JP7382916B2 - 真空遮断器 - Google Patents

Description

本発明は、スイッチギヤ（以下、開閉装置）の構成部品である真空遮断器に関し、特に、投入状態を維持する投入ラッチ用永久磁石（以下、永久磁石）の投入保持力（以下、保持力）の減少を検出する真空遮断器に関する。

こうした技術分野における背景技術として、特許第６４００２２９号特許公報（特許文献１）がある。

特許文献１には、開閉器や遮断器の開閉操作に使用し、支柱に発生する磁束の変化を測定する磁束変化測定手段を有する電磁式可動装置が記載されている。そして、磁束変化測定手段は、永久磁石により発生し、可動鉄心と支柱と固定鉄心とを経由して永久磁石に戻る閉鎖磁路の磁束と、駆動用コイルにより発生し、支柱と固定鉄心とを経由して可動鉄心に戻る閉鎖磁路の磁束と、の変化を測定することが記載されている。

特許６４００２２９号特許公報

特許文献１には、磁束の変化を測定する磁束変化測定手段を有する電磁式可動装置（操作機構部）が記載されている。そして、特許文献１に記載する操作機構部は、測定される磁束の変化から、永久磁石の保持力を計算する。

しかし、特許文献１には、簡便な構成で、永久磁石の保持力の減少を検出する真空遮断器は記載されていない。

そこで、本発明は、簡便な構成で、永久磁石の保持力の減少を検出する真空遮断器を提供する。

上記した課題を解決するため、本発明の真空遮断器は、真空バルブを開閉操作する操作機構を有し、操作機構は、永久磁石を有する電磁石部と、真空バルブを開極する遮断ばねと、これらの軸上に設置される駆動ロッドと、電磁石部の漏れ磁束を検出し、永久磁石の保持力の減少を検出し、電磁石部の近傍に設置され、第１の値で、切り状態から入り状態に遷移し、第１の値よりも小さい第２の値で、入り状態から切り状態に遷移するリードスイッチと、リードスイッチを磁化するコイル巻線と、を有するリードスイッチアセンブリと、有し、コイル巻線は、コイル巻線に電流を流通するバイアス用コイル投入回路に接続され、バイアス用コイル投入回路は、電磁石部に電流を流通する開閉器投入操作回路と、電気的又は磁気的に結合されることを特徴とする。

本発明によれば、簡便な構成で、永久磁石の保持力の減少を検出する真空遮断器を提供する。

なお、上記した以外の課題、構成及び効果については、下記する実施例の説明により、明らかにされる。

実施例１に記載する開閉装置１５０を説明する説明図である。 実施例１に記載する真空遮断器１５６を説明する説明図である。 実施例１に記載する操作機構部２を説明する斜視図である。 実施例１に記載するリードスイッチアセンブリ３０１を説明する斜視図である。 実施例１に記載する操作機構部２を説明する説明図である。 実施例１に記載する動作シーケンスを説明する説明図である。 実施例２に記載する操作機構部２を説明する説明図である。

以下、本発明の実施例を、図面を使用し、説明する。なお、実質的に同一又は類似の構成には、同一の符号を付し、説明が重複する場合には、その説明を省略する場合がある。

先ず、実施例１に記載する開閉装置１５０を説明する。

図１は、実施例１に記載する開閉装置１５０を説明する説明図である。

開閉装置１５０は、複数の機器が設置される計測器室１５２と、真空遮断器１５６が設置される遮断器室１５４と、配線用ケーブル１６１が設置されるケーブル室１５１と、母線１６２が設置される母線室１６３と、を有する。

なお、計測器室１５２は、真空遮断器１５６を開閉制御する制御部２２３と、真空遮断器１５６の状態を蓄積し、その状態を比較する蓄積・比較部２２１と、真空遮断器１５６の状態を表示する異常状態表示部２２２と、を有する。

また、ケーブル線１５５や母線１６２は、遮断器室１５４と計測器室１５２との間を連結する電力線である。

次に、実施例１に記載する真空遮断器１５６を説明する。

図２は、実施例１に記載する真空遮断器１５６を説明する説明図である。

真空遮断器１５６は、図中左側に示す主回路開閉部１と、図中右側に示す操作機構部２と、図中下側に示すリンク機構部３と、有する。

主回路開閉部１は、固定側導体１３３と、開閉自在の一対の接点である固定接点７及び可動接点８を有する真空バルブ９と、可動側導体１３４と、可動接点８と可動側導体１３４とを電気的に接続するフレキシブル導体１３５と、可動接点８に固定接点７に対して接触荷重を加えるワイプばね５９と、可動接点８とワイプばね５９とを電気的に絶縁する絶縁ロッド１１４と、ワイプばね５９を押し上げるレバー接続金具１３６と、を有する。

そして、主回路開閉部１は、これらを操作機構部２やリンク機構部３から、電気的に絶縁する絶縁フレーム１３０を有する。また、主回路開閉部１は、固定側導体１３３に接続され、母線１６２に接続する断路部１３１と、可動側導体１３４に接続され、配線用ケーブル１６１に接続する断路部１３２と、を有する。

操作機構部２は、真空バルブ９を開閉操作する操作機構を有し、操作機構は、永久磁石３０４を有する電磁石部１４と、真空バルブ９を開極（固定接点７と可動接点８とを開極）する遮断ばね６０と、これらの軸上に設置される駆動ロッド１９と、永久磁石３０４の保持力の減少を検出するリードスイッチアセンブリ３０１と、有する。そして、操作機構部２は、これらを覆うケース１０を有する。また、操作機構部２は、真空バルブ９の開極状態又は閉極状態を検出する補助接点２０を有する。

なお、リードスイッチアセンブリ３０１は、電磁石部１４の漏れ磁束を検出し、永久磁石３０４の保持力の減少を検出する。これにより、永久磁石３０４の減磁を、つまり、永久磁石３０４の保持力の減少を、判定する。

リンク機構部３は、操作機構と真空バルブ９とを連動させるリンク機構を有し、リンク機構は、ケース１１に軸受されたシャフト５と、一端がシャフト５に固定され、他端がレバー接続金具１３６に連結される第１のレバーと、一端がシャフト５に固定され、他端が駆動ロッド１９に連結される第２のレバーと、を有する。そして、リンク機構部３は、これらを覆うケース１１を有する。

つまり、真空遮断器１５６は、主回路開閉部１及び操作機構部２が、リンク機構部３を介して連結される。なお、絶縁フレーム１３０は、ケース１０又は／及びケース１１に固定される。

また、実施例１に記載する真空遮断器１５６は、一相遮断器であるが、三相遮断器であってもよい。三相遮断器の場合は、図２の奥行き方向に、主回路開閉部１が３つ並べて設置される。

次に、実施例１に記載する操作機構部２を説明する。

図３は、実施例１に記載する操作機構部２を説明する斜視図である。

リードスイッチアセンブリ３０１は、ケース１０の内部であって、電磁石部１４の近傍（電磁石部１４の漏れ磁束を検出することができる位置）に設置される。特に、実施例１では、リードスイッチアセンブリ３０１は、電磁石部１４を固定するボルト３００に設置される。また、リードスイッチアセンブリ３０１は、電磁石部１４の外側に、設置される。これにより、リードスイッチアセンブリ３０１を、既に稼働している真空遮断器１５６にも、後付けにより、設置することができ、永久磁石３０４の保持力の減少を検出することができる。

次に、実施例１に記載するリードスイッチアセンブリ３０１を説明する。

図４は、実施例１に記載するリードスイッチアセンブリ３０１を説明する斜視図である。

リードスイッチアセンブリ３０１は、リードスイッチ３１０と、リードスイッチ用投入コイル３１３と、スナップフィット部３１５が形成され、非磁性材からなるハウジング３１４と、を有する。そして、リードスイッチ用投入コイル３１３は、コイル巻線３１１と、コイル巻線３１１が周囲に設置される筒状部材であるボビン３１２と、を有する。

リードスイッチ３１０は、例えば、ガラス管と、ガラス管の内部に、所定の間隔で対向する、２本の磁性リードを有する２枚の板状磁性体と、ガラス管の内部に封入される窒素ガスのような不活性ガスと、を有する。

