JP7328276B2 - 非相反性導波路、アイソレータ、光スイッチ、光送受信機、データセンタ、及び製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、非相反性導波路、アイソレータ、光スイッチ、光送受信機、データセンタ、及び製造方法に関するものである。
非相反性導波路を、半導体基板上に形成することが検討されている。半導体基板には、他の構成要素も積層されるため、基板から比較的高い位置まで絶縁膜が成膜される。半導体基板上に非相反性導波路を形成するためには、基板上に形成されるコアとなる線路に隣接させて、磁性部材を配置する必要がある。半導体基板上の非相反性導波路は、主に半導体プロセスを適用して、製造される。一方で、磁性体は半導体特性に影響を与える汚染源である。それゆえ、磁性部材を設ける位置に、エッチングによりトレンチを形成して半導体プロセスを完了させ、形成したトレンチに磁性体を埋込むことが検討されている。
半導体基板上の非相反性導波路の形成においては、線路に対して磁性体の埋込む位置に高い精度が要求される。しかし、半導体プロセスにおいて深いトレンチを形成する際にトレンチの側壁はテーパ状になることがある（特許文献１参照）。
それゆえ、表面側のマスクやレジストにおいて磁性体の埋込む位置に対応する領域の位置精度を高めても、基板においてトレンチが形成される位置の精度を上げることは難しい。結果として、線路に対して高い位置精度で磁性部材を配置することは難しい。
従って、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされた本開示の目的は、線路に対して高い位置精度で磁性部材を配置した非相反性導波路アイソレータ、光スイッチ、光送受信機、データセンタ、及び製造方法を提供することにある。
上述した諸課題を解決すべく、第１の観点による非相反性導波路は、
基板と、
前記基板上において、基板面に沿って位置する光伝搬性線路と、
前記基板上において、前記光伝搬性線路の長手方向の一部に沿って位置する磁性部材と、
前記基板上において、前記光伝搬性線路及び前記磁性部材を包含するように、位置する絶縁層と、
前記絶縁層内で、前記光伝搬性線路よりも前記基板から離れて位置するマスクと、を備え、
前記マスクは、前記基板面に垂直な方向から見て、前記光伝搬性線路の幅方向における前記磁性部材とは反対方向側から前記光伝搬性線路の幅方向における少なくとも一部に重なり、前記長手方向において前記磁性部材が位置する範囲に少なくとも亘って位置する。
基板と、
前記基板上において、基板面に沿って位置する光伝搬性線路と、
前記基板上において、前記光伝搬性線路の長手方向の一部に沿って位置する磁性部材と、
前記基板上において、前記光伝搬性線路及び前記磁性部材を包含するように、位置する絶縁層と、
前記絶縁層内で、前記光伝搬性線路よりも前記基板から離れて位置するマスクと、を備え、
前記マスクは、前記基板面に垂直な方向から見て、前記光伝搬性線路の幅方向における前記磁性部材とは反対方向側から前記光伝搬性線路の幅方向における少なくとも一部に重なり、前記長手方向において前記磁性部材が位置する範囲に少なくとも亘って位置する。
第２の観点によるアイソレータは、
基板と、前記基板上において基板面に沿って位置する光伝搬性線路と、前記基板上において前記光伝搬性線路の長手方向の一部に沿って位置する磁性部材と、前記基板上において前記光伝搬性線路及び前記磁性部材を包含するように位置する絶縁層と、前記絶縁層内で前記光伝搬性線路よりも前記基板から離れて位置するマスクと、を有し、前記マスクは前記基板面に垂直な方向から見て前記光伝搬性線路の幅方向における前記磁性部材とは反対方向側から前記光伝搬性線路の幅方向における少なくとも一部に重なり前記長手方向において前記磁性部材が位置する範囲に少なくとも亘って位置する非相反性導波路を備える。
基板と、前記基板上において基板面に沿って位置する光伝搬性線路と、前記基板上において前記光伝搬性線路の長手方向の一部に沿って位置する磁性部材と、前記基板上において前記光伝搬性線路及び前記磁性部材を包含するように位置する絶縁層と、前記絶縁層内で前記光伝搬性線路よりも前記基板から離れて位置するマスクと、を有し、前記マスクは前記基板面に垂直な方向から見て前記光伝搬性線路の幅方向における前記磁性部材とは反対方向側から前記光伝搬性線路の幅方向における少なくとも一部に重なり前記長手方向において前記磁性部材が位置する範囲に少なくとも亘って位置する非相反性導波路を備える。
第３の観点による光スイッチは、
基板と、前記基板上において基板面に沿って位置する光伝搬性線路と、前記基板上において前記光伝搬性線路の長手方向の一部に沿って位置する磁性部材と、前記基板上において前記光伝搬性線路及び前記磁性部材を包含するように位置する絶縁層と、前記絶縁層内で前記光伝搬性線路よりも前記基板から離れて位置するマスクと、を有し、前記マスクは前記基板面に垂直な方向から見て前記光伝搬性線路の幅方向における前記磁性部材とは反対方向側から前記光伝搬性線路の幅方向における少なくとも一部に重なり前記長手方向において前記磁性部材が位置する範囲に少なくとも亘って位置する非相反性導波路を備える。
