JP7374591B2 - Wafer presence detection device - Google Patents

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Description

本発明はワーク(例えば、ウェーハ等)の在荷検知装置に関するものであり、特に、ウェーハにCMP加工を施すウェーハ研磨装置などにおいて、トレイの上にウェーハが載置されているか否かを検知するウェーハの在荷検知装置に関するものである。 The present invention relates to a device for detecting the presence of a workpiece (e.g., a wafer, etc.), and particularly for detecting whether or not a wafer is placed on a tray in a wafer polishing device that performs CMP processing on a wafer. The present invention relates to a wafer presence detection device.

半導体製造分野では、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハ(以下、単に「ウェーハ」という)の表面を研磨するウェーハ研磨装置が知られている。 In the field of semiconductor manufacturing, wafer polishing apparatuses are known that polish the surfaces of semiconductor wafers (hereinafter simply referred to as "wafers") such as silicon wafers.

特許文献1記載の研磨装置は、化学的機械的研磨、いわゆるCMP(Chemical Mechanical Polishing)技術を適用した研磨装置である。この研磨装置では、カセットから取り出されたウェーハが搬送されて来るロード・アンロード部とウェーハを研磨する研磨ヘッドとの間におけるウェーハの受け渡しを、ウェイティングユニットが中継している。 The polishing apparatus described in Patent Document 1 is a polishing apparatus to which chemical mechanical polishing, so-called CMP (Chemical Mechanical Polishing) technology is applied. In this polishing apparatus, a waiting unit relays the transfer of wafers between a load/unload section to which wafers taken out of a cassette are transported and a polishing head that polishes the wafers.

ウェイティングユニットは、上下2段構造のウェーハ載置台であり、上段が研磨加工前のウェーハを研磨ヘッド側に受け渡すトレイを有したロード専用ウェーハ載置台(インテーブル)であり、下段が研磨加工後のウェーハを研磨ヘッドから受け取るトレイを有したアンロード専用ウェーハ配置台(アウトテーブル)である。 The waiting unit is a wafer mounting table with an upper and lower structure, with the upper stage being a load-only wafer mounting table (in-table) with a tray that transfers wafers before polishing to the polishing head, and the lower stage wafers after polishing. This is a wafer placement table (out table) exclusively for unloading and has a tray for receiving wafers from the polishing head.

この研磨装置では、インテーブルのトレイが、ウェーハを研磨ヘッドに受け渡す所定位置(ロード位置)まで移動すると、リテーナを取り付けた研磨ヘッドが下降して、ウェーハをリテーナに吸着保持して研磨定盤上に運び、ウェーハの研磨が行われる。 In this polishing equipment, when the in-table tray moves to a predetermined position (loading position) where the wafer is transferred to the polishing head, the polishing head with the retainer attached descends, holds the wafer by suction on the retainer, and holds the wafer on the polishing surface plate. The wafer is then transported to the top and polished.

研磨後は、アウトテーブルのトレイ上に移動し、加工後のウェーハをアウトテーブルのトレイに受け渡す。アウトテーブルは加工後のウェーハと共に所定の位置まで搬送され、その後、搬送ロボットによりアンロードカセットに移動される。以後、このような動作を繰り返すことにより、多数枚のウェーハを連続して研磨加工することができるようになっている。 After polishing, the wafer is moved onto an out-table tray, and the processed wafer is transferred to the out-table tray. The out table is transported to a predetermined position together with the processed wafer, and then moved to an unload cassette by a transport robot. Thereafter, by repeating such operations, it is possible to polish a large number of wafers in succession.

ところで、ウェイティングユニットを用いてウェーハを搬送する方法では、ウェーハの重送などのミスを無くすために、インテーブルのトレイ内やアウトテーブル内のトレイにウェーハが無い状態で、インテーブルが搬送ロボットからウェーハを受け取り、又はアウトテーブルが研磨ヘッドから研磨加工済みのウェーハを受け取るようにしなければならない。そのため、インテーブルのトレイ内及びアウトテーブルのトレイ内に、ウェーハが存在するか否かを検知するためのウェーハの在荷検知装置が設けられている。その従来におけるウェーハの在荷検知装置は、ウェーハの在荷を検知するのに光学式センサを用いていた。 By the way, in the method of transporting wafers using a waiting unit, in order to eliminate mistakes such as double feeding of wafers, the in-table is moved from the transport robot when there are no wafers in the in-table tray or the out-table tray. The out-table must receive the polished wafer from the polishing head. Therefore, a wafer presence detection device is provided in the in-table tray and in the out-table tray to detect whether or not there are wafers. The conventional wafer presence detection device uses an optical sensor to detect the presence of wafers.

図7に示すように、従来のウェーハの在荷検知装置における光学式センサ101は、投光部102と受光部103を有する。一方、ウェーハWが載置されるインテーブル(又はアウトテーブル)のトレイ104には、上下に貫通している開口部105が設けられている。また、光学式センサ101は、トレイ104の開口部105に対応させて、トレイ104の下面側(又は上面側)に投光部102を配置するとともに、トレイ104の上面側(又は下面側)に受光部103を配置するようにして設けられる。 As shown in FIG. 7, an optical sensor 101 in a conventional wafer presence detection device has a light projecting section 102 and a light receiving section 103. On the other hand, an in-table (or out-table) tray 104 on which the wafer W is placed is provided with an opening 105 that passes through it vertically. In addition, the optical sensor 101 has a light projector 102 disposed on the lower surface side (or upper surface side) of the tray 104 in correspondence with the opening 105 of the tray 104, and a light emitting section 102 on the upper surface side (or lower surface side) of the tray 104. It is provided so that the light receiving section 103 is arranged.

そして、光学式センサ101は、インテーブル(又はアウトテーブル)のトレイ104上にウェーハWが載置されていると、開口部105がウェーハWにより閉じられ、ウェーハWで遮光されて投光部102からの光が受光部103に届かないことから、トレイ104上にウェーハWがあると認識する。反対に、インテーブル又はアウトテーブルのトレイ104上にウェーハWが載置されていないと開口部105が開かれた状態となり、投光部102からの光が開口部105を通って受光部103まで届き、トレイ104上にウェーハWがないと認識する。すなわち、受光部103に投光部102からの光が入るか入らないかにより、インテーブル又はアウトテーブルのトレイ104上のウェーハWの在荷を検知するようにしている。 When the wafer W is placed on the in-table (or out-table) tray 104, the optical sensor 101 closes the opening 105 with the wafer W, and the light is blocked by the wafer W. Since the light does not reach the light receiving unit 103, it is recognized that the wafer W is on the tray 104. On the other hand, if the wafer W is not placed on the tray 104 on the in-table or out-table, the opening 105 will be in an open state, and the light from the light projecting section 102 will pass through the opening 105 and reach the light receiving section 103. It is recognized that there is no wafer W on the tray 104. That is, the presence of wafers W on the in-table or out-table tray 104 is detected depending on whether the light from the light projecting section 102 enters the light receiving section 103 or not.

特許第3510177号公報Patent No. 3510177

しかしながら、光学式センサ101を用いてウェーハWの在荷を検知する従来の構造では、光学式センサ101に水滴が付着すると、ウェーハWの在荷を誤って検知することがあった。 However, in the conventional structure in which the presence of wafers W is detected using the optical sensor 101, if water droplets adhere to the optical sensor 101, the presence of wafers W may be incorrectly detected.

また、今日では、透明ガラスで作られた透明なウェーハW等も存在するが、透明なウェーハWの場合、投光部102からの光がウェーハWを透過して受光部103に入るために、透明なウェーハWを扱う場合には光学式センサ101を使用することができないという問題点もあった。 Furthermore, nowadays there are transparent wafers W etc. made of transparent glass, but in the case of transparent wafers W, the light from the light projecting section 102 passes through the wafer W and enters the light receiving section 103. There is also the problem that the optical sensor 101 cannot be used when handling transparent wafers W.

そこで、水滴の影響を受けることなく、透明なウェーハであっても確実にウェーハの在荷を検知可能なウェーハの在荷検知装置を提供するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。 Therefore, a technical problem has arisen that must be solved in order to provide a wafer presence detection device that can reliably detect the presence of wafers, even transparent wafers, without being affected by water droplets. , the present invention aims to solve this problem.

本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項1に記載の発明は、トレイの上にウェーハが載置されているか否かを検知するウェーハの在荷検知装置であって、前記ウェーハを載置する表面側から裏面側に渡って開口部が形成された前記トレイの裏面側に設けられ、前記トレイ上の前記ウェーハに向けた超音波の発信と前記ウェーハの表面で反射した前記超音波の受信とを行う超音波式センサと、前記開口部の下方に設けられて、前記超音波センサの検知面から発信された前記超音波を前記開口部に向けて屈折反射させるとともに前記ウェーハの表面で反射した前記超音波を前記超音波センサの検知面に向けて屈折反射させる超音波反射面を備え、前記開口部と前記超音波式センサとを結ぶ超音波経路上に設けられた超音波屈折手段と、を備えた、ウェーハの在荷検知装置を提供する。 The present invention has been proposed to achieve the above object, and the invention according to claim 1 is a wafer presence detection device that detects whether or not a wafer is placed on a tray. is provided on the back side of the tray in which an opening is formed extending from the front side on which the wafer is placed to the back side, and the ultrasonic wave is emitted toward the wafer on the tray and an ultrasonic sensor that receives the reflected ultrasonic waves; and an ultrasonic sensor that is provided below the opening and refracts and reflects the ultrasonic waves emitted from the detection surface of the ultrasonic sensor toward the opening. and an ultrasonic reflecting surface that refracts and reflects the ultrasonic waves reflected from the surface of the wafer toward the detection surface of the ultrasonic sensor, and is on an ultrasonic path connecting the opening and the ultrasonic sensor. A wafer presence detection device is provided, which includes an ultrasonic refraction means provided in a wafer.

この構成によれば、超音波の発信部と受信部を、トレイの一面側に配置させて、高さ方向の距離を短くした状態で超音波式センサを組み込む。これにより、装置のコンパクト化を図り、装置全体の小型化が可能にする。なお、超音波の発信部及び受信部は、一般的には同一部位であるが、それぞれ独立したものであっても構わない。 According to this configuration, the ultrasonic sensor is incorporated with the ultrasonic transmitter and the receiver placed on one side of the tray and the distance in the height direction shortened. This makes it possible to make the device more compact and to downsize the entire device. Note that although the ultrasonic transmitter and the receiver are generally the same part, they may be independent parts.

また、ウェーハの表面に向けて超音波を発信し、ウェーハの表面で反射された超音波を受信するようにしているので、例えば透明ガラスで作られた透明なウェーハなどであっても超音波を反射させることができる。これにより、ウェーハの在荷を確実に検知することが可能になり、検知の精度が向上する。 In addition, since ultrasonic waves are emitted towards the wafer surface and the ultrasonic waves reflected from the wafer surface are received, ultrasonic waves can be transmitted even if the wafer is transparent, such as a transparent wafer made of transparent glass. It can be reflected. This makes it possible to reliably detect the presence of wafers and improve detection accuracy.

また、トレイ裏面側に配置された超音波式センサから超音波をトレイの開口部に向けて照射すると、トレイ表面側にウェーハが載置されている場合はウェーハの裏面に当たり、反射されてトレイの開口部を通って帰って来る超音波が超音波式センサで受信でき、これによりウェーハの在荷を検知できる。すなわち、トレイ表面側にウェーハが無ければ超音波の反射が得られず、ウェーハがあれば超音波の反射が得られる、ことを利用してウェーハの在荷を簡単に検知できる。さらに、超音波屈折手段の超音波反射面を配置して、超音波式センサの超音波経路の配置及び超音波経路の長さを自由に変更することができる。これにより、超音波式センサの最短検知距離は比較的長いが、これを超音波屈折手段により検知距離を稼ぐと共に、超音波式センサを水平方向にセットして、高さ方向距離を小さくすることが可能になり、装置の小型化を図ることできる。 Additionally , when an ultrasonic sensor placed on the back side of the tray emits ultrasonic waves toward the opening of the tray, if a wafer is placed on the front side of the tray, it hits the back side of the wafer and is reflected back to the tray. The ultrasonic waves returning through the opening can be received by an ultrasonic sensor, and the presence of wafers can thereby be detected. That is, if there are no wafers on the tray surface side, no reflection of ultrasonic waves will be obtained, but if there are wafers, reflection of ultrasonic waves will be obtained. Utilizing this fact, the presence of wafers can be easily detected. Furthermore, by arranging the ultrasonic reflecting surface of the ultrasonic refraction means, the arrangement and length of the ultrasonic path of the ultrasonic sensor can be freely changed. As a result, the shortest detection distance of the ultrasonic sensor is relatively long, but the detection distance can be increased by using the ultrasonic refraction means, and the ultrasonic sensor can be set horizontally to reduce the distance in the height direction. This makes it possible to downsize the device.

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の構成において、前記超音波式センサと前記超音波屈折手段とは、前記トレイの裏面と略平行に配置され、前記超音波式センサの検知面は、前記トレイの裏面に対して略直角に配置されている、ウェーハの在荷検知装置を提供する。In the invention according to claim 2, in the configuration according to claim 1, the ultrasonic sensor and the ultrasonic refraction means are arranged substantially parallel to the back surface of the tray, and the ultrasonic sensor detects the The surface is arranged substantially perpendicular to the back surface of the tray to provide a wafer presence sensing device.

請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の構成において、前記超音波式センサは、前記超音波屈折手段より前記トレイの裏面側に配置され、前記超音波式センサの検知面は、前記超音波屈折手段に向けて傾いて設けられている、ウェーハの在荷検知装置を提供する。The invention according to claim 3 is the configuration according to claim 1, in which the ultrasonic sensor is arranged on the back side of the tray from the ultrasonic refraction means, and the detection surface of the ultrasonic sensor is A wafer presence detection device is provided, which is provided to be inclined toward the ultrasonic refraction means.

請求項4に記載の発明は、請求項に記載の構成において、前記超音波反射面にエアを吹き付けるブロアを備える、ウェーハの在荷検知装置を提供する。 The invention according to claim 4 provides a wafer presence detection device having the configuration according to claim 1 , which includes a blower that blows air onto the ultrasonic reflecting surface.

この構成によれば、超音波反射面に水滴や塵等が付着した場合に、ブロアから吹き出されるエアにより、超音波反射面上の水滴や塵等を吹き飛ばし、超音波反射面を常にクリーンにしてウェーハの在荷の検知精度を維持することができる。 According to this configuration, when water droplets, dust, etc. adhere to the ultrasonic reflecting surface, the air blown out from the blower blows off the water droplets, dust, etc. on the ultrasonic reflecting surface, and keeps the ultrasonic reflecting surface always clean. The accuracy of detecting the presence of wafers can be maintained.

請求項5に記載の発明は、請求項1、2、3又は4に記載の構成において、超音波式センサの超音波発信面と超音波受信面にエアを吹き付けるブロアを備える、ウェーハの在荷検知装置を提供する。 The invention according to claim 5 is the configuration according to claim 1, 2, 3, or 4, which includes a blower for blowing air onto the ultrasonic transmitting surface and the ultrasonic receiving surface of the ultrasonic sensor. Provides a detection device.

この構成によれば、超音波式センサの超音波発信面と超音波受信面に水滴や塵等が付着した場合に、ブロアから吹き出されるエアにより、超音波反射面上の水滴や塵等を吹き飛ばし、超音波発信面と超音波受信面を常にクリーンにしてウェーハの在荷の検知精度を維持することができる。 According to this configuration, when water droplets, dust, etc. adhere to the ultrasonic transmitting surface and the ultrasonic receiving surface of the ultrasonic sensor, the air blown from the blower removes the water droplets, dust, etc. on the ultrasonic reflecting surface. By blowing away the ultrasonic waves, the ultrasonic transmitting surface and the ultrasonic receiving surface are always kept clean, and the accuracy of detecting the presence of wafers can be maintained.

発明によれば、超音波の発信部と受信部を、トレイの一面側に配置させて、高さ方向の距離を短くした状態で超音波式センサを組み込み、装置のコンパクト化を図ることができる。これにより、装置全体の小型化が可能になる。 According to the invention, the ultrasonic transmitter and the receiver are arranged on one side of the tray, and the ultrasonic sensor is incorporated with the distance in the height direction shortened, thereby making it possible to make the device more compact. . This makes it possible to downsize the entire device.

また、ウェーハの表面に向けて超音波を発信し、ウェーハの表面で反射された超音波を受信するようにしているので、例えば透明ガラスで作られた透明なウェーハなどであっても、ウェーハの在荷を確実に検知することができる。これにより、検知精度を向上させることができる。 In addition, since ultrasonic waves are emitted toward the wafer surface and the ultrasonic waves reflected from the wafer surface are received, even if the wafer is transparent, such as a transparent wafer made of transparent glass, It is possible to reliably detect the presence of goods. Thereby, detection accuracy can be improved.

本発明のウェーハの在荷検知装置を使用したウェーハ研磨装置の全体構造を模式的に示す平面図である。FIG. 1 is a plan view schematically showing the overall structure of a wafer polishing apparatus using the wafer presence detection device of the present invention. 同上ウェーハ研磨装置におけるウェイティングユニットの要部構成を模式的に示す図であり、(a)はウェイティングユニットの正面図、(b)はウェイティングユニットを上側から見た平面図である。It is a figure which shows typically the principal part structure of the waiting unit in the same wafer polishing apparatus as the above, (a) is a front view of a waiting unit, (b) is a top view of a waiting unit seen from the upper side. 本発明の第1実施例に係るウェーハの在荷検知装置の要部構成を模式的に示す縦断側面図である。1 is a vertical sectional side view schematically showing the configuration of main parts of a wafer presence detection device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第2実施例に係るウェーハの在荷検知装置の要部構成を模式的に示す縦断側面図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional side view schematically showing the configuration of main parts of a wafer presence detection device according to a second embodiment of the present invention. 本発明の第3実施例に係るウェーハの在荷検知装置の要部構成を模式的に示す縦断側面図である。FIG. 7 is a vertical cross-sectional side view schematically showing the configuration of main parts of a wafer presence detection device according to a third embodiment of the present invention. 本発明の第4実施例に係るウェーハの在荷検知装置の要部構成を模式的に示す縦断側面図である。FIG. 7 is a vertical sectional side view schematically showing the configuration of main parts of a wafer presence detection device according to a fourth embodiment of the present invention. 従来におけるウェーハの在荷検知装置の要部構成を模式的に示す縦断側面図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional side view schematically showing the configuration of main parts of a conventional wafer presence detection device.

本発明は、装置を大型化させることなく、また透明なウェーハであっても確実にウェーハの在荷を検知可能なウェーハの在荷検知装置を提供するという目的を達成するために、トレイの上にウェーハが載置されているか否かを検知するウェーハの在荷検知装置であって、少なくとも前記トレイの一面側に、前記トレイ上の前記ウェーハに向けた超音波の発信と前記ウェーハの表面で反射した前記超音波の受信とを行う超音波式センサを備えた、ことにより実現した。 The present invention has been made to provide a wafer presence detection device that can reliably detect the presence of wafers even when the wafers are transparent without increasing the size of the device. A wafer presence detection device detects whether or not a wafer is placed on a wafer, the device comprising: transmitting ultrasonic waves toward the wafer on the tray and transmitting an ultrasonic wave toward the wafer on at least one side of the tray; This was realized by including an ultrasonic sensor that receives the reflected ultrasonic waves.

以下、本発明の実施形態に係る実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の各実施例において、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。 Examples according to embodiments of the present invention will be described in detail below based on the accompanying drawings. In addition, in each example below, when referring to the number, numerical value, amount, range, etc. of constituent elements, the specific number is used unless it is specifically specified or it is clearly limited to a specific number in principle. The number is not limited to , and may be more than or less than a certain number.

また、構成要素等の形状、位置関係に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似又は類似するもの等を含む。 In addition, when referring to the shape or positional relationship of constituent elements, etc., unless it is specifically specified or it is clearly considered that it is not the case in principle, etc., we refer to things that are substantially similar to or similar to the shape, etc. include.

また、図面は、特徴を分かり易くするために特徴的な部分を拡大する等して誇張する場合があり、構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、構成要素の断面構造を分かり易くするために、一部の構成要素のハッチングを省略することがある。 Further, in the drawings, characteristic parts may be enlarged or exaggerated in order to make the features easier to understand, and the dimensional ratios of the constituent elements are not necessarily the same as in reality. Further, in the cross-sectional views, hatching of some components may be omitted in order to make the cross-sectional structure of the components easier to understand.

また、以下の説明において、上下や左右等の方向を示す表現は、絶対的なものではなく、本発明のウェーハの在荷検知装置の各部が描かれている姿勢である場合に適切であるが、その姿勢が変化した場合には姿勢の変化に応じて変更して解釈されるべきものである。また、実施例の説明の全体を通じて同じ要素には同じ符号を付している。 In addition, in the following explanation, expressions indicating directions such as up and down and left and right are not absolute, but are appropriate when each part of the wafer presence detection device of the present invention is in the depicted orientation. , if the posture changes, the interpretation should be changed according to the change in posture. Further, the same elements are given the same reference numerals throughout the description of the embodiments.

