JP7381495B2 - 超伝導回路内において装置をアドレス指定するシステム及び方法。 - Google Patents
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Description
本開示は、一般に、超伝導回路内において装置をアドレス指定するシステム及び方法に関し、且つ、更に詳しくは、超伝導集積回路内における超伝導フラックス保存装置及びデジタル-アナログコンバータ(DAC)の共振器アドレス指定のためのシステム及び方法に関する。
周波数多重化共振(FMR:Frequency Multiplexed Resonant)読み出し
超伝導マイクロ波共振器は、限定を伴うことなしに、量子演算及び天文学を含む、様々な分野において使用されている。例えば、量子演算においては、超伝導共振器は、キュービットの状態を検出するべく、使用されている。天文学においては、超伝導マイクロ波共振器は、マイクロ波力学インダクタンス検出器(MKID:Microwave kinetic Inductance Detector)において使用されている。いずれのケースにおいても、多くの共振器(検出器)を共通送信ラインに結合することができると共に、周波数ドメイン多重化を通じて統合することができる。周波数ドメイン多重化(FDM:Frequency Domain Multiplexing)は、通信帯域幅が、いくつかのオーバーラップしてはいないサブ帯域に分割される、技法であり、この場合に、それぞれのサブ帯域は、別個の信号を搬送するべく、使用されている。周波数ドメイン多重化は、本出願においては、周波数多重化及び周波数分割多重化とも呼称されている。
超伝導集積回路は、マイクロ波送信ラインと、複合ジョセフソン接合(CJJ:Compound Josephson Junction)によって中断された、温度の範囲内において超伝導性を有する材料のループを有する第1超伝導フラックス保存装置であって、CJJは、それぞれが個々のジョセフソン接合によって中断された、2つの並列電流経路を有する、装置と、第1低周波数アドレスバイアスラインと、第1低周波数バイアスアドレスラインを第1超伝導フラックス保存装置に通信自在に誘導的に結合する第1アドレスインターフェイスと、マイクロ波送信ラインに通信自在に結合された第1超伝導共振器と、第1超伝導共振器を第1超伝導フラックス保存装置に誘導的に通信自在に結合する第1信号インターフェイスであって、第1アドレスインターフェイス及び第1信号インターフェイスは、それぞれ、個々のフラックスバイアスを第1超伝導フラックス保存装置に提供するべく動作自在である、インターフェイスと、を含むものとして要約することができる。
図面において、同一の参照符号は、類似の要素又は行為を識別している。図面中の要素のサイズ及び相対的な位置は、必ずしも、正確な縮尺で描画されてはいない。例えば、様々な要素の形状及び角度は、必ずしも、正確な縮尺で描画されてはおらず、且つ、これらの要素のいくつかは、図面の可読性を改善するべく、任意に拡大及び位置決めされている。更には、描画されている要素の特定の形状は、必ずしも、特定の要素の実際の形状に関するなんらかの情報を伝達することを意図したものではなく、且つ、単に、図面における認識の容易性を目的として選択されたものである。
序文
以下の説明には、様々な開示されている実装及び実施形態の十分な理解を提供するべく、いくつかの特定の詳細が含まれている。但し、当業者は、実施形態が、これらの特定の詳細のうちの1つ又は複数を伴うことなしに、或いは、その他の方法、コンポーネント、材料などを伴って、実施されうることを認識するであろう。その他の例において、超伝導装置及び集積超伝導回路と関連する周知の構造は、本方法の実装又は実施形態の説明を不必要に曖昧にすることを回避するべく、詳細に図示又は記述されてはいない。本明細書及び添付の請求項の全体を通じて、「要素(element)」及び「要素(elements)」という用語は、限定を伴うことなしに、超伝導回路及び集積超伝導回路と関連する、すべてのこのような構造、システム、及び装置を包含するべく使用されている。
超伝導フラックス保存装置は、本出願においては、超伝導デジタル-アナログコンバータ(DAC)又はフラックスDACとも呼称されている。
量子プロセッサの例示用の一実装において、512個のキュービット及び関連する結合装置は、4608個のフラックスDACにより、制御することができる。XYZアドレス指定方式は、56個のラインのみを使用することにより、量子プロセッサを制御することができる。プロセッサは、タイルの8×8アレイとして構成することが可能であり、この場合に、それぞれのタイルは、72個のフラックスDACを有する。それぞれのタイルのフラックスDACは、個々の3-DACプラケットとして構成することができる。3つのライン(本出願において、ADDRラインと呼称されている)うちの1つを使用することにより、3-DACプラケット内の3つのDACのそれぞれの組の1つを選択することが可能であり、この場合に、15個のADDRライン及び5個のTRIGラインを使用している構成においては、タイル内のDACをアドレス指定するべく、すべての3つが、別のライン(本出願においては、TRIGラインと呼称されている)を共有している。タイルの8×8のアレイは、16個のドメイン(本出願においては、PWRドメインと呼称されている)に分割することが可能であり、且つ、4608個のフラックスDACが、合計で30個のADDRライン、10個のTRIGライン、及び16個のPWRラインを使用することにより、アドレス指定されうるように、構成することができる。例えば、Bunyk P. et al.,“ARCHITECTURAL CONSIDERATIONS IN THE DESIGN OF A SUPERCONDUCTING QUANTUM ANNEALING PROCESSOR”, arXiv:1401.5504v1, 21 January 2014を参照されたい。
高帯域幅ラインが、プロセッサとの通信のために利用可能である際には、高帯域幅ラインを適切なオンチップ要素に結合することにより、帯域幅の相対的に効率的な使用を実現することができる。高帯域幅送信ラインに結合するのに適した例示用のオンチップ要素は、超伝導共振器である。超伝導共振器を使用する利点の1つは、FMRR又は力学インダクタンス検出器(KID:Kinetic-Inductance Detector)と同様に、これらの装置が、周波数ドメイン多重化と適合しうる、という点にある。共振器のアレイは、それぞれの共振器の共振周波数をチューニングすることにより、周波数ドメイン多重化を使用して単一の送信ラインに結合することができる。共振周波数は、例えば、共振器の長さを調節することにより、或いは、更なる静電容量を追加することにより、チューニングすることができる。一実装において、共振器は、半波超伝導共振器である。共振器がその共振周波数の近傍において駆動された際に、マイクロ波電流を励起することができる。共振器のアレイ内の共振器の組に対応するトーンの組を選択的に送信することにより、アドレス指定を実現することができる。
超伝導共振器の一実装は、分散型超伝導共振器である。分散型超伝導共振器の一例は、半波長(λ/2)共振器である。半波長共振器は、一般に、別の装置に結合するために十分な使用可能配線長を提供することができる。半波長共振器の欠点の1つは、基本共振周波数の整数倍における調波の存在が、超伝導共振器のアレイを1つのオクターブの帯域幅に制約しうる、という点にありうる。
超伝導共振器の別の実装は、集中素子共振器である。集中素子共振器の利点の1つは、電流分布が集中素子共振器の誘導部分に沿って実質的に均一でありうる、という点にある。更には、集中素子共振器は、コンパクトになることが可能であり、且つ、少なくともいくつかの実装において、1オクターブの帯域幅に制約されてはいない。例示用の一実装において、集中素子共振器は、5GHz~15GHzにおいて動作することが可能であり、且つ、10GHzの帯域幅をもたらしうる。
