JP2021048360A - Substrate processing device - Google Patents

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Abstract

To provide a substrate processing device which can process a substrate properly.SOLUTION: A substrate processing device 1 includes a first processing unit 7A and a second processing unit 7B. The first processing unit 7A includes a first substrate holding part 91A and a first rotation driving part 92A. The first substrate holding part 91A includes a first plate 101, a fixing pin 103, and a gas outlet 104. The second processing unit 7B includes a second plate 131 and an end edge contact pin 133. The substrate processing device 1 includes a transfer mechanism 8 and a control unit 9. The transfer mechanism 8 transfers a substrate W to the processing unit 7. The control unit 9 determines the processing unit 7 to process the substrate W from among the first processing unit 7A and the second processing unit 7B according to a shape of the substrate W and causes the transfer mechanism 8 to transfer the substrate W to the determined processing unit 7.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

この発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that processes a substrate. The substrates include, for example, semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, organic EL (Electroluminescence) substrates, FPD (Flat Panel Display) substrates, optical display substrates, magnetic disk substrates, optical disk substrates, magneto-optical disk substrates, etc. A substrate for a photomask and a substrate for a solar cell.

特許文献１は、基板処理装置を開示する。以下では、特許文献１に記載される符号を、括弧書きで表記する。基板処理装置（１００）は、基板搬送ロボット（ＣＲ）と４つの洗浄処理部（５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ）を備える。基板搬送ロボット（ＣＲ）は、基板（Ｗ）を洗浄処理部（５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ）のいずれか１つに搬送する。洗浄処理部（５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ）はそれぞれ、基板（Ｗ）に洗浄処理を行う。 Patent Document 1 discloses a substrate processing apparatus. In the following, the reference numerals described in Patent Document 1 are shown in parentheses. The substrate processing apparatus (100) includes a substrate transfer robot (CR) and four cleaning processing units (5a, 5b, 5c, 5d). The substrate transfer robot (CR) transfers the substrate (W) to any one of the cleaning processing units (5a, 5b, 5c, 5d). Each of the cleaning processing units (5a, 5b, 5c, 5d) performs cleaning processing on the substrate (W).

洗浄処理部（５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ）はそれぞれ、スピンチャック（２１）を備える。
スピンチャック（２１）は、基板（Ｗ）の裏面中央部を吸着保持する。 Each of the cleaning processing units (5a, 5b, 5c, 5d) includes a spin chuck (21).
The spin chuck (21) attracts and holds the central portion of the back surface of the substrate (W).

特開２００７−１４９８９２号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-149892

近年、基板は、薄膜化および大口径化している。基板の厚みが薄く、かつ、基板の径が大きくなると、基板の撓み量が著しく大きくなる。このため、従来の基板処理装置の処理部は、基板を適切に処理し難いことがある。 In recent years, substrates have become thinner and larger in diameter. When the thickness of the substrate is thin and the diameter of the substrate is large, the amount of deflection of the substrate is remarkably large. Therefore, it may be difficult for the processing unit of the conventional substrate processing apparatus to properly process the substrate.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板を適切に処理できる基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of appropriately processing a substrate.

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、基板処理装置であって、
基板を処理する処理ユニットと、
前記処理ユニットに基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送機構を制御する制御部と、
を備え、
前記処理ユニットは、
第１処理ユニットと、
第２処理ユニットと、
を備え、
前記第１処理ユニットは、
基板を保持する第１基板保持部と、
前記第１基板保持部を回転する第１回転駆動部と、
を備え、
前記第１基板保持部は、
第１プレートと、
前記第１プレートの上面から上方に突出し、基板の下面および基板の端縁の少なくともいずれかと接触し、前記第１プレートの上面よりも高い位置で基板を支持する支持部と、
前記第１プレートの上面に形成され、前記第１プレートの上面と、前記支持部に支持される基板の下面との間に気体を吹き出し、基板を下方に吸引する気体吹出口と、
を備え、
前記第２処理ユニットは、
基板を保持する第２基板保持部と、
前記第２基板保持部を回転する第２回転駆動部と、
を備え、
前記第２基板保持部は、
第２プレートと、
前記第２プレートに取り付けられ、前記第２回転駆動部が前記第２基板保持部を回転するときに基板の端縁と接触する端縁接触部と、
を備え、
前記制御部は、基板の形状に応じて、基板を処理する前記処理ユニットを、前記第１処理ユニットおよび前記第２処理ユニットのいずれか１つに決定し、決定された前記処理ユニットに、前記搬送機構によって基板を搬送させる
基板処理装置である。 The present invention has the following configuration in order to achieve such an object. That is, the present invention is a substrate processing apparatus.
A processing unit that processes the substrate and
A transport mechanism that transports the substrate to the processing unit,
A control unit that controls the transport mechanism and
With
The processing unit
The first processing unit and
The second processing unit and
With
The first processing unit is
The first board holding part that holds the board and
A first rotation drive unit that rotates the first substrate holding unit,
With
The first substrate holding portion is
1st plate and
A support portion that projects upward from the upper surface of the first plate, contacts at least one of the lower surface of the substrate and the edge of the substrate, and supports the substrate at a position higher than the upper surface of the first plate.
A gas outlet formed on the upper surface of the first plate, blowing gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support portion, and sucking the substrate downward.
With
The second processing unit is
The second board holding part that holds the board and
A second rotation drive unit that rotates the second substrate holding unit, and
With
The second substrate holding portion is
The second plate and
An edge contact portion attached to the second plate and in contact with the edge of the substrate when the second rotation drive unit rotates the second substrate holding portion.
With
The control unit determines the processing unit for processing the substrate as one of the first processing unit and the second processing unit according to the shape of the substrate, and the determined processing unit is used as the processing unit. It is a substrate processing device that transports a substrate by a transport mechanism.

基板処理装置は、基板を処理する処理ユニットを備える。処理ユニットは、第１処理ユニットと第２処理ユニットを備える。 The substrate processing apparatus includes a processing unit for processing the substrate. The processing unit includes a first processing unit and a second processing unit.

第１処理ユニットは、第１基板保持部と第１回転駆動部を備える。第１基板保持部は、第１プレートと支持部と気体吹出口を備える。よって、第１基板保持部は、比較的に薄い基板であっても、適切に保持できる。したがって、第１処理ユニットは、比較的に薄い基板であっても、適切に処理できる。 The first processing unit includes a first substrate holding unit and a first rotation driving unit. The first substrate holding portion includes a first plate, a support portion, and a gas outlet. Therefore, the first substrate holding portion can appropriately hold even a relatively thin substrate. Therefore, the first processing unit can appropriately process even a relatively thin substrate.

第２処理ユニットは、第２基板保持部と第２回転駆動部を備える。第２基板保持部は、第２プレートと端縁接触部を備える。よって、第２基板保持部は、比較的に厚い基板であっても、適切に保持できる。したがって、第２処理ユニットは、比較的に厚い基板であっても、適切に処理できる。 The second processing unit includes a second substrate holding unit and a second rotation driving unit. The second substrate holding portion includes a second plate and an edge contact portion. Therefore, the second substrate holding portion can appropriately hold even a relatively thick substrate. Therefore, the second processing unit can appropriately process even a relatively thick substrate.

基板処理装置は、処理ユニットに基板を搬送する搬送機構と、搬送機構を制御する制御部を備える。制御部は、基板を処理する処理ユニットを、第１処理ユニットおよび第２処理ユニットのいずれか１つに決定する。制御部は、決定された処理ユニットに、搬送機構によって基板を搬送させる。よって、第１処理ユニットおよび第２処理ユニットはそれぞれ、基板を適切に処理できる。したがって、基板処理装置は、基板の形状に関わらず、基板を適切に処理できる。 The substrate processing device includes a transport mechanism for transporting the substrate to the processing unit and a control unit for controlling the transport mechanism. The control unit determines the processing unit for processing the substrate as one of the first processing unit and the second processing unit. The control unit transfers the substrate to the determined processing unit by the transfer mechanism. Therefore, each of the first processing unit and the second processing unit can appropriately process the substrate. Therefore, the substrate processing apparatus can appropriately process the substrate regardless of the shape of the substrate.

以上のとおり、本基板処理装置によれば、基板を適切に処理できる。 As described above, according to this substrate processing apparatus, the substrate can be appropriately processed.

上述した基板処理装置において、
前記第２回転駆動部が前記第２基板保持部を回転するとき、前記端縁接触部は、前記端縁接触部に対して基板が滑らないように、基板を保持することが好ましい。
第２基板保持部が回転するときであっても、第２基板保持部は基板を好適に保持できる。よって、第２処理ユニットは、基板を適切に処理できる。 In the substrate processing apparatus described above,
When the second rotation driving unit rotates the second substrate holding portion, the edge contact portion preferably holds the substrate so that the substrate does not slip with respect to the edge contact portion.
Even when the second substrate holding portion rotates, the second substrate holding portion can preferably hold the substrate. Therefore, the second processing unit can appropriately process the substrate.

上述した基板処理装置において、
前記制御部は、基板の周縁部の内側に位置する基板の主部の厚みに応じて、基板を処理する前記処理ユニットを、前記第１処理ユニットおよび前記第２処理ユニットのいずれか１つに決定することが好ましい。
基板処理装置は、基板の主部の厚みに関わらず、基板を適切に処理できる。 In the substrate processing apparatus described above,
The control unit converts the processing unit that processes the substrate into one of the first processing unit and the second processing unit according to the thickness of the main portion of the substrate located inside the peripheral edge of the substrate. It is preferable to determine.
The substrate processing apparatus can appropriately process the substrate regardless of the thickness of the main portion of the substrate.

上述した基板処理装置において、
前記制御部は、基板の前記主部が第１厚みを有する基板を前記第１処理ユニットに搬送させ、基板の前記主部が前記第１厚みよりも大きな第２厚みを有する基板を前記第２処理ユニットに搬送させることが好ましい。
基板処理装置は、基板の主部の厚みに関わらず、基板を適切に処理できる。 In the substrate processing apparatus described above,
The control unit conveys a substrate having a first thickness of the main portion of the substrate to the first processing unit, and the second portion of the substrate having a second thickness of the main portion larger than the first thickness. It is preferable to convey it to the processing unit.
The substrate processing apparatus can appropriately process the substrate regardless of the thickness of the main portion of the substrate.

上述した基板処理装置において、
基板は、
基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって形成される凹部を有し、かつ、ガラス製の保護プレートを有しない第１基板と、
前記凹部を有しない第２基板と、
を含み、
前記制御部は、前記第１基板を処理する前記処理ユニットを前記第１処理ユニットに決定し、前記第１基板を前記第１処理ユニットに搬送させ、前記第２基板を処理する前記処理ユニットを前記第２処理ユニットに決定し、前記第２基板を前記第２処理ユニットに搬送させることが好ましい。
基板処理装置は、第１基板および第２基板の両方を適切に処理できる。 In the substrate processing apparatus described above,
The board is
A first substrate having a recess formed by a main portion of the substrate located inside the peripheral edge of the substrate recessed from the peripheral edge of the substrate and not having a protective plate made of glass.
A second substrate having no recess and
Including
The control unit determines the processing unit for processing the first substrate as the first processing unit, conveys the first substrate to the first processing unit, and processes the second substrate. It is preferable to determine the second processing unit and transport the second substrate to the second processing unit.
The substrate processing apparatus can appropriately process both the first substrate and the second substrate.

上述した基板処理装置において、
基板は、
基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって形成される凹部を有し、かつ、ガラス製の保護プレートを有しない第１基板と、
前記凹部を有し、かつ、ガラス製の保護プレートを有しない第３基板と、
を含み、
前記制御部は、前記第１基板を処理する前記処理ユニットを前記第１処理ユニットに決定し、前記第１基板を前記第１処理ユニットに搬送させ、前記第３基板を処理する前記処理ユニットを前記第２処理ユニットに決定し、前記第３基板を前記第２処理ユニットに搬送させることが好ましい。
基板処理装置は、第１基板および第３基板の両方を適切に処理できる。 In the substrate processing apparatus described above,
The board is
A first substrate having a recess formed by a main portion of the substrate located inside the peripheral edge of the substrate recessed from the peripheral edge of the substrate and not having a protective plate made of glass.
A third substrate having the recess and not having a glass protective plate,
Including
The control unit determines the processing unit for processing the first substrate as the first processing unit, conveys the first substrate to the first processing unit, and processes the third substrate. It is preferable to determine the second processing unit and transport the third substrate to the second processing unit.
The substrate processing apparatus can appropriately process both the first substrate and the third substrate.

本発明によれば、基板を適切に処理できる。 According to the present invention, the substrate can be processed appropriately.

実施形態の基板処理装置の平面図である。It is a top view of the substrate processing apparatus of an embodiment. 基板処理装置の制御ブロック図である。It is a control block diagram of a substrate processing apparatus. 基板の平面図である。It is a top view of a substrate. 図４（ａ）は第１基板の断面図であり、図４（ｂ）は第２基板の断面図であり、図４（ｃ）は第３基板の断面図である。4 (a) is a cross-sectional view of the first substrate, FIG. 4 (b) is a cross-sectional view of the second substrate, and FIG. 4 (c) is a cross-sectional view of the third substrate. 図５（ａ）は通常径基板の平面図であり、図５（ｂ）は、大径基板の平面図である。FIG. 5A is a plan view of a normal diameter substrate, and FIG. 5B is a plan view of a large diameter substrate. キャリアの正面図である。It is a front view of a carrier. キャリアの棚の平面図である。It is a top view of the shelf of a carrier. 幅方向における基板処理装置の中央部の構成を示す左側面図である。It is a left side view which shows the structure of the central part of the substrate processing apparatus in the width direction. ハンドの平面図である。It is a plan view of a hand. ハンドの側面図である。It is a side view of a hand. 基板処理装置の左部の構成を示す左側面図である。It is a left side view which shows the structure of the left part of the substrate processing apparatus. 載置部の正面図である。It is a front view of the mounting part. 載置部の棚の平面図である。It is a top view of the shelf of the mounting part. 載置部の棚に詳細図である。It is a detailed view on the shelf of the mounting part. ハンドの底面図である。It is a bottom view of a hand. 図１６（ａ）、１６（ｂ）は、ハンドの側面図である。16 (a) and 16 (b) are side views of the hand. 吸引部と、吸引部に吸引される基板と、受け部との平面図である。It is a top view of the suction part, the substrate sucked by the suction part, and the receiving part. 受け部の平面図である。It is a top view of the receiving part. 第１処理ユニットの構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the 1st processing unit. 第１プレートの平面図である。It is a top view of the first plate. 図２１（ａ）、２１（ｂ）は、位置調整ピンの平面詳細図である。21 (a) and 21 (b) are detailed plan views of the position adjusting pin. 図２２（ａ）、２２（ｂ）は、位置調整ピンの側面図である。22 (a) and 22 (b) are side views of the position adjusting pin. 図２３（ａ）、２３（ｂ）は、リフトピンの側面図である。23 (a) and 23 (b) are side views of the lift pin. 第２処理ユニットの構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the 2nd processing unit. 第２プレートの平面図である。It is a top view of the 2nd plate. 図２６（ａ）、２６（ｂ）は、端縁接触ピンの平面詳細図である。26 (a) and 26 (b) are detailed plan views of the edge contact pins. 図２７（ａ）、２７（ｂ）は、端縁接触ピンの側面図である。27 (a) and 27 (b) are side views of the edge contact pin. 制御部が基板の形状を取得する動作の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the operation which the control part acquires the shape of a substrate. 制御部の制御および搬送機構の動作の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the control of a control part, and the operation of a transfer mechanism. 図３０（ａ）−３０（ｄ）は、搬送機構がキャリアの棚から基板を取る動作例を模式的に示す図である。30 (a) and 30 (d) are diagrams schematically showing an operation example in which the transport mechanism takes the substrate from the shelf of the carrier. 図３１（ａ）、３１（ｂ）は、棚に載置される基板とハンドの挿入高さの関係を示す図である。31 (a) and 31 (b) are views showing the relationship between the insertion height of the substrate placed on the shelf and the hand. 図３２（ａ）−３２（ｄ）は、搬送機構が載置部の棚から基板を取る動作例を模式的に示す図である。32 (a)-32 (d) are diagrams schematically showing an operation example in which the transport mechanism takes the substrate from the shelf of the mounting portion. 制御部の制御および搬送機構の動作の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the control of a control part, and the operation of a transfer mechanism. 図３４（ａ）−３４（ｄ）は、搬送機構が載置部の棚から基板を取る動作例を模式的に示す図である。FIGS. 34 (a) and 34 (d) are diagrams schematically showing an operation example in which the transport mechanism takes the substrate from the shelf of the mounting portion. 図３５（ａ）−３５（ｄ）は、搬送機構が載置部の棚から基板を取る動作例を模式的に示す図である。35 (a)-35 (d) is a diagram schematically showing an operation example in which the transport mechanism takes the substrate from the shelf of the mounting portion. 図３６（ａ）−３６（ｆ）は、搬送機構が処理ユニットの基板保持部に基板を渡す動作例を模式的に示す図である。36 (a)-36 (f) is a diagram schematically showing an operation example in which the transport mechanism passes the substrate to the substrate holding portion of the processing unit. 図３７（ａ）−３７（ｆ）は、搬送機構が処理ユニットの基板保持部から基板を取る動作例を模式的に示す図である。37 (a)-37 (f) is a diagram schematically showing an operation example in which the transport mechanism takes the substrate from the substrate holding portion of the processing unit. 図３８（ａ）−３８（ｄ）は、搬送機構が載置部の棚に基板を置く動作例を模式的に示す図である。38 (a)-38 (d) is a diagram schematically showing an operation example in which the transport mechanism places the substrate on the shelf of the mounting portion. 図３９（ａ）−３９（ｄ）は、搬送機構が載置部の棚に基板を置く動作例を模式的に示す図である。39 (a)-39 (d) is a diagram schematically showing an operation example in which the transport mechanism places the substrate on the shelf of the mounting portion. 第１処理ユニットの動作例の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the operation example of the 1st processing unit. 第１処理ユニットの動作例を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows the operation example of the 1st processing unit. 変形実施形態における第１処理ユニットの構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the 1st processing unit in a modification embodiment. 変形実施形態における第１処理ユニットの構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the 1st processing unit in a modification embodiment.

以下、図面を参照して本発明の基板処理装置を説明する。 Hereinafter, the substrate processing apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings.

＜基板処理装置の概要＞
図１は、実施形態の基板処理装置の平面図である。基板処理装置１は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗに処理を行う。 <Outline of board processing equipment>
FIG. 1 is a plan view of the substrate processing apparatus of the embodiment. The substrate processing apparatus 1 processes a substrate (for example, a semiconductor wafer) W.

基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。 The substrate W includes, for example, a semiconductor wafer, a liquid crystal display substrate, an organic EL (Electroluminescence) substrate, an FPD (Flat Panel Display) substrate, an optical display substrate, a magnetic disk substrate, an optical disk substrate, and a magneto-optical disk substrate. , Photomask substrate, solar cell substrate.

基板処理装置１は、インデクサ部２を備える。インデクサ部２は、複数（例えば、４つ）のキャリア載置部３と搬送機構４を備える。各キャリア載置部３はそれぞれ、１つのキャリアＣを載置する。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣは、例えば、ＦＯＵＰ（front opening unified pod）である。搬送機構４は、全てのキャリア載置部３に載置されるキャリアＣにアクセス可能である。 The substrate processing device 1 includes an indexer unit 2. The indexer unit 2 includes a plurality of (for example, four) carrier mounting units 3 and a transport mechanism 4. Each carrier mounting unit 3 mounts one carrier C. The carrier C accommodates a plurality of substrates W. Carrier C is, for example, FOUP (front opening unified pod). The transport mechanism 4 can access the carriers C mounted on all the carrier mounting portions 3.

基板処理装置１は、処理ブロック５を備える。処理ブロック５はインデクサ部２に接続される。 The substrate processing device 1 includes a processing block 5. The processing block 5 is connected to the indexer unit 2.

処理ブロック５は、載置部６と複数の処理ユニット７と搬送機構８を備える。載置部６は、複数枚の基板Ｗを載置する。各処理ユニット７はそれぞれ、１枚の基板Ｗを処理する。搬送機構８は、載置部６と全ての処理ユニット７にアクセス可能である。搬送機構８は、載置部６と処理ユニット７に基板Ｗを搬送する。 The processing block 5 includes a mounting portion 6, a plurality of processing units 7, and a transport mechanism 8. The mounting unit 6 mounts a plurality of substrates W. Each processing unit 7 processes one substrate W. The transport mechanism 8 has access to the mounting unit 6 and all the processing units 7. The transport mechanism 8 transports the substrate W to the mounting unit 6 and the processing unit 7.

載置部６は、搬送機構４と搬送機構８の間に配置される。搬送機構４は載置部６にもアクセス可能である。搬送機構４は載置部６に基板Ｗを搬送する。載置部６は、搬送機構４と搬送機構８の間で搬送される基板Ｗを載置する。 The mounting portion 6 is arranged between the transport mechanism 4 and the transport mechanism 8. The transport mechanism 4 can also access the mounting portion 6. The transport mechanism 4 transports the substrate W to the mounting portion 6. The mounting unit 6 mounts the substrate W to be transported between the transport mechanism 4 and the transport mechanism 8.

基板処理装置１は、制御部９を備える。制御部９は、搬送機構４、８と処理ユニット７を制御する。 The substrate processing device 1 includes a control unit 9. The control unit 9 controls the transport mechanisms 4 and 8 and the processing unit 7.

図２は、基板処理装置１の制御ブロック図である。制御部９は、搬送機構４、８と処理ユニット７と通信可能に接続される。 FIG. 2 is a control block diagram of the substrate processing device 1. The control unit 9 is communicably connected to the transport mechanisms 4 and 8 and the processing unit 7.

制御部９は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。記憶媒体は、各種の情報を予め格納している。記憶媒体は、例えば、搬送機構４、８および処理ユニット７の動作条件に関する情報を記憶する。処理ユニット７の動作条件に関する情報は、例えば、基板Ｗを処理するための処理レシピ（処理プログラム）である。記憶媒体は、例えば、各基板Ｗを識別するための情報を記憶する。 The control unit 9 is realized by a central processing unit (CPU) that executes various processes, a RAM (Random-Access Memory) that is a work area for arithmetic processing, a storage medium such as a fixed disk, and the like. The storage medium stores various types of information in advance. The storage medium stores, for example, information regarding the operating conditions of the transport mechanisms 4 and 8 and the processing unit 7. The information regarding the operating conditions of the processing unit 7 is, for example, a processing recipe (processing program) for processing the substrate W. The storage medium stores, for example, information for identifying each substrate W.

基板処理装置１の動作例を説明する。搬送機構４は、キャリア載置部３上のキャリアＣから載置部６に基板Ｗを搬送する。搬送機構８は、載置部６から１つの処理ユニット７に基板Ｗを搬送する。処理ユニット７は、基板Ｗを処理する。搬送機構８は、処理ユニット７から載置部６に基板Ｗを搬送する。搬送機構４は、載置部６からキャリア載置部３上のキャリアＣに基板Ｗを搬送する。 An operation example of the substrate processing device 1 will be described. The transport mechanism 4 transports the substrate W from the carrier C on the carrier mounting portion 3 to the mounting portion 6. The transport mechanism 8 transports the substrate W from the mounting portion 6 to one processing unit 7. The processing unit 7 processes the substrate W. The transport mechanism 8 transports the substrate W from the processing unit 7 to the mounting portion 6. The transport mechanism 4 transports the substrate W from the mounting portion 6 to the carrier C on the carrier mounting portion 3.

搬送機構４は、本発明における第２搬送機構の例である。搬送機構８は、本発明における第１搬送機構の例である。キャリアＣ、載置部６および処理ユニットは、本発明における第１位置と第２位置の例である。 The transport mechanism 4 is an example of the second transport mechanism in the present invention. The transport mechanism 8 is an example of the first transport mechanism in the present invention. The carrier C, the mounting portion 6, and the processing unit are examples of the first position and the second position in the present invention.

本明細書では、便宜上、インデクサ部２と処理ブロック５が並ぶ方向を、「前後方向Ｘ」と呼ぶ。前後方向Ｘは水平である。前後方向Ｘのうち、処理ブロック５からインデクサ部２に向かう方向を「前方」と呼ぶ。前方と反対の方向を「後方」と呼ぶ。前後方向Ｘと直交する水平な方向を、「幅方向Ｙ」または「側方」と呼ぶ。「幅方向Ｙ」の一方向を適宜に「右方」と呼ぶ。右方とは反対の方向を「左方」と呼ぶ。垂直な方向を「上下方向Ｚ」と呼ぶ。上下方向Ｚは、前後方向Ｘと直交し、かつ、幅方向Ｙと直交する。各図では、参考として、前、後、右、左、上、下を適宜に示す。 In the present specification, for convenience, the direction in which the indexer unit 2 and the processing block 5 are arranged is referred to as "front-back direction X". The front-back direction X is horizontal. Of the front-back directions X, the direction from the processing block 5 toward the indexer portion 2 is called "forward". The direction opposite to the front is called "rear". The horizontal direction orthogonal to the front-back direction X is called "width direction Y" or "side". One direction of "width direction Y" is appropriately referred to as "right side". The direction opposite to the right is called "left". The vertical direction is called "vertical direction Z". The vertical direction Z is orthogonal to the front-rear direction X and is orthogonal to the width direction Y. In each figure, front, back, right, left, top, and bottom are shown as appropriate for reference.

＜基板Ｗの形状＞
図３は、基板Ｗの平面図である。基板Ｗの基本的な形状を説明する。基板Ｗは、薄い平板形状を有する。基板Ｗは、平面視で略円形状を有する。基板Ｗは、周縁部１２と主部１３を有する。主部１３は、周縁部１２の内側に位置する基板Ｗの部分である。半導体デバイスは、主部１３に形成される。図３は、便宜上、周縁部１２と主部１３の境界を破線で示す。 <Shape of substrate W>
FIG. 3 is a plan view of the substrate W. The basic shape of the substrate W will be described. The substrate W has a thin flat plate shape. The substrate W has a substantially circular shape in a plan view. The substrate W has a peripheral portion 12 and a main portion 13. The main portion 13 is a portion of the substrate W located inside the peripheral edge portion 12. The semiconductor device is formed on the main portion 13. In FIG. 3, for convenience, the boundary between the peripheral portion 12 and the main portion 13 is indicated by a broken line.

本明細書では、形状によって、基板Ｗを複数の種類に分類する。第１に、基板Ｗの主部１３の厚みによって、基板Ｗを、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３に分類する。 In the present specification, the substrate W is classified into a plurality of types according to the shape. First, the substrate W is classified into a first substrate W1, a second substrate W2, and a third substrate W3 according to the thickness of the main portion 13 of the substrate W.

図４（ａ）は、第１基板Ｗ１の断面図である。図４（ｂ）は、第２基板Ｗ２の断面図である。図４（ｃ）は、第３基板Ｗ３の断面図である。第１基板Ｗ１は、主部１３が周縁部１２よりも凹むことによって形成される凹部１４を含み、かつ、ガラス製の保護プレート１５を含まない基板Ｗである。凹部１４は、例えば、研削処理（グラインド処理）によって形成される。第２基板Ｗ２は、凹部１４を含まない基板Ｗである。第３基板Ｗ３は、凹部１４を含み、かつ、ガラス製の保護プレート１５を含む基板Ｗである。第１基板Ｗ１は、基板本体１１のみから構成されてもよい。あるいは、第１基板Ｗ１は、基板本体１１に加えて、樹脂被膜、樹脂テープ、樹脂シートおよび樹脂フィルムの少なくともいずれかを含んでもよい。第２基板Ｗ２は、基板本体１１のみから構成されてもよい。あるいは、第２基板Ｗ２は、基板本体１１に加えて、樹脂被膜、樹脂テープ、樹脂シート、樹脂フィルムおよび保護プレート１５の少なくともいずれかを含んでもよい。第３基板Ｗ３は、基板本体１１と保護プレート１５を含む。保護プレート１５は、例えば、基板本体１１に貼り付けられる。第３基板Ｗ３は、さらに、樹脂被膜、樹脂テープ、樹脂シートおよび樹脂フィルムの少なくともいずれかを含んでもよい。 FIG. 4A is a cross-sectional view of the first substrate W1. FIG. 4B is a cross-sectional view of the second substrate W2. FIG. 4C is a cross-sectional view of the third substrate W3. The first substrate W1 is a substrate W that includes a recess 14 formed by the main portion 13 being recessed from the peripheral edge portion 12 and does not include a protective plate 15 made of glass. The recess 14 is formed by, for example, a grinding process (grinding process). The second substrate W2 is a substrate W that does not include the recess 14. The third substrate W3 is a substrate W including a recess 14 and a protective plate 15 made of glass. The first substrate W1 may be composed of only the substrate main body 11. Alternatively, the first substrate W1 may include at least one of a resin coating, a resin tape, a resin sheet, and a resin film in addition to the substrate main body 11. The second substrate W2 may be composed of only the substrate main body 11. Alternatively, the second substrate W2 may include at least one of a resin coating, a resin tape, a resin sheet, a resin film, and a protective plate 15 in addition to the substrate main body 11. The third substrate W3 includes a substrate body 11 and a protective plate 15. The protective plate 15 is attached to, for example, the substrate main body 11. The third substrate W3 may further include at least one of a resin film, a resin tape, a resin sheet, and a resin film.

第１基板Ｗ１の主部１３は、第２基板Ｗ２の主部１３よりも薄い。第１基板Ｗ１の主部１３は、第３基板Ｗ３の主部１３よりも薄い。第１基板Ｗ１は、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３よりも剛性が低い。第１基板Ｗ１は、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３よりも撓みやすい。 The main portion 13 of the first substrate W1 is thinner than the main portion 13 of the second substrate W2. The main portion 13 of the first substrate W1 is thinner than the main portion 13 of the third substrate W3. The first substrate W1 has a lower rigidity than the second substrate W2 and the third substrate W3. The first substrate W1 is more flexible than the second substrate W2 and the third substrate W3.

具体的には、第１基板Ｗ１の主部１３は、厚みＴ１を有する。第２基板Ｗ２の主部１３は、厚みＴ２を有する。第３基板Ｗ３の主部１３は、厚みＴ３を有する。厚みＴ１は、厚みＴ２よりも小さい。厚みＴ１は、厚みＴ３よりも小さい。厚みＴ１は、例えば、１０［μｍ］以上２００［μｍ］以下である。厚みＴ２は、例えば、６００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下である。厚みＴ３は、例えば、８００［μｍ］以上１２００［μｍ］以下である。 Specifically, the main portion 13 of the first substrate W1 has a thickness T1. The main portion 13 of the second substrate W2 has a thickness T2. The main portion 13 of the third substrate W3 has a thickness T3. The thickness T1 is smaller than the thickness T2. The thickness T1 is smaller than the thickness T3. The thickness T1 is, for example, 10 [μm] or more and 200 [μm] or less. The thickness T2 is, for example, 600 [μm] or more and 1000 [μm] or less. The thickness T3 is, for example, 800 [μm] or more and 1200 [μm] or less.

第１基板Ｗ１の周縁部１２は、厚みＴ４を有する。第２基板Ｗ２の周縁部１２は、厚みＴ５を有する。第３基板Ｗ３の周縁部１２は、厚みＴ６を有する。厚みＴ４は、例えば、厚みＴ５と同じである。厚みＴ４は、厚みＴ６よりも小さい。厚みＴ４は、例えば、６００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下である。厚みＴ５は、例えば、６００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下である。厚みＴ６は、例えば、１４００［μｍ］以上２２００［μｍ］以下である。 The peripheral edge portion 12 of the first substrate W1 has a thickness T4. The peripheral edge portion 12 of the second substrate W2 has a thickness T5. The peripheral edge portion 12 of the third substrate W3 has a thickness T6. The thickness T4 is, for example, the same as the thickness T5. The thickness T4 is smaller than the thickness T6. The thickness T4 is, for example, 600 [μm] or more and 1000 [μm] or less. The thickness T5 is, for example, 600 [μm] or more and 1000 [μm] or less. The thickness T6 is, for example, 1400 [μm] or more and 2200 [μm] or less.

第２に、基板Ｗの直径Ｄによって、基板Ｗを、通常径基板ＷＮと大径基板ＷＬに分類する。 Secondly, the substrate W is classified into a normal diameter substrate WN and a large diameter substrate WL according to the diameter D of the substrate W.

図５（ａ）は、通常径基板ＷＮの平面図である。図５（ｂ）は、大径基板ＷＬの平面図である。通常径基板ＷＮは、直径Ｄ１を有する。大径ＷＬは、直径Ｄ２を有する。直径Ｄ２は、直径Ｄ１より大きい。 FIG. 5A is a plan view of the normal diameter substrate WN. FIG. 5B is a plan view of the large-diameter substrate WL. The normal diameter substrate WN has a diameter D1. The large diameter WL has a diameter D2. The diameter D2 is larger than the diameter D1.

直径Ｄ１は、例えば、３００［ｍｍ］である。直径Ｄ２は、例えば、３０１［ｍｍ］である。 The diameter D1 is, for example, 300 [mm]. The diameter D2 is, for example, 301 [mm].

例えば、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２は、通常径基板ＷＮに属する。例えば、第３基板Ｗ３は、大径基板ＷＬに属する。 For example, the first substrate W1 and the second substrate W2 belong to the normal diameter substrate WN. For example, the third substrate W3 belongs to the large diameter substrate WL.

基板処理装置１は、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３を処理する。基板処理装置１は、通常径基板ＷＮおよび大径基板ＷＬを処理する。 The substrate processing apparatus 1 processes the first substrate W1, the second substrate W2, and the third substrate W3. The substrate processing apparatus 1 processes a normal-diameter substrate WN and a large-diameter substrate WL.

＜キャリアＣ＞
図６は、キャリアＣの正面図である。キャリアＣは、容器２１と複数の棚２２を備える。棚２２は、容器２１の内部に設置される。棚２２は、上下方向Ｚに並ぶように配置される。上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２は、互いに近接している。上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間隔は、例えば、１０［ｍｍ］である。 <Carrier C>
FIG. 6 is a front view of the carrier C. The carrier C includes a container 21 and a plurality of shelves 22. The shelf 22 is installed inside the container 21. The shelves 22 are arranged so as to be arranged in the vertical direction Z. Two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z are close to each other. The distance between the two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z is, for example, 10 [mm].

各棚２２はそれぞれ、１枚の基板Ｗを水平姿勢で載置する。棚２２は、基板Ｗの下面１６と接する。例えば、棚２２は、基板Ｗの周縁部１２における下面１６と接する。棚２２は、基板Ｗの上面１７と接しない。これにより、棚２２は基板Ｗを支持する。棚２２が基板Ｗを支持するとき、棚２２は、基板Ｗが棚２２に対して上方に移動することを許容する。 Each shelf 22 has one substrate W placed in a horizontal position. The shelf 22 is in contact with the lower surface 16 of the substrate W. For example, the shelf 22 is in contact with the lower surface 16 on the peripheral edge 12 of the substrate W. The shelf 22 does not come into contact with the upper surface 17 of the substrate W. As a result, the shelf 22 supports the substrate W. When the shelf 22 supports the substrate W, the shelf 22 allows the substrate W to move upward with respect to the shelf 22.

各棚２２はそれぞれ、第１棚２３と第２棚２４を備える。第１棚２３と第２棚２４は、互いに離れている。第１棚２３と第２棚２４は、水平方向に対向する。水平方向に並ぶ第１棚２３と第２棚２４の間隔Ｅ１は、基板Ｗの直径Ｄよりも小さい。 Each shelf 22 includes a first shelf 23 and a second shelf 24, respectively. The first shelf 23 and the second shelf 24 are separated from each other. The first shelf 23 and the second shelf 24 face each other in the horizontal direction. The distance E1 between the first shelf 23 and the second shelf 24 arranged in the horizontal direction is smaller than the diameter D of the substrate W.

図７は、キャリアＣの棚２２の平面図である。第１棚２３は、基板Ｗの第１側部１８を支持する。第２棚２４は、基板Ｗの第２側部１９を支持する。第２側部１９は、基板Ｗの中心Ｊに対して、第１側部１８とは反対側に位置する。第１側部１８および第２側部１９はそれぞれ、基板Ｗの周縁部１２の一部を含む。第１側部１８および第２側部１９はそれぞれ、さらに、基板Ｗの主部１３の一部を含んでもよい。 FIG. 7 is a plan view of the shelf 22 of the carrier C. The first shelf 23 supports the first side portion 18 of the substrate W. The second shelf 24 supports the second side portion 19 of the substrate W. The second side portion 19 is located on the side opposite to the first side portion 18 with respect to the center J of the substrate W. The first side portion 18 and the second side portion 19 each include a part of the peripheral edge portion 12 of the substrate W. The first side portion 18 and the second side portion 19 may further include a part of the main portion 13 of the substrate W, respectively.

キャリアＣは、バーコード（不図示）を有する。バーコードは、キャリアＣを識別するため、または、キャリアＣ内の基板Ｗを識別するための識別子である。バーコードは、例えば、容器２１に付される。 Carrier C has a barcode (not shown). The barcode is an identifier for identifying the carrier C or the substrate W in the carrier C. The barcode is attached to the container 21, for example.

以下、基板処理装置１の各部の構成を説明する。 Hereinafter, the configuration of each part of the substrate processing apparatus 1 will be described.

＜インデクサ部２＞
図１を参照する。キャリア載置部３は、幅方向Ｙに一列に並ぶ。インデクサ部２は、バーコードリーダ３１を備える。バーコードリーダ３１は、キャリア載置部３に載置されたキャリアＣに付されるバーコードを読み取る。バーコードリーダ３１は、例えば、キャリア載置部３に取り付けられる。 <Indexer section 2>
See FIG. The carrier mounting portions 3 are arranged in a row in the width direction Y. The indexer unit 2 includes a bar code reader 31. The bar code reader 31 reads the bar code attached to the carrier C mounted on the carrier mounting unit 3. The barcode reader 31 is attached to, for example, the carrier mounting portion 3.

インデクサ部２は、搬送スペース３２を備える。搬送スペース３２は、キャリア載置部３の後方に配置される。搬送スペース３２は、幅方向Ｙに延びる。搬送機構４は、搬送スペース３２に設置される。搬送機構４は、キャリア載置部３の後方に配置される。 The indexer unit 2 includes a transport space 32. The transport space 32 is arranged behind the carrier mounting portion 3. The transport space 32 extends in the width direction Y. The transport mechanism 4 is installed in the transport space 32. The transport mechanism 4 is arranged behind the carrier mounting portion 3.

搬送機構４はハンド３３とハンド駆動部３４を備える。ハンド３３は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。ハンド３３は、基板Ｗの下面１６と接触することによって、基板Ｗを支持する。ハンド駆動部３４は、ハンド３３に連結される。ハンド駆動部３４は、ハンド３３を移動する。 The transport mechanism 4 includes a hand 33 and a hand drive unit 34. The hand 33 supports one substrate W in a horizontal posture. The hand 33 supports the substrate W by coming into contact with the lower surface 16 of the substrate W. The hand drive unit 34 is connected to the hand 33. The hand drive unit 34 moves the hand 33.

図１、８を参照する。図８は、幅方向Ｙにおける基板処理装置１の中央部の構成を示す左側面図である。ハンド駆動部３４は、レール３４ａと水平移動部３４ｂと垂直移動部３４ｃと回転部３４ｄと進退移動部３４ｅを備える。レール３４ａは、固定的に設置される。レール３４ａは、搬送スペース３２の底部に配置される。レール３４ａは、幅方向Ｙに延びる。水平移動部３４ｂは、レール３４ａに支持される。水平移動部３４ｂは、レール３４ａに対して幅方向Ｙに移動する。垂直移動部３４ｃは、水平移動部３４ｂに支持される。垂直移動部３４ｃは、水平移動部３４ｂに対して上下方向Ｚに移動する。回転部３４ｄは、垂直移動部３４ｃに支持される。回転部３４ｄは、垂直移動部３４ｃに対して回転する。回転部３４ｄは、回転軸線Ａ１回りに回転する。回転軸線Ａ１は、上下方向Ｚと平行である。進退移動部３４ｅは、回転部３４ｄの向きによって決まる水平な一方向に往復移動する。 See FIGS. 1 and 8. FIG. 8 is a left side view showing the configuration of the central portion of the substrate processing apparatus 1 in the width direction Y. The hand drive unit 34 includes a rail 34a, a horizontal moving unit 34b, a vertical moving unit 34c, a rotating unit 34d, and an advancing / retreating moving unit 34e. The rail 34a is fixedly installed. The rail 34a is arranged at the bottom of the transport space 32. The rail 34a extends in the width direction Y. The horizontal moving portion 34b is supported by the rail 34a. The horizontal moving portion 34b moves in the width direction Y with respect to the rail 34a. The vertical moving portion 34c is supported by the horizontal moving portion 34b. The vertical moving portion 34c moves in the vertical direction Z with respect to the horizontal moving portion 34b. The rotating portion 34d is supported by the vertically moving portion 34c. The rotating portion 34d rotates with respect to the vertically moving portion 34c. The rotating portion 34d rotates around the rotation axis A1. The rotation axis A1 is parallel to the vertical direction Z. The advancing / retreating moving portion 34e reciprocates in one horizontal direction determined by the direction of the rotating portion 34d.

ハンド３３は進退移動部３４ｅに固定される。ハンド３３は、水平方向および上下方向Ｚに平行移動可能である。ハンド３３は、回転軸線Ａ１回りに回転可能である。 The hand 33 is fixed to the advancing / retreating moving portion 34e. The hand 33 can be translated in the horizontal direction and the vertical direction Z. The hand 33 can rotate around the rotation axis A1.

図９は、ハンド３３の平面図である。図１０は、ハンド３３の側面図である。ハンド３３の構造を説明する。ハンド３３は、連結部３５を備える。連結部３５は、進退移動部３４ｅに接続される。 FIG. 9 is a plan view of the hand 33. FIG. 10 is a side view of the hand 33. The structure of the hand 33 will be described. The hand 33 includes a connecting portion 35. The connecting portion 35 is connected to the advancing / retreating moving portion 34e.

ハンド３３は、２本のロッド３６を備える。各ロッド３６は、連結部３５に支持される。２本のロッド３６は、互いに離れている。２本のロッド３６はそれぞれ、直線的に延びる。２本のロッド３６はそれぞれ、連結部３５から同じ方向に延びる。２本のロッド３６は、互いに平行である。各ロッド３６が延びる方向を、第１方向Ｆ１という。第１方向Ｆ１は、水平である。第１方向Ｆ１は、進退移動部３４ｅが回転部３４ｄに対して往復移動する方向と同じである。第１方向Ｆ１と直交する水平な方向を第２方向Ｆ２という。２本のロッド３６は、第２方向Ｆ２に並ぶ。 The hand 33 includes two rods 36. Each rod 36 is supported by a connecting portion 35. The two rods 36 are separated from each other. Each of the two rods 36 extends linearly. Each of the two rods 36 extends in the same direction from the connecting portion 35. The two rods 36 are parallel to each other. The direction in which each rod 36 extends is referred to as the first direction F1. The first direction F1 is horizontal. The first direction F1 is the same as the direction in which the advancing / retreating moving portion 34e reciprocates with respect to the rotating portion 34d. The horizontal direction orthogonal to the first direction F1 is called the second direction F2. The two rods 36 are aligned in the second direction F2.

第２方向Ｆ２における２本のロッド３６の全体の長さＬ１は、間隔Ｅ１よりも小さい。このため、２本のロッド３６は、互いに水平方向に向かい合う第１棚２３と第２棚２４の間を、上下方向Ｚに通過可能である。 The total length L1 of the two rods 36 in the second direction F2 is smaller than the spacing E1. Therefore, the two rods 36 can pass between the first shelf 23 and the second shelf 24, which face each other in the horizontal direction, in the vertical direction Z.

各ロッド３６は、基板Ｗの直径Ｄと略同等の長さを有する。すなわち、第１方向Ｆ１におけるロッド３６の長さＬ２は、基板Ｗの直径と略等しい。 Each rod 36 has a length substantially equal to the diameter D of the substrate W. That is, the length L2 of the rod 36 in the first direction F1 is substantially equal to the diameter of the substrate W.

各ロッド３６はそれぞれ、細い。すなわち、第２方向Ｆ２における１本のロッド３６の長さＬ３は、小さい。第２方向Ｆ２におけるロッド３６の長さは、例えば、１０［ｍｍ］である。長さＬ３は、第１方向Ｆ１にわたって、略一定である。すなわち、長さＬ３は、ロッド３６の基端部からロッド３６の先端部にわたって、略一定である。各ロッド３６は、第１方向Ｆ１にわたって、略一定な断面形状を有する。すなわち、ロッド３６の断面形状は、ロッド３６の基端部からロッド３６の先端部にわたって、略一定である。 Each rod 36 is thin. That is, the length L3 of one rod 36 in the second direction F2 is small. The length of the rod 36 in the second direction F2 is, for example, 10 [mm]. The length L3 is substantially constant over the first direction F1. That is, the length L3 is substantially constant from the base end portion of the rod 36 to the tip end portion of the rod 36. Each rod 36 has a substantially constant cross-sectional shape over the first direction F1. That is, the cross-sectional shape of the rod 36 is substantially constant from the base end portion of the rod 36 to the tip end portion of the rod 36.

ハンド３３は、複数（例えば４つ）の接触部３７を備える。接触部３７は、各ロッド３６に取り付けられる。各接触部３７は、各ロッド３６から上方に突出する。各接触部３７は、基板Ｗの下面１６と接触する。より詳しくは、各接触部３７は、基板Ｗの周縁部１２における下面１６と接する。これにより、ハンド３３は１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。各接触部３７は、基板Ｗの上面１７と接しない。ハンド３３は、基板Ｗがハンド３３に対して上方に移動することを許容する。ハンド３３が基板Ｗを支持するとき、接触部３７とロッド３６は、平面視で基板Ｗと重なる。 The hand 33 includes a plurality of (for example, four) contact portions 37. The contact portion 37 is attached to each rod 36. Each contact portion 37 projects upward from each rod 36. Each contact portion 37 comes into contact with the lower surface 16 of the substrate W. More specifically, each contact portion 37 is in contact with the lower surface 16 on the peripheral edge portion 12 of the substrate W. As a result, the hand 33 supports one substrate W in a horizontal posture. Each contact portion 37 does not come into contact with the upper surface 17 of the substrate W. The hand 33 allows the substrate W to move upward with respect to the hand 33. When the hand 33 supports the substrate W, the contact portion 37 and the rod 36 overlap the substrate W in a plan view.

ハンド３３は、基板検出部３８を備える。基板検出部３８は、ハンド３３に支持される基板Ｗを検出する。基板検出部３８は、ロッド３６に取り付けられる。 The hand 33 includes a substrate detection unit 38. The substrate detection unit 38 detects the substrate W supported by the hand 33. The substrate detection unit 38 is attached to the rod 36.

図２を参照する。バーコードリーダ３１は、制御部９と通信可能に接続される。搬送機構４のハンド駆動部３４および基板検出部３８は、制御部９と通信可能に接続される。制御部９は、バーコードリーダ３１および基板検出部３８の検出結果を受ける。制御部９は、ハンド駆動部３４を制御する。 See FIG. The bar code reader 31 is communicably connected to the control unit 9. The hand drive unit 34 and the board detection unit 38 of the transfer mechanism 4 are communicably connected to the control unit 9. The control unit 9 receives the detection results of the barcode reader 31 and the board detection unit 38. The control unit 9 controls the hand drive unit 34.

＜処理ブロック５＞
図１を参照する。処理ブロック５の各要素の配置を説明する。処理ブロック５は、搬送スペース４１を備える。搬送スペース４１は、幅方向Ｙにおける処理ブロック５の中央に配置される。搬送スペース４１は、前後方向Ｘに延びる。搬送スペース４１は、インデクサ部２の搬送スペース３２と接している。 <Processing block 5>
See FIG. The arrangement of each element of the processing block 5 will be described. The processing block 5 includes a transport space 41. The transport space 41 is arranged at the center of the processing block 5 in the width direction Y. The transport space 41 extends in the front-rear direction X. The transport space 41 is in contact with the transport space 32 of the indexer unit 2.

載置部６と搬送機構８は、搬送スペース４１に設置される。載置部６は、搬送機構８の前方に配置される。載置部６は、搬送機構４の後方に配置される。載置部６は、搬送機構４と搬送機構８の間に配置される。 The mounting portion 6 and the transport mechanism 8 are installed in the transport space 41. The mounting portion 6 is arranged in front of the transport mechanism 8. The mounting portion 6 is arranged behind the transport mechanism 4. The mounting portion 6 is arranged between the transport mechanism 4 and the transport mechanism 8.

処理ユニット７は、搬送スペース４１の両側に配置される。処理ユニット７は、搬送機構８の側方を囲むように配置される。具体的には、処理ブロック５は、第１処理セクション４２と第２処理セクション４３を備える。第１処理セクション４２と搬送スペース４１と第２処理セクション４３は、幅方向Ｙにこの順番で並ぶ。第１処理セクション４２は、搬送スペース４１の右方に配置される。第２処理セクション４３は、搬送スペース４１の左方に配置される。 The processing units 7 are arranged on both sides of the transport space 41. The processing unit 7 is arranged so as to surround the side of the transport mechanism 8. Specifically, the processing block 5 includes a first processing section 42 and a second processing section 43. The first processing section 42, the transport space 41, and the second processing section 43 are arranged in this order in the width direction Y. The first processing section 42 is arranged on the right side of the transport space 41. The second processing section 43 is arranged to the left of the transport space 41.

図１１は、基板処理装置１の左部の構成を示す左側面図である。第２処理セクション４３には、複数の処理ユニット７が、前後方向Ｘおよび上下方向Ｚに行列状に配置される。例えば、第２処理セクション４３には、６個の処理ユニット７が、前後方向Ｘに２列、上下方向Ｚに３段で、並ぶ。 FIG. 11 is a left side view showing the configuration of the left portion of the substrate processing apparatus 1. In the second processing section 43, a plurality of processing units 7 are arranged in a matrix in the front-rear direction X and the vertical direction Z. For example, in the second processing section 43, six processing units 7 are arranged in two rows in the front-rear direction X and three stages in the vertical direction Z.

図示を省略するが、第１処理セクション４２には、複数の処理ユニット７が、前後方向Ｘおよび上下方向Ｚに行列状に配置される。例えば、第１処理セクション４２には、６個の処理ユニット７が、前後方向Ｘに２列、上下方向Ｚに３段で、並ぶ。 Although not shown, a plurality of processing units 7 are arranged in a matrix in the front-rear direction X and the vertical direction Z in the first processing section 42. For example, in the first processing section 42, six processing units 7 are arranged in two rows in the front-rear direction X and three stages in the vertical direction Z.

図１２は、載置部６の正面図である。載置部６の構造を説明する。載置部６は、複数枚の基板Ｗを載置可能である。載置部６は、複数の棚４５と支持壁４８を備える。支持壁４８は各棚４５を支持する。棚４５は、上下方向Ｚに並ぶように配置される。上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５は、互いに近接している。 FIG. 12 is a front view of the mounting portion 6. The structure of the mounting portion 6 will be described. A plurality of substrates W can be mounted on the mounting portion 6. The mounting portion 6 includes a plurality of shelves 45 and a support wall 48. The support wall 48 supports each shelf 45. The shelves 45 are arranged so as to be arranged in the vertical direction Z. Two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z are close to each other.

各棚４５はそれぞれ、１枚の基板Ｗを水平姿勢で載置する。棚４５は、基板Ｗの下面１６と接する。例えば、棚４５は、基板Ｗの周縁部１２における下面１６と接する。棚４５は、基板Ｗの上面１７と接しない。これにより、棚４５は、基板Ｗを支持する。棚４５が基板Ｗを支持するとき、棚４５は、基板Ｗが棚４５に対して上方に移動することを許容する。 On each shelf 45, one substrate W is placed in a horizontal position. The shelf 45 is in contact with the lower surface 16 of the substrate W. For example, the shelf 45 is in contact with the lower surface 16 on the peripheral edge 12 of the substrate W. The shelf 45 does not come into contact with the upper surface 17 of the substrate W. As a result, the shelf 45 supports the substrate W. When the shelf 45 supports the substrate W, the shelf 45 allows the substrate W to move upward with respect to the shelf 45.

各棚４５はそれぞれ、第１棚４６と第２棚４７を備える。第１棚４６と第２棚４７は、互いに離れている。第１棚４６と第２棚４７は、水平方向（具体的には幅方向Ｙ）に対向する。水平方向に並ぶ第１棚４６と第２棚４７の間隔Ｅ２は、基板Ｗの直径Ｄよりも小さい。間隔Ｅ２は、長さＬ１よりも大きい。 Each shelf 45 includes a first shelf 46 and a second shelf 47, respectively. The first shelf 46 and the second shelf 47 are separated from each other. The first shelf 46 and the second shelf 47 face each other in the horizontal direction (specifically, the width direction Y). The distance E2 between the first shelf 46 and the second shelf 47 arranged in the horizontal direction is smaller than the diameter D of the substrate W. The interval E2 is larger than the length L1.

図１３は、載置部６の棚４５の平面図である。第１棚４６は、基板Ｗの第１側部１８を支持する。第２棚４７は、基板Ｗの第２側部１９を支持する。 FIG. 13 is a plan view of the shelf 45 of the mounting portion 6. The first shelf 46 supports the first side portion 18 of the substrate W. The second shelf 47 supports the second side portion 19 of the substrate W.

図１４は、載置部６の棚４５に詳細図である。第１棚４６は、第１傾斜面５１を有する。第２棚４７は、第２傾斜面５５を備える。第１傾斜面５１と第２傾斜面５５は、互いに離れている。第２傾斜面５５は、第１傾斜面５１と水平方向（具体的には幅方向Ｙ）に対向する。第１傾斜面５１と第２傾斜面５５は、正面視において、左右対称である。第１傾斜面５１と第２傾斜面５５は、前後方向Ｘから見て、左右対称である。第１傾斜面５１は、基板Ｗの第１側部１８と接する。第２傾斜面５５は、基板Ｗの第２側部１９と接する。 FIG. 14 is a detailed view on the shelf 45 of the mounting portion 6. The first shelf 46 has a first inclined surface 51. The second shelf 47 includes a second inclined surface 55. The first inclined surface 51 and the second inclined surface 55 are separated from each other. The second inclined surface 55 faces the first inclined surface 51 in the horizontal direction (specifically, the width direction Y). The first inclined surface 51 and the second inclined surface 55 are symmetrical in the front view. The first inclined surface 51 and the second inclined surface 55 are symmetrical when viewed from the front-rear direction X. The first inclined surface 51 is in contact with the first side portion 18 of the substrate W. The second inclined surface 55 is in contact with the second side portion 19 of the substrate W.

間隔Ｅ２は、水平方向における第１傾斜面５１と第２傾斜面５５の間隔に相当する。間隔Ｅ２は、下方に向かって減少する。 The interval E2 corresponds to the interval between the first inclined surface 51 and the second inclined surface 55 in the horizontal direction. The interval E2 decreases downward.

第１傾斜面５１は、上端５１Ｔを有する。第２傾斜面５５は、上端５５Ｔを有する。水平方向における上端５１Ｔと上端５５Ｔの間隔ＥＴは、基板Ｗの直径Ｄよりも大きい。例えば、間隔ＥＴは、３０６［ｍｍ］である。例えば、間隔ＥＴと基板Ｗの直径Ｄとの差は、基板Ｗの直径の１［％］以上である。例えば、間隔ＥＴと基板Ｗの直径Ｄの差は、２［ｍｍ］以上である。 The first inclined surface 51 has an upper end 51T. The second inclined surface 55 has an upper end 55T. The distance ET between the upper end 51T and the upper end 55T in the horizontal direction is larger than the diameter D of the substrate W. For example, the interval ET is 306 [mm]. For example, the difference between the interval ET and the diameter D of the substrate W is 1 [%] or more of the diameter of the substrate W. For example, the difference between the distance ET and the diameter D of the substrate W is 2 [mm] or more.

第１傾斜面５１は、下端５１Ｂを有する。第２傾斜面５５は、下端５５Ｂを有する。水平方向における下端５１Ｂと下端５５Ｂの間隔ＥＢは、間隔ＥＴよりも狭い。間隔ＥＢは、基板Ｗの直径Ｄよりも小さい。 The first inclined surface 51 has a lower end 51B. The second inclined surface 55 has a lower end 55B. The distance EB between the lower end 51B and the lower end 55B in the horizontal direction is narrower than the distance ET. The interval EB is smaller than the diameter D of the substrate W.

第１傾斜面５１の角度は、第１傾斜面５１の全体にわたって、一定ではない。第１傾斜面５１は、上傾斜面５２と下傾斜面５３を有する。下傾斜面５３は、上傾斜面５２の下方に配置される。下傾斜面５３は、上傾斜面５２の下端に接する。上傾斜面５２は、水平面に対して第１角度θ１で傾斜する。下傾斜面５３は、水平面に対して第２角度θ２で傾斜する。第２角度θ２は、第１角度θ１よりも小さい。下傾斜面５３は、上傾斜面５２よりも水平に近い。 The angle of the first inclined surface 51 is not constant over the entire first inclined surface 51. The first inclined surface 51 has an upward inclined surface 52 and a downward inclined surface 53. The lower inclined surface 53 is arranged below the upper inclined surface 52. The lower inclined surface 53 is in contact with the lower end of the upper inclined surface 52. The upper inclined surface 52 is inclined at a first angle θ1 with respect to the horizontal plane. The downward inclined surface 53 is inclined at a second angle θ2 with respect to the horizontal plane. The second angle θ2 is smaller than the first angle θ1. The lower inclined surface 53 is closer to horizontal than the upper inclined surface 52.

同様に、第２傾斜面５５は、上傾斜面５６と下傾斜面５７を有する。第２傾斜面５５、上傾斜面５６および下傾斜面５７は、左右対称である点を除き、第１傾斜面５１、上傾斜面５２および下傾斜面５３と同じ形状を有する。 Similarly, the second inclined surface 55 has an upward inclined surface 56 and a downward inclined surface 57. The second inclined surface 55, the upper inclined surface 56, and the lower inclined surface 57 have the same shape as the first inclined surface 51, the upper inclined surface 52, and the lower inclined surface 53, except that they are symmetrical.

第１傾斜面５１は、中間点５１Ｍを有する。中間点５１Ｍは、上傾斜面５２と下傾斜面５３との接続位置である。第２傾斜面５５は、中間点５５Ｍを有する。中間点５５Ｍは、上傾斜面５６と下傾斜面５７との接続位置である。水平方向における中間点５１Ｍと中間点５５Ｍの間隔ＥＭは、基板Ｗの直径Ｄと略等しい。 The first inclined surface 51 has an intermediate point 51M. The intermediate point 51M is a connection position between the upper inclined surface 52 and the lower inclined surface 53. The second inclined surface 55 has an intermediate point 55M. The intermediate point 55M is a connection position between the upper inclined surface 56 and the lower inclined surface 57. The distance EM between the midpoint 51M and the midpoint 55M in the horizontal direction is substantially equal to the diameter D of the substrate W.

図１、７を参照する。搬送機構８の構造を説明する。 See FIGS. 1 and 7. The structure of the transport mechanism 8 will be described.

搬送機構８はハンド６１とハンド駆動部６２を備える。ハンド６１は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。ハンド駆動部６２は、ハンド６１に連結される。ハンド駆動部６２は、ハンド６１を移動する。 The transport mechanism 8 includes a hand 61 and a hand drive unit 62. The hand 61 supports one substrate W in a horizontal posture. The hand drive unit 62 is connected to the hand 61. The hand drive unit 62 moves the hand 61.

ハンド駆動部６２は、支柱６２ａと垂直移動部６２ｂと回転部６２ｃと進退移動部６２ｄを備える。支柱６２ａは、固定的に設置される。支柱６２ａは、上下方向Ｚに延びる。垂直移動部６２ｂは、支柱６２ａに支持される。垂直移動部６２ｂは、支柱６２ａに対して上下方向Ｚに移動する。回転部６２ｃは、垂直移動部６２ｂに支持される。回転部６２ｃは、垂直移動部６２ｂに対して回転する。回転部６２ｃは、回転軸線Ａ２回りに回転する。回転軸線Ａ２は、上下方向Ｚと平行である。進退移動部６２ｄは、回転部６２ｃの向きによって決まる水平な一方向に往復移動する。 The hand drive unit 62 includes a support column 62a, a vertical moving unit 62b, a rotating unit 62c, and an advancing / retreating moving unit 62d. The support column 62a is fixedly installed. The support column 62a extends in the vertical direction Z. The vertical moving portion 62b is supported by the support column 62a. The vertical moving portion 62b moves in the vertical direction Z with respect to the support column 62a. The rotating portion 62c is supported by the vertically moving portion 62b. The rotating portion 62c rotates with respect to the vertically moving portion 62b. The rotating portion 62c rotates around the rotation axis A2. The rotation axis A2 is parallel to the vertical direction Z. The advancing / retreating moving portion 62d reciprocates in one horizontal direction determined by the direction of the rotating portion 62c.

図１５は、ハンド６１の底面図である。図１６（ａ）、１６（ｂ）は、ハンド６１の側面図である。ハンド６１は、進退移動部６２ｄに固定される。ハンド６１は、水平方向および上下方向Ｚに平行移動可能である。ハンド６１は、回転軸線Ａ２回りに回転可能である。 FIG. 15 is a bottom view of the hand 61. 16 (a) and 16 (b) are side views of the hand 61. The hand 61 is fixed to the advancing / retreating moving portion 62d. The hand 61 can be translated in the horizontal direction and the vertical direction Z. The hand 61 can rotate around the rotation axis A2.

ハンド６１の構造を説明する。ハンド６１は、連結部６４を備える。連結部６４は、進退移動部６２ｄに接続される。 The structure of the hand 61 will be described. The hand 61 includes a connecting portion 64. The connecting portion 64 is connected to the advancing / retreating moving portion 62d.

ハンド６１は、ベース部６５を備える。ベース部６５は、連結部６４に支持される。ベース部６５は、連結部６４から水平方向に延びる。 The hand 61 includes a base portion 65. The base portion 65 is supported by the connecting portion 64. The base portion 65 extends horizontally from the connecting portion 64.

ベース部６５は、２つの枝部６６を含む。各枝部６６は、互いに離れている。各枝部６６は、連結部６４から同じ方向に延びる。各枝部６６が延びる方向を、第３方向Ｆ３という。第３方向Ｆ３は、水平である。第３方向Ｆ３は、進退移動部６２ｄが回転部６２ｃに対して往復移動する方向と同じである。第３方向Ｆ３と直交する水平な方向を第４方向Ｆ４という。２つの枝部６６は、第４方向Ｆ４に並ぶ。２つの枝部６６は、平面視において、２つの枝部６６の間を通り、第３方向Ｆ３と平行な仮想線に対して線対称である。各枝部６６は、湾曲している。各枝部６６は、互いに離反するように湾曲する部分を有する。言い換えれば、各枝部６６は、第４方向Ｆ４の外方に膨らむように湾曲した部分を有する。 The base portion 65 includes two branch portions 66. The branches 66 are separated from each other. Each branch 66 extends in the same direction from the connecting 64. The direction in which each branch 66 extends is referred to as a third direction F3. The third direction F3 is horizontal. The third direction F3 is the same as the direction in which the advancing / retreating moving portion 62d reciprocates with respect to the rotating portion 62c. The horizontal direction orthogonal to the third direction F3 is called the fourth direction F4. The two branches 66 are aligned in the fourth direction F4. The two branch portions 66 pass between the two branch portions 66 in a plan view and are line-symmetric with respect to a virtual line parallel to the third direction F3. Each branch 66 is curved. Each branch 66 has a portion that is curved so as to be separated from each other. In other words, each branch 66 has a portion curved so as to bulge outward in the fourth direction F4.

ハンド６１は、吸引部６８を備える。吸引部６８は、ベース部６５に取り付けられる。吸引部６８は、気体を吹き出す。吸引部６８は、気体を下方に吹き出す。吸引部６８は、基板Ｗの上方の位置から、気体を基板Ｗに吹き出す。ここで、「基板Ｗの上方の位置」とは、基板Ｗよりも高い位置であって、平面視で基板Ｗと重なる位置である。図１５は、吸引部６８に吸引される基板Ｗを破線で示す。吸引部６８は、基板Ｗの上面１７に気体を吹き出す。吸引部６８は、基板Ｗの上面１７に沿って気体を流す。これにより、吸引部６８は、基板Ｗと接触することなく、基板Ｗを吸引する。具体的には、気体が基板Ｗの上面１７に沿って流れることによって、負圧が形成される。すなわち、基板Ｗの上面１７が受ける気圧は、基板Ｗの下面１６が受ける気圧よりも、小さい。ベルヌーイの原理により、基板Ｗに上向きの力が働く。すなわち、基板Ｗが上方に吸引される。基板Ｗは吸引部６８に向かって吸引される。ただし、吸引部６８は、吸引部６８が吸引する基板Ｗと接触しない。ベース部６５も、吸引部６８に吸引される基板Ｗと接触しない。 The hand 61 includes a suction unit 68. The suction portion 68 is attached to the base portion 65. The suction unit 68 blows out the gas. The suction unit 68 blows out the gas downward. The suction unit 68 blows gas onto the substrate W from a position above the substrate W. Here, the "position above the substrate W" is a position higher than the substrate W and overlaps with the substrate W in a plan view. In FIG. 15, the substrate W sucked by the suction unit 68 is shown by a broken line. The suction unit 68 blows gas onto the upper surface 17 of the substrate W. The suction unit 68 allows gas to flow along the upper surface 17 of the substrate W. As a result, the suction unit 68 sucks the substrate W without contacting the substrate W. Specifically, a negative pressure is formed by the gas flowing along the upper surface 17 of the substrate W. That is, the air pressure received by the upper surface 17 of the substrate W is smaller than the air pressure received by the lower surface 16 of the substrate W. According to Bernoulli's principle, an upward force acts on the substrate W. That is, the substrate W is sucked upward. The substrate W is sucked toward the suction portion 68. However, the suction unit 68 does not come into contact with the substrate W sucked by the suction unit 68. The base portion 65 also does not come into contact with the substrate W sucked by the suction portion 68.

吸引部６８は、複数（６つ）の吸引パッド６９を含む。各吸引パッド６９は、ベース部６５の下面に設置される。吸引パッド６９は、ベース部６５に埋設される。各吸引パッド６９は、互いに離れている。各吸引パッド６９は、平面視で、吸引部６８に吸引された基板Ｗの中心Ｊ回りの円周上に配列される。 The suction unit 68 includes a plurality (six) suction pads 69. Each suction pad 69 is installed on the lower surface of the base portion 65. The suction pad 69 is embedded in the base portion 65. The suction pads 69 are separated from each other. The suction pads 69 are arranged on the circumference around the center J of the substrate W sucked by the suction portion 68 in a plan view.

各吸引パッド６９は、平面視において、円形である。各吸引パッド６９は、上下方向Ｚと平行な中心軸心を有する円筒形状を有する。各吸引パッド６９は、下方に開放された下部を有する。吸引パッド６９は、吸引パッド６９の下部から気体を吹き出す。吸引パッド６９が気体を吹き出す前に、吸引パッド６９は、旋回流を形成してもよい。例えば、吸引パッド６９は、吸引パッド６９の内部において吸引パッド６９の中心軸線回りに旋回する気流を形成し、その後、吸引パッド６９は旋回流を吸引パッド６９の外部に放出してもよい。 Each suction pad 69 is circular in plan view. Each suction pad 69 has a cylindrical shape having a central axis parallel to the vertical direction Z. Each suction pad 69 has a lower portion that is open downward. The suction pad 69 blows gas from the lower part of the suction pad 69. The suction pad 69 may form a swirling flow before the suction pad 69 blows out the gas. For example, the suction pad 69 may form an air flow that swirls around the central axis of the suction pad 69 inside the suction pad 69, and then the suction pad 69 may discharge the swirling flow to the outside of the suction pad 69.

搬送機構８は、気体供給路７１を備える。気体供給路７１は、吸引部６８に気体を供給する。気体供給路７１は、第１端と第２端を有する。気体供給路７１の第１端は、気体供給源７２に接続される。気体供給路７１の第２端は、吸引部６８に接続される。気体供給路７１の第２端は、各吸引パッド６９に接続される。吸引部６８に供給される気体は、例えば、窒素ガスや空気である。吸引部６８に供給される気体は、例えば、高圧ガスまたは圧縮ガスである。 The transport mechanism 8 includes a gas supply path 71. The gas supply path 71 supplies gas to the suction unit 68. The gas supply path 71 has a first end and a second end. The first end of the gas supply path 71 is connected to the gas supply source 72. The second end of the gas supply path 71 is connected to the suction portion 68. The second end of the gas supply path 71 is connected to each suction pad 69. The gas supplied to the suction unit 68 is, for example, nitrogen gas or air. The gas supplied to the suction unit 68 is, for example, a high pressure gas or a compressed gas.

搬送機構８は、吸引調整部７３を備える。吸引調整部７３は、気体供給路７１に設けられる。吸引調整部７３は、吸引部６８に供給する気体の流量を調整する。すなわち、吸引調整部７３は、吸引部６８が吹き出す気体の流量を調整する。吸引調整部７３は、吸引部６８に供給される気体の流量を無段階で調整してもよい。吸引調整部７３は、吸引部６８に供給される気体の流量を段階的に調整してもよい。吸引部６８に供給する気体の流量が大きくなるにしたがって、基板Ｗに作用する吸引力は大きくなる。吸引調整部７３は、例えば、流量調整弁を含む。吸引調整部７３は、さらに、開閉弁を含んでもよい。 The transport mechanism 8 includes a suction adjusting unit 73. The suction adjusting unit 73 is provided in the gas supply path 71. The suction adjusting unit 73 adjusts the flow rate of the gas supplied to the suction unit 68. That is, the suction adjusting unit 73 adjusts the flow rate of the gas blown out by the suction unit 68. The suction adjusting unit 73 may adjust the flow rate of the gas supplied to the suction unit 68 steplessly. The suction adjusting unit 73 may adjust the flow rate of the gas supplied to the suction unit 68 step by step. As the flow rate of the gas supplied to the suction unit 68 increases, the suction force acting on the substrate W increases. The suction adjusting unit 73 includes, for example, a flow rate adjusting valve. The suction adjusting unit 73 may further include an on-off valve.

