JP7379413B2 - 双方向ダブルベースバイポーラ接合トランジスタを用いたスイッチアセンブリ、及びそれを動作させる方法 - Google Patents
双方向ダブルベースバイポーラ接合トランジスタを用いたスイッチアセンブリ、及びそれを動作させる方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7379413B2 JP7379413B2 JP2021083268A JP2021083268A JP7379413B2 JP 7379413 B2 JP7379413 B2 JP 7379413B2 JP 2021083268 A JP2021083268 A JP 2021083268A JP 2021083268 A JP2021083268 A JP 2021083268A JP 7379413 B2 JP7379413 B2 JP 7379413B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- collector
- base
- rate
- charge carriers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 title claims description 14
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 257
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 28
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 13
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 13
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 13
- 238000009877 rendering Methods 0.000 claims description 10
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 59
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 241000473391 Archosargus rhomboidalis Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/66—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
- H03K17/665—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only
- H03K17/666—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only the output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor
- H03K17/668—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only the output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor in a symmetrical configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/66—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
- H03K17/661—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to both load terminals
- H03K17/662—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to both load terminals each output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/732—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/04113—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit in bipolar transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0804—Emitter regions of bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0821—Collector regions of bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1004—Base region of bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/66—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/747—Bidirectional devices, e.g. triacs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/0054—Gating switches, e.g. pass gates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
特定のシステムコンポーネントを参照するために様々な用語が使用されている。異なる会社は異なる名前でコンポーネントを参照することあり、この文書は、名前は異なるが機能は異ならないコンポーネントを区別することを意図していない。以下の説明及び請求項において、用語“含む”及び“有する”は、オープンエンド的に使用され、従って、“含むが、それに限られない”を意味すると解釈されるべきである。また、用語“結合する”は、間接的な接続又は直接的な接続のどちらも意味することを意図している。従って、第1のデバイスが第2のデバイスに結合する場合、その接続は、直接接続によってでもよいし、又は他のデバイス及び接続を介した間接接続によってでもよい。
Claims (12)
- 双方向ダブルベースバイポーラ接合トランジスタを動作させる方法であって、
