JP7379134B2 - 半導体装置、および半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタ200を有する半導体装置の一例、およびその作製方法について説明する。
図1(A)、図1(B)、図1(C)、および図1(D)は、本発明の一態様に係るトランジスタ200、およびトランジスタ200周辺の上面図および断面図である。
図1に示すように、トランジスタ200は、絶縁体214上の絶縁体216と、絶縁体216に埋め込まれるように配置された導電体205(導電体205a、および導電体205b)と、絶縁体216上、および導電体205上の絶縁体222と、絶縁体222上の絶縁体224と、絶縁体224上の酸化物230aと、酸化物230a上の酸化物230bと、酸化物230b上の酸化物243aおよび酸化物243bと、酸化物243a上の導電体242aと、酸化物243b上の導電体242bと、絶縁体224の一部、酸化物230aの側面、酸化物230bの側面、酸化物243aの側面、導電体242aの側面、導電体242aの上面、酸化物243bの側面、導電体242bの側面、および導電体242bの上面とそれぞれ接する絶縁体272と、絶縁体272上の絶縁体273と、酸化物230b上の酸化物230cと、酸化物230c上の絶縁体250と、絶縁体250上に位置し、酸化物230cと重なる導電体260(導電体260a、および導電体260b)と、を有する。また、酸化物230cは、酸化物243aの側面、酸化物243bの側面、導電体242aの側面および導電体242bの側面とそれぞれ接する。導電体260は、導電体260aおよび導電体260bを有し、導電体260bの底面および側面を包むように導電体260aが配置される。ここで、図1(B)に示すように、導電体260の上面は、絶縁体250の上面および酸化物230cの上面と略一致して配置される。また、絶縁体282は、導電体260、絶縁体250、酸化物230c、および絶縁体280のそれぞれの上面と接する。
以下では、半導体装置に用いることができる構成材料について説明する。
トランジスタ200を形成する基板としては、例えば、絶縁体基板、半導体基板、または導電体基板を用いればよい。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、安定化ジルコニア基板(イットリア安定化ジルコニア基板など)、樹脂基板などがある。また、半導体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウムを材料とした半導体基板、または炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウムからなる化合物半導体基板などがある。さらには、前述の半導体基板内部に絶縁体領域を有する半導体基板、例えば、SOI(Silicon On Insulator)基板などがある。導電体基板としては、黒鉛基板、金属基板、合金基板、導電性樹脂基板などがある。または、金属の窒化物を有する基板、金属の酸化物を有する基板などがある。さらには、絶縁体基板に導電体または半導体が設けられた基板、半導体基板に導電体または絶縁体が設けられた基板、導電体基板に半導体または絶縁体が設けられた基板などがある。または、これらの基板に素子が設けられたものを用いてもよい。基板に設けられる素子としては、容量素子、抵抗素子、スイッチ素子、発光素子、記憶素子などがある。
絶縁体としては、絶縁性を有する酸化物、窒化物、酸化窒化物、窒化酸化物、金属酸化物、金属酸化窒化物、金属窒化酸化物などがある。
導電体としては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチウム、ランタンなどから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いることが好ましい。例えば、窒化タンタル、窒化チタン、タングステン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化物などを用いることが好ましい。また、窒化タンタル、窒化チタン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化物は、酸化しにくい導電性材料、または、酸素を吸収しても導電性を維持する材料であるため、好ましい。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。
酸化物230として、酸化物半導体として機能する金属酸化物を用いることが好ましい。以下では、本発明に係る酸化物230に適用可能な金属酸化物について説明する。
酸化物半導体(金属酸化物)は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、CAAC-OS、多結晶酸化物半導体、nc-OS(nanocrystalline oxide semiconductor)、擬似非晶質酸化物半導体(a-like OS:amorphous-like oxide semiconductor)、および非晶質酸化物半導体などがある。
ここで、金属酸化物中における各不純物の影響について説明する。
