WO2023171824A1 - 円盤状ガラス基板の製造方法、円環状ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、円盤状ガラス基板、円環状ガラス基板、及び磁気ディスク用ガラス基板 - Google Patents

Abstract

円盤状ガラス基板（１）の製造方法は、主表面（１１ａ、１１ｂ）と、外周端面（１２）とを有する、円盤状ガラス素板を準備することと、円盤状ガラス素板の外周端面（１２）に沿って１周を超えるようにレーザ光（Ｌ）を照射することとを含む。

Description

円盤状ガラス基板の製造方法、円環状ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、円盤状ガラス基板、円環状ガラス基板、及び磁気ディスク用ガラス基板

　本発明は、レーザ光を用いて形状を加工することを含む、円盤状ガラス基板の製造方法、円環状ガラス基板の製造方法、及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、並びに、円盤状ガラス基板、円環状ガラス基板、及び磁気ディスク用ガラス基板に関する。

　今日、パーソナルコンピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ　Ｄｉｓｃ）記録装置、あるいはクラウドコンピューティングのデータセンター等には、データを記録するためのハードディスク装置が用いられる。ハードディスク装置では、円環状の非磁性体の磁気ディスク用ガラス基板に磁性層が設けられた磁気ディスクが用いられる。

　従来、このような磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、ガラス板から円環状ガラス素板を割断して取り出し、円環状ガラス素板の内周端面及び外周端面にレーザ光を照射することにより、内周端面及び外周端面を滑面化するとともに、面取り面を形成する技術が知られている（特許文献１）。具体的には、円環状ガラス素板の内周端面及び外周端面にレーザ光を照射して、ガラスの軟化点以上の温度に加熱することにより、内周端面及び外周端面を溶融させる。これにより、内周端面及び外周端面が滑面化されるとともに、面取り面が形成される。

特開２００２－１５０５４６号公報

　しかしながら、上記技術において、円環状ガラス素板の内周端面及び外周端面のそれぞれに沿ってレーザ光を１周照射すると、内周端面及び外周端面が滑面化され且つ面取り面が形成されるものの、レーザ光Ｌを照射した後の内周端面及び／又は外周端面の真円度が悪化する（大きくなる）場合があった。そして、内周端面及び／又は外周端面における真円度が悪化した円環状ガラス基板を磁気ディスク用ガラス基板として用いる場合、高速回転時に空気の流れが乱れ、フラッタリングが発生する可能性が考えられる。

　本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、円盤状ガラス素板又は円環状ガラス素板の端面にレーザ光を照射することにより、レーザ光を照射した後の端面の真円度を悪化させることなく、端面を滑面化するとともに面取り面を形成する技術を提供することを目的とする。

　本発明の第１の態様に従えば、円盤状ガラス基板の製造方法であって、
　主表面と、外周端面とを有する、円盤状ガラス素板を準備することと、
　前記円盤状ガラス素板の前記外周端面に沿って１周を超えるようにレーザ光を照射することとを含む、円盤状ガラス基板の製造方法が提供される。

　本発明の第１の態様に従う円盤状ガラス基板の製造方法において、前記レーザ光の照射は、前記外周端面に沿って２周未満となるように行われてもよい。

　本発明の第１の態様に従う円盤状ガラス基板の製造方法において、前記レーザ光の照射開始位置から、前記レーザ光の照射終了位置までの、前記外周端面に沿う重複照射距離は、前記外周端面上における前記レーザ光のスポット径の、前記外周端面の周方向の長さ以上であってもよい。

　本発明の第１の態様に従う円盤状ガラス基板の製造方法において、前記レーザ光の照射開始位置から、前記レーザ光の照射終了位置までの、前記外周端面に沿う重複照射距離が、前記外周端面上における前記レーザ光のスポット径の、前記外周端面の周方向の長さの２倍以下であってもよい。

　本発明の第１の態様に従う円盤状ガラス基板の製造方法において、前記レーザ光を照射した後の前記外周端面の真円度は１５μｍ以下であってもよい。

　本発明の第１の態様に従う円盤状ガラス基板の製造方法において、前記レーザ光の照射を終了した後の前記外周端面における、前記レーザ光の照射開始位置の径方向内側への凹みの深さは１５μｍ以下であってもよい。

　本発明の第１の態様に従う円盤状ガラス基板の製造方法において、前記円盤状ガラス基板は、中央部に円孔を有する円環形状のガラス基板であってもよい。

　本発明の第２の態様に従えば、本発明の第１の態様に従う円盤状ガラス基板の製造方法により製造された円盤状ガラス基板の主表面を研磨することを少なくとも含む、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法が提供される。

　本発明の第３の態様に従えば、円環状ガラス基板の製造方法であって、
　主表面と、互いに同心である外周端面及び内周端面とを有する、円環状ガラス素板を準備することと、
　前記円環状ガラス素板の前記内周端面に沿って１周を超えるようにレーザ光を照射することとを含む、円環状ガラス基板の製造方法が提供される。

　本発明の第３の態様に従う円環状ガラス基板の製造方法において、前記レーザ光の照射は、前記内周端面に沿って２周未満となるように行われてもよい。

　本発明の第３の態様に従う円環状ガラス基板の製造方法において、前記レーザ光の照射開始位置から、前記レーザ光の照射終了位置までの、前記内周端面に沿う重複照射距離は、前記内周端面上における前記レーザ光のスポット径の、前記内周端面の周方向の長さ以上であってもよい。

　本発明の第３の態様に従う円環状ガラス基板の製造方法において、前記レーザ光の照射開始位置から、前記レーザ光の照射終了位置までの、前記内周端面に沿う重複照射距離が、前記内周端面上における前記レーザ光のスポット径の、前記内周端面の周方向の長さの２倍以下であってもよい。

　本発明の第３の態様に従う円環状ガラス基板の製造方法において、前記レーザ光を照射した後の前記内周端面の真円度は１５μｍ以下であってもよい。

　本発明の第４の態様に従えば、本発明の第３の態様に従う円環状ガラス基板の製造方法により製造された円環状ガラス基板の主表面を研磨することを少なくとも含む、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法が提供される。

　本発明の第５の態様に従えば、円盤状ガラス基板であって、
　主表面と、外周端面とを有し、
　前記外周端面は、前記外周端面の周方向において少なくとも２つの粗さの異なる領域を有する、円盤状ガラス基板が提供される。

　本発明の第５の態様に従う円盤状ガラス基板において、前記少なくとも２つの粗さの異なる領域は、低粗さ領域と高粗さ領域とを含んでもよく、
　前記外周端面の周方向において、前記低粗さ領域の長さは前記高粗さ領域の長さよりも短くてもよい。

　本発明の第５の態様に従う円盤状ガラス基板において、前記少なくとも２つの粗さの異なる領域は、いずれもレーザ光の照射により滑面化した領域であってもよい。

　本発明の第５の態様に従う円盤状ガラス基板において、前記外周端面の真円度は１５μｍ以下であってもよい。

　本発明の第６の態様に従えば、円環状ガラス基板であって、
　主表面と、互いに同心である外周端面及び内周端面とを有し、
　前記内周端面は、前記内周端面の周方向において少なくとも２つの粗さの異なる領域を有する、円環状ガラス基板が提供される。

