JP7320641B2 - 少なくとも1つの半導体モジュールのための冷却用アッセンブリ、パワーモジュール、およびパワーモジュールの製造方法 - Google Patents
少なくとも1つの半導体モジュールのための冷却用アッセンブリ、パワーモジュール、およびパワーモジュールの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7320641B2 JP7320641B2 JP2022019708A JP2022019708A JP7320641B2 JP 7320641 B2 JP7320641 B2 JP 7320641B2 JP 2022019708 A JP2022019708 A JP 2022019708A JP 2022019708 A JP2022019708 A JP 2022019708A JP 7320641 B2 JP7320641 B2 JP 7320641B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cooler
- cooling assembly
- cooler part
- cooling
- semiconductor module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims description 85
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 claims description 14
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 14
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 claims description 11
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 7
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 5
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims description 5
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 238000004023 plastic welding Methods 0.000 claims description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 4
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 3
- 239000002991 molded plastic Substances 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims 3
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 claims 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 claims 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 2
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 4
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 4
- 229920013632 Ryton Polymers 0.000 description 3
- 239000004736 Ryton® Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 2
- 239000004918 carbon fiber reinforced polymer Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000002528 anti-freeze Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- AEDZKIACDBYJLQ-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diol;hydrate Chemical compound O.OCCO AEDZKIACDBYJLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009415 formwork Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002964 rayon Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012899 standard injection Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229920001059 synthetic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4817—Conductive parts for containers, e.g. caps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
- H01L21/4882—Assembly of heatsink parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3142—Sealing arrangements between parts, e.g. adhesion promotors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/20218—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating using a liquid coolant without phase change in electronic enclosures
- H05K7/20254—Cold plates transferring heat from heat source to coolant
Description
- 第1の冷却器部を繊維強化ポリマー材料から形成するステップであって、第1の冷却器部は、少なくとも1つの開口と、第1の冷却器部の第1の側面上に配置される少なくとも1つの付着点と、を有する、形成するステップと、
- 第2の冷却器部を繊維強化ポリマー材料から形成するステップと、
- 第1の冷却器部の反対側の第2の側面と第2の冷却器部との間に冷却剤用の空洞を形成するために、第1の冷却器部と第2の冷却器部とをプラスチック溶接または接着結合プロセスによって接合するステップと、
- 一体化された冷却構造体が少なくとも1つの開口を介して冷却用アッセンブリの空洞内へ突き出すように、一体化された冷却構造体を備えるベースプレートを有する少なくとも1つの半導体モジュールを、少なくとも1つの付着点を用いて第1の冷却器部の第1の側面へ付着するステップと、を含む。
