JP6818837B2

JP6818837B2 - 表示装置、撮像装置、照明装置、移動体および電子機器

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Publication number: JP6818837B2
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Inventors: 宏政坪井; 靖司松野; 岳彦曽田
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Description

本発明は、表示装置、撮像装置、照明装置、移動体および電子機器に関する。

有機ＥＬを使う発光装置を備えた表示装置がある。特許文献１には、発光素子、及び発光素子に電流を供給する駆動トランジスタを有する画素と、複数の画素で構成された画素領域の周囲に、複数のダミー画素で構成されたダミー画素領域が設けられた発光表示装置が開示されている。この文献は、ダミー画素のトランジスタをオフにすることによりダミー画素の発光素子が発光しないようにすることを開示している。

特開２００８−３３２５３号公報

ダミー画素において、駆動トランジスタのドレイン端部の電界によってインパクトイオン化が生じ、ソースとドレインとの間のオフリーク電流またはドレインとウェルとの間のＰＮ接合に流れる電流が著しく増加されることがある。増加された電流が有機発光素子へ流れることによって、ダミー画素が発光しうる。本発明は、ダミー画素が発光することを抑制した表示装置を提供することを目的とする。

本発明の表示装置は、複数の画素（１０２）が配置された画素領域（１０３）と、前記画素領域の周囲に設けられ複数のダミー画素（３０１）が配置されたダミー画素領域（１０４）と、を備え、前記画素及び前記ダミー画素のそれぞれは、第１電極と第２電極とを備える発光素子（２０１）と、駆動トランジスタ（２０２）とを有し、前記画素では、前記発光素子の前記第１電極と前記駆動トランジスタが接続され、前記ダミー画素では、前記発光素子と前記駆動トランジスタとは接続されておらず、前記発光素子の前記第１電極及び前記第２電極には、前記第１電極と前記第２電極の電位差が、前記発光素子が発光しない電位差となる電位が供給されることを特徴とする。

本発明によれば、ダミー画素が発光することを抑制した表示装置を提供することができる。

実施形態１に係る表示装置の一例を示す図。実施形態１に係る画素の回路の一例を示す図。実施形態１に係るダミー画素の回路の一例を示す図。実施形態１に係るダミー画素の回路の変形例を示す図。実施形態１に係るダミー画素の回路の変形例を示す図。実施形態１に係るダミー画素の回路の変形例を示す図。実施形態１に係るダミー画素の回路の変形例を示す図。実施形態２に係る表示装置の一例を示す図。実施形態２に係る画素の回路の一例を示す図。実施形態２に係るダミー画素の回路の一例を示す図。実施形態２に係るダミー画素の回路の変形例を示す図。実施形態２に係るダミー画素の回路の変形例を示す図。実施形態２に係るダミー画素の回路の変形例を示す図。実施形態２に係るダミー画素の回路の変形例を示す図。実施形態２に係るダミー画素の回路の変形例を示す図。実施形態２に係るダミー画素の回路の変形例を示す図。実施形態３に係る表示装置の一例を示す図。実施形態３に係るダミー画素の回路の一例を示す図。実施形態３に係るダミー画素の回路の一例を示す図。有機発光素子を用いた表示装置の概略断面図表示装置の一例を示す模式図。（ａ）撮像装置の一例を示す模式図。（ｂ）電子機器の一例を示す模式図。（ａ）表示装置の一例を示す模式図。（ｂ）折り曲げ可能な表示装置の一例を示す図。（ａ）表示装置を用いた照明装置の一例を示す図。（ｂ）表示装置を用いた車両用灯具を示す図。

以下、図面を参照しながら本実施の形態に係る表示装置について説明する。なお以下の実施の形態は、いずれも本発明の一例を示すものであり、記載されている数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、本発明を限定するものではなく、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

（実施形態１）
図１は、本実施形態に係る表示装置の概略を示す図である。以下では、表示のための発光素子として有機発光素子を用い、有機発光素子の陽極に駆動トランジスタが接続され、トランジスタが全てＰ型トランジスタである場合について説明する。しかし、本発明の表示装置はこれに限定されない。トランジスタの極性、及び導電型が全て逆であってもよい。また、駆動トランジスタはＰ型トランジスタであり、他のトランジスタはＮ型トランジスタであってもよく、適宜、導電型と極性に合わせて、供給される電位や接続を変更すれば良い。また、各図面において同じ構成部分には同じ参照符号を付し、説明を省略することがある。

表示装置の一例として有機ＥＬ表示装置１０１について図１〜図３により説明する。有機ＥＬ表示装置１０１は複数の画素１０２で構成された画素領域１０３と、画素領域１０３の周囲に配置されたダミー画素領域１０４、及び画素を駆動する駆動部を有する。画素領域１０３は行列状に２次元配置された複数の画素１０２を有し、各画素１０２は、有機発光素子２０１を有する。有機発光素子２０１は、陽極（アノード）と陰極（カソード）の電極間に発光層を含む有機層を有する。有機層は、発光層以外に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の１つまたは多数を適宜有していてもよい。

ダミー画素領域１０４は、複数のダミー画素３０１を有し、画素領域１０３の周囲に設けられた領域である。駆動部は、各画素１０２を駆動するための回路である。例えば、駆動部は、垂直走査回路１０５及び信号出力回路１０６を有する。画素領域１０３において、行方向に沿って、垂直走査回路１０５からの第１走査線１０７及び第２走査線１０８が画素の行ごとに配されている。また、列方向に沿って、信号出力回路からの信号線１０９が画素の列ごとに配されている。ダミー画素領域１０４においても画素領域１０３と同様に行方向に沿って第１走査線１０７及び第２走査線１０８が行方向に沿って一部のダミー画素に配されている。また、列方向に沿っても画素領域と同様に信号線１０９が一部のダミー画素列に配されている。

行ごとの第１走査線１０７及び第２走査線１０８は、垂直走査回路１０５の、各行と対応する出力端に接続されている。また、列ごとの信号線１０９は、信号出力回路１０６の、各列と対応する出力端に接続されている。信号出力回路１０６は映像信号の輝度情報に応じた電圧を有する輝度信号と、基準電圧を有する基準電圧信号のいずれか一方を適宜選択して出力する。垂直走査回路１０５は、画素領域１０３の各画素１０２への信号出力回路１０６からの信号の書き込み時において、第１走査線１０７に書き込み信号を供給する。さらに、画素１０２への電流を制御し、画素１０２を駆動して発光させるための発光制御信号を第２走査線１０８に供給する。駆動部は制御部１１０からの制御信号により制御される。図１では制御部１１０は有機ＥＬ表示装置１０１の中に設けられているが、有機ＥＬ表示装置１０１の外に設けてもよい。また、信号出力回路１０６には映像信号に対応する信号が与えられてもよい。

有機発光装置が有する画素１０２の回路の一例について図２により説明する。図２に示すように、画素１０２は、有機発光素子２０１、駆動トランジスタ２０２、書き込みトランジスタ２０３、発光制御トランジスタ２０４、第１容量素子２０５及び第２容量素子２０６を有する。

ここで、トランジスタと容量素子の総数や、トランジスタの導電型の組み合わせに関しては、あくまで一例に過ぎず、本構成に限定されるものではない。なお、以下の説明では素子Ａと素子Ｂの間にトランジスタが接続される、という場合、素子Ａと素子Ｂの一方にトランジスタのソースまたはドレインの一方が接続され、素子Ａと素子Ｂの他方にトランジスタのソースまたはドレインの他方が接続されることをいう。

画素の具体的な構成としては、図２に示すように駆動トランジスタ２０２のソース及びドレインの一方は、有機発光素子２０１の第１電極に接続されている。この例では第１電極は陽極（アノード）である。有機発光素子２０１の第２電極は、基準の電位を与える第１電源電位２０７（以下、Ｖｓｓ）に接続されている。この例では第２電極は陰極（カソード）である。書き込みトランジスタ２０３のソース及びドレインの一方は、駆動トランジスタ２０２のゲートに接続され、書き込みトランジスタ２０３のソース及びドレインの他方は、信号線１０９に接続されている。書き込みトランジスタ２０３のゲートは、第１走査線１０７に接続されている。また、発光制御トランジスタ２０４のソース及びドレインの一方は駆動トランジスタ２０２のソース及びドレインの他方に接続されている。発光制御トランジスタ２０４の他方は所定の電位を回路に与える第２電源電位２０８（以下、Ｖｄｄ）に接続されている。発光制御トランジスタ２０４のゲートは、第２走査線１０８に接続されている。なお、図２はＰ型トランジスタにより回路が構成された例を示す、図２では駆動トランジスタ２０２のドレインが有機発光素子２０１のアノードに接続され、発光制御トランジスタ２０４のドレインが駆動トランジスタ２０２のソースに接続されているとする。また、有機発光素子２０１のカソードはＶｓｓに接続されている。

ここで、いずれのトランジスタにおいても、バックゲートにはＶｄｄ２０８が与えられている。第１容量素子２０５は、駆動トランジスタ２０２のゲートとソースの間に接続されている。第２容量素子２０６は、駆動トランジスタ２０２のソースとＶｄｄ２０８の間に接続されている。

駆動トランジスタ２０２は、Ｖｄｄ２０８から発光制御トランジスタ２０４を介して有機発光素子２０１に電流を供給し、発光させる。より具体的には、駆動トランジスタ２０２は、第１容量素子２０５に保持された信号電圧に応じた電流をＶｄｄ２０８から有機発光素子２０１に供給する。これにより、有機発光素子２０１を電流駆動することによって発光させる。

書き込みトランジスタ２０３は、垂直走査回路１０５から第１走査線１０７を通してゲートに印加される書き込み信号に応答して導通状態となる。これにより、書き込みトランジスタ２０３は、信号線１０９を介して信号出力回路１０６から供給される輝度信号または基準信号に応じた、映像信号の信号電圧または基準電圧をサンプリングして画素１０２に書き込む。この書き込まれた信号電圧または基準電圧は、駆動トランジスタ２０２のゲートに印加されるとともに第１容量素子２０５に保持される。

発光制御トランジスタ２０４は、垂直走査回路１０５から第２走査線１０８を介してゲートに印加される発光制御信号に応答して導通、非導通状態になることで、Ｖｄｄ２０８から駆動トランジスタ２０２への電流の供給を制御できる。これにより、上述したように、駆動トランジスタ２０２による有機発光素子２０１の発光が可能になる。すなわち、発光制御トランジスタ２０４は、有機発光素子２０１の発光／非発光を制御するトランジスタとしての機能を持っている。

このようにして、発光制御トランジスタ２０４のスイッチング動作により、有機発光素子２０１が非発光状態となる期間（非発光期間）を設け、有機発光素子２０１の発光期間と非発光期間との割合を制御することができる（いわゆる、デューティ制御）。このデューティ制御により、１フレーム期間に亘って画素１０２が発光することに伴う残像を低減でき、特に動画の画品位をより優れたものとすることができる。

有機ＥＬ表示装置１０１は、有機発光素子２０１である有機ＥＬ（ＯｒｇａｎｉｃＥｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）素子の発光時には、駆動トランジスタ２０２に流れる電流量を映像信号の輝度に応じて変化させる。そのために、有機発光素子２０１の第１電極と第２電極間の容量を所定電位まで充電し、その電位差に応じた電流を流す。これによって、有機発光素子２０１が所定の輝度の発光を行う。

図３は、ダミー画素領域１０４に配置されるダミー画素３０１の回路の一例を示す図である。ダミー画素３０１には画素１０２と同様に、駆動トランジスタ２０２、書き込みトランジスタ２０３、発光制御トランジスタ２０４、有機発光素子２０１が配置されている。駆動トランジスタ２０２、書き込みトランジスタ２０３、発光制御トランジスタ２０４の各バックゲートにはＶｄｄ２０８が与えられている。これにより、駆動トランジスタ２０２のソースとドレイン間のオフリーク電流、または、ドレインとウェル間のＰＮ接合に流れる電流が、有機発光素子２０１へ流れ込むことを低減し、ダミー画素３０１の発光を抑制できる。また、有機発光素子２０１の第１電極は、画素１０２と異なり、駆動トランジスタ２０２のドレインと非接続となっており、第１電極は有機発光素子２０１の第２電極と接続されている。このために有機発光素子が発光することはさらに抑制される。有機発光素子２０１の第１電極と第２電極との間の接続は、コンタクトホールを使った接続や配線を使った接続によってもよい。ここで、必ずしも有機発光素子２０１の第１電極が第２電極に接続されていなくても良い。有機発光素子２０１の第１電極及び第２電極の間には、有機発光素子が発光できない電位差を供給してもよい。第１電極は有機発光素子２０１の発光閾値を越えないような固定電位に接続されていてもよい。発光素子に供給される電位に関して、発光素子のアノード電圧＜発光閾値圧＋発光素子のカソード電圧の関係を満たすようにすればよい。

また、ダミー画素領域１０４を構成する図３に示されるようなダミー画素３０１においては、書き込みトランジスタ２０３、発光制御トランジスタ２０４のゲートはそれぞれ、第１走査線１０７、第２走査線１０８に接続されている。これにより、各走査線の配線は、ダミー画素領域１０４を通って、画素領域１０３内へ最短距離で接続することができるため、各走査線の配線長、及び抵抗を低減し、表示装置の動作速度を高速化できる。

（実施形態１の変形例）
（変形例１−１）
次に、図４を参照しながら、実施形態１のダミー画素の構成の変形例１−１について説明する。本例では、駆動トランジスタ２０２のドレインとバックゲートが接続される。以下、図３に示すダミー画素の構成と異なる構成を中心に説明する。

図４は、本例に係る有機ＥＬ表示装置が有するダミー画素３０１の回路図である。画素１０２では駆動トランジスタ２０２のドレインは有機発光素子２０１と接続されているが、ダミー画素では図４に示すように、駆動トランジスタ２０２のドレインは、バックゲートに接続されている。ダミー画素３０１の駆動トランジスタ２０２のドレインは有機発光素子２０１とは接続されていない。バックゲートにはＶｄｄ２０８が与えられているので、駆動トランジスタ２０２のドレインにもＶｄｄ２０８が印加される。このために、ドレインとウェル間の電位差がゼロとなり、ＰＮ接合に流れる電流を抑制することができる。これにより、駆動トランジスタ２０２に電流が流れるのを抑制し、インパクトイオン化のような現象の発生を抑制する。この結果、有機発光素子２０１へ電流が流れこむことも抑制され、有機発光素子２０１の発光を抑制できる。また、表示装置の消費電流を低減することも可能となる。

（変形例１−２）
次に、図５を参照しながら、ダミー画素の構成の変形例１−２について説明する。本例では、駆動トランジスタ２０２のソースとバックゲートも接続される。以下、変形例１−１と異なる構成を中心に説明する。

図５は、本例に係る有機ＥＬ表示装置が有するダミー画素３０１の回路図である。図５に示すように、駆動トランジスタ２０２のソースは、駆動トランジスタ２０２のバックゲートに接続されている。駆動トランジスタ２０２のバックゲートにはＶｄｄ２０８が与えられている。したがって、駆動トランジスタ２０２のドレインとソースとのいずれにもＶｄｄ２０８が印加されている。このため、駆動トランジスタ２０２のソースとウェル間及びドレインとウェル間の電位差がゼロとなり、ＰＮ接合に流れる電流を抑制することができる。これにより、有機発光素子２０１へ電流が流れこむことを抑制し、有機発光素子２０１の発光を抑制できる。また、表示装置の消費電流を低減することが可能となる。

（変形例１−３）
次に、図６を参照しながら、ダミー画素の構成の変形例１−３について説明する。本例では、変形例１−２の構成に加えて、書き込みトランジスタ２０３のドレインとバックゲートが接続されている。以下、変形例１−２と異なる構成を中心に説明する。

図６は、本例に係る有機ＥＬ表示装置が有するダミー画素３０１の回路図である。図６に示すように、この例では書き込みトランジスタ２０３のドレインは、バックゲートに接続されている。バックゲートにはＶｄｄ２０８が与えられているので、書き込みトランジスタ２０３のドレインにもＶｄｄ２０８が印加されている。このため、書き込みトランジスタのドレインとウェル間の電位差もゼロとなり、ＰＮ接合に流れる電流を抑制することができる。これにより、有機発光素子２０１へ電流が流れこむことを抑制し、有機発光素子２０１の発光を抑制できる。また、表示装置の消費電流を低減することが可能となる。

（変形例１−４）
次に、図７を参照しながら、ダミー画素の構成の変形例１−４について説明する。本例では、書き込みトランジスタ２０３のソースとバックゲートも接続される。以下、変形例１−３と異なる構成を中心に説明する。

図７は、本例に係る有機ＥＬ表示装置が有するダミー画素３０１の回路図である。図７に示すように、書き込みトランジスタ２０３のソースも、バックゲートに接続されている。バックゲートにはＶｄｄ２０８が与えられているので、書き込みトランジスタ２０３のドレインとソースの両方にＶｄｄ２０８が印加されている。このため、書き込みトランジスタのソースとウェル間の電位差もゼロとなり、ＰＮ接合に流れる電流を抑制することができる。これにより、有機発光素子２０１へ電流が流れこむことを抑制し、有機発光素子２０１の発光を抑制できる。また、表示装置の消費電流を低減することが可能となる。図７では駆動トランジスタ２０２のソース及びドレインがバックゲートに接続され、書き込みトランジスタ２０３のソース及びドレインがバックゲートに接続された例を示した。しかし、駆動トランジスタ２０２のソース及びドレインの少なくとも一方又は書き込みトランジスタ２０３のソース及びドレインの少なくとも一方がバックゲートに接続されていればよい。なお、画素領域の画素と信号線１０９を共有するダミー画素については、書き込みトランジスタ２０３のバックゲートと信号線１０９とは接続されていなくてもよい。

（実施形態２）
次に、図８から図１０を参照しながら、本実施形態２について説明する。本実施形態は、画素１０２の有機発光素子２０１の第１電極をＶｓｓ２０７にするためのリセットトランジスタ９０１を有する構成である。以下、実施形態１と異なる構成を中心に説明する。

図８は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０１の概略を示す図である。図８に示すように、実施形態１との相違は画素領域１０３において、行方向に沿って、第３走査線８０１が画素行ごとに配線されている点である。同様に、ダミー画素領域１０４においても行方向に沿って、第３走査線８０１がダミー画素領域１０４の一部のダミー画素３０１に配線されている。第３走査線８０１は、垂直走査回路１０４の対応する行の出力端に接続されており、各画素１０２へリセット信号を供給する。

図９は、図８の有機ＥＬ表示装置が有する画素１０２の一例の回路である。図９に示すように、リセットトランジスタ９０１のソース及びドレインの一方は駆動トランジスタ２０２のソース及びドレインの一方に接続されている。リセットトランジスタ９０１のソース及びドレインの他方はＶｓｓ２０７に接続されている。リセットトランジスタ９０１のゲートは、第３走査線８０１に接続されている。非発光期間において、リセットトランジスタ９０１を導通することによって（すなわち、リセット動作）、有機発光素子２０１の第１電極をＶｓｓ２０７に接続し、有機発光素子２０１を非発光状態とすることができる。これにより、高コントラストな発光装置を実現することができる。なお、図９はＰ型トランジスタにより回路が構成された例を示す。図９ではリセットトランジスタ９０１のソースは駆動トランジスタ２０２のドレインに接続されているとする。駆動トランジスタ２０２、書き込みトランジスタ２０３、発光制御トランジスタ２０４及びリセットトランジスタ９０１の各バックゲートはＶｄｄに接続されている。

図１０は、ダミー画素３０１の一例の回路図である。ダミー画素３０１には画素１０２と同様に、駆動トランジスタ２０２、書き込みトランジスタ２０３、発光制御トランジスタ２０４、リセットトランジスタ９０１、有機発光素子２０１が配置されている。駆動トランジスタ２０２、書き込みトランジスタ２０３、発光制御トランジスタ２０４、リセットトランジスタ９０１のバックゲートにはＶｄｄ２０８が与えられている。図１０に示すように、有機発光素子２０１の第１電極は、駆動トランジスタ２０２のドレインと非接続となっており、第１電極と第２電極とが接続されている。リセットトランジスタ９０１のソースも有機発光素子２０１と接続されていない。リセットトランジスタ９０１のソースは駆動トランジスタ２０２のドレインと接続され、リセットトランジスタ９０１のドレインには基準の電位が与えられている。リセットトランジスタ９０１のドレインに基準の電圧を与えることに代えて、ソースに基準の電圧を与えてもよい。これにより、非発光期間に駆動トランジスタ２０２のドレインをＶｓｓ２０７に接続できる。

なお、ここで、必ずしも有機発光素子２０１の第１電極が第２電極に接続されていなくても良い。有機発光素子２０１の第１電極と第２電極には、第１電極と第２電極の間の電位差が、有機発光素子が発光できない電位差となる電位を、印加してもよい。つまり、第１電極は有機発光素子２０１の発光閾値を越えないような固定の電圧に接続されていれば良く、発光素子のアノード電圧＜発光閾値電圧＋カソード電圧の関係にすればよい。

また、図８に示されるように、各走査線の配線は、ダミー画素領域１０４を通って、画素領域１０３内へ最短距離で接続することができるため、各走査線の配線長、及び抵抗を低減し、表示装置の動作速度を高速化できる。

（実施形態２の変形例）
（変形例２−１）
次に、図１１を参照しながら、ダミー画素の構成の変形例２−１について説明する。本例では、リセットトランジスタ９０１のソースとバックゲートが接続される。以下、図１０に示すダミー画素の構成と異なる構成を中心に説明する。

図１１は、本例に係る有機ＥＬ表示装置が有するダミー画素３０１の回路図である。図１１に示すように、リセットトランジスタ９０１のソースは、リセットトランジスタ９０１のバックゲートに接続されている。リセットトランジスタ９０１のバックゲートにはＶｄｄ２０８が接続されているので、リセットトランジスタ９０１のソースにもＶｄｄ２０８が印加されている。このため、リセットトランジスタ９０１のソースとウェル間の電位差がゼロとなり、ＰＮ接合に流れる電流を抑制することができる。これにより、有機発光素子２０１へ電流が流れこむことを抑制し、有機発光素子の発光を抑制できる。また、表示装置の消費電流を低減することが可能となる。

（変形例２−２）
次に、図１２を参照しながら、ダミー画素の構成の変形例２−２について説明する。本例では、リセットトランジスタ９０１のドレインもバックゲートと接続されている。以下、変形例２−１と異なる構成を中心に説明する。

図１２は、本例に係る有機ＥＬ表示装置が有するダミー画素３０１の回路図である。図１２に示すように、リセットトランジスタ９０１のドレインは、Ｖｓｓ２０７と接続されておらず、リセットトランジスタ９０１のバックゲートに接続されている。リセットトランジスタ９０１のバックゲートにはＶｄｄ２０８が与えられている。したがって、リセットトランジスタ９０１のドレインとソースとのいずれにもＶｄｄ２０８が印加されている。このため、リセットトランジスタ９０１のドレインとウェル間の電位差もゼロとなり、ＰＮ接合に流れる電流を抑制することができる。これにより、有機発光素子２０１へ電流が流れこむことを抑制し、有機発光素子の発光を抑制できる。また、表示装置の消費電流を低減することが可能となる。

（変形例２−３）
次に、図１３を参照しながら、ダミー画素の構成の変形例２−３について説明する。本例では、駆動トランジスタ２０２のドレインとバックゲートも接続される。以下、変形例２−２と異なる構成を中心に説明する。図１３は、本例に係る有機ＥＬ表示装置が有するダミー画素３０１の回路図である。図１３に示すように、駆動トランジスタ２０２のドレインは、駆動トランジスタ２０２のバックゲートに接続されている。駆動トランジスタのバックゲートにはＶｄｄ２０８が与えられているので、駆動トランジスタ２０２のドレインにもＶｄｄ２０８が印加されている。このため、駆動トランジスタ２０２のドレインとウェル間の電位差がゼロとなり、ＰＮ接合に流れる電流を抑制することができる。これにより、有機発光素子２０１へ電流が流れこむことを抑制し、有機発光素子の発光を抑制できる。また、表示装置の消費電流を低減することが可能となる。

（変形例２−４）
次に、図１４を参照しながら、ダミー画素の構成の変形例２−４について説明する。本例では、駆動トランジスタ２０２のソースとバックゲートとが接続されている。以下、変形例２−３と異なる構成を中心に説明する。

図１４は、本例に係る有機ＥＬ表示装置が有するダミー画素３０１の回路図である。図１４に示すように、駆動トランジスタ２０２のソースは、駆動トランジスタ２０２のバックゲートに接続されている。駆動トランジスタ２０２のバックゲートにはＶｄｄ２０８が与えられているので、駆動トランジスタ２０２のソースとドレインとのいずれにもＶｄｄ２０８が印加されている。このため、駆動トランジスタ２０２のソースとウェル間及びドレインとウェル間の電位差がゼロとなり、ＰＮ接合に流れる電流を抑制することができる。これにより、有機発光素子２０１へ電流が流れこむことを抑制し、有機発光素子の発光を抑制できる。また、表示装置の消費電流を低減することが可能となる。

（変形例２−５）
次に、図１５を参照しながら、ダミー画素３０１の変形例２−５について説明する。本例では、書き込みトランジスタ２０３のドレインとバックゲートとが接続される。以下変形例２−４と異なる構成を中心に説明する。

