JP7393897B2

JP7393897B2 - テラヘルツ装置

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Publication number: JP7393897B2
Application number: JP2019159603A
Authority: JP
Inventors: 一魁鶴田
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2019-09-02
Filing date: 2019-09-02
Publication date: 2023-12-07
Anticipated expiration: 2039-09-02
Also published as: JP2021040005A; US11243164B2; US20210063305A1

Description

本開示は、テラヘルツ装置に関する。

近年、トランジスタなどの電子デバイスの微細化が進み、電子デバイスの大きさがナノサイズになってきたため、量子効果と呼ばれる現象が観測されるようになっている。そして、この量子効果を利用した超高速デバイスや新機能デバイスの実現を目指した開発が進められている。

そのような環境の中で、特に、周波数が０．１ＴＨｚ～１０ＴＨｚであるテラヘルツ帯と呼ばれる周波数領域の電磁波を利用して大容量通信や情報処理、あるいはイメージングや計測などを行う試みが行われている。この周波数領域は、光と電波との両方の特性を兼ね備えており、この周波数帯で動作するデバイスが実現されれば、上述したイメージング、大容量通信・情報処理のほか、物性、天文、生物などのさまざまな分野における計測など、多くの用途に利用されうる。

テラヘルツ帯の周波数の電磁波を発生又は受信する素子としては、例えば共鳴トンネルダイオードと微細スロットアンテナを集積する構造のものが知られている（例えば特許文献１参照）。

特開２０１６－１１１５４２号公報

上記のようなテラヘルツ素子を有するテラヘルツ装置においては、利得の向上が求められる場合がある。
本開示の目的は、利得の向上を図ることができるテラヘルツ装置を提供することにある。

上記課題を解決するテラヘルツ装置は、電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、前記テラヘルツ素子と対向する位置に設けられ、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波を一方向に向けて反射させる反射膜と、前記テラヘルツ素子及び前記反射膜を封止する封止材と、を備える。

この構成によれば、テラヘルツ素子にて発生した電磁波は、封止材を介して反射膜に伝搬し、反射膜によって一方向に反射される。これにより、電磁波の出力を高くすることができる。したがって、テラヘルツ装置の利得向上を図ることができる。

また、テラヘルツ素子と反射膜とが封止材によって封止されている。これにより、テラヘルツ素子と反射膜との間に異物が侵入することを抑制できる。したがって、上記異物に起因して電磁波の伝搬が阻害されるといったことを抑制できる。また、反射膜が空気に晒されることを抑制できるため、空気中の水分や酸素などに起因する反射膜の劣化を抑制できる。

上記課題を解決するテラヘルツ装置は、電磁波を受信するテラヘルツ素子と、前記テラヘルツ素子と対向する位置に設けられ、入射された電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させる反射膜と、前記テラヘルツ素子及び前記反射膜を封止する封止材と、を備える。

この構成によれば、反射膜に向けて入射された電磁波は、反射膜によってテラヘルツ素子に向けて反射され、テラヘルツ素子によって受信される。これにより、テラヘルツ装置の電磁波の受信強度を高くすることができる。したがって、テラヘルツ装置の利得の向上を図ることができる。

上記テラヘルツ装置によれば、利得の向上を図ることができる。

第１実施形態のテラヘルツ装置を上方側から見た斜視図。テラヘルツ装置を下方側から見た斜視図。テラヘルツ装置の断面構造を説明するための端面図。テラヘルツ素子の正面図。能動素子及びその周辺を模式的に示す端面図。図５の部分拡大図。図３の７－７線断面図。図７の８－８線断面図。テラヘルツ装置の下面図。第１実施形態のテラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。第１実施形態のテラヘルツ装置の変更例を示す断面図。第１実施形態のテラヘルツ装置の変更例を示す断面図。第１実施形態のテラヘルツ装置の変更例を示す端面図。図２７の２８－２８線断面図。第１実施形態のテラヘルツ装置の変更例を示す断面図。図２９の部分拡大図。第１実施形態のテラヘルツ装置の変更例を示す断面図。図３１の部分拡大図。第１実施形態のテラヘルツ装置の変更例を示す断面図。図３３の部分拡大図。第１実施形態のテラヘルツ装置の変更例を示す端面図。第２実施形態のテラヘルツ装置の概要を示す回路図。第２実施形態のテラヘルツ装置の断面構造を説明するための端面図。図３７の３８－３８線断面図。第２実施形態のテラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。第２実施形態のテラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。第３実施形態のテラヘルツ装置の断面構造を説明するための端面図。図４１の４２－４２線断面図。第３実施形態のテラヘルツ装置の変更例を示す断面図。図４３の部分拡大図。第３実施形態のテラヘルツ装置の変更例を示す端面図。第４実施形態のテラヘルツ装置の正面図。図４６の４７－４７線断面図。第４実施形態のテラヘルツ装置の変更例を示す断面図。変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す下面図。変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す下面図。変更例のテラヘルツ素子を模式的に示す正面図。変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す断面図。変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

以下、テラヘルツ装置の実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す各実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の各実施形態は、種々の変更を加えることができる。また、図面については、図示の都合上、一部模式的に示している。

本開示において、「ＡがＢ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、ＡがＢ上に直接形成されている構成と、ＡとＢとの間に設けられた介在物を介して、ＡがＢ上に形成されている構成とを含む。同様に、「ＡがＢ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、ＡがＢ上に直接配置されている構成と、ＡとＢとの間に設けられた介在物を介して、ＡがＢ上に配置されている構成とを含む。

また、「ある方向から見てＡがＢと重なる」とは、特段の断りのない限り、ＡのすべてがＢに重なっている構成と、Ａの一部がＢに重なっている構成とを含む。
（第１実施形態）
図１～図９は、本開示の第１実施形態にかかるテラヘルツ装置１０を示している。詳細には、図１及び図２は、テラヘルツ装置１０の斜視図である。図３は、テラヘルツ装置の断面構造を説明するための端面図であり、図７の３－３線端面図に相当する。図４は、テラヘルツ素子の正面図であり、図５は能動素子及びその周辺を模式的に示す端面図であり、図６は図５の部分拡大図である。図７は、図３の７－７線断面図であり、図８は図７の８－８線断面図である。図９は、テラヘルツ装置の下面図である。なお、図示の都合上、図７においては、導電部８０，９０についてはハッチングを省略して示す。

図１及び図２に示すように、本実施形態のテラヘルツ装置１０は、全体として直方体形状に形成されている。テラヘルツ装置１０は、装置主面１１と、装置主面１１とは反対側の面である装置裏面１２と、４つの装置側面１３～１６と、を有する。装置主面１１は、互いに直交する長手方向及び短手方向を有する長方形である。本実施形態のテラヘルツ装置１０は、装置主面１１から電磁波を出力（換言すれば照射）する。

説明の便宜上、本実施形態では、装置主面１１の長手方向をｘ方向とし、装置主面１１の短手方向をｙ方向とする。そして、ｘ方向及びｙ方向の双方に直交する方向をｚ方向とする。ｚ方向は、テラヘルツ装置１０の高さ方向とも言える。

装置主面１１及び装置裏面１２は、ｚ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｚ方向に対して直交している。装置主面１１及び装置裏面１２は、テラヘルツ装置１０の高さ方向の両端面といえる。

説明の便宜上、ｚ方向のうち装置裏面１２から装置主面１１に向かう方向を「上方」という。上方は、装置主面１１と直交する方向であって装置主面１１から離れる方向ともいえる。本実施形態のテラヘルツ装置１０は、上方に向けて電磁波を出力する。

第１装置側面１３及び第２装置側面１４は、テラヘルツ装置１０におけるｘ方向の両端面であり、ｘ方向に対して交差している。本実施形態の第１装置側面１３及び第２装置側面１４は、ｘ方向に対して直交しており、ｙ方向及びｚ方向に沿っている。

第３装置側面１５及び第４装置側面１６は、テラヘルツ装置１０におけるｙ方向の両端面であり、ｙ方向に対して交差している。本実施形態の第３装置側面１５及び第４装置側面１６は、ｙ方向に対して直交しており、ｘ方向及びｚ方向に沿っている。

テラヘルツ装置１０は、テラヘルツ素子２０と、封止材５０と、封止材５０に封止された反射膜６０と、を備える。
テラヘルツ素子２０は、テラヘルツ帯の電磁波と電気エネルギーとの変換を行う素子である。なお、電磁波とは、光及び電波のいずれか一方あるいは両方の概念を含むものとする。テラヘルツ素子２０は、発振することによって、入力される電気エネルギーをテラヘルツ帯の電磁波に変換する。これにより、テラヘルツ素子２０は、電磁波（換言すればテラヘルツ波）を発生させる。テラヘルツ素子２０が発生させる電磁波の周波数（発振周波数）は、例えば０．１Ｔｈｚ～１０Ｔｈｚである。

図３及び図４に示すように、テラヘルツ素子２０は、ｚ方向を厚さ方向とする板状であり、本実施形態では全体として矩形板状である。本実施形態では、テラヘルツ素子２０は、ｚ方向から見て（以下、「平面視」ともいう。）正方形である。なお、テラヘルツ素子２０の平面視形状は、正方形に限定されず、矩形状、円形状、楕円形状あるいは多角形状であってもよい。

ちなみに、ｚ方向とテラヘルツ素子２０の厚さ方向とが一致している点に着目すれば、「ｚ方向から見て」とは、テラヘルツ素子２０の厚さ方向から見てともいえる。また、本実施形態のテラヘルツ装置１０が上方に向けて電磁波を出力するものである点に着目すれば、「ｚ方向から見て」とは、電磁波の出力方向から見てともいえるし、上方から見てともいえる。

テラヘルツ素子２０のｚ方向の寸法である素子厚さＤ１は、例えば発振する電磁波の周波数に基づいて設定されている。一例としては、素子厚さＤ１は、電磁波の周波数が高いほど薄く、電磁波の周波数が低いほど厚くなっているとよい。

テラヘルツ素子２０は、テラヘルツ素子２０の厚さ方向に対して交差する面として素子主面２１及び素子裏面２２を有する。素子主面２１及び素子裏面２２は、ｚ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｚ方向に対して直交している。このため、ｚ方向とは、素子主面２１に直交する方向ともいえる。

素子主面２１及び素子裏面２２は、ｚ方向から見て矩形状であり、例えば正方形状である。ただし、素子主面２１及び素子裏面２２の形状はこれに限定されず任意である。
図３に示すように、本実施形態のテラヘルツ素子２０は、素子裏面２２が上方を向いた状態（換言すれば素子主面２１が下方を向いた状態）で配置されている。素子主面２１は、素子裏面２２よりも装置裏面１２の近くに配置されており、素子裏面２２は、素子主面２１よりも装置主面１１の近くに配置されている。

テラヘルツ素子２０は、ｘ方向の両端面である第１素子側面２３及び第２素子側面２４と、ｙ方向の両端面である第３素子側面２５及び第４素子側面２６と、を有する。第１素子側面２３及び第２素子側面２４は、ｘ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｘ方向に対して直交している。第３素子側面２５及び第４素子側面２６は、ｙ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｙ方向に対して直交している。第１素子側面２３及び第２素子側面２４と、第３素子側面２５及び第４素子側面２６とは互いに直交している。

図４に示すように、テラヘルツ素子２０は、電磁波の発振を行う発振点Ｐ１を有する。本実施形態では、発振点Ｐ１は電磁波が発生する点（換言すれば領域）である。発振点Ｐ１は、素子主面２１に形成されている。発振点Ｐ１がある素子主面２１が、電磁波の発振を行う能動面を構成している。ｚ方向（換言すればテラヘルツ素子２０の厚さ方向又はテラヘルツ装置１０の高さ方向）とは、発振点Ｐ１が設けられている面に対して直交する方向ともいえる。

本実施形態の発振点Ｐ１は、素子主面２１の中心に配置されている。本実施形態では、電磁波は、発振点Ｐ１からｘ方向、ｙ方向及びｚ方向に放射状に照射される。ただし、発振点Ｐ１の位置は、素子主面２１の中心に限られず任意である。

本実施形態において、第１素子側面２３（又は第２素子側面２４）と発振点Ｐ１との第１垂直距離ｘ１は、例えば（λ’_ＩｎＰ／２）＋（（λ’_ＩｎＰ／２）×Ｎ）であるとよい（Ｎは０以上の整数：Ｎ＝０，１，２，・・・）。

ここで、λ’_ＩｎＰは、テラヘルツ素子２０の内部を伝搬する電磁波の実効的な波長である。テラヘルツ素子２０の屈折率である素子屈折率をｎ１、ｃを光速、ｆｃを電磁波の中心周波数としたとき、λ’_ＩｎＰは、（１／ｎ１）×（ｃ／ｆｃ）である。ｆｃは、テラヘルツ素子２０の目標周波数ともいえる。また、ｆｃは、テラヘルツ素子２０から発生される電磁波のうち最も出力が大きい周波数でもよい。

詳細は後述するが、素子屈折率ｎ１は、テラヘルツ素子２０を囲んでいる封止材５０の屈折率である封止屈折率ｎ２よりも高いため、テラヘルツ素子２０から発振された電磁波は、第１素子側面２３で自由端反射する。よって、第１垂直距離ｘ１を上記のように設定することにより、テラヘルツ素子２０自体が、テラヘルツ装置１０における共振器（１次共振器）として設計されている。

同様に、第３素子側面２５（又は第４素子側面２６）と発振点Ｐ１との第２垂直距離ｙ１は、例えば（λ’_ＩｎＰ／２）＋（（λ’_ＩｎＰ／２）×Ｎ）であるとよい（Ｎは０以上の整数：Ｎ＝０，１，２，・・・）。

なお、垂直距離ｘ１，ｙ１は、各々が上記計算式によって算出される値であれば、素子側面２３，２４，２５，２６ごとに異なる値であってもよい。例えば、第１素子側面２３と発振点Ｐ１との第１垂直距離ｘ１と、第２素子側面２４と発振点Ｐ１との第１垂直距離とが異なっていてもよい。同様に、第３素子側面２５と発振点Ｐ１との第２垂直距離ｙ１と、第４素子側面２６と発振点Ｐ１との第２垂直距離とが異なっていてもよい。

図５及び図６に示すように、テラヘルツ素子２０は、素子基板３１と、能動素子３２と、第１素子導電層３３と、第２素子導電層３４と、を備える。
素子基板３１は、半導体からなり、半絶縁性を有する。素子基板３１を構成する半導体は、例えば、ＩｎＰ（リン化インジウム）である。

素子屈折率ｎ１は、素子基板３１の屈折率（絶対屈折率）である。素子基板３１がＩｎＰである場合、素子屈折率ｎ１は約３．４である。
本実施形態では、素子基板３１は矩形板状であり、例えば平面視において正方形状である。素子主面２１及び素子裏面２２は素子基板３１の主面及び裏面であり、両素子側面２３～２６は素子基板３１の側面である。

能動素子３２は、テラヘルツ帯の電磁波と電気エネルギーとの変換を行う。能動素子３２は、素子基板３１に形成されている。本実施形態では、能動素子３２は、素子主面２１の中心に設けられている。発振点Ｐ１は、能動素子３２が設けられている位置ともいえる。

能動素子３２は、典型的には共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ：Resonant Tunneling Diode）である。ただし、これに限られず、能動素子３２としては、例えば、タンネット（ＴＵＮＮＥＴＴ：Tunnel injection Transit Time）ダイオード、インパット（ＩＭＰＡＴＴ：Impact Ionization Avalanche Transit Time）ダイオード、ＧａＡｓ系電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）、ＧａＮ系ＦＥＴ、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：High Electron Mobility Transistor）、あるいは、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ：Heterojunction Bipolar Transistor）であってもよい。

能動素子３２を実現するための一例を説明する。
素子基板３１上には、半導体層４１ａが形成されている。半導体層４１ａは、例えばＧａＩｎＡｓによって形成されている。半導体層４１ａには、ｎ型不純物が高濃度にドープされている。

半導体層４１ａ上には、ＧａＩｎＡｓ層４２ａが積層されている。ＧａＩｎＡｓ層４２ａには、ｎ型不純物がドープされている。例えば、ＧａＩｎＡｓ層４２ａの不純物濃度は、半導体層４１ａの不純物濃度よりも低い。

ＧａＩｎＡｓ層４２ａ上にはＧａＩｎＡｓ層４３ａが積層されている。ＧａＩｎＡｓ層４３ａには、不純物がドープされていない。
ＧａＩｎＡｓ層４３ａ上には、ＡｌＡｓ層４４ａが積層されており、ＡｌＡｓ層４４ａ上にはＩｎＧａＡｓ層４５が積層されており、ＩｎＧａＡｓ層４５上にはＡｌＡｓ層４４ｂが積層されている。これらＡｌＡｓ層４４ａとＩｎＧａＡｓ層４５とＡｌＡｓ層４４ｂとによってＲＴＤ部が構成されている。

ＡｌＡｓ層４４ｂ上には、不純物がドープされていないＧａＩｎＡｓ層４３ｂが積層されている。ＧａＩｎＡｓ層４３ｂ上には、ｎ型不純物がドープされているＧａＩｎＡｓ層４２ｂが積層されている。ＧａＩｎＡｓ層４２ｂ上には、ＧａＩｎＡｓ層４１ｂが積層されている。ＧａＩｎＡｓ層４１ｂには、ｎ型不純物が高濃度にドープされている。例えば、ＧａＩｎＡｓ層４１ｂの不純物濃度は、ＧａＩｎＡｓ層４２ｂの不純物濃度よりも高い。

なお、能動素子３２の具体的構成は、電磁波を発生（あるいは受信及びその両方）可能なものであれば任意である。換言すれば、能動素子３２は、テラヘルツ帯の電磁波に対して発振するものであればよいともいえる。

図３に示すように、本実施形態の素子裏面２２には、電磁波を反射する素子反射層３５が形成されている。発振点Ｐ１（能動素子３２）から上方に向けて放射された電磁波は、素子反射層３５に反射されて下方に向かう。

ここで、素子厚さＤ１は、電磁波の共振条件が成立するように設定されていてもよい。具体的には、素子反射層３５が形成されている本実施形態では、素子裏面２２と素子反射層３５との界面において、電磁波が固定端反射するので、位相がπずれる。この点を考慮して、本実施形態の素子厚さＤ１は、（λ’_ＩｎＰ／４）＋（λ’_ＩｎＰ／２）×Ｎ（Ｎは０以上の整数：Ｎ＝０，１，２，・・・）に設定されているとよい。上記のように素子厚さＤ１を設定することにより、定在波をテラヘルツ素子２０の内部で励起させることができる。

なお、素子反射層３５が形成されていない場合、素子厚さＤ１は、（λ’_ＩｎＰ／２）＋（λ’_ＩｎＰ／２）×Ｎ（Ｎは０以上の整数：Ｎ＝０，１，２，・・・）に設定されているとよい。ただし、素子厚さＤ１は、上記に限られず任意である。

図４に示すように、第１素子導電層３３及び第２素子導電層３４はそれぞれ、素子主面２１上に形成されている。第１素子導電層３３及び第２素子導電層３４はそれぞれ、金属の積層構造を有する。第１素子導電層３３及び第２素子導電層３４の各々の積層構造は、例えばＡｕ（金）、Ｐｄ（パラジウム）及びＴｉ（チタン）が積層された構造である。あるいは、第１素子導電層３３及び第２素子導電層３４の各々の積層構造は、Ａｕ及びＴｉが積層された構造である。第１素子導電層３３及び第２素子導電層３４はいずれも、真空蒸着法あるいはスパッタリング法などによって形成される。

素子導電層３３，３４は、発振点Ｐ１（能動素子３２）を介して所定方向（本実施形態ではｙ方向）に離間して対向配置されたパッド３３ａ，３４ａと、パッド３３ａ，３４ａから能動素子３２に向けて延びた素子導通部３３ｂ，３４ｂと、を備える。

パッド３３ａ，３４ａは、例えば両パッド３３ａ，３４ａの対向方向と直交する方向（本実施形態ではｘ方向）に延びている。パッド３３ａ，３４ａは、例えばｚ方向から見て長手方向及び短手方向を有する形状である。具体的には、パッド３３ａ，３４ａは、ｘ方向を長手方向とし、ｙ方向を短手方向とする矩形状である。

パッド３３ａ，３４ａは、ｚ方向から見て発振点Ｐ１と重ならない位置に配置されている。例えば、パッド３３ａ，３４ａは、発振点Ｐ１（換言すれば能動素子３２）に対してｙ方向の両側に配置されており、本実施形態では発振点Ｐ１よりも素子側面２５，２６の近くに配置されている。

素子導通部３３ｂ，３４ｂは、例えばｙ方向に延びた細長形状であり、素子導通部３３ｂ，３４ｂのｘ方向の長さは、パッド３３ａ，３４ａのｘ方向の長さよりも短い。
図６に示すように、素子導通部３３ｂ，３４ｂの先端部３３ｂａ，３４ｂａは、ｚ方向から見て能動素子３２と重なっており、能動素子３２と電気的に接続されている。具体的には、第１素子導通部３３ｂの先端部３３ｂａは、ＧａＩｎＡｓ層４１ｂ上に位置しており、ＧａＩｎＡｓ層４１ｂに接している。

また、半導体層４１ａは、ＧａＩｎＡｓ層４２ａ等の他の層よりも第２パッド３４ａに向けてｙ方向に延びている。第２素子導通部３４ｂの先端部３４ｂａは、半導体層４１ａのうちＧａＩｎＡｓ層４２ａ等が積層されていない部分に積層されている。これにより、能動素子３２が両素子導電層３３，３４（換言すれば両パッド３３ａ，３４ａ）に導通している。なお、第２素子導通部３４ｂとＧａＩｎＡｓ層４２ａ等の他の層とはｙ方向に離間している。

図示は省略するが、図６とは異なり、ｎ型不純物を高濃度にドープされたＧａＩｎＡｓ層が、ＧａＩｎＡｓ層４１ｂと第１素子導通部３３ｂの先端部３３ｂａとの間に介在していてもよい。これにより、第１素子導電層３３とＧａＩｎＡｓ層４１ｂとのコンタクトが良好になりうる。

次に封止材５０について説明する。
図１及び図２に示すように、封止材５０は直方体形状である。例えば、封止材５０は、ｘ方向を長手方向としｙ方向を短手方向とし、ｚ方向を高さ方向とする直方体形状である。封止材５０は、テラヘルツ装置１０の外郭を構成している。本実施形態では、封止材５０の主面が装置主面１１を構成しており、封止材５０の裏面が装置裏面１２を構成している。そして、封止材５０の各側面が装置側面１３～１６を構成している。

封止材５０は、例えばテラヘルツ素子２０から発生する電磁波が透過する材料である誘電体材料で構成されている。本実施形態では、封止材５０は、樹脂材料によって構成されており、一例としてはエポキシ樹脂（例えばガラスエポキシ樹脂）によって構成されている。封止材５０は、絶縁性と伝熱性とを有する。なお、封止材５０の色は黒色など任意である。

封止材５０の屈折率（絶対屈折率）である封止屈折率ｎ２は、素子屈折率ｎ１よりも低い。例えば、封止屈折率ｎ２は１．５５である。なお、封止材５０は、１層構造でもよいし、多層構造でもよい。すなわち、封止材５０内に界面が１又は複数形成されていてもよい。

図３に示すように、封止材５０は、テラヘルツ素子２０を封止しており、テラヘルツ素子２０を囲っている。本実施形態では、封止材５０は、テラヘルツ素子２０の全体を囲んでおり、テラヘルツ素子２０の素子主面２１、素子裏面２２及び各素子側面２３～２６を覆っている。

テラヘルツ素子２０の素子主面２１、素子裏面２２、各素子側面２３～２６は、封止材５０と接している。すなわち、本実施形態の封止材５０は、当該封止材５０とテラヘルツ素子２０との間に隙間が生じないようにテラヘルツ素子２０を囲んでいる。

図３に示すように、テラヘルツ素子２０は、素子主面２１が装置裏面１２を向いた状態で封止材５０内に設けられている。テラヘルツ素子２０は、装置主面１１及び装置裏面１２の間に配置されている。本実施形態では、テラヘルツ素子２０は装置裏面１２よりも装置主面１１の近くに偏倚して配置されている。

次に反射膜６０について説明する。
反射膜６０は、テラヘルツ素子２０にて発生する電磁波を一方向に向けて反射させるものである。反射膜６０は、テラヘルツ素子２０にて発生する電磁波を反射する材料で形成されており、例えばＣｕなどの金属又は合金で形成されている。反射膜６０は、一層構造でもよいし、多層構造でもよい。

図３、図７、及び図８に示すように、反射膜６０はアンテナ形状となっている。一例としては、反射膜６０はパラボラアンテナ形状となっている。すなわち、反射膜６０は、回転放物面鏡となっており、すり鉢状に湾曲している。反射膜６０は、ｚ方向から見て円形状となっている。反射膜６０は、装置裏面１２に向けて凸となるように湾曲している。反射膜６０は、一方向（本実施形態では上方）に向けて開口している。

反射膜６０は、テラヘルツ素子２０とｚ方向に対向する位置に配置された状態で封止材５０に封止されている。本実施形態では、テラヘルツ素子２０が装置裏面１２よりも装置主面１１の近くに偏倚して配置されており、反射膜６０がテラヘルツ素子２０よりも装置裏面１２の近くに配置されている。すなわち、反射膜６０は、テラヘルツ素子２０と装置裏面１２との間に配置されている。

テラヘルツ素子２０は、素子主面２１が反射膜６０と対向した状態で封止材５０内に配置されている。反射膜６０は、素子裏面２２ではなく、発振点Ｐ１が存在する素子主面２１側に配置されており、テラヘルツ素子２０（本実施形態では素子主面２１）と対向している。換言すれば、テラヘルツ素子２０と反射膜６０とは、素子主面２１と反射膜６０とがｚ方向に対向している状態で封止材５０に封止されている。これにより、テラヘルツ素子２０と反射膜６０との相対位置が固定され、両者の位置ずれが生じにくくなっている。なお、パッド３３ａ，３４ａと反射膜６０との位置関係に着目すれば、パッド３３ａ，３４ａは反射膜６０の方を向いているともいえる。

本実施形態では、テラヘルツ素子２０と反射膜６０との間は封止材５０で充填されている。このため、テラヘルツ素子２０（詳細には発振点Ｐ１）にて発生した電磁波は、封止材５０を通って反射膜６０に向けて伝搬する。

反射膜６０は、例えば当該反射膜６０の焦点が発振点Ｐ１となるように配置されている。図８に示すように、本実施形態では、ｚ方向から見て、反射膜６０の中心点Ｐ２と発振点Ｐ１とは一致している。本実施形態では、中心点Ｐ２はｚ方向から見た円形の反射膜６０の中心である。

また、発振点Ｐ１から反射膜６０までの垂直距離を規定距離ｚ１とし、反射膜６０のｚ方向の座標をＺとし、反射膜６０のｙ方向の位置をＹとすると、Ｙ＝（１／（４ｚ１））Ｙ^２の条件を満たすように反射膜６０が湾曲しているとよい。なお、Ｙは中心点Ｐ２において「０」とする。反射膜６０のｘ方向の位置についても同様である。

ｚ方向は、反射膜６０とテラヘルツ素子２０（素子主面２１）との対向方向ともいえる。また、ｚ方向は、反射膜６０の中心点Ｐ２と発振点Ｐ１との対向方向ともいえ、規定距離ｚ１は、発振点Ｐ１と中心点Ｐ２との間の距離ともいえる。

また、反射膜６０は、テラヘルツ素子２０から発生する電磁波が共振するように、当該電磁波の周波数に対応する位置に配置されていてもよい。具体的には、規定距離ｚ１は、テラヘルツ素子２０から発生する電磁波の共振条件を満たすように設定されていてもよい。例えば、規定距離ｚ１は、（λ’_Ａ／４）+（（λ’_Ａ／２)×Ｎ）（Ｎは０以上の整数：Ｎ＝０，１，２，・・・）であるとよい。λ’_Ａは、封止材５０を伝搬する電磁波の実効的な波長であり、例えば（１／ｎ２）（ｃ／ｆｃ）（c：光速，ｆｃ：発振の中心周波数）である。

すなわち、反射膜６０は、規定距離ｚ１が共振条件を満たしつつ、発振点Ｐ１が反射膜６０の焦点に位置するように湾曲しているとよい。ただし、これに限られず、規定距離ｚ１が共振条件を満たす一方、反射膜６０の焦点と発振点Ｐ１とがずれてもよいし、その逆でもよい。反射膜６０の湾曲態様は任意である。また、規定距離ｚ１は任意であり、共振条件を満たさなくてもよい。

反射膜６０は、ｚ方向から見てテラヘルツ素子２０よりも大きく形成されている。具体的には、反射膜６０は、テラヘルツ素子２０よりもｘ方向及びｙ方向の双方に大きく形成されている。ｚ方向から見て、ｘ方向又はｙ方向における反射膜６０の端から端までの距離を反射膜６０の開口幅とすると、反射膜６０の開口幅は、テラヘルツ素子２０のｘ方向の長さ及びｙ方向の長さの双方よりも長く設定されている。

本実施形態では、反射膜６０は、テラヘルツ素子２０から発生しかつ封止材５０内を伝搬する電磁波を、ｚ方向（具体的には上方）に向けて反射させる。換言すれば、反射膜６０は、発振点Ｐ１にて発生しかつ封止材５０内を伝搬する電磁波を一方向にガイドするものともいえる。

図８に示すように、テラヘルツ素子２０は、例えば発振点Ｐ１から開口角度θの範囲に亘って放射状に電磁波を照射するものでもよい。すなわち、テラヘルツ素子２０から発生する電磁波は指向性を有してもよい。開口角度θは、例えば１２０°～１８０°である。ただし、開口角度θについてはこれに限られず任意に変更可能である。

この構成において、反射膜６０は、例えば発振点Ｐ１に対して開口角度θ以上の角度範囲に亘って形成されていてもよい。これにより、反射膜６０によって反射されない電磁波を低減でき、利得の向上を図ることができる。

図７～図９に示すように、テラヘルツ装置１０は、外部との電気的接続に用いられる電極７１，７２と、封止材５０内に設けられ、テラヘルツ素子２０と電気的に接続された導電部８０，９０と、を備える。

図９に示すように、本実施形態の電極７１，７２は、装置裏面１２に形成されている。具体的には、電極７１，７２は、装置裏面１２におけるｘ方向の両端部のうち一方の端部側に偏倚して配置されている。例えば、両電極７１，７２は、ｚ方向から見て、テラヘルツ素子２０及び反射膜６０とは重ならない位置に配置されている。

より詳細には、図３に示すように、テラヘルツ素子２０と反射膜６０とは、封止材５０のｘ方向の中央部よりも第１装置側面１３側に配置されている。これに対応させて、両電極７１，７２は、装置裏面１２におけるｘ方向の両端部のうち第１装置側面１３側の端部とは反対側の第２装置側面１４側の端部の近くに配置されている。このため、ｚ方向から見て、テラヘルツ素子２０と両電極７１，７２とはｘ方向に離間して配置されている。

両電極７１，７２は、ｙ方向に離間して配列されている。両電極７１，７２は、互いに絶縁されている。本実施形態の両電極７１，７２は矩形状である。ただし、これに限られず、両電極７１，７２の形状や大きさは任意である。

電極７１，７２は、例えばＮｉ層及びＡｕ層を含む積層構造を有する。ただし、これに限られず、電極７１，７２の構成は任意に変更可能である。一例では、電極７１，７２は、Ｐｄ層を含む構成でもよいし、Ｓｎ層を含む構成でもよい。

図３に示すように、導電部８０，９０は、封止材５０内に設けられている。すなわち、封止材５０は、両導電部８０，９０ごとテラヘルツ素子２０及び反射膜６０を封止している。

ここで、両導電部８０，９０と反射膜６０とは、離間した状態で封止材５０に封止されている。このため、両導電部８０，９０と反射膜６０との間には封止材５０が介在している。これにより、導電部８０，９０と反射膜６０とが電気的に接続しないようになっている。すなわち、封止材５０は、導電部８０，９０と反射膜６０とを絶縁するものとして機能している。

反射膜６０は、封止材５０に封止されている両導電部８０，９０やテラヘルツ素子２０とは接触していない。すなわち、反射膜６０は、電気的にフローティング状態である。封止材５０は、反射膜６０を電気的にフローティング状態にするために反射膜６０を覆っているともいえる。

図７に示すように、両導電部８０，９０は、全体としてｚ方向から見てｘ方向に延びている。第１導電部８０は、ｚ方向から見てテラヘルツ素子２０と第１電極７１との双方と重なるようにｘ方向に延びており、第２導電部９０は、ｚ方向から見てテラヘルツ素子２０と第２電極７２との双方と重なるようにｘ方向に延びている。本実施形態では、ｘ方向が「第１方向」に対応し、ｙ方向が「第２方向」に対応する。

本実施形態では、両導電部８０，９０は、ｙ方向に離間して並んで配置されている。具体的に説明すると、既に説明したとおり、両パッド３３ａ，３４ａが発振点Ｐ１を介してｙ方向に対向配置されており、両電極７１，７２がｙ方向に並んでいる。これに対応させて、導電部８０，９０は、パッド３３ａ，３４ａと電極７１，７２とに対向するようにｙ方向に離間して配列されている。両導電部８０，９０の間には封止材５０が介在しているため、両導電部８０，９０は互いに絶縁されている。テラヘルツ素子２０は、両導電部８０，９０に対してフリップチップ実装されている。なお、両導電部８０，９０は、ｚ方向から見てテラヘルツ素子２０から両電極７１，７２に向けて同一方向（ｘ方向）に延びているともいえる。

図３に示すように、第１導電部８０は、テラヘルツ素子２０と第１電極７１とを電気的に接続するものである。第１導電部８０は、第１素子側導電部８１と、第１電極側導電部８３と、第１素子側接合部８４と、第１電極側接合部８５と、を備える。

第１素子側導電部８１は、ｚ方向を厚さ方向とする薄膜状であり、ｙ方向を幅方向としてｘ方向に延びている。本実施形態では、第１素子側導電部８１の幅は一定となっている。

第１素子側導電部８１の一部は、反射膜６０とｚ方向に対向している。すなわち、ｚ方向から見て、第１素子側導電部８１の一部は反射膜６０と重なっている。ただし、ｚ方向において、第１素子側導電部８１はテラヘルツ素子２０と反射膜６０との間の高さ位置に配置されている。このため、第１素子側導電部８１と反射膜６０とは接触していない。

図３，７に示すように、第１素子側導電部８１は、第１パッド３３ａに対してｚ方向に対向する第１素子対向部８１ａと、ｚ方向から見て反射膜６０からｘ方向にはみ出した第１はみ出し部８１ｂと、第１素子対向部８１ａと第１はみ出し部８１ｂとを繋ぐ第１接続部８１ｃと、を備える。

第１素子対向部８１ａは、テラヘルツ素子２０と反射膜６０との間に設けられており、ｚ方向から見てその少なくとも一部が第１パッド３３ａと重なるように形成されている。第１素子対向部８１ａは、反射膜６０とｚ方向に対向している。第１パッド３３ａがｘ方向に延びていることに対応させて、第１素子対向部８１ａはｘ方向に延びている。例えば、第１素子対向部８１ａは、ｘ方向を長手方向とし、ｙ方向を短手方向とする矩形状に形成されている。

図３に示すように、第１導電部８０は、第１素子対向部８１ａと第１パッド３３ａとの間に設けられた第１バンプ８２を備える。テラヘルツ素子２０は、第１バンプ８２を介して第１素子対向部８１ａにフリップチップ実装されている。第１パッド３３ａと第１素子対向部８１ａとは、第１バンプ８２によって電気的に接続されている。

本実施形態では、第１バンプ８２は複数設けられている。例えば、第１パッド３３ａ及び第１素子対向部８１ａがｘ方向に延びていることに対応させて、第１バンプ８２はｘ方向に複数（本実施形態では２つ）配列されている。すなわち、第１バンプ８２は、第１パッド３３ａ及び第１素子対向部８１ａの長手方向に複数配列されているといえる。

第１素子対向部８１ａ及び第１バンプ８２は、ｚ方向から見て発振点Ｐ１と重ならない位置に配置されている。第１バンプ８２の形状は例えば四角柱状である。ただし、第１バンプ８２の形状はこれに限られず任意に変更可能である。

第１バンプ８２は、単層構造でもよいし、複数の積層構造でもよい。一例としては、第１バンプ８２は、Ｃｕを含む金属層と、Ｔｉを含む金属層と、Ｓｎを含む合金層との積層構造でもよい。Ｓｎを含む合金層とは、例えばＳｎ－Ｓｂ系合金層又はＳｎ－Ａｇ系合金層である。

なお、第１素子対向部８１ａ上に、第１バンプ８２を囲む第１絶縁層が形成されていてもよい。第１絶縁層は、上方に開口した枠状に形成されており、第１絶縁層内に第１バンプ８２が収容されているとよい。これにより、第１バンプ８２が側方にダレることを抑制できる。ただし、第１絶縁層は必須ではない。

なお、図７に示すように、本実施形態では、第１素子側導電部８１は一定幅となっているため、第１素子対向部８１ａの幅、第１はみ出し部８１ｂの幅、及び第１接続部８１ｃの幅は一定となっている。

図３に示すように、第１電極側導電部８３は、封止材５０内においてｚ方向から見てテラヘルツ素子２０及び反射膜６０とは重ならない位置に配置されている。第１電極側導電部８３は、ｚ方向を厚さ方向とする薄膜状であり、ｚ方向から見てｙ方向を幅方向としてｘ方向に延びている。

第１電極側導電部８３は、ｚ方向に折れ曲がったクランク状となっている。具体的には、第１電極側導電部８３は、第１はみ出し部８１ｂとｚ方向に対向する第１平坦部８３ａと、第１平坦部８３ａよりも装置裏面１２及び第２装置側面１４の近くに配置され、第１電極７１と対向する第２平坦部８３ｂと、両平坦部８３ａ、８３ｂを繋ぐ傾斜部８３ｃと、を有する。第１平坦部８３ａ及び第２平坦部８３ｂは、ｘ方向及びｚ方向の双方にずれて配置されている。第２平坦部８３ｂは、第１平坦部８３ａよりも反射膜６０から離れた位置に設けられている。傾斜部８３ｃは、第１平坦部８３ａから第２平坦部８３ｂに向けて徐々に装置裏面１２に近づくように傾斜している。

第１素子側接合部８４は、第１はみ出し部８１ｂと第１平坦部８３ａとの間に設けられており、第１はみ出し部８１ｂと第１平坦部８３ａとを接合している。第１素子側接合部８４によって、第１素子側導電部８１と第１電極側導電部８３とが電気的に接続されている。なお、第１素子側接合部８４の具体的な形状は任意に変更可能である。例えば、第１素子側接合部８４は、ｚ方向を高さ方向とする柱状でもよい。

第１電極側接合部８５は、第２平坦部８３ｂと第１電極７１との間に設けられており、第２平坦部８３ｂと第１電極７１とを接合している。第１電極側接合部８５によって、第１電極側導電部８３と第１電極７１とが電気的に接続されている。なお、第１電極側接合部８５の具体的な形状は任意に変更可能である。例えば、第１電極側接合部８５は、ｚ方向を高さ方向とする柱状でもよい。

この構成によれば、テラヘルツ素子２０の第１パッド３３ａは、第１バンプ８２、第１素子側導電部８１、第１素子側接合部８４、第１電極側導電部８３及び第１電極側接合部８５を介して、第１電極７１に電気的に接続されている。

図７に示すように、第２導電部９０は、テラヘルツ素子２０と第２電極７２とを電気的に接続するものである。第２導電部９０は、第２素子側導電部９１と、第２電極側導電部９３と、第２素子側接合部９４と、第２電極側接合部９５と、を備える。

本実施形態では、第１素子側導電部８１と第２素子側導電部９１とがｙ方向に並んでおり、第１電極側導電部８３と第２電極側導電部９３とがｙ方向に並んでいる。そして、第１素子側接合部８４と第２素子側接合部９４とがｙ方向に並んでおり、第１電極側接合部８５と第２電極側接合部９５とがｙ方向に並んでいる。

第２素子側導電部９１は、ｚ方向を厚さ方向とする薄膜状であり、ｙ方向を幅方向としてｘ方向に延びている。本実施形態では、第２素子側導電部９１の幅は一定となっている。

第２素子側導電部９１の一部は、反射膜６０とｚ方向に対向している。すなわち、ｚ方向から見て、第２素子側導電部９１の一部は反射膜６０と重なっている。ただし、ｚ方向において、第２素子側導電部９１は、テラヘルツ素子２０と反射膜６０との間の高さ位置に配置されている。このため、第２素子側導電部９１と反射膜６０とは接触していない。

第２素子側導電部９１は、第２パッド３４ａに対してｚ方向に対向する第２素子対向部９１ａと、ｚ方向から見て反射膜６０からｘ方向にはみ出した第２はみ出し部９１ｂと、第２素子対向部９１ａと第２はみ出し部９１ｂとを繋ぐ第２接続部９１ｃと、を備える。

第２素子対向部９１ａは、テラヘルツ素子２０と反射膜６０との間に設けられており、ｚ方向から見てその少なくとも一部が第２パッド３４ａと重なるように形成されている。第２素子対向部９１ａは、反射膜６０とｚ方向に対向している。第２パッド３４ａがｘ方向に延びていることに対応させて、第２素子対向部９１ａはｘ方向に延びている。例えば、第２素子対向部９１ａは、ｘ方向を長手方向とし、ｙ方向を短手方向とする矩形状に形成されている。

本実施形態では、両パッド３３ａ，３４ａがｙ方向に離間していることに対応させて、両素子対向部８１ａ，９１ａは、ｙ方向に対向配置されている。換言すれば、両素子対向部８１ａ，９１ａは、ｚ方向から見て発振点Ｐ１とは重ならないように発振点Ｐ１に対してｙ方向の両側に配置されている。

図７及び図８に示すように、第２導電部９０は、第２素子対向部９１ａと第２パッド３４ａとの間に設けられた第２バンプ９２を備える。テラヘルツ素子２０は、第２バンプ９２を介して第２素子対向部９１ａにフリップチップ実装されている。第２パッド３４ａと第２素子対向部９１ａとは、第２バンプ９２によって電気的に接続されている。

本実施形態では、第２バンプ９２は複数設けられている。例えば、第２パッド３４ａ及び第２素子対向部９１ａがｘ方向に延びていることに対応させて、第２バンプ９２はｘ方向に複数（本実施形態では２つ）配列されている。第２素子対向部９１ａ及び第２バンプ９２は、ｚ方向から見て発振点Ｐ１と重ならない位置に配置されている。第２バンプ９２の形状は例えば四角柱状である。ただし、第２バンプ９２の形状はこれに限られず任意に変更可能である。

第２バンプ９２は、単層構造でもよいし、複数の積層構造でもよい。一例としては、第２バンプ９２は、Ｃｕを含む金属層と、Ｔｉを含む金属層と、Ｓｎを含む合金層との積層構造でもよい。Ｓｎを含む合金層とは、例えばＳｎ－Ｓｂ系合金層又はＳｎ－Ａｇ系合金層である。

なお、第２素子対向部９１ａ上に、第２バンプ９２を囲む第２絶縁層が形成されていてもよい。第２絶縁層は、上方に開口した枠状に形成されており、第２絶縁層内に第２バンプ９２が収容されているとよい。これにより、第２バンプ９２が側方にダレることを抑制できる。ただし、第２絶縁層は必須ではない。

なお、図７に示すように、本実施形態では、第２素子側導電部９１は一定幅となっているため、第２素子対向部９１ａの幅、第２はみ出し部９１ｂの幅、及び第２接続部９１ｃの幅は一定となっている。

第２電極側導電部９３は、第２素子側接合部９４を介して第２素子側導電部９１と電気的に接続されており、第２電極側接合部９５を介して第２電極７２と電気的に接続されている。

この構成によれば、テラヘルツ素子２０の第２パッド３４ａは、第２バンプ９２、第２素子側導電部９１、第２素子側接合部９４、第２電極側導電部９３及び第２電極側接合部９５を介して、第２電極７２に電気的に接続されている。

なお、第２電極側導電部９３は、第１電極側導電部８３と同様に、第１平坦部９３ａと、第２平坦部９３ｂと、傾斜部９３ｃと、を有する。第２電極側導電部９３、第２素子側接合部９４及び第２電極側接合部９５の具体的な構成は、第１電極側導電部８３、第１素子側接合部８４及び第１電極側接合部８５と同一であるため、詳細な説明は省略する。

図８及び図９に示すように、装置裏面１２には、両電極７１，７２とは別に放熱電極７３が設けられている。放熱電極７３は、例えばｚ方向から見て反射膜６０と重なる位置に配置されており、本実施形態では反射膜６０の全体と重なる大きさに形成されている。放熱電極７３は、両電極７１，７２と離間しており、両電極７１，７２とは絶縁されている。

この構成によれば、反射膜６０にて発生した熱は、封止材５０を介して放熱電極７３に伝達され、放熱電極７３を介してテラヘルツ装置１０の外部に放出される。これにより、封止材５０内にある反射膜６０の熱をテラヘルツ装置１０外に放出することができる。

次に図１０～図２４を用いて、本実施形態のテラヘルツ装置１０の製造方法について説明する。なお、本実施形態では、複数（例えば２つ）のテラヘルツ装置１０の製造方法について説明する。

図１０に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、支持基板１００上に第１封止層１０１を形成する第１封止工程を含む。
支持基板１００は、例えば単結晶材料である半導体材料からなり、本実施形態においては、Ｓｉの単結晶材料である。本実施形態における支持基板１００の厚さは、例えば７２５～７７５μｍ程度である。なお、支持基板１００は、Ｓｉウエハに限定されず、例えばガラス基板であってもよい。

第１封止工程では、例えばモールド成型によって第１封止層１０１を形成する。本実施形態においては、第１封止層１０１は、電気絶縁性及び伝熱性を有する誘電体であり、例えばエポキシ樹脂を主剤とした合成樹脂である。第１封止層１０１が、封止材５０の一部を構成している。第１封止層１０１の膜厚は、装置裏面１２から素子側導電部８１，９１が形成されている高さ位置までの長さに設定されている。

図１１及び図１２に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、反射膜６０が形成されるアンテナ面１０２と、両導電部８０，９０が形成される導電下地面１０３と、を形成する工程を含む。当該工程では、例えばプレス装置Ｍを用いてアンテナ面１０２及び導電下地面１０３を形成する。本実施形態では、アンテナ面１０２と導電下地面１０３とを１つの単位ユニットとして、当該単位ユニットがｘ方向に並んで複数（例えば２つ）形成される。アンテナ面１０２及び導電下地面１０３が形成されることによって、第１封止層１０１の表面である第１封止表面１０１ａは凹凸形状となっている。

アンテナ面１０２は、反射膜６０の形状に対応させて形成されている。具体的には、アンテナ面１０２は、アンテナ形状（例えばパラボラアンテナ形状）となるように湾曲している。

導電下地面１０３は、ｚ方向から見てｙ方向を幅方向とする帯状である。本実施形態では、導電下地面１０３は、ｙ方向に離間して配列される両電極側導電部８３，９３が配置できるようにｙ方向に幅を有する。

導電下地面１０３は、傾斜部８３ｃ，９３ｃに対応させて傾斜している。例えば、導電下地面１０３は、支持基板１００に向かうにつれて徐々に幅狭となるように傾斜している。また、導電下地面１０３の底面には、電極側接合部８５，９５に対応する窪み１０４が形成されている。

図１３に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、第１封止表面１０１ａに金属膜１０５を形成する工程を含む。当該工程では、第１封止表面１０１ａの全体に金属膜１０５を形成する。なお、金属膜１０５の具体的な構成は任意であり、例えば下地層とめっき層とから構成されてもよい。

ここで、金属膜１０５は、窪み１０４の底面及び両側面に形成される。これにより、窪み１０４に形成される金属膜１０５は凹状となっている。つまり、金属膜１０５のうち窪み１０４に対応する部分には凹部１０６が形成されている。

図１４に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、金属膜１０５の不要な部分を除去する工程を含む。当該工程では、例えばパターンエッチングによって金属膜１０５のうち反射膜６０に対応する部分と両電極側導電部８３，９３に対応する部分とを残しつつ、それ以外の部分を除去する。特に、導電下地面１０３に形成されている金属膜１０５については、２つに分断して両電極側導電部８３，９３を形成する。これにより、反射膜６０と両電極側導電部８３，９３とが形成される。

その後、図１５に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、素子側接合部８４，９４と電極側接合部８５，９５とを形成する工程を含む。当該工程では、第１平坦部８３ａ，９３ａ上に素子側接合部８４，９４を形成するとともに、凹部１０６を金属で埋めて平坦にする。

次に、図１６に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、第１封止層１０１（具体的には第１封止表面１０１ａ）上に第２封止層１１１を形成する第２封止工程を含む。第２封止工程では、例えばモールド成型によって第２封止層１１１を形成する。本実施形態では、第２封止層１１１は、第１封止層１０１と同一材料によって形成されている。すなわち、第２封止層１１１は、電気絶縁性及び伝熱性を有する誘電体であり、例えばエポキシ樹脂を主剤とした合成樹脂である。これにより、反射膜６０と導電部８０，９０の一部（具体的には素子側導電部８１，９１以外の部分）とが、両封止層１０１，１１１とによって封止される。第２封止層１１１は、封止材５０の一部を構成している。なお、第２封止層１１１は、必要な膜厚よりも余分に形成されている。

ここで、第１封止層１０１上に第２封止層１１１が形成される際に、第１封止層１０１と第２封止層１１１との間に第１界面１１２が形成される場合がある。ただし、第１界面１１２が形成されなくてもよい。

図１７に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、第２封止層１１１を研磨する工程を含む。当該工程は、素子側接合部８４，９４が露出するように第２封止層１１１を研磨する工程である。

図１８に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、素子側導電部８１，９１を形成する工程を含む。当該工程は、例えばパターニングによって素子側導電部８１，９１を形成する工程である。この場合、素子側接合部８４，９４上に素子側導電部８１，９１の一部を形成することによって、素子側導電部８１，９１と素子側接合部８４，９４とが電気的に接続される。

図１９及び図２０に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、テラヘルツ素子２０を実装する素子実装工程を含む。素子実装工程は、フリップチップボンディングにより行われる。

例えば、図１９に示すように、素子実装工程は、バンプ８２，９２を形成する工程を含む。バンプ８２，９２を形成する工程は、例えばバンプ８２，９２を形成するバンプ形成領域以外にレジスト層を形成する工程と、バンプ形成領域にバンプ８２，９２を構成する導電層を積層する工程と、レジスト層を除去する工程と、を含む。レジスト層は、例えば感光性レジストなどで形成されており、露光・現像によってパターニングされるものである。

図２０に示すように、素子実装工程は、バンプ８２，９２を用いてテラヘルツ素子２０を導電部８０，９０に接合する工程を含む。これにより、テラヘルツ素子２０が導電部８０，９０にフリップチップ実装され、テラヘルツ素子２０と導電部８０，９０とが電気的に接続される。

図２１に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、第２封止層１１１上に第３封止層１１３を積層する第３封止工程を含む。第３封止工程では、例えばモールド成型によって第３封止層１１３を形成する。本実施形態においては、第３封止層１１３は、第１封止層１０１及び第２封止層１１１と同一材料によって形成されている。すなわち、第３封止層１１３は、電気絶縁性及び伝熱性を有する誘電体であり、例えばエポキシ樹脂を主剤とした合成樹脂である。

封止材５０は、第１封止層１０１、第２封止層１１１及び第３封止層１１３によって構成されており、第１封止層１０１の下面が装置裏面１２を構成し、第３封止層１１３の上面が装置主面１１を構成する。テラヘルツ素子２０、反射膜６０、及び導電部８０，９０は封止材５０によって封止される。

ここで、第２封止層１１１上に第３封止層１１３が形成される際に、第２封止層１１１と第３封止層１１３との間に第２界面１１４が形成される場合がある。つまり、封止材５０は、第１界面１１２と第２界面１１４とを有する積層構造であってもよい。ただし、第２界面１１４が形成されなくてもよい。

なお、第３封止工程は、第３封止層１１３を所望の厚さよりも厚く形成する工程と、その後研磨によって所望の厚さにする工程とを含むものでもよい。また、第３封止層１１３を形成する前に、テラヘルツ素子２０の下方（テラヘルツ素子２０と第２封止層１１１又は導電部８０，９０との間）に、例えばエポキシ樹脂を主剤としたアンダーフィルを充填させておいてもよい。

図２２に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、支持基板１００及び第１封止層１０１の一部を除去して、装置裏面１２及び電極側接合部８５，９５を露出させる露出工程を含む。露出工程は、例えば機械研削盤を用いる。なお、支持基板１００及び第１封止層１０１の一部を除去する方法は、機械研削盤を用いた構成に限定されない。

図２３に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、電極７１，７２及び放熱電極７３を形成する工程を含む。電極７１，７２及び放熱電極７３を形成する工程は、例えば無電解めっきによって行う。本実施形態においては、無電解めっきにより、Ｎｉ層、Ｐｄ層及びＡｕ層の順に各々を積層させることにより、電極７１，７２及び放熱電極７３を形成する。

なお、電極７１，７２及び放熱電極７３の形成方法は、これに限定されず、Ｎｉ層及びＡｕ層を順に積層させてもよいし、Ａｕ層のみを積層させてもよいし、Ｓｎのみを形成してもよいし、Ｎｉ層上にＳｎを形成してもよい。

図２４に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、複数のテラヘルツ装置１０を１つずつに分けるダイシング工程を含む。これにより、複数のテラヘルツ装置１０を同時に製造できる。

なお、説明の便宜上、２つのテラヘルツ装置１０の製造方法について説明したが、３つ以上でもよいし、１つでもよい。
次に本実施形態の作用について説明する。

本実施形態では、テラヘルツ素子２０から発生した電磁波は、封止材５０内を通って反射膜６０に伝搬し、当該反射膜６０によって一方向（本実施形態では上方）に向けて反射される。これにより、テラヘルツ装置１０（具体的には装置主面１１）から電磁波が出力される。本実施形態の装置主面１１は、反射膜６０によって反射された電磁波が出力される出力面ともいえる。

ここで、テラヘルツ素子２０と反射膜６０とが封止材５０に封止されているため、両者の間に異物が混入しにくいとともに、反射膜６０が空気に晒されることによる劣化が生じにくくなっている。また、テラヘルツ素子２０と反射膜６０との相対位置が封止材５０によって固定されているため、両者の位置ずれが生じにくい。

以上詳述した本実施形態によれば以下の効果を奏する。
（１－１）テラヘルツ装置１０は、電磁波を発生させるテラヘルツ素子２０と、テラヘルツ素子２０と対向する位置に設けられ、電磁波を一方向（本実施形態では上方）に向けて反射させる反射膜６０と、テラヘルツ素子２０及び反射膜６０を封止する封止材５０と、を備える。

この構成によれば、テラヘルツ素子２０から発生した電磁波は、封止材５０内を通って反射膜６０に伝搬され、反射膜６０によって一方向に反射される。これにより、電磁波の出力を高くすることができる。すなわち、テラヘルツ装置１０から出力される電磁波の利得を向上させることができる。

ここで、テラヘルツ素子２０と反射膜６０とが封止材５０によって封止されているため、両者の間に異物などが混入しにくい。これにより、異物によって電磁波の伝搬が阻害されることを抑制できる。また、反射膜６０が空気に晒されないため、空気中に含まれる水分や酸素などによって反射膜６０が劣化することを抑制できる。

さらに、例えば接着剤などを用いて、テラヘルツ素子２０が搭載されている部品と反射膜６０が形成されている部品とを貼り合わせる構成と比較して、テラヘルツ素子２０と反射膜６０とが位置ずれしにくい。これにより、テラヘルツ素子２０と反射膜６０との位置ずれを抑制できる。

（１－２）封止材５０内には導電部８０，９０が設けられている。テラヘルツ素子２０は導電部８０，９０にフリップチップ実装されている。この構成によれば、ワイヤボンディングによる実装と比較して、信号伝送の高速化を図ることができる。

すなわち、テラヘルツ帯の電磁波という高周波帯域においてワイヤボンディングによる実装では、信号の伝送速度がワイヤによって律速されるという不都合が懸念される。この点、ワイヤを用いないフリップチップ実装であれば、上記不都合が生じない。これにより、信号伝送の高速化を図ることができる。

（１－３）封止材５０は、テラヘルツ装置１０の高さ方向であるｚ方向の両端面として装置主面１１及び装置裏面１２を備える。反射膜６０によって反射された電磁波は装置主面１１から出力される。装置裏面１２は装置主面１１とは反対側の面であり、当該装置裏面１２には電極７１，７２が形成されている。導電部８０，９０は、テラヘルツ素子２０と電極７１，７２とを電気的に接続する。この構成によれば、導電部８０，９０を介して、封止材５０に封止されているテラヘルツ素子２０と、封止材５０外であって装置裏面１２に形成された電極７１，７２とが電気的に接続されている。この場合、回路基板などへのテラヘルツ装置１０の実装を容易に行うことができる。

すなわち、装置裏面１２に電極７１，７２が形成されているため、テラヘルツ装置１０を回路基板に実装する際には、装置裏面１２と回路基板とが対向するようにテラヘルツ装置１０を配置し、半田などの導電性接合材を用いて電極７１，７２と回路基板とを接合すればよい。これにより、ワイヤなどを用いてテラヘルツ装置１０と回路基板とを電気的に接続する必要がなく、比較的容易にテラヘルツ装置１０を実装できる。

また、電磁波が出力される装置主面１１とは反対側の装置裏面１２に電極７１，７２が形成されているため、電極７１，７２によってテラヘルツ装置１０から出力される電磁波が阻害されるといった不都合を抑制できる。

（１－４）テラヘルツ素子２０は装置裏面１２よりも装置主面１１の近くに偏倚して配置されており、反射膜６０はテラヘルツ素子２０よりも装置裏面１２の近くに配置されている。この構成によれば、テラヘルツ素子２０が装置主面１１寄りに配置されているため、封止材５０内における反射膜６０のスペースを広く確保できる。これにより、例えばパラボラアンテナ形状のようなｚ方向にスペースを占める反射膜６０を設置する場合であっても、テラヘルツ装置１０の高さ方向（本実施形態ではｚ方向）の大型化を抑制できる。

（１－５）テラヘルツ素子２０は、反射膜６０の方を向いたパッド３３ａ，３４ａを有する。導電部８０，９０は、テラヘルツ素子２０と反射膜６０との間に設けられ、パッド３３ａ，３４ａに対してｚ方向に対向する素子対向部８１ａ，９１ａと、パッド３３ａ，３４ａと素子対向部８１ａ，９１ａとの間に設けられたバンプ８２，９２と、を有する。テラヘルツ素子２０は、バンプ８２，９２を介して素子対向部８１ａ，９１ａにフリップチップ実装されている。この構成によれば、（１－２）の効果を奏する。

なお、テラヘルツ素子２０と反射膜６０とが対向している関係上、反射膜６０によって反射された電磁波は、テラヘルツ素子２０によって阻害される。テラヘルツ素子２０と対向している素子対向部８１ａ，９１ａ及びバンプ８２，９２は、テラヘルツ素子２０によって電磁波が阻害される領域内に配置されるため、素子対向部８１ａ，９１ａ及びバンプ８２，９２によって新たに電磁波が阻害される部分が形成されることはない。