前記トランジスタの上部ベースに第1のレートで電荷キャリアを注入し、該第1のレートで注入することは、上部コレクタ-エミッタから下部コレクタ-エミッタへと前記トランジスタを流れる電流を生じさせ、該電流は、前記上部コレクタ-エミッタと前記下部コレクタ-エミッタとの間で測定して第1の電圧降下を生じさせ、次いで、
前記トランジスタの第1の導通期間の終了前の所定の期間内、前記上部ベースに前記第1のレートよりも低い第2のレートで電荷キャリアを注入し、該第2のレートで注入することは、前記上部コレクタ-エミッタと前記下部コレクタ-エミッタとの間で測定して第2の電圧降下を生じさせ、該第2の電圧降下は、前記第1の電圧降下よりも高く、次いで、
前記第1の導通期間の終了時に前記トランジスタを非導通にし、その後、
前記トランジスタの下部ベースに第3のレートで電荷キャリアを注入し、該第3のレートで注入することは、前記下部コレクタ-エミッタから前記上部コレクタ-エミッタへと前記トランジスタを流れる電流を生じさせ、該電流は、前記下部コレクタ-エミッタと前記上部コレクタ-エミッタとの間に第3の電圧降下を生じさせ、
次いで、第2の導通期間の終了の所定の期間内、前記下部ベースに前記第3のレートよりも低い第4のレートで電荷キャリアを注入し、該第4のレートで注入することは、前記下部コレクタ-エミッタと前記上部コレクタ-エミッタとの間で測定して第4の電圧降下を生じさせ、該第4の電圧降下は、前記第3の電圧降下よりも高く、次いで、
前記第2の導通期間の終了時に前記トランジスタを非導通にする、
ことを有する方法。 - 前記トランジスタを非導通にすることは更に、前記トランジスタの下部ベースを前記トランジスタの下部コレクタ-エミッタに直接結合し、前記上部ベースから電荷キャリアを引き抜くことを有する、請求項1に記載の方法。
- 当該方法は更に、前記第1のレートで電荷キャリアを注入することに先立って、前記上部ベースに前記第1のレートよりも高い第3のレートで電荷キャリアを注入することを有し、前記第3のレートで電荷キャリアを注入することは、前記トランジスタの非導通状態から導通状態へのスイッチング時間を短縮するためである、請求項1に記載の方法。
- 前記上部ベースに前記第1のレートで電荷キャリアを注入することは更に、前記上部コレクタ-エミッタと前記上部ベースとの間に第1の電圧源を結合すること及び前記上部コレクタ-エミッタと前記上部ベースとの間に第1の電流源を結合することからなる群から選択された少なくとも一方を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の電圧降下は0.2ボルト以下であり、前記第2の電圧降下は0.4ボルトより高い、請求項1に記載の方法。
- 上部ベース、上部コレクタ-エミッタ、下部ベース、及び下部コレクタ-エミッタを画成するバイポーラ接合トランジスタと、
前記上部ベースに結合された上部ベース端子、前記上部コレクタ-エミッタに結合された上部導通端子、前記下部ベースに結合された下部ベース端子、及び前記下部コレクタ-エミッタに結合された下部導通端子を画成するドライバであり、
前記上部ベースに第1のレートで電荷キャリアを注入し、該第1のレートで電荷キャリアを注入することは、前記上部コレクタ-エミッタから前記下部コレクタ-エミッタへの前記トランジスタの第1の導電率をもたらし、
第1の導通期間の終了を予測し、
前記第1の導通期間の終了前の所定の期間内、前記上部ベースに前記第1のレートよりも低い第2のレートで電荷キャリアを注入し、該第2のレートで電荷キャリアを注入することは、前記上部コレクタ-エミッタから前記下部コレクタ-エミッタへの前記トランジスタの第2の導電率をもたらし、該第2の導電率は、前記第1の導電率よりも低く、次いで、
前記第1の導通期間の終了時に前記トランジスタを非導通にする、
ように構成されたドライバと、
を有するスイッチアセンブリ。 - 前記ドライバは更に、
コントローラと、
第1の出力を画成する第1の電荷キャリア源と、
前記第1の出力に結合された第1の接続、前記上部ベースに結合された第2の接続、及び前記コントローラに結合された第1の制御入力を画成する第1の電気制御式スイッチと、
を有し、
前記ドライバが前記上部ベースに前記第1のレートで電荷キャリアを注入するとき、前記コントローラは、前記第1の制御入力をアサートすることによって、前記第1の電気制御式スイッチを導通させるように構成される、
請求項6に記載のスイッチアセンブリ。 - 第2の出力を画成する第2の電荷キャリア源であり、前記第1の電荷キャリア源とは別個の第2の電荷キャリア源と、
前記第2の出力に結合された第1の接続、前記上部ベースに結合された第2の接続、及び前記コントローラに結合された第2の制御入力を画成する第2の電気制御式スイッチと、
を更に有し、
前記ドライバが前記上部ベースに前記第2のレートで電荷キャリアを注入するとき、前記コントローラは、前記第2の制御入力をアサートすることによって、前記第2の電気制御式スイッチを導通させるように構成される、
請求項7に記載のスイッチアセンブリ。 - 前記第1の電荷キャリア源によって画成されるセットポイント入力であり、前記コントローラに結合されたセットポイント入力、
を更に有し、
前記ドライバが前記上部ベースに前記第2のレートで電荷キャリアを注入するとき、前記コントローラは、前記第1の電荷キャリア源によって供給される電荷キャリアのレートを低下させるように構成される、
請求項7に記載のスイッチアセンブリ。 - 前記第1の電荷キャリア源は、電圧源及び電流源からなる群から選択された少なくとも一方である、請求項7に記載のスイッチアセンブリ。
- コントローラと、
電荷キャリアを発生させる手段と、
電荷キャリアを発生させる前記手段に結合された第1の接続、前記上部ベースに結合された第2の接続、及び前記コントローラに結合された第1の制御入力を画成する第1の電気制御式スイッチと、
前記下部コレクタ-エミッタに結合された第1の接続、前記下部ベースに結合された第2の接続、及び前記コントローラに結合された第2の制御入力を画成する第2の電気制御式スイッチと、
を更に有し、
前記ドライバが前記トランジスタを非導通にするとき、前記コントローラは、
前記第1の制御入力をアサートすることによって前記第1の電気制御式スイッチを導通させ、前記上部ベースを通じて電荷キャリアを引き抜き、次いで、
前記第1の制御入力をデアサートすることによって前記第1の電気制御式スイッチを非導通にし、且つ
前記第2の制御入力をアサートすることによって前記第2の電気制御式スイッチを導通させる、
ように構成される、
請求項6に記載のスイッチアセンブリ。 - 前記ドライバは更に、前記第1のレートで電荷キャリアを注入することに先立って、前記上部ベースに前記第1のレートよりも高い第3のレートで電荷キャリアを注入するように構成され、前記第3のレートで電荷キャリアを注入することは、前記トランジスタのオフモードから導通状態へのスイッチング時間を短縮するためである、