基板と、前記基板上において基板面に沿って位置する光伝搬性線路と、前記基板上において前記光伝搬性線路の長手方向の一部に沿って位置する磁性部材と、前記基板上において前記光伝搬性線路及び前記磁性部材を包含するように位置する絶縁層と、前記絶縁層内で前記光伝搬性線路よりも前記基板から離れて位置するマスクと、を有し、前記マスクは前記基板面に垂直な方向から見て前記光伝搬性線路の幅方向における前記磁性部材とは反対方向側から前記光伝搬性線路の幅方向における少なくとも一部に重なり前記長手方向において前記磁性部材が位置する範囲に少なくとも亘って位置する非相反性導波路を備える。
第４の観点による光送受信機は、
基板と、前記基板上において基板面に沿って位置する光伝搬性線路と、前記基板上において前記光伝搬性線路の長手方向の一部に沿って位置する磁性部材と、前記基板上において前記光伝搬性線路及び前記磁性部材を包含するように位置する絶縁層と、前記絶縁層内で前記光伝搬性線路よりも前記基板から離れて位置するマスクと、を有し、前記マスクは前記基板面に垂直な方向から見て前記光伝搬性線路の幅方向における前記磁性部材とは反対方向側から前記光伝搬性線路の幅方向における少なくとも一部に重なり前記長手方向において前記磁性部材が位置する範囲に少なくとも亘って位置する非相反性導波路を備える。
基板と、前記基板上において基板面に沿って位置する光伝搬性線路と、前記基板上において前記光伝搬性線路の長手方向の一部に沿って位置する磁性部材と、前記基板上において前記光伝搬性線路及び前記磁性部材を包含するように位置する絶縁層と、前記絶縁層内で前記光伝搬性線路よりも前記基板から離れて位置するマスクと、を有し、前記マスクは前記基板面に垂直な方向から見て前記光伝搬性線路の幅方向における前記磁性部材とは反対方向側から前記光伝搬性線路の幅方向における少なくとも一部に重なり前記長手方向において前記磁性部材が位置する範囲に少なくとも亘って位置する非相反性導波路を備える。
第５の観点によるデータセンタは、
基板と、前記基板上において基板面に沿って位置する光伝搬性線路と、前記基板上において前記光伝搬性線路の長手方向の一部に沿って位置する磁性部材と、前記基板上において前記光伝搬性線路及び前記磁性部材を包含するように位置する絶縁層と、前記絶縁層内で前記光伝搬性線路よりも前記基板から離れて位置するマスクと、を有し、前記マスクは前記基板面に垂直な方向から見て前記光伝搬性線路の幅方向における前記磁性部材とは反対方向側から前記光伝搬性線路の幅方向における少なくとも一部に重なり前記長手方向において前記磁性部材が位置する範囲に少なくとも亘って位置する非相反性導波路を備える。
基板と、前記基板上において基板面に沿って位置する光伝搬性線路と、前記基板上において前記光伝搬性線路の長手方向の一部に沿って位置する磁性部材と、前記基板上において前記光伝搬性線路及び前記磁性部材を包含するように位置する絶縁層と、前記絶縁層内で前記光伝搬性線路よりも前記基板から離れて位置するマスクと、を有し、前記マスクは前記基板面に垂直な方向から見て前記光伝搬性線路の幅方向における前記磁性部材とは反対方向側から前記光伝搬性線路の幅方向における少なくとも一部に重なり前記長手方向において前記磁性部材が位置する範囲に少なくとも亘って位置する非相反性導波路を備える。
第６の観点による非相反性導波路の製造方法は、
基板上に、基板面に沿った長手方向を有する光伝搬性線路を形成し、
前記光伝搬性線路を埋設させるように第１の絶縁体を成膜し、
前記基板面に垂直な方向から見て、前記光伝搬性線路の長手方向の一部において該光伝搬性線路の幅方向の一端側に該光伝搬性線路に沿って位置させる第１のトレンチ形成領域には重ならず、前記光伝搬性線路の前記一端の逆側から該光伝搬性線路の幅方向における少なくとも一部に重なる第１のマスク層を、前記第１の絶縁体における前記基板の反対側に形成し、
前記第１のマスク層を埋設させるように第２の絶縁体を成膜し、
前記基板面に垂直な方向から見て、前記第１のトレンチ形成領域の少なくとも一部に部分又は全体が重なる第２のトレンチ形成領域以外の領域を覆う第２のマスク層を、前記第２の絶縁体における前記基板の反対側に形成し、
前記第２のマスク層側から第１の絶縁体及び第２の絶縁体のエッチングによりトレンチを形成し、
前記トレンチ内に磁性部材を形成する。
基板上に、基板面に沿った長手方向を有する光伝搬性線路を形成し、
前記光伝搬性線路を埋設させるように第１の絶縁体を成膜し、
前記基板面に垂直な方向から見て、前記光伝搬性線路の長手方向の一部において該光伝搬性線路の幅方向の一端側に該光伝搬性線路に沿って位置させる第１のトレンチ形成領域には重ならず、前記光伝搬性線路の前記一端の逆側から該光伝搬性線路の幅方向における少なくとも一部に重なる第１のマスク層を、前記第１の絶縁体における前記基板の反対側に形成し、