図１５は、本例に係る有機ＥＬ表示装置が有するダミー画素３０１の回路図である。図１５に示すように、書き込みトランジスタ２０３のドレインは、書き込みトランジスタ２０３のバックゲートに接続されている。書き込みトランジスタ２０３のバックゲートにはＶｄｄ２０８が与えられているので、書き込みトランジスタ２０３のドレインにもＶｄｄ２０８が印加されている。このため、書き込みトランジスタ２０３のドレインとウェル間の電位差もゼロとなり、ＰＮ接合に流れる電流を抑制することができる。これにより、有機発光素子２０１へ電流が流れこむことを抑制し、有機発光素子の発光を抑制できる。また、表示装置の消費電流を低減することが可能となる。

（変形例２−６）
次に、図１６を参照しながら、ダミー画素の構成の変形例２−６について説明する。本例では、書き込みトランジスタ２０３のソースもバックゲートに接続される。以下、変形例２−５と異なる構成を中心に説明する。

図１６は、本例に係る有機ＥＬ表示装置が有するダミー画素３０１の回路図である。図１６に示すように、書き込みトランジスタ２０３のソースは、書き込みトランジスタ２０３のバックゲートに接続されている。書き込みトランジスタ２０３のバックゲートにはＶｄｄ２０８が与えられているので、書き込みトランジスタ２０３のソースとドレインのいずれにもＶｄｄ２０８が印加されている。このため、書き込みトランジスタ２０３のソースとウェル間の電位差もゼロとなり、ＰＮ接合に流れる電流を抑制することができる。これにより、有機発光素子２０１へ電流が流れこむことを抑制し、有機発光素子の発光を抑制できる。また、表示装置の消費電流を低減することが可能となる。なお、画素領域の画素と信号線１０９を共有するダミー画素については、書き込みトランジスタ２０３のバックゲートと信号線１０９とは接続されていなくてもよい。

（実施形態３）
次に、図１７から図１９を参照しながら、本実施形態３について説明する。本実施形態は、画素領域１０３の周囲に、第１のダミー画素領域１７０１と、第２のダミー画素領域１７０２とを有する構成である。以下、実施形態２と異なる構成を中心に説明する。

図１７は、本実施形態に係る有機発光装置の概略を示す図である。図１７に示すように、第１ダミー画素領域１７０１は、第１走査線１０７と、第２走査線１０８及び第３走査線８０１を跨ぐように配されており、例えば図１６で示されるような複数のダミー画素３０１を有している。また、第２ダミー画素領域１７０２は、信号線１０９を跨ぐように配されており、図１８または図１９に示されるような複数のダミー画素１８０１を有している。換言すれば第１走査線１０７と、第２走査線１０８及び第３走査線８０１は第１ダミー画素領域１７０１を通過するように配され、信号線１０９は第２ダミー画素領域を通過するように配されている。

図１８及び図１９は、図１７の有機ＥＬ表示装置１０１が有する第２ダミー画素領域１７０２に配されているダミー画素１８０１の回路の一例である。ダミー画素３０１には画素１０２と同様に、駆動トランジスタ２０２、書き込みトランジスタ２０３、発光制御トランジスタ２０４、リセットトランジスタ９０１、有機発光素子２０１が配置されている。図１８に示すように、書き込みトランジスタ２０３、発光制御トランジスタ２０４及びリセットトランジスタ９０１のゲートはいずれもＶｄｄ２０８に接続されており、オフ状態となっている。また、有機発光素子２０１は他のダミー画素の回路例に示されているように、駆動トランジスタ２０２とは非接続にされており、図１８及び図１９の例では有機発光素子２０１のアノード電極とカソード電極とが接続されている。このため、各トランジスタのソースとドレイン間に流れる電流を抑制できる。これにより、有機発光素子２０１へ電流が流れこむことを抑制し、有機発光素子２０１の発光を抑制できる。また、表示装置の消費電流を低減することが可能となる。

図１８に示すダミー画素と図１９に示すダミー画素の違いは、信号線１０９への接続のみである。図１８に示すダミー画素１８０１では、書き込みトランジスタ２０３のバックゲート及びドレインは信号線１０９に接続されている。一方、図１９に示すダミー画素では、書き込みトランジスタ２０３のバックゲート及びドレインは信号線１０９に接続されていない。書き込みトランジスタのバックゲート及びドレインが信号線１０９に接続されている場合、信号線１０９にはバックゲートを介してＶｄｄが供給されることになる。一方、図１９に示すように、書き込みトランジスタのバックゲート及びドレインが信号線１０９に接続されていないことで、画素領域１０３内の画素への信号に与える影響を大きく低減できる。このため、信号線１０９を画素とダミー画素で共通のものとすることができる。

なお、ダミー画素１８０１の構成は図１８及び図１９に限定されない。他のダミー画素の回路に例示された書き込みトランジスタ２０３、発光制御トランジスタ２０４及びリセットトランジスタ９０１のゲートをＶｄｄ２０８に接続したものでもよい。

また、第１ダミー画素領域１７０１には図１６に示されるようなダミー画素３０１が配されてもよい。第１ダミー画素領域１７０１においては、書き込みトランジスタ２０３、発光制御トランジスタ２０４、リセットトランジスタ９０１のゲートはそれぞれ、第１走査線１０７、第２走査線１０８、第３走査線８０１に接続されている。これにより、各走査線の配線は、第１ダミー画素領域１７０１を通って、画素領域１０３内へ最短距離で接続することができるため、各走査線の配線長、及び抵抗を低減し、表示装置の動作速度を高速化できる。なお、ダミー画素１７０１の構成は図１６に限定されない。他の実施形態及びその変形例として説明したダミー画素の回路を本実施形態に採用してもよい。また、第２ダミー画素領域１７０２において、画素領域の画素と信号線１０９を共有するダミー画素は、図１５に示されるようなダミー画素３０１であってもよい。

（実施形態４）
上記実施形態に係る表示装置は、その発光特性を生かして機器の表示装置や照明装置の構成部材として用いることができる。本実施形態では、表示装置の適用例について説明するが、その前に有機発光素子の構成について詳細に説明する。有機発光素子は、基板の上に、陽極、有機化合物層、陰極を形成して設けられる。陰極の上には、保護層、カラーフィルタ等を設けてよい。カラーフィルタを設ける場合は、保護層との間に平坦化層を設けてよい。平坦化層はアクリル樹脂等で構成することができる。

