JP7343778B2 - 光検出素子及び光検出素子の製造方法 - Google Patents
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Description
(付記1)表面に凹部又は凸部を有する基板と、前記凹部又は前記凸部に沿って設けられたグラフェン層と、前記グラフェン層に接する第1電極と、前記グラフェン層に接し、前記第1電極とは材料が異なる第2電極と、を備える光検出素子。
(付記2)前記第1電極と前記第2電極とは、互いにゼーベック係数が異なる材料で形成されている、付記1記載の光検出素子。
(付記3)前記基板の表面には、前記第1電極及び前記第2電極が形成された基準面と前記基準面に対して凹んだ前記凹部が形成されている、付記1または2記載の光検出素子。
(付記4)前記凹部の底面は前記凹部の深さ方向に対して傾斜した部分を有する、付記3記載の光検出素子。
(付記5)前記凹部の底面は湾曲している、付記3または4記載の光検出素子。
(付記6)前記凹部の側面は前記凹部の幅が前記凹部の底面側で狭くなるように傾斜している、付記3から5のいずれか一項記載の光検出素子。
(付記7)前記凹部内に形成された空間の幅は、前記グラフェン層で受光する光が前記凹部に入射したときに回折する大きさである、付記3から6のいずれか一項記載の光検出素子。
(付記8)前記凹部内に形成された前記空間の幅は、前記グラフェン層で受光する光の波長の2倍以下である、付記7記載の光検出素子。
(付記9)前記グラフェン層で受光する光は赤外光である、付記7または8記載の光検出素子。
(付記10)前記基板の表面には、前記第1電極及び前記第2電極が形成された基準面と前記基準面に対して突出した前記凸部が形成されている、付記1または2記載の光検出素子。
(付記11)前記基板の表面には前記凸部が複数形成され、隣り合う複数の前記凸部の間の底面は前記凸部の高さ方向に対して傾斜した部分を有する、付記10記載の光検出素子。
(付記12)前記基板の表面には前記凸部が複数形成され、隣り合う複数の前記凸部の間の底面は湾曲している、付記10または11記載の光検出素子。
(付記13)前記凸部の側面は、前記凸部の幅が前記凸部の先端側よりも根元側で広くなるように傾斜している、付記10から12のいずれか一項記載の光検出素子。
(付記14)前記基板の表面には前記凸部が複数形成され、隣り合う複数の前記凸部の間に形成された空間の幅は、前記グラフェン層で受光する光が隣り合う複数の前記凸部の間に入射したときに回折する大きさである、付記10から13のいずれか一項記載の光検出素子。
(付記15)隣り合う複数の前記凸部の間に形成された前記空間の幅は、前記グラフェン層で受光する光の波長の2倍以下である、付記14記載の光検出素子。
(付記16)前記グラフェン層で受光する光は赤外光である、付記14または15記載の光検出素子。
(付記17)前記凹部又は前記凸部に沿って設けられた六方晶窒化ホウ素層を備え、前記グラフェン層は前記六方晶窒化ホウ素層上に形成されている、付記1から16のいずれか一項記載の光検出素子。
(付記18)基板の表面に形成された凹部又は凸部に沿ってグラフェン層を形成する工程と、前記グラフェン層に接する第1電極を形成する工程と、前記第1電極とは材料が異なる第2電極を前記グラフェン層に接するように形成する工程と、を備える光検出素子の製造方法。
(付記19)前記基板上に前記グラフェン層を形成する工程は、支持基板に形成された凸部に沿って前記グラフェン層を形成する工程と、前記支持基板上に前記凸部及び前記グラフェン層を覆う前記基板を形成する工程と、前記基板を形成する工程の後、前記支持基板を除去する工程と、を備える、付記18記載の光検出素子の製造方法。
(付記20)前記基板上に前記グラフェン層を形成する工程は、支持基板に形成された凹部に沿って前記グラフェン層を形成する工程と、前記支持基板上に前記凹部を埋め込むように前記基板を形成する工程と、前記基板を形成する工程の後、前記支持基板を除去する工程と、を備える、付記18記載の光検出素子の製造方法。
11 基準面
12~12e 凹部
14~14d 底面
15、15a 側面
16 空間
17 開口面
22、22a 凸部
24、24a 底面
25、25a 側面
26 空間
30 絶縁層
35 六方晶窒化ホウ素層
40 グラフェン層
50、51 電極
60 支持基板
61、61a 凸部
62、63、65 レジストパターン
64、66 開口
70 樹脂基板
71 レジストパターン
72 シード層
73 支持基板
74 凹部
75 レジストパターン
76 凸部
100~500 光検出素子
Claims (14)
- 表面に凹部を有する樹脂からなる基板と、
前記凹部に沿って設けられたグラフェン層と、
前記グラフェン層に接する第1電極と、
前記グラフェン層に接し、前記第1電極とは材料が異なる第2電極と、を備える光検出素子。 - 前記基板の表面には、前記第1電極及び前記第2電極が形成された基準面と前記基準面に対して凹んだ前記凹部が形成されている、請求項1記載の光検出素子。
- 基準面と前記基準面に対して凹んだ凹部を表面に有する基板と、
前記凹部に沿って設けられたグラフェン層と、
前記グラフェン層に接して前記基準面に形成された第1電極と、
前記グラフェン層に接して前記基準面に形成され、前記第1電極とは材料が異なる第2電極と、を備え、
前記凹部の底面は前記凹部の深さ方向に対して傾斜した部分を有する光検出素子。 - 基準面と前記基準面に対して凹んだ凹部を表面に有する基板と、
前記凹部に沿って設けられたグラフェン層と、
前記グラフェン層に接して前記基準面に形成された第1電極と、
前記グラフェン層に接して前記基準面に形成され、前記第1電極とは材料が異なる第2電極と、を備え、
前記凹部の底面は湾曲している光検出素子。 - 基準面と前記基準面に対して凹んだ凹部を表面に有する基板と、
前記凹部に沿って設けられたグラフェン層と、
前記グラフェン層に接して前記基準面に形成された第1電極と、
前記グラフェン層に接して前記基準面に形成され、前記第1電極とは材料が異なる第2電極と、を備え、
前記凹部の側面は前記凹部の幅が前記凹部の底面側で狭くなるように傾斜している光検出素子。 - 基準面と前記基準面に対して凹んだ凹部を表面に有する基板と、
前記凹部に沿って設けられたグラフェン層と、
前記グラフェン層に接して前記基準面に形成された第1電極と、
前記グラフェン層に接して前記基準面に形成され、前記第1電極とは材料が異なる第2電極と、を備え、
前記凹部内に形成された空間の幅は、前記グラフェン層で受光する光が前記凹部に入射したときに回折する大きさである光検出素子。 - 前記凹部内に形成された前記空間の幅は、前記グラフェン層で受光する光の波長の2倍以下である、請求項6記載の光検出素子。
- 基準面と前記基準面に対して突出した複数の凸部を表面に有する基板と、
前記複数の凸部に沿って設けられたグラフェン層と、
