JP7343445B2 - ビーム電流動作の広い範囲におけるイオンビームの制御 - Google Patents
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Description
本発明は、一般的に、電子装置の製造のための技術に関し、特に、本発明は、ビームラ
インイオン注入機においてイオンビームを制御するためのコンポーネント及び方法に関す
る。
インイオン注入機においてイオンビームを制御するためのコンポーネント及び方法に関す
る。
イオン注入は、衝撃によりドーパント又は不純物を基板に導入するプロセスである。半
導体製造において、ドーパントは、電気的、光学的又は機械的特性を変えるために、導入
される。例えば、ドーパントは、基板の導電率のタイプ及びレベルを変えるために、固有
の半導体基板に導入することができる。集積回路（IC）の製造において、正確なドーピン
グプロファイルにより、向上したIC性能を供給する。意図したドーピングプロファイルを
実現するために、様々な線量及び様々なエネルギーレベルのイオンの形状において、１つ
以上のドーパントを注入することができる。
導体製造において、ドーパントは、電気的、光学的又は機械的特性を変えるために、導入
される。例えば、ドーパントは、基板の導電率のタイプ及びレベルを変えるために、固有
の半導体基板に導入することができる。集積回路（IC）の製造において、正確なドーピン
グプロファイルにより、向上したIC性能を供給する。意図したドーピングプロファイルを
実現するために、様々な線量及び様々なエネルギーレベルのイオンの形状において、１つ
以上のドーパントを注入することができる。
従来のイオン注入システムは、イオン源及び一連のビームラインコンポーネントを備え
ることができる。イオン源は、意図したイオンが生成されるチャンバーを備えることがで
きる。イオン源は、チャンバーの近くに配置される電源及び引き出し電極アセンブリも備
えることができる。ビームラインコンポーネントは、例えば、質量分析器、第１の加速又
は減速ステージ、コリメータ、及び、第２の加速又は減速ステージを含むことができる。
光ビームを操作するための一連の光学レンズによく似て、ビームラインコンポーネントは
、意図した種、形状、エネルギー及び他の性質を有する、イオン又はイオンビームをフィ
ルタし、焦点に集め、及び、操作することができる。イオンビームはビームラインコンポ
ーネントを通過し、イオンビームをプラテン又はクランプの上に載せた基板の方へ向ける
ことができる。基板は、roplatと呼ばれることもある装置により、一次元以上の次元で動
かす（例えば、平行移動させ、回転させ、及び、傾ける）ことができる。
ることができる。イオン源は、意図したイオンが生成されるチャンバーを備えることがで
きる。イオン源は、チャンバーの近くに配置される電源及び引き出し電極アセンブリも備
えることができる。ビームラインコンポーネントは、例えば、質量分析器、第１の加速又
は減速ステージ、コリメータ、及び、第２の加速又は減速ステージを含むことができる。
光ビームを操作するための一連の光学レンズによく似て、ビームラインコンポーネントは
、意図した種、形状、エネルギー及び他の性質を有する、イオン又はイオンビームをフィ
ルタし、焦点に集め、及び、操作することができる。イオンビームはビームラインコンポ
ーネントを通過し、イオンビームをプラテン又はクランプの上に載せた基板の方へ向ける
ことができる。基板は、roplatと呼ばれることもある装置により、一次元以上の次元で動
かす（例えば、平行移動させ、回転させ、及び、傾ける）ことができる。
いくつかのアプリケーションにおいて、例えば、注入されるべき基板のスループットを
増大するために、ビーム電流を増大することは有用であり得る。ビームラインイオン注入
機は、例えば、１KeVと３００KeVとの間のエネルギーの範囲にわたって基板に注入するた
めに、用いることができる。これにより、シリコンウェーハなどの基板を異なるイオンエ
ネルギーで様々な注入を予定して処理するために、柔軟性を与える。注入エネルギーを画
定するために、イオン源と注入すべき基板との間のビームラインイオン注入機の様々なコ
ンポーネント（例えば、加速器）により、イオンビームは、加速及び／又は減速を受ける
ことになり得る。
増大するために、ビーム電流を増大することは有用であり得る。ビームラインイオン注入
機は、例えば、１KeVと３００KeVとの間のエネルギーの範囲にわたって基板に注入するた
めに、用いることができる。これにより、シリコンウェーハなどの基板を異なるイオンエ
ネルギーで様々な注入を予定して処理するために、柔軟性を与える。注入エネルギーを画
定するために、イオン源と注入すべき基板との間のビームラインイオン注入機の様々なコ
ンポーネント（例えば、加速器）により、イオンビームは、加速及び／又は減速を受ける
ことになり得る。
既存の加速器は、端子電極、集束電極及び接地電極に限定され得て、加速器は端子から
イオンビームを受ける。既存の加速器を備える以外に、例えば、ビーム電流が、１９５Ke
VのAs+ビームに対して９mAを上回って高すぎる場合、ビームは、集束に達し得ないで、し
たがって、ビームの伝送損失により、ビームラインを通って送ることができない。したが
って、ウェーハに注入するために使用できるビーム電流は限定され、不十分な製造スルー
プットの結果となる。他方、例えば、ビーム電流が、３００KeVのB+ビームに対して０．
５mAを下回って低すぎる場合、ビームは、過度に集束し得て、したがって、ウェーハへ適
切に送ることができない。
イオンビームを受ける。既存の加速器を備える以外に、例えば、ビーム電流が、１９５Ke
VのAs+ビームに対して９mAを上回って高すぎる場合、ビームは、集束に達し得ないで、し
たがって、ビームの伝送損失により、ビームラインを通って送ることができない。したが
って、ウェーハに注入するために使用できるビーム電流は限定され、不十分な製造スルー
プットの結果となる。他方、例えば、ビーム電流が、３００KeVのB+ビームに対して０．
５mAを下回って低すぎる場合、ビームは、過度に集束し得て、したがって、ウェーハへ適
切に送ることができない。
前述に鑑みて、例えば、加速器において、イオンビームを制御するための装置、システ
ム及び方法が提供される。例示的アプローチにおいて、イオン注入システムは、イオンビ
ームを生成するためのイオン源と、端子に連結される端子抑制電極と、を含み、該端子抑
制電極は、該端子抑制電極のアパーチャを通って前記イオンビームを導き、第１の電圧源
から第１の電位を前記イオンビームへ印加するように構成される。前記システムは、さら
に、前記端子に連結され、前記端子抑制電極に隣接して配置されるレンズであって、該レ
ンズは、該レンズのアパーチャを通って前記イオンビームを導き、第２の電圧源から第２
の電位を前記イオンビームへ印加するように構成されるレンズを含む。例示的アプローチ
において、前記第１及び前記第２の電位は、各々、前記レンズは前記端子及び前記端子抑
制電極から電気的に絶縁され、独立に制御され、したがって、前記レンズが増大したビー
ム電流動作範囲に対して独立に駆動されることを可能にする。前記システムは、さらに、
該レンズから前記イオンビームを受けるように構成され、第３の電位を前記イオンビーム
へ印加するように構成される集束電極と、該集束電極から前記イオンビームを受けるよう