基板は、石英、ガラス、シリコンウエハ、樹脂、金属等が挙げられる。また、基板上には、トランジスタなどのスイッチング素子や配線を備え、その上に絶縁層を備えてもよい。絶縁層としては、陽極と配線の導通を確保するために、コンタクトホールを形成可能で、かつ接続しない配線との絶縁を確保できれば、材料は問わない。例えば、ポリイミド等の樹脂、酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いることができる。

有機発光素子の電極は、一対の電極を用いることができる。一対の電極は、陽極と陰極であってよい。有機発光素子が発光する方向に電界を印加する場合に、電位が高い電極が陽極であり、他方が陰極である。また、発光層にホールを供給する電極が陽極であり、電子を供給する電極が陰極であるということもできる。

陽極の構成材料としては仕事関数がなるべく大きいものが使われる。例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステン、等の金属単体やこれらを含む混合物、あるいはこれらを組み合わせた合金が使用できる。また、例えば、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が使用できる。更に、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性ポリマーも使用できる。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また、陽極は一層で構成されていてもよく、複数の層で構成されていてもよい。

電極を反射電極として用いる場合には、例えばクロム、アルミニウム、銀、チタン、タングステン、モリブデン、又はこれらの合金、積層したものなどを用いることができる。また、透明電極として用いる場合には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛などの酸化物透明導電層などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。電極の形成には、フォトリソグラフィ技術を用いることができる。

一方、陰極の構成材料としては仕事関数の小さなものが使われる。例えばリチウム等のアルカリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、アルミニウム、チタニウム、マンガン、銀、鉛、クロム等の金属単体またはこれらを含む混合物が挙げられる。あるいはこれら金属単体を組み合わせた合金も使用することができる。例えばマグネシウム−銀、アルミニウム−リチウム、アルミニウム−マグネシウム、銀−銅、亜鉛−銀等が使用できる。酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また陰極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。中でも銀を用いることが適切であり、銀の凝集を抑制するため、銀合金とすることがさらに適切である。銀の凝集が抑制できれば、合金の比率は問わない。例えば、１：１であってよい。

陰極は、ＩＴＯなどの酸化物導電層を使用してトップエミッション素子としてもよいし、アルミニウム（Ａｌ）などの反射電極を使用してボトムエミッション素子としてもよいし、特に限定されない。陰極の形成方法としては、特に限定されないが、直流及び交流スパッタリング法などを用いると、膜のカバレッジがよく、抵抗を下げやすいためより適切である。

陰極の上に、保護層を設けてもよい。例えば、陰極上に吸湿剤を設けたガラスを接着することで、有機化合物層に対する水等の浸入を抑え、表示不良の発生を抑えることができる。また、別の実施形態としては、陰極上に窒化ケイ素等のパッシベーション膜を設け、有機ＥＬ層に対する水等の浸入を抑えてもよい。例えば、陰極を形成後に真空を破らずに別のチャンバーに搬送し、ＣＶＤ法で厚さ２μｍの窒化ケイ素膜を形成することで、保護層としてもよい。ＣＶＤ法の成膜の後で原子堆積法（ＡＬＤ法）を用いた保護層を設けてもよい。

保護層の上にカラーフィルタを設けてもよい。例えば、有機発光素子のサイズを考慮したカラーフィルタを別の基板上に設け、それと有機発光素子を設けた基板と貼り合わせてもよいし、上記で示した保護層上にフォトリソグラフィ技術を用いて、カラーフィルタをパターニングしてもよい。カラーフィルタは、高分子で構成されてよい。カラーフィルタと保護層との間に平坦化層を有してもよい。平坦化層は有機化合物で構成されてよく、低分子であっても、高分子であってもよいが、高分子であることがより適切である。

平坦化層は、カラーフィルタの上下に設けられてもよく、その構成材料は同じであっても異なってもよい。具体的には、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂等があげられる。

平坦化層の上には、対抗基板を有してよい。対抗基板は、前述の基板と向き合う位置に設けられるため、対抗基板と呼ばれる。対抗基板の構成材料は、前述の基板と同じであってよい。

本発明の一実施形態に係る有機発光素子を構成する有機化合物層（正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等）は、以下に示す方法により形成される。

本発明の一実施形態に係る有機発光素子を構成する有機化合物層は、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング、プラズマ等のドライプロセスを用いることができる。またドライプロセスに代えて、適当な溶媒に溶解させて公知の塗布法（例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等）により層を形成するウェットプロセスを用いることもできる。

ここで真空蒸着法や溶液塗布法等によって層を形成すると、結晶化等が起こりにくく経時安定性に優れる。また塗布法で成膜する場合は、適当なバインダー樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。上記バインダー樹脂としては、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂等が挙げられる。上記は例であり、バインダー樹脂は、これらに限定されるものではない。また、これらバインダー樹脂は、ホモポリマー又は共重合体として一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加剤を併用してもよい。

次に、図面を参照しながら本実施形態に係る表示装置について説明する。図２０は、有機発光素子とこの有機発光素子に接続されるＴＦＴ素子とを有する表示装置の例を示す断面模式図である。ＴＦＴ素子は、能動素子の一例である。

図２０の表示装置１０は、ガラス等の基板１１とその上部にＴＦＴ素子又は有機化合物層を保護するための防湿膜１２が設けられている。図２０には２個の画素が示され、基板１１上にＴＦＴ素子が２個示されているが、図２０は説明のための一例であり、画素の数はこれに限られない。また符号１３は金属のゲート電極１３である。符号１４はゲート絶縁膜１４であり、１５は半導体層である。

ＴＦＴ素子１８は、半導体層１５とドレイン電極１６とソース電極１７とを有している。ＴＦＴ素子１８の上部には絶縁膜１９が設けられている。コンタクトホール２０を介して有機発光素子を構成する陽極２１とソース電極１７とが接続されている。

尚、有機発光素子に含まれる電極（陽極、陰極）とＴＦＴに含まれる電極（ソース電極、ドレイン電極）との電気接続の方式は、図２０に示される態様に限られるものではない。つまり陽極又は陰極のうちいずれか一方とＴＦＴ素子ソース電極またはドレイン電極のいずれか一方とが電気接続されていればよい。

