JP7397694B2 - 発光装置、撮像装置、電子機器及び移動体 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置、撮像装置、電子機器及び移動体に関するものであり、例えば、有機発光素子を有する発光装置に関する。

有機発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子、あるいは有機発光素子と呼ぶ）は、一対の電極とこれら電極間に配置される有機化合物層とを有する電子素子である。これら一対の電極から電子及び正孔を注入することにより、有機化合物層中の発光性有機化合物の励起子を生成し、該励起子が基底状態に戻る際に、有機発光素子は光を放出する。有機発光素子の特徴には、低駆動電圧、多様な発光波長、高速応答性、発光デバイスの薄型化・軽量化が可能であることが挙げられる。

特許文献１には、適切なホワイトバランスを実現するために、各発光色の画素における駆動トランジスタに対して、同一のゲート－ソース間電圧を印加した際、流れる電流量が異なる構成が開示されている。より具体的には、駆動トランジスタの移動度や、絶縁膜の厚さ、絶縁膜の誘電率が色毎に異なることが記載されている。

特開２００９－２２３０３６号公報

特許文献１の様に、駆動トランジスタの構造を、色毎に変える場合、複数の異なる材料を用いたり、製造の工程数を増やしたりする必要があるため、工程が複雑になり製造コストが増大してしまう。本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、適切なホワイトバランスの実現が容易な発光装置を提供することである。

本発明の一実施形態に係る発光装置は、発光色が互いに異なる複数の画素を備え、前記複数の画素はそれぞれ、互いに異なる少なくとも３種類の発光色の内の１色で発光する発光素子と、ゲートに供給される電圧に応じて前記発光素子に電流を供給する駆動トランジスタと、信号線からの信号電圧を前記駆動トランジスタのゲートに供給する書き込みトランジスタと、前記駆動トランジスタと前記書き込みトランジスタとの接続箇所に容量と、を有し、前記容量は、前記発光色ごとに互いに異なり、前記発光素子に流れるピーク電流の大きい発光色の画素ほど大きいことを特徴とする。

本発明によれば、適切なホワイトバランスの実現が容易な発光装置を提供することができる。

実施形態１に係る発光装置の一部の一例。 実施形態１に係る発光装置の画素の一例の回路図。 実施形態１に係る発光装置のタイミング図。 実施形態１に係る発光装置の画素の電気的特性を示す図。 実施形態１に係る発光装置の３つの発光色の画素の一例の回路図。 実施形態１に係る発光装置の３つの発光色の画素のタイミング図。 実施形態１に係る発光装置の３つの発光色の画素の電気的特性を示す図。 実施形態１に係る発光装置の画素の構成例１の平面図。 実施形態１に係る発光装置の画素の構成例１の断面図。 実施形態１に係る発光装置の画素の構成例２の平面図。 実施形態１に係る発光装置の画素の構成例３の平面図。 実施形態１に係る発光装置の画素の構成例４の平面図。 実施形態１に係る発光装置の画素の構成例４の断面図。 実施形態２に係る発光装置の一部の一例。 実施形態２に係る発光装置の画素の一例の回路図。 実施形態２に係る発光装置のタイミング図。 実施形態２に係る発光装置の３つの発光色の画素の一例の回路図。 実施形態２に係る発光装置の３つの発光色の画素のタイミング図。 実施形態３に係る発光装置の一部の一例。 実施形態３に係る発光装置の画素の一例の回路図。 実施形態３に係る発光装置のタイミング図。 実施形態３に係る発光装置の３つの発光色の画素の一例の回路図。 実施形態３に係る発光装置の３つの発光色の画素のタイミング図。 実施形態４に係る発光装置の画素の一例の回路図。 実施形態４に係る発光装置の３つの発光色の画素の一例の回路図。 実施形態４に係る発光装置の３つの発光色の画素のタイミング図。 実施形態４に係る発光装置の３つの発光色の画素の電気的特性を示す図。 実施形態４に係る発光装置の３つの発光色の画素のタイミング図。 実施形態４に係る発光装置の３つの発光色の画素の電気的特性を示す図。 実施形態４に係る発光装置の３つの発光色の画素の一例の回路図。 有機発光素子を用いた表示装置の概略断面図。 表示装置の一例を示す模式図。 （ａ）撮像装置の一例を示す模式図。（ｂ）電子機器の一例を示す模式図。 （ａ）表示装置の一例を示す模式図。（ｂ）折り曲げ可能な表示装置の一例を示す図。 （ａ）表示装置を用いた照明装置の一例を示す図。（ｂ）表示装置を用いた車両用灯具を示す図。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

（実施形態１）
以下では、有機発光素子の陽極に駆動トランジスタが接続され、トランジスタが全てＰ型トランジスタである場合について説明するが、本発明の発光装置はこれに限定されない。極性、及び導電型が全て逆であってもよい。また、駆動トランジスタはＰ型トランジスタであり、他のトランジスタはＮ型トランジスタであってもよく、適宜、導電型と極性に合わせて、供給される電位や接続を変更すれば良い。

図１は、本実施形態に係る発光装置の一部の一例の概略を示す図である。図１に示すように、有機発光素子を備えた発光装置の一例である有機発光装置１０１は、画素アレイ部１０３と、画素アレイ部１０３の周辺に配置された駆動部と、を有する。画素アレイ部１０３は、行列状に２次元配置された複数の画素１０２を有し、各画素１０２は、有機発光素子２０１（図２に示す）を有する。有機発光素子２０１は、陽極と陰極との電極間に発光層を含む有機層を有する。有機層は、発光層以外に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の１つまたは多数を適宜有していても良い。

有機発光装置１０１は各画素１０２を駆動する駆動部を有する。例えば、駆動部としては、垂直走査回路１０４、及び信号出力回路１０５を有する。画素アレイ部１０３において、行方向に沿って、第一走査線１０６が、画素の行ごとに配されている。また、列方向に沿って、信号線１０７が、画素の列ごとに配されている。

第一走査線１０６は、垂直走査回路１０４の対応する行の出力端に接続されている。また、信号線１０７は、信号出力回路１０５の出力端に接続されている。垂直走査回路１０４は、画素アレイ部１０３の各画素１０２への映像信号の書き込み時において、第一走査線１０６に書き込み制御信号１０８を供給する。信号出力回路１０５は、輝度情報に応じた電圧（以下、信号電圧Ｖｓｉｇ）を有する輝度信号を出力する。

図２は、図１の有機発光装置１０１が有する画素１０２の一例の回路図である。図２に示すように、画素１０２は、有機発光素子２０１、駆動トランジスタ２０２、書き込みトランジスタ２０３、第一容量素子２０４を有する。

ここで、トランジスタと容量素子の総数や、トランジスタの導電型の組み合わせに関しては、あくまで一例に過ぎず、本構成に限定されるものではない。また素子Ａと素子Ｂの間にトランジスタが接続される、という場合、素子Ａと素子Ｂの一方にトランジスタのソースまたはドレインの一方が接続され、素子Ａと素子Ｂの他方にトランジスタのソースまたはドレインの他方が接続される。よって、素子Ａと素子Ｂの一方にトランジスタのゲートが接続され、素子Ａと素子Ｂの他方にトランジスタのソース及びドレインの一方が接続され、素子Ａと素子Ｂの一方にソース及びドレインの他方が接続されないものは含まない。

具体的な構成としては、駆動トランジスタ２０２のソース及びドレインの一方（ここではドレインとする）は、有機発光素子２０１の第一電極（ここでは陽極）に接続されている。駆動トランジスタ２０２の他方（ここではソース）は、電源電位（以下、Ｖｄｄ）が与えられる第一の電源端子２０５（以下、Ｖｄｄ２０５）に接続されている。有機発光素子２０１の第二電極（ここでは陰極）は、基準電位（以下、Ｖｓｓ）が与えられる第二の電源端子２０６（以下、Ｖｓｓ２０６）に接続されている。

書き込みトランジスタ２０３のソース及びドレインの一方は、駆動トランジスタ２０２のゲートに接続され、書き込みトランジスタ２０３のソース及びドレインの他方は、信号線１０７に接続されている。書き込みトランジスタ２０３のゲートは、第一走査線１０６に接続されている。

第一容量素子２０４は、駆動トランジスタ２０２のゲートと、ソース及びドレインの一方（ここではドレイン）との間に接続されている。第一容量素子２０４は、寄生容量及びＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｍｅｔａｌ）構造を含んでもよい。

駆動トランジスタ２０２は、Ｖｄｄ２０５から有機発光素子２０１へ電流を供給し、発光させる。より具体的には、駆動トランジスタ２０２は、信号線１０７が有する信号電圧に応じた電流を有機発光素子２０１に供給する。これにより、有機発光素子２０１を電流駆動することによって発光させる。

書き込みトランジスタ２０３は、垂直走査回路１０４から第一走査線１０６を通して、ゲートに印加される書き込み制御信号１０８に応答し、導通状態となる。これにより、書き込みトランジスタ２０３は、信号線１０７を介して、信号出力回路１０５から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を画素１０２に書き込む。この書き込まれた信号電圧は、駆動トランジスタ２０２のゲートに印加される。

