JP7378678B1 - 硬化性樹脂フィルム、複合シート、半導体チップ、及び半導体チップの製造方法 - Google Patents

Abstract

バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップの前記バンプ形成面に、保護膜としての硬化樹脂膜を形成するために用いられる硬化性樹脂フィルムであって、下記要件（１）を満たす、硬化性樹脂フィルムとした。・要件（１）：１３０℃、０．５ＭＰａで２４０分間の条件で熱硬化処理を行った後の９４０ｎｍの近赤外線透過率が１３％未満である、硬化性樹脂フィルムに関する。

Description

本発明は、硬化性樹脂フィルム、複合シート、半導体チップ、及び半導体チップの製造方法に関する。更に詳述すると、本発明は、硬化性樹脂フィルム及び当該硬化性樹脂フィルムを備える複合シート、並びにこれらを利用することにより硬化樹脂膜が保護膜として設けられている半導体チップ、及び当該半導体チップを製造する方法に関する。

近年、いわゆるフェースダウン方式と呼ばれる実装法を用いた半導体装置の製造が行われている。フェースダウン方式においては、回路面にバンプを備える半導体チップと、当該半導体チップ搭載用の基板とを、当該半導体チップの回路面と当該基板とが対向するように積層することによって、当該半導体チップを当該基板上に搭載する。
なお、当該半導体チップは、通常、回路面にバンプを備える半導体ウエハを個片化して得られる。

バンプを備える半導体ウエハには、バンプと半導体ウエハとの接合部分（以下、「バンプ基部」ともいう）を保護する目的で、保護膜が設けられることがある。
例えば、特許文献１では、支持基材と、粘着剤層と、硬化性樹脂層とがこの順で積層された積層体を、硬化性樹脂層を貼り合わせ面にして、バンプを備える半導体ウエハのバンプ形成面に押圧して貼付した後、当該硬化性樹脂層を加熱して硬化させることで保護膜を形成している。
特許文献１に記載の方法では、バンプ付きウエハに保護膜を形成した後、バンプ付きウエハを保護膜と共にダイシングすることで、個片化された半導体チップが得られる。

特開２０１５－０９２５９４号公報

ところで、近年、赤外線を介してデータを送受信する技術（以下、「赤外線通信」という）が各種機器において利用されている。そのため、半導体チップを搭載した半導体装置には、赤外線通信において利用される近赤外線（７５０ｎｍ～１５００ｎｍ帯域）による誤作動を防ぐことが求められている。
そこで、本発明者は、保護膜が形成された半導体チップの当該保護膜に近赤外線による誤作動を防ぐ機能を付与すれば、保護膜が形成された半導体チップに対し、近赤外線による誤作動を防ぐ機能を簡便に付与できることを着想した。しかしながら、当該保護膜によって近赤外線による誤作動を防ぐことについて、十分に検討が行われていないのが実情である。

そこで、本発明は、バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップの当該バンプ形成面に、保護膜としての硬化樹脂膜を形成するために用いられ、前記半導体チップの近赤外線による誤作動を抑制することのできる硬化性樹脂フィルム、当該硬化性樹脂フィルムを備える複合シート、半導体チップ、及び当該半導体チップの製造方法を提供することを課題とする。

本発明によれば、下記［１］～［１６］が提供される。
［１］ バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップの前記バンプ形成面に、保護膜としての硬化樹脂膜を形成するために用いられる硬化性樹脂フィルムであって、
下記要件（１）を満たす、硬化性樹脂フィルム。
・要件（１）：１３０℃、０．５ＭＰａで２４０分間の条件で熱硬化処理を行った後の９４０ｎｍの近赤外線透過率が１３％未満である。
［２］ 黒色顔料を含有する、上記［１］に記載の硬化性樹脂フィルム。
［３］ 黒色顔料の含有量が、硬化性樹脂フィルムの全量基準で、０．５質量％超である、上記［２］に記載の硬化性樹脂フィルム。
［４］ 厚さが１μｍ以上である、上記［１］～［３］のいずれかに記載の硬化性樹脂フィルム。
［５］ 前記半導体チップの前記バンプ形成面及び側面の双方に、前記保護膜としての前記硬化樹脂膜を形成するために用いられる、上記［１］～［４］のいずれかに記載の硬化性樹脂フィルム。
［６］ 上記［１］～［５］のいずれかに記載の硬化性樹脂フィルムと、剥離シートとが積層された積層構造を有する、複合シート。
［７］ 前記剥離シートは、基材と剥離層とを有し、前記剥離層が前記硬化性樹脂フィルムに面する、上記［６］に記載の複合シート。
［８］ 前記剥離シートは、前記基材と前記剥離層との間に、更に中間層を有する、上記［７］に記載の複合シート。
［９］ 前記剥離層がエチレン－酢酸ビニル共重合体を含む組成物から形成されてなる層である、上記［７］又は［８］に記載の複合シート。
［１０］ 下記工程（Ｖ１）～（Ｖ４）をこの順で含む、半導体チップの製造方法。
工程（Ｖ１）：バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体ウエハを準備する工程
工程（Ｖ２）：前記半導体ウエハの前記バンプ形成面に、上記［１］～［４］のいずれかに記載の硬化性樹脂フィルムを押圧して貼付し、前記半導体ウエハの前記バンプ形成面を前記硬化性樹脂フィルムで被覆する工程
工程（Ｖ３）：前記硬化性樹脂フィルムを硬化させて、硬化樹脂膜付き半導体ウエハを得る工程
工程（Ｖ４）：前記硬化樹脂膜付き半導体ウエハを個片化し、前記バンプ形成面が前記硬化樹脂膜で被覆されている半導体チップを得る工程
［１１］ 下記工程（Ｓ１）、（Ｓ２）、（Ｓ３）、及び（Ｓ４）をこの順で含み、
工程（Ｓ１）：バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体ウエハの前記バンプ形成面に、分割予定ラインとしての溝部が裏面に到達することなく形成されている半導体チップ作製用ウエハを準備する工程
工程（Ｓ２）：前記半導体チップ作製用ウエハの前記バンプ形成面に、上記［５］に記載の硬化性樹脂フィルムを押圧して貼付し、前記半導体チップ作製用ウエハの前記バンプ形成面を前記硬化性樹脂フィルムで被覆すると共に、前記半導体チップ作製用ウエハに形成されている前記溝部に前記硬化性樹脂フィルムを埋め込む工程
工程（Ｓ３）：前記硬化性樹脂フィルムを硬化させて、硬化樹脂膜付き半導体チップ作製用ウエハを得る工程
工程（Ｓ４）：前記硬化樹脂膜付き半導体チップ作製用ウエハを前記分割予定ラインに沿って個片化し、少なくとも前記バンプ形成面及び側面が前記硬化樹脂膜で被覆されている半導体チップを得る工程
さらに、前記工程（Ｓ２）の後で且つ前記工程（Ｓ３）の前、前記工程（Ｓ３）の後で且つ前記工程（Ｓ４）の前、又は前記工程（Ｓ４）において、下記工程（Ｓ－ＢＧ）を含む、半導体チップの製造方法。
工程（Ｓ－ＢＧ）：前記半導体チップ作製用ウエハの前記裏面を研削する工程
［１２］ さらに、下記工程（ＴＡ）を含む、上記［１０］に記載の半導体チップの製造方法。
工程（ＴＡ）：前記半導体ウエハの前記裏面に、裏面保護膜を形成する工程
［１３］ さらに、下記工程（ＴＢ）を含む、上記［１１］に記載の半導体チップの製造方法。
工程（ＴＢ）：前記半導体チップ作製用ウエハの前記裏面に、裏面保護膜を形成する工程
［１４］ バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップの前記バンプ形成面に、上記［１］～［４］のいずれかに記載の硬化性樹脂フィルムが硬化してなる硬化樹脂膜を有し、近赤外線遮蔽機能が付与された半導体チップ。
［１５］ バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップの前記バンプ形成面及び側面の双方に、上記［５］に記載の硬化性樹脂フィルムが硬化してなる硬化樹脂膜を有し、近赤外線遮蔽機能が付与された半導体チップ。
［１６］ 前記半導体チップの裏面に、さらに裏面保護膜を有する、上記［１４］又は［１５］に記載の半導体チップ。

本発明によれば、バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップの前記バンプ形成面に保護膜としての硬化樹脂膜を形成するために用いられ、前記半導体チップの赤外線による誤作動を抑制することのできる硬化性樹脂フィルム、当該硬化性樹脂フィルムを備える複合シート、半導体チップ、及び当該半導体チップの製造方法を提供することが可能となる。

一実施形態における複合シートの構成を示す概略断面図である。 他の実施形態における複合シートの構成を示す概略断面図である。 工程（Ｓ１）にて準備する半導体チップ作製用ウエハの一例を示す概略断面図である。 工程（Ｓ２）の概略を示す図である。 工程（Ｓ３）の概略を示す図である。 工程（Ｓ４）の概略を示す図である。 工程（Ｓ－ＢＧ）の概略を示す図である。 工程（Ｖ４）の概略を示す図である。 「４－２．カーフ認識性」の評価において、硬化樹脂膜付きの半導体チップ作製用ウエハを硬化樹脂膜側から撮影した画像であって、カーフの凹凸が明瞭に認識できた場合の例を示す画像である。 「４－２．カーフ認識性」の評価において、硬化樹脂膜付きの半導体チップ作製用ウエハを硬化樹脂膜側から撮影した画像であって、カーフの凹凸が明瞭に認識できなかった場合の例を示す画像である。

本明細書において、「有効成分」とは、対象となる組成物に含まれる成分のうち、水及び有機溶媒等の希釈溶媒を除いた成分を指す。
また、本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、「アクリル酸」と「メタクリル酸」との双方を示し、他の類似用語も同様である。
また、本明細書において、重量平均分子量及び数平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値である。
また、本明細書において、好ましい数値範囲（例えば、含有量等の範囲）について、段階的に記載された下限値及び上限値は、それぞれ独立して組み合わせることができる。例えば、「好ましくは１０～９０、より好ましくは３０～６０」という記載から、「好ましい下限値（１０）」と「より好ましい上限値（６０）」とを組み合わせて、「１０～６０」とすることもできる。
なお、本明細書において、「硬化性樹脂組成物の有効成分の全量での各成分の含有量」は、「硬化性樹脂組成物から形成される硬化性樹脂フィルムの各成分の含有量」と同義である。

［本実施形態の硬化性樹脂フィルムの態様］
本実施形態の硬化性樹脂フィルムは、バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップの前記バンプ形成面に、保護膜としての硬化樹脂膜を形成するために用いられる硬化性樹脂フィルムであって、
下記要件（１）を満たす、硬化性樹脂フィルム。
・要件（１）：１３０℃、０．５ＭＰａで２４０分間の条件で熱硬化処理を行った後の９４０ｎｍの近赤外線透過率が１３％未満である。
上記要件（１）に規定される９４０ｎｍの近赤外線透過率が１３％以上であると、近赤外線による半導体チップの誤作動を抑制することが困難になる。
ここで、上記要件（１）に規定される９４０ｎｍの近赤外線透過率は、近赤外線による半導体チップの誤作動をより抑制しやすくする観点から、好ましくは１０％以下、より好ましくは７．０％以下、更に好ましくは５．０％以下、より更に好ましくは３．０％以下である。
また、近赤外線による半導体チップの誤作動をより抑制しやすくする観点から、８００ｎｍの近赤外線透過率は、好ましくは３０％以下、より好ましくは２６％以下、更に好ましくは２５％以下である。
本明細書において、赤外線透過率は、後述する実施例に記載の方法により測定される近赤外線透過率を意味する。

上記要件（１）を満たす硬化性樹脂フィルムの調製方法は、特に制限されないが、例えば、近赤外線遮蔽粒子を硬化性樹脂フィルムに含有させる方法が挙げられる。
近赤外線遮蔽粒子は、公知のものを各種用いることができ、近赤外線吸収タイプであっても近赤外線反射タイプであってもよい。また、近赤外線遮蔽粒子は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
近赤外線遮蔽粒子を例示すると、金及び銀等の貴金属粒子；スズドープ酸化インジウム粒子（ＩＴＯ粒子）；アンチモンドープ酸化スズ粒子；セシウムドープ酸化タングステン粒子；六ホウ化ランタン；染料；顔料；アルミナ；炭化ケイ素等が挙げられる。
これらの中でも、入手容易性等の観点から顔料が好ましい。また、顔料の中でも近赤外線遮蔽性能に優れることから、黒色顔料が好ましい。すなわち、本実施形態の硬化性樹脂フィルムは顔料を含有することが好ましく、黒色顔料を含有することがより好ましい。

黒色顔料を例示すると、カーボンブラック、酸化銅、四三酸化鉄、二酸化マンガン、アニリンブラック、及び活性炭等が挙げられる。
これらの中でも、入手容易性等の観点から、カーボンブラックが好ましい。

硬化性樹脂フィルム中における黒色顔料の含有量は、上記要件（１）を満たしやすくする観点から、硬化性樹脂フィルムの全量基準で、好ましくは０．５質量％超、より好ましくは０．７質量％以上、更に好ましくは１．０質量％以上、より更に好ましくは１．５質量％以上である。
なお、硬化性樹脂フィルムの造膜性の確保の観点から、黒色顔料の含有量は、硬化性樹脂フィルムの全量基準で、好ましくは３５質量％未満、より好ましくは３０質量％以下、更に好ましくは２５質量％以下である。

