JP7350486B2 - リチウム金属と固体電解質との間の界面層 - Google Patents
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Description
リチウム金属アノード;
リチウムイオンを吸収し、かつ放出することができるカソード;及び
リチウム金属アノードとカソードの間に配置された非水性電解質;
ここで、
人工界面層が、非水性電解質とリチウム金属アノードの間にあり、
この人工界面層は、リチウム金属と非水性溶媒に溶解した酸との反応によって生じた、塩及び/又は化合物を含み、かつ
この人工界面層は、リチウムイオンを伝導し、かつ電子非伝導性である。
リチウム金属アノード;
リチウムイオンを吸収し、かつ放出することができるカソード;及び
リチウム金属アノードとカソードの間に配置された固体電解質;
ここで、
人工界面層が、固体電解質とリチウム金属アノードの間にあり、
この人工界面層は、リチウム金属と非水性溶媒に溶解した酸との反応によって生じた、塩及び/又は化合物を含み、かつ
この人工界面層は、リチウムイオンを伝導し、かつ電子非伝導性である。
リチウム金属アノード;
リチウムイオンを吸収し、かつ放出することができるカソード;及び
リチウム金属アノードとカソードの間に配置された非水性電解質;
ここで、
人工界面層が、非水性電解質とリチウム金属アノードの間にあり、かつ
この人工界面層は、リチウム金属と非水性溶媒に溶解した酸との反応によって生じた、塩及び/又は化合物を含む。
リチウム金属アノード;
リチウムイオンを吸収し、かつ放出することができるカソード;及び
リチウム金属アノードとカソードの間に配置された固体電解質;
ここで、
人工界面層が、固体電解質とリチウム金属アノードの間にある。
(1)固体電解質の粉末をプレスしてペレットにすること、
(2)カソード材料を固体電解質表面に広げて、それから、この「積層体(積み重なったもの)」を、再びプレスすること、その後、
(3)アノード材料を固体電解質の反対側の表面に広げて、この積層体(積み重なったもの)の、3度目のプレスを行うこと。
硫黄/固体電解質/リチウムのセルを以下のとおりに作り上げた。最初に、ヨウ化リチウムをドープしたチオリン酸リチウム80~300mgを、0.5~10トンの圧力を使用して、1.128cm直径のペレットにコールドプレスした。次に、硫黄、カーボン、及びハロゲン化リチウムでドープしたチオリン酸リチウムの混合物1~300mgを、この固体電解質のペレットの上に広げ、この積層体を、0.1~6トンの圧力を使用して、再びプレスした。最後に、リチウム薄片をこの固体電解質の反対側に置き、続いて集電体の機能を果たす銅薄片を置き、この積層体を、0~4トンの圧力でプレスした。
リチウム金属を正極及び負極の両方に使用した、いわゆる、リチウム対称セルを、定電流でサイクルすることによって、主に、リチウム金属上の人工界面層を試験した。図1は、セルの設計及びアセンブリの概略を示したものである。まず、固体電解質の粉末をプレスしてペレットにした。次に、ピストンを取り外して、このペレットの両側で、セルにリチウム円盤を入れ、その後、ピストンを置いて、これらに軽い圧力を加えた。長期サイクルにかける前に、未使用のセルについて、低率で数回の調整サイクルを行った。
本明細書に開示される発明は以下の態様を含む:
[1]リチウム金属と非水性溶媒に溶解した酸との反応によって生じた、塩及び/又は化合物を含む、人工界面層である表面層を有する、リチウム金属のリチウム電極であって、
前記人工界面層が、リチウムイオンを伝導し、かつ電子非伝導性である、前記リチウム電極。
[2]前記人工界面層の深さが、1nmから1000nmまでである、上記[1]に記載のリチウム電極。
[3]前記酸が、有機酸又は無機酸である、上記[1]に記載のリチウム電極。
[4]前記酸が、ホウ酸、スルファミン酸、アスコルビン酸、及び3-ホスホノプロピオン酸からなる群から選択される酸である、上記[1]に記載のリチウム電極。
[5]
以下を含む電気化学セル:
リチウム金属アノード;
リチウムイオンを吸収し、かつ放出することができるカソード;及び
前記リチウム金属アノードと前記カソードの間に配置された非水性電解質;
ここで、
人工界面層が、前記非水性電解質と前記リチウム金属アノードの間にあり、
前記人工界面層は、リチウム金属と非水性溶媒に溶解した酸との反応によって生じた、塩及び/又は化合物を含み、かつ
前記人工界面層は、リチウムイオンを伝導し、かつ電子非伝導性である。
[6]前記人工界面層の深さが、1nmから1000nmまでである、上記[5]に記載の電気化学セル。
[7]前記酸が、有機酸又は無機酸である、上記[5]に記載の電気化学セル。
[8]前記酸が、ホウ酸、スルファミン酸、アスコルビン酸、及び3-ホスホノプロピオン酸からなる群から選択される酸である、上記[5]に記載の電気化学セル。
[9]
以下を含む、固体電気化学セル:
リチウム金属アノード;
リチウムイオンを吸収し、かつ放出することができるカソード;及び
前記リチウム金属アノードと前記カソードの間に配置された固体電解質;
ここで、
人工界面層が、前記固体電解質と前記リチウム金属アノードの間にあり、
前記人工界面層は、リチウム金属と非水性溶媒に溶解した酸との反応によって生じた、塩及び/又は化合物を含み、かつ
前記人工界面層は、リチウムイオンを伝導し、かつ電子非伝導性である。
[10]前記人工界面層の深さが、1nmから1000nmまでである、上記[9]に記載の固体電気化学セル。
