JP7373658B2 - 光起電力デバイスおよび製作方法 - Google Patents
光起電力デバイスおよび製作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7373658B2 JP7373658B2 JP2022524146A JP2022524146A JP7373658B2 JP 7373658 B2 JP7373658 B2 JP 7373658B2 JP 2022524146 A JP2022524146 A JP 2022524146A JP 2022524146 A JP2022524146 A JP 2022524146A JP 7373658 B2 JP7373658 B2 JP 7373658B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photovoltaic device
- photovoltaic
- bus
- edge
- conductive member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 257
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 88
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 70
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 55
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 claims description 18
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 claims description 17
- 239000004433 Thermoplastic polyurethane Substances 0.000 claims description 12
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 12
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 12
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 claims description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 11
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 10
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000012812 sealant material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 6
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 6
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 6
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 claims description 6
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 6
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 4
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 claims description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 29
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 26
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 10
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl) methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=C(O)C=C1 SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 2
- YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L cadmium dichloride Chemical compound Cl[Cd]Cl YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N magnesium;zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Mg+2].[Zn+2] PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- KEFYKDIPBYQPHW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetraselena-1,3,5,7-tetrazatricyclo[3.3.0.03,7]octane Chemical compound [Se]1N2[Se]N3[Se]N2[Se]N13 KEFYKDIPBYQPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- BTFOWJRRWDOUKQ-UHFFFAOYSA-N [Si]=O.[Sn] Chemical compound [Si]=O.[Sn] BTFOWJRRWDOUKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N azanylidynevanadium Chemical compound [V]#N SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 229920005787 opaque polymer Polymers 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N zinc;cadmium(2+);disulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[Zn+2].[Cd+2] UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
- H01L31/02013—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising output lead wires elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
- H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
[発明の態様]
[1]
複数の電気的に接続された光起電力セル、前記光起電力セルは、第1の表面および第2の表面を有する導電層を含み、前記第1の表面が吸収体層に面している、、
前記光起電力セルのうちの少なくとも1つの上の前記第2の表面に配置された絶縁材料、
前記絶縁材料上の導電性部材、前記絶縁材料は、前記導電性部材を前記第2の表面から電気的に絶縁するように構成されている、
前記複数の光起電力セルのうちの1つと前記導電性部材とに電気的に結合されたバス部材、
前記複数の光起電力セルのうちの前記1つの少なくとも一部分の上に延びるシーラント材料を含むエッジシール
を含む光起電力デバイスであって、
前記バス部材は、前記エッジシールと前記複数の光起電力セルとの間に配置されている、
光起電力デバイス。
[2]
前記バス部材が前記導電性部材に重なって、T接続を画定しており、
前記T接続が、前記エッジシールと前記複数の光起電力セルとの間に配置され、
前記バス部材の少なくとも一部分が、前記エッジシールと前記複数の光起電力セルとの間に存在しない、1に記載の光起電力デバイス。
[3]
前記バス部材の2つの部分が、前記エッジシールと前記複数の光起電力セルとの間に存在しない、2に記載の光起電力デバイス。
[4]
前記複数の光起電力セルのうちの少なくとも一部に配置された中間層をさらに含む、1に記載の光起電力デバイス。
[5]
前記バス部材全体が、前記エッジシールと前記複数の光起電力セルとの間に存在する、1に記載の光起電力デバイス。
[6]
前記バス部材が、前記エッジシールと前記導電性部材との間に存在する、1に記載の光起電力デバイス。
[7]
前記導電性部材が、前記バス部材と前記絶縁材料との間に存在する、6に記載の光起電力デバイス。
[8]
前記導電性部材および前記絶縁材料の上に形成されたブリッジをさらに含み、前記ブリッジが、導電性接着剤を含み、前記導電性部材を前記バス部材に電気的に結合させる、1に記載の光起電力デバイス。
[9]
前記ブリッジの第1の部分が、前記エッジシールの下に配置され、前記ブリッジの第2の部分が、前記エッジシールによって覆われず、そして前記中間層によって覆われず、前記ブリッジの第3の部分が、前記中間層の下に配置される、8に記載の光起電力デバイス。
[10]
前記ブリッジが、ライナー、導電性金属の1つまたは複数の層、および前記導電性接着剤の1つまたは複数の層を含む多層構造を含む、8に記載の光起電力デバイス。
[11]
前記ブリッジが、導電性金属の2つ以上の層および前記導電性接着剤の2つ以上の層を含む多層構造を含む、8に記載の光起電力デバイス。
[12]
前記ブリッジが、1つまたは複数の導電性金属層および1つまたは複数の導電性接着剤層を含む多層構造を含む、8に記載の光起電力デバイス。
[13]
複数の電気的に接続された光起電力セル、前記光起電力セルは、第1の表面および第2の表面を有する導電層を含み、前記第1の表面が吸収体層に面している、
前記光起電力セルのうちの少なくとも1つの上の前記第2の表面に配置された絶縁材料、
前記絶縁材料上の導電性部材、前記絶縁材料は、前記導電性部材を前記第2の表面から電気的に絶縁するように構成されている、
前記絶縁材料および前記導電性部材上のブリッジ、前記ブリッジは、導電性金属および導電性接着剤を含む、
前記複数の光起電力セルのうちの1つと、前記導電性部材とに電気的に結合されたバス部材、前記ブリッジは、前記バス部材を前記導電性部材に電気的に結合させている、
を含む光起電力デバイス。
[14]
前記複数の光起電力セルのうちの前記1つの少なくとも一部分の上に延びるシーラント材料を含むエッジシール
をさらに含み、
前記バス部材が、前記エッジシールと前記光起電力セルとの間に配置されている、13に記載の光起電力デバイス。
[15]
前記ブリッジが、前記エッジシールと前記バス部材との間に配置されている、14に記載の光起電力デバイス。
[16]
前記ブリッジが、前記バス部材と前記絶縁材料との間に配置されている、13に記載の光起電力デバイス。
[17]
前記バス部材が、前記ブリッジ上に直接存在し、前記導電性部材に隣接している、13に記載の光起電力デバイス。
[18]
前記ブリッジが、ライナー、1つまたは複数の金属層、および1つまたは複数の導電性接着剤層を含む多層構造を含む、13に記載の光起電力デバイス。
[19]
前記ブリッジが、導電性金属の2つ以上の層および導電性接着剤の2つ以上の層によって構成された多層構造を含む、13に記載の光起電力デバイス。
[20]
前記ブリッジが、1つまたは複数の導電性金属層および1つまたは複数の導電性接着剤層を含む多層構造を含む、13に記載の光起電力デバイス。
[21]
前記バス部材が、導電性材料を含んでいて前記複数の光起電力セルのうちの前記1つに面している第1の表面と、導電性材料を含んでいて前記ブリッジに面している第2の表面とを有する、13に記載の光起電力デバイス。
[22]
前記ブリッジが、前記導電性部材と前記バス部材との間に配置されている、13に記載の光起電力デバイス。
[23]
複数の電気的に接続された光起電力セル、前記光起電力セルは、第1の表面および第2の表面を有する導電層を含み、前記第1の表面が吸収体層に面している、
前記光起電力セルのうちの少なくとも1つの上の前記第2の表面に配置された絶縁材料、
前記絶縁材料上の導電性部材、前記絶縁材料は、前記導電性部材を前記第2の表面から電気的に絶縁するように構成されている、
前記導電性部材の周辺エッジおよび前記絶縁材料の周辺エッジ上に導電性材料を含むパッチ、
前記複数の光起電力セルのうちの前記1つと前記パッチとの上のバス部材であり、前記バス部材が、前記複数の光起電力セルのうちの前記1つに電気的に結合され、前記パッチが、前記バス部材を前記導電性部材に電気的に結合させている、
前記複数の光起電力セルのうちの前記1つの少なくとも一部分の上に延びるシーラント材料を含むエッジシールと
を含む光起電力デバイスであって、
前記バス部材が、前記エッジシールと前記パッチとの間に配置されている、光起電力デバイス。
[24]
前記パッチが、印刷導体である、23に記載の光起電力デバイス。
[25]
前記パッチが、上部部分および下部部分を含み、前記上部部分が、前記複数の光起電力セルのうちの前記1つに接触している、23に記載の光起電力デバイス。
[26]
前記上部部分が、前記バス部材と前記複数の光起電力セルとの間に配置されている、25に記載の光起電力デバイス。
[27]
前記複数の光起電力セルのうちの少なくとも一部の上に延びる中間層をさらに含み、前記下部部分が、前記中間層と前記導電性部材との間に少なくとも部分的に配置されている、25に記載の光起電力デバイス。
[28]
複数の電気的に接続された光起電力セル、前記光起電力セルは、第1の表面および第2の表面を有する導電層を含み、前記第1の表面が吸収体層に面している、
前記光起電力セルのうちの少なくとも1つの上の前記第2の表面に配置された絶縁材料、
前記絶縁材料上の導電性部材、前記絶縁材料は、前記導電性部材を前記第2の表面から電気的に絶縁するように構成されている、
前記複数の光起電力セルのうちの前記1つと前記導電性部材とに電気的に結合されたバス部材、前記バス部材は前記導電性部材の上に延びて、T接続を画定している、
前記T接続の上に延びるシーラント材料を含むエッジシール
を含む光起電力デバイス。
[29]
前記複数の光起電力セルのうちの少なくとも一部の上に配置された中間層をさらに含む、28に記載の光起電力デバイス。
[30]
前記光起電力デバイスの周辺エッジに当接する不感区域をさらに含み、前記エッジシールが、前記不感区域の上の第1の長さと、前記T接続の上の第2の長さとを含み、前記第1の長さが前記第2の長さよりも大きい、28に記載の光起電力デバイス。
[31]
前記バス部材が、前記エッジシールによって覆われない2つの部分を含む、28に記載の光起電力デバイス。
[32]
前記中間層が、エチレン(EVA)、ポリビニルブチラール(PVB)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリイソブチレン(PIB)、ポリオレフィン、熱可塑性ポリウレタン(TPU)、ポリウレタン、エポキシ、シリコーン、アイオノマー、またはそれらの組合せを含む、1から31のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[33]
前記中間層が、ベース材料およびフィラー材料を含み、前記ベース材料が、エチレン(EVA)、ポリビニルブチラール(PVB)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリイソブチレン(PIB)、ポリオレフィン、熱可塑性ポリウレタン(TPU)、ポリウレタン、エポキシ、シリコーン、アイオノマー、またはそれらの組合せを含み、前記フィラー材料が、難燃性材料、乾燥剤材料、顔料、不活性材料、またはそれらのいずれかの組合せを含む、1から32のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[34]
前記シーラント材料が、ポリイソブチレン(PIB)、乾燥剤材料、またはそれらの組合せを含む、1から33のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[35]
前記吸収体層が、カドミウム、テルル、およびセレンを含む、1から34のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[36]
前記絶縁材料が両面テープを含む、1から35のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[37]
前記導電性部材がリードフォイルを含む、1から36のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[38]
前記複数の電気的に接続された光起電力セルが、基板と裏面支持体との間に配置され、前記基板が、前記光起電力デバイスの上部外面を画定し、前記裏面支持体が、前記光起電力デバイスの下部外面を画定している、1から37のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[39]
前記光起電力セルが、前記光起電力デバイスの第1の側のエッジおよび前記光起電力デバイスの第2の側のエッジを画定し、前記光起電力デバイスが、前記第1の側のエッジと前記第2の側のエッジとの間に延びる周辺エッジを有し、前記バス部材が、前記第1の側のエッジの不感区域の近くの場所から前記第2の側のエッジの不感区域の近くの場所まで延びている、1から38のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[40]
前記光起電力セルが、前記光起電力デバイスの第1の側のエッジおよび光起電力デバイスの第2の側のエッジを画定し、前記光起電力デバイスが、前記第1の側のエッジと前記第2の側のエッジとの間に延びる周辺エッジを有し、前記エッジシールが、前記第1の側のエッジの不感区域の近くの場所から前記第2の側のエッジの不感区域の近くの場所まで延びている、1から39のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[41]
前記光起電力セルが、前記光起電力デバイスの第1の側のエッジおよび光起電力デバイスの第2の側のエッジを画定し、前記光起電力デバイスが、前記第1の側のエッジと前記第2の側のエッジとの間に延びる周辺エッジを有し、光起電力セルを含まない不感区域が、前記周辺エッジから延びている、1から40のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[42]
前記バス部材が、ライナーと金属と導電性接着剤とを含む多層構造を含む、1から41のいずれかに記載の光起電力デバイス。
Claims (18)
- 複数の電気的に接続された光起電力セル、前記光起電力セルは、第1の表面および第2の表面を有する導電層を含み、前記第1の表面が吸収体層に面している、
前記光起電力セルのうちの少なくとも1つの上の前記第2の表面に配置された絶縁材料、
前記絶縁材料上の導電性部材、ここで前記絶縁材料は、前記導電性部材を前記第2の表面から電気的に絶縁するように構成されている、
前記複数の光起電力セルのうちの1つと前記導電性部材とに電気的に結合されたバス部材、ならびに
前記複数の光起電力セルのうちの前記1つの少なくとも一部分の上に延びるシーラント材料を含むエッジシール
を含む光起電力デバイスであって、
前記バス部材は、前記エッジシールと前記複数の光起電力セルとの間に配置されており、前記バス部材が、前記エッジシールと前記導電性部材との間に存在し、そして
前記バス部材が前記導電性部材に重なって、T接続を画定しており、前記T接続が、前記エッジシールと前記複数の光起電力セルとの間に配置され、前記バス部材の少なくとも一部分が、前記エッジシールと前記複数の光起電力セルとの間に存在しない、
光起電力デバイス。 - 前記バス部材の2つの部分が、前記エッジシールと前記複数の光起電力セルとの間に存在しない、請求項1に記載の光起電力デバイス。
- 前記導電性部材が、前記バス部材と前記絶縁材料との間に存在する、請求項1に記載の光起電力デバイス。
- 複数の電気的に接続された光起電力セル、ここで前記光起電力セルは、第1の表面および第2の表面を有する導電層を含み、前記第1の表面が吸収体層に面している、
前記光起電力セルのうちの少なくとも1つの上の前記第2の表面に配置された絶縁材料、
前記絶縁材料上の導電性部材、ここで前記絶縁材料は、前記導電性部材を前記第2の表面から電気的に絶縁するように構成されている、
前記複数の光起電力セルのうちの前記1つと前記導電性部材とに電気的に結合されたバス部材、ここで前記バス部材は前記導電性部材の上に延びて、T接続を画定している、
前記T接続の上に延びるシーラント材料を含むエッジシール
を含み、
そして前記バス部材は前記エッジシールによって覆われない2つの部分を含む、
光起電力デバイス。 - 前記複数の光起電力セルのうちの少なくとも一部の上に配置された中間層をさらに含む、請求項4に記載の光起電力デバイス。
- 前記光起電力デバイスの周辺エッジに当接する不感区域をさらに含み、前記エッジシールが、前記不感区域の上の第1の長さと、前記T接続の上の第2の長さとを含み、前記第1の長さが前記第2の長さよりも大きい、請求項4に記載の光起電力デバイス。
- 導電性接着剤層が、前記バス部材と前記導電性部材との間に配置される、請求項4に記載の光起電力デバイス。
- 前記中間層が、エチレン(EVA)、ポリビニルブチラール(PVB)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリイソブチレン(PIB)、ポリオレフィン、熱可塑性ポリウレタン(TPU)、ポリウレタン、エポキシ、シリコーン、アイオノマー、またはそれらの組合せを含む、請求項5に記載の光起電力デバイス。
- 前記中間層が、ベース材料およびフィラー材料を含み、前記ベース材料が、エチレン(EVA)、ポリビニルブチラール(PVB)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリイソブチレン(PIB)、ポリオレフィン、熱可塑性ポリウレタン(TPU)、ポリウレタン、エポキシ、シリコーン、アイオノマー、またはそれらの組合せを含み、前記フィラー材料が、難燃性材料、乾燥剤材料、顔料、不活性材料、またはそれらのいずれかの組合せを含む、請求項5に記載の光起電力デバイス。
- 前記シーラント材料が、ポリイソブチレン(PIB)、乾燥剤材料、またはそれらの組合せを含む、請求項1から9のいずれかに記載の光起電力デバイス。
- 前記吸収体層が、カドミウム、テルル、およびセレンを含む、請求項1から10のいずれかに記載の光起電力デバイス。
- 前記絶縁材料が両面テープを含む、請求項1から11のいずれかに記載の光起電力デバイス。
- 前記導電性部材がリードフォイルを含む、請求項1から12のいずれかに記載の光起電力デバイス。
- 前記複数の電気的に接続された光起電力セルが、基板と裏面支持体との間に配置され、前記基板が、前記光起電力デバイスの上部外面を画定し、前記裏面支持体が、前記光起電力デバイスの下部外面を画定している、請求項1から13のいずれかに記載の光起電力デバイス。
- 前記光起電力セルが、前記光起電力デバイスの第1の側のエッジおよび前記光起電力デバイスの第2の側のエッジを画定し、前記光起電力デバイスが、前記第1の側のエッジと前記第2の側のエッジとの間に延びる周辺エッジを有し、前記バス部材が、前記第1の側のエッジの不感区域の近くの場所から前記第2の側のエッジの不感区域の近くの場所まで延びている、請求項1から14のいずれかに記載の光起電力デバイス。
- 前記光起電力セルが、前記光起電力デバイスの第1の側のエッジおよび光起電力デバイスの第2の側のエッジを画定し、前記光起電力デバイスが、前記第1の側のエッジと前記第2の側のエッジとの間に延びる周辺エッジを有し、前記エッジシールが、前記第1の側のエッジの不感区域の近くの場所から前記第2の側のエッジの不感区域の近くの場所まで延びている、請求項1から15のいずれかに記載の光起電力デバイス。
- 前記光起電力セルが、前記光起電力デバイスの第1の側のエッジおよび光起電力デバイスの第2の側のエッジを画定し、前記光起電力デバイスが、前記第1の側のエッジと前記第2の側のエッジとの間に延びる周辺エッジを有し、光起電力セルを含まない不感区域が、前記周辺エッジから延びている、請求項1から16のいずれかに記載の光起電力デバイス。
- 前記エッジシールが前記T接続の上に延びるタブを含み、前記タブの長さが前記エッジシールの長さよりも短い、請求項1から17のいずれかに記載の光起電力デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023181561A JP2023182814A (ja) | 2019-10-25 | 2023-10-23 | 光起電力デバイスおよび製作方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201962925986P | 2019-10-25 | 2019-10-25 | |
US62/925,986 | 2019-10-25 | ||
PCT/US2020/057077 WO2021081334A1 (en) | 2019-10-25 | 2020-10-23 | Photovoltaic devices and methods of making |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023181561A Division JP2023182814A (ja) | 2019-10-25 | 2023-10-23 | 光起電力デバイスおよび製作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022544874A JP2022544874A (ja) | 2022-10-21 |
JP7373658B2 true JP7373658B2 (ja) | 2023-11-02 |
Family
ID=73476234
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022524146A Active JP7373658B2 (ja) | 2019-10-25 | 2020-10-23 | 光起電力デバイスおよび製作方法 |
JP2023181561A Pending JP2023182814A (ja) | 2019-10-25 | 2023-10-23 | 光起電力デバイスおよび製作方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023181561A Pending JP2023182814A (ja) | 2019-10-25 | 2023-10-23 | 光起電力デバイスおよび製作方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220384668A1 (ja) |
EP (2) | EP4046204B1 (ja) |
JP (2) | JP7373658B2 (ja) |
WO (1) | WO2021081334A1 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000068542A (ja) | 1998-08-26 | 2000-03-03 | Sharp Corp | 集積型薄膜太陽電池モジュール |
WO2010150675A1 (ja) | 2009-06-25 | 2010-12-29 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2011199242A (ja) | 2010-02-26 | 2011-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 光電変換装置 |
JP2013008922A (ja) | 2011-06-27 | 2013-01-10 | Dexerials Corp | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
US20140102537A1 (en) | 2012-10-15 | 2014-04-17 | First Solar, Inc. | Photovoltaic module |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011044342A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | First Solar, Inc. | Module moisture barrier |
US20120017980A1 (en) * | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Du Pont Apollo Limited | Photovoltaic panel and method of manufacturing the same |
US20120048334A1 (en) * | 2010-08-30 | 2012-03-01 | Cohen Brian E | Photovoltaic module cover |
KR20120051972A (ko) * | 2010-11-15 | 2012-05-23 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 |
WO2013040179A1 (en) * | 2011-09-15 | 2013-03-21 | First Solar, Inc. | Photovoltaic module interlayer |
JP5914286B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-05-11 | 富士フイルム株式会社 | 電子モジュール |
-
2020
- 2020-10-23 WO PCT/US2020/057077 patent/WO2021081334A1/en unknown
- 2020-10-23 US US17/771,748 patent/US20220384668A1/en active Pending
- 2020-10-23 EP EP20808561.3A patent/EP4046204B1/en active Active
- 2020-10-23 JP JP2022524146A patent/JP7373658B2/ja active Active
- 2020-10-23 EP EP23178663.3A patent/EP4293727A1/en active Pending
-
2023
- 2023-10-23 JP JP2023181561A patent/JP2023182814A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000068542A (ja) | 1998-08-26 | 2000-03-03 | Sharp Corp | 集積型薄膜太陽電池モジュール |
WO2010150675A1 (ja) | 2009-06-25 | 2010-12-29 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2011199242A (ja) | 2010-02-26 | 2011-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 光電変換装置 |
JP2013008922A (ja) | 2011-06-27 | 2013-01-10 | Dexerials Corp | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
US20140102537A1 (en) | 2012-10-15 | 2014-04-17 | First Solar, Inc. | Photovoltaic module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4293727A1 (en) | 2023-12-20 |
EP4046204C0 (en) | 2023-07-05 |
WO2021081334A1 (en) | 2021-04-29 |
US20220384668A1 (en) | 2022-12-01 |
EP4046204A1 (en) | 2022-08-24 |
EP4046204B1 (en) | 2023-07-05 |
JP2023182814A (ja) | 2023-12-26 |
JP2022544874A (ja) | 2022-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10236402B2 (en) | Methods of hermetically sealing photovoltaic modules | |
US9018513B2 (en) | Solar-cell module with in-laminate diodes and external-connection mechanisms mounted to respective edge regions | |
US7122398B1 (en) | Manufacturing of optoelectronic devices | |
JP6396374B2 (ja) | 太陽電池 | |
KR101622090B1 (ko) | 태양 전지 | |
US9735302B2 (en) | Method for manufacturing photovoltaic cells with multiple junctions and multiple electrodes | |
KR101652607B1 (ko) | 직렬 연결형 박막 태양광 모듈 및 박막 태양 전지의 직렬 연결 방법 | |
WO2020078548A1 (en) | Building-integrated photovoltaic apparatus, in particular for windows and the like, a method and a slat for said apparatus | |
US20220059294A1 (en) | Photovoltaic structure and method of fabrication | |
KR20140095658A (ko) | 태양 전지 | |
JP7373658B2 (ja) | 光起電力デバイスおよび製作方法 | |
US20230402554A1 (en) | Transparent Conducting Layers and Photovoltaic Devices Including the Same | |
US20140246074A1 (en) | Solar module with ribbon cable, and a method for the manufacture of same | |
US20120285512A1 (en) | Solar cell array and thin-film solar module and production method therefor | |
JP2013527622A (ja) | 太陽電池モジュールおよびそのための製造方法 | |
US20210280729A1 (en) | Photovoltaic devices and methods of making | |
KR102628295B1 (ko) | 태양광 모듈의 제조 방법 | |
WO2023086486A1 (en) | Materials and methods for tandem photovoltaic devices | |
US20140261686A1 (en) | Photovoltaic device with a zinc oxide layer and method of formation |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220629 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220629 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20220629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221018 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230117 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230317 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230801 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230925 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231023 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7373658 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |