JP2009071041A - Vacuum processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体デバイス製造工程に使用される真空処理装置に関する。特に、パワーデバイスと言われる電力素子用半導体の製造あるいは実装配線工程などで、薄膜基板を搬送して成膜処理を行う真空処理装置に関する。 The present invention relates to a vacuum processing apparatus used in a semiconductor device manufacturing process. In particular, the present invention relates to a vacuum processing apparatus that transports a thin film substrate and performs a film forming process in manufacturing a power element semiconductor called a power device or a mounting wiring process.
従来、標準的なSi基板の厚みは750μm程度であり、このような半導体基板は、搬送時の部分的な接触支持に起因する基板の反りや垂れを発生せず、多くの半導体製造や電子部品製造において研究用あるいは量産用に幅広く用いられてきた。 Conventionally, a standard Si substrate has a thickness of about 750 μm, and such a semiconductor substrate does not cause warping or sagging of the substrate due to partial contact support during transportation, and many semiconductor manufacturing and electronic components It has been widely used for research and mass production in manufacturing.
近年IT産業の新興に伴い、パワーデバイス、実装配線基板の応用が活発化してきている。こうした応用面では、基板厚みが従来の標準的な基板の厚みから、薄くする事が必須となってきている。基板の厚さを薄くする背景としては、以下の必要性があった。パワーデバイスの場合には、基板に垂直にトランジスタを構成する、即ち基板厚み方向に電流を流す為に、抵抗を下げる目的で、基板厚みを極力薄くする必要が出てきた。 In recent years, with the development of the IT industry, application of power devices and mounting wiring boards has been activated. In such applications, it has become essential to reduce the substrate thickness from the conventional standard substrate thickness. As a background for reducing the thickness of the substrate, there was the following necessity. In the case of a power device, it has become necessary to make the substrate thickness as thin as possible for the purpose of lowering resistance in order to form a transistor perpendicular to the substrate, that is, to allow current to flow in the substrate thickness direction.
一方、WLP(Wafer Level Package)などの実装配線技術では、携帯用の各種モバイルに代表されるように、製品のコンパクト性を確保する為に、使用されるデバイスも出来る限り、薄く小さく実装する事が要求されてきた。 On the other hand, in the mounting wiring technology such as WLP (Wafer Level Package), as represented by various portable mobile devices, in order to ensure the compactness of the product, the devices used should be mounted as thin and small as possible. Has been required.
しかしながら、このような薄厚基板(一般的には300〜400μm以下の厚さのもので、30〜50μm厚までのものが対象)の搬送においては、基板の垂れ(撓み)や反りに起因する搬送不具合などが生じている。 However, in the transport of such a thin substrate (generally having a thickness of 300 to 400 μm or less and targeted to a thickness of 30 to 50 μm), the transport is caused by dripping (bending) or warping of the substrate. There is a problem.
図5は第一の背景技術例で、一般的なマルチチャンバー方式の真空処理装置を示す。この真空処理装置は、基板移送のための空間を形成するトランスファー室42と、トランスファー室の4側面にそれぞれ配置された真空処理室24a,24b,24cおよびロードロック室41とを有する。トランスファー室42には、基板搬送アーム43を具備する搬送ロボット25が設置されている。ロードロック室41の外側面に対応する場所には、カセットキャリア1に収納されている基板2を装置内へ運ぶためのオートローダ20が設置されている。オートローダ20は、複数のカセットキャリア1をセットするカセットステージ30と、基板搬送アーム13を具備するオートローダロボット21と、基板2のアライメントを行うアライナ40とを具備する。
FIG. 5 shows a general multi-chamber vacuum processing apparatus as a first background art example. This vacuum processing apparatus includes a
さらに、上記真空処理装置における、基板2の搬送経路を図5に基づいて詳述する。尚、図5の中の矢印は基板2の代表的な搬送経路を示す。 Furthermore, the conveyance path | route of the board | substrate 2 in the said vacuum processing apparatus is explained in full detail based on FIG. In addition, the arrow in FIG. 5 shows the typical conveyance path | route of the board | substrate 2. FIG.