酸化物230に用いることができる半導体材料は、上述の金属酸化物に限られない。酸化物230として、バンドギャップを有する半導体材料(ゼロギャップ半導体ではない半導体材料)を用いてもよい。例えば、シリコンなどの単体元素の半導体、ヒ化ガリウムなどの化合物半導体、半導体として機能する層状物質(原子層物質、2次元材料などともいう。)などを半導体材料に用いることが好ましい。特に、半導体として機能する層状物質を半導体材料に用いると好適である。
次に、図1に示す、本発明に係るトランジスタ200を有する半導体装置について、作製方法を図4乃至図19を用いて説明する。また、図4乃至図19において、各図の(A)は上面図を示す。また、各図の(B)は、(A)に示すA1-A2の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジスタ200のチャネル長方向の断面図でもある。また、各図の(C)は、(A)にA3-A4の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジスタ200のチャネル幅方向の断面図でもある。また、各図の(D)は、(A)にA5-A6の一点鎖線で示す部位に対応する断面図である。なお、各図の(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いている。
以下では、図2、図3、図20、および図21を用いて、先の<半導体装置の構成例>で示したものとは異なる、本発明の一態様に係るトランジスタ200を有する半導体装置の一例について説明する。なお図2、図3、図20、および図21に示す半導体装置において、<半導体装置の構成例>に示した半導体装置(図1参照。)を構成する構造と同機能を有する構造には、同符号を付記する。なお、本項目において、トランジスタ200の構成材料については<半導体装置の構成例>で詳細に説明した材料を用いることができる。
図2(A)は、トランジスタ200を有する半導体装置の上面図である。また、図2(B)は、図2(A)に示すA1-A2の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジスタ200のチャネル長方向の断面図でもある。また、図2(C)は、図2(A)にA3-A4の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジスタ200のチャネル幅方向の断面図でもある。また、図2(D)は、図2(A)にA5-A6の一点鎖線で示す部位に対応する断面図である。なお、図2(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図3(A)は、トランジスタ200を有する半導体装置の上面図である。また、図3(B)は、図3(A)に示すA1-A2の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジスタ200のチャネル長方向の断面図でもある。また、図3(C)は、図3(A)にA3-A4の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジスタ200のチャネル幅方向の断面図でもある。また、図3(D)は、図3(A)にA5-A6の一点鎖線で示す部位に対応する断面図である。なお、図3(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図20(A)および図20(B)に、複数のトランジスタ200_1乃至トランジスタ200_nを、絶縁体283と絶縁体212で、包括して封止した構成について示す。なお、図20(A)および図20(B)において、トランジスタ200_1乃至トランジスタ200_nは、チャネル長方向に並んでいるように見えるが、これにかぎられるものではない。トランジスタ200_1乃至トランジスタ200_nは、チャネル幅方向に並んでいてもよいし、マトリクス状に配置されていてもよいし、規則性を持たずに配置されていてもよい。
図21(A)および図21(B)に、複数のトランジスタ200_1乃至トランジスタ200_nを、絶縁体283と絶縁体212で、包括して封止した構成について示す。図21(A)および図21(B)に示すトランジスタ200の構成が、<半導体装置の変形例1>で示す構成となっているところが、図20(A)および図20(B)に示す半導体装置と異なる。その他の構成および効果については、図20(A)および図20(B)を参酌することができる。
本実施の形態では、半導体装置の一形態を、図22乃至図25を用いて説明する。
本発明の一態様である半導体装置を使用した、記憶装置の一例を図22に示す。図22に示す記憶装置は、トランジスタ200、トランジスタ300、および容量素子100を有する。トランジスタ200はトランジスタ300の上方に設けられ、容量素子100はトランジスタ300、およびトランジスタ200の上方に設けられている。なお、トランジスタ200として、先の実施の形態で説明したトランジスタ200を用いることができる。
トランジスタ300は、基板311上に設けられ、ゲートとして機能する導電体316、ゲート絶縁体として機能する絶縁体315、基板311の一部からなる半導体領域313、およびソース領域またはドレイン領域として機能する低抵抗領域314a、および低抵抗領域314bを有する。トランジスタ300は、pチャネル型、あるいはnチャネル型のいずれでもよい。