有機発光素子２０１の一例である有機ＥＬ （Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）素子の発光時には、駆動トランジスタ２０２に流れる電流量を輝度に応じて変化させる。これにより、有機発光素子２０１の第一電極（ここでは陽極）と第二電極（ここでは陰極）間の容量を所定電位まで充電し、その電位差に応じた電流を流す。これによって、有機発光素子２０１が、所定の輝度の発光を行う。

最初に図３のタイミング図を使って本実施形態に係る発光装置の動作の概略を説明する。図３において、時刻ｔ１以前は、前のフレームにおける有機発光素子２０１の発光期間である。発光期間では、書き込みトランジスタ２０３は、オフ状態である。時刻ｔ１から、新しいフレームとなる。時刻ｔ１において、第一走査線１０６からの書き込み制御信号１０８が、ＨｉｇｈからＬｏｗへ遷移することによって、書き込みトランジスタ２０３がオン状態となる。これによって、信号線１０７が有するリセット電圧（以下、Ｖｒｅｓ）が、駆動トランジスタ２０２のゲートに書き込まれ、駆動トランジスタ２０２がオフ状態となる。ゆえに、駆動トランジスタ２０２から有機発光素子２０１へ電流が供給されなくなるため、非発光状態となる。この様に、駆動トランジスタ２０２のゲート電位を、Ｖｒｅｓに設定する期間（時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間）が、リセット期間である。

時刻ｔ２では、書き込み制御信号１０８が、ＬｏｗからＨｉｇｈへ遷移することによって、書き込みトランジスタ２０３がオフ状態となり、駆動トランジスタ２０２のゲート電位は、フローティング状態となる。

時刻ｔ３では、信号線１０７の信号電圧が、ＶｒｅｓからＶｓｉｇへ遷移する。時刻ｔ４では、書き込み制御信号１０８が、ＨｉｇｈからＬｏｗへ遷移することによって、書き込みトランジスタ２０３がオン状態となる。これによって、信号線１０７が有する信号電圧Ｖｓｉｇが、駆動トランジスタ２０２のゲートに供給され、駆動トランジスタ２０２に所定の電流が流れるようになる。この様に、駆動トランジスタ２０２のゲート電位を、Ｖｓｉｇに設定する期間（時刻ｔ４から時刻ｔ５までの期間）が、信号書き込み期間である。

時刻ｔ５では、書き込み制御信号１０８が、ＬｏｗからＨｉｇｈへ遷移することによって、書き込みトランジスタ２０３がオフ状態となる。このとき、書き込みトランジスタ２０３のゲートと、駆動トランジスタ２０２のゲート間の容量カップリングによって、駆動トランジスタ２０２のゲート電位が、ΔＶ_１だけ増大する。ΔＶ_１は、次式（１）で表される。
ΔＶ_１＝Ｖｈｌ・Ｃｐ ／（Ｃｇ＋Ｃｐ） ・・・（１）
ここで、各記号は、
Ｖｈｌ：書き込み制御信号のＨｉｇｈ電圧－Ｌｏｗ電圧、
Ｃｐ：書き込みトランジスタ２０３のゲートと、駆動トランジスタ２０２のゲート間の寄生容量、
Ｃｇ：Ｃｐを除く、駆動トランジスタ２０２のゲート容量であり、駆動トランジスタ２０２と書き込みトランジスタ２０３の接続箇所の容量である。

駆動トランジスタ２０２のゲート電位は、Ｖｓｉｇ＋ΔＶ_１となり、駆動トランジスタ２０２が、発光期間中に保持するゲート－ソース間電圧Ｖｇｓは、次式（２）で表される。
Ｖｇｓ＝Ｖｇ－Ｖｓ＝Ｖｓｉｇ＋ΔＶ_１－Ｖｄｄ ・・・（２）
図４は、画素１０２において、Ｖｓｉｇに対して、駆動トランジスタ２０２に流れる電流の特性４０１に一例を示している。式（２）より、Ｖｓｉｇが低いほど、Ｖｇも低くなり、電流は大きくなる。また、駆動トランジスタ２０２に流れる電流が大きいほど、有機発光素子２０１の発光量も増大する。また、本実施形態では、駆動トランジスタ２０２は、サブスレッショルド領域、及び、飽和領域で使用する場合を想定している。

図５は、それぞれ互いに異なる少なくとも３種類の発光色の画素に対応した回路図を示している。３種類の発光色は例えばグリーン、レッド、ブルーである。各画素は少なくとも３種類の発光色の内の１色で発光できる。ここで画素１０２ａは、グリーンを発光する画素であって、容量素子２０４ａを有する。画素１０２ｂは、レッドを発光する画素であって、容量素子２０４ｂを有する。画素１０２ｃは、ブルーを発光する画素であって、容量素子２０４ｃを有する。本実施形態では、これらの容量の大小関係は、２０４ａ＞２０４ｂ＞２０４ｃとし、駆動トランジスタのゲート容量Ｃｇは、画素１０２ａ＞画素１０２ｂ＞画素１０２ｃの関係であるとする。

なお、トランジスタのキャリア輸送型が異なる場合には、容量の容量値の大きさの順番は、逆になる。すなわち、容量２０４ａは、発光素子１０２ａ及び発光素子１０２ｂが同じ輝度信号を受けた場合に、発光素子１０２ａに流れる電流が第一の発光素子１０２ｂに流れる電流よりも大きくなるように、容量２０４ｂの容量値と異なる、ということができる。

次に、発光色ごとに異なるゲート容量Ｃｇによる動作の概略を、図６を使って説明する。図６において、時刻ｔ２とｔ５では、駆動トランジスタ２０２のゲート電位が、画素１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃにおいて、それぞれΔＶａ、ΔＶｂ、ΔＶｃだけ増大する。式（１）より、駆動トランジスタ２０２のゲート容量Ｃｇが大きいほど、ΔＶが小さくなるため、ΔＶａ＜ΔＶｂ＜ΔＶｃとなる。ゆえに、各画素の駆動トランジスタ２０２のＶｇは、画素１０２ａ＜画素１０２ｂ＜画素１０２ｃの関係となる。Ｖｇが小さいほど、駆動トランジスタ２０２の電流量は大きくなるため、各画素における駆動トランジスタ２０２の電流量は、画素１０２ａ＞画素１０２ｂ＞画素１０２ｃの関係となる。ただし、時刻ｔ１からｔ４の期間では、駆動トランジスタ２０２はオフ状態であるため、Ｖｇに依らず、有機発光素子２０１は、非発光状態となる。

図７は、Ｖｓｉｇに対する、ホワイトバランスが良好なときの、同じ信号電圧に対する発光色ごとの発光素子の持つピーク電流特性４０１の一例を示している。ここでは、所定の信号電圧Ｖ１において、グリーンの発光素子のピーク電流特性Ｉｐａ、レッドの発光素子のピーク電流特性Ｉｐｂ、ブルーの発光素子のピーク電流特性Ｉｐｃとなり、Ｉｐａ＞Ｉｐｂ＞Ｉｐｃである。ピーク電流特性を調整するために、容量素子２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃの容量値を適宜、調整する。これにより、画素１０２ａ（グリーン）、画素１０２ｂ（レッド）、画素１０２ｃ（ブルー）におけるそれぞれのピーク輝度を制御することが可能となる。例えばグリーンに発光する発光素子の輝度を上げるときはピーク電流を増やすために容量素子２０４ａの容量を増やすとよい。このようにピーク電流を増やすには容量素子の容量値を増やすことでホワイトバランスの調整ができる。容量の大きいほどピーク電流が大きい。ここで、ピーク電流とは、各発光色の画素において、駆動トランジスタ２０２に流れる最大の電流量である。また、ピーク輝度とは、駆動トランジスタ２０２にピーク電流が流れた際、有機発光素子２０１が発光する最大の輝度である。以上のようにして有機発光素子の発光色ごとの発光効率の違いによる輝度の差も調整できる。

以上説明したように、信号電圧Ｖｓｉｇと、駆動トランジスタ２０２が保持するゲート－ソース間電圧との変換比率をゲート容量Ｃｇにより色毎に変えるように補正することが可能となる。これによって、駆動トランジスタの構造を色毎に変えることなく、適切なホワイトバランスを容易に実現することができる。次に具体的にゲート容量Ｃｇを変更する方法について説明する。

最初にＬＤＤ構造を持つ有機発光素子の構成例１について説明する。図８は、図５に示す回路のトランジスタ、及び半導体層の一例を示す平面図である。図８に示すように、書き込みトランジスタ２０３は、ゲート電極８０７、ソース部８０８、及びドレイン部８０９で構成される。また、駆動トランジスタ２０２は、ゲート電極８０１、ソース部８０２、及びドレイン部８０３で構成されており、ドレイン部８０３は、不図示の有機発光素子２０１の第一電極に接続される。さらに、ドレイン部８０３は、低濃度Ｐ型拡散層８０４とＰ型拡散層８０５を有しており、ゲート電極８０１とＰ型拡散層８０５の間に、低濃度Ｐ型拡散層８０４が配される。また、低濃度Ｐ型拡散層８０４部におけるゲート電極８０１からＰ型拡散層８０５までのチャネルに沿った低不純物濃度部分の距離が、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）長である。言い換えると電流が流れる方向に沿った低不純物濃度部分の距離ともいえる。

画素１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃにおける駆動トランジスタ２０２のＬＤＤ長は、それぞれ８０６ａ、８０６ｂ、８０６ｃであって、それらの長さの関係は、８０６ａ＜８０６ｂ＜８０６ｃとなっている。画素１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃにおいて、ゲート電極８０１とドレイン部８０３との間の寄生容量をそれぞれ、２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃとすれば、容量の大小関係は、２０４ａ＞２０４ｂ＞２０４ｃとなる。８１０は、コンタクト部である。構成例１では、ソース部を８０２及び８０８、ドレイン部を８０３及び８０９としたが、逆の関係であっても良い。

図９は、図８に示す平面図におけるＹ１－Ｙ１´間の断面図である。図９に示すように、低濃度Ｐ型拡散層８０４は、Ｐ型拡散層８０５とＮ型ウェル層９０１との間に配されている。９０２は、Ｐ型の基板である。９０３は、絶縁体分離部であって、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）分離、ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）分離、Ｎ型の拡散層分離のいずれでも良い。

本例では、ＬＤＤ構造を作る際のマスクの長さを発光色ごとに変えるだけでゲート容量Ｃｇを変えることができる。

次に、図１０を参照しながら、別の構成例２について説明する。本例は、駆動トランジスタのドレイン部の拡散層濃度が、発光色ごとに異なっている構成である。以下、構成例１と異なる構成を中心に説明する。

図１０は、図５に示す回路のトランジスタ、及び半導体層の一例を示す平面図である。図１０に示すように、画素１０２ａ、画素１０２ｂ、画素１０２ｃにおける駆動トランジスタ２０２のドレイン部であるＰ型拡散層は、それぞれ８０３ａ、８０３ｂ、８０３ｃである。また、各Ｐ型拡散層の不純物濃度の関係は、８０３ａ＞８０３ｂ＞８０３ｃとなっている。画素１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃにおいて、ゲート電極８０１とドレイン部との間の寄生容量をそれぞれ、２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃとすれば、容量の大小関係は、２０４ａ＞２０４ｂ＞２０４ｃとなる。この様な構成により、構成例１と同様の効果を得ることができる。また、本例では、ソース部を８０２、ドレイン部を８０３ａ、８０３ｂ及び８０３ｃとしたが、逆の関係であっても良い。

次に、図１１を参照しながら、構成例３について説明する。本例は、平面視において、駆動トランジスタのドレイン部に接続された配線と、ゲート電極が重なっている面積が、発光色ごとに異なっている構成である。以下、他の構成例と異なる構成を中心に説明する。
図１１は、図５に示す回路のトランジスタ、及び半導体層の一例を示す平面図である。図１１に示すように、画素１０２ａ、画素１０２ｂ、画素１０２ｃにおける駆動トランジスタ２０２のドレイン部８０３に接続された配線は、それぞれ１１０１ａ、１１０１ｂ、１１０１ｃである。また、平面視において、駆動トランジスタ２０２のゲート電極と、各配線が重なっている面積は、画素１０２ａ＞画素１０２ｂ＞画素１０２ｃとなっている。画素１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃにおいて、ゲート電極８０１とドレイン部８０３との間の寄生容量をそれぞれ、２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃとすれば、容量の大小関係は、２０４ａ＞２０４ｂ＞２０４ｃとなる。そこで発光色に応じてホワイトバランスをとるように容量を調整する。この様な構成により、実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態では、ソース部を８０２、ドレイン部を８０３としたが、逆の関係であっても良い。このように本例では配線長を変更するだけでゲート容量Ｃｇを変更できる。

次に、図１２と図１３を参照しながら、構成例４について説明する。本例は、画素の第一容量素子がＭＩＭで構成され、その容量が、発光色ごとに異なっている構成である。以下、他の構成例と異なる構成を中心に説明する。

図１２は、図５の容量素子２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃにおける平面図である。容量素子２０４ａは、上部電極１２０１ａと下部電極１２０２、容量素子２０４ｂは、上部電極１２０１ｂと下部電極１２０２、容量素子２０４ｃは、上部電極１２０１ｃと下部電極１２０２の間に、それぞれ酸化膜を有するＭＩＭ構造である。各上部電極は、有機発光素子２０１の第一電極に接続され、下部電極１２０２は、駆動トランジスタ２０２のゲートに接続されている。平面視において、各上部電極と下部電極１２０２が重なっている面積は、画素１０２ａ＞画素１０２ｂ＞画素１０２ｃとなっている。ゆえに、それぞれの容量の大小関係は、２０４ａ＞２０４ｂ＞２０４ｃとなる。そこでホワイトバランスをとるため、発光色に応じて輝度を変えるために、ピーク電流を容量により変える。この様な構成により、本実施形態と同様の効果を得ることができる。

図１３は、図１２に示す平面図におけるＹ２－Ｙ２´間の断面図である。図１３に示すように、上部電極１２０１ｂは、下部電極１２０２の上部に配される。また、本実施形態では、上部電極は、有機発光素子２０１の第一電極に接続され、下部電極１２０２は、駆動トランジスタ２０２のゲートに接続されているとしたが、逆の関係であっても良い。電極を形成するときに一度で発光色ごとに異なる容量の第一容量素子を作成することができる。

（実施形態２）
次に、図１４～図１８を参照しながら、本実施形態２について説明する。本実施形態は、Ｖｄｄ２０５から駆動トランジスタ２０２への電流供給を制御する発光制御トランジスタ１５０１を有する構成である。また本実施形態では駆動トランジスタ２０２の閾値補正についても説明する。以下では実施形態１と異なる構成を中心に説明する。

図１４は、本実施形態に係る発光装置の一部の一例の概略を示す図である。図１４に示すように、画素アレイ部１０３において、行方向に沿って、第二走査線１４０１が、画素行ごとに配されている。第二走査線１４０１は、垂直走査回路１０４において、対応する行の出力端に接続されており、各画素１０２へ発光制御信号１４０２を供給する。

図１５は、図１４の発光装置が有する画素の一例の回路図である。図１５に示すように、発光制御トランジスタ１５０１のソース及びドレインの一方（図１５ではドレイン）は、駆動トランジスタ２０２のソース及びドレインの一方（ここではソース）に接続されている。発光制御トランジスタ１５０１の他方は、Ｖｄｄ２０５に接続されている。発光制御トランジスタ１５０１のゲートは、第二走査線１４０１に接続されている。第二容量素子１５０２は、駆動トランジスタ２０２のゲートとソースの間に接続されている。第二容量素子１５０２は駆動トランジスタ２０２の閾値を保持するための容量である。第三容量素子１５０３は、駆動トランジスタ２０２のソースとＶｄｄ２０５の間に接続されている。

発光制御トランジスタ１５０１は、垂直走査回路１０４から第二走査線１４０１を介して、ゲートに印加される発光制御信号１４０２に応答し、導通状態になることで、Ｖｄｄ２０５から駆動トランジスタ２０２への電流供給を許容する。これにより、駆動トランジスタ２０２による有機発光素子２０１の発光が可能になる。すなわち、発光制御トランジスタ１５０１は、有機発光素子２０１の発光・非発光を制御するトランジスタとしての機能を有している。このようにして、発光制御トランジスタ１５０１のスイッチング動作により、有機発光素子２０１の発光期間と非発光期間との割合を制御することができる（いわゆる、デューティ制御）。このデューティ制御により、１フレーム期間に亘って、画素１０２が発光することに伴う残像ボケを低減でき、特に、動画における画質の品位をより優れたものとすることができる。

また、製造バラツキにより、駆動トランジスタ２０２の閾値電圧が、画素毎に異なることがある。同一発光色の複数の画素に対して、同一のＶｓｉｇを書き込んだ場合において、画素毎に駆動トランジスタ２０２を流れる電流量が異なり、発光量がばらついてしまう。そこで、駆動トランジスタ２０２の閾値電圧を、Ｖｓｉｇを書き込む前に、駆動トランジスタ２０２のゲート－ソース間で保持させる動作を行う（いわゆる、閾値補正動作）。この閾値補正動作により、各画素における駆動トランジスタ２０２の電流量ばらつきを低減することができ、均一な発光を実現できる。

閾値補正動作においては、発光制御トランジスタ１５０１と駆動トランジスタ２０２を介して、有機発光素子２０１に電流を流した後、発光制御トランジスタ１５０１をオフ状態とする。これにより、駆動トランジスタ２０２のゲート－ソース間の電圧が静定するまで、すなわち略一定の値となるまで、有機発光素子２０１へ電流が流れ、閾値補正が行われる。

本実施形態に係る発光装置のタイミング図である図１６を用いて閾値補正動作及び各色のバランスについて説明をする。図１６において、時刻ｔ１以前は、前のフレームにおける有機発光素子２０１の発光期間である。発光期間では、発光制御トランジスタ１５０１はオン状態、書き込みトランジスタ２０３はオフ状態である。

時刻ｔ１から、新しいフレームとなる。時刻ｔ１において、発光制御信号１４０２が、ＬｏｗからＨｉｇｈへ遷移することによって、発光制御トランジスタ１５０１がオフ状態となる。従って、Ｖｄｄ２０５から、発光制御トランジスタ１５０１と駆動トランジスタ２０２を介して、有機発光素子２０１に電流が供給されなくなり、有機発光素子２０１は、消光する。

時刻ｔ２では、信号線１０７の信号電圧が、Ｖｓｉｇから閾値補正電圧（以下、Ｖｏｆｓ）に切り替わる。

時刻ｔ３では、書き込み制御信号１０８が、ＨｉｇｈからＬｏｗへ遷移することによって、書き込みトランジスタ２０３が、オン状態となる。これによって、信号線１０７が有するＶｏｆｓが、駆動トランジスタ２０２のゲートに書き込まれる。また、駆動トランジスタ２０２のソース電位は、フローティング状態であるため、駆動トランジスタ２０２のゲートとソース間の容量カップリングの影響を受けて、変化する。

時刻ｔ４では、発光制御信号１４０２が、ＨｉｇｈからＬｏｗへ遷移することによって、発光制御トランジスタ１５０１がオン状態となる。これによって、駆動トランジスタ２０２のソースは、Ｖｄｄ２０５と略等しい電圧となる。このように、駆動トランジスタ２０２のゲート電位をＶｏｆｓに、ソース電位をＶｄｄに初期化する期間が、リセット期間である。リセット期間においては、Ｖｄｄ２０５から、発光制御トランジスタ１５０１と駆動トランジスタ２０２を介して、有機発光素子２０１に電流が供給されるため、有機発光素子２０１の陽極が充電されることによって、陽極電位（以下、Ｖｅｌ）が増大する。このとき、Ｖｅｌは、有機発光素子２０１の発光閾値未満の電位であることが望ましいが、リセット期間が十分短い場合には、発光量も十分小さいため、その限りではない。

時刻ｔ５では、発光制御信号１４０２が、ＬｏｗからＨｉｇｈへ遷移することによって、発光制御トランジスタ１５０１がオフ状態となる。これによって、駆動トランジスタ２０２のソース電位（以下、Ｖｓ）は、Ｖｏｆｓと駆動トランジスタ２０２の閾値電圧（以下、Ｖｔｈ）との差電圧であるＶｓ＝Ｖｏｆｓ－Ｖｔｈまで変化する。駆動トランジスタ２０２のゲート電位（以下、Ｖｇ）は、Ｖｇ＝Ｖｏｆｓであるから、第二容量素子１５０２には、Ｖｔｈが保持される。この期間（時刻ｔ５から時刻ｔ６の期間）が、閾値補正期間である。よって、この期間（時刻ｔ５から時刻ｔ６の期間）において発光制御トランジスタ１５０１、及び第二容量素子１５０２は、駆動トランジスタ２０２の閾値電圧Ｖｔｈを補償する閾値補正部として機能する。

時刻ｔ６では、書き込み制御信号１０８が、ＬｏｗからＨｉｇｈへ遷移することによって、書き込みトランジスタ２０３が、オフ状態となる。時刻ｔ７では、信号線１０７の信号電圧が、ＶｏｆｓからＶｓｉｇに切り替わる。

時刻ｔ８では、書き込み制御信号１０８が、ＨｉｇｈからＬｏｗへ遷移することによって、書き込みトランジスタ２０３が、オン状態となる。これによって、信号線１０７が有するＶｓｉｇが、駆動トランジスタ２０２のゲートに書き込まれる。また、駆動トランジスタ２０２のソース電位は、フローティング状態であるため、駆動トランジスタ２０２のゲート－ソース間の容量カップリングの影響を受けて変化する。このように、駆動トランジスタ２０２のゲート電位を、信号電圧Ｖｓｉｇに設定する期間が、信号書き込み期間である。

時刻ｔ９では、書き込み制御信号１０８が、ＬｏｗからＨｉｇｈへ遷移することによって、書き込みトランジスタ２０３が、オフ状態となる。

時刻ｔ１０では、発光制御信号１４０２が、ＨｉｇｈからＬｏｗへ遷移することによって、発光制御トランジスタ１５０１がオン状態となる。このとき、駆動トランジスタ２０２のソースは、Ｖｄｄ２０５と略等しい電圧となる。そして、Ｖｄｄ２０５から、発光制御トランジスタ１５０１と駆動トランジスタ２０２を介して、有機発光素子２０１に電流が供給される。これによって、有機発光素子２０１の陽極が充電され、Ｖｅｌが増大する。Ｖｅｌが、発光閾値以上の電位となることで、有機発光素子２０１が発光する。

また、駆動トランジスタ２０２のソースがＶｄｄ２０５になることにより、駆動トランジスタ２０２のゲート電位は、ゲート－ソース間、及び、ゲート－ドレイン間の容量カップリングの影響を受けて、ΔＶ_２だけ増大する。ΔＶ_２は、次式（３）で表される。
ΔＶ_２＝ΔＶｄ・Ｃｇｄ／（Ｃｇ＋Ｃｇｄ） ・・・（３）
ここで、各記号は、
ΔＶｄ：時刻ｔ１０からｔ１１における駆動トランジスタ２０２のドレイン電圧の変化量、
Ｃｇｄ：容量素子２０４の容量値、
Ｃｇ：Ｃｇｄを除く、駆動トランジスタ２０２のゲート容量であり、駆動トランジスタ２０２と書き込みトランジスタ２０３の接続箇所の容量である。ゆえに、ΔＶ_２は、容量素子２０４、及び、第２容量素子１５０２の容量値により調整できる。

ここで、駆動トランジスタ２０２を流れる電流は、各画素に書き込むＶｓｉｇが同じであれば、時刻ｔ５から時刻ｔ６における閾値補正動作によって、駆動トランジスタ２０２の閾値ばらつきによらず、一定となる。よって、同一発光色の画素間において、均一な発光を実現することができる。時刻ｔ１から時刻ｔ１０までが、非発光期間である。

時刻ｔ１１では、信号線１０７の電位が、ＶｓｉｇからＶｏｆｓに切り替わり、次の動作が開始される。

図１７は、それぞれ異なる発光色の画素に対応した回路図を示しており、画素１０２ａは、グリーンを発光する画素であって、容量素子２０４ａを有する。画素１０２ｂは、レッドを発光する画素であって、容量素子２０４ｂを有する。画素１０２ｃは、ブルーを発光する画素であって、容量素子２０４ｃを有する。容量の大小関係は、２０４ａ＜２０４ｂ＜２０４ｃである。

図１８は、それぞれ異なる発光色の画素に対応したタイミング図である。図１８で示されるように、時刻ｔ１からｔ１０までの非発光期間では、駆動トランジスタ２０２のソース電圧、ゲート電圧、ドレイン電圧のいずれの波形においても、画素１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃとの間で、大きな差はない。

時刻ｔ１０では、有機発光素子２０１に電流が供給され、有機発光素子２０１の陽極電位Ｖｅｌが増大する。このとき、駆動トランジスタ２０２のゲート電位は、ゲート－ソース間、及びゲート－ドレイン間の容量カップリングによって、画素１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃにおける駆動トランジスタ２０２のゲート電圧は、それぞれΔＶａ、ΔＶｂ、ΔＶｃだけ増大する。それぞれの大小関係は、ΔＶａ＜ΔＶｂ＜ΔＶｃとなる。ゆえに、各画素の駆動トランジスタが保持するＶｇｓは、画素１０２ａ＜画素１０２ｂ＜画素１０２ｃとなる。Ｖｇｓが低いほど、駆動トランジスタ２０２の電流量は大きくなるため、各画素における駆動トランジスタ２０２の電流量は、画素１０２ａ＞画素１０２ｂ＞画素１０２ｃとなる。このように信号電圧Ｖｓｉｇと駆動トランジスタのゲート－ソース間電圧との間の変換比率を変えることができる。そこでホワイトバランスをとるために、輝度を上げる必要のある発光色の発光素子についてはピーク電流を増やすように容量を変更すればよい。このような構成によって、実施形態１と同様の効果を得ることができる。

（実施形態３）
次に、図１９から図２３を参照しながら、本実施形態について説明する。本実施形態は、有機発光素子２０１の陽極を、Ｖｓｓ２０６に接続して有機発光素子をリセットするためのリセットトランジスタを有する構成である。以下、他の実施形態と異なる構成を中心に説明する。

図１９は、本実施形態に係る発光装置の一部の一例の概略を示す図である。図１９に示すように、画素アレイ部１０３において、行方向に沿って、第三走査線１９０１が画素行ごとに配されている。第三走査線１９０１は、垂直走査回路１０４において、対応する行の出力端に接続されており、各画素１０２へリセット信号を供給する。

図２０は、図１９の有機発光装置が有する画素の一例の回路図である。図２０に示すように、リセットトランジスタ２００１のソース及びドレインの一方（ここではソース）は、駆動トランジスタ２０２のソース及びドレインの一方（ここではドレイン）に接続されている。リセットトランジスタ２００１の他方は、Ｖｓｓ２０６に接続されている。リセットトランジスタ２００１のゲートは、第三走査線１９０１に接続されている。非発光期間において、リセットトランジスタ２００１をオンすることによって、有機発光素子２０１の陽極をＶｓｓ２０６に接続し、有機発光素子２０１を非発光状態とすることができる。

図２１は、本実施形態に係る発光装置のタイミング図である。図２１において、時刻ｔ１で、リセット信号１９０１が、ＨｉｇｈからＬｏｗへ遷移することによって、リセットトランジスタ２００１がオン状態となる。

また、時刻ｔ１０で、リセット信号１９０１が、ＬｏｗからＨｉｇｈへ遷移することによって、リセットトランジスタ２００１がオフ状態となる。

ゆえに、時刻ｔ１からｔ１０の期間において、有機発光素子２０１の陽極電位Ｖｅｌは、Ｖｓｓ２０６と略等しい電圧となるため、有機発光素子２０１は非発光状態となる。図２２は、それぞれ異なる発光色の画素に対応した回路図を示しており、画素１０２ａは、グリーンを発光する画素であって、容量素子２０４ａを有する。画素１０２ｂは、レッドを発光する画素であって、容量素子２０４ｂを有する。画素１０２ｃは、ブルーを発光する画素であって、容量素子２０４ｃを有する。容量の大小関係は、２０４ａ＜２０４ｂ＜２０４ｃである。本実施形態でも発光色の輝度を容量により調整する。

図２３は、それぞれ異なる発光色の画素に対応したタイミング図である。図２３で示されるように、時刻ｔ１からｔ１０の期間では、いずれの発光色の画素においても、Ｖｅｌは、Ｖｓｓ２０６と略等しい電圧となるため、有機発光素子２０１は非発光状態となる。本実施例の構成によれば、高コントラストな表示装置を実現することができる。

（実施形態４）
次に、図２４から図２９を参照しながら、本実施形態の構成例１について説明する。本実施形態は、駆動トランジスタのゲート－ソース間容量が、発光色ごとに異なる構成である。以下、他の実施形態と異なる構成を中心に説明する。

図２４は、図１９の有機発光装置が有する画素の一例の回路図である。本実施形態では、第一容量素子２０４が接続されていない。ここでは本実施形態の構成例１について説明する。

図２５は、それぞれ異なる発光色の画素に対応した回路図を示しており、画素１０２ａは、グリーンを発光する画素であって、容量素子１５０２ａを有する。画素１０２ｂは、レッドを発光する画素であって、容量素子１５０２ｂを有する。画素１０２ｃは、ブルーを発光する画素であって、容量素子１５０２ｃを有する。本実施形態では、容量の大小関係は、１５０２ａ＜１５０２ｂ＜１５０２ｃである。

図２６は、本実施形態に係る発光装置のタイミング図である。図２６に示されるように、時刻ｔ１からｔ７までは、図２３とおよそ同じ波形である。

時刻ｔ７では、駆動トランジスタ２０２のゲート電圧が、Ｖｏｆｓに略等しい電圧からＶｓｉｇへ変化するため、駆動トランジスタ２０２のゲート－ソース間における容量カップリングによって、ソース電圧が増大する。画素１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃにおける、駆動トランジスタ２０２のソース電圧Ｖｓａ、Ｖｓｂ、Ｖｓｃは、それぞれ、Ｖｓａ＝Ｖｏｆｓ－Ｖｔｈ＋ΔＶｓａ、Ｖｓｂ＝Ｖｏｆｓ－Ｖｔｈ＋ΔＶｓｂ、Ｖｓｃ＝Ｖｏｆｓ－Ｖｔｈ＋ΔＶｓｃとなる。ここで、ΔＶｓａ、Ｖｓｂ、ΔＶｓｃは、それぞれ、次式（４）、（５）、（６）で表される。
ΔＶｓａ＝（Ｖｓｉｇ－Ｖｏｆｓ）・Ｃ２ａ／（Ｃｓ＋Ｃ２ａ） ・・・（４）
ΔＶｓｂ＝（Ｖｓｉｇ－Ｖｏｆｓ）・Ｃ２ｂ／（Ｃｓ＋Ｃ２ｂ） ・・・（５）
ΔＶｓｃ＝（Ｖｓｉｇ－Ｖｏｆｓ）・Ｃ２ｃ／（Ｃｓ＋Ｃ２ｃ） ・・・（６）
ここで各記号は、
Ｃ２ａ：容量素子１５０２ａの容量値
Ｃ２ｂ：容量素子１５０２ｂの容量値
Ｃ２ｃ：容量素子１５０２ｃの容量値
Ｃｓ：駆動トランジスタ２０２において、ゲート－ソース間容量を除くソース容量、である。

時刻１０では、発光制御信号１４０２が、ＨｉｇｈからＬｏｗへ遷移することによって、発光制御トランジスタ１５０１がオン状態となる。このとき、駆動トランジスタ２０２のソースは、Ｖｄｄ２０５と略等しい電圧へ変化するため、駆動トランジスタ２０２のゲート－ソース間における容量カップリングによって、ゲート電圧が増大する。画素１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃにおける、駆動トランジスタ２０２のゲート電圧Ｖｇａ、Ｖｇｂ、Ｖｇｃは、それぞれ、Ｖｇａ＝Ｖｓｉｇ＋ΔＶｇａ、Ｖｇｂ＝Ｖｓｉｇ＋ΔＶｇｂ、Ｖｇｃ＝Ｖｓｉｇ＋ΔＶｇｃとなる。ここで、ΔＶｇａ、Ｖｇｂ、ΔＶｇｃは、それぞれ、次式（７）、（８）、（９）で表される。
ΔＶｇａ＝（Ｖｄｄ－Ｖｓａ）・Ｃ２ａ／（Ｃｇ＋Ｃ２ａ） ・・・（７）
ΔＶｇｂ＝（Ｖｄｄ－Ｖｓｂ）・Ｃ２ｂ／（Ｃｇ＋Ｃ２ｂ） ・・・（８）
ΔＶｇｃ＝（Ｖｄｄ－Ｖｓｃ）・Ｃ２ｃ／（Ｃｇ＋Ｃ２ｃ） ・・・（９）
ここで、Ｃｇ：駆動トランジスタ２０２において、ゲート－ソース間容量を除くゲート容量である。

Ｃｇが、駆動トランジスタ２０２のゲート－ドレイン間の寄生容量、及び、書き込みトランジスタ２０３のゲートと駆動トランジスタ２０２のゲート間の寄生容量であるとすれば、Ｃｇは、Ｃ２ａ、Ｃ２ｂ、Ｃ２ｃに対して、十分小さいことが想定される。

Ｖｓａ、Ｖｓｂ、Ｖｓｃについては上記に示したように、Ｖｓａ＝Ｖｏｆｓ－Ｖｔｈ＋ΔＶｓａ、Ｖｓｂ＝Ｖｏｆｓ－Ｖｔｈ＋ΔＶｓｂ、Ｖｓｃ＝Ｖｏｆｓ－Ｖｔｈ＋ΔＶｓｃの関係がある。したがって、式（７）、（８）、（９）は、（４）、（５）、（６）を用いて、それぞれ、式（１０）、（１１）、（１２）で表される。
ΔＶｇａ＝Ｖｄｄ－Ｖｓａ＝Ｖｄｄ－｛（Ｖｏｆｓ－Ｖｔｈ＋（Ｖｓｉｇ－Ｖｏｆｓ）・Ｃ２ａ／（Ｃｓ＋Ｃ２ａ）｝ ・・・（１０）
ΔＶｇｂ＝Ｖｄｄ－Ｖｓｂ＝Ｖｄｄ－｛Ｖｏｆｓ－Ｖｔｈ＋（Ｖｓｉｇ－Ｖｏｆｓ）・Ｃ２ｂ／（Ｃｓ＋Ｃ２ｂ）｝ ・・・（１１）
ΔＶｇａ＝Ｖｄｄ－Ｖｓａ＝Ｖｄｄ－｛Ｖｏｆｓ－Ｖｔｈ＋（Ｖｓｉｇ－Ｖｏｆｓ）・Ｃ２ｃ／（Ｃｓ＋Ｃ２ｃ）｝ ・・・（１２）
容量値の大小関係が、Ｃ２ａ＜Ｃ２ｂ＜Ｃ２ｃより、Ｖｓｉｇ＞Ｖｏｆｓの場合、ΔＶｇａ＞ΔＶｇｂ＞ΔＶｇｃとなる。ゆえに、発光期間中のゲート電圧は、それぞれ、Ｖｇａ＞Ｖｇｂ＞Ｖｇｃであり、駆動トランジスタ２０２の電流量は、画素１０２ａ＜画素１０２ｂ＜画素１０２ｃとなる。容量素子１５０２ａ～ｃの容量によっても電流を制御することができる。そこでホワイトバランスをとるようにピーク電流を容量により調整することができる。

Ｖｓｉｇ＝Ｖｏｆｓの場合、Ｖｇａ＝Ｖｇｂ＝Ｖｇｃであり、駆動トランジスタ２０２の電流量は、画素１０２ａ＝画素１０２ｂ＝画素１０２ｃとなる。

Ｖｓｉｇ＜Ｖｏｆｓの場合、Ｖｇａ＜Ｖｇｂ＜Ｖｇｃであり、駆動トランジスタ２０２の電流量は、画素１０２ａ＞画素１０２ｂ＞画素１０２ｃとなる。

図２７は、Ｖｓｉｇに対する、画素１０２ａの電流特性２７０１ａ、 画素１０２ｂの電流特性２７０１ｂ、画素１０２ｃの電流特性２７０１ｃを、それぞれ示している。所定の信号電圧Ｖ１において、画素１０２ａはピーク電流Ｉｐａ、画素１０２ｂはピーク電流Ｉｐｂ、画素１０２ｃはピーク電流Ｉｐｃとなり、Ｉｐａ＞Ｉｐｂ＞Ｉｐｃである。ゆえに、容量素子１５０２ａ、１５０２ｂ、１５０２ｃの容量値を、適宜、調整することによって、画素１０２ａ（グリーン）、画素１０２ｂ（レッド）、画素１０２ｃ（ブルー）における各ピーク輝度を制御することが可能となる。