1 パワーモジュール
2 第1のポート
3 第2のポート
4 半導体モジュール
5 冷却用アッセンブリ
6 クランプ
7 ねじ
8 ベースプレート
9(上)面
10 成形体
11 基板
12 半導体ダイ
13 リード
14 終端
15 アルミニウム合金本体部
16 冷却剤
17 ピンフィン
18 開口
19 Oリングガスケット
20 溝
101 パワーモジュール
102 第1のポート
103 第2のポート
104 半導体モジュール
105 冷却用アッセンブリ
106 クランプ
107 ねじ
108 ベースプレート
109(上)面
110 ハウジング
111 基板
112 半導体ダイ
113 リード
114 終端
115 プラスチック製本体部
116 冷却剤
117 ピンフィン
118 開口
119 FIPガスケット
120 溝
121 第1の冷却器部
122 第2の冷却器部
123 ジョイント
124 インレイ
125 突起
126 溝
127 結合ライン
Claims (15)
- 一体化された冷却構造体を備えるベースプレート(108)を有する少なくとも1つの半導体モジュール(104)のための冷却用アッセンブリ(105)であって、前記冷却用アッセンブリ(105)は、
- 第1の冷却器部(121)であって、少なくとも1つの開口(118)、および前記第1の冷却器部(121)の第1の側面上に配置される少なくとも1つの付着点を有し、前記少なくとも1つの開口(118)は、対応する半導体モジュール(104)の一体化された冷却構造体を受け入れるように構成され、前記半導体モジュール(104)のベースプレート(108)は、前記第1の冷却器部(121)の第1の側面上の前記少なくとも1つの付着点へ付着される、第1の冷却器部(121)と、
- 前記第1の冷却器部(121)の反対側の第2の側面上に配置される第2の冷却器部(122)と
を備え、
- 前記第1の冷却器部(121)および前記第2の冷却器部(122)は、繊維強化ポリマー材料から製造され、成形または積層によって形成され、かつ前記第1の冷却器部(121)の前記第2の側面と前記第2の冷却器部(122)との間に冷却剤(116)用の空洞を形成するように水密ジョイント(123)によって接合される、冷却用アッセンブリ(105)。 - 前記第1の冷却器部(121)と前記第2の冷却器部(122)とのうちの少なくとも一方は、射出成形されたプラスチック製部品である、請求項1に記載の冷却用アッセンブリ(105)。
- 前記第1の冷却器部(121)と前記第2の冷却器部(122)とのうちの少なくとも一方は、ガラス繊維によって強化された、ポリフェニレンスルフィドPPS、ポリカーボネートPCおよびアクリロニトリル・ブタジエン・スチレンABSのうちの少なくとも1つを含む、請求項1または請求項2に記載の冷却用アッセンブリ(105)。
- 前記第1の冷却器部(121)と前記第2の冷却器部(122)とのうちの少なくとも一方は、薄層状の炭素複合材部品である、請求項1に記載の冷却用アッセンブリ(105)。
- 前記第1の冷却器部(121)と前記第2の冷却器部(122)とのうちの少なくとも一方は、予備含浸複合繊維を含む、請求項1または請求項4に記載の冷却用アッセンブリ(105)。
- 前記第1の冷却器部(121)および前記第2の冷却器部(122)は、プラスチック溶接接合または接着結合接合によって接合される、請求項1~5のいずれか1項に記載の冷却用アッセンブリ(105)。
- 前記少なくとも1つの付着点は、ねじ(107)を取り付けるためのねじ付きインレイ(124)と接着結合ライン(127)を受け入れるように構成される連動構造体とのうちの少なくとも一方を備える、請求項1~6のいずれか1項に記載の冷却用アッセンブリ(105)。
- - 前記第1の冷却器部(121)の前記第1の側面と前記ベースプレート(108)とのうちの一方に配置される溝(120)であって、前記溝(120)は、前記少なくとも1つの開口(118)および前記一体化された冷却構造体をそれぞれ囲む、溝(120)と、
- 前記第1の冷却器部(121)と前記少なくとも1つの付着点により前記冷却用アッセンブリ(105)へ付着される前記ベースプレート(108)との間にシールを形成するために前記溝(120)内に配置されるガスケットと、をさらに備える、請求項1~請求項7のいずれか1項に記載の冷却用アッセンブリ(105)。 - 前記ガスケットは、フォームインプレースガスケット(119)または交換可能なガスケットの形態である少なくとも1つのガスケットを備える、請求項8に記載の冷却用アッセンブリ(105)。
- パワーモジュール(101)であって、
- 請求項1~9のいずれかに記載の冷却用アッセンブリ(105)と、
- 一体化された冷却構造体を備えるベースプレート(108)を有する少なくとも1つの半導体モジュール(104)と
を備え、
前記ベースプレート(108)は、前記一体化された冷却構造体が前記少なくとも1つの開口(118)を介して前記空洞内へ突き出すように、前記少なくとも1つの付着点で前記冷却用アッセンブリ(105)の前記第1の冷却器部(121)の前記第1の側面へ付着される、パワーモジュール(101)。 - 前記少なくとも1つの半導体モジュール(104)は、ハウジング(110)により封入される少なくとも1つのパワー半導体ダイ(112)と、前記少なくとも1つのパワー半導体ダイ(112)へ電気的に接続されかつ前記ハウジング(110)から突き出す複数のリード(113)と、を備える、請求項10に記載のパワーモジュール(101)。
- パワーモジュール(101)を製造するための方法であって、
- 第1の冷却器部(121)を繊維強化ポリマー材料から形成することを含み、前記第1の冷却器部(121)は、少なくとも1つの開口(118)と、前記第1の冷却器部(121)の第1の側面上に配置される少なくとも1つの付着点と、を有し、前記第1の冷却器部(121)を形成することは、前記繊維強化ポリマー材料を用いて前記第1の冷却器部(121)を成形することまたは積層することを含み、前記方法はさらに、、
- 第2の冷却器部(122)を繊維強化ポリマー材料から形成することを含み、前記第2の冷却器部(122)を形成することは、前記繊維強化ポリマー材料を用いて前記第2の冷却器部(122)を成形することまたは積層することを含み、前記方法はさらに、
- 前記第1の冷却器部(121)の反対側の第2の側面と前記第2の冷却器部(122)との間に冷却剤(116)用の空洞を形成するために、前記第1の冷却器部(121)と前記第2の冷却器部(122)とを水密ジョイント(123)によって接合することと、
- 一体化された冷却構造体が前記少なくとも1つの開口(118)を介して冷却用アッセンブリ(105)の空洞内へ突き出すように、前記一体化された冷却構造体を備えるベースプレート(108)を有する少なくとも1つの半導体モジュール(104)を、前記少なくとも1つの付着点を用いて前記第1の冷却器部(121)の前記第1の側面へ付着することと
を含む、方法。 - 前記第1の冷却器部(121)および前記第2の冷却器部(122)を接合することは、プラスチック溶接または接着結合プロセスによって接合することを含む、請求項12に記載の方法。
- 少なくとも、
- 前記第1の冷却器部(121)を形成することは、少なくとも1つのねじ付き金属インサート(124)を前記第1の冷却器部(121)に埋め込むことを含み、または、
- 前記付着することは、前記少なくとも1つの半導体モジュール(104)を、前記ねじ付き金属インサート(124)にねじ込まれるねじ(107)を用いて前記第1の冷却器部(121)へクランプすることを含む、請求項12または13に記載の方法。 - 少なくとも、
- 前記第1の冷却器部(121)を形成することは、前記第1の冷却器部(121)の前記第1の側面上に第1の連動構造体を形成することを含み、または、
- 前記付着することは、前記第1の冷却器部(121)と前記少なくとも1つの半導体モジュール(104)との間に接着結合を形成するために、前記第1の連動構造体と、前記少なくとも1つの半導体モジュール(104)の対応する第2の連動構造体との間に結合ライン(127)を置くことを含む、請求項12または13に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP21163707 | 2021-03-19 | ||
EP21163707.9A EP4060725B1 (en) | 2021-03-19 | 2021-03-19 | A cooling assembly for at least one semiconductor module, a power module and a method for manufacturing a power module |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022145522A JP2022145522A (ja) | 2022-10-04 |
JP2022145522A5 JP2022145522A5 (ja) | 2023-06-08 |
JP7320641B2 true JP7320641B2 (ja) | 2023-08-03 |
Family
ID=75111496
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022019708A Active JP7320641B2 (ja) | 2021-03-19 | 2022-02-10 | 少なくとも1つの半導体モジュールのための冷却用アッセンブリ、パワーモジュール、およびパワーモジュールの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220301979A1 (ja) |
EP (1) | EP4060725B1 (ja) |
JP (1) | JP7320641B2 (ja) |
CN (1) | CN115116996A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0841843A1 (de) | 1996-11-06 | 1998-05-13 | TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH | Leistungsmodul zur Ansteuerung von Elektromotoren |
EP1843392A1 (en) | 2006-04-05 | 2007-10-10 | Delphi Technologies, Inc. | Electronics assembly having heat sink substrate disposed in cooling vessel |
EP2524945A1 (en) | 2010-09-28 | 2012-11-21 | Toray Industries, Inc. | Thermoplastic resin composition and molded item formed from same |
DE102019008611A1 (de) | 2019-04-24 | 2020-10-29 | Erwin Quarder Systemtechnik Gmbh | Kühlbauteil |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5658408A (en) * | 1992-04-21 | 1997-08-19 | Branson Ultrasonics Corporation | Method for processing workpieces by ultrasonic energy |
JP3946018B2 (ja) * | 2001-09-18 | 2007-07-18 | 株式会社日立製作所 | 液冷却式回路装置 |
US6988757B2 (en) * | 2002-08-28 | 2006-01-24 | Dow Global Technologies Inc. | Composite panel and method of forming the same |
US7564129B2 (en) * | 2007-03-30 | 2009-07-21 | Nichicon Corporation | Power semiconductor module, and power semiconductor device having the module mounted therein |
JP2010212577A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Aisin Aw Co Ltd | 半導体モジュール |
JP5273101B2 (ja) | 2010-06-23 | 2013-08-28 | 株式会社デンソー | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
JP5807220B2 (ja) * | 2010-12-30 | 2015-11-10 | 株式会社ザイキューブ | インターポーザ及びそれを用いた半導体モジュール |
US8963321B2 (en) * | 2011-09-12 | 2015-02-24 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device including cladded base plate |
EP2840604B1 (en) * | 2012-04-16 | 2017-07-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and cooler for semiconductor device |
DE112013007390B4 (de) * | 2013-08-29 | 2020-06-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitermodul, Halbleitervorrichtung und Fahrzeug |
DE112014007285B4 (de) * | 2014-12-26 | 2024-01-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitermodul |
US9613885B2 (en) | 2015-03-03 | 2017-04-04 | Infineon Technologies Ag | Plastic cooler for semiconductor modules |
DE112017007329T5 (de) * | 2017-03-27 | 2019-12-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Fahrzeug-Leistungswandlervorrichtung |
JP7124425B2 (ja) * | 2018-05-02 | 2022-08-24 | 富士電機株式会社 | 冷却装置、半導体モジュールおよび車両 |
US11350545B2 (en) * | 2019-12-05 | 2022-05-31 | Ge Aviation Systems Llc | Cold plate assembly for an electronic component |
-
2021
- 2021-03-19 EP EP21163707.9A patent/EP4060725B1/en active Active
-
2022
- 2022-02-10 JP JP2022019708A patent/JP7320641B2/ja active Active
- 2022-02-24 CN CN202210171786.8A patent/CN115116996A/zh active Pending
- 2022-02-25 US US17/681,136 patent/US20220301979A1/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0841843A1 (de) | 1996-11-06 | 1998-05-13 | TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH | Leistungsmodul zur Ansteuerung von Elektromotoren |
EP1843392A1 (en) | 2006-04-05 | 2007-10-10 | Delphi Technologies, Inc. | Electronics assembly having heat sink substrate disposed in cooling vessel |
EP2524945A1 (en) | 2010-09-28 | 2012-11-21 | Toray Industries, Inc. | Thermoplastic resin composition and molded item formed from same |
DE102019008611A1 (de) | 2019-04-24 | 2020-10-29 | Erwin Quarder Systemtechnik Gmbh | Kühlbauteil |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220301979A1 (en) | 2022-09-22 |
EP4060725A1 (en) | 2022-09-21 |
CN115116996A (zh) | 2022-09-27 |
EP4060725B1 (en) | 2023-07-26 |
JP2022145522A (ja) | 2022-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8248809B2 (en) | Inverter power module with distributed support for direct substrate cooling | |
US9466549B2 (en) | Semiconductor module | |
US7495916B2 (en) | Low cost cold plate with film adhesive | |
EP1742265A2 (en) | Coolant cooled type semiconductor device | |
US20240014096A1 (en) | Power module comprising at least one semiconductor module, and a method for manufacturing a power module | |
US20220142015A1 (en) | Electric power converter device with improved integration of cooler frame | |
US6809424B2 (en) | Method for making electronic devices including silicon and LTCC and devices produced thereby | |
EP3428964A1 (en) | Semiconductor device | |
JP7320641B2 (ja) | 少なくとも1つの半導体モジュールのための冷却用アッセンブリ、パワーモジュール、およびパワーモジュールの製造方法 | |
CN114175221B (zh) | 功率半导体模块以及其形成方法 | |
JP2012015288A (ja) | 半導体装置 | |
CN107240855B (zh) | 激光振荡器 | |
JP7204919B2 (ja) | パワーモジュールおよびその製造方法 | |
US20110169191A1 (en) | Sealing frame and method for covering a component | |
CN109075144A (zh) | 功率半导体模块、使用其的电力变换装置以及电力变换装置的制造方法 | |
JP2022145522A5 (ja) | ||
JP2016131197A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005136117A (ja) | 固着機能を有する電子部品の熱保護装置 | |
EP4184567A1 (en) | Cooler unit, semiconductor device and method for manufacturing a cooler unit | |
WO2021106519A1 (ja) | パワーモジュールおよびパワーモジュールの製造方法 | |
JP2018063999A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220715 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230531 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230531 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20230531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230627 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230724 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7320641 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |