JP7383111B2 - リン酸処理液の再生装置、基板処理装置、リン酸処理液の再生方法、及び基板処理方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 60
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 title claims description 30
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 title claims description 23
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 544
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 289
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 272
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 claims description 193
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 87
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 87
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 87
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 71
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 61
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 37
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 36
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 30
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 28
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 15
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 11
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003849 O-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003872 O—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- -1 phosphate compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/58—Treatment of water, waste water, or sewage by removing specified dissolved compounds
- C02F1/60—Silicon compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/46—Regeneration of etching compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Description
R-Si(OCH3)3+3H2O→R-Si(OH)3+3CH3OH・・・(1)
上記の式(1)中、Rはアルキル基である。
R-Si(OH)3+Si-OH→R-Si(OH)2-O-Si+H2O・・・(2)
上記の式(2)の脱水縮合反応によって、リン酸処理液L1中のシリコンが析出する。
R-Si(OH)3+R-Si(OH)3→R-Si(OH)2-O-(OH)2Si-R↓+H2O・・・(3)
上記の式(3)の自己縮合反応によって、凝集による沈殿物が形成される。
31 回収ライン
32 混合槽
33 希釈液供給部
L1 リン酸処理液
L2 抽出液
Claims (14)
- 基板の処理に使用された使用済みのリン酸処理液からシリコンを除去する、リン酸処理液の再生装置であって、
前記使用済みの前記リン酸処理液を回収する回収ラインと、
前記回収ラインによって回収した前記リン酸処理液と、前記リン酸処理液からシリコンを抽出する抽出剤であるシランカップリング剤と、前記シランカップリング剤を溶解する有機溶媒とを混合させる混合槽と、
前記回収ラインの途中又は前記混合槽にて、前記リン酸処理液のリン酸濃度を下げる希釈液を、前記リン酸処理液に対して供給する希釈液供給部と、を有する、再生装置。 - 前記回収ラインの途中又は前記混合槽にて、前記リン酸処理液のリン酸濃度を測定するリン酸濃度計と、
前記リン酸濃度計によって前記リン酸濃度を測定し、前記リン酸濃度が設定濃度以下になるように前記希釈液供給部を制御し、前記希釈液の供給量を制御する制御装置と、を有する、請求項1に記載の再生装置。 - 前記回収ラインの途中にて、前記リン酸処理液を貯留するバッファ槽を有し、
前記希釈液供給部、及び前記リン酸濃度計は、前記バッファ槽に接続される、請求項2に記載の再生装置。 - 前記混合槽は、前記リン酸処理液と前記シランカップリング剤と前記有機溶媒を撹拌する撹拌槽と、前記撹拌槽によって撹拌したものを、前記リン酸処理液を含む下層と、前記シランカップリング剤及び前記有機溶媒を含む上層とに分離する分離槽と、を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の再生装置。
- 前記混合槽は、前記分離槽にて形成される前記下層の前記リン酸処理液を、前記分離槽から前記撹拌槽に戻す返還ラインを含む、請求項4に記載の再生装置。
- 前記混合槽は、前記リン酸処理液を含む下層と、前記シランカップリング剤及び前記有機溶媒を含む上層とを形成する循環槽と、前記シランカップリング剤及び前記有機溶媒を含む抽出液を、前記上層から抜き取って前記下層に供給する循環ラインと、を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の再生装置。
- 前記混合槽にて、前記下層の前記リン酸処理液のシリコン濃度を測定するシリコン濃度計を有する、請求項4~6のいずれか1項に記載の再生装置。
- 請求項1~7のいずれか一項に記載の再生装置と、
前記リン酸処理液を前記基板に対して供給する液処理装置と、
前記再生装置によって再生された前記リン酸処理液を前記液処理装置に送る送液ラインと、を備える、基板処理装置。 - 前記送液ラインの途中にて、前記リン酸処理液に添加剤を供給する添加剤供給部を備える、請求項8に記載の基板処理装置。
- 基板の処理に使用された使用済みのリン酸処理液からシリコンを除去する、リン酸処理液の再生方法であって、
前記リン酸処理液と、前記リン酸処理液からシリコンを抽出する抽出剤であるシランカップリング剤と、前記シランカップリング剤を溶解する有機溶媒とを混合させることを有し、
前記リン酸処理液のリン酸濃度が設定濃度よりも高い場合には、前記リン酸処理液のリン酸濃度を下げる希釈液を、前記リン酸処理液に対して供給することを有する、再生方法。 - 前記リン酸処理液と前記シランカップリング剤と前記有機溶媒との混合前又は混合中に、前記リン酸処理液のリン酸濃度を下げる希釈液を前記リン酸処理液に対して供給することを有する、請求項10に記載の再生方法。
- 前記リン酸処理液と前記シランカップリング剤と前記有機溶媒との混合前に、前記リン酸処理液のリン酸濃度を測定することと、
前記測定した前記リン酸濃度に基づき前記希釈液を前記リン酸処理液に対して供給し、前記リン酸濃度を設定濃度以下に制御することと、を含む、請求項11に記載の再生方法。 - 前記リン酸処理液のシリコン濃度を測定することを含む、請求項10~12のいずれか1項に記載の再生方法。
- 請求項10~13のいずれか1項に記載の再生方法で再生した前記リン酸処理液を前記基板に供給し、前記基板を処理することを含む、基板処理方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020021625 | 2020-02-12 | ||
JP2020021625 | 2020-02-12 | ||
PCT/JP2021/004167 WO2021161897A1 (ja) | 2020-02-12 | 2021-02-04 | リン酸処理液の再生装置、基板処理装置、リン酸処理液の再生方法、及び基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021161897A1 JPWO2021161897A1 (ja) | 2021-08-19 |
JP7383111B2 true JP7383111B2 (ja) | 2023-11-17 |
Family
ID=77292197
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022500360A Active JP7383111B2 (ja) | 2020-02-12 | 2021-02-04 | リン酸処理液の再生装置、基板処理装置、リン酸処理液の再生方法、及び基板処理方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7383111B2 (ja) |
TW (1) | TW202134174A (ja) |
WO (1) | WO2021161897A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006315931A (ja) | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Nippon Refine Kk | リン酸およびリン酸以外の少なくとも1種の酸を含む金属イオン含有混酸水溶液からリン酸を回収する方法および装置 |
JP2008282869A (ja) | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Nippon Valqua Ind Ltd | リン酸含有処理液の再生方法 |
JP2014209581A (ja) | 2013-03-29 | 2014-11-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | ウェットエッチング装置 |
-
2021
- 2021-01-29 TW TW110103377A patent/TW202134174A/zh unknown
- 2021-02-04 JP JP2022500360A patent/JP7383111B2/ja active Active
- 2021-02-04 WO PCT/JP2021/004167 patent/WO2021161897A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006315931A (ja) | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Nippon Refine Kk | リン酸およびリン酸以外の少なくとも1種の酸を含む金属イオン含有混酸水溶液からリン酸を回収する方法および装置 |
JP2008282869A (ja) | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Nippon Valqua Ind Ltd | リン酸含有処理液の再生方法 |
JP2014209581A (ja) | 2013-03-29 | 2014-11-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | ウェットエッチング装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021161897A1 (ja) | 2021-08-19 |
JPWO2021161897A1 (ja) | 2021-08-19 |
TW202134174A (zh) | 2021-09-16 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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