JP7362584B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、固体撮像装置に関する。
リニアイメージセンサは、画像情報を1次元的に読み取り、アナログ信号に変換し、時系列で出力する固体撮像装置である。リニアイメージセンサは、ファクシミリ、デジタル複写機、イメージスキャナ等、画像の読み取りに必須なデバイスとして知られている。
近年、高速化を図るために、固体撮像装置の内部にタイミングジェネレータが設けられた構成も知られている。しかしながら、高速化によってCCD転送時間のばらつきが大きくなり、固体撮像装置から出力される出力信号と、外部のサンプリングパルスとの同期がとれなくなっている。
そのため、固体撮像装置の内部でサンプリングパルスを生成して外部に出力する構成も知られている。この固体撮像装置は、サンプリングパルスと出力信号を選択するためのセレクトパルスとを共通化していた。この構成の場合、サンプリングパルスに発生したノイズが他のパルスや信号の配線を介して出力信号に乗ってしまうことがあった。
特許第5322696号公報
実施形態は、信号出力期間に出力信号にノイズが乗ることを防ぐことができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
実施形態の固体撮像装置は、第1電荷検出部と、第1出力部と、パルス生成部とを有する。第1電荷検出部は、複数の第1画素を有し、複数の第1画素に蓄積された電荷を検出する。第1出力部は、第1電荷検出部により検出された電荷を増幅し、出力信号として出力する。パルス生成部は、出力信号が出力される信号出力期間とは異なる期間に、出力信号から電荷信号を抽出するためのサンプリングパルスを生成する。パルス生成部は、外部タイミングジェネレータからのタイミング信号に基づいて、複数の第1画素に蓄積された電荷を検出するための第1電荷検出パルスを生成して第1電荷検出部に出力する第1タイミングジェネレータと、第1電荷検出部により検出された電荷に基づき、第1電荷検出部における信号の遅延情報を検出し、遅延情報に基づき前記サンプリングパルスを生成する第2タイミングジェネレータと、を有する。
第1の実施形態の固体撮像装置を含む撮像システムの構成の一例を示す図である。 従来構成のセレクトパルス、サンプリングパルス及び出力信号の関係を示すタイミングチャートである。 第1の実施形態の構成のセレクトパルス、サンプリングパルス及び出力信号の関係を示すタイミングチャートである。 第2の実施形態の構成のセレクトパルス、サンプリングパルス及び出力信号の関係を示すタイミングチャートである。 第3の実施形態の固体撮像装置を含む撮像システムの構成の一例を示す図である。 第4の実施形態の固体撮像装置を含む撮像システムの構成の一例を示す図である。
以下、図面を参照して実施形態について詳細に説明する。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態の固体撮像装置を含む撮像システムの構成の一例を示す図である。撮像システム100は、固体撮像装置1と、外部タイミングジェネレータ2と、画像処理装置3とを有して構成されている。なお、以下の説明では、タイミングジェネレータをTGと呼ぶ。
固体撮像装置1は、例えばリニアイメージセンサであり、1チップの半導体装置として構成される。固体撮像装置1は、第1電荷検出部11と、第1出力回路12と、第1セレクトスイッチ13と、第2電荷検出部14と、第2出力回路15と、第2セレクトスイッチ16と、TG部17と、複数のパッド18a、18b、18c、18d及び18eとを有して構成されている。
第1電荷検出部11は、複数の画素21を備えた第1画素列22と、複数の蓄積部23を備えた第1CCDレジスタ24とを有する。第2電荷検出部14は、複数の画素25を備えた第2画素列26と、複数の蓄積部27を備えた第2CCDレジスタ28とを有する。TG部17は、第1TG17aと、第2TG17bとを有する。
なお、固体撮像装置1は、2つの電荷検出部を有する構成であるが、1つあるいは3つ以上の電荷検出部を有する構成であってもよい。また、第1及び第2電荷検出部11、14はそれぞれ、1つの画素列を有する構成であるが、それぞれ2つ以上の画素列を有する構成であってもよい。
パルス生成部を構成するTG部17は、出力信号が出力される信号出力期間とは異なる期間に、出力信号から電荷信号を抽出するためのサンプリングパルスを生成する。TG部17には、外部TG2からタイミング信号がパッド18aを介して入力される。第1TG17aは、このタイミング信号に基づいて電荷検出パルスPA及びPBを生成する。電荷検出パルスPAは第1電荷検出部11に出力され、電荷検出パルスPBは第2電荷検出部14に出力される。