なお、リードスイッチ３１０は、磁性リードの軸方向の磁束が、所定の値（第１の値）以上になると、磁性リードが磁化（励磁）され、２枚の板状磁性体が吸着する。また、リードスイッチ３１０は、磁性リードの軸方向の磁束が、所定の値（リードスイッチ３１０のヒステリシスにより、第１の値よりも小さい第２の値）以下になると、磁性リードの弾性により、２枚の板状磁性体が脱離する。

実施例１では、磁性リードに接続される信号線により、２枚の板状磁性体の吸着状態（入り状態）又は脱離状態（切り状態）を検出する。

リードスイッチ３１０は、磁化されることにより、第１の値（磁束密度レベル）で、切り状態から入り状態に遷移し、そのヒステリシスにより、第１の値よりも小さい第２の値（磁束密度レベル）で、入り状態から切り状態に遷移する。

また、リードスイッチ用投入コイル３１３は、ハウジング３１４の内部であって、磁性リードの軸方向、つまり、リードスイッチ３１０の軸方向が、上下方向になるように、設置される。これにより、電磁石部１４の漏れ磁束が、磁性リード、つまり、リードスイッチ３１０を磁化する。

リードスイッチ３１０は、リードスイッチ用投入コイル３１３の内部（ボビン３１２の内部）に設置される。リードスイッチ用投入コイル３１３は、コイル巻線３１１に接続される電流線により、コイル巻線３１１に電流を流通し、磁性リードの軸方向の磁束、つまり、リードスイッチ３１０の軸方向の磁束を増加し、磁性リード、つまり、リードスイッチ３１０を磁化する。つまり、コイル巻線３１１は、リードスイッチ３１０を磁化する。

また、ハウジング３１４は、スナップフィット部３１５により、ボルト３００に設置される。

次に、実施例１に記載する操作機構部２を説明する。

図５は、実施例１に記載する操作機構部２を説明する説明図である。

図５に記載する操作機構部２は、左側が、真空バルブ９の開極状態（遮断状態）を示し、右側が、真空バルブ９の閉極状態（投入状態）を示す。

操作機構部２は、永久磁石３０４と、コイル３０７と、可動鉄心３０２と、下部固定鉄心３１７と、磁性管３０５と、上部固定鉄心３１８と、これらの軸上に設置される駆動ロッド１９と、を有する。そして、コイル３０７と、可動鉄心３０２と、下部固定鉄心３１７と、磁性管３０５と、上部固定鉄心３１８と、永久磁石３０４とは、電磁石部１４を構成する。

また、コイル３０７の外周部に磁性管３０５が設置され、コイル３０７の下部に下部固定鉄心３１７が設置され、コイル３０７の上部に上部固定鉄心３１８が設置される。なお、可動鉄心３０２は、駆動ロッド１９に設置され、コイル３０７の内周部を摺動する。

また、永久磁石３０４は、上部固定鉄心３１８の上部に設置される。そして、永久磁石３０４は、可動鉄心３０２を吸着し、保持する。

また、リードスイッチアセンブリ３０１は、電磁石部１４の近傍（電磁石部１４の漏れ磁束３０９を検出することができる位置）に設置される。なお、図５では、リードスイッチアセンブリ３０１を、模式的に、リードスイッチ３１０とコイル巻線３１１とで示す。

なお、リードスイッチアセンブリ３０１は、リードスイッチ３１０の軸方向が上下方向になるように、つまり、リードスイッチ３１０が、電磁石部１４の漏れ磁束３０９により、磁化されるように、設置する。

そして、真空バルブ９を閉極するため、コイル３０７に電流を流通すると、コイル３０７の周囲には、可動鉄心３０２⇒下部固定鉄心３１７⇒磁性管３０５⇒上部固定鉄心３１８⇒永久磁石３０４⇒可動鉄心３０２の経路で、磁路３０３が形成される。

この磁路３０３が形成されることにより、可動鉄心３０２の底面には下方向の吸引力が発生し、可動鉄心３０２は、下部固定鉄心３０７側（下方向）に移動し、可動鉄心３０２が下部固定鉄心３０７に吸着される。これにより、駆動ロッド１９も、下方向に移動し、真空バルブ９は閉極する。

