JP7398915B2 - 基板処理方法、半導体デバイスの製造方法、及び、プラズマ処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 76
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 254
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 61
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 37
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100439295 Citrus limon ClPT1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101001090150 Equus caballus Sperm histone P2a Proteins 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003818 SiH2Cl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
一つの例示的実施形態において、基板処理方法が提供される。基板処理方法は、下記のa)及びb)の工程を備える。a)はチャンバ内に第1領域及び第2領域を有する基板を提供する工程である。b)は第1処理ガスから第1プラズマを生成することによって第1領域上に堆積膜を形成する工程である。第1処理ガスは、炭素原子及びフッ素原子を含有する第1ガスとケイ素原子を含有する第2ガスとを含む混合ガスである。
Si+4F→SiF4↑ (1)
結果として、第1領域R1及び第2領域R2上にフッ素原子の組成比に対する炭素原子の組成比の比率(C/F比)が高い堆積物DPを形成することができる。なお、工程ST2において第1ガス及び第2ガスの流量比を調整することによって、堆積物DPのC/F比を制御することが可能である。例えば、第1ガスに対する第2ガスの流量比を大きくすることで、堆積物DPのC/F比を大きくすることができる。
Claims (12)
- a)チャンバ内に第1領域及び第2領域を有する基板を提供する工程と、
b)第1処理ガスから第1プラズマを生成することによって前記第1領域及び前記第2領域上に堆積膜を形成する工程と、
c)不活性ガスを含む第2処理ガスから第2プラズマを生成することによって前記第1領域をエッチングする工程と、
を備え、
前記第1処理ガスは、炭素原子及びフッ素原子を含有する第1ガスとケイ素原子を含有する第2ガスとを含む混合ガスであり、
前記c)は、前記堆積膜と前記第2プラズマに含まれるイオンとを反応させることによって、前記第1領域をエッチングする、
基板処理方法。 - a)チャンバ内に第1領域及び第2領域を有する基板を提供する工程と、
b)第1処理ガスから第1プラズマを生成することによって前記第1領域及び前記第2領域上に堆積膜を形成する工程と、
c)不活性ガスを含む第2処理ガスから第2プラズマを生成することによって前記第1領域をエッチングする工程と、
を備え、
前記第1処理ガスは、炭素原子及びフッ素原子を含有する第1ガスとケイ素原子を含有する第2ガスとを含む混合ガスであり、
前記堆積膜は、炭素原子及びフッ素原子を含有し、
前記b)は、前記第1ガス及び前記第2ガスの流量比を調整することによって、前記第1領域及び前記第2領域上に形成される堆積膜の炭素原子及びフッ素原子の組成比を制御する、
基板処理方法。 - a)チャンバ内に第1領域及び第2領域を有する基板を提供する工程と、
b)第1処理ガスから第1プラズマを生成することによって前記第1領域及び前記第2領域上に堆積膜を形成する工程と、
c)不活性ガスを含む第2処理ガスから第2プラズマを生成することによって前記第1領域をエッチングする工程と、
を備え、
前記第1処理ガスは、炭素原子及びフッ素原子を含有する第1ガスとケイ素原子を含有する第2ガスとを含む混合ガスであり、
前記第2処理ガスは、希ガス又は窒素ガスである、
基板処理方法。 - 前記第1ガスは、フルオロカーボンガス及び/又はハイドロフルオロカーボンガスである、請求項1~3の何れか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第1ガスは、C5F8ガス、C3F8ガス、C4F8ガス、C5F8ガス、C4F6ガス、CF4ガス、CH3Fガス、CHF3ガス及びCH2F2ガスの群から選択される少なくとも一種類を含む、
請求項1~3の何れか一項に記載の基板処理方法。 - 前記第2ガスは、SiCl4ガス、SiH4ガス、Si2H6ガス、SiH2Cl2ガス、Si4H10ガス及びSi5H12ガスの群から選択される少なくとも一種類を含む、
請求項1~5の何れか一項に記載の基板処理方法。 - 前記第1領域は酸化シリコンを含み、前記第2領域は窒化シリコンを含む、
請求項1~6の何れか一項に記載の基板処理方法。 - 前記b)は、前記第2ガスの流量を段階的に増減する、
請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記b)及び前記c)を含むサイクルを一回以上実行する、
請求項1~8の何れか一項に記載の基板処理方法。 - 請求項1~9の何れか一項に記載の基板処理方法を備える半導体デバイスの製造方法。
- チャンバと、
前記チャンバに処理ガスを供給するように構成されるガスソース群と、
前記ガスソース群によって前記チャンバに供給される前記処理ガスをプラズマ励起させるように構成される高周波電源と、
前記ガスソース群及び前記高周波電源を制御するように構成される制御部と、
を備え、
前記制御部は、
a)前記チャンバ内に第1領域及び第2領域を有する基板を提供する工程と、
b)前記処理ガスからプラズマを生成することによって前記第1領域上に堆積膜を形成する工程と、
c)不活性ガスを含む第2処理ガスから第2プラズマを生成することによって前記第1領域をエッチングする工程と、
を含む処理を実行し、
前記処理ガスは、炭素原子及びフッ素原子を含有する第1ガスとケイ素原子を含有する第2ガスとを含む混合ガスであり、
前記第2処理ガスは、希ガス又は窒素ガスである、
プラズマ処理装置。 - チャンバと、
前記チャンバに処理ガスを供給するように構成されるガスソース群と、
前記ガスソース群によって前記チャンバに供給される前記処理ガスをプラズマ励起させるように構成される高周波電源と、