容量素子100は、トランジスタ200の上方に設けられる。容量素子100は、第1の電極として機能する導電体110と、第2の電極として機能する導電体120、および誘電体として機能する絶縁体130とを有する。
各構造体の間には、層間膜、配線、およびプラグ等が設けられた配線層が設けられていてもよい。また、配線層は、設計に応じて複数層設けることができる。ここで、プラグまたは配線としての機能を有する導電体は、複数の構造をまとめて同一の符号を付与する場合がある。また、本明細書等において、配線と、配線と電気的に接続するプラグとが一体物であってもよい。すなわち、導電体の一部が配線として機能する場合、および導電体の一部がプラグとして機能する場合もある。
上記実施の形態に示すように、プラグとして機能する導電体240の側面に接して、絶縁体241を設けることが好ましい。また、絶縁体285は、絶縁体222、絶縁体224、絶縁体272、絶縁体273、絶縁体280、絶縁体282、絶縁体283、絶縁体274、および絶縁体284に形成された開口の内壁のうち、少なくとも、絶縁体282、絶縁体283、および絶縁体274に接して形成されていることが好ましい。つまり、絶縁体241および絶縁体285は、導電体240と絶縁体222、絶縁体224、絶縁体272、絶縁体273、絶縁体280、絶縁体282、絶縁体283、絶縁体274、および絶縁体284と、の間に設けられているので、絶縁体224、絶縁体280、および絶縁体274などから水または水素などの不純物が、導電体240を通じて酸化物230に混入するのを抑制することができる。また、絶縁体241、および絶縁体285を形成することで、絶縁体224、絶縁体280、および絶縁体274に含まれる酸素が導電体240に吸収されるのを防ぐことができる。よって、導電体240から導電体242および酸化物230に拡散する水素の量を低減することができる。
以下では、大面積基板を半導体素子ごとに分断することによって、複数の半導体装置をチップ状で取り出す場合に設けられるダイシングライン(スクライブライン、分断ライン、又は切断ラインと呼ぶ場合がある)について説明する。分断方法としては、例えば、まず、基板に半導体素子を分断するための溝(ダイシングライン)を形成した後、ダイシングラインにおいて切断し、複数の半導体装置に分断(分割)する場合がある。
本発明の一態様である半導体装置を使用した、記憶装置の一例を図24に示す。図24に示す記憶装置は、図22で示したトランジスタ200、トランジスタ300、および容量素子100を有する半導体装置に加え、トランジスタ400を有している。
トランジスタ400は、トランジスタ200と、同じ層に形成されており、並行して作製することができるトランジスタである。トランジスタ400は、第1のゲートとして機能する導電体460(導電体460a、および導電体460b)と、第2のゲートとして機能する導電体405と、ゲート絶縁層として機能する絶縁体222、絶縁体224、および絶縁体450と、チャネル形成領域を有する酸化物430cと、ソースとして機能する導電体442a、酸化物443a、酸化物431a、および酸化物431bと、ドレインとして機能する導電体442b、酸化物443b、酸化物432a、および酸化物432bと、プラグとして機能する導電体440(導電体440a、および導電体440b)と、バリア絶縁膜として機能する絶縁体272、および絶縁体273と、を有する。
本実施の形態では、図26および図27を用いて、本発明の一態様に係る、酸化物を半導体に用いたトランジスタ(以下、OSトランジスタと呼ぶ場合がある)、および容量素子が適用されている記憶装置(以下、OSメモリ装置と呼ぶ場合がある)について説明する。OSメモリ装置は、少なくとも容量素子と、容量素子の充放電を制御するOSトランジスタを有する記憶装置である。OSトランジスタのオフ電流は極めて小さいので、OSメモリ装置は優れた保持特性をもち、不揮発性メモリとして機能させることができる。
図26(A)にOSメモリ装置の構成の一例を示す。記憶装置1400は、周辺回路1411、およびメモリセルアレイ1470を有する。周辺回路1411は、行回路1420、列回路1430、出力回路1440、コントロールロジック回路1460を有する。
図27(A)乃至(C)に、DRAMのメモリセルの回路構成例を示す。本明細書等において、1OSトランジスタ1容量素子型のメモリセルを用いたDRAMを、DOSRAM(Dynamic Oxide Semiconductor Random Access Memory)と呼ぶ場合がある。図27(A)に示す、メモリセル1471は、トランジスタM1と、容量素子CAと、を有する。なお、トランジスタM1は、ゲート(フロントゲートと呼ぶ場合がある)、及びバックゲートを有する。
図27(D)乃至(H)に、2トランジスタ1容量素子のゲインセル型のメモリセルの回路構成例を示す。図27(D)に示す、メモリセル1474は、トランジスタM2と、トランジスタM3と、容量素子CBと、を有する。なお、トランジスタM2は、フロントゲート(単にゲートと呼ぶ場合がある)、及びバックゲートを有する。本明細書等において、トランジスタM2にOSトランジスタを用いたゲインセル型のメモリセルを有する記憶装置を、NOSRAM(Nonvolatile Oxide Semiconductor RAM)と呼ぶ場合がある。