一方、真空バルブ９を開極するためには、コイル３０７への通電を停止する。これにより、電磁石部１４の動作が停止し、遮断ばね６０により、真空バルブ９は開極する。

また、コイル巻線３１１には、コイル巻線３１１に電流を流通し、リードスイッチ３１０の軸方向の磁束を増加し、リードスイッチ３１０を磁化するため、電流線であるバイアス用コイル投入回路４３２が接続される。

また、コイル３０７には、コイル３０７に電流を流通するため、電流線である開閉器投入操作回路４３１が接続される。つまり、開閉器投入操作回路４３１は、真空バルブ９を閉極するため、コイル３０７に投入信号電流を流通させる。

そして、バイアス用コイル投入回路４３２と開閉器投入操作回路４３１とは、磁性部材４３０を介して、磁気的に接続される。この磁気的な接続部では、開閉器投入操作回路４３１に流通する電流値からバイアス用コイル投入回路４３２に流通する電流値へ、減少させる。つまり、この磁気的な接続部では、リードスイッチ３１０の軸方向の磁束の増加に適した電流が、形成される。また、この磁気的な接続部は、外部（バックグラウンド）からの磁気的な影響をブロックする磁気シールド４３３により、覆われる。これにより、バックグラウンドの磁束変化による、リードスイッチ投入用コイル３１３の誤動作を抑制することができる。

次に、実施例１に記載する動作シーケンスを説明する。

図６は、実施例１に記載する動作シーケンスを説明する説明図である。

図６の横軸は時間を示し、図６の縦軸はリードスイッチ３１０の磁束密度を示す。

（１）電磁石切状態４０１（真空バルブ９の開極状態、コイル３０７への通電なしの状態）では、磁路３０３は形成されないため、電磁石部１４の漏れ磁束３０９は磁束密度レベルＡにあり、リードスイッチ３１０は切り状態にある。

（２）真空バルブ９を閉極するため、電磁石切状態４０１から、電磁石入動作４０２（コイル３０７への通電動作）が発生すると、磁路３０３が形成されるため、電磁石部１４の漏れ磁束３０９は磁束密度レベルＡから磁束密度レベルＢ（リードスイッチ３０１が切り状態から入り状態に遷移する磁束密度レベルＣ’（例えば、４ｍＴ）よりも小さい磁束密度レベル）に上昇する。

なお、実施例１におけるリードスイッチ３１０は、その軸方向の磁束密度が、所定の値（第１の値：磁束密度レベルＣ’）以上になると、入り状態になり、リードスイッチ３１０のヒステリシスにより、その軸方向の磁束密度が、所定の値（第１の値よりも小さい第２の値：磁束密度レベルＢ’（例えば、２～３ｍＴ））以下になると、切り状態になる。

つまり、磁束密度レベルＢは、リードスイッチ３１０が切り状態から入り状態に遷移する磁束密度レベルＣ’よりも小さい磁束密度レベルであるため、リードスイッチ３１０は切り状態にある。

（３）コイル巻線３１１は、バイアス用コイル投入回路４３２に接続され、バイアス用コイル投入回路４３２は、磁性部材４３０を介して、磁気的に、開閉器投入操作回路４３１に接続される。つまり、バイアス用コイル投入回路４３２と開閉器投入操作回路４３１とは、磁気的に、結合される。

このため、開閉器投入操作回路４３１に投入信号電流が数秒間流通すると、バイアス用コイル投入回路４３２には電流が誘起され、バイアス用コイル投入回路４３２を介して、コイル巻線３１１にも電流が数秒間流通する。つまり、コイル巻線３１１によるリードスイッチ３１０の磁化は、開閉器投入操作回路４３１に流通する投入信号電流が入るのに同期して、進行する。このように、実施例１では、リードスイッチ３１０は、真空バルブ９の閉極動作（投入動作）と同期して、磁化される。

つまり、開閉器投入操作回路４３１がコイル３０７に電流を流通するのに同期して、バイアス用コイル投入回路４３２がコイル巻線３１１に電流を流通する。

コイル巻線３１１に電流が流通すると、リードスイッチ３１０が磁化され、磁束密度レベルＢから磁束密度レベルＣ（リードスイッチ３０１が切り状態から入り状態に遷移する磁束密度レベルＣ’よりも大きい磁束密度レベル）に上昇する（動作４０３：リードスイッチ用投入コイル励磁入）。