（１－６）パッド３３ａ，３４ａは長手方向及び短手方向を有する形状であることに対応させて、素子対向部８１ａ，９１ａはパッド３３ａ，３４ａの長手方向であるｘ方向に延びている。そして、バンプ８２，９２はｘ方向に複数配列されている。この構成によれば、バンプ８２，９２によるコンタクト面積の増加を図ることができるため、オン抵抗の低下を図ることができる。

（１－７）電極７１，７２は、装置裏面１２のうちｚ方向から見て反射膜６０とは重ならない部分に形成されている。この構成によれば、電極７１，７２が反射膜６０と重なる部分に形成されている場合と比較して、反射膜６０の熱が電極７１，７２に伝わりにくい。これにより、反射膜６０の熱に起因する電極７１，７２とテラヘルツ装置１０の実装対象（例えば回路基板）との電気的接続への悪影響を抑制できる。

（１－８）装置裏面１２のうちｚ方向から見て反射膜６０と重なる部分には、反射膜６０の熱が伝達される放熱電極７３が形成されている。この構成によれば、放熱電極７３を介して反射膜６０の熱を放出することができる。これにより、反射膜６０に起因するテラヘルツ装置１０の発熱を抑制できる。また、回路基板への実装時において、電極７１，７２の厚さに起因するテラヘルツ装置１０のガタツキを抑制できる。

（１－９）第１導電部８０は、第１素子側導電部８１及び第１電極側導電部８３を備える。第１素子側導電部８１は、第１素子対向部８１ａと、ｚ方向から見て反射膜６０からはみ出した第１はみ出し部８１ｂと、第１素子対向部８１ａと第１はみ出し部８１ｂとを繋ぐ第１接続部８１ｃと、を有する。第１電極側導電部８３は、テラヘルツ装置１０の高さ方向から見てテラヘルツ素子２０及び反射膜６０とは重ならない位置に設けられ、第１はみ出し部８１ｂ及び第１電極７１と電気的に接続されたものである。この構成によれば、反射膜６０と対向する位置に設けられているテラヘルツ素子２０と、反射膜６０と重ならない位置に設けられている第１電極７１とを電気的に接続することができる。なお、第２導電部９０についても同様である。

（１－１０）第１電極側導電部８３は、ｚ方向に折り曲げられたクランク状となっている。この構成によれば、高さが異なる第１素子側導電部８１と第１電極７１とを電気的に接続することができる。なお、第２電極側導電部９３についても同様である。

（１－１１）第１素子側導電部８１は、封止材５０内において装置裏面１２よりも装置主面１１側に配置されている。第１電極側導電部８３は、第１はみ出し部８１ｂに対してｚ方向に対向する第１平坦部８３ａと、第１電極７１に対してｚ方向に対向する第２平坦部８３ｂと、両平坦部８３ａ、８３ｂを繋ぐものであって第１平坦部８３ａから第２平坦部８３ｂに向かうにつれて装置裏面１２に近づくように傾斜した傾斜部８３ｃと、を有する。これにより、（１－１０）の効果を奏する。なお、第２導電部９０についても同様である。

（１－１２）第１導電部８０は、第１はみ出し部８１ｂと第１平坦部８３ａとの間に設けられ、第１はみ出し部８１ｂと第１平坦部８３ａとを接合する第１素子側接合部８４と、第２平坦部８３ｂと第１電極７１との間に設けられ、第２平坦部８３ｂと第１電極７１とを接合する第１電極側接合部８５と、を有する。この構成によれば、第１素子側接合部８４と第１電極側接合部８５とを用いることにより、第１はみ出し部８１ｂと第１平坦部８３ａとの高さ位置が異なったり、第２平坦部８３ｂと第１電極７１との高さ位置が異なったりする場合であっても、第１素子側導電部８１と第１電極７１とを電気的に接続できる。

（１－１３）両電極７１，７２は、装置裏面１２のうちｚ方向から見て反射膜６０に対して第１方向としてのｘ方向にずれた位置にて、第２方向としてのｙ方向に並んで配置されている。両導電部８０，９０は、ｚ方向から見てｙ方向に並んだ状態でｘ方向に延びている。この構成によれば、両導電部８０，９０が並んで配置されているため、両導電部８０，９０が近づいている。これにより、両導電部８０，９０内を伝送される信号の高速化を図ることができる。よって、高速な変調信号の送受信を行うことができる。

（１－１４）テラヘルツ素子２０は、電磁波の発振を行う発振点Ｐ１を有する。両パッド３３ａ，３４ａは、発振点Ｐ１を介してｙ方向に離間して対向配置されている。両パッド３３ａ，３４ａは、両パッド３３ａ，３４ａの対向方向と直交するｘ方向に延びている。これにより、両パッド３３ａ，３４ａと発振点Ｐ１から発生する電磁波との干渉を抑制しつつ、両パッド３３ａ，３４ａの面積を大きくできる。

そして、両パッド３３ａ，３４ａがｘ方向に延びていることに対応させて、素子対向部８１ａ，９１ａがｘ方向に延びており、バンプ８２，９２がｘ方向に複数配列されている。これにより、オン抵抗の低下を図ることができる。

（１－１５）テラヘルツ素子２０の屈折率を素子屈折率ｎ１とし、封止材５０の屈折率を封止屈折率ｎ２とすると、ｎ１＞ｎ２＞１となっている。すなわち、封止屈折率ｎ２は、空気の屈折率よりも高い。この構成によれば、テラヘルツ素子２０が空気に囲まれている場合と比較して、テラヘルツ素子２０の内外の境界における屈折率の変化を小さくすることができる。これにより、テラヘルツ素子２０の内外の境界における過度な電磁波の反射を抑制でき、それを通じてテラヘルツ素子２０内で多数の共振モードが発生することを抑制できる。

（１－１６）反射膜６０は電気的にフローティング状態である。この構成によれば、反射膜６０によって電磁波が吸収されるなどといった不都合を抑制できる。
（１－１７）テラヘルツ素子２０は、発振点Ｐ１を有する素子主面２１と、素子主面２１とは反対側の面である素子裏面２２と、を有する。テラヘルツ素子２０は、素子主面２１が反射膜６０を向いた状態で封止材５０に封止されている。この構成によれば、発振点Ｐ１から発生した電磁波は、テラヘルツ素子２０内を通ることなく、反射膜６０に向けて伝搬する。これにより、電磁波が反射膜６０に到達し易いため、反射膜６０を用いて電磁波を好適に反射させることができる。これにより、利得の更なる向上を図ることができる。

（１－１８）反射膜６０はパラボラアンテナ形状である。この構成によれば、電磁波を好適に一方向に向けて反射させることができる。これにより、利得の向上を図ることができる。

（１－１９）反射膜６０は、当該反射膜６０の焦点が発振点Ｐ１に位置するように配置されている。この構成によれば、発振点Ｐ１から発生した電磁波は、反射膜６０によって一方向に誘導される。これにより、反射膜６０によって一方向に向けて反射されない電磁波を低減でき、利得の向上を図ることができる。

（１－２０）反射膜６０の中心点Ｐ２と発振点Ｐ１との距離である規定距離ｚ１は、電磁波の共振条件を満たすように設定されている。具体的には規定距離ｚ１は、（λ’_Ａ／４）+（（λ’_Ａ／２)×Ｎ）（Ｎは０以上の整数：Ｎ＝０，１，２，・・・）であるとよい。λ’_Ａは、例えば（１／ｎ２）（ｃ／ｆｃ）（c：光速，ｆｃ：発振の中心周波数）である。これにより、利得の更なる向上を図ることができる。

（１－２１）テラヘルツ素子２０の素子裏面２２には、電磁波を反射する素子反射層３５が形成されている。この構成によれば、テラヘルツ素子２０から上方に漏れる電磁波を抑制できるとともに、テラヘルツ素子２０から反射膜６０に向かう電磁波の出力を高めることができる。これにより、利得の更なる向上を図ることができる。

（第１実施形態の変更例）
第１実施形態のテラヘルツ装置１０の変更例を以下に示す。ただし、下記変更例は、技術的に矛盾が生じない限り、他の実施形態に適用してもよいし、変更例同士を組み合わせてもよい。

・図２５に示すように、素子反射層３５を省略してもよい。この場合、テラヘルツ素子２０は、上方及び下方の双方に電磁波を出力する。つまり、テラヘルツ素子２０は、電磁波の出力について指向性を有する構成でもよいし、指向性を有しない構成でもよい。

・図２６に示すように、テラヘルツ素子２０が発振点Ｐ１から開口角度θの範囲に亘って放射状に電磁波を照射する構成において、反射膜６０は、発振点Ｐ１に対して開口角度θ未満の角度範囲に亘って形成されていてもよい。つまり、反射膜６０は、テラヘルツ素子２０から発生する電磁波の一部を反射させる構成でもよい。

・図２７及び図２８に示すようにテラヘルツ素子２０は、ｚ方向から見て発振点Ｐ１が反射膜６０の中心点Ｐ２からずれた位置に配置されていてもよい。すなわち、反射膜６０の焦点が発振点Ｐ１と一致していなくてもよい。

この場合、テラヘルツ素子２０は、例えば電極７１，７２（換言すればはみ出し部８１，９１ｂ）寄りに偏倚して配置されているとよい。これにより、接続部８１ｃ，９１ｃの長さを短くすることができるため、接続部８１ｃ，９１ｃによる電磁波の遮断（ブロッキング）を抑制できる。

・図２９及び図３０に示すように、ｘ方向に延びている接続部１２０，１３０は、素子対向部８１ａ，９１ａよりもｙ方向に幅狭に形成されていてもよい。すなわち、接続部１２０，１３０のｙ方向の長さは、素子対向部８１ａ，９１ａのｙ方向の長さよりも短くてもよい。これにより、電磁波の伝搬が接続部１２０，１３０によって阻害されにくくなる。したがって、接続部１２０，１３０による電磁波の遮断（ブロッキング）を軽減できる。

なお、接続部１２０，１３０の一部が素子対向部８１ａ，９１ａと同一幅となっていてもよい。すなわち、接続部１２０，１３０の少なくとも一部が素子対向部８１ａ，９１ａよりも幅狭となっていればよい。

また、接続部１２０，１３０は、素子対向部８１ａ，９１ａよりも幅狭に形成された接続本体部１２１，１３１と、接続本体部１２１，１３１と素子対向部８１ａ，９１ａとを繋ぐ素子側テーパ部１２２，１３２と、を有してもよい。素子側テーパ部１２２，１３２は、接続本体部１２１，１３１から素子対向部８１ａ，９１ａに向かうにつれて徐々に幅広に形成されている。素子側テーパ部１２２，１３２は、接続本体部１２１，１３１から素子対向部８１ａ，９１ａに向かうにつれて徐々に互いに離れるように傾斜した一対の素子側傾斜面１２２ａ，１３２ａを有する。この構成によれば、導電部８０，９０内にて発生する反射波を低減できる。

また、本変更例の第１はみ出し部１２３は、第１接続部１２０（第１接続本体部１２１）よりも幅広であって第１素子側接合部８４と重なる第１重なり部１２４と、第１接続部１２０側から第１重なり部１２４に向かうにつれて徐々に幅広となるように形成された第１電極側テーパ部１２５と、を有してもよい。これにより、第１素子側接合部８４とのコンタクト面積を確保しつつ、第１導電部８０内における反射波を低減できる。

同様に、本変更例の第２はみ出し部１３３は、第２接続部１３０（第２接続本体部１３１）よりも幅広であって第２素子側接合部９４と重なる第２重なり部１３４と、第２接続部１３０側から第２重なり部１３４に向かうにつれて徐々に幅広となるように形成された第２電極側テーパ部１３５と、を有してもよい。

・第１素子側テーパ部１２２及び第１電極側テーパ部１２５の少なくとも一方を省略してもよい。同様に、第２素子側テーパ部１３２及び第２電極側テーパ部１３５の少なくとも一方を省略してもよい。

・素子側テーパ部及び電極側テーパ部の具体的な形状は任意に変更可能である。
例えば、図３１及び図３２に示すように、第１素子側テーパ部１４１は、片側テーパ形状でもよい。具体的には、第１素子側テーパ部１４１は、ｙ方向に対して直交した第１素子側フラット面１４２と、第１接続本体部１２１から第１素子対向部８１ａに向かうにつれて第１素子側フラット面１４２から離れるように傾斜した第１素子側傾斜面１４３と、を有する構成であってもよい。

また、第１電極側テーパ部１４４は、ｙ方向に対して直交した第１電極側フラット面１４５と、第１接続本体部１２１から第１重なり部１２４に向かうにつれて第１電極側フラット面１４５から離れるように傾斜した第１電極側傾斜面１４６と、を有する構成であってもよい。

同様に、第２素子側テーパ部１５１は、片側テーパ形状でもよい。具体的には、第２素子側テーパ部１５１は、ｙ方向に対して直交した第２素子側フラット面１５２と、第２接続本体部１３１から第２素子対向部９１ａに向かうにつれて第２素子側フラット面１５２から離れるように傾斜した第２素子側傾斜面１５３と、を有する構成であってもよい。

また、第２電極側テーパ部１５４は、ｙ方向に対して直交した第２電極側フラット面１５５と、第２接続本体部１３１から第２重なり部１３４に向かうにつれて第２電極側フラット面１５５から離れるように傾斜した第２電極側傾斜面１５６と、を有する構成であってもよい。

図３１に示すように、第１素子側フラット面１４２と第２素子側フラット面１５２とがｙ方向に対向しており、第１電極側フラット面１４５と第２電極側フラット面１５５とがｙ方向に対向している。これにより、両素子側導電部８１，９１におけるｙ方向の離間距離が一定となっている。

・図３３及び図３４に示すように、両接続本体部１２１，１３１が、両素子対向部８１ａ，９１ａよりも互いに近づいて配置されていてもよい。すなわち、両接続本体部１２１，１３１の対向距離が、両素子対向部８１ａ，９１ａの対向距離よりも短くてもよい。この場合、両素子側テーパ部１６１，１６２は、接続本体部１２１，１３１から素子対向部８１ａ，９１ａに向かうにつれて徐々に互いに離れるように傾斜しているとよい。これにより、両導電部８０，９０内を伝送される信号の更なる高速化を図ることができる。

この場合、第１素子側テーパ部１６１における一対の第１素子側傾斜面１６１ａは、同一方向に傾斜するとともに、第１素子対向部８１ａに向かうにつれて徐々に幅広になるようにその傾斜角度が異なっている。また、第２素子側テーパ部１６２における一対の第２素子側傾斜面１６２ａは、第１素子側傾斜面１６１ａとは反対方向に傾斜するとともに、第２素子対向部９１ａに向かうにつれて徐々に幅広になるようにその傾斜角度が異なっている。

・図３５に示すように、テラヘルツ装置１０は、装置主面１１に形成された反射低減膜１７０を備えてもよい。反射低減膜１７０は、反射防止膜ともいえるし、ＡＲコーティング膜ともいえる。

反射低減膜１７０は、例えば装置主面１１のうちｚ方向から見て導電部８０，９０又は電極７１，７２と重なりかつ反射膜６０とは重ならない部分に形成されているとよい。これにより、導電部８０，９０又は電極７１，７２にて電磁波が反射することに起因する定在波の発生を抑制できる。なお、反射低減膜１７０の具体的構成は、少なくともテラヘルツ帯の電磁波の反射を低減することができれば任意に変更可能である。

（第２実施形態）
図３６～図４０を参照して、第２実施形態のテラヘルツ装置１０について説明する。以下の説明において、第１実施形態のテラヘルツ装置１０と共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。

図３６に示すように、本実施形態のテラヘルツ装置１０は、テラヘルツ素子２０に電気的に接続される特定素子の一例としての保護ダイオード１８１，１８２を備える。保護ダイオード１８１，１８２は、テラヘルツ素子２０に対して電気的に接続されており、本実施形態ではテラヘルツ素子２０に対して並列接続されている。両保護ダイオード１８１，１８２は、テラヘルツ素子２０に対して互いに逆方向となるように接続されている。保護ダイオード１８１，１８２は、通常のダイオードの他に、ツェナーダイオード、ショットキーダイオード、又は発光ダイオードであってもよい。

なお、特定素子としては、保護ダイオード１８１，１８２に限られず、制御ＩＣ（例えばＡＳＩＣ）でもよい。制御ＩＣは、例えば、テラヘルツ素子２０に流れる電流検知、アンプ、テラヘルツ素子２０への電力供給、又は信号処理などを行うものであるとよい。また、特定素子とテラヘルツ素子２０との接続態様は任意に変更可能であり、例えば直列接続でもよい。

図３７に示すように、両保護ダイオード１８１，１８２は、封止材５０内に設けられている。すなわち、封止材５０は、両保護ダイオード１８１，１８２及びテラヘルツ素子２０を封止している。

両保護ダイオード１８１，１８２は、ｚ方向から見て反射膜６０とは重ならない位置に配置されている。具体的には、保護ダイオード１８１，１８２は、電極側導電部８３，９３の第２平坦部８３ｂ，９３ｂに設けられている。これにより、反射膜６０によって反射された電磁波の伝搬（出力）が保護ダイオード１８１，１８２によって阻害されることを回避できる。

本実施形態では、第２平坦部８３ｂ，９３ｂは、電極側導電部８３，９３の第１平坦部８３ａ，９３ａよりもｘ方向に長く延びている。また、両保護ダイオード１８１，１８２は、ｚ方向から見て電極側接合部８５，９５と重ならないようにｘ方向にずれて配置されている。ただし、これに限られず、両保護ダイオード１８１，１８２の少なくとも一方が電極側接合部８５，９５に対して重なっていてもよい。

図３７及び図３８に示すように、本実施形態における両保護ダイオード１８１，１８２は、両電極側導電部８３，９３に跨って配置されており、導電性接合材１８３によって両電極側導電部８３，９３に対して電気的に接続されている。例えば、第１保護ダイオード１８１のアノード電極及びカソード電極のうち一方が第１電極側導電部８３に接続されており、他方が第２電極側導電部９３に接続されている。そして、第２保護ダイオード１８２のアノード電極及びカソード電極は、第１保護ダイオード１８１とは逆接続となるように両電極側導電部８３，９３に接続されている。なお、導電性接合材１８３の具体的な材料は、例えば半田など任意である。

次に本実施形態のテラヘルツ装置１０の製造方法について説明する。
本実施形態のテラヘルツ装置１０の製造方法は、各接合部８４，８５，９４，９５を形成する工程と第２封止工程との間に、保護ダイオード１８１，１８２を実装する工程を含む。

具体的には、図３９に示すように、保護ダイオード１８１，１８２を両電極側導電部８３，９３の第２平坦部８３ｂ，９３ｂに実装する。
そして、図４０に示すように、第２封止工程では、保護ダイオード１８１，１８２ごと第２封止層１１１を形成する。これにより、保護ダイオード１８１，１８２が封止材５０に封止される。

以上詳述した本実施形態によれば以下の作用効果を奏する。
（２－１）テラヘルツ装置１０は、テラヘルツ素子２０に対して並列接続された保護ダイオード１８１，１８２を備える。この構成によれば、例えば静電気等に起因してテラヘルツ素子２０の両端に高電圧が印加された場合には、保護ダイオード１８１，１８２を経由して電流を流すことが可能となる。これにより、テラヘルツ素子２０に過度な電流が流れることを抑制できるため、テラヘルツ素子２０を保護できる。

（２－２）両保護ダイオード１８１，１８２は、テラヘルツ素子２０に対して互いに逆方向となるように接続されている。この構成によれば、いずれの方向の高電圧が発生した場合であってもテラヘルツ素子２０を保護できる。

（２－３）保護ダイオード１８１，１８２は、ｚ方向から見て反射膜６０と重ならない位置に配置されている。この構成によれば、反射膜６０によって反射された電磁波が保護ダイオード１８１，１８２によって阻害されることを抑制できる。

