JP7383239B1 - リフレクトアレイ - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、薄膜化および軽量化を実現するリフレクトアレイを提供することを目的とする。【解決手段】代表的な本発明のリフレクトアレイの一つは、グランド層と、誘電体層と、複数の素子パターンを有する素子パターン層を含むリフレクトアレイであって、前記誘電体層の厚みである厚みｔ（ｍｍ）と、前記複数の素子パターンの長さである素子長ｌ（ｍｍ）が以下の関係式を満たすことを特徴とするものである。また、前記グランド層の表面抵抗値が１００Ω／□以下である。また、前記グランド層または前記素子パターン層の少なくとも一方の層がＣｕもしくはＡｌによって形成される。【数１】TIFF0007383239000011.tif13170【選択図】図１

Description

本発明は、特定周波数の電磁波を反射することができるリフレクトアレイに関する。

第５世代移動通信システム（５Ｇ）では、既存のＬＴＥ（４Ｇ）よりも高周波であるｓｕｂ６帯（３．６ＧＨｚ～）およびミリ波帯の電磁波（２４ＧＨｚ～）が使用される。ミリ波は、伝送情報容量が大きい反面、電磁波の直進性が高く、到達距離が短いという特徴がある。そのため、ミリ波帯の電磁波が使用される場合には、建造物等による遮蔽により電磁波が急激に減衰し、通信品質を確保できない「不感地帯」が発生しやすいという問題がある。基地局や中継機を増設することでこの問題は解決できるが、それにはコストや設置する場所の確保など、様々なハードルが存在する。

リフレクトアレイは、その特殊な構造によって、特定の周波数の電磁波を非対称に反射させることができる反射板である。電磁波を鏡のように正反射する金属反射板とは異なり、反射する周波数帯や、入射方向と反射方向、あるいは反射波の広がり方を、自由に設計することが可能となる。このような特性を利用することによって、不感地帯に対して、基地局を増設することなく、電磁波状況の改善に活用されることが期待される。

上記背景を踏まえ、リフレクトアレイの開発が盛んにおこなわれている。
特許文献１においては、入射波を所望方向に反射するリフレクトアレイは、所定の軸に垂直な表面を有する基板と、基板に設けられた複数の素子とを含み、複数の素子の内の特定の素子は、複数の反射位相の内の特定の反射位相で前記入射波を反射し、複数の素子の各々は、パッチ及び地板を少なくとも有する素子構造を有し、第１の隣接する素子の素子間隔は第２の隣接する素子の素子間隔とは異なるが、第１の隣接する素子のパッチ間の隙間の長さは第２の隣接する素子のパッチ間の隙間の長さに等しい、ことが開示される。
特許文献２においては、中継装置は、金属製の位相シフト要素が交互に置かれた周期配列を備え、配列は、少なくとも１つの軸内において周期的であり、誘電体基材の第１の表面上に形成されており、誘電体基材の反対側の表面が、その上に形成された接地面を有し、それぞれの位相シフト要素は、マイクロ波周波数範囲において、０°～３６０°の位相シフトを提供する。この中継装置は、マイクロ波ネットワーク内で利用することができる、ことが開示される。
特許文献３においては、メタサーフェス反射板が、誘電体基板、誘電体基板の底面に設けられ、全ての向きの偏波に対しメタサーフェス反射板を透過させない金属グラウンド層、および、アーム長の異なる２種以上の十字型の金属共振器を有する複数のスーパーセルを備える、ことが開示される。金属共振器を有するスーパーセルは、誘電体基板の上面に形成され、入射波の垂直偏波および水平偏波を反射させ、所定周波数での電磁波を要求される位相で異常波反射させる回折格子の周期で配列されている、ことが開示される。

特許第５４１０５５８号 特許第７０２６１２４号 特開２０２１－０４８４６５号公報

リフレクトアレイの薄膜化および軽量化は、製造上や施工上のメリットが多くあるものの、先行技術のいずれにおいても十分な検討はなされていない。
そこで、本発明は、薄膜化および軽量化を実現するリフレクトアレイを提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、代表的な本発明のリフレクトアレイの一つは、グランド層と、誘電体層と、複数の素子パターンを有する素子パターン層を含むリフレクトアレイであって、前記誘電体層の厚みである厚みｔ（ｍｍ）と、前記複数の素子パターンの長さである素子長ｌ（ｍｍ）が以下の関係式を満たすことを特徴とするものである。

本発明によれば、薄膜化および軽量化を実現するリフレクトアレイを提供することができる。
上記した以外の課題、構成および効果は、以下の実施をするための形態における説明により明らかにされる。

図１は、第１実施形態に係るリフレクトアレイの断面図である。 図２は、リフレクトアレイの一部を模式的に示す図である。 図３は、十字型の素子パターンを示す図である。 図４は、反射制御領域に関してシミュレーションをした場合の結果の一例を示す図である。 図５は、第１実施形態の変形例に係るリフレクトアレイの断面図である。 図６は、第２実施形態に係るリフレクトアレイの断面図である。 図７は、第２実施形態に係るリフレクトアレイの断面図である。 図８は、第３実施形態に係るリフレクトアレイの断面図である。 図９は、第３実施形態に係るリフレクトアレイの断面図である。 図１０は、第３実施形態に係るリフレクトアレイの断面図である。 図１１は、第３実施形態に係るリフレクトアレイの断面図である。 図１２は、第３実施形態に係るリフレクトアレイの断面図である。 図１３は、第３実施形態に係るリフレクトアレイの断面図である。 図１４は、第３実施形態に係るリフレクトアレイの断面図である。 図１５は、シミュレーションによって反射制御領域が所望の反射位相特性を得られるかどうかの評価結果を示す図である。 図１６は、リフレクトアレイを作成した場合の評価結果を示す図である。 図１７は、素子パターンの形状を示す図である。 図１８は、素子パターンの形状を示す図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付して示している。
また、同一あるいは同様の機能を有する構成要素が複数ある場合には、同一の符号に異なる添字を付して説明する場合がある。また、これらの複数の構成要素を区別する必要がない場合には、添字を省略して説明する場合がある。

なお、本開示において、「面」とは、板状部材の面のみならず、板状部材に含まれる層について、板状部材の面と略平行な層の界面も指すことがある。また、「上面」、「下面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層を図示した場合の、図面上の上方または下方に示される面を意味する。なお、「上面」、「下面」については、「第１面」、「第２面」と称することもある。

また、ｚ軸方向の距離を「厚み」と称することがある。
また、「断面図」は、物の断面の一部または全部を示す場合がある。
また、「所望の反射位相特性を得る」とは、目的とする複数の反射位相を生じさせる特性があることをいう。たとえば、あるパラメータを所定の範囲で変化させた場合に反射位相の上限値と下限値の差を所望の位相差とすることができるとき、または、あるパラメータを所定の範囲内で変化させた場合に目的とする複数の反射位相を得ることができるとき、「所望の反射位相特性を得る」ことができるという。

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係るリフレクトアレイ１の断面図である。リフレクトアレイ１は、グランド層１１と、誘電体層１２と、素子パターン層１３、を含む。素子パターン層１３は、複数の素子パターン１４を有する層である。なお、後述するように、素子パターン層１３の厚みｔｐは、例えば、１０ｎｍ以上１８μｍ以下である。

（グランド層）
グランド層１１は、リフレクトアレイ１に到達する電磁波を反射させるために設けられる。また、後述する誘電体層１２を支持および保護するために用いられる。グランド層１１の材料として、無機酸化物材料、金属材料や導電性を有する有機材料など、導電性を有する材料が用いられる。

例えば、無機酸化物材料および金属材料としては、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛アルミニウム（ＡＺＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）、酸化スズアンチモン、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ａｇ－Ｃｕ、Ｃｕ－ＡｕおよびＮｉなどが用いられる。また、これらの材料のうちの少なくとも１つを含むナノ粒子、またはナノワイヤーを用いてもよい。導電性を有する有機材料としては、ポリチオフェン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、カーボンナノチューブ、グラフェン等が挙げられる。特に材料コスト、導電性、製膜性の観点から、ＣｕやＡｌが好ましい。また、電磁波を反射させるためにはグランド層１１の表面抵抗値が１００Ω／□以下であることが望ましく、この条件を満たすことができれば無機酸化物材料、例えばＩＴＯ、有機材料、例えばポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）との混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などを用いることもできる。無機酸化物材料や有機材料を用いることによって、透明性を有するリフレクトアレイを作製することもできる。

上記材料を用いる形態としては連続膜、メッシュ状、パンチング形状、周期性構造が挙げられる。

ここで、メッシュとは、導体の平面に網目状の透孔（開口）が空いた状態をいう。導体がメッシュ状に形成される場合、メッシュの目は方形であってもよく、菱形であってもよい。メッシュの目を方形に形成する場合、メッシュの目は正方形であることが好ましい。メッシュの目が正方形であれば、意匠性が良い。また、自己組織化法によるランダム形状でもよい。ランダム形状にすることでモアレを防ぐことができる。金属をメッシュ状に加工する場合、金属板のパンチング加工、金属板のエッチング等の方法を採用することが可能である。