つまり、磁束密度レベルＣは、リードスイッチ３１０が切り状態から入り状態に遷移する磁束密度レベルＣ’よりも大きい磁束密度レベルであるため、リードスイッチ３１０は入り状態に遷移する。

このように、実施例１では、磁束密度レベルをＡ＜Ｂ＜Ｃ’＜Ｃに設定する。

（４）真空バルブ９が閉極状態になり、開閉器投入操作回路４３１に流通する投入信号電流が切れると、コイル巻線３１１に流通する電流も切れる。これにより、コイル巻線３１１によるリードスイッチ３１０の磁化も停止する。また、開閉器投入操作回路４３１に流通する投入信号電流が切れると、コイル３０７に流通する電流も切れる。

つまり、コイル巻線３１１によるリードスイッチ３１０の磁化は、開閉器投入操作回路４３１に流通する投入信号電流が切れるのに同期して、停止する。

これにより、電磁石部１４の漏れ磁束３０９は磁束密度レベルＣから磁束密度レベルＢに減少する（動作４０４：リードスイッチ用投入コイル励磁切）。但し、永久磁石３０４の影響により、磁路３０３は存在し、電磁石部１４の漏れ磁束３０９（磁束密度レベルＢ）も存在する。そして、リードスイッチ３１０は、入り状態を維持する。

そして、永久磁石３０４の保持力が正常の（永久磁石３０４の保持力が減少しない）場合には、この状態（磁束密度レベルＢ）が維持される。

なお、この状態では、リードスイッチ３１０を磁化するため、コイル巻線３１１への通電は不要であり、永久磁石３０４の保持力の減少を検出するため、特別なセンサー用電源は不要である。

（５）永久磁石３０４の保持力が何らかの原因で減少する場合には、電磁石部１４の漏れ磁束３０９は磁束密度レベルＢから減少する（動作４０５：永久磁石減磁）。そして、電磁石部１４の漏れ磁束３０９が、磁束密度レベルＢ’に達する（磁束密度レベルＢ’を下回る）と、リードスイッチ３１０が入り状態から切り状態に遷移する。

このように、実施例１では、磁束密度レベルをＡ＜Ｂ’＜Ｂ＜Ｃ’＜Ｃに設定する。

そして、実施例１では、リードスイッチ３１０の入り状態から切り状態への遷移を、リードスイッチ３１０に接続される信号線により、検出する。

つまり、実施例１では、リードスイッチ３１０の入り状態から切り状態への遷移（状態変化）を検出することにより、永久磁石３０４の保持力の減少を検出することができる。

なお、実施例１では、リードスイッチ３１０の接点（２枚の板状磁性体）の、入り状態（吸着状態：閉状態）から切り状態（脱離状態：開状態）への変化を検出するが、リードスイッチ３１０の構造によっては、開状態から閉状態への変化を検出してもよい。

そして、検出されるリードスイッチ３１０の状態変化を、蓄積・比較部２２１に伝送し、蓄積・比較部２２１では、検出されるリードスイッチ３１０の状態変化に基づいて、永久磁石３０４の保持力の減少を判定する。つまり、蓄積・比較部２２１は、少なくとも、永久磁石３０４の保持力の減少を判定する。

また、異常状態表示部２２２では、永久磁石３０４の保持力の減少（永久磁石３０４の異常状態）を表示する。

更に、蓄積・比較部２２１では、補助接点２０から伝送される真空バルブ９の閉極状態と、検出されるリードスイッチ３１０の状態変化と、に基づいて（ＡＮＤ条件）、永久磁石３０４の保持力の減少を判定する。これにより、更に、精度よく、信頼性の高い判定を実現することができる。

そして、実施例１によれば、リードスイッチ３１０は、入り状態と切り状態との２値の状態を出力するため、複雑なデータ処理が不要となり、デジタル信号処理が可能となり、情報処理部の構造を簡単にすることができる。また、実施例１によれば、永久磁石３０４の保持力の減少を判定するための、複雑な計算が不要となる。また、実施例１によれば、リードスイッチアセンブリ３０１を、既に稼働している真空遮断器１５６にも、後付けすることができる。