また、硬化性樹脂フィルム中における黒色顔料の均一分散性を良好なものとしやすくする観点から、黒色顔料の粒子径は、好ましくは１ｎｍ～１μｍ、より好ましくは１０ｎｍ～５００ｎｍ、更に好ましくは１０ｎｍ～１００ｎｍである。
本明細書において、黒色顔料の粒子径は、電子顕微鏡で観察した黒色顔料の１次粒子の粒子径を無作為に選択して複数個測定し、その平均値を算出した算術平均粒子径を意味する。

また、上記要件（１）を満たす硬化性樹脂フィルムの調製方法として、硬化性樹脂フィルムの膜厚を厚くする方法も挙げられる。
硬化性樹脂フィルムを厚くする程、熱硬化後の硬化樹脂膜の赤外線遮蔽性能が僅かに向上し、上記要件（１）を満たしやすくすることができる。
具体的には、硬化性樹脂フィルムの厚さは、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、更に好ましくは５μｍ以上である。
なお、硬化性樹脂フィルムの厚さは、貼付時のしみ出しによる汚染抑制の観点から、好ましくは２５０μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下、更に好ましくは１５０μｍ以下である。

硬化性樹脂フィルムは１層（単層）のみでもよいし、２層以上の複数層でもよい。硬化性樹脂フィルムが複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
例えば、硬化性樹脂フィルムが複数層から構成され、少なくとも１つの層（例えば最表面等）にのみ黒色顔料等の近赤外線遮蔽粒子が含有されていてもよい。
なお、「硬化性樹脂フィルムの厚さ」とは、硬化性樹脂フィルム全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる硬化性樹脂フィルムの厚さとは、硬化性樹脂フィルムを構成するすべての層の合計の厚さを意味する。

＜本実施形態の硬化性樹脂フィルムの好適な用途＞
本実施形態の硬化性樹脂フィルムは、バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップの前記バンプ形成面に、保護膜としての硬化樹脂膜を形成するために用いられる。
ここで、半導体チップの強度を向上させるとともに、近赤外線による半導体チップの誤作動をより抑制しやすくする観点から、本実施形態の硬化性樹脂フィルムは、バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップのバンプ形成面及び側面の双方に、保護膜としての硬化樹脂膜を形成するために用いられることが好ましい。
かかる観点から、本実施形態の硬化性樹脂フィルムは、上記要件（１）に加えて、さらに以下に説明する要件（２）を満たすことが好ましい。

（要件（２））
要件（２）は、以下のように規定される。
要件（２）：温度９０℃、周波数１Ｈｚの条件で、直径２５ｍｍ、厚さ１ｍｍの上記硬化性樹脂フィルムの試験片にひずみを発生させて、上記試験片の貯蔵弾性率を測定し、上記試験片のひずみが１％のときの上記試験片の貯蔵弾性率をＧｃ１とし、上記試験片のひずみが３００％のときの上記試験片の貯蔵弾性率をＧｃ３００としたときに、下記式（ｉ）により算出されるＸ値が、１０以上１０，０００未満である。
Ｘ＝Ｇｃ１／Ｇｃ３００・・・・（ｉ）

要件（２）において規定されるＸ値の上限は、被覆性に優れる保護膜を形成する観点から、好ましくは５，０００以下、より好ましくは２，０００以下、更に好ましくは１，０００以下、より更に好ましくは５００以下、更になお好ましくは３００以下、一層好ましくは１００以下、より一層好ましくは８０以下である。
また、半導体チップ作製用ウエハの溝部への埋め込み性をより良好なものとする観点から、要件（２）において規定されるＸ値の下限は、好ましくは２０以上、より好ましくは３０以上である。

本実施形態の硬化性樹脂フィルムにおいて、Ｇｃ１は、要件（２）において規定されるＸ値が、１０以上１０，０００未満となる限り、特に限定されない。
但し、被覆性に優れる保護膜をより形成しやすくする観点から、Ｇｃ１は、１×１０^２～１×１０^６Ｐａであることが好ましく、２×１０^３～７×１０^５Ｐａであることがより好ましく、３×１０^３～５×１０^５Ｐａであることが更に好ましい。

本実施形態の硬化性樹脂フィルムにおいて、Ｇｃ３００は、Ｘ値が１０以上１０，０００未満となる限り、特に限定されない。
但し、バンプが硬化性樹脂フィルムを貫通後、当該硬化性樹脂フィルムの、バンプ基部への埋め込み性および半導体チップ作製用ウエハの溝部への埋め込み性を良好にする観点から、Ｇｃ３００は、１０～１５，０００Ｐａであることが好ましく、３０～１０，０００Ｐａであることがより好ましく、６０～５，０００Ｐａであることが更に好ましい。

本実施形態の硬化性樹脂フィルムは、加熱又はエネルギー線照射による硬化により、硬化樹脂膜を形成する。本実施形態の硬化性樹脂フィルムは、加熱により硬化する熱硬化性樹脂フィルムであってもよく、エネルギー線照射により硬化するエネルギー線硬化性樹脂フィルムであってもよいが、取扱性等の観点から、熱硬化性樹脂フィルムが好ましい。
以下、本実施形態の熱硬化性樹脂フィルムの構成について、上記要件（１）、さらには上記要件（２）を満たすための条件等も踏まえつつ、詳細に説明する。

［熱硬化性樹脂フィルム］
本実施形態の熱硬化性樹脂フィルムは、加熱による硬化により、硬化樹脂膜を形成する。
本実施形態の熱硬化性樹脂フィルムは、重合体成分（Ａ）及び熱硬化性成分（Ｂ）を含有する。本実施形態の熱硬化性樹脂フィルムは、例えば、重合体成分（Ａ）及び熱硬化性成分（Ｂ）を含有する熱硬化性樹脂組成物から形成される。
重合体成分（Ａ）は、重合性化合物が重合反応して形成されたとみなせる成分である。また、熱硬化性成分（Ｂ）は、熱を反応のトリガーとして、硬化（重合）反応し得る成分である。なお、当該硬化（重合）反応には、重縮合反応も含まれる。

＜重合体成分（Ａ）＞
熱硬化性樹脂フィルム及び熱硬化性樹脂組成物は、重合体成分（Ａ）を含有する。
重合体成分（Ａ）は、熱硬化性樹脂フィルムに造膜性や可撓性等を付与するための重合体化合物である。重合体成分（Ａ）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。重合体成分（Ａ）を２種以上組み合わせて用いる場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

重合体成分（Ａ）としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリビニルアセタール、ポリエステル、ウレタン系樹脂（ウレタン結合を有する樹脂）、アクリルウレタン樹脂、シリコーン系樹脂（シロキサン結合を有する樹脂）、ゴム系樹脂（ゴム構造を有する樹脂）、フェノキシ樹脂、及び熱硬化性ポリイミド等が挙げられる。
これらの中でも、アクリル系樹脂、ポリアリレート樹脂、及びポリビニルアセタールが好ましい。

アクリル系樹脂としては、公知のアクリル重合体が挙げられる。
アクリル系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００～２，０００，０００であることが好ましく、３００，０００～１，５００，０００であることがより好ましく、５００，０００～１，０００，０００であることが更に好ましい。
アクリル系樹脂の重量平均分子量が上記の下限値以上であることで、熱硬化性樹脂フィルムの形状安定性（保管時の経時安定性）を向上させやすい。また、アクリル系樹脂の重量平均分子量が上記の上限値以下であることで、被着体の凹凸面へ熱硬化性樹脂フィルムが追従し易くなり、例えば、被着体と熱硬化性樹脂フィルムとの間でボイド等の発生を抑制させやすい。したがって、半導体ウエハのバンプ形成面の被覆性が良好となり、また、溝部への埋め込み性も向上させやすい。よって、上記要件（２）を満たしやすいものとできる。

アクリル系樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、熱硬化性樹脂フィルムの貼付性及びハンドリング性の観点から、－６０～７０℃であることが好ましく、－４０～５０℃であることがより好ましく、－３０℃～３０℃であることが更に好ましい。

アクリル系樹脂としては、例えば、１種又は２種以上の（メタ）アクリル酸エステルの重合体；（メタ）アクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン、及びＮ－メチロールアクリルアミド等から選択される２種以上のモノマーの共重合体等が挙げられる。

アクリル系樹脂を構成する（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ－プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓｅｃ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔｅｒｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－オクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル（（メタ）アクリル酸ラウリル）、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル（（メタ）アクリル酸ミリスチル）、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル（（メタ）アクリル酸パルミチル）、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、及び（メタ）アクリル酸オクタデシル（（メタ）アクリル酸ステアリル）等の、アルキルエステルを構成するアルキル基が、炭素数が１～１８の鎖状構造である（メタ）アクリル酸アルキルエステル；
（メタ）アクリル酸イソボルニル及び（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニル等の（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル；
（メタ）アクリル酸ベンジル等の（メタ）アクリル酸アラルキルエステル；
（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルエステル等の（メタ）アクリル酸シクロアルケニルエステル；
（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチルエステル等の（メタ）アクリル酸シクロアルケニルオキシアルキルエステル；
（メタ）アクリル酸イミド；
（メタ）アクリル酸グリシジル等のグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル；
（メタ）アクリル酸ヒドロキシメチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシブチル、及び（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル等の水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル；
（メタ）アクリル酸Ｎ－メチルアミノエチル等の置換アミノ基含有（メタ）アクリル酸エステル等が挙げられる。
本明細書において、「置換アミノ基」とは、アミノ基の１個又は２個の水素原子が水素原子以外の基で置換されてなる基を意味する。
これらの中でも、熱硬化性樹脂フィルムの造膜性、及び当該熱硬化性樹脂フィルムの半導体チップの保護膜形成面への貼付性の観点から、アルキルエステルを構成するアルキル基が、炭素数が１～１８の鎖状構造である（メタ）アクリル酸アルキルエステル、グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル、及び水酸基含有（メタ）アクリル酸エステルを組み合わせた共重合体であることが好ましく、アルキルエステルを構成するアルキル基が、炭素数が１～４の鎖状構造である（メタ）アクリル酸アルキルエステル、グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル、及び水酸基含有（メタ）アクリル酸エステルを組み合わせた共重合体であることがより好ましく、アクリル酸ブチル、アクリル酸メチル、アクリル酸グリシジル、及びアクリル酸２－ヒドロキシエチルを組み合わせた共重合体であることが更に好ましい。

アクリル系樹脂は、例えば、（メタ）アクリル酸エステル以外に、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン、及びＮ－メチロールアクリルアミド等から選択される１種以上のモノマーが共重合してなるものでもよい。

アクリル系樹脂を構成するモノマーは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。アクリル系樹脂を構成するモノマーが２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

重合体成分（Ａ）における上記ポリアリレート樹脂としては、公知のものが挙げられ、例えば、２価フェノールとフタル酸、カルボン酸などの２塩基酸との重縮合を基本構成とする樹脂が挙げられる。なかでも、ビスフェノールＡとフタル酸との重縮合物や、ポリ４，４’－イソプロピリデンジフェニレンテレフタレート／イソフタレートコポリマー、それらの誘導体などが好ましい。

重合体成分（Ａ）における上記ポリビニルアセタールとしては、公知のものが挙げられる。
なかでも、好ましいポリビニルアセタールとしては、例えば、ポリビニルホルマール、ポリビニルブチラール等が挙げられ、ポリビニルブチラールがより好ましい。
ポリビニルブチラールとしては、下記式（ｉ）－１、（ｉ）－２及び（ｉ）－３で表される構成単位を有するものが挙げられる。

（式中、ｌ、ｍ、及びｎは、それぞれ独立に１以上の整数である。）

ポリビニルアセタールの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５，０００～２００，０００であることが好ましく、８，０００～１００，０００であることがより好ましい。ポリビニルアセタールの重量平均分子量が上記の下限値以上であることで、熱硬化性樹脂フィルムの形状安定性（保管時の経時安定性）を向上させやすい。また、ポリビニルアセタールの重量平均分子量が上記の上限値以下であることで、被着体の凹凸面へ熱硬化性樹脂フィルムが追従し易くなり、例えば、被着体と熱硬化性樹脂フィルムとの間でボイド等の発生を抑制させやすい。したがって、半導体ウエハのバンプ形成面の被覆性が良好となり、また、溝部への埋め込み性も向上させやすい。よって、上記要件（２）を満たしやすいものとできる。

ポリビニルアセタールのガラス転移温度（Ｔｇ）は、熱硬化性樹脂フィルムの造膜性及びバンプ頭頂部の頭出し性の観点から、４０～８０℃であることが好ましく、５０～７０℃であることがより好ましい。
ここで、本明細書において「バンプ頭頂部の頭出し性」とは、バンプ付きウエハに保護膜形成用の熱硬化性樹脂フィルムを貼付する際に、当該熱硬化性樹脂フィルムをバンプが貫通する性能を指し、バンプ頭頂部の貫通性ともいう。

ポリビニルアセタールを構成する３種以上のモノマーの比率は任意に選択できる。

重合体成分（Ａ）の含有量は、熱硬化性樹脂組成物の有効成分の全量基準で、２～３０質量％であることが好ましく、３～２５質量％であることがより好ましく、３～１５質量％であることが更に好ましい。

