JP7379544B2 - 電磁散乱膜、及び電磁散乱膜を含む電子装置 - Google Patents

Description

本願は、１、出願日が２０１９年６月５日であり、出願番号が２０１９２０８４７０１２.６である中国特許出願、２、出願日が２０１９年６月５日であり、出願番号が２０１９１０４８９１４６.Ｘである中国特許出願、３、出願日が２０１９年９月２０日であり、出願番号が２０１９１０８９２０５６.５である中国特許出願の３つの中国特許出願の優先権を主張し、以上の出願の内容の全てが本願の一部として援用される。

本開示は、通信の技術分野に関し、例えば、電磁散乱膜、及び電磁散乱膜を含む電子装置に関する。

マイクロ波通信とは、波長が０.１ミリメートル～１メートルの電磁波を利用した通信である。該波長の電磁波に対応する周波数範囲は、３００MHz（０.３GHz）－３THzである。マイクロ波通信は、マイクロ波の直線伝送の特性により、指向性を有する。ユーザーが該規定された方向領域内にいない場合、信号を受信できないため、通信の不感地帯になる。

本開示の１つの目的は、電磁散乱膜を提供することであり、マイクロ波が該電磁散乱膜におけるビアホールを通過した後に回折され、マイクロ波の送信及び／又は受信の空間範囲を拡大し、通信の不感地帯が生成されることをできるだけ回避する。

本開示の他の目的は、電子装置を提供することであり、該装置のマイクロ波信号の送信及び／又は受信範囲が広く、ユーザーの使用エクスペリエンスが良好である。

上記目的を実現するために、以下の技術的解決手段が提供される。

一側面では、金属層を含む電磁散乱膜が提供され、前記金属層にその上下面を貫通するビアホールが設けられ、前記ビアホールの断面の輪郭における任意の２点の距離ｓのうちの最大値が前記ビアホール内に入射したマイクロ波の波長λよりも小さいことで、マイクロ波が前記ビアホールに入射した後に回折するようにする。金属層にマイクロ波の波長よりも小さいビアホールを設けることにより、元々直線伝送したマイクロ波がビアホールに入射した後に回折され、マイクロ波の送信及び／又は受信の空間範囲を拡大する。

他の側面では、前記電磁散乱膜及び回路装置を含む電子装置が提供され、前記回路装置は、信号回路を含み、前記電磁散乱膜は、前記回路装置に接続される。

本開示の実施例に係る電子装置では、電磁散乱膜が回路装置に接続され、信号回路を介して送信及び／又は受信されるマイクロ波信号が電磁散乱膜のビアホールにより回折されことで、電子装置のマイクロ波信号の送信及び／又は受信の空間範囲を拡大し、電子装置の信号の不感地帯が生成される問題を回避し、ユーザーの使用エクスペリエンスを向上させる。

本開示の実施例に係る電磁散乱膜の構造模式図である。 本開示の実施例の電磁散乱膜のビアホールの構造模式図である。 本開示の実施例の円形孔付きの電磁散乱膜の断面模式図（図１におけるＡ－Ａ方向）である。 本開示の実施例の長方形孔付きの電磁散乱膜の断面模式図である。 本開示の実施例の組み合わせ孔付きの電磁散乱膜の断面模式図である。 本開示の実施例の電磁散乱膜の金属層構造模式図である。 本開示の他の実施例の電磁散乱膜の金属層構造模式図である。 本開示の実施例に係る電磁散乱膜の構造模式図である。 本開示の他の実施例に係る電磁散乱膜の構造模式図である。 本開示の実施例の電磁散乱膜の構造模式図である（金属層の絶縁層から離れる面が非平坦面である）。 本開示の実施例の電磁散乱膜の構造模式図である（金属層の上下表面がいずれも非平坦面である）。 本開示の実施例に係る電子装置の構造模式図である。