カセットキャリア1に収納された基板2はオートローダロボット21の基板搬送アーム13によって真空チャック方式で一枚ずつアライナ40まで運ばれる。アライナ40にて、基板2のセンター出しが実施されると共に、OF(Orientation Flat)またはノッチと呼ばれる基準位置を基に、基板2の回転方向における配向性が揃えられる。その後、基板搬送アーム13でロードロック室41に基板2が運ばれる。
The substrates 2 stored in the
通常カセットキャリア1には標準の基板収納ピッチの場合、25枚の基板2が多段に収納されており、ロードロック室41にも25枚の棚が確保されている。上記のように基板2のアラインメントとセンター出しが終了した25枚全てがロードロック室41の棚に載置されると、ゲートバルブ(図示せず)が閉まりロードロック室41は大気と遮断されて真空排気される。真空排気が完了すると、ロードロック室41とトランスファー室42の間のゲートバルブ(図示せず)が開く。そして、トランスファー室42の基板搬送アーム43がロードロック室41に収納された基板2を一枚ずつ真空処理室24a内のステージ26にセットして、基板2に成膜やエッチング処理がなされる。
Normally, in the case of a standard substrate storage pitch, 25 cassettes 2 are stored in multiple stages in the
多層膜を成膜する場合には図中の矢印のように別の真空処理室24b,24cに順番に基板2がセットされて処理が続行され、最終的にロードロック室41の棚(以下、LL棚と呼ぶ。)に戻る。この作業を25枚終了すると、ロードロック室41がトランスファー室42からゲートバルブで隔離され、その後大気に開放され、最終的に、処理済の基板2がカセットキャリア1に回収される。
In the case of forming a multilayer film, the substrate 2 is set in order in the other
図6は上記真空処理装置に適用されるカセットキャリアの図で、(A)は標準基板(反りが無い場合)2aを標準カセットキャリア1aに収納した場合を示す。この場合カセットキャリア1aの棚のピッチは標準で約6mmになっている。一方、図6の(B)に示されるカセットキャリアは倍ピッチキャリア1bと呼ばれるもので、薄厚基板2bの弛みを考慮して、棚のピッチが標準カセットキャリア1aに比較して2倍になっている。この場合、基板の収納枚数が標準の25枚に対して、倍ピッチキャリア1bでは、13枚となり、収納枚数が少なくなる。因みに、100μm厚基板の場合、最大反り量が約2mm程度となる事が実験で確認された。
FIG. 6 is a diagram of a cassette carrier applied to the vacuum processing apparatus, and FIG. 6A shows a case where a standard substrate (when there is no warpage) 2a is stored in the
一方、基板の反りや撓みを防止する目的で、反りのない支持基盤と呼ばれる支持材(石英やパイレックスなど、熱的に安定な基盤)に薄い基板を接着剤を介して貼り付け、この状態で搬送させる方式のものも実用化されている。この場合には、反りや撓み等が無い為に、標準のカセットキャリア1aを使用して、収納効率を上げている。図7はロードロック室のエレベータ機構に搭載されたLL棚に、薄厚基板を収納した場合を示す。この場合も、カセットキャリアを示す図6(A)(B)と同様に、2種類の基板を載せる場合に図7(A)(B)のようになる。即ち、標準厚みSi基板の場合や、石英などの支持基盤に薄厚基板2bが接着された場合には、標準ピッチの棚3aになる。一方、薄厚基板2bの場合には、棚3bのピッチが、標準ピッチの棚3aの場合と比べて2倍ピッチとなる。また、薄厚基板の場合には、通常、上面とは反対側に配線などデバイスが作りこまれているので、接触時の傷を防止するようなコーティング4が棚3bに施されている。このコーティング材はポリテトラフロオロエチレン、ポリイミドといった材料が真空中では広く用いられている。
On the other hand, in order to prevent warping and bending of the substrate, a thin substrate is attached to a support material (a thermally stable substrate such as quartz or Pyrex) with no warp, using an adhesive. A method of carrying is also put into practical use. In this case, since there is no warping or bending, the
上記支持基盤に基板を貼り付ける方式では、図8に示されるように薄厚基板5を石英支持基盤7に接着剤10を介して張り合わされている。この方式は一般的にはHWSS(Hard Ware Support System)といわれる。このように、HWSSでは前後工程が必要な分、デバイス製造上のコストが嵩むが、基板に成膜するときの反り、撓みの問題が解決される為に搬送信頼性が向上する。
In the method of attaching the substrate to the support base, the