[11]前記酸が、有機酸又は無機酸である、上記[9]に記載の固体電気化学セル。
[12]前記酸が、ホウ酸、スルファミン酸、アスコルビン酸、及び3-ホスホノプロピオン酸からなる群から選択される酸である、上記[9]に記載の固体電気化学セル。
[13]リチウムイオンを吸収し、かつ放出することができる前記カソードが、元素硫黄を含む、上記[9]に記載の固体電気化学セル。
[14]前記固体電解質が、チオリン酸リチウム固体電解質である、上記[9]に記載の固体電気化学セル。
[15]前記チオリン酸リチウムが、LiF、LiCl、LiBr、LiI、Li 3 N、Li 3 P、Li 2 O、Li 3 BO 3 、及びLiBH 4 からなる群から選択されるリチウム塩でドープされていてもよい、上記[9]に記載の固体電気化学セル。
[16]前記カソードが、セレン及び/又はテルルをさらに含む、上記[13]に記載の固体電気化学セル。
[17]
以下を含む、人工界面層を有するリチウム金属電極を製造する方法:
リチウム金属の表面を、非水性溶媒に溶解した酸で処理すること;及び
処理した前記電極から前記非水性溶媒を乾燥させて、人工界面層を有するリチウム金属電極を得ること;
ここで、前記人工界面層は、リチウムイオンを伝導し、かつ電子非伝導性である。
[18]前記酸が、有機酸又は無機酸である、上記[17]に記載の、人工界面層を有するリチウム金属電極を製造する方法。
[19]前記酸が、ホウ酸、スルファミン酸、アスコルビン酸、及び3-ホスホノプロピオン酸からなる群から選択される酸である、上記[17]に記載の、人工界面層を有するリチウム金属電極を製造する方法。
[20]前記リチウム金属の前記酸溶液での処理時間が、1秒から600秒までである、上記[17]に記載の、人工界面層を有するリチウム金属電極を製造する方法。
[21]前記非水性溶媒の酸濃度が、組成物の0.1重量%から30重量%までである、上記[17]に記載の、人工界面層を有するリチウム金属電極を製造する方法。
Claims (13)
- リチウム金属と非水性溶媒に溶解した酸との反応によって生じた、塩及び/又は化合物を含む、人工界面層である表面層を有する、リチウム金属のリチウム電極であって、
前記人工界面層が、リチウムイオンを伝導し、かつ電子非伝導性であり、かつ
前記酸が、ホウ酸、スルファミン酸、アスコルビン酸、及び3-ホスホノプロピオン酸からなる群から選択される酸である、
前記リチウム電極。 - 前記人工界面層の深さが、1nmから1000nmまでである、請求項1に記載のリチウム電極。
- 以下を含む電気化学セル:
リチウム金属アノード;
リチウムイオンを吸収し、かつ放出することができるカソード;及び
前記リチウム金属アノードと前記カソードの間に配置された非水性電解質;
ここで、
人工界面層が、前記非水性電解質と前記リチウム金属アノードの間にあり、
前記人工界面層は、リチウム金属と非水性溶媒に溶解した酸との反応によって生じた、塩及び/又は化合物を含み、
前記人工界面層は、リチウムイオンを伝導し、かつ電子非伝導性であり、かつ
前記酸が、ホウ酸、スルファミン酸、アスコルビン酸、及び3-ホスホノプロピオン酸からなる群から選択される酸である。 - 前記人工界面層の深さが、1nmから1000nmまでである、請求項3に記載の電気化学セル。
- 以下を含む、固体電気化学セル:
リチウム金属アノード;
リチウムイオンを吸収し、かつ放出することができるカソード;及び
前記リチウム金属アノードと前記カソードの間に配置された固体電解質;
ここで、
人工界面層が、前記固体電解質と前記リチウム金属アノードの間にあり、
前記人工界面層は、リチウム金属と非水性溶媒に溶解した酸との反応によって生じた、塩及び/又は化合物を含み、
前記人工界面層は、リチウムイオンを伝導し、かつ電子非伝導性であり、かつ
前記酸が、ホウ酸、スルファミン酸、アスコルビン酸、及び3-ホスホノプロピオン酸からなる群から選択される酸である。 - 前記人工界面層の深さが、1nmから1000nmまでである、請求項5に記載の固体電気化学セル。
- リチウムイオンを吸収し、かつ放出することができる前記カソードが、元素硫黄を含む、請求項5に記載の固体電気化学セル。
- 前記固体電解質が、チオリン酸リチウム固体電解質である、請求項5に記載の固体電気化学セル。
- 前記チオリン酸リチウムが、LiF、LiCl、LiBr、LiI、Li3N、Li3P、Li2O、Li3BO3、及びLiBH4からなる群から選択されるリチウム塩でドープされていてもよい、請求項5に記載の固体電気化学セル。
- 前記カソードが、セレン及び/又はテルルをさらに含む、請求項7に記載の固体電気化学セル。
- 以下を含む、人工界面層を有するリチウム金属電極を製造する方法:
リチウム金属の表面を、非水性溶媒に溶解した酸で処理すること;及び
処理した前記電極から前記非水性溶媒を乾燥させて、人工界面層を有するリチウム金属電極を得ること;
ここで、前記人工界面層は、リチウムイオンを伝導し、かつ電子非伝導性であり、かつ
前記酸が、ホウ酸、スルファミン酸、アスコルビン酸、及び3-ホスホノプロピオン酸からなる群から選択される酸である。 - 前記リチウム金属の前記酸溶液での処理時間が、1秒から600秒までである、請求項11に記載の、人工界面層を有するリチウム金属電極を製造する方法。
- 前記非水性溶媒の酸濃度が、組成物の0.1重量%から30重量%までである、請求項11に記載の、人工界面層を有するリチウム金属電極を製造する方法。
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