図1は、本開示による、超伝導回路へのマイクロ波経路100の例示用の一実装を示す概略図である。マイクロ波経路100は、極低温冷凍システム内において位置決めされており、且つ、蒸留器102とサンプルホルダ104の間において延在している。極低温冷凍システムは、蒸留器102と、サンプルホルダ104と、混合チャンバ106と、を含む。マイクロ波経路100は、極低温冷凍システムを通じたマイクロ波経路である。蒸留器102、サンプルホルダ104、及び混合チャンバ106は、マイクロ波経路100用のコンテキストを提供するべく、図1においては、破線で示されている。
図3Aは、本開示による、超伝導半波共振器302及び送信ライン304を含む、超伝導回路300の例示用の一実装の一部分の概略レイアウトである。例えば、超伝導半波共振器302は、マイクロストリップ共振器、コプレーナ導波路(CPW:Coplanar Waveguide)共振器、或いは、集中素子共振器であってよい。例えば、送信ライン304は、マイクロストリップ送信ライン、CPW送信ライン、或いは、同軸送信ラインであってよい。
超伝導デジタル-アナログコンバータ(DAC)の共振器アドレス指定は、ラッチングを実行するべく、動作の際に、DACを使用することができる。共振器アドレス指定は、本出願においては、DACの共振器ローディングとも呼称されている。共振器は、DACと統合することができると共に、例えば、ADDRライン及び/又はTRIGラインを置換するべく、使用することができる。
ω=2π(fhi-flo)
図8は、共振器アドレス指定型のDACを含む、本出願において記述されているシステム及び方法を内蔵しうる、デジタルコンピュータ802及び量子コンピュータ804を含む、少なくとも1つの例示用の実装によるハイブリッド演算システム800を示している。
上述のように、例えば、DACなどのフラックス保存装置のような、超伝導装置をアドレス指定するための従来の方式の欠点は、実装が、製造に費用を所要しうる、障害に脆弱でありうる、且つ、内部フィルタ加熱からの高エネルギーフォトンのソースとなりうる、多数のワイヤ及び超伝導低域通過フィルタを含みうる、というものでありうる。いくつかの実装において、ワイヤは、ツイストペアであり、且つ、低域通過フィルタは、カスタムメイドの超伝導低域通過フィルタである。本出願において記述されているシステム及び方法は、相対的に大きな帯域幅及び低減された複雑さを提供しうる同軸ケーブルによってワイヤを置換することを含む。相対的に大きな帯域幅の利益は、プロセッサ入出力(I/O)速度の改善でありうる。
本出願において記述されているように、超伝導共振器のアレイは、単一の送信ラインに結合することが可能であり、且つ、例えば、様々な用途において(例えば、キュービット、力学インダクタンス検出器(KID)、遷移エッジセンサを伴う用途において、且つ、共振装置と統合されうるその他の用途において)周波数ドメイン多重化を可能にするべく、使用することができる。
低周波数フラックスバイアスとの組合せにおける低周波数電流バイアス(本出願においては、YZアドレス指定及び/又はXYZアドレス指定とも呼称されている)、
低周波数フラックスバイアス及び高周波数フラックスバイアスとの組合せにおける低周波数電流バイアス(本出願においては、YZアドレス指定及び/又はXYZアドレス指定とも呼称されており、この場合に、Y及び/又はXは、周波数ドメイン多重化することができる)
高周波数電流バイアス及び低周波数フラックスバイアスとの組合せにおける低周波数電流バイアス(本出願においては、YZアドレス指定及び/又はXYZアドレス指定とも呼称されており、この場合に、Zは、周波数ドメイン多重化することができる)、並びに、
高周波数電流バイアス、低周波数フラックスバイアス、及び高周波数フラックスバイアスとの組合せにおける低周波数電流バイアス(本出願においては、YZ及び/又はXYZアドレス指定とも呼称されており、この場合、X、Y、及び/又はZは、周波数ドメイン多重化することができる)、
を含む、アドレス指定方式について記述している。
Claims (15)
- 超伝導集積回路であって、
マイクロ波送信ラインと、
複合ジョセフソン接合(CJJ)によって中断された、温度の範囲内において超伝導性を有する材料のループを有する第1超伝導フラックス保存装置であって、前記CJJは、それぞれが個々のジョセフソン接合によって中断された、2つの並列電流経路を有する、装置と、
第1低周波数アドレスバイアスラインと、
前記第1低周波数アドレスバイアスラインを前記第1超伝導フラックス保存装置に誘導的に通信自在に結合する第1アドレスインターフェイスと、
前記マイクロ波送信回路に通信自在に結合された第1超伝導共振器と、
前記第1超伝導共振器を前記第1超伝導フラックス保存装置に誘導的に通信自在に結合する第1信号インターフェイスと、
を有しており、
前記第1アドレスインターフェイス及び前記第1信号インターフェイスは、それぞれ、個々のフラックスバイアスを前記第1超伝導フラックス保存装置に提供するべく動作可能であり、
前記マイクロ波送信ラインに通信自在に結合された第2超伝導共振器と、
前記第2超伝導共振器を前記第1超伝導フラックス保存装置に誘導的に通信自在に結合する第2信号インターフェイスと、
を更に有しており、
前記第1アドレスインターフェイス、前記第1信号インターフェイス、及び前記第2信号インターフェイスは、それぞれ、個々のフラックスバイアスを前記第1超伝導フラックス保存装置に提供するべく動作可能であり、
前記第1超伝導フラックス保存装置は、2つのマイクロ波信号により、XYアドレス指定されており、前記2つのマイクロ波信号のうちの第1のものは、前記第1超伝導共振器によって搬送され、且つ、前記2つのマイクロ波信号のうちの第2のものは、前記第2超伝導共振器によって搬送されている、回路。 - 前記第1及び第2超伝導共振器は、個々の共振周波数を有する請求項1に記載の超伝導集積回路。
- 前記超伝導フラックス保存装置は、超伝導デジタル-アナログコンバータ(DAC)を有しており、前記超伝導DACは、ラッチングを実行するべく動作可能であり、前記第1及び第2超伝導共振器は、前記超伝導DACに通信自在に結合されており、且つ、前記超伝導DACは、前記第1低周波数アドレスバイアスラインによって搬送される低周波数バイアス信号により、且つ、閾値アドレスラッチングレベルを超過するべく肯定的に組み合わせられる、2つのマイクロ波信号により、プログラミングされている請求項1に記載の超伝導集積回路。
- 複合ジョセフソン接合(CJJ)によって中断された、温度の範囲内において超伝導性を有する材料のループを有する第2超伝導フラックス保存装置であって、前記CJJは、それぞれが個々のジョセフソン接合によって中断された、2つの並列電流経路を有する装置と、
前記第1低周波数アドレスバイアスラインを前記第2超伝導フラックス保存装置に誘導的に通信自在に結合する第2アドレスインターフェイスと、
前記第1超伝導共振器を前記第2超伝導フラックス保存装置に誘導的に通信自在に結合する第2信号インターフェイスと、
を更に有しており、
前記第1アドレスインターフェイス及び前記第1信号インターフェイスは、それぞれ、個々のフラックスバイアスを前記第1超伝導フラックス保存装置に提供するべく動作可能であり、且つ、前記第2アドレスインターフェイス及び前記第2信号インターフェイスは、それぞれ、個々のフラックスバイアスを前記第2超伝導フラックス保存装置に提供するべく動作可能である請求項1に記載の超伝導集積回路。 - 前記第1超伝導共振器は、少なくとも1つの結合コンデンサ及びインダクタンスを有しており、前記インダクタンスは、前記少なくとも1つの結合コンデンサと直列において電気的に通信自在に結合されている請求項1乃至4のいずれか1項に記載の超伝導集積回路。
- 前記少なくとも1つの結合コンデンサは、結合コンデンサのペアを有しており、前記インダクタンスは、前記結合コンデンサのペアの間において直列において電気的に通信自在に結合されている請求項4に記載の超伝導集積回路。
- 前記第1超伝導共振器は、電気接地に対する電気経路を提供しているシャントコンデンサを更に有する請求項6に記載の超伝導集積回路。
- 前記第1超伝導共振器は、分散型の超伝導共振器である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の超伝導集積回路。