一方、上述したHWSS方式の基板(以下、HWSS基板と略す)への成膜においては、支持基盤に薄厚基板を接着させる為に接着材の耐熱温度から、成膜時の基板温度上限に制約が生じるという課題がある。これを解消するため、メカクランプやESC(静電チャック)によりHWSS基板をホルダーに固定して、HWSS基板裏面にガスを充満させて、ガスを媒体として基板の冷却を行い、成膜中の基板温度上昇を抑制する必要がある。 On the other hand, in the above-described film formation on the HWSS substrate (hereinafter abbreviated as the HWSS substrate), there is a restriction on the upper limit of the substrate temperature at the time of film formation from the heat-resistant temperature of the adhesive to adhere the thin substrate to the support base. There is a problem that arises. In order to solve this problem, the HWSS substrate is fixed to the holder by a mechanical clamp or ESC (electrostatic chuck), the back of the HWSS substrate is filled with gas, the substrate is cooled using the gas as a medium, and the substrate being formed It is necessary to suppress the temperature rise.
然しながら、機械的なクランプ方式(図示せず)では、石英基板などの支持基盤の端部が割れやすく、支持方式に不安定要因が有った。一方、ESC(静電チャック)方式は機械的なクランプ方式に比較して、裏面ガスの封入効率が良い。その結果、成膜中のプラズマ熱の吸収効率が良い事と、何よりも基板表面との接触面を小さくできることにより傷発生によるダメージやパーティクル発生が抑制される事が利点として有った。図9に一般的なESC(静電チャック)にHWSS基板を吸着させたときの断面図を示す。 However, in the mechanical clamp method (not shown), the end of the support base such as the quartz substrate is easily broken, and there is an unstable factor in the support method. On the other hand, the ESC (electrostatic chuck) method has better backside gas sealing efficiency than the mechanical clamping method. As a result, there are advantages in that the absorption efficiency of plasma heat during film formation is good, and above all that the contact surface with the substrate surface can be made small, so that damage and particle generation due to scratches are suppressed. FIG. 9 shows a cross-sectional view when a HWSS substrate is attracted to a general ESC (electrostatic chuck).
図9によれば、HWSS基板7をESCステージ8に載せ、ESC内蔵の電極に電圧を印加して、誘導電荷による、静電クーロン力でHWSS基板7を保持する。このESC方式では、ESC表面(基板との接触面)をエンボス加工11と呼ばれる、多数の凸状の部位で形成する。そして、このような部位に基板に接触させ、凸状部間の空隙12をガスで充満させることで、ガスを媒体とした熱伝導効率を向上させる方式が一般的である。また、このような凸状の突起物が無く平面的な形状で、裏面にガス導入しないタイプ(図示せず)も存在する。
According to FIG. 9, the
このESC方式は、上述したような利点が多く有るが、HWSS基板のように厚い材料を吸着する場合には、電極間クーロン力を利用した静電吸着力を発生させる為にESC内蔵の電極に、通常より数倍も高い電圧供給が可能な構造が必要であった。このため、供給電力に耐圧がある電極構造を工夫する必要がある。 This ESC method has many advantages as described above. However, when a thick material such as an HWSS substrate is adsorbed, an ESC built-in electrode is used to generate an electrostatic attraction force using the inter-electrode coulomb force. A structure capable of supplying a voltage several times higher than usual was required. For this reason, it is necessary to devise an electrode structure in which the supplied power has a withstand voltage.