ハンド６１は、接触部７４を備える。接触部７４は、ベース部６５の下面に取り付けられる。接触部７４は、ベース部６５から下方に突出する。接触部７４は、吸引部６８よりも低い位置まで突出する。接触部７４は、平面視において、吸引部６８に吸引される基板Ｗと重なる位置に配置される。接触部７４は、吸引部６８に吸引される基板Ｗの上面１７と接触する。より詳しくは、接触部７４は、基板Ｗの周縁部１２における上面１７と接触する。接触部７４は、吸引部６８に吸引される基板Ｗの下面１６と接触しない。接触部７４自体は、基板Ｗが接触部７４に対して下方に移動することを許容する。 The hand 61 includes a contact portion 74. The contact portion 74 is attached to the lower surface of the base portion 65. The contact portion 74 projects downward from the base portion 65. The contact portion 74 projects to a position lower than the suction portion 68. The contact portion 74 is arranged at a position overlapping the substrate W sucked by the suction portion 68 in a plan view. The contact portion 74 comes into contact with the upper surface 17 of the substrate W that is sucked by the suction portion 68. More specifically, the contact portion 74 contacts the upper surface 17 on the peripheral edge portion 12 of the substrate W. The contact portion 74 does not come into contact with the lower surface 16 of the substrate W that is sucked by the suction portion 68. The contact portion 74 itself allows the substrate W to move downward with respect to the contact portion 74.

吸引部６８が基板Ｗを上方に吸引し、かつ、接触部７４が基板Ｗの上面１７と接触することによって、基板Ｗは支持され、かつ、所定の位置に保たれる。すなわち、ハンド６１は、基板Ｗを保持する。 The substrate W is supported and kept in a predetermined position by the suction portion 68 sucking the substrate W upward and the contact portion 74 contacting the upper surface 17 of the substrate W. That is, the hand 61 holds the substrate W.

接触部７４は、吸引部６８よりも、吸引部６８に吸引される基板Ｗの中心Ｊから遠い位置に配置される。接触部７４は、吸引部６８よりも、吸引部６８に吸引される基板Ｗの径方向外方に配置される。 The contact portion 74 is arranged at a position farther from the center J of the substrate W sucked by the suction portion 68 than the suction portion 68. The contact portion 74 is arranged outside the radial direction of the substrate W sucked by the suction portion 68 with respect to the suction portion 68.

接触部７４は、複数（例えば２つ）の第１接触部７５と複数（例えば２つ）の第２接触部７６とを含む。第１接触部７５の位置は、底面視において、後述する第１受け部８２の位置と略同じである。第１接触部７５と第２接触部７６は、互いに離れている。第１接触部７５は、ベース部６５の先端部に取り付けられる。第１接触部７５は、吸引部６８よりも、連結部６４から遠い位置に配置される。第２接触部７６は、ベース部６５の基端部に取り付けられる。第２接触部７６は、吸引部６８よりも、連結部６４に近い位置に配置される。 The contact portion 74 includes a plurality of (for example, two) first contact portions 75 and a plurality of (for example, two) second contact portions 76. The position of the first contact portion 75 is substantially the same as the position of the first receiving portion 82, which will be described later, in bottom view. The first contact portion 75 and the second contact portion 76 are separated from each other. The first contact portion 75 is attached to the tip end portion of the base portion 65. The first contact portion 75 is arranged at a position farther from the connecting portion 64 than the suction portion 68. The second contact portion 76 is attached to the base end portion of the base portion 65. The second contact portion 76 is arranged at a position closer to the connecting portion 64 than the suction portion 68.

ハンド６１は、壁部７７を備える。壁部７７は、ベース部６５の下面に取り付けられる。壁部７７は、ベース部６５から下方に延びる。壁部７７は、接触部７４よりも低い位置まで延びる。壁部７７は、吸引部６８に吸引される基板Ｗよりも低い位置まで延びる。壁部７７は、平面視において、吸引部６８に吸引された基板Ｗと重ならない位置に配置される。壁部７７は、吸引部６８に吸引された基板Ｗの側方に配置される。壁部７７は、吸引部６８に吸引された基板Ｗと接触しない。ただし、基板Ｗが水平方向に所定値以上、ずれたとき、壁部７７は基板Ｗと接触する。これにより、壁部７７は、基板Ｗが水平方向に所定値以上、ずれることを、規制する。所定値は、例えば、３［ｍｍ］である。 The hand 61 includes a wall portion 77. The wall portion 77 is attached to the lower surface of the base portion 65. The wall portion 77 extends downward from the base portion 65. The wall portion 77 extends to a position lower than the contact portion 74. The wall portion 77 extends to a position lower than the substrate W sucked by the suction portion 68. The wall portion 77 is arranged at a position that does not overlap with the substrate W sucked by the suction portion 68 in a plan view. The wall portion 77 is arranged on the side of the substrate W sucked by the suction portion 68. The wall portion 77 does not come into contact with the substrate W sucked by the suction portion 68. However, when the substrate W is displaced by a predetermined value or more in the horizontal direction, the wall portion 77 comes into contact with the substrate W. As a result, the wall portion 77 regulates that the substrate W is displaced by a predetermined value or more in the horizontal direction. The predetermined value is, for example, 3 [mm].

壁部７７は、接触部７４よりも、吸引部６８に吸引された基板Ｗの中心Ｊから遠い位置に配置される。壁部７７は、接触部７４よりも、吸引部６８に吸引された基板Ｗの径方向外方に配置される。 The wall portion 77 is arranged at a position farther from the center J of the substrate W sucked by the suction portion 68 than the contact portion 74. The wall portion 77 is arranged outside the radial direction of the substrate W sucked by the suction portion 68 with respect to the contact portion 74.

壁部７７は、複数（例えば２つ）の第１壁部７８と複数（例えば２つ）の第２壁部７９とを含む。第１壁部７８と第２壁部７９は、ベース部６５に固定される。第１壁部７８と第２壁部７９は、互いに離れている。第１壁部７８は、ベース部６５の先端部に取り付けられる。第１壁部７８は、吸引部６８よりも、連結部６４から遠い位置に配置される。第２壁部７９は、ベース部６５の基端部に取り付けられる。第２壁部７９は、吸引部６８よりも、連結部６４に近い位置に配置される。 The wall portion 77 includes a plurality of (for example, two) first wall portions 78 and a plurality of (for example, two) second wall portions 79. The first wall portion 78 and the second wall portion 79 are fixed to the base portion 65. The first wall portion 78 and the second wall portion 79 are separated from each other. The first wall portion 78 is attached to the tip end portion of the base portion 65. The first wall portion 78 is arranged at a position farther from the connecting portion 64 than the suction portion 68. The second wall portion 79 is attached to the base end portion of the base portion 65. The second wall portion 79 is arranged at a position closer to the connecting portion 64 than the suction portion 68.

第１壁部７８は、第１接触部７５と接続される。第１壁部７８は、第１接触部７５から下方に延びる。第２壁部７９は、第２接触部７６と接続される。第２壁部７９は、第２接触部７６から下方に延びる。 The first wall portion 78 is connected to the first contact portion 75. The first wall portion 78 extends downward from the first contact portion 75. The second wall portion 79 is connected to the second contact portion 76. The second wall portion 79 extends downward from the second contact portion 76.

ハンド６１は、受け部８１を備える。受け部８１は、ベース部に支持される。受け部８１は、吸引部６８に吸引される基板Ｗの下方に配置される。受け部８１は、吸引部６８に吸引される基板Ｗと接触しない。受け部８１は、基板Ｗの下面１６を受けることができる。すなわち、受け部８１は、基板Ｗの下面１６と接触可能である。受け部８１は、基板Ｗを支持できる。受け部８１は、基板Ｗの上面１７を接触しない。受け部８１は、基板Ｗが受け部８１に対して上方に移動することを許容する。 The hand 61 includes a receiving portion 81. The receiving portion 81 is supported by the base portion. The receiving portion 81 is arranged below the substrate W sucked by the suction portion 68. The receiving portion 81 does not come into contact with the substrate W sucked by the suction portion 68. The receiving portion 81 can receive the lower surface 16 of the substrate W. That is, the receiving portion 81 is in contact with the lower surface 16 of the substrate W. The receiving portion 81 can support the substrate W. The receiving portion 81 does not contact the upper surface 17 of the substrate W. The receiving portion 81 allows the substrate W to move upward with respect to the receiving portion 81.

受け部８１は、複数（例えば２つ）の第１受け部８２を備える。第１受け部８２は、ベース部６５に支持される。第１受け部８２は、ベース部６５に固定される。第１受け部８２は、ベース部６５に対して移動不能である。第１受け部８２は、吸引部６８に吸引される基板Ｗの下方に配置される。第１受け部８２は、基板Ｗの下面１６を受けることができる。すなわち、第１受け部８２は、基板Ｗの下面１６と接触可能である。 The receiving portion 81 includes a plurality of (for example, two) first receiving portions 82. The first receiving portion 82 is supported by the base portion 65. The first receiving portion 82 is fixed to the base portion 65. The first receiving portion 82 is immovable with respect to the base portion 65. The first receiving portion 82 is arranged below the substrate W sucked by the suction portion 68. The first receiving portion 82 can receive the lower surface 16 of the substrate W. That is, the first receiving portion 82 can come into contact with the lower surface 16 of the substrate W.

第１受け部８２は、吸引部６８よりも、吸引部６８に吸引される基板Ｗの中心Ｊから遠い位置に配置される。第１受け部８２は、吸引部６８よりも、吸引部６８に吸引される基板Ｗの径方向外方に配置される。第１受け部８２は、ベース部６５の先端部に配置される。第１受け部８２は、吸引部６８よりも、連結部６４から遠い位置に配置される。 The first receiving portion 82 is arranged at a position farther from the center J of the substrate W sucked by the suction portion 68 than the suction portion 68. The first receiving portion 82 is arranged outside the radial direction of the substrate W sucked by the suction portion 68 with respect to the suction portion 68. The first receiving portion 82 is arranged at the tip end portion of the base portion 65. The first receiving portion 82 is arranged at a position farther from the connecting portion 64 than the suction portion 68.

第１受け部８２は、第１接触部７５の下方に配置される。第１受け部８２は、平面視において、第１接触部７５と重なる。 The first receiving portion 82 is arranged below the first contact portion 75. The first receiving portion 82 overlaps with the first contact portion 75 in a plan view.

第１受け部８２は、第１壁部７８に接続される。第１受け部８２は、第１壁部７８から水平方向に延びる。第１受け部８２は、平面視において、第１壁部７８から、吸引部６８に吸引される基板Ｗの中心Ｊに向かって延びる。 The first receiving portion 82 is connected to the first wall portion 78. The first receiving portion 82 extends in the horizontal direction from the first wall portion 78. The first receiving portion 82 extends from the first wall portion 78 toward the center J of the substrate W sucked by the suction portion 68 in a plan view.

上述した第１接触部７５と第１壁部７８と第１受け部８２は、一体に成形された部材である。第１接触部７５と第１壁部７８と第１受け部８２は、互いに分離不能である。第２接触部７６と第２壁部７９は、一体に成形された部材である。第２接触部７６と第２壁部７９は、互いに分離不能である。 The first contact portion 75, the first wall portion 78, and the first receiving portion 82 described above are integrally molded members. The first contact portion 75, the first wall portion 78, and the first receiving portion 82 are inseparable from each other. The second contact portion 76 and the second wall portion 79 are integrally molded members. The second contact portion 76 and the second wall portion 79 are inseparable from each other.

搬送機構８は、第２受け部８３を備える。第２受け部８３は、ベース部６５に支持される。第２受け部８３は、吸引部６８に吸引される基板Ｗの下方に配置される。第２受け部８３は、基板Ｗの下面１６を受けることができる。すなわち、第２受け部８３は、基板Ｗの下面１６と接触可能である。 The transport mechanism 8 includes a second receiving portion 83. The second receiving portion 83 is supported by the base portion 65. The second receiving portion 83 is arranged below the substrate W sucked by the suction portion 68. The second receiving portion 83 can receive the lower surface 16 of the substrate W. That is, the second receiving portion 83 can come into contact with the lower surface 16 of the substrate W.

第２受け部８３は、吸引部６８よりも、吸引部６８に吸引された基板Ｗの中心Ｊから遠い位置に配置される。第２受け部８３は、吸引部６８よりも、吸引部６８に吸引された基板Ｗの径方向外方に配置される。第２受け部８３は、ベース部６５の基端部に配置される。第２受け部８３は、吸引部６８よりも、連結部６４に近い位置に配置される。第２受け部８３は、２つの枝部６６の間に配置される。第２受け部８３は、２つの第２接触部７６の間に配置される。 The second receiving portion 83 is arranged at a position farther from the center J of the substrate W sucked by the suction portion 68 than the suction portion 68. The second receiving portion 83 is arranged outside the suction portion 68 in the radial direction of the substrate W sucked by the suction portion 68. The second receiving portion 83 is arranged at the base end portion of the base portion 65. The second receiving portion 83 is arranged at a position closer to the connecting portion 64 than the suction portion 68. The second receiving portion 83 is arranged between the two branch portions 66. The second receiving portion 83 is arranged between the two second contact portions 76.

第２受け部８３は、ベース部６５に対して移動可能である。第２受け部８３は、ベース部６５に対して水平方向に移動可能である。具体的には、第２受け部８３は、脱落防止位置と退避位置に移動可能である。図１５は、脱落防止位置にある第２受け部８３を破線で示す。図１５は、退避位置にある第２受け部８３を実線で示す。第２受け部８３が退避位置から脱落防止位置に移動するとき、第２受け部８３は第１受け部８２に接近する。第２受け部８３が脱落防止位置から退避位置に移動するとき、第２受け部８３は第１受け部８２から遠ざかる。第２受け部８３が退避位置にあるとき、第２受け部８３は、平面視において、吸引部６８に吸引される基板Ｗと重ならない。 The second receiving portion 83 is movable with respect to the base portion 65. The second receiving portion 83 is movable in the horizontal direction with respect to the base portion 65. Specifically, the second receiving portion 83 can be moved to the dropout prevention position and the retracted position. In FIG. 15, the second receiving portion 83 at the dropout prevention position is shown by a broken line. In FIG. 15, the second receiving portion 83 in the retracted position is shown by a solid line. When the second receiving portion 83 moves from the retracted position to the dropout prevention position, the second receiving portion 83 approaches the first receiving portion 82. When the second receiving portion 83 moves from the dropout prevention position to the retracted position, the second receiving portion 83 moves away from the first receiving portion 82. When the second receiving portion 83 is in the retracted position, the second receiving portion 83 does not overlap with the substrate W sucked by the suction portion 68 in a plan view.

図１７は、吸引部６８と、吸引部６８に吸引される基板Ｗと、受け部８１との平面図である。図１７では、第２受け部が脱落防止部にある。第１受け部８２の少なくとも一部は、平面視において、吸引部６８に吸引される基板Ｗと重なる。第２受け部８３が脱落防止位置にあるとき、第２受け部８３の少なくとも一部は、平面視において、吸引部６８に吸引される基板Ｗと重なる。第２受け部８３は、吸引部６８に吸引された基板Ｗの中心Ｊに対して、第１受け部８２とは反対側に配置される。 FIG. 17 is a plan view of the suction unit 68, the substrate W sucked by the suction unit 68, and the receiving unit 81. In FIG. 17, the second receiving portion is in the dropout prevention portion. At least a part of the first receiving portion 82 overlaps with the substrate W sucked by the suction portion 68 in a plan view. When the second receiving portion 83 is in the dropout prevention position, at least a part of the second receiving portion 83 overlaps with the substrate W sucked by the suction portion 68 in a plan view. The second receiving portion 83 is arranged on the side opposite to the first receiving portion 82 with respect to the center J of the substrate W sucked by the suction portion 68.

図１８は、受け部８１の平面図である。図１８では、第２受け部８３が退避位置にある。第２受け部８３が退避位置にあるとき、第１受け部８２と第２受け部８３の間のスペースは、基板Ｗよりも大きい。第２受け部８３が退避位置にあるとき、基板Ｗは、水平姿勢で、第１受け部８２と第２受け部８３の間を上下方向Ｚに通過可能である。図１８では、便宜上、基板Ｗを示す。なお、図１８に示される基板Ｗの位置は、吸引部６８に吸引される基板Ｗの位置とは異なる。 FIG. 18 is a plan view of the receiving portion 81. In FIG. 18, the second receiving portion 83 is in the retracted position. When the second receiving portion 83 is in the retracted position, the space between the first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 is larger than that of the substrate W. When the second receiving portion 83 is in the retracted position, the substrate W can pass between the first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 in the vertical direction Z in a horizontal posture. In FIG. 18, the substrate W is shown for convenience. The position of the substrate W shown in FIG. 18 is different from the position of the substrate W sucked by the suction unit 68.

図１５、１６（ａ）、１６（ｂ）を参照する。壁部７７は、さらに、第３壁部８０を含む。第３壁部８０は、第２受け部８３に接続される。第３壁部８０は、第２受け部８３から上方に延びる。第２受け部８３は、第３壁部８０から水平方向に延びる。第２受け部８３は、平面視において、第３壁部８０から、吸引部６８に吸引される基板Ｗの中心Ｊに向かって延びる。 See FIGS. 15, 16 (a) and 16 (b). The wall portion 77 further includes a third wall portion 80. The third wall portion 80 is connected to the second receiving portion 83. The third wall portion 80 extends upward from the second receiving portion 83. The second receiving portion 83 extends in the horizontal direction from the third wall portion 80. The second receiving portion 83 extends from the third wall portion 80 toward the center J of the substrate W sucked by the suction portion 68 in a plan view.

第２受け部８３と第３壁部８０は、一体に成形された部材である。第２受け部８３と第３壁部８０は、互いに分離不能である。第２受け部８３と第３壁部８０は、一体に移動する。第３壁部８０も、ベース部６５に対して移動可能である。 The second receiving portion 83 and the third wall portion 80 are integrally molded members. The second receiving portion 83 and the third wall portion 80 are inseparable from each other. The second receiving portion 83 and the third wall portion 80 move integrally. The third wall portion 80 is also movable with respect to the base portion 65.

ハンド６１は、受け部駆動部８６を備える。受け部駆動部８６は、例えば、ベース部６５に支持される。受け部駆動部８６は、第２受け部８３と連結する。例えば、受け部駆動部８６は、第３壁部８０を介して、第２受け部８３と連結する。受け部駆動部８６は、第２受け部８３をベース部６５に対して移動させる。受け部駆動部８６は、第２受け部８３を水平方向に移動させる。受け部駆動部８６は、第２受け部８３を第３方向Ｆ３に往復移動させる。受け部駆動部８６は、第２受け部８３を第１受け部８２に接近させ、かつ、第２受け部８３を第１受け部８２から離反させる。受け部駆動部８６は、脱落防止位置と退避位置に、第２受け部８３を移動させる。 The hand 61 includes a receiving unit driving unit 86. The receiving unit driving unit 86 is supported by, for example, the base unit 65. The receiving unit drive unit 86 is connected to the second receiving unit 83. For example, the receiving portion driving unit 86 is connected to the second receiving portion 83 via the third wall portion 80. The receiving unit drive unit 86 moves the second receiving unit 83 with respect to the base unit 65. The receiving unit driving unit 86 moves the second receiving unit 83 in the horizontal direction. The receiving unit driving unit 86 reciprocates the second receiving unit 83 in the third direction F3. The receiving portion driving unit 86 brings the second receiving portion 83 closer to the first receiving portion 82 and separates the second receiving portion 83 from the first receiving portion 82. The receiving unit drive unit 86 moves the second receiving unit 83 to the dropout prevention position and the retracted position.

受け部駆動部８６は、アクチュエータ８７を備える。アクチュエータ８７は、アクチュエータ８７に入力された動力源によって、第２受け部８３を移動ささる。アクチュエータ８７は、退避位置から脱落防止位置に第２受け部８３を移動させ、かつ、脱落防止位置から退避位置に第２受け部８３を移動させる。アクチュエータ８７は、例えば、エアシリンダである。エアシリンダの動力源は、空気圧である。アクチュエータ８７は、例えば、電動モータである。電動モータの動力源は、電力である。 The receiving unit drive unit 86 includes an actuator 87. The actuator 87 moves the second receiving portion 83 by the power source input to the actuator 87. The actuator 87 moves the second receiving portion 83 from the retracted position to the dropout prevention position, and moves the second receiving portion 83 from the dropout prevention position to the retracted position. The actuator 87 is, for example, an air cylinder. The power source of the air cylinder is air pressure. The actuator 87 is, for example, an electric motor. The power source of the electric motor is electric power.

受け部駆動部８６は、さらに、弾性部材８８を備える。弾性部材８８は、第２受け部８３を、退避位置から脱落防止位置に向かって付勢する。弾性部材８８は、例えば、バネである。弾性部材８８は、アクチュエータ８７の外部に配置されてもよい。あるいは、弾性部材８８は、アクチュエータ８７の内部に配置されてもよい。 The receiving unit driving unit 86 further includes an elastic member 88. The elastic member 88 urges the second receiving portion 83 from the retracted position toward the dropout prevention position. The elastic member 88 is, for example, a spring. The elastic member 88 may be arranged outside the actuator 87. Alternatively, the elastic member 88 may be arranged inside the actuator 87.

アクチュエータ８７の動力源が停止したとき、第２受け部８３は、弾性部材８８によって、退避位置に保たれる。 When the power source of the actuator 87 is stopped, the second receiving portion 83 is held in the retracted position by the elastic member 88.

ハンド６１は、基板検出部８９を備える。基板検出部８９は、ハンド６１に支持される基板Ｗを検出する。基板検出部８９は、ベース部６５に取り付けられる。 The hand 61 includes a substrate detection unit 89. The board detection unit 89 detects the board W supported by the hand 61. The substrate detection unit 89 is attached to the base unit 65.

図２を参照する。搬送機構８のハンド駆動部６２、吸引調整部７３、受け部駆動部８６（アクチュエータ８７）および基板検出部８９は、制御部９と通信可能に接続される。制御部９は、基板検出部８９の検出結果を受ける。制御部９は、ハンド駆動部６２、吸引調整部７３および受け部駆動部８６（アクチュエータ８７）を制御する。 See FIG. The hand drive unit 62, the suction adjustment unit 73, the receiving unit drive unit 86 (actuator 87), and the board detection unit 89 of the transfer mechanism 8 are communicably connected to the control unit 9. The control unit 9 receives the detection result of the substrate detection unit 89. The control unit 9 controls the hand drive unit 62, the suction adjustment unit 73, and the receiving unit drive unit 86 (actuator 87).

図１を参照する。処理ユニット７の基本的な構造を説明する。各処理ユニット７は、基板保持部９１と回転駆動部９２とガード９３を備える。基板保持部９１は、１枚の基板Ｗを保持する。基板保持部９１は、基板Ｗを水平姿勢で保持する。回転駆動部９２は、基板保持部９１に連結される。回転駆動部９２は、基板保持部９１を回転する。ガード９３は、基板保持部９１の側方を囲むように配置される。ガード９３は、処理液を受ける。 See FIG. The basic structure of the processing unit 7 will be described. Each processing unit 7 includes a substrate holding unit 91, a rotation driving unit 92, and a guard 93. The substrate holding portion 91 holds one substrate W. The substrate holding portion 91 holds the substrate W in a horizontal posture. The rotation drive unit 92 is connected to the substrate holding unit 91. The rotation drive unit 92 rotates the substrate holding unit 91. The guard 93 is arranged so as to surround the side of the substrate holding portion 91. The guard 93 receives the treatment liquid.

処理ユニット７は、基板保持部９１の構造によって、第１処理ユニット７Ａと第２処理ユニット７Ｂに分類される。第１処理ユニット７Ａの基板保持部９１は、ベルヌーイチャック、または、ベルヌーイグリッパーと呼ばれる。ベルヌーイチャックは、比較的に薄い基板Ｗを保持するのに適している。第２処理ユニット７Ｂの基板保持部９１は、メカニカルチャック、または、メカニカルグリッパーと呼ばれる。メカニカルチャックは、比較的に厚い基板Ｗを保持するのに適している。 The processing unit 7 is classified into a first processing unit 7A and a second processing unit 7B according to the structure of the substrate holding portion 91. The substrate holding portion 91 of the first processing unit 7A is called a Bernoulli chuck or a Bernoulli gripper. The Bernoulli chuck is suitable for holding a relatively thin substrate W. The substrate holding portion 91 of the second processing unit 7B is called a mechanical chuck or a mechanical gripper. The mechanical chuck is suitable for holding a relatively thick substrate W.

例えば、第１処理セクション４２に配置される６個の処理ユニット７はそれぞれ、第１処理ユニット７Ａである。例えば、第２処理セクション４３に配置される６個の処理ユニット７はそれぞれ、第２処理ユニット７Ｂである。 For example, the six processing units 7 arranged in the first processing section 42 are each the first processing unit 7A. For example, the six processing units 7 arranged in the second processing section 43 are each the second processing unit 7B.

以下では、第１処理ユニット７Ａの基板保持部９１を、適宜に「第１基板保持部９１Ａ」と表記する。第１処理ユニット７Ａの回転駆動部９２を、適宜に「第１回転駆動部９２Ａ」と表記する。第２処理ユニット７Ｂの基板保持部９１を、適宜に「第２基板保持部９１Ｂ」と表記する。第２処理ユニット７Ｂの回転駆動部９２を、適宜に「第２回転駆動部９２Ｂ」と表記する。 In the following, the substrate holding portion 91 of the first processing unit 7A will be appropriately referred to as “first substrate holding portion 91A”. The rotation drive unit 92 of the first processing unit 7A is appropriately referred to as "first rotation drive unit 92A". The substrate holding portion 91 of the second processing unit 7B is appropriately referred to as "second substrate holding portion 91B". The rotation drive unit 92 of the second processing unit 7B is appropriately referred to as "second rotation drive unit 92B".

図１９は、第１処理ユニット７Ａの構成を模式的に示す図である。図１９は、ガード９３の図示を省略する。第１処理ユニット７Ａの構造について説明する。 FIG. 19 is a diagram schematically showing the configuration of the first processing unit 7A. FIG. 19 omits the illustration of the guard 93. The structure of the first processing unit 7A will be described.

第１基板保持部９１Ａは、第１プレート１０１を備える。第１プレート１０１は、略円盤形状を有する。第１プレート１０１は、上面１０２を有する。上面１０２は、略水平である。上面１０２は、略平坦である。 The first substrate holding portion 91A includes a first plate 101. The first plate 101 has a substantially disk shape. The first plate 101 has an upper surface 102. The upper surface 102 is substantially horizontal. The upper surface 102 is substantially flat.

第１回転駆動部９２Ａは、第１プレート１０１の下部に連結される。第１回転駆動部９２Ａは、第１プレート１０１を回転する。第１回転駆動部９２Ａによって、第１プレート１０１は、回転軸線Ａ３回りに回転する。回転軸線Ａ３は、上下方向Ｚと平行である。
回転軸線Ａ３は、第１プレート１０１の中心を通る。 The first rotation drive unit 92A is connected to the lower part of the first plate 101. The first rotation drive unit 92A rotates the first plate 101. The first rotation drive unit 92A rotates the first plate 101 around the rotation axis A3. The rotation axis A3 is parallel to the vertical direction Z.
The rotation axis A3 passes through the center of the first plate 101.

図２０は、第１プレート１０１の平面図である。第１プレート１０１の上面１０２は、平面視において、円形である。第１プレート１０１の上面１０２は、平面視において、基板Ｗよりも大きい。 FIG. 20 is a plan view of the first plate 101. The upper surface 102 of the first plate 101 is circular in a plan view. The upper surface 102 of the first plate 101 is larger than the substrate W in a plan view.

第１基板保持部９１Ａは、複数（例えば３０個）の固定ピン１０３を備える。固定ピン１０３は、基板Ｗを支持する。各固定ピン１０３は、第１プレート１０１に固定される。各固定ピン１０３は、第１プレート１０１に対して移動不能である。各固定ピン１０３は、第１プレート１０１に対して回転不能である。各固定ピン１０３は、第１プレート１０１に対して移動可能な可動部を有しない。 The first substrate holding portion 91A includes a plurality of (for example, 30) fixing pins 103. The fixing pin 103 supports the substrate W. Each fixing pin 103 is fixed to the first plate 101. Each fixing pin 103 is immovable with respect to the first plate 101. Each fixing pin 103 is non-rotatable with respect to the first plate 101. Each fixing pin 103 does not have a movable portion that is movable with respect to the first plate 101.

固定ピン１０３は、第１プレート１０１の上面１０２の周縁部に配置される。固定ピン１０３は、平面視で、回転軸線Ａ３回りの円周上に配列される。各固定ピン１０３は、互いに離れている。 The fixing pin 103 is arranged on the peripheral edge of the upper surface 102 of the first plate 101. The fixing pins 103 are arranged on the circumference around the rotation axis A3 in a plan view. The fixing pins 103 are separated from each other.

図１９、２０を参照する。固定ピン１０３は、第１プレート１０１の上面１０２から上方に突出する。固定ピン１０３は、基板Ｗの下面１６と接触する。より詳しくは、固定ピン１０３は、基板Ｗの周縁部１２における下面１６と接触する。これにより、固定ピン１０３は、第１プレート１０１の上面１０２よりも高い位置で基板Ｗを支持する。図２０は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗを破線で示す。 See FIGS. 19 and 20. The fixing pin 103 projects upward from the upper surface 102 of the first plate 101. The fixing pin 103 comes into contact with the lower surface 16 of the substrate W. More specifically, the fixing pin 103 comes into contact with the lower surface 16 on the peripheral edge 12 of the substrate W. As a result, the fixing pin 103 supports the substrate W at a position higher than the upper surface 102 of the first plate 101. In FIG. 20, the substrate W supported by the fixing pin 103 is shown by a broken line.

固定ピン１０３は、基板Ｗの上面１７と接触しない。固定ピン１０３は、基板Ｗが固定ピン１０３に対して上方に移動することを許容する。固定ピン１０３は、基板Ｗの端縁２０と接触しない。固定ピン１０３自体は、基板Ｗが固定ピン１０３に対して滑ることを許容する。このように、固定ピン１０３自体は、基板Ｗを保持しない。 The fixing pin 103 does not come into contact with the upper surface 17 of the substrate W. The fixing pin 103 allows the substrate W to move upward with respect to the fixing pin 103. The fixing pin 103 does not come into contact with the edge 20 of the substrate W. The fixing pin 103 itself allows the substrate W to slide with respect to the fixing pin 103. As described above, the fixing pin 103 itself does not hold the substrate W.

第１基板保持部９１Ａは、気体吹出口１０４を備える。気体吹出口１０４は、第１プレート１０１の上面１０２に形成される。気体吹出口１０４は、平面視において、固定ピン１０３に支持される基板Ｗと重なる位置に配置される。気体吹出口１０４は、上方に気体を吹き出す。気体吹出口１０４は、第１プレート１０１の上面１０２と固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６との間に、気体を吹き出す。気体吹出口１０４は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下方の位置から、基板Ｗに気体を吹き出す。気体は、第１プレート１０１の上面１０２と固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６の間に供給される。気体は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６に沿って流れる。これにより、気体吹出口１０４は、基板Ｗを吸引する。具体的には、気体が基板Ｗの下面１６に沿って流れることによって、負圧が形成される。すなわち、基板Ｗの下面１６が受ける気圧は、基板Ｗの上面１７が受ける気圧よりも、小さい。ベルヌーイの原理により、基板Ｗに下向きの力が働く。すなわち、基板Ｗが下方に吸引される。基板Ｗは気体吹出口１０４および第１プレート１０１に向かって吸引される。ただし、気体吹出口１０４は、基板Ｗと接触しない。第１プレート１０１も、基板Ｗと接触しない。 The first substrate holding portion 91A includes a gas outlet 104. The gas outlet 104 is formed on the upper surface 102 of the first plate 101. The gas outlet 104 is arranged at a position overlapping the substrate W supported by the fixing pin 103 in a plan view. The gas outlet 104 blows out gas upward. The gas outlet 104 blows gas between the upper surface 102 of the first plate 101 and the lower surface 16 of the substrate W supported by the fixing pin 103. The gas outlet 104 blows gas onto the substrate W from a position below the substrate W supported by the fixing pin 103. The gas is supplied between the upper surface 102 of the first plate 101 and the lower surface 16 of the substrate W supported by the fixing pin 103. The gas flows along the lower surface 16 of the substrate W supported by the fixing pin 103. As a result, the gas outlet 104 sucks the substrate W. Specifically, a negative pressure is formed by the gas flowing along the lower surface 16 of the substrate W. That is, the air pressure received by the lower surface 16 of the substrate W is smaller than the air pressure received by the upper surface 17 of the substrate W. According to Bernoulli's principle, a downward force acts on the substrate W. That is, the substrate W is sucked downward. The substrate W is sucked toward the gas outlet 104 and the first plate 101. However, the gas outlet 104 does not come into contact with the substrate W. The first plate 101 also does not come into contact with the substrate W.

気体吹出口１０４が基板Ｗを下方に吸引し、かつ、固定ピン１０３が基板Ｗの下面１６と接触することによって、基板Ｗは支持され、かつ、所定の位置に保たれる。基板Ｗに働く吸引力によって、基板Ｗは固定ピン１０３に対して水平方向に滑らない。すなわち、第１基板保持部９１Ａは、基板Ｗを保持する。 The gas outlet 104 sucks the substrate W downward, and the fixing pin 103 comes into contact with the lower surface 16 of the substrate W, so that the substrate W is supported and kept in a predetermined position. Due to the suction force acting on the substrate W, the substrate W does not slide horizontally with respect to the fixing pin 103. That is, the first substrate holding portion 91A holds the substrate W.

気体吹出口１０４は、１つの第１吹出口１０５と複数の第２吹出口１０６を備える。第１吹出口１０５は、第１プレート１０１の上面１０２の中央部に配置される。第１吹出口１０５は、第１プレート１０１の回転軸線Ａ３上に配置される。第２吹出口１０６は、第１吹出口１０５よりも、第１プレート１０１の回転軸線Ａ３の径方向外方に配置される。第２吹出口１０６は、固定ピン１０３よりも、第１プレート１０１の回転軸線Ａ３の径方向内方に配置される。第２吹出口１０６は、平面視で、回転軸線Ａ３回りの円周上に配列される。 The gas outlet 104 includes one first outlet 105 and a plurality of second outlets 106. The first outlet 105 is arranged at the center of the upper surface 102 of the first plate 101. The first outlet 105 is arranged on the rotation axis A3 of the first plate 101. The second outlet 106 is arranged outside the radial direction of the rotation axis A3 of the first plate 101 with respect to the first outlet 105. The second outlet 106 is arranged inward in the radial direction of the rotation axis A3 of the first plate 101 with respect to the fixing pin 103. The second outlet 106 is arranged on the circumference around the rotation axis A3 in a plan view.

第１処理ユニット７Ａは、第１気体供給路１０７と第２気体供給路１０８を備える。第１気体供給路１０７は、第１吹出口１０５に気体を供給する。第２気体供給路１０８は、第２吹出口１０６に気体を供給する。第１気体供給路１０７の一部および第２気体供給路１０８の一部は、第１プレート１０１の内部に形成されている。第１気体供給路１０７は、第１端と第２端を有する。第１気体供給路１０７の第１端は、気体供給源１０９に接続される。第１気体供給路１０７の第２端は、第１吹出口１０５に接続される。第２気体供給路１０８は、第１端と第２端を有する。第２気体供給路１０８の第１端は、気体供給源１０９に接続される。第２気体供給路１０８の第２端は、第２吹出口１０６に接続される。第１吹出口１０５および第２吹出口１０６に供給される気体は、例えば、窒素ガスや空気である。第１吹出口１０５および第２吹出口１０６に供給される気体は、例えば、高圧ガスまたは圧縮ガスである。 The first processing unit 7A includes a first gas supply path 107 and a second gas supply path 108. The first gas supply path 107 supplies gas to the first outlet 105. The second gas supply path 108 supplies gas to the second outlet 106. A part of the first gas supply path 107 and a part of the second gas supply path 108 are formed inside the first plate 101. The first gas supply path 107 has a first end and a second end. The first end of the first gas supply path 107 is connected to the gas supply source 109. The second end of the first gas supply path 107 is connected to the first outlet 105. The second gas supply path 108 has a first end and a second end. The first end of the second gas supply path 108 is connected to the gas supply source 109. The second end of the second gas supply path 108 is connected to the second outlet 106. The gas supplied to the first outlet 105 and the second outlet 106 is, for example, nitrogen gas or air. The gas supplied to the first outlet 105 and the second outlet 106 is, for example, a high pressure gas or a compressed gas.

第１処理ユニット７Ａは、第１吹出調整部１１１と第２吹出調整部１１２を備える。第１吹出調整部１１１は、第１気体供給路１０７に設けられる。第２吹出調整部１１２は、第２気体供給路１０８に設けられる。第１吹出調整部１１１は、第１吹出口１０５が吹き出す気体の流量を調整する。すなわち、第１吹出調整部１１１は、第１吹出口１０５に供給される気体の流量を調整する。第２吹出調整部１１２は、第２吹出口１０６が吹き出す気体の流量を調整する。すなわち、第２吹出調整部１１２は、第２吹出口１０６に供給される気体の流量を調整する。第１吹出口１０５が吹き出す気体の流量が大きくなるにしたがって、基板Ｗに作用する吸引力は大きくなる。第２吹出口１０６が吹き出す気体の流量が大きくなるにしたがって、基板Ｗに作用する吸引力は大きくなる。 The first processing unit 7A includes a first blowout adjusting unit 111 and a second blowout adjustment unit 112. The first blowout adjusting unit 111 is provided in the first gas supply path 107. The second blowout adjusting unit 112 is provided in the second gas supply path 108. The first outlet adjusting unit 111 adjusts the flow rate of the gas blown out by the first outlet 105. That is, the first outlet adjusting unit 111 adjusts the flow rate of the gas supplied to the first outlet 105. The second outlet adjusting unit 112 adjusts the flow rate of the gas blown out by the second outlet 106. That is, the second outlet adjusting unit 112 adjusts the flow rate of the gas supplied to the second outlet 106. As the flow rate of the gas blown out by the first outlet 105 increases, the suction force acting on the substrate W increases. As the flow rate of the gas blown out by the second outlet 106 increases, the suction force acting on the substrate W increases.

第１吹出調整部１１１は、第２吹出口１０６が吹き出す気体の流量を調整不能である。第２吹出調整部１１２は、第１吹出口１０５が吹き出す気体の流量を調整不能である。第１吹出調整部１１１と第２吹出調整部１１２は、互いに独立して、作動可能である。よって、第１吹出口１０５が吹き出す気体の流量と、第２吹出口１０６が吹き出す気体の流量を、互いに独立して、調整可能である。第１吹出調整部１１１と第２吹出調整部１１２はそれぞれ、例えば、流量調整弁を含む。第１吹出調整部１１１と第２吹出調整部１１２はそれぞれ、さらに、開閉弁を含んでもよい。 The first outlet adjusting unit 111 cannot adjust the flow rate of the gas blown out by the second outlet 106. The second outlet adjusting unit 112 cannot adjust the flow rate of the gas blown out by the first outlet 105. The first blowout adjusting unit 111 and the second blowout adjustment unit 112 can operate independently of each other. Therefore, the flow rate of the gas blown out by the first outlet 105 and the flow rate of the gas blown out by the second outlet 106 can be adjusted independently of each other. Each of the first blowout adjusting unit 111 and the second blowout adjusting unit 112 includes, for example, a flow rate adjusting valve. The first blowout adjusting section 111 and the second blowout adjusting section 112 may further include an on-off valve, respectively.

処理ユニット７は、複数（例えば６個）の位置調整ピン１１３を備える。位置調整ピン１１３は、第１プレート１０１に支持される。位置調整ピン１１３は、第１プレート１０１に対して水平方向に移動可能である。位置調整ピン１１３が第１プレート１０１に対して移動することによって、位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗと接触することができ、かつ、固定ピン１０３に支持された基板Ｗから離れることができる。より詳しくは、位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗの端縁２０と接触可能である。位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持された基板Ｗの位置を調整する。位置調整ピン１１３は、水平方向における基板Ｗの位置を調整する。位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗの中心Ｊを、第１プレート１０１の回転軸線Ａ３上に位置させる。 The processing unit 7 includes a plurality of (for example, six) position adjusting pins 113. The position adjusting pin 113 is supported by the first plate 101. The position adjusting pin 113 is movable in the horizontal direction with respect to the first plate 101. By moving the position adjusting pin 113 with respect to the first plate 101, the position adjusting pin 113 can come into contact with the substrate W supported by the fixing pin 103, and the substrate W supported by the fixing pin 103. Can be separated from. More specifically, the position adjusting pin 113 is in contact with the edge 20 of the substrate W supported by the fixing pin 103. The position adjusting pin 113 adjusts the position of the substrate W supported by the fixing pin 103. The position adjusting pin 113 adjusts the position of the substrate W in the horizontal direction. The position adjusting pin 113 positions the center J of the substrate W supported by the fixing pin 103 on the rotation axis A3 of the first plate 101.

本明細書では、基板Ｗと接触している位置調整ピン１１３の位置を、「調整位置」という。基板Ｗから離れている位置調整ピン１１３の位置を、「退避位置」という。位置調整ピン１１３は、調整位置と退避位置に移動可能である。 In the present specification, the position of the position adjusting pin 113 in contact with the substrate W is referred to as an “adjustment position”. The position of the position adjusting pin 113 away from the substrate W is referred to as a “retracted position”. The position adjustment pin 113 can be moved to the adjustment position and the retracted position.

位置調整ピン１１３は、第１プレート１０１の上面１０２の周縁部に配置される。位置調整ピン１１３は、平面視で、回転軸線Ａ３回りの円周上に配列される。位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持された基板Ｗと略同じ高さ位置に配置される。 The position adjusting pin 113 is arranged on the peripheral edge of the upper surface 102 of the first plate 101. The position adjusting pins 113 are arranged on the circumference around the rotation axis A3 in a plan view. The position adjusting pin 113 is arranged at substantially the same height as the substrate W supported by the fixing pin 103.

図２１（ａ）、２１（ｂ）は、位置調整ピンの平面詳細図である。図２２（ａ）、２２（ｂ）は、位置調整ピンの側面図である。図２１（ａ）、２２（ａ）は、退避位置にある位置調整ピン１１３を示す。図２１（ｂ）、２２（ｂ）は、調整位置にある位置調整ピン１１３を示す。各位置調整ピン１１３はそれぞれ、軸部１１４に固定される。軸部１１４は、位置調整ピン１１３から下方に延びる。軸部１１４は、第１プレート１０１に支持される。位置調整ピン１１３は、軸部１１４を介して、第１プレート１０１に支持される。軸部１１４は、第１プレート１０１に対して回転可能である。軸部１１４は、回転軸線Ａ４回りに回転可能である。回転軸線Ａ４は、上下方向Ｚと平行である。回転軸線Ａ４は、軸部１１４の中心を通る。位置調整ピン１１３は、軸部１１４の回転軸線Ａ４から偏心した位置に配置される。軸部１１４が第１プレート１０１に対して回転することにより、位置調整ピン１１３は第１プレート１０１に対して水平方向に移動する。具体的には、位置調整ピン１１３は、回転軸線Ａ４回りに旋回移動する。これにより、位置調整ピン１１３は、第１プレート１０１の回転軸線Ａ３に近づき、かつ、第１プレート１０１の回転軸線Ａ３から遠ざかる。位置調整ピン１１３が第１プレート１０１の回転軸線Ａ３に近づくことによって、位置調整ピン１１３は調整位置に移動する。すなわち、位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持された基板Ｗの端縁２０に接触する。さらに、位置調整ピン１１３は、位置調整ピン１１３と接触する基板Ｗの端縁２０を回転軸線Ａ４に向かって押す。異なる位置に設けられる複数の位置調整ピン１１３が基板Ｗの端縁２０を押すことによって、基板Ｗは所定の位置に調整される。位置調整ピン１１３が第１プレート１０１の回転軸線Ａ３から遠ざかることによって、位置調整ピン１１３は退避位置に移動する。位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持された基板Ｗの端縁２０から離れる。 21 (a) and 21 (b) are detailed plan views of the position adjusting pin. 22 (a) and 22 (b) are side views of the position adjusting pin. 21 (a) and 22 (a) show the position adjusting pin 113 in the retracted position. 21 (b) and 22 (b) show the position adjustment pin 113 at the adjustment position. Each position adjusting pin 113 is fixed to the shaft portion 114. The shaft portion 114 extends downward from the position adjusting pin 113. The shaft portion 114 is supported by the first plate 101. The position adjusting pin 113 is supported by the first plate 101 via the shaft portion 114. The shaft portion 114 is rotatable with respect to the first plate 101. The shaft portion 114 can rotate around the rotation axis A4. The rotation axis A4 is parallel to the vertical direction Z. The rotation axis A4 passes through the center of the shaft portion 114. The position adjusting pin 113 is arranged at a position eccentric from the rotation axis A4 of the shaft portion 114. As the shaft portion 114 rotates with respect to the first plate 101, the position adjusting pin 113 moves in the horizontal direction with respect to the first plate 101. Specifically, the position adjusting pin 113 swivels around the rotation axis A4. As a result, the position adjusting pin 113 approaches the rotation axis A3 of the first plate 101 and moves away from the rotation axis A3 of the first plate 101. When the position adjusting pin 113 approaches the rotation axis A3 of the first plate 101, the position adjusting pin 113 moves to the adjusting position. That is, the position adjusting pin 113 contacts the edge 20 of the substrate W supported by the fixing pin 103. Further, the position adjusting pin 113 pushes the edge 20 of the substrate W in contact with the position adjusting pin 113 toward the rotation axis A4. The substrate W is adjusted to a predetermined position by pushing the edge 20 of the substrate W by a plurality of position adjusting pins 113 provided at different positions. As the position adjusting pin 113 moves away from the rotation axis A3 of the first plate 101, the position adjusting pin 113 moves to the retracted position. The position adjusting pin 113 is separated from the edge 20 of the substrate W supported by the fixing pin 103.

図２０を参照する。処理ユニット７は、複数（例えば６個）のリフトピン１１６を備える。リフトピン１１６は、第１プレート１０１の上面１０２の周縁部に配置される。位置調整ピン１１３は、平面視で、回転軸線Ａ３回りの円周上に配列される。 See FIG. 20. The processing unit 7 includes a plurality of (for example, six) lift pins 116. The lift pin 116 is arranged on the peripheral edge of the upper surface 102 of the first plate 101. The position adjusting pins 113 are arranged on the circumference around the rotation axis A3 in a plan view.

図２３（ａ）、２３（ｂ）は、リフトピン１１６の側面図である。リフトピン１１６は、第１プレート１０１に支持される。リフトピン１１６は、第１プレート１０１に対して上下方向Ｚに移動可能に支持される。リフトピン１１６は、基板Ｗを支持する。リフトピン１１６は、リフトピン１１６が支持する基板Ｗを、上下方向Ｚに移動させる。 23 (a) and 23 (b) are side views of the lift pin 116. The lift pin 116 is supported by the first plate 101. The lift pin 116 is movably supported in the vertical direction Z with respect to the first plate 101. The lift pin 116 supports the substrate W. The lift pin 116 moves the substrate W supported by the lift pin 116 in the vertical direction Z.

図２３（ａ）は、上位置にあるリフトピン１１６を示す。リフトピン１１６は、上位置で基板Ｗを支持可能である。基板Ｗが上位置にあるとき、基板Ｗは固定ピン１０３よりも高い位置にある。 FIG. 23 (a) shows the lift pin 116 in the upper position. The lift pin 116 can support the substrate W in the upper position. When the substrate W is in the upper position, the substrate W is in a higher position than the fixing pin 103.

図２３（ｂ）を参照する。リフトピン１１６は、基板Ｗを上位置から下降させることによって、固定ピン１０３に基板Ｗを渡す。リフトピン１１６が固定ピン１０３に基板Ｗを渡した後、リフトピン１１５はさらに第１プレート１０１に対して下方に移動し、固定ピン１０３に支持される基板Ｗから離れる。 See FIG. 23 (b). The lift pin 116 passes the substrate W to the fixing pin 103 by lowering the substrate W from the upper position. After the lift pin 116 passes the substrate W to the fixing pin 103, the lift pin 115 further moves downward with respect to the first plate 101 and separates from the substrate W supported by the fixing pin 103.

本明細書では、固定ピン１０３に支持される基板Ｗと接触しないリフトピン１１６の位置を、下位置という。図２３（ｂ）は、下位置にあるリフトピン１１６を示す。 In the present specification, the position of the lift pin 116 that does not come into contact with the substrate W supported by the fixing pin 103 is referred to as a lower position. FIG. 23B shows the lift pin 116 in the lower position.

リフトピン１１６が下位置から上方に移動することにより、固定ピン１０３から基板Ｗを取る。 By moving the lift pin 116 from the lower position to the upper position, the substrate W is taken from the fixing pin 103.

このように、リフトピン１１６が上位置と下位置の間で移動する。これにより、リフトピン１１６は固定ピン１０３に基板Ｗを渡し、かつ、固定ピン１０３から基板Ｗを取る。 In this way, the lift pin 116 moves between the upper and lower positions. As a result, the lift pin 116 passes the substrate W to the fixing pin 103 and takes the substrate W from the fixing pin 103.

図１９を参照する。第１処理ユニット７Ａは、処理液供給部１２１を備える。処理液供給部１２１は、基板Ｗに処理液を供給する。 See FIG. The first processing unit 7A includes a processing liquid supply unit 121. The processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W.

処理液供給部１２１は、ノズル１２２を備える。ノズル１２２は、処理液を基板Ｗに吐出する。ノズル１２２は、処理位置と退避位置に移動可能に設けられる。図１９は、処理位置にあるノズル１２２を破線で示す。図１９は、退避位置にあるノズル１２２を実線で示す。処理位置は、第１基板保持部９１Ａに保持された基板Ｗの上方の位置である。ノズル１２２が処理位置にあるとき、ノズル１２２は、平面視において、第１基板保持部９１Ａに保持された基板Ｗと重なる。ノズル１２２が退避位置にあるとき、ノズル１２２は、平面視において、第１基板保持部９１Ａに保持された基板Ｗと重ならない。 The processing liquid supply unit 121 includes a nozzle 122. The nozzle 122 discharges the processing liquid onto the substrate W. The nozzle 122 is movably provided at the processing position and the retracted position. In FIG. 19, the nozzle 122 at the processing position is shown by a broken line. In FIG. 19, the nozzle 122 in the retracted position is shown by a solid line. The processing position is a position above the substrate W held by the first substrate holding portion 91A. When the nozzle 122 is in the processing position, the nozzle 122 overlaps the substrate W held by the first substrate holding portion 91A in a plan view. When the nozzle 122 is in the retracted position, the nozzle 122 does not overlap the substrate W held by the first substrate holding portion 91A in a plan view.

処理液供給部１２１は、配管１２３を備える。配管１２３は、ノズル１２２に処理液を供給する。配管１２３は、第１端と第２端を有する。配管１２３の第１端は、処理液供給源１２４に接続される。配管１２３の第２端は、ノズル１２２に接続される。 The processing liquid supply unit 121 includes a pipe 123. The pipe 123 supplies the processing liquid to the nozzle 122. The pipe 123 has a first end and a second end. The first end of the pipe 123 is connected to the processing liquid supply source 124. The second end of the pipe 123 is connected to the nozzle 122.

第１処理ユニット７Ａは、流量調整部１２５を備える。流量調整部１２５は、配管１２３に設けられる。流量調整部１２５は、処理液供給部１２１が基板Ｗに供給する処理液の流量を調整する。すなわち、流量調整部１２５は、ノズル１２２が吐出する処理液の流量を調整する。 The first processing unit 7A includes a flow rate adjusting unit 125. The flow rate adjusting unit 125 is provided in the pipe 123. The flow rate adjusting unit 125 adjusts the flow rate of the processing liquid supplied by the processing liquid supply unit 121 to the substrate W. That is, the flow rate adjusting unit 125 adjusts the flow rate of the processing liquid discharged by the nozzle 122.

第１処理ユニット７Ａは、基板検出部１２７を備える。基板検出部１２７は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗを検出する。さらに、基板検出部１２７は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗの位置を検出する。基板検出部１２７は、例えば、固定ピン１０３に支持される基板Ｗの端縁２０を撮像する。基板検出部１２７は、例えば、第１基板保持部９１Ａの上方に配置される。基板検出部１２７は、例えば、画像センサである。 The first processing unit 7A includes a substrate detection unit 127. The substrate detection unit 127 detects the substrate W supported by the fixing pin 103. Further, the substrate detection unit 127 detects the position of the substrate W supported by the fixing pin 103. The substrate detection unit 127 images, for example, the edge 20 of the substrate W supported by the fixing pin 103. The substrate detection unit 127 is arranged above the first substrate holding unit 91A, for example. The substrate detection unit 127 is, for example, an image sensor.

図２を参照する。第１処理ユニット７Ａの第１回転駆動部９２Ａ、位置調整ピン１１３、リフトピン１１６、第１吹出調整部１１１、第２吹出調整部１１２、流量調整部１２５および基板検出部１２７は、制御部９と通信可能に接続される。制御部９は、基板検出部１２７の検出結果を受ける。制御部９は、第１回転駆動部９２Ａ、位置調整ピン１１３、リフトピン１１６、第１吹出調整部１１１、第２吹出調整部１１２および流量調整部１２５を制御する。 See FIG. The first rotation drive unit 92A, the position adjustment pin 113, the lift pin 116, the first blowout adjustment unit 111, the second blowout adjustment unit 112, the flow rate adjustment unit 125, and the substrate detection unit 127 of the first processing unit 7A are combined with the control unit 9. Connected so that it can communicate. The control unit 9 receives the detection result of the substrate detection unit 127. The control unit 9 controls the first rotation drive unit 92A, the position adjustment pin 113, the lift pin 116, the first blowout adjustment unit 111, the second blowout adjustment unit 112, and the flow rate adjustment unit 125.

固定ピン１０３は、本発明における支持部の例である。位置調整ピン１１３は、本発明における位置調整部の例である。リフトピン１１６は、本発明における昇降部の例である。 The fixing pin 103 is an example of a support portion in the present invention. The position adjusting pin 113 is an example of the position adjusting portion in the present invention. The lift pin 116 is an example of a lifting portion in the present invention.

図２４は、第２処理ユニット７Ｂの構成を模式的に示す図である。図２４は、ガード９３の図示を省略する。第２処理ユニット７Ｂの構造について詳しく説明する。なお、第１処理ユニット７Ａと同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。 FIG. 24 is a diagram schematically showing the configuration of the second processing unit 7B. In FIG. 24, the illustration of the guard 93 is omitted. The structure of the second processing unit 7B will be described in detail. The same configuration as that of the first processing unit 7A will be designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

第２基板保持部９１Ｂは、第２プレート１３１を備える。第２プレート１３１は、略円盤形状を有する。第２プレート１３１は、上面１３２を有する。上面１３２は、略水平である。上面１３２は、略平坦である。 The second substrate holding portion 91B includes a second plate 131. The second plate 131 has a substantially disk shape. The second plate 131 has an upper surface 132. The upper surface 132 is substantially horizontal. The upper surface 132 is substantially flat.

第２回転駆動部９２Ｂは、第２プレート１３１の下部に連結される。第２回転駆動部９２Ｂは、第２プレート１３１を回転する。第２回転駆動部９２Ｂによって、第２プレート１３１は、回転軸線Ａ５回りに回転する。回転軸線Ａ５は、上下方向Ｚと平行である。回転軸線Ａ５は、第２プレート１３１の中心を通る。 The second rotation drive unit 92B is connected to the lower part of the second plate 131. The second rotation drive unit 92B rotates the second plate 131. The second rotation drive unit 92B rotates the second plate 131 around the rotation axis A5. The rotation axis A5 is parallel to the vertical direction Z. The rotation axis A5 passes through the center of the second plate 131.

図２５は、第２プレート１３１の平面図である。第２プレート１３１の上面１３２は、平面視において、円形である。第２プレート１３１の上面１３２は、平面視において、基板Ｗよりも大きい。 FIG. 25 is a plan view of the second plate 131. The upper surface 132 of the second plate 131 is circular in a plan view. The upper surface 132 of the second plate 131 is larger than the substrate W in a plan view.

第２基板保持部９１Ｂは、複数（例えば６個）の端縁接触ピン１３３を備える。端縁接触ピン１３３は、第２プレート１３１に取り付けられる。端縁接触ピン１３３は、第２プレート１３１に支持される。端縁接触ピン１３３は、第２プレート１３１に対して移動可能である。第２回転駆動部９２Ｂが第２基板保持部９１Ｂを回転するとき、端縁接触ピン１３３は基板Ｗの端縁２０と接触する。第２回転駆動部９２Ｂが第２基板保持部９１Ｂを回転するとき、端縁接触ピン１３３は、端縁接触ピン１３３に対して基板Ｗが滑らないように、基板Ｗの端縁２０を保持する。図２５は、端縁接触ピン１３３に保持される基板Ｗを破線で示す。 The second substrate holding portion 91B includes a plurality of (for example, six) edge contact pins 133. The edge contact pin 133 is attached to the second plate 131. The edge contact pin 133 is supported by the second plate 131. The edge contact pin 133 is movable with respect to the second plate 131. When the second rotation drive unit 92B rotates the second substrate holding unit 91B, the edge contact pin 133 comes into contact with the edge 20 of the substrate W. When the second rotation drive unit 92B rotates the second substrate holding unit 91B, the edge contact pin 133 holds the edge 20 of the substrate W so that the substrate W does not slip with respect to the edge contact pin 133. .. In FIG. 25, the substrate W held by the edge contact pin 133 is shown by a broken line.

端縁接触ピン１３３は、第２プレート１３１の周縁部に配置される。端縁接触ピン１３３は、平面視で、回転軸線Ａ５回りの円周上に配列される。 The edge contact pin 133 is arranged at the peripheral edge of the second plate 131. The edge contact pins 133 are arranged on the circumference around the rotation axis A5 in a plan view.

図２６（ａ）、２６（ｂ）は、端縁接触ピン１３３の平面詳細図である。図２７（ａ）、２７（ｂ）は、端縁接触ピン１３３の側面図である。端縁接触ピン１３３および端縁接触ピン１３３に関連する構成を例示する。 26 (a) and 26 (b) are detailed plan views of the edge contact pin 133. 27 (a) and 27 (b) are side views of the edge contact pin 133. The configurations related to the edge contact pin 133 and the edge contact pin 133 are illustrated.

各端縁接触ピン１３３はそれぞれ、小片部１３４に固定される。小片部１３４は、第２プレート１３１よりも十分小さい。小片部１３４は、平面視で、くさび形状を有する。
小片部１３４は、水平方向に延びる。 Each edge contact pin 133 is fixed to the small piece 134. The small piece 134 is sufficiently smaller than the second plate 131. The small piece 134 has a wedge shape in a plan view.
The small piece 134 extends in the horizontal direction.

小片部１３４は、さらに、下面接触ピン１３５を支持する。下面接触ピン１３５も、小片部１３４に固定される。端縁接触ピン１３３および下面接触ピン１３５は、それぞれ、小片部１３４から上方に突出する。下面接触ピン１３５は、基板Ｗの下面１６と接触する。より詳しくは、下面接触ピン１３５は、基板Ｗの周縁部１２における下面１６と接触する。これにより、下面接触ピン１３５は、基板Ｗを支持する。下面接触ピン１３５は、基板Ｗの上面１７と接触しない。下面接触ピン１３５は、基板Ｗが下面接触ピン１３５に対して上方に移動することを許容する。 The small piece 134 further supports the bottom contact pin 135. The bottom contact pin 135 is also fixed to the small piece 134. The edge contact pin 133 and the bottom contact pin 135 each project upward from the small piece 134. The bottom surface contact pin 135 comes into contact with the bottom surface 16 of the substrate W. More specifically, the bottom contact pin 135 comes into contact with the bottom surface 16 at the peripheral edge 12 of the substrate W. As a result, the bottom contact pin 135 supports the substrate W. The bottom surface contact pin 135 does not come into contact with the top surface 17 of the substrate W. The bottom contact pin 135 allows the substrate W to move upward with respect to the bottom contact pin 135.

小片部１３４は、軸部１３６に固定される。軸部１３６は、小片部１３４から下方に延びる。軸部１３６は、第２プレート１３１に支持される。端縁接触ピン１３３および下面接触ピン１３５は、軸部１３６を介して、第２プレート１３１に支持される。軸部１３６は、第２プレート１３１に対して回転可能である。軸部１３６は、回転軸線Ａ６回りに回転可能である。回転軸線Ａ６は、上下方向Ｚと平行である。回転軸線Ａ６は、軸部１３６の中心を通る。 The small piece 134 is fixed to the shaft 136. The shaft portion 136 extends downward from the small piece portion 134. The shaft portion 136 is supported by the second plate 131. The edge contact pin 133 and the bottom contact pin 135 are supported by the second plate 131 via the shaft portion 136. The shaft portion 136 is rotatable with respect to the second plate 131. The shaft portion 136 can rotate around the rotation axis A6. The rotation axis A6 is parallel to the vertical direction Z. The rotation axis A6 passes through the center of the shaft portion 136.

下面接触ピン１３５は、軸部１３６の回転軸線Ａ６上に配置される。回転軸線Ａ６は、下面接触ピン１３５の中心を通る。軸部１３６が第２プレート１３１に対して回転するとき、下面接触ピン１３５も第２プレート１３１に対して回転する。ただし、第２プレート１３１に対する下面接触ピン１３５の位置は、実質的に変わらない。下面接触ピン１３５と回転軸線Ａ５との距離は、変わらない。 The bottom contact pin 135 is arranged on the rotation axis A6 of the shaft portion 136. The rotation axis A6 passes through the center of the bottom contact pin 135. When the shaft portion 136 rotates with respect to the second plate 131, the lower surface contact pin 135 also rotates with respect to the second plate 131. However, the position of the bottom contact pin 135 with respect to the second plate 131 does not change substantially. The distance between the bottom contact pin 135 and the rotation axis A5 does not change.

端縁接触ピン１３３は、軸部１３６の回転軸線Ａ６から偏心した位置に配置される。
軸部１３６が第２プレート１３１に対して回転することにより、端縁接触ピン１３３は第２プレート１３１に対して水平方向に移動する。具体的には、端縁接触ピン１３３は、第２プレート１３１の回転軸線Ａ５に近づき、かつ、第２プレート１３１の回転軸線Ａ５から遠ざかる。 The edge contact pin 133 is arranged at a position eccentric from the rotation axis A6 of the shaft portion 136.
As the shaft portion 136 rotates with respect to the second plate 131, the edge contact pin 133 moves horizontally with respect to the second plate 131. Specifically, the edge contact pin 133 approaches the rotation axis A5 of the second plate 131 and moves away from the rotation axis A5 of the second plate 131.

図２６（ａ）、図２７（ａ）を参照する。端縁接触ピン１３３が第２プレート１３１の回転軸線Ａ５に近づくことによって、端縁接触ピン１３３は、下面接触ピン１３５に支持された基板Ｗの端縁２０に接触する。さらに、端縁接触ピン１３３は、端縁接触ピン１３３と接触する基板Ｗの端縁２０を回転軸線Ａ５に向かって押してもよい。 See FIGS. 26 (a) and 27 (a). When the edge contact pin 133 approaches the rotation axis A5 of the second plate 131, the edge contact pin 133 comes into contact with the edge 20 of the substrate W supported by the bottom contact pin 135. Further, the edge contact pin 133 may push the edge 20 of the substrate W in contact with the edge contact pin 133 toward the rotation axis A5.

図２６（ｂ）、図２７（ｂ）を参照する。端縁接触ピン１３３が第２プレート１３１の回転軸線Ａ４から遠ざかることによって、端縁接触ピン１３３は、下面接触ピン１３５に支持された基板Ｗの端縁２０から離れる。 See FIGS. 26 (b) and 27 (b). As the edge contact pin 133 moves away from the rotation axis A4 of the second plate 131, the edge contact pin 133 separates from the edge 20 of the substrate W supported by the bottom contact pin 135.

第２回転駆動部９２Ｂが第２基板保持部９１Ｂを回転するとき、端縁接触ピン１３３は基板Ｗから離れない。端縁接触ピン１３３が基板Ｗの端縁２０と接触した状態で、第２回転駆動部９２Ｂは第２基板保持部９１Ｂを回転する。これにより、第２基板保持部９１Ｂが回転するとき、基板Ｗは端縁接触ピン１３３に対して滑らない。すなわち、端縁接触ピン１３３は、基板Ｗの端縁２０を保持する。 When the second rotation drive unit 92B rotates the second substrate holding unit 91B, the edge contact pin 133 does not separate from the substrate W. The second rotation driving unit 92B rotates the second substrate holding portion 91B in a state where the edge contact pin 133 is in contact with the edge 20 of the substrate W. As a result, when the second substrate holding portion 91B rotates, the substrate W does not slip with respect to the edge contact pin 133. That is, the edge contact pin 133 holds the edge 20 of the substrate W.

第２基板保持部９１Ｂでは、リフトピン１１６は、下面接触ピン１３５よりも高い位置で基板Ｗを支持可能である。リフトピン１１６は、下面接触ピン１３５に基板Ｗを渡すことができ、かつ、下面接触ピン１３５から基板Ｗを取ることができる。 In the second substrate holding portion 91B, the lift pin 116 can support the substrate W at a position higher than the lower surface contact pin 135. The lift pin 116 can pass the substrate W to the bottom contact pin 135 and can take the substrate W from the bottom contact pin 135.

なお、第２基板保持部９１Ｂは、端縁接触ピン１３３に保持された基板Ｗを吸引しない。第２基板保持部９１Ｂは、第２プレート１３１の上面１３２と端縁接触ピン１３３に保持された基板Ｗの下面１６との間に気体を吹き出さない。第２プレート１３１は、気体吹出口を有しない。 The second substrate holding portion 91B does not suck the substrate W held by the edge contact pin 133. The second substrate holding portion 91B does not blow gas between the upper surface 132 of the second plate 131 and the lower surface 16 of the substrate W held by the edge contact pin 133. The second plate 131 does not have a gas outlet.

図２を参照する。第２処理ユニット７Ｂの第２回転駆動部９２Ｂ、リフトピン１１６、流量調整部１２５および端縁接触ピン１３３は、制御部９と通信可能に接続される。制御部９は、第２回転駆動部９２Ｂ、リフトピン１１６、流量調整部１２５および端縁接触ピン１３３を制御する。 See FIG. The second rotation drive unit 92B, the lift pin 116, the flow rate adjusting unit 125, and the edge contact pin 133 of the second processing unit 7B are communicably connected to the control unit 9. The control unit 9 controls the second rotation drive unit 92B, the lift pin 116, the flow rate adjusting unit 125, and the edge contact pin 133.

端縁接触ピン１３３は、本発明における端縁接触部の例である。 The edge contact pin 133 is an example of the edge contact portion in the present invention.

＜基板処理装置１の動作例＞
以下の動作例を順に説明する。
・制御部９が基板Ｗの形状を取得する動作例
・搬送機構４の動作例
・搬送機構８の動作例
・第１処理ユニット７Ａの動作例
・第２処理ユニット７Ｂの動作例 <Operation example of substrate processing device 1>
The following operation examples will be described in order.
-Example of operation in which the control unit 9 acquires the shape of the substrate W-Example of operation of the transfer mechanism 4-Example of operation of the transfer mechanism 8-Example of operation of the first processing unit 7A-Example of operation of the second processing unit 7B

＜制御部９が基板Ｗの形状を取得する動作例＞
図２８は、制御部９が基板Ｗの形状を取得する動作例の手順を示すフローチャートである。 <Operation example in which the control unit 9 acquires the shape of the substrate W>
FIG. 28 is a flowchart showing a procedure of an operation example in which the control unit 9 acquires the shape of the substrate W.

ステップＳ１
バーコードリーダ３１がキャリアＣに付されるバーコードを読み取る。バーコードリーダ３１は、バーコードリーダ３１の検出結果を制御部９に出力する。 Step S1
The barcode reader 31 reads the barcode attached to the carrier C. The bar code reader 31 outputs the detection result of the bar code reader 31 to the control unit 9.

ステップＳ２
制御部９は、バーコードリーダ３１の検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定する。具体的には、制御部９は、キャリアＣ内の基板Ｗが、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３のいずれに属するかを特定する。制御部９は、キャリアＣ内の基板Ｗが、通常径基板ＷＮおよび大径基板ＷＬのいずれに属するかを特定する。 Step S2
The control unit 9 determines the shape of the substrate W based on the detection result of the barcode reader 31. Specifically, the control unit 9 specifies whether the substrate W in the carrier C belongs to the first substrate W1, the second substrate W2, or the third substrate W3. The control unit 9 specifies whether the substrate W in the carrier C belongs to the normal diameter substrate WN or the large diameter substrate WL.

なお、制御部９は、キャリアＣから基板Ｗが搬出された後においても、基板Ｗの位置と基板Ｗの形状と関連付けて、管理する。具体的には、制御部９は、搬送機構４、８が各時刻において搬送する基板Ｗの形状、各時刻において載置部６に載置される基板Ｗの形状、処理ユニット７が各時刻において処理する基板Ｗの形状を、管理する。制御部９が基板Ｗの位置および基板Ｗの形状を管理するとき、制御部９は基板検出部３８、８９、１２７の検出結果を適宜に参照してもよい。 The control unit 9 manages the substrate W in association with the position of the substrate W and the shape of the substrate W even after the substrate W is carried out from the carrier C. Specifically, in the control unit 9, the shape of the substrate W transported by the transport mechanisms 4 and 8 at each time, the shape of the substrate W mounted on the mounting unit 6 at each time, and the processing unit 7 at each time. The shape of the substrate W to be processed is managed. When the control unit 9 manages the position of the substrate W and the shape of the substrate W, the control unit 9 may appropriately refer to the detection results of the substrate detection units 38, 89, 127.

＜搬送機構４の動作例＞
図２９は、制御部９の制御および搬送機構４の動作の手順を示すフローチャートである。 <Operation example of transport mechanism 4>
FIG. 29 is a flowchart showing a procedure for controlling the control unit 9 and operating the transport mechanism 4.

ステップＳ１１
制御部９は、搬送機構４のハンド３３をキャリアＣに挿入するときのハンド３３の高さ位置を決定する。具体的には、制御部９は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に搬送機構４のハンド３３を挿入するときのハンド３３の高さ位置を決定する。以下では、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に搬送機構４のハンド３３を挿入するときのハンド３３の高さ位置を、「高さ位置ＨＡ」と略記する。制御部９は、搬送機構４が棚２２から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚２２に置く基板Ｗの形状に応じて、高さ位置ＨＡを変える。 Step S11
The control unit 9 determines the height position of the hand 33 when the hand 33 of the transport mechanism 4 is inserted into the carrier C. Specifically, the control unit 9 determines the height position of the hand 33 when the hand 33 of the transport mechanism 4 is inserted between the two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z. Hereinafter, the height position of the hand 33 when the hand 33 of the transport mechanism 4 is inserted between the two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z is abbreviated as “height position HA”. The control unit 9 changes the height position HA according to the shape of the substrate W taken from the shelf 22 by the conveying mechanism 4 or the substrate W placed on the shelf 22 by the conveying mechanism 4.

具体的には、搬送機構４が棚２２から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚２２に置く基板Ｗが第１基板Ｗ１であるとき、制御部９は、高さ位置ＨＡを第１高さ位置ＨＡ１に決定する。搬送機構４が棚２２から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚２２に置く基板Ｗが第２基板Ｗ２であるとき、制御部９は、高さ位置ＨＡを第２高さ位置ＨＡ２に決定する。搬送機構４が棚２２から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚２２に置く基板Ｗが第３基板Ｗ３であるとき、制御部９は、高さ位置ＨＡを第３高さ位置ＨＡ３に決定する。第２高さ位置ＨＡ２は、第１高さ位置ＨＡ１よりも高い。第３高さ位置ＨＡ３は、第１高さ位置ＨＡ１よりも高い。第３高さ位置ＨＡ３は、第２高さ位置ＨＡ２と同じである。 Specifically, when the substrate W taken from the shelf 22 by the transport mechanism 4 or the substrate W placed on the shelf 22 by the transport mechanism 4 is the first substrate W1, the control unit 9 sets the height position HA to the first height position. Determine to HA1. When the substrate W taken from the shelf 22 by the transport mechanism 4 or the substrate W placed on the shelf 22 by the transport mechanism 4 is the second substrate W2, the control unit 9 determines the height position HA to be the second height position HA2. When the substrate W taken from the shelf 22 by the transport mechanism 4 or the substrate W placed on the shelf 22 by the transport mechanism 4 is the third substrate W3, the control unit 9 determines the height position HA to be the third height position HA3. The second height position HA2 is higher than the first height position HA1. The third height position HA3 is higher than the first height position HA1. The third height position HA3 is the same as the second height position HA2.

同様に、制御部９は、搬送機構４のハンド３３を載置部６に挿入するときのハンド３３の高さ位置を決定する。具体的には、制御部９は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に搬送機構４のハンド３３を挿入するときのハンド３３の高さ位置を決定する。以下では、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に搬送機構４のハンド３３を挿入するときのハンド３３の高さ位置を、「高さ位置ＨＢ」と略記する。制御部９は、搬送機構４が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚４５に置く基板Ｗの形状に応じて、高さ位置ＨＢを変える。 Similarly, the control unit 9 determines the height position of the hand 33 when the hand 33 of the transport mechanism 4 is inserted into the mounting unit 6. Specifically, the control unit 9 determines the height position of the hand 33 when the hand 33 of the transport mechanism 4 is inserted between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z. Hereinafter, the height position of the hand 33 when the hand 33 of the transport mechanism 4 is inserted between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z is abbreviated as “height position HB”. The control unit 9 changes the height position HB according to the shape of the substrate W taken from the shelf 45 by the conveying mechanism 4 or the substrate W placed on the shelf 45 by the conveying mechanism 4.

具体的には、搬送機構４が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚４５に置く基板Ｗが第１基板Ｗ１であるとき、制御部９は、高さ位置ＨＢを第１高さ位置ＨＢ１に決定する。搬送機構４が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚４５に置く基板Ｗが第２基板Ｗ２であるとき、制御部９は、高さ位置ＨＢを第２高さ位置ＨＢ２に決定する。搬送機構４が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚４５に置く基板Ｗが第３基板Ｗ３であるとき、制御部９は、高さ位置ＨＢを第３高さ位置ＨＢ３に決定する。第２高さ位置ＨＢ２は、第１高さ位置ＨＢ１よりも高い。第３高さ位置ＨＢ３は、第１高さ位置ＨＢ１よりも高い。第３高さ位置ＨＢ３は、第２高さ位置ＨＢ２と同じである。 Specifically, when the substrate W taken from the shelf 45 by the transport mechanism 4 or the substrate W placed on the shelf 45 by the transport mechanism 4 is the first substrate W1, the control unit 9 sets the height position HB to the first height position. Determined to be HB1. When the substrate W taken from the shelf 45 by the transport mechanism 4 or the substrate W placed on the shelf 45 by the transport mechanism 4 is the second substrate W2, the control unit 9 determines the height position HB to be the second height position HB2. When the substrate W taken from the shelf 45 by the transport mechanism 4 or the substrate W placed on the shelf 45 by the transport mechanism 4 is the third substrate W3, the control unit 9 determines the height position HB to be the third height position HB3. The second height position HB2 is higher than the first height position HB1. The third height position HB3 is higher than the first height position HB1. The third height position HB3 is the same as the second height position HB2.

ステップＳ１２
制御部９は、搬送機構４のハンド３３を上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に挿入するときのハンド３３の挿入量を決定する。上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に挿入されるハンド３３の挿入量は、搬送機構４のハンド３３を上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に挿入するときの前後方向Ｘにおけるハンド３３の移動量に相当する。以下では、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に挿入されるハンド３３の挿入量を、「挿入量ＫＡ」と略記する。制御部９は、搬送機構４が棚２２から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚２２に置く基板Ｗの形状に応じて、挿入量ＫＡを変える。 Step S12
The control unit 9 determines the insertion amount of the hand 33 when the hand 33 of the transport mechanism 4 is inserted between two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z. The insertion amount of the hand 33 inserted between the two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z is the front-rear direction X when the hand 33 of the transport mechanism 4 is inserted between the two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z. Corresponds to the amount of movement of the hand 33 in. Hereinafter, the insertion amount of the hand 33 inserted between the two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z is abbreviated as "insertion amount KA". The control unit 9 changes the insertion amount KA according to the shape of the substrate W taken from the shelf 22 by the conveying mechanism 4 or the substrate W placed on the shelf 22 by the conveying mechanism 4.

搬送機構４が棚２２から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚２２に置く基板Ｗが通常径基板ＷＮであるとき、制御部９は、挿入量ＫＡを第１挿入量ＫＡ１に決定する。搬送機構４が棚２２から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚２２に置く基板Ｗが大径基板ＷＬであるとき、制御部９は、挿入量ＫＡを第２挿入量ＫＡ２に決定する。第２挿入量ＫＡ２は、第１挿入量ＫＡ１よりも大きい。 When the substrate W taken from the shelf 22 by the transport mechanism 4 or the substrate W placed on the shelf 22 by the transport mechanism 4 is a normal diameter substrate WN, the control unit 9 determines the insertion amount KA to be the first insertion amount KA1. When the substrate W taken from the shelf 22 by the transport mechanism 4 or the substrate W placed on the shelf 22 by the transport mechanism 4 is a large-diameter substrate WL, the control unit 9 determines the insertion amount KA to be the second insertion amount KA2. The second insertion amount KA2 is larger than the first insertion amount KA1.

同様に、制御部９は、搬送機構４のハンド３３を上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に挿入するときのハンド３３の挿入量を決定する。以下では、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に挿入されるハンド３３の挿入量を、「挿入量ＫＢ」と略記する。制御部９は、搬送機構４が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚４５に置く基板Ｗの形状に応じて、挿入量ＫＢを変える。 Similarly, the control unit 9 determines the insertion amount of the hand 33 when the hand 33 of the transport mechanism 4 is inserted between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z. Hereinafter, the insertion amount of the hand 33 inserted between the two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z is abbreviated as "insertion amount KB". The control unit 9 changes the insertion amount KB according to the shape of the substrate W taken from the shelf 45 by the conveying mechanism 4 or the substrate W placed on the shelf 45 by the conveying mechanism 4.

搬送機構４が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚４５に置く基板Ｗが通常径基板ＷＮであるとき、制御部９は、挿入量ＫＢを第１挿入量ＫＢ１に決定する。搬送機構４が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚４５に置く基板Ｗが大径基板ＷＬであるとき、制御部９は、挿入量ＫＢを第２挿入量ＫＢ２に決定する。第２挿入量ＫＢ２は、第１挿入量ＫＢ１よりも大きい。 When the substrate W taken from the shelf 45 by the transport mechanism 4 or the substrate W placed on the shelf 45 by the transport mechanism 4 is a normal diameter substrate WN, the control unit 9 determines the insertion amount KB to be the first insertion amount KB1. When the substrate W taken from the shelf 45 by the transport mechanism 4 or the substrate W placed on the shelf 45 by the transport mechanism 4 is a large-diameter substrate WL, the control unit 9 determines the insertion amount KB to be the second insertion amount KB2. The second insertion amount KB2 is larger than the first insertion amount KB1.

ステップＳ１３
制御部９は、搬送機構４のハンド３３の移動速度と加速度を決定する。以下では、搬送機構４のハンド３３の移動速度を、「移動速度ＶＡ」と略記する。以下では、搬送機構４のハンド３３の加速度を、「加速度ＡＡ」と略記する。制御部９は、搬送機構４が基板Ｗを支持しているか否かによって、移動速度ＶＡを変える。制御部９は、搬送機構４が基板Ｗを支持しているか否かによって、加速度ＡＡを変える。 Step S13
The control unit 9 determines the moving speed and acceleration of the hand 33 of the transport mechanism 4. Hereinafter, the moving speed of the hand 33 of the transport mechanism 4 is abbreviated as “moving speed VA”. Hereinafter, the acceleration of the hand 33 of the transport mechanism 4 is abbreviated as “acceleration AA”. The control unit 9 changes the moving speed VA depending on whether or not the transport mechanism 4 supports the substrate W. The control unit 9 changes the acceleration AA depending on whether or not the transport mechanism 4 supports the substrate W.

制御部９が移動速度ＶＡと加速度ＡＡを決定するとき、制御部９は基板検出部３８の検出結果を適宜に参照してもよい。 When the control unit 9 determines the moving speed VA and the acceleration AA, the control unit 9 may appropriately refer to the detection result of the substrate detection unit 38.

搬送機構４が基板Ｗを支持しているとき、制御部９は移動速度ＶＡを第１速度ＶＡ１に決定する。搬送機構４が基板Ｗを支持していないとき、制御部９は移動速度ＶＡを第２速度ＶＡ２に決定する。第２速度ＶＡ２は、第１速度ＶＡ１よりも大きい。例えば、第１速度ＶＡ１は、第２速度ＶＡ２の５０％以下である。 When the transport mechanism 4 supports the substrate W, the control unit 9 determines the moving speed VA to be the first speed VA1. When the transport mechanism 4 does not support the substrate W, the control unit 9 determines the moving speed VA to be the second speed VA2. The second speed VA2 is larger than the first speed VA1. For example, the first speed VA1 is 50% or less of the second speed VA2.

搬送機構４が基板Ｗを支持しているとき、制御部９は加速度ＡＡを第１加速度ＡＡ１に決定する。搬送機構４が基板Ｗを支持していないとき、制御部９は加速度ＡＡを第２加速度ＡＡ２に決定する。第２加速度ＡＡ２は、第１加速度ＡＡ１よりも大きい。例えば、第１加速度ＡＡ１は、第２加速度ＡＡ２の７０％以下である。 When the transport mechanism 4 supports the substrate W, the control unit 9 determines the acceleration AA to be the first acceleration AA1. When the transport mechanism 4 does not support the substrate W, the control unit 9 determines the acceleration AA to be the second acceleration AA2. The second acceleration AA2 is larger than the first acceleration AA1. For example, the first acceleration AA1 is 70% or less of the second acceleration AA2.

ステップＳ１４
制御部９は、決定された高さ位置ＨＡ、ＨＢ、挿入量ＫＡ、ＫＢ、移動速度ＶＡ、および、加速度ＡＡによって、搬送機構４（具体的にはハンド駆動部３４）を制御する。 Step S14
The control unit 9 controls the transport mechanism 4 (specifically, the hand drive unit 34) by the determined height positions HA, HB, insertion amount KA, KB, moving speed VA, and acceleration AA.

ステップＳ１５
制御部９による制御にしたがって、搬送機構４のハンド駆動部３４は、ハンド３３を移動させる。これにより、搬送機構４は基板Ｗを搬送する。 Step S15
The hand drive unit 34 of the transfer mechanism 4 moves the hand 33 according to the control by the control unit 9. As a result, the transport mechanism 4 transports the substrate W.

下記の動作例を具体的に説明する。
・搬送機構４がキャリアＣの棚２２から基板Ｗを取る動作例
・搬送機構４がキャリアＣから載置部６に基板Ｗを搬送する動作例
・搬送機構４が載置部６の棚４５に基板Ｗを置く動作例 The following operation example will be specifically described.
-Example of operation in which the transport mechanism 4 takes the substrate W from the shelf 22 of the carrier C-Example of operation in which the transport mechanism 4 transports the substrate W from the carrier C to the mounting portion 6-The transport mechanism 4 is on the shelf 45 of the mounting portion 6. Operation example of placing the board W

＜＜搬送機構４がキャリアＣの棚２２から基板Ｗを取る動作例＞＞
図３０（ａ）−３０（ｄ）は、搬送機構４がキャリアＣの棚２２から基板Ｗを取る動作例を模式的に示す図である。 << Operation example in which the transport mechanism 4 takes the substrate W from the shelf 22 of the carrier C >>
30 (a) and 30 (d) are diagrams schematically showing an operation example in which the transport mechanism 4 takes the substrate W from the shelf 22 of the carrier C.

図３０（ａ）を参照する。ハンド３３は、基板Ｗを支持していない。ハンド３３は、キャリアＣと向かい合う位置に移動する。ハンド３３は、制御部９によって決定された高さ位置ＨＡに調整される。 See FIG. 30 (a). The hand 33 does not support the substrate W. The hand 33 moves to a position facing the carrier C. The hand 33 is adjusted to the height position HA determined by the control unit 9.

図３０（ｂ）を参照する。ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に、制御部９によって決定された高さ位置ＨＡで進入する。このとき、ハンド３３は、水平方向に移動する。具体的には、ハンド３３は前後方向Ｘに移動する。ロッド３６が延びる第１方向Ｆ１はハンド３３の移動方向と一致する。言い換えれば、第１方向Ｆ１がハンド３３の移動方向に保たれた状態で、ハンド３３は上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に進入する。 See FIG. 30 (b). The hand 33 enters between two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z at a height position HA determined by the control unit 9. At this time, the hand 33 moves in the horizontal direction. Specifically, the hand 33 moves in the front-rear direction X. The first direction F1 in which the rod 36 extends coincides with the moving direction of the hand 33. In other words, with the first direction F1 kept in the moving direction of the hand 33, the hand 33 enters between two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z.

ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に、制御部９によって決定された挿入量ＫＡだけ進み、その後、停止する。 The hand 33 advances by the insertion amount KA determined by the control unit 9 between two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z, and then stops.

ここまでの手順では、ハンド３３は、第２速度ＶＡ２および第２加速度ＡＡ２で、移動する。 In the procedure up to this point, the hand 33 moves at the second speed VA2 and the second acceleration AA2.

図３０（ｃ）を参照する。ハンド３３が上方に移動し、１つの棚２２に含まれる第１棚２３と第２棚２４の間を通過する。これにより、ハンド３３は、１つの棚２２から１枚の基板Ｗを取る。 See FIG. 30 (c). The hand 33 moves upward and passes between the first shelf 23 and the second shelf 24 included in one shelf 22. As a result, the hand 33 takes one board W from one shelf 22.

図３０（ｄ）を参照する。ハンド３３が基板Ｗを支持した状態で、ハンド３３は退き、キャリアＣの外部に出る。この手順から、ハンド３３は、第１速度ＶＡ１および第１加速度ＡＡ１で、移動する。 See FIG. 30 (d). With the hand 33 supporting the substrate W, the hand 33 retreats and goes out of the carrier C. From this procedure, the hand 33 moves at the first velocity VA1 and the first acceleration AA1.

上述した動作例において、棚２２に載置される基板Ｗが第１基板Ｗ１に属する場合、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に、第１高さ位置ＨＡ１で進入する。棚２２に載置される基板Ｗが第２基板Ｗ２に属する場合、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に、第２高さ位置ＨＡ２で進入する。棚２２に載置される基板Ｗが第３基板Ｗ３に属する場合、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に、第３高さ位置ＨＡ３で進入する。棚２２に載置される基板Ｗが通常径基板ＷＮであるとき、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に、第１挿入量ＫＡ１だけ、進み、その後、停止する。棚２２に載置される基板Ｗが大径基板ＷＬであるとき、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に、第２挿入量ＫＡ２だけ、進み、その後、停止する。 In the above-described operation example, when the substrate W mounted on the shelf 22 belongs to the first substrate W1, the hand 33 enters between the two adjacent shelves 22 in the vertical direction Z at the first height position HA1. To do. When the substrate W placed on the shelf 22 belongs to the second substrate W2, the hand 33 enters between the two adjacent shelves 22 in the vertical direction Z at the second height position HA2. When the substrate W placed on the shelf 22 belongs to the third substrate W3, the hand 33 enters between the two adjacent shelves 22 in the vertical direction Z at the third height position HA3. When the substrate W placed on the shelf 22 is the normal diameter substrate WN, the hand 33 advances by the first insertion amount KA1 between the two adjacent shelves 22 in the vertical direction Z, and then stops. When the substrate W placed on the shelf 22 is the large-diameter substrate WL, the hand 33 advances by the second insertion amount KA2 between the two adjacent shelves 22 in the vertical direction Z, and then stops.

図３１（ａ）、３１（ｂ）は、棚２２に載置される基板Ｗとハンド３３の挿入高さＨＡの関係を示す図である。図３１（ａ）では、棚２２に第１基板Ｗ１が載置される。図３１（ｂ）では、棚２２に第２基板Ｗ２または第３基板Ｗ３が載置される。 31 (a) and 31 (b) are diagrams showing the relationship between the substrate W placed on the shelf 22 and the insertion height HA of the hand 33. In FIG. 31A, the first substrate W1 is placed on the shelf 22. In FIG. 31B, the second substrate W2 or the third substrate W3 is placed on the shelf 22.

第１基板Ｗ１は、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３よりも、撓む。具体的には、第１基板Ｗ１は、下方に凸に湾曲する。上述のとおり、第１高さ位置ＨＡ１は、第２高さ位置ＨＡ２および第３高さ位置ＨＡ３よりも低い。このため、ハンド３３が第１基板Ｗ１と干渉することなく、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に、進入できる。 The first substrate W1 is more flexible than the second substrate W2 and the third substrate W3. Specifically, the first substrate W1 is curved downwardly. As described above, the first height position HA1 is lower than the second height position HA2 and the third height position HA3. Therefore, the hand 33 can enter between the two adjacent shelves 22 in the vertical direction Z without interfering with the first substrate W1.

第２基板Ｗ２または第３基板Ｗ３の撓み量は、第１基板Ｗ１よりも小さい。上述のとおり、第２高さ位置ＨＡ２および第３高さ位置ＨＡ３はいずれも、第１高さ位置ＨＡ１よりも高い。このため、ハンド３３が第２基板Ｗ２または第３基板Ｗ３と干渉することなく、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に、進入できる。 The amount of deflection of the second substrate W2 or the third substrate W3 is smaller than that of the first substrate W1. As described above, both the second height position HA2 and the third height position HA3 are higher than the first height position HA1. Therefore, the hand 33 can enter between the two adjacent shelves 22 in the vertical direction Z without interfering with the second substrate W2 or the third substrate W3.

＜＜搬送機構４がキャリアＣから載置部６に基板Ｗを搬送する動作例＞＞
ハンド３３が基板Ｗを支持した状態で、ハンド３３はキャリアＣから載置部６に移動する。これにより、搬送機構４は、キャリアＣから載置部６に基板Ｗを搬送する。搬送機構４がキャリアＣから載置部６に基板Ｗを搬送するとき、ハンド３３は、第１速度ＶＡ１および第１加速度ＡＡ１で、移動する。 << Operation example in which the transport mechanism 4 transports the substrate W from the carrier C to the mounting portion 6 >>
With the hand 33 supporting the substrate W, the hand 33 moves from the carrier C to the mounting portion 6. As a result, the transport mechanism 4 transports the substrate W from the carrier C to the mounting portion 6. When the transport mechanism 4 transports the substrate W from the carrier C to the mounting portion 6, the hand 33 moves at the first speed VA1 and the first acceleration AA1.

＜＜搬送機構４が載置部６の棚４５に基板Ｗを置く動作例＞＞
図３２（ａ）−３２（ｄ）は、搬送機構４が載置部６の棚４５から基板Ｗを取る動作例を模式的に示す図である。 << Operation example in which the transport mechanism 4 places the substrate W on the shelf 45 of the mounting portion 6 >>
32 (a)-32 (d) are diagrams schematically showing an operation example in which the transport mechanism 4 takes the substrate W from the shelf 45 of the mounting portion 6.

図３２（ａ）を参照する。ハンド３３は、基板Ｗを支持する。ハンド３３は、載置部６と向かい合う位置に移動する。ハンド３３は、制御部９によって決定された高さ位置ＨＢに調整される。 See FIG. 32 (a). The hand 33 supports the substrate W. The hand 33 moves to a position facing the mounting portion 6. The hand 33 is adjusted to the height position HB determined by the control unit 9.

図３２（ｂ）を参照する。ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、制御部９によって決定された高さ位置ＨＢで進入する。ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、制御部９で決定された挿入量ＫＢだけ進み、その後、停止する。 See FIG. 32 (b). The hand 33 enters between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z at a height position HB determined by the control unit 9. The hand 33 advances by the insertion amount KB determined by the control unit 9 between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z, and then stops.

ここまでの手順では、ハンド３３は、第１速度ＶＡ１および第１加速度ＡＡ１で、移動する。 In the procedure up to this point, the hand 33 moves at the first velocity VA1 and the first acceleration AA1.

図３２（ｃ）を参照する。ハンド３３が下方に移動し、１つの棚４５に含まれる第１棚４６と第２棚４７の間を通過する。これにより、ハンド３３は、１つの棚４５に１枚の基板Ｗを置く。ハンド３３は、棚４５上の基板Ｗから離れる。 See FIG. 32 (c). The hand 33 moves downward and passes between the first shelf 46 and the second shelf 47 included in one shelf 45. As a result, the hand 33 places one substrate W on one shelf 45. The hand 33 separates from the substrate W on the shelf 45.

基板Ｗは、棚４５の第１傾斜面５１および第２傾斜面５５によって案内される。これにより、基板Ｗが棚４５に載置されるとき、基板Ｗは、所定の位置に位置決めされる。仮にハンド３３が棚４５に基板Ｗを置く位置がばらついても、棚４５は、基板Ｗの位置のばらつきが小さくなるように。基板Ｗの位置を調整する。 The substrate W is guided by the first inclined surface 51 and the second inclined surface 55 of the shelf 45. As a result, when the substrate W is placed on the shelf 45, the substrate W is positioned at a predetermined position. Even if the position where the hand 33 places the substrate W on the shelf 45 varies, the shelf 45 has a small variation in the position of the substrate W. Adjust the position of the substrate W.

図３２（ｄ）を参照する。ハンド３３が基板Ｗを支持していない状態で、ハンド３３は退き、載置部６の外部に出る。この手順から、ハンド３３は、第２速度ＶＡ２および第２加速度ＡＡ２で、移動する。 See FIG. 32 (d). In a state where the hand 33 does not support the substrate W, the hand 33 retracts and goes out of the mounting portion 6. From this procedure, the hand 33 moves at the second velocity VA2 and the second acceleration AA2.

上述した動作例において、ハンド３３に支持される基板Ｗが第１基板Ｗ１に属する場合、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第１高さ位置ＨＢ１で進入する。ハンド３３に支持される基板Ｗが第２基板Ｗ２に属する場合、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第２高さ位置ＨＡ２で進入する。ハンド３３に支持される基板Ｗが第３基板Ｗ３に属する場合、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第３高さ位置ＨＡ３で進入する。ハンド３３に支持される基板Ｗが通常径基板ＷＮに属する場合、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第１挿入量ＫＢ１だけ進み、その後、停止する。ハンド３３に支持される基板Ｗが大径基板ＷＬであるとき、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第２挿入量ＫＢ２だけ、進む。 In the above-described operation example, when the substrate W supported by the hand 33 belongs to the first substrate W1, the hand 33 enters between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z at the first height position HB1. .. When the substrate W supported by the hand 33 belongs to the second substrate W2, the hand 33 enters between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z at the second height position HA2. When the substrate W supported by the hand 33 belongs to the third substrate W3, the hand 33 enters between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z at the third height position HA3. When the substrate W supported by the hand 33 belongs to the normal diameter substrate WN, the hand 33 advances by the first insertion amount KB1 between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z, and then stops. When the substrate W supported by the hand 33 is a large-diameter substrate WL, the hand 33 advances by a second insertion amount KB2 between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z.

搬送機構４が載置部６の棚４５から基板Ｗを取る動作は、搬送機構４がキャリアＣの棚２２から基板Ｗを取る動作と略同じである。搬送機構４がキャリアＣの棚２２に基板Ｗを置く動作は、搬送機構４が載置部６の棚４５に基板Ｗを置く動作と略同じである。 The operation of the transport mechanism 4 to take the substrate W from the shelf 45 of the mounting portion 6 is substantially the same as the operation of the transport mechanism 4 to take the substrate W from the shelf 22 of the carrier C. The operation of the transport mechanism 4 placing the substrate W on the shelf 22 of the carrier C is substantially the same as the operation of the transport mechanism 4 placing the substrate W on the shelf 45 of the mounting portion 6.

＜搬送機構８の動作例＞
図３３は、制御部９の制御および搬送機構８の動作の手順を示すフローチャートである。 <Operation example of transport mechanism 8>
FIG. 33 is a flowchart showing a procedure for controlling the control unit 9 and operating the transport mechanism 8.

ステップＳ２１
制御部９は、搬送機構８のハンド６１を載置部６に挿入するときのハンド３３の高さ位置を決定する。具体的には、制御部９は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に搬送機構８のハンド６１を挿入するときのハンド６１の高さ位置を決定する。以下では、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に搬送機構８のハンド６１を挿入するときのハンド６１の高さ位置を、「高さ位置ＨＣ」と略記する。制御部９は、搬送機構８が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構８が棚４５に置く基板Ｗの形状に応じて、高さ位置ＨＣを変える。 Step S21
The control unit 9 determines the height position of the hand 33 when the hand 61 of the transport mechanism 8 is inserted into the mounting unit 6. Specifically, the control unit 9 determines the height position of the hand 61 when the hand 61 of the transport mechanism 8 is inserted between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z. In the following, the height position of the hand 61 when the hand 61 of the transport mechanism 8 is inserted between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z is abbreviated as “height position HC”. The control unit 9 changes the height position HC according to the shape of the substrate W taken from the shelf 45 by the conveying mechanism 8 or the substrate W placed on the shelf 45 by the conveying mechanism 8.

具体的には、搬送機構８が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構８が棚４５に置く基板Ｗが第１基板Ｗ１であるとき、制御部９は、高さ位置ＨＣを第１高さ位置ＨＣ１に決定する。搬送機構８が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構８が棚４５に置く基板Ｗが第２基板Ｗ２であるとき、制御部９は、高さ位置ＨＣを第２高さ位置ＨＣ２に決定する。搬送機構８が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構８が棚４５に置く基板Ｗが第３基板Ｗ３であるとき、制御部９は、高さ位置ＨＣを第３高さ位置ＨＣ３に決定する。第２高さ位置ＨＣ２は、第１高さ位置ＨＣ１よりも高い。第３高さ位置ＨＣ３は、第１高さ位置ＨＣ１よりも高い。第３高さ位置ＨＣ３は、第２高さ位置ＨＣ２と同じである。 Specifically, when the substrate W taken from the shelf 45 by the transport mechanism 8 or the substrate W placed on the shelf 45 by the transport mechanism 8 is the first substrate W1, the control unit 9 sets the height position HC to the first height position. Decide on HC1. When the substrate W taken from the shelf 45 by the transport mechanism 8 or the substrate W placed on the shelf 45 by the transport mechanism 8 is the second substrate W2, the control unit 9 determines the height position HC to be the second height position HC2. When the substrate W taken from the shelf 45 by the transport mechanism 8 or the substrate W placed on the shelf 45 by the transport mechanism 8 is the third substrate W3, the control unit 9 determines the height position HC to be the third height position HC3. The second height position HC2 is higher than the first height position HC1. The third height position HC3 is higher than the first height position HC1. The third height position HC3 is the same as the second height position HC2.

ステップＳ２２
制御部９は、搬送機構８のハンド６１を上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に挿入するときのハンド６１の挿入量を決定する。上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に挿入されるハンド６１の挿入量は、搬送機構８のハンド６１を上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に挿入するときの前後方向Ｘにおけるハンド６１の移動量に相当する。以下では、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に挿入されるハンド６１の挿入量を、「挿入量ＫＣ」と略記する。制御部９は、搬送機構８が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構８が棚４５に置く基板Ｗの形状に応じて、挿入量ＫＣを変える。 Step S22
The control unit 9 determines the insertion amount of the hand 61 when the hand 61 of the transport mechanism 8 is inserted between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z. The insertion amount of the hand 61 inserted between the two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z is the front-rear direction X when the hand 61 of the transport mechanism 8 is inserted between the two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z. Corresponds to the amount of movement of the hand 61 in. In the following, the insertion amount of the hand 61 inserted between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z is abbreviated as "insertion amount KC". The control unit 9 changes the insertion amount KC according to the shape of the substrate W taken from the shelf 45 by the conveying mechanism 8 or the substrate W placed on the shelf 45 by the conveying mechanism 8.

搬送機構８が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構８が棚４５に置く基板Ｗが通常径基板ＷＮであるとき、制御部９は、挿入量ＫＣを第１挿入量ＫＣ１に決定する。搬送機構８が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構８が棚４５に置く基板Ｗが大径基板ＷＬであるとき、制御部９は、挿入量ＫＣを第２挿入量ＫＣ２に決定する。第２挿入量ＫＣ２は、第１挿入量ＫＣ１よりも大きい。 When the substrate W taken from the shelf 45 by the transport mechanism 8 or the substrate W placed on the shelf 45 by the transport mechanism 8 is a normal diameter substrate WN, the control unit 9 determines the insertion amount KC to be the first insertion amount KC1. When the substrate W taken from the shelf 45 by the transport mechanism 8 or the substrate W placed on the shelf 45 by the transport mechanism 8 is a large-diameter substrate WL, the control unit 9 determines the insertion amount KC to be the second insertion amount KC2. The second insertion amount KC2 is larger than the first insertion amount KC1.

ステップＳ２３
制御部９は、吸引部６８に供給される気体の流量を決定する。以下では、吸引部６８に供給される気体の流量を、「流量Ｍ」と略記する。制御部９は、搬送機構８に搬送される基板Ｗの形状に応じて、流量Ｍを変える。 Step S23
The control unit 9 determines the flow rate of the gas supplied to the suction unit 68. Hereinafter, the flow rate of the gas supplied to the suction unit 68 is abbreviated as “flow rate M”. The control unit 9 changes the flow rate M according to the shape of the substrate W transported to the transport mechanism 8.

具体的には、搬送機構８が第１基板Ｗ１を搬送するとき、制御部９は、流量Ｍを第１流量Ｍ１に調整する。搬送機構８が第２基板Ｗ２を搬送するとき、制御部９は、流量Ｍを第２流量Ｍ２に調整する。搬送機構８が第３基板Ｗ３を搬送するとき、制御部９は、流量Ｍを第３流量Ｍ３に調整する。第２流量Ｍ２は、第１流量Ｍ１よりも大きい。第３流量Ｍ３は、第１流量Ｍ１よりも大きい。 Specifically, when the transport mechanism 8 transports the first substrate W1, the control unit 9 adjusts the flow rate M to the first flow rate M1. When the transport mechanism 8 transports the second substrate W2, the control unit 9 adjusts the flow rate M to the second flow rate M2. When the transport mechanism 8 transports the third substrate W3, the control unit 9 adjusts the flow rate M to the third flow rate M3. The second flow rate M2 is larger than the first flow rate M1. The third flow rate M3 is larger than the first flow rate M1.

ステップＳ２４
制御部９は、基板Ｗを処理する処理ユニット７を決定する。より詳しくは、制御部９は、基板Ｗの形状に応じて、基板Ｗを処理する処理ユニット７を、第１処理ユニット７Ａおよび第２処理ユニット７Ｂのいずれか１つに決定する。 Step S24
The control unit 9 determines a processing unit 7 for processing the substrate W. More specifically, the control unit 9 determines the processing unit 7 for processing the substrate W to be one of the first processing unit 7A and the second processing unit 7B according to the shape of the substrate W.

具体的には、基板Ｗが第１基板Ｗ１であるとき、制御部９は、その基板Ｗを第１処理ユニット７Ａにおいて処理することを決定する。基板Ｗが第２基板Ｗ２であるとき、制御部９は、その基板Ｗを第２処理ユニット７Ｂにおいて処理することを決定する。基板Ｗが第３基板Ｗ３であるとき、制御部９は、その基板Ｗを第２処理ユニット７Ｂにおいて処理することを決定する。 Specifically, when the substrate W is the first substrate W1, the control unit 9 determines that the substrate W is processed by the first processing unit 7A. When the substrate W is the second substrate W2, the control unit 9 decides to process the substrate W in the second processing unit 7B. When the substrate W is the third substrate W3, the control unit 9 decides to process the substrate W in the second processing unit 7B.

ステップＳ２５
制御部９は、搬送機構８のハンド６１の移動速度と加速度を決定する。以下では、搬送機構８のハンド６１の移動速度を、「移動速度ＶＢ」と略記する。以下では、搬送機構８のハンド６１の加速度を、「加速度ＡＢ」と略記する。制御部９は、搬送機構８が基板Ｗを支持しているか否かによって、移動速度ＶＢを変える。制御部９は、搬送機構８が基板Ｗを支持しているか否かによって、加速度ＡＢを変える。 Step S25
The control unit 9 determines the moving speed and acceleration of the hand 61 of the transport mechanism 8. Hereinafter, the moving speed of the hand 61 of the transport mechanism 8 is abbreviated as “moving speed VB”. Hereinafter, the acceleration of the hand 61 of the transport mechanism 8 is abbreviated as “acceleration AB”. The control unit 9 changes the moving speed VB depending on whether or not the transport mechanism 8 supports the substrate W. The control unit 9 changes the acceleration AB depending on whether or not the transport mechanism 8 supports the substrate W.

制御部９が移動速度ＶＢと加速度ＡＢを決定するとき、制御部９は基板検出部８９の検出結果を適宜に参照してもよい。 When the control unit 9 determines the moving speed VB and the acceleration AB, the control unit 9 may appropriately refer to the detection result of the substrate detection unit 89.

具体的には、搬送機構８が基板Ｗを支持しているとき、制御部９は移動速度ＶＢを第１速度ＶＢ１に決定する。搬送機構８が基板Ｗを支持していないとき、制御部９は移動速度ＶＢを第２速度ＶＢ２に決定する。第２速度ＶＢ２は、第１速度ＶＢ１よりも大きい。例えば、第１速度ＶＢ１は、第２速度ＶＢ２の５０％以下である。 Specifically, when the transport mechanism 8 supports the substrate W, the control unit 9 determines the moving speed VB to be the first speed VB1. When the transport mechanism 8 does not support the substrate W, the control unit 9 determines the moving speed VB to be the second speed VB2. The second speed VB2 is larger than the first speed VB1. For example, the first speed VB1 is 50% or less of the second speed VB2.

搬送機構８が基板Ｗを支持しているとき、制御部９は加速度ＡＢを第１加速度ＡＢ１に決定する。搬送機構８が基板Ｗを支持していないとき、制御部９は加速度ＡＢを第２加速度ＡＢ２に決定する。第２加速度ＡＢ２は、第１加速度ＡＢ１よりも大きい。例えば、第１加速度ＡＢ１は、第２加速度ＡＢ２の７０％以下である。 When the transport mechanism 8 supports the substrate W, the control unit 9 determines the acceleration AB to be the first acceleration AB1. When the transport mechanism 8 does not support the substrate W, the control unit 9 determines the acceleration AB to be the second acceleration AB2. The second acceleration AB2 is larger than the first acceleration AB1. For example, the first acceleration AB1 is 70% or less of the second acceleration AB2.

ステップＳ２６
制御部９は、決定された高さ位置ＨＣ、挿入量ＫＣ、流量Ｍ、処理ユニット７、移動速度ＶＢ、および、加速度ＡＢによって、搬送機構８（具体的にはハンド駆動部６２）を制御する。決定された処理ユニット７は、具体的には、第１処理ユニット７Ａおよび第２処理ユニット７Ｂのうちで決定された１つである。 Step S26
The control unit 9 controls the transport mechanism 8 (specifically, the hand drive unit 62) by the determined height position HC, the insertion amount KC, the flow rate M, the processing unit 7, the moving speed VB, and the acceleration AB. .. The determined processing unit 7 is specifically one of the first processing unit 7A and the second processing unit 7B.

ステップＳ２７
制御部９による制御にしたがって、搬送機構８のハンド駆動部６２は、ハンド６１を移動させる。これにより、搬送機構８は基板Ｗを搬送する。 Step S27
The hand drive unit 62 of the transfer mechanism 8 moves the hand 61 according to the control by the control unit 9. As a result, the transport mechanism 8 transports the substrate W.

下記の動作例を具体的に説明する。
・搬送機構８が載置部６の棚４５から基板Ｗを取る動作例
・搬送機構８が載置部６から処理ユニット７に基板Ｗを搬送する動作例
・搬送機構８が処理ユニットの基板保持部９１に基板Ｗを渡す動作例
・搬送機構８が処理ユニット７の基板保持部９１から基板Ｗを取る動作例
・搬送機構８が載置部６の棚４５に基板Ｗを渡す動作例 The following operation example will be specifically described.
-Example of operation in which the transport mechanism 8 takes the substrate W from the shelf 45 of the mounting portion 6-Example of operation in which the transport mechanism 8 transports the substrate W from the mounting portion 6 to the processing unit 7.-The transport mechanism 8 holds the substrate of the processing unit. Example of operation of passing the board W to the unit 91-Example of operation of the transfer mechanism 8 taking the board W from the substrate holding unit 91 of the processing unit 7-Example of operation of the transfer mechanism 8 passing the board W to the shelf 45 of the mounting unit 6.

＜＜搬送機構８が載置部６の棚４５から基板Ｗを取る動作例＞＞
図３４（ａ）−３４（ｄ）、および、図３５（ａ）−３５（ｄ）は、搬送機構８が載置部６の棚４５から基板Ｗを取る動作例を模式的に示す図である。 << Operation example in which the transport mechanism 8 takes the substrate W from the shelf 45 of the mounting portion 6 >>
34 (a) -34 (d) and 35 (a) -35 (d) are diagrams schematically showing an operation example in which the transport mechanism 8 takes the substrate W from the shelf 45 of the mounting portion 6. is there.

図３４（ａ）を参照する。ハンド６１は、基板Ｗを保持していない。吸引調整部７３は、吸引部６８に気体を供給していない。吸引部６８は、気体を吹き出していない。吸引部６８は、基板Ｗを吸引していない。第２受け部８３は、退避位置に位置している。ハンド６１は、載置部６と向かい合う位置に移動する。ハンド６１は、制御部９によって決定された高さ位置ＨＣに調整される。 See FIG. 34 (a). The hand 61 does not hold the substrate W. The suction adjusting unit 73 does not supply gas to the suction unit 68. The suction unit 68 does not blow out gas. The suction unit 68 does not suck the substrate W. The second receiving portion 83 is located at the retracted position. The hand 61 moves to a position facing the mounting portion 6. The hand 61 is adjusted to the height position HC determined by the control unit 9.

図３４（ｂ）を参照する。ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、制御部９によって決定された高さ位置ＨＣで進入する。ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、制御部９で決定された挿入量ＫＣだけ進み、その後、停止する。ハンド６１が停止したとき、第１受け部８２および第２受け部８３は、平面視において、棚４５に載置される基板Ｗと重ならない。 See FIG. 34 (b). The hand 61 enters between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z at a height position HC determined by the control unit 9. The hand 61 advances by the insertion amount KC determined by the control unit 9 between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z, and then stops. When the hand 61 is stopped, the first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 do not overlap with the substrate W placed on the shelf 45 in a plan view.

図３４（ｃ）を参照する。ハンド６１が下方に移動する。第１受け部８２と第２受け部８３は、１つの棚４５に載置される基板Ｗの側方を通過し、棚４５に載置される基板Ｗよりも低い位置まで移動する。吸引部６８は、基板Ｗの上面１７に近づく。 See FIG. 34 (c). The hand 61 moves downward. The first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 pass by the side of the substrate W mounted on one shelf 45, and move to a position lower than the substrate W mounted on the shelf 45. The suction unit 68 approaches the upper surface 17 of the substrate W.

図３４（ｄ）を参照する。ハンド６１は、水平方向に僅かに移動する。これにより、第１受け部８２は、平面視において、棚４５に載置される基板Ｗと重なる位置に移動する。第２受け部８３は、平面視において、棚４５に載置される基板Ｗと重ならないままである。 See FIG. 34 (d). The hand 61 moves slightly in the horizontal direction. As a result, the first receiving portion 82 moves to a position where it overlaps with the substrate W placed on the shelf 45 in a plan view. The second receiving portion 83 does not overlap with the substrate W placed on the shelf 45 in a plan view.

ここまでの手順では、ハンド６１は、第２速度ＶＢ２および第２加速度ＡＢ２で、移動する。 In the procedure up to this point, the hand 61 moves at the second speed VB2 and the second acceleration AB2.

図３５（ａ）を参照する。吸引調整部７３は、制御部９によって決定された流量Ｍで、吸引部６８に気体を供給する。吸引部６８は、基板Ｗの上面１７に沿って気体を流す。これにより、吸引部６８は基板Ｗを上方に吸引する。基板Ｗは、上方に浮く。基板Ｗは、棚４５から離れる。基板Ｗの上面１７は、接触部７４に接触する。このようにして、ハンド６１は、棚４５から１枚の基板Ｗを取る。ハンド６１は、基板Ｗを保持する。 See FIG. 35 (a). The suction adjusting unit 73 supplies gas to the suction unit 68 at a flow rate M determined by the control unit 9. The suction unit 68 allows gas to flow along the upper surface 17 of the substrate W. As a result, the suction unit 68 sucks the substrate W upward. The substrate W floats upward. The substrate W separates from the shelf 45. The upper surface 17 of the substrate W comes into contact with the contact portion 74. In this way, the hand 61 takes one substrate W from the shelf 45. The hand 61 holds the substrate W.

図３５（ｂ）を参照する。ハンド６１が上方に移動する。この手順から、ハンド６１は、第１速度ＶＢ１および第１加速度ＡＢ１で、移動する。 See FIG. 35 (b). The hand 61 moves upward. From this procedure, the hand 61 moves at the first velocity VB1 and the first acceleration AB1.

図３５（ｃ）を参照する。受け部駆動部８６が退避位置から脱落防止位置に第２受け部８３を移動させる。これにより、第１受け部８２および第２受け部８３の両方が、平面視において、吸引部６８に吸引される基板Ｗと重なる。 See FIG. 35 (c). The receiving unit drive unit 86 moves the second receiving unit 83 from the retracted position to the dropout prevention position. As a result, both the first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 overlap with the substrate W sucked by the suction portion 68 in a plan view.

このため、仮に、基板Ｗが接触部７４から離れて下方に落下しても、受け部８１は基板Ｗを受け止める。すなわち、ハンド６１は、基板Ｗを落とすおそれがない。 Therefore, even if the substrate W separates from the contact portion 74 and falls downward, the receiving portion 81 receives the substrate W. That is, the hand 61 does not have a risk of dropping the substrate W.

図３５（ｄ）を参照する。ハンド６１が基板Ｗを保持した状態で、ハンド６１は退き、載置部６の外部に出る。 See FIG. 35 (d). With the hand 61 holding the substrate W, the hand 61 retracts and goes out of the mounting portion 6.

上述した動作例において、棚４５に載置される基板Ｗが第１基板Ｗ１に属する場合、ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第１高さ位置ＨＣ１で進入する。さらに、吸引調整部７３は第１流量Ｍ１で吸引部６８に気体を供給する。棚４５に載置される基板Ｗが第２基板Ｗ２に属する場合、ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第２高さ位置ＨＣ２で進入する。さらに、吸引調整部７３は第２流量Ｍ２で吸引部６８に気体を供給する。棚４５に載置される基板Ｗが第３基板Ｗ３に属する場合、ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第３高さ位置ＨＣ３で進入する。さらに、吸引調整部７３は第３流量Ｍ３で吸引部６８に気体を供給する。棚４５に載置される基板Ｗが第３基板Ｗ３に属する場合、ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第３高さ位置ＨＣ３で進入する。さらに、吸引調整部７３は吸引部６８に第３流量Ｍ３で気体を供給する。棚４５に載置される基板Ｗが通常径基板ＷＮであるとき、ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第１挿入量ＫＣ１だけ、進み、その後、停止する。棚４５に載置される基板Ｗが大径基板ＷＬであるとき、ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第２挿入量ＫＣ２だけ、進み、その後、停止する。 In the above-described operation example, when the substrate W mounted on the shelf 45 belongs to the first substrate W1, the hand 61 enters between the two adjacent shelves 45 in the vertical direction Z at the first height position HC1. To do. Further, the suction adjusting unit 73 supplies gas to the suction unit 68 at the first flow rate M1. When the substrate W placed on the shelf 45 belongs to the second substrate W2, the hand 61 enters between the two adjacent shelves 45 in the vertical direction Z at the second height position HC2. Further, the suction adjusting unit 73 supplies gas to the suction unit 68 at the second flow rate M2. When the substrate W placed on the shelf 45 belongs to the third substrate W3, the hand 61 enters between the two adjacent shelves 45 in the vertical direction Z at the third height position HC3. Further, the suction adjusting unit 73 supplies gas to the suction unit 68 at the third flow rate M3. When the substrate W placed on the shelf 45 belongs to the third substrate W3, the hand 61 enters between the two adjacent shelves 45 in the vertical direction Z at the third height position HC3. Further, the suction adjusting unit 73 supplies the gas to the suction unit 68 at the third flow rate M3. When the substrate W placed on the shelf 45 is a normal diameter substrate WN, the hand 61 advances by the first insertion amount KC1 between two adjacent shelves 45 in the vertical direction Z, and then stops. When the substrate W placed on the shelf 45 is a large-diameter substrate WL, the hand 61 advances by a second insertion amount KC2 between two adjacent shelves 45 in the vertical direction Z, and then stops.

＜＜搬送機構８が載置部６から処理ユニット７に基板Ｗを搬送する動作例＞＞
ハンド６１は基板Ｗを保持している。具体的には、吸引調整部７３は、制御部９によって決定された流量Ｍで、吸引部６８に気体を供給する。ハンド６１が保持する基板Ｗが第１基板Ｗ１である場合、吸引調整部７３は、第１流量Ｍ１で吸引部６８に気体を供給する。ハンド６１が保持する基板Ｗが第２基板Ｗ２または第３基板Ｗ３である場合、吸引調整部７３は、第２流量Ｍ２で吸引部６８に気体を供給する。吸引部６８は、基板Ｗの上面１６に沿って気体を流している。吸引部６８は、基板Ｗを吸引している。 << Operation example in which the transport mechanism 8 transports the substrate W from the mounting portion 6 to the processing unit 7 >>
The hand 61 holds the substrate W. Specifically, the suction adjusting unit 73 supplies gas to the suction unit 68 at a flow rate M determined by the control unit 9. When the substrate W held by the hand 61 is the first substrate W1, the suction adjusting unit 73 supplies gas to the suction unit 68 at the first flow rate M1. When the substrate W held by the hand 61 is the second substrate W2 or the third substrate W3, the suction adjusting unit 73 supplies gas to the suction unit 68 at the second flow rate M2. The suction unit 68 causes gas to flow along the upper surface 16 of the substrate W. The suction unit 68 sucks the substrate W.

第２受け部８３は、脱落防止位置に位置する。第１受け部８２と第２受け部８３の両方は、平面視で、吸引部６８に吸引される基板Ｗと重なる。 The second receiving portion 83 is located at a dropout prevention position. Both the first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 overlap with the substrate W sucked by the suction portion 68 in a plan view.

ハンド６１は、載置部６から、制御部９によって決定された処理ユニット７に移動する。これにより、搬送機構８は、制御部９によって決定された処理ユニット７に、基板Ｗを搬送する。ハンド６１が保持する基板Ｗが第１基板Ｗ１である場合、搬送機構８は、第１処理ユニット７Ａに基板Ｗを搬送する。ハンド６１が保持する基板Ｗが第２基板Ｗ２または第３基板Ｗ３である場合、搬送機構８は、第２処理ユニット７Ｂに基板Ｗを搬送する。 The hand 61 moves from the mounting unit 6 to the processing unit 7 determined by the control unit 9. As a result, the transport mechanism 8 transports the substrate W to the processing unit 7 determined by the control unit 9. When the substrate W held by the hand 61 is the first substrate W1, the transport mechanism 8 transports the substrate W to the first processing unit 7A. When the substrate W held by the hand 61 is the second substrate W2 or the third substrate W3, the transport mechanism 8 transports the substrate W to the second processing unit 7B.

搬送機構８が載置部６から処理ユニット７に基板Ｗを搬送するとき、ハンド６１は、第１速度ＶＢ１および第１加速度ＡＡ１で、移動する。 When the transport mechanism 8 transports the substrate W from the mounting portion 6 to the processing unit 7, the hand 61 moves at the first speed VB1 and the first acceleration AA1.

＜＜搬送機構８が処理ユニット７の基板保持部９１に基板Ｗを渡す動作例＞＞
図３６（ａ）−３６（ｆ）は、搬送機構８が処理ユニット７の基板保持部９１に基板Ｗを渡す動作例を模式的に示す図である。なお、基板保持部９１が第１基板保持部９１Ａであっても第２基板保持部９１Ｂであっても、搬送機構８が基板保持部９１に基板Ｗを渡す動作は同じである。 << Operation example in which the transport mechanism 8 passes the substrate W to the substrate holding portion 91 of the processing unit 7 >>
36 (a)-36 (f) is a diagram schematically showing an operation example in which the transport mechanism 8 passes the substrate W to the substrate holding portion 91 of the processing unit 7. Whether the substrate holding portion 91 is the first substrate holding portion 91A or the second substrate holding portion 91B, the operation of the transport mechanism 8 passing the substrate W to the substrate holding portion 91 is the same.

図３６（ａ）を参照する。ハンド６１が基板Ｗを保持している。具体的には、吸引調整部７３は、制御部９によって決定された流量Ｍで、吸引部６８に気体を供給する。吸引部６８は、基板Ｗの上面１６に沿って気体を流している。吸引部６８は、基板Ｗを吸引している。 See FIG. 36 (a). The hand 61 holds the substrate W. Specifically, the suction adjusting unit 73 supplies gas to the suction unit 68 at a flow rate M determined by the control unit 9. The suction unit 68 causes gas to flow along the upper surface 16 of the substrate W. The suction unit 68 sucks the substrate W.

第２受け部８３は、脱落防止位置に位置している。ハンド６１は処理ユニット７の内部に進入している。ハンド６１は、基板保持部９１の上方に位置している。リフトピン１１６は、上位置に位置している。 The second receiving portion 83 is located at a dropout prevention position. The hand 61 has entered the inside of the processing unit 7. The hand 61 is located above the substrate holding portion 91. The lift pin 116 is located in the upper position.

図３６（ｂ）を参照する。吸引調整部７３は、吸引部６８への気体の供給を停止する。吸引部６８は、基板Ｗの吸引を停止する。基板Ｗは、下方に落ちる。受け部８１は、基板Ｗを受ける。より詳しくは、第１受け部８２と第２受け部８３は、基板Ｗの下面１６を受ける。このように、吸引部６８が基板Ｗの吸引を停止することによって、基板Ｗを第１受け部８２および第２受け部８３に載せる。 See FIG. 36 (b). The suction adjusting unit 73 stops the supply of gas to the suction unit 68. The suction unit 68 stops the suction of the substrate W. The substrate W falls downward. The receiving portion 81 receives the substrate W. More specifically, the first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 receive the lower surface 16 of the substrate W. In this way, the suction unit 68 stops the suction of the substrate W, so that the substrate W is placed on the first receiving portion 82 and the second receiving portion 83.

図３６（ｃ）を参照する。ハンド６１は、僅かに下方に移動する。これにより、第１受け部８２および第２受け部８３はリフトピン１１６に基板Ｗを渡す。リフトピン１１６は、受け部８１から基板Ｗを受ける。リフトピン１１６は、基板Ｗを上位置で支持する。第１受け部８２および第２受け部８３は、リフトピン１１６に支持される基板Ｗよりも低い位置まで移動する。第１受け部８２および第２受け部８３は、リフトピン１１６に支持される基板Ｗから離れる。 See FIG. 36 (c). The hand 61 moves slightly downward. As a result, the first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 pass the substrate W to the lift pin 116. The lift pin 116 receives the substrate W from the receiving portion 81. The lift pin 116 supports the substrate W in the upper position. The first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 move to a position lower than the substrate W supported by the lift pin 116. The first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 are separated from the substrate W supported by the lift pin 116.

ここまでの手順では、ハンド６１は、第１速度ＶＢ１および第１加速度ＡＢ１で、移動する。 In the procedure up to this point, the hand 61 moves at the first velocity VB1 and the first acceleration AB1.

図３６（ｄ）を参照する。受け部駆動部８６が脱落防止位置から退避位置に第２受け部８３を移動させる。これにより、第２受け部８３は、平面視で、リフトピン１１６に支持される基板Ｗと重ならない位置に移動する。第１受け部８２は、平面視において、リフトピン１１６に支持される基板Ｗと重なったままである。 See FIG. 36 (d). The receiving unit drive unit 86 moves the second receiving unit 83 from the dropout prevention position to the retracted position. As a result, the second receiving portion 83 moves to a position where it does not overlap with the substrate W supported by the lift pin 116 in a plan view. The first receiving portion 82 remains overlapped with the substrate W supported by the lift pin 116 in a plan view.

図３６（ｅ）を参照する。ハンド６１は、水平方向に僅かに移動する。これにより、第１受け部８２および第２受け部８３の両方が、平面視で、リフトピン１１６に支持された基板Ｗと重ならない位置に移動する。この手順から、ハンド６１は、第２速度ＶＢ２および第２加速度ＡＢ２で、移動する。 See FIG. 36 (e). The hand 61 moves slightly in the horizontal direction. As a result, both the first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 move to a position that does not overlap with the substrate W supported by the lift pin 116 in a plan view. From this procedure, the hand 61 moves at the second velocity VB2 and the second acceleration AB2.

図３６（ｆ）を参照する。ハンド６１は、上方に移動する。第１受け部８２と第２受け部８３は、リフトピン１１６に支持される基板Ｗの側方を通過し、リフトピン１１６に支持される基板Ｗよりも高い位置まで移動する。 See FIG. 36 (f). The hand 61 moves upward. The first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 pass by the side of the substrate W supported by the lift pin 116, and move to a position higher than the substrate W supported by the lift pin 116.

その後、図示を省略するが、ハンド６１が基板Ｗを保持していない状態で、ハンド６１は退き、処理ユニット７の外部に出る。 After that, although not shown, the hand 61 retreats and goes out of the processing unit 7 in a state where the hand 61 does not hold the substrate W.

＜＜搬送機構８が処理ユニット７の基板保持部９１から基板Ｗを取る動作例＞＞
図３７（ａ）−３７（ｆ）は、搬送機構８が処理ユニット７の基板保持部９１から基板Ｗを取る動作例を模式的に示す図である。なお、基板保持部９１が第１基板保持部９１Ａであっても第２基板保持部９１Ｂであっても、搬送機構８が基板保持部９１から基板Ｗを取る動作は同じである。 << Operation example in which the transport mechanism 8 takes the substrate W from the substrate holding portion 91 of the processing unit 7 >>
37 (a)-37 (f) is a diagram schematically showing an operation example in which the transport mechanism 8 takes the substrate W from the substrate holding portion 91 of the processing unit 7. Whether the substrate holding portion 91 is the first substrate holding portion 91A or the second substrate holding portion 91B, the operation of the transport mechanism 8 to take the substrate W from the substrate holding portion 91 is the same.

図３７（ａ）を参照する。ハンド６１が基板Ｗを保持していない。吸引調整部７３は、吸引部６８に気体を供給していない。吸引部６８は、基板Ｗの上面１６に沿って気体を流していない。吸引部６８は、基板Ｗを吸引していない。第２受け部８３は、退避位置に位置している。ハンド６１は処理ユニット７の内部に進入している。ハンド６１は、基板保持部９１の上方に位置している。リフトピン１１６は、基板Ｗを上位置で支持している。第１受け部８２および第２受け部８３は、平面視において、リフトピン１１６に支持される基板Ｗと重ならない。 See FIG. 37 (a). The hand 61 does not hold the substrate W. The suction adjusting unit 73 does not supply gas to the suction unit 68. The suction unit 68 does not allow gas to flow along the upper surface 16 of the substrate W. The suction unit 68 does not suck the substrate W. The second receiving portion 83 is located at the retracted position. The hand 61 has entered the inside of the processing unit 7. The hand 61 is located above the substrate holding portion 91. The lift pin 116 supports the substrate W in the upper position. The first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 do not overlap with the substrate W supported by the lift pin 116 in a plan view.

図３７（ｂ）を参照する。ハンド６１が僅かに下方に移動する。第１受け部８２と第２受け部８３は、リフトピン１１６に支持される基板Ｗの側方を通過し、リフトピン１１６に支持される基板Ｗよりも低い位置まで移動する。吸引部６８は、基板Ｗの上面１７に近づく。 See FIG. 37 (b). The hand 61 moves slightly downward. The first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 pass by the side of the substrate W supported by the lift pin 116, and move to a position lower than the substrate W supported by the lift pin 116. The suction unit 68 approaches the upper surface 17 of the substrate W.

図３７（ｃ）を参照する。ハンド６１が僅かに水平方向に移動する。これにより、第１受け部８２は、平面視において、リフトピン１１６に支持される基板Ｗと重なる位置に移動する。第２受け部８３は、平面視において、リフトピン１１６に支持される基板Ｗと重ならないままである。 See FIG. 37 (c). The hand 61 moves slightly horizontally. As a result, the first receiving portion 82 moves to a position where it overlaps with the substrate W supported by the lift pin 116 in a plan view. The second receiving portion 83 does not overlap with the substrate W supported by the lift pin 116 in a plan view.

図３７（ｄ）を参照する。受け部駆動部８６が退避位置から脱落防止位置に第２受け部８３を移動させる。これにより、第２受け部８３および第１受け部８２の両方が、平面視において、吸引部６８に吸引される基板Ｗと重なる。 See FIG. 37 (d). The receiving unit drive unit 86 moves the second receiving unit 83 from the retracted position to the dropout prevention position. As a result, both the second receiving portion 83 and the first receiving portion 82 overlap with the substrate W sucked by the suction portion 68 in a plan view.

ここまでの手順では、ハンド６１は、第２速度ＶＢ２および第２加速度ＡＢ２で、移動する。 In the procedure up to this point, the hand 61 moves at the second speed VB2 and the second acceleration AB2.

図３７（ｅ）を参照する。吸引調整部７３は、制御部９によって決定された流量Ｍで、吸引部６８に気体を供給する。吸引部６８は、基板Ｗの上面１７に沿って気体を流す。これにより、吸引部６８は基板Ｗを上方に吸引する。基板Ｗは、上方に浮く。基板Ｗは、リフトピン１１６から離れる。基板Ｗの上面１７は、接触部７４に接触する。このようにして、ハンド６１は、リフトピン１１６から１枚の基板Ｗを取る。ハンド６１は、基板Ｗを保持する。 See FIG. 37 (e). The suction adjusting unit 73 supplies gas to the suction unit 68 at a flow rate M determined by the control unit 9. The suction unit 68 allows gas to flow along the upper surface 17 of the substrate W. As a result, the suction unit 68 sucks the substrate W upward. The substrate W floats upward. The substrate W separates from the lift pin 116. The upper surface 17 of the substrate W comes into contact with the contact portion 74. In this way, the hand 61 takes one substrate W from the lift pin 116. The hand 61 holds the substrate W.

図３７（ｆ）を参照する。ハンド６１が基板Ｗを保持した状態で、ハンド６１は上方に移動する。 See FIG. 37 (f). The hand 61 moves upward while the hand 61 holds the substrate W.

この手順から、ハンド６１は、第１速度ＶＢ１および第１加速度ＡＢ１で、移動する。 From this procedure, the hand 61 moves at the first velocity VB1 and the first acceleration AB1.

その後、図示を省略するが、ハンド６１が基板Ｗを保持した状態で、ハンド６１は退き、処理ユニット７の外部に出る。 After that, although not shown, the hand 61 retreats and goes out of the processing unit 7 while the hand 61 holds the substrate W.

＜＜搬送機構８が載置部６の棚４５に基板Ｗを渡す動作例＞＞
図３８（ａ）−３８（ｄ）、および、図３９（ａ）−３９（ｄ）は、搬送機構８が載置部６の棚４５に基板Ｗを置く動作例を模式的に示す図である。 << Operation example in which the transport mechanism 8 passes the substrate W to the shelf 45 of the mounting portion 6 >>
38 (a) -38 (d) and 39 (a) -39 (d) are diagrams schematically showing an operation example in which the transport mechanism 8 places the substrate W on the shelf 45 of the mounting portion 6. is there.

図３８（ａ）を参照する。ハンド６１が基板Ｗを保持している。吸引調整部７３は、制御部９によって決定された流量Ｍで、吸引部６８に気体を供給する。吸引部６８は、基板Ｗの上面１６に沿って気体を流している。吸引部６８は、基板Ｗを吸引している。第２受け部８３は、脱落防止位置に位置している。ハンド６１は、載置部６と向かい合う位置に移動する。ハンド６１は、制御部９によって決定された高さ位置ＨＣに調整される。 See FIG. 38 (a). The hand 61 holds the substrate W. The suction adjusting unit 73 supplies gas to the suction unit 68 at a flow rate M determined by the control unit 9. The suction unit 68 causes gas to flow along the upper surface 16 of the substrate W. The suction unit 68 sucks the substrate W. The second receiving portion 83 is located at a dropout prevention position. The hand 61 moves to a position facing the mounting portion 6. The hand 61 is adjusted to the height position HC determined by the control unit 9.

図３８（ｂ）を参照する。ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、制御部９によって決定された高さ位置ＨＣで進入する。ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、制御部９で決定された挿入量ＫＣだけ進み、その後、停止する。 See FIG. 38 (b). The hand 61 enters between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z at a height position HC determined by the control unit 9. The hand 61 advances by the insertion amount KC determined by the control unit 9 between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z, and then stops.

図３８（ｃ）を参照する。吸引調整部７３は、吸引部６８への気体の供給を停止する。吸引部６８は、基板Ｗの吸引を停止する。基板Ｗは、下方に落ちる。受け部８１は、基板Ｗを受ける。より詳しくは、第１受け部８２と第２受け部８３は、基板Ｗの下面１６を受ける。このように、吸引部６８が基板Ｗの吸引を停止することによって、基板Ｗを第１受け部８２および第２受け部８３に載せる。 See FIG. 38 (c). The suction adjusting unit 73 stops the supply of gas to the suction unit 68. The suction unit 68 stops the suction of the substrate W. The substrate W falls downward. The receiving portion 81 receives the substrate W. More specifically, the first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 receive the lower surface 16 of the substrate W. In this way, the suction unit 68 stops the suction of the substrate W, so that the substrate W is placed on the first receiving portion 82 and the second receiving portion 83.

図３８（ｄ）を参照する。ハンド６１は、僅かに下方に移動する。これにより、第１受け部８２および第２受け部８３は棚４５に基板Ｗを渡す。棚４５は、受け部８１から基板Ｗを受ける。棚４５は、基板Ｗを支持する。第１受け部８２および第２受け部８３は、棚４５に支持される基板Ｗよりも低い位置まで移動する。第１受け部８２および第２受け部８３は、棚４５に支持される基板Ｗから離れる。 See FIG. 38 (d). The hand 61 moves slightly downward. As a result, the first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 pass the substrate W to the shelf 45. The shelf 45 receives the substrate W from the receiving portion 81. The shelf 45 supports the substrate W. The first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 move to a position lower than the substrate W supported by the shelf 45. The first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 are separated from the substrate W supported by the shelf 45.

ここまでの手順では、ハンド６１は、第１速度ＶＢ１および第１加速度ＡＢ１で、移動する。 In the procedure up to this point, the hand 61 moves at the first velocity VB1 and the first acceleration AB1.

図３９（ａ）を参照する。受け部駆動部８６が脱落防止位置から退避位置に第２受け部８３を移動させる。これにより、第２受け部８３は、平面視で、棚４５に支持される基板Ｗと重ならない位置に移動する。第１受け部８２は、平面視において、棚４５に支持される基板Ｗと重なったままである。 See FIG. 39 (a). The receiving unit drive unit 86 moves the second receiving unit 83 from the dropout prevention position to the retracted position. As a result, the second receiving portion 83 moves to a position where it does not overlap with the substrate W supported by the shelf 45 in a plan view. The first receiving portion 82 remains overlapped with the substrate W supported by the shelf 45 in a plan view.

図３９（ｂ）を参照する。ハンド６１は、水平方向に僅かに移動する。これにより、第１受け部８２および第２受け部８３の両方が、平面視で、棚４５に支持された基板Ｗと重ならない位置に移動する。この手順から、ハンド６１は、第２速度ＶＢ２および第２加速度ＡＢ２で、移動する。 See FIG. 39 (b). The hand 61 moves slightly in the horizontal direction. As a result, both the first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 move to a position that does not overlap with the substrate W supported by the shelf 45 in a plan view. From this procedure, the hand 61 moves at the second velocity VB2 and the second acceleration AB2.

図３９（ｃ）を参照する。ハンド６１は、上方に移動する。第１受け部８２と第２受け部８３は、棚４５に支持される基板Ｗの側方を通過し、棚４５に支持される基板Ｗよりも高い位置まで移動する。 See FIG. 39 (c). The hand 61 moves upward. The first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 pass by the side of the substrate W supported by the shelf 45, and move to a position higher than the substrate W supported by the shelf 45.

図３９（ｄ）を参照する。ハンド６１が基板Ｗを保持していない状態で、ハンド６１は退き、載置部６の外部に出る。 See FIG. 39 (d). In a state where the hand 61 does not hold the substrate W, the hand 61 retracts and goes out of the mounting portion 6.

＜第１処理ユニット７Ａの動作例＞
図４０は、第１処理ユニット７Ａの動作例の手順を示すフローチャートである。図４１は、第１処理ユニット７Ａの動作例を示すタイミングチャートである。図４１に示すｔ３１−ｔ３５、ｔ３７−ｔ３９、ｔ４１−ｔ４４はそれぞれ、図４０に示すステップＳ３１−Ｓ３５、Ｓ３７−Ｓ３９、Ｓ４１−Ｓ４４が実行される時刻に相当する。以下に説明する各要素の動作は、制御部９によって制御される。以下に説明する動作例の一部は、上述した搬送機構８の動作例の説明と重複する。 <Operation example of the first processing unit 7A>
FIG. 40 is a flowchart showing a procedure of an operation example of the first processing unit 7A. FIG. 41 is a timing chart showing an operation example of the first processing unit 7A. T31-t35, t37-t39, and t41-t44 shown in FIG. 41 correspond to the times when steps S31-S35, S37-S39, and S41-S44 shown in FIG. 40 are executed, respectively. The operation of each element described below is controlled by the control unit 9. A part of the operation example described below overlaps with the description of the operation example of the transport mechanism 8 described above.

ステップＳ３１（時刻ｔ３１）：リフトピン１１６が上昇する
リフトピン１１６が上位置に移動する。 Step S31 (time t31): The lift pin 116 rises The lift pin 116 moves to the upper position.

ステップＳ３２（時刻ｔ３２）：リフトピン１１６が搬送機構８から基板Ｗを受ける
搬送機構８が、リフトピン１１６に１枚の基板Ｗ（具体的には第１基板Ｗ１）を渡す。より詳しくは、搬送機構８は、リフトピン１１６に基板Ｗを渡す。リフトピン１１６は、搬送機構８から基板Ｗを受ける。
リフトピン１１６は、上位置で基板Ｗを支持する。 Step S32 (time t32): The lift pin 116 receives the substrate W from the transport mechanism 8. The transport mechanism 8 passes one substrate W (specifically, the first substrate W1) to the lift pin 116. More specifically, the transport mechanism 8 passes the substrate W to the lift pin 116. The lift pin 116 receives the substrate W from the transport mechanism 8.
The lift pin 116 supports the substrate W in the upper position.

ステップＳ３３（時刻ｔ３３）：第１吹出口１０５が気体の吹き出しを開始する
第１吹出調整部１１１が第１吹出口１０５に対する気体の供給を開始する。第１吹出口１０５は、気体の吹き出しを開始する。第１吹出口１０５は、上方に気体を吹き出す。第２吹出調整部１１２は、まだ、第２吹出口１０６に対する気体の供給を開始しない。第２吹出口１０６は、気体を吹き出さない。 Step S33 (time t33): The first outlet 105 starts blowing gas. The first outlet adjusting unit 111 starts supplying gas to the first outlet 105. The first outlet 105 starts blowing out gas. The first outlet 105 blows out gas upward. The second outlet adjusting unit 112 has not yet started supplying gas to the second outlet 106. The second outlet 106 does not blow out gas.

ステップＳ３４（時刻ｔ３４）：リフトピン１１６が固定ピン１０３に基板Ｗを渡す
リフトピン１１６が、上位置から下位置に移動する。これにより、リフトピン１１６は、基板Ｗを上位置から下降させ、固定ピン１０３に基板Ｗを渡す。固定ピン１０３は、リフトピン１１６から基板Ｗを受ける。固定ピン１０３は、基板Ｗを支持する。リフトピン１１６は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗから離れる。 Step S34 (time t34): The lift pin 116 passes the substrate W to the fixing pin 103. The lift pin 116 moves from the upper position to the lower position. As a result, the lift pin 116 lowers the substrate W from the upper position and passes the substrate W to the fixing pin 103. The fixing pin 103 receives the substrate W from the lift pin 116. The fixing pin 103 supports the substrate W. The lift pin 116 is separated from the substrate W supported by the fixing pin 103.

ステップＳ３５（時刻ｔ３５）：位置調整ピン１１３が基板Ｗの位置を調整する
位置調整ピン１１３が退避位置から調整位置に移動する。これにより、位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗと接触し、水平方向における基板Ｗの位置を調整する。 Step S35 (time t35): The position adjusting pin 113 adjusts the position of the substrate W. The position adjusting pin 113 moves from the retracted position to the adjusted position. As a result, the position adjusting pin 113 comes into contact with the substrate W supported by the fixing pin 103, and adjusts the position of the substrate W in the horizontal direction.

ステップＳ３６：基板Ｗの位置をチェックする。
基板Ｗの位置が所定の位置にあるか否かをチェックする。具体的には、基板検出部１２７が、基板Ｗを検出する。基板検出部１２７は、基板検出部１２７の検出結果を制御部９に出力する。制御部９は、基板Ｗが所定の位置にあるか、を判定する。基板Ｗが所定の位置にあると制御部９が判定した場合には、ステップＳ３７に進む。仮に、基板Ｗが所定の位置にないと制御部９が判定した場合には、ステップＳ３７に進まずに、異常処理を実行する。異常処理は、例えば、ステップＳ３５を戻ることを含む。異常処理は、例えば、ユーザーに異常が発生したことを通知することを含む。 Step S36: Check the position of the substrate W.
It is checked whether or not the position of the substrate W is in a predetermined position. Specifically, the substrate detection unit 127 detects the substrate W. The board detection unit 127 outputs the detection result of the board detection unit 127 to the control unit 9. The control unit 9 determines whether the substrate W is in a predetermined position. If the control unit 9 determines that the substrate W is in a predetermined position, the process proceeds to step S37. If the control unit 9 determines that the substrate W is not in a predetermined position, the abnormality processing is executed without proceeding to step S37. The anomaly handling includes, for example, returning to step S35. The anomaly handling includes, for example, notifying the user that an anomaly has occurred.

ステップＳ３７（時刻ｔ３６）：第２吹出口１０６が気体の吹き出しを開始する
第２吹出調整部１１２が第２吹出口１０６に対する気体の供給を開始する。第２吹出口１０６は、気体の吹き出しを開始する。第２吹出口１０６は、気体を上方に吹き出す。第２吹出口１０６が吹き出す気体の流量は、第１吹出口１０５が吹き出す気体の流量よりも大きい。 Step S37 (time t36): The second outlet 106 starts blowing gas. The second outlet adjusting unit 112 starts supplying gas to the second outlet 106. The second outlet 106 starts blowing out gas. The second outlet 106 blows gas upward. The flow rate of the gas blown out by the second outlet 106 is larger than the flow rate of the gas blown out by the first outlet 105.

ステップＳ３８（時刻ｔ３８）：位置調整ピン１１３が基板Ｗから離れる
位置調整ピン１１３が調整位置から退避位置に移動する。これにより、位置調整ピン１１３が基板Ｗから離れる。 Step S38 (time t38): The position adjustment pin 113 moves away from the substrate W. The position adjustment pin 113 moves from the adjustment position to the retracted position. As a result, the position adjusting pin 113 is separated from the substrate W.

ステップＳ３９（時刻ｔ３９）：基板Ｗを処理する（基板Ｗに処理液を供給する）
第１回転駆動部９２Ａは、第１基板保持部９１Ａおよび基板Ｗを回転させる。処理液供給部１２１は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗに処理液を供給する。処理液供給部１２１が基板Ｗに処理液を供給するときにおいても、第１吹出口１０５は気体を吹き出し、第２吹出口１０６は、第１吹出口１０５よりも大きな流量で気体を吹き出す。 Step S39 (time t39): Process the substrate W (supply the processing liquid to the substrate W).
The first rotation drive unit 92A rotates the first substrate holding unit 91A and the substrate W. The processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W supported by the fixing pin 103. Even when the processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W, the first outlet 105 blows out the gas, and the second outlet 106 blows out the gas at a flow rate larger than that of the first outlet 105.

所定の時間が経過すると、基板の処理を終了する。そして、ステップＳ４０に進む。 When the predetermined time elapses, the processing of the substrate is finished. Then, the process proceeds to step S40.

ステップＳ４０：基板Ｗの位置をチェックする
基板Ｗの位置が所定の位置にあるか否かを、再びチェックする。本ステップＳ４０は、ステップＳ３６と略同じである。 Step S40: Checking the Position of the Substrate W It is checked again whether or not the position of the substrate W is in a predetermined position. This step S40 is substantially the same as step S36.

ステップＳ４１（時刻ｔ４１）：第２吹出口１０６が気体の吹き出しを停止する
第２吹出調整部１１２が第２吹出口１０６に対する気体の供給を停止する。第２吹出口１０６は、気体の吹き出しを停止する。 Step S41 (time t41): The second outlet 106 stops the gas blowing out. The second outlet adjusting unit 112 stops the supply of the gas to the second outlet 106. The second outlet 106 stops the gas from being blown out.

ステップＳ４２（時刻ｔ４２）：リフトピン１１６が固定ピン１０３から基板Ｗを取る
リフトピン１１６が下位置から上位置に移動する。これにより、リフトピン１１６は、固定ピン１０３から基板Ｗを取る。さらに、リフトピン１１６は、基板Ｗを上位置に上昇させる。 Step S42 (time t42): The lift pin 116 takes the substrate W from the fixing pin 103. The lift pin 116 moves from the lower position to the upper position. As a result, the lift pin 116 takes the substrate W from the fixing pin 103. Further, the lift pin 116 raises the substrate W to the upper position.

ステップＳ４３（時刻ｔ４３）：第１吹出口１０５が気体の吹き出しを停止する
第１吹出調整部が第１吹出口１０５に対する気体の供給を停止する。第１吹出口１０５は、気体の吹き出しを停止する。 Step S43 (time t43): The first outlet 105 stops the gas blowing out. The first outlet adjusting unit stops the supply of the gas to the first outlet 105. The first outlet 105 stops the blowing of gas.

ステップＳ４４（時刻ｔ４４）：リフトピン１１６が搬送機構８に基板Ｗを渡す。
搬送機構８がリフトピン１１６から基板Ｗを取る。その後、搬送機構８は、第１処理ユニット７Ａの外部に基板Ｗを搬出する。 Step S44 (time t44): The lift pin 116 passes the substrate W to the transport mechanism 8.
The transport mechanism 8 takes the substrate W from the lift pin 116. After that, the transport mechanism 8 carries out the substrate W to the outside of the first processing unit 7A.

＜第２処理ユニット７Ｂの動作例＞
第２処理ユニット７Ｂの動作例は、第１処理ユニット７Ａの動作例から、ステップＳ３３、Ｓ３５−Ｓ３８、Ｓ４０−Ｓ４１を省略したものと類似する。第２処理ユニット７Ｂの動作例を、簡単に説明する。 <Operation example of the second processing unit 7B>
The operation example of the second processing unit 7B is similar to the operation example of the first processing unit 7A in which steps S33, S35-S38, and S40-S41 are omitted. An operation example of the second processing unit 7B will be briefly described.

リフトピン１１６は上位置に移動する。リフトピン１１６は搬送機構８から１枚の基板Ｗ（具体的には、第２基板Ｗ２または第３基板Ｗ３）を受ける。リフトピン１１６は、下面接触ピン１３５に基板Ｗを渡す。下面接触ピン１３５は基板Ｗを支持する。端縁接触ピン１３３は、下面接触ピン１３５に支持される基板Ｗの端縁２０と接触する。これにより、端縁接触ピン１３３は、基板Ｗを保持する。 The lift pin 116 moves to the upper position. The lift pin 116 receives one substrate W (specifically, the second substrate W2 or the third substrate W3) from the transport mechanism 8. The lift pin 116 passes the substrate W to the bottom contact pin 135. The bottom contact pin 135 supports the substrate W. The edge contact pin 133 comes into contact with the edge 20 of the substrate W supported by the bottom contact pin 135. As a result, the edge contact pin 133 holds the substrate W.

基板Ｗが端縁接触ピン１３３に保持された状態で、基板Ｗを処理する。具体的には、第２回転駆動部９２Ｂは、第２基板保持部９１Ｂおよび基板Ｗを回転させる。第２回転駆動部９２Ｂが第２基板保持部９１Ｂを回転するとき、端縁接触ピン１３３は、端縁接触ピン１３３に対して基板Ｗが滑らないように、基板Ｗの端縁２０を保持する。
処理液供給部１２１は、端縁接触ピン１３３に保持される基板Ｗに処理液を供給する。 The substrate W is processed while the substrate W is held by the edge contact pin 133. Specifically, the second rotation drive unit 92B rotates the second substrate holding unit 91B and the substrate W. When the second rotation drive unit 92B rotates the second substrate holding unit 91B, the edge contact pin 133 holds the edge 20 of the substrate W so that the substrate W does not slip with respect to the edge contact pin 133. ..
The processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W held by the edge contact pin 133.

基板Ｗに対する処理が終了すると、端縁接触ピン１３３は基板Ｗから離れる。リフトピン１１６が下面接触ピン１３５から基板Ｗを取る。搬送機構８がリフトピン１１６から基板Ｗを取る。 When the processing for the substrate W is completed, the edge contact pin 133 is separated from the substrate W. The lift pin 116 takes the substrate W from the bottom contact pin 135. The transport mechanism 8 takes the substrate W from the lift pin 116.

＜実施形態の効果＞
基板処理装置１は、基板Ｗを処理する処理ユニット７を備える。処理ユニットは、第１処理ユニット７Ａと第２処理ユニット７Ｂを備える。 <Effect of embodiment>
The substrate processing device 1 includes a processing unit 7 that processes the substrate W. The processing unit includes a first processing unit 7A and a second processing unit 7B.

Ｃ１ 19X-0154 (DS19-014)
第１処理ユニット７Ａは、基板Ｗを保持する第１基板保持部９１Ａと、第１基板保持部９１Ａを回転する第１回転駆動部９２Ａを備える。第１基板保持部９１Ａは、第１プレート１０１と固定ピン１０３と気体吹出口１０４を備える。固定ピン１０３は、第１プレート１０１の上面１０２から上方に突出する。固定ピン１０３は、基板Ｗの下面１６と接触する。固定ピン１０３は、第１プレート１０１の上面１０２よりも高い位置で基板Ｗを載置する。気体吹出口１０４は、第１プレート１０１の上面１０２に形成される。気体吹出口１０４は、第１プレート１０１の上面１０２と、固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６との間に気体を吹き出する。気体吹出口１０４は、基板Ｗを下方に吸引する。よって、第１基板保持部９１Ａは、比較的に薄い基板Ｗであっても、適切に保持できる。したがって、第１処理ユニット７Ａは、比較的に薄い基板Ｗであっても、適切に処理できる。 C1 19X-0154 (DS19-014)
The first processing unit 7A includes a first substrate holding portion 91A for holding the substrate W and a first rotation driving unit 92A for rotating the first substrate holding portion 91A. The first substrate holding portion 91A includes a first plate 101, a fixing pin 103, and a gas outlet 104. The fixing pin 103 projects upward from the upper surface 102 of the first plate 101. The fixing pin 103 comes into contact with the lower surface 16 of the substrate W. The fixing pin 103 mounts the substrate W at a position higher than the upper surface 102 of the first plate 101. The gas outlet 104 is formed on the upper surface 102 of the first plate 101. The gas outlet 104 blows gas between the upper surface 102 of the first plate 101 and the lower surface 16 of the substrate W supported by the fixing pin 103. The gas outlet 104 sucks the substrate W downward. Therefore, the first substrate holding portion 91A can appropriately hold even a relatively thin substrate W. Therefore, the first processing unit 7A can appropriately process even a relatively thin substrate W.

第２処理ユニット７Ｂは、基板Ｗを保持する第２基板保持部９１Ｂと、第２基板保持部９１Ｂを回転する第２回転駆動部９２Ｂを備える。第２基板保持部９１Ｂは、第２プレート１３１と端縁接触ピン１３３を備える。端縁接触ピン１３３は、第２プレート１３１に取り付けられる。端縁接触ピン１３３は、第２回転駆動部９２Ｂが第２基板保持部９１Ｂを回転するときに基板Ｗの端縁２０と接触する。よって、第２基板保持部９１Ｂは、比較的に厚い基板Ｗであっても、適切に保持できる。したがって、第２処理ユニット７Ｂは、比較的に厚い基板Ｗであっても、適切に処理できる。 The second processing unit 7B includes a second substrate holding portion 91B for holding the substrate W and a second rotation driving unit 92B for rotating the second substrate holding portion 91B. The second substrate holding portion 91B includes a second plate 131 and an edge contact pin 133. The edge contact pin 133 is attached to the second plate 131. The edge contact pin 133 comes into contact with the edge 20 of the substrate W when the second rotation drive unit 92B rotates the second substrate holding portion 91B. Therefore, the second substrate holding portion 91B can appropriately hold even a relatively thick substrate W. Therefore, the second processing unit 7B can appropriately process even a relatively thick substrate W.

基板処理装置１は、処理ユニット７に基板Ｗを搬送する搬送機構８と、搬送機構８を制御する制御部９を備える。制御部９は、基板Ｗを処理する処理ユニット７を、第１処理ユニット７Ａおよび第２処理ユニット７Ｂのいずれか１つに決定する。制御部９は、決定された処理ユニットに、搬送機構８によって基板Ｗを搬送させる。よって、第１処理ユニット７Ａおよび第２処理ユニット７Ｂはそれぞれ、基板Ｗを適切に処理できる。したがって、基板処理装置１は、基板Ｗの形状に関わらず、基板Ｗを適切に処理できる。 The substrate processing device 1 includes a transport mechanism 8 that transports the substrate W to the processing unit 7, and a control unit 9 that controls the transport mechanism 8. The control unit 9 determines the processing unit 7 for processing the substrate W as one of the first processing unit 7A and the second processing unit 7B. The control unit 9 conveys the substrate W to the determined processing unit by the transfer mechanism 8. Therefore, the first processing unit 7A and the second processing unit 7B can appropriately process the substrate W, respectively. Therefore, the substrate processing device 1 can appropriately process the substrate W regardless of the shape of the substrate W.

以上のとおり、基板処理装置１によれば、基板Ｗを適切に処理できる。 As described above, according to the substrate processing apparatus 1, the substrate W can be appropriately processed.

第２回転駆動部９２Ｂが第２基板保持部９１Ｂを回転するとき、端縁接触ピン１３３は、端縁接触ピン１３３に対して基板Ｗが滑らないように、基板Ｗの端縁２０を保持する。
よって、第２基板保持部９１Ｂが回転するときであっても、第２基板保持部９１Ｂは基板Ｗを好適に保持できる。よって、第２処理ユニット７Ｂは、基板Ｗを適切に処理できる。 When the second rotation drive unit 92B rotates the second substrate holding unit 91B, the edge contact pin 133 holds the edge 20 of the substrate W so that the substrate W does not slip with respect to the edge contact pin 133. ..
Therefore, even when the second substrate holding portion 91B rotates, the second substrate holding portion 91B can suitably hold the substrate W. Therefore, the second processing unit 7B can appropriately process the substrate W.

制御部９は、基板Ｗの主部１３の厚みに応じて、基板Ｗを処理する処理ユニット７を、第１処理ユニット７Ａおよび第２処理ユニット７Ｂのいずれか１つに決定する。よって、基板処理装置１は、基板Ｗの主部１３の厚みに関わらず、基板Ｗを適切に処理できる。 The control unit 9 determines the processing unit 7 for processing the substrate W to be one of the first processing unit 7A and the second processing unit 7B according to the thickness of the main portion 13 of the substrate W. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can appropriately process the substrate W regardless of the thickness of the main portion 13 of the substrate W.

基板Ｗは、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２を含む。制御部９は、第１基板Ｗ１を処理する処理ユニット７を第１処理ユニット７Ａに決定する。制御部９は、第１基板Ｗ１を第１処理ユニット７Ａに搬送させる。制御部９は、第２基板Ｗ２を処理する処理ユニット７を第２処理ユニット７Ｂに決定する。制御部９は、第２基板Ｗ２を第２処理ユニットに搬送させる。よって、基板処理装置１は、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２のいずれであっても、適切に処理できる。 The substrate W includes a first substrate W1 and a second substrate W2. The control unit 9 determines the processing unit 7 for processing the first substrate W1 as the first processing unit 7A. The control unit 9 conveys the first substrate W1 to the first processing unit 7A. The control unit 9 determines the processing unit 7 for processing the second substrate W2 as the second processing unit 7B. The control unit 9 conveys the second substrate W2 to the second processing unit. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can appropriately process either the first substrate W1 or the second substrate W2.

基板Ｗは、第１基板Ｗ１と第３基板Ｗ３を含む。制御部９は、第１基板Ｗ１を処理する処理ユニット７を第１処理ユニット７Ａに決定する。制御部９は、第１基板Ｗ１を第１処理ユニット７Ａに搬送させる。制御部９は、第３基板Ｗ３を処理する処理ユニット７を第２処理ユニット７Ｂに決定する。制御部９は、第３基板Ｗ３を第２処理ユニット７Ｂに搬送させる。よって、基板処理装置１は、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２のいずれであっても、適切に処理できる。 The substrate W includes a first substrate W1 and a third substrate W3. The control unit 9 determines the processing unit 7 for processing the first substrate W1 as the first processing unit 7A. The control unit 9 conveys the first substrate W1 to the first processing unit 7A. The control unit 9 determines the processing unit 7 for processing the third substrate W3 as the second processing unit 7B. The control unit 9 conveys the third substrate W3 to the second processing unit 7B. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can appropriately process either the first substrate W1 or the second substrate W2.

本発明は、実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 The present invention is not limited to the embodiment, and can be modified and implemented as follows.

上述した実施形態では、棚２２は基板Ｗの下面１６と接触する。但し、これに限られない。例えば、棚２２は、基板Ｗの下面１６および基板Ｗの端縁２０の少なくともいずれかと接触してもよい。例えば、棚２２は、基板Ｗの端縁２０に、斜め下方から接触してもよい。 In the above-described embodiment, the shelf 22 comes into contact with the lower surface 16 of the substrate W. However, it is not limited to this. For example, the shelf 22 may be in contact with at least one of the lower surface 16 of the substrate W and the edge 20 of the substrate W. For example, the shelf 22 may come into contact with the edge 20 of the substrate W from diagonally below.

上述した実施形態では、ハンド３３は基板Ｗの下面１６と接触する。但し、これに限られない。例えば、ハンド３３は、基板Ｗの下面１６および基板Ｗの端縁２０の少なくともいずれかと接触してもよい。例えば、ハンド３３は、基板Ｗの端縁２０に、斜め下方から接触してもよい。 In the above-described embodiment, the hand 33 comes into contact with the lower surface 16 of the substrate W. However, it is not limited to this. For example, the hand 33 may come into contact with at least one of the lower surface 16 of the substrate W and the edge 20 of the substrate W. For example, the hand 33 may come into contact with the edge 20 of the substrate W from diagonally below.

上述した実施形態では、棚４５は基板Ｗの下面１６と接触する。但し、これに限られない。例えば、棚４５は、基板Ｗの下面１６および基板Ｗの端縁２０の少なくともいずれかと接触してもよい。例えば、棚４５は、基板Ｗの端縁２０に、斜め下方から接触してもよい。 In the above-described embodiment, the shelf 45 comes into contact with the lower surface 16 of the substrate W. However, it is not limited to this. For example, the shelf 45 may be in contact with at least one of the lower surface 16 of the substrate W and the edge 20 of the substrate W. For example, the shelf 45 may come into contact with the edge 20 of the substrate W from diagonally below.

上述した実施形態では、接触部７４は基板Ｗの上面１７と接触する。但し、これに限られない。例えば、接触部７４は、基板Ｗの上面１７および基板Ｗの端縁２０の少なくともいずれかと接触してもよい。例えば、接触部７４は、基板Ｗの端縁２０に、斜め上方から接触してもよい。 In the above-described embodiment, the contact portion 74 comes into contact with the upper surface 17 of the substrate W. However, it is not limited to this. For example, the contact portion 74 may be in contact with at least one of the upper surface 17 of the substrate W and the edge 20 of the substrate W. For example, the contact portion 74 may come into contact with the edge 20 of the substrate W from diagonally above.

上述した実施形態では、第１受け部８２は基板Ｗの下面１６を受けることができる。但し、これに限られない。例えば、第１受け部８２は、基板Ｗの下面１６および基板Ｗの端縁２０の少なくともいずれかを受けてもよい。例えば、第１受け部８２は、基板Ｗの端縁２０を、斜め下方から受けてもよい。 In the above-described embodiment, the first receiving portion 82 can receive the lower surface 16 of the substrate W. However, it is not limited to this. For example, the first receiving portion 82 may receive at least one of the lower surface 16 of the substrate W and the edge 20 of the substrate W. For example, the first receiving portion 82 may receive the edge 20 of the substrate W from diagonally below.

上述した実施形態では、第２受け部８３は基板Ｗの下面１６を受けることができる。但し、これに限られない。例えば、第２受け部８３は、基板Ｗの下面１６および基板Ｗの端縁２０の少なくともいずれかを受けてもよい。例えば、第２受け部８３は、基板Ｗの端縁２０を、斜め下方から受けてもよい。 In the above-described embodiment, the second receiving portion 83 can receive the lower surface 16 of the substrate W. However, it is not limited to this. For example, the second receiving portion 83 may receive at least one of the lower surface 16 of the substrate W and the edge 20 of the substrate W. For example, the second receiving portion 83 may receive the edge 20 of the substrate W from diagonally below.

上述した実施形態では、固定ピン１０３は基板Ｗの下面１６と接触する。但し、これに限られない。例えば、固定ピン１０３は、基板Ｗの下面１６および基板Ｗの端縁２０の少なくともいずれかと接触してもよい。例えば、固定ピン１０３は、基板Ｗの端縁２０に、斜め下方から接触してもよい。 In the above-described embodiment, the fixing pin 103 comes into contact with the lower surface 16 of the substrate W. However, it is not limited to this. For example, the fixing pin 103 may be in contact with at least one of the lower surface 16 of the substrate W and the edge 20 of the substrate W. For example, the fixing pin 103 may come into contact with the edge 20 of the substrate W from diagonally below.

上述した実施形態では、第１受け部８２はベース部６５に固定される。但し、これに限られない。すなわち、第１受け部８２はベース部６５に対して移動可能であってもよい。本変形実施形態では、ハンド６１は、さらに、第１受け部８２をベース部６５に対して移動させる駆動部（第２受け部駆動部）を備えてもよい。 In the above-described embodiment, the first receiving portion 82 is fixed to the base portion 65. However, it is not limited to this. That is, the first receiving portion 82 may be movable with respect to the base portion 65. In the present modification embodiment, the hand 61 may further include a driving unit (second receiving unit driving unit) for moving the first receiving unit 82 with respect to the base unit 65.

上述した実施形態では、吸引部６８は基板Ｗの上面１７に沿って気体を流す。吸引部６８は、基板Ｗを上方に吸引する。但し、これに限られない。吸引部６８は基板Ｗの下面１６に沿って気体を流してもよい。吸引部６８は基板Ｗを下方に吸引してもよい。 In the above-described embodiment, the suction unit 68 causes gas to flow along the upper surface 17 of the substrate W. The suction unit 68 sucks the substrate W upward. However, it is not limited to this. The suction unit 68 may allow gas to flow along the lower surface 16 of the substrate W. The suction unit 68 may suck the substrate W downward.

上述した実施形態では、ハンド３３は吸引部を備えない。但し、これに限られない。ハンド３３は、基板Ｗの第１面に沿って、気体を流す吸引部を備えてもよい。ここで、第１面は、基板Ｗの上面および下面のいずれか１つである。搬送機構４のハンド３３は、基板Ｗを吸引する吸引部を備えてもよい。さらに、搬送機構４は、基板Ｗがハンド３３から脱落することを防止するための受け部を備えてもよい。 In the embodiment described above, the hand 33 does not include a suction portion. However, it is not limited to this. The hand 33 may include a suction portion for flowing a gas along the first surface of the substrate W. Here, the first surface is any one of the upper surface and the lower surface of the substrate W. The hand 33 of the transport mechanism 4 may include a suction portion that sucks the substrate W. Further, the transport mechanism 4 may be provided with a receiving portion for preventing the substrate W from falling off from the hand 33.

上述した実施形態では、制御部９は、基板Ｗが第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３のいずれであるかによって、高さ位置ＨＡ、ＨＢ、ＨＣを変える。但し、これに限られない。例えば、制御部９は、基板Ｗの主部１３の厚みに応じて、高さ位置ＨＡ、ＨＢ、ＨＣを変えてもよい。例えば、制御部９は、基板Ｗの主部１３の厚みが大きくなるにしたがって、高さ位置ＨＡ、ＨＢ、ＨＣを高くしてもよい。 In the above-described embodiment, the control unit 9 changes the height positions HA, HB, and HC depending on whether the substrate W is the first substrate W1, the second substrate W2, or the third substrate W3. However, it is not limited to this. For example, the control unit 9 may change the height positions HA, HB, and HC according to the thickness of the main portion 13 of the substrate W. For example, the control unit 9 may increase the height positions HA, HB, and HC as the thickness of the main portion 13 of the substrate W increases.

上述した実施形態では、制御部９は、基板Ｗが第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３のいずれであるかによって、基板Ｗを処理する処理ユニット７を、第１処理ユニットおよび第２処理ユニットのいずれか１つに決定する。但し、これに限られない。例えば、制御部９は、基板Ｗの主部１３の厚みに応じて、基板Ｗを処理する処理ユニット７を、第１処理ユニットおよび第２処理ユニットのいずれか１つに決定してもよい。例えば、制御部９は、基板Ｗの主部１３が第１厚みを有する基板Ｗを第１処理ユニット７Ａに搬送させ、基板Ｗの主部１３が第１厚みよりも大きな第２厚みを有する基板Ｗを第２処理ユニット７Ｂに搬送させてもよい。例えば、制御部９は、基板Ｗの主部１３が第１厚みを有する基板Ｗを第１処理ユニット７Ａにおいて処理させ、基板Ｗの主部１３が第１厚みよりも大きな第２厚みを有する基板Ｗを第２処理ユニット７Ｂにおいて処理させてもよい。 In the above-described embodiment, the control unit 9 sets the processing unit 7 for processing the substrate W as the first processing unit and the first processing unit, depending on whether the substrate W is the first substrate W1, the second substrate W2, or the third substrate W3. Determined to be one of the second processing units. However, it is not limited to this. For example, the control unit 9 may determine the processing unit 7 for processing the substrate W as either one of the first processing unit and the second processing unit according to the thickness of the main portion 13 of the substrate W. For example, the control unit 9 conveys the substrate W having the first thickness of the main portion 13 of the substrate W to the first processing unit 7A, and the main portion 13 of the substrate W has a second thickness larger than the first thickness. W may be conveyed to the second processing unit 7B. For example, the control unit 9 causes the first processing unit 7A to process the substrate W in which the main portion 13 of the substrate W has the first thickness, and the main portion 13 of the substrate W has the second thickness larger than the first thickness. W may be processed in the second processing unit 7B.

上述した実施形態では、制御部９は、基板Ｗが第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３のいずれであるかによって、流量Ｍを変える。但し、これに限られない。例えば、制御部９は、基板Ｗの主部１３の厚みに応じて、流量Ｍを変えてもよい。例えば、制御部９は、基板Ｗの主部１３の厚みが大きくなるにしたがって、流量Ｍを大きくしてもよい。 In the above-described embodiment, the control unit 9 changes the flow rate M depending on whether the substrate W is the first substrate W1, the second substrate W2, or the third substrate W3. However, it is not limited to this. For example, the control unit 9 may change the flow rate M according to the thickness of the main portion 13 of the substrate W. For example, the control unit 9 may increase the flow rate M as the thickness of the main portion 13 of the substrate W increases.

上述した実施形態において、移動速度ＶＡを、さらに細分化してもよい。例えば、移動速度ＶＡを、水平移動速度ＶＡＨと鉛直移動速度ＶＡＺと回転速度ＶＡＲに分けてもよい。ここで、水平移動速度ＶＡＨは、水平方向におけるハンド３３の移動速度である。鉛直移動速度ＶＡＺは、上方方向Ｚにおけるハンド３３の移動速度である。回転速度ＶＡＲは、回転軸線Ａ１回りのハンド３３の移動速度である。制御部９は、ステップＳ２５において、水平移動速度ＶＡＨと鉛直移動速度ＶＡＺと回転速度ＶＡＲを個別に決定してもよい。 In the above-described embodiment, the moving speed VA may be further subdivided. For example, the moving speed VA may be divided into a horizontal moving speed VAH, a vertical moving speed VAZ, and a rotational speed VAR. Here, the horizontal moving speed VAH is the moving speed of the hand 33 in the horizontal direction. The vertical movement speed VAZ is the movement speed of the hand 33 in the upward direction Z. The rotation speed VAR is the moving speed of the hand 33 around the rotation axis A1. In step S25, the control unit 9 may individually determine the horizontal movement speed VAH, the vertical movement speed VAZ, and the rotation speed VAR.

上述した実施形態において、加速度ＡＡを、さらに細分化してもよい。例えば、加速度ＡＡを、水平加速度ＡＡＨと鉛直加速度ＡＡＺと回転加速度ＡＡＲに分けてもよい。ここで、水平加速度ＡＡＨは、水平方向におけるハンド３３の加速度である。鉛直加速度ＡＡＺは、上方方向Ｚにおけるハンド３３の加速度である。回転加速度ＡＡＲは、回転軸線Ａ１回りのハンド３３の加速度である。制御部９は、ステップＳ２５において、水平加速度ＡＡＨと鉛直加速度ＡＡＺと回転加速度ＡＡＲを個別に決定してもよい。 In the above-described embodiment, the acceleration AA may be further subdivided. For example, the acceleration AA may be divided into a horizontal acceleration AAH, a vertical acceleration AAZ, and a rotational acceleration AAR. Here, the horizontal acceleration AAH is the acceleration of the hand 33 in the horizontal direction. The vertical acceleration AAZ is the acceleration of the hand 33 in the upward direction Z. The rotational acceleration AAR is the acceleration of the hand 33 around the rotation axis A1. In step S25, the control unit 9 may individually determine the horizontal acceleration AAH, the vertical acceleration AAZ, and the rotational acceleration AAR.

上述した実施形態において、移動速度ＶＢを、さらに細分化してもよい。例えば、移動速度ＶＢを、水平移動速度ＶＢＨと鉛直移動速度ＶＢＺと回転速度ＶＢＲに分けてもよい。ここで、水平移動速度ＶＢＨは、水平方向におけるハンド６１の移動速度である。鉛直移動速度ＶＢＺは、上方方向Ｚにおけるハンド６１の移動速度である。回転速度ＶＢＲは、回転軸線Ａ２回りのハンド６１の移動速度である。制御部９は、ステップＳ２５において、水平移動速度ＶＢＨと鉛直移動速度ＶＢＺと回転速度ＶＢＲを個別に決定してもよい。 In the above-described embodiment, the moving speed VB may be further subdivided. For example, the moving speed VB may be divided into a horizontal moving speed VBH, a vertical moving speed VBZ, and a rotational speed VBR. Here, the horizontal moving speed VBH is the moving speed of the hand 61 in the horizontal direction. The vertical movement speed VBZ is the movement speed of the hand 61 in the upward direction Z. The rotation speed VBR is the moving speed of the hand 61 around the rotation axis A2. In step S25, the control unit 9 may individually determine the horizontal movement speed VBH, the vertical movement speed VBZ, and the rotation speed VBR.

上述した実施形態において、加速度ＡＢを、さらに細分化してもよい。例えば、加速度ＡＢを、水平加速度ＡＢＨと鉛直加速度ＡＢＺと回転加速度ＡＢＲに分けてもよい。ここで、水平加速度ＡＢＨは、水平方向におけるハンド６１の加速度である。鉛直加速度ＡＢＺは、上方方向Ｚにおけるハンド６１の加速度である。回転加速度ＡＢＲは、回転軸線Ａ２回りのハンド６１の加速度である。制御部９は、ステップＳ２５において、水平加速度ＡＢＨと鉛直加速度ＡＢＺと回転加速度ＡＢＲを個別に決定してもよい。 In the above-described embodiment, the acceleration AB may be further subdivided. For example, the acceleration AB may be divided into a horizontal acceleration ABH, a vertical acceleration ABZ, and a rotational acceleration ABR. Here, the horizontal acceleration ABH is the acceleration of the hand 61 in the horizontal direction. The vertical acceleration ABZ is the acceleration of the hand 61 in the upward direction Z. The rotational acceleration ABR is the acceleration of the hand 61 around the rotation axis A2. In step S25, the control unit 9 may individually determine the horizontal acceleration ABH, the vertical acceleration ABZ, and the rotational acceleration ABR.

上述した実施形態では、第１プレート１０１に形成される第１吹出口１０５の数は、１つである。但し、これに限られない。第１プレート１０１に形成される第１吹出口１０５の数は、複数であってもよい。 In the above-described embodiment, the number of the first outlets 105 formed on the first plate 101 is one. However, it is not limited to this. The number of the first outlets 105 formed on the first plate 101 may be plural.

上述した実施形態では、リフトピン１１６が搬送機構８から基板Ｗを受け（ステップＳ３２）、その後、第１吹出口１０５が気体の吹き出しを開始する（ステップＳ３３）。但し、これに限られない。例えば、リフトピン１１６が搬送機構８から基板Ｗを受ける前に、第１吹出口１０５が気体の吹き出しを開始してもよい。本変形実施形態によれば、第１吹出口１０５が気体を吹き出している状態で、リフトピン１１６は搬送機構８から基板Ｗを受けることができる。 In the above-described embodiment, the lift pin 116 receives the substrate W from the transport mechanism 8 (step S32), and then the first outlet 105 starts blowing gas (step S33). However, it is not limited to this. For example, the first outlet 105 may start blowing gas before the lift pin 116 receives the substrate W from the transport mechanism 8. According to this modification, the lift pin 116 can receive the substrate W from the transport mechanism 8 while the first outlet 105 is blowing gas.

上述した実施形態では、第１吹出口１０５が気体の吹き出しを停止し（ステップＳ４３）、その後、リフトピン１１６が搬送機構８に基板Ｗを渡す（ステップＳ４４）。但し、これに限られない。例えば、リフトピン１１６が搬送機構８に基板Ｗを渡した後に、第１吹出口１０５が気体の吹き出しを停止してもよい。本変形実施形態によれば、第１吹出口１０５が気体を吹き出している状態で、リフトピン１１６は搬送機構８に基板Ｗを渡すことができる。 In the above-described embodiment, the first outlet 105 stops the gas blowout (step S43), and then the lift pin 116 passes the substrate W to the transfer mechanism 8 (step S44). However, it is not limited to this. For example, after the lift pin 116 passes the substrate W to the transport mechanism 8, the first outlet 105 may stop the gas blowing. According to this modification, the lift pin 116 can pass the substrate W to the transport mechanism 8 in a state where the first outlet 105 is blowing gas.

本変形実施形態では、第１吹出口１０５が吹き出す気体の流量は、搬送機構８の吸引部６８に供給される気体の流量よりも小さいことが好ましい。
これによれば、搬送機構８がリフトピン１１６から基板Ｗを取るとき、吸引部６８は基板Ｗを容易に吸引できる。言い換えれば、搬送機構８がリフトピン１１６から基板Ｗを取るとき、ハンド６１は基板Ｗを容易に保持である。 In this modified embodiment, the flow rate of the gas blown out by the first outlet 105 is preferably smaller than the flow rate of the gas supplied to the suction unit 68 of the transport mechanism 8.
According to this, when the transport mechanism 8 takes the substrate W from the lift pin 116, the suction unit 68 can easily suck the substrate W. In other words, when the transport mechanism 8 takes the substrate W from the lift pin 116, the hand 61 easily holds the substrate W.

上述した実施形態では、リフトピン１１６が搬送機構８から基板Ｗを受ける。但し、これに限られない。固定ピン１０３が搬送機構８から基板Ｗを受けてもよい。言い換えれば、搬送機構８は、リフトピン１１６を介さずに、固定ピン１０３に基板Ｗを直接的に渡してもよい。 In the above-described embodiment, the lift pin 116 receives the substrate W from the transport mechanism 8. However, it is not limited to this. The fixing pin 103 may receive the substrate W from the transport mechanism 8. In other words, the transport mechanism 8 may pass the substrate W directly to the fixing pin 103 without passing through the lift pin 116.

上述した実施形態では、リフトピン１１６が搬送機構８に基板Ｗを渡す。但し、これに限られない。固定ピン１０３が搬送機構８に基板Ｗを渡してもよい。言い換えれば、搬送機構８は、リフトピン１１６を介さずに、固定ピン１０３から直接的に基板Ｗを取ってもよい。 In the above-described embodiment, the lift pin 116 passes the substrate W to the transport mechanism 8. However, it is not limited to this. The fixing pin 103 may pass the substrate W to the transport mechanism 8. In other words, the transport mechanism 8 may take the substrate W directly from the fixing pin 103 without going through the lift pin 116.

上述した実施形態において、第１処理ユニット７Ａの第１吹出口１０５は、気体に加えて、純水を吐出してもよい。 In the above-described embodiment, the first outlet 105 of the first processing unit 7A may discharge pure water in addition to the gas.

図４２は、変形実施形態における第１処理ユニット１４１の構成を模式的に示す図である。なお、実施形態の第１処理ユニット７Ａと同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。 FIG. 42 is a diagram schematically showing the configuration of the first processing unit 141 in the modified embodiment. The same configuration as that of the first processing unit 7A of the embodiment is designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

変形実施形態における第１処理ユニット１４１は、純水供給部１４２を備える。純水供給部１４２は、第１吹出口１０５を通じて基板Ｗに純水を吐出する。 The first processing unit 141 in the modified embodiment includes a pure water supply unit 142. The pure water supply unit 142 discharges pure water to the substrate W through the first outlet 105.

純水供給部１４２は、配管１４３を備える。配管１４３は、第１吹出口１０５に純水を供給する。配管１４３は、第１端と第２端を有する。配管１４３の第１端は、純水供給源１４４に接続される。配管１４３の第２端は、第１吹出口１０５に接続される。 The pure water supply unit 142 includes a pipe 143. The pipe 143 supplies pure water to the first outlet 105. The pipe 143 has a first end and a second end. The first end of the pipe 143 is connected to the pure water supply source 144. The second end of the pipe 143 is connected to the first outlet 105.

第１処理ユニット１４１は、流量調整部１４５を備える。流量調整部１４５は、配管１４３に設けられる。流量調整部１４５は、純水供給部１４２が基板Ｗに供給する純水の流量を調整する。すなわち、流量調整部１４５は、第１吹出口１０５が吐出する純水の流量を調整する。流量調整部１４５は、制御部９によって制御される。 The first processing unit 141 includes a flow rate adjusting unit 145. The flow rate adjusting unit 145 is provided in the pipe 143. The flow rate adjusting unit 145 adjusts the flow rate of pure water supplied by the pure water supply unit 142 to the substrate W. That is, the flow rate adjusting unit 145 adjusts the flow rate of the pure water discharged from the first outlet 105. The flow rate adjusting unit 145 is controlled by the control unit 9.

第１吹出口１０５は、気体と純水を同時に出してもよい。あるいは、第１吹出口１０５は、気体を吹き出すことなく、純水を吐出してもよい。これによれば、第１吹出口１０５から吐出された純水が、基板Ｗの中央部における下面１６に当たり、基板Ｗの中央部における下面１６が下方に湾曲することを一層好適に防止できる。よって、基板Ｗが第１プレート１０１の上面１０２に接触することを一層好適に防止できる。 The first outlet 105 may emit gas and pure water at the same time. Alternatively, the first outlet 105 may discharge pure water without blowing out gas. According to this, the pure water discharged from the first outlet 105 hits the lower surface 16 in the central portion of the substrate W, and the lower surface 16 in the central portion of the substrate W can be more preferably prevented from being curved downward. Therefore, it is possible to more preferably prevent the substrate W from coming into contact with the upper surface 102 of the first plate 101.

基板Ｗに処理液を供給するとき（ステップＳ３９）、第１吹出口１０５は、気体と純水を同時に出してもよい。あるいは、基板Ｗに処理液を供給するとき（ステップＳ３９）、第１吹出口１０５は、気体を吹き出すことなく、純水を吐出してもよい。これによれば、処理液供給部１２１が処理液を基板Ｗに供給するとき、基板Ｗが第１プレート１０１の上面１０２に接触することを一層好適に防止できる。 When the treatment liquid is supplied to the substrate W (step S39), the first outlet 105 may simultaneously discharge gas and pure water. Alternatively, when the treatment liquid is supplied to the substrate W (step S39), the first outlet 105 may discharge pure water without blowing out the gas. According to this, when the processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W, it is possible to more preferably prevent the substrate W from coming into contact with the upper surface 102 of the first plate 101.

本変形実施形態では、第１プレート１０１の上面１０２と固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６の間の空間を純水で満たさない（液密にしない）ことが好ましい。第１プレート１０１の上面１０２と固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６の間の空間に気体を流し、固定ピン１０３に支持される基板Ｗに適切な吸引力を作用させるためである。 In this modified embodiment, it is preferable that the space between the upper surface 102 of the first plate 101 and the lower surface 16 of the substrate W supported by the fixing pin 103 is not filled with pure water (not liquid-tightened). This is because gas is allowed to flow in the space between the upper surface 102 of the first plate 101 and the lower surface 16 of the substrate W supported by the fixing pin 103, and an appropriate suction force is applied to the substrate W supported by the fixing pin 103.

上述した実施形態において、第１吹出口１０５は、気体に加えて、処理液を吐出してもよい。 In the above-described embodiment, the first outlet 105 may discharge the treatment liquid in addition to the gas.

図４３は、変形実施形態における第１処理ユニット１５１の構成を模式的に示す図である。なお、実施形態の第１処理ユニット７Ａと同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。 FIG. 43 is a diagram schematically showing the configuration of the first processing unit 151 in the modified embodiment. The same configuration as that of the first processing unit 7A of the embodiment is designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

処理液供給部１２１は、配管１５３を備える。配管１５３は、第１吹出口１０５に処理液を供給する。配管１５３は、第１端と第２端を有する。配管１５３の第１端は、処理液供給源１５４に接続される。配管１５３の第２端は、第１吹出口１０５に接続される。 The processing liquid supply unit 121 includes a pipe 153. The pipe 153 supplies the processing liquid to the first outlet 105. The pipe 153 has a first end and a second end. The first end of the pipe 153 is connected to the processing liquid supply source 154. The second end of the pipe 153 is connected to the first outlet 105.

第１処理ユニット１４１は、流量調整部１５５を備える。流量調整部１５５は、配管１５３に設けられる。流量調整部１５５は、処理液供給部１２１が基板Ｗに供給する処理液の流量を調整する。すなわち、流量調整部１５５は、第１吹出口１０５が吐出する処理液の流量を調整する。流量調整部１５５は、制御部９によって制御される。 The first processing unit 141 includes a flow rate adjusting unit 155. The flow rate adjusting unit 155 is provided in the pipe 153. The flow rate adjusting unit 155 adjusts the flow rate of the processing liquid supplied by the processing liquid supply unit 121 to the substrate W. That is, the flow rate adjusting unit 155 adjusts the flow rate of the processing liquid discharged from the first outlet 105. The flow rate adjusting unit 155 is controlled by the control unit 9.

基板Ｗに処理液を供給するとき（ステップＳ３９）、第１吹出口１０５は、気体と純水を同時に出してもよい。これによれば、基板Ｗの下面１６に処理液を供給できる。よって、基板Ｗの下面１６を好適に処理できる。 When the treatment liquid is supplied to the substrate W (step S39), the first outlet 105 may simultaneously discharge gas and pure water. According to this, the processing liquid can be supplied to the lower surface 16 of the substrate W. Therefore, the lower surface 16 of the substrate W can be suitably processed.

本変形実施形態では、第１プレート１０１の上面１０２と固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６の間の空間を処理水で満たさない（液密にしない）ことが好ましい。固定ピン１０３に支持される基板Ｗに適切な吸引力を作用させるためである。 In the present modification embodiment, it is preferable that the space between the upper surface 102 of the first plate 101 and the lower surface 16 of the substrate W supported by the fixing pin 103 is not filled with treated water (not liquid-tightened). This is to apply an appropriate suction force to the substrate W supported by the fixing pin 103.

上述した実施形態では、制御部９は、バーコードリーダ３１の検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定する。但し、これに限られない。４つの変形実施形態を以下に例示する。 In the above-described embodiment, the control unit 9 determines the shape of the substrate W based on the detection result of the barcode reader 31. However, it is not limited to this. The four modified embodiments are illustrated below.

基板処理装置１は、基板Ｗに付される基板情報を読み取る基板情報検出部を備え、制御部９は、基板情報検出部の検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定してもよい。ここで、基板Ｗに付される基板情報は、例えば、基板Ｗに印字される識別コードである。基板情報検出部は、例えば、リーダである。 The substrate processing device 1 includes a substrate information detection unit that reads substrate information attached to the substrate W, and the control unit 9 may determine the shape of the substrate W based on the detection result of the substrate information detection unit. Here, the substrate information attached to the substrate W is, for example, an identification code printed on the substrate W. The board information detection unit is, for example, a reader.

基板処理装置１は、基板Ｗを撮像する撮像部を備え、制御部９は、撮像部の検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定してもよい。撮像部は、例えば、一次元イメージセンサや二次元イメージセンサである。 The substrate processing device 1 includes an imaging unit that images the substrate W, and the control unit 9 may determine the shape of the substrate W based on the detection result of the imaging unit. The imaging unit is, for example, a one-dimensional image sensor or a two-dimensional image sensor.

制御部９は、基板処理装置１の外部機器から、基板Ｗの形状に関する情報を取得してもよい。基板処理装置１の外部機器は、例えば、ホストコンピュータである。制御部９が外部機器から情報を取得する前に、制御部９は、例えば、バーコードリーダ３１の検出結果を外部機器に送信してもよい。制御部９が外部機器から情報を取得する前に、制御部９は、例えば、基板検出部３８、８９、１２７の検出結果を外部機器に送信してもよい。 The control unit 9 may acquire information regarding the shape of the substrate W from an external device of the substrate processing device 1. The external device of the substrate processing device 1 is, for example, a host computer. Before the control unit 9 acquires information from the external device, the control unit 9 may transmit, for example, the detection result of the barcode reader 31 to the external device. Before the control unit 9 acquires information from the external device, the control unit 9 may transmit, for example, the detection results of the board detection units 38, 89, 127 to the external device.

ここで、基板Ｗの形状に関する情報は、基板Ｗの形状を直接的に示す情報であってもよい。基板Ｗの形状を直接的に示す情報は、例えば、基板Ｗが第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３のいずれに属するかを直接的に示す情報である。制御部９が基板Ｗの形状を直接的に示す情報を取得した場合、制御部９は、基板Ｗの形状を判定するステップＳ２を行わない。基板Ｗが第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３のいずれに属するかを直接的に示す情報であってもよい。基板Ｗの形状に関する情報は、基板Ｗの形状を間接的に示す情報であってもよい。制御部９が基板Ｗの形状を間接的に示す情報を取得した場合、制御部９は、基板Ｗの形状を間接的に示す情報に基づいて、基板Ｗの形状を判定するステップＳ２を行う。 Here, the information regarding the shape of the substrate W may be information that directly indicates the shape of the substrate W. The information that directly indicates the shape of the substrate W is, for example, information that directly indicates whether the substrate W belongs to the first substrate W1, the second substrate W2, or the third substrate W3. When the control unit 9 acquires information that directly indicates the shape of the substrate W, the control unit 9 does not perform step S2 for determining the shape of the substrate W. It may be information that directly indicates whether the substrate W belongs to the first substrate W1, the second substrate W2, or the third substrate W3. The information regarding the shape of the substrate W may be information that indirectly indicates the shape of the substrate W. When the control unit 9 acquires the information indirectly indicating the shape of the substrate W, the control unit 9 performs step S2 of determining the shape of the substrate W based on the information indirectly indicating the shape of the substrate W.

基板処理装置１は、基板の形状を関する情報を入力可能な入力部を備え、制御部９は、入力部に入力された情報を取得してもよい。入力部に入力される基板の形状を関する情報は、基板Ｗの形状を直接的に示す情報であってもよいし、基板Ｗの形状を間接的に示す情報であってもよい。 The substrate processing device 1 includes an input unit capable of inputting information relating to the shape of the substrate, and the control unit 9 may acquire the information input to the input unit. The information regarding the shape of the substrate input to the input unit may be information that directly indicates the shape of the substrate W or information that indirectly indicates the shape of the substrate W.

上述した実施形態では、制御部９は、高さ位置ＨＡ、ＨＢを決定するステップＳ１１、挿入量ＫＡ、ＫＢを決定するステップＳ１２、および、移動速度ＶＡおよび加速度ＡＡを決定するステップＳ１３を実行する。但し、これに限られない。例えば、ステップＳ１１、Ｓ１２、Ｓ１３の少なくともいずれかを省略してもよい。例えば、制御部９は、ステップＳ１１、Ｓ１２、Ｓ１３の少なくともいずれかを実行しなくてもよい。 In the above-described embodiment, the control unit 9 executes step S11 for determining the height position HA and HB, step S12 for determining the insertion amount KA and KB, and step S13 for determining the moving speed VA and the acceleration AA. .. However, it is not limited to this. For example, at least one of steps S11, S12, and S13 may be omitted. For example, the control unit 9 does not have to execute at least one of steps S11, S12, and S13.

上述した実施形態では、制御部９は、高さ位置ＨＣを決定するステップＳ２１、挿入量ＫＣを決定するステップＳ２２、流量Ｍを決定するステップＳ２３、処理ユニット７を決定するステップＳ２４、および、移動速度ＶＢおよび加速度ＡＢを決定するステップＳ２５を実行する。但し、これに限られない。例えば、ステップＳ２１、Ｓ２２、Ｓ２３、Ｓ２４、Ｓ２５の少なくともいずれかを省略してもよい。例えば、制御部９は、ステップＳ２１、Ｓ２２、Ｓ２３、Ｓ２４、Ｓ２５の少なくともいずれかを実行しなくてもよい。 In the above-described embodiment, the control unit 9 has a step S21 for determining the height position HC, a step S22 for determining the insertion amount KC, a step S23 for determining the flow rate M, a step S24 for determining the processing unit 7, and moving. Step S25 for determining the velocity VB and the acceleration AB is performed. However, it is not limited to this. For example, at least one of steps S21, S22, S23, S24, and S25 may be omitted. For example, the control unit 9 does not have to execute at least one of steps S21, S22, S23, S24, and S25.

上述した実施形態では、搬送機構４、８の構造を例示した。但し、これに限られない。例えば、搬送機構４は、回転部３４ｄおよび進退移動部３４ｅに代えて、垂直移動部３４ｃに支持され、かつ、ハンド３３を支持する多関節アームを備えてもよい。例えば、搬送機構４は、レール３４ａおよび水平移動部３４ｂを省略し、固定的に設置され、垂直移動部３４ｃを支持する台または支柱を備えてもよい。例えば、搬送機構８は、回転部６２ｃおよび進退移動部６２ｄに代えて、垂直移動部６２ｂに支持され、ハンド６１を支持する多関節アームを備えてもよい。 In the above-described embodiment, the structures of the transport mechanisms 4 and 8 have been illustrated. However, it is not limited to this. For example, the transport mechanism 4 may include an articulated arm supported by the vertical moving portion 34c and supporting the hand 33 instead of the rotating portion 34d and the advancing / retreating moving portion 34e. For example, the transport mechanism 4 may omit the rail 34a and the horizontal moving portion 34b, and may be fixedly installed and provided with a stand or a support for supporting the vertical moving portion 34c. For example, the transport mechanism 8 may include an articulated arm supported by the vertical moving portion 62b and supporting the hand 61 instead of the rotating portion 62c and the advancing / retreating moving portion 62d.

上述した実施形態では、処理ブロック５に設けられる搬送機構の数は１つである。ただし、これに限られない。処理ブロック５は、２つ以上の搬送機構を備えてもよい。例えば、複数の搬送機構を処理ブロック５の搬送スペース４１に設置してもよい。例えば、複数の搬送機構は前後方向Ｘに並ぶように配置されてもよい。処理ブロック５における搬送機構の数に応じて、処理ユニット７の個数を増やしてもよい。前後方向Ｘに並ぶ処理ユニット７の数を、適宜に変更してもよい。 In the above-described embodiment, the number of transport mechanisms provided in the processing block 5 is one. However, it is not limited to this. The processing block 5 may include two or more transport mechanisms. For example, a plurality of transport mechanisms may be installed in the transport space 41 of the processing block 5. For example, the plurality of transport mechanisms may be arranged so as to line up in the front-rear direction X. The number of processing units 7 may be increased according to the number of transport mechanisms in the processing block 5. The number of processing units 7 arranged in the front-rear direction X may be appropriately changed.

上述した実施形態および各変形実施形態については、さらに各構成を他の変形実施形態の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。 The above-described embodiment and each modified embodiment may be appropriately changed by substituting or combining each configuration with the configuration of another modified embodiment.

１ … 基板処理装置
２ … インデクサ部
３ … キャリア載置部
４ … 搬送機構（第２搬送機構）
５ … 処理ブロック
６ … 載置部（第１位置、第２位置）
７ … 処理ユニット（第１位置、第２位置）
７Ａ … 第１処理ユニット
７Ｂ … 第２処理ユニット
８ … 搬送機構（第１搬送機構）
９ … 制御部
１１ … 基板本体
１２ … 基板の周縁部
１３ … 基板の主部
１４ … 基板の凹部
１５ … 保護プレート
１６ … 基板の下面
１７ … 基板の上面
１８ … 基板の第１側部
１９ … 基板の第２側部
２０ … 基板の端縁
２２ … 棚
２３ … 第１棚
２４ … 第２棚
３１ … バーコードリーダ
３３ … ハンド
３４ … ハンド駆動部
３５ … 連結部
３６ … ロッド
３７ … 接触部
３８ … 基板検出部
４５ … 棚
４６ … 第１棚
４７ … 第２棚
５１ … 第１傾斜面
５１Ｔ … 第１傾斜面の上端
５１Ｂ … 第１傾斜面の下端
５１Ｍ … 第１傾斜面の中間点
５２ … 上傾斜面
５３ … 下傾斜面
５５ … 第２傾斜面
５６ … 上傾斜面
５７ … 下傾斜面
６１ … ハンド
６２ … ハンド駆動部
６４ … 連結部
６５ … ベース部
６６ … 枝部
６８ … 吸引部
６９ … 吸引パッド
７１ … 気体供給路
７２ … 気体供給源
７３ … 吸引調整部
７４ … 接触部
７５ … 第１接触部
７６ … 第２接触部
７７ … 壁部
７８ … 第１壁部
７９ … 第２壁部
８０ … 第３壁部
８１ … 受け部
８２ … 第１受け部
８３ … 第２受け部
８６ … 受け部駆動部
８７ … アクチュエータ
８８ … 弾性部材
８９ … 基板検出部
９１ … 基板保持部
９１Ａ … 第１基板保持部
９１Ｂ … 第２基板保持部
９２ … 回転駆動部
９２Ａ … 第１回転駆動部
９２Ｂ … 第２回転駆動部
９３ … ガード
１０１ …第１プレート
１０２ … 上面
１０３ … 固定ピン（支持部）
１０４ … 気体吹出口
１０５ … 第１吹出口
１０６ … 第２吹出口
１０７ … 第１気体供給路
１０８ … 第２気体供給路
１０９ … 気体供給源
１１１ … 第１吹出調整部
１１２ … 第２吹出調整部
１１３ … 位置調整ピン（位置調整部）
１１４ … 軸部
１１６ … リフトピン（昇降部）
１２１ … 処理液供給部
１２２ … ノズル
１２３ … 配管
１２４ … 処理液供給源
１２５ … 流量調整部
１２７ … 基板検出部
１３１ … 第２プレート
１３２ … 上面
１３３ … 端縁接触ピン（端縁接触部）
１３４ … 小片部
１３５ … 下面接触ピン
１３６ … 軸部
１４１ … 第１処理ユニット
１４２ … 純水供給部
１４３ … 配管
１４４ … 純水供給源
１４５ … 流量調整部
１５１ … 第１処理ユニット
１５３ … 配管
１５４ … 処理液供給源
１５５ … 流量調整部
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６ … 回転軸線
Ｃ … キャリア（第１位置、第２位置）
Ｄ … 基板の直径
Ｄ１ … 通常径基板の直径
Ｄ２ … 大径基板
Ｅ１ … 水平方向に並ぶ第１棚２３と第２棚２４の間隔
Ｅ２ … 水平方向に並ぶ第１棚４６と第２棚４７の間隔（水平方向における第１傾斜面と第２傾斜面の間隔）
ＥＴ … 水平方向における第１傾斜面の上端と第２傾斜面の上端の間隔
ＥＢ … 水平方向における第１傾斜面の下端と第２傾斜面の下端の間隔
ＥＭ … 水平方向における第１傾斜面の中間点と第２傾斜面の中間点の間隔
Ｆ１ … 第１方向
Ｆ２ … 第２方向
Ｆ３ … 第３方向
Ｆ４ … 第４方向
ＨＡ、ＨＢ、ＨＣ … 高さ位置
ＨＡ１、ＨＢ１、ＨＣ１ … 第１高さ位置
ＨＡ２、ＨＢ２、ＨＣ２ … 第２高さ位置
ＨＡ３、ＨＢ３、ＨＣ３ … 第３高さ位置
Ｊ … 基板の中心
ＫＡ、ＫＢ … 挿入量
ＫＡ１、ＫＢ１ … 第１挿入量
ＫＡ２、ＫＢ２ … 第２挿入量
Ｌ１ … 第２方向における２本のロッドの全体の長さ
Ｌ２ … 第１方向におけるロッドの長さ
Ｌ３ … 第２方向における１本のロッドの長さ
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３… 基板の主部の厚み
Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６… 基板の周縁部の厚み
ＶＡ、ＶＢ … 移動速度
ＶＡ１、ＶＢ１ … 第１移動速度
ＶＡ２、ＶＢ２ … 第２移動速度
ＡＡ、ＡＢ … 加速度
ＡＡ１、ＡＢ１ … 第１加速度
ＡＡ２、ＡＢ２ … 第２加速度
Ｍ … 流量
Ｍ１ … 第１流量
Ｍ２ … 第２流量
Ｍ３ … 第３流量
Ｗ … 基板
Ｗ１ … 第１基板
Ｗ２ … 第２基板
Ｗ３ … 第３基板
ＷＮ … 通常径基板
ＷＤ … 大径基板
Ｘ … 前後方向
Ｙ … 幅方向
Ｚ … 上下方向
θ１ … 上傾斜面の角度
θ２ … 下傾斜面の角度 1 ... Substrate processing device 2 ... Indexer part 3 ... Carrier mounting part 4 ... Transfer mechanism (second transfer mechanism)
5 ... Processing block 6 ... Mounting part (1st position, 2nd position)
7 ... Processing unit (1st position, 2nd position)
7A ... 1st processing unit 7B ... 2nd processing unit 8 ... Transport mechanism (1st transport mechanism)
9 ... Control unit 11 ... Board body 12 ... Board peripheral edge 13 ... Board main part 14 ... Board recess 15 ... Protective plate 16 ... Board bottom surface 17 ... Board top surface 18 ... Board first side 19 ... Board 2nd side part 20 ... Board edge 22 ... Shelf 23 ... 1st shelf 24 ... 2nd shelf 31 ... Bar code reader 33 ... Hand 34 ... Hand drive part 35 ... Connecting part 36 ... Rod 37 ... Contact part 38 ... Board detection unit 45 ... Shelf 46 ... 1st shelf 47 ... 2nd shelf 51 ... 1st inclined surface 51T ... Upper end of 1st inclined surface 51B ... Lower end of 1st inclined surface 51M ... Midpoint of 1st inclined surface 52 ... Above Inclined surface 53… Lower inclined surface 55… Second inclined surface 56… Upper inclined surface 57… Lower inclined surface 61… Hand 62… Hand drive part 64… Connecting part 65… Base part 66… Branch part 68… Suction part 69… Suction Pad 71… Gas supply path 72… Gas supply source 73… Suction adjustment part 74… Contact part 75… First contact part 76… Second contact part 77… Wall part 78… First wall part 79… Second wall part 80… 3rd wall 81 ... Receiving part 82 ... 1st receiving part 83 ... 2nd receiving part 86 ... Receiving part driving part 87 ... Actuator 88 ... Elastic member 89 ... Board detection part 91 ... Board holding part 91A ... 1st board holding part 91B ... 2nd board holding part 92 ... Rotation drive part 92A ... 1st rotation drive part 92B ... 2nd rotation drive part 93 ... Guard 101 ... 1st plate 102 ... Top surface 103 ... Fixing pin (support part)
104 ... Gas outlet 105 ... 1st outlet 106 ... 2nd outlet 107 ... 1st gas supply path 108 ... 2nd gas supply path 109 ... Gas supply source 111 ... 1st outlet adjustment unit 112 ... 2nd outlet adjustment unit 113 ... Position adjustment pin (position adjustment part)
114 ... Shaft 116 ... Lift pin (elevating part)
121 ... Processing liquid supply unit 122 ... Nozzle 123 ... Piping 124 ... Processing liquid supply source 125 ... Flow rate adjustment unit 127 ... Board detection unit 131 ... Second plate 132 ... Top surface 133 ... Edge contact pin (edge contact part)
134… Small piece 135… Bottom contact pin 136… Shaft 141… First processing unit 142… Pure water supply unit 143… Piping 144… Pure water supply source 145… Flow rate adjustment unit 151… First processing unit 153… Piping 154… Processing liquid supply source 155 ... Flow rate adjusting unit A1, A2, A3, A4, A5, A6 ... Rotation axis C ... Carrier (first position, second position)
D ... Substrate diameter D1 ... Normal diameter Substrate diameter D2 ... Large diameter substrate E1 ... Spacing between the first shelf 23 and the second shelf 24 arranged in the horizontal direction E2 ... Of the first shelf 46 and the second shelf 47 arranged in the horizontal direction Interval (distance between the first inclined surface and the second inclined surface in the horizontal direction)
ET ... Distance between the upper end of the first inclined surface and the upper end of the second inclined surface in the horizontal direction EB ... Distance between the lower end of the first inclined surface and the lower end of the second inclined surface in the horizontal direction EM ... Spacing between the midpoint and the midpoint of the second inclined surface F1 ... 1st direction F2 ... 2nd direction F3 ... 3rd direction F4 ... 4th direction HA, HB, HC ... Height position HA1, HB1, HC1 ... 1st height Position HA2, HB2, HC2 ... 2nd height position HA3, HB3, HC3 ... 3rd height position J ... Center of substrate KA, KB ... Insertion amount KA1, KB1 ... 1st insertion amount KA2, KB2 ... 2nd insertion Quantity L1 ... Overall length of two rods in the second direction L2 ... Length of the rod in the first direction L3 ... Length of one rod in the second direction T1, T2, T3 ... Of the main part of the substrate Thickness T4, T5, T6 ... Thickness of the peripheral edge of the substrate VA, VB ... Moving speed VA1, VB1 ... 1st moving speed VA2, VB2 ... 2nd moving speed AA, AB ... Acceleration AA1, AB1 ... 1st acceleration AA2, AB2 ... 2nd acceleration M ... Flow rate M1 ... 1st flow rate M2 ... 2nd flow rate M3 ... 3rd flow rate W ... Board W1 ... 1st board W2 ... 2nd board W3 ... 3rd board WN ... Normal diameter board WD ... Large diameter board X… Front-back direction Y… Width direction Z… Vertical direction θ1… Upward inclined surface angle θ2… Downward inclined surface angle

Claims (6)

基板処理装置であって、
基板を処理する処理ユニットと、
前記処理ユニットに基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送機構を制御する制御部と、
を備え、
前記処理ユニットは、
第１処理ユニットと、
第２処理ユニットと、
を備え、
前記第１処理ユニットは、
基板を保持する第１基板保持部と、
前記第１基板保持部を回転する第１回転駆動部と、
を備え、
前記第１基板保持部は、
第１プレートと、
前記第１プレートの上面から上方に突出し、基板の下面および基板の端縁の少なくともいずれかと接触し、前記第１プレートの上面よりも高い位置で基板を支持する支持部と、
前記第１プレートの上面に形成され、前記第１プレートの上面と、前記支持部に支持される基板の下面との間に気体を吹き出し、基板を下方に吸引する気体吹出口と、
を備え、
前記第２処理ユニットは、
基板を保持する第２基板保持部と、
前記第２基板保持部を回転する第２回転駆動部と、
を備え、
前記第２基板保持部は、
第２プレートと、
前記第２プレートに取り付けられ、前記第２回転駆動部が前記第２基板保持部を回転するときに基板の端縁と接触する端縁接触部と、
を備え、
前記制御部は、基板の形状に応じて、基板を処理する前記処理ユニットを、前記第１処理ユニットおよび前記第２処理ユニットのいずれか１つに決定し、決定された前記処理ユニットに、前記搬送機構によって基板を搬送させる
基板処理装置。 It is a board processing device
A processing unit that processes the substrate and
A transport mechanism that transports the substrate to the processing unit,
A control unit that controls the transport mechanism and
With
The processing unit
The first processing unit and
The second processing unit and
With
The first processing unit is
The first board holding part that holds the board and
A first rotation drive unit that rotates the first substrate holding unit,
With
The first substrate holding portion is
1st plate and
A support portion that projects upward from the upper surface of the first plate, contacts at least one of the lower surface of the substrate and the edge of the substrate, and supports the substrate at a position higher than the upper surface of the first plate.
A gas outlet formed on the upper surface of the first plate, blowing gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support portion, and sucking the substrate downward.
With
The second processing unit is
The second board holding part that holds the board and
A second rotation drive unit that rotates the second substrate holding unit, and
With
The second substrate holding portion is
The second plate and
An edge contact portion attached to the second plate and in contact with the edge of the substrate when the second rotation drive unit rotates the second substrate holding portion.
With
The control unit determines the processing unit for processing the substrate as one of the first processing unit and the second processing unit according to the shape of the substrate, and the determined processing unit is used as the processing unit. A board processing device that transports a substrate by a transport mechanism. 請求項１に記載の基板処理装置において、
前記第２回転駆動部が前記第２基板保持部を回転するとき、前記端縁接触部は、前記端縁接触部に対して基板が滑らないように、基板を保持する
基板処理装置。 In the substrate processing apparatus according to claim 1,
When the second rotation driving unit rotates the second substrate holding portion, the edge contact portion holds the substrate so that the substrate does not slip with respect to the edge contact portion. 請求項１または２に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、基板の周縁部の内側に位置する基板の主部の厚みに応じて、基板を処理する前記処理ユニットを、前記第１処理ユニットおよび前記第２処理ユニットのいずれか１つに決定する
基板処理装置。 In the substrate processing apparatus according to claim 1 or 2.
The control unit converts the processing unit that processes the substrate into one of the first processing unit and the second processing unit according to the thickness of the main portion of the substrate located inside the peripheral edge of the substrate. Board processing equipment to determine. 請求項３に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、基板の前記主部が第１厚みを有する基板を前記第１処理ユニットに搬送させ、基板の前記主部が前記第１厚みよりも大きな第２厚みを有する基板を前記第２処理ユニットに搬送させる
基板処理装置。 In the substrate processing apparatus according to claim 3,
The control unit conveys a substrate having a first thickness of the main portion of the substrate to the first processing unit, and the second portion of the substrate having a second thickness of the main portion larger than the first thickness. A substrate processing device that is transported to a processing unit. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
基板は、
基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって形成される凹部を有し、かつ、ガラス製の保護プレートを有しない第１基板と、
前記凹部を有しない第２基板と、
を含み、
前記制御部は、前記第１基板を処理する前記処理ユニットを前記第１処理ユニットに決定し、前記第１基板を前記第１処理ユニットに搬送させ、前記第２基板を処理する前記処理ユニットを前記第２処理ユニットに決定し、前記第２基板を前記第２処理ユニットに搬送させる
基板処理装置。 In the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The board is
A first substrate having a recess formed by a main portion of the substrate located inside the peripheral edge of the substrate recessed from the peripheral edge of the substrate and not having a protective plate made of glass.
A second substrate having no recess and
Including
The control unit determines the processing unit for processing the first substrate as the first processing unit, conveys the first substrate to the first processing unit, and processes the second substrate. A substrate processing apparatus that is determined to be the second processing unit and conveys the second substrate to the second processing unit. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
基板は、
基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって形成される凹部を有し、かつ、ガラス製の保護プレートを有しない第１基板と、
前記凹部を有し、かつ、ガラス製の保護プレートを有しない第３基板と、
を含み、
前記制御部は、前記第１基板を処理する前記処理ユニットを前記第１処理ユニットに決定し、前記第１基板を前記第１処理ユニットに搬送させ、前記第３基板を処理する前記処理ユニットを前記第２処理ユニットに決定し、前記第３基板を前記第２処理ユニットに搬送させる
基板処理装置。 In the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The board is
A first substrate having a recess formed by a main portion of the substrate located inside the peripheral edge of the substrate recessed from the peripheral edge of the substrate and not having a protective plate made of glass.
A third substrate having the recess and not having a glass protective plate,
Including
The control unit determines the processing unit for processing the first substrate as the first processing unit, conveys the first substrate to the first processing unit, and processes the third substrate. A substrate processing apparatus that is determined to be the second processing unit and conveys the third substrate to the second processing unit.
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