- 前記第1超伝導共振器は、集中素子超伝導共振器である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の超伝導集積回路。
- 前記第1超伝導フラックス保存装置は、ラッチングを実行するべく動作可能である超伝導デジタル-アナログコンバータ(DAC)を有する請求項1乃至3のいずれか1項に記載の超伝導集積回路。
- 前記マイクロ波送信ラインに通信自在に結合された超伝導共振器のアレイを更に有しており、前記マイクロ波送信ラインは、周波数ドメイン多重化信号を前記超伝導共振器のアレイに搬送している請求項1に記載の超伝導集積回路。
- 磁束量子を超伝導フラックス保存装置にローディングする方法であって、前記超伝導フラックス保存装置は、複合ジョセフソン接合(CJJ)によって中断された超伝導フラックス保存ループを有しており、前記方法は、
電流バイアスラインを第1電流バイアスライン値に設定することと、
低周波数アドレスラインを第1アドレスライン値に設定することと、
電流バイアスが前記超伝導フラックス保存装置に印加されるようにするべく、前記電流バイアスラインを第2電流バイアス値に設定することと、
フラックスバイアスが前記超伝導フラックス保存装置の前記CJJに印加されるようにするべく、前記低周波数アドレスラインを第2アドレスライン値に設定することと、
マイクロ波送信ライン及び少なくとも第1超伝導共振器により、第1高周波数パルスを前記超伝導フラックス保存装置に印加することであって、前記マイクロ波送信ラインは、前記第1超伝導共振器に通信自在に結合されており、且つ、前記第1超伝導共振器は、フラックス量子が前記超伝導フラックス保存装置の前記CJJに追加されるようにするべく、前記超伝導フラックス保存装置に通信自在に結合されている、ことと、
前記マイクロ波送信ライン及び前記少なくとも第1超伝導共振器により、前記第1高周波数パルスを第2超伝導フラックス保存装置に印加することと、
前記フラックス量子が、前記超伝導フラックス保存装置の前記超伝導フラックス保存ループ内にローディングされるようにすべく、前記低周波数アドレスラインを第3アドレスライン値に設定することと、
前記電流バイアスラインを前記第1電流バイアスライン値に戻すことと、
前記低周波数アドレスラインを前記第1アドレスライン値に戻すことであって、マイクロ波送信ライン及び第1超伝導共振器により、第1高周波数パルスを前記超伝導フラックス保存装置に印加することは、前記超伝導フラックス保存装置に印加された組み合わせられた低周波数及び高周波数信号レベルが、既定の上部閾値を超過するようにすることを含む、ことと、
を有する、方法。 - 前記フラックス量子が前記超伝導フラックス保存装置の前記超伝導フラックス保存ループ内にローディングされるようにするべく前記低周波数アドレスラインを第3アドレスライン値に設定することは、前記フラックス量子が超伝導デジタル-アナログコンバータ(DAC)内にローディングされるようにするべく前記低周波数アドレスラインを第3アドレスライン値に設定することを有する請求項12に記載の方法。
- マイクロ波送信ライン及び少なくとも第1超伝導共振器により、第1高周波数パルスを前記超伝導フラックス保存装置に印加することは、前記マイクロ波送信ライン及び第1及び少なくとも第2超伝導共振器により、第1高周波数パルスを超伝導デジタル-アナログコンバータ(DAC)に印加することを有しており、前記超伝導デジタル-アナログコンバータ(DAC)は、ラッチングを実行するべく動作可能である請求項12に記載の方法。
- 前記第1低周波数アドレスバイアスラインによって搬送される低周波数バイアス信号により、且つ、2つのマイクロ波信号により、前記超伝導DACをプログラミングすることを更に有しており、前記低周波数バイアス信号及び前記2つのマイクロ波信号は、閾値アドレスラッチングレベルを超過するべく、肯定的に組み合わせられている請求項14に記載の方法。
Applications Claiming Priority (13)
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