いずれにしても、上記実装配線基板、パワーデバイス系のデバイスの用途では、2種類の基板すなわち撓みの有る基板(薄厚基板)と撓みの無い基板(HWSS基板等)にそれぞれ適合したカセットキャリア1を用意して基板搬送を行うことが必要となる。
In any case, in the use of the mounting wiring board and the device of the power device system, the
薄厚基板を搬送させる方式では、カセットキャリア内における基板が垂れる事を考慮して、棚ピッチを標準カセットキャリアのそれよりも2倍〜3倍にする必要がある。また、基板の厚さが異なると基板の撓み量も異なるため、搬送する基板に応じて、基板搬送アームの上下方向の送りピッチを調整する必要があった。一方、標準的な厚みのSi基板やHWSS基板を搬送する方式では標準カセットキャリアを使用するが、基板を保持するESCステージに印加する供給電力を通常より大きくする必要がある。これらの方式は一長一短で、デバイス種類により使い分ける必要がある。従来、こうした複数のカセットキャリアに対応する場合には、カセットキャリアの種類ごとに専用のローダを準備するか、1台のローダをカセットキャリアの種類変更の度に改造すること等が必要であった。前者は1種類のカセットキャリアに対応させる場合の2倍以上のコストが発生する。また後者は改造に時間がかかり生産効率上の阻害要因となっていた。 In the method of transporting a thin substrate, it is necessary to make the shelf pitch 2 to 3 times that of the standard cassette carrier in consideration of the drooping of the substrate in the cassette carrier. In addition, since the amount of bending of the substrate differs when the thickness of the substrate is different, it is necessary to adjust the feed pitch in the vertical direction of the substrate transfer arm in accordance with the substrate to be transferred. On the other hand, a standard cassette carrier is used in a system for transporting a Si substrate or a HWSS substrate having a standard thickness, but it is necessary to increase the supply power applied to the ESC stage that holds the substrate more than usual. These methods have advantages and disadvantages and need to be used properly depending on the device type. Conventionally, in order to support such a plurality of cassette carriers, it is necessary to prepare a dedicated loader for each type of cassette carrier or to change one loader every time the type of cassette carrier is changed. . The former costs more than twice as much as when dealing with one type of cassette carrier. In the latter case, remodeling took time and was an obstacle to production efficiency.
そこで本発明の目的は、上述した背景技術が有する課題に鑑み、上記2種類の基板にそれぞれ適合した収納する形状が異なる各カセットキャリアから基板を共通の装置で搬送できる真空処理装置を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION In view of the problems of the background art described above, an object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus capable of transporting a substrate from each cassette carrier having a different storage shape suitable for each of the two types of substrates using a common device. It is in.
本発明の真空処理装置は、基板を上下多段に収納する形状が異なる複数の種類のカセットキャリアと、カセットキャリアに収納されている基板を運ぶためのローダとを有する。この真空処理装置は、カセットキャリアをセットするためのカセットステージと、カセットステージにカセットキャリアがセットされると当該カセットキャリアの形状に基づいて当該カセットキャリアの種類を判別する判別手段とを備える。そして真空処理装置は、ローダに備えられた基板搬送アームであって、判別手段で判別されたカセットキャリアの種類に基づき、基板受け取り初期高さを変える基板搬送アームを備えることを特徴とする。 The vacuum processing apparatus of the present invention includes a plurality of types of cassette carriers having different shapes for storing substrates in multiple upper and lower stages, and a loader for carrying the substrates stored in the cassette carrier. This vacuum processing apparatus includes a cassette stage for setting a cassette carrier, and a discriminating means for discriminating the type of the cassette carrier based on the shape of the cassette carrier when the cassette carrier is set on the cassette stage. The vacuum processing apparatus includes a substrate transfer arm provided in the loader, the substrate transfer arm changing a substrate receiving initial height based on the type of the cassette carrier determined by the determination unit.
