ディスクの製造方法である。
本発明のさらに他の一態様は、外周端面と内周端面とを有し、板厚が０．６ｍｍ以下の円環形状のガラス板である。当該円環形状のガラス板の前記外周端面及び前記内周端面は溶解面であり、
前記外周端面及び前記内周端面における前記溶解面の表面粗さがいずれも算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下であって、かつ、前記内周端面における前記溶解面の表面粗さが前記外周端面における前記溶解面の表面粗さより大きく、
前記内周端面及び前記外周端面における前記溶解面は、前記円環形状のガラス板の両側の主表面に対して隆起しない。
本発明のさらに他の一態様は、外周端面と内周端面とを有し、板厚が０．６ｍｍ以下の磁気ディスク用ガラス基板である。当該磁気ディスク用ガラス基板の前記外周端面及び前記内周端面は溶解面であり、
前記外周端面及び前記内周端面における前記溶解面の表面粗さがいずれも算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下であって、かつ、前記内周端面における前記溶解面の表面粗さが前記外周端面における前記溶解面の表面粗さより大きく、
前記内周端面及び前記外周端面における前記溶解面が前記磁気ディスク用ガラス基板の両側の主表面に対して隆起せず、
前記主表面の表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．３ｎｍ以下である。
本発明のさらに他の一態様は、前記磁気ディスク用ガラス基板の前記主表面上に磁性膜を有する、ことを特徴とする磁気ディスクである。
上述の円環形状のガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法によれば、端面研磨時間を従来に比べて大幅に低減した端面研磨を実現するとともに、内周端面（主表面の内周側）に隆起形状が生じない円環形状のガラス板を作製することができる。
本実施形態で作製される磁気ディスク用ガラス基板の一例の斜視図である。 図１Ａに示す磁気ディスク用ガラス基板の外周端面の断面の一例を示す図である。 本実施形態の、ガラス板からガラス素板を切り出す方法の一例を説明する図である。 本実施形態の、ガラス板からガラス素板を切り出す方法の一例を説明する図である。 本実施形態の、ガラス板からガラス素板を切り出す方法の一例を説明する図である。 一実施形態のガラス板の製造方法で用いるガラス板の加熱を具体的に説明する図である。 一実施形態のガラス板の製造方法で用いるガラス板に形成する２つの分離境界線を説明する図である。 本実施形態で行う端面研磨処理の一例を説明する図である。 一実施形態のガラス板の製造方法で作製される円環形状のガラス板の内周端面の形状の一例を示す図である。 従来のガラス板の製造方法で作製される円環形状のガラス板の内周端面の形状の一例を示す図である。
本実施形態の円環形状のガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、円環形状のガラス板、磁気ディスク用ガラス基板、及び磁気ディスクについて説明する。
本明細書では、ガラス板、円環形状のガラス素板、円環形状のガラス板、磁気ディスク用ガラス基板の言葉を使用する。
円環形状のガラス素板は、ガラス板から円環形状に取り出した板である。この円環形状のガラス素板の内周端面及び外周端面にレーザ光を照射して端面研磨をしたものが円環形状のガラス板である。この円環形状のガラス板の主表面を研削、研磨、さらには洗浄を行い、必要に応じて化学強化処理を行ったものが磁気ディスク用ガラス基板である。
本実施形態の円環形状のガラス板の製造方法で製造される円環形状のガラス板の板厚は０．６ｍｍ以下である。円環形状のガラス素板を用いて円環形状のガラス板を作製するとき、主表面の研削及び研磨は行われないので、ガラス板および円環形状のガラス素板の板厚も０．６ｍｍ以下である。円環形状のガラス板を磁気ディスク用ガラス基板の素材として用いる場合、円環形状のガラス板の板厚が小さくなるほど、ハードディスクドライブ装置内に搭載される磁気ディスクの枚数を枚増やすことができる点で好ましい。本実施形態の円環形状のガラス板の製造方法では、板厚が０．６ｍｍ以下のガラス板から、同心円である内側円及び外側円に沿って円環形状のガラス素板を取り出し、取り出した円環形状のガラス素板の内周端面及び外周端面に、レーザ光の照射により端面研磨を行う。このレーザ光の照射により、外周端面及び内周端面に面取面が形成される。レーザ光の照射によって得られる円環形状のガラス板の主表面に、この後、研削及び研磨を行って、磁気ディスク用ガラス基板を作製する。
ここで、レーザ光の端面研磨処理（以下、単にレーザ研磨加工ともいう）では、円環状のガラス素板の外周端面と内周端面にそれぞれレーザ光を照射することにより外周端面と内周端面を溶解させて溶解面を形成するとともに、外周端面及び内周端面における溶解面の表面粗さがいずれも算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下であって、かつ、内周端面における溶解面の表面粗さが外周端面における溶解面の表面粗さより大きくなるようにレーザ光を照射して円環形状のガラス板をつくる。
溶解面は、円環形状のガラス素板の端面の表面近傍のガラスが局部的にガラス転移点よりも高い温度に加熱されて軟化、溶解状態となった状態から冷却した面であり、溶解状態を経ることで、表面には溶解前にあった微細な凹凸の大部分が消失している。溶解面は、レーザ光の照射面に形成される。
レーザ光の照射により、内周端面及び外周端面における溶解面の表面粗さは算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下となる。この結果、レーザ研磨加工以外の追加の端面研磨の処理時間を、ゼロにする、あるいは従来に比べて大幅に低減するとともに、内周端面（主表面の内周側）に隆起形状が生じない円環形状のガラス板を作製することができる。
なお、板厚が０．６ｍｍ以下の円環状ガラス板の２つの端面（内周端面、外周端面）を算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下にレーザ研磨加工をしようとすると、内周端面が球形状になってしまう問題が発生した。この問題の原因は必ずしも明確ではないが、円環形状のガラス素板の板厚が０．６ｍｍ以下と薄いこと、照射面がレーザ光の照射方向からみて凹形状であること、また、外周端面に照射する場合に比べて閉じた空間に近い空間内で照射することになること等の影響により、内周端面には外周端面よりも熱がこもり易く、その結果、球形状化が進行しやすいと想定される。
そこで本実施形態では、円環形状のガラス素板の端面（内周端面及び外周端面）にレーザ研磨加工を行うことで、内周端面における表面粗さが、外周端面における表面粗さより大きくなるように調節する。これにより、内周端面及び外周端面の表面を算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下の鏡面に研磨しつつ、内周端面の形状が球面形状になるのを抑制することができる。いずれの端面も算術平均Ｒａで０．１μｍ以下の鏡面とするが、このとき、内周端面における溶解面の算術平均粗さＲａは０．０１～０．１μｍであり、外周端面における溶解面の算術平均粗さＲａは０．００１～０．０５μｍであることが好ましい。
以下説明する円環形状のガラス板の製造方法の例では、円環形状のガラス素板をガラス板から取り出す分離処理を、レーザ研磨加工に用いるレーザ光と異なるレーザ光を用いて行う。ガラス板から円環形状のガラス素板を取り出すレーザ光を以降では、切り出しレーザ光といい、レーザ研磨加工で用いるレーザ光を端面研磨レーザ光という。なお、本実施形態の分離処理はレーザ光を用いて行うが、この分離処理は一例であり、レーザ光を用いた分離処理には限定されない。例えば、従来から用いられるスクライバを用いた割断を行うこともできる。
まず、最初に行うレーザ光を用いた分離処理を説明すると、ガラス板へ切り出しレーザ光を照射することによって略同心円に沿って欠陥を断続的に形成するとともに、欠陥を繋ぐように、内周円部と外周円部からなる線状の欠陥である円形状の分離境界線をガラス板の主表面上に形成する。当該略同心円における、内周円部と外周円部の中心位置のずれは、例えば１０μｍ以下である。
切り出しレーザ光の照射では、例えば、切り出しレーザ光の焦点位置が、ガラス板の主表面から見て円を描くように、切り出しレーザ光をガラス板に対して相対移動させることにより、ガラス板の内部に内周円部と外周円部となる２つの円形状のクラック開始部を形成する。その後、円形状のクラック開始部の各位置からクラックを進展させることにより、分離境界線を形成する。円環形状のガラス素板は、この分離境界線に沿ってガラス板から分離して取り出す。クラック開始部は、例えば、切り出しレーザ光の照射により傷、溶融、劣化、あるいは変質が生じた部分である。ここで、円形状のクラック開始部からクラックを進展させて円形状の分離境界線を形成するが、円形状の分離境界線をガラス板に形成してもガラス板からガラス素板を物理的に取り出すことができない場合が多い。このため、円形状の分離境界線に対してガラス板の外側部分を加熱して、ガラス素板を分離しガラス板から取り出す。本実施形態では、内周円部及び外周円部となる２つの円形状の分離境界線を同心円状に形成するので、外周円部の外側部分の加熱によって、外周円部の外側部分を、外周円部の内側部分に比べて相対的に大きく熱膨張させて外周円部の内側部分と外周円部の外側部分とを分離し、外側部分を除去する。さらに、内周円部の外側部分の加熱によって、内周円部の外側部分を、内周円部の内側部分に比べて相対的に大きく熱膨張させて内周円部の外側部分と内周円部の内側部分とを分離し、内側部分を除去する。こうして、内周円部の外側部分であって外周円部の内側部分にあたる、円孔のある円環形状のガラス素板を得ることができる。なお、上記外周円部の外側部分を加熱して、外側部分を内側部分から分離して除去する処理と、上記内側円部の外側部分を加熱して、内側部分を外側部分から分離して除去する処理との順番については、どちらの処理を先行してもよい。
なお、切り出しレーザ光の照射によって断続的に形成した欠陥を繋ぐように線状のクラックを形成して分離境界線を形成する場合、例えば、切り出しレーザ光とは別のレーザ光を用いて分離境界線を形成してもよい。
欠陥は、ガラスに形成される傷、溶融した部分、劣化あるいは変質した部分（以下、傷等という）、ガラス板の主表面から急激にへこんだ孔断面の小さい孔（貫通孔、非貫通孔を含む）、及びクラック等を含む。このような欠陥は、進展するクラック生成の核となる。欠陥を断続的に形成するとは、ガラス板上に、クラック生成の核となる傷等や孔断面の小さい複数の孔（貫通孔、非貫通孔を含む）を、間隔をあけてガラス板の厚さ方向にあけることを含む。また、分離境界線を形成するとは、断続的に形成された欠陥を線状に繋ぐ線状に延びる欠陥、例えばクラックを形成することを含む。クラックは、ガラス材に物理的な隙間が生じる顕在化したクラックの他に、物理的な隙間が生じないが、境界面を形成する潜在クラックも含む。ガラス板からガラス素板を分離することは、分離した縁が円形状の外周となるように、ガラス素板を取り囲む外側部分を除去すること、及び中心に円孔を形成するように、ガラス素板に囲まれた内側部分を除去することを含む。
この後、後述する研削・研磨処理の前に、端面研磨レーザ光を用いて内周端面及び外周端面の表面が滑らかな、具体的には算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下となるレーザ研磨加工を行う。その際、端面と主表面との境界は面取面も形成される。
ガラス板から分離処理により取り出した円環形状のガラス素板の分離面（内周端面及び外周端面）に端面研磨レーザ光を照射するとき、この端面研磨レーザ光の照射により形成される溶解面の表面粗さにおいて、内周端面の表面粗さが外周端面の表面粗さより大きくなるように溶解させる。
この後、円環形状のガラス板の主表面の研削及び研磨の少なくとも一方を行う。
その際、端面研磨レーザ光の照射により内周端面及び外周端面における溶解面の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下であり、真円度が１５μｍ以下となる円環形状のガラス板を形成することが、レーザ研磨加工以外の追加の端面研磨を省略でき、あるいは追加の端面研磨の研磨時間を短くすることができるので好ましい。上記内周端面及び外周端面における溶解面の表面粗さは、０．０５μｍ以下であることがより好ましい。
真円度の測定は、例えば、円環形状のガラス板の板厚よりも厚い板状のプローブを円環形状のガラス板の主表面に対して垂直方向に、端面と対向するように配置し、円環形状のガラス板を円周方向に回転させることで輪郭線を取得し、この輪郭線の内接円と外接円との半径の差を円環形状のガラス板の真円度として算出する。なお、真円度の測定には、例えば、真円度・円筒形状測定装置を用いることができる。
算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠した値である。算術平均粗さＲａを求めるために行なう円環形状のガラス板の端面の表面形状の計測は、レーザ顕微鏡を用いて、５０μｍ四方の評価領域にて以下の条件で行なわれる。観察倍率：３０００倍、高さ方向（Ｚ軸）の測定ピッチ：０．０１μｍ、カットオフ値λｓ：０．２５μｍ、カットオフ値λｃ：８０μｍ。
なお、高さ方向の分解能は１ｎｍ以下であることが好ましい。また、本実施形態では観察倍率３０００倍であるが、観察倍率は測定面の大きさに応じて、１０００～３０００倍程度の範囲で適宜選択される。
上述の切り出しレーザ光の照射では、切り出しレーザ光の焦点位置をガラス板の厚さ方向の内部に位置するように、レーザ光源の光学系を調整してもよい。焦点位置に光エネルギが集中して局所的に加熱して、クラック開始部をガラス内部に形成させる。この後、クラック開始部から主表面に向かってクラックを進展させる。クラックによって形成される割断面は表面粗さが小さい。また、焦点位置の軌跡となる円は、切り出しレーザ光をガラス板に精度よく相体移動することが可能な移動機構等によって高い真円度を実現することができる。また、ガラス板から分離して取り出した円環形状のガラス素板の分離面の算術平均粗さＲａが大きく真円度が低い場合があるが、分離面の法線方向から端面研磨レーザ光を分離面に照射して分離面近傍のガラスを熱によって溶かしながら面取面を形成することにより、端面研磨レーザ光の照射による面取面の形成と同時に、端面研磨レーザ光の照射により分離面の表面粗さを小さくし、かつ、真円度の精度を高めることができる。これにより、溶解面の表面粗さを算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下にすることができ、真円度を１５μｍ以下とすることができる。真円度は、一実施形態によれば、０．１～１５μｍにすることができる。真円度は、好ましくは１０μｍ以下であり、より好ましくは７μｍ以下、より一層好ましくは５μｍ以下である。
以下、本実施形態の円環形状のガラス板の製造方法の一例として磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図１Ａは、本実施形態で作製される磁気ディスク用ガラス基板の一例の斜視図である。図１Ｂは、図１Ａに示す磁気ディスク用ガラス基板の外周端面の断面の一例を示す図である。図１Ａに示す磁気ディスク用ガラス基板（以下、ガラス基板という）１は、中心に円孔が設けられた円環形状の薄板のガラス基板である。磁気ディスク用ガラス基板のサイズは問わないが、磁気ディスク用ガラス基板は、例えば、公称直径２．５インチや３．５インチの磁気ディスク用ガラス基板のサイズである。公称直径３．５インチの磁気ディスク用ガラス基板の場合、例えば、外径（公称値）は、９５ｍｍ～９７ｍｍであり、内径（公称値）は２５ｍｍである。公称直径２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板の場合、例えば、外径（公称値）は、６５ｍｍ～６７ｍｍであり、内径（公称値）は２０ｍｍである。磁気ディスク用ガラス基板の板厚は、例えば０．２０ｍｍ～０．６ｍｍ、好ましくは０．３０ｍｍ～０．６ｍｍであり、好ましくは、０．３０ｍｍ～０．５３ｍｍである。このガラス基板１の主表面上に磁性層が形成されて磁気ディスクが作られる。
ガラス基板１は、一対の主表面１１ｐ，１２ｐ、外周端面に形成された側壁面１１ｗ、側壁面１１ｗと主表面１１ｐ，１２ｐの間に介在する面取面１１ｃ，１２ｃ、内周端面にも、外周端面と同様に形成された、図示されない側壁面、及び、この側壁面１１ｗと主表面１１ｐ，１２ｐの間に介在する図示されない面取面とを備える。ガラス基板１は、中心に円孔を有する。側壁面１１ｗは、ガラス基板１の板厚方向の中心位置を含む。図１Ｂに示す面取面１１ｃの長さＣは長いが、図１Ｂに示す長さＣより短くてもよい。図１Ｂに示すように面取面１１ｃ，１２ｃは、エッジが丸まり、主表面１１ｐ、１２ｐから側壁面１１ｗに滑らかに連続する曲面状である。面取面１１ｃ，１２ｃも、その断面形状において、図１Ｂに示すような曲面状に傾斜した面取面でなく、直線状の面取面であってもよい。
このようなガラス基板１の作製では、予め作製されたガラス板から切り出しレーザ光を用いて円環形状のガラス素板を取り出す分離処理が行われる。図２Ａ，２Ｂ及び図３は、ガラス板２０から円環形状のガラス素板を取り出す一実施形態の分離処理を説明する図である。ガラス板２０は、例えば、フローティング法あるいはダウンドロー法を用いて作製された０．６ｍｍ以下の板厚のガラス板である。あるいは、ガラスの塊を、金型を用いてプレス成形したガラス板であってもよい。ガラス板２０の板厚は、最終製品である磁気ディスク用ガラス基板になる時の目標板厚に対して、研削及び研磨の取り代量の分だけ厚く、例えば、数１０μｍ程度厚い。
レーザ光源３０は、レーザ光Ｌ１（切り出しレーザ光）を出射する装置であり、例えば、ＹＡＧレーザ、あるいは、ＮＤ：ＹＡＧレーザ等の固体レーザが用いられる。したがって、レーザ光Ｌ１の波長は、例えば、１０３０ｎｍ～１０７０ｎｍの範囲にある。レーザ光Ｌ１は、パルスレーザであり、一実施形態では、レーザ光Ｌ１によるパルス幅を１０ －１２ 秒以下（１ピコ秒以下）であることが、レーザ光Ｌ１の焦点位置Ｆにおけるガラスの過度な変質を抑制することができる点から好ましい。また、レーザ光Ｌ１の光エネルギは、パルス幅及びパルス幅の繰り返し周波数に応じて適宜調整することができる。パルス幅及び繰り返し周波数に対して過度な光エネルギを提供すると、ガラスが過度に変質し易くなり、焦点位置Ｆに残渣が存在し易い。このレーザ光Ｌ１の照射によって、離散的な位置に欠陥を断続的に形成することができる。
図２Ｂに示す例では、レーザ光Ｌ１の焦点位置Ｆをガラス板２０の板厚方向の板厚の内部に位置するように、レーザ光源３０の光学系を調整する。これにより、焦点位置Ｆに光エネルギが集中して局所的に加熱され、傷、溶融、劣化あるいは変質によるクラック開始部（クラック生成の核）が形成される。焦点位置Ｆは、ガラス板２０の表面から見て円を描くように、ガラス板２０に対して相対移動するので、クラック開始部は、円弧線に沿って形成されることになる。クラック開始部の形成によりクラックが発生し、さらに必要に応じて、ガラス板２０の加熱、あるいは、別のレーザ光の照射等により、図３に示すように、クラック開始部の各位置からクラックＣをガラス内部に発生させ、主表面に向かってクラックＣを進展させる。さらに、クラックＣは、隣にあるクラック開始位置まで進展する。これにより、円形状の分離境界線を作成することができる。ガラス板から中心に円孔を備える円環形状のガラス素板を作製するために、外周円部と内周円部の２つの分離境界線が形成される。
なお、図３に示す形態は一例であって、焦点位置Ｆは、板厚方向の板厚の内部に位置しなくてもよい。たとえば、焦点位置Ｆは、ガラス板２０の主表面上でもよい。
ガラス板２０に断続的に形成する欠陥の隣り合う欠陥との距離は、数μｍ程度、例えば１～１０μｍである。
分離境界線が形成された後、加熱によるガラス板の熱膨張を利用してガラス板２０からガラス素板を分離し取り出す。
図４は、一実施形態の円環形状のガラス板の製造方法で用いる円環形状のガラス素板を作る素材であるガラス板２０の加熱を具体的に説明する図である。図４は、円形状の外周円部の分離境界線に対してガラス板２０の外側部分を除去する場合の例を説明している。図５は、一実施形態の円環形状のガラス板の製造方法で用いるガラス板２０に形成する２つの分離境界線を説明する図である。
ガラス板２０の加熱では、図４に示すように、ガラス板２０に形成された分離境界線４２に対して外側部分４４をヒータ５０，５２の間の加熱空間に配置し、内側部分４６を加熱空間の範囲外に配置する。これにより、外側部分４４の加熱を行うことができる。このとき、外側部分４４の加熱の程度は、内側部分４６に比べて高くなるので、外側部分４４の熱膨張量を内側部分４６の熱膨張量よりも大きくすることができる。この結果、外側部分４４は図５に示すように外側に向かって熱膨張する。このため、外側部分４４と内側部分４６の界面に確実に隙間を形成することができる。したがって、外側部分４４と内側部分４６の分離を確実にすることができる。
すなわち、ガラス板２０に形成された外周円部の分離境界線４２ａ（図５）の外側部分４４の加熱によって、ガラス板２０の外周円部の外側部分４４を、外周円部の内側部分４６に比べて相対的に大きく熱膨張させて外周円部の内側部分４６と外周円部の外側部分４４とを分離し、外周円部の内側部分４６を取り出すことができる。
さらに、中心に円孔があいた円環形状のガラス素板を作製するために、内周円部の分離境界線４２ｂ（図５）の外側部分４４の加熱によって、ガラス板２０の内周円部の外側部分４４を、内周円部の内側部分４６に比べて相対的に大きく熱膨張させて内周円部の内側部分４６と内周円部の外側部分４４を分離し、内周円部の外側部分４４を取り出すことができる。
これにより、ガラス板２０から円環形状のガラス素板２８（図６参照）を、ガラス板２０に大きな力を加えることなく容易に取り出すことができる。
なお、一実施形態によれば、図２Ｂに示す焦点位置Ｆは、ガラス板２０の主表面からガラス板２０の板厚の３分の１～３分の２の範囲内にある、ことが好ましい。この範囲に焦点位置Ｆを設けることにより、真円度及び表面粗さが目標値に近い分離面を形成することができるので、レーザ研磨加工以外に追加の端面研磨をしなくてよい場合があり、生産効率を向上させることができる。
また、一実施形態によれば、焦点位置Ｆは、ガラス板２０の主表面からガラス板２０の板厚の３分の１未満の範囲内にあることも好ましい。この場合、ガラス板２０の主表面では分離面に比べて残渣が形成されやすく表面粗さが低下するが、焦点位置Ｆ近傍は、後述する面取り処理により除去される部分となる。このため、焦点位置Ｆは、ガラス板２０の主表面からガラス板２０の板厚の３分の１未満の範囲内にあることが好ましい。