　本発明の第６の態様に従う円環状ガラス基板において、前記少なくとも２つの粗さの異なる領域は、低粗さ領域と高粗さ領域とを含んでもよく、
　前記内周端面の周方向において、前記低粗さ領域の長さは前記高粗さ領域の長さよりも短くてもよい。

　本発明の第６の態様に従う円環状ガラス基板において、前記少なくとも２つの粗さの異なる領域は、いずれもレーザ光の照射により滑面化した領域であってもよい。

　本発明の第６の態様に従う円環状ガラス基板において、前記内周端面の真円度は１５μｍ以下であってもよい。

　本発明の第７の態様に従えば、本発明の第５の態様に従う円盤状ガラス基板又は本発明の第６の態様に従う円環状ガラス基板を用いた、磁気ディスク用ガラス基板が提供される。

　本発明によれば、円盤状ガラス基板又は円環状ガラス基板の端面の真円度を悪化させることなく、端面を滑面化するとともに面取り面を形成する技術を提供することができる。

（ａ）は、本実施形態の製造方法により製造されたガラス基板の一例を示す斜視図であり、（ｂ）は、本実施形態の製造方法により製造されたガラス基板の、外周端面の断面形状の一例を示す図であり、（ｃ）は、本実施形態の製造方法により製造されたガラス基板の、内周端面の断面形状の一例を示す図である。 本実施形態の製造方法に含まれる端面処理を行う、回転装置及びレーザ照射装置の一例を示す図である。 （ａ）は、本実施形態の製造方法に含まれるレーザ光を用いた端面処理において、ガラス素板の外周端面に対するレーザ光の照射を開始した状態を示す図であり、（ｂ）は、ガラス素板の外周端面に対するレーザ光の照射が進んだ状態を示す図であり、（ｃ）は、ガラス素板の外周端面に対するレーザ光の照射を１周で終了した場合の、ガラス基板の外周端面の様子を示す図である。 本実施形態の製造方法に含まれるレーザ光を用いた端面処理において、ガラス素板の外周端面に沿って１周を超えてレーザ光を照射した状態を示す図である。

　まず、本実施形態の製造方法により製造された円盤状ガラス基板について、図１（ａ）～図１（ｃ）を参照しつつ説明する。

　図１（ａ）に示すように、ガラス基板１は薄板のガラス基板であり、円盤形状を有する。なお、円盤形状を有するガラス基板１の中央部には、外周端と同心状の円孔（中央孔）が形成されていてもよい。つまり、ガラス基板１は、円環形状を有していてもよい。以下の説明では、円盤形状を有するガラス基板を円盤状ガラス基板と称し、円環形状を有するガラス基板を円環状ガラス基板と称する。また、円盤状ガラス基板という概念には円環状ガラス基板も含まれており、円環状ガラス基板は円盤状ガラス基板の一例である。

　ガラス基板１は、例えば、磁気ディスク用の基板、半導体用基板、半導体ウエハの支持基板、として用いられる。磁気ディスク用の基板として用いる場合、ガラス基板１のサイズは問わないが、例えば、公称直径２．５インチ以上（例えば２．５インチ、３．５インチ、５インチなど）の磁気ディスクに適したサイズである。公称直径２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板の場合、例えば、外径（直径）が５５～７０ｍｍ、中央孔の径（直径）が２０ｍｍ、板厚が０．３～０．８ｍｍである。公称直径３．５インチの磁気ディスク用ガラス基板の場合、例えば、外径が８５～１００ｍｍ、中央孔の径が２５ｍｍ、板厚が０．３～０．８ｍｍである。また、半導体用基板や半導体ウエハの支持基板として用いる場合は、中央孔はなくてもよく、例えば、外径（直径）が５０～５００ｍｍ、板厚が０．３～１．５ｍｍである。以下では、磁気ディスク用の基板として用いられる、中央孔を有する円環状のガラス基板１を代表例として説明する。

　ガラス基板１は、一対の対向する主表面１１ａ、１１ｂと、外周端面１２と、中央孔を画成する内周端面１３とを備える。主表面１１ａは、２つの同心円を外縁及び内縁として有する、円環形状の面である。主表面１１ｂは、主表面１１ａと同形状であり且つ同心である。外周端面１２は、主表面１１ａの外縁と主表面１１ｂの外縁とを接続する面である。内周端面１３は、主表面１１ａの内縁と主表面１１ｂの内縁とを接続する面である。

　図１（ｂ）に示すように、外周端面１２と主表面１１ａ、１１ｂとの接続部分はそれぞれ丸みを帯びている。換言すると、外周端面１２と主表面１１ａ、１１ｂとがなす角部はそれぞれ面取りされている。これにより、外周端面１２は、ガラス基板１の厚み方向の中央部分がガラス基板１の径方向外側に向かって突き出すように、滑らかに湾曲している。なお、外周端面１２は全体として一つの湾曲面となっていてもよいが、そうでなくてもよい。例えば、外周端面１２の板厚方向の中央部において、主表面１１ａに略垂直な面（断面図において直線状となる面）が存在していてもよい。上記の面取りされた結果生じる主表面１１ａに対して傾斜した部分（以後、面取面とも言う）の主表面１１ａの半径方向の長さは、半径方向において外周端面１２が最も突出した位置の半径と、主表面１１ａが傾斜し始める位置の半径との差として定義され、例えば３０～３００μｍとすることができる。また、面取面の板厚方向の長さは、半径方向において外周端面１２が最も突出した位置を接点として板厚方向に接線を引いたとき、当該接点から主表面１１ａを含む平面までの板厚方向の距離として定義され、例えば３０μｍから板厚の半分の長さまでとすることができる。ここで、外周端面１２の板厚方向の中央部に主表面１１ａに略垂直な面がある場合など、外周端面１２が最も突出した位置が複数考えられる場合は、上記「板厚方向の距離」が取りうる値のうち最小値を当該「板厚方向の距離」とすればよい。

　図１（ｃ）に示すように、内周端面１３と主表面１１ａ、１１ｂとの接続部分はそれぞれ丸みを帯びている。換言すると、内周端面１３と主表面１１ａ、１１ｂとがなす角部はそれぞれ面取りされている。これにより、内周端面１３は、ガラス基板１の厚み方向の中央部分がガラス基板１の径方向内側に向かって突き出すように、滑らかに湾曲している。なお、内周端面１３は全体として一つの湾曲面となっていてもよいが、そうでなくてもよい。例えば、内周端面１３の板厚方向の中央部において、主表面１１ａに略垂直な面（断面図において直線状となる面）が存在していてもよい。

　そして、ガラス基板１を用いて磁気ディスクを製造する際には、少なくとも主表面１１ａ、１１ｂの研磨を行った後、主表面１１ａ、１１ｂに磁性層が形成される。なお、必要に応じて、主表面１１ａ、１１ｂの研削を前記研磨の前に行ってもよい。