本開示が解決しようとする技術課題、採用される技術的解決手段、及び達成される技術的効果をより明確にするために、以下、図面を参照しながら本開示の実施形態の技術的解決手段を詳細に説明する。明らかに、説明された実施形態は、本開示の一部の実施例に過ぎず、全ての実施例ではない。本開示の実施形態に基づいて、当業者が創造的な作業をせずに取得できる他の全ての実施例は、本開示の保護範囲に属する
図１は、本開示の実施例の電磁散乱膜の構造模式図である。図１に示すように、本開示の実施例の電磁散乱膜は、金属層１を含み、金属層１には、その上下面を貫通するビアホール１１が設けられ、ビアホール１１の断面の輪郭における任意の２点の距離ｓのうちの最大値がビアホール１１内に入射したマイクロ波の波長λよりも小さいことで、マイクロ波が前記ビアホール１１に入射した後に回折するようにする。通信技術分野では、データ交換を実現する重要な手段は、信号の伝送であり、マイクロ波信号伝送は、その手段の１つである。

マイクロ波信号が所定の方向に沿って直線的に伝送されるため、所定の方向以外の領域ではマイクロ波信号を受信できないか、又は、所定の方向以外の領域へマイクロ波信号を送信できないことが引き起こされ、通信が失敗してしまう。

図１に示す矢印方向は、例示的なマイクロ波の伝送方向である。本開示の実施例に係る散乱膜は、回折原理を適用し、金属層１にマイクロ波波長より遥かに小さいビアホール１１を設けることにより、マイクロ波が送信されて該ビアホール１１を通過すると回折され、元々指向性伝送しかできなかったマイクロ波の移動経路が変更されて、回折されることにより、複数の方向の伝送経路が生成され、マイクロ波の送信及び／又は受信の空間範囲が拡大される。本開示に記載の断面とは、図１に示すＡ－Ａ方向に沿って散乱膜を切り取って得られたビアホール１１の断面である。

図３～５は、本開示の実施例の電磁散乱膜の断面模式図である。本開示の実施例のビアホール１１は、マイクロ波が前記ビアホール１１に入射した後に回折されることができる限り、円形孔又は非円形孔のうちの１種又は２種以上の組み合わせであってもよく、例えば、ビアホール１１は、三角形、四角形などの多角形孔又はその他の不規則的な孔であってもよい。

本開示の実施例では、ビアホール１１の断面の輪郭に複数の点が存在し、任意の２点の間に直線距離を有する。一実施の形態では、図２に示すように、円形ビアホールを例とすると、ビアホール１１の中心軸線方向に沿って、ビアホール１１は、相互に平行する複数の断面１１１を有し、各断面の輪郭には、互いに間隔をおいた複数の点１１１１があり、２点の点１１１１の間に直線距離を有する。

本開示では、ビアホール１１の断面の輪郭における任意の２点の距離ｓのうちの最大値をビアホール１１内に入射したマイクロ波の波長λよりも小さく限定することにより、ビアホール１１のサイズをビアホール１１内に入射したマイクロ波の波長λよりも小さく限定し、ビアホール１１内に入射したマイクロ波が回折できることを確保する。

図３に示すように、すなわち、図におけるＡ－Ａ方向の図に示すように、ビアホール１１が円形孔である場合、前記ビアホール１１の断面の輪郭における任意の２点の距離ｓのうちの最大値がビアホール１１の直径である。図３の例では、ビアホール１１の直径がビアホール１１内に入射したマイクロ波の波長λよりも小さく、このように設計することにより、円形のビアホール１１のサイズがビアホール１１内に入射したマイクロ波の波長λよりも小さいことが確保できる。

図４に示すように、ビアホール１１が非円形孔である場合、例えば、図に示すビアホール１１が長方形である場合、前記ビアホール１１の断面の輪郭における任意の２点の距離ｓのうちの最大値が長方形の対角線の長さである。図４の例では、ビアホール１１の対角線の長さがビアホール１１内に入射したマイクロ波の波長λよりも小さく、このように設計することにより、長方形のビアホール１１のサイズがビアホール１１内に入射したマイクロ波の波長λよりも小さいことが確保できる。

図５に示すように、ビアホール１１が円形孔及び非円形孔の組み合わせである場合、前記ビアホール１１の断面の輪郭における任意の２点の距離ｓのうちの最大値が円形ビアホール１１の直径ｓ１又は長方形ビアホール１１の対角線の長さｓ２のうちの大きい方である。図５の例では、円形ビアホール１１の直径ｓ１又は長方形ビアホール１１の対角線の長さｓ２のうちの大きい方がビアホール１１内に入射したマイクロ波の波長λよりも小さく、このように設計することにより、ビアホール１１のサイズがビアホール１１内に入射したマイクロ波の波長λよりも小さいことが確保できる。

一実施例では、ビアホール１１の断面の輪郭における任意の２点の距離ｓが１μm～５００μmであり、且つ前記距離ｓが前記マイクロ波の波長λよりも小さい。なお、本実施例の前記マイクロ波は、実際の使用要求に応じて、マイクロ波通信のための信号が搬送される。本実施例の前記マイクロ波の波長λが０.１mm～１ｍである。上記距離ｓ及び波長λの数値範囲から見ると、ビアホール１１のサイズがマイクロ波の波長よりも遥かに小さく、マイクロ波がビアホール１１に入った後に回折するようにすることができる。

一実施の形態では、ビアホール１１の断面の輪郭における任意の２点の距離ｓと前記マイクロ波の波長λとの比は、１:２００～１:１００である。ビアホール１１の断面の輪郭における２点間の距離ｓと前記マイクロ波の波長λとのサイズ関係を明確にすることにより、ビアホール１１の断面の輪郭における任意の２点間の距離ｓが前記マイクロ波の波長λよりも遥かに小さいことが確保され、前記マイクロ波がどの方向から入射しても回折できることが確保され、それにより、マイクロ波が指向性伝送から多方位の発散伝送に変わることが確保され、ユーザーが異なる方向の領域内で信号を受信できることがさらに確保される。

また、本開示の実施例では、１cm²あたりの前記金属層１に設けられるビアホール１１の数が１０００個以上である。できるだけ多くのビアホール１１を設けることにより、マイクロ波と電磁散乱膜との有効な接触面積を向上でき、できるだけ多くのマイクロ波を散乱するようにする。一実施の形態では、前記金属層１における開孔率は、１％～９９％である。金属層１における開孔率は、金属層１における開孔の総面積（全ての開孔の面積の和）と、前記金属層１の主体面積との比であり、１％～９９％である。

一実施の形態では、金属層１のいずれかの表面を例とすると、開孔率とは、該表面に開けられる全ての孔の面積の和と、金属層１の表面面積との比である。前記設計により、金属層１における開孔面積を制御でき、開孔面積が大きすぎるため、金属層１が破裂しやすい問題を回避し、或いは、開孔面積が小さいため、大量のマイクロ波がビアホール１１を介して回折せずに直接に金属層１によって反射される問題を回避する。

本開示の実施例では、複数の前記ビアホール１１は、前記金属層１に規則的又は不規則的に分布しており、及び／又は、複数の前記ビアホール１１の形状は、同じ又は異なり、及び／又は、複数の前記ビアホール１１のサイズは、同じ又は異なる。前記ビアホール１１が前記金属層１に規則的に分布していることは、各々のビアホール１１が前記金属層１に均一に分布していることを意味する一方、前記ビアホール１１が前記金属層１に不規則的に分布することは、各々のビアホール１１が前記金属層１に無秩序に分布することを意味する。

本開示の実施例では、金属層１の厚さｔが０.１～１０μmであり、前記設計により、前記金属層１が破裂しにくく、且つ良好な撓みを有することを確保する。一実施の形態では、前記金属層１は、銅、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銀及び金のいずれか一つ又は複数の材料で製造される。

本実施例では、金属層１の２つの表面は、平坦面であってもよいし、非平坦面であってもよい。非平坦面は、規則的な非平坦面及び不規則的な非平坦面を含む。金属層１の表面が規則的な非平坦面である場合、規則的な非平坦面が周期的にうねる構造であり、うねりの幅とうねりの間隔が同じである。金属層１の表面が不規則的な非平坦面である場合、不規則的な非平坦面が非周期的にうねる構造であり、うねりの幅及び／又はうねりの間隔が異なる。図１の例では、金属層１の２つの表面は、平坦面である。図６の例では、金属層１の一方の面は、平坦面であるが、他方の面は、不規則的な非平坦面である。図７の例では、金属層１の２つの表面は、いずれも不規則的な非平坦面である。

図８は、本開示の実施例の電磁散乱膜の構造模式図である。図８に示すように、金属層１の一方の面に絶縁層２が設けられる。絶縁層２は、金属層１を絶縁させ、周囲の回路との短絡を防止するために設けられている。絶縁層２は、金属層１の表面に設けられる絶縁層膜層又は金属層１の表面にコーティングされる絶縁被膜であってもよい。

本開示の実施例では、前記絶縁層２は、絶縁及び保護作用を有し、前記金属層１が使用中に傷がつけられないことを確保する。例えば、前記絶縁層２の厚さが１μm～２５μmであり、前記絶縁層２は、ＰＰＳフィルム層、ＰＥＮフィルム層、ポリエステルフィルム層、ポリイミドフィルム層、エポキシ樹脂インクが硬化後に形成された膜層、ポリウレタンインクが硬化後に形成された膜層、変性アクリル酸樹脂が硬化後に形成された膜層又はポリイミド樹脂が硬化後に形成された膜層のいずれかを含む。

図９を参照すると、絶縁層２と金属層１との間の接続安定性を改善し、絶縁層２と金属層１との剥離や脱落を防止するために、本実施例の金属層１の絶縁層２に近い側に複数のボス部５が設けられ、ボス部５が絶縁層２に入り込む。また、ボス部５は、絶縁層２と金属層１との間の接続安定性を改善するのに役立つことを満たす限り、金属層１から絶縁層２に向かう方向に突起してもよいし、絶縁層２から金属層１に向かう方向に突起してもよい。

なお、図９におけるボス部５の形状は、単なる例示的なものに過ぎず、プロセス手段及びパラメータの違いにより、各ボス部５の形状は、規則的又は不規則的な幾何学的立体形状であり、例えば、ボス部５の形状は、尖角状、逆円錐状、粒子状、樹枝状、柱状、ブロック状のうちの１つ又は複数であってもよい。

本開示の実施例のボス部５は、図示及び上記形状に限定されず、絶縁層２と金属層１との間の接続安定性を改善するのに役に立つボス部５であれば、いずれも本開示の保護範囲内に属する。

複数のボス部５の形状は、同じであってもよいし、異なっていてもよく、ボス部５のサイズは、同じであってもよいし、異なっていてもよく、つまり、複数のボス部５の形状は、尖角状、逆円錐状、粒子状、樹枝状、柱状、ブロック状のうちの１つ又は複数であってもよく、同じ形状の複数のボス部５のサイズは、全く同じでなくてもよい。

また、複数のボス部５は、金属層１の絶縁層２に近い側に連続的又は不連続的に分布しており、例えば、複数のボス部５の形状が尖角状であり且つ連続的に分布している場合、規則的且つ周期的な凹凸状立体パターン、又は、不規則的で無秩序な凹凸状立体パターンを形成することができる。もちろん、ここでは１つの場合のみを例として挙げ、上記の他の形状の組み合わせも本願の保護範囲に属し、ここでは１つ一つ挙げない。本開示の他の実施例では、金属層１の表面が非平坦面であっても、金属層１と絶縁層２との接続安定性及び信頼性に役立つ。

本開示の実施例では、ボス部５は、導電性又は非導電性であってもよい。一実施形態では、前記ボス部５は、金属粒子、カーボンナノチューブ粒子、フェライ粒子、絶縁体粒子及びコーティングされた複合粒子（導体層をコーティング層として形成された導体粒子、又は絶縁体でコーティングされた他の絶縁体粒子など）のうちの１種又は複数種を含む。ボス部５は、導電性である場合、金属粒子、カーボンナノチューブ粒子、フェライ粒子及びコーティングされた複合粒子（導体層をコーティング層として形成された導体粒子）のうちの１種又は複数種を含む。

前記ボス部５は、非導電性である場合、絶縁体粒子及びコーティングされた複合粒子（絶縁体でコーティングされた他の絶縁体粒子など）のうちの１種又は複数種を含む。また、前記ボス部５は、金属粒子である場合、単一種の金属粒子及び／又は合金粒子を含み、前記単一種の金属粒子は、銅、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銀及び金のうちのいずれかの材料で製造され、前記合金粒子は、銅、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銀及び金のうちの任意の２種以上の材料で製造される。なお、複数のボス部５は、前記金属層１の材料と同じでも異なっていてもよい。

また、実施する際、前記ボス部５が導電性である場合、まず金属層１を形成し、次にその他のプロセスにより、該金属層１上にボス部５を形成し、最後に該金属層１のボス部５が形成された側に絶縁層２を形成することができる。もちろん、該金属層１と前記ボス部５とは、一体成形されてもよい。例えば、ボス部５の高さが０．１μm～１５μmであり、前記ボス部５が導電性を有する場合、前記ボス部５の高さが前記絶縁層２の厚さよりも小さいことにより、前記絶縁層２の不良を防止する。

図８の例では、金属層１の表面に導電ボス３を設けることにより、電磁散乱膜を使用する際、金属層１に蓄積された干渉電荷を導出させやすくし、さらに干渉電荷の蓄積による干渉ソースを回避する。複数の導電ボス３は、金属層１の絶縁層２から離れる側面に設けられる。図８の例では、まず金属層を形成し、次にその他のプロセスにより、該金属層１上に導電ボス３を形成する。

図９の例では、金属層１と導電ボス３とは、一体成形される。なお、図における前記導電ボス３の形状は、単なる例示的なものに過ぎず、プロセス手段及びパラメータの違いにより、各前記導電ボス３の形状は、規則的又は不規則的な幾何学的立体形状であり、例えば、複数の前記導電ボス３の形状は、尖角状、逆円錐状、粒子状、樹枝状、柱状、ブロック状のうちの１種又は複数種であってもよい。

また、金属層１の絶縁層２から離れる側に設けられる複数の導電ボス３のそれぞれの形状は、同じであっても異なっていてもよく、各々の導電ボス３のサイズは、同じであっても異なっていてもよく、つまり、複数の導電ボス３の形状は、尖角状、逆円錐状、粒子状、樹枝状、柱状、ブロック状のうちの１種又は複数種であってもよく、また、同一形状の複数の導電ボス３のサイズは、全く同じでなくてもよい。

また、複数の導電ボス３は、金属層１の絶縁層２から離れる側に連続的又は不連続的に分布しており、例えば、複数の導電ボス３の形状が尖角状であり且つ連続的に分布している場合、規則的且つ周期的な凹凸状立体パターン、又は、不規則的で無秩序な凹凸状立体パターンを形成することができる。もちろん、ここでは１つの場合のみを例として挙げ、上記の他の形状の組み合わせも、本願の保護範囲に属し、ここでは１つ一つ挙げない。