重合体成分（Ａ）は、熱硬化性成分（Ｂ）にも該当する場合がある。本実施形態では、熱硬化性樹脂組成物が、このような重合体成分（Ａ）及び熱硬化性成分（Ｂ）の両方に該当する成分を含有する場合、熱硬化性樹脂組成物は、重合体成分（Ａ）及び熱硬化性成分（Ｂ）の両方を含有するとみなす。

＜熱硬化性成分（Ｂ）＞
熱硬化性樹脂フィルム及び熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性成分（Ｂ）を含有する。
熱硬化性成分（Ｂ）は、熱硬化性樹脂フィルムを硬化させて、硬質の硬化樹脂膜を形成するための成分である。
熱硬化性成分（Ｂ）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。熱硬化性成分（Ｂ）が２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

熱硬化性成分（Ｂ）としては、例えば、エポキシ系熱硬化性樹脂、熱硬化性ポリイミド、ポリウレタン、不飽和ポリエステル、及びシリコーン樹脂等が挙げられる。これらの中でも、エポキシ系熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性成分（Ｂ）がエポキシ系熱硬化性樹脂であると、硬化樹脂膜の保護性及びバンプ頭頂部の頭出し性を高め、また、硬化樹脂膜の反りを抑制することができる。

エポキシ系熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂（Ｂ１）及び熱硬化剤（Ｂ２）からなる。
エポキシ系熱硬化性樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。エポキシ系熱硬化性樹脂が２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

（エポキシ樹脂（Ｂ１））
エポキシ樹脂（Ｂ１）としては、特に限定されないが、本発明の効果をより発揮させやすくする観点から、常温で固形状のエポキシ樹脂（以下、固形状エポキシ樹脂ともいう）と常温で液状のエポキシ樹脂（以下、液状エポキシ樹脂ともいう）を組み合わせて用いることが好ましい。
なお、本明細書において、「常温」とは５～３５℃を指し、好ましくは１５～２５℃である。

液状エポキシ樹脂としては、常温で液状のものであれば特に制限されず、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が好ましい。
液状エポキシ樹脂は１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。液状エポキシ樹脂が２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

液状エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは２００～６００ｇ／ｅｑであり、より好ましくは２５０～５５０ｇ／ｅｑであり、更に好ましくは３００～５００ｇ／ｅｑである。
なお、本実施形態におけるエポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ ７２３６：２００９に準拠して測定することができる。

固形状エポキシ樹脂としては、常温で固形状のものであれば特に制限されず、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フルオレン系エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フルオレン系エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂がより好ましい。
固形状エポキシ樹脂は１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。固形状エポキシ樹脂が２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

固形状エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは１５０～４５０ｇ／ｅｑであり、より好ましくは１５０～４００ｇ／ｅｑである。

液状エポキシ樹脂（ｘ）の含有量と、固形状エポキシ樹脂（ｙ）の含有量との比〔（ｘ）／（ｙ）〕は、質量比で好ましくは０．０１～１０．０であり、より好ましくは０．０２～８．０であり、更に好ましくは０．０３～６．０である。上記比〔（ｘ）／（ｙ）〕が上記範囲内であると、硬化後の硬化樹脂膜をダイシングブレードで切削する際に切削屑等の発生を抑制して、加工性を向上させやすくすることができる。

エポキシ樹脂（Ｂ１）の数平均分子量は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂フィルムの硬化性、並びに硬化後の硬化樹脂膜の強度及び耐熱性の観点から、３００～３０，０００であることが好ましく、４００～１０，０００であることがより好ましく、５００～３，０００であることが更に好ましい。

（熱硬化剤（Ｂ２））
熱硬化剤（Ｂ２）は、エポキシ樹脂（Ｂ１）に対する硬化剤として機能する。
熱硬化剤（Ｂ２）としては、例えば、１分子中にエポキシ基と反応し得る官能基を２個以上有する化合物が挙げられる。上記官能基としては、例えば、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシ基、及び酸基が無水物化された基等が挙げられ、フェノール性水酸基、アミノ基、又は酸基が無水物化された基であることが好ましく、フェノール性水酸基又はアミノ基であることがより好ましい。

熱硬化剤（Ｂ２）のうち、フェノール性水酸基を有するフェノール系硬化剤としては、例えば、多官能フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、及びアラルキルフェノール樹脂等が挙げられる。
熱硬化剤（Ｂ２）のうち、アミノ基を有するアミン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド（以下、「ＤＩＣＹ」と略記することがある）等が挙げられる。
これらの中でも、フェノール性水酸基を有するフェノール系硬化剤が好ましく、ノボラック型フェノール樹脂であることがより好ましい。

熱硬化剤（Ｂ２）のうち、例えば、多官能フェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、及びアラルキルフェノール樹脂等の樹脂成分の数平均分子量は、３００～３０，０００であることが好ましく、４００～１０，０００であることがより好ましく、５００～３，０００であることが更に好ましい。
熱硬化剤（Ｂ２）のうち、例えば、ビフェノール、ジシアンジアミド等の非樹脂成分の分子量は、特に限定されないが、例えば、６０～５００であることが好ましい。

熱硬化剤（Ｂ２）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。熱硬化剤（Ｂ２）が２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

熱硬化性樹脂組成物において、熱硬化剤（Ｂ２）の含有量は、エポキシ樹脂（Ｂ１）の含有量１００質量部に対して、０．０１０～２００質量部であることが好ましく、０．０２０～１５０質量部であることがより好ましく、０．０５０～１００質量部であることが更に好ましく、０．１０～７７質量部であることがより更に好ましい。熱硬化剤（Ｂ２）の含有量が上記の下限値以上であることで、熱硬化性樹脂フィルムの硬化がより進行し易くなる。また、熱硬化剤（Ｂ２）の含有量が上記の上限値以下であることで、熱硬化性樹脂フィルムの吸湿率が低減されて、熱硬化性樹脂フィルムを用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。

熱硬化性樹脂組成物において、熱硬化性成分（Ｂ）の含有量（エポキシ樹脂（Ｂ１）及び熱硬化剤（Ｂ２）の合計含有量）は、硬化樹脂膜の保護性を高める観点から、重合体成分（Ａ）の含有量１００質量部に対して、２００～１０，０００質量部であることが好ましく、３００～５，０００質量部であることがより好ましく、４００～２，０００質量部であることが更に好ましく、５００～１，０００質量部であることがより更に好ましい。

＜硬化促進剤（Ｃ）＞
熱硬化性樹脂フィルム及び熱硬化性樹脂組成物は、硬化促進剤（Ｃ）を含有していてもよい。
硬化促進剤（Ｃ）は、熱硬化性樹脂組成物の硬化速度を調整するための成分である。
好ましい硬化促進剤（Ｃ）としては、例えば、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の第３級アミン；２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール類（１個以上の水素原子が水素原子以外の基で置換されたイミダゾール）；トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類（１個以上の水素原子が有機基で置換されたホスフィン）；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が挙げられる。
これらの中でも、本発明の効果をより発揮させやすくする観点から、イミダゾール類が好ましく、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾールがより好ましい。

硬化促進剤（Ｃ）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。硬化促進剤（Ｃ）が２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

熱硬化性樹脂組成物において、硬化促進剤（Ｃ）を用いる場合の、硬化促進剤（Ｃ）の含有量は、熱硬化性成分（Ｂ）の含有量１００質量部に対して、０．００１～１０質量部であることが好ましく、０．０１～５質量部であることがより好ましい。硬化促進剤（Ｃ）の含有量が上記の下限値以上であることで、硬化促進剤（Ｃ）を用いたことによる効果がより顕著に得られやすい。また、硬化促進剤（Ｃ）の含有量が上記の上限値以下であることで、例えば、高極性の硬化促進剤（Ｃ）が、高温・高湿度条件下で、熱硬化性樹脂フィルム中において被着体との接着界面側に移動して偏析することを抑制する効果が高くなり、熱硬化性樹脂フィルムを用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。

＜充填材（Ｄ）＞
熱硬化性樹脂フィルム及び熱硬化性樹脂組成物は、充填材（Ｄ）を含有していてもよい。
充填材（Ｄ）を含有することにより、熱硬化性樹脂フィルムを硬化して得られた硬化樹脂膜の熱膨張係数を適切な範囲に調整しやすくなり、熱硬化性樹脂フィルムを用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。また、熱硬化性樹脂フィルムが充填材（Ｄ）を含有することにより、硬化樹脂膜の吸湿率を低減したり、放熱性を向上させたりすることもできる。

充填材（Ｄ）は、有機充填材及び無機充填材のいずれでもよいが、無機充填材であることが好ましい。好ましい無機充填材としては、例えば、シリカ、タルク、炭酸カルシウム、窒化ホウ素等の粉末；これら無機充填材を球形化したビーズ；これら無機充填材の表面改質品；これら無機充填材の単結晶繊維；ガラス繊維等が挙げられる。これらの中でも、無機充填材は、シリカであることが好ましい。

充填材（Ｄ）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
充填材（Ｄ）が２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

充填材（Ｄ）を用いる場合の充填材（Ｄ）の含有量は、熱膨張及び熱収縮による硬化樹脂膜のチップからの剥離を抑制する観点から、熱硬化性樹脂組成物の有効成分の全量基準で、５～５０質量％であることが好ましく、７～４０質量％であることがより好ましく、１０～３０質量％であることが更に好ましい。

充填材（Ｄ）の平均粒子径は、５ｎｍ～１０００ｎｍであることが好ましく、５ｎｍ～５００ｎｍであることがより好ましく、１０ｎｍ～３００ｎｍであることが更に好ましい。
本明細書において、充填材（Ｄ）の粒子径は、電子顕微鏡で観察した充填材（Ｄ）の１次粒子の粒子径を無作為に選択して複数個測定し、その平均値を算出した算術平均粒子径を意味する。

（エネルギー線硬化性樹脂（Ｅ））
熱硬化性樹脂フィルム及び熱硬化性樹脂組成物は、エネルギー線硬化性樹脂（Ｅ）を含有していてもよい。
熱硬化性樹脂フィルムが、エネルギー線硬化性樹脂（Ｅ）を含有していることにより、エネルギー線の照射によって特性を変化させることができる。

エネルギー線硬化性樹脂（Ｅ）は、エネルギー線硬化性化合物を重合（硬化）して得られたものである。エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、分子内に少なくとも１個の重合性二重結合を有する化合物が挙げられ、（メタ）アクリロイル基を有するアクリレート系化合物が好ましい。

アクリレート系化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート等の鎖状脂肪族骨格含有（メタ）アクリレート；ジシクロペンタニルジ（メタ）アクリレート等の環状脂肪族骨格含有（メタ）アクリレート；ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート等のポリアルキレングリコール（メタ）アクリレート；オリゴエステル（メタ）アクリレート；ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー；エポキシ変性（メタ）アクリレート；上記ポリアルキレングリコール（メタ）アクリレート以外のポリエーテル（メタ）アクリレート；イタコン酸オリゴマー等が挙げられる。

エネルギー線硬化性化合物の重量平均分子量は、１００～３０，０００であることが好ましく、３００～１０，０００であることがより好ましい。

重合に用いるエネルギー線硬化性化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。重合に用いるエネルギー線硬化性化合物が２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

エネルギー線硬化性樹脂（Ｅ）を用いる場合の、エネルギー線硬化性樹脂（Ｅ）の含有量は、熱硬化性樹脂組成物の有効成分の全量基準で、１～９５質量％であることが好ましく、５～９０質量％であることがより好ましく、１０～８５質量％であることが更に好ましい。

＜光重合開始剤（Ｆ）＞
熱硬化性樹脂フィルム及び熱硬化性樹脂組成物が、エネルギー線硬化性樹脂（Ｅ）を含有する場合、エネルギー線硬化性樹脂（Ｅ）の重合反応を効率よく進めるために、熱硬化性樹脂フィルム及び熱硬化性樹脂組成物は、光重合開始剤（Ｆ）を含有していてもよい。

光重合開始剤（Ｆ）としては、例えば、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２，４－ジエチルチオキサントン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、１，２－ジフェニルメタン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－［４－（１－メチルビニル）フェニル］プロパノン、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、及び２－クロロアントラキノン等が挙げられる。

光重合開始剤（Ｆ）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。光重合開始剤（Ｆ）が２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

熱硬化性樹脂組成物において、光重合開始剤（Ｆ）の含有量は、エネルギー線硬化性樹脂（Ｅ）の含有量１００質量部に対して、０．１～２０質量部であることが好ましく、１～１０質量部であることがより好ましく、２～５質量部であることが更に好ましい。

＜近赤外線遮蔽粒子（Ｇ）＞
既述のように、上記要件（１）を満たしやすくする観点から、熱硬化性樹脂フィルム及び熱硬化性樹脂組成物は、近赤外線遮蔽粒子（Ｇ）を含有することが好ましい。
近赤外線遮蔽粒子（Ｇ）としては、近赤外線遮蔽粒子として上記に例示したものが挙げられ、これらの中でも黒色顔料（Ｇ１）が好ましい。
黒色顔料（Ｇ１）として好ましいものや黒色顔料（Ｇ１）の含有量は、上記のとおりである。

＜添加剤（Ｈ）＞
熱硬化性樹脂フィルム及び熱硬化性樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲内において、添加剤（Ｈ）を含有していてもよい。添加剤（Ｇ）は、公知のものでよく、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
好ましい添加剤（Ｈ）としては、例えば、カップリング剤、架橋剤、界面活性剤、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、レベリング剤、及びゲッタリング剤等が挙げられる。

添加剤（Ｈ）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。汎用添加剤（Ｈ）が２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
添加剤（Ｈ）の含有量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。

＜溶媒＞
熱硬化性樹脂組成物は、さらに溶媒を含有することが好ましい。
溶媒を含有する熱硬化性樹脂組成物は、取り扱い性が良好となる。
溶媒は特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素；メタノール、エタノール、２－プロパノール、イソブチルアルコール（２－メチルプロパン－１－オール）、１－ブタノール等のアルコール；酢酸エチル等のエステル；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン；テトラヒドロフラン等のエーテル；ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン等のアミド（アミド結合を有する化合物）等が挙げられる。
溶媒は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。溶媒が２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
溶媒は、熱硬化性樹脂組成物中の含有成分をより均一に混合できる点から、メチルエチルケトン等であることが好ましい。

＜熱硬化性樹脂組成物の調製方法＞
熱硬化性樹脂組成物は、これを構成するための各成分を配合して調製される。
各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、２種以上の成分を同時に添加してもよい。溶媒を用いる場合には、溶媒を、この溶媒以外のいずれかの配合成分と混合してこの配合成分を予め希釈しておくことで用いてもよいし、溶媒以外のいずれかの配合成分を予め希釈しておくことなく、溶媒をこれら配合成分と混合することで用いてもよい。
配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサーを用いて混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は１５～３０℃であることが好ましい。

［複合シート］
本実施形態の硬化性樹脂フィルムは、当該硬化性樹脂フィルムと、剥離シートとが積層された積層構造を有する複合シートとしてもよい。複合シートとすることで、製品パッケージとして硬化性樹脂フィルムを運搬したり、半導体チップの製造工程内において硬化性樹脂フィルムを搬送したりする際に、硬化性樹脂フィルムが安定的に支持・保護される。
図１は、一実施形態における複合シートの構成を示す概略断面図であり、図２は、他の実施形態における複合シートの構成を示す概略断面図である。
図１の複合シート１０は、剥離シート１と、当該剥離シート１上に設けた硬化性樹脂フィルム２とを有する。上記剥離シート１は、基材３と、剥離層４とを有し、当該剥離層４が、上記硬化性樹脂フィルム２に面するように設けられている。
図２の複合シート２０は、剥離シート１１と、当該剥離シート１１上に設けた硬化性樹脂フィルム１２とを有する。上記剥離シート１１は、基材１３と、剥離層１４との間に、中間層１５が設けられていてもよい。
なお、基材１３と、中間層１５と、剥離層１４とがこの順で積層された積層体は、バックグラインドシートとしての使用に好適である。
以下、本実施形態の複合シートに用いられる剥離シートを構成する各層について説明する。

＜基材＞
基材は、シート状又はフィルム状のものであり、その構成材料としては、例えば、以下の各種樹脂が挙げられる。
基材を構成する樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）等のポリエチレン；ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ノルボルネン樹脂等のポリエチレン以外のポリオレフィン；エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エチレン－ノルボルネン共重合体等のエチレン系共重合体（モノマーとしてエチレンを用いて得られた共重合体）；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂（モノマーとして塩化ビニルを用いて得られた樹脂）；ポリスチレン；ポリシクロオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリエチレン－２，６－ナフタレンジカルボキシレート、すべての構成単位が芳香族環式基を有する全芳香族ポリエステル等のポリエステル；２種以上の上記ポリエステルの共重合体；ポリ（メタ）アクリル酸エステル；ポリウレタン；ポリウレタンアクリレート；ポリイミド；ポリアミド；ポリカーボネート；フッ素樹脂；ポリアセタール；変性ポリフェニレンオキシド；ポリフェニレンスルフィド；ポリスルホン；ポリエーテルケトン等が挙げられる。
また、基材を構成する樹脂としては、例えば、上記ポリエステルとそれ以外の樹脂との混合物等のポリマーアロイも挙げられる。上記ポリエステルとそれ以外の樹脂とのポリマーアロイは、ポリエステル以外の樹脂の量が比較的少量であるものが好ましい。
また、基材を構成する樹脂としては、例えば、ここまでに例示した上記樹脂のうちの１種又は２種以上が架橋した架橋樹脂；ここまでに例示した上記樹脂のうちの１種又は２種以上を用いたアイオノマー等の変性樹脂も挙げられる。

基材を構成する樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。基材を構成する樹脂が２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。

基材は１層（単層）のみでもよいし、２層以上の複数層でもよい。基材が複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。

基材の厚さは、５μｍ～１，０００μｍであることが好ましく、１０μｍ～５００μｍであることがより好ましく、１５μｍ～３００μｍであることが更に好ましく、２０μｍ～１５０μｍであることがより更に好ましい。
ここで、「基材の厚さ」とは、基材全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる基材の厚さとは、基材を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。

基材は、厚さの精度が高いもの、即ち、部位によらず厚さのばらつきが抑制されたものが好ましい。上述の構成材料のうち、このような、基材を構成するのに使用可能な厚さの精度が高い材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリエチレン以外のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、エチレン－酢酸ビニル共重合体等が挙げられる。

基材は、上記樹脂等の主たる構成材料以外に、充填材、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、有機滑剤、触媒、軟化剤（可塑剤）等の公知の各種添加剤を含有していてもよい。

基材は、透明であってもよいし、不透明であってもよく、目的に応じて着色されていてもよいし、あるいは、他の層が蒸着されていてもよい。

基材は、公知の方法で製造できる。例えば、樹脂を含有する基材は、上記樹脂を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。

＜剥離層＞
剥離層は、剥離シートに剥離性を付与する機能を有する。剥離層は、例えば、離型剤を含む剥離層形成用組成物の硬化物で形成される。
離型剤としては、特に限定されず、例えば、シリコーン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体等が挙げられる。これらの中でも、バンプ頭頂部の頭出し性を高める観点、及び硬化樹脂膜との剥離性の観点から、エチレン－酢酸ビニル共重合体が好ましい。

剥離層は１層（単層）のみでもよいし、２層以上の複数層でもよい。剥離層が複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。

剥離層の厚さは、剥離性及びハンドリング性の観点から、好ましくは３～５０μｍであり、より好ましくは５～３０μｍである。ここで、「剥離層の厚さ」とは、剥離層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる剥離層の厚さとは、剥離層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。

＜中間層＞
中間層は、シート状又はフィルム状であり、その構成材料は目的に応じて適宜選択すればよく、特に限定されない。例えば、半導体表面を覆う保護膜に、半導体表面に存在するバンプの形状が反映されることによって、硬化樹脂膜が変形してしまうのを抑制することを目的とする場合、中間層の好ましい構成材料としては、凹凸追従性が高く、中間層の貼付性がより向上する点から、ウレタン（メタ）アクリレート；α－オレフィン等のオレフィン系モノマー等のモノマー成分に由来する構成単位を含む樹脂が挙げられる。

中間層は１層（単層）のみでもよいし、２層以上の複数層でもよい。中間層が複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。

中間層の厚さは、保護対象となる半導体表面のバンプの高さに応じて適宜調節できるが、比較的高さが高いバンプの影響も容易に吸収できる点から、５０μｍ～６００μｍであることが好ましく、７０μｍ～５００μｍであることがより好ましく、８０μｍ～４００μｍであることが更に好ましい。ここで、「中間層の厚さ」とは、中間層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる中間層の厚さとは、中間層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。

＜複合シートの製造方法＞
複合シートは、上記の各層を対応する位置関係となるように順次積層することで製造することができる。
例えば、複合シートを製造する際に、基材上に剥離層又は中間層を積層する場合には、基材上に剥離層形成用組成物又は中間層形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させるか、又はエネルギー線を照射することで、剥離層又は中間層を積層できる。
塗工方法としては、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ロールナイフコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等が挙げられる。

一方、例えば、基材上に積層済みの剥離層の上に、さらに熱硬化性樹脂フィルムを積層する場合には、剥離層上に熱硬化性樹脂組成物を塗工して、硬化性樹脂フィルムを直接形成することが可能である。
同様に、基材上に積層済みの中間層の上に、さらに剥離層を積層する場合には、中間層上に剥離層形成用組成物を塗工して、剥離層を直接形成することが可能である。

このように、いずれかの組成物を用いて、連続する２層の積層構造を形成する場合には、上記組成物から形成された層の上に、さらに組成物を塗工して新たに層を形成することが可能である。ただし、これら２層のうちの後から積層する層は、別の剥離フィルム上に上記組成物を用いてあらかじめ形成しておき、この形成済みの層の上記剥離フィルムと接触している側とは反対側の露出面を、既に形成済みの残りの層の露出面と貼り合わせることで、連続する２層の積層構造を形成することが好ましい。このとき、上記組成物は、剥離フィルムの剥離処理面に塗工することが好ましい。剥離フィルムは、積層構造の形成後、必要に応じて取り除けばよい。

［第一の半導体チップの製造方法］
本実施形態の第一の半導体チップの製造方法は、上述した硬化性樹脂フィルムを用いた半導体チップの製造方法であって、バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップのバンプ形成面及び側面の双方に、保護膜としての硬化樹脂膜を形成する際に適用される。第一の半導体チップの製造方法は、大まかには、半導体チップ作製用ウエハを準備する工程（Ｓ１）、硬化性樹脂フィルムを貼付する工程（Ｓ２）、硬化性樹脂フィルムを硬化する工程（Ｓ３）、及び個片化する工程（Ｓ４）を含み、さらに半導体チップ作製用ウエハの裏面を研削する工程（Ｓ－ＢＧ）を含む。

詳細には、本実施形態の第一の半導体チップの製造方法は、下記工程（Ｓ１）～（Ｓ４）をこの順で含む。
工程（Ｓ１）：バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体ウエハの前記バンプ形成面に、分割予定ラインとしての溝部が裏面に到達することなく形成されている半導体チップ作製用ウエハを準備する工程
工程（Ｓ２）：上記半導体チップ作製用ウエハの上記バンプ形成面に、上述の硬化性樹脂フィルムを押圧して貼付し、上記半導体チップ作製用ウエハの上記バンプ形成面を上記硬化性樹脂フィルムで被覆すると共に、上記半導体チップ作製用ウエハに形成されている上記溝部に上記硬化性樹脂フィルムを埋め込む工程
工程（Ｓ３）：上記硬化性樹脂フィルムを硬化させて、硬化樹脂膜付き半導体チップ作製用ウエハを得る工程
工程（Ｓ４）：上記硬化樹脂膜付き半導体チップ作製用ウエハを上記分割予定ラインに沿って個片化し、少なくとも上記バンプ形成面及び側面が上記硬化樹脂膜で被覆されている半導体チップを得る工程
さらに、上記工程（Ｓ２）の後で且つ上記工程（Ｓ３）の前、上記工程（Ｓ３）の後で且つ上記工程（Ｓ４）の前、又は上記工程（Ｓ４）において、下記工程（Ｓ－ＢＧ）を含む。
工程（Ｓ－ＢＧ）：上記半導体チップ作製用ウエハの上記裏面を研削する工程

本実施形態の第一の半導体チップの製造方法では、バンプ形成面及び側面の双方が硬化樹脂膜で被覆されて保護され、しかも当該硬化樹脂膜によってバンプ形成面及び側面の双方に近赤外線遮蔽性能が付与された半導体チップを製造することができる。
なお、ここでいう「被覆された」とは、１つの半導体チップの少なくともバンプ形成面と側面とに、半導体チップの形状に沿って硬化樹脂膜を形成したことを意味する。すなわち、本発明は、複数の半導体チップを樹脂中の閉じ込める封止技術とは明確に相違する。

以下、本実施形態の第一の半導体チップの製造方法について、工程毎に詳述する。
なお、以降の説明では、「半導体チップ」を単に「チップ」ともいい、「半導体ウエハ」を単に「ウエハ」ともいう。
また、以降の説明では、半導体チップの、バンプ形成面及び側面の双方に対して、保護膜としての硬化樹脂膜を形成するための硬化性樹脂フィルム（本実施形態の硬化性樹脂フィルム）を、「硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）」ともいう。そして、「硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）」を硬化して形成される硬化樹脂膜を、「硬化樹脂膜（ｒ１）」ともいう。また、半導体チップのバンプ形成面とは反対側の面（裏面）に保護膜としての硬化樹脂膜を形成するための硬化性樹脂フィルムを、「裏面用硬化性樹脂フィルム（Ｘ２）」ともいう。そして、「裏面用硬化性樹脂フィルム（Ｘ２）」を硬化して形成される硬化樹脂膜を、「裏面用硬化樹脂膜（ｒ２）」ともいう。
また、半導体チップの、バンプ形成面及び側面の双方に対して、保護膜としての硬化樹脂膜（ｒ１）を形成するための複合シートを、「第一複合シート（α１）」ともいう。「第一複合シート（α１）」は、「第一剥離シート（Ｙ１）」と「硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）」とが積層された積層構造を有する。
また、半導体チップの裏面に保護膜としての裏面用硬化樹脂膜（ｒ２）を形成するための複合シートを、「第二複合シート（α２）」ともいう。「第二複合シート（α２）」は、「第二剥離シート（Ｙ２）」と「裏面用硬化性樹脂フィルム（Ｘ２）」とが積層された積層構造を有する。