前記グラフェン層に接して前記基準面に形成された第1電極と、
前記グラフェン層に接して前記基準面に形成され、前記第1電極とは材料が異なる第2電極と、を備え、
前記複数の凸部のうち隣り合う凸部の間の底面は前記複数の凸部の高さ方向に対して傾斜した部分を有する光検出素子。 - 基準面と前記基準面に対して突出した複数の凸部を表面に有する基板と、
前記複数の凸部に沿って設けられたグラフェン層と、
前記グラフェン層に接して前記基準面に形成された第1電極と、
前記グラフェン層に接して前記基準面に形成され、前記第1電極とは材料が異なる第2電極と、を備え、
前記複数の凸部のうち隣り合う凸部の間の底面は湾曲している光検出素子。 - 基準面と前記基準面に対して突出した凸部を表面に有する基板と、
前記凸部に沿って設けられたグラフェン層と、
前記グラフェン層に接して前記基準面に形成された第1電極と、
前記グラフェン層に接して前記基準面に形成され、前記第1電極とは材料が異なる第2電極と、を備え、
前記凸部の側面は、前記凸部の幅が前記凸部の先端側よりも根元側で広くなるように傾斜している光検出素子。 - 基準面と前記基準面に対して突出した複数の凸部を表面に有する基板と、
前記複数の凸部に沿って設けられたグラフェン層と、
前記グラフェン層に接して前記基準面に形成された第1電極と、
前記グラフェン層に接して前記基準面に形成され、前記第1電極とは材料が異なる第2電極と、を備え、
前記複数の凸部のうち隣り合う凸部の間に形成された空間の幅は、前記グラフェン層で受光する光が前記隣り合う凸部の間に入射したときに回折する大きさである光検出素子。 - 前記隣り合う凸部の間に形成された前記空間の幅は、前記グラフェン層で受光する光の波長の2倍以下である、請求項11記載の光検出素子。
- 前記第1電極と前記第2電極とは、互いにゼーベック係数が異なる材料で形成されている、請求項1から12のいずれか一項記載の光検出素子。
- 樹脂からなる基板の表面に形成された凹部に沿ってグラフェン層を形成する工程と、
前記グラフェン層に接する第1電極を形成する工程と、
前記第1電極とは材料が異なる第2電極を前記グラフェン層に接するように形成する工程と、を備える光検出素子の製造方法。
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JP2019221996A JP7343778B2 (ja) | 2019-12-09 | 2019-12-09 | 光検出素子及び光検出素子の製造方法 |
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Citations (7)
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JP2013084581A (ja) | 2011-09-16 | 2013-05-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 蓄電装置 |
US20140273415A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Solan, LLC | Methods for manufacturing nonplanar graphite-based devices having multiple bandgaps |
CN105957955A (zh) | 2016-07-19 | 2016-09-21 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 一种基于石墨烯平面结的光电探测器 |
WO2017188438A1 (ja) | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 国立大学法人東京工業大学 | テラヘルツ波検出装置およびアレイセンサ |
WO2018163496A1 (ja) | 2017-03-10 | 2018-09-13 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器、電磁波検出器アレイおよび電磁波検出方法 |
JP2019169523A (ja) | 2018-03-22 | 2019-10-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出素子 |
WO2020003613A1 (ja) | 2018-06-26 | 2020-01-02 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器および電磁波検出器アレイ |
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2019
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013084581A (ja) | 2011-09-16 | 2013-05-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 蓄電装置 |
US20140273415A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Solan, LLC | Methods for manufacturing nonplanar graphite-based devices having multiple bandgaps |
WO2017188438A1 (ja) | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 国立大学法人東京工業大学 | テラヘルツ波検出装置およびアレイセンサ |
CN105957955A (zh) | 2016-07-19 | 2016-09-21 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 一种基于石墨烯平面结的光电探测器 |
WO2018163496A1 (ja) | 2017-03-10 | 2018-09-13 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器、電磁波検出器アレイおよび電磁波検出方法 |
JP2019169523A (ja) | 2018-03-22 | 2019-10-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出素子 |
WO2020003613A1 (ja) | 2018-06-26 | 2020-01-02 | 三菱電機株式会社 | 電磁波検出器および電磁波検出器アレイ |
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