　ここで、ガラス基板１の主表面１１ａ、１１ｂに磁性層を形成する際に、ガラス基板１の外周端面１２及び／又は内周端面１３を治具によって確実に把持するため、ガラス基板１の外周端面１２及び／又は内周端面１３は、目標形状に揃えられていることが望ましい。また、磁気ディスクを精度よくＨＤＤ装置に組み込むためにも、ガラス基板１の外周端面１２及び／又は内周端面１３は、目標形状に揃えられていることが望ましい。さらに、微細なパーティクルが主表面に付着して磁気ディスクの性能に悪影響を与えないようにするため、パーティクルが発生しやすい外周端面１２及び／又は内周端面１３は、滑らかであることが望ましい。

　そこで、本実施形態では、外周端面１２を図１（ｂ）に示す断面形状に加工するとともに、内周端面１３を図１（ｃ）に示す断面形状に加工するため、円環状ガラス基板１の材料となる円環状ガラス素板１´に対してレーザ光を用いた端面処理を行っている。

　次に、円環状ガラス素板の分離処理と、レーザ光を用いた端面処理について説明する。

（円環状ガラス素板の分離処理）
　円環状ガラス素板の分離処理は、シート状のガラス板から、円環状ガラス素板１´を分離する処理である。ここで、ガラス板としては、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス等を用いることができる。特に、必要に応じて化学強化を施すことができ、また基板の主表面の平坦度及び基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作成することができるという点で、アモルファスのアルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。このようなガラス板は、例えばフロート法やオーバーフローダウンドロー法を用いて作製されてもよく、金型を用いて熔融ガラスの塊をプレス成形することにより作製されてもよい。そして、ガラス板から円環状ガラス素板１´を分離する方法としては、周知のスクライバを用いて切筋を付けて割断する方法や、ガラス板にレーザ光を照射して円形状の欠陥を形成し、円形状の欠陥に沿って分離する方法を用いることができる。なお、シート状のガラス板から円環状ガラス素板１´を分離した後、端面処理を行う前は、外周端面１２´は主表面１１ａ、１１ｂに対して略直交していることが好ましく、内周端面１３´も主表面１１ａ、１１ｂに対して略直交していることが好ましい。このように端面が主表面に対して略直交していると、端面処理する際、端面の両側の面取形状を揃えやすい。なお、端面処理を行う前の外周端面や内周端面の表面粗さは、例えば算術平均粗さＲａで０．１μｍ以上である。ここで、算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１に準拠した値である。端面の表面の算術平均粗さＲａの計測は、例えばレーザ顕微鏡を用いて、５０μｍ四方の評価領域において以下の条件で行うことができる。
　観察倍率：３０００倍、
　高さ方向（Ｚ軸）の測定ピッチ：０．０１μｍ、
　カットオフ値λｓ：０．２５μｍ、
　カットオフ値λｃ：８０μｍ。
なお、高さ方向の分解能は１ｎｍ以下であることが好ましい。また、観察倍率は例えば３０００倍とすることができるが、測定面の大きさに応じて、１０００～３０００倍程度の範囲で適宜選択すればよい。

（レーザ光を用いた端面処理）
　次に、シート状のガラス板から分離されたガラス素板１´の外周端面１２´及び内周端面１３´に対して個別に、レーザ光を用いた端面処理を行う。端面処理では、ガラス素板１´の外周端面１２´又は内周端面１３´とレーザ光Ｌとを相対的に移動させながら、外周端面１２´又は内周端面１３´に対してレーザ光Ｌを照射する。このとき、ガラス素板１´の外周端面１２´又は内周端面１３´とレーザ光Ｌとの相対速度は一定であることが好ましい。相対速度を一定とすることで、端面処理用の装置構成をシンプルにすることができる。端面処理では、例えば図２に示されるように、回転装置２０によってガラス素板１´を一定速度で回転させながら、外周端面１２´及び内周端面１３´に対して、レーザ照射装置３０からレーザ光Ｌを照射する。なお、外周端面１２´に対する端面処理と内周端面１３´に対する端面処理とは、どちらか一方のみを行ってもよい。また、両方実施する場合、いずれを先に行ってもよく、同時に行ってもよい。

　回転装置２０は、ガラス素板１´が載置される載置台２１と、載置台２１に接続された回転シャフト２２と、回転シャフト２２に接続され回転シャフト２２を回転させる回転モータ２３と、回転モータ２３を支持する支持台２４とを備える。回転モータ２３によって回転シャフト２２を一定速度で回転させることにより、回転シャフト２２に接続された載置台２１が一定速度で回転する。そして、載置台２１が一定速度で回転することにより、載置台２１に載置されたガラス素板１´も一定速度で回転する。ガラス素板１´は、ガラス素板１´の中心位置が回転シャフト２２の回転中心位置に略一致するように、載置台２１に載置される。また、図示しないがガラス素板１´を加熱するためのヒーターを備えていてもよい。

　レーザ照射装置３０は、レーザ光源、光学系、集束レンズ等を備えており、外周端面１２´の一部及び内周端面１３´の一部を軟化させるために、外周端面１２´の一部及び内周端面１３´の一部にレーザ光Ｌを照射する。レーザ光Ｌの種類は、照射された部分が軟化する限り、特に制限されないが、例えばＣＯ_２レーザが好適に用いられる。レーザ光Ｌの発振形態は特に限定されず、例えば、連続発振光（ＣＷ光）、パルス発振光、連続発振光の変調光のいずれであってもよいし、その他の発振形態でもよい。また、外周端面１２´や内周端面１３´の軟化を促進するために、ガラス素板１´をヒーター等で適宜加熱しながらレーザ光を照射してもよい。

　端面に対するレーザ光Ｌの照射方法は、端面の滑面化（軟化及び／又は溶解）と面取処理ができればどのような方法でもよい。外周端面１２´に対してレーザ光Ｌを照射する場合は、例えば図２の実線で示されるように、外周端面１２´の法線方向から照射することが好ましい。この法線方向には、法線方向に対する傾斜角度が２０度以内の範囲も許容範囲として含まれる。また、内周端面１３´に対してレーザ光Ｌを照射する場合は、例えば図２の点線で示されるように、ミラー２５～２７によってレーザ光Ｌの光路を調整してガラス素板１´の中央孔の内側に配置されたミラー２８に対してガラス素板１´の中央孔の上方からレーザ光Ｌを照射し、レーザ光Ｌをミラー２８で反射させることにより、内周端面１３´の法線方向から照射することができる。内周端面１３´に対してレーザ光を照射する場合も、法線方向から照射することが好ましい。この法線方向には、法線方向に対する傾斜角度が２０度以内の範囲も許容範囲として含まれる。なお、外周端面１２´上における、レーザ光Ｌのスポット径は、ガラス素板１´の厚み方向よりも外周端面１２´の周方向に大きいことが好ましい。この場合、レーザ光Ｌのエネルギーを、主表面１１ａ側の角部と主表面１１ｂ側の角部の面取りに、効率よく使うことができる。また、スポット径の、外周端面１２´の周方向の幅は、例えば１ｍｍ以上とすることができ、２ｍｍ以上であることが好ましい。なお、当該周方向の幅の上限は例えば２０ｍｍである。２０ｍｍを超えると、外周端面１２´の曲率半径の影響を受けやすくなり、外周端面１２´を加熱しにくくなる場合がある。また、スポット径の、ガラス素板１´の厚み方向の幅は、例えば０．５ｍｍ以上とすることができるが、ガラス素板１´の板厚よりも大きいことが好ましく、１ｍｍ以上であることがより好ましい。当該厚み方向の幅の上限は加熱効率の観点から例えば板厚の１０倍である。そして、レーザ光Ｌの光束（スポット）がガラス素板１´の厚み方向の両側に均等にはみ出すようにレーザ光Ｌを照射することにより、主表面１１ａ側の角部と主表面１１ｂ側の角部とを均等に面取りしやすくできる。なお、スポット径の、ガラス素板１´の厚み方向の幅を０．５ｍｍ未満とすると、レーザ照射装置３０の光学系の調整が難しくなる場合がある。内周端面１３´上におけるレーザ光Ｌのスポット径についても、外周端面１２´上におけるレーザ光Ｌのスポット径と同様である。

　このように、円環状ガラス素板１´の外周端面１２´に対してレーザ光Ｌを照射して加熱することにより、外周端面１２´を軟化させ、例えば図１（ｂ）に示すような径方向外側に突き出した湾曲面に加工することができる。同様に、円環状ガラス素板１´の内周端面１３´に対してレーザ光Ｌを照射して加熱することにより、内周端面１３´を軟化させ、例えば図１（ｃ）に示すような径方向内側に突き出した湾曲面に加工することができる。

　次に、円環状ガラス素板１´の外周端面１２´を例にとり、外周端面１２´に沿ってレーザ光Ｌが照射される様子について説明する。まず、回転装置２０によって、ガラス素板１´の回転を開始させる。なお、本実施形態では、図３（ａ）に示されるように、回転装置２０はガラス素板１´を反時計回りに回転させる。そして、ガラス素板１´の回転速度が一定となった状態で、外周端面１２´に対するレーザ光Ｌの照射を開始する。ここで、図３（ａ）に示されるように、外周端面１２´に対するレーザ光Ｌの照射を開始した際の照射スポットの中心位置を、照射開始位置ＳＰとする。そして、回転装置２０によってガラス素板１´を反時計回りに一定速度で回転させつつ、外周端面１２´にレーザ光Ｌを照射する。例えば、ガラス素板１´を反時計回りに１８０度回転させた時点では、図３（ｂ）に示されるように、外周端面１２´における照射開始位置ＳＰから現在の照射位置までの半周分の領域に沿って、時計回りにレーザ光Ｌが照射されている。換言すると、ガラス素板１´を１８０度回転させることにより、外周端面１２´におけるレーザ光Ｌの照射開始位置ＳＰは、半時計回りに半周分移動する。そして、ガラス素板１´をさらに１８０度回転させることにより、外周端面１２´の１周分の領域全体にレーザ光Ｌが照射される。つまり、回転装置２０によってガラス素板１´を反時計回りに３６０度回転させることにより、外周端面１２´におけるレーザ光Ｌの照射開始位置ＳＰは、半時計回りに１周分移動する。

　ここで、ガラス素板１´の外周端面１２´の１周分の領域にレーザ光Ｌが照射された時点でレーザ光Ｌの照射を終了すると、ガラス基板１の外周端面１２の真円度が悪化する（大きくなる）場合があった。そこで、ガラス基板１の外周端面１２の真円度が悪化する原因について発明者らが探索したところ、図３（ｃ）に示されるように、ガラス基板１の外周端面１２におけるレーザ光Ｌの照射開始位置ＳＰとその近傍が、ガラス基板１の外周端面１２における他の領域に対して径方向の内側に、目視では認識できない程度に僅かに凹む場合があることがわかった。つまり、ガラス基板１の外周端面１２の１箇所に、僅かな凹みが生じる場合があることがわかった。僅かに凹む理由は必ずしも明確ではないが、レーザ光Ｌの照射開始位置ＳＰでは加熱が不足しやすく、照射開始位置ＳＰとその近傍では、径方向外側への突き出し量が他の領域と比べて小さくなりやすいことが一つの要因と推察される。ガラス基板１が磁気ディスク用基板として用いられ、磁気ディスクが高速で回転する際、ガラス基板１の外周端面１２の僅かな凹み（凹部）は空気の流れを乱し、フラッタリングが発生する要因にもなり得る。

　そこで、本実施形態では、図４に示すように、ガラス素板１´を反時計回りに３６０度を超えるように回転させることにより、外周端面１２´に沿って１周を超えるようにレーザ光Ｌを照射する。つまり、レーザ光Ｌの照射は、ガラス素板１´の外周端面１２´に沿って１周を超えるように行われる。換言すると、外周端面１２´におけるレーザ光Ｌの照射開始位置ＳＰの移動が１周分を超えた後に、レーザ光Ｌの照射を終了し、回転装置２０によるガラス素板１´の回転を終了する。さらに換言すると、外周端面１２´に対するレーザ光Ｌの照射を終了した際の照射スポットの中心位置である照射終了位置ＥＰは、外周端面１２´のうちレーザ光Ｌが既に照射されている領域上にある。これにより、少なくとも照射開始位置ＳＰには、レーザ光Ｌが２回照射される。この結果、照射開始位置ＳＰにおける加熱不足が補われ、照射開始位置ＳＰとその近傍における径方向外側への突き出し量を、レーザ光Ｌを１回照射した場合よりも大きくすることができる。そして、照射開始位置ＳＰとその近傍に形成される凹みの深さを小さくできる。つまり、レーザ光Ｌの照射は、当該照射によって外周端面１２に生じる凹みを小さくするように、ガラス素板１´の外周端面１２´に沿って１周を超えるように行われる。なお、本実施形態において、ガラス基板１の外周端面１２における凹みの深さとは、凹みの、ガラス基板１の半径方向における深さを意味している。つまり、凹みの深さは、外周端面１２の全体の輪郭線のデータから凹み部分のデータを除いた残りのデータに対して最小二乗法を用いて求めた真円の基準円（最小二乗円）の半径と、当該基準円の中心から、凹みのうち当該基準円の中心に最も近い部分までの距離との差に等しい。また、ガラス基板１の外周端面１２の真円度とは、ガラス基板１の外周端面１２の輪郭線を、中心が同一の二つの真円（内接円と外接円）で挟んだときに、それら二円の間隔が最小となる場合の二円の半径の差と定義される。ガラス基板１の外周端面１２の輪郭線は、例えばガラス基板１の板厚よりも長い板状のプローブを、ガラス基板１の厚み方向に、外周端面１２と対向するように配置し、ガラス基板１を円周方向に回転させることにより取得できる。ガラス基板１の外周端面１２の真円度は、例えば真円度測定機により測定することができる。ここで、上記凹みの部分を除いた外周端面１２の真円度は、照射開始位置ＳＰとその近傍に形成される凹みの深さと比べて十分に小さい。このため、真円度の定義より、照射開始位置ＳＰとその近傍に形成される凹みの深さは、実質的にはガラス基板１の外周端面１２の真円度で表されるので、凹みの深さを小さくすることにより、ガラス基板１の外周端面１２の真円度をより小さくすることができる。ガラス素板１´の外周端面１２´に沿って１周を超えるようにレーザ光Ｌを照射することにより、レーザ光Ｌの照射開始位置ＳＰとその近傍の凹みの深さは１５μｍ以下となっていることが好ましい。つまり、外周端面１２に生じる凹みが１５μｍ以下となるように、レーザ光Ｌの照射が行われるのが好ましい。すなわち、ガラス基板１の外周端面１２の真円度は１５μｍ以下となっていることが好ましい。当該真円度は１０μｍ以下、６μｍ以下、５μｍ以下の順により好ましい。また、ガラス素板１´の外周端面１２´に沿ってレーザ光Ｌが重複して照射された距離である、照射開始位置ＳＰから照射終了位置ＥＰまでの距離ｄは、外周端面１２´におけるレーザ光Ｌのスポット径の、外周端面１２´の周方向の幅以上であることが真円度低減の観点から好ましい。こうすることで、ガラス基板１の外周端面１２の真円度を１５μｍ以下にすることができる。また、上記距離ｄは、上記幅の１．２５倍以上であると真円度を小さくする観点でより好ましい。こうすることで、ガラス基板１の外周端面１２の真円度を５μｍ以下にすることができる。