＜工程（Ｓ１）＞
工程（Ｓ１）で準備する半導体ウエハの一例について、概略断面図を図３に示す。
工程（Ｓ１）では、バンプ２２を備えるバンプ形成面２１ａを有する半導体ウエハ２１のバンプ形成面２１ａに、分割予定ラインとしての溝部２３が裏面２１ｂに到達することなく形成されている、半導体チップ作製用ウエハ３０を準備する。

バンプ２２の形状は、特に限定されず、チップ搭載用の基板上の電極等に接触させて固定させることが可能であれば、いかなる形状であってもよい。例えば、図３では、バンプ２２を球状としているが、バンプ２２は回転楕円体であってもよい。当該回転楕円体は、例えば、ウエハ２１のバンプ形成面２１ａに対して垂直方向に引き延ばされた回転楕円体であってもよいし、ウエハ２１のバンプ形成面２１ａに対して水平方向に引き延ばされた回転楕円体であってもよい。また、バンプ２２はピラー（柱）形状であってもよい。

バンプ２２の高さは、特に限定されず、設計上の要求に応じて適宜変更される。
例示すると、３０μｍ～３００μｍであり、好ましくは６０μｍ～２５０μｍ、より好ましくは８０μｍ～２００μｍである。
なお、「バンプ２２の高さ」とは、１つのバンプに着目したときに、バンプ形成面２１ａから最も高い位置に存在する部位での高さを意味する。

バンプ２２の個数についても、特に限定されず、設計上の要求に応じて適宜変更される。

ウエハ２１は、例えば、配線、キャパシタ、ダイオード、及びトランジスタ等の回路が表面に形成された半導体ウエハである。当該ウエハの材質は特に限定されず、例えば、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ、化合物半導体ウエハ、ガラスウエハ、及びサファイアウエハ等が挙げられる。

ウエハ２１のサイズは、特に限定されないが、バッチ処理効率を高める観点から、通常８インチ（直径２００ｍｍ）以上であり、好ましくは１２インチ（直径３００ｍｍ）以上である。なお、ウエハ２１の形状は、円形には限定されず、例えば正方形や長方形等の角型であってもよい。角型のウエハの場合、ウエハ２１のサイズは、バッチ処理効率を高める観点から、最も長い辺の長さが、上記サイズ（直径）以上であることが好ましい。

ウエハ２１の厚みは、特に限定されないが、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）を硬化する際の収縮に伴う反りを抑制しやすくする観点、後の工程においてウエハ２１の裏面２１ｂの研削量を抑えて裏面研削に要する時間を短くする観点から、好ましくは１００μｍ～１，０００μｍ、より好ましくは２００μｍ～９００μｍ、更に好ましくは３００μｍ～８００μｍである。

工程（Ｓ１）で準備する半導体チップ作製用ウエハ３０のバンプ形成面２１ａには、半導体チップ作製用ウエハ３０を個片化する際の分割予定ラインとして、複数の溝部２３が格子状に形成されている。複数の溝部２３は、ブレード先ダイシング法（Dicing Before Grinding）を適用する際に形成される切り込み溝であり、ウエハ２１の厚さよりも浅い深さで形成され、溝部２３の最深部がウエハ２１の裏面２１ｂに到達しないようにしている。複数の溝部２３は、従来公知の、ダイシングブレードを備えるウエハダイシング装置等を用いたダイシングによって形成することができる。
なお、複数の溝部２３は、製造する半導体チップが所望のサイズ及び形状になるように形成すればよい。また、半導体チップのサイズは、通常、０．５ｍｍ×０．５ｍｍ～１．０ｍｍ×１．０ｍｍ程度であるが、このサイズには限定されない。

溝部２３の幅は、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）の埋め込み性を良好にする観点から、好ましくは１０μｍ～２，０００μｍであり、より好ましくは３０μｍ～１，０００μｍ、更に好ましくは４０μｍ～５００μｍ、より更に好ましくは５０μｍ～３００μｍである。

溝部２３の深さは、使用するウエハの厚さと要求されるチップ厚さとに応じて調整され、好ましくは３０μｍ～７００μｍ、より好ましくは６０μｍ～６００μｍ、更に好ましくは１００μｍ～５００μｍである。

工程（Ｓ１）で準備した半導体チップ作製用ウエハ３０は、工程（Ｓ２）に供される。

＜工程（Ｓ２）＞
工程（Ｓ２）の概略を図４に示す。
工程（Ｓ２）では、半導体チップ作製用ウエハ３０のバンプ形成面２１ａに、第一硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）を押圧して貼付する。
ここで、上記硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）は、取扱性の観点から、第一剥離シート（Ｙ１）と、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）とが積層された積層構造を有する第一複合シート（α１）として用いてもよい。上記第一複合シート（α１）を用いる場合、半導体チップ作製用ウエハ３０のバンプ形成面２１ａに、第一複合シート（α１）の硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）を貼付面として押圧して貼付する。

工程（Ｓ２）により、図４に示すように、半導体チップ作製用ウエハ３０のバンプ形成面２１ａを硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）で被覆すると共に、半導体チップ作製用ウエハ３０に形成されている溝部２３に硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）が埋め込まれる。

硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）を半導体チップ作製用ウエハ３０に貼付する際の押圧力は、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）の溝部２３への埋め込み性を良好なものとする観点から、好ましくは１ｋＰａ～２００ｋＰａ、より好ましくは５ｋＰａ～１５０ｋＰａ、更に好ましくは１０ｋＰａ～１００ｋＰａである。
なお、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）を半導体チップ作製用ウエハ３０に貼付する際の押圧力は、貼付初期から終期にかけて適宜変動させてもよい。例えば、溝部２３への硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）の埋め込み性をより良好なものとする観点から、押圧力を、貼付初期には低くし、徐々に押圧力を高めることが好ましい。

また、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）を半導体チップ作製用ウエハ３０に貼付する際、硬化性樹脂フィル（Ｘ１）が熱硬化性樹脂フィルムである場合には、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）の溝部２３への埋め込み性をより良好なものとする観点から、加熱を行うことが好ましい。
具体的な加熱温度（貼付温度）としては、好ましくは５０℃～１５０℃、より好ましくは６０℃～１３０℃、更に好ましくは７０℃～１１０℃である。
なお、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）に対して行う当該加熱処理は、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）の硬化処理には含まれない。

さらに、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）を半導体チップ作製用ウエハ３０に貼付する際、減圧環境下で行うことが好ましい。これにより、溝部２３が負圧となり、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）が溝部２３全体に行き渡りやすくなる。その結果、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）の溝部２３への埋め込み性がより良好なものとなる。減圧環境の具体的な圧力としては、好ましくは０．００１ｋＰａ～５０ｋＰａ、より好ましくは０．０１ｋＰａ～５ｋＰａ、更に好ましいくは０．０５ｋＰａ～１ｋＰａである。

＜工程（Ｓ３）＞
工程（Ｓ３）の概略を図５に示す。
工程（Ｓ３）では、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）を硬化させて、硬化樹脂膜（ｒ１）付きの半導体チップ作製用ウエハ３０を得る。
硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）を硬化することにより形成される硬化樹脂膜（ｒ１）は、常温において、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）よりも強固になる。そのため、硬化樹脂膜（ｒ１）を形成することによって、バンプ基底部が良好に保護される。

硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）の硬化は、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）に含まれている硬化性成分の種類に応じて、熱硬化及びエネルギー線の照射による硬化のいずれかにより行うことができる。
なお、本明細書において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味し、その例として、紫外線、電子線等が挙げられ、好ましくは紫外線である。
熱硬化を行う場合の条件としては、硬化温度が好ましくは９０℃～２００℃であり、硬化時間が好ましくは１時間～３時間である。
エネルギー線照射による硬化を行う場合の条件としては、使用するエネルギー線の種類により適宜設定される、例えば、紫外線を用いる場合、照度は好ましくは１７０ｍｗ／ｃｍ^２～２５０ｍｗ／ｃｍ^２であり、光量は好ましくは３００ｍＪ／ｃｍ^２～３，０００ｍＪ／ｃｍ^２である。
ここで、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）を硬化させて硬化樹脂膜（ｒ１）を形成する過程において、工程（Ｓ２）において硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）で溝部２３を埋め込む際に入り込むことのある気泡等を除去する観点から、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）は、熱硬化性樹脂フィルムであることが好ましい。

＜工程（Ｓ４）＞
工程（Ｓ４）の概略を図６に示す。
工程（Ｓ４）では、硬化樹脂膜（ｒ１）付き半導体チップ作製用ウエハ３０の硬化樹脂膜（ｒ１）のうち溝部２３に形成されている部分を、分割予定ラインに沿って切断する。

切断は、例えばブレードダイシング等により行う。これにより、少なくともバンプ形成面２１ａ及び側面が硬化樹脂膜（ｒ１）で被覆されている半導体チップ４０を得ることができる。
半導体チップ４０は、バンプ形成面２１ａ及び側面が硬化樹脂膜（ｒ１）で被覆されているため、優れた強度を有する。また、バンプ形成面２１ａ及び側面が硬化樹脂膜（ｒ１）で切れ目なく連続して被覆されているため、バンプ形成面２１ａと硬化樹脂膜（ｒ１）との接合面（界面）が、半導体チップ４０の側面において露出していない。バンプ形成面２１ａと硬化樹脂膜（ｒ１）との接合面（界面）のうち、半導体チップ４０の側面において露出している露出部は、膜剥がれの起点となりやすい。本実施形態の半導体チップ４０は、当該露出部が存在しないため、当該露出部からの膜剥がれが、半導体チップ作製用ウエハ３０を切断して半導体チップ４０を製造する過程や、製造後において生じにくい。したがって、保護膜としての硬化樹脂膜（ｒ１）の剥がれが抑制された、半導体チップ４０が得られる。

ここで、本実施形態の硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）が黒色顔料を含有する場合、溝部２３により規定される切溝（以下、「カーフ」ともいう）に起因する凹凸をウエハ表面上において明瞭に認識することが可能になるため、工程（Ｓ４）における加工性が向上する。つまり、黒色顔料によって、硬化樹脂膜（ｒ１）の近赤外線遮光性を良好なものとしながらも、加工性を向上させることができるという一挙両得の効果が得られる。
なお、カーフ認識性の向上の観点と近赤外線遮光性の向上の観点から、硬化性樹脂フィルム中における黒色顔料の含有量は、硬化性樹脂フィルムの全量基準で、好ましくは０．７質量％以上、より好ましくは１．０質量％以上、更に好ましくは１．５質量％以上である。

＜工程（Ｓ－ＢＧ）＞
工程（Ｓ－ＢＧ）の概略を図７に示す。
工程（Ｓ－ＢＧ）では、図７の（１－ａ）に示すように、まず、第一複合シート（α１）を貼付した状態で半導体チップ作製用ウエハ３０の裏面２１ｂを研削する。図７中の「ＢＧ」は、バックグラインドを意味する。次いで、図７の（１－ｂ）に示すように、第一複合シート（α１）から第一剥離シート（Ｙ１）を剥離する。
半導体チップ作製用ウエハ３０の裏面２１ｂを研削する際の研削量は、少なくとも半導体チップ作製用ウエハ３０の溝部２３の底部が露出する量であればよいが、更に研削を行って、半導体チップ作製用ウエハ３０と共に、溝部２３に埋め込まれた硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）又は硬化樹脂膜（ｒ１）も研削するようにしてもよい。

なお、本実施形態では、上記工程（Ｓ－ＢＧ）は、上記工程（Ｓ２）の後で且つ上記工程（Ｓ３）の前に行うようにしているが、上記工程（Ｓ－ＢＧ）は、上記工程（Ｓ３）の後で且つ上記工程（Ｓ４）の前に行ってもよく、上記工程（Ｓ４）において行ってもよい。

＜工程（ＴＢ）＞
本実施形態の第一の半導体チップの製造方法の一態様では、さらに、下記工程（ＴＢ）を含むことが好ましい。
工程（ＴＢ）：上記半導体チップ作製用ウエハの上記裏面に、裏面保護膜を形成する工程

上記実施形態にかかる製造方法によれば、少なくともバンプ形成面２１ａ及び側面が硬化樹脂膜（ｒ１）で被覆されている半導体チップ４０を得ることができる。しかし、半導体チップ４０の裏面は剥き出しである。そこで、半導体チップ４０の裏面を保護して半導体チップ４０の強度をより向上させる観点から、上記工程（ＴＢ）を実施することが好ましい。

上記工程（ＴＢ）は、より詳細には、下記工程（ＴＢ１）及び下記工程（ＴＢ２）をこの順で含むことが好ましい。
・工程（ＴＢ１）：半導体チップ作製用ウエハの裏面に、裏面用硬化性樹脂フィルム（Ｘ２）を貼付する工程
・工程（ＴＢ２）：裏面用硬化性樹脂フィルム（Ｘ２）を硬化させて裏面用硬化樹脂膜（ｒ２）を形成する工程
なお、工程（ＴＢ１）は、工程（Ｓ－ＢＧ）後に行われる。また、工程（ＴＢ２）は工程（Ｓ４）よりも前に行われる。これにより、工程（Ｓ４）において、裏面が裏面用硬化樹脂膜（ｒ２）により保護された硬化樹脂膜付き半導体ウエハを個片化して、バンプ形成面及び側面が硬化樹脂膜（ｒ１）で保護されるとともに、裏面が裏面用硬化樹脂膜（ｒ２）で保護された半導体チップが得られる。
また、工程（ＴＢ１）では、第二剥離シート（Ｙ２）と裏面用硬化性樹脂フィルム（Ｘ２）とが積層された積層構造を有する第二複合シート（α２）を用いてもよい。詳細には、工程（ＴＢ１）は、半導体チップ作製用ウエハの裏面に、第二剥離シート（Ｙ２）と裏面用硬化性樹脂フィルム（Ｘ２）とが積層された積層構造を有する第二複合シート（α２）を、上記裏面用硬化性樹脂フィルム（Ｘ２）を貼付面として貼付する工程とすることが好ましい。
この場合、第二複合シート（α２）から第二剥離シート（Ｙ２）を剥離するタイミングは、工程（ＴＢ１）と工程（ＴＢ２）の間であってもよく、工程（ＴＢ２）の後であってもよい。

ここで、工程（ＴＢ１）において第二複合シート（α２）を用いる場合、第二複合シート（α２）が有する剥離シート（Ｙ２）は、裏面用硬化性樹脂フィルム（Ｘ２）を支持すると共に、ダイシングシートとしての機能を兼ね備えていることが好ましい。
また、工程（Ｓ４）において第二複合シート（α２）が硬化樹脂膜（ｒ１）付きの半導体ウエハ３０の裏面２１ｂに貼付されていることで、ダイシングによる個片化を行う際に、第二剥離シート（Ｙ２）がダイシングシートとして機能し、ダイシングを実施しやすくなる。

ここで、工程（Ｓ－ＢＧ）後に、工程（Ｓ３）を実施する場合、工程（Ｓ３）を実施する前に、上記工程（ＴＢ１）を実施し、次いで、工程（Ｓ３）と工程（ＴＢ２）を同時に行うようにしてもよい。すなわち、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）と第二硬化性樹脂フィルム（Ｘ２）とを一括して同時に硬化するようにしてもよい。これにより、硬化処理の回数を削減することができる。

（裏面用硬化性樹脂フィルム（Ｘ２））
第二硬化性樹脂フィルム（Ｘ２）は、半導体チップの裏面保護膜を形成するために用いられる一般的な硬化性樹脂フィルムを適宜用いることができ、例えば、上記の硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）と同様の材質及び構成であってもよい。
但し、一般に半導体ウエハの裏面にはバンプや溝部は存在せず平滑であるため、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）における好ましい条件である要件（２）を満たすことは、裏面用硬化性樹脂フィルム（Ｘ２）に対しては求められない。したがって、裏面用硬化性樹脂（Ｘ２）において、Ｘ値は、１８以下であってもよく、また、１０，０００以上であってもよい。

ここで、半導体チップの裏面側にも近赤外線遮蔽性能を付与する観点から、第二硬化性樹脂フィルム（Ｘ２）もまた、上記要件（１）を満たすことが好ましい。
したがって、第二硬化性樹脂フィルム（Ｘ２）は、近赤外線遮蔽粒子（Ｇ）を含有することが好ましい。
近赤外線遮蔽粒子（Ｇ）としては、近赤外線遮蔽粒子として上記に例示したものが挙げられ、これらの中でも黒色顔料（Ｇ１）が好ましい。
黒色顔料（Ｇ１）として好ましいものや黒色顔料（Ｇ１）の含有量は、上記のとおりである。

＜工程（Ｕ）＞
本実施形態の第一の半導体チップの製造方法の一態様では、さらに、下記工程（Ｕ）を含んでいてもよい。
工程（Ｕ）：上記バンプの頂部を覆う上記硬化樹脂膜（ｒ１）、又は上記バンプの頂部の一部に付着した上記硬化樹脂膜（ｒ１）を除去して、上記バンプの頂部を露出させる工程
バンプの頂部を露出させる露出処理としては、例えばウェットエッチング処理やドライエッチング処理等のエッチング処理が挙げられる。
ここで、ドライエッチング処理としては、例えばプラズマエッチング処理等が挙げられる。
なお、露出処理は、保護膜の表面にバンプの頂部が露出していない場合、バンプの頂部が露出するまで保護膜を後退させる目的で実施してもよい。

工程（Ｕ）を実施するタイミングについては、硬化樹脂膜（ｒ１）が露出している状態であれば特に限定されず、工程（Ｓ３）の後で且つ工程（Ｓ４）の前であり、剥離シート（Ｙ１）及びバックグラインドシートが貼付されていない状態であることが好ましい。

［第二の半導体チップの製造方法］
上述した硬化性樹脂フィルムを用いた半導体チップの製造方法は、第一の半導体チップの製造方法のように、バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップのバンプ形成面及び側面の双方に、保護膜としての硬化樹脂膜を形成する際に適用される製造方法には限定されず、バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップのバンプ形成面のみに、保護膜としての硬化樹脂膜を形成する際に適用される製造方法であってもよい。
以下に、バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップのバンプ形成面のみに、保護膜としての硬化樹脂膜を形成する際に適用される製造方法として、第二の半導体チップの製造方法について説明する。
本実施形態の第二の半導体チップの製造方法は、下記工程（Ｖ１）～（Ｖ４）をこの順で含む。
工程（Ｖ１）：バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体ウエハを準備する工程
工程（Ｖ２）：上記半導体ウエハの上記バンプ形成面に、上述の硬化性樹脂フィルムを押圧して貼付し、上記半導体ウエハの上記バンプ形成面を上記硬化性樹脂フィルムで被覆する工程
工程（Ｖ３）：上記硬化性樹脂フィルムを硬化させて、硬化樹脂膜付き半導体ウエハを得る工程
工程（Ｖ４）：上記硬化樹脂膜付き半導体ウエハを個片化し、上記バンプ形成面が上記硬化樹脂膜で被覆されている半導体チップを得る工程

工程（Ｖ１）で準備される半導体ウエハとしては、例えば、工程（Ｓ１）で説明したバンプ２２を備えるバンプ形成面２１ａを有する半導体ウエハ２１と同様のものが挙げられる。

工程（Ｖ２）は、工程（Ｓ２）と同様である。なお、上記半導体ウエハの上記バンプ形成面に、上述の硬化性樹脂フィルムを押圧して貼付することで、バンプ基底部を含めたバンプ形成面全体を硬化性樹脂フィルムで良好に被覆することができる。
また、上記硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）は、工程（Ｓ２）と同様、取扱性の観点から、第一剥離シート（Ｙ１）と、硬化性樹脂フィルム（Ｘ１）とが積層された積層構造を有する第一複合シート（α１）として用いてもよい。

工程（Ｖ３）は、工程（Ｓ３）と同様である。

図８に、工程（Ｖ４）の概略を示す。図８においては、上述した第１の半導体チップの製造方法の工程（Ｓ４）の概略を示す図６に示された各部材に対応する各部材に、図６の各符号の末尾にダッシュを付けた符号を付けてある。
工程（Ｖ４）においては、第一硬化樹脂膜（ｒ１’）付き半導体チップ作製用ウエハ３０’について、半導体ウエハ２１’及び第一硬化樹脂膜（ｒ１’）を、仮想的な分割予定ラインに沿って切断することにより個片化する。
工程（Ｖ４）における硬化樹脂膜付き半導体ウエハの個片化は、半導体ウエハをチップ化する際に採用される各種手法（例えば、ブレードダイシング法、レーザーダイシング法、ステルスダイシング（登録商標）法、ブレード先ダイシング法、ステルス先ダイシング法）により行うことができる。

ここで、上記工程（Ｖ２）の後で且つ上記工程（Ｖ３）の前、又は上記工程（Ｖ３）の後で且つ上記工程（Ｖ４）の前において、下記工程（Ｖ－ＢＧ）を含んでもよい。
工程（Ｖ－ＢＧ）：上記半導体チップ作製用ウエハの上記裏面を研削する工程
但し、上記工程（Ｖ４）において、ステルスダイシング（登録商標）法、ブレード先ダイシング法、ステルス先ダイシング法を採用する場合には、上記工程（Ｖ－ＢＧ）は、上記工程（Ｖ４）において行うことが好ましい。これにより、硬化樹脂膜付き半導体ウエハの個片化と半導体ウエハの薄化処理を同時に行うことができる。

なお、本実施形態の第二の半導体チップの製造方法においても、上記工程（ＴＢ）及び上記工程（Ｕ）のいずれか一方又は双方を含んでもよい。
但し、上記工程（ＴＢ）を採用する場合、裏面保護膜は、バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体ウエハの裏面に形成される。したがって、上記工程（ＴＢ）は下記工程（ＴＡ）に変更した上で採用される。
工程（ＴＡ）：バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体ウエハの裏面に、裏面保護膜を形成する工程
また、上記工程（ＴＡ）は、より詳細には、下記工程（ＴＡ１）及び下記工程（ＴＡ２）をこの順で含むことが好ましい。
・工程（ＴＡ１）：上記半導体ウエハの裏面に、裏面用硬化性樹脂フィルム（Ｘ２）を貼付する工程
・工程（ＴＡ２）：裏面用硬化性樹脂フィルム（Ｘ２）を硬化させて裏面用硬化樹脂膜（ｒ２）を形成する工程

［半導体チップ］
本実施形態の半導体チップは、バンプを備えるバンプ形成面を有し、上記バンプ形成面に、本実施形態の硬化性樹脂フィルムが硬化してなる硬化樹脂膜を有する。
したがって、本実施形態よれば、バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップの前記バンプ形成面に、上記の硬化性樹脂フィルムが硬化してなる硬化樹脂膜を有し、近赤外線遮蔽機能が付与された半導体チップが提供される。
また、バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップの前記バンプ形成面に、上記の硬化性樹脂フィルムが硬化してなる硬化樹脂膜を有し、近赤外線遮蔽機能が付与されるとともに、さらに裏面保護膜を有する半導体チップも提供される。

本実施形態の半導体チップは、バンプを備えるバンプ形成面を有し、上記バンプ形成面及び側面の双方に、本実施形態の硬化性樹脂フィルムが硬化してなる硬化樹脂膜を有する。
本実施形態の半導体チップは、半導体チップ作製用ウエハに形成されている溝部に埋め込まれた硬化樹脂膜を分割予定ラインに沿って切断し、個片化することで得られる。上記硬化樹脂膜は、上記の硬化性樹脂フィルムの硬化物である。
したがって、本実施形態よれば、バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップの前記バンプ形成面及び側面の双方に、上記の硬化性樹脂フィルムが硬化してなる硬化樹脂膜を有し、近赤外線遮蔽機能が付与された半導体チップが提供される。
また、バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップの前記バンプ形成面及び側面の双方に、上記の硬化性樹脂フィルムが硬化してなる硬化樹脂膜を有し、近赤外線遮蔽機能が付与されるとともに、さらに裏面保護膜を有する半導体チップも提供される。
また、上記硬化性樹脂フィルムと上記裏面用硬化性樹脂フィルムの双方が黒色顔料を含有する場合、上記硬化性樹脂フィルムを硬化した硬化樹脂膜と上記裏面用硬化性樹脂フィルムを硬化した裏面用硬化樹脂膜との間で、色味に一体感が見られ、意匠性を高いものとできる。しかも、半導体チップのバンプ形成面及び側面だけでなく、裏面にも近赤外線遮蔽性を付与することができる。つまり、意匠性に優れながらも、近赤外線遮蔽性に優れる半導体チップとすることができる。

本発明について、以下の実施例により具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

１．熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物の製造原料
熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物の製造に用いた原料を以下に示す。
（１） 重合体成分（Ａ）
・（Ａ）－１：下記式（ｉ）－１、（ｉ）－２及び（ｉ）－３で表される構成単位を有するポリビニルブチラール（積水化学工業（株）製「エスレックＢＬ－１０」、重量平均分子量２５，０００、ガラス転移温度５９℃）

（式中、ｌ_１は約２８であり、ｍ_１は１～３であり、ｎ_１は６８～７４の整数である。）

・（Ａ）－２：ポリアリレート（ユニチカ（株）製「ユニファイナー（登録商標）Ｍ－２０４０」）

（２） エポキシ樹脂（Ｂ１）
［液状エポキシ樹脂］
・（Ｂ１）－１：液状変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「エピクロンＥＸＡ－４８５０－１５０」、数平均分子量９００、エポキシ当量４５０ｇ／ｅｑ）
［固形状エポキシ樹脂］
・（Ｂ１）－２：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「エピクロンＨＰ－７２００ＨＨ」、重量平均分子量２万未満、エポキシ当量２５５～２６０ｇ／ｅｑ）
・（Ｂ１）－３：ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「エピクロンＨＰ－５０００」、エポキシ当量２５２ｇ／ｅｑ）
・（Ｂ１）－４：ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「エピクロンＨＰ－４７１０」、エポキシ当量１７０ｇ／ｅｑ）
・（Ｂ１）－５：フルオレン型エポキシ樹脂（大阪ガスケミカル（株）製「ＯＧＳＯＬ ＣＧ５００」、エポキシ当量３００ｇ／ｅｑ）