に構成される接地電極アセンブリと、を含む。
ム及び方法が提供される。例示的アプローチにおいて、イオン注入システムは、イオンビ
ームを生成するためのイオン源と、端子に連結される端子抑制電極と、を含み、該端子抑
制電極は、該端子抑制電極のアパーチャを通って前記イオンビームを導き、第１の電圧源
から第１の電位を前記イオンビームへ印加するように構成される。前記システムは、さら
に、前記端子に連結され、前記端子抑制電極に隣接して配置されるレンズであって、該レ
ンズは、該レンズのアパーチャを通って前記イオンビームを導き、第２の電圧源から第２
の電位を前記イオンビームへ印加するように構成されるレンズを含む。例示的アプローチ
において、前記第１及び前記第２の電位は、各々、前記レンズは前記端子及び前記端子抑
制電極から電気的に絶縁され、独立に制御され、したがって、前記レンズが増大したビー
ム電流動作範囲に対して独立に駆動されることを可能にする。前記システムは、さらに、
該レンズから前記イオンビームを受けるように構成され、第３の電位を前記イオンビーム
へ印加するように構成される集束電極と、該集束電極から前記イオンビームを受けるよう
に構成される接地電極アセンブリと、を含む。
本発明による、例示的装置は、第１の電極のアパーチャを通ってイオンビームを導き、
第１の電位を前記イオンビームへ印加するように構成される第１の電極を含んでもよい。
前記装置は、さらに、該第１の電極に隣接するレンズであって、該レンズは、該レンズの
アパーチャを通って前記イオンビームを導き、第２の電位を前記イオンビームへ印加する
ように構成され、前記第２の電位は前記第１の電位から独立に印加される、レンズを含む
。前記装置は、さらに、該レンズから前記イオンビームを受けるように構成される第２の
電極と、該第２の電極から前記イオンビームを受けるように構成される第３の電極アセン
ブリと、を含む。
第１の電位を前記イオンビームへ印加するように構成される第１の電極を含んでもよい。
前記装置は、さらに、該第１の電極に隣接するレンズであって、該レンズは、該レンズの
アパーチャを通って前記イオンビームを導き、第２の電位を前記イオンビームへ印加する
ように構成され、前記第２の電位は前記第１の電位から独立に印加される、レンズを含む
。前記装置は、さらに、該レンズから前記イオンビームを受けるように構成される第２の
電極と、該第２の電極から前記イオンビームを受けるように構成される第３の電極アセン
ブリと、を含む。
本発明による、例示的システムは、イオンビームを生成するためのイオン源と、端子に
連結される端子抑制電極と、を含んでもよい。該端子抑制電極は、該端子抑制電極のアパ
ーチャを通って前記イオンビームを導き、第１の電圧源から第１の電位を前記イオンビー
ムへ印加するように構成されてもよい。前記システムは、さらに、前記端子に連結され、
前記端子抑制電極に隣接して配置されるレンズであって、該レンズは、該レンズのアパー
チャを通って前記イオンビームを導き、第２の電圧源から第２の電位を前記イオンビーム
へ印加するように構成されるレンズを含む。前記第１及び前記第２の電位は、各々、独立
に制御され、前記レンズは前記端子抑制電極から電気的に絶縁されてもよい。前記システ
ムは、さらに、該レンズから前記イオンビームを受けるように構成され、第３の電位を前
記イオンビームへ印加するように構成される集束電極と、該集束電極から前記イオンビー
ムを受けるように構成される接地電極アセンブリと、を含む。
連結される端子抑制電極と、を含んでもよい。該端子抑制電極は、該端子抑制電極のアパ
ーチャを通って前記イオンビームを導き、第１の電圧源から第１の電位を前記イオンビー
ムへ印加するように構成されてもよい。前記システムは、さらに、前記端子に連結され、
前記端子抑制電極に隣接して配置されるレンズであって、該レンズは、該レンズのアパー
チャを通って前記イオンビームを導き、第２の電圧源から第２の電位を前記イオンビーム
へ印加するように構成されるレンズを含む。前記第１及び前記第２の電位は、各々、独立
に制御され、前記レンズは前記端子抑制電極から電気的に絶縁されてもよい。前記システ
ムは、さらに、該レンズから前記イオンビームを受けるように構成され、第３の電位を前
記イオンビームへ印加するように構成される集束電極と、該集束電極から前記イオンビー
ムを受けるように構成される接地電極アセンブリと、を含む。
本発明による、例示的方法は、前記イオンビームを、イオンビームラインに沿って、及
び、第１の電極のアパーチャを通って導くために、第１の電位を第１の電極に印加するス
テップと、前記イオンビームを、前記レンズのアパーチャを通って導くために、第２の電
位をレンズに印加するステップであって、前記レンズは前記第１の電極に隣接して配置さ
れ、前記第１の電位及び前記第２の電位は異なる電圧源により独立に生成される、ステッ
プと、を含んでもよい。前記方法は、さらに、前記イオンビームを第２の電極で受けるス
テップと、前記イオンビームを前記第２の電極から第３の電極アセンブリで受けるステッ
プと、を含んでもよい。
び、第１の電極のアパーチャを通って導くために、第１の電位を第１の電極に印加するス
テップと、前記イオンビームを、前記レンズのアパーチャを通って導くために、第２の電
位をレンズに印加するステップであって、前記レンズは前記第１の電極に隣接して配置さ
れ、前記第１の電位及び前記第２の電位は異なる電圧源により独立に生成される、ステッ
プと、を含んでもよい。前記方法は、さらに、前記イオンビームを第２の電極で受けるス
テップと、前記イオンビームを前記第２の電極から第３の電極アセンブリで受けるステッ
プと、を含んでもよい。
図面は、必ずしも縮尺比に従っていない。図面は、単なる表現であり、本発明の特定の
パラメータを表現することを意図していない。図面は、本発明の例示的実施形態を表現す
ることを意図しており、したがって、発明の範囲を限定するものとして考慮すべきではな
い。図面において、同様の番号は同様の要素を表わす。
パラメータを表現することを意図していない。図面は、本発明の例示的実施形態を表現す
ることを意図しており、したがって、発明の範囲を限定するものとして考慮すべきではな
い。図面において、同様の番号は同様の要素を表わす。
さらに、いくつかの図面の特定の要素は、省略することができ、又は、例示的明確性の
ために、縮尺比に従わずに例示される。断面図は、例示的明確性のために、「真の」断面
図では見られる特定の背景線を省略する、「スライスの」又は「近視眼的な」断面図の形
式にすることができる。さらに、明確性のために、いくつかの参照番号は、特定の図面に
おいて、省略することができる。
ために、縮尺比に従わずに例示される。断面図は、例示的明確性のために、「真の」断面
図では見られる特定の背景線を省略する、「スライスの」又は「近視眼的な」断面図の形
式にすることができる。さらに、明確性のために、いくつかの参照番号は、特定の図面に
おいて、省略することができる。
本発明によるシステム及び方法は、システム及び方法の実施形態が示されている添付図
面を参照して以下でより詳しく説明される。システム及び方法は多くの異なる形態に具体
化することができ、本明細書に記載される実施形態に限定されるものと解釈すべきでない
。その代わりに、これらの実施形態は、本開示が徹底的で完全になり、システム及び方法
の範囲が当業者に十分に伝わるように提供される。
面を参照して以下でより詳しく説明される。システム及び方法は多くの異なる形態に具体