図1は、本発明に係るウェーハの在荷検知装置を使用したウェーハ研磨装置10の全体構成を模式的に示した平面図である。図1において、ウェーハ研磨装置10は、CMP装置であり、ウェーハWの表面を平坦に研磨する。 FIG. 1 is a plan view schematically showing the overall configuration of a wafer polishing apparatus 10 using a wafer presence detection device according to the present invention. In FIG. 1, a wafer polishing apparatus 10 is a CMP apparatus, and polishes the surface of a wafer W to a flat surface.

ウェーハ研磨装置10は、ロードカセット11と、搬送ロボット12と、アライナ13と、ウェイティングユニット14と、研磨定盤15と、アンロードカセット16と、を備えている。また、ウェイティングユニット14には、インテーブル17と、研磨ヘッド18と、アウトテーブル19と、を備えている。 The wafer polishing apparatus 10 includes a load cassette 11, a transfer robot 12, an aligner 13, a waiting unit 14, a polishing surface plate 15, and an unload cassette 16. The waiting unit 14 also includes an in-table 17, a polishing head 18, and an out-table 19.

ロードカセット11は、研磨前のウェーハWを一時格納する場合に使用される。 The load cassette 11 is used to temporarily store wafers W before polishing.

搬送ロボット12は、ウェーハWを搬送するロード用であり、ロードカセット11内から研磨加工前のウェーハWを受け取り、アライナ13、インテーブル17、研磨ヘッド18、研磨定盤15、アウトテーブル19の順に搬送し、研磨加工処理後のウェーハWを一時格納しておく、アンロードカセット16まで搬送する。 The transfer robot 12 is for loading the wafer W, receives the wafer W before polishing from the load cassette 11, and transfers the wafer W to the aligner 13, the in-table 17, the polishing head 18, the polishing surface plate 15, and the out-table 19 in this order. The wafer W is then transported to an unload cassette 16 where the wafer W after polishing processing is temporarily stored.

アライナ13は、ロードカセット11から取り出され、ウェイティングユニット14に搬送される前のウェーハWの向きを調整する。 The aligner 13 adjusts the orientation of the wafer W taken out from the load cassette 11 and before being transferred to the waiting unit 14.

研磨定盤15は、円板状に形成されており、上面には図示しない研磨パッドが交換可能に被着されている。研磨定盤15は、回転駆動機構の駆動により軸心を中心として研磨パッドと一体に回転する。その研磨定盤15は、研磨ヘッド18と共に押し付けられるウェーハWの表面を、研磨パッドにより平坦に研磨する。 The polishing surface plate 15 is formed into a disk shape, and a polishing pad (not shown) is attached to the upper surface of the polishing plate 15 so as to be replaceable. The polishing surface plate 15 rotates together with the polishing pad around its axis by driving the rotational drive mechanism. The polishing surface plate 15 polishes the surface of the wafer W, which is pressed together with the polishing head 18, to a flat surface using a polishing pad.

図2は、ウェイティングユニット14の構成を模式的に示す図であり、(a)はウェイティングユニット14の正面図、(b)はウェイティングユニット14を上側から見た平面図である。図2において、ウェイティングユニット14は、上下2段構造のウェーハ載置台である。ウェイティングユニット14には本発明に係るウェーハの在荷検知装置40が設けてある。 FIG. 2 is a diagram schematically showing the configuration of the waiting unit 14, in which (a) is a front view of the waiting unit 14, and (b) is a plan view of the waiting unit 14 seen from above. In FIG. 2, the waiting unit 14 is a wafer mounting table with a two-stage structure, upper and lower. The waiting unit 14 is provided with a wafer presence detection device 40 according to the present invention.

ウェイティングユニット14の上段側におけるウェーハ載置台は、研磨加工前のウェーハWを研磨ヘッド18に受け渡すロード専用ウェーハ載置台としてのインテーブル17である。一方、下段側におけるウェーハ載置台は、研磨加工後のウェーハWを研磨ヘッド18から受け取るアンロード専用ウェーハ配置台としてのアウトテーブル19である。インテーブル17及びアウトテーブル19には、それぞれウェーハWが載置されて保持されるトレイ41が設けられている。インテーブル17に設けられたトレイ41はインテーブル17と一体に移動し、アウトテーブル19に設けられたトレイ41はアウトテーブル19と一体に移動する。 The wafer mounting table on the upper stage side of the waiting unit 14 is an in-table 17 that serves as a loading-only wafer mounting table that transfers the wafer W before polishing to the polishing head 18. On the other hand, the wafer mounting table on the lower stage side is an out table 19 serving as a wafer placement table exclusively for unloading, which receives the wafer W after polishing from the polishing head 18 . The in-table 17 and the out-table 19 are each provided with a tray 41 on which a wafer W is placed and held. The tray 41 provided on the in-table 17 moves together with the in-table 17, and the tray 41 provided on the out-table 19 moves together with the out-table 19.

ウェイティングユニット14における、インテーブル17及びアウトテーブル19は、それぞれ連結部材20a、20bを介してロッドレスシリンダ21a、21bに接続されている。そのウェイティングユニット14では、ロッドレスシリンダ21a、21bが駆動すると、インテーブル17及びアウトテーブル19は、図2(b)の矢印Y方向に移動することができる。 The in-table 17 and out-table 19 in the weighting unit 14 are connected to rodless cylinders 21a and 21b via connecting members 20a and 20b, respectively. In the weighting unit 14, when the rodless cylinders 21a and 21b are driven, the inner table 17 and the outer table 19 can move in the direction of the arrow Y in FIG. 2(b).

研磨ヘッド18は、インテーブル17のトレイ41及びアウトテーブル19のトレイ41の上方にスライド可能であり、また垂直方向Zにも上下動可能に構成されている。研磨ヘッド18は、インテーブル17のトレイ41からウェーハWを受け取り、受け取り後、研磨定盤15の上に移動し、研磨加工する際に下降して研磨定盤15の上面に貼付されている図示しない研磨パッドにウェーハWを押圧して研磨を行う。なお、研磨加工の際、研磨パッド上に図示しないノズルから研磨剤と化学薬品との混合物であるCPMスラリーが供給される。 The polishing head 18 is configured to be able to slide above the tray 41 of the in-table 17 and the tray 41 of the out-table 19, and also to be able to move up and down in the vertical direction Z. The polishing head 18 receives the wafer W from the tray 41 of the in-table 17, moves to the top of the polishing surface plate 15 after receiving it, and descends during polishing to attach the wafer W to the top surface of the polishing surface plate 15. Polishing is performed by pressing the wafer W against a polishing pad that is not polished. Note that during the polishing process, CPM slurry, which is a mixture of an abrasive and chemicals, is supplied onto the polishing pad from a nozzle (not shown).

また、研磨加工後は、アウトテーブル19上に移動し、加工後のウェーハWをアウトテーブル19のトレイ41上に受け渡す。アウトテーブル19は加工後のウェーハWと共に所定の位置まで搬送され、その後、搬送ロボット12によりアンロードカセット16に移動されるようになっている。 Further, after the polishing process, the wafer W is moved onto the out table 19 and the processed wafer W is transferred onto the tray 41 of the out table 19. The out table 19 is transported to a predetermined position together with the processed wafer W, and then moved to the unload cassette 16 by the transport robot 12.

このように、ウェーハWの移送をインテーブル17のトレイ41及びアウトテーブル19のトレイ41を介して行うウェーハ研磨装置10では、ウェーハWの重送などの重度のミスを無くして移動及び加工をスムーズに行うようにするには、インテーブル17のトレイ41の中におけるウェーハWの在荷の状態やアウトテーブル19のトレイ41の中におけるウェーハWの在荷の状態を検知した上で、必要な動作を実行する必要がある。そこで、本実施例のウェーハ研磨装置10では、インテーブル17及びアウトテーブル19における各トレイ41の中におけるウェーハWの在荷の状態を検知するウェーハの在荷検知装置40が、インテーブル17及びアウトテーブル19に各々対応して設けられている。 In this way, in the wafer polishing apparatus 10 in which the wafer W is transferred via the tray 41 of the in-table 17 and the tray 41 of the out-table 19, serious mistakes such as double feeding of wafers W are eliminated, and movement and processing are smooth. In order to perform the necessary operations, it is necessary to detect the state of the wafers W in the tray 41 of the in-table 17 and the state of the wafers W in the tray 41 of the out-table 19. need to be executed. Therefore, in the wafer polishing apparatus 10 of this embodiment, the wafer presence detection device 40 that detects the state of the wafers W in each tray 41 in the in-table 17 and out-table 19 is They are provided corresponding to each table 19.

本実施例のウェーハ研磨装置10における第1の実施例に係るウェーハの在荷検知装置40は、インテーブル17に設けられているウェーハの在荷検知装置40とアウトテーブル19に設けられているウェーハの在荷検知装置40とは、その構造がほぼ同じである。したがって以下の説明では、説明を簡略化するためにアウトテーブル19側におけるウェーハの在荷検知装置40を代表して説明する。よって、インテーブル17側にもアウトテーブル19側のインテーブル17に設けられているウェーハの在荷検知装置40と同じ、ウェーハの在荷検知装置40が設けられていると理解されたい。 The wafer presence detection device 40 according to the first embodiment in the wafer polishing apparatus 10 of the present embodiment includes a wafer presence detection device 40 provided in the in-table 17 and a wafer presence detection device 40 provided in the out-table 19. The structure is almost the same as that of the cargo presence detection device 40 shown in FIG. Therefore, in the following description, in order to simplify the description, the wafer presence detection device 40 on the out-table 19 side will be described as a representative. Therefore, it should be understood that the same wafer presence detection device 40 as the wafer presence detection device 40 provided in the in-table 17 on the out-table 19 side is provided on the in-table 17 side.

第1実施例に係るウェーハの在荷検知装置40は、図3に示すようにウェーハWが載置されて、そのウェーハWで覆われるトレイ41の略中央に、トレイ表面41aからトレイ裏面41bに渡って貫通して開口して設けられている開口部42を有している。また、ウェーハの在荷検知装置40は、トレイ41のトレイ裏面41b側で、開口部42と対応する位置に、検知面43aを開口部42に向けて超音波式センサ43が配置されている。 As shown in FIG. 3, the wafer presence detection device 40 according to the first embodiment has a wafer W placed thereon and a tray 41 covered with the wafer W, which is placed approximately at the center of the tray 41 and extends from the tray surface 41a to the tray back surface 41b. It has an opening 42 that extends through it. Further, in the wafer presence detection device 40, an ultrasonic sensor 43 is arranged on the tray back surface 41b side of the tray 41 at a position corresponding to the opening 42, with the detection surface 43a facing the opening 42.

超音波式センサ43は、それ自体はよく知られたセンサであり、検知面43aの発信部から超音波を発信し、ウェーハWの一面で反射されて来る超音波を検知面43aの受信部で受信する動作を交互に行い、ウェーハWの一面で反射されて検知面43aに返って来る超音波があるか無いかで、トレイ41上におけるウェーハWの在荷を検知するようになっている。なお、超音波式センサ43によっては、検知面43aが、超音波を照射する超音波発信面と反射して来る超音波を受信する受診超音波受信面とが別れている場合もある。 The ultrasonic sensor 43 itself is a well-known sensor, and emits ultrasonic waves from the transmitting part of the sensing surface 43a, and receives the ultrasonic waves reflected from one surface of the wafer W at the receiving part of the sensing surface 43a. The receiving operation is performed alternately, and the presence of wafers W on the tray 41 is detected based on whether there is an ultrasonic wave reflected from one surface of the wafer W and returned to the detection surface 43a. Note that, depending on the ultrasonic sensor 43, the detection surface 43a may have a separate ultrasound transmitting surface for emitting ultrasound waves and a receiving ultrasound receiving surface for receiving reflected ultrasound waves.

すなわち、図3に示す第1実施例のウェーハの在荷検知装置40では、トレイ41にウェーハWが載置されて、ウェーハWで開口部42が覆われている状態で、超音波式センサ43の検知面43aの発信部から超音波が発信されると、その超音波は開口部42を通ってウェーハWの一面に当たり、その当たった超音波がウェーハWの一面で反射されて検知面43aの受信部に入り、検知面43aで所定の時間内に受信される。この超音波の発信と受信が交互に行われることにより、トレイ41にウェーハWが存在するか否かを検知することができる。また、このウェーハWの検知は、ウェーハWの一面で反射される超音波を検知するようにしているので、ウェーハWが例えば透明ガラスで作られた透明なウェーハWなどであっても、トレイ表面41a上に乗せられたウェーハWを確実に検知することができる。 That is, in the wafer presence detection device 40 of the first embodiment shown in FIG. When an ultrasonic wave is emitted from the transmitter of the sensing surface 43a, the ultrasonic wave passes through the opening 42 and hits one surface of the wafer W, and the hit ultrasonic wave is reflected by the one surface of the wafer W and is transmitted to the sensing surface 43a. The signal enters the receiving section and is received by the detection surface 43a within a predetermined time. By alternately transmitting and receiving the ultrasonic waves, it is possible to detect whether or not the wafer W is present on the tray 41. Furthermore, since the wafer W is detected by detecting ultrasonic waves reflected from one surface of the wafer W, even if the wafer W is a transparent wafer W made of transparent glass, for example, the tray surface The wafer W placed on the wafer 41a can be reliably detected.

一方、トレイ41にウェーハWが載置されておらず、ウェーハWで開口部42が覆われていない状態で、超音波式センサ43の検知面43aの発信部から超音波が発信されると、その超音波は開口部42を通って上方に抜けて反射されない。また、他の部材で反射されて来たとしても検知面43aの受信部には所定の時間とは異なる時間長で入射され、トレイ41にウェーハWが存在しないことを検知することができる。 On the other hand, when the wafer W is not placed on the tray 41 and the opening 42 is not covered with the wafer W, when an ultrasonic wave is emitted from the transmitting part of the detection surface 43a of the ultrasonic sensor 43, The ultrasound waves pass upward through the opening 42 and are not reflected. Further, even if the light is reflected by another member, it is incident on the receiving section of the detection surface 43a for a time different from the predetermined time, and it is possible to detect that the wafer W is not present on the tray 41.

したがって、図3に示すウェーハの在荷検知装置40では、超音波の発信部と受信部を、トレイ41の一面(本実施例では裏面)側に配置させて、高さ方向の距離Lを短くした状態で、超音波式センサ43を組み込むことができる。これにより、ウェーハの在荷検知装置40のコンパクト化を図ることができるとともに、ウェーハ研磨装置10全体の小型化が可能になる。 Therefore, in the wafer presence detection device 40 shown in FIG. 3, the ultrasonic transmitter and the receiver are arranged on one surface (the back surface in this embodiment) of the tray 41 to shorten the distance L in the height direction. In this state, the ultrasonic sensor 43 can be incorporated. Thereby, the wafer presence detection device 40 can be made more compact, and the wafer polishing apparatus 10 as a whole can be made more compact.

また、ウェーハWの一面に向けて超音波を発信し、ウェーハWの一面で反射された超音波を受信するようにしているので、例えば透明ガラスで作られた透明なウェーハなどであっても、ウェーハWの在荷を確実に検知することができ、検知の精度が向上する。 In addition, since ultrasonic waves are emitted toward one surface of the wafer W and the ultrasonic waves reflected from the one surface of the wafer W are received, even if the wafer is a transparent wafer made of transparent glass, for example, The presence of wafers W can be reliably detected, and the detection accuracy is improved.

図4は、第2実施例のウェーハの在荷検知装置40を示すものである。第2実施例のウェーハの在荷検知装置40は、トレイ41の開口部42と超音波式センサ43との間に超音波反射面44aを有する超音波屈折手段としての反射板44を設けたものである。なお、反射板44は、金属板又はプラスチック板等の音波を反射する部材であり、その表面に超音波反射面44aを設けたものである。そして、超音波式センサ43は、検知面43aを反射板44に向けて、トレイ41のトレイ裏面41bの下側に配置され、超音波式センサ43の検知面43aの発信部からトレイ41のトレイ裏面41bと略平行(水平方向)に超音波を発信できるようになっている。 FIG. 4 shows a wafer presence detection device 40 according to a second embodiment. The wafer presence detection device 40 of the second embodiment is provided with a reflecting plate 44 as an ultrasonic refraction means having an ultrasonic reflecting surface 44a between an opening 42 of a tray 41 and an ultrasonic sensor 43. It is. Note that the reflection plate 44 is a member such as a metal plate or a plastic plate that reflects sound waves, and has an ultrasonic wave reflection surface 44a provided on its surface. The ultrasonic sensor 43 is disposed below the tray back surface 41b of the tray 41 with the detection surface 43a facing the reflection plate 44, and the ultrasonic sensor 43 is placed below the tray back surface 41b of the tray 41, and is Ultrasonic waves can be transmitted approximately parallel to the back surface 41b (in the horizontal direction).

反射板44の超音波反射面44aは、超音波式センサ43の検知面43aの発信部から水平方向に発信された超音波を、トレイ41に向けて略直角に屈折反射させ、またトレイ41側からの反射光を超音波式センサ43の検知面43aに向けて略直角に屈折反射させて、検知面43aに向けて返すことができるようになっている。 The ultrasonic reflecting surface 44a of the reflecting plate 44 refracts and reflects the ultrasonic waves emitted in the horizontal direction from the transmitting part of the detection surface 43a of the ultrasonic sensor 43 at a substantially right angle toward the tray 41, and The reflected light from the ultrasonic sensor 43 can be refracted and reflected at a substantially right angle toward the detection surface 43a of the ultrasonic sensor 43, and can be returned toward the detection surface 43a.

すなわち、図4に示す第2実施例のウェーハの在荷検知装置40では、トレイ41にウェーハWが載置されて、ウェーハWで開口部42が覆われている状態で、超音波式センサ43の検知面43aの発信部から超音波が発信されると、その超音波は反射板44の超音波反射面44aに向かう。超音波反射面44aに向かった超音波は、超音波反射面44aで反射されて開口部42を通ってウェーハWの一面に当たる。そして、ウェーハWの一面に当たった超音波はウェーハWの一面で反射され、反射板44の超音波反射面44aを通って検知面43aの受信部に入り、所定の時間内に受信される。したがって、この実施例でも、この超音波の発信と受信が交互に行われることにより、トレイ41にウェーハWが存在することを検知することができる。また、このウェーハWの検知は、ウェーハWの一面で反射される超音波を検知するので、ウェーハWが例えば透明ガラスで作られた透明なウェーハなどで有っても確実に検知することができる。 That is, in the wafer presence detection device 40 of the second embodiment shown in FIG. When an ultrasonic wave is emitted from the transmitter of the detection surface 43a, the ultrasonic wave is directed toward the ultrasonic reflection surface 44a of the reflection plate 44. The ultrasonic waves directed toward the ultrasonic reflecting surface 44a are reflected by the ultrasonic reflecting surface 44a, pass through the opening 42, and impinge on one surface of the wafer W. The ultrasonic waves that hit one surface of the wafer W are reflected by one surface of the wafer W, pass through the ultrasonic reflection surface 44a of the reflection plate 44, enter the receiving section of the detection surface 43a, and are received within a predetermined time. Therefore, in this embodiment as well, the presence of the wafer W on the tray 41 can be detected by alternately transmitting and receiving the ultrasonic waves. In addition, since this detection of the wafer W detects the ultrasonic waves reflected from one surface of the wafer W, even if the wafer W is a transparent wafer made of transparent glass, for example, it can be reliably detected. .

一方、トレイ41にウェーハWが載置されておらず、ウェーハWで開口部42が覆われていない状態で、超音波式センサ43の検知面43aの発信部から超音波が発信されると、その超音波は第1実施例の場合と同様に、開口部42を通って上方に抜けて反射されない。また、他の部材で反射されて来たとしても検知面43aの受信部には所定の時間内には入射されず、トレイ41にウェーハWが存在しないことを検知することができる。 On the other hand, when the wafer W is not placed on the tray 41 and the opening 42 is not covered with the wafer W, when an ultrasonic wave is emitted from the transmitting part of the detection surface 43a of the ultrasonic sensor 43, As in the case of the first embodiment, the ultrasonic waves pass upward through the opening 42 and are not reflected. Furthermore, even if the light is reflected by another member, it does not enter the receiving section of the detection surface 43a within a predetermined time, and it is possible to detect that no wafer W is present on the tray 41.

したがって、図4に示したウェーハの在荷検知装置40でも、超音波の発信部と受信部を、トレイ41の一面(本実施例では裏面)側に配置させて、高さ方向の距離Lを短くした状態で、超音波式センサ43を組み込むことができるので、ウェーハの在荷検知装置40のコンパクト化を図ることができ、ウェーハ研磨装置10全体の小型化が可能になる。しかも、開口部42と超音波式センサ43の検知面43aとの間に反射板44を配置することにより、超音波式センサ43をトレイ41のトレイ裏面41bに近づけた状態に配置し、超音波式センサ43とトレイ41までの高さ方向の距離Lを小さくすることができ、更にコンパクト化を図ることができる。また、超音波式センサ43での最短検知距離は約50mm以上と長いが、開口部42と超音波式センサ43との間に反射板44を設けて、超音波反射面44aで反射させて検知距離を稼ぐことにより、超音波式センサ43を容易に組み込むことが可能になる。 Therefore, in the wafer presence detection apparatus 40 shown in FIG. Since the ultrasonic sensor 43 can be incorporated in the shortened state, the wafer presence detection device 40 can be made more compact, and the entire wafer polishing device 10 can be made more compact. Moreover, by arranging the reflection plate 44 between the opening 42 and the detection surface 43a of the ultrasonic sensor 43, the ultrasonic sensor 43 can be placed close to the tray back surface 41b of the tray 41, and ultrasonic The distance L in the height direction between the formula sensor 43 and the tray 41 can be reduced, and further compactness can be achieved. Furthermore, although the shortest detection distance of the ultrasonic sensor 43 is as long as about 50 mm or more, a reflecting plate 44 is provided between the opening 42 and the ultrasonic sensor 43, and the ultrasonic waves are reflected by the reflecting surface 44a for detection. By increasing the distance, it becomes possible to easily incorporate the ultrasonic sensor 43.

また、第1実施例の場合と同様に、ウェーハWの一面に向けて超音波を発信し、ウェーハWの一面で反射された超音波を受信するようにしているので、例えば透明ガラスで作られた透明なウェーハなどであっても、ウェーハWの在荷を確実に検知することができ、検知の精度が向上する。 Further, as in the case of the first embodiment, ultrasonic waves are emitted toward one surface of the wafer W, and the ultrasonic waves reflected from the one surface of the wafer W are received. Even if the wafer W is a transparent wafer, the presence of the wafer W can be reliably detected, and the accuracy of detection is improved.

図5は、第3実施例のウェーハの在荷検知装置40を示すものである。第3実施例のウェーハの在荷検知装置40は、第2実施例の場合と同じように、トレイ41の開口部42と超音波式センサ43との間に超音波反射面44aを有する超音波屈折手段としての反射板44を設けたものである。そして、超音波式センサ43は、検知面43aを反射板44に向けて、トレイ41のトレイ裏面41bの下側に配置され、超音波式センサ43の検知面43aの発信部から超音波を発信でき、また反射されてくる超音波を受信できるようになっている点は第2実施例のウェーハの在荷検知装置40と略同じである。 FIG. 5 shows a wafer presence detection device 40 according to a third embodiment. The wafer presence detection device 40 of the third embodiment uses ultrasonic waves having an ultrasonic reflecting surface 44a between the opening 42 of the tray 41 and the ultrasonic sensor 43, as in the second embodiment. A reflecting plate 44 is provided as a refracting means. The ultrasonic sensor 43 is placed below the tray back surface 41b of the tray 41 with the detection surface 43a facing the reflection plate 44, and emits ultrasonic waves from the transmitting portion of the detection surface 43a of the ultrasonic sensor 43. This device is substantially the same as the wafer presence detection device 40 of the second embodiment in that it can receive reflected ultrasonic waves.

第3実施例のウェーハの在荷検知装置40と第2実施例のウェーハの在荷検知装置40との違いは、第2実施例の場合では超音波式センサ43の検知面43aをトレイ41のトレイ裏面41bに対して略直角に配置していたのに対して、第3実施例の場合では、超音波式センサ43の検知面43aを斜め下側に傾けて設けたものである。 The difference between the wafer presence detection device 40 of the third embodiment and the wafer presence detection device 40 of the second embodiment is that in the case of the second embodiment, the detection surface 43a of the ultrasonic sensor 43 is In the case of the third embodiment, the detection surface 43a of the ultrasonic sensor 43 is disposed obliquely downward, whereas the ultrasonic sensor 43 is disposed substantially perpendicularly to the rear surface 41b of the tray.

すなわち、ウェーハWの洗浄時などに、超音波式センサ43の検知面43aに水滴などが飛散して付着したような場合、超音波が水滴などに屈折して検知性能が低下することも考えられる。しかし、第3実施例のように、超音波式センサ43の検知面43aを斜め下側に向けて設けた場合では、検知面43aに水滴などが付着するのを防ぎ、検知精度の安定化を図ることができる。 That is, if water droplets are scattered and attached to the detection surface 43a of the ultrasonic sensor 43 during cleaning of the wafer W, the ultrasonic waves may be refracted by the water droplets and the detection performance may deteriorate. . However, when the sensing surface 43a of the ultrasonic sensor 43 is provided diagonally downward as in the third embodiment, it is possible to prevent water droplets from adhering to the sensing surface 43a and stabilize the detection accuracy. can be achieved.

図6は、本発明に係る第4実施例のウェーハの在荷検知装置40を示すものである。第4実施例のウェーハの在荷検知装置40は、第2実施例のウェーハの在荷検知装置40場合と同じように、トレイ41の開口部42と超音波式センサ43との間に超音波反射面44aを有する超音波屈折手段としての反射板44を設けると共に超音波反射面44aと超音波式センサ43の検知面43aにそれぞれ風を吹き付けるブロア45a、45bを設けたものである。 FIG. 6 shows a wafer presence detection device 40 according to a fourth embodiment of the present invention. The wafer presence detection device 40 of the fourth embodiment uses ultrasonic waves between the opening 42 of the tray 41 and the ultrasonic sensor 43, as in the case of the wafer presence detection device 40 of the second embodiment. A reflection plate 44 as an ultrasonic refraction means having a reflection surface 44a is provided, and blowers 45a and 45b are provided for blowing wind onto the ultrasonic reflection surface 44a and the detection surface 43a of the ultrasonic sensor 43, respectively.

そして、第4実施例のように、超音波反射面44aに風を吹き付けるブロア45aと超音波式センサ43の検知面43aに風を吹き付けるブロア45bを各々設けた構造では、超音波反射面44aや検知面43aに水滴や塵等が付着した場合に、ブロア45a、45bからの風で、超音波反射面44aや検知面43a上の水滴や塵等を吹き飛ばしてクリーンにすることができる。これにより、超音波経路を安定化し、安定したウェーハの在荷の検知精度を維持することができる。 As in the fourth embodiment, in a structure in which a blower 45a blows wind onto the ultrasonic reflecting surface 44a and a blower 45b blows wind onto the detection surface 43a of the ultrasonic sensor 43, the ultrasonic reflecting surface 44a and When water droplets, dust, etc. adhere to the sensing surface 43a, the wind from the blowers 45a, 45b can blow away the water droplets, dust, etc. on the ultrasonic reflecting surface 44a and the sensing surface 43a, and make them clean. This makes it possible to stabilize the ultrasonic path and maintain stable detection accuracy for the presence of wafers.

なお、第1、第2、第3、第4の実施例では、超音波式センサ43をトレイ41のトレイ裏面41b側に設けた構造を開示したが、トレイ41のトレイ表面41a側に設けた構造にしてもよい。また、トレイ41のトレイ表面41a側とトレイ裏面41bの両方に設けてもよいものである。 Note that in the first, second, third, and fourth embodiments, the structure in which the ultrasonic sensor 43 is provided on the tray back surface 41b side of the tray 41 is disclosed; It may be a structure. Further, it may be provided on both the tray front surface 41a side and the tray back surface 41b of the tray 41.

さらに、第2、第3、第4の実施例の場合では、トレイ41の構造によっては、超音波反射面44aを設けた反射板44と超音波式センサ43を配置する凹部又は凹所をトレイ41の一部に設け、その凹部又は凹所内に反射板44と超音波式センサ43をそれぞれ配置させた構造にすると、反射板44と超音波式センサ43の高さ寸法の一部をトレイ41の厚み寸法内に吸収することも可能になる。 Furthermore, in the case of the second, third, and fourth embodiments, depending on the structure of the tray 41, the recess or recess in which the reflection plate 44 provided with the ultrasonic reflection surface 44a and the ultrasonic sensor 43 are placed may be placed in the tray. If the structure is such that the reflection plate 44 and the ultrasonic sensor 43 are arranged in a recessed part or in the recess, a part of the height of the reflection plate 44 and the ultrasonic sensor 43 is set in a part of the tray 41. It is also possible to absorb it within the thickness dimension of .