請求項6に記載のスイッチアセンブリ。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202063026597P | 2020-05-18 | 2020-05-18 | |
US63/026597 | 2020-05-18 | ||
US17/317,466 US11411557B2 (en) | 2020-05-18 | 2021-05-11 | Method and system of operating a bi-directional double-base bipolar junction transistor (B-TRAN) |
US17/317466 | 2021-05-11 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021182857A JP2021182857A (ja) | 2021-11-25 |
JP2021182857A5 JP2021182857A5 (ja) | 2023-03-08 |
JP7379413B2 true JP7379413B2 (ja) | 2023-11-14 |
Family
ID=75936865
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021083268A Active JP7379413B2 (ja) | 2020-05-18 | 2021-05-17 | 双方向ダブルベースバイポーラ接合トランジスタを用いたスイッチアセンブリ、及びそれを動作させる方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11411557B2 (ja) |
EP (1) | EP3913806A1 (ja) |
JP (1) | JP7379413B2 (ja) |
KR (1) | KR20210142549A (ja) |
CN (1) | CN113691245A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11069797B2 (en) | 2016-05-25 | 2021-07-20 | Ideal Power Inc. | Ruggedized symmetrically bidirectional bipolar power transistor |
KR102654340B1 (ko) | 2021-08-10 | 2024-04-02 | 아이디얼 파워 인크. | 양방향 트렌치 파워 스위치를 위한 시스템 및 방법 |
KR102389427B1 (ko) | 2021-10-25 | 2022-04-22 | 웰트 주식회사 | 보행 데이터를 이용한 낙상 위험 예방 방법 및 이러한 방법을 수행하는 장치 |
US20240154029A1 (en) * | 2022-11-09 | 2024-05-09 | Ideal Power Inc. | Methods and systems of operating a pnp bi-directional double-base bipolar junction transistor |
WO2024123521A1 (en) | 2022-12-08 | 2024-06-13 | Ideal Power Inc. | Bidirectional bipolar junction transistor devices from bonded wide and thick wafers |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011211836A (ja) | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Panasonic Corp | スイッチングデバイス駆動装置および半導体装置 |
WO2016061140A1 (en) | 2014-10-13 | 2016-04-21 | Ideal Power Inc. | Field plates on two opposed surfaces of double-base bidirectional bipolar transistor: devices, methods, and systems |
JP2016187296A (ja) | 2016-05-13 | 2016-10-27 | 三菱電機株式会社 | スイッチング素子駆動回路、パワーモジュールおよび自動車 |
WO2017049006A1 (en) | 2015-09-15 | 2017-03-23 | Ideal Power Inc. | Operation of double-base bipolar transistors with additional timing phases at switching transitions |
JP2018502542A (ja) | 2014-11-06 | 2018-01-25 | アイディール パワー インコーポレイテッド | ダブルベースバイポーラジャンクショントランジスタの最適化された動作を有する回路、方法、及びシステム、並びに、可変電圧自己同期整流器回路、方法、及びシステム、並びに、ダブルベースコンタクト双方向バイポーラジャンクショントランジスタ回路による動作ポイント最適化、方法、及びシステム。 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10700216B2 (en) | 2013-02-07 | 2020-06-30 | John Wood | Bidirectional bipolar-mode JFET driver circuitry |
US11101372B2 (en) | 2013-02-07 | 2021-08-24 | John Wood | Double-sided vertical power transistor structure |
US10374070B2 (en) | 2013-02-07 | 2019-08-06 | John Wood | Bidirectional bipolar-mode JFET driver circuitry |
US9685502B2 (en) | 2013-02-07 | 2017-06-20 | John Wood | Bipolar junction transistor structure |