前記第１のマスク層を埋設させるように第２の絶縁体を成膜し、
前記基板面に垂直な方向から見て、前記第１のトレンチ形成領域の少なくとも一部に部分又は全体が重なる第２のトレンチ形成領域以外の領域を覆う第２のマスク層を、前記第２の絶縁体における前記基板の反対側に形成し、
前記第２のマスク層側から第１の絶縁体及び第２の絶縁体のエッチングによりトレンチを形成し、
前記トレンチ内に磁性部材を形成する。
上記のように構成された本開示に係る非相反性導波路、アイソレータ、光スイッチ、光送受信機、データセンタ、及び製造方法によれば、線路に対して高い位置精度で磁性部材が配置され得る。
以下、本開示を適用した非相反性導波路の実施形態について、図面を参照して説明する。
図１は、一実施形態に係る非相反性導波路１０における光の伝搬方向に垂直な面における断面図である。非相反性導波路１０は、例えば、アイソレータ、光スイッチ、光送受信機、及びデータセンタに適用されてよい。
非相反性導波路１０は、基板１１、光伝搬性線路１２、磁性部材１３、絶縁層１４、及びマスク１５を含んで構成される。
基板１１は、平板状である。基板１１は、主面として基板面を有する。主面とは、最も大きな面であってよい。基板１１は、例えば、光伝搬性線路１２を形成する物質よりも屈折率が低い物質により形成されてよい。基板１１は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯＮ等により形成される。
光伝搬性線路１２は、基板１１上に位置する。光伝搬性線路１２は、基板１１の一方の主面である基板面に沿って位置する。主面は、基板１１を画定する複数の平面の中で最も広い面であってよい。光伝搬性線路１２は、長手方向を有してよい。光伝搬性線路１２は、長手方向に光を伝搬してよい。
本明細書において、長手方向に垂直且つ基板面ｓｓに平行な方向を幅方向と呼ぶ。また、本明細書において、基板面ｓｓに垂直な方向を厚さ方向とも呼ぶ。光伝搬性線路１２の幅は、光伝搬時に高次モードが生じない範囲に含まれることが望ましく、例えば、Ｓｉで形成される場合、４００ｎｍ～５００ｎｍである。光伝搬性線路１２の幅は、幅方向における長さである。光伝搬性線路１２の高さは、例えば、２００ｎｍ～３００ｎｍである。光伝搬性線路１２の高さは、厚さ方向の長さである。
光伝搬性線路１２は、前述のように、基板１１を形成する物質よりも屈折率が高い物質により形成されてよい。光伝搬性線路１２は、例えば、Ｓｉ、ＳｉＮ、ＳｉＯｘ等により形成される。
図２に示すように、光伝搬性線路１２は、基板面ｓｓとともに、ストップ層１６により覆われていてよい。ストップ層１６は、非相反性導波路１０の製造工程中のエッチング工程において基板１１及び光伝搬性線路１２がエッチングされることを防いでよい。ストップ層１６は、例えば５０ｎｍ～１００ｎｍの厚みを有してよい。
ストップ層１６は、後述する、絶縁層１４を形成する物質よりも製造時における第１のマスク層又は第２のマスク層に対する選択比が小さな物質により形成されてよい。さらに、ストップ層１６は、光伝搬性線路１２を形成する物質よりも屈折率が低い物質により形成されてよい。ストップ層１６は、例えば、ＳｉＮにより形成される。
図１に示すように、磁性部材１３は、基板１１上に位置する。図２に示すように、磁性部材１３は、ストップ層１６を介して、基板１１上に位置してよい。図３に示すように、磁性部材１３は、光伝搬性線路１２の長手方向の一部に沿って位置する。
磁性部材１３は、幅方向において、光伝搬性線路１２に面接触してよい。又は、図４に示すように、磁性部材１３は、幅方向において、光伝搬性線路１２に非相反性を付与する範囲内で、光伝搬性線路１２から離れてよい。磁性部材１３は、光伝搬性線路１２の幅方向を向く面から、例えば、１００ｎｍ以下の間隔をあけて位置してよい。
厚さ方向において、磁性部材１３の少なくとも一部が、光伝搬性線路１２の少なくとも一部に重なっていてよい。本実施形態において、厚さ方向において、磁性部材１３が光伝搬性線路１２全体に重なる。
磁性部材１３は、ＹＩＧ（イットリウム鉄ガーネット）、Ｃｅ置換ＹＩＧ、Ｂｉ置換ＹＩＧ等のその一部置換物質のような透明状磁性体、ＦｅＣｏ、ＦｅＮｉ、ＣｏＰｔ等の強磁性体、及び強磁性体を含む物質によって形成されてよい。又は、磁性部材１３は、磁性体ナノ粒子がコンポジットされた誘電体、例えばナノグラニュラー材により形成されてよい。
図５に示すように、磁性部材１３に隣接して強磁性部材１７が設けられてよい。強磁性部材１７は、磁性部材１３に磁場を印加してよい。強磁性部材１７は、強磁性体又は強磁性体を含む物質によって形成されてよい。
磁性部材１３は、光伝搬性線路１２の幅方向に並ぶ位置だけでなく、厚さ方向に並ぶ位置にも設けられていてよい。図６に示すように、厚さ方向に並ぶ磁性部材１３は、絶縁層１４を介して、光伝搬性線路１２に隣接してよい。又は、図７に示すように、厚さ方向に並ぶ磁性部材１３は、マスク１５及び絶縁層１４を介して、光伝搬性線路１２に隣接してよい。