図２０の表示装置１０では有機化合物層を１つの層の如く図示をしているが、有機化合物層２２は、複数層であってもよい。陰極２３の上には有機発光素子の劣化を抑制するための第一の保護層２４や第二の保護層２５が設けられている。図２０の表示装置１０ではスイッチング素子としてトランジスタを使用しているが、これに代えてＭＩＭ素子をスイッチング素子として用いてもよい。また図２０の表示装置１０に使用されるトランジスタは、単結晶シリコンウエハを用いたトランジスタに限らず、基板の絶縁性表面上に活性層を有する薄膜トランジスタでもよい。活性層として、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、微結晶シリコンなどの非単結晶シリコン、インジウム亜鉛酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物等の非単結晶酸化物半導体が挙げられる。尚、薄膜トランジスタはＴＦＴ素子とも呼ばれる。

図２０の表示装置１０に含まれるトランジスタは、Ｓｉ基板等の基板内に形成されていてもよい。ここで基板内に形成されるとは、Ｓｉ基板等の基板自体を加工してトランジスタを作製することを意味する。つまり、基板内にトランジスタを有することは、基板とトランジスタとが一体に形成されていると見ることもできる。

本実施形態に係る有機発光素子はスイッチング素子の一例であるＴＦＴにより発光輝度が制御され、複数の有機発光素子を面内に設けることでそれぞれの発光輝度により画像を表示することができる。尚、本実施形態に係るスイッチング素子は、ＴＦＴに限られず、低温ポリシリコンで形成されているトランジスタ、Ｓｉ基板等の基板上に形成されたアクティブマトリクスドライバーであってもよい。基板上とは、その基板内ということもできる。基板内にトランジスタを設けるか、ＴＦＴを用いるかは、表示部の大きさによって選択され、例えば０．５インチ程度の大きさであれば、Ｓｉ基板上に有機発光素子を設けることができる。

他にも、電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、白色光源にカラーフィルタを有する発光装置等の用途がある。表示装置は、エリアＣＣＤ、リニアＣＣＤ、メモリーカード等からの画像情報を入力する画像入力部を有し、入力された情報を処理する情報処理部を有し、入力された画像を表示部に表示する画像情報処理装置でもよい。また、撮像装置やインクジェットプリンタが有する表示部は、タッチパネル機能を有していてもよい。このタッチパネル機能の駆動方式は、赤外線方式でも、静電容量方式でも、抵抗膜方式であっても、電磁誘導方式であってもよく、特に限定されない。また表示装置はマルチファンクションプリンタの表示部に用いられてもよい。

次に本開示の表示装置の適用例について具体的に説明をする。図２１は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。表示装置１０００は、上部カバー１００１と、下部カバー１００９と、の間に、タッチパネル１００３、表示パネル１００５、フレーム１００６、回路基板１００７、バッテリー１００８、を有してよい。タッチパネル１００３および表示パネル１００５は、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ１００２、１００４が接続されている。回路基板１００７には、トランジスタが配置されている。バッテリー１００８は、表示装置が携帯機器でなければ、設けなくてもよいし、携帯機器であっても、別の位置に設けてもよい。

本実施形態に係る表示装置は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光する撮像素子とを有する撮像装置の表示部に用いられてよい。撮像装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有してよい。また、撮像素子が取得した情報を用いて情報を取得し、表示部は、それとは別の情報を表示するものであってもよい。表示部は、撮像装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。撮像装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラであってよい。

図２２（ａ）は、本実施形態に係る撮像装置の一例を表す模式図である。撮像装置１１００は、ビューファインダ１１０１、背面ディスプレイ１１０２、操作部１１０３、筐体１１０４を有してよい。ビューファインダ１１０１は、本実施形態に係る表示装置を有してよい。その場合、表示装置は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示等を表示してよい。環境情報には、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性等であってよい。

撮像に好適なタイミングはわずかな時間なので、少しでも早く情報を表示した方がよい。したがって、本発明の有機発光素子を用いた表示装置を用いるのが好ましい。有機発光素子は応答速度が速いからである。有機発光素子を用いた表示装置は、表示速度が求められる、これらの装置、液晶表示装置よりも好適に用いることができる。

撮像装置１１００は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、筐体１１０４内に収容されている撮像素子に結像する。複数のレンズは、その相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。本実施形態に係る表示装置は、赤色、緑色、青色を有するカラーフィルタを有してよい。カラーフィルタは、当該赤色、緑色、青色がデルタ配列で配置されてよい。本実施形態に係る表示装置は、携帯端末の表示部に用いられてもよい。その際には、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォン等の携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイ等が挙げられる。

図２２（ｂ）は、本実施形態に係る電子機器の一例を表す模式図である。電子機器１２００は、表示部１２０１と、操作部１２０２と、筐体１２０３を有する。筐体１２０３には、回路、当該回路を有するプリント基板、バッテリー、通信部、を有してよい。操作部１２０２は、ボタンであってもよいし、タッチパネル方式の反応部であってもよい。操作部は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する電子機器は通信機器ということもできる。

図２３（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。図２３（ａ）は、テレビモニタやＰＣモニタ等の表示装置である。表示装置１３００は、フレーム１３０１を有し表示部１３０２を有する。表示部１３０２には、本発明に係る表示装置が用いられてよい。表示装置１３００はフレーム１３０１と、表示部１３０２を支える土台１３０３を有している。土台１３０３は、図２３（ａ）の形態に限られない。フレーム１３０１の下辺が土台を兼ねてもよい。また、フレーム１３０１および表示部１３０２は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、５０００ｍｍ以上６０００ｍｍ以下であってよい。

図２３（ｂ）は本実施形態に係る表示装置の他の例を表す模式図である。図２３（ｂ）の表示装置１３１０は、折り曲げ可能に構成されており、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置１３１０は、第一表示部１３１１、第二表示部１３１２、筐体１３１３、屈曲点１３１４を有する。第一表示部１３１１と第二表示部１３１２とは、本実施形態に係る表示装置を有してよい。第一表示部１３１１と第二表示部１３１２とは、つなぎ目のない１枚の表示装置であってよい。第一表示部１３１１と第二表示部１３１２とは、屈曲点で分けることができる。第一表示部１３１１、第二表示部１３１２は、それぞれ異なる画像を表示してもよいし、第一および第二表示部とで一つの画像を表示してもよい。

図２４（ａ）は、本発明の表示装置の特性を利用した照明装置の一例を表す模式図である。照明装置１４００は、筐体１４０１と、光源１４０２と、回路基板１４０３と、光学フィルム１４０４と、光拡散部１４０５と、を有してよい。光源は、本発明に係る有機発光素子を有する表示装置であってよい。光学フィルタは光源の演色性を向上させるフィルタであってよい。光拡散部は、ライトアップ等、光源の光を透過して効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。光学フィルタ、光拡散部は、照明の光出射側に設けられてよい。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。このように、本明細書において、表示装置とは、像を表示するものに限らず、複数の発光素子が配され光源として用いられるものも含む。

照明装置は例えば室内を照明する装置である。照明装置は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってよい。それらを調光する調光回路を有してよい。照明装置は本発明に係る表示装置とそれに接続される電源回路を有してよい。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、白とは色温度が４２００Ｋで昼白色とは色温度が５０００Ｋである。照明装置はカラーフィルタを有してもよい。また、本実施形態に係る照明装置は、放熱部を有していてもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコン等が挙げられる。

図２４（ｂ）は、本発明の表示装置を灯具として用いた移動体の一例である自動車の模式図である。当該自動車は灯具の一例であるテールランプを有する。自動車１５００は、テールランプ１５０１を有し、ブレーキ操作等を行った際に、テールランプを点灯する形態であってよい。テールランプ１５０１は、本発明に係る有機発光素子を有する表示装置であってよい。テールランプは、表示装置を保護する保護部材を有してよい。保護部材はある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネート等で構成されることが好ましい。ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体等を混ぜてよい。

自動車１５００は、車体１５０３、それに取り付けられている窓１５０２を有してよい。窓は、自動車の前後を確認するための窓でなければ、透明なディスプレイであってもよい。当該透明なディスプレイは、本実施形態に係る有機発光素子を有してよい。この場合、有機発光素子が有する電極等の構成材料は透明な部材で構成される。本実施形態に係る移動体は、船舶、航空機、ドローン等であってよい。移動体は、機体と当該機体に設けられた灯具を有してよい。灯具は、機体の位置を知らせるための発光をしてよい。灯具は本実施形態に係る有機発光素子を有する。

以上説明した通り、本実施形態に係る有機発光素子を用いた装置を用いることにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１０７：第１走査線、１０８：第２走査線、１０９：信号線、２０１：有機発光素子、２０２：駆動トランジスタ、２０３：書き込みトランジスタ、２０４：発光制御トランジスタ、２０５：第１容量素子、２０６：第２容量素子、２０７：第１電源電位Ｖｓｓ、２０８：第２電源電位Ｖｄｄ、３０１：ダミー画素

Claims

複数の画素（１０２）が配置された画素領域（１０３）と、前記画素領域の周囲に設けられ複数のダミー画素（３０１）が配置されたダミー画素領域（１０４）と、を備え、
前記画素及び前記ダミー画素のそれぞれは、第１電極と第２電極とを備える発光素子（２０１）と、駆動トランジスタ（２０２）とを有し、
前記画素では、前記発光素子の前記第１電極と前記駆動トランジスタが接続され、
前記ダミー画素では、前記発光素子と前記駆動トランジスタとは接続されておらず、前記発光素子の前記第１電極及び前記第２電極には、前記第１電極と前記第２電極の電位差が、前記発光素子が発光しない電位差となる電位が供給される、表示装置。
前記ダミー画素において、前記発光素子の前記第１電極と前記第２電極とが接続されている請求項１に記載の表示装置。
前記第１電極と前記第２電極はコンタクトホールを用いて接続されている請求項２に記載の表示装置。
前記画素において、前記第１電極はアノードとして機能し、前記第２電極はカソードとして機能し、
前記ダミー画素における前記発光素子の前記第１電極及び前記第２電極は、それぞれ前記画素の前記第１電極及び前記第２電極に対応する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
前記ダミー画素の前記駆動トランジスタのソース及びドレインの少なくともいずれか一方は前記駆動トランジスタのバックゲートに接続されている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
前記画素及び前記ダミー画素それぞれは、前記駆動トランジスタのゲートに接続された容量素子に信号電圧を与える書き込みトランジスタと、前記発光素子に流れる電流の導通、非導通を制御する発光制御トランジスタと、をさらに備え、前記ダミー画素の前記駆動トランジスタ、前記書き込みトランジスタ及び前記発光制御トランジスタのバックゲートには所定の電位が与えられる請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
前記ダミー画素の前記駆動トランジスタのソース及びドレインは前記駆動トランジスタのバックゲートに接続され、前記書き込みトランジスタのソース及びドレインの少なくともいずれか一方は前記書き込みトランジスタのバックゲートに接続されている請求項６に記載の表示装置。
前記画素及び前記ダミー画素それぞれはさらに、リセットトランジスタを備え、前記画素では、前記リセットトランジスタは前記発光素子に接続され、
前記ダミー画素では、前記リセットトランジスタは前記発光素子と接続されていない請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
前記ダミー画素の前記リセットトランジスタのソース及びドレインの一方は前記駆動トランジスタに接続され、他方には基準の電位が与えられる請求項８に記載の表示装置。
前記ダミー画素の前記リセットトランジスタのソース及びドレインの少なくとも一方は前記リセットトランジスタのバックゲートに接続されている請求項８に記載の表示装置。
前記ダミー画素の前記リセットトランジスタのバックゲートには所定の電位が与えられる請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置。
前記画素の前記リセットトランジスタは、前記発光素子を非発光に制御する期間、導通するように制御される請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の表示装置。
行に配置された前記画素を駆動する走査線及び列に配置された前記画素に信号を供給する信号線と、をさらに備え、前記ダミー画素領域は第１ダミー画素領域と第２ダミー画素領域とを含み、前記走査線は前記第１ダミー画素領域を通過するように配され、前記信号線は前記第２ダミー画素領域を通過するように配されている請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の表示装置。
前記第１ダミー画素領域のダミー画素のトランジスタのゲートには前記走査線が接続され、前記第２ダミー画素領域のダミー画素のトランジスタのゲートには所定の電位が接続される請求項１３に記載の表示装置。
前記第１ダミー画素領域のダミー画素の書き込みトランジスタのバックゲートは前記信号線に接続されず、前記第２ダミー画素領域のダミー画素の書き込みトランジスタのバックゲートは前記信号線に接続される請求項１３に記載の表示装置。
複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部と、を有し、
前記表示部は請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の表示装置を有することを特徴とする撮像装置。
請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の表示装置を有する表示部と、前記表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有することを特徴とする電子機器。
請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の表示装置を有する光源と、前記光源が発する光を透過する光拡散部または光学フィルムと、を有することを特徴とする照明装置。
請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の表示装置を有する灯具と、前記灯具が設けられた機体と、を有することを特徴とする移動体。