化することができ、本明細書に記載される実施形態に限定されるものと解釈すべきでない
。その代わりに、これらの実施形態は、本開示が徹底的で完全になり、システム及び方法
の範囲が当業者に十分に伝わるように提供される。
図に現れるような半導体製造装置のコンポーネントの各々の配置及び方向付けに対して
、これらのコンポーネント及びそれらの構成部分の相対的配置及び方向付けを説明するた
めに、利便性及び明確性のため、「頂部」、「底部」、「上部の」、「下部の」、「垂直
な」、「水平な」、「横方向の」及び「長手方向の」などの用語を本明細書で用いる。用
語は、特定言及語、その派生語及び類似のインポート語を含む。
、これらのコンポーネント及びそれらの構成部分の相対的配置及び方向付けを説明するた
めに、利便性及び明確性のため、「頂部」、「底部」、「上部の」、「下部の」、「垂直
な」、「水平な」、「横方向の」及び「長手方向の」などの用語を本明細書で用いる。用
語は、特定言及語、その派生語及び類似のインポート語を含む。
本明細書で用いられるように、単数で記載され、及び、語「a」又は「an」に続けられ
る、要素又は動作は、その除外が明白に述べられるまでは、複数の要素又は動作を含むと
して、理解すべきである。さらに、本発明の「一実施形態」の言及は、限定することを意
図していない。追加の実施形態も、記載した特徴を含むことができる。
る、要素又は動作は、その除外が明白に述べられるまでは、複数の要素又は動作を含むと
して、理解すべきである。さらに、本発明の「一実施形態」の言及は、限定することを意
図していない。追加の実施形態も、記載した特徴を含むことができる。
上述のように、本明細書で提供するのは、例えば、イオン注入システムの加速器内のイ
オンビームを制御するための装置、システム及び方法である。例示的アプローチにおいて
、イオン注入システムは、イオンビームを生成するためのイオン源及び端子に連結される
端子抑制電極を含み、端子抑制電極は、イオンビームを端子抑制電極のアパーチャを通っ
て導き、第１の電圧源から第１の電位をイオンビームに印加するように構成される。シス
テムは、さらに、端子に連結され、端子抑制電極に隣接して配置されるレンズを含み、レ
ンズは、イオンビームをレンズのアパーチャを通って導き、第２の電圧源から第２の電位
をイオンビームに印加するように構成される。
オンビームを制御するための装置、システム及び方法である。例示的アプローチにおいて
、イオン注入システムは、イオンビームを生成するためのイオン源及び端子に連結される
端子抑制電極を含み、端子抑制電極は、イオンビームを端子抑制電極のアパーチャを通っ
て導き、第１の電圧源から第１の電位をイオンビームに印加するように構成される。シス
テムは、さらに、端子に連結され、端子抑制電極に隣接して配置されるレンズを含み、レ
ンズは、イオンビームをレンズのアパーチャを通って導き、第２の電圧源から第２の電位
をイオンビームに印加するように構成される。
例示的アプローチにおいて、レンズは、端子抑制電極から電気的に絶縁され、独立に駆
動され、したがって、ビーム電流の動作範囲の増大を可能にする。具体的には、端子抑制
電極を調整可能レンズから分離することにより、システムは、ビーム電流の動作範囲を、
例えば、０．１mAから２５．７mAへ、増大することができ、したがって、電源デバイス製
造などの高ドーズ（例えば、６０keVから３００keVのビームエネルギー範囲で）アプリケ
ーションのために、中電流イオン注入機を用いることを可能にする。
動され、したがって、ビーム電流の動作範囲の増大を可能にする。具体的には、端子抑制
電極を調整可能レンズから分離することにより、システムは、ビーム電流の動作範囲を、
例えば、０．１mAから２５．７mAへ、増大することができ、したがって、電源デバイス製
造などの高ドーズ（例えば、６０keVから３００keVのビームエネルギー範囲で）アプリケ
ーションのために、中電流イオン注入機を用いることを可能にする。
本明細書において、加速器／減速器とも呼ばれる加速／減速コラムに関連して、実施形
態を説明する。加速器／減速器は、基板に提供するよう意図するイオンビームを制御する
ために、ビームラインイオン注入機に提供される装置とすることができる。加速器／減速
器は、各々が、イオンビームを送り、イオンビームに電位を印加するように構成される、
複数の電極を含むことができ、したがって、接地などの基準に対して、イオンビームの電
位（電圧）を増大する又は減少する結果となる。加速器／減速器は、したがって、イオン
ビームがイオン源から引き出されて、意図する注入エネルギーなどのターゲットエネルギ
ーにされた後に、イオンビームを加速する又は減速するように機能することができる。加
速器／減速器は、イオンエネルギー及びイオンビームのビーム電流の範囲にわたって、意
図するビーム光学を提供するように機能することもできる。したがって、加速器／減速器
は、各々が許容範囲のままである、意図する形状、サイズ、コリメーション、収束又は発
散を有するイオンビームを出力するように動作することができる。加速器／減速器は、さ
らに、以下に、もっと詳細に説明するように、調整可能なレンズを含む。
態を説明する。加速器／減速器は、基板に提供するよう意図するイオンビームを制御する
ために、ビームラインイオン注入機に提供される装置とすることができる。加速器／減速
器は、各々が、イオンビームを送り、イオンビームに電位を印加するように構成される、
複数の電極を含むことができ、したがって、接地などの基準に対して、イオンビームの電
位（電圧）を増大する又は減少する結果となる。加速器／減速器は、したがって、イオン
ビームがイオン源から引き出されて、意図する注入エネルギーなどのターゲットエネルギ
ーにされた後に、イオンビームを加速する又は減速するように機能することができる。加
速器／減速器は、イオンエネルギー及びイオンビームのビーム電流の範囲にわたって、意
図するビーム光学を提供するように機能することもできる。したがって、加速器／減速器
は、各々が許容範囲のままである、意図する形状、サイズ、コリメーション、収束又は発
散を有するイオンビームを出力するように動作することができる。加速器／減速器は、さ
らに、以下に、もっと詳細に説明するように、調整可能なレンズを含む。
図１は、本発明の様々な実施形態による、イオン注入機１００として示すビームライン
イオン注入機のブロック形式の頂面図である。イオン注入機１００は、イオンビーム１０
４を生成するように構成されるイオン源１０２を含む。イオンビーム１０４は、（図示の
デカルト座標のＹ方向に沿う）ビームの高さより大きい（Ｘ方向に沿う）ビームの幅の断
面を有するスポットビーム又はリボンビームとして提供することができる。本明細書で用
いる技術において、Ｚ方向は、イオンビーム１０４の中央線軌跡に平行な軸の方向を言う
。したがって、（Ｚ方向に垂直な）Ｘ方向だけでなく、Ｚ方向の絶対方向は、図示のよう
に、イオン注入機１００内の異なる点で、変わり得る。
イオン注入機のブロック形式の頂面図である。イオン注入機１００は、イオンビーム１０
４を生成するように構成されるイオン源１０２を含む。イオンビーム１０４は、（図示の
デカルト座標のＹ方向に沿う）ビームの高さより大きい（Ｘ方向に沿う）ビームの幅の断
面を有するスポットビーム又はリボンビームとして提供することができる。本明細書で用
いる技術において、Ｚ方向は、イオンビーム１０４の中央線軌跡に平行な軸の方向を言う
。したがって、（Ｚ方向に垂直な）Ｘ方向だけでなく、Ｚ方向の絶対方向は、図示のよう
に、イオン注入機１００内の異なる点で、変わり得る。
イオン源１０２は、イオンチャンバーに供給される供給ガスがイオン化されるイオンチ
ャンバーを含むことができる。このガスは、水素、ヘリウム、他の希ガス、酸素、窒素、
ヒ素、ホウ素、リン、アルミ二ウム、インジウム、アンチモン、カルボラン、アルカン、
別の大分子化合物、又は、他のｐ型又はｎ型ドーパントであり得るか、又は、それらを含
むことができる。生成されたイオンは、イオンビーム１０４を形成するために、一連の引
き出し電極（図示せず）により、イオンチャンバーから引き出すことができる。イオンビ
ーム１０４は、基板ステージ１１４の上に配置された基板１１６に衝突する前に、アナラ
イザー磁石１０６、質量分離スリット１０８、及び、コリメータ１１２を通って進むこと
ができる。基板ステージ１１４は、いくつかの実施形態において、基板１１６を少なくと
もＹ方向に沿ってスキャンするように構成することができる。
ャンバーを含むことができる。このガスは、水素、ヘリウム、他の希ガス、酸素、窒素、
ヒ素、ホウ素、リン、アルミ二ウム、インジウム、アンチモン、カルボラン、アルカン、
別の大分子化合物、又は、他のｐ型又はｎ型ドーパントであり得るか、又は、それらを含
むことができる。生成されたイオンは、イオンビーム１０４を形成するために、一連の引
き出し電極（図示せず）により、イオンチャンバーから引き出すことができる。イオンビ
ーム１０４は、基板ステージ１１４の上に配置された基板１１６に衝突する前に、アナラ
イザー磁石１０６、質量分離スリット１０８、及び、コリメータ１１２を通って進むこと
ができる。基板ステージ１１４は、いくつかの実施形態において、基板１１６を少なくと
もＹ方向に沿ってスキャンするように構成することができる。
図１に示す例において、基板１１６の幅Ｗに相当する幅を有するスキャンイオンビーム
を供給するために、Ｘ方向に沿ってスキャナ１１０によりスキャンするスポットビームと
して、イオンビーム１０４を供給することができる。他の実施形態において、イオンビー
ム１０４をリボンビームとして供給することができる。図１の例において、イオン注入機
１００の動作に有用な他のビームラインコンポーネントは、当業者に明らかであるので、
明確にするために省略する。
を供給するために、Ｘ方向に沿ってスキャナ１１０によりスキャンするスポットビームと
して、イオンビーム１０４を供給することができる。他の実施形態において、イオンビー
ム１０４をリボンビームとして供給することができる。図１の例において、イオン注入機
１００の動作に有用な他のビームラインコンポーネントは、当業者に明らかであるので、
明確にするために省略する。
イオン注入機１００は、さらに、加速器／減速器１１８を含む。図１に示すように、加
速器／減速器１１８は、イオン源１０２とアナライザー磁石１０６との間の点Ａに配置す
ることができる。他の実施形態において、加速器／減速器１１８は、点Ｂ又は点Ｃなどの
イオン注入機１００内の他の位置に配置することができる。加速器／減速器１１８は、他
の電極に対して加速器／減速器１１８内の電極の位置を調整するために、動作可能な駆動
システム１２０に連結することができる。これにより、数ある中でも、イオンビーム１０
４の所定のイオンエネルギーで、イオンビーム１０４内のビーム電流を調整することが可
能になる。
速器／減速器１１８は、イオン源１０２とアナライザー磁石１０６との間の点Ａに配置す
ることができる。他の実施形態において、加速器／減速器１１８は、点Ｂ又は点Ｃなどの
イオン注入機１００内の他の位置に配置することができる。加速器／減速器１１８は、他
の電極に対して加速器／減速器１１８内の電極の位置を調整するために、動作可能な駆動
システム１２０に連結することができる。これにより、数ある中でも、イオンビーム１０
４の所定のイオンエネルギーで、イオンビーム１０４内のビーム電流を調整することが可
能になる。
様々な実施形態において、「中位の」エネルギーイオン注入に対して、すなわち、一価
のイオンに対する６０keVから３００keVの注入エネルギー範囲に対応する、６０kVから３
００kVの電圧範囲に対して、イオンビームを供給するように、イオン注入機１００を構成
することができる。以下に論じるように、加速器／減速器１１８のレンズは、端子抑制電
極から電気的に絶縁され、独立に駆動され、したがって、イオン注入機１００のビーム電
流の動作範囲の増大を可能にする。
のイオンに対する６０keVから３００keVの注入エネルギー範囲に対応する、６０kVから３
００kVの電圧範囲に対して、イオンビームを供給するように、イオン注入機１００を構成
することができる。以下に論じるように、加速器／減速器１１８のレンズは、端子抑制電
極から電気的に絶縁され、独立に駆動され、したがって、イオン注入機１００のビーム電
流の動作範囲の増大を可能にする。
図２～３は様々な実施形態による加速器／減速器１１８の、それぞれ、側面図及び正面
図を示す。一実施形態において、加速器／減速器１１８は、第１の電極１２２及び第１の
電極１２２に隣接して配置されたレンズ１３０を内蔵する端子１２４を含み、端子１２４
は、イオン源１０２からのイオンビーム１０４（図１）を受けるように構成される。一実
施形態において、第１の電極１２２は、端子１２４に連結され、その中に形成されたアパ
ーチャ１２６を通ってイオンビーム１０４を導くように構成される端子抑制電極とするこ
とができる。イオンビーム１０４を、第１の電極１２２の下流に隣接して位置づけられた
レンズ１３０へ、イオンビームラインに沿って、通すために、第１の電極１２２は、第１
の電圧源１２３からの第１の電極電位（Ｖsupp）を、イオンビーム１０４へ印加するよう
に構成される。レンズ１３０は、また、端子１２４に連結され、レンズ１３０のアパーチ
ャ１３４を通ってイオンビーム１０４を導くように構成され、第２の電圧源１２５からの
第２の電位（Ｖlens）を、イオンビーム１０４へ印加するように構成される。
図を示す。一実施形態において、加速器／減速器１１８は、第１の電極１２２及び第１の
電極１２２に隣接して配置されたレンズ１３０を内蔵する端子１２４を含み、端子１２４
は、イオン源１０２からのイオンビーム１０４（図１）を受けるように構成される。一実
施形態において、第１の電極１２２は、端子１２４に連結され、その中に形成されたアパ
ーチャ１２６を通ってイオンビーム１０４を導くように構成される端子抑制電極とするこ
とができる。イオンビーム１０４を、第１の電極１２２の下流に隣接して位置づけられた
レンズ１３０へ、イオンビームラインに沿って、通すために、第１の電極１２２は、第１
の電圧源１２３からの第１の電極電位（Ｖsupp）を、イオンビーム１０４へ印加するよう
に構成される。レンズ１３０は、また、端子１２４に連結され、レンズ１３０のアパーチ
ャ１３４を通ってイオンビーム１０４を導くように構成され、第２の電圧源１２５からの
第２の電位（Ｖlens）を、イオンビーム１０４へ印加するように構成される。
図示のように、加速器／減速器１１８は、各々が端子１２４を通って伸びる第１のコネクタ１４０及び第２のコネクタ１４２を含む絶縁体１３８を、さらに含む。第１のコネクタ１４０は、第１の電極１２２及び第１の電圧源（Ｖsupp）に連結され、第２のコネクタ１４２は、レンズ１３０及び第２の電圧源（Ｖlens）に連結され、したがって、レンズ１３０が端子１２４から電気的に絶縁されることを可能にし、第１の電極１２２に第１及び第２の電位の独立制御をさせることを可能にする。一実施形態において、第１及び第２のコネクタ１４０、１４２は、端子を通って形成される一組のアパーチャを通って、加速器／減速器１１８の内部空洞の中へ伸びる。
加速器／減速器１１８は、さらに、レンズ１３０からイオンビーム１０４を受けるよう
に構成される集束電極１４４などの第２の電極１４４を含み、第２の電極１４４は、第３
の電圧源１２７から第３の電位（Ｖfocus）を印加するように構成される。第２の電極１
４４は、接地電極アセンブリなどの第３の電極アセンブリ１４８へイオンビーム１０４を
供給することができる。一実施形態において、第３の電極アセンブリ１４８は、その中に
形成されるアパーチャを有する接地電極１５２、接地抑制電極１５４、及び接地コンポー
ネント１５６を含む。第３の電極アセンブリ１４８は、さらに、加速器／減速器１１８を
イオン注入機１００内の隣接コンポーネントに固定するための連結器１５８を含む。接地
電極１５２、接地抑制電極１５４、及び接地コンポーネント１５６は、全体で、イオンビ
ーム１０４へ、第４の電圧源１２９から第４の電位（Ｖaccel）を印加するように構成さ
れる。
に構成される集束電極１４４などの第２の電極１４４を含み、第２の電極１４４は、第３
の電圧源１２７から第３の電位（Ｖfocus）を印加するように構成される。第２の電極１
４４は、接地電極アセンブリなどの第３の電極アセンブリ１４８へイオンビーム１０４を
供給することができる。一実施形態において、第３の電極アセンブリ１４８は、その中に
形成されるアパーチャを有する接地電極１５２、接地抑制電極１５４、及び接地コンポー
ネント１５６を含む。第３の電極アセンブリ１４８は、さらに、加速器／減速器１１８を
イオン注入機１００内の隣接コンポーネントに固定するための連結器１５８を含む。接地
電極１５２、接地抑制電極１５４、及び接地コンポーネント１５６は、全体で、イオンビ
ーム１０４へ、第４の電圧源１２９から第４の電位（Ｖaccel）を印加するように構成さ
れる。
加速器／減速器１１８の動作の一例において、引き出し電極（図示せず）を用いて５０
kVなどのターゲット引き出し電圧で、イオンビーム１０４をイオン源１０２から引き出す
ことができる（図１）。これにより、ターゲットのビーム電流又はビーム線量を基板１１
６へ送るために（図１）、イオン源１０２に直接隣接したイオンビーム１０４のための、
適切な引き出しビーム電流を供給することができる。加速器／減速器１１８は、注入のた
めに意図するエネルギーをイオンビーム１０４へ与えるために、引き出したイオンビーム
の電圧（電位）を変えることにより、引き出し電極により生成されたイオンビーム１０４
の最初のビーム電位を調整することができる。
kVなどのターゲット引き出し電圧で、イオンビーム１０４をイオン源１０２から引き出す
ことができる（図１）。これにより、ターゲットのビーム電流又はビーム線量を基板１１
６へ送るために（図１）、イオン源１０２に直接隣接したイオンビーム１０４のための、
適切な引き出しビーム電流を供給することができる。加速器／減速器１１８は、注入のた
めに意図するエネルギーをイオンビーム１０４へ与えるために、引き出したイオンビーム
の電圧（電位）を変えることにより、引き出し電極により生成されたイオンビーム１０４
の最初のビーム電位を調整することができる。
今度は、図３～４を参照するに、例示的レンズをもっと詳細に説明する。一実施形態に
おいて、レンズ１３０は、イオン源１０２からのイオンビーム１０４（図１）などのビー
ムを供給するための端子レンズである。用語「端子」は、イオンビーム１０４を当てる最
後のレンズを参照するために用いられる。イオンビーム１０４は、一般的に、端子レンズ
１３０から生じるのではなく、その代わりに、端子レンズ１３０から出力され、第２の電
極１４４などの別のデバイス又はコンポーネントへ照射される。例えば、レンズ１３０の
正確な動作は変わり得るけれども、レンズ１３０は、一般的に、イオンビーム１０４に電
界及び／又は磁界を当てるために、意図する種をレンズ１３０を通して第２の電極の上へ
選択し又は向けるために、動作する。そこから照射されるイオンビーム１０４は、集束さ
れ、平行にされ、又はそうでない特定の方法で、出力することができる。一実施形態にお
いて、イオンビーム１０４のイオン又は電子がアパーチャ１３４を通り抜ける時間中、レ
ンズ１３０は特定の電圧（Ｖlens）に保持される。他の実施形態において、レンズ１３０
は、加速器／減速器１１８から意図する出力を供給するために、イオン注入機１００の１
つ以上の追加レンズ及び他のコンポーネントと連動して、動作することができる。
おいて、レンズ１３０は、イオン源１０２からのイオンビーム１０４（図１）などのビー
ムを供給するための端子レンズである。用語「端子」は、イオンビーム１０４を当てる最
後のレンズを参照するために用いられる。イオンビーム１０４は、一般的に、端子レンズ
１３０から生じるのではなく、その代わりに、端子レンズ１３０から出力され、第２の電
極１４４などの別のデバイス又はコンポーネントへ照射される。例えば、レンズ１３０の
正確な動作は変わり得るけれども、レンズ１３０は、一般的に、イオンビーム１０４に電
界及び／又は磁界を当てるために、意図する種をレンズ１３０を通して第２の電極の上へ
選択し又は向けるために、動作する。そこから照射されるイオンビーム１０４は、集束さ
れ、平行にされ、又はそうでない特定の方法で、出力することができる。一実施形態にお
いて、イオンビーム１０４のイオン又は電子がアパーチャ１３４を通り抜ける時間中、レ
ンズ１３０は特定の電圧（Ｖlens）に保持される。他の実施形態において、レンズ１３０
は、加速器／減速器１１８から意図する出力を供給するために、イオン注入機１００の１
つ以上の追加レンズ及び他のコンポーネントと連動して、動作することができる。
一実施形態において、端子レンズ１３０の電位（Ｖlens）は、高圧電源１２３により、
端子１２４に対して－５０kVから＋５０kVの範囲に設定することができる。例えば、レン
ズ１３０の電位が端子１２４及び第１の電極１２２に対して、正であるとき、イオンビー
ム１０４は、最初に、第１の電極１２２からレンズ１３０へ減速され、次いで、レンズ１
３０から第２の電極１４４へ加速される。結果として、加速器／減速器１１８の集束力は
有益に増大する。
端子１２４に対して－５０kVから＋５０kVの範囲に設定することができる。例えば、レン
ズ１３０の電位が端子１２４及び第１の電極１２２に対して、正であるとき、イオンビー
ム１０４は、最初に、第１の電極１２２からレンズ１３０へ減速され、次いで、レンズ１
３０から第２の電極１４４へ加速される。結果として、加速器／減速器１１８の集束力は
有益に増大する。
図５Ａに示す一実施形態において、レンズ電圧（Ｖlens）が（端子１２４に対して）＋
３２kVに設定され、第２の電極１４４への集束電圧（Ｖfocus）が（端子１２４に対して
）－１２５kVに設定され、第１の電極１２２への抑制電圧（Ｖsupp）が（端子１２４に対
して）－２．４kVに設定されるとき、加速器／減速器１１８は、２５．７ｍＡのAs＋ビー
ムを７０keVから１９５keVへ加速することができる。例えば、シミュレーションしたイオ
ンビーム１０４により示されるように、イオンビーム１０４が加速器／減速器１１８から
出るとき、イオンビーム１０４は、したがって、加速器／減速器１１８の長さ方向の軸１
６０に平行、又は、ほぼ平行である。
３２kVに設定され、第２の電極１４４への集束電圧（Ｖfocus）が（端子１２４に対して
）－１２５kVに設定され、第１の電極１２２への抑制電圧（Ｖsupp）が（端子１２４に対
して）－２．４kVに設定されるとき、加速器／減速器１１８は、２５．７ｍＡのAs＋ビー
ムを７０keVから１９５keVへ加速することができる。例えば、シミュレーションしたイオ
ンビーム１０４により示されるように、イオンビーム１０４が加速器／減速器１１８から
出るとき、イオンビーム１０４は、したがって、加速器／減速器１１８の長さ方向の軸１
６０に平行、又は、ほぼ平行である。
別の例において、端子レンズ１３０の電位が端子１２４及び第１の電極１２２に対して
負であるとき、イオンビーム１０４は、最初に、第１の電極１２２からレンズ１３０へ加
速され、次いで、レンズ１３０から第２の電極（例えば、集束電極）１４４へ再び加速さ
れる。結果として、加速器／減速器１１８の集束力は顕著に低減される。図５Ｂに示す一
実施形態において、レンズ１３０へのレンズ電圧（Ｖlens）が－７kVに設定され、第２の
電極１４４への集束電圧（Ｖfocus）が－７０kVに設定され、第１の電極１２２への抑制
電圧（Ｖsupp）が（端子１２４に対して）－７kVに設定されるとき、加速器／減速器１１
８は、０．５ｍＡのB＋ビームを８０keVから３００keVへ加速するように構成され、シミ
ュレーションしたイオンビーム１０４により示されるように、加速器／減速器１１８から
出るとき、その間に、イオンビーム１０４を、長さ方向の軸１６０に平行、又は、ほぼ平
行にさせる。
負であるとき、イオンビーム１０４は、最初に、第１の電極１２２からレンズ１３０へ加
速され、次いで、レンズ１３０から第２の電極（例えば、集束電極）１４４へ再び加速さ
れる。結果として、加速器／減速器１１８の集束力は顕著に低減される。図５Ｂに示す一
実施形態において、レンズ１３０へのレンズ電圧（Ｖlens）が－７kVに設定され、第２の
電極１４４への集束電圧（Ｖfocus）が－７０kVに設定され、第１の電極１２２への抑制
電圧（Ｖsupp）が（端子１２４に対して）－７kVに設定されるとき、加速器／減速器１１
８は、０．５ｍＡのB＋ビームを８０keVから３００keVへ加速するように構成され、シミ
ュレーションしたイオンビーム１０４により示されるように、加速器／減速器１１８から
出るとき、その間に、イオンビーム１０４を、長さ方向の軸１６０に平行、又は、ほぼ平
行にさせる。
様々な追加の実施形態において、加速器は、図２に例示されるものに対し、追加のコン
ポーネントを含むことができる。例えば、図６は、レンズ１３０と第２の電極１４４との
間に配置される第４の電極（例えば、端子電極）１６６を含む加速器／減速器１１８を例
示する。第４の電極１６６は、それらの間の混信を防ぐことにより、集束電源１２７（す
なわち、第３の電圧源）及び第１の電圧源１２３への保護を提供することができる。図６
に示す加速器／減速器１１８は、同様に、第１の電極１２２、レンズ１３０、及び、端子
１２４を通って伸びる第１及び第２のコネクタ１４０、１４２を含む絶縁体１３８を、含
む。第１のコネクタ１４０は、第１の電極１２２及び第１の電圧源１２３に連結され、第
２のコネクタ１４２は、レンズ１３０及び第２の電圧源１２５に連結され、そのようにし
て、第１及び第２の電位Ｖsupp及びＶlensの独立制御を可能にするように、レンズ１３０
は、端子１２４及び第１の電極１２２から電気的に絶縁される。
ポーネントを含むことができる。例えば、図６は、レンズ１３０と第２の電極１４４との
間に配置される第４の電極（例えば、端子電極）１６６を含む加速器／減速器１１８を例
示する。第４の電極１６６は、それらの間の混信を防ぐことにより、集束電源１２７（す
なわち、第３の電圧源）及び第１の電圧源１２３への保護を提供することができる。図６
に示す加速器／減速器１１８は、同様に、第１の電極１２２、レンズ１３０、及び、端子
１２４を通って伸びる第１及び第２のコネクタ１４０、１４２を含む絶縁体１３８を、含
む。第１のコネクタ１４０は、第１の電極１２２及び第１の電圧源１２３に連結され、第
２のコネクタ１４２は、レンズ１３０及び第２の電圧源１２５に連結され、そのようにし
て、第１及び第２の電位Ｖsupp及びＶlensの独立制御を可能にするように、レンズ１３０
は、端子１２４及び第１の電極１２２から電気的に絶縁される。
今度は、図７を参照するに、本発明の追加の実施形態によるイオンビームを制御するた
めの例示的方法１７０を例示するフロー図が示される。方法１７０を、図１～６に示す表
示と共に、説明する。
めの例示的方法１７０を例示するフロー図が示される。方法１７０を、図１～６に示す表
示と共に、説明する。
方法１７０は、ブロック１７２に示すように、イオンビームをイオン源から第１の電極
で受けるステップを含む。いくつかの実施形態において、イオン源はイオン注入機の一部
として示される。
で受けるステップを含む。いくつかの実施形態において、イオン源はイオン注入機の一部
として示される。
方法１７０は、ブロック１７４に示すように、さらに、イオンビームを、イオンビーム
ラインに沿って、及び、第１の電極のアパーチャを通って導くために、第１の電位を第１
の電極に印加するステップを含む。いくつかの実施形態において、第１の電極は端子抑制
電極である。
ラインに沿って、及び、第１の電極のアパーチャを通って導くために、第１の電位を第１
の電極に印加するステップを含む。いくつかの実施形態において、第１の電極は端子抑制
電極である。
方法１７０は、ブロック１７６に示すように、さらに、イオンビームを、レンズのアパ
ーチャを通って導くために、第２の電位をレンズに印加するステップを含む。一実施形態
において、レンズは第１の電極に隣接して配置され、第１の電位及び第２の電位は、各々
、異なる電圧源により生成される。一実施形態において、第１の電極は、絶縁体を通って
伸びる第１のコネクタにより第１の電圧源に連結され、レンズは、絶縁体を通って伸びる
第２のコネクタにより第２の電圧源に連結され、絶縁体は第１の電極をレンズから電気的
に絶縁する。
ーチャを通って導くために、第２の電位をレンズに印加するステップを含む。一実施形態
において、レンズは第１の電極に隣接して配置され、第１の電位及び第２の電位は、各々
、異なる電圧源により生成される。一実施形態において、第１の電極は、絶縁体を通って
伸びる第１のコネクタにより第１の電圧源に連結され、レンズは、絶縁体を通って伸びる
第２のコネクタにより第２の電圧源に連結され、絶縁体は第１の電極をレンズから電気的
に絶縁する。
方法１７０は、ブロック１７８に示すように、さらに、イオンビームをレンズから第２
の電極で受けるステップを含む。一実施形態において、第２の電極は集束電極である。一
実施形態において、イオンビームを第２の電極のアパーチャを通って導くために、第３の
電位を第２の電極に印加する。
の電極で受けるステップを含む。一実施形態において、第２の電極は集束電極である。一
実施形態において、イオンビームを第２の電極のアパーチャを通って導くために、第３の
電位を第２の電極に印加する。
方法１７０は、ブロック１８０に示すように、さらに、イオンビームを第２の電極から
第３の電極アセンブリで受けるステップを含む。一実施形態において、第３の電極アセン
ブリは、接地電極、接地抑制電極及び接地を含む。一実施形態において、イオンビームを
第３の電極アセンブリを通って導くために、第４の電位を第３の電極アセンブリに印加す
る。
第３の電極アセンブリで受けるステップを含む。一実施形態において、第３の電極アセン
ブリは、接地電極、接地抑制電極及び接地を含む。一実施形態において、イオンビームを
第３の電極アセンブリを通って導くために、第４の電位を第３の電極アセンブリに印加す
る。
前述に鑑みて、少なくとも以下の優位性が本明細書に開示する実施形態により達成され
る。第１に、幅広のビーム電流動作でイオンビームを加速するための、構成が提供され、
したがって、向上した製造スループットをもたらす。特に、端子抑制電極と集束電極との
間に配置される端子レンズを提供することにより、且つ、独立電源をレンズに提供するこ
とにより、中位電流イオン注入機の製造機能は、約６０keVから３００keVのエネルギー範
囲で約０．１mAから２５mAの電流動作範囲を有する電源デバイスの製造へ拡張することが
できる。これは、１mAから９mAの比較的狭い電流動作範囲を有する従来の加速器に対する
改良である。
る。第１に、幅広のビーム電流動作でイオンビームを加速するための、構成が提供され、
したがって、向上した製造スループットをもたらす。特に、端子抑制電極と集束電極との
間に配置される端子レンズを提供することにより、且つ、独立電源をレンズに提供するこ
とにより、中位電流イオン注入機の製造機能は、約６０keVから３００keVのエネルギー範
囲で約０．１mAから２５mAの電流動作範囲を有する電源デバイスの製造へ拡張することが
できる。これは、１mAから９mAの比較的狭い電流動作範囲を有する従来の加速器に対する
改良である。
第２に、中位電流イオン注入機は、イオン注入機の全体の構造に対する、さらに、最小
限度のコンポーネントの変更を有する電源デバイスの製造へ拡張することができ、したが
って、コストを低減し、スループットを向上し、又は、維持する。
限度のコンポーネントの変更を有する電源デバイスの製造へ拡張することができ、したが
って、コストを低減し、スループットを向上し、又は、維持する。
第３に、３つの電極、すなわち、端子電極、集束電極及び接地電極を有し、集束電極の
電圧だけが調整可能である、従来のイオンビームの加速器／減速器とは違って、本明細書
の実施形態は、５つの電極を有する加速器／減速器を有利に提供する。特に、本実施形態
の加速器／減速器は、端子電極、レンズ抑制電極、レンズ、集束電極及び接地電極を含み
、したがって、３つの電圧（すなわち、レンズ抑制電極の電圧、レンズの電圧及び集束電
極の電圧）を可能にする。これらの電圧の各々は、独立に調整可能であり、したがって、
イオンビームの加速器／減速器がビーム光学のより大きい制御を有することを可能にする
。
電圧だけが調整可能である、従来のイオンビームの加速器／減速器とは違って、本明細書
の実施形態は、５つの電極を有する加速器／減速器を有利に提供する。特に、本実施形態
の加速器／減速器は、端子電極、レンズ抑制電極、レンズ、集束電極及び接地電極を含み
、したがって、３つの電圧（すなわち、レンズ抑制電極の電圧、レンズの電圧及び集束電
極の電圧）を可能にする。これらの電圧の各々は、独立に調整可能であり、したがって、
イオンビームの加速器／減速器がビーム光学のより大きい制御を有することを可能にする
。
前述に基づいて、当業者は、本発明が、広い有用性及び応用が可能であることを認識す
るであろう。多くの変形、変更及び均等アレンジだけでなく、本明細書で特別に説明した
もの以外の本発明の多くの実施形態及び適合は、本開示及びそれらの前述の記載により、
又は、合理的に示唆されて、明らかであろう。したがって、本発明は、例示的実施形態に
関連して、本明細書で詳細に説明しているが、当業者は、本開示が、本発明の例示であり
、本発明の十分で可能な開示を提供する目的のためだけになされることを理解するであろ
う。前述の開示は、本発明を限定する、又はそうではなく、そのような他の実施形態、適
合、変形、変更、又は均等アレンジを不可能にすると解釈することを意図するものではな
く、本発明は、本明細書に添付の特許請求の範囲又はそれらの均等物によってのみ限定さ
れる。特別の用語を本明細書で用いるけれども、用語は、包括的で説明的な意味でのみ用
いることができ、限定の目的のために用いるものではない。
るであろう。多くの変形、変更及び均等アレンジだけでなく、本明細書で特別に説明した
もの以外の本発明の多くの実施形態及び適合は、本開示及びそれらの前述の記載により、
又は、合理的に示唆されて、明らかであろう。したがって、本発明は、例示的実施形態に
関連して、本明細書で詳細に説明しているが、当業者は、本開示が、本発明の例示であり
、本発明の十分で可能な開示を提供する目的のためだけになされることを理解するであろ
う。前述の開示は、本発明を限定する、又はそうではなく、そのような他の実施形態、適
合、変形、変更、又は均等アレンジを不可能にすると解釈することを意図するものではな
く、本発明は、本明細書に添付の特許請求の範囲又はそれらの均等物によってのみ限定さ
れる。特別の用語を本明細書で用いるけれども、用語は、包括的で説明的な意味でのみ用
いることができ、限定の目的のために用いるものではない。
Claims (6)
- アパーチャを含むレンズ本体を備え、端子に内蔵されるように配置される端子レンズであって、前記端子は、加速器又は減速器において、イオン源からのイオンビームを受けるように構成される端子であり、
前記レンズ本体は円環形を有し、
前記レンズ本体は、端子から電気的に絶縁され、端子に物理的に接触せず、
前記レンズ本体は、前記アパーチャを通ってイオンビームを導き、電圧源から電位を前記イオンビームへ印加するように構成される、端子レンズ。 - 前記レンズ本体は第２の主要面と反対側の第１の主要面を有し、前記イオンビームは前記第１の主要面又は前記第２の主要面により画定される平面に垂直な方向に沿って導かれる、請求項１記載の端子レンズ。
- 前記アパーチャは、前記レンズ本体の外周に対して中心にある、請求項１記載の端子レンズ。
- 前記電位は－５０kVと＋５０kVとの間である、請求項１記載の端子レンズ。
- 前記レンズ本体は、前記端子を通って伸びるコネクタに連結される、請求項１記載の端子レンズ。
- 前記レンズ本体は、前記イオンビームが前記アパーチャを通って導かれるときに、一定の電圧を受ける、請求項１記載の端子レンズ。
Applications Claiming Priority (3)
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| US14/882,518 US9679745B2 (en) | 2015-10-14 | 2015-10-14 | Controlling an ion beam in a wide beam current operation range |
| JP2018518424A JP6913678B2 (ja) | 2015-10-14 | 2016-10-03 | ビーム電流動作の広い範囲におけるイオンビームの制御 |
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Family Applications (2)
