JP7330273B2 - リソグラフィシステムのための自己整合システム及び方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 67
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 28
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 22
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- -1 poly(methylmethacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001486 SU-8 photoresist Polymers 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010438 granite Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70681—Metrology strategies
- G03F7/70683—Mark designs
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
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- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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Description
Δx=Δx’
Δy=Δy’
ここで、(Δx’、Δy’)は、カメラ変換が適用された後の探索領域内のFOV中心に対するマークの位置である。元のマーク位置は、マークセルコードをマークセル座標に対してマッピングすることによって画定される。
xdc=xm+Δ*c
ydc=ym+Δ*r
Claims (15)
- リソグラフィシステム内のプレート上の基板の位置合わせの方法であって、
前記リソグラフィシステム内の前記プレート上に基板を配置することと、
前記基板上の位置合わせマークセルグリッド内に複数のマークセルを設けることであって、前記マークセルのそれぞれが、前記位置合わせマークセルグリッド内の列と行を画定するコードを含む、複数のマークセルを設けることと、
少なくとも2つのカメラのそれぞれの視野が、少なくとも1つのマークセルに照準が合わさるように、前記リソグラフィシステムに対して前記少なくとも2つのカメラを設けることと、
前記少なくとも2つのカメラのそれぞれについて前記視野の中心に探索領域を画定することであって、当該探索領域が、前記少なくとも2つのカメラのそれぞれの前記視野よりも小さいサイズを有し、前記マークセルの照準合わせが、各カメラの画定された当該探索領域内で行われる、探索領域を画定することと、
各カメラの前記探索領域内の前記マークセルのそれぞれの中心を発見することと、
各マークセルの前記コードを読み取ることと、
前記少なくとも2つのカメラの視野及び各マークセルの前記コードに基づいて、前記リソグラフィシステム内の前記プレート上の前記基板を位置合わせすること
を含む方法。 - 前記基板を位置合わせすることが、アルゴリズムによって行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記プレートが、単一のプレートである、請求項1に記載の方法。
- 前記プレートが、複数のプレートである、請求項1に記載の方法。
- 各マークセルが、高さと幅を有する、請求項1に記載の方法。
- 探索領域が、マークセルの高さと幅の倍数にサイズが等しい、請求項5に記載の方法。
- 前記倍数が整数であり、前記整数が2である、請求項6に記載の方法。
- リソグラフィシステム内のプレート上の基板の位置合わせの方法であって、
前記リソグラフィシステム内の前記プレート上に基板を配置することであって、当該基板が、位置合わせマークセルグリッド内に複数のマークセルを有し、前記マークセルの各々が、前記位置合わせマークセルグリッド内の列と行を画定するコードを含む、基板を配置することと、
前記リソグラフィシステムのための少なくとも2つのカメラについて、前記少なくとも2つのカメラのうちの第1のカメラの第1の視野に位置する第1のマークセルに照準を合わせ、前記少なくとも2つのカメラのうちの第2のカメラのための第2の視野に位置する第2のマークセルに照準を合わせることと、
前記第1のカメラの前記第1の視野の中心において第1の探索領域を画定し、前記第2のカメラの前記第2の視野の中心において第2の探索領域を画定することであって、当該第1の探索領域及び当該第2の探索領域が、それぞれ前記第1の視野及び前記第2の視野よりも小さいサイズを有する、第1の探索領域及び第2の探索領域を画定することと、
前記第1の視野の前記第1の探索領域を前記第1のマークセルと位置合わせすることと、
前記第2の視野の前記第2の探索領域を前記第2のマークセルと位置合わせすることと、
前記第1のマークセル及び前記第2のマークセルの前記コードを読み取って、前記リソグラフィシステム内の前記プレート上の前記基板を位置合わせすること
を含む方法。 - 前記第1のマークセル及び前記第2のマークセルのうちの少なくとも1つが、位置合わせための十字マークを有する、請求項8に記載の方法。
- 前記第1の探索領域及び前記第2の探索領域のうちの1つが、マークセルの高さと幅の倍数にサイズが等しい、請求項8に記載の方法。
- 前記プレートが、単一のプレートである、請求項8に記載の方法。
- 前記プレートが、複数のプレートである、請求項8に記載の方法。
- リソグラフィシステム内の基板の位置合わせの方法であって、
前記リソグラフィシステム内で基板を配置することであって、当該基板が、位置合わせマークセルグリッド内に複数のマークセルを有し、前記マークセルの各々が、前記位置合わせマークセルグリッド内の列と行を画定するコードを含む、基板を配置することと、
前記リソグラフィシステムのための少なくとも2つのカメラについて、前記少なくとも2つのカメラのうちの第1のカメラの第1の視野に位置する第1のマークセルに照準を合わせ、前記少なくとも2つのカメラのうちの第2のカメラのための第2の視野に位置する第2のマークセルに照準を合わせることと、
前記第1のカメラの前記第1の視野の中心において第1の探索領域を画定し、前記第2のカメラの前記第2の視野の中心において第2の探索領域を画定することであって、当該第1の探索領域及び当該第2の探索領域が、それぞれ前記第1の視野及び前記第2の視野よりも小さいサイズを有する、第1の探索領域及び第2の探索領域を画定することと、
前記第1の視野の前記第1の探索領域を前記第1のマークセルと位置合わせすることと、
前記第2の視野の前記第2の探索領域を前記第2のマークセルと位置合わせすることと、
前記第1のマークセル及び前記第2のマークセルの前記コードを読み取ることと、
前記少なくとも2つのカメラの視野及び各マークセルの前記コードに基づいて、前記リソグラフィシステム内の前記基板を位置合わせすること
を含む方法。 - 前記複数のマークセルのそれぞれは、高さ及び幅を有し、前記第1の探索領域及び前記第2の探索領域は、それぞれ、マークセルの高さ及び幅の倍数にサイズが等しい、請求項13に記載の方法。
- 前記倍数が整数であり、前記整数が2である、請求項14に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023128925A JP2023162226A (ja) | 2018-11-15 | 2023-08-08 | リソグラフィシステムのための自己整合システム及び方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/192,591 US10599055B1 (en) | 2018-11-15 | 2018-11-15 | Self aligning systems and methods for lithography systems |
US16/192,591 | 2018-11-15 | ||
PCT/US2019/055151 WO2020101822A1 (en) | 2018-11-15 | 2019-10-08 | Self aligning systems and methods for lithography systems |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023128925A Division JP2023162226A (ja) | 2018-11-15 | 2023-08-08 | リソグラフィシステムのための自己整合システム及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022508105A JP2022508105A (ja) | 2022-01-19 |
JP7330273B2 true JP7330273B2 (ja) | 2023-08-21 |
Family
ID=69902419
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021526278A Active JP7330273B2 (ja) | 2018-11-15 | 2019-10-08 | リソグラフィシステムのための自己整合システム及び方法 |
JP2023128925A Pending JP2023162226A (ja) | 2018-11-15 | 2023-08-08 | リソグラフィシステムのための自己整合システム及び方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023128925A Pending JP2023162226A (ja) | 2018-11-15 | 2023-08-08 | リソグラフィシステムのための自己整合システム及び方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10599055B1 (ja) |
JP (2) | JP7330273B2 (ja) |
KR (2) | KR20240042574A (ja) |
CN (2) | CN113168087B (ja) |
TW (2) | TWI716147B (ja) |
WO (1) | WO2020101822A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10809637B1 (en) * | 2019-05-30 | 2020-10-20 | Applied Materials, Inc. | Learning based digital corrections to compensate variations on lithography systems with multiple imaging units |
US20230043353A1 (en) * | 2021-08-04 | 2023-02-09 | Onto Innovation, Inc. | Multiple camera apparatus for photolithographic processing |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004279166A (ja) | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Canon Inc | 位置検出装置 |
WO2005116577A1 (ja) | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Nikon Corporation | 結像光学系の調整方法、結像装置、位置ずれ検出装置、マ-ク識別装置及びエッジ位置検出装置 |
JP2008124142A (ja) | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 位置検出方法、位置検出装置、パターン描画装置及び被検出物 |
JP3200372U (ja) | 2014-08-01 | 2015-10-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | マスクレスリソグラフィのためのデュアルステージ/デュアルチャック |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR950000099B1 (ko) * | 1991-11-12 | 1995-01-09 | 삼성전자 주식회사 | 바이너리 코딩(Bianry Coding)법을 이용한 반도체소자의 위치인식방법 |
JPH08181062A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Nikon Corp | 位置決め装置及び位置決め方法 |
JPH10284396A (ja) * | 1997-04-03 | 1998-10-23 | Nikon Corp | アライメント方法及び重ね合わせ精度計測方法 |
JPH1154407A (ja) * | 1997-08-05 | 1999-02-26 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
JP2004006527A (ja) | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Canon Inc | 位置検出装置及び位置検出方法、露光装置、デバイス製造方法並びに基板 |
SG108975A1 (en) * | 2003-07-11 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Marker structure for alignment or overlay to correct pattern induced displacement, mask pattern for defining such a marker structure and lithographic projection apparatus using such a mask pattern |
US7271907B2 (en) * | 2004-12-23 | 2007-09-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with two-dimensional alignment measurement arrangement and two-dimensional alignment measurement method |
US7408618B2 (en) * | 2005-06-30 | 2008-08-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus substrate alignment |
US9478501B2 (en) * | 2006-03-08 | 2016-10-25 | Erich Thallner | Substrate processing and alignment |
JP4351694B2 (ja) * | 2006-04-12 | 2009-10-28 | 富士フイルム株式会社 | アライメントユニット及びこれを用いた画像記録装置 |
JP4040668B2 (ja) * | 2007-04-05 | 2008-01-30 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置及び方法、露光装置並びにデバイス製造方法 |
NL1036351A1 (nl) | 2007-12-31 | 2009-07-01 | Asml Netherlands Bv | Alignment system and alignment marks for use therewith cross-reference to related applications. |
JP4897006B2 (ja) | 2008-03-04 | 2012-03-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | アラインメントマークを設ける方法、デバイス製造方法及びリソグラフィ装置 |
JP5215357B2 (ja) * | 2009-07-16 | 2013-06-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 多重ヘッドアライメントシステムにおけるアライメントヘッドの位置キャリブレーション |
CN102103336A (zh) * | 2011-03-14 | 2011-06-22 | 张雯 | 基于机器视觉对准的高精度对准标记结构 |
CN102314097A (zh) * | 2011-09-19 | 2012-01-11 | 合肥芯硕半导体有限公司 | 一种空间光调制器中心与相机中心空间位置的标定方法 |
CN102566311A (zh) * | 2012-01-12 | 2012-07-11 | 合肥芯硕半导体有限公司 | 一种制版光刻设备动态稳定性测量方法 |
CN102929108A (zh) * | 2012-12-04 | 2013-02-13 | 苏州微影光电科技有限公司 | 直写式光刻机中多种倍率镜头相结合进行对准的方法 |
JP6360287B2 (ja) * | 2013-08-13 | 2018-07-18 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、位置合わせ方法、および物品の製造方法 |
TWI638227B (zh) * | 2014-03-25 | 2018-10-11 | 美商克萊譚克公司 | 用於檢測一光微影光罩之方法及系統及非暫態電腦可讀媒體 |
JP6754887B2 (ja) | 2016-07-19 | 2020-09-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | デジタルリソグラフィのための焦点センタリング方法 |
CN110506297B (zh) | 2017-04-17 | 2023-08-11 | 康耐视公司 | 高精确度校准系统和方法 |
-
2018
- 2018-11-15 US US16/192,591 patent/US10599055B1/en active Active
-
2019
- 2019-10-08 KR KR1020247010350A patent/KR20240042574A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-10-08 WO PCT/US2019/055151 patent/WO2020101822A1/en active Application Filing
- 2019-10-08 JP JP2021526278A patent/JP7330273B2/ja active Active
- 2019-10-08 CN CN201980081068.8A patent/CN113168087B/zh active Active
- 2019-10-08 CN CN202410559927.2A patent/CN118444533A/zh active Pending
- 2019-10-08 KR KR1020217018057A patent/KR102653417B1/ko active IP Right Grant
- 2019-10-09 TW TW108136636A patent/TWI716147B/zh active
- 2019-10-09 TW TW109142365A patent/TWI757993B/zh active
-
2023
- 2023-08-08 JP JP2023128925A patent/JP2023162226A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004279166A (ja) | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Canon Inc | 位置検出装置 |
WO2005116577A1 (ja) | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Nikon Corporation | 結像光学系の調整方法、結像装置、位置ずれ検出装置、マ-ク識別装置及びエッジ位置検出装置 |
JP2008124142A (ja) | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 位置検出方法、位置検出装置、パターン描画装置及び被検出物 |
JP3200372U (ja) | 2014-08-01 | 2015-10-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | マスクレスリソグラフィのためのデュアルステージ/デュアルチャック |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI757993B (zh) | 2022-03-11 |
CN113168087A (zh) | 2021-07-23 |
WO2020101822A1 (en) | 2020-05-22 |
TW202121070A (zh) | 2021-06-01 |
JP2023162226A (ja) | 2023-11-08 |
KR20240042574A (ko) | 2024-04-02 |
CN113168087B (zh) | 2024-05-14 |
KR102653417B1 (ko) | 2024-03-29 |
US10599055B1 (en) | 2020-03-24 |
TW202043925A (zh) | 2020-12-01 |
JP2022508105A (ja) | 2022-01-19 |
CN118444533A (zh) | 2024-08-06 |
TWI716147B (zh) | 2021-01-11 |
KR20210074415A (ko) | 2021-06-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210713 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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