（６）永久磁石３０４の保持力が減少し続け、永久磁石３０４の保持力が、遮断ばね６０の解離力を下回ると、電磁石切動作４０６が発生し、真空バルブ９が予定外に開極する恐れがある。このため、永久磁石３０４の保持力の減少を、早期に発見する必要がある。

実施例１では、電磁石部１４の漏れ磁束３０９が、磁束密度レベルＡよりも大きい磁束密度レベルである磁束密度レベルＢ’で、リードスイッチ３１０の状態変化を検出するため、つまり、電磁石部１４の漏れ磁束３０９が、磁束密度レベルＢ’に達すると、永久磁石３０４の異常状態を検出するため、永久磁石３０４の保持力の減少を、早期に発見することができる。このため、永久磁石３０４の保持力が、遮断ばね６０の解離力を下回ることがなく、真空バルブ９が予定外に開極することはない。

そして、実施例１によれば、特に、簡便な構成で、永久磁石３０４の保持力の減少を検出することができる。

（７）なお、真空バルブ９が正常に開極した場合であって、永久磁石３０４の保持力が減少していない場合（正常の場合）には、電磁石部１４の漏れ磁束３０９は、磁束密度レベルＡに戻る。しかし、真空バルブ９が正常に開極した場合であって、永久磁石３０４の保持力が減少している場合（異常の場合）には、電磁石部１４の漏れ磁束３０９は、磁束密度レベルＡ’に戻る。

つまり、磁束密度レベルＡと磁束密度レベルＡ’との差が、永久磁石３０４の保持力の減少分である。

なお、永久磁石３０４が正常な場合であって、正常に電磁石部１４の切動作を実行すると、電磁石部１４の漏れ磁束は磁束密度レベルＡに減少する。この時、リードスイッチ３１０は、磁束密度レベルＢ’を通過し、状態変化（リードスイッチ３１０が入り状態から切り状態へ遷移）する。つまり、リードスイッチ３１０の状態変化を検出することにより、リードスイッチ３１０の動作健全性を確認することができる。

また、永久磁石３０４が正常な場合であって、リードスイッチ３１０の動作健全性を確認される場合、リードスイッチ３１０の状態変化を検出することにより、開閉器投入操作回路４３１の健全性を診断することができる。

このように、実施例１に記載する真空遮断器１５６は、真空バルブ９を開閉操作する操作機構を有し、操作機構は、永久磁石３０４を有する電磁石部１４と、真空バルブ９を開極する遮断ばね６０と、これらの軸上に設置される駆動ロッド１９と、電磁石部１４の漏れ磁束を検出し、永久磁石３０４の保持力の減少を検出するリードスイッチアセンブリ３０１と、有する。

そして、実施例１では、真空バルブ９の閉極状態において、リードスイッチ３１０の状態変化を検出し、永久磁石３０４の保持力の減少を検出する。

また、実施例１では、バイアス用コイル投入回路４３２により、コイル巻線３１１に電流を流通し、リードスイッチ３１０を磁化し、第１の磁束密度レベルで、リードスイッチ３０１を切り状態から入り状態に遷移させ、リードスイッチ３１０のヒステリシスにより、第２の磁束密度レベルで、リードスイッチ３１０を入り状態から切り状態に遷移させる。

次に、実施例２に記載する操作機構部２を説明する。

図７は、実施例２に記載する操作機構部２を説明する説明図である。

実施例２に記載する操作機構部２は、実施例１に記載する操作機構部２と比較して、リードスイッチ用投入コイル４３２と開閉器投入操作回路４３１との接続部が相違する。実施例１は磁気的な接続部であるが、実施例２は電気的な接続部である。

つまり、バイアス用コイル投入回路４３２と開閉器投入操作回路４３１とは、例えば、抵抗などを介して、電気的に接続される。このように、バイアス用コイル投入回路４３２と開閉器投入操作回路４３１とは、電気的に、結合される。

この電気的な接続部では、開閉器投入操作回路４３１に流通する電流値からバイアス用コイル投入回路４３２に流通する電流値へ、減少させる。つまり、この電気的な接続部では、リードスイッチ３１０の軸方向の磁束の増加に適した電流が、形成される。

これにより、バックグラウンドの磁束変化による、リードスイッチ投入用コイル３１３の誤動作を抑制することができる。

なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために、具体的に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を有するものに限定されるものではない。

また、ある実施例の構成の一部を、他の実施例の構成の一部に置換することもできる。また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を追加することもできる。また、各実施例の構成の一部について、それを削除し、他の構成の一部を追加し、他の構成の一部と置換することもできる。

１・・・主回路開閉部、２・・・操作機構部、３・・・リンク機構部、５・・・シャフト、７・・・固定接点、８・・・可動接点、９・・・真空バルブ、１０・・・ケース、１１・・・ケース、１４・・・電磁石部、１９・・・駆動ロッド、２０・・・補助接点、５９・・・ワイプばね、６０・・・遮断ばね、１１４・・・絶縁ロッド、１３０・・・絶縁フレーム、１３１・・・断路部、１３２・・・断路部、１３３・・・固定側導体、１３４・・・可動側導体、１３５・・・フレキシブル導体、１３６・・・レバー接続金具、１５０・・・開閉装置、１５１・・・ケーブル室、１５２・・・計測器室、１５３・・・母線室、１５４・・・遮断器室、１５６・・・真空遮断器、１６１・・・配電用ケーブル、１６２・・・母線、２２１・・・蓄積・比較部、２２２・・・異常状態表示部、２２３・・・制御部、３００・・・ボルト、３０１・・・リードスイッチアセンブリ、３０２・・・可動鉄心、３０３・・・磁路、３０４・・・永久磁石、３０５・・・磁性管、３０７・・・コイル、３０９・・・漏れ磁束、３１０・・・リードスイッチ、３１１・・・コイル巻線、３１２・・・ボビン、３１３・・・リードスイッチ用投入コイル、３１４・・・ハウジング、３１５・・・スナップフィット部、３１７・・・下部固定鉄心、３１８・・・上部固定鉄心、４０１・・・電磁石切状態、４０２・・・電磁石入動作、４０３・・・動作、４０４・・・動作、４０５・・・動作、４０６・・・電磁石切動作、４３０・・・磁性部材、４３１・・・開閉器投入操作回路、４３２・・・バイアス用コイル投入回路、４３３・・・磁気シールド、Ａ・・・磁束密度レベル、Ｂ・・・磁束密度レベル、Ｃ・・・磁束密度レベル、Ａ’・・・磁束密度レベル、Ｂ’・・・磁束密度レベル、Ｃ’・・・磁束密度レベル。

Claims (3)

1. 真空バルブを開閉操作する操作機構を有し、前記操作機構は、永久磁石を有する電磁石部と、前記真空バルブを開極する遮断ばねと、これらの軸上に設置される駆動ロッドと、
   前記電磁石部の漏れ磁束を検出し、前記永久磁石の保持力の減少を検出し、前記電磁石部の近傍に設置され、第１の値で、切り状態から入り状態に遷移し、第１の値よりも小さい第２の値で、入り状態から切り状態に遷移するリードスイッチと、リードスイッチを磁化するコイル巻線と、を有するリードスイッチアセンブリと、有し、
   前記コイル巻線は、前記コイル巻線に電流を流通するバイアス用コイル投入回路に接続され、前記バイアス用コイル投入回路は、前記電磁石部に電流を流通する開閉器投入操作回路と、電気的又は磁気的に結合されることを特徴とする真空遮断器。
2. 請求項１に記載する真空遮断器であって、
   前記開閉器投入操作回路が、前記電磁石部に電流を流通するのに同期して、前記バイアス用コイル投入回路が前記コイル巻線に電流を流通することを特徴とする真空遮断器。
3. 請求項１に記載する真空遮断器であって、
   前記バイアス用コイル投入回路と前記開閉器投入操作回路とが磁気的に接続し、
   前記バイアス用コイル投入回路と前記開閉器投入操作回路との接続部が、外部からの磁気的な影響をブロックする磁気シールドにより覆われることを特徴とする真空遮断器。

Images