第2TG17bは、第1及び第2電荷検出部11、14により検出された電荷が入力される。第2TG17bは、入力された電荷に基づき、第1及び第2電荷検出部11、14の遅延情報を検出する。また、第2TG17bは、検出した遅延情報に基づき、制御パルスPC、PD、セレクトパルスPE、PF及びサンプリングパルスSPを生成する。生成されたパルスはそれぞれ、第1出力回路12、第2出力回路15、第1セレクトスイッチ13、第2セレクトスイッチ16及びパッド18bに出力される。
第1電荷検出部11は、電荷検出パルスPAに応じて電荷を検出する。具体的には、第1電荷検出部11は、各画素21に蓄積された電荷を読み出し、対応する各蓄積部23にパラレルに垂直転送する。そして、第1電荷検出部11は、垂直転送された電荷を第1出力回路12及び第2TG17bにシリアルに水平転送する。
第1出力部としての第1出力回路12は、例えば増幅回路により構成され、制御パルスPCに応じて、入力された電荷を増幅し、第1セレクトスイッチ13に出力する。第1選択部としての第1セレクトスイッチ13は、セレクトパルスPEに応じて、入力された電荷を出力信号OSとして出力するか否かを選択する。
第2電荷検出部14は、電荷検出パルスPBに応じて電荷を検出する。具体的には、第2電荷検出部14は、各画素25に蓄積された電荷を読み出し、対応する各蓄積部27にパラレルに垂直転送する。そして、第2電荷検出部14は、垂直転送された電荷を第2出力回路15及び第2TG17bにシリアルに水平転送する。
第2出力部としての第2出力回路15は、例えば増幅回路により構成され、制御パルスPDに応じて、入力された電荷を増幅し、第2セレクトスイッチ16に出力する。第2選択部としての第2セレクトスイッチ16は、セレクトパルスPFに応じて、入力された電荷を出力信号OSとして出力するか否かを選択する。
セレクトパルスPE及びPFは、第1セレクトスイッチ13及び第2セレクトスイッチ16の一方が選択されるように生成される。第1セレクトスイッチ13又は第2セレクトスイッチ16から出力された出力信号OSが、パッド18cを介して画像処理装置3に入力される。パッド18d及び18eは、電源VDD及びグランドGNDに接続される。
画像処理装置3は、サンプリングパルスSPに応じて出力信号OSの電荷信号を抽出し、所定の画像処理を行う。
図2は、従来構成のセレクトパルス、サンプリングパルス及び出力信号の関係を示すタイミングチャートである。
従来では、第2TGからセレクトパルスPEを出力する信号線と、サンプリングパルスSPを出力する信号線を1本に共通化し、セレクトパルスPEをサンプリングパルスSPとして固体撮像装置の外部に出力していた。そのため、セレクトパルスPE及びサンプリングパルスSPは、出力信号OSが出力される水平転送期間に出力されている。
サンプリングパルスSPの出力は他のパルスや信号(例えば、電源VDD、グランドGND)にノイズを誘発する。そして、誘発されたノイズが各ブロックに伝わり、出力信号OSにノイズを誘発してしまっていた。そのため、従来では、水平転送期間に出力信号OSにノイズが乗っていた。
図3は、第1の実施形態の構成のセレクトパルス、サンプリングパルス及び出力信号の関係を示すタイミングチャートである。
本実施形態では、第2TG17bからセレクトパルスPEを出力する信号線と、サンプリングパルスSPを出力する信号線を別系統とし、セレクトパルスPEとは別にサンプリングパルスSPを固体撮像装置1の外部に出力している。より具体的には、垂直転送期間の直前にサンプリングパルス出力期間を設ける。垂直転送期間は、第1、第2電荷検出部11、14の各画素21、28に蓄積された電荷を、対応する各蓄積部23、27にパラレルに転送する期間である。サンプリングパルス出力期間にセレクトパルスPEと同期したサンプリングパルスSPを固体撮像装置1の外部に出力する。なお、サンプリングパルス出力期間は、垂直転送期間の直前に設けることに限定されるものではなく、水平転送期間の直前に設けてもよい。水平転送期間は、各蓄積部23、27の電荷を第1、第2出力回路12、15にシリアルに転送する期間である。
このように、パルス生成部を構成するTG部17は、信号出力期間とは異なる期間に、出力信号OSから電荷信号を抽出するためのサンプリングパルスSPを生成する。
サンプリングパルス出力期間に出力信号OSにノイズが乗ったとしても、出力信号OSが固体撮像装置1の外部に出力される水平転送期間ではないため、画像処理装置3における画像処理に影響がない。