しかしながら、Ｖｓｉｇ＝Ｖｏｆｓにおける駆動トランジスタ２０２の電流をＩｏｆｓとすれば、各発光色の画素のいずれかのピーク電流が、Ｉｏｆｓに等しい場合、Ｉｐａ＝Ｉｐｂ＝Ｉｐｃとなり、適切なホワイトバランスをとることができない。そこで、本実施形態では、各発光色の画素に対して、異なるＶｏｆｓを印加することで、この問題を解決することができる。以下に、具体的な方法を述べる。

図２８は、前述した問題の解決を考慮した、本実施形態に係る発光装置のタイミング図である。図２８で示すように、時刻ｔ２において、画素１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃに書き込む閾値補正電圧Ｖｏｆｓは、それぞれ、Ｖｏａ、Ｖｏｂ、Ｖｏｃであり、その大小関係は、Ｖｏａ＞Ｖｏｂ＞Ｖｏｃである。

ゆえに、式（１０）（１１）（１２）は、式（１３）（１４）（１５）で表される。
ΔＶｇａ＝Ｖｄｄ－｛（Ｖｏａ－Ｖｔｈ＋（Ｖｓｉｇ－Ｖｏａ）・Ｃａ／（Ｃｓ＋Ｃａ）｝ ・・・（１３）
ΔＶｇｂ＝Ｖｄｄ－｛（Ｖｏｂ－Ｖｔｈ＋（Ｖｓｉｇ－Ｖｏｂ）・Ｃｂ／（Ｃｓ＋Ｃｂ）｝ ・・・（１４）
ΔＶｇｃ＝Ｖｄｄ－｛（Ｖｏｃ－Ｖｔｈ＋（Ｖｓｉｇ－Ｖｏｃ）・Ｃｃ／（Ｃｓ＋Ｃｃ）｝ ・・・（１５）
ここで、Ｖｏａ、Ｖｏｂ、Ｖｏｃが、小さいほど、ΔＶｇａ、ΔＶｇｂ、ΔＶｇｃは大きくなるため、発光期間中のゲート電圧Ｖｇａ、Ｖｇｂ、Ｖｇｃも大きくなる。ゆえに、Ｖｇａ＞Ｖｇｂ＞Ｖｇｃとなるように、Ｖｏａ、Ｖｏｂ、Ｖｏｃを適宜調整することで、駆動トランジスタ２０２のピーク電流は、（図２９で示すように）Ｉｐａ＞Ｉｐｂ＞Ｉｐｃとなる。

図２９は、Ｖｓｉｇに対する、画素１０２ａの電流特性２９０１ａ、 画素１０２ｂの電流特性２９０１ｂ、画素１０２ｃの電流特性２９０１ｃを、それぞれ示している。所定の信号電圧Ｖ１において、画素１０２ａはピーク電流Ｉｐａ、画素１０２ｂはピーク電流Ｉｐｂ、画素１０２ｃはピーク電流Ｉｐｃとなり、Ｉｐａ＞Ｉｐｂ＞Ｉｐｃである。ゆえに、閾値補正電圧Ｖｏａ、Ｖｏｂ、Ｖｏｃを適宜、調整することによって、画素１０２ａ（グリーン）、画素１０２ｂ（レッド）、画素１０２ｃ（ブルー）における各ピーク輝度を制御することが可能となる。このような構成によって、実施形態３と同様の効果を得ることができる。

次に、図３０を参照しながら、本実施形態の構成例２について説明する。本例は、発光制御トランジスタ１５０１のドレイン－ソース間容量が、発光色ごとに異なる構成である。以下、構成例１と異なる構成を中心に説明する。

図３０は、それぞれ異なる発光色の画素に対応した回路図を示しており、画素１０２ａは、グリーンを発光する画素であって、容量素子１５０３ａを有する。画素１０２ｂは、レッドを発光する画素であって、容量素子１５０３ｂを有する。画素１０２ｃは、ブルーを発光する画素であって、容量素子１５０３ｃを有する。容量の大小関係は、１５０３ａ＞１５０３ｂ＞１５０３ｃである。

ゆえに、式（１３）、（１４）、（１５）は、次の式（１６）、（１７）、（１８）で表される。
ΔＶｇａ＝Ｖｄｄ－｛（Ｖｏａ－Ｖｔｈ＋（Ｖｓｉｇ－Ｖｏａ）・Ｃ２／（Ｃｓ＋Ｃ３ａ＋Ｃ２）｝ ・・・（１６）
ΔＶｇｂ＝Ｖｄｄ－｛（Ｖｏｂ－Ｖｔｈ＋（Ｖｓｉｇ－Ｖｏｂ）・Ｃ２／（Ｃｓ＋Ｃ３ｂ＋Ｃ２）｝ ・・・（１７）
ΔＶｇｃ＝Ｖｄｄ－｛（Ｖｏｃ－Ｖｔｈ＋（Ｖｓｉｇ－Ｖｏｃ）・Ｃ２／（Ｃｓ＋Ｃ３ｃ＋Ｃ２）｝ ・・・（１８）
ここで各記号は、
Ｃ２：容量素子１５０２の容量値
Ｃ３ａ：容量素子１５０３ａの容量値
Ｃ３ｂ：容量素子１５０３ｂの容量値
Ｃ３ｃ：容量素子１５０３ｃの容量値
Ｃｓ：駆動トランジスタ２０２において、ゲート－ソース間容量、及びソース－Ｖｄｄ間容量を除くソース容量、である。

式（１６）、（１７）、（１８）より、ΔＶｇａ、ΔＶｇｂ、ΔＶｇｃに対して、Ｃ３ａ、Ｃ３ｂ、Ｃ３ｃをそれぞれ大きくすることは、本実施形態の構成例１におけるＣ２ａ、Ｃ２ｂ、Ｃ２を小さくすることと、定性的な増減関係は、同じである。

ゆえに、容量素子１５０３ａ、１５０３ｂ、１５０３ｃの容量値、及び、閾値補正電圧Ｖｏａ、Ｖｏｂ、Ｖｏｃを適宜、調整することによって、画素１０２ａ、画素１０２ｂ、画素１０２ｃにおける各ピーク輝度を制御することが可能となる。このような構成によって、構成例１と同様の効果を得ることができる。

以上の実施形態及び説明した構成例は適宜組み合わせて使用することもできる。

（実施形態５）
上記実施形態に係る発光装置は、その発光特性を生かして機器の表示装置や照明装置の構成部材として用いることができる。本実施形態では、本発明の発光装置の適用例について説明するが、その前に有機発光素子の構成について詳細に説明する。

[発光装置の構成]
有機発光素子は、基板の上に、陽極、有機化合物層、陰極を形成して設けられる。陰極の上には、保護層、カラーフィルタ等を設けてよい。カラーフィルタを設ける場合は、保護層との間に平坦化層を設けてよい。平坦化層はアクリル樹脂等で構成することができる。

基板は、石英、ガラス、シリコンウエハ、樹脂、金属等が挙げられる。また、基板上には、トランジスタなどのスイッチング素子や配線を備え、その上に絶縁層を備えてもよい。絶縁層としては、陽極と配線の導通を確保するために、コンタクトホールを形成可能で、かつ接続しない配線との絶縁を確保できれば、材料は問わない。例えば、ポリイミド等の樹脂、酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いることができる。

有機発光素子の電極は、一対の電極を用いることができる。一対の電極は、陽極と陰極であってよい。有機発光素子が発光する方向に電界を印加する場合に、電位が高い電極が陽極であり、他方が陰極である。また、発光層にホールを供給する電極が陽極であり、電子を供給する電極が陰極であるということもできる。

陽極の構成材料としては仕事関数がなるべく大きいものが使われる。例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステン、等の金属単体やこれらを含む混合物、あるいはこれらを組み合わせた合金が使用できる。また、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が使用できる。さらにポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性ポリマーも使用できる。

これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また、陽極は一層で構成されていてもよく、複数の層で構成されていてもよい。

電極を反射電極として用いる場合には、例えばクロム、アルミニウム、銀、チタン、タングステン、モリブデン、又はこれらの合金、積層したものなどを用いることができる。また、透明電極として用いる場合には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛などの酸化物透明導電層などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。電極の形成には、フォトリソグラフィ技術を用いることができる。

一方、陰極の構成材料としては仕事関数の小さなものが使われる。例えばリチウム等のアルカリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、アルミニウム、チタニウム、マンガン、銀、鉛、クロム等の金属単体またはこれらを含む混合物が挙げられる。あるいはこれら金属単体を組み合わせた合金も使用することができる。例えばマグネシウム－銀、アルミニウム－リチウム、アルミニウム－マグネシウム、銀－銅、亜鉛－銀等が使用できる。酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また陰極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。中でも銀を用いることが適切であり、銀の凝集を抑制するため、銀合金とすることがさらに適切である。銀の凝集が抑制できれば、合金の比率は問わない。例えば、１：１であってよい。

陰極は、ＩＴＯなどの酸化物導電層を使用してトップエミッション素子としてもよいし、アルミニウム（Ａｌ）などの反射電極を使用してボトムエミッション素子としてもよいし、特に限定されない。陰極の形成方法としては、特に限定されないが、直流及び交流スパッタリング法などを用いると、膜のカバレッジがよく、抵抗を下げやすいために適切である。

陰極の上に、保護層を設けてもよい。例えば、陰極上に吸湿剤を設けたガラスを接着することで、有機化合物層に対する水等の浸入を低減し、表示不良の発生を低減することができる。また、別の実施形態としては、陰極上に窒化ケイ素等のパッシベーション膜を設け、有機発光層に対する水等の浸入を低減してもよい。陰極を形成後に真空を破らずに別のチャンバーに搬送し、ＣＶＤ法で厚さ２μｍの窒化ケイ素膜を形成することで、保護層を形成できる。ＣＶＤ法の成膜の後で原子堆積法（ＡＬＤ法）を用いた保護層を設けてもよい。

保護層の上にカラーフィルタを設けてもよい。例えば、有機発光素子のサイズを考慮したカラーフィルタを別の基板上に設け、それと有機発光素子を設けた基板と貼り合わせてもよいし、上記で示した保護層上にフォトリソグラフィ技術を用いて、カラーフィルタをパターニングしてもよい。カラーフィルタは、高分子で構成することができる。カラーフィルタと保護層との間に平坦化層を有してもよい。平坦化層は有機化合物で構成されてよく、低分子であっても、高分子であってもよいが、高分子であることがより適切である。

平坦化層は、カラーフィルタの上下に設けられてもよく、その構成材料は同じであっても異なってもよい。具体的には、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂等があげられる。

平坦化層の上には、対向基板を有してよい。対向基板は、前述の基板と向き合った対応する位置に設けられるため、対向基板と呼ばれる。対向基板の構成材料は、前述の基板と同じであってよい。

本発明の一実施形態に係る有機発光素子を構成する有機化合物層（正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等）は、以下に示す方法により形成される。

本発明の一実施形態に係る有機発光素子を構成する有機化合物層は、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング、プラズマ等のドライプロセスを用いることができる。またドライプロセスに代えて、適当な溶媒に溶解させて公知の塗布法（例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等）により層を形成するウェットプロセスを用いることもできる。

ここで真空蒸着法や溶液塗布法等によって層を形成すると、結晶化等が起こりにくく経時安定性に優れる。また塗布法で成膜する場合は、適当なバインダー樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。

上記バインダー樹脂としては、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂等が挙げられる。しかし、バインダー樹脂はこれらに限定されるものではない。

また、これらバインダー樹脂は、ホモポリマー又は共重合体として一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加剤を併用してもよい。

次に、図面を参照しながら本実施形態に係る表示装置について説明する。

図３１は、有機発光素子とこの有機発光素子に接続されるトランジスタとを有する発光装置の例を示す断面模式図である。トランジスタは、能動素子の一例である。トランジスタは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であってもよい。

図３１（ａ）は、発光装置の画素の一例である。ここでは画素は、発光色に分かれる画素１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂを有しているものとする。発光色は、発光層から発光される波長で区別されても、画素から出射する光がカラーフィルタ等により、選択的透過または色変換が行われてもよい。ここではカラーフィルタによる例を説明する。それぞれの画素は、層間絶縁層１の上に第一電極である反射電極２、反射電極２の端を覆う絶縁層３、第一電極と絶縁層とを覆う有機化合物層４、透明電極５、保護層６、カラーフィルタ７を有している。

層間絶縁層１は、その下層または内部にトランジスタ、容量素子を配されていてよい。トランジスタと第一電極は不図示のコンタクトホール等を介して電気的に接続されていてよい。

絶縁層３は、バンク、画素分離膜とも呼ばれる。第一電極の端を覆っており、第一電極を囲って配されている。絶縁層の配されていない部分が、有機化合物層４と接し、発光領域となる。

有機化合物層４は、正孔注入層４１、正孔輸送層４２、第一発光層４３、第二発光層４４、電子輸送層４５を有する。

第二電極５は、透明電極であっても、反射電極であっても、半透過電極であってもよい。

保護層６は、有機化合物層に水分が浸透することを低減する。保護層は、一層のように図示されているが、複数層であってよい。層ごとに無機化合物層、有機化合物層があってよい。

カラーフィルタ７は、その色により７Ｒ、７Ｇ、７Ｂに分けられる。カラーフィルタは、不図示の平坦化膜上に形成されてよい。また、カラーフィルタ上に不図示の樹脂保護層を有してよい。また、カラーフィルタは、保護層６上に形成されてよい。またはガラス基板等の対向基板上に設けられた後に、貼り合わせられよい。

図３１（ｂ）の発光装置１０は、ガラス、シリコン等の基板１１とその上部に絶縁層１２が設けられている。絶縁層１２は防湿膜であってもよい。絶縁層の上には、ＴＦＴ等の能動素子１８が配されており、能動素子のゲート電極１３、ゲート絶縁膜１４、半導体層１５が配置されている。ここでは２個の画素が示されているがこれは一例である。ＴＦＴ１８は、他にも半導体層１５とドレイン電極１６とソース電極１７とで構成されている。ＴＦＴ１８の上部には絶縁膜１９が設けられている。絶縁膜に設けられたコンタクトホール２０を介して有機発光素子を構成する陽極２１とソース電極１７とが接続されている。

なお、有機発光素子に含まれる電極（陽極、陰極）とＴＦＴに含まれる電極（ソース電極、ドレイン電極）との電気接続の方式は、図３１（ｂ）に示される態様に限られるものではない。つまり陽極又は陰極のうちいずれか一方とＴＦＴソース電極またはドレイン電極のいずれか一方とが電気接続されていればよい。

図３１（ｂ）の発光装置１０では有機化合物層を１つの層の如く図示をしているが、有機化合物層２２は、複数層であってもよい。陰極２３の上には有機発光素子の劣化を低減するための第一の保護層２４や第二の保護層２５が設けられている。

図３１（ｂ）の発光装置１０ではスイッチング素子としてトランジスタを使用しているが、これに代えて他のスイッチング素子として用いてもよい。また図３１（ｂ）の発光装置１０に使用されるトランジスタは、単結晶シリコンウエハを用いたトランジスタに限らず、基板の絶縁性表面上に活性層を有する薄膜トランジスタでもよい。活性層として、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、微結晶シリコンなどの非単結晶シリコン、インジウム亜鉛酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物等の非単結晶酸化物半導体が挙げられる。

図３１（ｂ）の発光装置１０に含まれるトランジスタは、Ｓｉ基板等の基板内に形成されていてもよい。ここで基板内に形成されるとは、Ｓｉ基板等の基板自体を加工してトランジスタを作製することを意味する。つまり、基板内にトランジスタを有することは、基板とトランジスタとが一体に形成されていると見ることもできる。

有機発光素子はスイッチング素子の一例であるＴＦＴにより発光輝度が制御され、複数の有機発光素子を面内に設けることでそれぞれの発光輝度により画像を表示することができる。なお、本実施形態に係るスイッチング素子は、ＴＦＴに限られず、低温ポリシリコンで形成されているトランジスタ、Ｓｉ基板等の基板上に形成されたアクティブマトリクスドライバーであってもよい。基板上とは、その基板内ということもできる。基板内にトランジスタを設けるか、ＴＦＴを用いるかは、表示部の大きさによって選択され、例えば０．５インチ程度の大きさであれば、Ｓｉ基板上に有機発光素子を設けることができる。

本発明に係る発光装置は、その発光特性を生かして機器の表示装置や照明装置の構成部材として用いることができる他に、電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、白色光源にカラーフィルタを有する発光装置等の用途もある。有機発光装置は、エリアＣＣＤ、リニアＣＣＤ、メモリーカード等からの画像情報を入力する画像入力部を有し、入力された情報を処理する情報処理部を有し、入力された画像を表示部に表示する画像情報処理装置でもよい。また、撮像装置やインクジェットプリンタが有する表示装置は、タッチパネル機能を有していてもよい。このタッチパネル機能の駆動方式は、赤外線方式でも、静電容量方式でも、抵抗膜方式であっても、電磁誘導方式であってもよく、特に限定されない。また表示装置はマルチファンクションプリンタの表示部に用いられてもよい。

次に、本発明に係る発光装置の適用例について具体的に説明をする。図３２は、発光装置を用いる表示装置の一例を表す模式図である。表示装置３０００は、上部カバー３００１と、下部カバー３００９と、の間に、タッチパネル３００３、表示パネル３００５、フレーム３００６、回路基板３００７、バッテリー３００８、を有してよい。タッチパネル３００３および表示パネル３００５は、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ３００２、３００４が接続されている。回路基板３００７には、トランジスタが配置されている。バッテリー３００８は、表示装置が携帯機器でないのであれば設けなくてもよいし、携帯機器であっても、別の位置に配置してもよい。

本発明の発光装置は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光する撮像素子とを有する撮像装置の表示部に用いられてよい。撮像装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有してよい。また、表示部は、撮像装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。撮像装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラであってよい。

図３３（ａ）は、本実施形態に係る撮像装置の一例を表す模式図である。撮像装置３１００は、ビューファインダ３１０１、背面ディスプレイ３１０２、操作部３１０３、筐体３１０４を有してよい。ビューファインダ３１０１は、本発明に係る発光装置を有してよい。その場合、ビューファインダ３１０１は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示等を表示してよい。環境情報には、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性等であってよい。また背面ディスプレイ３１０２が発光装置を備えるものであってもよい。

撮像に好適なタイミングはわずかな時間なので、少しでも早く情報を表示した方がよい。したがって、有機発光素子を用いた表示装置を用いるのが好ましい。有機発光素子は応答速度が速いからである。有機発光素子を用いた表示装置を表示速度が求められる、これらの装置に用いるとよい。

撮像装置３１００は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、筐体３１０４内に収容されている撮像素子に結像する。複数のレンズは、その相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。発光装置は、赤色、緑色、青色を有するカラーフィルタを有してよい。カラーフィルタは、当該赤色、緑色、青色がデルタ配列で配置されてよい。発光装置は、携帯端末の表示部に用いられてもよい。その際には、表示部は表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォン等の携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイ等が挙げられる。

図３３（ｂ）は、本実施形態に係る電子機器の一例を表す模式図である。電子機器３２００は、表示部３２０１と、操作部３２０２と、筐体３２０３を有する。表示部３２０１は本発明に係る発光装置を備える。筐体３２０３には、回路、当該回路を有するプリント基板、バッテリー、通信部、を有してよい。操作部３２０２は、ボタンであってもよい。表示部３２０１がタッチパネル方式の反応部になっていて、タッチパネルを使った操作ができるようにしてもよい。操作部は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する電子機器は通信機器ということもできる。

図３４は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。図３４（ａ）は、テレビモニタやＰＣモニタ等の表示装置である。表示装置３３００は、フレーム３３０１を有し表示部３３０２を有する。表示部３３０２には、本発明に係る発光装置が用いることができる。

表示装置３３００は、フレーム３３０１と、表示部３３０２を支える土台３３０３を有している。土台３３０３は、図３４（ａ）の形態に限られない。フレーム３３０１の下辺が土台を兼ねてもよい。また、フレーム３３０１および表示部３３０２は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、５０００ｍｍ以上６０００ｍｍ以下であってよい。

図３４（ｂ）は本実施形態に係る表示装置の他の例を表す模式図である。図３４（ｂ）の表示装置３３１０は、折り曲げ可能に構成されており、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置３３１０は、第一表示部３３１１、第二表示部３３１２、筐体３３１３、屈曲点３３１４を有する。第一表示部３３１１と第二表示部３３１２とは、本発明に係る発光装置を有してもよい。第一表示部３３１１と第二表示部３３１２とは、つなぎ目のない１枚の表示装置であってよい。第一表示部３３１１と第二表示部３３１２とは、屈曲点で分けることができる。第一表示部３３１１、第二表示部３３１２は、それぞれ異なる画像を表示してもよいし、第一および第二表示部とで一つの画像を表示してもよい。

図３５（ａ）は、本発明の発光装置の特性を生かした照明装置の一例を表す模式図である。照明装置３４００は、筐体３４０１と、光源３４０２と、回路基板３４０３と、光学フィルム３４０４と、光拡散部３４０５と、を有してよい。光源は、本発明に係る発光装置を有してよい。光学フィルタは光源の演色性を向上させるフィルタであってよい。光拡散部は、ライトアップ等、光源の光を透過して効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。光学フィルタ、光拡散部は、照明の光出射側に設けられてよい。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。

照明装置は例えば室内を照明する装置である。照明装置は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってよい。それらを調光する調光回路を有してよい。照明装置は本発明に係る発光装置とそれに接続される電源回路を有してよい。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、白とは色温度が４２００Ｋで昼白色とは色温度が５０００Ｋである。照明装置はカラーフィルタを有してもよい。

また、本実施形態に係る照明装置は、放熱部を有していてもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコン等が挙げられる。

図３５（ｂ）は、本発明に係る発光装置を灯具として用いた移動体の一例である自動車の模式図である。当該自動車は灯具の一例であるテールランプを有する。自動車３５００は、テールランプ３５０１を有し、ブレーキ操作等を行った際に、テールランプを点灯する形態であってよい。テールランプ３５０１は、本発明に係る発光装置を有してもよい。テールランプは、発光装置を保護する保護部材を有してよい。保護部材はある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネート等で構成されることが好ましい。ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体等を混ぜてよい。

自動車３５００は、車体３５０３、それに取り付けられている窓３５０２を有してよい。窓は、自動車の前後を確認するための窓でなければ、透明なディスプレイであってもよい。当該透明なディスプレイは、本実施形態に係る発光装置を有してよい。この場合、有機発光素子が有する電極等の構成材料は透明な部材で構成されるとよい。

本実施形態に係る移動体は、船舶、航空機、ドローン等であってよい。移動体は、機体と当該機体に設けられた灯具を有してよい。灯具は、機体の位置を知らせるための発光をしてよい。灯具は本発明に係る発光装置を有する。

以上説明した通り、本発明に係る発光装置を用いた装置により、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示、発光が可能になる。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ：画素（グリーン、レッド、ブルー）、４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃ：各発光色の画素の信号電圧に対する電流特性

Claims (21)

1. 発光色が互いに異なる複数の画素を備え、
   前記複数の画素はそれぞれ、互いに異なる少なくとも３種類の発光色の内の１色で発光する発光素子と、ゲートに供給される電圧に応じて前記発光素子に電流を供給する駆動トランジスタと、信号線からの信号電圧を前記駆動トランジスタのゲートに供給する書き込みトランジスタと、前記駆動トランジスタと前記書き込みトランジスタとの接続箇所に容量と、を有し、
   前記容量は、前記発光色ごとに互いに異なり、前記発光素子に流れるピーク電流の大きい発光色の画素ほど大きいことを特徴とする発光装置。
2. 前記容量は前記駆動トランジスタの前記ゲートに接続された第一容量素子を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第一容量素子は前記駆動トランジスタのソース及びドレインの少なくともいずれか一方に接続された配線が前記駆動トランジスタのゲートと平面視において重なるように形成されていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
4. 前記第一容量素子はＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｍｅｔａｌ）構造を有することを特徴とする請求項２又は３に記載の発光装置。
5. 前記接続箇所の有する容量は、前記駆動トランジスタの寄生容量を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
6. 前記駆動トランジスタのソース及びドレインの少なくともいずれか一方の不純物濃度は発光色ごとに設定されていることを特徴とする請求項1乃至５のいずれか１項に記載の発光装置。
7. 前記駆動トランジスタはＬＤＤ構造を有し、前記ＬＤＤ構造の低不純物濃度に形成された部分の電流の流れる方向に沿った長さが前記発光色ごとに設定されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置。
8. 前記駆動トランジスタのゲートに閾値補正電圧が供給されたとき、前記駆動トランジスタの閾値電圧を保持する第二容量素子をさらに有し、前記駆動トランジスタの閾値電圧を前記第二容量素子に保持された閾値電圧により補償することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の発光装置。
9. 前記第二容量素子はＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｍｅｔａｌ）構造を有することを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
10. 前記閾値補正電圧は前記発光色ごとに設定されることを特徴とする請求項８又は９に記載の発光装置。
11. 前記駆動トランジスタと電源との間に発光制御トランジスタがさらに接続されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の発光装置。
12. 前記発光制御トランジスタのソースとドレインとの間に第三容量素子がさらに接続されており、前記第三容量素子の値は前記発光色ごとに設定されることを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
13. 前記第三容量素子はＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｍｅｔａｌ）構造を有することを特徴とする請求項１２に記載の発光装置。
14. 前記発光素子の陽極と基準電位との間に接続されたリセットトランジスタをさらに有し、前記発光素子を非発光にする期間、前記リセットトランジスタがオンに制御されることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の発光装置。
15. 第一の発光素子と、ピーク電流の大きさが前記第一の発光素子よりも大きい第二の発光素子とを有し、
    前記第一の発光素子は、ゲートに供給される電圧に応じて前記第一の発光素子に電流を供給する第一の駆動トランジスタと、前記第一の駆動トランジスタのゲートに接続されている第一の容量と、を有し、
    前記第二の発光素子は、ゲートに供給される電圧に応じて前記第二の発光素子に電流を供給する第二の駆動トランジスタと、前記第二の駆動トランジスタのゲートに接続されている第二の容量とを有し、
    前記第二の容量は、前記第一の発光素子及び前記第二の発光素子が同じ輝度信号を受けた場合に、前記第二の発光素子に流れる電流が前記第一の発光素子に流れる電流よりも大きくなるように、前記第一の容量の容量値と異なることを特徴とする発光装置。
16. 前記第一の容量は、前記第一の駆動トランジスタの前記ゲートに接続された第一容量素子を含むことを特徴とする請求項１５に記載の発光装置。
17. 前記第一の発光素子は、前記第一の駆動トランジスタの前記ゲートと電源電位との間に接続されている第三の容量を有し、前記第二の発光素子は、前記第二の駆動トランジスタのゲートと前記電源電位との間に接続されている第四の容量を有し、
    前記第三の容量と、前記第四の容量は、容量値が異なることを特徴とする請求項１５または１６に記載の発光装置。
18. 複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部と、を有し、
    前記表示部は請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の発光装置を有することを特徴とする撮像装置。
19. 請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の発光装置を有する表示部と、前記表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有することを特徴とする電子機器。
20. 請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の発光装置を有する光源と、前記光源が発する光を透過する光拡散部または光学フィルムと、を有することを特徴とする照明装置。
21. 請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の発光装置を有する灯具と、前記灯具が設けられた機体と、を有することを特徴とする移動体。

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