（３） 熱硬化剤（Ｂ２）
・（Ｂ２）－１：Ｏ－クレゾール型ノボラック樹脂（ＤＩＣ（株）製「フェノライトＫＡ－１１６０」、水酸基当量１１７ｇ／ｅｑ）

（４） 硬化促進剤（Ｃ）
・（Ｃ）－１：２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業（株）製「キュアゾール２ＰＨＺ－ＰＷ」）

（５） 充填剤（Ｄ）
・（Ｄ）－１：エポキシ基で修飾された球状シリカ（（株）アドマテックス製「アドマナノ ＹＡ０５０Ｃ－ＭＫＫ」、平均粒子径５０ｎｍ）
充填剤（Ｄ）の平均粒子径は、電子顕微鏡で観察した黒色顔料の１次粒子の粒子径を無作為に選択して複数個測定し、その平均値を算出した算術平均粒子径である。

（６） 黒色顔料（Ｇ１）
・（Ｇ１）－１：カーボンブラック（三菱化学社製「ＭＡ６００Ｂ」、粒子径２０ｎｍ）
・（Ｇ１）－２：カーボンブラック（三菱化学社製「＃２０」、粒子径５０ｎｍ）
なお、黒色顔料（Ｇ１）の粒子径は、電子顕微鏡で観察した黒色顔料の１次粒子の粒子径を無作為に選択して複数個測定し、その平均値を算出した算術平均粒子径である。

（７） 添加剤（Ｈ）
・（Ｈ）－１：界面活性剤（アクリル重合体、ＢＹＫ社製「ＢＹＫ－３６１Ｎ」）
・（Ｈ）－２：シリコーンオイル（アラルキル変性シリコーンオイル、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製「ＸＦ４２－３３４」）

２．製造例１～１２及び比較製造例１～８
２－１－１．製造例１
（１）熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物（１）の製造
表１に示す配合処方１を、メチルエチルケトンに溶解又は分散させて、２３℃で撹拌することで、溶媒以外のすべての成分の合計濃度が６０質量％である熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物（１）（以下、単に「組成物（１）」ともいう）を得た。なお、ここに示す溶媒以外の成分の配合量はすべて、溶媒を含まない目的物の配合量である。

（２）熱硬化性樹脂フィルムの製造
ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム（リンテック（株）製「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）を用い、その上記剥離処理面に、上記で得られた組成物（１）を塗工し、１２０℃で２分加熱乾燥させることにより、厚さ４５μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（１）－４５」ともいう）を形成した。
なお、本実施例において、各層の厚さは、株式会社テクロック製の定圧厚さ測定器（型番：「ＰＧ－０２Ｊ」、標準規格：ＪＩＳ Ｋ ６７８３：２００９、Ｚ １７０２：１９９４、Ｚ １７０９：１９９５に準拠）を用いて、２３℃にて測定した。

２－１－２．製造例２
組成物（１）の塗工量を変更した点以外は、製造例１と同様の方法で、厚さが１０μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（１）－１０」ともいう）を形成した。

２－１－３．製造例３
組成物（１）の塗工量を変更した点以外は、製造例１と同様の方法で、厚さが５μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（１）－５」ともいう）を形成した。

２－１－４．製造例４
表１に示す配合処方１を配合処方２に変更した点以外は、製造例１と同様の方法で、厚さ４５μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（２）－４５」ともいう）を形成した。

２－１－５．製造例５
組成物（１）の塗工量を変更した点以外は、製造例４と同様の方法で、厚さが１０μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（２）－１０」ともいう）を形成した。

２－１－６．製造例６
組成物（１）の塗工量を変更した点以外は、製造例４と同様の方法で、厚さが５μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（２）－５」ともいう）を形成した。

２－１－７．製造例７
表１に示す配合処方１を配合処方３に変更した点以外は、製造例１と同様の方法で、厚さ４５μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（３）－４５」ともいう）を形成した。

２－１－８．製造例８
組成物（１）の塗工量を変更した点以外は、製造例７と同様の方法で、厚さ３０μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（３）－３０」ともいう）を形成した。

２－１－８．製造例９
表１に示す配合処方１を配合処方７に変更した点以外は、製造例１と同様の方法で、厚さ４５μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（７）－４５」ともいう）を形成した。

２－１－８．製造例１０
組成物（１）の塗工量を変更した点以外は、製造例９と同様の方法で、厚さ１０μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（７）－１０」ともいう）を形成した。

２－１－８．製造例１１
表１に示す配合処方１を配合処方８に変更した点以外は、製造例１と同様の方法で、厚さ４５μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（８）－４５」ともいう）を形成した。

２－１－８．製造例１２
組成物（１）の塗工量を変更した点以外は、製造例１１と同様の方法で、厚さ１０μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（８）－１０」ともいう）を形成した。

２－２－１．比較製造例１
組成物（１）の塗工量を変更した点以外は、製造例７と同様の方法で、厚さが１０μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（３）－１０」ともいう）を形成した。

２－２－２．比較製造例２
組成物（１）の塗工量を変更した点以外は、製造例７と同様の方法で、厚さが５μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（３）－５」ともいう）を形成した。

２－２－３．比較製造例３
表１に示す配合処方１を配合処方４に変更した点以外は、製造例１と同様の方法で、厚さ４５μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（４）－４５」ともいう）を形成した。

２－２－４．比較製造例４
組成物（１）の塗工量を変更した点以外は、比較製造例３と同様の方法で、厚さが１０μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（４）－１０」ともいう）を形成した。

２－２－５．比較製造例５
組成物（１）の塗工量を変更した点以外は、比較製造例３と同様の方法で、厚さが５μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（４）－５」ともいう）を形成した。

２－２－６．比較製造例６
表１に示す配合処方１を配合処方５に変更した点以外は、製造例１と同様の方法で、厚さ４５μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（５）－４５」ともいう）を形成した。

２－２－７．比較製造例７
組成物（１）の塗工量を変更した点以外は、比較製造例６と同様の方法で、厚さが１０μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（５）－１０」ともいう）を形成した。

２－２－８．比較製造例８
組成物（１）の塗工量を変更した点以外は、比較製造例７と同様の方法で、厚さが５μｍの熱硬化性樹脂フィルム（以下、「Ｆ（５）－５」ともいう）を形成した。

なお、表１中の含有成分の欄の「－」との記載は、配合処方１～８がその成分を含有していないことを意味する。

３．評価１（実施例１～１２、比較例１～８）
製造例１～１２及び比較製造例１～８で得られた熱硬化性樹脂フィルムを用いて、下記評価を行った。

３－１．透過率の評価
ガラス板（松浪硝子工業（株）製、「白縁磨Ｎｏ１」、長さ７６ｍｍ×幅２６ｍｍ×厚さ１ｍｍ）を準備し、長さが半分になるように切断して用いた。
そして、熱硬化性樹脂フィルムのうち剥離フィルムが設けられた面とは反対側の面とガラス板とを、ラミネータ装置（日本オフィスラミネーター株式会社製、「ロール式ラミネート機ＲＳＬ－３８２Ｓ」）を用いて、下記条件で貼り合わせた。
・貼付温度：６０℃
・貼付速度：１ｍｍ／秒
・貼付圧力：０．３ＭＰａ
次いで、熱硬化性樹脂フィルムから剥離フィルムを剥離し、１３０℃、０．５ＭＰａの条件下で、２４０分間加熱して熱硬化させ、放冷して常温（２５℃）に戻し、硬化樹脂膜付きのガラス板を作製した。そして、この硬化樹脂膜付きのガラス板について、９４０ｎｍ及び８００ｎｍにおける透過率を下記条件で測定した。なお、透過率を測定する際、硬化樹脂膜付きのガラス板は、硬化樹脂膜側が受光面となるように設置した。
・測定装置：株式会社 島津製作所製、ＵＶ－３６００シリーズ
・測定波長範囲：１９０ｎｍ～２，０００ｎｍ
・検出器ユニット：直接受光
・測定温度：２５℃

３－２．近赤外線遮蔽性の評価１
上記の「３．１ 透過率の評価」で作製した硬化樹脂膜付きのガラス板を試験片とした。
そして、下記レーザー装置のレーザー出力部から５ｃｍ離れた場所に、レーザーの出力方向に対し、試験片の面方向が垂直になるように試験片をセットした。なお、試験片は、硬化樹脂膜側がレーザー照射面になるようにセットした。
・レーザー照射装置：Ｃｏｂｏｌｔ社製 多波長レーザー（波長：７３０ｎｍ、７６０ｎｍ、７８５ｎｍ、８０８ｎｍ、８３０ｎｍ、９４０ｎｍ、９７５ｎｍ）
・出力波長：９４０ｎｍ
次いで、波長９４０ｎｍのレーザーを照射し、ｉｐｈｏｎｅ７（Ａｐｐｌｅ社製）のインカメラを起動して、試験片から１０ｃｍの場所（すなわちレーザー出力部から１５ｃｍの場所）から試験片を撮影することにより、近赤外線の遮蔽性を評価した。評価は室温（２３℃）で実施した。
そして、インカメラにおいて、赤外線レーザーが確認できなかった場合を合格（Ａ）とし、インカメラにおいて、赤外線レーザーが確認できた場合を不合格（Ｆ）とした。
インカメラにおいて、赤外線レーザーが確認できなかった場合、硬化樹脂膜が近赤外線の遮蔽性に優れることを意味する。逆に、インカメラにおいて、赤外線レーザーが確認できた場合、硬化樹脂膜が近赤外線の遮蔽性に劣ることを意味する。

３－３．近赤外線遮蔽性の評価２
２つのＰＨＳ（personal handy－phone system、ドコモ株式会社製、製品名「ＡＱＵＯＳ」、受信波長：８００ｎｍ）を１５ｃｍの距離だけ離して平面上に配置した。次いで、上記の「３．１ 透過率の評価」で作製した硬化樹脂膜付きのガラス板を試験片とし、これを一方のＰＨＳの手前に配置して、２つのＰＨＳを試験片で遮るようにし、２つのＰＨＳ間で送受信可能かを確認した。
そして、２つのＰＨＳ間で送受信不能である場合を合格（Ａ）とし、２つのＰＨＳ間で送受信可能である場合を不合格（Ｆ）とした。
２つのＰＨＳ間で送受信不能である場合、硬化樹脂膜が近赤外線の遮蔽性に優れることを意味する。逆に、２つのＰＨＳ間で送受信可能である場合、硬化樹脂膜が近赤外線の遮蔽性に劣ることを意味する。

４．評価２（実施例１、４、７、９、及び１１並びに比較例３及び６）
製造例１、４、及び７、９、及び１１並びに比較製造例３及び６で得られた厚さ４５μｍの熱硬化性樹脂フィルムを用いて下記の評価を行った。

４－１．熱硬化性樹脂フィルムのＧｃ１及びＧｃ３００の測定、Ｘ値の算出
厚さ４５μｍの熱硬化性樹脂フィルムを２０枚作製した。次いで、これら熱硬化性樹脂フィルムを積層し、得られた積層フィルムを直径２５ｍｍの円板状に裁断することにより、厚さ１ｍｍの熱硬化性樹脂フィルムの試験片を作製した。
粘弾性測定装置（アントンパール社製「ＭＣＲ３０１」）における、試験片の設置箇所を、あらかじめ８０℃で保温しておき、この設置箇所へ、上記で得られた熱硬化性樹脂フィルムの試験片を載置し、この試験片の上面に測定治具を押し当てることで、試験片を上記設置箇所に固定した。
次いで、温度９０℃、測定周波数１Ｈｚの条件で、試験片に発生させるひずみを０．０１％～１０００％の範囲で段階的に上昇させ、試験片の貯蔵弾性率Ｇｃを測定した。そして、Ｇｃ１及びＧｃ３００の測定値から、Ｘ値を算出した。

４－２．カーフ認識性の評価
（１）半導体チップ作成用ウエハの準備
半導体チップ作製用ウエハとして、分割予定ラインをハーフカットした１２インチのシリコンウエハ（ウエハ厚さ７５０μｍ）を用いた。当該シリコンウエハのハーフカット部の幅（溝部の幅）は６０μｍであり、溝の深さは２３０μｍである。

（２）評価方法
厚さ４５μｍの熱硬化性樹脂フィルムの片面を、半導体チップ作製用ウエハの表面側（ハーフカット形成面）に、以下の条件で押圧しながら貼付した。
・貼付装置：ＢＧテープラミネータ（リンテック（株）製「ＲＡＤ－３５１０Ｆ／８」）
・貼付圧力：０．５ＭＰａ
・貼付時間：４３秒
・貼付速度：７ｍｍ／秒
・貼付温度：８０℃
・ローラー貼付高さ：－２００ｍｍ
次いで、熱硬化性樹脂フィルムを貼り付けた半導体チップ作製用ウエハを、温度１３０℃、圧力０．５ＭＰａの条件で４時間加熱して硬化させて硬化樹脂膜を形成した。
そして、硬化樹脂膜付きの半導体チップ作製用ウエハをダイサー（ディスコ社製「ＤＦＤ６３６２」）のダイシングテーブルに固定し、ダイサーの付属カメラによりカーフが認識できるか否か確認した。
カーフの凹凸が明瞭に認識できた場合を合格「Ａ」とし、合格「Ａ」の場合ほどではないがカーフの凹凸が一応明瞭に認識できた場合を合格「Ｂ」とし、カーフの凹凸が明瞭に認識できなかった場合を不合格「Ｆ」とした。
なお、合格「Ａ」の場合の画像（写真）の例を図９に示し、不合格「Ｂ」の場合の画像（写真）の例を図１０に示す。