前記ガスソース群及び前記高周波電源を制御するように構成される制御部と、
を備え、
前記制御部は、
a)前記チャンバ内に第1領域及び第2領域を有する基板を提供する工程と、
b)前記処理ガスからプラズマを生成することによって前記第1領域上に堆積膜を形成する工程と、
c)不活性ガスを含む第2処理ガスから第2プラズマを生成することによって前記第1領域をエッチングする工程と、
を含む処理を実行し、
前記処理ガスは、炭素原子及びフッ素原子を含有する第1ガスとケイ素原子を含有する第2ガスとを含む混合ガスであり、
前記c)は、前記堆積膜と前記第2プラズマに含まれるイオンとを反応させることによって、前記第1領域をエッチングする、
プラズマ処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019181487A JP7398915B2 (ja) | 2019-10-01 | 2019-10-01 | 基板処理方法、半導体デバイスの製造方法、及び、プラズマ処理装置 |
TW109131991A TW202129753A (zh) | 2019-10-01 | 2020-09-17 | 基板處理方法、半導體元件之製造方法及電漿處理裝置 |
CN202010994040.8A CN112599414A (zh) | 2019-10-01 | 2020-09-21 | 基片处理方法、半导体器件的制造方法和等离子体处理装置 |
US17/035,899 US11955316B2 (en) | 2019-10-01 | 2020-09-29 | Substrate processing method, method for manufacturing semiconducor device, and plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019181487A JP7398915B2 (ja) | 2019-10-01 | 2019-10-01 | 基板処理方法、半導体デバイスの製造方法、及び、プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021057523A JP2021057523A (ja) | 2021-04-08 |
JP7398915B2 true JP7398915B2 (ja) | 2023-12-15 |
Family
ID=75162198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019181487A Active JP7398915B2 (ja) | 2019-10-01 | 2019-10-01 | 基板処理方法、半導体デバイスの製造方法、及び、プラズマ処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11955316B2 (ja) |
JP (1) | JP7398915B2 (ja) |
CN (1) | CN112599414A (ja) |
TW (1) | TW202129753A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010098220A (ja) | 2008-10-20 | 2010-04-30 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
JP2016027594A (ja) | 2014-07-01 | 2016-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3355949B2 (ja) * | 1996-08-16 | 2002-12-09 | 日本電気株式会社 | プラズマcvd絶縁膜の形成方法 |
JPH11111680A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Yasuhiro Horiike | エッチング方法 |
US9030013B2 (en) * | 2012-09-21 | 2015-05-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Interconnect structures comprising flexible buffer layers |
JP6396699B2 (ja) | 2014-02-24 | 2018-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
JP6373150B2 (ja) | 2014-06-16 | 2018-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
JP6529357B2 (ja) | 2015-06-23 | 2019-06-12 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
-
2019
- 2019-10-01 JP JP2019181487A patent/JP7398915B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-17 TW TW109131991A patent/TW202129753A/zh unknown
- 2020-09-21 CN CN202010994040.8A patent/CN112599414A/zh active Pending
- 2020-09-29 US US17/035,899 patent/US11955316B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2016027594A (ja) | 2014-07-01 | 2016-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021057523A (ja) | 2021-04-08 |
CN112599414A (zh) | 2021-04-02 |
US11955316B2 (en) | 2024-04-09 |
TW202129753A (zh) | 2021-08-01 |
US20210098234A1 (en) | 2021-04-01 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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