図１に示すように、絶縁層１４は、基板１１上に位置する。絶縁層１４は、光伝搬性線路１２及び磁性部材１３を包含する。図４に示すように、光伝搬性線路１２及び磁性部材１３が幅方向に隣接する構成においては、絶縁層１４は光伝搬性線路１２及び磁性部材１３の間に介在してよい。絶縁層１４の厚みは、２μｍ～２０μｍであってよい。
絶縁層１４は、光伝搬性線路１２を形成する物質よりも屈折率が低い物質により形成されてよい。絶縁層１４は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯＮ等により形成される。
図１に示すように、マスク１５は、絶縁層１４内で、光伝搬性線路１２よりも基板１１から離れて位置する。マスク１５は、基板面ｓｓに垂直な方向、言換えると、厚さ方向から見て、光伝搬性線路１２の幅方向における少なくとも一部に重なる。マスク１５は、当該幅方向における磁性部材１３の配置とは反対方向側から、光伝搬性線路１２に重なる。
マスク１５は、基板面ｓｓに垂直な方向、言換えると、厚さ方向から見て、磁性部材１３に重ならなくてよい。幅方向において、マスク１５は、光伝搬性線路１２の磁性部材１３側の端と同じ位置で終端してよい。又は、図８に示すように、マスク１５は、基板面ｓｓに垂直な方向、言換えると、厚さ方向から見て、光伝搬性線路１２の磁性部材１３側の端部を覆わなくてよい。又は、図９に示すように、基板面ｓｓに垂直な方向、言換えると、厚さ方向から見た、マスク１５の幅方向における磁性部材１３側の端は、光伝搬性線路１２の磁性部材１３側の端を超えてよい。磁性部材１３側のマスク１５の端面は、基板面ｓｓに垂直な方向、言換えると、厚さ方向から見て、光伝搬性線路１２側の磁性部材１３の端面に対応する形状を有してよい。
図３に示すように、マスク１５は、基板面ｓｓに垂直な方向、言換えると、厚さ方向から見て、長手方向において磁性部材１３が位置する範囲に少なくとも亘って位置する。
図１に示すように、マスク１５は、基板面ｓｓに垂直な方向、言換えると、厚さ方向における絶縁層１４の厚みの中央位置より基板１１側に位置してよい。マスク１５は、基板面ｓｓから、１μｍ～２μｍの範囲で離れた位置に位置してよい。
マスク１５は、後述する製造方法における絶縁層１４を形成する反応性エッチングに対して十分な選択比を有する金属又は誘電体物質により形成されてよい。絶縁層１４に適用される金属は、例えば、アルミニウム、銅等である。
次に、本開示を適用した非相反性導波路１０の製造方法の実施形態を説明する。本実施形態の製造方法においては、光伝搬性線路１２にＳｉ、基板１１及び絶縁層１４にＳｉＯ２を適用した例について説明するが、上述のように、基板１１、光伝搬性線路１２、及び絶縁層１４の材料はこれらの材料に限定されない。
まず、表面のＳｉ層の間に、ＳｉＯ２層を有するＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の一方のＳｉ層にパターニングを施すことにより、図１０に示すように、ＳｉＯ２層を有する基板１１上に、基板面ｓｓに沿った長手方向を有する光伝搬性線路１２が形成される。
なお、光伝搬性線路１２が形成された基板１１に、前述のように、ＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学気相成膜法）等の公知の成膜方法により、５０ｎｍ～１００ｎｍの厚みを有するＳｉＮ層を、ストップ層１６として形成してもよい。
次に、光伝搬性線路１２が形成された基板面ｓｓ側から基板１１に、例えば、ＣＶＤにより、第１の絶縁体を成膜する。第１の絶縁体は、非相反性導波路１０における絶縁層１４と同じ材料である。第１の絶縁体の成膜後に、平坦化処理を施すことにより、図１１に示すように、第１の絶縁体１８の基板面ｓｓの逆側の面が平坦化されてよい。なお、第１の絶縁体１８の厚さ、言換えると、厚さ方向の長さが、非相反性導波路１０における基板１１及びマスク１５の間隔と同じなるように成膜又は平坦化が行われてよい。
図１２に示すように、第１の絶縁体１８における基板１１の反対側に、第１のマスク層１９を形成する。第１のマスク層１９は、例えば、第１の絶縁体１８に第１のマスク層１９の材料を成膜した後、リソグラフィによりマスク形状を形成することにより、形成される。
図１３に示すように、第１のマスク層１９は、基板面ｓｓに垂直な方向から見て、第１のトレンチ形成領域ｔｒ１に重ならない。第１のトレンチ形成領域ｔｒ１は、磁性部材１３を配置するために、後の工程において、基板面ｓｓに垂直な方向全域に亘ってトレンチが形成される領域であってよい。例えば、図１４に示すように、基板面ｓｓから離れるに応じて幅が広がるトレンチｔｒが形成されるエッチングにおいては、基板面ｓｓ側におけるトレンチｔｒの幅を有する領域が第１のトレンチ形成領域ｔｒ１であってよい。又は、図１５に示すように、基板面ｓｓに近づくに応じて幅が広がるトレンチｔｒが形成されるエッチングにおいては、基板面ｓｓの逆側におけるトレンチｔｒの幅を有する領域が第１のトレンチ形成領域ｔｒ１であってよい。
第１のトレンチ形成領域ｔｒ１は、磁性部材１３を形成する領域と略同一であってよい。言換えると、第１のトレンチ形成領域ｔｒ１は、光伝搬性線路１２の長手方向の一部において、当該光伝搬性線路１２の幅方向の一端側に、当該光伝搬性線路１２に沿って位置する。
図１２に示すように、第１のマスク層１９は、基板面ｓｓに垂直な方向から見て、光伝搬性線路１２における第１のトレンチ形成領域ｔｒ１が位置する側の一端の逆側から、当該光伝搬性線路１２の幅方向における少なくとも一部に重なる。図１６に示すように、第１のマスク層１９は、光伝搬性線路１２における第１のトレンチ形成領域ｔｒ１が位置する側の一端側の端部に重ならなくてよい。又は、図１２に示すように、第１のマスク層１９は、光伝搬性線路１２の幅方向における全体に重なってよい。例えば、第１のマスク層１９は、基板面ｓｓに垂直な方向から見て、光伝搬性線路１２における第１のトレンチ形成領域ｔｒ１が位置する側の端において終端してよい。又は、図１７に示すように、第１のマスク層１９は、基板面ｓｓに垂直な方向から見て、光伝搬性線路１２における第１のトレンチ形成領域ｔｒ１が位置する側の端を超えて終端してよい。
第１のマスク層１９には、後述するトレンチｔｒを形成するためのエッチングにおける、第１のマスク層１９の形成材料に対する第１の絶縁体１８の形成材料の選択比が、第１のマスク層１９の厚みに対する第１の絶縁体１８の厚み以上となる、形成材料が適用される。第１のマスク層１９の形成材料は、マスク１５と同じ材料である。
次に、第１のマスク層１９を埋設させるように、第１の絶縁体１８及び第１のマスク層１９に、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、第２の絶縁体を成膜する。第２の絶縁体の成膜後に、平坦化処理を施すことにより、図１８に示すように、第２の絶縁体２０の基板面ｓｓの逆側の面が平坦化されてよい。なお、第１の絶縁体１８及び第２の絶縁体２０の厚さの合計が、非相反性導波路１０における絶縁層１４と同じ厚さになるように成膜又は平坦化が行われてよい。
図１９に示すように、第２の絶縁体２０における基板１１の反対側に、第２のマスク層２１を形成する。第２のマスク層２１は、例えば、第２の絶縁体２０に第１のマスク層１９の材料を成膜した後、リソグラフィによりマスク形状を形成することにより、形成される。
図２０に示すように、第２のマスク層２１は、基板面ｓｓに垂直な方向から見て、第２のトレンチ形成領域ｔｒ２以外の領域を覆う。基板面ｓｓに垂直な方向から見て、第２のトレンチ形成領域ｔｒ２の一部又は全体が、第１のトレンチ形成領域ｔｒ１の少なくとも一部に重なる。例えば、第２のトレンチ形成領域ｔｒ２の一部が、第１のトレンチ形成領域ｔｒ１の全域に重なる。又は、図２１、２２に示すように、第２のトレンチ形成領域ｔｒ２の全部が、第１のトレンチ形成領域ｔｒ１の一部に重なってよい。
なお、図２３に示すように、第１のマスク層１９及び第２のマスク層２１の間に、中間マスク層２２が設けられてよい。中間マスク層２２は、単一であってよく、複数であってよい。第１のマスク層１９及び中間マスク層２２の間に中間絶縁体２３が設けられてよい。中間絶縁体２３及び中間マスク層２２の形成方法は、それぞれ第２の絶縁体２０及び第２のマスク層２１の形成方法と類似していてよい。
第２のマスク層２１の形成後、例えば、ＣＦ４ガスやＣＨＦ３ガスを用いたドライエッチングを行い、第２のマスク層２１及び第１のマスク層１９に覆われない領域の第１の絶縁体１８及び第２の絶縁体２０を削除することにより、図２４に示すように、トレンチｔｒを形成する。
前述のように、図１７、２２に示すように、第１のマスク層１９が基板面ｓｓに垂直な方向から見て光伝搬性線路１２の端面を超えて覆う構成においては、図２５に示すように、光伝搬性線路１２とトレンチｔｒとの間に第１の絶縁体１８が残存し得る。このようにトレンチｔｒと光伝搬性線路１２の間に位置する、言換えると光伝搬性線路１２のトレンチｔｒ側の第１の絶縁体１８を、フッ酸により除去することにより、図２６に示すように、光伝搬性線路１２をトレンチｔｒ内に露出させてよい。
トレンチｔｒの形成後、トレンチｔｒ内に磁性部材１３を形成する。磁性部材１３は、任意の方法によりトレンチｔｒ内に形成されてよい。以下に、複数の形成方法を例として、磁性部材１３の形成を説明する。
第１の方法においては、図２７に示すように、第２のマスク層２１における基板１１の反対側から、スパッタリング、蒸着等により、磁性体２４を成膜する。磁性体２４の成膜後、リフトオフにより、図２８に示すように、第２のマスク層２１以外の領域に被膜した磁性体２４が磁性部材１３として形成される。リフトオフは、例えば、第２のマスク層２１を溶解可能な物質を用いて第２のマスク層２１とともに、第２のマスク層２１に成膜された磁性体２４を除去することにより行われてよい。なお、当該物質が第１のマスク層１９も溶解可能である場合、図２９に示すように、第１のマスク層１９に成膜された磁性体２４も除去される。