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|---|---|---|---|---|
| US10074514B1 (en) * | 2017-09-08 | 2018-09-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for improved ion beam current |
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|---|---|---|---|---|
| JP2004103555A (ja) | 1992-02-28 | 2004-04-02 | Nissin Electric Co Ltd | 原子及び分子イオンで表面を照射するために有用な振動磁場をワーキング・ギャップにおいて生成するためのシステム及び方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP3475562B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2003-12-08 | 日新電機株式会社 | イオンビームの加速装置 |
| GB2344213B (en) * | 1995-11-08 | 2000-08-09 | Applied Materials Inc | An ion implanter with improved field control |
| US7045799B1 (en) * | 2004-11-19 | 2006-05-16 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Weakening focusing effect of acceleration-deceleration column of ion implanter |
| US7675047B2 (en) * | 2005-11-15 | 2010-03-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for shaping a ribbon-shaped ion beam |
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| US8110815B2 (en) * | 2006-06-12 | 2012-02-07 | Semequip, Inc. | Vapor delivery to devices under vacuum |
| JP4946256B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2012-06-06 | 日新イオン機器株式会社 | 電界レンズおよびそれを備えるイオン注入装置 |
| US7579605B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-08-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Multi-purpose electrostatic lens for an ion implanter system |
| US8013312B2 (en) | 2006-11-22 | 2011-09-06 | Semequip, Inc. | Vapor delivery system useful with ion sources and vaporizer for use in such system |
| US20090121149A1 (en) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for shaping an ion beam |
| US8519353B2 (en) * | 2010-12-29 | 2013-08-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and apparatus for controlling an asymmetric electrostatic lens about a central ray trajectory of an ion beam |
| US9165744B2 (en) | 2012-10-24 | 2015-10-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus for treating ion beam |
| CN103779164B (zh) * | 2013-11-08 | 2015-12-02 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种离子束减速装置 |
| US20150144810A1 (en) | 2013-11-27 | 2015-05-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Triple mode electrostatic collimator |
| JP6253375B2 (ja) | 2013-12-02 | 2017-12-27 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置 |
-
2015
- 2015-10-14 US US14/882,518 patent/US9679745B2/en active Active
-
2016
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- 2016-09-26 TW TW105130934A patent/TWI697024B/zh active
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- 2016-10-03 WO PCT/US2016/055125 patent/WO2017066023A1/en active Application Filing
- 2016-10-03 KR KR1020207016383A patent/KR102521604B1/ko active IP Right Grant
- 2016-10-03 CN CN201680057536.4A patent/CN108140527B/zh active Active
- 2016-10-03 JP JP2018518424A patent/JP6913678B2/ja active Active
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- 2020-05-26 JP JP2020091562A patent/JP7343445B2/ja active Active
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|---|---|---|---|---|
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| KR20180054891A (ko) | 2018-05-24 |
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