（２－４）両電極側導電部８３，９３はｙ方向に並んで設けられており、保護ダイオード１８１，１８２は、電極側導電部８３，９３の第２平坦部８３ｂ，９３ｂに跨って配置されている。これにより、保護ダイオード１８１，１８２と両電極側導電部８３，９３との電気的接続を容易に行うことができる。

（第３実施形態）
図４１及び図４２を参照して、第３実施形態のテラヘルツ装置１０について説明する。以下の説明において、第１実施形態のテラヘルツ装置１０と共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。

図４１及び図４２に示すように、本実施形態の両電極７１，７２は、装置裏面１２のうちｚ方向から見て反射膜６０に対してｘ方向の両側に設けられている。具体的には、本実施形態のテラヘルツ素子２０及び反射膜６０は、封止材５０におけるｘ方向の中央部に配置されている。そして、装置裏面１２のうちｚ方向から見て反射膜６０と重なる位置には放熱電極７３が形成されている。両電極７１，７２は、放熱電極７３に対してｘ方向の両側に配置されている。

図４２に示すように、本実施形態の両パッド３３ａ，３４ａは、発振点Ｐ１を介してｘ方向に対向配置されている。両パッド３３ａ，３４ａはｘ方向に離間している。第１パッド３３ａは、発振点Ｐ１よりも第１素子側面２３の近くに配置されており、第２パッド３４ａは、発振点Ｐ１よりも第２素子側面２４の近くに配置されている。両パッド３３ａ，３４ａは、ｙ方向を長手方向としｘ方向を短手方向とする形状（例えば矩形状）である。

本実施形態の導電部１９０，２００は、ｚ方向から見て、テラヘルツ素子２０から互いに離れるようにｘ方向に延びている。具体的には、第１導電部１９０は、ｚ方向から見てテラヘルツ素子２０から第１電極７１に向けてｘ方向に延びており、第２導電部２００は、ｚ方向から見てテラヘルツ素子２０から第１電極７１に向かう方向とは反対方向に延びている。両導電部１９０，２００は、ｙ方向に並んでおらず、１８０°ずれて配置されている。両導電部１９０，２００は、発振点Ｐ１に対してｘ方向に左右対称に配置されている。

図４１及び図４２に示すように、本実施形態の導電部１９０，２００は、第１実施形態と同様に、素子側導電部１９１，２０１と、電極側導電部１９３，２０３と、素子側接合部１９４，２０４と、電極側接合部１９５，２０５と、を備える。そして、素子側導電部１９１，２０１は、素子対向部１９１ａ，２０１ａと、はみ出し部１９１ｂ，２０１ｂと、接続部１９１ｃ，２０１ｃと、を有する。

本実施形態の素子対向部１９１ａ，２０１ａは、ｙ方向を長手方向としｘ方向を短手方向とする形状（例えば矩形状）である。バンプ８２，９２は、素子対向部１９１ａ，２０１ａとパッド３３ａ，３４ａとの間に設けられており、ｙ方向に複数配列されている。

本実施形態の接続部１９１ｃ，２０１ｃの少なくとも一部は、素子対向部１９１ａ，２０１ａよりも幅狭に形成されている。すなわち、接続部１９１ｃ，２０１ｃのｙ方向の長さは、素子対向部１９１ａ，２０１ａのｙ方向の長さよりも短い。

本実施形態のはみ出し部１９１ｂ，２０１ｂは、接続部１９１ｃ，２０１ｃと同一幅に形成されている。ただし、これに限られず、はみ出し部１９１ｂ，２０１ｂは、素子対向部１９１ａ，２０１ａのように接続部１９１ｃ，２０１ｃよりも幅広に形成されていてもよいし、少なくとも一部が接続部１９１ｃ，２０１ｃよりも幅狭に形成されていてもよい。

本実施形態の第２電極側導電部２０３、第２素子側接合部２０４及び第２電極側接合部２０５は、第１電極側導電部１９３、第１素子側接合部１９４及び第１電極側接合部１９５と左右対称に配置されている。本実施形態における電極側導電部１９３，２０３、素子側接合部１９４，２０４及び電極側接合部１９５、２０５の具体的な構成は、第１実施形態の対応する構成と同様であるため、詳細な説明を省略する。

以上詳述した本実施形態によれば以下の作用効果を奏する。
（３－１）両電極７１，７２は、装置裏面１２のうちｚ方向から見て反射膜６０に対してｘ方向の両側に設けられており、両導電部１９０，２００はｚ方向から見てテラヘルツ素子２０から互いに離れるように延びており、発振点Ｐ１に対してｘ方向に対して対称配置されている。これにより、両導電部８０，９０が非対称であることに起因する電磁波の放射モードへの悪影響を抑制できる。

（３－２）第１パッド３３ａ及び第１素子対向部８１ａはｙ方向に延びており、第１バンプ８２はｙ方向に複数配列されている。同様に、第２パッド３４ａ及び第２素子対向部９１ａはｙ方向に延びており、第２バンプ９２はｙ方向に複数配列されている。これにより、コンタクト面積を大きくすることができ、オン抵抗の低減を図ることができる。

ここで、両パッド３３ａ，３４ａが発振点Ｐ１を介してｘ方向に離間して設けられている構成において、仮に両パッド３３ａ，３４ａをｘ方向に延ばすと、両パッド３３ａ，３４ａの離間距離が短くなり、短絡のおそれが生じたり、発振点Ｐ１と両パッド３３ａ，３４ａとの干渉によって電磁波の伝搬が阻害されたりする不都合が懸念される。この点、本実施形態では、両パッド３３ａ，３４ａの対向方向とは直交する方向であるｙ方向に延びているため、上記不都合を抑制できる。

（第３実施形態の変更例）
第３実施形態のテラヘルツ装置１０の変更例を以下に示す。ただし、下記変更例は、技術的に矛盾が生じない限り、他の実施形態に適用してもよいし、変更例同士を組み合わせてもよい。

・図４３及び図４４に示すように、接続部２１０，２２０は、素子対向部１９１ａ，２０１ａよりも幅狭の接続本体部２１１，２２１と、接続本体部２１１，２２１から素子対向部１９１ａ，２０１ａに向かうにつれて徐々に幅広となるように形成された素子側テーパ部２１２，２２２と、を有する構成でもよい。これにより、反射波を低減できる。

・両導電部１９０，２００は、発振点Ｐ１に対してｙ方向に対称配置される構成でもよいし、ｘ方向及びｙ方向の双方に交差する方向に対称配置される構成でもよい。この場合、両パッド３３ａ，３４ａの対向方向が両導電部１９０，２００の対称方向と一致するように、テラヘルツ素子２０が斜めに配置されてもよい。

・図４５に示すように、テラヘルツ装置１０は、装置主面１１及び装置裏面１２の双方に電極が形成された両面電極構造でもよい。具体的には、テラヘルツ装置１０は、装置主面１１に形成された主面電極２３１，２３２を有してもよい。主面電極２３１，２３２は、例えばｚ方向から見て反射膜６０と重ならないように形成されており、一例としては装置主面１１における反射膜６０に対してｘ方向の両側の領域に形成されている。

また、導電部１９０，２００は、テラヘルツ素子２０と主面電極２３１，２３２とを電気的に接続するように構成されているとよい。例えば、導電部１９０，２００は、主面電極２３１，２３２とはみ出し部１９１ｂ，２０１ｂとを繋ぐピラー２３３，２３４を有してもよい。ピラー２３３，２３４は、例えばｚ方向に延びた柱状である。

本変更例のテラヘルツ装置１０は、主面電極２３１，２３２を用いて回路基板２４０に実装されてもよい。具体的には、導電性接合材２４１によって主面電極２３１，２３２と回路基板２４０とが接合されるとよい。この場合、図４５に示すように、回路基板２４０における反射膜６０と対向する部分には、回路基板２４０をｚ方向に貫通した基板孔２４２が形成されていてもよい。基板孔２４２は、例えばｚ方向から見て反射膜６０よりも大きく形成されているとよい。これにより、反射膜６０によって反射された電磁波は、基板孔２４２を介して一方向である上方に向けて出力される。

・なお、上記変更例におけるテラヘルツ装置１０において、装置裏面１２に形成された電極７１，７２を省略してもよい。要は、テラヘルツ装置１０は、装置主面１１に形成された主面電極２３１，２３２と、装置裏面１２に形成された電極７１，７２との少なくとも一方を有する構成であってもよい。

（第４実施形態）
図４６及び図４７を参照して、第４実施形態のテラヘルツ装置１０について説明する。以下の説明において、第１実施形態のテラヘルツ装置１０と共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。

図４６及び図４７に示すように、本実施形態のテラヘルツ装置１０は複反射鏡型である。
具体的に説明すると、テラヘルツ素子２０は、装置裏面１２に向けて凸となるように湾曲している反射膜６０の内側に配置された状態で封止材５０に封止されている。この場合、テラヘルツ素子２０は、封止材５０内におけるｚ方向の中央部又はそれよりも装置裏面１２側に配置されてもよい。本実施形態では、素子主面２１は反射膜６０を向いている。この場合、素子裏面２２が上方（換言すれば装置主面１１）を向いている。

反射膜６０の内側にテラヘルツ素子２０が配置されている本実施形態では、テラヘルツ素子２０と反射膜６０とは、ｘ方向及びｙ方向に対向しているといえるし、ｚ方向に対向しているともいえる。なお、本実施形態のテラヘルツ素子２０には素子反射層３５は形成されていない。

テラヘルツ装置１０は、テラヘルツ素子２０及び反射膜６０の双方と対向する副反射膜２５０を備える。副反射膜２５０は、素子裏面２２とｚ方向に対向しているとともに、ｚ方向に対して傾斜した斜めの方向において反射膜６０と対向している。副反射膜２５０は封止材５０に封止されている。テラヘルツ素子２０は、副反射膜２５０と反射膜６０との間に設けられている。

副反射膜２５０は、ｚ方向から見て反射膜６０よりも小さく形成されている。副反射膜２５０は、ｚ方向から見てテラヘルツ素子２０と重なる位置に設けられている。換言すれば、副反射膜２５０は、ｚ方向から見たテラヘルツ素子２０の投影領域内に配置されている。副反射膜２５０は、例えば反射膜６０（換言すればテラヘルツ素子２０）に向けて凸となるように湾曲している。すなわち、本実施形態の副反射膜２５０は、カセグレンアンテナ形状を採用している。この場合、反射膜６０が主反射器に対応し、副反射膜２５０が副反射器に対応する。

図４７に示すように、本実施形態の両電極７１，７２は、装置裏面１２におけるｚ方向から見て反射膜６０と重なる部分に形成されている。両電極７１，７２はｘ方向に離間して対向配置されている。ｘ方向は、両電極７１，７２の対向方向ともいえる。

本実施形態のテラヘルツ素子２０では、第３実施形態と同様に、素子主面２１に形成された両パッド３３ａ，３４ａは、発振点Ｐ１を介してｘ方向に対向配置されている。
本実施形態の導電部２５１，２５２は、電極７１，７２からテラヘルツ素子２０に向けて起立した柱状である。導電部２５１，２５２は、反射膜６０に形成された貫通孔２５３，２５４を通って反射膜６０の内側に入り込んでいる。両導電部２５１，２５２は、ｘ方向に離間して配列されている。

テラヘルツ素子２０は導電部２５１，２５２と電気的に接続されている。具体的には、導電部２５１，２５２の先端面２５１ａ，２５２ａとパッド３３ａ，３４ａとはｚ方向に対向しており、その間にはバンプ８２，９２が設けられている。テラヘルツ素子２０は、バンプ８２，９２を介して導電部２５１，２５２にフリップチップ実装されている。これにより、テラヘルツ素子２０（パッド３３ａ，３４ａ）と電極７１，７２とが電気的に接続されている。

導電部２５１，２５２と反射膜６０とは絶縁されている。例えば、貫通孔２５３，２５４は導電部２５１，２５２よりも大きく形成されており、貫通孔２５３，２５４の内面と導電部２５１，２５２との間には封止材５０が充填されている。これにより、導電部２５１，２５２と反射膜６０とが接触することを抑制できる。なお、導電部２５１，２５２の側面に絶縁コーティングが形成されていてもよい。この場合、貫通孔２５３，２５４の内面と導電部２５１，２５２との間に封止材５０がなくてもよい。つまり、導電部２５１，２５２と反射膜６０とを絶縁するための具体的な構成は任意である。

本実施形態のテラヘルツ装置１０（詳細には封止材５０）は、第１実施形態と比較して、ｘ方向に小さくなっている。具体的に説明すると、第１実施形態では、両電極７１，７２が反射膜６０に対してずれた位置に設けられ、反射膜６０からはみ出した両電極側導電部８３，９３が設けられていた分、テラヘルツ装置１０がｘ方向に大きくなっていた。この点、本実施形態では、両電極７１，７２が反射膜６０に対して重なる位置に設けられ、両電極側導電部８３，９３が設けられていないため、テラヘルツ装置１０がｘ方向に小さくなっている。また、本実施形態のテラヘルツ装置１０は、テラヘルツ素子２０が反射膜６０の内側に配置されている分だけ、第１実施形態と比較してｚ方向に小さく形成されている。

次に本実施形態の作用について説明する。
両電極７１，７２から電圧が印加されることにより、テラヘルツ素子２０から電磁波が発生する。発振点Ｐ１が副反射膜２５０側とは反対側に配置されている本実施形態では、発振点Ｐ１から発生した電磁波は、テラヘルツ素子２０内（換言すれば素子基板３１）内を伝搬して副反射膜２５０に向けて出力される。当該電磁波は、副反射膜２５０によって反射された後、反射膜６０によって更に反射されて、一方向としての上方に向けて出力（照射）される。つまり、テラヘルツ素子２０にて発生した電磁波は、副反射膜２５０を介して反射膜６０に伝搬し、反射膜６０によって一方向に向けて反射される。

以上詳述した本実施形態によれば以下の効果を奏する。
（４－１）テラヘルツ装置１０は、反射膜６０とは別に封止材５０に封止されている副反射器としての副反射膜２５０を備える。主反射器としての反射膜６０は、装置裏面１２に向けて凸となるように湾曲している。テラヘルツ素子２０は、反射膜６０の内側に配置されており、副反射膜２５０は、テラヘルツ素子２０及び反射膜６０に対して対向している。副反射膜２５０は、テラヘルツ素子２０から発生した電磁波を反射膜６０に向けて反射させ、反射膜６０は、副反射膜２５０から伝搬された電磁波を一方向（例えば上方）に向けて反射させる。この構成によれば、（１－１）の効果を奏する。また、テラヘルツ素子２０が反射膜６０の内側に配置されているため、テラヘルツ装置１０の小型化を図ることができる。

（４－２）電極７１，７２は、装置裏面１２のうちｚ方向から見て反射膜６０と重なる部分に形成されている。導電部２５１，２５２は、封止材５０内に設けられ、電極７１，７２からテラヘルツ素子２０に向けて起立しており、反射膜６０に形成された貫通孔２５３，２５４を介して反射膜６０の内側に入り込んでいる。テラヘルツ素子２０は、導電部２５１，２５２に電気的に接続されている。この構成によれば、反射膜６０の側方に導電部や電極を設ける必要がないため、側方におけるテラヘルツ装置１０の小型化を図ることができる。

（４－３）導電部２５１，２５２と反射膜６０とは絶縁されている。これにより、反射膜６０を介して両導電部２５１，２５２が短絡することを抑制できる。
（４－４）副反射膜２５０は、ｚ方向から見たテラヘルツ素子２０の投影領域内に配置されている。仮に副反射膜２５０が上記投影領域外に配置されている場合、反射膜６０によって反射された電磁波は、テラヘルツ素子２０と副反射膜２５０とによって阻害されることになる。これに対して、上記投影領域内に副反射膜２５０が配置されていることにより、反射膜６０によって反射された電磁波が副反射膜２５０によって阻害されることを抑制できる。これにより、副反射膜２５０に起因する電磁波の遮断（ブロッキング）を抑制できる。

（第４実施形態の変更例）
第４実施形態のテラヘルツ装置１０の変更例を以下に示す。ただし、下記変更例は、技術的に矛盾が生じない限り、他の実施形態に適用してもよいし、変更例同士を組み合わせてもよい。

・図４８に示すように、テラヘルツ装置１０は特定素子としての保護ダイオード２６０を備えていてもよい。この場合、保護ダイオード２６０は、例えば反射膜６０と装置裏面１２との間に配置されかつ導電部２５１，２５２に電気的に接続された状態で封止材５０に封止されていてもよい。

具体的には、導電部２５１，２５２は、互いに近づく方向に延出した延出部２６１，２６２を有する。両延出部２６１，２６２はｘ方向に延びている。保護ダイオード２６０は、両延出部２６１，２６２に跨って配置されており、両延出部２６１，２６２に実装されている。具体的には、保護ダイオード２６０のアノード電極及びカソード電極は、導電性接合材２６３によって両延出部２６１，２６２に電気的に接続されている。

この構成によれば、反射膜６０の裏側に保護ダイオード２６０が配置されているため、反射膜６０によって反射された電磁波が保護ダイオード２６０によって阻害されることなく、保護ダイオード２６０と導電部２５１，２５２とを電気的に接続できる。

・副反射膜２５０の形状は任意に変更可能であり、例えば装置主面１１側に向けて凸となるように湾曲した形状でもよい。すなわち、副反射膜２５０は、グレゴリアンタイプを採用してもよい。

・テラヘルツ素子２０は、発振点Ｐ１を有する素子主面２１が副反射膜２５０を向いた状態で封止材５０に封止されていてもよい。この場合、素子裏面２２に両パッド３３ａ，３４ａが形成されているとよい。両パッド３３ａ，３４ａは、素子主面２１に形成されていてもよいし、素子裏面２２に形成されていてもよい。

（その他の変更例）
上記各実施形態は本開示に関するテラヘルツ装置が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関するテラヘルツ装置は、上記各実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記各実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、又は上記各実施形態に新たな構成を付加した形態である。なお、説明の便宜上、以下の変更例では、基本的には第１実施形態を用いて説明するが、技術的な矛盾が生じない限り、他の実施形態にも適用できる。

・導電部８０，９０の具体的な形状は任意に変更可能である。例えば、素子対向部８１ａ，９１ａ及びはみ出し部８１ｂ，９１ｂは円形や楕円形でもよい。
また、素子側導電部８１，９１がはみ出し部８１ｂ，９１ｂを有していない構成でもよい。この場合、電極側導電部８３，９３（第１平坦部８３ａ，９３ａ）を反射膜６０と重なる位置まで延出させて、反射膜６０と重なる位置にて両者を接合するとよい。この構成においては、電極側導電部８３，９３と反射膜６０とが短絡しないように、第１平坦部８３ａ，９３ａと反射膜６０とに高低差を設けるとよい。

また、電極側導電部８３，９３はクランク状に形成された薄膜ではなく、はみ出し部８１ｂ，９１ｂと電極７１，７２とを繋ぐｚ方向に延びた柱状（すなわちピラー）であってもよい。

第２平坦部８３ｂ，９３ｂ及び電極側接合部８５，９５を省略し、傾斜部８３ｃ，９３ｃが直接電極７１，７２に接合されている構成でもよい。
・図４９に示すように、放熱電極７３を省略し、電極７１，７２の一部が反射膜６０と重なってもよい。例えば、電極７１，７２は、装置裏面１２においてｚ方向から見て反射膜６０に重なる部分と反射膜６０に重ならない部分とに跨って形成されていてもよい。これにより、コンタクト面積を大きくすることができる。この場合、両電極７１，７２はｙ方向に対向配置されている。

また、図５０に示すように、両電極７１，７２がｘ方向に対向配置されている第３実施形態の構成においては、第１電極７１の一部と第２電極７２の一部が反射膜６０と重なるように互いに近づいているとよい。

また、電極７１，７２は、装置裏面１２のうちｚ方向から見て反射膜６０と重なる位置にのみに形成されていてもよい。つまり、放熱電極７３は必須ではなく、両電極７１，７２の具体的な形状は任意である。また、両電極７１，７２の形状が異なっていてもよい。

・テラヘルツ素子２０における両パッド３３ａ，３４ａの位置や形状は任意である。例えば、図５１に示すように、両パッド３３ａ，３４ａは、発振点Ｐ１を介してｘ方向又はｙ方向に対向配置されていなくてもよく、素子主面２１のｘ方向の端部にまとめて配置されていてもよい。この場合、両パッド３３ａ，３４ａは互いに絶縁されているとよい。

また、図５１に示すように、両素子導電層３３，３４の一部が、ダイポールアンテナを構成していてもよい。すなわち、テラヘルツ素子２０の素子主面２１側においてアンテナが集積化されていてもよい。なお、アンテナの具体的な構成については、ダイポールアンテナに限定されず任意に変更可能であり、スロットアンテナ、ボータイアンテナあるいはリングアンテナなどの他のアンテナであってもよい。

・図５１に示すように、テラヘルツ素子２０は、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）リフレクタ２７０を有してもよい。ＭＩＭリフレクタ２７０は、第１素子導電層３３の一部と第２素子導電層３４の一部とが絶縁体をｚ方向に挟み込むことによって構成されている。ＭＩＭリフレクタ２７０は、第１素子導電層３３の一部と第２素子導電層３４の一部とを高周波的に短絡させるものである。ＭＩＭリフレクタ２７０は、高周波の電磁波を反射させることができる。

この場合、両パッド３３ａ，３４ａの位置及び大きさに合わせて両素子対向部８１ａ，９１ａが形成されているとよい。例えば素子対向部８１ａ，９１ａは、パッド３３ａ，３４ａと対向するようにｙ方向に並んで配置されているとよい。そして、パッド３３ａ，３４ａと素子対向部８１ａ，９１ａとの間にバンプ８２，９２が形成されているとよい。

・図５２に示すように、反射膜６０は、当該反射膜６０の端部から側方に延びたフランジ部２８０を有してもよい。フランジ部２８０は、例えば反射膜６０の周縁に沿って環状に形成されていてもよい。

・反射膜６０の具体的な形状は、パラボラアンテナ形状に限られず、種々のアンテナ形状を採用することができる。例えば、反射膜６０は平面アンテナ形状であってもよい。すなわち、反射膜６０は、テラヘルツ素子２０に対して対向する位置に設けられ、ｚ方向に直交する薄膜でもよい。

・反射膜は、１つの膜に限られず、分離された複数のパーツで構成されていてもよい。例えば、反射膜にスリットが形成されていてもよいし、孔が形成されていてもよい。つまり、反射膜の形状は適宜変更可能である。

・テラヘルツ素子２０は、封止材５０内におけるｚ方向の中央部付近に配置されていてもよいし、装置裏面１２側に配置されていてもよい。
・導電部８０，９０は、反射膜６０に対してｘ方向ではなくｙ方向にはみ出していてもよいし、ｘ方向及びｙ方向の双方にはみ出していてもよい。電極７１，７２についても同様である。

・テラヘルツ素子２０は、素子裏面２２が反射膜６０を向くように配置されていてもよい。すなわち、反射膜６０は、テラヘルツ素子２０に対して、素子主面２１側ではなく、素子裏面２２側に設けられていてもよい。この場合、素子反射層３５を省略するとよい。

・反射膜６０は、電気的にフローティング状態でなくてもよい。すなわち、反射部が電気的にフローティング状態であることは必須ではない。
・封止材５０の具体的な材料は、電磁波を透過するものであれば任意に変更可能である。例えば、封止屈折率ｎ２が空気の屈折率である「１」よりも低いものであってもよいし、素子屈折率ｎ１よりも高いものでもよい。

・素子基板３１の構成材料は、ＩｎＰ以外の半導体であってもよい。素子屈折率ｎ１は素子基板３１の屈折率であるため、素子基板３１の構成材料が変更された場合、素子屈折率ｎ１も変更される。

・図５３に示すように、封止材５０は、素子裏面２２を覆わない構成でもよい。すなわち、素子裏面２２（又は素子反射層３５）が露出していてもよい。つまり、封止材５０は、少なくともテラヘルツ素子２０における素子主面２１及び各素子側面２３～２６を囲んでいればよい。

・封止材５０の具体的な形状は任意に変更可能であり、例えば円柱状や直方体形状以外の多角柱状でもよい。
・反射膜６０によって反射される電磁波の向き（すなわち一方向）は、任意である。また、反射膜６０は、全体として一方向に反射させるものであればよく、反射膜６０によって反射された全ての電磁波の向きが必ずしも揃っている必要はない。例えば反射膜６０によって反射された電磁波に、上記一方向に対して傾斜しているものが含まれていてもよい。

・導電部８０，９０の一部又は全部は、封止材５０外に形成されていてもよい。例えば、導電部８０，９０の一部は、複数の装置側面１３～１６のうち少なくとも１つに形成されてもよい。ただし、導電部８０，９０と他の部品との短絡を抑制する点に着目すれば、導電部８０，９０は封止材５０内に設けられているとよい。

・テラヘルツ素子２０は、電磁波を受信し、受信した電磁波を電気エネルギーに変換するものであってもよい。具体的には、テラヘルツ素子２０は、例えば発振点Ｐ１に照射（入力）された電磁波を受信するものでもよい。この場合、発振点Ｐ１は、電磁波の受信を行う受信点ともいえるし、テラヘルツ帯の電磁波と共振する共振点ともいえる。

この構成においては、反射膜６０は、入射された電磁波を、テラヘルツ素子２０（好ましくは受信点）に向けて反射させるものであるとよい。この構成によれば、反射膜６０によって反射された電磁波は、封止材５０を介してテラヘルツ素子２０に伝搬される。これにより、テラヘルツ装置１０の受信強度が高くなるため、受信に関する利得の向上を図ることができる。

また、テラヘルツ素子２０と反射膜６０とが封止材５０によって封止されているため、テラヘルツ素子２０と反射膜６０との間に異物が侵入することを抑制できる。したがって、上記異物に起因して電磁波の伝搬が阻害されるといったことを抑制できる。また、反射膜６０が空気に晒されることを抑制できるため、空気中の水分や酸素などに起因する反射膜６０の劣化を抑制できる。

本構成においては、装置主面１１は電磁波が入射される入射面ともいえ、反射膜６０は、装置主面１１から入射された電磁波をテラヘルツ素子２０に向けて反射させるものといえる。また、装置主面１１は、電磁波が入力される入力面ともいえ、テラヘルツ装置１０は、装置主面１１から入力される電磁波を受信するものともいえる。

なお、反射膜６０は、入射された電磁波の一部をテラヘルツ素子２０に向けて反射させる構成でもよいし、入射された電磁波の全部をテラヘルツ素子２０に向けて反射させる構成でもよい。

・第４実施形態のテラヘルツ装置１０において、上記電磁波を受信するテラヘルツ素子２０を採用する場合、反射膜６０は、装置主面１１から入射される電磁波を副反射膜２５０に向けて反射させるものであり、副反射膜２５０は、反射膜６０によって反射された電磁波をテラヘルツ素子２０に向けて反射させるものであるとよい。換言すれば、副反射膜２５０は、反射膜６０から入射される電磁波をテラヘルツ素子２０に向けて反射させるものともいえる。この場合、副反射膜２５０は、反射膜６０によって反射された電磁波の一部又は全部を、発振点Ｐ１に向けて反射させるものであるとよい。

また、テラヘルツ素子２０は、電磁波の発振（発生）及び受信の両方を行うものであってもよい。つまり、発振点Ｐ１は、電磁波の発振及び受信の少なくとも一方を行う点でもよい。
＜付記＞
［付記１］
電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子と対向する位置に設けられ、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波を一方向に向けて反射させる反射膜と、
前記テラヘルツ素子及び前記反射膜を封止する封止材と、を備える
テラヘルツ装置。
［付記２］
前記封止材内には導電部が設けられており、
前記テラヘルツ素子は、前記導電部にフリップチップ実装されている
付記１に記載のテラヘルツ装置。
［付記３］
前記封止材は、前記テラヘルツ装置の高さ方向の両端面として、
前記反射膜によって反射された電磁波が出力される装置主面と、
前記装置主面とは反対側の装置裏面と、を有し、
前記装置裏面には電極が形成されており、
前記導電部は、前記テラヘルツ素子と前記電極とを電気的に接続するものである
付記２に記載のテラヘルツ装置。
［付記４］
前記テラヘルツ素子は、前記装置裏面よりも前記装置主面の近くに配置されており、
前記反射膜は、前記テラヘルツ素子よりも前記装置裏面の近くに配置されている
付記３に記載のテラヘルツ装置。
［付記５］
前記電極は、前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜とは重ならない部分に形成されている
付記３又は４に記載のテラヘルツ装置。
［付記６］
前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜と重なる部分には、前記反射膜の熱が伝達される放熱電極が形成されている
付記５に記載のテラヘルツ装置。
［付記７］
前記電極は、前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜と重なる部分と前記反射膜に重ならない部分とに跨って形成されている
付記３又は４に記載のテラヘルツ装置。
［付記８］
前記テラヘルツ素子は、前記反射膜の方を向いたパッドを有し、
前記導電部は、
前記テラヘルツ素子と前記反射膜との間に設けられ、前記パッドに対して前記テラヘルツ装置の高さ方向に対向する素子対向部と、
前記パッドと前記素子対向部との間に設けられたバンプと、を備え、
前記テラヘルツ素子は、前記バンプを介して前記素子対向部にフリップチップ実装されている
付記３～７のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
［付記９］
前記パッドは、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て長手方向及び短手方向を有する形状であり、
前記素子対向部は、前記パッドの長手方向に延びており、
前記バンプは、前記パッドの長手方向に複数配列されている
付記８に記載のテラヘルツ装置。
［付記１０］
前記導電部は、
前記素子対向部、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜からはみ出したはみ出し部、及び前記素子対向部と前記はみ出し部とを繋ぐ接続部を有する素子側導電部と、
前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記テラヘルツ素子及び前記反射膜とは重ならない位置に設けられ、前記はみ出し部及び前記電極の双方と電気的に接続された電極側導電部と、を備える
付記８又は９に記載のテラヘルツ装置。
［付記１１］
前記電極側導電部は、前記テラヘルツ装置の高さ方向に折り曲げられたクランク状に形成されている
付記１０に記載のテラヘルツ装置。
［付記１２］
前記電極側導電部は、
前記はみ出し部に対して前記テラヘルツ装置の高さ方向に対向する第１平坦部と、
前記第１平坦部よりも前記装置裏面の近くに配置され、前記電極に対して前記テラヘルツ装置の高さ方向に対向する第２平坦部と、
前記第１平坦部と前記第２平坦部とを繋ぐものであって、前記第１平坦部から前記第２平坦部に向かうにつれて前記装置裏面に近づくように傾斜した傾斜部と、を有する
付記１１に記載のテラヘルツ装置。
［付記１３］
前記導電部は、
前記はみ出し部と前記第１平坦部との間に設けられ、前記はみ出し部と前記第１平坦部とを接合する素子側接合部と、
前記第２平坦部と前記電極との間に設けられ、前記第２平坦部と前記電極とを接合する電極側接合部と、を有する
付記１２に記載のテラヘルツ装置。
［付記１４］
前記素子側導電部は、前記テラヘルツ装置の高さ方向と直交する第１方向に延びており、
前記素子側導電部において、前記テラヘルツ装置の高さ方向と前記第１方向との双方と直交する第２方向を幅方向とすると、
前記接続部の少なくとも一部は、前記素子対向部よりも幅狭に形成されている
付記１０～１３のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記１５］
前記接続部は、
前記素子対向部よりも幅狭に形成された接続本体部と、
前記接続本体部と前記素子対向部とを繋ぐものであって、前記接続本体部から前記素子対向部に向かうにつれて徐々に幅広に形成された素子側テーパ部と、を有する
付記１４に記載のテラヘルツ装置。
［付記１６］
前記テラヘルツ装置は、
前記電極として第１電極及び第２電極と、
前記導電部として第１導電部及び第２導電部と、を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記装置裏面における前記反射膜に対して第１方向にずれた位置にて、前記第１方向と直交する第２方向に並んで配置されており、
前記第１導電部と前記第２導電部とは、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記第２方向に並んだ状態で前記第１方向に延びている
付記３～１５のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記１７］
前記テラヘルツ素子は、
発振点と、
前記発振点を介して前記第２方向に離間して対向配置され、前記第１方向を長手方向とする第１パッド及び第２パッドを有し、
前記第１導電部は、
前記第１パッドに対して対向し、前記第１方向を長手方向とする第１素子対向部と、
前記第１パッドと前記第１素子対向部との間に設けられ、前記第１方向に複数配列された第１バンプと、を有し、
前記第２導電部は、
前記第２パッドに対して対向し、前記第１方向を長手方向とする第２素子対向部と、
前記第２パッドと前記第２素子対向部との間に設けられ、前記第１方向に複数配列された第２バンプと、を有する
付記１６に記載のテラヘルツ装置。
［付記１８］
前記テラヘルツ装置は、
前記電極として第１電極及び第２電極と、
前記導電部として第１導電部及び第２導電部と、を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜に対して第１方向の両側に設けられており、
前記第１導電部と前記第２導電部とは、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記テラヘルツ素子から互いに離れるように前記第１方向に延びている
付記３～１５のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記１９］
前記テラヘルツ素子は、
発振点と、
前記発振点を介して前記第１方向に離間して対向配置され、前記テラヘルツ装置の高さ方向と前記第１方向との双方と直交する第２方向を長手方向とする第１パッド及び第２パッドを有し、
前記第１導電部は、
前記第１パッドに対して対向し、前記第２方向を長手方向とする第１素子対向部と、
前記第１パッドと前記第１素子対向部との間に設けられ、前記第２方向に複数配列された第１バンプと、を有し、
前記第２導電部は、
前記第２パッドに対して対向し、前記第２方向を長手方向とする第２素子対向部と、
前記第２パッドと前記第２素子対向部との間に設けられ、前記第２方向に複数配列された第２バンプと、を有する
付記１８に記載のテラヘルツ装置。
［付記２０］
前記封止材の屈折率である封止屈折率は、空気の屈折率よりも高くかつ前記テラヘルツ素子の屈折率である素子屈折率よりも低い
付記１～１９のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記２１］
前記テラヘルツ素子は、素子基板を有し、
前記素子屈折率は、前記素子基板の屈折率である
付記２０に記載のテラヘルツ装置。
［付記２２］
前記素子基板は、ＩｎＰによって構成されている
付記２１に記載のテラヘルツ装置。
［付記２３］
前記封止材は、エポキシ樹脂によって構成されている
付記１～２２のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記２４］
前記反射膜は、電気的にフローティング状態である
付記１～２３のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記２５］
前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記反射膜は、前記テラヘルツ素子よりも大きく形成されている
付記１～２４のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記２６］
前記テラヘルツ素子は、前記テラヘルツ装置の高さ方向に対して交差する面として、
発振点を有する素子主面と、
前記素子主面とは反対側の面である素子裏面と、を有し、
前記テラヘルツ素子は、前記素子主面が前記反射膜を向いた状態で封止されている
付記１～２５のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記２７］
前記テラヘルツ素子は、前記発振点から開口角度の範囲に亘って放射状に電磁波を照射するものであり、
前記反射膜は、前記発振点に対して前記開口角度以上の角度に亘って形成されている
付記２６に記載のテラヘルツ装置。
［付記２８］
前記反射膜はパラボラアンテナ形状である
付記２６又は２７に記載のテラヘルツ装置。
［付記２９］
前記反射膜は、当該反射膜の焦点が前記発振点に位置するように配置されている
付記２８に記載のテラヘルツ装置。
［付記３０］
前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記反射膜の中心点と前記発振点とが一致している
付記２８に記載のテラヘルツ装置。
［付記３１］
前記反射膜の中心点と前記発振点との距離は、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波の共振条件を満たすように設定されている
付記２８に記載のテラヘルツ装置。
［付記３２］
前記テラヘルツ素子は、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記反射膜の中心点と前記発振点とがずれた位置に配置されている
付記２８に記載のテラヘルツ装置。
［付記３３］
前記素子裏面には、前記テラヘルツ素子から発生する電磁波を反射させる素子反射層が形成されている
付記２６～３２のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記３４］
前記封止材内に設けられ、前記テラヘルツ素子に対して並列接続された保護ダイオードを備える
付記１～３３のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記３５］
前記封止材は、前記テラヘルツ装置の高さ方向の両端面として装置主面及び装置裏面を有し、
前記反射膜は、前記装置裏面に向けて凸となるように湾曲しており、
前記テラヘルツ素子は、湾曲した前記反射膜の内側に配置されており、
前記テラヘルツ装置は、前記反射膜とは別に前記封止材に封止され、前記テラヘルツ素子及び前記反射膜に対して対向する副反射膜を備え、
前記副反射膜は、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波を前記反射膜に向けて反射させるものであり、
前記反射膜は、前記副反射膜から伝搬された電磁波を前記一方向に向けて反射させるものである
付記１に記載のテラヘルツ装置。
［付記３６］
前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜と重なる部分に形成された電極と、
前記封止材内に設けられ、前記電極から前記テラヘルツ素子に向けて起立した導電部と、を備え、
前記導電部は、前記反射膜に形成された貫通孔を介して前記反射膜の内側に入り込んでおり、
前記テラヘルツ素子は、前記導電部に電気的に接続されている
付記３５に記載のテラヘルツ装置。
［付記３７］
前記導電部と前記反射膜とは絶縁されている
付記３６に記載のテラヘルツ装置。
［付記３８］
前記副反射膜は、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見た前記テラヘルツ素子の投影領域内に配置されている
付記３５～３７のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記３９］
電磁波を受信するテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子と対向する位置に設けられ、入射された電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させる反射膜と、
前記テラヘルツ素子及び前記反射膜を封止する封止材と、を備える
テラヘルツ装置。
［付記４０］
前記封止材内には導電部が設けられており、
前記テラヘルツ素子は、前記導電部にフリップチップ実装されている
付記３９に記載のテラヘルツ装置。
［付記４１］
前記封止材は、前記テラヘルツ装置の高さ方向の両端面として、
電磁波が入射される装置主面と、
前記装置主面とは反対側の装置裏面と、を有し、
前記反射膜は、前記装置主面から入射される電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させるものであり、
前記装置裏面には電極が形成されており、
前記導電部は、前記テラヘルツ素子と前記電極とを電気的に接続するものである
付記４０に記載のテラヘルツ装置。
［付記４２］
前記テラヘルツ素子は、前記装置裏面よりも前記装置主面の近くに配置されており、
前記反射膜は、前記テラヘルツ素子よりも前記装置裏面の近くに配置されている
付記４１に記載のテラヘルツ装置。
［付記４３］
前記電極は、前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜とは重ならない部分に形成されている
付記４１又は４２に記載のテラヘルツ装置。
［付記４４］
前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜と重なる部分には、前記反射膜の熱が伝達される放熱電極が形成されている
付記４３に記載のテラヘルツ装置。
［付記４５］
前記電極は、前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜と重なる部分と前記反射膜に重ならない部分とに跨って形成されている
付記４１又は４２に記載のテラヘルツ装置。
［付記４６］
前記テラヘルツ素子は、前記反射膜の方を向いたパッドを有し、
前記導電部は、
前記テラヘルツ素子と前記反射膜との間に設けられ、前記パッドに対して前記テラヘルツ装置の高さ方向に対向する素子対向部と、
前記パッドと前記素子対向部との間に設けられたバンプと、を備え、
前記テラヘルツ素子は、前記バンプを介して前記素子対向部にフリップチップ実装されている
付記４１～４５のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記４７］
前記パッドは、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て長手方向及び短手方向を有する形状であり、
前記素子対向部は、前記パッドの長手方向に延びており、
前記バンプは、前記パッドの長手方向に複数配列されている
付記４６に記載のテラヘルツ装置。
［付記４８］
前記導電部は、
前記素子対向部、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜からはみ出したはみ出し部、及び前記素子対向部と前記はみ出し部とを繋ぐ接続部を有する素子側導電部と、
前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記テラヘルツ素子及び前記反射膜とは重ならない位置に設けられ、前記はみ出し部及び前記電極の双方と電気的に接続された電極側導電部と、を備える
付記４６又は４７に記載のテラヘルツ装置。
［付記４９］
前記電極側導電部は、前記テラヘルツ装置の高さ方向に折り曲げられたクランク状に形成されている
付記４８に記載のテラヘルツ装置。
［付記５０］
前記電極側導電部は、
前記はみ出し部に対して前記テラヘルツ装置の高さ方向に対向する第１平坦部と、
前記第１平坦部よりも前記装置裏面の近くに配置され、前記電極に対して前記テラヘルツ装置の高さ方向に対向する第２平坦部と、
前記第１平坦部と前記第２平坦部とを繋ぐものであって、前記第１平坦部から前記第２平坦部に向かうにつれて前記装置裏面に近づくように傾斜した傾斜部と、を有する
付記４９に記載のテラヘルツ装置。
［付記５１］
前記導電部は、
前記はみ出し部と前記第１平坦部との間に設けられ、前記はみ出し部と前記第１平坦部とを接合する素子側接合部と、
前記第２平坦部と前記電極との間に設けられ、前記第２平坦部と前記電極とを接合する電極側接合部と、を有する
付記５０に記載のテラヘルツ装置。
［付記５２］
前記素子側導電部は、前記テラヘルツ装置の高さ方向と直交する第１方向に延びており、
前記素子側導電部において、前記テラヘルツ装置の高さ方向と前記第１方向との双方と直交する第２方向を幅方向とすると、
前記接続部の少なくとも一部は、前記素子対向部よりも幅狭に形成されている
付記４８～５１のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記５３］
前記接続部は、
前記素子対向部よりも幅狭に形成された接続本体部と、
前記接続本体部と前記素子対向部とを繋ぐものであって、前記接続本体部から前記素子対向部に向かうにつれて徐々に幅広に形成された素子側テーパ部と、を有する
付記５２に記載のテラヘルツ装置。
［付記５４］
前記テラヘルツ装置は、
前記電極として第１電極及び第２電極と、
前記導電部として第１導電部及び第２導電部と、を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記装置裏面における前記反射膜に対して第１方向にずれた位置にて、前記第１方向と直交する第２方向に並んで配置されており、
前記第１導電部と前記第２導電部とは、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記第２方向に並んだ状態で前記第１方向に延びている
付記４１～５３のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記５５］
前記テラヘルツ素子は、
共振点と、
前記共振点を介して前記第２方向に離間して対向配置され、前記第１方向を長手方向とする第１パッド及び第２パッドを有し、
前記第１導電部は、
前記第１パッドに対して対向し、前記第１方向を長手方向とする第１素子対向部と、
前記第１パッドと前記第１素子対向部との間に設けられ、前記第１方向に複数配列された第１バンプと、を有し、
前記第２導電部は、
前記第２パッドに対して対向し、前記第１方向を長手方向とする第２素子対向部と、
前記第２パッドと前記第２素子対向部との間に設けられ、前記第１方向に複数配列された第２バンプと、を有する
付記５４に記載のテラヘルツ装置。
［付記５６］
前記テラヘルツ装置は、
前記電極として第１電極及び第２電極と、
前記導電部として第１導電部及び第２導電部と、を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜に対して第１方向の両側に設けられており、
前記第１導電部と前記第２導電部とは、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記テラヘルツ素子から互いに離れるように前記第１方向に延びている
付記４１～５３のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記５７］
前記テラヘルツ素子は、
共振点と、
前記共振点を介して前記第１方向に離間して対向配置され、前記テラヘルツ装置の高さ方向と前記第１方向との双方と直交する第２方向を長手方向とする第１パッド及び第２パッドを有し、
前記第１導電部は、
前記第１パッドに対して対向し、前記第２方向を長手方向とする第１素子対向部と、
前記第１パッドと前記第１素子対向部との間に設けられ、前記第２方向に複数配列された第１バンプと、を有し、
前記第２導電部は、
前記第２パッドに対して対向し、前記第２方向を長手方向とする第２素子対向部と、
前記第２パッドと前記第２素子対向部との間に設けられ、前記第２方向に複数配列された第２バンプと、を有する
付記５６に記載のテラヘルツ装置。
［付記５８］
前記封止材の屈折率である封止屈折率は、空気の屈折率よりも高くかつ前記テラヘルツ素子の屈折率である素子屈折率よりも低い
付記３９～５７のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記５９］
前記テラヘルツ素子は、素子基板を有し、
前記素子屈折率は、前記素子基板の屈折率である
付記５８に記載のテラヘルツ装置。
［付記６０］
前記素子基板は、ＩｎＰによって構成されている
付記５９に記載のテラヘルツ装置。
［付記６１］
前記封止材は、エポキシ樹脂によって構成されている
付記３９～６０のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記６２］
前記反射膜は、電気的にフローティング状態である
付記３９～６１のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記６３］
前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記反射膜は、前記テラヘルツ素子よりも大きく形成されている
付記３９～６２のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記６４］
前記テラヘルツ素子は、前記テラヘルツ装置の高さ方向に対して交差する面として、
共振点を有する素子主面と、
前記素子主面とは反対側の面である素子裏面と、を有し、
前記テラヘルツ素子は、前記素子主面が前記反射膜を向いた状態で封止されている
付記３９～６３のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記６５］
前記テラヘルツ素子は、前記共振点から開口角度の範囲に亘って放射状に電磁波を照射するものであり、
前記反射膜は、前記共振点に対して前記開口角度以上の角度に亘って形成されている
付記６４に記載のテラヘルツ装置。
［付記６６］
前記反射膜はパラボラアンテナ形状である
付記６４又は６５に記載のテラヘルツ装置。
［付記６７］
前記反射膜は、当該反射膜の焦点が前記共振点に位置するように配置されている
付記６６に記載のテラヘルツ装置。
［付記６８］
前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記反射膜の中心点と前記共振点とが一致している
付記６６に記載のテラヘルツ装置。
［付記６９］
前記反射膜の中心点と前記共振点との距離は、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波の共振条件を満たすように設定されている
付記６６に記載のテラヘルツ装置。
［付記７０］
前記テラヘルツ素子は、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記反射膜の中心点と前記共振点とがずれた位置に配置されている
付記６６に記載のテラヘルツ装置。
［付記７１］
前記素子裏面には、電磁波を反射させる素子反射層が形成されている
付記６４～７０のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記７２］
前記封止材内に設けられ、前記テラヘルツ素子に対して並列接続された保護ダイオードを備える
付記３９～７１のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。
［付記７３］
前記封止材は、前記テラヘルツ装置の高さ方向の両端面として装置主面及び装置裏面を有し、
前記反射膜は、前記装置裏面に向けて凸となるように湾曲しており、
前記テラヘルツ素子は、湾曲した前記反射膜の内側に配置されており、
前記テラヘルツ装置は、前記反射膜とは別に前記封止材に封止され、前記テラヘルツ素子及び前記反射膜に対して対向する副反射膜を備え、
前記反射膜は、入射された電磁波を前記副反射膜に向けて反射させるものであり、
前記副反射膜は、前記反射膜によって反射された電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させるものである
付記３９に記載のテラヘルツ装置。
［付記７４］
前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜と重なる部分に形成された電極と、
前記封止材内に設けられ、前記電極から前記テラヘルツ素子に向けて起立した導電部と、を備え、
前記導電部は、前記反射膜に形成された貫通孔を介して前記反射膜の内側に入り込んでおり、
前記テラヘルツ素子は、前記導電部に電気的に接続されている
付記７３に記載のテラヘルツ装置。
［付記７５］
前記導電部と前記反射膜とは絶縁されている
付記７４に記載のテラヘルツ装置。
［付記７６］
前記副反射膜は、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見た前記テラヘルツ素子の投影領域内に配置されている
付記７３～７５のいずれか１つに記載のテラヘルツ装置。

１０…テラヘルツ装置
１１…装置主面
１２…装置裏面
２０…テラヘルツ素子
２１…素子主面
２２…素子裏面
３１…素子基板
３２…能動素子
３３ａ，３４ａ…パッド
３５…素子反射層
５０…封止材
６０…反射膜
７１…第１電極（電極）
７２…第２電極（電極）
７３…放熱電極
８０，１９０，２５１…第１導電部（導電部）
８１，１９１…第１素子側導電部（素子側導電部）
８１ａ，１９１ａ…第１素子対向部（素子対向部）
８１ｂ，１２３，１９１ｂ…第１はみ出し部（はみ出し部）
８１ｃ，１２０，１９１ｃ，２１０…第１接続部（接続部）
８２…第１バンプ（バンプ）
８３，１９３…第１電極側導電部（電極側導電部）
８３ａ…第１平坦部
８３ｂ…第２平坦部
８３ｃ…傾斜部
８４，１９４…第１素子側接合部（素子側接合部）
８５，１９５…第１電極側接合部（電極側接合部）
９０，２００，２５２…第２導電部（導電部）
９１，２０１…第２素子側導電部（素子側導電部）
９１ａ，２０１ａ…第２素子対向部（素子対向部）
９１ｂ，１３３，２０１ｂ…第２はみ出し部（はみ出し部）
９１ｃ，１３０，２０１ｃ，２２０…第２接続部（接続部）
９２…第２バンプ（バンプ）
９３，２０３…第２電極側導電部（電極側導電部）
９３ａ…第１平坦部
９３ｂ…第２平坦部
９３ｃ…傾斜部
９４，２０４…第２素子側接合部（素子側接合部）
９５，２０５…第２電極側接合部（電極側接合部）
１２１，１３１，２１１，２２１…接続本体部
１２２，１３２，１４１，１５１，１６１，１６２，２１２，２２２…素子側テーパ部
１８１，１８２，２６０…保護ダイオード
２３１，２３２…主面電極
２５０…副反射膜
２５３，２５４…貫通孔
Ｐ１…発振点
Ｐ２…反射膜の中心点
θ…開口角度
ｎ１…素子屈折率
ｎ２…封止屈折率

Claims

テラヘルツ装置であって、
電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子と対向する位置に設けられ、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波を一方向に向けて反射させる反射膜と、
前記テラヘルツ素子及び前記反射膜を封止する封止材と、
前記封止材内に設けられた導電部と、
を備え、
前記テラヘルツ素子は、前記導電部にフリップチップ実装されており、
前記封止材は、前記テラヘルツ装置の高さ方向の両端面として、
前記反射膜によって反射された電磁波が出力される装置主面と、
前記装置主面とは反対側の装置裏面と、
を有し、
前記装置裏面には電極が形成されており、
前記導電部は、前記テラヘルツ素子と前記電極とを電気的に接続するものであり、
前記電極は、前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜とは重ならない部分に形成されており、
前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜と重なる部分には、前記反射膜の熱が伝達される放熱電極が形成されている
テラヘルツ装置。
テラヘルツ装置であって、
電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子と対向する位置に設けられ、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波を一方向に向けて反射させる反射膜と、
前記テラヘルツ素子及び前記反射膜を封止する封止材と、
前記封止材内に設けられた導電部と、
を備え、
前記テラヘルツ素子は、前記導電部にフリップチップ実装されており、
前記封止材は、前記テラヘルツ装置の高さ方向の両端面として、
前記反射膜によって反射された電磁波が出力される装置主面と、
前記装置主面とは反対側の装置裏面と、
を有し、
前記装置裏面には電極が形成されており、
前記導電部は、前記テラヘルツ素子と前記電極とを電気的に接続するものであり、
前記電極は、前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜と重なる部分と前記反射膜に重ならない部分とに跨って形成されている
テラヘルツ装置。
前記テラヘルツ素子は、前記装置裏面よりも前記装置主面の近くに配置されており、
前記反射膜は、前記テラヘルツ素子よりも前記装置裏面の近くに配置されている
請求項１又は２に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ素子は、前記反射膜の方を向いたパッドを有し、
前記導電部は、
前記テラヘルツ素子と前記反射膜との間に設けられ、前記パッドに対して前記テラヘルツ装置の高さ方向に対向する素子対向部と、
前記パッドと前記素子対向部との間に設けられたバンプと、
を備え、
前記テラヘルツ素子は、前記バンプを介して前記素子対向部にフリップチップ実装されている
請求項１～３のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
テラヘルツ装置であって、
電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子と対向する位置に設けられ、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波を一方向に向けて反射させる反射膜と、
前記テラヘルツ素子及び前記反射膜を封止する封止材と、
前記封止材内に設けられた導電部と、
を備え、
前記テラヘルツ素子は、前記導電部にフリップチップ実装されており、
前記封止材は、前記テラヘルツ装置の高さ方向の両端面として、
前記反射膜によって反射された電磁波が出力される装置主面と、
前記装置主面とは反対側の装置裏面と、
を有し、
前記装置裏面には電極が形成されており、
前記導電部は、前記テラヘルツ素子と前記電極とを電気的に接続するものであり、
前記テラヘルツ素子は、前記反射膜の方を向いたパッドを有し、
前記導電部は、
前記テラヘルツ素子と前記反射膜との間に設けられ、前記パッドに対して前記テラヘルツ装置の高さ方向に対向する素子対向部と、
前記パッドと前記素子対向部との間に設けられたバンプと、
を備え、
前記テラヘルツ素子は、前記バンプを介して前記素子対向部にフリップチップ実装されている
テラヘルツ装置。
前記パッドは、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て長手方向及び短手方向を有する形状であり、
前記素子対向部は、前記パッドの長手方向に延びており、
前記バンプは、前記パッドの長手方向に複数配列されている
請求項４又は５に記載のテラヘルツ装置。
前記導電部は、
前記素子対向部、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜からはみ出したはみ出し部、及び前記素子対向部と前記はみ出し部とを繋ぐ接続部を有する素子側導電部と、
前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記テラヘルツ素子及び前記反射膜とは重ならない位置に設けられ、前記はみ出し部及び前記電極の双方と電気的に接続された電極側導電部と、を備える
請求項４～６のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記電極側導電部は、前記テラヘルツ装置の高さ方向に折り曲げられたクランク状に形成されている
請求項７に記載のテラヘルツ装置。
前記電極側導電部は、
前記はみ出し部に対して前記テラヘルツ装置の高さ方向に対向する第１平坦部と、
前記第１平坦部よりも前記装置裏面の近くに配置され、前記電極に対して前記テラヘルツ装置の高さ方向に対向する第２平坦部と、
前記第１平坦部と前記第２平坦部とを繋ぐものであって、前記第１平坦部から前記第２平坦部に向かうにつれて前記装置裏面に近づくように傾斜した傾斜部と、を有する
請求項８に記載のテラヘルツ装置。
前記導電部は、
前記はみ出し部と前記第１平坦部との間に設けられ、前記はみ出し部と前記第１平坦部とを接合する素子側接合部と、
前記第２平坦部と前記電極との間に設けられ、前記第２平坦部と前記電極とを接合する電極側接合部と、を有する
請求項９に記載のテラヘルツ装置。
前記素子側導電部は、前記テラヘルツ装置の高さ方向と直交する第１方向に延びており、
前記素子側導電部において、前記テラヘルツ装置の高さ方向と前記第１方向との双方と直交する第２方向を幅方向とすると、
前記接続部の少なくとも一部は、前記素子対向部よりも幅狭に形成されている
請求項７～１０のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記接続部は、
前記素子対向部よりも幅狭に形成された接続本体部と、
前記接続本体部と前記素子対向部とを繋ぐものであって、前記接続本体部から前記素子対向部に向かうにつれて徐々に幅広に形成された素子側テーパ部と、を有する
請求項１１に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ装置は、
前記電極として第１電極及び第２電極と、
前記導電部として第１導電部及び第２導電部と、
を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記装置裏面における前記反射膜に対して第１方向にずれた位置にて、前記第１方向と直交する第２方向に並んで配置されており、
前記第１導電部と前記第２導電部とは、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記第２方向に並んだ状態で前記第１方向に延びている
請求項１～１２のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ素子は、
発振点と、
前記発振点を介して前記第２方向に離間して対向配置され、前記第１方向を長手方向とする第１パッド及び第２パッドを有し、
前記第１導電部は、
前記第１パッドに対して対向し、前記第１方向を長手方向とする第１素子対向部と、
前記第１パッドと前記第１素子対向部との間に設けられ、前記第１方向に複数配列された第１バンプと、
を有し、
前記第２導電部は、
前記第２パッドに対して対向し、前記第１方向を長手方向とする第２素子対向部と、
前記第２パッドと前記第２素子対向部との間に設けられ、前記第１方向に複数配列された第２バンプと、
を有する
請求項１３に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ装置は、
前記電極として第１電極及び第２電極と、
前記導電部として第１導電部及び第２導電部と、
を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜に対して第１方向の両側に設けられており、
前記第１導電部と前記第２導電部とは、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記テラヘルツ素子から互いに離れるように前記第１方向に延びている
請求項１～１２のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ素子は、
発振点と、
前記発振点を介して前記第１方向に離間して対向配置され、前記テラヘルツ装置の高さ方向と前記第１方向との双方と直交する第２方向を長手方向とする第１パッド及び第２パッドを有し、
前記第１導電部は、
前記第１パッドに対して対向し、前記第２方向を長手方向とする第１素子対向部と、
前記第１パッドと前記第１素子対向部との間に設けられ、前記第２方向に複数配列された第１バンプと、
を有し、
前記第２導電部は、
前記第２パッドに対して対向し、前記第２方向を長手方向とする第２素子対向部と、
前記第２パッドと前記第２素子対向部との間に設けられ、前記第２方向に複数配列された第２バンプと、
を有する
請求項１５に記載のテラヘルツ装置。
テラヘルツ装置であって、
電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子と対向する位置に設けられ、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波を一方向に向けて反射させる反射膜と、
前記テラヘルツ素子及び前記反射膜を封止する封止材と、
前記封止材内に設けられた導電部と、
を備え、
前記テラヘルツ素子は、前記導電部にフリップチップ実装されており、
前記封止材は、前記テラヘルツ装置の高さ方向の両端面として、
前記反射膜によって反射された電磁波が出力される装置主面と、
前記装置主面とは反対側の装置裏面と、
を有し、
前記装置裏面には電極が形成されており、
前記導電部は、前記テラヘルツ素子と前記電極とを電気的に接続するものであり、
前記テラヘルツ装置は、
前記電極として第１電極及び第２電極と、
前記導電部として第１導電部及び第２導電部と、
を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記装置裏面における前記反射膜に対して第１方向にずれた位置にて、前記第１方向と直交する第２方向に並んで配置されており、
前記第１導電部と前記第２導電部とは、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記第２方向に並んだ状態で前記第１方向に延びており、
前記テラヘルツ素子は、
発振点と、
前記発振点を介して前記第２方向に離間して対向配置され、前記第１方向を長手方向とする第１パッド及び第２パッドを有し、
前記第１導電部は、
前記第１パッドに対して対向し、前記第１方向を長手方向とする第１素子対向部と、
前記第１パッドと前記第１素子対向部との間に設けられ、前記第１方向に複数配列された第１バンプと、
を有し、
前記第２導電部は、
前記第２パッドに対して対向し、前記第１方向を長手方向とする第２素子対向部と、
前記第２パッドと前記第２素子対向部との間に設けられ、前記第１方向に複数配列された第２バンプと、
を有する
テラヘルツ装置。
テラヘルツ装置であって、
電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子と対向する位置に設けられ、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波を一方向に向けて反射させる反射膜と、
前記テラヘルツ素子及び前記反射膜を封止する封止材と、
前記封止材内に設けられた導電部と、
を備え、
前記テラヘルツ素子は、前記導電部にフリップチップ実装されており、
前記封止材は、前記テラヘルツ装置の高さ方向の両端面として、
前記反射膜によって反射された電磁波が出力される装置主面と、
前記装置主面とは反対側の装置裏面と、
を有し、
前記装置裏面には電極が形成されており、
前記導電部は、前記テラヘルツ素子と前記電極とを電気的に接続するものであり、
前記テラヘルツ装置は、
前記電極として第１電極及び第２電極と、
前記導電部として第１導電部及び第２導電部と、
を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜に対して第１方向の両側に設けられており、
前記第１導電部と前記第２導電部とは、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記テラヘルツ素子から互いに離れるように前記第１方向に延びており、
前記テラヘルツ素子は、
発振点と、
前記発振点を介して前記第１方向に離間して対向配置され、前記テラヘルツ装置の高さ方向と前記第１方向との双方と直交する第２方向を長手方向とする第１パッド及び第２パッドを有し、
前記第１導電部は、
前記第１パッドに対して対向し、前記第２方向を長手方向とする第１素子対向部と、
前記第１パッドと前記第１素子対向部との間に設けられ、前記第２方向に複数配列された第１バンプと、
を有し、
前記第２導電部は、
前記第２パッドに対して対向し、前記第２方向を長手方向とする第２素子対向部と、
前記第２パッドと前記第２素子対向部との間に設けられ、前記第２方向に複数配列された第２バンプと、
を有する
テラヘルツ装置。
前記封止材の屈折率である封止屈折率は、空気の屈折率よりも高くかつ前記テラヘルツ素子の屈折率である素子屈折率よりも低い
請求項１～１８のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ素子は、素子基板を有し、
前記素子屈折率は、前記素子基板の屈折率である
請求項１９に記載のテラヘルツ装置。
前記素子基板は、ＩｎＰによって構成されている
請求項２０に記載のテラヘルツ装置。
前記封止材は、エポキシ樹脂によって構成されている
請求項１～２１のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記反射膜は、電気的にフローティング状態である
請求項１～２２のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記反射膜は、前記テラヘルツ素子よりも大きく形成されている
請求項１～２３のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ素子は、前記テラヘルツ装置の高さ方向に対して交差する面として、
発振点を有する素子主面と、
前記素子主面とは反対側の面である素子裏面と、
を有し、
前記テラヘルツ素子は、前記素子主面が前記反射膜を向いた状態で封止されている
請求項１～２４のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ素子は、前記発振点から開口角度の範囲に亘って放射状に電磁波を照射するものであり、
前記反射膜は、前記発振点に対して前記開口角度以上の角度に亘って形成されている
請求項２５に記載のテラヘルツ装置。
前記反射膜はパラボラアンテナ形状である
請求項２５又は２６に記載のテラヘルツ装置。
テラヘルツ装置であって、
電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子と対向する位置に設けられ、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波を一方向に向けて反射させる反射膜と、
前記テラヘルツ素子及び前記反射膜を封止する封止材と、
を備え、
前記テラヘルツ素子は、前記テラヘルツ装置の高さ方向に対して交差する面として、
発振点を有する素子主面と、
前記素子主面とは反対側の面である素子裏面と、
を有し、
前記テラヘルツ素子は、前記素子主面が前記反射膜を向いた状態で封止されており、
前記テラヘルツ素子は、前記発振点から開口角度の範囲に亘って放射状に電磁波を照射するものであり、
前記反射膜は、前記発振点に対して前記開口角度以上の角度に亘って形成されている
テラヘルツ装置。
前記反射膜は、当該反射膜の焦点が前記発振点に位置するように配置されている
請求項２７又は２８に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記反射膜の中心点と前記発振点とが一致している
請求項２７又は２８に記載のテラヘルツ装置。
前記反射膜の中心点と前記発振点との距離は、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波の共振条件を満たすように設定されている
請求項２７又は２８に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ素子は、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記反射膜の中心点と前記発振点とがずれた位置に配置されている
請求項２７又は２８に記載のテラヘルツ装置。
前記素子裏面には、前記テラヘルツ素子から発生する電磁波を反射させる素子反射層が形成されている
請求項２５～３２のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記封止材内に設けられ、前記テラヘルツ素子に対して並列接続された保護ダイオードを備える
請求項１～３３のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
テラヘルツ装置であって、
電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子と対向する位置に設けられ、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波を一方向に向けて反射させる反射膜と、
前記テラヘルツ素子及び前記反射膜を封止する封止材と、
を備え、
前記封止材内に設けられ、前記テラヘルツ素子に対して並列接続された保護ダイオードを備える
テラヘルツ装置。
テラヘルツ装置であって、
電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子と対向する位置に設けられ、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波を一方向に向けて反射させる反射膜と、
前記テラヘルツ素子及び前記反射膜を封止する封止材と、
を備え、
前記封止材は、前記テラヘルツ装置の高さ方向の両端面として装置主面及び装置裏面を有し、
前記反射膜は、前記装置裏面に向けて凸となるように湾曲しており、
前記テラヘルツ素子は、湾曲した前記反射膜の内側に配置されており、
前記テラヘルツ装置は、前記反射膜とは別に前記封止材に封止され、前記テラヘルツ素子及び前記反射膜に対して対向する副反射膜を備え、
前記副反射膜は、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波を前記反射膜に向けて反射させるものであり、
前記反射膜は、前記副反射膜から伝搬された電磁波を前記一方向に向けて反射させるものである
テラヘルツ装置。
前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜と重なる部分に形成された電極と、
前記封止材内に設けられ、前記電極から前記テラヘルツ素子に向けて起立した導電部と、
を備え、
前記導電部は、前記反射膜に形成された貫通孔を介して前記反射膜の内側に入り込んでおり、
前記テラヘルツ素子は、前記導電部に電気的に接続されている
請求項３６に記載のテラヘルツ装置。
前記導電部と前記反射膜とは絶縁されている
請求項３７に記載のテラヘルツ装置。
前記副反射膜は、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見た前記テラヘルツ素子の投影領域内に配置されている
請求項３６～３８のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
テラヘルツ装置であって、
電磁波を受信するテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子と対向する位置に設けられ、入射された電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させる反射膜と、
前記テラヘルツ素子及び前記反射膜を封止する封止材と、
を備え、
前記封止材内には導電部が設けられており、
前記テラヘルツ素子は、前記導電部にフリップチップ実装されており、
前記封止材は、前記テラヘルツ装置の高さ方向の両端面として、
電磁波が入射される装置主面と、
前記装置主面とは反対側の装置裏面と、
を有し、
前記反射膜は、前記装置主面から入射される電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させるものであり、
前記装置裏面には電極が形成されており、
前記導電部は、前記テラヘルツ素子と前記電極とを電気的に接続するものであり、
前記電極は、前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜とは重ならない部分に形成されており、
前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜と重なる部分には、前記反射膜の熱が伝達される放熱電極が形成されている
テラヘルツ装置。
テラヘルツ装置であって、
電磁波を受信するテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子と対向する位置に設けられ、入射された電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させる反射膜と、
前記テラヘルツ素子及び前記反射膜を封止する封止材と、
を備え、
前記封止材内には導電部が設けられており、
前記テラヘルツ素子は、前記導電部にフリップチップ実装されており、
前記封止材は、前記テラヘルツ装置の高さ方向の両端面として、
電磁波が入射される装置主面と、
前記装置主面とは反対側の装置裏面と、
を有し、
前記反射膜は、前記装置主面から入射される電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させるものであり、
前記装置裏面には電極が形成されており、
前記導電部は、前記テラヘルツ素子と前記電極とを電気的に接続するものであり、
前記電極は、前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜と重なる部分と前記反射膜に重ならない部分とに跨って形成されている
テラヘルツ装置。
前記テラヘルツ素子は、前記装置裏面よりも前記装置主面の近くに配置されており、
前記反射膜は、前記テラヘルツ素子よりも前記装置裏面の近くに配置されている
請求項４０又は４１に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ素子は、前記反射膜の方を向いたパッドを有し、
前記導電部は、
前記テラヘルツ素子と前記反射膜との間に設けられ、前記パッドに対して前記テラヘルツ装置の高さ方向に対向する素子対向部と、
前記パッドと前記素子対向部との間に設けられたバンプと、
を備え、
前記テラヘルツ素子は、前記バンプを介して前記素子対向部にフリップチップ実装されている
請求項４０～４２のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
テラヘルツ装置であって、
電磁波を受信するテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子と対向する位置に設けられ、入射された電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させる反射膜と、
前記テラヘルツ素子及び前記反射膜を封止する封止材と、
を備え、
前記封止材内には導電部が設けられており、
前記テラヘルツ素子は、前記導電部にフリップチップ実装されており、
前記封止材は、前記テラヘルツ装置の高さ方向の両端面として、
電磁波が入射される装置主面と、
前記装置主面とは反対側の装置裏面と、
を有し、
前記反射膜は、前記装置主面から入射される電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させるものであり、
前記装置裏面には電極が形成されており、
前記導電部は、前記テラヘルツ素子と前記電極とを電気的に接続するものであり、
前記テラヘルツ素子は、前記反射膜の方を向いたパッドを有し、
前記導電部は、
前記テラヘルツ素子と前記反射膜との間に設けられ、前記パッドに対して前記テラヘルツ装置の高さ方向に対向する素子対向部と、
前記パッドと前記素子対向部との間に設けられたバンプと、
を備え、
前記テラヘルツ素子は、前記バンプを介して前記素子対向部にフリップチップ実装されている
テラヘルツ装置。
前記パッドは、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て長手方向及び短手方向を有する形状であり、
前記素子対向部は、前記パッドの長手方向に延びており、
前記バンプは、前記パッドの長手方向に複数配列されている
請求項４３又は４４に記載のテラヘルツ装置。
前記導電部は、
前記素子対向部、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜からはみ出したはみ出し部、及び前記素子対向部と前記はみ出し部とを繋ぐ接続部を有する素子側導電部と、
前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記テラヘルツ素子及び前記反射膜とは重ならない位置に設けられ、前記はみ出し部及び前記電極の双方と電気的に接続された電極側導電部と、
を備える
請求項４３～４５のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記電極側導電部は、前記テラヘルツ装置の高さ方向に折り曲げられたクランク状に形成されている
請求項４６に記載のテラヘルツ装置。
前記電極側導電部は、
前記はみ出し部に対して前記テラヘルツ装置の高さ方向に対向する第１平坦部と、
前記第１平坦部よりも前記装置裏面の近くに配置され、前記電極に対して前記テラヘルツ装置の高さ方向に対向する第２平坦部と、
前記第１平坦部と前記第２平坦部とを繋ぐものであって、前記第１平坦部から前記第２平坦部に向かうにつれて前記装置裏面に近づくように傾斜した傾斜部と、
を有する
請求項４７に記載のテラヘルツ装置。
前記導電部は、
前記はみ出し部と前記第１平坦部との間に設けられ、前記はみ出し部と前記第１平坦部とを接合する素子側接合部と、
前記第２平坦部と前記電極との間に設けられ、前記第２平坦部と前記電極とを接合する電極側接合部と、
を有する
請求項４８に記載のテラヘルツ装置。
前記素子側導電部は、前記テラヘルツ装置の高さ方向と直交する第１方向に延びており、
前記素子側導電部において、前記テラヘルツ装置の高さ方向と前記第１方向との双方と直交する第２方向を幅方向とすると、
前記接続部の少なくとも一部は、前記素子対向部よりも幅狭に形成されている
請求項４６～４９のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記接続部は、
前記素子対向部よりも幅狭に形成された接続本体部と、
前記接続本体部と前記素子対向部とを繋ぐものであって、前記接続本体部から前記素子対向部に向かうにつれて徐々に幅広に形成された素子側テーパ部と、
を有する
請求項５０に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ装置は、
前記電極として第１電極及び第２電極と、
前記導電部として第１導電部及び第２導電部と、
を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記装置裏面における前記反射膜に対して第１方向にずれた位置にて、前記第１方向と直交する第２方向に並んで配置されており、
前記第１導電部と前記第２導電部とは、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記第２方向に並んだ状態で前記第１方向に延びている
請求項４０～５１のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ素子は、
共振点と、
前記共振点を介して前記第２方向に離間して対向配置され、前記第１方向を長手方向とする第１パッド及び第２パッドを有し、
前記第１導電部は、
前記第１パッドに対して対向し、前記第１方向を長手方向とする第１素子対向部と、
前記第１パッドと前記第１素子対向部との間に設けられ、前記第１方向に複数配列された第１バンプと、
を有し、
前記第２導電部は、
前記第２パッドに対して対向し、前記第１方向を長手方向とする第２素子対向部と、
前記第２パッドと前記第２素子対向部との間に設けられ、前記第１方向に複数配列された第２バンプと、
を有する
請求項５２に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ装置は、
前記電極として第１電極及び第２電極と、
前記導電部として第１導電部及び第２導電部と、
を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜に対して第１方向の両側に設けられており、
前記第１導電部と前記第２導電部とは、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記テラヘルツ素子から互いに離れるように前記第１方向に延びている
請求項４０～５１のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ素子は、
共振点と、
前記共振点を介して前記第１方向に離間して対向配置され、前記テラヘルツ装置の高さ方向と前記第１方向との双方と直交する第２方向を長手方向とする第１パッド及び第２パッドを有し、
前記第１導電部は、
前記第１パッドに対して対向し、前記第２方向を長手方向とする第１素子対向部と、
前記第１パッドと前記第１素子対向部との間に設けられ、前記第２方向に複数配列された第１バンプと、
を有し、
前記第２導電部は、
前記第２パッドに対して対向し、前記第２方向を長手方向とする第２素子対向部と、
前記第２パッドと前記第２素子対向部との間に設けられ、前記第２方向に複数配列された第２バンプと、
を有する
請求項５４に記載のテラヘルツ装置。
テラヘルツ装置であって、
電磁波を受信するテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子と対向する位置に設けられ、入射された電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させる反射膜と、
前記テラヘルツ素子及び前記反射膜を封止する封止材と、
を備え、
前記封止材内には導電部が設けられており、
前記テラヘルツ素子は、前記導電部にフリップチップ実装されており、
前記封止材は、前記テラヘルツ装置の高さ方向の両端面として、
電磁波が入射される装置主面と、
前記装置主面とは反対側の装置裏面と、
を有し、
前記反射膜は、前記装置主面から入射される電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させるものであり、
前記装置裏面には電極が形成されており、
前記導電部は、前記テラヘルツ素子と前記電極とを電気的に接続するものであり、
前記テラヘルツ装置は、
前記電極として第１電極及び第２電極と、
前記導電部として第１導電部及び第２導電部と、
を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記装置裏面における前記反射膜に対して第１方向にずれた位置にて、前記第１方向と直交する第２方向に並んで配置されており、
前記第１導電部と前記第２導電部とは、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記第２方向に並んだ状態で前記第１方向に延びており、
前記テラヘルツ素子は、
共振点と、
前記共振点を介して前記第２方向に離間して対向配置され、前記第１方向を長手方向とする第１パッド及び第２パッドを有し、
前記第１導電部は、
前記第１パッドに対して対向し、前記第１方向を長手方向とする第１素子対向部と、
前記第１パッドと前記第１素子対向部との間に設けられ、前記第１方向に複数配列された第１バンプと、
を有し、
前記第２導電部は、
前記第２パッドに対して対向し、前記第１方向を長手方向とする第２素子対向部と、
前記第２パッドと前記第２素子対向部との間に設けられ、前記第１方向に複数配列された第２バンプと、
を有する
テラヘルツ装置。
テラヘルツ装置であって、
電磁波を受信するテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子と対向する位置に設けられ、入射された電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させる反射膜と、
前記テラヘルツ素子及び前記反射膜を封止する封止材と、
を備え、
前記封止材内には導電部が設けられており、
前記テラヘルツ素子は、前記導電部にフリップチップ実装されており、
前記封止材は、前記テラヘルツ装置の高さ方向の両端面として、
電磁波が入射される装置主面と、
前記装置主面とは反対側の装置裏面と、
を有し、
前記反射膜は、前記装置主面から入射される電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させるものであり、
前記装置裏面には電極が形成されており、
前記導電部は、前記テラヘルツ素子と前記電極とを電気的に接続するものであり、
前記テラヘルツ装置は、
前記電極として第１電極及び第２電極と、
前記導電部として第１導電部及び第２導電部と、
を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜に対して第１方向の両側に設けられており、
前記第１導電部と前記第２導電部とは、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記テラヘルツ素子から互いに離れるように前記第１方向に延びており、
前記テラヘルツ素子は、
共振点と、
前記共振点を介して前記第１方向に離間して対向配置され、前記テラヘルツ装置の高さ方向と前記第１方向との双方と直交する第２方向を長手方向とする第１パッド及び第２パッドを有し、
前記第１導電部は、
前記第１パッドに対して対向し、前記第２方向を長手方向とする第１素子対向部と、
前記第１パッドと前記第１素子対向部との間に設けられ、前記第２方向に複数配列された第１バンプと、
を有し、
前記第２導電部は、
前記第２パッドに対して対向し、前記第２方向を長手方向とする第２素子対向部と、
前記第２パッドと前記第２素子対向部との間に設けられ、前記第２方向に複数配列された第２バンプと、
を有する
テラヘルツ装置。
前記封止材の屈折率である封止屈折率は、空気の屈折率よりも高くかつ前記テラヘルツ素子の屈折率である素子屈折率よりも低い
請求項４０～５７のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ素子は、素子基板を有し、
前記素子屈折率は、前記素子基板の屈折率である
請求項５８に記載のテラヘルツ装置。
前記素子基板は、ＩｎＰによって構成されている
請求項５９に記載のテラヘルツ装置。
前記封止材は、エポキシ樹脂によって構成されている
請求項４０～６０のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記反射膜は、電気的にフローティング状態である
請求項４０～６１のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記反射膜は、前記テラヘルツ素子よりも大きく形成されている
請求項４０～６２のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ素子は、前記テラヘルツ装置の高さ方向に対して交差する面として、
共振点を有する素子主面と、
前記素子主面とは反対側の面である素子裏面と、
を有し、
前記テラヘルツ素子は、前記素子主面が前記反射膜を向いた状態で封止されている
請求項４０～６３のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記反射膜はパラボラアンテナ形状である
請求項６４に記載のテラヘルツ装置。
前記反射膜は、当該反射膜の焦点が前記共振点に位置するように配置されている
請求項６５に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記反射膜の中心点と前記共振点とが一致している
請求項６５に記載のテラヘルツ装置。
前記テラヘルツ素子は、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て、前記反射膜の中心点と前記共振点とがずれた位置に配置されている
請求項６５に記載のテラヘルツ装置。
前記素子裏面には、電磁波を反射させる素子反射層が形成されている
請求項６４～６８のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
前記封止材内に設けられ、前記テラヘルツ素子に対して並列接続された保護ダイオードを備える
請求項４０～６９のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。
テラヘルツ装置であって、
電磁波を受信するテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子と対向する位置に設けられ、入射された電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させる反射膜と、
前記テラヘルツ素子及び前記反射膜を封止する封止材と、
を備え、
前記封止材は、前記テラヘルツ装置の高さ方向の両端面として装置主面及び装置裏面を有し、
前記反射膜は、前記装置裏面に向けて凸となるように湾曲しており、
前記テラヘルツ素子は、湾曲した前記反射膜の内側に配置されており、
前記テラヘルツ装置は、前記反射膜とは別に前記封止材に封止され、前記テラヘルツ素子及び前記反射膜に対して対向する副反射膜を備え、
前記反射膜は、入射された電磁波を前記副反射膜に向けて反射させるものであり、
前記副反射膜は、前記反射膜によって反射された電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させるものである
テラヘルツ装置。
前記装置裏面のうち前記テラヘルツ装置の高さ方向から見て前記反射膜と重なる部分に形成された電極と、
前記封止材内に設けられ、前記電極から前記テラヘルツ素子に向けて起立した導電部と、
を備え、
前記導電部は、前記反射膜に形成された貫通孔を介して前記反射膜の内側に入り込んでおり、
前記テラヘルツ素子は、前記導電部に電気的に接続されている
請求項７１に記載のテラヘルツ装置。
前記導電部と前記反射膜とは絶縁されている
請求項７２に記載のテラヘルツ装置。
前記副反射膜は、前記テラヘルツ装置の高さ方向から見た前記テラヘルツ素子の投影領域内に配置されている
請求項７１～７３のいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。