第２の方法においては、第２のマスク層２１を除去する。第２のマスク層２１は、例えば、第２のマスク層２１を溶解可能な物質を用いて、又はＯ２プラズマにより除去されてよい。第２のマスク層２１の除去後に、図３０に示すように、第２の絶縁体２０における基板１１の反対側から、スパッタリング、蒸着等により、磁性体２４を成膜する。磁性体２４の成膜後、例えば、第１の絶縁体１８及び第２の絶縁体２０と同じ材料をスパッタリング、蒸着等により成膜する。トレンチｔｒ内に成膜した当該材料にレジスト等でマスク掛けをしてエッチングを行うことにより、図３１に示すように、トレンチｔｒ内に成膜される磁性体２４に第３のマスク層２５を形成する。第３のマスク層２５の形成後、エッチングにより第３のマスク層２５に覆われた範囲外の磁性体２４が除去され、図３２に示すように、トレンチｔｒ内に成膜された磁性体２４が磁性部材１３として形成される。
第３の方法においては、第２のマスク層２１を除去する。第２のマスク層２１は、第２の方法において適用した除去方法により、除去されてよい。第２のマスク層２１の除去後に、図３３に示すように、第２の絶縁体２０にレジストを塗布してリソグラフィにより、第２の絶縁体２０を覆いながら、第２のトレンチ形成領域ｔｒ２が開口した第４のマスク層２６を形成する。第４のマスク層２６の形成後に、図３４に示すように、第４のマスク層２６における基板１１の反対側から、スパッタリング、蒸着等により、磁性体２４を成膜する。磁性体２４の成膜後、リフトオフにより、図３５に示すように、第４のマスク層２６以外の領域に被膜した磁性体２４が磁性部材１３として形成される。リフトオフは、例えば、第４のマスク層２６を溶解可能な物質を用いて第４のマスク層２６とともに、第４のマスク層２６に成膜された磁性体２４を除去することにより行われてよい。
トレンチｔｒ内の磁性部材１３の形成後、トレンチｔｒ内に形成された磁性部材１３における基板１１の反対側から、例えば、ＣＶＤを適用して、第３の絶縁体２７を成膜することにより、図３６に示すように、トレンチｔｒを埋戻してよい。又は、トレンチｔｒ内の磁性部材１３の形成後、トレンチｔｒ内に形成された磁性部材１３における基板１１の反対側から、例えば、スパッタリング、蒸着等を適用して、強磁性体２８を成膜することにより、図３７に示すように、トレンチｔｒの一部を埋戻してよい。強磁性体２８の成膜後、第３の絶縁体２７により、トレンチｔｒを埋戻してよい。トレンチｔｒを埋戻すことにより、非相反性導波路１０が製造される。
以上のような構成の本実施形態の非相反性導波路１０は、絶縁層１４内で光伝搬性線路１２よりも基板１１から離れて位置するマスク１５を備え、マスク１５は基板面ｓｓに垂直な方向から見て光伝搬性線路１２の幅方向における磁性部材１３とは反対方向側から光伝搬性線路１２の幅方向における少なくとも一部に重なり且つ長手方向において磁性部材１３が位置する範囲に少なくとも亘って位置する。前述のように半導体プロセスにおいて深いトレンチを形成する際にトレンチの側壁はテーパ状になることがある。それゆえ、マスク１５を設けない非相反性導波路１０’では、図３８に示すように、光伝搬性線路１２’に対する、磁性部材１３’の幅方向における配置の精度は低下する。このような事象に対し、上記の構成を有する非相反性導波路１０は、製造時における最表層に一時的に設けられるマスク層よりも基板１１側に位置するマスク１５が磁性部材１３の形成位置を調整するので、光伝搬性線路１２に対して高い位置精度で磁性部材１３を配置し得る。
また、本実施形態の非相反性導波路１０では、マスク１５は基板面ｓｓに垂直な方向における絶縁層１４の厚みの中央位置より基板１１側に位置する。このような構成により、非相反性導波路１０は、光伝搬性線路１２に対する磁性部材１３の位置精度を向上し得る。
また、本実施形態の非相反性導波路１０では、基板面ｓｓに垂直な方向から見た、マスク１５の幅方向における磁性部材１３側の端は、光伝搬性線路１２の磁性部材１３側の端を越える。このような構成により、非相反性導波路１０は、製造時のトレンチｔｒ形成工程において基板１１側で幅が広がる逆テーパ状のトレンチｔｒが形成されるエッチングを行っても、光伝搬性線路１２に対する磁性部材１３の位置精度を向上し得る。
また、本実施形態の非相反性導波路１０では、基板面ｓｓに垂直な方向から見た、マスク１５は光伝搬性線路１２の磁性部材１３側の端部を覆わない。このような構成により、非相反性導波路１０は、製造時のトレンチｔｒ形成工程において基板１１の逆側で幅が広がるテーパ状のトレンチｔｒが形成されるエッチングを行っても、光伝搬性線路１２に磁性部材１３を接近させ得る。
本開示に係る実施形態について、諸図面及び実施例に基づき説明してきたが、当業者であれば本開示に基づき種々の変形又は修正を行うことが容易であることに注意されたい。従って、これらの変形又は修正は本開示の範囲に含まれることに留意されたい。例えば、各構成部又は各ステップ等に含まれる機能等は論理的に矛盾しないように再配置可能であり、複数の構成部又はステップ等を１つに組み合わせたり、或いは分割したりすることが可能である。