US10049884B2 (en) | 2013-02-07 | 2018-08-14 | John Wood | Anodic etching of substrates |
GB201621043D0 (en) | 2016-12-12 | 2017-01-25 | Wood John | Ultra-lateral power transistor and driver structures |
GB2510716A (en) | 2013-02-07 | 2014-08-13 | John Wood | Bi-polar junction transistor |
US9799731B2 (en) * | 2013-06-24 | 2017-10-24 | Ideal Power, Inc. | Multi-level inverters using sequenced drive of double-base bidirectional bipolar transistors |
US9786773B2 (en) | 2015-01-09 | 2017-10-10 | Ideal Power, Inc. | Thin-substrate double-base high-voltage bipolar transistors |
EP3116028B1 (en) | 2013-06-24 | 2021-03-24 | Ideal Power Inc. | Systems, circuits, devices, and methods with bidirectional bipolar transistors |
US9742385B2 (en) * | 2013-06-24 | 2017-08-22 | Ideal Power, Inc. | Bidirectional semiconductor switch with passive turnoff |
US9900002B2 (en) | 2013-06-24 | 2018-02-20 | Ideal Power, Inc. | Methods of operating a double-base-contact bidirectional bipolar junction transistor |
US11637016B2 (en) | 2013-12-11 | 2023-04-25 | Ideal Power Inc. | Systems and methods for bidirectional device fabrication |
US9355853B2 (en) | 2013-12-11 | 2016-05-31 | Ideal Power Inc. | Systems and methods for bidirectional device fabrication |
WO2015109237A1 (en) | 2014-01-16 | 2015-07-23 | Ideal Power Inc. | Structures and methods with reduced sensitivity to surface charge |
US9899868B2 (en) | 2014-10-31 | 2018-02-20 | Ideal Power, Inc. | Smart transfer switch devices, systems, and methods using double-base bipolar transistors |
US9787298B2 (en) | 2014-11-18 | 2017-10-10 | Ideal Power, Inc. | Operation of double-base bipolar transistors with additional timing phases at switching transitions |
GB2534818A (en) | 2014-11-18 | 2016-08-03 | Ideal Power Inc | Methods, systems, and devices for active charge control diodes |
US9679999B2 (en) | 2015-04-02 | 2017-06-13 | Ideal Power, Inc. | Bidirectional bipolar transistors with two-surface cellular geometries |
WO2016187358A1 (en) | 2015-05-18 | 2016-11-24 | Ideal Power Inc. | Synergistic applications of multi-on-mode bidirectional bipolar switch |
US10098259B2 (en) * | 2015-08-14 | 2018-10-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Heat dissipation in electronics |
GB2546475B (en) | 2015-12-16 | 2020-12-02 | Wood John | Ultra-Lateral Power Transistor amd Driver structures |
CN108781076B (zh) | 2016-03-15 | 2022-08-09 | 理想能量有限公司 | 具有防止意外导通的被动部件的双基极连接式双极晶体管 |
US11069797B2 (en) | 2016-05-25 | 2021-07-20 | Ideal Power Inc. | Ruggedized symmetrically bidirectional bipolar power transistor |
-
2021
- 2021-05-11 US US17/317,466 patent/US11411557B2/en active Active
- 2021-05-17 KR KR1020210063531A patent/KR20210142549A/ko unknown
- 2021-05-17 EP EP21174080.8A patent/EP3913806A1/en active Pending
- 2021-05-17 JP JP2021083268A patent/JP7379413B2/ja active Active
- 2021-05-18 CN CN202110540068.9A patent/CN113691245A/zh active Pending
- 2021-11-19 US US17/530,981 patent/US11804835B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011211836A (ja) | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Panasonic Corp | スイッチングデバイス駆動装置および半導体装置 |
WO2016061140A1 (en) | 2014-10-13 | 2016-04-21 | Ideal Power Inc. | Field plates on two opposed surfaces of double-base bidirectional bipolar transistor: devices, methods, and systems |
JP2018502542A (ja) | 2014-11-06 | 2018-01-25 | アイディール パワー インコーポレイテッド | ダブルベースバイポーラジャンクショントランジスタの最適化された動作を有する回路、方法、及びシステム、並びに、可変電圧自己同期整流器回路、方法、及びシステム、並びに、ダブルベースコンタクト双方向バイポーラジャンクショントランジスタ回路による動作ポイント最適化、方法、及びシステム。 |
WO2017049006A1 (en) | 2015-09-15 | 2017-03-23 | Ideal Power Inc. | Operation of double-base bipolar transistors with additional timing phases at switching transitions |
JP2016187296A (ja) | 2016-05-13 | 2016-10-27 | 三菱電機株式会社 | スイッチング素子駆動回路、パワーモジュールおよび自動車 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113691245A (zh) | 2021-11-23 |
JP2021182857A (ja) | 2021-11-25 |
KR20210142549A (ko) | 2021-11-25 |
US20210359678A1 (en) | 2021-11-18 |
EP3913806A1 (en) | 2021-11-24 |
US20220077852A1 (en) | 2022-03-10 |
US11411557B2 (en) | 2022-08-09 |
US11804835B2 (en) | 2023-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7379413B2 (ja) | 双方向ダブルベースバイポーラ接合トランジスタを用いたスイッチアセンブリ、及びそれを動作させる方法 | |
Riazmontazer et al. | Optically switched-drive-based unified independent dv/dt and di/dt control for turn-off transition of power MOSFETs | |
CN102810973B (zh) | 栅极驱动电路 | |
CN102148583B (zh) | 转换器设备和装备有这样的设备的不间断电源 | |
Park et al. | A self-boost charge pump topology for a gate drive high-side power supply | |
CN103580482B (zh) | 同步降压dc-dc转换器系统及其控制方法 | |
US20130063114A1 (en) | Circuits and methods for controlling pwm input of driver circuit | |
JP2023554608A (ja) | 双方向ダブルベースバイポーラ接合トランジスタ(b-tran)を動作させる方法及びシステム | |
CN108735552B (zh) | 接触器的线圈控制电路 | |
CN102780384A (zh) | 高性能低成本igbt 负压自举驱动电路 | |
CN111884491B (zh) | 一种具有能量回收功能的驱动电路及开关电源 | |
CN104247266A (zh) | 复合半导体开关装置 | |
US11496129B2 (en) | Method and system of current sharing among bidirectional double-base bipolar junction transistors | |
KR20200134700A (ko) | 전력 스위치용 변조 및 복조 회로 | |
TWI496403B (zh) | 電壓轉換控制器及電壓轉換電路 | |
JP6338145B2 (ja) | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
CN210578336U (zh) | 一种电机驱动系统 | |
CN216056801U (zh) | 电源转换器 | |
EP3090605A1 (en) | Lighting arrangement | |
CN103117661A (zh) | 一种基于平面变压器的晶闸管恒流驱动电路 | |
Sobczynski | Active gate drivers | |
CN220822631U (zh) | 供电切换电路、电磁阀控制电路及电磁阀 | |
He et al. | Active Voltage Control on series connection of IGBTs and diode recovery optimization | |
TW202420594A (zh) | 雙向雙基極雙極性結型電晶體及其操作方法和系統 | |
CN113794366A (zh) | 电源转换器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230228 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230929 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231003 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231101 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7379413 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |