JP2023182814A - 光起電力デバイスおよび製作方法 - Google Patents

光起電力デバイスおよび製作方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2023182814A
JP2023182814A JP2023181561A JP2023181561A JP2023182814A JP 2023182814 A JP2023182814 A JP 2023182814A JP 2023181561 A JP2023181561 A JP 2023181561A JP 2023181561 A JP2023181561 A JP 2023181561A JP 2023182814 A JP2023182814 A JP 2023182814A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photovoltaic device
photovoltaic
conductive
bus
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023181561A
Other languages
English (en)
Inventor
ディルビオ,クリストファー
Dirubio Christopher
グレックラー,マルクス
gloeckler Markus
リー,ウェイシン
Weixin Li
マリク,リチャード,ジュニア
Malik Richard Jr
マックスウェル,ライリー
Maxwell Riley
シャーラー,ジェイソン
Sharrer Jason
トリベディ,ジギシュ
Trivedi Jigish
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
First Solar Inc
Original Assignee
First Solar Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by First Solar Inc filed Critical First Solar Inc
Publication of JP2023182814A publication Critical patent/JP2023182814A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H01L31/02013Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising output lead wires elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H01L31/0201Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】光起電力デバイスおよびそれを製作する方法を提供する。
【解決手段】光起電力デバイス100は、複数の電気的に接続された光起電力セルであり、光起電力セルが、第1の表面および第2の表面を有する導電層を含み、第1の表面が吸収体層に面している、光起電力セルと、光起電力セルのうちの少なくとも1つの上の第2の表面に配置された絶縁材料と、絶縁材料上の導電性部材であり、絶縁材料が、導電性部材を第2の表面から電気的に絶縁するように構成される、導電性部材と、複数の光起電力セルのうちの1つと、導電性部材とに電気的に結合されたバス部材と、複数の光起電力セルのうちの1つの少なくとも一部分の上に延びるシーラント材料を含むエッジシール320とを含み、バス部材は、エッジシールと複数の光起電力セルとの間に配置されている。
【選択図】図11E

Description

[0001]光起電力デバイスは、光起電力効果を示す半導体材料を使用して光を電気に変換することによって電力を生成する。光起電力デバイスは、複数の光起電力セルに分割されるいくつかの層を含む。各光起電力セルは、太陽光などの光源を電力に変換することができ、1つまたは複数の隣接するセルと直列に接続され得る。したがって、隣接するセルによって生成された電流は、光起電力セルの各々を通って流れることができる。
[0002]光起電力デバイスの集電部分間の接触を改善することは、デバイスの効率的で耐久性のある動作にとって重要である。
例えば、導電性部材とバス部材との間の電気的接合は、光起電力デバイスの機能を維持するために重要な集電接触である。接合が損なわれたかまたは故障した場合、開回路が作り出され得、光起電力デバイスは作動不能になることになる。したがって、業界では、光起電力デバイスの性能を高めることができる、導電性部材とバス部材の間の改善された、より堅牢な、およびより信頼性の高い電気接触が継続的に必要とされている。
[0003]本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 [0004]本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による図1の光起電力デバイスの2-2に沿った断面を概略的に示す図である。 [0005]本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による基板を概略的に示す図である。 [0006]本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 [0007]本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による図1の光起電力デバイスの5-5に沿った断面を概略的に示す図である。 [0008]本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 [0009]図6の光起電力デバイスの7-7に沿った図を示す、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスの集電部分間のT接続形状接触を概略的に示す図である。 [0010]光起電力デバイスの裏面図を概略的に示す図である。 [0011]製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 [0012]製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 [0013]製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 [0014]製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 [0015]製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 [0016]製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。 製造プロセスの逐次ステップ中の、本明細書に示され記載される1つまたは複数の実施形態による光起電力デバイスを概略的に示す図である。
[0017]光起電力デバイスは、ガラス基板上の薄い(一般に当技術分野では10ミクロン未満と認識されている)フィルム層として様々な半導体材料および電極層を堆積させることによって形成され得る。次いで、基板は、レーザスクライビングプロセスを含む様々な処理ステップを経て、個々の光起電力セルに画定および分離され、光起電力セルのまわりの周囲エッジゾーンが画定され、光起電力セルが直列に接続され得る。これらのステップは、基板の物理的エッジ内に画定された複数の個々の光起電力セルの生成をもたらすことができる。
[0018]光起電力デバイスから電流を収集するための1つの方法は、光起電力セルを横切ってデバイスに沿って長手方向に絶縁材料(例えば、絶縁テープ)を取り付けることである。次いで、導電性部材(例えば、導電性フォイルテープまたはリボン)が位置合わせされ、絶縁材料に取り付けられ得る。次いで、バス部材(例えば、接着性バステープの形態のバスバー)が、最初と最後のセルにそれぞれ位置合わせされて、デバイスの反対側の長手方向端部に取り付けられ得る。バス部材は、導電性部材と交差して付着し、セルから電流を収集し、電流を導電性部材に移送することができる。導電性部材は、リードが導電性部材の分離された端部に接続される接続ボックス内で分離され得る。リードは、光起電力デバイスを負荷、他のセル、グリッドなどに接続する手段を提供することができる。
[0019]本技術は、光起電力デバイスの電流収集部分の信頼性および耐久性を改善して、光起電力デバイスの性能を改善する。例えば、光起電力デバイスからの電流は、光起電力セルを横切ってデバイスに沿って長手方向に絶縁材料(例えば、絶縁テープ)を取り付け、導電性部材(例えば、導電性フォイルテープまたはリボン)を絶縁材料に位置合わせして取り付けることによって収集され得る。次いで、バス部材(例えば、接着性バステープの形態のバスバー)が、光起電力デバイスの最初と最後のセルにそれぞれ位置合わせされて、光起電力デバイスの反対側の長手方向端部に取り付けられ得る。特定の構成では、バス部材は、導電性部材と交差して付着し、セルから電流を収集し、電流を導電性部材に移送することができる。バス部材が導電性部材の端部の近くで交差する場合、接続は、T字形接合またはT接続と記載され得る。T接続は、光起電力デバイスからの電流が蓄積できる場所であり、したがって、その場所の低く安定した接触抵抗が、良好なデバイス性能を維持するために重要であり得る。しかしながら、様々な製造ステップ中に、バス部材は、製造に関連する力によって物理的に変位させられ得る可能性があり、そのため、製造の間バス部材を保護することが有利である。
[0020]次に、図1を参照すると、光起電力デバイス100の一実施形態が概略的に示される。光起電力デバイス100は、光を受け取り、光を電気信号に変換するように構成され得る、例えば、光子が、光から吸収され、光起電力効果によって電気信号に変換され得る。したがって、光起電力デバイス100は、例えば太陽などの光源にさらされるように構成されたエネルギー側102を画定することができる。光起電力デバイス100は、さらに、例えば、複数の材料層によってなど、エネルギー側102からオフセットされた反対側104を画定することができる。「光」という用語は、限定はしないが、電磁スペクトルの紫外線(UV)、赤外線(IR)、および可視部分の波長などの電磁スペクトルの様々な波長を指すことができることに留意されたい。本明細書で使用される「太陽光」は、太陽によって放出された光を指す。
[0021]光起電力デバイス100は、エネルギー側102と反対側104との間に配置された複数の層を含むことができる。本明細書で使用される「層(layer)」という用
語は、ある表面上に設けられた、ある厚さの材料を意味する。各層は、表面のすべてまたはいずれかの一部分を覆うことができる。いくつかの実施形態では、光起電力デバイス100の層は、並んだ多数の光起電力セル200に分割され得る。例えば、光起電力デバイス100は、複数のシリアルスクライブ202および複数のパラレルスクライブ204に従ってスクライブされ得る。シリアルスクライブ202は、光起電力デバイス100の長さYに沿って延び、光起電力デバイス100の長さYに沿って光起電力セル200の境界を定めることができる。シリアルスクライブ202は、光起電力デバイス100の幅Xに沿って、光起電力セル200の近隣のセルを連続的に接続するように構成され得る。シリアルスクライブ202は、近隣のセル、すなわち、シリアルスクライブ202に隣接するセルのモノリシック相互接続を形成することができる。パラレルスクライブ204は、光起電力デバイス100の幅Xに沿って延び、光起電力デバイス100の幅Xに沿って光起電力セル200の境界を定めることができる。動作下で、電流205は、主に、シリアルスクライブ202によって直列に接続された光起電力セル200を通って幅Xに沿って流れることができる。動作下で、パラレルスクライブ204は、電流205が長さYに沿って流れる機能を制限することができる。パラレルスクライブ204は、任意であり、直列に接続された光起電力セル200を、長さYに沿って配置されたグループ206に分離するように構成され得る。したがって、シリアルスクライブ202およびパラレルスクライブ204は、並んだ多数の光起電力セル200の境界を定めることができる。
[0022]依然として図1を参照すると、パラレルスクライブ204は、直列に接続された光起電力セル200のグループ206を電気的に分離することができる。いくつかの実施形態では、光起電力セル200のグループ206は、例えば、電気的バス接続(electrical bussing)を介してなど、並列に接続され得る。任意に、パラレルスクライブ204の数は、光起電力セル200の各々のグループ206によって生成される最大電流を制限するように構成され得る。いくつかの実施形態では、各々のグループ206によって生成される最大電流は、約200ミリアンペア(mA)以下、例えば、1つの実施形態では約100mA以下、別の実施形態では約75mA以下、またはさらなる実施形態では約50mA以下などであり得る。