本実施の形態では、図28を用いて、本発明の半導体装置が実装されたチップ1200の一例を示す。チップ1200には、複数の回路(システム)が実装されている。このように、複数の回路(システム)を一つのチップに集積する技術を、システムオンチップ(System on Chip:SoC)と呼ぶ場合がある。
本実施の形態では、先の実施の形態に示す半導体装置を用いた記憶装置の応用例について説明する。先の実施の形態に示す半導体装置は、例えば、各種電子機器(例えば、情報端末、コンピュータ、スマートフォン、電子書籍端末、デジタルカメラ(ビデオカメラも含む)、録画再生装置、ナビゲーションシステムなど)の記憶装置に適用できる。なお、ここで、コンピュータとは、タブレット型のコンピュータや、ノート型のコンピュータや、デスクトップ型のコンピュータの他、サーバシステムのような大型のコンピュータを含むものである。または、先の実施の形態に示す半導体装置は、メモリカード(例えば、SDカード)、USBメモリ、SSD(ソリッド・ステート・ドライブ)等の各種のリムーバブル記憶装置に適用される。図29にリムーバブル記憶装置の幾つかの構成例を模式的に示す。例えば、先の実施の形態に示す半導体装置は、パッケージングされたメモリチップに加工され、様々なストレージ装置、リムーバブルメモリに用いられる。
本実施の形態では、図30から図33を用いて、本発明の一態様に係る、OSトランジスタ、および容量素子が適用されている半導体装置の一例として、FPGA(フィールドプログラマブルゲートアレイ)について説明する。本実施の形態のFPGAは、コンフィギュレーションメモリ、およびレジスタにOSメモリが適用されている。ここでは、このようなFPGAを「OS-FPGA」と呼ぶ。
図30(A)にOS-FPGAの構成例を示す。図30(A)に示すOS-FPGA3110は、マルチコンテキスト構造によるコンテキスト切り替えとPLE毎の細粒度パワーゲーティングを実行するNOFF(ノーマリーオフ)コンピューティングが可能である。OS-FPGA3110は、コントローラ(Controller)3111、ワードドライバ(Word driver)3112、データドライバ(Data driver)3113、プログラマブルエリア(Programmable area)3115を有する。
“H”の信号storeがOS-FF3140に入力されると、シャドウレジスタ3142はFF3141のデータをバックアップする。ノードN36は、ノードQのデータが書き込まれることで、“L”となり、ノードNB36は、ノードQBのデータが書き込まれることで、“H”となる。しかる後、パワーゲーティングが実行され、パワースイッチ3127をオフにする。FF3141のノードQ、QBのデータは消失するが、電源オフであっても、シャドウレジスタ3142はバックアップしたデータを保持する。
パワースイッチ3127をオンにし、PLE3121に電源を供給する。しかる後、“H”の信号loadがOS-FF3140に入力されると、シャドウレジスタ3142はバックアップしているデータをFF3141に書き戻す。ノードN36は“L”であるので、ノードN37は“L”が維持され、ノードNB36は“H”であるので、ノードNB37は“H”となる。よって、ノードQは“H”になり、ノードQBは“L”になる。つまり、OS-FF3140はバックアップ動作時の状態に復帰する。
本実施の形態においては、上述した記憶装置など、本発明の一態様に係る半導体装置を含むCPUの一例について説明する。
図34に示す半導体装置6400は、CPUコア6401、パワーマネージメントユニット6421および周辺回路6422を有する。パワーマネージメントユニット6421は、パワーコントローラ(Power Controller)6402、およびパワースイッチ(Power Switch)6403を有する。周辺回路6422は、キャッシュメモリを有するキャッシュ(Cache)6404、バスインターフェース(BUS I/F)6405、及びデバッグインターフェース(Debug I/F)6406を有する。CPUコア6401は、データバス6423、制御装置(Control Unit)6407、PC(プログラムカウンタ)6408、パイプラインレジスタ(Pipeline Register)6409、パイプラインレジスタ(Pipeline Register)6410、ALU(Arithmetic logic unit)6411、及びレジスタファイル(Register File)6412を有する。CPUコア6401と、キャッシュ6404等の周辺回路6422とのデータのやり取りは、データバス6423を介して行われる。
本実施の形態は、上記実施の形態に示す記憶装置が組み込まれた電子部品および電子機器の一例を示す。
まず、上記実施の形態に示す記憶装置が組み込まれた電子部品の例を、図36(A)、(B)を用いて説明を行う。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置に適用可能な電子機器の具体例について図37を用いて説明する。
本発明の一態様に係るGPU又はチップは、様々な電子機器に搭載することができる。電子機器の例としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ(Digital Signage:電子看板)、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。また、本発明の一態様に係るGPU又はチップを電子機器に設けることにより、電子機器に人工知能を搭載することができる。
図37(A)には、情報端末の一種である携帯電話(スマートフォン)が図示されている。情報端末5500は、筐体5510と、表示部5511と、を有しており、入力用インターフェースとして、タッチパネルが表示部5511に備えられ、ボタンが筐体5510に備えられている。
図37(B)には、デスクトップ型情報端末5300が図示されている。デスクトップ型情報端末5300は、情報端末の本体5301と、ディスプレイ5302と、キーボード5303と、を有する。
図37(C)は、電化製品の一例である電気冷凍冷蔵庫5800を示している。電気冷凍冷蔵庫5800は、筐体5801、冷蔵室用扉5802、冷凍室用扉5803等を有する。
図37(D)は、ゲーム機の一例である携帯ゲーム機5200を示している。携帯ゲーム機は、筐体5201、表示部5202、ボタン5203等を有する。
本発明の一態様のGPU又はチップは、移動体である自動車、及び自動車の運転席周辺に適用することができる。
本発明の一態様のGPU又はチップは、放送システムに適用することができる。
以下では、本発明の一態様に係る試料1A、試料1B、および試料1Cについて説明する。試料1A乃至試料1Cの構造を、図38に示す。試料1A乃至試料1Cは、基板901と、基板901上の絶縁体902と、絶縁体902上の絶縁体903と、を有する。
次に、試料1A乃至試料1Cの絶縁体903を定量層として、SIMS分析を行い、水素(H)濃度を検出した結果を図39に示す。なお、水素濃度評価は、二次イオン質量分析(Secondary Ion Mass Spectrometry:SIMS)により行い、分析装置としてCAMECA社製ダイナミックSIMS装置IMS-7fを用いた。
以下に、試料2A、および試料2Bの作製方法を説明する。
次に、トランジスタの信頼性を調べるために、試料2A、および試料2Bに対し、1個のトランジスタに対し、GBT(Gate Bias Temperature)ストレス試験を行った。GBTストレス試験は信頼性試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトランジスタの特性変化を、評価することができる。
Claims (6)
- 第1の絶縁体と、
前記第1の絶縁体上の第2の絶縁体と、
前記第2の絶縁体上の第3の絶縁体と、
前記第3の絶縁体上の第4の絶縁体および第1の導電体と、
前記第4の絶縁体上および前記第1の導電体上の第5の絶縁体と、
前記第5の絶縁体上の第1の酸化物と、
前記第1の酸化物上の第2の導電体および第3の導電体と、
前記第1の酸化物上にあり、且つ前記第2の導電体と前記第3の導電体の間に配置される第2の酸化物と、
前記第2の酸化物上の第6の絶縁体と、
前記第6の絶縁体上の第4の導電体と、を有し、
前記第2の絶縁体の水素濃度は、前記第1の絶縁体の水素濃度より低く、
前記第3の絶縁体の水素濃度は、前記第2の絶縁体の水素濃度より低い、半導体装置。 - 請求項1において、
前記第5の絶縁体の上面、前記第1の酸化物の側面、前記第2の導電体の側面、前記第2の導電体の上面、前記第3の導電体の側面、および前記第3の導電体の上面とそれぞれ接する領域を有する、第7の絶縁体と、
前記第7の絶縁体上の第8の絶縁体と、
前記第8の絶縁体上の第9の絶縁体と、
前記第9の絶縁体の上面、前記第2の酸化物の上面、前記第6の絶縁体の上面、および前記第4の導電体の上面にそれぞれ接する、第10の絶縁体と、
前記第10の絶縁体上の第11の絶縁体と、
前記第11の絶縁体上の第12の絶縁体と、を有し、
前記第11の絶縁体は、前記第2の絶縁体の上面、前記第3乃至前記第5の絶縁体の側面、前記第7乃至前記第10の絶縁体の側面および前記第10の絶縁体の上面にそれぞれ接する、
半導体装置。 - 請求項2において、
前記第12の絶縁体上の第13の絶縁体および第14の絶縁体と、
前記第13の絶縁体上の第5の導電体と、
前記第14の絶縁体上の第6の導電体と、
前記第5の導電体上、前記第6の導電体上および前記第12の絶縁体上の第15の絶縁体と、を有し、
前記第15の絶縁体は、前記第5の導電体の側面、前記第5の導電体の上面、前記第6の導電体の側面、前記第6の導電体の上面とそれぞれ接する、半導体装置。 - 請求項2または請求項3において、
前記第7乃至前記第14の絶縁体に形成された開口と、
前記開口の側面において、少なくとも前記第10乃至前記第12の絶縁体の側面に接する第16の絶縁体と、
前記第16の絶縁体の側面に接する第17の絶縁体と、
前記第17の絶縁体の側面に接する第7の導電体と、を有する半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第1の絶縁体、前記第2の絶縁体、前記第8の絶縁体、前記第11の絶縁体、および前記第13乃至前記第16の絶縁体は、シリコンおよび窒素を含む、半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記第3の絶縁体、前記第7の絶縁体、前記第10の絶縁体、および第17の絶縁体は、アルミニウム、マグネシウム、タンタルのいずれか一を含む、半導体装置。
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