一実施形態によれば、レーザ光Ｌ１は、パルス幅が１０－１２秒以下のパルスレーザ光である、ことが好ましい。パルス幅が１０－１２秒超の場合、焦点位置Ｆに光エネルギが集中し焦点位置Ｆ近傍のガラスが変質し、表面粗さを低下させ易い。
図２Ａに示すレーザ光Ｌ１（切り出しレーザ光）と図４に示す加熱を用いて、ガラス板２０から円環形状のガラス素板２８を取り出したときの円環形状のガラス素板２８の端面（内周端面及び外周端面）の表面粗さは、算術平均粗さＲａで１μｍ以下とすることが好ましい。Ｒａが１μｍ超であると、この後に行うレーザ研磨加工によって粗さを十分に低下できない場合がある。
こうしてガラス板２０から分離して得られる円環形状のガラス素板２８（図６参照）の端面（内周端面及び外周端面）にレーザ研磨加工が行われる。具体的には、レーザ光Ｌ１と異なる種類のレーザ光Ｌ２（端面研磨レーザ光）で端面研磨を行いつつ、面取面を形成する。この場合、円環形状のガラス素板２８をレーザ光Ｌ２に対して相対的に移動させながら端面に照射して端面研磨をする。具体的に、レーザ光Ｌ２の照射により、内周端面及び外周端面における溶解面の表面粗さを算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下にすることができ、同時に面取面を形成することができる。
図６は、本実施形態で行う端面研磨処理の一例を説明する図である。図６に示す端面研磨処理では、分離面の法線方向からレーザ光Ｌ２を分離面に照射することにより、分離面近傍のガラスの一部を、レーザ光Ｌ２の照射により加熱して溶解させ、分離面に面取面を形成する。このため、レーザ光Ｌ２の照射により分離面の表面粗さを小さくし真円度を高めることができる。レーザ光Ｌ２の強度、スポット径を適宜設定することにより、面取面を形成しつつ、分離面の表面粗さを小さくし真円度を向上させることができる。したがって、レーザ光Ｌ２は、端面研磨レーザ光である。
レーザ光Ｌ２は、レーザ光源から出射したレーザ光Ｌ２を、コリーメータ等を含む光学系を通して平行光とした後、集束レンズ３４を介して端面研磨レーザ光Ｌ２を集束させた後の拡張するレーザ光Ｌ２を分離面に照射する。一方、円環形状のガラス素板２８は、円環形状のガラス素板２８の中心位置を回転中心として一定速度で回転させる。こうして、レーザ光Ｌ２と分離面とを、ガラス素板２８の周方向にお互いに相対的に移動させながら、レーザ光Ｌ２は円環形状のガラス素板２８の分離面の全周を照射する。ここで、レーザ光Ｌ２の分離面への照射は、照射する分離面の法線方向から行うが、法線方向には、完全な法線方向（傾斜角度０度）の他に、法線方向に対して傾斜角度０度±１０度の範囲内で傾斜した方向も許容誤差範囲として含まれる。さらには、傾斜角度０度±１０度の範囲外であって、法線方向に対して傾斜角度０度±４５度の範囲内で傾斜させてもよい。
図６に示す例では、ガラス素板２８の外周端面２８ａを分離面として面取面を形成するが、さらに、円環形状のガラス素板２８の中心に設けられた円孔を形成する内周端面２８ｂを分離面としてこの分離面に面取面を形成する。レーザ光Ｌ２を照射された分離面近傍のガラスは、軟化溶解状態になるので、分離面は、面取面を有する溶解面となる。さらに、円環形状のガラス素板２８から得られる円環形状のガラス板の外周端面及び内周端面における溶解面の表面粗さをいずれも算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下にすることができる。
このとき、外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂに照射するレーザ光Ｌ２の断面強度分布はシングルモードであることが好ましい。すなわち、レーザ光Ｌ２の断面強度分布は、ガウス分布である。このようなレーザ光Ｌ２の、外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂにおける照射位置上の光束（図６では、外周端面２８ａにおける斜線領域）の円環形状のガラス素板２８の厚さ方向の幅をＷ１［ｍｍ］とし、円環形状のガラス素板２８の板厚をＴｈ［ｍｍ］とし、レーザ光Ｌ２のパワー密度をＰｄ［Ｗ／ｍｍ２］としたとき、レーザ光Ｌ２の照射では、Ｗ１＞Ｔｈであって、Ｐｄ×Ｔｈは、０．８～３．５［Ｗ／ｍｍ］である条件を用いることが好ましい。ここで、レーザ光Ｌ２の光束は、円環形状のガラス素板２８の厚さ方向の両側にはみ出すように照射される。また、レーザ光Ｌ２の外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂの両側にはみ出す幅を同等とすることで、円環形状のガラス素板２８の厚さ方向の両側において面取りを均等に行うことができ、２つの面取面の形状を同等にすることができる。パワー密度Ｐｄは、レーザ光Ｌ２の全パワーＰ［Ｗ］を、レーザ光Ｌ２の照射する部分における光束の面積で割った値である。レーザ光Ｌ２の光束が、短軸半径がＷ１／２、長軸半径がＷ２／２である楕円形状を成している場合、パワー密度Ｐｄは４×Ｐ／Ｗ１／Ｗ２／π［Ｗ／ｍｍ２］（πは円周率）と規定される。
光束の幅Ｗ１及び長さＷ２は、レーザ光Ｌ２の円環形状のガラス素板２８の照射位置を、例えば２枚のシリンドリカルレンズを用いて調整することで設定することができる。また、幅Ｗ１はビームプロファイラから求めることができ、長さＷ２は、ビームプロファイラによるビーム形状とガラス板の直径Ｄから求めることができる。
レーザ光Ｌ２の幅Ｗ１を、円環形状のガラス素板２８の板厚Ｔｈより大きくすることにより、外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂの主表面側（厚さ方向両側）の側端にもレーザ光Ｌ２を十分に照射させることができ、熱によって円環形状のガラス素板２８の一部を軟化溶解させることにより、面取面を形成することができる。
レーザ光Ｌ２の幅Ｗ１の、円環形状のガラス素板２８の板厚Ｔｈに対する比であるＴｈ／Ｗ１を大きくし過ぎる（すなわち、Ｔｈ／Ｗ１が１に近づきすぎる）と、レーザ光Ｌ２の強度分布の勾配が急峻な範囲の影響を受け、円環形状のガラス素板２８のエッジ部分の加熱が弱くなるとともに、円環形状のガラス素板２８の外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂの厚さ方向の中心部分の加熱は強くなる。そのため、外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂが球面形状の端面になりやすく好ましくない。また、Ｔｈ／Ｗ１を小さくし過ぎると、外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂへのレーザ光Ｌ２による加熱が小さくなりすぎて面取面の形成が困難になる場合がある。上記観点より、Ｔｈ／Ｗ１は０．３～０．９の範囲内であることが好ましい。
一方、レーザ光Ｌ２のパワー密度Ｐｄが過度に低い場合、外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂの加熱が十分でなく面取面が形成されない。一方、パワー密度Ｐｄが過度に高い場合、外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂ全体が熱によって球形状に丸まり、球形状の厚さ方向の厚さが、円環形状のガラス素板２８の板厚Ｔｈよりも大きくなる。
このため、照射の条件として、Ｗ１＞Ｔｈとし、Ｐｄ×Ｔｈ＝０．８～３．５［Ｗ／ｍｍ］とすることが好ましい。Ｐｄ×Ｔｈは、３．０［Ｗ／ｍｍ］以下であることが好ましく、より好ましくは１．０～２．８［Ｗ／ｍｍ］であり、よりいっそう好ましくは１．２～２．３［Ｗ／ｍｍ］である。
Ｐｄ×Ｔｈ＝０．８～３．５［Ｗ／ｍｍ］とするので、円環形状のガラス素板２８の板厚Ｔｈが薄くなり、照射条件がＰｄ×Ｔｈ＝０．８～３．５［Ｗ／ｍｍ］からはずれる場合、パワー密度Ｐｄを高めることを意味する。パワー密度Ｐｄを高めることで、レーザ光Ｌ２による円環形状のガラス素板２８の照射面積が小さくなった分をパワー密度Ｐｄで補うことができ、面取面を形成することができる。 なお、円環形状のガラス素板２８の厚さ方向の両側に同じ形状の面取面を同時に形成するために、レーザ光Ｌ２の幅方向の光束の中心位置を、円環形状のガラス素板２８の厚さ方向の、円環形状のガラス素板２８の真ん中の位置に合わせることが好ましい。
このようなレーザ光Ｌ２の照射により、円環形状のガラス素板２８の外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂの形状を目標形状からばらつくことなく目標形状に揃えることができ、面取面を形成することができる。しかも、外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂの表面を滑らかにすることができる。
上述したようにＰｄ×Ｔｈの値の範囲を制限して面取面を形成することができるが、Ｐｄ×Ｔｈの値とレーザ光Ｌ２の円環形状のガラス素板２８に対する移動速度の値とを制御して外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂにレーザ光Ｌ２を照射することにより、円環形状のガラス素板２８の外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂに、面取面を効率よく形成することができる。また、Ｐｄ×Ｔｈの値と移動速度の値とをさらに詳細に制御することにより面取面のみならず、円環形状のガラス素板２８の主表面に垂直な面、すなわち側壁面１１ｗを形成することができる。これにより、外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂの形状を、目標形状に対してばらつくことなく揃えることができる。しかも、外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂの表面を滑らかにすることができる。この場合、面取面形成前の円環形状のガラス素板２８の外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂは、円環形状のガラス素板２８の厚さ方向の少なくとも中心部において主表面に対して垂直な面を有する。円環形状のガラス素板２８の外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂへのレーザ光Ｌ２の照射によって円環形状のガラス素板２８の外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂの厚さ方向の両側のエッジ部（主表面と外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂとの境界部分）、例えば直角に曲がった角部を軟化及び／又は溶解させて、外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂのエッジ部を、丸みを帯びた形状に面取りするとともに、面取り後の外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂに、円環形状のガラス素板２８の厚さ方向の両側の面取面に挟まれた主表面に垂直な面（側壁面１１ｗ）を形成することができる。特に、外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂは、主表面に垂直な長さが板厚Ｔｈの１０分の１以上の面（側壁面１１ｗ）と、面取面とを備えることが好ましい。上記垂直な面（側壁面１１ｗ）の長さは、円環形状のガラス素板２８の板厚Ｔｈの５分の１以上であることがより好ましい。
レーザ光Ｌ２の照射により面取面とともに形成される上記垂直な面（図１Ｂに示す側壁面１１ｗ）は、一実施形態によれば、レーザ光Ｌ２の照射により面取面が形成される前の外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂの主表面に垂直な面と異なり、新たに形成される面、すなわち溶解面であり、表面粗さＲｚおよび算術平均粗さＲａは、レーザ光Ｌ２の照射により低減する。また、円環形状の円環形状のガラス素板２８の中心位置から垂直な面（側壁面１１ｗ）までの半径方向の距離は大きくなる。
なお、円環形状のガラス素板２８の主表面に垂直な面（側壁面１１ｗ）とは、主表面に対して９０度±２度の範囲を許容範囲とする面である。
一実施形態によれば、外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂの目標形状として、面取面１１ｃ（図１Ｂ参照、湾曲した曲面形状の面取面を含む）の主表面１２の径方向に沿った長さをＣとし、板厚Ｔｈに対する比であるＣ／Ｔｈが、０．１～０．７となるように、照射の条件Ｐｄ×Ｔｈが設定される、ことが好ましい。Ｃ／Ｔｈを０．１～０．７とすることにより、面取面１１ｃと主表面１１ｐ，１２ｐとの接続部分に角部のない面取面１１ｃの機能を発揮させることができる。また、Ｃ／Ｔｈが０．１未満の場合、面取面１１ｃの形成が不十分となり、後の成膜工程等においてエッジがかけやすくなる恐れがある。また、Ｃ／Ｔｈが０．７超の場合、主表面１１ｐ，１２ｐ上のデータ記録領域が少なくなってしまう恐れがある。したがって、Ｐｄ×Ｔｈを１．２～２．３［Ｗ／ｍｍ］の範囲内で調整することにより、Ｃ／Ｔｈを調整することができる。Ｃ／Ｔｈは０．２５～０．５とすることがより好ましい。
一実施形態によれば、外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂの目標形状として、側壁面１１ｗ（図１Ｂ参照）の厚さ方向に沿った長さをＴ［ｍｍ］とし、長さＴの板厚Ｔｈに対する比であるＴ／Ｔｈが、０．１～０．８となるように、照射条件を設定することが好ましい。Ｔ／Ｔｈが、０．１未満の場合、側壁面１１ｗの形成が不十分となり、円環形状のガラス素板２８及び磁気ディスク用ガラス基板１の外径または内径の測定が難しくなるため、測定バラツキが発生して生産管理が困難になる恐れがある。また、Ｔ／Ｔｈが０．８超の場合、面取面１１ｃ，１２ｃの形成が不十分となり、後工程で磁性膜を形成する成膜工程等においてエッジがかけやすくなる恐れがある。
また、図６に示すように、レーザ光Ｌ２の照射位置を円環形状のガラス素板２８の周方向に沿って相対的に移動させて形状加工を行う際、レーザ光Ｌ２の照射位置における光束の周方向の長さＷ２（図６では、外周端面２８ａにおける斜線領域の周方向の長さ）をある程度長くして、レーザ光Ｌ２による加熱による外周端面２８ａ，内周端面２８ｂの温度を徐々に高め、照射位置の周方向の中心点で最大の温度となるように、レーザ光Ｌ２による外周端面２８ａ，内周端面２８ｂの加熱を効果的に行うことが好ましい。こうすることで、レーザ光Ｌ２の照射位置における移動速度を大きくできるため、加工時間を短縮することができる。一実施形態によれば、外周端面２８ａ，内周端面２８ｂに照射されるレーザ光Ｌ２の光束の、円環形状のガラス素板２８の円盤形状の周方向の長さＷ２の円環形状のガラス素板２８の直径Ｄに対する比であるＷ２／Ｄは、０．０３～０．２である、ことが好ましい。Ｗ２／Ｄが０．０３未満の場合、長さＷ２が相対的に短くなるため、外周端面２８ａ，内周端面２８ｂの温度を徐々に高めることが十分にできない。Ｗ２／Ｄが０．２超の場合、長さＷ２が相対的に長くなるため、この場合、レーザ光Ｌ２の円環形状のガラス素板２８の照射位置（レーザ光Ｌ２の照射方向における位置）が、円環形状のガラス素板２８の曲率によって大きく変化し、その結果光束が広がって、周方向において効率良く加熱を行うことが困難になる。一実施形態によれば、外周端面２８ａ，内周端面２８ｂに照射するレーザ光Ｌ２の光束は、楕円形状をしていることが好ましい。
なお、レーザ光Ｌ２の照射により外周端面２８ａ，内周端面２８ｂは、パワー密度Ｐｄを徐々に大きくしていくと、円環形状のガラス素板２８の直径が、外周端面２８ａ，内周端面２８ｂの形状が丸まることにより数１０μｍ～数１００μｍ増加し、さらにパワー密度Ｐｄを増大させると、丸まる範囲が広がって厚さ方向の長さが広がり球面形状となり、これにより円環形状のガラス素板２８の直径が減少する。すなわち、面取面の形成後の円環形状のガラス素板２８の直径は、パワー密度Ｐｄの大きさによって変化する。円環形状のガラス素板２８は、外径が目標とする円環形状のガラス素板２８の直径に比べて小さくなることは好ましくない。また、外周端面２８ａ，内周端面２８ｂの過度な加熱により球面形状もばらつき易くなり、円環形状のガラス素板２８の直径を一定に揃えることができず、好ましくない。このため、レーザ光Ｌ２の照射により形成された円環形状のガラス素板２８の直径は、レーザ光Ｌ２の照射前の円環形状のガラス素板２８の直径に比べて増大するようにパワー密度Ｐｄは設定される、ことが好ましい。
レーザ光Ｌ２の外周端面２８ａ，内周端面２８ｂに沿って移動する移動速度は、０．７～１４０ｍｍ／秒である、ことが好ましい。ここで、移動速度とは外周端面２８ａ，内周端面２８ｂに対する相対的な移動速度である。レーザ光Ｌ２による面取処理は、加工効率の点から、円環形状のガラス素板２８の周りをレーザ光Ｌ２が１周回転した時、面取面の加工が完了することが好ましい。ここで、移動速度が１４０ｍｍ／秒を超える場合、加工を完了するタイミングが取りづらくなり、加工の開始点と終点とを一致させることが困難になる恐れがある。また、移動速度が０．７ｍｍ／秒より低いと、僅かなＰｄ×Ｔｈの変化によって外周端面２８ａ，内周端面２８ｂの形状が変わるため、外周端面２８ａ，内周端面２８ｂの形状の制御が難しくなる。例えば、側壁面１１ｗと面取面１１ｃ，１２ｃとが目標の形状になるとしても、Ｐｄ×Ｔｈを少し増加させただけで、外周端面２８ａ，内周端面２８ｂが過度に熱されて上述した球面形状になりやすいため、安定した生産が行いにくい。これらの点から、上記移動速度は、０．７～１４０ｍｍ／秒であることが好ましい。
なお、移動速度は２０～１４０ｍｍ／秒であるとより好ましい。移動速度が２０ｍｍ／秒以上であると、Ｐｄ×Ｔｈの変化に対する外周端面２８ａ，内周端面２８ｂの形状の変化が比較的穏やかになる上、加工時間短縮により生産性が向上する。このため、移動速度は２０～１００ｍｍ／秒であるとより好ましい。
なお、レーザ光Ｌ２による端面研磨処理を促すために、当該レーザ光Ｌ２による端面研磨処理の際に円環形状のガラス素板２８の温度を室温より高い温度にすることが好ましい。このとき、Ｔｇ－５０℃（Ｔｇは円環形状のガラス素板２８のガラス転移点温度）以下であることが好ましい。さらに、面取処理時の円環形状のガラス素板２８の温度は、１５０～４００℃の範囲にすることがより好ましい。円環形状のガラス素板２８の温度が１５０℃未満であると、面取面の形成が十分に得られない場合がある。円環形状のガラス素板２８の温度が４００℃より高いと、円環形状のガラス素板２８が変形し外周端面２８ａ，内周端面２８ｂにレーザ光Ｌ２を照射することが困難になる場合がある。円環形状のガラス素板２８を加熱する方法としては、例えば、当該面取面の形成前に円環形状のガラス素板２８を加熱し、また、当該面取面の形成を行いながら円環形状のガラス素板２８を加熱することができる。円環形状のガラス素板２８を、レーザ光を用いて加熱する場合、加熱用レーザ光の照射スポット径は特に限定はないが、円環形状のガラス素板２８の径の３／４以上とすることが、加熱効率を上げやすいため好ましい。また、加熱用のレーザ光が主表面を走査するようにしてもよいし、複数の加熱用レーザ光を用いてもよい。この加熱用レーザ光として、例えばＣＯ２レーザを使用することができる。ＣＯ２レーザの光は一般的にガラスに９９％以上吸収されるため、効率よくガラス素板２８を加熱することができる。
なお、レーザ光Ｌ２の照射による面取りを行いながら円環形状のガラス素板２８の加熱を行う場合、レーザ光Ｌ２による加熱との相乗効果によって温度制御が難しくなるため、外周端面２８ａ，内周端面２８ｂの形状のバラツキが大きくなる場合がある。したがって、円環形状のガラス素板２８を加熱する場合、レーザ光Ｌ２の照射による面取処理に先立って円環形状のガラス素板２８の加熱を行うことが好ましい。この場合、面取りの際に円環形状のガラス素板２８を適宜保温することが好ましい。
このようなレーザ光Ｌ２の照射条件及び円環形状のガラス素板２８の回転動作条件を用いて内周端面２８ｂ及び外周端面２８ａに溶解面を形成する場合、内周端面２８ｂと外周端面２８ａに対して同じ条件を用いると、内周端面２８ｂが球面形状になり、主表面の内周側に主表面に対して隆起した隆起形状が形成され易い。主表面の内周側に隆起形状が生じやすい理由は、内周端面におけるレーザ光Ｌ２の照射では、内周端面２８ｂに対するレーザ光Ｌ２の相対移動速度が外周端面２８ａにおける相対移動速度に比べて小さく、過度にレーザ光Ｌ２が照射されることに起因すると想定される。
図７Ａは、一実施形態のガラス板の製造方法で作製される円環形状のガラス板の隆起形状のない内周端面２８ｂの形状の一例を示す図である。図７Ｂは、従来のガラス板の製造方法で作製される円環形状のガラス板の隆起形状のある内周端面２８ｂの形状の一例を示す図である。図７Ｂに示すように、球面形状の内周端面２８ｂは、球面形状になって厚さ方向において主表面よりも隆起している。このため、端面研磨処理後に行う両側の主表面の研削あるいは研磨を行う際に、円環形状のガラス板を水平に安定して配置できず、主表面において加工ムラができ、また、両側の主表面の研削や研磨を行う際に円環形状のガラス板を保持する保持キャリアから円環形状のガラス板が飛び出すなどの問題が発生する場合がある。
このため、内周端面に隆起形状が生じないように、レーザ光Ｌ２の照射条件及び円環形状のガラス素板２８の回転動作条件を、外周端面に照射する際のレーザ光Ｌ２の照射条件及び円環形状のガラス素板２８の回転動作条件と異なるように変更する。
この場合、上記条件を種々設定することにより隆起形状の無い内周端面を形成することができるが、内周端面における溶解面の表面粗さは外周端面における溶解面の表面粗さよりも大きくなる。この理由は、明確ではないが、レーザ光Ｌ２を内周端面２８ｂに照射する場合、照射面がレーザ光Ｌ２の照射方向からみて凹形状であること、また、外周端面２８ａに照射する場合に比べて閉じた空間に近い空間内で照射することになること等の影響により、内周端面２８ｂには外周端面２８ａよりも熱がこもり易く、その結果、球形状化が進行しやすいと想定される。具体的には、内周端面２８ｂにおいて外周端面２８ａと同等の溶解面の形状にしようとすると、容易に球面状形状になってしまう。内周端面２８ｂ及び外周端面２８ａにおいて算出平均粗さＲａで０．１μｍ以下の溶解面を形成する場合、内周端面２８ｂにおける溶解面の表面粗さを、外周端面２８ａにおける溶解面の表面粗さよりも大きくするように調節することで、内周端面２８ｂにおける溶解面が球状面形状とならないようにできることを本願発明者は見出した。
したがって、本実施形態では、内周端面２８ｂにおける溶解面の表面粗さが外周端面２８ａにおける溶解面の表面粗さより大きくなるようにレーザ光Ｌ２を照射して円環形状のガラス板を作製する。レーザ研磨加工において、内周端面２８ｂにおける算術平均粗さＲａは、外周端面における算術平均粗さＲａよりも０．０１μｍ以上大きくなるようにすることが好ましい。このようにすることで、主表面の内周側の隆起の発生を抑制することができる。
一実施形態によれば、内周端面２８ｂへ照射するレーザ光Ｌ２のパワー密度Ｐｄは、外周端面２８ａへ照射するレーザ光Ｌ２のパワー密度Ｐｄの８０％以下であることが好ましい。この場合、パワー密度Ｐｄ以外の条件は外周端面の照射の場合と同じであることが、外周端面２８ａにおける形状と同じ形状を内周端面２８ｂに形成する点から好ましい。内周端面２８ｂへ照射するレーザ光Ｌ２のパワー密度Ｐｄは、外周端面２８ａへ照射するレーザ光Ｌ２のパワー密度Ｐｄの８０％超の場合、内周端面２８ｂが球面形状になり隆起形状を生じやすい。
したがって、一実施形態によれば、円環状のガラス素板２８の外周端面２８ａと内周端面２８ｂにそれぞれレーザ光Ｌ２を照射することにより外周端面２８ａと内周端面２８ｂを溶解させて溶解面を形成するとともに、外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂにおける溶解面の表面粗さがいずれも算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下であって、かつ、内周端面２８ｂへ照射するレーザ光Ｌ２のパワー密度Ｐｄを、外周端面２８ａへ照射するレーザ光Ｌ２のパワー密度Ｐｄの８０％以下にするようにレーザ光を照射して円環形状のガラス板を製造することもできる。
一実施形態によれば、円環形状のガラス板における内周端面及び外周端面が円環形状のガラス板の両側の主表面に対して隆起しないように、円環形状のガラス素板２８における内周端面２８ｂ及び外周端面２８ａにレーザ光Ｌ２を照射することが好ましい。
また、一実施形態によれば、レーザＬ２の照射によりできる円環形状のガラス板の溶解面の表面粗さは算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．０５μｍ以下であることが好ましい。また、真円度は１５μｍ以下であることが好ましい。真円度は、０．１～１５μｍである、ことが好ましい。これにより、磁気ディスク用ガラス基板の素となる円環形状のガラス板の端面に、レーザ光Ｌ２によるレーザ研磨加工以外の追加の端面研磨の取り代量を削減でき、あるいは、追加の端面研磨を全く行わなくてよい。このため、端面研磨時間を従来に比べて大幅に低減することができる。
真円度は、好ましくは１０μｍ以下であり、より好ましくは７μｍ以下、より一層好ましくは５μｍ以下である。このような分離面は、磁気ディスク用ガラス基板の端面の要求を満足する溶解面を容易に作製することができる。このため、端面を研磨する必要はない。
レーザ光Ｌ２の一例として、ＣＯ２レーザ光を用いるが、ガラスに対し吸収がある発振波長であればよく、ＣＯ２レーザ光に制限されない。例えば、ＣＯレーザ（発振波長～５μｍや～１０．６μｍ）、Ｅｒ－ＹＡＧレーザ（発振波長～２．９４μｍ）等が挙げられる。ＣＯ２レーザ光を用いる場合、波長は３μｍ以上とすることが好ましい。さらに、波長を１１μｍ以下とするとより好ましい。波長が３μｍよりも短いと、ガラスがレーザ光Ｌを吸収しにくくなり、円環形状のガラス素板２８の外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂを十分に加熱できない場合がある。また、波長が１１μｍより長いと、レーザ装置の入手が困難である場合がある。なお、レーザ光Ｌ２の発振形態は特に限定されず、連続発振光（ＣＷ光）、パルス発振光、連続発振光の変調光のいずれであってもよい。但し、パルス発振光および連続発振光の変調光の場合、レーザ光Ｌ２の相対的な移動速度が速い場合に移動方向に面取面の形状のムラを生じる虞がある。その場合、発振および変調の周波数は１ｋＨｚ以上が好ましく、より好ましくは５ｋＨｚ以上、さらに好ましくは１０ｋＨｚ以上である。なお、レーザ光Ｌ２のパワーは、適宜決定すればよいが、例えば５００Ｗ以下である。
円環形状のガラス素板２８が薄くなるほど、レーザ光Ｌ２の分離面への照射により、分離面近傍のガラスを短時間に容易に溶かすことができることから、板厚が０．６ｍｍ以下である極めて薄い円環形状のガラス素板２８にとって有効である。この場合、後述する研削・研磨処理後の磁気ディスク用ガラス基板の板厚は、０．５２ｍｍ未満とすることが好ましい。
また、上述した実施形態では、板厚が０．６ｍｍ以下のガラス板２０へのレーザ光Ｌ１（切り出しレーザ光）の照射によって略同心円に沿って欠陥を断続的に形成するとともに、欠陥を繋ぐように、内周円部と外周円部からなる線状の欠陥である円形状の分離境界線４２をガラス板２０の主表面上に形成する。さらに、ガラス板２０の外周円部の外側部分４４の加熱によって、ガラス板２０の外周円部の外側部分４４を外周円部の内側部分４６に比べて大きく熱膨張させて外周円部の内側部分４６と外周円部の外側部分４４とを分離する。さらに、内周円部の外側部分４４の加熱によって、ガラス板２０の内周円部の外側部分４４を内周円部の内側部分４６に比べて大きく熱膨張させて内周円部の外側部分４４と内周円部の内側部分４６とを分離する。この後、ガラス板２０から外周円部の外側部分４４と内周円部の内側部分４６を除去して得られる円環形状のガラス素板２８の分離面にレーザ光Ｌ１と異なる種類のレーザ光Ｌ２（端面研磨レーザ光）を照射して外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂの端面研磨を行うので、円環形状のガラス板の生産性を飛躍的に高めることができる。
（主表面の研削・研磨処理）
円環形状のガラス素板２８に端面研磨処理が施されて得られる円環形状のガラス板は、主表面の研削・研磨処理が行われる。研削・研磨処理では、円環形状のガラス板の研削後、研磨が行われる。研削処理では、遊星歯車機構を備えた両面研削装置を用いて、円環形状のガラス板の主表面に対して研削加工を行う。具体的には、円環形状のガラス板の外周端面を、両面研削装置の保持部材に設けられた保持孔内に保持しながら円環形状のガラス板の両側の主表面の研削を行う。両面研削装置は、上下一対の定盤（上定盤および下定盤）を有しており、上定盤および下定盤の間に円環形状のガラス板が狭持される。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作させ、クーラントを供給しながら円環形状のガラス板と各定盤とを相対的に移動させることにより、円環形状のガラス板の両主表面を研削することができる。例えば、ダイヤモンドを樹脂で固定した固定砥粒をシート状に形成した研削部材を定盤に装着して研削処理をすることができる。上記研削処理により、主表面を研削面とすることができる。
次に、研削後の円環形状のガラス板の主表面に第１研磨が施される。具体的には、円環形状のガラス板の外周端面を、両面研磨装置の研磨用キャリアに設けられた保持孔内に保持しながら円環形状のガラス板の両側の主表面の研磨が行われる。第１研磨は、研削処理後の主表面に残留したキズや歪みの除去、あるいは微小な表面凹凸（マイクロウェービネス、粗さ）の調整を目的とする。
第１研磨処理では、固定砥粒による上述の研削処理に用いる両面研削装置と同様の構成を備えた両面研磨装置を用いて、研磨スラリを与えながら円環形状のガラス板の主表面が研磨される。第１研磨処理では、遊離砥粒を含んだ研磨スラリが用いられる。第１研磨に用いる遊離砥粒として、例えば、酸化セリウム、あるいはジルコニア等の砥粒が用いられる。両面研磨装置も、両面研削装置と同様に、上下一対の定盤の間に円環形状のガラス板が狭持される。下定盤の上面及び上定盤の底面には、全体として円環形状の平板の研磨パッド（例えば、樹脂ポリッシャ）が取り付けられている。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作させることで、円環形状のガラス板と各定盤とを相対的に移動させることにより、円環形状のガラス板の両主表面を研磨する。研磨砥粒の大きさは、平均粒径（Ｄ５０）で０．５～３μｍの範囲内であることが好ましい。
第１研磨後、円環形状のガラス板を化学強化してもよい。この場合、化学強化液として、例えば硝酸カリウムと硝酸ナトリウムの混合熔融液等を用い、円環形状のガラス板を化学強化液中に浸漬する。これにより、イオン交換によって円環形状のガラス板の表面に圧縮応力層を形成することができる。
次に、円環形状のガラス板に第２研磨が施される。第２研磨処理は、主表面の鏡面研磨を目的とする。これにより、円環形状のガラス板の主表面の表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．３ｎｍ以下にすることができる。また、主表面を鏡面の研磨面とすることができる。第２研磨においても、第１研磨に用いる両面研磨装置と同様の構成を有する両面研磨装置が用いられる。具体的には、円環形状のガラス板の外周端面を、両面研磨装置の研磨用キャリアに設けられた保持孔内に保持させながら、円環形状のガラス板の両側の主表面の研磨が行われる。第２研磨処理では、第１研磨処理に対して、遊離砥粒の種類及び粒子サイズが異なることと、樹脂ポリッシャの硬度が異なる。樹脂ポリッシャの硬度は第１研磨処理時よりも小さいことが好ましい。例えばコロイダルシリカを遊離砥粒として含む研磨液が両面研磨装置の研磨パッドと円環形状のガラス板の主表面との間に供給され、円環形状のガラス板の主表面が研磨される。第２研磨に用いる研磨砥粒の大きさは、平均粒径（ｄ５０）で５～５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。一実施形態では、化学強化処理の要否については、ガラス組成や必要性を考慮して適宜選択すればよい。第１研磨処理及び第２研磨処理の他にさらに別の研磨処理を加えてもよく、２つの主表面の研磨処理を１つの研磨処理で済ませてもよい。また、上記各処理の順番は、適宜変更してもよい。こうして、円環形状のガラス板の主表面を研磨して、磁気ディスク用ガラス基板に要求される条件を満足した磁気ディスク用ガラス基板を得ることができる。なお、円環形状のガラス板の主表面の研削及び研磨は常に両方を行う必要はなく、少なくともいずれか一方を行えばよい。例えば、研削を行わず、研磨を行ってもよい。
なお、一実施形態によれば、レーザ光の照射後、円環形状のガラス板の主表面の研磨の前に、円環形状のガラス板における内周端面及び外周端面に研磨ブラシによる端面研磨を行わないことが生産効率の点から好ましい。しかし、必要に応じて、円環形状のガラス板は、第１研磨を行う前に、例えば、研削処理後、第１研磨前に、あるいは、第１研削前に、円環形状のガラス板の端面（分離面）を、レーザ光Ｌ２を用いたレーザ研磨加工とは異なる方式で追加の端面研磨処理を行ってもよい。レーザ研磨加工とは異なる追加の端面研磨処理を行う場合であっても、レーザ光Ｌ２を用いたレーザ研磨加工を行っているので、追加の端面研磨処理に要する時間は短い。この追加の端面研磨処理は、遊離砥粒を端面に供給しながら研磨ブラシを用いて研磨する研磨ブラシ方式を用いてもよく、あるいは、磁気機能性流体を用いた研磨方式を用いてもよい。磁気機能性流体を用いた研磨方式は、例えば、磁気粘性流体に研磨砥粒を含ませたスラリを磁界によって塊にし、この塊の内部に円環形状のガラス板の端面を突っ込んで、塊と円環形状のガラス板を相対的に回転させることにより、端面を研磨する方式である。