本発明によれば、撓みや反り等を生じる基板とそうでない基板にそれぞれ適合した複数種のカセットキャリアから基板を共通の装置で搬送することができる。 According to the present invention, a substrate can be transported by a common apparatus from a plurality of types of cassette carriers that are respectively adapted to a substrate that is bent or warped and a substrate that is not.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。尚、背景技術の欄で説明した構成部品と同一のものには同一符号を用いている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the same code | symbol is used for the same thing as the component demonstrated in the column of background art.
図1は本発明の第一実施例で、各種カセットキャリアとオートローダの基板搬送アームとの位置関係を示したものであり、図2は各種カセットキャリアを示す。 FIG. 1 shows a positional relationship between various cassette carriers and a substrate transfer arm of an autoloader according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 shows various cassette carriers.
図1(A)では標準カセットキャリア1aにHWSS基板2aまたは標準基板を上下多段に収納した状態を断面で示している。一方、図1(B)は倍ピッチキャリア1bに薄厚基板2bを上下多段に収納した状態を断面で示している。これらの図で符号13はオートローダの基板搬送アームである。
FIG. 1A shows a cross section of the
基板搬送アーム13は、各キャリア1a,1bに関して基板間の隙間に挿入され、基板をすくい上げて保持する。標準カセットキャリア1aのHWSS基板2aを搬送する場合は、基板搬送アーム13は標準カセットキャリア1aの最上部の基板間に最初に挿入される。この初期挿入位置は基板搬送アーム13の基板受け渡し初期高さとして予め設定されている。また、標準カセットキャリア1aの棚ピッチに合わせて、基板搬送アーム13の基板受け渡し初期高さから上下方向の移動ピッチも予め設定されている。一方、倍ピッチキャリア1の薄厚基板2bを搬送する場合、薄厚基板2bは垂れが生じているために、その撓み量dを考慮してHWSS基板2aの基板受け渡し初期高さよりも、寸法Aだけ下方に基板搬送アーム13の高さを調整する。そして、この高さで基板搬送アーム13を倍ピッチキャリア1内に挿入して、HWSS基板2bをすくい上げる。また、その下方の基板2bをすくい上げるには標準カセットキャリア1aとは2倍の移動ピッチで基板搬送アーム13を下移動させて、挿入する事となる。
The
このように前記2種類のキャリアと基板の種類に応じて、オートローダの基板搬送アーム13の初期挿入位置(基板受け渡し初期高さ)と移動ピッチを調整する必要がある。この為に、本発明の背景技術ではカセットキャリアの種類を変える度に、オートローダの基板搬送アーム13の初期挿入位置および移動ピッチを設定し直す必要が有った。これに対し、本発明はその初期挿入位置および移動ピッチを、自動で変更させるものである。
Thus, it is necessary to adjust the initial insertion position (substrate transfer initial height) and movement pitch of the
具体的には図1に示すように、カセットキャリア1aや1bをセットするカセットステージ30のセット場所の下部に、セットされたキャリアの種類を判別するための判別スイッチ50が設置されている。
Specifically, as shown in FIG. 1, a
標準カセットキャリア1aには底部に遮断板55が設置されている。そのため、標準カセットキャリア1aがカセットステージ30にセットされた場合、遮断板55が判別スイッチ50の発光部51からの信号53(出射光)を遮断してそこからの反射信号54(反射光)が検出部52で検出される。一方、倍ピッチキャリア1aの底部には遮断板55が設けられていない為、倍ピッチキャリア1bがカセットステージ30にセットされたときは発光部51の光が遮断されず、検出部52に信号が入らない。このような判別スイッチ50における検出部52のON/OFF状態でキャリアの種類が判別される。そして、このときの判別信号(ON信号,OFF信号)に応じて、オートローダロボット21の基板搬送アーム13の、Z軸高さ(上下方向高さ)及び上下移動ピッチの設定が変更される。これにより、2種類の基板2a,2bの搬送調整を行う事が出来る。尚、2種類の基板に限られず、3種類以上の基板に応じて基板搬送アーム13の初期挿入位置および移動ピッチを予め設定しておくと、各種基板に適合させた複数種類のカセットキャリアにも対応可能である。
The