本開示の実施例では、前記導電ボス３は、金属粒子、カーボンナノチューブ粒子及びフェライ粒子のうちの１種又は複数種を含み、前記導電ボス３は、単一種の金属粒子及び／又は合金粒子を含み、前記単一種の金属粒子は、銅、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銀及び金のうちのいずれかの材料で製造され、前記合金粒子は、銅、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銀及び金のうちの任意の２種以上の材料で製造される。なお、前記導電ボス３は、前記金属層１の材料と同じであっても異なっていてもよい。

本開示の実施例では、接地効果を満足することを前提として、製品をできる限り軽薄化するように、前記導電ボス３の高さｈは０.１～３０μmである。

図９に示すように、前記電磁散乱膜の使用を容易にするために、本実施例の前記金属層１の前記絶縁層２から離れる側に接着剤膜層４が設けられ、複数の前記導電ボス３は前記接着剤膜層４に入り込む。前記導電ボス３は、前記接着剤膜層４の外表面と所定の距離離れてもよいし、前記接着剤膜層４の外表面と接触したり、又は、前記接着剤膜層４の外表面から延出したりしてもよい。

前記接着剤膜層４の外表面は、うねりのない平坦面であってもよいし、穏やかなうねりのある非平坦な表面であってもよい。使用時には、複数の前記導電ボス３は、前記接着剤膜層４を刺し通して接地することにより、前記金属層１内に蓄積された干渉電荷を導出させる。本開示の他の実施例では、金属層１の表面が非平坦面であり、従って、金属層１の表面に非平坦な凹凸面が形成でき、この設計により、より多くの接着剤量を金属層１に接続でき、それにより、金属層１と接着剤膜層４との接続安定性及び信頼性を向上させる。

一実施の形態では、前記接着剤膜層４に使用される材料は、変性エポキシ樹脂類、アクリル酸類、変性ゴム類、変性熱可塑性ポリイミド類、ポリウレタン類、ポリアクリル酸エステル類、シリコーン類から選択されたいずれか一つである。

本開示の実施例では、前記導電ボス３の高さは、０.１μm～３０μmであってもよく、前記接着剤膜層４の厚さは、０.１μm～４５μmであってもよい。前記導電ボス３の高さを０.１μm～３０μm、前記接着剤膜層４の厚さを０.１μm～４５μmとすることにより、前記電磁散乱膜を使用する際、前記導電ボス３が前記接着剤膜層４を刺し通すことができることを確保し、それにより、前記電磁散乱膜が接地できることを確保する。

図１０～１１に示すように、図１０に示す電磁散乱膜における金属層１の一方の表面は、平坦面であり、他方の表面は、不規則的な非平坦面である。金属層１に接続される接着剤膜層４の一方の表面も不規則的な非平坦面である。図１１に示す電磁散乱膜の金属層１の２つの表面は、いずれも不規則的な非平坦面である。

金属層１に接続される絶縁層２、接着剤膜層４の表面も不規則的な非平坦面である。前記設計により、金属層１の表面が不規則的な非平坦面であり、絶縁層２と接着剤膜層４の接続安定性及び信頼性を向上できる。

より多くの適用シナリオに適応するために、本開示に記載の電磁散乱膜は、折畳み可能で屈曲可能な柔軟性構造である。一実施の形態では、金属層１は、柔軟性構造、例えば、金属回路基板、ＦＰＣ回路基板を用いることができ、金属層１の一方の表面に設けられる接続用の接着剤膜層４は、折畳み性を有し、金属層１の他方の表面に設けられる保護用の絶縁層２は、屈曲性を有し、それにより、本開示の電磁散乱膜は、折畳み性及び屈曲性を有するようになる。実際の使用において、必要に応じて、散乱膜を環状構造又は半密閉構造などの任意形状、例えば、弧形構造、楕円形構造、積層構造に屈曲又は折畳むことができる。

図１２は、本開示の実施例に係る電子装置の構造模式図である。図１２に示すように、電子装置は、電磁散乱膜１００及び回路装置２００を含み、回路装置２００は、信号回路２０１を含み、電磁散乱膜１００は、回路装置２００に接続される。本実施例では、回路装置２００は、電磁散乱膜１００の接着剤膜層４に接続される。その他の例では、回路装置２００自体が接着層を有し、電磁散乱膜に接着剤膜層４が設けられなくてもよく、同様に、本開示の目的を達成することもできる。

以上のように、本開示の実施例に係る電子装置では、電磁散乱膜が回路装置に接続され、信号回路を介して送信及び／又は受信されたマイクロ波信号は、電磁散乱膜のビアホール１１により回折され、電子装置のマイクロ波信号の送信及び／又は受信の空間範囲を広げ、電子装置の信号不感地帯が生成される問題を回避し、ユーザーの使用エクスペリエンスを向上させる。

上記は、本開示の実施形態及び適用される技術原理の一部にすぎないことに留意されたい。

１ 金属層
１１ ビアホール
１１１ 断面
１１１１ 点
２ 絶縁層
３ 導電ボス
４ 接着剤膜層
５ ボス部
１００ 電磁散乱膜
２００ 回路装置
２０１ 信号回路

Claims (14)

1. 金属層を含む電磁散乱膜であって、
   前記金属層にその上下面を貫通するビアホールが設けられ、前記ビアホールの断面の輪郭における任意の２点の距離ｓのうちの最大値が前記ビアホール内に入射したマイクロ波の波長λよりも小さいことで、マイクロ波が前記ビアホールに入射した後に回折するようにし、
   前記ビアホールの断面の輪郭における任意の２点の距離ｓのうちの最大値と前記マイクロ波の波長λとの比は、１：２００～１：１００であり、
   前記金属層の厚さｔは、０．１μｍ～１０μｍである、電磁散乱膜。
2. 前記ビアホールの断面の輪郭における任意の２点の距離ｓのうちの最大値は、１μｍ～５００μｍであり、且つ前記マイクロ波の波長λよりも小さい、請求項１に記載の電磁散乱膜。
3. １ｃｍ^２あたりの前記金属層に設けられる前記ビアホールの数は、１０００個以上である、請求項１に記載の電磁散乱膜。
4. 前記金属層における開孔率は、１％～９９％である、請求項３に記載の電磁散乱膜。
5. 前記金属層の一方の面に絶縁層が設けられる、請求項１～４のいずれか１項に記載の電磁散乱膜。
6. 前記絶縁層は、前記金属層の表面に設けられる絶縁層膜層又は前記金属層の表面にコーティングされる絶縁被膜である、請求項５に記載の電磁散乱膜。
7. 前記金属層の前記絶縁層に近い側には、前記絶縁層に入り込む複数のボス部が設けられる、請求項５に記載の電磁散乱膜。
8. 前記金属層の表面に導電ボスが設けられる、請求項１～４のいずれか１項に記載の電磁散乱膜。
9. 前記導電ボスの高さｈは、０．１μｍ～３０μｍである、請求項８に記載の電磁散乱膜。
10. 前記金属層における前記導電ボスと同側の表面に接着剤膜層が設けられ、前記導電ボスが前記接着剤膜層に入り込む、請求項９に記載の電磁散乱膜。
11. 前記導電ボスの形状は、尖角状、逆円錐状、粒子状、樹枝状、柱状、ブロック状のうちの１種又は複数種の組み合わせである、請求項８に記載の電磁散乱膜。
12. 前記金属層の表面は、非平坦面である、請求項１～４のいずれか１項に記載の電磁散乱膜。
13. 前記電磁散乱膜は、屈曲可能な構造である、請求項１～４のいずれか１項に記載の電磁散乱膜。
14. 請求項１～１３のいずれか１項に記載の電磁散乱膜を含み、回路装置をさらに含む電子装置であって、
    前記回路装置は、信号回路を含み、前記電磁散乱膜は、前記回路装置に接続される、電子装置。

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