４－３．意匠性の評価及び膜剥がれの評価
（１）サンプルの作製
上記の「４－２．カーフ認識性の評価」で準備した硬化樹脂膜付きの半導体チップ作製用ウエハに対し、ウエハ裏面を研削して、半導体チップ作製用ウエハの厚さを２００μｍとした。
ＲＡＤ－３６００を使用し、剥離フィルムで挟持されたロール形状の厚み２５μｍの裏面用熱硬化性樹脂フィルムを半導体チップ作製用ウエハの裏面にテーブル温度７０℃で貼付した。１３０℃で２時間加熱し、裏面用硬化樹脂膜とした。裏面用硬化樹脂膜側にＤＣテープＤ－６８６Ｈ（リンテック社製）を貼付し、ブレードダイサーＤＦＧ６３６２を使用し、ブレードダイシングにより分割予定ラインに沿ってダイシングし、チップサイズ６ｍｍ角に個片化した。チップをＤＣテープから剥離し、チップ観察を光学顕微鏡（キーエンス社製「ＶＨＸ－１０００」）で実施した。

なお、剥離フィルムで挟持されたロール形状の厚み２５μｍの裏面用熱硬化性樹脂フィルムは、以下の手順で作製した。
重合体成分（ａ）、エポキシ樹脂（ｂ１）－１、エポキシ樹脂（ｂ１）－２、硬化剤（ｂ２）、硬化促進剤（ｃ）、充填材（ｄ）、カップリング剤（ｅ）、及び着色剤（Ｊ）を、これらの含有量（固形分量、質量部）が１５０／７０／３０／５／２／３２０／２／１８（固形重量比）となるようにメチルエチルケトンに溶解又は分散させて、２３℃で撹拌することで、固形分濃度が５２質量％である裏面用熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物（２）（以下、単に「組成物（２）」ともいう）を調製した。
（１）重合体成分（ａ）
アクリル酸ブチル（５５質量部）、アクリル酸メチル（１０質量部）、メタクリル酸グリシジル（２０質量部）、及びアクリル酸－２－ヒドロキシエチル（１５質量部）を共重合して得られたアクリル樹脂（重量平均分子量８００，０００、ガラス転移温度－２８℃）。
（２）エポキシ樹脂（ｂ）
・（ｂ１）－１：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製ｊＥＲ８２８、エポキシ当量１８４～１９４ｇ／ｅｑ）
・（ｂ１）－２：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製エピクロンＨＰ－７２００ＨＨ、エポキシ当量２５５～２６０ｇ／ｅｑ）
（３）硬化剤（ｂ２）
ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨＣ－７８５１－Ｈ、水酸基当量２１８ｇ／ｅｑ）
（４）硬化促進剤（ｃ）
２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業社製「キュアゾール２ＰＨＺ－ＰＷ」）
（５）充填剤（ｄ）
エポキシ基で修飾された球状シリカ（アドマテックス社製５ＳＥ－ＣＨ１、平均粒子径５００ｎｍ）
（６）カップリング剤（ｅ）
３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製ＫＢＭ４０３）
（７）着色剤（ｊ）
黒色顔料（東洋インキ社製 マルチラックＡ９０３ブラック）
次いで、ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）を用い、その前記剥離処理面に、上記で得られた組成物（２）を塗工し、露出面に別の剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ－ＰＥＴ３８２１５０」）を貼付した後、１２０℃で２分加熱乾燥させることにより、剥離フィルムで挟持された厚さ２５μｍの裏面用熱硬化性樹脂フィルムを形成した。上記試験時には、これをロール状にして使用した。

意匠性は下記基準で評価した。
・評価「Ａ」：半導体チップのパンプ形成面及び側面の全面に硬化樹脂膜が形成され、当該硬化樹脂膜と裏面に形成された第二硬化樹脂膜との間で、色味に一体感が見られ、意匠性が高い。
・評価「Ｆ」：半導体チップのパンプ形成面及び側面の全面に硬化樹脂膜が形成されているものの、当該硬化樹脂膜と裏面に形成された第二硬化樹脂膜との間で、色味に一体感が見られず、意匠性が低い。

膜剥がれは下記基準で評価した。
・評価「Ａ」：下記３条件を満たす。
（１）半導体チップのパンプ形成面及び側面において半導体チップからの硬化樹脂膜の膜剥がれが見られない。
（２）半導体チップの裏面において半導体チップからの第二硬化樹脂膜の膜剥がれが見られない。
（３）硬化樹脂膜と第二硬化樹脂膜との膜剥がれも見られない。
・評価「Ｆ」：上記（１）～（３）の少なくともいずれかの条件を満たさない。

４－４．反りの評価
８インチの円形サイズに切り取った電解銅箔（厚さ３５μｍ、関西電子工業株式会社製）に、厚さ４５μｍの熱硬化性樹脂フィルムが剥離フィルム（リンテック株式会社製「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）の剥離処理面に形成された複合シートを熱硬化性樹脂フィルムと銅箔とが当接するように、卓上ラミネータ（製品名：「ＬＰＤ３２１２」、フジプラ株式会社製）を用いて加熱貼付した（貼付圧力０．３ＭＰａ、貼付温度６０℃、貼付速度１ｍｍ／秒、１往復）。次に、銅箔に加熱貼付した熱硬化性樹脂フィルムを円形の銅箔に沿ってカッターで切り取ったものを試験片とし、当該試験片に反りがないことを目視で確認した上で、剥離フィルムを剥離した後、温度１３０℃、圧力０．５ＭＰａの条件で２４０分間加熱硬化した。その後、放冷して常温（２５℃）に戻した後、熱硬化性樹脂フィルムが加熱貼付された銅箔の外周を略均等に３分割した位置（３箇所）にテープ（ニチバン（株）製、商品名「セロテープ（登録商標）ＬＰ－２４」、テープ幅２４ｍｍ）を貼り付けて、所定位置（最も反りの大きい箇所）の反りを測定した。なお、反りは、１５ｍｍ以下であれば合格「Ａ」とし、１５ｍｍ超であれば不合格「Ｆ」とした。

表２に示す結果から、以下のことがわかる。
実施例１～８に示す結果から、１３０℃、０．５ＭＰａで２４０分間熱硬化処理した後の９４０ｎｍにおける赤外線透過率が１３％未満である熱硬化性樹脂フィルムは、近赤外線遮蔽性に優れ、近赤外線による誤作動を防ぐこともできることがわかる。

また、実施例１、４、７、９、及び１１に示す結果から、Ｆ（１）－４５、Ｆ（２）－４５、Ｆ（３）－４５、Ｆ（７）－４５、及びＦ（８）－４５の熱硬化性樹脂フィルムを用いた場合、Ｘ値が上記要件（２）を満たし、カーフ認識性、意匠性、膜剥がれ、及び反りのいずれの評価結果も良好であることがわかる。
なお、比較例６については、硬化樹脂膜が透明であるため、カーフの凹凸を認識することができたものの、比較例６～８では、硬化性樹脂フィルムの半導体ウエハへの貼付時において粘度低下が実施例及び他の比較例に比して大きく、硬化性樹脂フィルムの溝部への充填量が多くなってしまったこと等に起因して、硬化樹脂膜とした際に半導体チップの端部に保護膜が形成されていない箇所が発生することがわかった。

１０，２０ 複合シート
３０，３０’ 半導体チップ作製用ウエハ
４０，４０’ 半導体チップ
１，１１，１１’ 剥離シート
２，１２ 熱硬化性樹脂フィルム
３，１３ 基材
４，１４ 剥離層
１５ 中間層
２１，２１’ 半導体ウエハ
２１ａ，２１ａ’ バンプ形成面
２１ｂ 裏面
２２，２２’ バンプ
２３ 溝部
Ｘ１ 熱硬化性樹脂フィルム
Ｙ１ 剥離シート
ｒ１ 硬化樹脂膜
α１ 第一複合シート
Ｘ２ 裏面用硬化性樹脂フィルム
Ｙ２ 第二剥離シート
ｒ２ 裏面用硬化樹脂膜、裏面保護膜
α２ 第二複合シート

Claims (16)

1. バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップの前記バンプ形成面に、保護膜としての硬化樹脂膜を形成するために用いられる硬化性樹脂フィルムであって、
   下記要件（１）を満たす、硬化性樹脂フィルム。
   要件（１）：１３０℃、０．５ＭＰａで２４０分間の条件で熱硬化処理を行った後の９４０ｎｍの近赤外線透過率が１３％未満である。
2. 黒色顔料を含有する、請求項１に記載の硬化性樹脂フィルム。
3. 黒色顔料の含有量が、硬化性樹脂フィルムの全量基準で、０．５質量％超である、請求項２に記載の硬化性樹脂フィルム。
4. 厚さが１μｍ以上である、請求項１又は２に記載の硬化性樹脂フィルム。
5. 前記半導体チップの前記バンプ形成面及び側面の双方に、前記保護膜としての前記硬化樹脂膜を形成するために用いられる、請求項１又は２に記載の硬化性樹脂フィルム。
6. 請求項１又は２に記載の硬化性樹脂フィルムと、剥離シートとが積層された積層構造を有する、複合シート。
7. 前記剥離シートは、基材と剥離層とを有し、前記剥離層が前記硬化性樹脂フィルムに面する、請求項６に記載の複合シート。
8. 前記剥離シートは、前記基材と前記剥離層との間に、更に中間層を有する、請求項７に記載の複合シート。
9. 前記剥離層がエチレン－酢酸ビニル共重合体を含む組成物から形成されてなる層である、請求項７に記載の複合シート。
10. 下記工程（Ｖ１）～（Ｖ４）をこの順で含む、半導体チップの製造方法。
    工程（Ｖ１）：バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体ウエハを準備する工程
    工程（Ｖ２）：前記半導体ウエハの前記バンプ形成面に、請求項１又は２に記載の硬化性樹脂フィルムを押圧して貼付し、前記半導体ウエハの前記バンプ形成面を前記硬化性樹脂フィルムで被覆する工程
    工程（Ｖ３）：前記硬化性樹脂フィルムを硬化させて、硬化樹脂膜付き半導体ウエハを得る工程
    工程（Ｖ４）：前記硬化樹脂膜付き半導体ウエハを個片化し、前記バンプ形成面が前記硬化樹脂膜で被覆されている半導体チップを得る工程
11. 下記工程（Ｓ１）、（Ｓ２）、（Ｓ３）、及び（Ｓ４）をこの順で含み、
    工程（Ｓ１）：バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体ウエハの前記バンプ形成面に、分割予定ラインとしての溝部が裏面に到達することなく形成されている半導体チップ作製用ウエハを準備する工程
    工程（Ｓ２）：前記半導体チップ作製用ウエハの前記バンプ形成面に、請求項５に記載の硬化性樹脂フィルムを押圧して貼付し、前記半導体チップ作製用ウエハの前記バンプ形成面を前記硬化性樹脂フィルムで被覆すると共に、前記半導体チップ作製用ウエハに形成されている前記溝部に前記硬化性樹脂フィルムを埋め込む工程
    工程（Ｓ３）：前記硬化性樹脂フィルムを硬化させて、硬化樹脂膜付き半導体チップ作製用ウエハを得る工程
    工程（Ｓ４）：前記硬化樹脂膜付き半導体チップ作製用ウエハを前記分割予定ラインに沿って個片化し、少なくとも前記バンプ形成面及び側面が前記硬化樹脂膜で被覆されている半導体チップを得る工程
    さらに、前記工程（Ｓ２）の後で且つ前記工程（Ｓ３）の前、前記工程（Ｓ３）の後で且つ前記工程（Ｓ４）の前、又は前記工程（Ｓ４）において、下記工程（Ｓ－ＢＧ）を含む、半導体チップの製造方法。
    工程（Ｓ－ＢＧ）：前記半導体チップ作製用ウエハの前記裏面を研削する工程
12. さらに、下記工程（ＴＡ）を含む、請求項１０に記載の半導体チップの製造方法。
    工程（ＴＡ）：前記半導体ウエハの裏面に、裏面保護膜を形成する工程
13. さらに、下記工程（ＴＢ）を含む、請求項１１に記載の半導体チップの製造方法。
    工程（ＴＢ）：前記半導体チップ作製用ウエハの前記裏面に、裏面保護膜を形成する工程
14. バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップの前記バンプ形成面に、請求項１に記載の硬化性樹脂フィルムが硬化してなる硬化樹脂膜を有し、近赤外線遮蔽機能が付与された半導体チップ。
15. バンプを備えるバンプ形成面を有する半導体チップの前記バンプ形成面及び側面の双方に、請求項５に記載の硬化性樹脂フィルムが硬化してなる硬化樹脂膜を有し、近赤外線遮蔽機能が付与された半導体チップ。
16. 前記半導体チップの裏面に、さらに裏面保護膜を有する、請求項１４又は１５に記載の半導体チップ。

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