しかし、生産効率を高めるためには、レーザ光Ｌ２を用いたレーザ研磨加工以外の追加の端面研磨処理をしないことが好ましい。この場合、主表面の研削・研磨処理では、ガラス板２０から分離してレーザ光Ｌ２の照射による端面研磨処理をすることにより得られた円環形状のガラス板の真円度を維持し、さらに溶解面の少なくとも一部分の表面粗さを維持しつつ、円環形状のガラス板の主表面を研削あるいは研磨を行うことができる。
この後、主表面の研削・研磨処理が施された円環形状のガラス板は、洗浄され検査されて、磁気ディスク用ガラス基板となる。この磁気ディスク用ガラス基板の主表面に磁性膜を形成することにより、磁気ディスクを作製することができる。
このように作製される円環形状のガラス板は、一実施形態によれば、以下の特徴を備える。
すなわち、円環形状のガラス板は、外周端面と内周端面とを有し、板厚が０．６ｍｍ以下である。この円環形状のガラス板の外周端面及び内周端面は溶解面であり、この外周端面及び内周端面における溶解面の表面粗さがいずれも算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下であって、かつ、内周端面における溶解面の表面粗さが外周端面における溶解面の表面粗さより大きく、内周端面及び外周端面における溶解面は、円環形状のガラス板の両側の主表面に対して隆起しない。
また、磁気ディスク用ガラス基板は、一実施形態によれば、以下の特徴を備える。
すなわち、磁気ディスク用ガラス基板は、外周端面と内周端面とを有し、板厚が０．６ｍｍ以下である。この磁気ディスク用ガラス基板の外周端面及び内周端面は溶解面であり、外周端面及び内周端面における溶解面の表面粗さがいずれも算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下であって、かつ、内周端面における溶解面の表面粗さが外周端面における溶解面の表面粗さより大きく、内周端面及び外周端面における溶解面が前記磁気ディスク用ガラス基板の両側の主表面に対して隆起せず、主表面の表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．３ｎｍ以下である。
本実施形態におけるガラス板２０、円環形状のガラス素板２８、及び円環形状のガラス板の材料として、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、化学強化を施すことができ、また主表面の平坦度及び基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作製することができるという点で、アルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。アモルファスのアルミノシリケートガラスとするとさらに好ましい。
本実施形態のガラス板２０、円環形状のガラス素板２８、及び円環形状のガラス板の組成を限定するものではないが、本実施形態のガラス板２０、円環形状のガラス素板２８、及び円環形状のガラス板は好ましくは、酸化物基準に換算し、モル％表示で、ＳｉＯ２を５０～７５％、Ａｌ２Ｏ３を１～１５％、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏから選択される少なくとも１種の成分を合計で５～３５％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯから選択される少なくとも１種の成分を合計で０～２０％、ならびにＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｌａ ２Ｏ３ 、Ｙ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５及びＨｆＯ２から選択される少なくとも１種の成分を合計で０～１０％、有する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスである。
本実施形態のガラス板２０、円環形状のガラス素板２８、及び円環形状のガラス板は好ましくは、例えば、質量％表示にて、ＳｉＯ２を５７～７５％、Ａｌ２Ｏ３を５～２０％、（ただし、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３の合計量が７４％以上）、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３およびＴｉＯ２を合計で０％を超え、６％以下、Ｌｉ２Ｏを１％を超え、９％以下、Ｎａ２Ｏを５～２８％（ただし、質量比Ｌｉ２Ｏ／Ｎａ２Ｏが０．５以下）、Ｋ２Ｏを０～６％、ＭｇＯを０～４％、ＣａＯを０％を超え、５％以下（ただし、ＭｇＯとＣａＯの合計量は５％以下であり、かつＣａＯの含有量はＭｇＯの含有量よりも多い）、ＳｒＯ＋ＢａＯを０～３％、有する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスであってもよい。
本実施形態のガラス板２０、円環形状のガラス素板２８、及び円環形状のガラス板の組成は、必須成分として、ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、ならびに、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯからなる群から選ばれる一種以上のアルカリ土類金属酸化物を含み、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの合計含有量に対するＣａＯの含有量のモル比（ＣａＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ））が０．２０以下であって、ガラス転移温度が６５０℃以上であってもよい。このような組成の磁気ディスク用ガラス基板は、エネルギーアシスト磁気記録用磁気ディスクに使用される磁気ディスク用ガラス基板に好適である。
一実施形態によれば、ガラス板２０、円環形状のガラス素板２８、及び円環形状のガラス板は、ガラス転移点Ｔｇが５００℃以上のガラスで構成されていることが好ましく、より好ましくは、ガラス転移点Ｔｇは６５０℃以上である。ガラス転移点Ｔｇが高い程、ガラス板２０及びガラス素板２８を熱処理したときの熱収縮と熱収縮に起因して発生する変形を抑制することができる。したがって、磁気ディスクの磁性膜等を基板１に形成する際の熱処理を考慮して、ガラス転移点Ｔｇを５００℃以上とすることが好ましく、６５０℃以上とすることがより好ましい。
一実施形態によれば、ガラス板２０、円環形状のガラス素板２８、及び円環形状のガラス板は、線膨張係数が１００×１０－７［１／Ｋ］以下の材料で構成されることが好ましく、９５×１０－７［１／Ｋ］以下の材料で構成されることがより好ましく、７０×１０－７［１／Ｋ］以下の材料で構成されることがより一層好ましく、特に好ましくは、線膨張係数は６０×１０－７［１／Ｋ］以下である。ガラス板２０、円環形状のガラス素板２８、及び円環形状のガラス板の線膨張係数の下限は特に限定はないが、例えば５×１０－７ ［１／Ｋ］である。ここでいう、線膨張係数は、１００℃と３００℃の間の熱膨張差によって求められる線膨張係数である。このような線膨張係数を用いることで、磁気ディスク用ガラス基板に磁性膜等を形成する際の加熱処理において、熱膨張を抑えることができ、外周端面及び内周端面を成膜装置の把持部材が磁気ディスク用ガラス基板を固定して把持する際に、把持部分周りの磁気ディスク用ガラス基板の熱歪みを抑えることができる。線膨張係数は、例えば、従来のアルミニウム合金製基板では、２４２×１０－７［１／Ｋ］であるのに対し、一実施形態のガラス板２０、円環形状のガラス素板２８、及び円環形状のガラス板における線膨張係数は５１×１０－７［１／Ｋ］である。
［実験例］
本実施形態の円環形状のガラス板の製造方法について効果を確認するために実験を行った。実験に用いた円環形状のガラス素板２８は、外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、板厚０．６ｍｍである。レーザ研磨加工に用いる円環形状のガラス素板２８は、図２Ａに示すようにガラス板２０にレーザ光Ｌ１を照射し、図４に示すガラス板２０の加熱を用いてガラス板２０から分離した。
レーザ光Ｌ２の照射条件については、レーザ光Ｌ２のパワーを４０［Ｗ］とし、Ｐｄ×Ｔｈを３．０６［Ｗ／ｍｍ］とし、幅をＷ１が１ｍｍかつ長さＷ２が１０ｍｍの楕円スポットを用い、円環形状のガラス素板２８の回転動作条件については、相対移動速度を２０［ｍｍ／秒］とした。
レーザ研磨加工では、外周端面２８ａに照射するレーザ光Ｌ２のパワーを固定し、外周端面２８ａに照射するレーザ光Ｌ２のパワーに対する内周端面２８ｂに照射するレーザ光Ｌ２のパワーの比を種々変更してレーザ研磨加工を行った。レーザ光Ｌ２の端面における照射面の面積は一定に固定したので、このパワーの比はパワー密度の比に対応する。なお、内周端面２８ｂと外周端面２８ａのレーザ研磨加工は、別々に行った。その結果、内周端面及び外周端面に、丸みを帯びた面取面が形成された。
この後、主表面の研削・研磨を行って磁気ディスク用ガラス基板、さらに磁性膜等を成膜して磁気ディスクを製造した。主表面の研削や研磨の方法は上述した通りである。
レーザ研磨加工後の円環状のガラス板の主表面の端部について、触針式粗さ計を用いて隆起を評価した。主表面の内周側の平坦な中周部と隆起する内周端面側の端部を含むようにプローブを半径方向に走査して形状を計測した。主表面の中周部の平坦部の延長線上からの隆起が１μｍ以上ある場合、「隆起あり」と判定した。
また、円環形状のガラス板の内周端面及び外周端面の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を上述のレーザ顕微鏡を用いて上述した条件で計測した。
下記表１に、実施例、比較例における評価、計測結果を示す。
Figure 0007411660000001
上記表１の実施例１～４及び比較例、より、外周端面２８ａ及び内周端面２８ｂにおける溶解面の表面粗さがいずれも算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下であって、かつ、内周端面２８ｂにおける溶解面の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が外周端面２８ａにおける溶解面の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）より大きくなるようにレーザ光を照射することにより、内周端面の側に隆起を生じさせないことがわかる。より具体的には、内周端面２８ｂへ照射するレーザ光Ｌ２のパワー密度を、外周端面２８ａへ照射するレーザ光Ｌ２のパワー密度の８０％以下にすることにより、内周端面の側に隆起を生じさせない。
以上、本発明の円環形状のガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、円環形状のガラス板、磁気ディスク用ガラス基板、及び磁気ディスクについて詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
１ 磁気ディスク用ガラス基板
１１ｐ，１２ｐ 主表面
１１ｗ 側壁面
１１ｃ，１２ｃ 面取面
２０ ガラス板
２４ 外周端面
２６ 内周端面
２８ 円環形状のガラス素板
２８ａ 外周端面
２８ｂ 内周端面
３０ レーザ光源
３４ 集束レンズ
４０ 角部
４２，４２ａ，４２ｂ 分離境界線
４４ 外側部分
４６ 内側部分
５０，５２ ヒータ

Claims (11)

  1. 外周端面と内周端面とを有し、板厚が０．６ｍｍ以下の円環形状のガラス板の製造方法であって、
    円環形状のガラス素板の前記外周端面と前記内周端面にそれぞれレーザ光を照射することにより前記外周端面と前記内周端面を溶解させて溶解面を形成するとともに、前記外周端面における前記溶解面の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下であり、前記内周端面における前記溶解面の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０２μｍ以上であり、かつ、前記内周端面における前記溶解面の表面粗さが前記外周端面における前記溶解面の表面粗さより大きくなるように前記レーザ光を照射して円環形状のガラス板を製造する処理を備える、ことを特徴とする円環形状のガラス板の製造方法。
  2. 前記外周端面と前記内周端面それぞれへのレーザ光の照射は別々に行われる、請求項１に記載の円環形状のガラス板の製造方法。
  3. 前記内周端面へ照射する前記レーザ光のパワー密度は、前記外周端面へ照射する前記レーザ光のパワー密度の８０％以下である、請求項１又は２に記載の円環形状のガラス板の製造方法。
  4. 前記内周端面へ照射するレーザ光の内周端面に対する相対移動速度と、前記外周端面へ照射するレーザ光の外周端面に対する相対移動速度とが等しい、請求項１～３のいずれか１項に記載の円環形状のガラス板の製造方法。
  5. 前記円環形状のガラス板における前記内周端面及び前記外周端面が前記円環形状のガラス板の両側の主表面に対して隆起しないように、前記円環形状のガラス素板における前記内周端面及び前記外周端面に前記レーザ光を照射する、請求項１～４のいずれか１項に記載の円環形状のガラス板の製造方法。
  6. 請求項１～５のいずれか１項に記載の円環形状のガラス板の製造方法で製造される前記円環形状のガラス板の少なくとも主表面の研磨処理を行うことにより磁気ディスク用ガラス基板を製造する、ことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
  7. 前記レーザ光の照射後、前記主表面の研磨の前に、前記円環形状のガラス板における前記内周端面及び前記外周端面に研磨ブラシによる端面研磨を行わない、請求項６に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
  8. 請求項６または７に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法により製造された磁気ディスク用ガラス基板の前記主表面に磁性膜を形成する、ことを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
  9. 外周端面と内周端面とを有し、板厚が０．６ｍｍ以下の円環形状のガラス板であって、
    前記外周端面及び前記内周端面は溶解面であり、
    前記外周端面における前記溶解面の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０５μｍ以下であり、前記内周端面における前記溶解面の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０２μｍ以上０．１μｍ以下であり、かつ、前記内周端面における前記溶解面の表面粗さが前記外周端面における前記溶解面の表面粗さより大きく、
    前記内周端面及び前記外周端面における前記溶解面は、前記円環形状のガラス板の両側の主表面に対して隆起しない、ことを特徴とする円環形状のガラス板。
  10. 外周端面と内周端面とを有し、板厚が０．６ｍｍ以下の磁気ディスク用ガラス基板であって、
    前記外周端面及び前記内周端面は溶解面であり、
    前記外周端面における前記溶解面の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０５μｍ以下であり、前記内周端面における前記溶解面の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０２μｍ以上０．１μｍ以下であり、かつ、前記内周端面における前記溶解面の表面粗さが前記外周端面における前記溶解面の表面粗さより大きく、
    前記内周端面及び前記外周端面における前記溶解面が前記磁気ディスク用ガラス基板の両側の主表面に対して隆起せず、
    前記主表面の表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．３ｎｍ以下である、ことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
  11. 請求項１０に記載の磁気ディスク用ガラス基板の前記主表面上に磁性膜を有する、ことを特徴とする磁気ディスク。
JP2021535474A 2019-07-31 2020-07-31 円環形状のガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、円環形状のガラス板、磁気ディスク用ガラス基板、及び磁気ディスク Active JP7411660B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019140594 2019-07-31
JP2019140594 2019-07-31
PCT/JP2020/029591 WO2021020587A1 (ja) 2019-07-31 2020-07-31 円環形状のガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、円環形状のガラス板、磁気ディスク用ガラス基板、及び磁気ディスク

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2021020587A1 JPWO2021020587A1 (ja) 2021-02-04
JPWO2021020587A5 JPWO2021020587A5 (ja) 2023-08-01
JP7411660B2 true JP7411660B2 (ja) 2024-01-11

Family

ID=74228878

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021535474A Active JP7411660B2 (ja) 2019-07-31 2020-07-31 円環形状のガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、円環形状のガラス板、磁気ディスク用ガラス基板、及び磁気ディスク

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11884582B2 (ja)
JP (1) JP7411660B2 (ja)
WO (1) WO2021020587A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019151185A1 (ja) * 2018-01-31 2019-08-08 Hoya株式会社 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
US20230147153A1 (en) * 2020-03-31 2023-05-11 Hoya Corporation Method for producing glass plate, and laminate
WO2022114060A1 (ja) * 2020-11-25 2022-06-02 Hoya株式会社 ガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、及び円環形状のガラス板
WO2023171824A1 (ja) * 2022-03-11 2023-09-14 Hoya株式会社 円盤状ガラス基板の製造方法、円環状ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、円盤状ガラス基板、円環状ガラス基板、及び磁気ディスク用ガラス基板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002150546A (ja) 2000-11-06 2002-05-24 Nippon Sheet Glass Co Ltd 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、及び該製造方法により製造された情報記録媒体用ガラス基板、並びに情報記録媒体
JP2003160348A (ja) 2001-11-21 2003-06-03 Nippon Sheet Glass Co Ltd 情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法
JP2006018998A (ja) 2004-06-04 2006-01-19 Showa Denko Kk 磁気記録媒体の製造方法
JP2010501456A (ja) 2006-08-21 2010-01-21 コーニング インコーポレイテッド ガラス板の残留応力低減熱エッジ仕上用プロセス及び装置
JP2015181085A (ja) 2013-03-01 2015-10-15 Hoya株式会社 磁気ディスク用ガラス基板および磁気ディスク

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001335336A (ja) 1999-06-22 2001-12-04 Shin Meiwa Ind Co Ltd 材料の処理方法、円盤形状材料の処理方法、ガラス材及びガラスディスク
US8785010B2 (en) 2008-09-30 2014-07-22 Hoya Corporation Glass substrate for a magnetic disk and magnetic disk
JP5428793B2 (ja) * 2009-11-17 2014-02-26 旭硝子株式会社 ガラス基板研磨方法および磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
SG11201501455YA (en) 2012-09-28 2015-05-28 Hoya Corp Magnetic-disk glass substrate, magnetic disk and method for manufacturing magnetic-disk glass substrate
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
JP6631935B2 (ja) 2015-01-05 2020-01-15 日本電気硝子株式会社 ガラス板の製造方法
JP5983897B1 (ja) 2015-11-26 2016-09-06 旭硝子株式会社 磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスク

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002150546A (ja) 2000-11-06 2002-05-24 Nippon Sheet Glass Co Ltd 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、及び該製造方法により製造された情報記録媒体用ガラス基板、並びに情報記録媒体
JP2003160348A (ja) 2001-11-21 2003-06-03 Nippon Sheet Glass Co Ltd 情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法
JP2006018998A (ja) 2004-06-04 2006-01-19 Showa Denko Kk 磁気記録媒体の製造方法
JP2010501456A (ja) 2006-08-21 2010-01-21 コーニング インコーポレイテッド ガラス板の残留応力低減熱エッジ仕上用プロセス及び装置
JP2015181085A (ja) 2013-03-01 2015-10-15 Hoya株式会社 磁気ディスク用ガラス基板および磁気ディスク

Also Published As

Publication number Publication date
US20240109807A1 (en) 2024-04-04
CN114175156A (zh) 2022-03-11
JPWO2021020587A1 (ja) 2021-02-04
US11884582B2 (en) 2024-01-30
WO2021020587A1 (ja) 2021-02-04
US20220274870A1 (en) 2022-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7411660B2 (ja) 円環形状のガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、円環形状のガラス板、磁気ディスク用ガラス基板、及び磁気ディスク
JP6783401B2 (ja) 円盤形状のガラス素板の製造方法、及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
JP7227273B2 (ja) ガラス板の製造方法、ガラス板の面取り方法、および磁気ディスクの製造方法
JP7458335B2 (ja) ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法
JP7311702B2 (ja) ガラス板および磁気ディスク
JP7366141B2 (ja) ガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、および磁気ディスクの製造方法
CN114175156B (zh) 圆环形状的玻璃板的制造方法、磁盘用玻璃基板的制造方法、磁盘的制造方法、圆环形状的玻璃板、磁盘用玻璃基板以及磁盘
WO2019189480A1 (ja) ガラス基板の製造方法
WO2022114060A1 (ja) ガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、及び円環形状のガラス板
WO2023282252A1 (ja) ガラス基板の製造方法及び円盤状ガラス基板
JP7458511B2 (ja) ガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、およびガラス板の処理装置
WO2023171824A1 (ja) 円盤状ガラス基板の製造方法、円環状ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、円盤状ガラス基板、円環状ガラス基板、及び磁気ディスク用ガラス基板
JP7441377B2 (ja) ガラス基板の製造方法、ガラス基板、及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230724

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230724

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20230724

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230905

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231102

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231205

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231225

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7411660

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150