次に、図3を参照し、本実施例の真空処理装置を説明する。図3は、図5に示した背景技術に係る真空処理装置に、判別スイッチ50などの本発明の構成要素を追加した図である。図のようにカセットステージ30の、各カセットキャリア1をセットする場所には判別スイッチ50が設置されており、各判別スイッチ50からの信号線61は制御器60に接続されている。また、制御器62とオートローダロボット21が信号線62で接続されている。尚、各判別スイッチ50から制御器60を結ぶ信号線61は各キャリアのセット場所に対応する判別スイッチの検出器50からのON信号やOFF信号を伝送する。
Next, the vacuum processing apparatus of the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram in which components of the present invention such as the
したがって、キャリアステージ20にカセットキャリア1がセットされると、そのカセットキャリア種類に応じたON信号またはOFF信号が信号線61を通して制御器60に伝わる。そして制御器60は、いずれかの信号に基づく制御信号を信号線62を介してオートローダロボット21に伝送して、予め設定された基板搬送アーム13の初期挿入位置および上下移動ピッチを変更する。つまり、制御器60には、判別スイッチ50からのON信号またはOFF信号の受信に応じて出力する制御信号として、カセットキャリア種類に応じた基板搬送アーム13の初期挿入位置情報および上下移動ピッチ情報が格納されている。
Therefore, when the
また制御器60は、カセットステージ30の各キャリアセット場所のどの判別スイッチ50からの信号であるかを認識し、その信号を送信した判別スイッチ50が設けられている場所のカセットキャリア1について基板搬送アーム13による搬送を実施する。そのために各判別スイッチ50の出力はキャリアセット場所ごとに変えるなどして識別できることが好ましい。
Further, the
尚、上記判別スイッチ50によるキャリア種類の判別結果は、処理室への搬送経路を大気と隔絶するロードロック室41の、棚(LL棚)の上下方向高さを調整する機構の駆動に用いてもよい。つまり、LL棚の上下方向高さの調整を、判別スイッチ50で判別されたカセットキャリアの種類に基づいて行ってもよい。
The carrier type discrimination result by the
次に、本発明の別の実施例を説明する。図4は、本発明の別の実施例で、キャリアカセットと判別スイッチと基板搬送アームの関係を示したものである。本例は上述した真空処理装置に、カセットキャリア1aや1bに収納された基板の撓み量を計測する計測手段を具備させている。計測手段は、カセットキャリア1aや1bをセットするカセットステージ30のセット場所に配置された位置検出センサである近接センサ70と、近接センサ70からの信号を信号線64を介して伝送するための検出器71とからなる。
Next, another embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 shows the relationship among the carrier cassette, the discrimination switch, and the substrate transfer arm in another embodiment of the present invention. In this example, the above-described vacuum processing apparatus is provided with measuring means for measuring the deflection amount of the substrate stored in the
近接センサ70は、カセットキャリア1aや1bの下部に収納される基板の中心位置に近接可能に配置されている。この近接センサ70によって、基板の、撓みの無い被支持部からの変位を前記撓み量として計測する。ここで「基板の、撓みの無い被支持部」とは、基板2bの、棚に支持されている部位をいい、撓み量はこの部位から下方への基板変位量である。
The
基板搬送アーム13は、制御器60から伝えられる前記撓み量に応じて、基準カセットキャリア1aに対して予め設定された基板受け取り初期高さ(初期挿入位置)を補正する機能を有する。具体的には、図4のように近接センサ70をカセットキャリア1aの下部の基板2bの中心位置に対して近接させて、検出器71により基板2bの反り量が計測される。このときの検出信号が信号線64を通して、制御器60に伝送される。制御器60はこの信号(基板2bの反り量)に基づいた制御信号を信号線62を介してオートローダロボット21に伝え、カセットキャリア1aに対して予め設定されていた基板搬送アーム13の初期挿入位置を補正して、倍ピッチキャリア1bに対応させる。この方法によれば、第一実施例のようにカセットキャリアの種類ごとに基板搬送アーム13の初期挿入位置を設定しておかなくても良いという効果がある。
The
このような計測手段によって計測した基板撓み量は、上記のようなオートローダロボット21のアーム搬送調整に使用するだけでなく、他の装置の調整にも用いることができる。例えばアライナ40においてはアライナステージ上での基板の垂れがあると、光学系がノッチまたはOFの検出が出来ない事がある。この場合、上記のように計測した基板撓み量を用いて光学系による基板認識を調整することが可能である。
The amount of substrate deflection measured by such measuring means can be used not only for adjusting the arm conveyance of the
以上説明したような本発明の真空処理装置で基板搬送を行うことで、複数のカセットキャリア、すなわち複数の基板タイプのものが生産性を損なうことなく搬送させられるので、とりわけ実装、パワーデバイス関連の生産性向上に大きく寄与する。 By carrying the substrate in the vacuum processing apparatus of the present invention as described above, a plurality of cassette carriers, that is, a plurality of substrate types, can be carried without impairing productivity. Greatly contributes to productivity improvement.
1 カセットキャリア
1a 標準カセットキャリア
1b 倍ピッチキャリア
2 基板
2a HWSS基板
2b 薄厚基板
13,43 基板搬送アーム
20 オートローダ
21 オートローダロボット
24a,24b,24c 処理室
25 搬送ロボット
26 ステージ
30 カセットステージ
40 アライナ
41 ロードロック室
42 トランスファー室
50 判別スイッチ
51 発光部
52 検出部
55 遮断板
60 制御器
61,62 信号線
70 近接センサ
71 検出器
1
Claims (6)
前記カセットキャリアをセットするためのカセットステージと、
前記カセットステージに前記カセットキャリアがセットされると当該カセットキャリアの形状に基づいて当該カセットキャリアの種類を判別する判別手段と、
前記ローダに備えられた前記基板を搬送するための基板搬送アームであって、前記判別手段で判別された前記カセットキャリアの種類に基づき、基板受け取り初期高さを変える基板搬送アームと、を備えたことを特徴とする真空処理装置。 In a vacuum processing apparatus having a plurality of types of cassette carriers having different shapes for storing substrates in multiple stages, and a loader for carrying the substrates stored in the cassette carrier,
A cassette stage for setting the cassette carrier;
Determining means for determining the type of the cassette carrier based on the shape of the cassette carrier when the cassette carrier is set on the cassette stage;
A substrate transport arm for transporting the substrate provided in the loader, the substrate transport arm changing a substrate receiving initial height based on the type of the cassette carrier determined by the determination means; A vacuum processing apparatus characterized by that.
前記撓み量に応じて、予め設定されている基板受け取り初期高さが補正されることを特徴とする請求項1に記載の真空処理装置。 A measuring means for measuring the amount of deflection of the substrate stored in the cassette carrier set on the cassette stage;
The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein a preset substrate receiving initial height is corrected in accordance with the amount of bending.
前記基板搬送アームの上下移動ピッチは、前記判別手段で判別された前記カセットキャリアの種類に基づき、当該カセットキャリアの種類ごとに設定された基板の収納ピッチに合う移動ピッチに変更されることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の真空処理装置。 For each type of the cassette carrier, a storage pitch of the substrates stored in the cassette carrier is set,
The vertical movement pitch of the substrate transfer arm is changed to a movement pitch that matches the storage pitch of the substrate set for each type of the cassette carrier based on the type of the cassette carrier determined by the determination unit. The vacuum processing apparatus according to any one of claims 1 to 4.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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