本開示において「第１」、「第２」等の記載は、当該構成を区別するための識別子である。本開示における「第１」、「第２」等の記載で区別された構成は、当該構成における番号を交換することができる。例えば、第１のマスク層は、第２のマスク層と識別子である「第１」と「第２」とを交換することができる。識別子の交換は同時に行われる。識別子の交換後も当該構成は区別される。識別子は削除してよい。識別子を削除した構成は、符号で区別される。本開示における「第１」、「第２」等の識別子の記載のみに基づいて、当該構成の順序の解釈、小さい番号の識別子が存在することの根拠に利用してはならない。
１０、１０’ 非相反性導波路
１１ 基板
１２、１２’ 光伝搬性線路
１３、１３’ 磁性部材
１４ 絶縁層
１５ マスク
１６ ストップ層
１７ 強磁性部材
１８ 第１の絶縁体
１９ 第１のマスク層
２０ 第２の絶縁体
２１ 第２のマスク層
２２ 中間マスク層
２３ 中間絶縁体
２４ 磁性体
２５ 第３のマスク層
２６ 第４のマスク層
２７ 第３の絶縁体
ｓｓ 基板面
ｔｒ トレンチ
ｔｒ１ 第１のトレンチ形成領域
１１ 基板
１２、１２’ 光伝搬性線路
１３、１３’ 磁性部材
１４ 絶縁層
１５ マスク
１６ ストップ層
１７ 強磁性部材
１８ 第１の絶縁体
１９ 第１のマスク層
２０ 第２の絶縁体
２１ 第２のマスク層
２２ 中間マスク層
２３ 中間絶縁体
２４ 磁性体
２５ 第３のマスク層
２６ 第４のマスク層
２７ 第３の絶縁体
ｓｓ 基板面
ｔｒ トレンチ
ｔｒ１ 第１のトレンチ形成領域
Claims (24)
- 基板と、
前記基板上において、基板面に沿って位置する光伝搬性線路と、
前記基板上において、前記光伝搬性線路の長手方向の一部に沿って位置する磁性部材と、
前記基板上において、前記光伝搬性線路及び前記磁性部材を包含するように、位置する絶縁層と、
前記絶縁層内で、前記光伝搬性線路よりも前記基板から離れて位置するマスクと、を備え、
前記マスクは、前記基板面に垂直な方向から見て、前記光伝搬性線路の幅方向における前記磁性部材とは反対方向側から前記光伝搬性線路の幅方向における少なくとも一部に重なり、前記長手方向において前記磁性部材が位置する範囲に少なくとも亘って位置する
非相反性導波路。 - 請求項１に記載の非相反性導波路において、
前記マスクは、前記基板面に垂直な方向における、前記絶縁層の厚みの中央位置より前記基板側に位置する
非相反性導波路。 - 請求項１又は２に記載の非相反性導波路において、
前記マスクは、前記基板面に垂直な方向から見て、前記磁性部材に重ならない
非相反性導波路。 - 請求項１から３のいずれか１項に記載の非相反性導波路において、
前記基板面に垂直な方向から見た、前記マスクの前記幅方向における前記磁性部材側の端は、前記光伝搬性線路の前記磁性部材側の端を越える
非相反性導波路。 - 請求項１から３のいずれか１項に記載の非相反性導波路において、
前記基板面に垂直な方向から見た、前記マスクは、前記光伝搬性線路の前記磁性部材側の端部を覆わない
非相反性導波路。 - 請求項１から５のいずれか１項に記載の非相反性導波路において、
前記磁性部材側の前記マスクの端面は、前記基板面に垂直な方向から見て、前記光伝搬性線路側の前記磁性部材の端面に対応する形状を有する
非相反性導波路。 - 請求項１から６のいずれか１項に記載の非相反性導波路において、
前記光伝搬性線路は、Ｓｉ、ＳｉＮ、及びＳｉＯｘのいずれかを含む
非相反性導波路。 - 請求項７に記載の非相反性導波路において、
前記絶縁層は、前記光伝搬性線路より屈折率が低い物質からなる
非相反性導波路。 - 請求項１から８のいずれか１項に記載の非相反性導波路において、
前記磁性部材は、透明状磁性体、強磁性体、及び強磁性体を含む物質のいずれかからなる
非相反性導波路。 - 請求項１から８のいずれか１項に記載の非相反性導波路において、
前記マスクは、金属又は誘電体物質を含む
非相反性導波路。 - 請求項１から１０のいずれかの非相反性導波路を備える
アイソレータ。 - 請求項１から１０のいずれかの非相反性導波路を備える
光スイッチ。 - 請求項１から１０のいずれかの非相反性導波路を備える
光送受信機。 - 請求項１から１０のいずれかの非相反性導波路を備える
データセンタ。 - 基板上に、基板面に沿った長手方向を有する光伝搬性線路を形成し、
前記光伝搬性線路を埋設させるように第１の絶縁体を成膜し、
前記基板面に垂直な方向から見て、前記光伝搬性線路の長手方向の一部において該光伝搬性線路の幅方向の一端側に該光伝搬性線路に沿って位置させる第１のトレンチ形成領域には重ならず、前記光伝搬性線路の前記一端の逆側から該光伝搬性線路の幅方向における少なくとも一部に重なる第１のマスク層を、前記第１の絶縁体における前記基板の反対側に形成し、