グランド層がメッシュ状である場合や、透明導電材料を使用した場合、リフレクトアレイが可視光透過性を示し、設置後の景観を保つことを可能にする。

グランド層１１をメッシュ状にする場合、メッシュの線幅は、５μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、６μｍ以上１５μｍ以下がより好ましい。メッシュの線間隔は、５０μｍ以上５００μｍ以下が好ましく、１００μｍ以上３００μｍ以下がより好ましい。また、メッシュの線間隔は、動作周波数（以下、「設計周波数」ともいう。）における波長をλ_０（ｍｍ）としたとき、０．５×λ_０以下であることが好ましく、０．１×λ_０以下であることがより好ましく、０．０１×λ_０以下であることがさらに好ましい。メッシュの線間隔が０．５×λ_０以下であれば、グランド層１１としての性能を発揮させることができる。また、メッシュの線間隔は、０．００１×λ_０以上であってもよい。

グランド層１１に無機酸化物材料または金属材料を用いる場合、グランド層１１の厚さは１８μｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以上２μｍ以下の範囲とすることがより好ましい。膜厚が５０ｎｍ以上であると、ピンホールの無い、均一な膜を形成しやすく、グランド層１１としての機能をより十分に果たすことができる。一方、膜厚が２μｍ以下であると、十分なフレキシビリティを保持させることができ、折り曲げ、引っ張りなどの外的要因により、グランド層１１に亀裂が生じることを抑制することができる。グランド層１１を１μｍ以下とすることで可撓性が向上し、曲面等への貼りつけがしやすくなる。また、軽量化も可能となる。

グランド層１１の形成方法として、金属材料を用いる場合であれば、スパッタ法や蒸着法などのドライコーティング、金属材料をインキ化することによりグラビアコーティング、ダイコーティングなどのウェットコーティング、めっき処理などの表面処理、等から選択することが可能である。または、グランド層１１として、金属板を圧延したものを用いてもよい。無機酸化物材料を用いる場合であれば、グランド層１１の形成方法として、ドライコーティングを選択することができる。有機材料を用いる場合であれば、グランド層１１の形成方法として、ウェットコーティングを選択することができる。また、塗装やスプレー法で形成してもよい。

グランド層の形態がめっき処理や蒸着法等で形成された薄膜の場合、リフレクトアレイの可撓性を向上させることが可能であり、それにより曲面での使用やロールｔｏロールでの生産プロセスを実施することが可能となる。

また、電磁波の反射効率を高めるため、グランド層による損失を低減させることが挙げられる。そのため、グランド層の表面粗さは小さいほうが好ましい。

グランド層の形態が周期性構造である場合、特定の周波数を選択的に反射または透過させる機能が発現し得る。例えば、パッチ状の導電パターンが周期的に配置された構造をグランド層として使用した場合、特定の周波数のみを反射させることが可能となるため、動作周波数以外の周波数を透過させる機能を付与することができる。また、導電材料が存在しない箇所をホールとして周期的に設けた構造を使用した場合、動作周波数を非対称反射させつつ、特定の周波数のみを透過させるリフレクトアレイを設計することが可能である。

本開示においては、ＪＩＳ－Ｋ－７１９４に準拠し、表面抵抗測定を行う。表面抵抗測定方法としては、四端子法、二端子法、四探針法、誘電体法、渦電流法など、測定法を適宜選択しうる。グランド層１１の表面抵抗値は、例えばロレスターＧＰ ＭＣＰ－Ｔ６１０（商品名、株式会社三菱化学アナリテック製）を用いて測定することができる。

（誘電体層）
図１において、誘電体層１２の厚みをｔとする。誘電体層１２としては、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、塩化ビニル、ウレタン、アクリル、アクリルウレタン、ポリオレフイン、ポリエチレン、ポリプロピレン、シリコ一ン、ポリエチレンテレフタレ一卜、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネー卜、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリテトラフルオロエチレン、シクロオレフィンポリマー、エポキシ等の合成樹脂や、ポリイソプレンゴム、ポリスチレンブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴ厶、アクリロニトリル－ブタジエンゴムブタジエンゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレンプロピレンゴムおよびシリコ一ンゴム等の合成ゴム材料を樹脂成分として用いることができる。また、これら樹脂成分を、ガラス繊維や合成繊維、不織布、紙に含浸させたものを用いてもよい。とりわけ、安価で汎用性に優れている点から、ポリエチレンテレフタレ一卜（ＰＥＴ）を用いることが好ましい。なお、これら樹脂材料および合成ゴム材料は、単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。また、誘電体層１２は、単層あるいは複層とすることもできる。また、誘電体層１２は、上記材料を発泡化した発泡体を使用してもよい。また、発泡体としては、柔軟性の高い発泡体が好ましく用いられる。

誘電体層１２の比誘電率は、１以上２０以下の範囲にあることが好ましく、１以上１０以下の範囲にあることがより好ましく、２以上４以下の範囲にあることがさらに好ましい。比誘電率が上記範囲内であると、リフレクトアレイ１において所望の反射位相特性を得やすい傾向にある。また、誘電正接は０．００００５以上０．０１以下の範囲にあることが好ましく、０．００００５以上０．００１以下の範囲にあることが好ましい。上記範囲内であると、誘電損失の少ないリフレクトアレイ１を作製できる。

誘電体層１２は、例えば、ダイコーティングやコンマコーティング、グラビアコーティングなどのウェットコーティング、Ｔダイ法やインフレーション法などの溶融押出法、カレンダー製膜法、溶液流延法、熱プレス法などを用いて形成することができる。また、複数の樹脂を多層に押し出してフィルムを製膜する共押出法を用いてもよい。

誘電体層１２の厚みｔは、設計周波数により適宜選択される。設計周波数を２８ＧＨｚとした場合、４０μｍ以上２５０μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましい。薄すぎると反射位相の確保が困難となり、リフレクトアレイ１の設計が難しくなる。一方で、厚すぎても、反射位相の確保が困難となる、可撓性がなくなる、リフレクトアレイ１の総厚が厚くなるなどの傾向があり、省スペース化が難しくなる。このため、誘電体層１２の厚みｔは、２５０μｍ以下が好ましい。設計周波数を６０ＧＨｚとした場合、誘電体層１２の厚みｔは１０μｍ以上２５０μｍ以下であることが好ましい。設計周波数が１００ＧＨｚ以上になる場合、誘電体層１２の厚みｔを数μｍ以上１００μｍ以下程度にすると、リフレクトアレイ１を設計しやすい。誘電体層１２の厚みｔを２５０μｍ以下とした場合でも後述する素子パターン１４の素子長ｌとの関係によっては十分な反射位相を確保できない場合がある。後述する式（６）および式（７）の素子長ｌと誘電体層１２の厚みｔの間の関係式および誘電体層１２の厚みｔの関係式の両方を満たすことによって、リフレクトアレイ１の作製が可能となる。誘電体層１２の厚みｔが１μｍ以下になると、上記の形成方法を用いた場合に、誘電体層１２を安定して形成しにくい傾向にある。

上記の材料のほかに、誘電体層１２は、金属化合物を樹脂成分に含めたもので構成してもよい。誘電体層１２における金属化合物の種類およびその含有量に応じて、誘電体層１２の密度および誘電率を調整することができる。誘電体層１２に金属化合物を含めることによって、難燃性が高まり、延焼防止効果を付与することができる。金属化合物として、チタン酸バリウム、酸化チタンおよび酸化亜鉛などが挙げられる。金属化合物の態様は、粉末（例えば、ナノ粒子）であることが好ましい。

誘電体層１２の厚みｔはマイクロメーター法（ＪＩＳ－Ｃ－２１５１）を用いてもよい。また、厚みの測定法として、分光干渉式膜厚測定器、電磁式膜厚計、渦電流式膜厚計、赤外線膜厚計、超音波膜厚計、エリプソメーター法などを用いてもよい。また、顕微鏡による膜厚測定法として、顕微鏡写真法、視野微尺法、接眼微尺法、走査型電子顕微鏡法などを用いて測定してもよい。

（素子パターン層）
素子パターン層１３は、入射してきた電磁波を非対称反射させ、対称反射とは異なる方向へ反射させるために設けられる。素子パターン層１３の厚みｔｐは、例えば、１０ｎｍ以上１８μｍ以下である。柔軟性、製膜性を考慮すると、電磁波を非対称反射させる機能に影響のない範囲内であれば、より薄いことが好ましい。

素子パターン層１３は、表面抵抗値が１００Ω／□以下であることが好ましい。素子パターン層１３に用いる材料としては、例えば、導電性を有する材料で構成されている。かかる材料としては、グランド層１１に用いられる材料と同じ材料を用いることが可能である。導電性を有する無機材料または有機材料を誘電体層１２上に製膜してもよい。柔軟性、成膜性、安定性、シート抵抗値および低コストの観点から、後述する形成方法として、蒸着法により製膜されたものを素子パターン層１３として用いることが好ましい。

上記材料を用いる形態としては連続膜、メッシュ状、パンチング形状が挙げられる。

素子パターン層１３の形成方法として、誘電体層１２上に、導電性を有する材料を全面に形成し連続膜としたのち、加工により、素子パターン層１３を形成する方法、または、直接、誘電体層１２上に素子パターン層１３を形成する方法をとることができる。

誘電体層１２上に、導電性を有する材料を全面に連続膜として形成する方法として、金属であれば、スパッタ法や蒸着法などのドライコーティング、めっき処理や金属インキを用いるグラビアコーティング、ダイコーティングなどのウェットコーティング、等から選択することが可能である。または、金属板を圧延したものを誘電体層１２に貼り合せることができる。同様に無機酸化物材料であればドライコーティング、有機系材料であれば、ウェットコーティングにより、連続膜を形成することができる。また、塗装やスプレー法を用いてもよい。

形成した連続膜に対しては、ドライエッチングやウェットエッチング、切削などの除去加工を用いて不要部分を取り除くことにより、素子パターン層１３が形成される。

エッチング法にて除去加工を行う場合、リフレクトアレイ１を構成する素子パターン１４の端部にＲがついたり（言い換えると、丸みを帯びた状態になったり）、ピンホールの発生、断面形状が順テーパー形状や逆テーパー形状となったり、アンダーカットまたはオーバーエッチングの発生などが起こりうる。こうした、エッチングの加工で形状変化が起きることが想定されるが、反射した電磁波のうちメインビームの方向が設計した反射角度の±５°程度の範囲であれば反射位相特性として許容されるものとする。切削や印刷法、ドライコーティング、めっき処理、塗装やスプレー法で形成した場合も同様に許容される。

エッチング法を用いた場合、図１に示される素子パターン１４の断面形状は、－ｚ軸方向に裾が広がるような形状である順テーパー形状であることが好ましい。順テーパー形状であることにより、素子パターン１４の表面積が大きくなり、後述する機能層の積層時に機能層との密着力を大きくすることが可能となる。

なお、誘電体層１２上に素子パターン層１３を直接形成する方法として、凸版印刷、平版印刷、凹版印刷、孔版印刷、転写印刷などを用いて印刷する方法や、誘電体層１２にマスキングテープやマスキング剤等で素子パターン１４部分以外をマスキング処理し、素子パターン層１３をドライコーティングやめっき処理、塗装やスプレー法を用いることで、形成することもできる。

素子パターン層１３の材料は、グランド層１１と同一のものを用いてもよいし、異なる材料を用いてもよい。なお、例えば、グランド層１１または素子パターン層１３の少なくとも一方の層がＣｕもしくはＡｌによって形成されることとすることも可能である。Ｃｕは導電性に優れるため、導体損失を低減することができる。Ａｌは密度が小さく軽量でありまたコストが低いため、軽量かつ安価なリフレクトアレイ１を形成できる。また、少なくとも一方の層の厚みは１μｍ以下とすることができる。１μｍ以下とすることによって可撓性が向上し、リフレクトアレイ１の曲面等への設置がしやすくなり、また軽量化を実現することが可能となる。

素子パターンがメッシュ状である場合、メッシュの線幅は、５μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、６μｍ以上１５μｍ以下がより好ましい。メッシュの線間隔は、５０μｍ以上５００μｍ以下が好ましく、１００μｍ以上３００μｍ以下がより好ましい。また、メッシュの線間隔は、動作周波数における波長をλ_０としたとき、０．５×λ_０以下であることが好ましく、０．１×λ_０以下であることがより好ましく、０．０１×λ_０以下であることがさらに好ましい。メッシュの線間隔が０．５×λ_０以下であれば性能を担保することができる。また、メッシュの線間隔は、０．００１×λ_０以上であってもよい。

素子パターンがメッシュ状である場合や、透明導電材料を使用した場合、リフレクトアレイが可視光透過性を示し、設置後の景観を保つことを可能にする。

素子パターンの形態が薄膜の場合、リフレクトアレイの可撓性を向上させることが可能であり、それにより曲面での使用やロールｔｏロールでの生産プロセスを実施することが可能となる

また、電磁波の反射効率を高めるため、素子パターンによる損失を低減させることが挙げられる。そのため、素子パターンの表面粗さは小さいほうが好ましい。

（設計方法）
図２は、リフレクトアレイ１の一部を模式的に示す図である。図２は、反射制御領域１０を示す。反射制御領域１０は非対称な反射を実現し得る領域の単位である。リフレクトアレイ１は、ｘｙ平面において、複数の反射制御領域１０を含む。素子パターン層１３には、複数の素子パターン１４ａ～１４ｄが含まれる。

リフレクトアレイ１の設計は以下の手順に従って実施する。まず、反射制御領域１０の長辺の長さＬを以下の式（１）にて決定する。ここで、Ｌは反射制御領域の長辺の長さ、λ_０はリフレクトアレイ１に適用される電磁波の波長（以下、「動作（設計）周波数における波長」ともいう。）、θｉは入射角、θｒは反射角である。なお、入射角θｉおよび反射角θｒは、ｚｘ面において測定される値である。

次に反射制御領域１０の長辺の長さＬをｎ分割した長さ（Ｌ／ｎ）を、１つの素子パターンが収まるセルとし、単位セルと定義する。単位セルの面積は単位セルサイズ（Ｌ／ｎ）を１辺にもつ正方形とする。図２においては、反射制御領域１０は長辺が４分割されており、単位セルＵＣａからＵＣｄが含まれている。単位セルＵＣａには素子パターン１４ａが含まれる。単位セルＵＣｂには素子パターン１４ｂが含まれる。単位セルＵＣｃには素子パターン１４ｃが含まれる。単位セルＵＣｄには素子パターン１４ｄが含まれる。

次いで、各反射制御領域において要求される反射位相を以下の式（２）で求める。ここでＺｓ（ｘ）は、反射制御領域１０のｘｙ平面におけるｘ方向の表面インピーダンスの関数であり、損失のない反射を実現する場合を示す。また、１２０πは入射波のインピーダンスである。表面インピーダンスの式は以下の式（３）のとおりである。ここで、Φｒ（ｘ）は、以下の式（４）で示される、反射係数の位相である反射位相を示す。各式から式（５）に示される反射位相（Ｒの偏角）を満たすよう、セルの位置ごとに素子形状を決定する。つまり、入射角θｉ、反射角θｒ、電磁波の波長λ_０を決定すれば、反射制御領域１０の長辺方向にある座標における反射位相の値を算出することができる。

（素子パターンに関する設計方法）
上記方法によって反射位相を求めた後、各単位セルにおける反射位相を満たすよう、素子パターン１４の形状を変化させ、シミュレーションを行い、素子パターン１４の形状の最適化を行う。素子パターンに電磁波が入射した場合に、素子パターン１４の形状と反射位相との間の関係は、例えば電磁解析ツール（High Frequency Structure Simulator：ＨＦＳＳ）等を用いたシミュレーションにより求めることができる。素子パターン形状としては例えば、クロスパッチ（十字型）のもの（素子パターン１４ａおよび１４ｃ）、方形のもの（素子パターン１４ｂおよび１４ｄ）があげられる。

素子パターン１４がクロスパッチの場合を説明する。図３は、クロスパッチの素子パターン１４を示す図である。クロスパッチは、ｘｙ平面において、２つの方形パッチが直交した形状を指す。素子パターン１４は、素子パターン層１３が有する複数の素子パターンのうちの１つの素子パターンである。クロスパッチの素子パターン１４の長さを素子長ｌ、クロスパッチの素子パターン１４の幅を素子幅ｗとする。素子長ｌおよび素子幅ｗのどちらか、または両方を変化させ、単位セルＵＣの反射位相を制御する。素子長ｌを固定する場合、素子長ｌの値を単位セルＵＣ内においてできるだけ大きく設定することが望ましい。大きく設定することにより、所望の反射位相特性を得ることが容易になる。また、素子幅ｗを固定する場合、素子幅ｗの値を単位セルＵＣ内においてできるだけ大きく設定することが望ましい。素子幅ｗの値を大きく設定することにより、反射位相の傾きが緩やかになる為、加工時の加工精度が広がる。なお、素子長ｌは、クロスパッチの素子パターンに限定して設定されるものではなく、他の形状を有する素子パターンにも設定され得る。また、素子長ｌは、反射制御領域１０において共通の長さを設定することも可能であるし、反射制御領域１０に含まれる素子パターンごとに異なる長さを設定することも可能である。

（誘電体層に関する設計方法）
上記設計に加え、誘電体層１２の厚みｔ（ｍｍ）と素子長ｌ（ｍｍ）の間の関係について検討を行った結果、次の式（６）の関係式を満たす場合に所望の反射位相特性を得ることができることを見出した。式（６）を満たすことによって、薄膜化したリフレクトアレイ１を得ることができる。ここで、ｌ≧４．４×ｔである場合に所望の反射位相に得ることができ、一方、ｌ＜４．４×ｔとなると、良好な反射位相が得られないことが分かった。また、誘電体層１２の厚みｔが０．２５ｍｍよりも大きくなると可撓性を有するリフレクトアレイ１の作製が難しくなり、また誘電体層１２の厚みｔが０．００１ｍｍよりも小さくなると誘電体層１２の形成が難しくなることが分かった。

また、動作周波数（動作周波数における波長λ_０（ｍｍ））と誘電体層１２の厚みｔ（ｍｍ）の関係についても検討を行い、次の式（７）の関係式を満たす場合に所望の反射位相特性を得ることができることを見出した。式（７）を満たすことで、所望の反射位相を得ることができ、一方、式（７）を満たさない場合、良好な反射位相が得られないことが分かった。

（反射位相の例）
図４を参照して、反射位相の性質を説明する。図４は、単位セルに関してシミュレーションをした場合の結果の一例を示す図である。
電磁界解析ツールＨＦＳＳにて素子長ｌを固定とし、素子幅ｗを変化させ、反射位相のシミュレーションを行う場合、一般的に、グラフＡ～Ｃに示されるような位相変化を検出することができる。なお、グラフＡ～Ｃは、グランド層１１と誘電体層１２と素子パターン層１３の構成を共通であるが、誘電体層１２の厚みｔをグラフＡは４０μｍ、グラフＢは２００μｍ、グラフＣは８００μｍとしてした。素子長ｌは３．００ｍｍである。例えば破線で示す１５０°、５０°、－１００°の３点を反射位相の範囲に含めようとする場合に、グラフＢでは３点すべてを含むことができている。このようにグラフＢの反射位相特性においては、素子幅ｗを所定範囲内で変化させた場合、反射位相の上限値と下限値の差を所望の位相差とすることができることから、目的とする複数の所望の反射位相を得ることが可能となる。すなわち、グラフＢにおいて「所望の反射位相特性を得る」ことができる。なお、ここで「所望の位相差」は３６０°に近い値をとるのが望ましいが、これに限定されるわけではない。また「目的とする複数の所望の反射位相」とは３６０°の中でほぼ均等に分散した複数の反射位相の値であることが望ましい。図４の場合においては、例えば、素子幅ｗは単位セルのサイズの上限があり、素子幅ｗに３ｍｍ以下の制限がある場合であっても、反射位相が１５０°となる素子パターンを含む単位セル、反射位相が５０°となる素子パターンを含む単位セル、反射位相が－１００°となる素子パターンを含む単位セルをそれぞれ形成することができる。これら単位セルを少なくとも含む反射制御領域１０とすることによって、所望の動作周波数で機能するリフレクトアレイ１を形成することができる。なお、素子幅ｗの所定範囲はリフレクトアレイ１とした場合の大きさに基づいて決定される。また、目的とする複数の反射位相は、リフレクトアレイ１に要求される反射位相特性に基づいて決定される。図４では素子幅ｗを所定範囲内で変化させたが、素子長ｌを所定範囲内で変化させてもよい。その場合も素子長ｌが所定範囲内で変化した場合に「所望の反射位相特性を得る」ことができる構成が望ましい。

一方で、グラフＡやグラフＣに示される反射位相の変化を見てみると、グラフＡでは、５０°および－１００°の位相を得ることができない。また、グラフＣでは、１５０°および５０°の反射位相を得ることができない。このように、所定範囲の素子幅ｗにおいて目的とする複数の反射位相を得ることができないため、グラフＡおよびグラフＣにおいては「所望の反射位相特性を得る」ことができない。

なお、クロスパッチの素子パターン１４の場合を説明したが、上述の設計方法はクロスパッチでないその他の形状をもつ素子パターンにも適用可能である。その他の形状としては、円形状や正方形状、など任意の形状を選択できるが、垂直または水平の偏波に対応させることを考慮すると９０°回転において対称性が保たれるような構造が望ましい。
上述の設計方法においては、素子長ｌおよび素子幅ｗを決定して、素子パターンを設計したが、「所望の反射位相特性を得る」ような素子パターンの配置を調整するパラメータは素子長ｌや素子幅ｗに限られるものではなく、素子パターンに応じて適宜特定すればよい。

（製造方法）
リフレクトアレイ１は、次のように製造することができる。
まず、誘電体層１２を形成する。誘電体層１２はフィルム状に形成する。
続いて、誘電体層１２の一方の面上にグランド層１１を形成する。また、誘電体層１２の残りの面上に素子パターン層１３を形成するための連続膜を形成する。グランド層１１および連続膜の形成方法は、膜厚に応じて、スパッタ法、蒸着法、めっき処理などから適宜選択する。また、素子パターン層１３の形成には、金属板を圧延したものを用いることも可能である。
次に、連続膜をエッチング法により、目的とする素子パターンの形状に加工し、素子パターン層１３を形成する。これにより、グランド層１１、誘電体層１２、素子パターン層１３の順に積層されたリフレクトアレイ１を得ることができる。

上記のように、製造方法には、誘電体層１２上にグランド層１１を形成する工程、素子パターン層１３を形成する工程が含まれる。グランド層１１を形成する方法は、上記記載のほか、金属ペーストや導電性インキなどを印刷により、形成する方法でもよい。素子パターン層１３を形成する方法は、上記の他、誘電体層１２全体に導電性を付与し、一部を取り除くことによってパターンを形成する方法、誘電体層１２上に直接素子パターン層１３を形成する方法のいずれかを用いてもよい。

（評価方法）
シミュレーションによって所望の反射位相が得られるかどうか評価を行い、得られる場合にはリフレクトアレイを設計および作製し、反射特性の評価を行う。反射特性の評価は送信機を固定（サンプルに対し、垂直に入射）し、リフレクトアレイを介し、設計角度に反射された電磁波を受信機を用いて受信するバイスタティック方式にて評価を行う。その後、反射特性の評価を行ったサンプルを内径６インチ、肉厚８ｍｍのコアに巻き付け、１分間保持し、外観に異常がないか（折れや曲げ跡など）、形状がもとに戻るかなど曲げ評価を行う。その後、曲げ評価後特性として、再び反射特性の評価を行い、曲げ評価前後で反射特性に影響がないか確認を行う。なお、曲げ評価指標としてヤング率やコアへの巻き付けにて評価を行っているが、任意の曲率半径での屈曲性試験、曲げ剛性などの指標で評価することも可能である。

［第１実施形態の変形例］
図５は、第１実施形態の変形例に係るリフレクトアレイ１ａの断面図である。第１実施形態の変形例は、誘電体層１２が複数ある。以下の説明において、上述の第１実施形態と同一または同等の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略または省略する。

リフレクトアレイ１ａは、誘電体層１２上に、誘電体層１２ａが形成されている。誘電体層１２ａ上に、素子パターン層１３が形成されている。誘電体層１２ａは、誘電体層１２を形成する材料のうち、誘電体層１２に採用した材料とは異なるものを選択することが可能である。製造方法についても、誘電体層１２に採用可能な製法と同じものを選択することができる。誘電体層１２ａの厚みｔａについても、適宜設定することができる。
なお、リフレクトアレイ１ａは、誘電体層１２と誘電体層１２ａの２層を含む構成であるが、構成はこれに限定されない。誘電体層は３層以上であってもよい。
このように、誘電体層の層数または厚みを変更することによって、反射位相特性および反射特性を変更することが可能となる。

［第２実施形態］
第２実施形態は、密着向上層を設ける点で、第１実施形態と異なる。図６および図７は、第２実施形態に係るリフレクトアレイの断面図である。以下の説明において、上述の第１実施形態と同一または同等の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略または省略する。

誘電体層１２とグランド層１１の間、または誘電体層１２と素子パターン層１３の間において層間の密着が得られない場合に、密着性を向上させる層である密着向上層を形成することができる。密着向上層としては、例えば、層同士の接着を用意にする易接着層や、層同士を接着する接着力をもつ接着層を採用することができる。

密着向上層の形成方法としては、様々なバリエーションが考えられる。例えば、図６（１）のリフレクトアレイ１ｂに示されるように、誘電体層１２とグランド層１１の間に密着向上層１５、誘電体層１２と素子パターン層１３との間に密着向上層１６を形成することが可能である。また、両方に密着向上層がある場合以外にも、図６（２）のリフレクトアレイ１ｃに示されるように誘電体層１２とグランド層１１の間のみ、また図６（３）のリフレクトアレイ１ｄに示されるように誘電体層１２と素子パターン層１３の間のみ、に付与してもよい。また、図７（１）のリフレクトアレイ１ｅおよび図７（２）のリフレクトアレイ１ｆに示されるように、素子パターン層１３の配置に合わせて密着向上層を設けてもよい。

誘電体層１２とグランド層１１の間および誘電体層１２と素子パターン層１３の間の両方に密着向上層がある場合、それぞれ密着向上層は同一の材料を用いてもよいし、異なる材料を用いてもよい。また、密着向上層は、２層以上の層によって構成されるものでもよいし、複数材料を組み合わせた構成であってもよい。
なお、図６（３）に示される密着向上層１６は、誘電体層１２の一面を覆うように形成されている。誘電体層１２が外の環境にさらされることを抑制できるため、誘電体層１２の劣化を抑制する効果が期待される。このように、密着向上層の形成方法によって、層の保護をすることも可能である。
（構成の一例）
１， 誘電体層１２とグランド層１１の間および誘電体層１２と素子パターン層１３の間の両方に密着向上層がある場合（図６（１）、図７（２））
２， 誘電体層１２とグランド層１１の間のみに密着向上層がある場合（図６（２））
３， 誘電体層１２と素子パターン層１３の間のみに密着向上層がある場合（図６（３）、図７（１））

［第３実施形態］
第３実施形態は、機能層を設ける点で、第１実施形態と異なる。図８から図１４は、第３実施形態に係るリフレクトアレイの断面図である。以下の説明において、上述の第１実施形態と同一または同等の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略または省略する。

（機能の付加）
リフレクトアレイは、必要に応じて機能を付加することができる。付加される機能として、例えば、劣化防止性、意匠性、保護・耐擦傷性、防水性、ガス・水蒸気バリア性、難燃性、不燃性、自己消火性、耐候性、防汚、抗菌・抗ウィルス、耐薬品、消臭性、粘着・接着性などが挙げられる。これらの機能を１つ付加させてもよいし、複数を組み合わせてもよい。

機能を付加する方法としては、リフレクトアレイに、機能を有する層である機能層１７を加えてもよいし、誘電体層１２を形成する際に機能を生じさせる材料を混合させてもよい。また、リフレクトアレイに機能を有する材料を用いてコーティング加工等を施すこともできる。

機能層１７は、目的に応じて、素子パターン層１３、グランド層１１、および誘電体層１２の少なくとも一つに形成することができる。また、機能層１７は、素子パターン層１３、グランド層１１、誘電体層１２の全面に形成することもできるし、いずれかの層の一部のみに形成してもよい。

（機能の例）
〇耐候性
リフレクトアレイの劣化の原因として、大気中に曝したことによる酸化や水蒸気の吸収、太陽光などの光（紫外線）による変質、が考えられる。酸素や水蒸気による劣化を防ぐために、リフレクトアレイの表面にガスバリア性に優れた層を付与することが考えられる。また、特に酸素による劣化を防ぐには、機能層の酸素透過度が５００ｃｃ／ｍ^２・ａｔｍ・ｄａｙ以下であることが好ましい。この条件を満たすことができれば、フィルムを積層してもよいし、オーバーコート層をドライコーティングまたはウェットコーティングにより付与してもよい。またこれらの層は単層でもよいし、複数を組み合わせたり、積層したりしてもよい。

また、誘電体層１２の劣化を防ぐために、誘電体層１２の形成時に酸化防止剤や劣化防止剤、抗酸化素材を添加してもよい。
同様に水蒸気による劣化を防ぐ場合、水蒸気透過度が３００ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下である層を設けることが好ましい。
太陽光などからの光を防ぐ場合、はＵＶカット性を有するフィルムや遮光性を有する層を付与することが考えられる。また、紫外線散乱剤、紫外線吸収剤や光安定剤を添加してもよい。

〇意匠性
リフレクトアレイを例えば建物の外装または内装に設置する場合、空間との調和を持たせるために、意匠性を付与することが考えられる。具体的には、意匠を施したシート状の素材を接着剤を用いてリフレクトアレイに貼り合せる、または、シート状の素材を熱・圧力をかけてリフレクトアレイに溶着させて貼り付ける、等によって意匠性を付与することができる。

〇保護・耐擦傷性
保護・耐擦傷性とは、リフレクトアレイに傷がつくことを防止したり、リフレクトアレイそのものの劣化を防止したりする機能のことである。このような機能を付与する方法として、リフレクトアレイにコーティング加工を施して表面硬度を高めたり、ハードコートフィルムを積層したりすることができる。保護・耐擦傷性の評価として、ＪＩＳ Ｋ５６００－５－４にもとづく鉛筆硬度試験にて実施し、Ｈ以上であることが好ましい。また、スチールウール（＃００００）を用いて荷重１，０００ｇｆ／ｃｍ^２で擦った時に、往復摺動回数が１０００回を超えるまでは傷が生じないことが好ましい。

〇難燃性、不燃性、自己消火性
リフレクトアレイに難燃性、不燃性を付与する方法として、建築基準法に規定される防火認定が適用された不燃材料、準不燃材料、難燃材料を積層することにより付与できる。例えば難燃繊維や難燃プラスチック、不燃塗料、難燃塗料などがある。難燃繊維としてハロゲン系化合物、リン系化合物、ビニロン繊維、ポリエーテルイミド繊維、アラミド繊維、ポリエステル繊維、ビニロン繊維、などがある。難燃プラスチックとして、プラスチック材料にハロゲン系、リン系、水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウムなどの無機系難燃剤を添加したものがある。
また、自己消火性を有する材料として、ナイロン、ポリカーボネート、塩化ビニルなどが挙げられる。
形成方法としては、これらの材料を用いたものを積層するほか、誘電体層１２を形成する際にこれらの材料を混合させてもよい。また、難燃プラスチックや繊維であれば、そのまま誘電体層１２の材料として用いることもできる。

〇防汚、抗菌、抗ウィルス性
リフレクトアレイに防汚性を付与する方法として、親水性や撥水性を有する基材を積層したりコーティングしたりすることが感がられる。親水性を有する材料として、光触媒材料やシリカ系材料などを用いることができる。撥水性を有する材料として、フッ素樹脂系、シリコーン系などの材料を用いることができる。抗菌、抗ウィルス性材料として光触媒材料、塩素系、カチオンポリマーを成分とする有機系、銀や亜鉛など金属担持系などが含まれた材料を用いることができる。形成方法としては、これら材料フィルムとして積層するまたはコーティング加工に用いる、誘電体層１２の形成時に混合する、等の方法を採用することができる。

（構成）
機能層の形成方法としては、様々なバリエーションが考えられる。例えば、図８および図９に示されるように、グランド層１１およびパターン層１３に機能を有する層を積層する、または、図１０に示されるように、電体層１２に付加機能を有する材料を含ませる構成とすることもできる。

ここで、図８（１）においては、グランド層１１の－ｚ軸方向を向く面に機能層１７が形成され、また素子パターン層１３上に機能層１７が形成される。また、図８（２）において、誘電体層１２上に機能層１７が形成される。図８（３）において、機能層１７は、素子パターン１４を覆うように形成されており、素子パターン１４がない箇所には形成されていない。
また、図９（１）において、機能層１７は、素子パターン１４および誘電体層１２を覆うように形成される。図９（２）において、機能層１７は、素子パターン１４の上面にのみ形成される。
また、図１０（１）のリフレクトアレイ１ｌにおいて、誘電体層１２に機能を有する材料である機能材料１８が混合される。また、図１０（２）のリフレクトアレイ１ｍにおいて、機能を発揮させるための材料を含有した誘電体層１２ａが用いられている。図１０（３）においては、機能層１７は誘電体層１２上であり、かつ素子パターン１４が形成されていない箇所に形成される。

機能を有する層に粘着性や接着性がない場合、密着向上層を用いることもできる。図１１から図１３においては、密着向上層を用いる場合が示される。

図１１（１）において、グランド層１１と機能層１７の間に密着向上層１９が形成され、誘電体層１２と機能層１７の間に密着向上層２０が形成される。また、図１１（２）において、誘電体層１２と機能層１７の間に形成される密着向上層２０は、素子パターン１４の上面にのみ形成される。図１１（３）において、機能層１７は素子パターン１４と同じ配置を持つように形成される。
また、図１２（１）において、機能層１７は＋ｚ軸を向く層上には形成されておらず、機能層１７とグランド層１１の間に密着向上層１９が形成される。図１２（２）において、機能層１７は－ｚ軸を向く層上には形成されておらず、機能層１７と誘電体層１２の間に密着向上層２０が形成される。図１２（３）において、密着向上層２０は、素子パターン１４の上面にのみ形成される。
また、図１３において、機能層１７は素子パターン１４と同じ配置を持つように形成される。図１３（２）および（３）において、機能層１７は、リフレクトアレイ１ｖおよび１ｗの端部も覆うように形成される。

上述のように、機能層１７は、グランド層１１側および素子パターン層１３側の両方に形成してもよいし、グランド層１１側のみ、素子パターン層１３側のみのいずれでもよく、また、誘電体層１２に形成する構成でもよい。グランド層１１、素子パターン層１３の両方に機能層を形成する場合、同一の機能を有するものを形成してもよいし、異なる機能を有するものを形成してもよい。機能層を積層する場合、単層であってもよいし、複数層になってもよい。また、機能層が単層からなる場合であっても、単層内に複数の機能を有する材料を組み合わせたものを用いてもよい。

（構成の一例）
１， グランド層１１と素子パターン層１３の両方に機能層がある場合（図８、９）
２， グランド層１１側のみに機能層がある場合（図１２（１）
３， 素子パターン層１３側のみに機能層がある場合（図１２（２）、図１２（３）、図１３）
４， 誘電体層１２のみに機能層がある場合（図１０（３））
５， リフレクトアレイの端部にも機能層が形成される場合（図１３（２）、図１３（３））
６， グランド層１１と素子パターン層１３の両方に機能層があり、かつ、密着向上層がある場合（図１１）
７， グランド層１１のみに機能層があり、かつ、密着向上層がある場合（図１２（１））
８， 素子パターン層１３のみに機能層があり、かつ、密着向上層がある場合（図１２（２）、図１２（３）、図１３（１））
９， 誘電体層１２層内に機能材料１８が混ぜ合わさった場合（図１０（１））

なお、上記構成１～８は組み合わせることも可能である。例えば構成１と構成９を組み合わせて、図１４のリフレクトアレイ１ｘに示されるようにすることも可能である。

（評価結果）
動作周波数２８ＧＨｚから１００ＧＨｚ、入射角０°、反射角４５°とした場合に、リフレクトアレイの設計、作製を行った。第１実施形態のグランド層１１と誘電体層１２と素子パターン層１３によって形成される構造に基づいて、実施例および比較例を作成し評価を行った。図１５は、シミュレーションによって反射制御領域が所望の反射位相特性を得られるかどうかの評価結果を示す図である。図１６は、リフレクトアレイを作成した場合の評価結果を示す図である。
評価項目として、「位相シフト確認」「反射特性」「曲げ評価後特性」「可撓性」がある。表１に、各項目について、評価基準は示す。「位相シフト確認」は、上記記載の設計にて「所望の反射位相特性を得る」ことが実現できること、を示す。「反射特性」は、設計した動作周波数、入射角、反射角において、電磁波の強度のピーク（例えば最大値）が得られること、を示す。「可撓性」は、内径６インチ、肉厚８ｍｍのコアに巻きつけ、１分間保持し、目視にて外観にシワや折れ等の外観異常がないこと、を示す曲げ評価後特性」は、可撓性の評価後のサンプルに反射特性評価を行ったときと同じ条件で測定を行い、反射波の強度のピークの変化率が±３％以内であること、を示す。以下の評価基準を満たす場合には、図１５および図１６において「〇」を付し、満たさない場合には「×」を付す。

（実施例１）
誘電体層１２として２００μｍ厚のＰＥＴを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として、２μｍ厚のＣｕ層をめっき処理により形成した。Ｃｕ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いたＰＥＴの誘電率は３．０３、誘電正接は０．００４７６であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は２８ＧＨｚ、λ_０は１０．７ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは２００μｍ、総厚（すなわち、反射制御領域の厚み。リフレクトアレイを作成した場合にはリフレクトアレイの厚みと同じ）は２０４μｍ、単位セルサイズは５．０４７ｍｍ、素子長ｌは３．０ｍｍである。式（６）および式（７）の条件を満たしており、また「位相シフト確認」に〇と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができた。
また、図１６に示されるように、単位セルを３つ含むリフレクトアレイを形成し評価を行った。「反射特性」および「可撓性」のいずれも〇と示されるように、評価結果は要求される水準を満足していた。また、「曲げ後評価特性」に〇と示されるように、可撓性の評価を行った後でも、反射特性に影響が生じなかった。評価結果はいずれも良好であったため、〇と記載している。総合評価に〇と示されるように、リフレクトアレイの要件を満足している。

（実施例２）
誘電体層１２として１００μｍ厚のＰＥＴを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として、２μｍ厚のＣｕ層をめっき処理により形成した。Ｃｕ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いたＰＥＴの誘電率は３．０３、誘電正接は０．００４７６であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は２８ＧＨｚ、λ_０は１０．７ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは１００μｍ、総厚は１０４μｍ、単位セルサイズは３．７８５ｍｍ、素子長ｌは３．０ｍｍである。式（６）および式（７）の条件を満たしており、また「位相シフト確認」に〇と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができた。
また、図１６に示されるように、単位セルを４つ含むリフレクトアレイを形成し評価を行った。「反射特性」および「可撓性」のいずれも〇と示されるように、評価結果は要求される水準を満足していた。また、「曲げ後評価特性」に〇と示されるように、可撓性の評価を行った後でも、反射特性に影響が生じなかった。評価結果はいずれも良好であったため、〇と記載している。総合評価に〇と示されるように、リフレクトアレイの要件を満足している。

（実施例３）
誘電体層１２として２００μｍ厚のポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として２μｍ厚のＣｕ層をめっき処理により形成した。Ｃｕ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いたＰＴＦＥの誘電率は２．０６、誘電正接は０．０００７であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は２８ＧＨｚ、λ_０は１０．７ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは２００μｍ、総厚は２０４μｍ、単位セルサイズは３．７８５ｍｍ、素子長ｌは３．１ｍｍ以上３．６ｍｍ以下とした。式（６）および式（７）の条件を満たしており、また「位相シフト確認」に〇と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができた。
また、図１６に示されるように、単位セルを４つ含むリフレクトアレイを形成し評価を行った。「反射特性」および「可撓性」のいずれも〇と示されるように、評価結果は要求される水準を満足していた。また、「曲げ後評価特性」に〇と示されるように、可撓性の評価を行った後でも、反射特性に影響が生じなかった。評価結果はいずれも良好であったため、〇と記載している。総合評価に〇と示されるように、リフレクトアレイの要件を満足している。

（実施例４）
誘電体層１２として１００μｍ厚のシクロオレフィンポリマーを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として２μｍ厚のＣｕ層をめっき処理により形成した。Ｃｕ層の一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いたシクロオレフィンポリマーの誘電率は２．３２、誘電正接は０．０００３９であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は２８ＧＨｚ、λ_０は１０．７ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは１００μｍ、総厚は１０４μｍ、単位セルサイズは３．７８５ｍｍ、素子長ｌは３．２４ｍｍ以上３．５３ｍｍ以下とした。式（６）および式（７）の条件を満たしており、また「位相シフト確認」に〇と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができた。
また、図１６に示されるように、単位セルを４つ含むリフレクトアレイを形成し評価を行った。「反射特性」および「可撓性」のいずれも〇と示されるように、評価結果は要求される水準を満足していた。また、「曲げ後評価特性」に〇と示されるように、可撓性の評価を行った後でも、反射特性に影響が生じなかった。評価結果はいずれも良好であったため、〇と記載している。総合評価に〇と示されるように、リフレクトアレイの要件を満足している。

（実施例５）
誘電体層１２として５０μｍ厚のポリスチレンを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として２μｍ厚のＣｕ層をめっき処理により形成した。Ｃｕ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いたポリスチレンの誘電率は２．３２、誘電正接は０．０００３９であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は２８ＧＨｚ、λ_０は１０．７ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは５０μｍ、総厚は５４μｍ、単位セルサイズは３．７８５ｍｍ、素子長ｌは３．４５ｍｍとした。式（６）および式（７）の条件を満たしており、また「位相シフト確認」に〇と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができた。
また、図１６に示されるように、単位セルを４つ含むリフレクトアレイを形成し評価を行った。「反射特性」および「可撓性」のいずれも〇と示されるように、評価結果は要求される水準を満足していた。また、「曲げ後評価特性」に〇と示されるように、可撓性の評価を行った後でも、反射特性に影響が生じなかった。評価結果はいずれも良好であったため、〇と記載している。総合評価に〇と示されるように、リフレクトアレイの要件を満足している。

（実施例６）
誘電体層１２として１００μｍ厚のＰＥＴを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として３００ｎｍ厚のＣｕ層を蒸着法により形成した。Ｃｕ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いたＰＥＴの誘電率は３．０３、誘電正接は０．００４７６であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は２８ＧＨｚ、λ_０は１０．７ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは１００μｍ、総厚は１００．６μｍ、単位セルサイズは５．０４７ｍｍ、素子長ｌは３．０ｍｍとした。式（６）および式（７）の条件を満たしており、また「位相シフト確認」に〇と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができた。
また、図１６に示されるように、単位セルを４つ含むリフレクトアレイを形成し評価を行った。「反射特性」および「可撓性」のいずれも〇と示されるように、評価結果は要求される水準を満足していた。また、「曲げ後評価特性」に〇と示されるように、可撓性の評価を行った後でも、反射特性に影響が生じなかった。評価結果はいずれも良好でった。ため、〇と記載している。総合評価に〇と示されるように、リフレクトアレイの要件を満足している。

（実施例７）
誘電体層１２として１００μｍ厚のＰＥＴを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として３００ｎｍ厚のＡｌ層を蒸着法により形成した。Ａｌ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いたＰＥＴの誘電率は３．０３、誘電正接は０．００４７６であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は２８ＧＨｚ、λ_０は１０．７ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは１００μｍ、総厚は１００．６μｍ、単位セルサイズは５．０４７ｍｍ、素子長ｌは３．０ｍｍとした。式（６）および式（７）の条件を満たしており、また「位相シフト確認」に〇と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができた。
また、図１６に示されるように、単位セルを３つ含むリフレクトアレイを形成し評価を行った。「反射特性」および「可撓性」のいずれも〇と示されるように、評価結果は要求される水準を満足していた。また、「曲げ後評価特性」に〇と示されるように、可撓性の評価を行った後でも、反射特性に影響が生じなかった。評価結果はいずれも良好であったため、〇と記載している。総合評価に〇と示されるように、リフレクトアレイの要件を満足している。

（実施例８）
誘電体層１２として５０μｍ厚のＰＥＴを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として、３００ｎｍ厚のＣｕ層をめっき処理により形成した。Ｃｕ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いたＰＥＴの誘電率は３．０３、誘電正接は０．００４７６であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は６０ＧＨｚ、λ_０は４．９９ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは５０μｍ、総厚は５０．６μｍ、単位セルサイズは２．３５５ｍｍ、素子長ｌは１．４０ｍｍである。式（６）および式（７）の条件を満たしており、また「位相シフト確認」に〇と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができた。
また、図１６に示されるように、単位セルを３つ含むリフレクトアレイを形成し評価を行った。「反射特性」および「可撓性」のいずれも〇と示されるように、評価結果は要求される水準を満足していた。また、「曲げ後評価特性」に〇と示されるように、可撓性の評価を行った後でも、反射特性に影響が生じなかった。評価結果はいずれも良好であったため、〇と記載している。総合評価に〇と示されるように、リフレクトアレイの要件を満足している。

（実施例９）
誘電体層１２として２００μｍ厚のＰＥＴを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として、３００ｎｍ厚のＣｕ層をめっき処理により形成した。Ｃｕ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いたＰＥＴの誘電率は３．０３、誘電正接は０．００４７６であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は６０ＧＨｚ、λ_０は４．９９ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは２００μｍ、総厚は２００．６μｍ、単位セルサイズは２．３５５ｍｍ、素子長ｌは１．５０ｍｍである。式（６）および式（７）の条件を満たしており、また「位相シフト確認」に〇と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができた。
また、図１６に示されるように、単位セルを３つ含むリフレクトアレイを形成し評価を行った。「反射特性」および「可撓性」のいずれも〇と示されるように、評価結果は要求される水準を満足していた。また、「曲げ後評価特性」に〇と示されるように、可撓性の評価を行った後でも、反射特性に影響が生じなかった。評価結果はいずれも良好であったため、〇と記載している。総合評価に〇と示されるように、リフレクトアレイの要件を満足している。

（実施例１０）
誘電体層１２として２０μｍ厚のＰＥＴを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として、３００ｎｍ厚のＣｕ層をめっき処理により形成した。Ｃｕ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いたＰＥＴの誘電率は３．０３、誘電正接は０．００４７６であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は１００ＧＨｚ、λ_０は２．９９ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは２０μｍ、総厚は２０．６μｍ、単位セルサイズは１．４１３ｍｍ、素子長ｌは０．９０ｍｍである。式（６）および式（７）の条件を満たしており、また「位相シフト確認」に〇と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができた。
また、図１６に示されるように、単位セルを３つ含むリフレクトアレイを形成し評価を行った。「反射特性」および「可撓性」のいずれも〇と示されるように、評価結果は要求される水準を満足していた。また、「曲げ後評価特性」に〇と示されるように、可撓性の評価を行った後でも、反射特性に影響が生じなかった。評価結果はいずれも良好であったため、〇と記載している。総合評価に〇と示されるように、リフレクトアレイの要件を満足している。

（実施例１１）
誘電体層１２として５０μｍ厚のＰＥＴを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として、３００ｎｍ厚のＣｕ層をめっき処理により形成した。Ｃｕ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いたＰＥＴの誘電率は３．０３、誘電正接は０．００４７６であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は１００ＧＨｚ、λ_０は２．９９ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは５０μｍ、総厚は５０．６μｍ、単位セルサイズは１．４１３ｍｍ、素子長ｌは０．９０ｍｍである。式（６）および式（７）の条件を満たしており、また「位相シフト確認」に〇と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができた。
また、図１６に示されるように、単位セルを３つ含むリフレクトアレイを形成し評価を行った。「反射特性」および「可撓性」のいずれも〇と示されるように、評価結果は要求される水準を満足していた。また、「曲げ後評価特性」に〇と示されるように、可撓性の評価を行った後でも、反射特性に影響が生じなかった。評価結果はいずれも良好であったため、〇と記載している。総合評価に〇と示されるように、リフレクトアレイの要件を満足している。

（比較例１）
誘電体層１２として３００μｍ厚のＰＥＴを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として、２μｍ厚のＣｕ層をめっき処理により形成した。Ｃｕ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。ななお、用いたＰＥＴの誘電率は３．０３、誘電正接は０．００４７６であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は２８ＧＨｚ、λ_０は１０．７ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは３００μｍ、総厚は３０４μｍ、単位セルサイズは５．０４７ｍｍ、素子長ｌは３．５０ｍｍである。式（６）に含まれる「ｌ≧４．４を満たすか」の条件を満たしているが、式（７）の条件は満たしていない。また、「位相シフト確認」に×と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができなかった。
また、図１６に示されるように、反射制御領域において所望の反射位相特性を得ることができなかったため、リフレクトアレイは形成していない。

（比較例２）
誘電体層１２として７６４μｍ厚のフッ素樹脂含侵ガラスクロスを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として、１８μｍ厚のＣｕ層をめっき処理により形成した。Ｃｕ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いた誘電体層の誘電率は２．６、誘電正接は０．００２５であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は２８ＧＨｚ、λ_０は１０．７ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは７６４μｍ、総厚は８００μｍ、単位セルサイズは５．０４７ｍｍ、素子長ｌは２．２１ｍｍ以上３．３１ｍｍ以下である。式（６）および式（７）の条件のいずれをも満たしておらず、また「位相シフト確認」に×と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができない。
また、図１６に示されるように、単位セルを３つ含むリフレクトアレイを形成し評価を行った。「反射特性」に〇と示されるように要求される水準を満足していた。しかし、「可撓性」および「曲げ後評価特性」に×と示されるように、良好な評価結果を得られなかった。総合評価に×と示されるように、リフレクトアレイの要件を満足していない。

（比較例３）
誘電体層１２として６００μｍ厚のＰＥＴを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として、２μｍ厚のＣｕ層をめっき処理により形成した。Ｃｕ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いたＰＥＴの誘電率は３．０３、誘電正接は０．００４７６であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は２８ＧＨｚ、λ_０は１０．７ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは６００μｍ、総厚は６０４μｍ、単位セルサイズは５．０４７ｍｍ、素子長ｌは３．０ｍｍである。式（６）の条件について、「ｌ≧４．４を満たすか」は〇と示されるように満たしていたが、「０．００１＜ｔ＜０．２５」は×と示されるように満たしていない。また、式（７）の条件を満たしており、「位相シフト確認」に〇と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができた。
また、図１６に示されるように、単位セルを３つ含むリフレクトアレイを形成し評価を行った。「反射特性」に〇と示されるように要求される水準を満足していた。しかし、「可撓性」および「曲げ後評価特性」に×と示されるように、良好な評価結果を得られなかった。総合評価に×と示されるように、リフレクトアレイの要件を満足していない。

（比較例４）
誘電体層１２として１０００μｍ厚のＰＥＴを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として、２μｍ厚のＣｕ層をめっき処理により形成した。Ｃｕ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いたＰＥＴの誘電率は３．０３、誘電正接は０．００４７６であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は２８ＧＨｚ、λ_０は１０．７ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは１０００μｍ、総厚は１００４μｍ、単位セルサイズは５．０４７ｍｍ、素子長ｌは２．５ｍｍである。式（６）の条件について、「ｌ≧４．４を満たすか」は〇と示されるように満たしていたが、「０．００１＜ｔ＜０．２５」は×と示されるように満たしていない。また、式（７）の条件を満たしておらず、「位相シフト確認」に×と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができなかった。
また、図１６に示されるように、反射制御領域において所望の反射位相特性を得ることができなかったため、リフレクトアレイは形成していない。

（比較例５）
誘電体層１２として５００μｍ厚のＰＥＴを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として、２μｍ厚のＣｕ層をめっき処理により形成した。Ｃｕ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いたＰＥＴの誘電率は３．０３、誘電正接は０．００４７６であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は６０ＧＨｚ、λ_０は４．９９ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは５００μｍ、総厚は５０４μｍ、単位セルサイズは２．３５５ｍｍ、素子長ｌは０．２ｍｍである。式（６）および式（７）の条件はいずれも満たしていない。また、「位相シフト確認」に×と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができなかった。
また、図１６に示されるように、反射制御領域において所望の反射位相特性を得ることができなかったため、リフレクトアレイは形成していない。

（比較例６）
誘電体層１２として１０００μｍ厚のＰＥＴを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として、２μｍ厚のＣｕ層をめっき処理により形成した。Ｃｕ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いたＰＥＴの誘電率は３．０３、誘電正接は０．００４７６であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は６０ＧＨｚ、λ_０は４．９９ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは１０００μｍ、総厚は１００４μｍ、単位セルサイズは２．３５５ｍｍ、素子長ｌは２ｍｍである。式（６）の条件について、「ｌ≧４．４を満たすか」は〇と示されるように満たしているが、「０．００１＜ｔ＜０．２５」は×と示されるように満たしていない。また、式（７）の条件はたしていない。「位相シフト確認」に×と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができなかった。
また、図１６に示されるように、反射制御領域において所望の反射位相特性を得ることができなかったため、リフレクトアレイは形成していない。

（比較例７）
誘電体層１２として２５０μｍ厚のＰＥＴを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として、２μｍ厚のＣｕ層をめっき処理により形成した。Ｃｕ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いたＰＥＴの誘電率は３．０３、誘電正接は０．００４７６であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は１００ＧＨｚ、λ_０は２．９９ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは２５０μｍ、総厚は２５４μｍ、単位セルサイズは１．４１３ｍｍ、素子長ｌは０．０８ｍｍである。式（６）および式（７）の条件はいずれも満たしていない。また、「位相シフト確認」に×と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができなかった。
また、図１６に示されるように、リフレクトアレイは形成していない。「反射特性」に×と示されるように、要求される水準を満していない。なお、「可撓性」に△と示されるように、サンプルによっては許容される水準に到達する場合が見られた。総合評価に×と示されるように、リフレクトアレイの要件を満足していない。

（比較例８）
誘電体層１２として２００μｍ厚のＰＥＴを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として、２μｍ厚のＣｕ層をめっき処理により形成した。Ｃｕ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いたＰＥＴの誘電率は３．０３、誘電正接は０．００４７６であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は１００ＧＨｚ、λ_０は２．９９ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは２００μｍ、総厚は２０４μｍ、単位セルサイズは１．４１３ｍｍ、素子長ｌは０．０１５ｍｍである。式（６）の条件について、「ｌ≧４．４を満たすか」は×と示されるように満たしていないが、「０．００１＜ｔ＜０．２５」は〇と示されるように満たしている。また、式（７）の条件は満たしていない。「位相シフト確認」に×と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができなかった。
また、図１６に示されるように、リフレクトアレイは形成していない。「反射特性」に×と示されるように、要求される水準を満していない。なお、「可撓性」に〇と示されるように、許容される水準を満たす。総合評価に×と示されるように、リフレクトアレイの要件を満足していない。

（比較例９）
誘電体層１２として４００μｍ厚のＰＥＴを用いた。誘電体層１２の両面に、グランド層１１および素子パターン層１３のもととなる層として、２μｍ厚のＣｕ層をめっき処理により形成した。Ｃｕ層のうち一方にはエッチングを行い、素子パターン層１３を形成した。なお、用いたＰＥＴの誘電率は３．０３、誘電正接は０．００４７６であった。
図１５に示されるように、シミュレーションにおいて、動作周波数は１００ＧＨｚ、λ_０は２．９９ｍｍ、誘電体層１２の厚みｔは４００μｍ、総厚は４０４μｍ、単位セルサイズは１．４１３ｍｍ、素子長ｌは０．５ｍｍである。式（６）および式（７）の条件はいずれも満たしていない。また、「位相シフト確認」に×と示されるように、所望の反射位相特性を得ることができない。
また、図１６に示されるように、反射制御領域において所望の反射位相特性を得ることができなかったため、リフレクトアレイは形成していない。

（作用・効果）
本開示によれば、グランド層、誘電体層、素子パターン層の構造を有するリフレクトアレイを作成する場合、誘電体層の厚みは、式（６）または（７）によって規定される範囲とされる。このようにして製造のしやすさを確保しつつ、リフレクトアレイとした場合の反射特性および可撓性を獲得することができ、リフレクトアレイの薄膜化および軽量化を実現することができる。

また、予め、グランド層、誘電体層、素子パターン層の構造をシミュレーションすることによって、所望の反射位相特性を得ることが可能な、リフレクトアレイの厚み（総厚）、単位セルサイズ、および素子幅等の具体的な構造を導出することができる。
また、本開示によれば、リフレクトアレイの可撓性を確保することができるため、リフレクトアレイの設置や交換の際の作業性、軽量性についても獲得することができる。

薄膜化によるメリットとしては、具体的には次のものを上げることができる。
・ロールｔｏロールでの生産が可能となり、大面積の反射板が作製可能になる。また生産コスト、時間削減が可能。
・エッチング液、廃液処理用化学物質の使用量削減、エッチング時間の短縮、環境配慮。
・施工時、軽量化が可能で作業者負担を軽減できる。また曲面への貼りつけが可能になる。
・厚みが薄い分、省スペース化が可能。

なお、本開示においては、反射制御領域１０としてｘ軸方向の一方向に単位セルが配置された場合を示すが、本開示はこの場合に限定されない。グランド層１１と誘電体層１２と素子パターン層１３を含む反射制御領域１０であれば、単位セルがｘ軸方向およびｙ軸方向の両方に配置される場合にも適用することが可能である。

［第４実施形態］
第４実施形態は、素子パターン１４としてクロスパッチ以外の形状が含まれる点で、第１実施形態とは異なる。図１７および図１８は、素子パターンの形状を示す図である。素子パターン層１３には図１７および図１８に示される素子パターンを含めることが可能であるところ、設計時においてパラメータとして用いられる素子パターンの素子長ｌの設定についても併せて説明する。
なお、以下の説明において、上述の第１実施形態と同一または同等の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略または省略する。

図１７（ａ）は、素子パターン１４１を示す図である。素子パターン１４１は、２つの長方形形状の方形パッチが交差した形状を示すが、方形パッチ１４１－１および１４１－２の大きさが異なる。方形パッチ１４１－１の長手方向の長さをｌ１、方形パッチ１４１－２の長手方向の長さをｌ２とする。ここでは、ｌ２の方がｌ１よりも短く、式（６）の適用に当たり素子長ｌとしてｌ２を用いることが可能である。Ｌ２が式（６）を満たす場合、ｌ１も式（６）を満たすことから、素子パターンの形状を規定する代表的な辺の長さのうち短いものを素子長ｌとすることによって、素子パターン全体として式（６）が満されることが実現され好ましい。

図１７（ｂ）は、素子パターン１４２を示す図である。素子パターン１４２は円形の形状を有しており、直径はｄである。この場合、素子パターン１４２の素子長ｌとしてｄを用いることが可能である。

図１７（ｃ）は、素子パターン１４３を示す図である。素子パターン１４３は楕円形の形状を有しており、長径をｌｄ、短径はｓｄである。この場合、素子パターン１４３の素子長ｌとしてｓｄを用いることが可能である。

図１８（ａ）は、素子パターン１４４を示す図である。素子パターン１４４は正方形の形状を有しており、一辺の長さがｌ４である。この場合、素子パターン１４４の素子長ｌとしてｌ４を用いることが可能である。

図１８（ｂ）は、素子パターン１４５を示す図である。素子パターン１４５は長方形の形状を有しており、短辺の長さがｌ５－１、長辺の長さがｌ５－２である。この場合、素子パターン１４５の素子長ｌとしてｌ５－１を用いることが可能である。

図１８（ｃ）は、素子パターン１４６－１および１４６－２を示す図である。素子パターン１４６－１は二等辺三角形の形状を有しており、長さがｌ６－１の２辺が直角を形成し、直角に対向する辺の長さがｌ６－２である。この場合、素子パターン１４６－１の素子長ｌとしてｌ６－１を用いることが可能である。
また、素子パターン１４６－２は直角三角形である。辺の長さがそれぞれｌ６－３、ｌ６－４、ｌ６－５である。この場合、素子パターン１４６－２の素子長ｌとして、最も短いｌ６－３を用いることが可能である。

図１８（ｄ）は、素子パターン１４７－１よび１４７－２を示す図である。素子パターン１４７－１は四角形の形状を有しており、辺の長さのうち最も短い長さがｌ６である。この場合、素子パターン１４７－１の素子長ｌとして、ｌ６を用いることが可能である。
また、素子パターン１４７－２は六角形の形状を有しており、辺の長さのうち最も短い長さがｌ７である。この場合、素子パターン１４７－２の素子長ｌとして、ｌ７を用いることが可能である。
このように多角形を素子パターンとしてする場合、辺の長さのうち最も短いものを素子パターンの素子長ｌとして用いることが可能です。

上述のように、素子パターンが有する形状ごとに、素子長ｌを設定することが可能である。なお、素子パターンの形状が多角形である場合に最も短い辺の長さを素子長ｌとしたが、本開示はこれに限定されない。例えば、最も長い辺の長さを素子長ｌと設定することも可能である。
また、素子パターンの形状は、本開示のものに限定されない。例えば、本開示において示された素子パターンの形状を組み合わせて、所望の形状を持つ素子パターンとすることも可能である。

［その他の実施形態］
本発明の内容となり得る態様を以下に述べる、ただしこれに限られるものではない。
（態様１）
グランド層と、誘電体層と、複数の素子パターンを有する素子パターン層を含むリフレクトアレイであって、
前記誘電体層の厚みである厚みｔ（ｍｍ）と、前記複数の素子パターンの長さである素子長ｌ（ｍｍ）が以下の関係式を満たすことを特徴とするリフレクトアレイ。

（態様２）
設計周波数における波長である波長λ_０（ｍｍ）と、前記誘電体層の厚みである厚みｔ（ｍｍ）が以下の関係式を満たすことを特徴とする態様１に記載のリフレクトアレイ。

（態様３）
前記グランド層の表面抵抗値が１００Ω／□以下である態様１または２に記載のリフレクトアレイ。
（態様４）
前記グランド層または前記素子パターン層の少なくとも一方の層がＣｕもしくはＡｌによって形成される態様１から３のいずれか１つに記載のリフレクトアレイ。
（態様５）
前記少なくとも一方の層の厚みが１μｍ以下であることを特徴とする、態様４に記載のリフレクトアレイ。
（態様６）
前記素子パターンの幅である素子幅ｗが３ｍｍ以下であることを特徴とする態様１から５のいずれか１つに記載のリフレクトアレイ。
（態様７）
前記素子パターンの幅である素子幅ｗを所定範囲内で変化させるときに所望の反射位相特性を得ることができる態様１から６のいずれか１つに記載のリフレクトアレイ。
（態様８）
密着向上層をさらに含むことを特徴とする態様１から７のいずれか１つに記載のリフレクトアレイ。
（態様９）
機能層をさらに含むことを特徴とする態様１から８のいずれかに記載のリフレクトアレイ。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。

１、１ａ～１ｘ リフレクトアレイ
１０ 反射制御領域
１１ グランド層
１２、１２ａ 誘電体層
１３ 素子パターン層
１４、１４ａ～１４ｄ、１４１～１４５、１４６－１、１４６－２、１４７－１、１４７－２ 素子パターン
１５、１６、１９、２０ 密着向上層
１７ 機能層
１８ 機能材料

Claims (9)

1. グランド層と、誘電体層と、複数の素子パターンを有する素子パターン層を含むリフレクトアレイであって、
   前記誘電体層の厚みである厚みｔ（ｍｍ）と、前記複数の素子パターンの長さである素子長ｌ（ｍｍ）が以下の関係式を満たすことを特徴とするリフレクトアレイ。
   

   
2. 設計周波数における波長である波長λ_０（ｍｍ）と、前記誘電体層の厚みである厚みｔ（ｍｍ）が以下の関係式を満たすことを特徴とする請求項１に記載のリフレクトアレイ。
   

   
3. 前記グランド層の表面抵抗値が１００Ω／□以下である請求項１に記載のリフレクトアレイ。
4. 前記グランド層または前記素子パターン層の少なくとも一方の層がＣｕもしくはＡｌによって形成される請求項１に記載のリフレクトアレイ。
5. 前記少なくとも一方の層の厚みが１μｍ以下であることを特徴とする、請求項４に記載のリフレクトアレイ。
6. 前記素子パターンの幅である素子幅ｗが３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のリフレクトアレイ。
7. 前記素子パターンの幅である素子幅ｗを所定範囲内で変化させるときに所望の反射位相特性を得ることができる請求項１または２に記載のリフレクトアレイ。
8. 密着向上層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のリフレクトアレイ。
9. 機能層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のリフレクトアレイ。

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