　内周端面１３´についても、外周端面１２´と同様に、内周端面１３´に沿って１周を超えるようにレーザ光Ｌを照射することにより、即ち、レーザ光Ｌの照射を、ガラス素板１´の内周端面１３´に沿って１周を超えるように行うことにより、照射開始位置とその近傍における径方向内側への突き出し量を、レーザ光Ｌを１回照射した場合よりも大きくすることができる。そして、照射開始位置とその近傍に形成される凹みの深さを小さくできる。つまり、レーザ光Ｌの照射は、当該照射によって内周端面１３に生じる凹みを小さくするように、ガラス素板１´の内周端面１３´に沿って１周を超えるように行われる。なお、本実施形態において、ガラス基板１の内周端面１３における凹みの深さとは、凹みの、ガラス基板１の半径方向における深さを意味している。つまり、凹みの深さは、内周端面１３の全体の輪郭線のデータから凹み部分のデータを除いた残りのデータに対して最小二乗法を用いて求めた真円の基準円（最小二乗円）の半径と、当該基準円の中心から、凹みのうち当該基準円の中心に最も遠い部分までの距離との差に等しい。また、ガラス基板１の内周端面１３の真円度とは、ガラス基板１の内周端面１３の輪郭線を、中心が同一の二つの真円（内接円と外接円）で挟んだときに、それらの二円の間隔が最小となる場合の二円の半径の差と定義される。ガラス基板１の内周端面１３の輪郭線は、ガラス基板１の板厚よりも長い板状のプローブを、ガラス基板１の厚み方向に、内周端面１３と対向するように配置し、ガラス基板１を円周方向に回転させることにより取得できる。ガラス基板１の内周端面１３の真円度も、外周端面１２の真円度と同様に、真円度測定機により測定することができる。ここで、上記凹みの部分を除いた内周端面１３の真円度は、照射開始位置とその近傍に形成される凹みの深さと比べて十分に小さい。このため、真円度の定義より、照射開始位置とその近傍に形成される凹みの深さは、実質的にはガラス基板１の内周端面１３の真円度で表されるので、凹みの深さを小さくすることにより、ガラス基板１の内周端面１３の真円度をより小さくすることができる。ガラス素板１´の内周端面１３´に沿って１周を超えるようにレーザ光Ｌを照射することにより、レーザ光Ｌの照射開始位置とその近傍の凹みの深さは１５μｍ以下となっていることが好ましい。すなわち、ガラス基板１の内周端面１３の真円度は１５μｍ以下となっていることが好ましい。当該真円度は１０μｍ以下、６μｍ以下、５μｍ以下の順により好ましい。また、ガラス素板１´の内周端面１３´に沿ってレーザ光Ｌが重複して照射された距離である、照射開始位置から照射終了位置までの距離は、内周端面１３´におけるレーザ光Ｌのスポット径の、内周端面１３´の周方向の幅以上であることが真円度低減の観点から好ましい。こうすることで、ガラス基板１の内周端面１３の真円度を１５μｍ以下にすることができる。また、上記距離は、上記幅の１．２５倍以上であると真円度を小さくする観点でより好ましい。こうすることで、ガラス基板１の内周端面１３の真円度を６μｍ以下にすることができる。

（主表面に対する処理）
　なお、本実施形態の製造方法では、上述したレーザ光を用いた端面処理の後に、主表面研削処理、主表面研磨処理等が行われてもよい。以下では、レーザ光を用いた端面処理後のガラス素板も、ガラス基板と呼ぶことにする。

　主表面研削処理では、例えば遊星歯車機構を備えた両面研削装置を用いて、ガラス基板１の主表面１１ａ´，１１ｂ´に対して研削加工を行う。研削による取り代は、例えば数μｍ～３００μｍ程度である。両面研削装置は、上定盤及び下定盤を有しており、上定盤及び下定盤の間にガラス基板１が挟持される。そして、ガラス基板１と各定盤とを相対的に移動させることにより、主表面１１ａ´，１１ｂ´を研削する。定盤としては、その表面にダイヤモンド等の砥粒が樹脂で固定された固定砥粒の研削シートが貼り付けられているものを使用できる。なお、主表面研削処理は省略されてもよい。

　主表面研磨処理では、ガラス基板１の主表面１１ａ´，１１ｂ´に対して、研磨が行われる。研磨による取り代は、例えば、０．１μｍ～１００μｍ程度である。主表面研磨は、これより前の処理により主表面１１ａ´，１１ｂ´に残留したキズ、歪みの除去や、うねり、微小うねり、粗さの低減、及び主表面１１ａ´，１１ｂ´の鏡面化を目的とする。主表面研磨には、例えば、酸化セリウム砥粒やジルコニア砥粒（粒子サイズ：Ｄ５０で０．５～２μｍ程度）、またはシリカ砥粒（粒子サイズ：Ｄ５０で１０～１００ｎｍ程度）を遊離砥粒として含む研磨液が用いられる。なお、主表面研磨処理を２段階以上に分けて実施してもよい。

　上述した本発明の態様に従う製造方法によれば、ガラス素板１´の外周端面１２´及び内周端面１３´に沿ってレーザ光Ｌを照射することにより、外周端面１２及び内周端面１３がそれぞれ滑面化されたガラス基板１を製造することができる。また、外周端面１２と主表面１１ａ、１１ｂとの接続部分が面取りされるので、外周端面１２を、ガラス基板１の厚み方向の中央部分がガラス基板１の径方向外側に向かって突き出すように、例えば滑らかに湾曲した形状に加工できる。さらに、内周端面１３と主表面１１ａ、１１ｂとの接続部分が面取りされるので、内周端面１３を、ガラス基板１の厚み方向の中央部分がガラス基板１の径方向内側に向かって突き出すように、例えば滑らかに湾曲した形状に加工できる。つまり、ガラス素板１´の外周端面１２´にレーザ光Ｌを照射して外周端面１２´の少なくとも一部を軟化又は溶融させて、主表面１１ａ、１１ｂと外周端面１２との間を面取りすることができる。同様に、ガラス素板１´の内周端面１３´にレーザ光Ｌを照射して内周端面１３´の少なくとも一部を軟化又は溶融させて、主表面１１ａ、１１ｂと内周端面１３との間を面取りすることができる。