サンプリングパルスSPは、セレクトパルスPEと同期している。画像処理装置3は、サンプリングパルスSPに基づいて、出力信号OSをサンプリングする。
このように、本実施形態では、出力信号OSが固体撮像装置1の外部に出力される水平転送期間にサンプリングパルスSPを出力しているため、信号出力期間の出力信号にノイズが乗ることを防ぐことができる。
(第2の実施形態)
第2の実施形態の固体撮像装置を含む撮像システムの構成は、第1の実施形態と同様である。第1の実施形態では、サンプリングパルスSPを外部に出力するサンプリングパルス出力期間を新たに設けているため、出力信号OSの出力に余分な時間がかかっていた。これに対し、第2の実施形態では、サンプリングパルスSPを外部に出力する期間を垂直転送期間としている。
図4は、第2の実施形態の構成のセレクトパルス、サンプリングパルス及び出力信号の関係を示すタイミングチャートである。
第2TG17bは、垂直転送期間にサンプリングパルスSPを出力する。垂直転送期間では、出力信号OSが外部に出力されないため、ノイズが乗っても影響がない。
サンプリングパルスSPはセレクトパルスPEと同期しており、画像処理装置3は、垂直転送期間に外部に出力されたサンプリングパルスSPから出力信号OSをサンプリングする。第2の実施形態では、サンプリングパルスSPを垂直転送期間に発生させるため、第1の実施形態よりも出力信号OSを出力する速度を速くすることができる。
(第3の実施形態)
図5は、第3の実施形態の固体撮像装置を含む撮像システムの構成の一例を示す図である。撮像システム100Aは、図1の固体撮像装置1に代わり固体撮像装置1Aを用いて構成されている。
固体撮像装置1Aの内部でサンプリングパルスSPが生成されず、外部TG2から出力されたサンプリングパルスSPが画像処理装置3に直接入力される構成となっている。そのため、固体撮像装置1からパッド18bが削除されている。また、固体撮像装置1AのTG部17は、図1の第1TG17aに代わり第1TG17cを用いて構成されている。また、固体撮像装置1AのTG部17は、図1のTG部17から第2TG17bが削除されている。さらに、固体撮像装置1Aは、図1の固体撮像装置1に対してメモリ31が追加されている。
メモリ31には、第1及び第2電荷検出部11、14における信号の遅延情報が格納されている。これら遅延情報は、例えば固体撮像装置1Aの製造過程で予めテスタ等によって測定し、メモリ31に格納される。
第1TG17cは、メモリ31に格納された第1電荷検出部11の遅延情報に基づいて、制御パルスPC、セレクトパルスPEを生成する。また、第1TG17cは、第2電荷検出部14の遅延情報に基づいて、制御パルスPD、セレクトパルスPFを生成する。制御パルスPC及びPDはそれぞれ、第1出力回路12及び第2出力回路15に供給され、セレクトパルスPE及びPFはそれぞれ、第1セレクトスイッチ13及び第2セレクトスイッチ16に供給される。固体撮像装置1Aは、メモリ31の遅延情報に基づいて制御パルスPC、PD、セレクトパルスPE、PFを生成することで、外部TG2から出力されたサンプリングパルスSPと同期が取れるようにしている。
本実施形態では、固体撮像装置1AからサンプリングパルスSPを出力しない構成となっているため、サンプリングパルスSPの配線と固体撮像装置1Aの各パルスや信号の配線との間に距離を保つことができる。この結果、固体撮像装置1Aは、サンプリングパルスSPへのノイズの誘発を避けることができるため、信号出力期間の出力信号OSにノイズが乗ることを防ぐことができる。
(第4の実施形態)
図6は、第4の実施形態の固体撮像装置を含む撮像システムの構成の一例を示す図である。撮像システム100Bは、図1の固体撮像装置1に代わり固体撮像装置1Bを用いて構成されている。固体撮像装置1Bは、図1の第2TG17bに代わり第2TG17dを用いて構成されている。
第2TG17dは、入力された電荷に基づき、第1及び第2電荷検出部11、14の遅延情報を検出する。また、第2TG17dは、検出した遅延情報に基づき、制御パルスPC、PD、セレクトパルスPE、PFを生成する。生成されたパルスはそれぞれ、第1出力回路12、第2出力回路15、第1セレクトスイッチ13、及び、第2セレクトスイッチ16に出力される。
固体撮像装置1Bとは別のチップの半導体装置である遅延装置4を備えて構成されている。遅延装置4は、第1TG41と、第1電荷検出部42と、第2TG43と、パッド44a及び44bとを有して構成されている。第1TG41、第1電荷検出部42、及び、第2TG43は、固体撮像装置1Bの第1TG17a、第1電荷検出部11、及び、第2TG17dと同じ回路構成となっている。
本実施形態では、外部TG2から出力されたサンプリングパルスSPは、遅延装置4を介して画像処理装置3に入力される。遅延装置4は、固体撮像装置1Bの第1TG17a、第1電荷検出部11、及び、第2TG17dと同じ回路構成となっている。そのため、遅延装置4に入力されたサンプリングパルスSPは、第1TG17a、第1電荷検出部11、及び、第2TG17dを経由する信号の遅延と同じ遅延を有して遅延装置4から出力される。この結果、第1TG17a、第1電荷検出部11、及び、第2TG17dの遅延と同じ遅延を有するサンプリングパルスSPを画像処理装置3に入力することができる。
本実施形態では、固体撮像装置1BからサンプリングパルスSPを出力しない構成となっているため、サンプリングパルスSPの配線と固体撮像装置1Bの各パルスや信号の配線との間に距離を保つことができる。この結果、固体撮像装置1Bは、サンプリングパルスSPへのノイズの誘発を避けることができるため、信号出力期間の出力信号OSにノイズが乗ることを防ぐことができる。
上述した実施の形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施の形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1,1A,1B…固体撮像装置、2…外部TG、3…画像処理装置、4…遅延装置、11…第1電荷検出部、12…第1出力回路、13…第1セレクトスイッチ、14…第2電荷検出部、15…第2出力回路、16…第2セレクトスイッチ、17…TG部、17a,17c…第1TG、17b,17d…第2TG、18a~18e、44a、44b…パッド、21,25…画素、22…第1画素列、23,27…蓄積部、24…第1CCDレジスタ、26…第2画素列、28…第2CCDレジスタ、31…メモリ、41…第1TG、42…第1電荷検出部、43…第2TG、100,100A,100B…撮像システム。

Claims (5)

  1. 複数の第1画素を有し、前記複数の第1画素に蓄積された電荷を検出する第1電荷検出部と、
    前記第1電荷検出部により検出された電荷を増幅し、出力信号として出力する第1出力部と、
    前記出力信号が出力される信号出力期間とは異なる期間に、前記出力信号から電荷信号を抽出するためのサンプリングパルスを生成するパルス生成部と、
    を有し、
    前記パルス生成部は、外部タイミングジェネレータからのタイミング信号に基づいて、前記複数の第1画素に蓄積された電荷を検出するための第1電荷検出パルスを生成して前記第1電荷検出部に出力する第1タイミングジェネレータと、
    前記第1電荷検出部により検出された電荷に基づき、前記第1電荷検出部における信号の遅延情報を検出し、前記遅延情報に基づき前記サンプリングパルスを生成する第2タイミングジェネレータと、を有する固体撮像装置。
  2. 複数の第2画素を有し、前記複数の第2画素に蓄積された電荷を検出する第2電荷検出部と、
    前記第2電荷検出部により検出された電荷を増幅し、出力信号として出力する第2出力部と、さらに有し、
    前記第1タイミングジェネレータは、前記外部タイミングジェネレータからのタイミング信号に基づいて、前記複数の第2画素に蓄積された電荷を検出するための第2電荷検出パルスを生成して前記第2電荷検出部に出力し、
    前記第2タイミングジェネレータは、前記第2電荷検出部により検出された電荷に基づき、前記第2電荷検出部における信号の遅延情報を検出し、前記遅延情報に基づき前記サンプリングパルスを生成する請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 前記第1出力部から出力された出力信号を選択する第1選択部と、
    前記第2出力部から出力された出力信号を選択する第2選択部と、をさらに有する請求項2に記載の固体撮像装置。
  4. 前記パルス生成部は、前記複数の第1画素及び前記複数の第2画素に蓄積された電荷を第1及び第2レジスタに垂直転送する期間の直前のサンプリングパルス出力期間に前記サンプリングパルスを出力する請求項3に記載の固体撮像装置。
  5. 前記パルス生成部は、前記複数の第1画素及び前記複数の第2画素に蓄積された電荷を第1及び第2レジスタに垂直転送する期間に前記サンプリングパルスを出力する請求項3に記載の固体撮像装置。
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