前記第１のマスク層を埋設させるように第２の絶縁体を成膜し、
前記基板面に垂直な方向から見て、前記第１のトレンチ形成領域の少なくとも一部に一部又は全体が重なる第２のトレンチ形成領域以外の領域を覆う第２のマスク層を、前記第２の絶縁体における前記基板の反対側に形成し、
前記第２のマスク層側から第１の絶縁体及び第２の絶縁体のエッチングによりトレンチを形成し、
前記トレンチ内に磁性部材を形成する
非相反性導波路の製造方法。 - 請求項１５に記載の製造方法において、
前記トレンチを形成するためのエッチングにおける、前記第１のマスク層の形成材料に対する前記第１の絶縁体の形成材料の選択比が、前記第１のマスク層の厚みに対する前記第１の絶縁体の厚み以上である
製造方法 - 請求項１５又は１６の記載の製造方法において、
前記第１のマスク層は、前記光伝搬性線路の幅方向における全体に重なる
製造方法。 - 請求項１５又は１６の記載の製造方法において、
前記第１のマスク層は、前記光伝搬性線路の前記一端側の端部に重ならない
製造方法。 - 請求項１５から１８のいずれか１項に記載の製造方法において、
前記トレンチの形成後、前記光伝搬性線路の前記トレンチ側の前記第１の絶縁体を除去する
製造方法。 - 請求項１５から１９のいずれか１項に記載の製造方法において、
前記トレンチの形成後、前記第２のマスク層における前記基板の反対側から磁性体により成膜し、
前記第１のマスク層及び前記第２のマスク層を溶解可能な物質を用いてリフトオフを行うことにより、前記第１のマスク層及び第２のマスク層とともに前記第１のマスク層又は前記第２のマスク層に成膜された前記磁性体を除去する
製造方法。 - 請求項１５から１９のいずれか１項に記載の製造方法において、
前記トレンチの形成後、第２のマスク層を除去した前記第２の絶縁体における前記基板の反対側から磁性体により成膜し、
前記トレンチ内に成膜される磁性体に第３のマスク層を形成し、
第３のマスク層で覆われた範囲外の磁性体をエッチングにより除去する
製造方法。 - 請求項１５から１９のいずれか１項に記載の製造方法において、
前記トレンチの形成後、第２のマスク層を除去した前記第２の絶縁体を覆い、前記第２のトレンチ形成領域が開口した第４のマスク層を形成し、
前記第４のマスク層における前記基板の反対側から磁性体により成膜し、
前記第４のマスク層を溶解可能な物質を用いてリフトオフを行うことにより、前記第４のマスク層とともに前記第４のマスク層に成膜された前記磁性体を除去する
製造方法。 - 請求項１５から２２のいずれか１項に記載の製造方法において、
前記トレンチ内に形成された磁性部材における前記基板の反対側から強磁性体を成膜することにより、前記トレンチの一部を埋戻す
製造方法。 - 請求項１５から２３のいずれか１項に記載の製造方法において、
前記トレンチ内に形成された磁性部材における前記基板の反対側から第３の絶縁体により成膜することにより、前記トレンチを埋戻す
製造方法。
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| US20040179256A1 (en) | 2003-05-12 | 2004-09-16 | Hammer Jacob M. | Ferromagnetic-semiconductor composite isolator and method |
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|---|---|---|---|---|
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| CN100557483C (zh) * | 2008-04-16 | 2009-11-04 | 浙江大学 | 一种偏振无关磁光波导光隔离器 |
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Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| US20040179256A1 (en) | 2003-05-12 | 2004-09-16 | Hammer Jacob M. | Ferromagnetic-semiconductor composite isolator and method |
| US20140314371A1 (en) | 2008-07-01 | 2014-10-23 | Duke University | Polymer optical isolator |
| WO2019044557A1 (ja) | 2017-08-29 | 2019-03-07 | 京セラ株式会社 | アイソレータ、光源装置、光送信機、光スイッチ、光増幅器、及びデータセンター |
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