　上述した本発明の態様に従う製造方法によれば、ガラス素板１´の外周端面１２´及び内周端面１３´に沿ってそれぞれ、１周を超えるようにレーザ光Ｌを照射する。これにより、外周端面１２における照射開始位置とその近傍における径方向外側への突き出し量を、レーザ光Ｌを１回照射した場合よりも大きくすることができる。同様に、内周端面１３における照射開始位置とその近傍における径方向内側への突き出し量を、レーザ光Ｌを１回照射した場合よりも大きくすることができる。この結果、ガラス素板１´の外周端面１２´及び内周端面１３´に沿ってそれぞれレーザ光Ｌを１周だけ照射した場合と比べて、ガラス基板１の外周端面１２及び内周端面１３の真円度をより小さくすることができる。換言すれば、レーザ光Ｌの照射開始位置ＳＰの近傍で生じた径方向外側又は内側への突き出し量の不足を補うことができる。なお、レーザ光Ｌを２周以上照射すると、処理時間が長くなり生産性が悪化する場合がある。生産性の観点から、レーザ光Ｌの照射は、ガラス素板１´の外周端面１２´及び内周端面１３´に沿ってそれぞれ１．５周未満（１周を超える分が０．５周未満）であるとより好ましく、１．２５周未満（１周を超える分が０．２５周未満）であるとより一層好ましい。

（実施例１－１）
　本実施形態の製造方法に含まれる、レーザ光を用いた端面処理の効果を確認するため、円環状のガラス素板の外周端面に沿って、重複照射距離（照射開始位置と照射終了位置との間の外周端面上の距離）を変えながらレーザ光を照射した後、外周端面の真円度を測定した。円環状ガラス素板は、外径９７ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚み０．６ｍｍであった。このガラス素板の外周端面及び内周端面はそれぞれ、主表面に略垂直な面であった。また、レーザ光を照射する前は、外周端面の真円度は５μｍであり内周端面の真円度は４μｍであった。レーザ光として、ＣＯ_２レーザを使用し、レーザ光のパワーを５０Ｗ、スポット径を２ｍｍ（直径２ｍｍの円）とした。すなわち、外周端面におけるレーザ光のスポット径の、外周端面の周方向の長さは２ｍｍである。そして、ガラス素板を適宜加熱しつつ、レーザ光の光束（スポット）がガラス素板の厚み方向の両側に均等にはみ出すようにレーザ光を照射した。また、ガラス素板の回転速度（照射位置における相対速度）を２０ｍｍ／ｓとした。そして、レーザ光を照射した後、外周端面の真円度を、真円度測定機により測定した。この結果を、下記表１－１に示す。なお、上記処理後の外周端面は、２つの主表面との間がそれぞれ面取りされて、全体として一つの湾曲面が形成された。面取面の主表面半径方向の長さは３０～１５０μｍの範囲内であった。

　また、外周端面のうち、レーザ光を重複して照射した領域（以下、重複照射領域という）とそれ以外の領域のそれぞれについて、算術平均粗さＲａを求めた。なお、算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１に準拠した値である。算術平均粗さＲａを求めるために行う外周端面の表面形状の計測は、レーザ顕微鏡を用いて行った。重複照射領域のＲａは、条件２～条件１１において０．０３μｍであったのに対し、それ以外の領域のＲａは条件１～条件１１において０．０５μｍであった。つまり、各外周端面には、Ｒａが低い領域（低粗さ領域）とＲａが高い領域（高粗さ領域）とがそれぞれ１つずつ存在した。

（実施例１－２）
　外周端面におけるレーザ光のスポット形状を、外周端面の周方向の長さが４ｍｍ、板厚方向の長さが１ｍｍの楕円としたこと、及び、重複照射距離を増やしたこと以外は、実施例１－１と同じ条件とし、レーザ光を照射した後、外周端面の真円度を測定した。この結果を、下記表１－２に示す。

また、実施例１－１と同様に、重複照射領域及びそれ以外の領域のそれぞれについて、算術平均粗さＲａを求めた。重複照射領域のＲａは、条件１３～条件２５において０．０２μｍであったのに対し、それ以外の領域のＲａは条件１２～条件２５において０．０３μｍであった。つまり、各外周端面には、Ｒａが低い領域（低粗さ領域）とＲａが高い領域（高粗さ領域）とがそれぞれ１つずつ存在した。

（実施例２－１）
　本実施形態の製造方法に含まれる、レーザ光を用いた端面処理の効果を確認するため、円環状ガラス素板の内周端面に沿って、重複照射距離（照射開始位置と照射終了位置との間の内周端面上の距離）を変えながらレーザ光を照射した後、内周端面の真円度を測定した。ガラス素板、レーザ光、レーザ光の照射条件、及びガラス素板の回転速度は、実施例１－１と同じとした。そして、実施例１－１と同様に、レーザ光を照射した後、内周端面１３の真円度を測定した。この結果を、下記表２－１に示す。

さらに、内周端面における重複照射領域及びそれ以外の領域のそれぞれについて、算術平均粗さＲａを求めた。重複照射領域のＲａは、条件２７～条件３６において０．０３μｍであったのに対し、それ以外の領域のＲａは条件２６～条件３６において０．０５μｍであった。つまり、各内周端面には、Ｒａが低い領域（低粗さ領域）とＲａが高い領域（高粗さ領域）とがそれぞれ１つずつ存在した。

（実施例２－２）
　内周端面におけるレーザ光のスポット形状を、内周端面の周方向の長さが４ｍｍ、板厚方向の長さが１ｍｍの楕円としたこと、及び、重複照射距離を増やしたこと以外は、実施例２－１と同じ条件とし、レーザ光を照射した後、内周端面の真円度を測定した。この結果を、下記表２－２に示す。

また、実施例２－１と同様に、重複照射領域及びそれ以外の領域のそれぞれについて、算術平均粗さＲａを求めた。重複照射領域のＲａは、条件３８～条件５０において０．０２μｍであったのに対し、それ以外の領域のＲａは条件３７～条件５０において０．０３μｍであった。つまり、各内周端面には、Ｒａが低い領域（低粗さ領域）とＲａが高い領域（高粗さ領域）とがそれぞれ１つずつ存在した。

　上記表１－１及び表１－２に示される結果から、ガラス素板の外周端面に沿って１周を超えてレーザ光を照射した場合（条件２～１１及び条件１３～２５）、外周端面に沿って１周だけレーザ光を照射した場合（条件１及び条件１２）と比べて、外周端面の真円度が小さくなっていることがわかる。また、レーザ光の重複照射距離が、スポット径の外周端面の周方向の長さ以上になると、外周端面の真円度が１５μｍ以下になることがわかる。さらに、レーザ光の重複照射距離が、スポット径の外周端面の周方向の長さの１．２５倍以上になると、外周端面の真円度が５μｍ以下になることがわかる。しかし、レーザ光の重複照射距離が、レーザ光のスポット径の外周端面の周方向の長さの２倍を超えると、外周端面の真円度が少し大きくなっていることがわかる。これは、重複照射領域のうち、１回目の照射で突き出した領域が、２回目の照射で再度加熱されることによりさらに突き出してしまうためであると考えられる。ここで、真円度の増加量が若干となる理由としては、１回目の照射によって生じた端面の滑面化及び面取りによる形状変化により、レーザ光がガラス内部に吸収されにくくなるためと推察される。また、外周端面において、重複照射領域は、それ以外の領域（１回だけ照射した領域）と比べて算術平均粗さＲａが低い、低粗さ領域となっていた。ここで、レーザ光の重複照射距離が長くなるほど、換言すれば、レーザ光の重複照射領域の長さが長くなるほど、レーザ光の照射時間が長くなるため、生産性は低下する。このため、生産性の観点から、レーザ光の重複照射距離は、外周端面の真円度を小さくできる範囲内で、可能な限り短い方が好ましい。そして、レーザ光の重複照射距離を短くすることにより、外周端面における低粗さ領域の割合を小さくすることができる。つまり、外周端面の粗さが周方向においてより均一となるため、治具で外周端面を把持して取り扱う際に治具との接触摩擦のバランスが崩れることによる落下等のリスクを減らすことができる。また、磁気ディスク用ガラス基板として用いられる場合に、ＨＤＤ装置に取り付け後、高速回転時の空気抵抗が一定となり易く、回転をより安定させることができる。低粗さ領域の長さは、外周端面の円周長の１０％以下であることが好ましく、５％以下であるとより好ましい。１０％を超えると治具による把持ミスや高速回転時の気流の乱れが発生しやすくなる場合がある。また、低粗さ領域の長さの下限は、例えば外周端面の円周長の０．１％以上とすることができるが、０．２％以上とするとより好ましく、０．５％以上とするとさらに好ましい。０．１％未満の場合、真円度が十分に小さくならない場合がある。

　また、上記表２－１及び表２－２に示される結果から、ガラス素板の内周端面に沿って１周を超えてレーザ光を照射した場合（条件２７～３６及び条件３８～５０）、内周端面に沿って１周だけレーザ光を照射した場合（条件２６及び条件３７）と比べて、内周端面の真円度が小さくなっていることがわかる。また、レーザ光の重複照射距離が、スポット径の内周端面の周方向の長さ以上になると、内周端面の真円度が１５μｍ以下になることがわかる。さらに、レーザ光の重複照射距離が、スポット径の内周端面の周方向の長さの１．２５倍以上になると、内周端面の真円度が６μｍ以下になることがわかる。しかし、レーザ光の重複照射距離が、レーザ光のスポット径の内周端面の周方向の長さの２倍を超えると、内周端面の真円度が少し大きくなっていることがわかる。これは、外周端面の場合と同様に、重複照射領域のうち、１回目の照射で突き出した領域が、２回目の照射で再度加熱されることによりさらに突き出してしまうためであると考えられる。ここで、真円度の増加量が若干となる理由としては、１回目の照射によって生じた端面の滑面化及び面取りによる形状変化により、レーザ光がガラス内部に吸収されにくくなるためと推察される。また、内周端面においても、重複照射領域は、それ以外の領域（１回だけ照射した領域）と比べて、算術平均粗さＲａが低い低粗さ領域となっていた。ここで、レーザ光の重複照射距離が長くなるほど、レーザ光の照射時間が長くなるため、生産性は低下する。このため、内周端面の端面処理においても、生産性の観点から、レーザ光の重複照射距離は、内周端面の真円度を小さくできる範囲内で、可能な限り短い方が好ましい。そして、レーザ光の重複照射距離を短くすることにより、内周端面における低粗さ領域の割合を小さくすることができる。つまり、内周端面の粗さが周方向においてより均一となるため、治具で内周端面を把持して取り扱う際に治具との接触摩擦のバランスが崩れることによる落下等のリスクを減らすことができる。また、磁気ディスク用ガラス基板として用いられる場合に、ＨＤＤ装置のスピンドルに嵌め込む際にひっかかるトラブルを低減することができる。低粗さ領域の長さは、内周端面の円周長の１５％以下であることが好ましく、１０％以下であるとより好ましい。１５％を超えると治具による把持ミスやスピンドルに嵌め込む際のトラブルが発生しやすくなる場合がある。また、低粗さ領域の長さの下限は、例えば内周端面の円周長の０．５％以上とすることができるが、２％以上とするとより好ましく、３％以上とするとさらに好ましい。０．５％未満の場合、真円度が十分に小さくならない場合がある。

　また、外周端面及び内周端面のそれぞれにおいて、低粗さ領域と高粗さ領域の粗さ（Ｒａ）は、いずれも０．０５μｍ以下であることが好ましい。Ｒａが０．０５μｍを超えると端面に異物が付着しやすくなる場合がある。また、低粗さ領域と高粗さ領域の粗さ（Ｒａ）の差（絶対値）は、０．０３μｍ以下であることが好ましい。なお、低粗さ領域の粗さ（Ｒａ）と高粗さ領域の粗さ（Ｒａ）の差の下限は、例えば０．００１μｍとすることができるが、０．００２μｍ以上であるとより好ましく、０．００５μｍ以上であるとさらに好ましい。上記の範囲内とすることで、粗さの差を適正な範囲に抑制することができるため、真円度を小さくしつつ、例えば治具による把持（取り扱い）の失敗などのトラブルを減らすことができる。

　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々な変更が可能である。以下、上記実施形態の変形例について説明する。

　上記実施形態において、回転装置２０によるガラス素板１´の回転方向は反時計回りであったが、回転装置２０によるガラス素板１´の回転方向は、時計回りであってもよい。この場合、レーザ光Ｌは外周端面１２´及び内周端面１３´に沿って、反時計回りに照射される。また、上記実施形態では、ガラス素板１´の回転速度が一定となった状態でレーザ光Ｌの照射を開始したが、これには限られず、ガラス素板１´の回転開始と同時にレーザ光Ｌの照射を開始してもよく、ガラス素板１´の回転速度が一定となる前にレーザ光Ｌの照射を開始してもよい。

　上記実施形態では、回転装置２０によってガラス素板１´を回転させながら、固定されているレーザ照射装置３０からレーザ光Ｌを照射したが、これには限られない。例えば、レーザ照射装置３０に設けたマイクロミラーデバイス等の光学系を駆動させて、光束を連続的に偏向させることにより、載置台に固定されたガラス素板１´の外周端面１２´及び内周端面１３´対して、レーザ光Ｌを周方向に沿って移動させながら照射してもよい。

　上記実施形態において、ガラス素板１´の外周端面１２´に対するレーザ光Ｌの照射と、内周端面１３´に対するレーザ光Ｌの照射は、１つのレーザ照射装置３０を用いて別個に行っているが、外周端面１２´への照射が終わってから内周端面１３´への照射を行ってもよく、内周端面１３´への照射が終わってから外周端面１２´への照射を行ってもよい。或いは、外周端面１２´と内周端面１３´とに、２つのレーザ照射装置３０からそれぞれレーザ光Ｌを同時に照射することにより、又は１つのレーザ照射装置３０から出たレーザ光Ｌを２つに分けてそれぞれの端面に照射することにより、外周端面１２´と内周端面１３´とを同時に加工してもよい。

　上記実施形態において説明したとおり、ガラス素板１´の外周端面１２´及び内周端面１３´のどちらか一方だけにレーザ光Ｌの照射を実施してもよい。この場合、レーザ光Ｌの照射を実施しなかった端面については、総型砥石を用いた公知の研削処理を行うことによって面取りを実施することができる。また、端面に対して研磨ブラシと遊離砥粒とを用いた公知の端面研磨処理をすることによって、端面の表面粗さを低減することができる。

　上記実施形態において、ガラス素板１´は、中央部に円孔が形成された円環形状を有していたが、中央部に円孔が形成されていなくてもよい。この場合、ガラス素板１´は外周端面１２´のみを有しており、レーザ光を用いた端面処理は外周端面１２´に対してのみ行われる。

　上記実施形態の製造方法により製造されたガラス基板１は、磁気ディスク用ガラス基板として使用されるが、これに限らず任意の用途に使用することができる。

　上記実施形態において、レーザ光を用いた端面処理は、円盤状のガラス素板１´の端面に対して行われるが、これに限らず、円盤状の金属板の端面に対しても適用することができる。

　１　ガラス基板
　１´　ガラス素板
　１１ａ，１１ｂ，１１ａ´，１１ｂ´　主表面
　１２，１２´　外周端面
　１３，１３´　内周端面
　２０　回転装置
　２１　載置台
　２２　回転シャフト
　２３　回転モータ
　２４　支持台
　３０　レーザ照射装置
　Ｌ　レーザ光
　ＳＰ　照射開始位置
　ＥＰ　照射終了位置

Claims (23)

1. 　円盤状ガラス基板の製造方法であって、
   　主表面と、外周端面とを有する、円盤状ガラス素板を準備することと、
   　前記円盤状ガラス素板の前記外周端面に沿って１周を超えるようにレーザ光を照射することとを含む、円盤状ガラス基板の製造方法。
2. 　前記レーザ光の照射は、前記外周端面に沿って２周未満となるように行われる、請求項１に記載の円盤状ガラス基板の製造方法。
3. 　前記レーザ光の照射開始位置から、前記レーザ光の照射終了位置までの、前記外周端面に沿う重複照射距離が、前記外周端面上における前記レーザ光のスポット径の、前記外周端面の周方向の長さ以上である、請求項１又は２に記載の円盤状ガラス基板の製造方法。
4. 　前記レーザ光の照射開始位置から、前記レーザ光の照射終了位置までの、前記外周端面に沿う重複照射距離が、前記外周端面上における前記レーザ光のスポット径の、前記外周端面の周方向の長さの２倍以下である、請求項１～３のいずれか一項に記載の円盤状ガラス基板の製造方法。
5. 　前記レーザ光を照射した後の前記外周端面の真円度が１５μｍ以下である、請求項１～４のいずれか一項に記載の円盤状ガラス基板の製造方法。
6. 　前記レーザ光の照射を終了した後の前記外周端面において、前記レーザ光の照射開始位置の径方向内側への凹みの深さが１５μｍ以下である、請求項１～５のいずれか一項に記載の円盤状ガラス基板の製造方法。
7. 　前記円盤状ガラス基板は、中央部に円孔を有する円環形状のガラス基板である、請求項１～６のいずれか一項に記載の円盤状ガラス基板の製造方法。
8. 　請求項１～７のいずれか一項に記載の製造方法により製造された円盤状ガラス基板の主表面を研磨することを少なくとも含む、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
9. 　円環状ガラス基板の製造方法であって、
   　主表面と、互いに同心である外周端面及び内周端面とを有する、円環状ガラス素板を準備することと、
   　前記円環状ガラス素板の前記内周端面に沿って１周を超えるようにレーザ光を照射することとを含む、円環状ガラス基板の製造方法。
10. 　前記レーザ光の照射は、前記内周端面に沿って２周未満となるように行われる、請求項９に記載の円環状ガラス基板の製造方法。
11. 　前記レーザ光の照射開始位置から、前記レーザ光の照射終了位置までの、前記内周端面に沿う重複照射距離が、前記内周端面上における前記レーザ光のスポット径の、前記内周端面の周方向の長さ以上である、請求項９又は１０に記載の円環状ガラス基板の製造方法。
12. 　前記レーザ光の照射開始位置から、前記レーザ光の照射終了位置までの、前記内周端面に沿う重複照射距離が、前記内周端面上における前記レーザ光のスポット径の、前記内周端面の周方向の長さの２倍以下である、請求項９～１１のいずれか一項に記載の円環状ガラス基板の製造方法。
13. 　前記レーザ光を照射した後の前記内周端面の真円度が、１５μｍ以下である、請求項９～１２のいずれか一項に記載の円環状ガラス基板の製造方法。
14. 　請求項９～１３のいずれか一項に記載の製造方法により製造された円環状ガラス基板の主表面を研磨することを少なくとも含む、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
15. 　円盤状ガラス基板であって、
    　主表面と、外周端面とを有し、
    　前記外周端面は、前記外周端面の周方向において少なくとも２つの粗さの異なる領域を有する、円盤状ガラス基板。
16. 　前記少なくとも２つの粗さの異なる領域は、低粗さ領域と高粗さ領域とを含み、
    　前記外周端面の周方向において、前記低粗さ領域の長さは前記高粗さ領域の長さよりも短い、請求項１５に記載の円盤状ガラス基板。
17. 　前記少なくとも２つの粗さの異なる領域は、いずれもレーザ光の照射により滑面化した領域である、請求項１５又は１６に記載の円盤状ガラス基板。
18. 　前記外周端面の真円度は１５μｍ以下である、請求項１５～１７のいずれか一項に記載の円盤状ガラス基板。
19. 　円環状ガラス基板であって、
    　主表面と、互いに同心である外周端面及び内周端面とを有し、
    　前記内周端面は、前記内周端面の周方向において少なくとも２つの粗さの異なる領域を有する、円環状ガラス基板。
20. 　前記少なくとも２つの粗さの異なる領域は、低粗さ領域と高粗さ領域とを含み、
    　前記内周端面の周方向において、前記低粗さ領域の長さは前記高粗さ領域の長さよりも短い、請求項１９に記載の円環状ガラス基板。
21. 　前記少なくとも２つの粗さの異なる領域は、いずれもレーザ光の照射により滑面化した領域である、請求項１９又は２０に記載の円環状ガラス基板。
22. 　前記内周端面の真円度は１５μｍ以下である、請求項１９～２１のいずれか一項に記載の円環状ガラス基板。
23. 　請求項１５～１８のいずれか一項に記載の円盤状ガラス基板または請求項１９～２２のいずれか一項に記載の円環状ガラス基板を用いた、磁気ディスク用ガラス基板。

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