[0023]図1および図2をまとめて参照すると、光起電力デバイス100の層は、光起電力デバイス100への光の透過を容易にするように構成された基板110を含むことができる。基板110は、光起電力デバイス100のエネルギー側102に配置され得る。次に、図2および図3を参照すると、基板110は、光起電力デバイス100のエネルギー側102に実質的に面している第1の表面112と、光起電力デバイス100の反対側104に実質的に面している第2の表面114とを有することができる。1つまたは複数の材料層が、基板110の第1の表面112と第2の表面114との間に配置され得る。
[0024]基板110は、光起電力デバイス100のエネルギー側102に実質的に面している第1の表面122と、光起電力デバイス100の反対側104に実質的に面している第2の表面124とを有する透明層120を含むことができる。いくつかの実施形態では、透明層120の第2の表面124は、基板110の第2の表面114を形成することができる。透明層120は、例えば、ガラスなどの実質的に透明な材料から形成され得る。適切なガラスは、ソーダ石灰ガラス、または鉄含有量が少ないいずれかのガラスを含むことができる。透明層120は、ある実施形態では約250nmから約1300nm、または他の実施形態では約250nmから約950nmを含む、適切な透過率を有することができる。透明層120はまた、例えば、1つの実施形態では約50%超、別の実施形態では約60%超、さらなる別の実施形態では約70%超、さらなる実施形態では約80%超、またはなお一層さらなる実施形態では約85%超を含むいずれかの適切な透過率を有することができる。1つの実施形態では、透明層120は、約90%以上の透過率をもつガラスから形成することができる。任意に、基板110は、透明層120の第1の表面122に施されたコーティング126を含むことができる。コーティング126は、光と相互作用するように、または基板110の耐久性を改善するように構成され得、例えば、限定はしないが、反射防止コーティング、汚れ防止コーティング、またはそれらの組合せなどである。
[0025]図2を再び参照すると、光起電力デバイス100は、劣化または層間剥離をもたらすことがある基板110からの汚染物質(例えば、ナトリウム)の拡散を軽減するように構成されたバリア層130を含むことができる。バリア層130は、光起電力デバイス100のエネルギー側102に実質的に面している第1の表面132と、光起電力デバイス100の反対側104に実質的に面している第2の表面134とを有することができる。いくつかの実施形態では、バリア層130は、基板110に隣接して設けられ得る。例えば、バリア層130の第1の表面132は、基板100の第2の表面114上に設けられ得る。本明細書で使用される「に隣接する」という語句は、2つの層が、連続して配置され、層の少なくとも一部分の間にいかなる介在材料もないことを意味する。
[0026]一般に、バリア層130は、実質的に透明であり、熱的に安定であり、ピンホールの数が少なく、高いナトリウム阻止能力と良好な接着特性とを有することができる。代替としてまたは追加として、バリア層130は、光に色抑制を適用するように構成され得る。バリア層130は、限定はしないが、酸化スズ、二酸化ケイ素、アルミニウムドープ酸化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、または酸化アルミニウムを含む適切な材料の1つまたは複数の層を含むことができる。バリア層130は、例えば、1つの実施形態では約100Å超、別の実施形態では約150Å超、またはさらなる実施形態では約200Å未満を含む、第1の表面132と第2の表面134によって境界をつけられた適切な厚さを有することができる。
[0027]依然として図2を参照すると、光起電力デバイス100は、光起電力デバイス100によって生成された電荷キャリアを移送するために電気接触を行うように構成された透明導電性酸化物(TCO)層140を含むことができる。TCO層140は、光起電力デバイス100のエネルギー側102に実質的に面している第1の表面142と、光起電力デバイス100の反対側104に実質的に面している第2の表面144とを有することができる。いくつかの実施形態では、TCO層140は、バリア層130に隣接して設けられ得る。例えば、TCO層140の第1の表面142は、バリア層130の第2の表面134上に設けられ得る。一般に、TCO層140は、実質的に透明であり、広いバンドギャップを有するn型半導体材料の1つまたは複数の層から形成され得る。具体的には、広いバンドギャップは、光の光子のエネルギーと比較してより大きいエネルギー値を有することができ、それにより、望ましくない光の吸収が軽減され得る。TCO層140は、限定はしないが、二酸化スズ、ドープされた二酸化スズ(例えば、F-SnO)、インジウムスズ酸化物、またはカドミウムスズ酸塩を含む適切な材料の1つまたは複数の層を含むことができる。
[0028]光起電力デバイス100は、TCO層140と、隣接する半導体層との間に絶縁層を設けるように構成されたバッファ層150を含むことができる。バッファ層150は、光起電力デバイス100のエネルギー側102に実質的に面している第1の表面152と、光起電力デバイス100の反対側104に実質的に面している第2の表面154とを有することができる。いくつかの実施形態では、バッファ層150は、TCO層140に隣接して設けられ得る。例えば、バッファ層150の第1の表面152は、TCO層140の第2の表面144上に設けられ得る。バッファ層140は、限定はしないが、真性二酸化スズ、亜鉛酸化マグネシウム(例えば、Zn1-xMgO)、二酸化ケイ素(SnO)、酸化アルミニウム(Al)、窒化アルミニウム(AlN)、亜鉛酸化スズ、酸化亜鉛、スズ酸化ケイ素、またはそれらのいずれかの組合せを含む、TCO層140よりも高い抵抗率を有する材料を含むことができる。いくつかの実施形態では、バッファ層140の材料は、隣接する半導体層(例えば、吸収体)のバンドギャップと実質的に一致するように構成され得る。バッファ層150は、例えば、1つの実施形態では約100Å超、別の実施形態では約100Åと約800Åとの間、またはさらなる実施形態では約150Åと約600Åとの間を含む、第1の表面152と第2の表面154の間の適切な厚さを有することができる。
[0029]依然として図2を参照すると、光起電力デバイス100は、別の層と協同し、光起電力デバイス100内にpn接合を形成するように構成された吸収体層160を含むことができる。したがって、吸収された光の光子は、電子-正孔対を解放し、キャリアの流れを生成し、それは電力を生み出すことができる。吸収体層160は、光起電力デバイス100のエネルギー側102に実質的に面している第1の表面162と、光起電力デバイス100の反対側104に実質的に面している第2の表面164とを有することができる。吸収体層160の厚さは、第1の表面162と第2の表面164との間で画定され得る。吸収体層160の厚さは、約0.5μmから約10μmの間、例えば、1つの実施形態では約1μmから約7μmの間、または別の実施形態では約1.5μmから約4μmの間などとすることができる。
[0030]本明細書に記載の実施形態によれば、吸収体層160は、過剰な正電荷キャリア、すなわち、正孔またはアクセプタを有するp型半導体材料から形成され得る。吸収体層160は、II-VI族半導体などの適切なp型半導体材料を含むことができる。具体的な例は、限定はしないが、カドミウム、テルル、セレン、またはそれらのいずれかの組合せを含む半導体材料を含む。適切な例は、限定はしないが、カドミウム、セレン、およびテルルの三元のもの(例えば、CdSeTe1-x)、またはカドミウム、セレン、テルル、および1つまたは複数の追加の元素を含む化合物を含む。吸収体層160は、1つまたは複数のドーパントをさらに含むことができる。光起電力デバイスは、複数の吸収体材料を含むことができる。
[0031]吸収体層160がテルルとカドミウムとを含む実施形態では、テルルの原子パーセントは、約25原子パーセント以上および約50原子パーセント以下、例えば、1つの実施形態では約30原子パーセント超および約50原子パーセント未満、さらなる実施形態では約40原子パーセント超および約50原子パーセント未満、またはさらなる別の実施形態では約47原子パーセント超および約50原子パーセント未満などとすることができる。代替としてまたは追加として、吸収体層160のテルルの原子パーセントは、約45原子パーセント超、例えば、1つの実施形態では約49%超とすることができる。本明細書に記載の原子パーセントは、吸収体層160の全体を表しており、吸収体層160内の特定の場所の材料の原子パーセントは、吸収体層160の全体的な組成と比較して、厚さとともに変化し得ることに留意されたい。
[0032]吸収体層160がセレンとテルルとを含む実施形態では、吸収体層160のセレンの原子パーセントは、約0原子パーセント超および約25原子パーセント未満、例えば、1つの実施形態では約1原子パーセント超および約20原子パーセント未満、別の実施形態では約1原子パーセント超および約15原子パーセント未満、またはさらなる実施形態では約1原子パーセント超および約8原子パーセント未満などとすることができる。テルル、セレン、または両方の濃度は、吸収体層160の厚さにより変化し得ることに留意されたい。例えば、吸収体層160が、モル分率がxのセレンと、モル分率が1-xのテルルとを含む化合物(SeTe1-x)を含む場合、xは、吸収体層160において、吸収体層160の第1の表面162からの距離とともに変化し得る。
[0033]依然として図2を参照すると、吸収体層160は、電荷キャリア濃度を操作する
ように構成されたドーパントでドープされ得る。いくつかの実施形態では、吸収体層160は、例えば、銅、ヒ素、リン、アンチモン、またはそれらの組合せなどのI族またはV族ドーパントでドープされ得る。吸収体層160内のドーパントの総密度は制御され得る。代替としてまたは追加として、ドーパントの量は、吸収体層160の第1の表面162からの距離とともに変化し得る。いくつかの実施形態では、ドーパントは、製造プロセスのパッシベーションステップ中に導入される。パッシベーションは、例えば、CdClまたは他のハロゲン化物化合物による処理を含むことができ、結果として生じるドーパントは、塩素または他のハロゲンを含むことができる。追加として、選択されたドーパントの量は、吸収体層160の第1の表面162からの距離とともに変化し得る。
[0034]本明細書で提供される実施形態によれば、pn接合は、過剰な負電荷キャリア、すなわち、電子またはドナーを有する光起電力デバイス100の部分の十分に近くに吸収体層160を設けることによって形成され得る。いくつかの実施形態では、吸収体層160は、n型半導体材料に隣接して設けられ得る。代替として、1つまたは複数の介在層が、吸収体層160とn型半導体材料との間に設けられてもよい。いくつかの実施形態では、吸収体層160は、バッファ層150に隣接して設けられ得る。例えば、吸収体層160の第1の表面162は、バッファ層150の第2の表面154上に設けられ得る。
[0035]次に、図4を参照すると、いくつかの実施形態では、光起電力デバイス210は、n型半導体材料を含む窓層170を含むことができる。吸収体層160は、窓層170に隣接して形成され得る。窓層170は、光起電力デバイス100のエネルギー側102に実質的に面している第1の表面172と、光起電力デバイス100の反対側104に実質的に面している第2の表面174とを有することができる。いくつかの実施形態では、窓層170は、吸収体層160とTCO層20との間に位置づけられ得る。1つの実施形態では、窓層170は、吸収体層160とバッファ層150との間に位置づけられ得る。窓層170は、例えば、硫化カドミウム、硫化亜鉛、カドミウム硫化亜鉛、亜鉛酸化マグネシウム、またはそれらのいずれかの組合せを含む適切な材料を含むことができる。窓層170の材料は、ドーパントを含むことができる。
[0036]図2および図4をまとめて参照すると、光起電力デバイス100、210は、ドーパントの望ましくない変化を緩和し、吸収体層160と電気接触するように構成された裏面接触層180を含むことができる。裏面接触層180は、光起電力デバイス100のエネルギー側102に実質的に面している第1の表面182と、光起電力デバイス100の反対側104に実質的に面している第2の表面184とを有することができる。裏面接触層180の厚さは、第1の表面182と第2の表面184との間で画定され得る。裏面接触層180の厚さは、約5nmから約200nmの間、例えば、1つの実施形態では約10nmから約50nmの間などとすることができる。
[0037]いくつかの実施形態では、裏面接触層180は、吸収体層160に隣接して設けられ得る。例えば、裏面接触層180の第1の表面182は、吸収体層160の第2の表面164上に設けられ得る。いくつかの実施形態では、裏面接触層180は、I族、II族、VI族からの材料の二元または三元の組合せ、例えば、亜鉛、銅、カドミウム、テルルを様々な組成で含む1つまたは複数の層などを含むことができる。さらなる例示的な材料は、限定はしないが、テルル化銅がドープされたテルル化亜鉛、またはテルル化銅と合金化されたテルル化亜鉛を含む。
[0038]光起電力デバイス100は、吸収体層160と電気接触するように構成された導電層190を含むことができる。導電層190は、光起電力デバイス100のエネルギー側102に実質的に面している第1の表面192と、光起電力デバイス100の反対側104に実質的に面している第2の表面194とを有することができる。いくつかの実施形態では、導電層190は、裏面接触層180に隣接して設けられ得る。例えば、導電層190の第1の表面192は、裏面接触層180の第2の表面184上に設けられ得る。導電層190は、例えば、窒素含有金属、銀、ニッケル、銅、アルミニウム、チタン、パラジウム、クロム、モリブデン、金などの1つまたは複数の層などの適切な導電性材料を含むことができる。窒素含有金属層の適切な例は、窒化アルミニウム、窒化ニッケル、窒化チタン、窒化タングステン、窒化セレン、窒化タンタル、または窒化バナジウムを含むことができる。
[0039]光起電力デバイス100、210は、光起電力デバイス100のハウジングを形成するために、基板110と協同するように構成された裏面支持体196を含むことができる。裏面支持体196は、光起電力デバイス100の反対側102に配置され得る。例えば、裏面支持体196は、導電層190に隣接して形成され得る。裏面支持体196は、例えば、ガラス(例えば、ソーダ石灰ガラス)を含むいずれかの適切な材料を含むことができる。いくつかの実施形態では、カプセル封じ層が、裏面支持体196として機能することもできる。
[0040]図2、図4、および図5をまとめて参照すると、光起電力デバイス100、210の製造は、一般に、限定はしないが、スパッタリング、スプレー、蒸着、分子線蒸着、熱分解、密閉空間昇華(CSS)、パルスレーザ堆積(PLD)、化学気相堆積(CVD)、電気化学堆積(ECD)、原子層堆積(ALD)、または蒸気輸送堆積(VTD)を含む1つまたは複数の薄膜堆積プロセスにより機能層または層前駆体を層の「スタック」に順次配置することを含む。いくつかの実施形態では、VTDが、スループット品質にとって好ましい場合がある。製造は、アニーリングおよびパッシベーティングのステップをさらに含むことができる。
[0041]光起電力デバイス100、210の製造は、光起電力デバイス100、210を複数の光起電力セル200に分割するために、層のスタックの特定の層の選択除去、すなわち、スクライビングをさらに含むことができる。例えば、シリアルスクライブ202は、第1の分離スクライブ212(P1スクライブとも呼ばれる)、直列接続スクライブ214(P2スクライブとも呼ばれる)、および第2の分離スクライブ216(P3スクライブとも呼ばれる)を含むことができる。第1の分離スクライブ212は、TCO層140がセル200間で電気的に分離されることを確実するために形成され得る。具体的には、第1の分離スクライブ212は、光起電力デバイス100のTCO層140、バッファ層150、および吸収体層160を通して、または光起電力デバイス210のTCO層140、バッファ層150、窓層170、および吸収体層160を通して形成され得る。逆動作セル208の境界をつける第1の分離スクライブ212は、誘電体材料198で充填され得る。
[0042]図2および図4を再び参照すると、直列接続スクライブ214は、光起電力セル200を電気的に直列に接続するために形成され得る。例えば、直列接続スクライブ214は、光起電力セル200のうちの1つのものの導電層190から光起電力セル200の別のもののTCO層140までの導電性経路を設けるために利用され得る。直列接続スクライブ214は、光起電力デバイス100の吸収体層160および裏面接触層180を通して、または光起電力デバイス210の窓層170、吸収体層160、および裏面接触層180を通して形成され得る。任意に、直列接続スクライブ214は、バッファ層150の一部またはすべてを通して形成され得る。したがって、直列接続スクライブ214は、裏面接触層180が堆積された後、形成され得る。次いで、直列接続スクライブ214は、限定はしないが、導電層190の材料などの導電性材料で充填され得る。いくつかの実施形態では、導電性材料は、順バイアスと比較して逆方向バイアスでより大きい導電性とすることができる。
[0043]第2の分離スクライブ216は、裏面接触部190を個々のセル200に分離するために形成され得る。第2の分離スクライブ216は、導電層190、裏面接触層180、および吸収体層160の少なくとも一部分を通して形成され得る。第2の分離スクライブ216は、誘電体材料218で充填され得る。
[0044]図1および図5をまとめて参照すると、パラレルスクライブ204(P4スクライブとも呼ばれる)が、セル200のグループ206を互いに分離するために形成され得る。いくつかの実施形態では、各グループ206は、例えば、直列接続スクライブ214を介してなど、直列に接続された多数の光起電力セル200を含むことができる。パラレルスクライブ204は、導電層190、裏面接触層180、吸収体層160、バッファ層150、TCO層140、バリア層130、および窓層170(存在する場合)を通して形成され得る。本明細書で提供される実施形態によれば、パラレルスクライブ204、第1の分離スクライブ212、直列接続スクライブ214、および第2の分離スクライブ216の各々は、レーザカッティングまたはレーザスクライビングによって形成され得る。いくつかの実施形態では、パラレルスクライブ204は、誘電体材料で充填され得る。
[0045]次に、図5~図7を参照すると、光起電力デバイス100、210の一実施形態が示される。複数の光起電力セル200が基板110上に形成され、光起電力セル200の各々は吸収体層160および導電層190を含み、導電層190は第1の表面192および第2の表面194を有し、導電層190の第1の表面192は吸収体層160に面している。バス部材224が、複数の光起電力セル200のうちの少なくとも1つの導電層190の第2の表面194に電気的に結合され、バス部材224は、複数の光起電力セル200によって生成された電流を収集するように動作可能である。導電性部材226が設けられ、導電性部材226は、導電性部材226とバス部材224との間に接続領域232を画定するために、バス部材224の一部分230に隣接する一部分228を有する。導電性部材226は、接続領域232から複数の光起電力セル200の一部分にわたって延びる。絶縁材料234が、複数の光起電力セル200の一部分の導電層190の第2の表面194から導電性部材226を電気的に絶縁する。導電性接着剤層が、接続領域232内でバス部材224と導電性部材226との間に配置される。接続領域232内の導電性接着剤層によってバス部材224と導電性部材226との間の直接接触が行われる。
[0046]図7を再び参照すると、導電性部材226とバス部材224との間に接続領域232を画定する、バス部材224の一部分230に隣接する導電性部材226の一部分228は、バス部材224の一部分230を導電性部材226の一部分228に重ねることによって設けられることが分かる。バス部材224は、接続領域232において導電性部材226と交差し得ることがさらに分かる。このようにして、バス部材224は、導電性部材226の各側で、1つまたは複数の光起電力セル200の導電層190の第2の表面194に電気的に結合することができ、したがって、バス部材224は、導電性部材226の各側で光起電力セル200によって生成された電流を収集するように動作可能である。
[0047]スクライブをもつ層スタックが形成された後、バス接続が、上述に記載されたようにおよび以下に詳細に記載されるように、追加され得、光起電力デバイスが組み立てられ得る。カプセル封じ層が適用され得、半導体層は雨、雪、および他の計測要素に対して密閉され得る。次に、図8を参照すると、基板110および裏面支持体196は、光起電力セル200をカプセル化するために一緒にラミネートされ得る。基板110は、幅および長さを有し、裏面支持体196は、基板110と実質的に同じ幅および長さを有することができる。基板110および裏面支持体196の各々は、例えば、ホウケイ酸ガラス、フロートガラス、ソーダ石灰ガラス、炭素繊維、またはポリカーボネートなどの適切な保
護材料を含むことができる。代替として、裏面支持体196は、ポリマーベースの裏面シートなどのいずれかの適切な材料とすることができる。裏面支持体196および基板110は、光起電力デバイス100の様々な層が湿気および他の環境危険にさらされることから保護することができる。図8は、完成したモジュールの一例の裏面の斜視図を示す。モジュールアセンブリ400は、図1~図5に記載および示された層、ならびにバス接続、カプセル封じ、および電気コネクタを含むことができる。光起電力モジュールアセンブリ400は、接続ボックス440を通り抜ける電気コネクタにより負荷に接続するように構成され得る。電気コネクタは、第1の端子410をもつ第1のケーブル415と、第2の端子420をもつ第2のケーブル425とを含むことができる。モジュールアセンブリ400は、支持フレーム、ブラケット、またはマウント430をさらに含むことができる。
[0048]次に、図5~図7および図9~図14を参照すると、バス接続が、様々な方法および構成で追加され得る。バス部材224は、光起電力セル200によって生成された直流電流を伝導するために、光起電力デバイス100の正面および裏面に追加され得る金属ストリップとすることができる。一般に、2つのバス部材224が、以下に記載され、図6に示されるように、光起電力セル200によって生成された直流電流を伝導するために、光起電力デバイス100に追加され得る。バス部材224はまた、バスバー、バス導体、共通導体、光起電力リボン、またはバスと呼ばれることもある。各バス部材224は、例えば、直列に最初のセル200または直列に最後のセル200に電気的に接続された共通の正および負導体の一方として機能することができる。
[0049]図9~図14は周辺エッジ340の近くのバス接続構成を示しているが、光起電力デバイス100は、反対側の第2の周辺エッジと、第2の周辺エッジの近くの対応するバス接続構成とを有することができることが理解されよう。そのような実施形態では、周辺エッジ340の近くのバス部材224は正のバスとして機能することができ、第2の周辺エッジの近くの第2のバス部材は負のバスとして機能することができる。例えば、次に、図6を参照すると、光起電力デバイス100は、長さYに沿って延びる第1のバス部材224aおよび幅Xに沿って延びる第1の導電性部材226aをもつ第1の側207の第1の周辺エッジ340aと、長さYに沿って延びる第2のバス部材224bおよび幅Xに沿って延びる第2の導電性部材226bをもつ反対側の第2の側209の第2の周辺エッジ340bとを有することができる。光起電力デバイス100は、長さYの対向した側に、幅Xに沿って延びる第1の側のエッジ306および第2の側のエッジ308を有することができ、第1の側のエッジ306および第2の側のエッジ308の各々は、各周辺エッジ340a、340bと同様の不感区域を含むことができる。しかしながら、図示および説明を容易にするために、単に、1つの周辺エッジ340と、バス部材224および導電性部材226の1つのセットとが、図9~図14に示され、言及される。図9~図14は、バス接続構成要素の1つのセットを示しており、それは、光起電力デバイス100の反対側で複製され得る。したがって、例えば、図9~図14を参照するとき、第1の光起電力セル200aが、代替として、最後の光起電力セルとなり得ることが理解されよう。
[0050]次に、図9A~図9Eを参照すると、光起電力デバイス100が、製造プロセスの特定の逐次段階で示される。光起電力セル200は、光起電力セル200の中で不感区域301に最も近い第1のセル200aを含むことができ、不感区域301は、適切なアブレーション方法によって、光起電力デバイス100の周辺エッジ340から内側に延びる光起電力デバイス100の領域に形成される。第1の光起電力セル200aは、光起電力デバイス100の周辺エッジ340に最も近い光起電力セル200である。この実施形態では、第1の光起電力セル200aは、以下でより詳細に記載されるように、近隣の光起電力セル200b、200c、200dの各々よりも大きい。光起電力セル200は、パラレルスクライブ204によって分離される。
[0051]次に、図9Aを参照すると、絶縁材料234が、第1の光起電力セル200aの少なくとも一部分の上に延びる、光起電力セル200の上に追加され得る。絶縁材料234は、複数の光起電力セル200の上に延びる。図9Aは、第1の光起電力セル200a、第2の光起電力セル200b、第3の光起電力セル200c、および第4の光起電力セル200dを示しているが、絶縁材料234は、いずれかの数の光起電力セル200の上に追加され得ることが理解されよう。さらに、絶縁材料234は、第1の光起電力セル200a全体の上に延びる必要はない。むしろ、図9Aに見られるように、絶縁材料234は、第1のセル200aの一部分のみの上に延びることができ、その場合、絶縁材料234は不感区域301に接触しない。
[0052]絶縁材料234は、例えば、両面テープとすることができる。しかしながら、他の電気絶縁材料が可能である。絶縁材料234は、絶縁材料234が接触する光起電力セル200の導電層190の第2の表面194から導電性部材226を電気的に絶縁することができ、さらに、導電性部材226を所定の位置に保持することができる。
[0053]次に、図9Bを参照すると、導電性部材226が、絶縁材料234の上に追加され得、その結果、導電性部材226は、光起電力セル200に直接接触しない。むしろ、導電性部材226は、絶縁材料234に直接接触することができる。このようにして、絶縁材料234は、導電性部材226を光起電力セル200から電気的に絶縁することができる。導電性部材226は、限定はしないが、金属などのいずれかの導電性材料とすることができる。
[0054]次に、図9Cを参照すると、バス部材224が、第1の光起電力セル200aを横切って延び、導電性部材226と重なるように、導電性部材226の上に追加され得る。バス部材224は、第1の光起電力セル200aの導電層190の第2の表面194に電気的に結合され得、その結果、バス部材224は、複数の光起電力セル200によって生成された電流を収集するように動作可能である。バス部材224は、第1の光起電力セル200aに直接接触することができ、またはバス部材224は、代替として、導電性材料もしくは導電性接着剤を通して第1の光起電力セル200aに結合され得る。図6を参照すると、バス部材224は、長さYに沿って、光起電力デバイス100の第1の側のエッジ306の不感区域の近くの場所から光起電力デバイス100の第2の側のエッジ308の不感区域の近くの場所まで延びることができる。バス部材224は、その全体が導電性部材226の上におよび第1の光起電力セル200aの上に延びる幅Wを有することができる。上記のように、バス部材224は、導電性接着剤層によって導電性部材226に接続され得る。他の実施形態では、バス部材224は、導電性部材226に直接接触することができる。バス部材224は、生成された光電流をセル200から導電性部材226まで運ぶように動作可能である。導電性部材226は、その結果として、光電流を接続ボックス440に運ぶように動作可能にすることができる。
[0055]図9Cを再び参照すると、導電性部材226上へのバス部材224の重なりは、T接続312として知られている構成を形成する。バス部材224は、実質的に直交して導電性部材226と交差することができる。しかしながら、導電性部材226上へのバス部材224の重なりは、実質的に直交である必要はない。
[0056]次に、図9Dを参照すると、エッジシール320が、バス部材224を追加した後、光起電力デバイス100の一部分の上に追加され得る。エッジシール320は、長さYに沿って、第1の側のエッジ306の不感区域の近くの場所から第2の側のエッジ308の不感区域の近くの場所まで延びることができ、光起電力デバイス100の周辺エッジ340に、またはその近くに存在し得る。エッジシール320は、第1の光起電力セル200aの一部分を覆うことができる。不感区域301の一部分は、光起電力デバイス100のエッジシール320と周辺エッジ340との間に残ることができる。しかしながら、他の実施形態では、エッジシール320は、エッジシール320によって覆われない不感区域301が存在しないように周辺エッジ340まで延びる。図9Dに示された実施形態では、エッジシール320は、バス部材224を覆っていない。したがって、この実施形態では、エッジシール320は、T接続312を覆っていない。
[0057]エッジシール320は湿気の侵入、異物、および他の環境危険から光起電力デバイス100を保護することができる。エッジシール320はまた、デバイス100を一緒に接合する接着剤として機能することができる。ブチルゴムとしても知られるポリイソブチレン(PIB)は、エッジシール320のための可能なシーラント材料であるが、エッジシール材料の他の例は、限定はしないが、不透明な高分子化合物を含む。エッジシール材料はまた、いずれかの所望の色に染色され得、いずれかの着色剤を含むことができる。エッジシール320を形成するエッジシール材料は、液体ホットメルト形態で、テープ形態で、またはいずれかの他の知られている技術によって施され得る。液体ホットメルトエッジシール材料は、基板110および裏面支持体196が製造中に組み合わされるとき、固体状態まで冷却し得る。硬化されるエッジシール材料は、液体ホットメルト形態で、製造中に、例えば、ホットメルトディスペンシングデバイスを含むことができるホットメルトプロセスを使用して施され得る。ホットメルトディスペンシングデバイスは、ホースに取り付けられたアプリケータによって液体エッジシール材料をディスペンスすることができ、その結果、液体エッジシール材料は、エッジシール材料容器に接続されたディスペンシングポンプから送られる。エッジシール材料は、乾燥剤材料をさらに含むことができる。
[0058]次に、図9Eを参照すると、中間層314が、光起電力デバイス100に追加され得る。中間層314は、長さYに沿って、光起電力デバイス100の第1の側のエッジ306の不感区域の近くの場所から第2の側のエッジ308の不感区域の近くの場所まで延びることができる。中間層314は、第1の光起電力セル200aの一部分の上に延びるように施され得、バス部材224を、第1の側のエッジ306の不感区域の近くの場所から第2の側のエッジ308の不感区域の近くの場所まで完全に覆うことができる。このようにして、バス部材224は、後続の製造プロセスの間中間層314によって保護され、それゆえに、後続の製造ステップに関連する力による移動を受けにくくなる。第1の光起電力セル200a、絶縁部材234、および導電性部材226の一部分は、中間層314とエッジシール320の両方によって覆われないままであり得る。
[0059]中間層314は、多数の機能を供することができる。第1に、中間層314は、裏面支持体196と複数の光起電力セル200との間の防湿バリアとして機能することができる。防湿バリアであることによって、中間層314は、湿気により引き起こされる腐食が光起電力デバイス100内で発生するのを防止することができる。その結果として、これは、デバイスの推定耐用寿命を向上させることができる。第2に、中間層314は、光起電力デバイス100の導電性コアと光起電力デバイス100の外部のいずれかのアクセス可能ポイントとの間の電気絶縁体として機能することができる。例えば、中間層314は、漏洩電流が光起電力デバイス100の裏面接触部から裏面支持体196に通過するのを制限または防止することができる。第3に、中間層314は、裏面支持体196を光起電力デバイス100の残りの部分に取り付ける接合剤として機能することができる。製造中、ラミネーションプロセスは、真空下で中間層314を加熱して、材料が、隣接する接着面に浸潤し、場合によっては、架橋反応を開始することを可能にすることができる。このプロセスは、中間層314と裏面支持体196との間の接合、ならびに中間層314と導電層190との間の接合を促進することができる。それゆえに、中間層314は、光起電力デバイス100内の接合剤として機能することができる。
[0060]中間層314は、例えば、エチレン(EVA)、ポリビニルブチラール(PVB)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリイソブチレン(PIB)、ポリオレフィン、熱可塑性ポリウレタン(TPU)、ポリウレタン、エポキシ、シリコーン、アイオノマー、またはそれらの組合せなどのいずれかの適切な材料を含むことができる。いくつかの実施形態では、中間層314は、ベース材料およびフィラー材料を含むことができる。ベース材料は、エチレン(EVA)、ポリビニルブチラール(PVB)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリイソブチレン(PIB)、ポリオレフィン、熱可塑性ポリウレタン(TPU)、ポリウレタン、エポキシ、シリコーン、アイオノマー、またはそれらの組合せのうちのいずれかとすることができる。フィラー材料は、難燃性材料、乾燥剤材料、顔料、不活性材料、またはそれらのいずれかの組合せを含むことができる。
[0061]上記のように、図9A~図9Eに示された光起電力デバイスは、近隣の光起電力セル200b、200c、200dよりもサイズが大きい第1の光起電力セル200aを含むことができる。具体的には、第1の光起電力セル200aは、第2の光起電力セル200bが延びる距離d、第3の光起電力セル200cが延びる距離d、および第4の光起電力セル200dが延びる距離dの各々よりも大きい距離dにわたって延びることができる。これは、環境からの湿気進入を防止するのに重要であるエッジシール幅を犠牲にすることなしに、バス部材224を中間層314で覆うことを可能にする。第1の光起電力セル200aが他の光起電力セル200b、200c、200dよりも大きくない場合、中間層314およびエッジシール320は、エッジシール320幅が減少しない限り、製造プロセス中に互いの上に延びることがあり、両方とも防湿バリアとしてのエッジシール320の効果を低下させることになる。さらに、第1の光起電力セル200aが他の光起電力セル200b、200c、200dよりも大きくない場合、中間層314は、直列に接続された電力セル200のすべてから生成された電流を収集するために第1の光起電力セル200aにわたって延びて電気的に結合されたバス部材224に達して覆うために、光起電力デバイス100のより大きい区域にわたって堆積される(それゆえに、大量の中間層材料を必要とする)ことになる。したがって、図9Eに見られるように、中間層314は、バス部材224を覆うことができ、そうするために第1の光起電力セル200aの一部分を覆うことができる。その結果、中間層314は、そうでなければバス部材224が物理的に取り除かれる可能性がある後続の製造ステップの間バス部材224を保護することができる。しかしながら、光起電力セル200は直列に接続されるので、第1の光起電力セル200aのセルサイズが大きくても、より大きい電流が光起電力セル200からバス部材224を通過することにならない。それゆえに、デバイス効率の改善は、依然としてバス部材224を保護しながら、第1の光起電力セル200aのサイズを減少させるバス接続構成により達成され得る。製造の間依然としてバス部材224を保護しながら、第1の光起電力セルサイズの減少を可能にし、それゆえに、より高いデバイス効率を実現するバス接続構成を有する光起電力デバイスが本明細書で提供される。
[0062]次に、図10A~図10Eを参照すると、製造プロセスの特定の逐次ステップでの光起電力デバイス100が示される。図10Aに見られるように、光起電力デバイス100の周辺エッジ340に当接する不感区域301が、適切なアブレーション方法によって作り出され得る。光起電力デバイス100は、シリアルスクライブ202によって分離された、不感区域301に隣接する第1の光起電力セル200a、第2の光起電力セル200b、第3の光起電力セル200c、および第4の光起電力セル200dを含むことができる。4つの光起電力セル200が、例証のために示されているが、光起電力セル200の数は特に限定されないことが理解されよう。この実施形態では、第1の光起電力セル200aは、図9A~図9Eに示された実施形態のものと比較して、小さいサイズを有する。第1の光起電力セル200aが延びる距離dは、依然として、近隣の光起電力セル200d、200c、および200dが延びる距離d、d、dの各々よりも大きくし得るが、第1の光起電力セル200aが延びる距離dは、図9A~図9Eに示された実施形態における第1の光起電力セル200aが延びる距離dよりも小さくし得る。
[0063]次に、図10Aを参照すると、絶縁材料234が、前に記載されたものと同じ方法で光起電力セル200の上に追加され得る。絶縁材料234は、絶縁材料234が第1の光起電力セル200aの少なくとも一部にわたって延びるという条件で、いずれかの数の光起電力セル200を覆うことができる。絶縁材料234は不感区域301まで延びることができるが、絶縁材料234は不感区域301まで延びる必要はない。
[0064]次に、図10Bを参照すると、導電性部材226が、絶縁材料234上に堆積され得る。導電性部材226は、光起電力セル200に直接接触してはいけないが、絶縁材料234に直接接触することができる。このようにして、絶縁材料234は、導電性部材226を光起電力セル200の導電層190の第2の表面194から電気的に絶縁するように機能することができる。絶縁材料234はまた、後続の製造ステップの間導電性部材226を所定の位置に保持することができる。
[0065]次に、図10Cを参照すると、バス部材224が、導電性部材226、絶縁材料234、および第1の光起電力セル200aの上に追加され得る。バス部材244は、長さYに沿って、光起電力デバイス100の第1の側のエッジ306の不感区域の近くの場所から光起電力デバイス100の第2の側のエッジ308の不感区域の近くの場所まで延びることができる。バス部材224は、その全体が導電性部材226の上におよび第1の光起電力セル200aの上に延びる幅Wを有することができる。T接続312は、バス部材224が導電性部材226と重なることによって形成され、実質的に直交したものとする(したがって、「T」形状に類似する)ことができる。しかしながら、バス部材224が導電性部材226上に延長する部分は、実質的に直交である必要はない。
[0066]次に、図10Dを参照すると、エッジシール320が、T接続312を完全に覆うように、第1の側のエッジ306の不感区域の近くの場所から第2の側のエッジ308の不感区域の近くの場所まで不感区域301およびT接続312の上に追加され得る。エッジシール320は、周辺エッジ340までずっと延びる必要はない。むしろ、不感区域301の一部分は、エッジシール320によって覆われないままであり得る。しかしながら、実施形態によっては、エッジシール320は、周辺エッジ340までずっと延びることができ、エッジシール320によって覆われない不感区域301を残さない。有利には、図10Dに示された実施形態では、エッジシール320は、後続の製造ステップ(ラミネーションプロセスなどの)の間完全にバス部材224を覆い、それによって、後続の製造ステップの間バス部材224を保護する。
[0067]次に、図10Eを参照すると、中間層314が、光起電力セル200b、200c、200dと、第1の光起電力セル200aの一部分との上に追加され得る。絶縁材料234の対向した側の第1の光起電力セル200aの2つの領域316a、316bは、エッジシール320によって覆われず、そして中間層314によって覆われないままであり得る。同様に、導電性部材226の領域318および絶縁材料234の2つの領域322a、322bは、エッジシール320によって覆われず、そして中間層314によって覆われないままであり得る。この実施形態では、エッジシール320がバス部材224を覆うので、中間層314はバス部材224を覆うために使用されない。したがって、使用される中間層材料は、中間層314がバス部材224を覆わなければならない場合よりも少ない可能性がある。
[0068]図10Cに見られるように、バス部材224は、図9A~図9Eに示された実施形態よりも光起電力デバイス100の周辺エッジ340に近い区域で、導電性部材226および絶縁材料234の上に堆積され得る。この理由は、図10A~図10Eに示された
実施形態では、バス部材224(およびT接続312)が、中間層314の代わりにエッジシール320によって完全に覆われ、それゆえに、バス部材224を覆うために必要とされる中間層材料の量が、バス部材224の位置づけを決定するための要因ではないからである。その結果、第1の光起電力セル200aは、図9A~図9Eに示された実施形態のものよりも小さくなり得るが、その理由は、中間層314がバス部材224に達する必要がなく、それゆえに、望ましくない量の中間層材料を使用する必要がないからである。この実施形態により、T接続312を周辺エッジ340に近づけるとともに、後続の製造ステップの間依然として覆って保護することが可能になるので、第1の光起電力セル200aが延びる距離dは、第2の光起電力セル200bが延びる距離d、または近隣の光起電力セル200c、200dが延びる距離にサイズがより近くなるように減少され得る。このようにして、光起電力デバイス100の総合効率が改善され得る。
[0069]次に、図11A~図11Eを参照すると、製造プロセス中の特定の逐次ステップでの光起電力デバイス100の代替実施形態が示される。この実施形態では、T接続312は、エッジシール320によって覆われるが、図10A~図10Eに示された実施形態と比較して使用されるエッジシール材料が少ない。
[0070]次に、図11Aを参照すると、絶縁材料234が、前述と同じ方法で光起電力セル200の上に追加され、第1の光起電力セル200aの少なくとも一部の上に延びることができる。不感区域301は、適切なアブレーション方法によって、光起電力デバイス100の周辺エッジ340に隣接して作り出され得る。不感区域301は、長さYに沿って第1の側のエッジ306から第2の側のエッジ308まで延びることができる。第1の光起電力セル200aは不感区域301に隣接する。
[0071]次に、図11Bを参照すると、導電性部材226が、前に記載されたように絶縁材料234の上に追加され得る。導電性部材226は、第1の光起電力セル200aの少なくとも一部の上に位置づけられ得る。導電性部材226は、複数の光起電力セル200の上に延びることができる。導電性部材226は、不感区域301に接触することができる。他の実施形態では、導電性部材226と不感区域301とは互いに接触しない。
[0072]次に、図11Cを参照すると、バス部材224を導電性部材226の上に追加して、バス部材224が導電性部材226に重なっているT接続312を形成することができる。バス部材224は、光起電力デバイス100の第1の側のエッジ306の不感区域の近くの場所から第2の側のエッジ308の不感区域の近くの場所まで延びることができる。バス部材224は、その全体が導電性部材226の上におよび第1の光起電力セル200aの上に延びる幅Wを有することができる。バス部材224は、第1の光起電力セル200aに電気的に結合され、導電性部材226に電気的に結合され得る。バス部材224は、第1の光起電力セル200aに直接接触することができ、または、代替として、導電性金属もしくは導電性接着剤を介して第1の光起電力セル200aに電気的に結合され得る。バス部材224は、導電性部材226に直接接触することができ、または、代替として、導電性接着剤によって導電性部材226に電気的に結合され得る。
[0073]次に、図11Dを参照すると、エッジシール320が、T接続312の上に延びるタブ324を含む形状で形成され得る。エッジシール320は、周辺エッジ340に沿ってまたはその近くに配置され得るが、周辺エッジ340までずっと延びる必要はない。むしろ、図11Dに見られるように、不感区域301の一部は、エッジシール340によって覆われないままであり得る。エッジシール320の一部は、長さYに沿って、第1の側のエッジ306の不感区域の近くの場所から第2の側のエッジ308の不感区域の近くの場所まで延びることができ、一方、そのとき、タブ324は、長さYに沿って、同じ範囲まで延びない。むしろ、タブ324は、残りのエッジシール320の長さlと比較して短い長さlを有することができる。エッジシール320は、長い長さlを有するエッジシール320の領域321から短い長さlを有するタブ324まで延びる側部部分360、362を含むことができる。側部部分360、362は、図11Dに見られるように、角張っていてもよく、または、代替として、第1の側のエッジ306および第2の側のエッジ308と実質的に平行であってもよい。
[0074]エッジシール320のタブ324は、第1の光起電力セル200aを第2の光起電力セル200bから分離させるシリアルスクライブライン202の上の位置まで延びることができる。タブ324と周辺エッジ340との間のエッジシール320の残りの部分は、第1の光起電力セル200aの一部分のみを覆うことができる。この実施形態では、エッジシール320は、第1の長さlを有し、周辺エッジ340からシリアルスクライブライン202まで内側に延びる第1の側のエッジ320から側部部分360までの領域321と、次いで、T接続312の上の側部部分360から、第1の長さlを有する領域321まで戻って延びる側部部分362までの第2の長さlを有するタブ324とによって画定される。エッジシール320は、不感区域301の上の第1の長さlと、T接続312の上の第2の長さlとを有することができ、ここで、第1の長さlは第2の長さlよりも大きい。
[0075]図11Dを参照すると、タブ324は、バス部材224の上に、絶縁材料234の第1の側のエッジ350から絶縁材料234の第2の側のエッジ352まで延びることができる。他の実施形態では、タブ324は、バス部材224の上に、導電性部材226の第1の側のエッジ354から導電性部材226の第2の側のエッジ356まで延びることができる。タブ324は、シリアルスクライブライン202の上に延びることができ、第1の光起電力セル200aのいくつかの部分の上に、絶縁材料234の側面まで延びることができる。しかしながら、これは必要ではない。
[0076]有利には、図11D~図11Eに見られるように、T接続312はエッジシール320によって覆われ得る。しかしながら、エッジシール320は、光起電力デバイス100の長さYを横切ってバス部材224全体を覆わない。むしろ、バス部材224は、T接続312の各側の一部分225a、225bで、エッジシール320によって覆われないままである。
[0077]次に、図11Eを参照すると、中間層314が、前に記載されたように追加され得る。中間層314が追加された後、バス部材224の一部分225a、225bは、中間層314によって覆われなくてもよく、それゆえに、エッジシール320と中間層314の両方によって覆われなくてもよい。その上、T接続312の対向した側の第1の光起電力セル200aの区域はまた、エッジシール320によって覆われず、そして中間層314によって覆われなくてもよい。どんな場合も、バス部材224が導電性部材226にオーバーラップする場所で、バス部材224はエッジシール320によって覆われるので、T接続312は、より堅牢であり、後続の製造ステップの間保護される。有利には、この実施形態は、エッジシール320を形成するのに図10A~図10Eに示された実施形態ほど多くの材料を必要としない。この実施形態はまた、中間層314がT接続312を覆って保護するために使用されないので、第1の光起電力セル200aのサイズの減少を可能にする。
[0078]次に、図12A~図12Fを参照すると、製造プロセスの特定の逐次ステップでの光起電力デバイス100の代替実施形態が示される。図12A~図12Bに示されるように、前に記載されたように、絶縁材料234が光起電力セル200の上に追加され得、導電性部材226が絶縁材料234の上に追加され得る。不感区域301が、光起電力デバイス100の周辺エッジ340から内側に延びることができ、適切なアブレーション方
法によって形成される。絶縁材料234は、周辺エッジ334を有し、周辺エッジ334は、第1の光起電力セル200aの上にあり得、不感区域301の近くにあり得る。他の実施形態では、絶縁材料234の周辺エッジ334は、不感区域301上にあり得る。導電性部材226は、不感区域301から見て周辺エッジ334の向い側にあり得る周辺エッジ358を有するが、依然として第1の光起電力セル200aの上にある。
[0079]次に、図12Cを参照すると、ブリッジ332が、絶縁材料234および導電性部材226の上に形成され得る。ブリッジ332は、導電性部材226の周辺エッジ358を覆うことができ、絶縁材料234の隣接部分の上に延びることができる。ブリッジ332は、絶縁材料234の周辺エッジ334の上に延びることができる。ブリッジ332は、例えば、導電性接着剤を有する幅広い導電性金属から形成され得、バス部材224と導電性部材226をブリッジするように機能することができる。いくつかの実施形態では、ブリッジ332は、1つまたは複数の導電性金属層および1つまたは複数の導電性接着剤層によって構成された多層構造である。いくつかの実施形態では、ブリッジ332は、ライナー、導電性金属の1つまたは複数の層、および導電性接着剤の1つまたは複数の層によって構成された多層構造である。いくつかの実施形態では、ブリッジ332は、2つ以上の導電性金属層および2つ以上の導電性接着剤層によって構成された多層構造である。
[0080]次に、図12Dを参照すると、バス部材224が、ブリッジ332の上に追加され得る。バス部材224は、長さYに沿って、光起電力デバイス100の第1の側のエッジ306の不感区域の近くの場所から第2の側のエッジ308の不感区域の近くの場所まで延びることができる。バス部材224は、完全に第1の光起電力セル200aにわたって存在する幅Wを有することができる。バス部材224は、例えば、第1の光起電力セル200aに直接接触することによって、または導電性金属もしくは導電性接着剤を介して第1の光起電力セル200aに電気的に結合され得る。追加として、バス部材224は、ブリッジ332に直接接触することができる。ブリッジ332は、導電性部材226とバス部材224との間に配置され得る。ブリッジ332は導電性部材226をバス部材224に電気的に結合させるように構成され得る。ブリッジ332は、バス部材224と導電性部材226との間の電流の伝導を増強するように機能することができる。
[0081]次に、図12Eを参照すると、エッジシール320が、バス部材224と、ブリッジ332および絶縁材料224の一部分との上に形成され得る。エッジシール340はバス部材224全体を覆うことができる。エッジシール320は、光起電力デバイス100の第1の側のエッジ306の不感区域の近くの場所から第2の側のエッジ308の不感区域の近くの場所まで延びることができる。エッジシール320は、光起電力デバイス100の周辺エッジ340にまたはその近くに、覆われないままの不感区域301の一部を残すことができる。代替実施形態では、エッジシール320は、不感区域301がエッジシール320によって覆われないままにならないように周辺エッジ340まで延びることができる。
[0082]次に、図12Fを参照すると、中間層314が、ブリッジ332の露出した区域336と、絶縁材料234の露出した区域338a、338bとを残すように形成され得、そのような区域336、338a、338bは、エッジシール320によって覆われず、そして中間層314によって覆われない。さらに、導電性部材226は、ブリッジ332によって部分的に覆われ、中間層314によって部分的に覆われ得る。この実施形態では、バス部材224は、エッジシール320によって完全に覆われ、それゆえに、後続の製造ステップの間エッジシール320によって保護され得る。したがって、有利には、この実施形態はまた、中間層314がバス部材224を保護するためには使用されないので、第1の光起電力セル200aのサイズの減少を可能にする。
[0083]次に、図13A~図13Eを参照すると、ブリッジ332が、バス部材224と導電性部材226との間ではなくバス部材224の上に形成される代替実施形態が示される。図13A~図13Bに示されるように、絶縁材料234および次いで導電性部材226が、前に記載されたように光起電力セル200の上に施され得る。絶縁材料234は、第1の光起電力セル200aの少なくとも一部分の上に延びることができる。光起電力デバイス100の周辺エッジ340から内側に延びる不感区域301が、適切なアブレーション方法によって形成され得る。
[0084]次に、図13Cを参照すると、導電性部材226の上におよび第1光起電力セル200aの上に、光起電力100の第1の側のエッジ306の不感区域の近くの場所から第2の側のエッジ308の不感区域の近くの場所まで長さYに沿って延びるバス部材224が前述同様に施され得る。バス部材224は、完全に第1の光起電力セル200aの上に存在する幅Wを有することができる。バス部材224は、例えば、直接接触によって、または導電性金属もしくは導電性接着剤を介して第1の光起電力セル200aに電気的に結合され得る。しかしながら、この実施形態では、図12A~図12Fに示された実施形態とは対照的に、バス部材224は、ブリッジ332の前に施される。
[0085]次に、図13Dを参照すると、ブリッジ332が、バス部材224の上に施され得、導電性部材226の周辺エッジ358および絶縁材料234の周辺エッジ334で所定の場所に延ばされ得る。前の実施形態におけるように、ブリッジ332は、導電性接着剤をもつ幅広い導電性金属から形成され得、バス部材224と導電性部材226をブリッジするように機能することができる。いくつかの実施形態では、ブリッジ332は、1つまたは複数の導電性金属層および1つまたは複数の導電性接着剤層によって構成された多層構造である。いくつかの実施形態では、ブリッジ332は、ライナー、導電性金属の1つまたは複数の層、および導電性接着剤の1つまたは複数の層によって構成された多層構造である。いくつかの実施形態では、ブリッジ332は、2つ以上の導電性金属層および2つ以上の導電性接着剤層によって構成された多層構造である。しかしながら、前の実施形態とは対照的に、ブリッジ332は、バス部材224の一部分が絶縁材料234とブリッジ332との間に配置され、導電性部材226の一部分が絶縁材料234とブリッジ332との間に配置されるように、バス部材224および導電性部材226の上に配置され得る。バス部材224は、導電性部材226に直接接触しなくてもよいが、ブリッジ332を介して導電性部材226に電気的に結合される。この実施形態では、バス部材224は、電気通信を容易にするために両面で導電性である。すなわち、バス部材224は、導電性材料を含んでいて第1の光起電力セル200aに面している第1の表面と、導電性材料を含んでいてブリッジ332に面している第2の表面とを含むことができる。
[0086]次に、図13E~図13Fを参照すると、エッジシール320および中間層314の適用は、前に記載されたものと同じにすることができる。エッジシール320は、長さYに沿って、第1の側のエッジ306の不感区域の近くの場所から第2の側のエッジ308の不感区域の近くの場所まで延び、光起電力デバイス100の周辺エッジ340に隣接する不感区域301の一部を覆わないままにすることができる。代替として、エッジシール320は、不感区域301のどこもエッジシール320によって覆われないままにならないように周辺エッジ340まで延びることができる。エッジシール320は、幅Xに沿って、ブリッジ332によって覆われていないバス部材224の露出した部分を覆うように延びることができる。したがって、この実施形態では、ブリッジ332およびエッジシール320は、後続の製造ステップの間バス部材224を保護することができる。
[0087]中間層314は、長さYに沿って、光起電力デバイス100の第1の側のエッジ306の不感区域の近くの場所から第2の側のエッジ308の不感区域の近くの場所まで
延びることができる。中間層314は、エッジシール320によって覆われていないブリッジ332、導電性部材226、および絶縁材料234の部分を覆うことができる。したがって、この実施形態では、バス部材224は、再び、エッジシール320によって完全に覆われ、それゆえに、後続の製造ステップの間エッジシール320によって保護され得る。それゆえに、この実施形態は、有利には、バス部材224を覆って保護するために中間層314が使用されていないので、第1の光起電力セル200aのサイズの減少を可能にする。
[0088]次に、図14A~図14Eを参照すると、製造プロセスの特定の逐次段階での光起電力デバイス100の代替実施形態が示される。図14A~図14Bに示されるように、絶縁材料234および次いで導電性部材226が、前に記載されたように光起電力セル200の上に追加され得る。絶縁材料234および導電性部材226は、第1の光起電力セル200aの少なくとも一部分の上に延びることができる。不感区域301は、適切なアブレーション方法によって、光起電力デバイス100の周辺エッジ340に隣接して形成され得る。
[0089]次に、図14Cを参照すると、パッチ342が、絶縁材料234および導電性部材226の上に追加され得る。パッチ342は、導電性材料によって構成され得、光起電力デバイス100上に印刷され得る。しかしながら、パッチ342は、印刷導体である必要はない。パッチ342は、光起電力セル200から生成された電気のバス部材224への伝導を強化するように機能することができる。
[0090]依然として図14Cを参照すると、パッチ342は、上部部分344および下部部分346を含むことができる。下部部分346は、導電性部材226の幅Wを覆うには十分な広さであるが、絶縁材料234の全幅Wを覆うほど十分な広さでなくてもよく、上部部分344は、絶縁材料234の全幅Wよりも大きい距離にわたって第1の光起電力セル200aを横切って延びるのに十分な広さとすることができる。上部部分344は、絶縁材料234または導電性部材226を覆わなくてもよい。下部部分346は、導電性部材226の全幅WCにわたる導電性部材226のセグメント、ならびに絶縁材料234の周囲を覆うことができる。パッチ342は、絶縁材料234の周辺エッジ334および導電性部材226の周辺エッジ358を覆うことができ、上部部分344は、絶縁材料234の周辺エッジ334を越えて、不感区域301の方に、ならびに光起電力デバイス100の第1の側のエッジ306および/または光起電力デバイス100の第2の側のエッジ308の方に延びることができる。
[0091]次に、図14Dを参照すると、バス部材224が、パッチ342の上部部分344を横切って追加され、長さYに沿って、光起電力デバイス100の第1の側のエッジ306の不感区域の近くの場所から第2の側のエッジ308の不感区域の近くの場所まで延びることができる。バス部材224は、第1の光起電力セル200aを完全に覆う幅Wを有することができる。バス部材224は、例えば、直接接触によって、または導電性金属もしくは導電性接着剤を介して第1の光起電力セル200aに電気的に結合され得る。バス部材224は、パッチ342を通して導電性部材226に電気的に結合され得る。
[0092]次に、図14Eを参照すると、エッジシール320および中間層314が、前に記載されたように追加され、長さYに沿って、光起電力デバイス100の第1の側のエッジ306の不感区域の近くの場所から第2の側のエッジ308の不感区域の近くの場所まで延びることができる。エッジシール320は、バス部材224を完全に覆い、それゆえに、後続の製造ステップの間バス部材224を保護することができる。パッチ342のそれぞれの側の絶縁材料234の区域348a、348b、およびパッチ342の区域351は、エッジシール320によって覆われず、そして中間層314によって覆われないままであり得る。しかしながら、バス部材224は、エッジシール320によって完全に覆われ得る。それゆえに、この実施形態はまた、中間層314が後続の製造ステップの間バス部材224を覆って保護するために使用されないので、第1の光起電力セル200aのサイズの減少を可能にする。その上、パッチ342は、光起電力セル200からバス部材224を通って導電性部材226までの電気伝導を強化しながら、さらに、バス部材224に堅牢性を与えることができる。
[0093]有利には、本明細書に記載の光起電力デバイス100は、末端セルからの不感区域損失をほぼゼロまで低減し、それによって、デバイス効率を改善するバス接続構成を有することができる。その上、本明細書に記載の光起電力デバイス100は、良好なデバイス性能にとって重要であるT接続312の低く安定した接触抵抗を可能にするバス接続構成を有することができる。
[0094]絶縁材料234、導電性部材226、ブリッジ332、パッチ342、エッジシール320、および中間層314などの本明細書に記載のバス接続構成要素は、各々、いずれかの適切な方法で堆積され得、1つまたは複数のステーションまたはチャンバを使用するコンベア式システムで逐次追加され得る。パッチ342などのいくつかの構成要素は、光起電力デバイス100上に印刷され得る。しかしながら、パッチ342は、印刷される必要はなく、他の方法によって施されてもよい。
[0095]本明細書に記載の実施形態によれば、光起電力デバイスは、エッジシールの下に完全に覆われるバス部材を含むことができる。エッジシールは、特定の製造ステップの間バス部材を保護することができる。本明細書に記載の実施形態によれば、光起電力デバイスは、T接続を画定するために導電性部材に重なっているバス部材を含むことができ、T接続は、エッジシールの下に完全に覆われる。しかしながら、いくつかの実施形態では、バス部材の少なくとも一部分は、エッジシールによって覆われないが、導電性部材に重なっているバス部材の部分(すなわち、T接続)は、エッジシールによって覆われる。例えば、いくつかの実施形態では、T接続の対向した側のバス部材の2つの部分は、エッジシールによって覆われない。「覆われる」とは、バス部材またはその一部分が、エッジシールと光起電力セルとの間に配置されることを意味する。
[0096]本明細書に記載の実施形態によれば、光起電力デバイスは、導電性部材の上へのバス部材の重なりによって画定されるT接続のトレランスを克服し、堅牢性を改善する導電性材料のパッチを含むことができる。
[0097]本明細書に記載の実施形態によれば、光起電力デバイスは、導電性金属と、バス部材を導電性部材に電気的に結合させる導電性接着剤とによって構成されたブリッジを含むことができる。本明細書に記載の実施形態によれば、ブリッジは、導電性金属の2つ以上の層および導電性接着剤の2つ以上の層によって構成された多層構造とすることができる。本明細書に記載の実施形態によれば、ブリッジは、1つまたは複数の導電性金属層および1つまたは複数の導電性接着剤層によって構成された多層構造とすることができる。本明細書に記載の実施形態によれば、ブリッジは、ライナー、導電性金属の1つまたは複数の層、および導電性接着剤の1つまたは複数の層によって構成された多層構造とすることができる。
[0098]本明細書に記載の実施形態によれば、エッジシールと複数の光起電力セルとの間に配置されたバス部材を有する光起電力デバイスは、バス部材を導電性部材に電気的に結合させる導電性接着剤を含むブリッジをさらに含むことができる。特定の実施形態では、ブリッジは、絶縁材料とバス部材との間に配置される。特定の実施形態では、ブリッジは、バス部材とエッジシールとの間に配置される。
[0099]本明細書に記載の実施形態によれば、エッジシールと複数の光起電力セルとの間に配置されたバス部材を有する光起電力デバイスは、導電性部材とバス部材との間に配置された導電性パッチをさらに含むことができる。
[00100]本明細書に記載の実施形態によれば、本明細書に記載のようなブリッジまたは
パッチを有する光起電力デバイスはまた、エッジシールによって完全には覆われていないバス部材を有することができる。むしろ、バス部材は、エッジシールと光起電力セルとの間に配置されていない1つまたは複数の部分を含むことができる。
[00101]本明細書に記載の実施形態によれば、本明細書に記載のようなブリッジまたは
パッチを有する光起電力デバイスはまた、第1の長さと第2の長さとが異なる第1の長さと第2の長さとをもつエッジシールと、第1の長さのエッジシール材料と第2の長さのエッジシール材料とを接続する側部部分とを有することができる。
[00102]本明細書に記載の実施形態によれば、本明細書に記載のようなブリッジまたは
パッチを有する光起電力デバイスには、導電性部材の上へのバス部材の重なりによって画定されたT接続の上に配置され、バス部材の少なくとも一部分の上に配置されないエッジシールがさらに含まれ得る。代替実施形態では、エッジシールは、バス部材全体の上に配置される。
[00103]本明細書に記載の実施形態によれば、光起電力デバイスは、ライナー、金属、
および導電性接着剤を含む多層構造によって構成されたバス部材を有することができる。そのようなバス部材は、本明細書に記載のようなパッチまたはブリッジを有する光起電力デバイスに利用され得る。そのようなバス部材はまた、バス部材の一部またはすべてを覆うエッジシールを有する光起電力デバイスに利用され得る。
[00104]本明細書に記載の実施形態によれば、光起電力デバイスは、不感区域の上の第
1の長さと、導電性部材の上へのバス部材の重なりによって画定されたT接続の上の第2の長さとを有するエッジシールを含むことができ、ここで、第1の長さは第2の長さよりも大きい。いくつかの実施形態では、そのような光起電力デバイスのバス部材は、エッジシールによって覆われない2つの部分を含む。いくつかの実施形態では、光起電力デバイスは、本明細書に記載のようなブリッジをさらに含む。いくつかの実施形態では、光起電力デバイスは、本明細書に記載のようなパッチをさらに含む。
[00105]本明細書で開示されるデバイスおよび方法の特定の実施形態が、上述の例において定義されている。これらの例は、特定の実施形態を示しているが、単に例証として与えられていることを理解されたい。上述の議論およびこれらの例から、当業者は、本開示の本質的な特徴を確認することができ、本開示の趣旨および範囲から逸脱することなく、本明細書に記載のデバイスおよび方法を様々な使用法および条件に適合させるために様々な変更および変形を行うことができる。様々な変更が行われてもよく、均等物が、本開示の本質的な範囲から逸脱することなくその要素の代わりに使用されてもよい。加えて、多くの変形が、本開示の本質的な範囲から逸脱することなく、特定の状況または材料を本開示の教示に適合させるために行われてもよい。
[発明の態様]
[1]
複数の電気的に接続された光起電力セル、前記光起電力セルは、第1の表面および第2の表面を有する導電層を含み、前記第1の表面が吸収体層に面している、、
前記光起電力セルのうちの少なくとも1つの上の前記第2の表面に配置された絶縁材料、
前記絶縁材料上の導電性部材、前記絶縁材料は、前記導電性部材を前記第2の表面から電気的に絶縁するように構成されている、
前記複数の光起電力セルのうちの1つと前記導電性部材とに電気的に結合されたバス部材、
前記複数の光起電力セルのうちの前記1つの少なくとも一部分の上に延びるシーラント材料を含むエッジシール
を含む光起電力デバイスであって、
前記バス部材は、前記エッジシールと前記複数の光起電力セルとの間に配置されている、
光起電力デバイス。
[2]
前記バス部材が前記導電性部材に重なって、T接続を画定しており、
前記T接続が、前記エッジシールと前記複数の光起電力セルとの間に配置され、
前記バス部材の少なくとも一部分が、前記エッジシールと前記複数の光起電力セルとの間に存在しない、1に記載の光起電力デバイス。
[3]
前記バス部材の2つの部分が、前記エッジシールと前記複数の光起電力セルとの間に存在しない、2に記載の光起電力デバイス。
[4]
前記複数の光起電力セルのうちの少なくとも一部に配置された中間層をさらに含む、1に記載の光起電力デバイス。
[5]
前記バス部材全体が、前記エッジシールと前記複数の光起電力セルとの間に存在する、1に記載の光起電力デバイス。
[6]
前記バス部材が、前記エッジシールと前記導電性部材との間に存在する、1に記載の光起電力デバイス。
[7]
前記導電性部材が、前記バス部材と前記絶縁材料との間に存在する、6に記載の光起電力デバイス。
[8]
前記導電性部材および前記絶縁材料の上に形成されたブリッジをさらに含み、前記ブリッジが、導電性接着剤を含み、前記導電性部材を前記バス部材に電気的に結合させる、1に記載の光起電力デバイス。
[9]
前記ブリッジの第1の部分が、前記エッジシールの下に配置され、前記ブリッジの第2の部分が、前記エッジシールによって覆われず、そして前記中間層によって覆われず、前記ブリッジの第3の部分が、前記中間層の下に配置される、8に記載の光起電力デバイス。
[10]
前記ブリッジが、ライナー、導電性金属の1つまたは複数の層、および前記導電性接着剤の1つまたは複数の層を含む多層構造を含む、8に記載の光起電力デバイス。
[11]
前記ブリッジが、導電性金属の2つ以上の層および前記導電性接着剤の2つ以上の層を含む多層構造を含む、8に記載の光起電力デバイス。
[12]
前記ブリッジが、1つまたは複数の導電性金属層および1つまたは複数の導電性接着剤層を含む多層構造を含む、8に記載の光起電力デバイス。
[13]
複数の電気的に接続された光起電力セル、前記光起電力セルは、第1の表面および第2の表面を有する導電層を含み、前記第1の表面が吸収体層に面している、
前記光起電力セルのうちの少なくとも1つの上の前記第2の表面に配置された絶縁材料、
前記絶縁材料上の導電性部材、前記絶縁材料は、前記導電性部材を前記第2の表面から電気的に絶縁するように構成されている、
前記絶縁材料および前記導電性部材上のブリッジ、前記ブリッジは、導電性金属および導電性接着剤を含む、
前記複数の光起電力セルのうちの1つと、前記導電性部材とに電気的に結合されたバス部材、前記ブリッジは、前記バス部材を前記導電性部材に電気的に結合させている、
を含む光起電力デバイス。
[14]
前記複数の光起電力セルのうちの前記1つの少なくとも一部分の上に延びるシーラント材料を含むエッジシール
をさらに含み、
前記バス部材が、前記エッジシールと前記光起電力セルとの間に配置されている、13に記載の光起電力デバイス。
[15]
前記ブリッジが、前記エッジシールと前記バス部材との間に配置されている、14に記載の光起電力デバイス。
[16]
前記ブリッジが、前記バス部材と前記絶縁材料との間に配置されている、13に記載の光起電力デバイス。
[17]
前記バス部材が、前記ブリッジ上に直接存在し、前記導電性部材に隣接している、13に記載の光起電力デバイス。
[18]
前記ブリッジが、ライナー、1つまたは複数の金属層、および1つまたは複数の導電性接着剤層を含む多層構造を含む、13に記載の光起電力デバイス。
[19]
前記ブリッジが、導電性金属の2つ以上の層および導電性接着剤の2つ以上の層によって構成された多層構造を含む、13に記載の光起電力デバイス。
[20]
前記ブリッジが、1つまたは複数の導電性金属層および1つまたは複数の導電性接着剤層を含む多層構造を含む、13に記載の光起電力デバイス。
[21]
前記バス部材が、導電性材料を含んでいて前記複数の光起電力セルのうちの前記1つに面している第1の表面と、導電性材料を含んでいて前記ブリッジに面している第2の表面とを有する、13に記載の光起電力デバイス。
[22]
前記ブリッジが、前記導電性部材と前記バス部材との間に配置されている、13に記載の光起電力デバイス。
[23]
複数の電気的に接続された光起電力セル、前記光起電力セルは、第1の表面および第2の表面を有する導電層を含み、前記第1の表面が吸収体層に面している、
前記光起電力セルのうちの少なくとも1つの上の前記第2の表面に配置された絶縁材料、
前記絶縁材料上の導電性部材、前記絶縁材料は、前記導電性部材を前記第2の表面から電気的に絶縁するように構成されている、
前記導電性部材の周辺エッジおよび前記絶縁材料の周辺エッジ上に導電性材料を含むパッチ、
前記複数の光起電力セルのうちの前記1つと前記パッチとの上のバス部材であり、前記バス部材が、前記複数の光起電力セルのうちの前記1つに電気的に結合され、前記パッチが、前記バス部材を前記導電性部材に電気的に結合させている、
前記複数の光起電力セルのうちの前記1つの少なくとも一部分の上に延びるシーラント材料を含むエッジシールと
を含む光起電力デバイスであって、
前記バス部材が、前記エッジシールと前記パッチとの間に配置されている、光起電力デバイス。
[24]
前記パッチが、印刷導体である、23に記載の光起電力デバイス。
[25]
前記パッチが、上部部分および下部部分を含み、前記上部部分が、前記複数の光起電力セルのうちの前記1つに接触している、23に記載の光起電力デバイス。
[26]
前記上部部分が、前記バス部材と前記複数の光起電力セルとの間に配置されている、25に記載の光起電力デバイス。
[27]
前記複数の光起電力セルのうちの少なくとも一部の上に延びる中間層をさらに含み、前記下部部分が、前記中間層と前記導電性部材との間に少なくとも部分的に配置されている、25に記載の光起電力デバイス。
[28]
複数の電気的に接続された光起電力セル、前記光起電力セルは、第1の表面および第2の表面を有する導電層を含み、前記第1の表面が吸収体層に面している、
前記光起電力セルのうちの少なくとも1つの上の前記第2の表面に配置された絶縁材料、
前記絶縁材料上の導電性部材、前記絶縁材料は、前記導電性部材を前記第2の表面から電気的に絶縁するように構成されている、
前記複数の光起電力セルのうちの前記1つと前記導電性部材とに電気的に結合されたバス部材、前記バス部材は前記導電性部材の上に延びて、T接続を画定している、
前記T接続の上に延びるシーラント材料を含むエッジシール
を含む光起電力デバイス。
[29]
前記複数の光起電力セルのうちの少なくとも一部の上に配置された中間層をさらに含む、28に記載の光起電力デバイス。
[30]
前記光起電力デバイスの周辺エッジに当接する不感区域をさらに含み、前記エッジシールが、前記不感区域の上の第1の長さと、前記T接続の上の第2の長さとを含み、前記第1の長さが前記第2の長さよりも大きい、28に記載の光起電力デバイス。
[31]
前記バス部材が、前記エッジシールによって覆われない2つの部分を含む、28に記載の光起電力デバイス。
[32]
前記中間層が、エチレン(EVA)、ポリビニルブチラール(PVB)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリイソブチレン(PIB)、ポリオレフィン、熱可塑性ポリウレタン(TPU)、ポリウレタン、エポキシ、シリコーン、アイオノマー、またはそれらの組合せを含む、1から31のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[33]
前記中間層が、ベース材料およびフィラー材料を含み、前記ベース材料が、エチレン(EVA)、ポリビニルブチラール(PVB)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリイソブチレン(PIB)、ポリオレフィン、熱可塑性ポリウレタン(TPU)、ポリウレタン、エポキシ、シリコーン、アイオノマー、またはそれらの組合せを含み、前記フィラー材料が、難燃性材料、乾燥剤材料、顔料、不活性材料、またはそれらのいずれかの組合せを含む、1から32のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[34]
前記シーラント材料が、ポリイソブチレン(PIB)、乾燥剤材料、またはそれらの組合せを含む、1から33のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[35]
前記吸収体層が、カドミウム、テルル、およびセレンを含む、1から34のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[36]
前記絶縁材料が両面テープを含む、1から35のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[37]
前記導電性部材がリードフォイルを含む、1から36のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[38]
前記複数の電気的に接続された光起電力セルが、基板と裏面支持体との間に配置され、前記基板が、前記光起電力デバイスの上部外面を画定し、前記裏面支持体が、前記光起電力デバイスの下部外面を画定している、1から37のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[39]
前記光起電力セルが、前記光起電力デバイスの第1の側のエッジおよび前記光起電力デバイスの第2の側のエッジを画定し、前記光起電力デバイスが、前記第1の側のエッジと前記第2の側のエッジとの間に延びる周辺エッジを有し、前記バス部材が、前記第1の側のエッジの不感区域の近くの場所から前記第2の側のエッジの不感区域の近くの場所まで延びている、1から38のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[40]
前記光起電力セルが、前記光起電力デバイスの第1の側のエッジおよび光起電力デバイスの第2の側のエッジを画定し、前記光起電力デバイスが、前記第1の側のエッジと前記第2の側のエッジとの間に延びる周辺エッジを有し、前記エッジシールが、前記第1の側のエッジの不感区域の近くの場所から前記第2の側のエッジの不感区域の近くの場所まで延びている、1から39のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[41]
前記光起電力セルが、前記光起電力デバイスの第1の側のエッジおよび光起電力デバイスの第2の側のエッジを画定し、前記光起電力デバイスが、前記第1の側のエッジと前記第2の側のエッジとの間に延びる周辺エッジを有し、光起電力セルを含まない不感区域が、前記周辺エッジから延びている、1から40のいずれかに記載の光起電力デバイス。
[42]
前記バス部材が、ライナーと金属と導電性接着剤とを含む多層構造を含む、1から41のいずれかに記載の光起電力デバイス。

Claims (15)

  1. 複数の電気的に接続された光起電力セル、前記光起電力セルは、第1の表面および第2の表面を有する導電層を含み、前記第1の表面が吸収体層に面している、
    前記光起電力セルのうちの少なくとも1つの上の前記第2の表面に配置された絶縁材料、
    前記絶縁材料上の導電性部材、前記絶縁材料は、前記導電性部材を前記第2の表面から電気的に絶縁するように構成されている、
    前記導電性部材の周辺エッジおよび前記絶縁材料の周辺エッジ上に導電性材料を含むパッチ、
    前記複数の光起電力セルのうちの前記1つと前記パッチとの上のバス部材であり、前記バス部材が、前記複数の光起電力セルのうちの前記1つに電気的に結合され、前記パッチが、前記バス部材を前記導電性部材に電気的に結合させている、
    前記複数の光起電力セルのうちの前記1つの少なくとも一部分の上に延びるシーラント材料を含むエッジシールと
    を含む光起電力デバイスであって、
    前記バス部材が、前記エッジシールと前記パッチとの間に配置されている、光起電力デバイス。
  2. 前記パッチが、印刷導体である、請求項1に記載の光起電力デバイス。
  3. 前記パッチが、上部部分および下部部分を含み、前記上部部分が、前記複数の光起電力セルのうちの前記1つに接触している、請求項1に記載の光起電力デバイス。
  4. 前記上部部分が、前記バス部材と前記複数の光起電力セルとの間に配置されている、請求項3に記載の光起電力デバイス。
  5. 前記複数の光起電力セルのうちの少なくとも一部の上に延びる中間層をさらに含み、前記下部部分が、前記中間層と前記導電性部材との間に少なくとも部分的に配置されている、請求項3に記載の光起電力デバイス。
  6. 前記中間層が、エチレン(EVA)、ポリビニルブチラール(PVB)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリイソブチレン(PIB)、ポリオレフィン、熱可塑性ポリウレタン(TPU)、ポリウレタン、エポキシ、シリコーン、アイオノマー、またはそれらの組合せを含む、請求項5に記載の光起電力デバイス。
  7. 前記中間層が、ベース材料およびフィラー材料を含み、前記ベース材料が、エチレン(EVA)、ポリビニルブチラール(PVB)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリイソブチレン(PIB)、ポリオレフィン、熱可塑性ポリウレタン(TPU)、ポリウレタン、エポキシ、シリコーン、アイオノマー、またはそれらの組合せを含み、前記フィラー材料が、難燃性材料、乾燥剤材料、顔料、不活性材料、またはそれらのいずれかの組合せを含む、請求項5に記載の光起電力デバイス。
  8. 前記シーラント材料が、ポリイソブチレン(PIB)、乾燥剤材料、またはそれらの組合せを含む、請求項1から7のいずれかに記載の光起電力デバイス。
  9. 前記吸収体層が、カドミウム、テルル、およびセレンを含む、請求項1から8のいずれかに記載の光起電力デバイス。
  10. 前記絶縁材料が両面テープを含む、請求項1から9のいずれかに記載の光起電力デバイス。
  11. 前記導電性部材がリードフォイルを含む、請求項1から10のいずれかに記載の光起電力デバイス。
  12. 前記複数の電気的に接続された光起電力セルが、基板と裏面支持体との間に配置され、前記基板が、前記光起電力デバイスの上部外面を画定し、前記裏面支持体が、前記光起電力デバイスの下部外面を画定している、請求項1から11のいずれかに記載の光起電力デバイス。
  13. 前記光起電力セルが、前記光起電力デバイスの第1の側のエッジおよび前記光起電力デバイスの第2の側のエッジを画定し、前記光起電力デバイスが、前記第1の側のエッジと前記第2の側のエッジとの間に延びる周辺エッジを有し、前記バス部材が、前記第1の側のエッジの不感区域の近くの場所から前記第2の側のエッジの不感区域の近くの場所まで延びている、請求項1から12のいずれかに記載の光起電力デバイス。
  14. 前記光起電力セルが、前記光起電力デバイスの第1の側のエッジおよび光起電力デバイスの第2の側のエッジを画定し、前記光起電力デバイスが、前記第1の側のエッジと前記第2の側のエッジとの間に延びる周辺エッジを有し、前記エッジシールが、前記第1の側のエッジの不感区域の近くの場所から前記第2の側のエッジの不感区域の近くの場所まで延びている、請求項1から13のいずれかに記載の光起電力デバイス。
  15. 前記光起電力セルが、前記光起電力デバイスの第1の側のエッジおよび光起電力デバイスの第2の側のエッジを画定し、前記光起電力デバイスが、前記第1の側のエッジと前記第2の側のエッジとの間に延びる周辺エッジを有し、光起電力セルを含まない不感区域が、前記周辺エッジから延びている、請求項1から14のいずれかに記載の光起電力デバイス。
JP2023181561A 2019-10-25 2023-10-23 光起電力デバイスおよび製作方法 Pending JP2023182814A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962925986P 2019-10-25 2019-10-25
US62/925,986 2019-10-25
PCT/US2020/057077 WO2021081334A1 (en) 2019-10-25 2020-10-23 Photovoltaic devices and methods of making
JP2022524146A JP7373658B2 (ja) 2019-10-25 2020-10-23 光起電力デバイスおよび製作方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022524146A Division JP7373658B2 (ja) 2019-10-25 2020-10-23 光起電力デバイスおよび製作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023182814A true JP2023182814A (ja) 2023-12-26

Family

ID=73476234

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022524146A Active JP7373658B2 (ja) 2019-10-25 2020-10-23 光起電力デバイスおよび製作方法
JP2023181561A Pending JP2023182814A (ja) 2019-10-25 2023-10-23 光起電力デバイスおよび製作方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022524146A Active JP7373658B2 (ja) 2019-10-25 2020-10-23 光起電力デバイスおよび製作方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220384668A1 (ja)
EP (2) EP4046204B1 (ja)
JP (2) JP7373658B2 (ja)
WO (1) WO2021081334A1 (ja)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000068542A (ja) 1998-08-26 2000-03-03 Sharp Corp 集積型薄膜太陽電池モジュール
US20120090680A1 (en) * 2009-06-25 2012-04-19 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell module and method for manufacturing solar cell module
WO2011044342A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 First Solar, Inc. Module moisture barrier
JP2011199242A (ja) 2010-02-26 2011-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 光電変換装置
US20120017980A1 (en) * 2010-07-21 2012-01-26 Du Pont Apollo Limited Photovoltaic panel and method of manufacturing the same
WO2012030758A1 (en) * 2010-08-30 2012-03-08 First Solar, Inc. Photovoltaic module cover
KR20120051972A (ko) * 2010-11-15 2012-05-23 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
JP5745349B2 (ja) 2011-06-27 2015-07-08 デクセリアルズ株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
US20130068279A1 (en) * 2011-09-15 2013-03-21 Benyamin Buller Photovoltaic module interlayer
JP5914286B2 (ja) * 2012-09-28 2016-05-11 富士フイルム株式会社 電子モジュール
US20140102537A1 (en) 2012-10-15 2014-04-17 First Solar, Inc. Photovoltaic module

Also Published As

Publication number Publication date
EP4293727A1 (en) 2023-12-20
EP4046204A1 (en) 2022-08-24
EP4046204C0 (en) 2023-07-05
EP4046204B1 (en) 2023-07-05
US20220384668A1 (en) 2022-12-01
JP2022544874A (ja) 2022-10-21
WO2021081334A1 (en) 2021-04-29
JP7373658B2 (ja) 2023-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10236402B2 (en) Methods of hermetically sealing photovoltaic modules
US9018513B2 (en) Solar-cell module with in-laminate diodes and external-connection mechanisms mounted to respective edge regions
JP6396374B2 (ja) 太陽電池
US7122398B1 (en) Manufacturing of optoelectronic devices
KR101622090B1 (ko) 태양 전지
US9735302B2 (en) Method for manufacturing photovoltaic cells with multiple junctions and multiple electrodes
KR101652607B1 (ko) 직렬 연결형 박막 태양광 모듈 및 박막 태양 전지의 직렬 연결 방법
EP3868018B1 (en) Building-integrated photovoltaic apparatus, in particular for windows and the like, a method and a slat for said apparatus
US20220059294A1 (en) Photovoltaic structure and method of fabrication
KR20140095658A (ko) 태양 전지
JP7373658B2 (ja) 光起電力デバイスおよび製作方法
US20230402554A1 (en) Transparent Conducting Layers and Photovoltaic Devices Including the Same
US20140246074A1 (en) Solar module with ribbon cable, and a method for the manufacture of same
US20120285512A1 (en) Solar cell array and thin-film solar module and production method therefor
US20210280729A1 (en) Photovoltaic devices and methods of making
KR102634626B1 (ko) 태양 전지
KR102628295B1 (ko) 태양광 모듈의 제조 방법
EP4416763A1 (en) Materials and methods for tandem photovoltaic devices
US20140261686A1 (en) Photovoltaic device with a zinc oxide layer and method of formation

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20231023

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20241025