また、上記各実施例は、ウェーハ研磨装置10のウェイティングユニット14に適用した場合について説明したが、ウェーハ研磨装置10のウェイティングユニット14に限ることなく、ウェーハWをトレイに乗せて作業を行う半導体製造装置内において適用できるものである。 Furthermore, although each of the above embodiments has been described with reference to the case where it is applied to the waiting unit 14 of the wafer polishing apparatus 10, it is not limited to the application to the waiting unit 14 of the wafer polishing apparatus 10. It can be applied within the device.

また、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変を成すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。 Further, the present invention can be modified in various ways without departing from the spirit of the invention, and it is natural that the present invention extends to such modifications.

10 :ウェーハ研磨装置
11 :ロードカセット
12 :搬送ロボット
13 :アライナ
14 :ウェイティングユニット
15 :研磨定盤
16 :アンロードカセット
17 :インテーブル
18 :研磨ヘッド
19 :アウトテーブル
20a :連結部材
20b :連結部材
21a :ロッドレスシリンダ
21b :ロッドレスシリンダ
40 :在荷検知装置
41 :トレイ
41a :トレイ表面
41b :トレイ裏面
42 :開口部
43 :超音波式センサ
43a :検知面
44 :反射板
44a :超音波反射面
45a :ブロア
45b :ブロア
L :高さ方向の距離
W :ウェーハ
Y :矢印
Z :垂直方向
10: Wafer polishing device 11: Load cassette 12: Transfer robot 13: Aligner 14: Waiting unit 15: Polishing surface plate 16: Unloading cassette 17: In table 18: Polishing head 19: Out table 20a: Connecting member 20b: Connecting member 21a: Rodless cylinder 21b: Rodless cylinder 40: Load detection device 41: Tray 41a: Tray surface 41b: Tray back surface 42: Opening 43: Ultrasonic sensor 43a: Detection surface 44: Reflector plate 44a: Ultrasonic reflection Surface 45a: Blower 45b: Blower L: Distance in height direction W: Wafer Y: Arrow Z: Vertical direction

Claims (5)

トレイの上にウェーハが載置されているか否かを検知するウェーハの在荷検知装置であって、
前記ウェーハを載置する表面側から裏面側に渡って開口部が形成された前記トレイの裏面側に設けられ、前記トレイ上の前記ウェーハに向けた超音波の発信と前記ウェーハの表面で反射した前記超音波の受信とを行う超音波式センサと、
前記開口部の下方に設けられて、前記超音波センサの検知面から発信された前記超音波を前記開口部に向けて屈折反射させるとともに前記ウェーハの表面で反射した前記超音波を前記超音波センサの検知面に向けて屈折反射させる超音波反射面を備え、前記開口部と前記超音波式センサとを結ぶ超音波経路上に設けられた超音波屈折手段と、
を備えた、ことを特徴とするウェーハの在荷検知装置。
A wafer presence detection device that detects whether or not a wafer is placed on a tray,
Provided on the back side of the tray in which an opening is formed extending from the front side on which the wafer is placed to the back side, the ultrasonic wave is emitted toward the wafer on the tray and is reflected by the surface of the wafer. an ultrasonic sensor that receives the ultrasonic waves;
Provided below the opening, the ultrasonic sensor emitted from the detection surface of the ultrasonic sensor is refracted and reflected toward the opening, and the ultrasonic wave reflected on the surface of the wafer is converted into an ultrasonic wave. an ultrasonic refracting means provided on an ultrasonic path connecting the opening and the ultrasonic sensor;
A wafer presence detection device comprising:
前記超音波式センサと前記超音波屈折手段とは、前記トレイの裏面と略平行に配置され、
前記超音波式センサの検知面は、前記トレイの裏面に対して略直角に配置されている、ことを特徴とする請求項1に記載のウェーハの在荷検知装置。
The ultrasonic sensor and the ultrasonic refraction means are arranged substantially parallel to the back surface of the tray,
The wafer presence detection device according to claim 1 , wherein the detection surface of the ultrasonic sensor is arranged substantially perpendicular to the back surface of the tray .
前記超音波式センサは、前記超音波屈折手段より前記トレイの裏面側に配置され、
前記超音波式センサの検知面は、前記超音波屈折手段に向けて傾いて設けられている、ことを特徴とする請求項1に記載のウェーハの在荷検知装置。
The ultrasonic sensor is disposed closer to the back side of the tray than the ultrasonic refraction means,
2. The wafer presence detection device according to claim 1, wherein the detection surface of the ultrasonic sensor is inclined toward the ultrasonic refraction means.
前記超音波反射面にエアを吹き付けるブロアを備える、ことを特徴とする請求項に記載のウェーハの在荷検知装置。 The wafer presence detection device according to claim 1 , further comprising a blower that blows air onto the ultrasonic reflecting surface. 超音波式センサの超音波発信面と超音波受信面にエアを吹き付けるブロアを備える、ことを特徴とする請求項1、2、3又は4に記載のウェーハの在荷検知装置。 5. The wafer presence detection device according to claim 1, further comprising a blower that blows air onto the ultrasonic transmitting surface and the ultrasonic receiving surface of the ultrasonic sensor.
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068537A (en) 1999-08-27 2001-03-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate-mounting base
JP2002028585A (en) 2000-07-19 2002-01-29 Sumitomo Precision Prod Co Ltd Substrate treatment apparatus
JP2005075498A (en) 2003-08-28 2005-03-24 Murata Mach Ltd Conveyance system
WO2006035484A1 (en) 2004-09-27 2006-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor manufacturing equipment and semiconductor manufacturing method
JP2014220441A (en) 2013-05-10 2014-11-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus
JP2015196211A (en) 2014-03-31 2015-11-09 株式会社荏原製作所 Polishing device and polishing method
WO2016133054A1 (en) 2015-02-19 2016-08-25 株式会社ブイ・テクノロジー Pellicle frame gripping device and pellicle frame gripping method
JP2016201421A (en) 2015-04-08 2016-12-01 株式会社ディスコ Transfer tray of work-piece

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0896479A (en) * 1994-09-22 1996-04-12 Aiwa Co Ltd Disk autochanger

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068537A (en) 1999-08-27 2001-03-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate-mounting base
JP2002028585A (en) 2000-07-19 2002-01-29 Sumitomo Precision Prod Co Ltd Substrate treatment apparatus
JP2005075498A (en) 2003-08-28 2005-03-24 Murata Mach Ltd Conveyance system
WO2006035484A1 (en) 2004-09-27 2006-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor manufacturing equipment and semiconductor manufacturing method
JP2014220441A (en) 2013-05-10 2014-11-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus
JP2015196211A (en) 2014-03-31 2015-11-09 株式会社荏原製作所 Polishing device and polishing method
WO2016133054A1 (en) 2015-02-19 2016-08-25 株式会社ブイ・テクノロジー Pellicle frame gripping device and pellicle frame gripping method
JP2016201421A (en) 2015-04-08 2016-12-01 株式会社ディスコ Transfer tray of work-piece

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