JP7318174B2 - 封入構造、封入方法、電界発光装置及び表示装置 - Google Patents
封入構造、封入方法、電界発光装置及び表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7318174B2 JP7318174B2 JP2019536953A JP2019536953A JP7318174B2 JP 7318174 B2 JP7318174 B2 JP 7318174B2 JP 2019536953 A JP2019536953 A JP 2019536953A JP 2019536953 A JP2019536953 A JP 2019536953A JP 7318174 B2 JP7318174 B2 JP 7318174B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sub
- layer
- encapsulated
- encapsulation
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 66
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 125
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 58
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 25
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000009527 percussion Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
本出願は、２０１７年１２月１５日に中国特許庁に提出された中国特許出願２０１７１１３５４１８５．６の優先権を主張し、その全ての内容が援用により本出願に取り込まれる。
本開示は、表示技術に関し、特に、封入構造、封入方法、電界発光装置及び表示装置に関する。
近年、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスの開発において飛躍的な進歩があった。ＯＬＥＤデバイスの安定性及び耐用年数を向上させるためには、通常、封入構造でＯＬＥＤデバイスを封入し、ＯＬＥＤデバイスを外部環境から隔離する必要がある。現在、ＯＬＥＤデバイスの封入方法は、主にプラスチック封入及び薄膜封入を含む。薄膜封入（ＴＦＥ）は、封入材料の違いによって、無機薄膜封入、有機薄膜封入、無機・有機複合材薄膜封入に分けられる。
ＴＦＥを使用して形成された封入構造は一般的に無機膜層を含む。ＴＦＥでは、材料として一般的に窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）が使用され、プラズマ化学気相成膜（ＰＥＣＶＤ）工程を利用してＯＬＥＤを封入する。無機膜層は該デバイスの外層として形成される。しかしかしながら、無機膜層はクラックを生じやすいため、封入構造の封入性能が低い。
従って、本開示の一例は、封入方法である。前記封入方法は、封入すべき構造を覆う無機膜層を形成するステップを含んで良い。前記無機膜層は少なくとも二つの副膜層を含んでいて良く、前記少なくとも二つの副膜層において、前記封入すべき構造からより遠い副膜層の緻密度は、前記封入すべき構造により近い副膜層の緻密度より大きくて良い。
前記封入すべき構造を覆う無機膜層を形成するステップは、プラズマ混合物を使用して前記封入すべき構造上に前記少なくとも二つの副膜層の各々を順次形成するステップを含んでも良い。前記封入すべき構造からより遠い副膜層を形成するプラズマ混合物中のガスの量は、前記封入すべき構造により近い副膜層を形成するプラズマ混合物中のガスの量より多くても良い。前記少なくとも二つの副膜層の各々を形成するプラズマ混合物中のガスの量は、前記少なくとも二つの副膜層の形成順に従って勾配をもって増加しても良い。幾つかの実施形態において、前記少なくとも二つの副膜層の各々を形成するプラズマ混合物中のガスの量は、前記少なくとも二つの副膜層の形成順に従って勾配ｘをもって増加し、ｘ＝５％*Ａであり、Ａは、前記少なくとも二つの副膜層のうち前記封入すべき構造に最も近い副膜層を形成するプラズマ混合物中のガスの量である。
前記プラズマ混合物は、水素化ケイ素、アンモニア及び水素の混合物を含んでも良い。前記ガスは水素であっても良い。前記少なくとも二つの副膜層のうち前記封入すべき構造に最も近い副膜層を形成するプラズマ混合物において、水素化ケイ素、アンモニア及び水素の比率は、[０.９０，１．１０]:[０.７８，０.９８]:[８．２０，８．４０]の範囲内であっても良い。
前記封入方法は、前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面を粗面化するステップを更に含んでも良い。前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面を粗面化するステップは、プラズマで前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面に衝撃を与えるステップを含んでも良い。前記プラズマはアルゴンプラズマであっても良い。
本開示の別の実施形態は、封入構造である。前記封入構造は、封入すべき構造を覆う無機膜層を含んでも良い。前記無機膜層は少なくとも二つの副膜層を含んでいて良く、前記少なくとも二つの副膜層において、前記封入すべき構造からより遠い副膜層の緻密度は、前記封入すべき構造により近い副膜層の緻密度より大きくても良い。前記無機膜層は、ＳｉＮｘ又はＳｉＯＮで作られていても良い。ＳｉＮｘは、ＰＥＣＶＤ工程により、ＳｉＨ４、ＮＨ３及びＨ２から製造されても良い。ＳｉＨ４、ＮＨ３及びＨ２の体積比は、[０.９０，１．１０]:[０.７８，０.９８]:[８．２０，８．４０]の範囲内であっても良い。ＳｉＯＮは、ＰＥＣＶＤ工程により、ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｈ２及びＮ２Ｏから製造されても良い。
前記少なくとも二つの副膜層の各々の緻密度は、前記封入すべき構造に最も近い副膜層から前記封入すべき構造から最も遠い副膜層へと勾配をもって増加しても良い。前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面は、凹凸のある微細構造を有しても良い。前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面の粗さは、０.０４μｍ～０.０６μｍの範囲内である。
本開示の別の例は、電界発光装置である。前記電界発光装置は、本開示の一実施形態に係る封入構造を含んで良い。
本開示の別の例は、表示装置である。前記表示装置は、本開示の一実施形態に係る電界発光装置を含んで良い。
本発明と見なされる主題は、本明細書の末尾にある請求項において特に明示され且つ明確に請求される。本発明の前述の及びそれ以外の目的、特徴並びに利点は、添付図面と併せて下記詳細な記述により明らかになる。図面は以下のとおりである。
当業者が本開示の技術方案をより良く理解できるように、以下では、添付図面及び実施形態を参照しながら本開示を更に詳細に説明する。本開示の説明全般にわたって、図１～図１２を参照する。図面を参照する際、全般にわたって示される同様の構造及び要素は、同様の参照番号で表す。
本明細書の記述において、用語「一実施形態」、「幾つかの実施形態」、「例示的実施形態」、「例」、「特定の例」、「幾つかの例」等への言及は、本開示の少なくとも一つの実施形態又は例に含まれる実施形態又は例に関連して説明された特定の特徴及び構造、材料又は特性を指すことを意図する。用語の概略的な表現は、必ずしも同一の実施形態又は例を指すわけではない。さらに、説明された特定の特徴、構造、材料又は特性は、任意の適切な態様により、任意の一つ又は複数の実施形態又は例に含まれていて良い。
ＯＬＥＤデバイスの安定性及び耐用年数を向上させるためには、通常封入構造でＯＬＥＤデバイスを封入する必要がある。図１は、従来技術において提供される封入構造０２の概略図を示す。図１に示すように、ＯＬＥＤデバイス００がベース基板０１に配置されており、封入構造０２はＯＬＥＤデバイス００の外側に配置された無機膜層０２１を含む。無機膜層０２１は、ＰＥＣＶＤ工程により、ＳｉＮｘを使用して形成することができ、無機膜層０２１は、遮水性を有し、ＯＬＥＤデバイス００を外気から隔離できる。しかしながら、無機膜層０２１は、クラックを生じやすいため、封入構造０２の封入性能が低い。
本開示の実施形態によって提供される封入構造は、前記無機膜層におけるクラックの発生確率を低減し、前記封入構造の封入性能を向上させることができる。本開示の実施形態によって提供される封入構造、封入方法及び表示装置の詳細な説明を以下に示す。
図２は、本開示の一実施形態によって提供される封入構造０３の概略図を示す。図２に示すように、封入構造０３は封入すべき構造０４の外面上に塗布された無機膜層０３１を含み、無機膜層０３１は少なくとも二つの副膜層を含む。前記少なくとも二つの副膜層において、前記封入すべき構造からより遠い副膜層の緻密度は、前記封入すべき構造により近い副膜層の緻密度より大きい。一実施形態では、図２に示すように、前記少なくとも二つの副膜層は、副膜層０３１１から副膜層０３１ｎであり、ｎは２以上の整数であって良い。前記副膜層は、封入すべき構造０４から遠ざかるにつれて順に副膜層０３１１から副膜層０３１ｎまでが配置されている。そのため、副膜層０３１２は副膜層０３１１より緻密であり、副膜層０３１３は副膜層０３１２より緻密であり、以下同様である。副膜層０３１ｎは副膜層０３１（ｎ－１）より緻密である。更に、図２に示すように、封入すべき構造０４がベース基板０５上に配置されている。
本開示の実施形態で提供される封入構造において、前記無機膜層は少なくとも二つの副膜層を含むため、前記少なくとも二つの副膜層のうち前記封入すべき構造からより遠い副膜層の緻密度は、前記封入すべき構造により近い副膜層の緻密度より大きい。そのため、無機膜層におけるクラックの発生確率を低減でき、封入構造の封入性能が低いという課題を解決できる。その結果、封入構造の封入性能を向上させることができる。
一実施形態では、前記少なくとも二つの副膜層において、各副膜層の緻密度は各副膜層の屈折率で特徴付けることができ、各副膜層の緻密度は各副膜層の屈折率と正の相関関係にある。或いは、前記少なくとも二つの副膜層において、各副膜層の緻密度は各副膜層の腐食速度で特徴付けることができ、各副膜層の緻密度は各副膜層の腐食速度と負の相関関係にある。或いは、前記少なくとも二つの副膜層において、各副膜層の緻密度は、各副膜層の屈折率及び各副膜層の腐食速度で特徴付けることもできる。各副膜層の緻密度は、各副膜層の屈折率と正の相関関係にある。各副膜層の密度は各副膜層の腐食速度と負の相関関係にある。もちろん、前記副膜層の緻密度はさらに前記副膜層の他の物理的パラメータで特徴付けることもできる。
一実施形態において、無機膜層０３１の少なくとも二つの副膜層の緻密度は、封入すべき構造０４に近い副膜層から封入すべき構造０４から離れた副膜層へと勾配をもって増加し、これにより無機膜層０３１の緻密度を段階的に高めることができる。即ち、無機膜層０３１の前記少なくとも二つの副膜層の緻密度は、封入すべき構造０４により近い副膜層から封入すべき構造０４からより遠い副膜層へと一定の勾配で増加する。例えば、副膜層０３１１から副膜層０３１ｎまでの緻密度は一定の勾配で増加する。
一実施形態では、図２に示すように、無機膜層０３１の前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面は、凹凸のある微細構造を有する。言い換えれば、無機膜層０３１の前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面は粗い。一実施形態では、各副膜層の表面粗さは、０.０４μｍ～０．０６μｍの範囲内である。無機膜層０３１の前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面粗さは、等しくても異なっていても良いが、任意の副膜層の表面粗さは、０．０４μｍ～０．０６μｍの範囲内であって良い。例えば、一実施形態では、副膜層０３１１の表面粗さは０．０４１μｍであり、副膜層０３１２の表面粗さは０．０４２μｍであり、副膜層０３１３の表面粗さは０．０５μｍであり、副膜層０３１ｎの表面粗さは０．０５８μｍ等である。当該微細構造は光を散乱させることができるため、前記副膜層の表面は平坦でなく、光が前記副膜層の表面で散乱し得る。封入構造０３により発光体を封入する時、前記副膜層の表面は、封入構造０３の光取り出し効率を向上でき且つ光取り出しを容易にする凹凸のある微細構造である。前記発光体は、未封入のＯＬＥＤ装置であって良く、前記副膜層の表面は平坦でなく、前記微細構造は、光が未封入のＯＬＥＤ装置の基板から離れた側から出射される構造であるトップエミッション構造の装置に有利である。
図３は、本開示の一実施形態によって提供される封入構造０３の概略図を示している。図３に示すように、無機膜層０３１の少なくとも二つの副膜層は、３つの副膜層である。当該３つの副膜層は、封入すべき構造０４から遠ざかるにつれて、副膜層０３１１、副膜層０３１２、副膜層０３１３の順に設置されている。
図２及び図３に示す封入構造０３は、無機薄膜封入構造であって良い。本開示の実施形態で提供される封入構造０３は、無機・有機複合膜封入構造であっても良い。前記無機・有機複合膜封入構造は、図４に示すとおりであって良い。
図４は、本開示の一実施形態によって提供される封入構造０３の概略図を示している。一実施形態において、図４に示すように、封入構造０３は、封入すべき構造０４の外面上に交互に積層された無機膜層０３１と、有機膜層０３２とを含む。任意の２つの無機膜層０３１の構造は同一であっても良く、各無機膜層０３１の構造は図２又は図３に示すとおりであっても良い。本開示の実施形態において、作図の都合上、無機膜層０３１の副膜層は図４に図示されていない。
本開示の実施形態では、封入すべき構造０４は未封入の電界発光装置であって良い。前記電界発光装置は、ＯＬＥＤ表示装置又はＯＬＥＤ照明装置であって良い。また、前記封入すべき構造は、量子ドット発光ダイオード（ＱＬＥＤ）表示装置又はＱＬＥＤ照明装置であっても良い。ベース基板０５は、表示領域と、非表示領域とを含んで良くベース基板０５の表示領域にはＯＬＥＤ表示装置等の表示装置が配置されていて良い。ベース基板０５は透明基板であって良く、当該透明基板は、ガラス、石英及び透明樹脂等ある程度頑丈な導光性非金属材料で作られた基板であって良い。また、フレキシブル基板（図２～図４には図示せず）は、一般的にベース基板０５上に配置されても良く、前記表示装置は前記フレキシブル基板上に配置されても良い。封入構造０３が形成された後、ベース基板０５をフレキシブル基板から剥離し、前記フレキシブル基板をフレキシブルディスプレイに用いることができる。前記フレキシブル基板は、ポリイミド（ＰＩ）を使用して形成されたフレキシブル基板であっても良い。無機膜層０３１は、ＳｉＮｘ又はＳｉＯＮ（シリコン酸窒化物）で作られていても良く、無機膜層０３１は、ＰＥＣＶＤ工程により形成されても良い。ＳｉＮｘは、通常は、ＰＥＣＶＤ工程により、水素化ケイ素（ＳｉＨ４）、アンモニア（ＮＨ３）及び水素（Ｈ２）から製造される。ＳｉＯＮは、通常ＰＥＣＶＤ工程により、ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｈ２及び亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）から製造される。有機膜層０３２は、インクジェット印刷工程又は塗布工程を用いて形成されても良い。
一実施形態では、封入構造０３は、封入すべき構造０４から最も遠い封入膜層の外側に配置されたカバープレート（図２～図４には図示せず）を更に含んでも良い。封入すべき構造０４から最も遠い封入膜は、無機膜層又は有機膜層であっても良い。前記カバープレートは、ガラス、石英、透明樹脂等の透光性の非金属性透明基板であっても良く、或いは、ＰＩを使用して形成されたフレキシブル基板であっても良く、本開示の当該実施形態では限定しない。
本開示の実施形態で提供される封入構造において、前記無機膜層は少なくとも二つの副膜層を含むため、前記少なくとも二つの副膜層のうち前記封入すべき構造からより遠い副膜層の緻密度は、前記封入すべき構造により近い副膜層の緻密度より大きい。そのため、無機膜層におけるクラックの発生確率を低減でき、封入構造の封入性能が低いという課題を解決できる。従って、封入構造の封入性能を向上させることができる。
本開示の実施形態において、前記無機膜層は層状構造を採用し、これにより、緻密度を向上させながら無機膜層の応力増加のリスクを低減できる。
本開示の実施形態によって提供される封入構造は下記の方法を用いて製造することができる。本開示の実施形態の封入方法及び封入原理は、下記の実施形態における記述を参照することができる。
本開示の実施形態は、封入方法を更に提供する。前記封入方法は、封入すべき構造を封入し、封入構造を形成するために用いられる。一実施形態では、前記封入方法は下記のステップを含む。
前記封入すべき構造の外側に前記封入すべき構造を覆う無機膜層が形成され、前記無機膜層は少なくとも二つの副膜層を含む。前記少なくとも二つの副膜層において、前記封入すべき構造からより遠い副膜層の緻密度は、前記封入すべき構造により近い副膜層の緻密度より大きい。
一実施形態では、前記少なくとも二つの副膜層において、各副膜層の緻密度は、各副膜層の屈折率で特徴付けられ、各副膜層の緻密度は各副膜層の屈折率と正の相関関係にある。
一実施形態では、前記少なくとも二つの副膜層において、各副膜層の緻密度は、各副膜層の腐食速度で特徴付けられ、各副膜層の緻密度は各副膜層の腐食速度と負の相関関係にある。
一実施形態では、前記封入すべき構造の外側に無機膜層が形成され、前記無機膜層は少なくとも二つの副膜層を含む。前記少なくとも二つの副膜層において、前記封入すべき構造からより遠い副膜層の緻密度は、前記封入すべき構造により近い副膜層の緻密度より大きい。前記方法は、プラズマ混合物を使用して前記封入すべき構造の外側に前記少なくとも二つの副膜層を順次形成するステップを含み、前記封入すべき構造からより遠い副膜層を形成するプラズマ混合物中の所定のガスの量は、前記封入すべき構造により近い副膜層を形成するプラズマ混合物中の所定のガスの量より多い。このようにして、前記無機膜層が得られる。
一実施形態では、前記プラズマ混合物中の所定のガスの量は、前記少なくとも二つの副膜層の形成順に従って勾配をもって増加する。
一実施形態では、前記プラズマ混合物中の所定のガスの量は、前記少なくとも二つの副膜層の形成順に従って、５％*Ａの勾配ｘをもって増加する。用語「Ａ」は、前記少なくとも二つの副膜層のうち、前記封入すべき構造に最も近い副膜層を形成するプラズマ混合物中の所定のガスの量を表す。
一実施形態では、前記プラズマ混合物は、水素化ケイ素、アンモニア及び水素の混合ガスであり、前記所定のガスは水素である。
一実施形態では、前記少なくとも二つの副膜層のうち、前記封入すべき構造に最も近い副膜層を形成するプラズマ混合物中の水素化ケイ素、アンモニア及び水素の比率は、[０.９０，１．１０]:[０.７８，０.９８]:[８．２０，８．４０]の範囲内である。
一実施形態では、前記封入方法は、前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面を粗面化するステップを更に含む。前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面を粗面化するステップは、所定のプラズマで、前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面に衝撃を与えて、前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面を粗面化するステップを含んでも良い。一実施形態では、前記所定のプラズマはアルゴンプラズマである。
一実施形態において、前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面粗さは、０．０４μｍ～０．０６μｍの範囲内である。
一実施形態において、前記封入方法は、前記無機膜層を覆う有機膜層を形成するステップを更に含む。
前述の選択可能な技術的解決案は、ランダムに組み合わされて本開示の代替実施形態を形成しても良く、ここでは繰り返して説明しないことにする。
本開示の実施形態で提供される封入方法では、前記無機膜層は少なくとも二つの副膜層を含むため、前記少なくとも二つの副膜層において、前記封入すべき構造からより遠い副膜層の緻密度は、前記封入すべき構造により近い副膜層の緻密度より大きい。そのため、無機膜層におけるクラックの発生確率を低減でき、封入構造の封入性能が低いという課題を解決できる。従って、封入構造の封入性能を向上させることができる。
図５は、本開示の実施形態によって提供される封入方法のフローチャートを示す。前記封入方法は、封入すべき構造を封入して封入構造を形成するために用いられる。前記封入構造は、図２～図４のいずれか一つに示す封入構造であって良い。図５に示すように、前記封入方法は下記のステップを含む。
ステップ５０１において、前記封入すべき構造の外面を覆う無機膜層を形成する。前記無機膜層は少なくとも二つの副膜層を含む。前記少なくとも二つの副膜層において、前記封入すべき構造からより遠い副膜層の緻密度は、前記封入すべき構造により近い副膜層の緻密度より大きい。
図２～図４の各々に示すように、ベース基板０５上に封入すべき構造０４が配置され、封入すべき構造０４の外側に、当該封入すべき構造０４を覆う無機膜層０３１が形成される。即ち、封入すべき構造０４が形成されているベース基板０５上に、無機膜層０３１を形成する。無機膜層０３１は封入すべき構造０４の外側を覆い、無機膜層０３１は少なくとも二つの副膜層を含む。前記少なくとも二つの副膜層において、封入すべき構造０４からより遠い副膜層の緻密度は、封入すべき構造０４により近い副膜層の緻密度より大きい。
一実施形態において、図２に示すように、無機膜層０３１は、副膜層０３１１から副膜層０３１ｎまでのｎ個の副膜層を含む。副膜層０３１２の緻密度は副膜層０３１１の緻密度より大きく、副膜層０３１３の緻密度は副膜層０３１２の緻密度より大きく、以下同様である。
別の実施形態では、図３に示すように、無機膜層０３１は、副膜層０３１１、副膜層０３１２及び副膜層０３１３の３つの副膜層を含む。副膜層０３１２の緻密度は副膜層０３１１の緻密度より大きく、副膜層０３１３の緻密度は副膜層０３１２の緻密度より大きい。本開示の実施形態において、前記副膜層の緻密度は屈折率で特徴付けることができ、各副膜層の緻密度は各副膜層の屈折率と正の相関関係にある。即ち、ある副膜層にとって、前記副膜層の屈折率が高いほど、前記副膜層の緻密度が高い。或いは、副膜層の緻密度は腐食速度で特徴付けることができ、前記副膜層の緻密度は、それぞれ前記副膜層の腐食速度と負の相関関係にある。即ち、前記副膜層の腐食速度が低いほど、前記副膜層の緻密度は高い。或いは、副膜層の緻密度は、屈折率及び腐食速度で特徴付けることができ、本開示の実施形態では限定しない。
図６は、本開示の実施形態に係る、封入すべき構造０４の外側に封入すべき構造０４を覆う無機膜層０３１を形成する方法のフローチャートを示している。図６に示すように、前記方法は下記のステップを含む。
サブステップ５０１１において、前記封入すべき構造の外側に、プラズマ混合物を使用して少なくとも二つの副膜層を形成する。前記封入すべき構造からより遠い副膜層を形成するプラズマ混合物中の所定のガスの量は、前記封入すべき構造により近い副膜層を形成するプラズマ混合物中の所定のガスの量より多い。
本開示の実施形態では、前記少なくとも二つの副膜層を形成する時、まず前記封入すべき構造により近い副膜層を形成し、その後前記封入すべき構造からより遠い副膜層を形成する。そのため、前記少なくとも二つの副膜層の緻密度が順次増えていくように、前記少なくとも二つの副膜層の形成順に従って、前記プラズマ混合物中の所定のガスの量を次第に増やすことができる。一実施形態では、前記少なくとも二つの副膜層の密度を勾配をもって増加させるために、前記プラズマ混合物中の所定のガスの量を、前記少なくとも二つの副膜層の形成順に従って勾配をもって増加させても良い。一実施形態では、前記プラズマ混合物中の所定のガスの量は、前記少なくとも二つの副膜層の密度が一定の勾配をもって増加するように、前記少なくとも二つの副膜層の形成順に従って一定の勾配をもって増加させることができる。一実施形態では、任意の隣接する２つの副膜層の密度の違いを少なくするため、前記プラズマ混合物中の所定のガスの量を、前記少なくとも二つの副膜層の形成順に従ってｘ＝５％*Ａの勾配で増加させても良い。用語「Ａ」は、前記少なくとも二つの副膜層のうち、前記封入すべき構造に最も近い副膜層を形成するプラズマ混合物中の所定のガスの量である。
本開示の実施形態において、前記少なくとも二つの副膜層の各々を形成する材料は、ＳｉＮｘ又はＳｉＯＮであって良い。
前記少なくとも二つの副膜層の各々を形成する材料がＳｉＮｘである場合、各副膜層を形成するプラズマ混合物は、ＳｉＨ４、ＮＨ３及びＨ２の混合物であって良い。従って、副膜層を形成する工程は、ＰＥＣＶＤ工程によりＳｉＨ４、ＮＨ３及びＨ２の混合物を励起してプラズマ混合物を形成するステップと、前記ＳｉＨ４、ＮＨ３及びＨ２の混合物からＳｉＮｘを形成するステップと、封入すべき構造０４の外側に前記ＳｉＮｘを蒸着してＳｉＮｘ層を形成するステップと、シングルパターニング工程により、前記ＳｉＮｘ層を加工して副膜層を得るステップとを含んで良い。ＰＥＣＶＤ工程によりＳｉＨ４、ＮＨ３及びＨ２の混合物を励起してプラズマ混合物を形成するステップは、関連する従来技術を参照することができる。
前記シングルパターニング工程は、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング及びフォトレジストの剥離を含んでも良い。一実施形態では、シングルパターニング工程により、前記ＳｉＮｘ層を加工して副膜層を得るステップは下記のステップを含む。
まず、ＳｉＮｘ層にフォトレジストの層を塗布してフォトレジスト層を得、その後マスクを使用してフォトレジスト層を露光し、フォトレジスト層の完全露光領域と、非露光領域とを形成する。その後、現像工程により、露光されたフォトレジスト層を加工した後、前記完全露光領域におけるフォトレジストは除去され、前記非露光領域におけるフォトレジストは保持される。そして、前記ＳｉＮｘ層における前記完全露光領域に対応する領域をエッチングする。最後に、前記非露光領域におけるフォトレジストを剥離し、前記非露光領域に対応するＳｉＮｘ層に副膜層を形成する。本開示の実施形態は、例としてポジ型フォトレジストを使用して副膜層を形成することを説明した。実用的には、ネガ型フォトレジストを使用して副膜層を形成しても良い。
前記少なくとも二つの副膜層の各々を形成する材料がＳｉＯＮである場合、各副膜層を形成するプラズマ混合物は、ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｈ２及びＳｉＯＮの混合物であって良い。従って、副膜層を形成する工程は、ＰＥＣＶＤ工程によりＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｈ２及びＳｉＯＮの混合物を励起してプラズマ混合物を形成するステップと、前記ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｈ２及びＳｉＯＮの混合物からＳｉＯＮを形成するステップと、封入すべき構造０４の外側に前記ＳｉＯＮを蒸着してＳｉＯＮ層を形成するステップと、シングルパターニング工程により、前記ＳｉＯＮ層を加工して副膜層を得るステップとを含んで良い。ＰＥＣＶＤ工程によりＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｈ２及びＳｉＯＮの混合物を励起してプラズマ混合物を形成するステップは、関連する従来技術を参照することができる。シングルパターニング工程により前記ＳｉＯＮ層を加工するステップは、上記のシングルパターニング工程によりＳｉＮｘ層を加工するステップと同様であり、ここでは繰り返して説明しないことにする。
本開示の実施形態において、前記少なくとも二つの副膜層を形成するプラズマ混合物がＳｉＨ４、ＮＨ３及びＨ２の混合ガスである場合、前記所定のガスはＨ２であって良い。一実施形態では、前記少なくとも二つの副膜層が図３に示す副膜層０３１１、副膜層０３１２及び副膜層０３１３である場合、副膜層０３１１を形成するプラズマ混合物中のＨ２の量がＡであって良い。副膜層０３１２を形成するプラズマ混合物中のＨ２の量はＡ＋５％ａであって良く、副膜層０３１３を形成するプラズマ混合物中のＨ２の量はＡ＋１０％ａであって良い。一実施形態では、前記少なくとも二つの副膜層のうち、封入すべき構造０４に最も近い副膜層を形成するプラズマ混合物におけるＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｈ２の体積比は、[０.９０，１．１０]:[０.７８，０.９８]:[８．２０，８．４０]の範囲内であって良い。一実施形態では、ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｈ２の体積比は１:０.８８:８．３である。本開示の実施形態において、前記プラズマ混合物の組成、前記少なくとも二つの副膜層のうち封入すべき構造０４に最も近い副膜層を形成するプラズマ混合物におけるＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｈ２の比率、及び５％Ａの勾配は、単に例示的なものに過ぎず、本開示の実施形態では限定しない。
本開示の実施形態において、一方で、Ｈ２は、ＳｉＨ４をＳｉＨ３＋とＳｉＨ２＋に分解でき、ＳｉＨ２＋はＳｉＨ４と反応して反応物を消費でき、Ｈ２は、ＳｉＨ２＋とも反応できる。他方では、Ｈ２は、ＳｉＨ３＋の拡散を促進し、ＳｉＨ３＋を規則的な位置で成長させる。前記副膜層を形成するプラズマ混合物中のＨ２の量を増やすことで、膜形成材料の活性を高めることができ、これにより、形成される副膜層の緻密度が増加する。更に、形成される副膜層中の水素の含有量も増加する。
サブステップ５０１２において、前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面を粗面化する。一実施形態において、所定のプラズマを使用して前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面に衝撃を与えて、前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面を粗面化して良い。前記所定のプラズマは、アルゴン（Ａｒ）プラズマであって良い。粗面化後、前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面粗さは、０．０４μｍ～０．０６μｍの範囲内であって良い。
一実施形態では、低出力のＡｒプラズマを使用して、前記副膜層の表面に衝撃を与えて前記副膜層の比較的低密度の領域を処理し、比較的高密度の領域は保留し、これにより前記副膜層の膜品質を改善できる。この低出力とは、通常、衝撃装置の出力の半分である。前記副膜層の表面を粗面化した後、前記副膜層の表面は、前記封入構造の光取り出し効率を向上させ且つ光取り出しを促進する凹凸のある微細構造を形成でき、これはトップエミッション型構造の表示デバイスに有利である。
一実施形態では、副膜層を形成する度に、毎回前記副膜層の表面を粗面化する。そして、当該粗面化処理の後、前記副膜層に副膜層を形成し、形成された副膜層の表面を再度粗面化し、以下同様に続けることができる。即ち、上記のサブステップ５０１１とサブステップ５０１２とは実際には交互に行うことができる。本開示の実施形態において、ＳｉＨ４、ＮＨ３及びＨ２の混合ガスを使用して副膜層を形成し、図７～図１１を参照しながら図３に示す無機膜層０３１を形成する工程を説明する。
まず、サブステップ５０１１で提供される方法に従って、封入すべき構造０４の外側に副膜層０３１１を形成する。副膜層０３１１の表面は平滑な平面である。この時、副膜層０３１１は、図７に示すとおりである。そして、サブステップ５０１２で提供される方法に従って、副膜層０３１１の表面を粗面化する。加工後、副膜層０３１１は、図８に示すとおりである。次に、サブステップ５０１１で提供される方法に従って、副膜層０３１１上に副膜層０３１２を形成する。副膜層０３１２の表面は平滑な平面である。この時、副膜層０３１２は、図９に示すとおりである。そして、サブステップ５０１２で提供される方法に従って、副膜層０３１２の表面を粗面化する。加工後、副膜層０３１２は、図１０に示すとおりである。そして、サブステップ５０１１で提供される方法に従って、副膜層０３１２上に副膜層０３１３を形成する。副膜層０３１３の表面は平滑な平面である。この時、副膜層０３１３は、図１１に示すとおりである。最後に、サブステップ５０１２で提供される方法に従って、副膜層０３１３の表面を粗面化する。加工後、副膜層０３１３は、図３に示すとおりである。これにより、図３に示す無機膜層０３が得られる。
ステップ５０２において、前記無機膜層の外面を覆う有機膜層を形成する。
図１２は、本開示の実施形態に係る無機膜層０３１を覆う有機膜層０３２の概略図を示す。図１２に示すように、有機膜層０３２は無機膜層０３１を覆う。一実施形態では、アクリル系樹脂及びエポキシ系樹脂を用いたインクジェット印刷工程により、無機膜層０３１の外面上に有機膜層０３２を形成することができる。有機膜層０３２を設置することで、前記封入構造の湾曲性を向上させることができ、曲面ディスプレイの実現を促進する。前記インクジェット印刷工程により有機膜層０３２を形成する工程に関しては、従来技術を参照することができ、本開示の実施形態はここでは繰り返さないことにする。
本開示の実施形態で提供される封入方法によれば、前記無機膜層は少なくとも二つの副膜層を含むため、前記少なくとも二つの副膜層において、前記封入すべき構造からより遠い副膜層の緻密度は、前記封入すべき構造により近い副膜層の緻密度より大きい。そのため、無機膜層におけるクラックの発生確率を低減でき、封入構造の封入性能が低いという課題を解決できる。従って、封入構造の封入性能を向上させることができる。
本開示の実施形態は、電界発光装置を更に提供する。前記電界発光装置は、図２～図４のいずれか一つに示す封入構造０３を含む。また、前記電界発光装置は、電界発光部品を更に含んでいても良く、封入構造０３は電界発光部品を封入するために用いられる。前記電界発光装置は、ＯＬＥＤ表示装置又はＯＬＥＤ照明装置であって良い。また、前記電界発光装置は、ＱＬＥＤ表示装置又はＱＬＥＤ照明装置であっても良い。
本開示の実施形態は、本開示の一実施形態に係る電界発光装置を含む表示装置を更に提供する。前記電界発光装置は、ＯＬＥＤ表示装置又はＯＬＥＤ照明装置であって良い。前記表示装置は、携帯電話、タブレット型コンピュータ、テレビ、ディスプレイ、ノートＰＣ、デジタルフォトフレーム又はナビゲータ等の表示機能を有する任意の製品又は部品であって良い。
当業者達は、上記の実施形態を実施するためのステップの全部又は一部が、ハードウェアによって遂行されても良く、或いは、プログラムにより関連するハードウェアに実行指令を出すことで遂行されても良く、前記プログラムはコンピュータで読み出し可能な記憶媒体に格納されていても良いことを理解し得る。上述の記憶媒体は、読み出し専用メモリ、磁気ディスク又は光ディスクであって良い。
以上、本開示の様々な実施形態の記述は、説明目的で提示されているが、網羅的であること又は開示された実施形態に限定されることを意図したものではない。当業者にとっては、記述された実施形態の範囲及び精神から逸脱することなく、多様な変更及び変形は明らかであろう。本文で使用された用語は、実施形態の原理、又は市場で見られる技術の実用やその技術的改善を最適に説明するため、または、本分野の他の当業者が本文に開示される実施形態を理解できるようにするために選ばれたものである。
Claims (18)
- 封入方法であって、
封入すべき構造を覆う無機膜層を形成するステップを含み、
前記無機膜層は少なくとも二つの副膜層を含み、
前記少なくとも二つの副膜層において、前記封入すべき構造からより遠い副膜層の緻密度は、前記封入すべき構造により近い副膜層の緻密度より大きく、
前記封入方法は、前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面を粗面化するステップを更に含む、封入方法。 - 前記封入すべき構造を覆う無機膜層を形成するステップは、
プラズマ混合物を使用して前記封入すべき構造上に前記少なくとも二つの副膜層の各々を順次形成するステップを含み、
前記封入すべき構造からより遠い副膜層を形成するプラズマ混合物中のガスの量は、前記封入すべき構造により近い副膜層を形成するプラズマ混合物中のガスの量より多い請求項１に記載の封入方法。 - 前記少なくとも二つの副膜層の各々を形成するプラズマ混合物中のガスの量は、前記少なくとも二つの副膜層の形成順に従って勾配をもって増加する請求項２に記載の封入方法。
- 前記少なくとも二つの副膜層の各々を形成するプラズマ混合物中のガスの量は、前記少なくとも二つの副膜層の形成順に従って勾配ｘをもって増加し、
ｘ＝５％*Ａであり、Ａは、前記少なくとも二つの副膜層のうち前記封入すべき構造に最も近い副膜層を形成するプラズマ混合物中のガスの量である請求項３に記載の封入方法。 - 前記プラズマ混合物は、水素化ケイ素、アンモニア及び水素の混合物を含む請求項２に記載の封入方法。
- 前記ガスは、水素である請求項２に記載の封入方法。
- 前記少なくとも二つの副膜層のうち前記封入すべき構造に最も近い副膜層を形成するプラズマ混合物において、水素化ケイ素、アンモニア及び水素の比率は、[０.９０，１．１０]:[０.７８，０.９８]:[８．２０，８．４０]の範囲内である請求項５に記載の封入方法。
- 前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面を粗面化するステップは、
プラズマで前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面に衝撃を与えるステップを含む請求項１に記載の封入方法。 - 前記プラズマはアルゴンプラズマである請求項８に記載の封入方法。
- 封入構造であって、
封入すべき構造を覆う無機膜層を含み、
前記無機膜層は少なくとも二つの副膜層を含み、
前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面は、凹凸のある微細構造を有し、
前記少なくとも二つの副膜層において、前記封入すべき構造からより遠い副膜層の緻密度は、前記封入すべき構造により近い副膜層の緻密度より大きい封入構造。 - 前記無機膜層は、ＳｉＮｘ又はＳｉＯＮで作られている請求項１０に記載の封入構造。
- ＳｉＮｘは、ＰＥＣＶＤ工程により、ＳｉＨ４、ＮＨ３及びＨ２から製造される請求項１１に記載の封入構造。
- ＳｉＨ４、ＮＨ３及びＨ２の体積比は、[０.９０，１．１０]:[０.７８，０.９８]:[８．２０，８．４０]の範囲内である請求項１２に記載の封入構造。
- ＳｉＯＮは、ＰＥＣＶＤ工程により、ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｈ２及びＮ２Ｏから製造される請求項１１に記載の封入構造。
- 前記少なくとも二つの副膜層の各々の緻密度は、前記封入すべき構造に最も近い副膜層から前記封入すべき構造から最も遠い副膜層へ勾配をもって増加する請求項１０に記載の封入構造。
- 前記少なくとも二つの副膜層の各々の表面の粗さは、０.０４μｍ～０.０６μｍの範囲内である請求項１０に記載の封入構造。
- 請求項１０～１６のいずれか一項に記載の封入構造を含む電界発光装置。
- 請求項１７に記載の電界発光装置を含む表示装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711354185.6A CN109935717B (zh) | 2017-12-15 | 2017-12-15 | 封装结构及封装方法、电致发光器件、显示装置 |
| CN201711354185.6 | 2017-12-15 | ||
| PCT/CN2018/120045 WO2019114648A1 (en) | 2017-12-15 | 2018-12-10 | Encapsulation structure, encapsulating method, electroluminescent apparatus, and display apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021507500A JP2021507500A (ja) | 2021-02-22 |
| JP7318174B2 true JP7318174B2 (ja) | 2023-08-01 |
Family
ID=66818961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019536953A Active JP7318174B2 (ja) | 2017-12-15 | 2018-12-10 | 封入構造、封入方法、電界発光装置及び表示装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11302890B2 (ja) |
| EP (1) | EP3724936A4 (ja) |
| JP (1) | JP7318174B2 (ja) |
| KR (1) | KR20190084114A (ja) |
| CN (1) | CN109935717B (ja) |
| WO (1) | WO2019114648A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111050258A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-21 | 歌尔股份有限公司 | 防尘结构、麦克风封装结构以及电子设备 |
| US20220293884A1 (en) * | 2021-03-15 | 2022-09-15 | SDK New Materials, Inc. | Encapsulated Electronic Device with Improved Protective Barrier Layer and Method of Manufacture Thereof |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110143079A1 (en) | 2009-12-15 | 2011-06-16 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Substrate section for flexible display device, method of manufacturing substrate section, and method of manufacturing organic light emitting display device including substrate |
| JP2012174891A (ja) | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Tokyo Electron Ltd | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2014241313A (ja) | 2013-06-11 | 2014-12-25 | シチズンホールディングス株式会社 | Ｌｅｄ装置 |
| US8957583B2 (en) | 2011-03-21 | 2015-02-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of fabricating organic light-emitting display and organic light-emitting display fabricated by the method |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4479249B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2010-06-09 | 凸版印刷株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| KR101279914B1 (ko) | 2004-06-25 | 2013-07-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 밀봉 필름의 차수 성능 개선 방법 및 장치 |
| US7993700B2 (en) | 2007-03-01 | 2011-08-09 | Applied Materials, Inc. | Silicon nitride passivation for a solar cell |
| FR2949775B1 (fr) * | 2009-09-10 | 2013-08-09 | Saint Gobain Performance Plast | Substrat de protection pour dispositif collecteur ou emetteur de rayonnement |
| KR20120060664A (ko) * | 2010-12-02 | 2012-06-12 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 |
| KR20120106453A (ko) | 2011-03-18 | 2012-09-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN104157790B (zh) | 2014-06-30 | 2017-03-15 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光薄膜封装结构，其器件、装置及制造方法 |
| KR102313361B1 (ko) | 2014-11-17 | 2021-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102454152B1 (ko) | 2015-10-23 | 2022-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102201296B1 (ko) | 2015-10-29 | 2021-01-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 |
| KR102512274B1 (ko) * | 2016-08-12 | 2023-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| CN106410062A (zh) * | 2016-11-07 | 2017-02-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种封装层及封装器件 |
| CN106654046B (zh) * | 2016-12-20 | 2018-08-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
| CN107068904A (zh) * | 2017-04-18 | 2017-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 无机封装薄膜、oled封装薄膜的制作方法及相应装置 |
| CN107338424B (zh) | 2017-08-07 | 2020-03-03 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种pecvd镀膜的气体控制方法以及设备 |
-
2017
- 2017-12-15 CN CN201711354185.6A patent/CN109935717B/zh active Active
-
2018
- 2018-12-10 KR KR1020197017608A patent/KR20190084114A/ko not_active IP Right Cessation
- 2018-12-10 EP EP18889442.2A patent/EP3724936A4/en active Pending
- 2018-12-10 US US16/346,959 patent/US11302890B2/en active Active
- 2018-12-10 WO PCT/CN2018/120045 patent/WO2019114648A1/en unknown
- 2018-12-10 JP JP2019536953A patent/JP7318174B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110143079A1 (en) | 2009-12-15 | 2011-06-16 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Substrate section for flexible display device, method of manufacturing substrate section, and method of manufacturing organic light emitting display device including substrate |
| JP2012174891A (ja) | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Tokyo Electron Ltd | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| US8957583B2 (en) | 2011-03-21 | 2015-02-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of fabricating organic light-emitting display and organic light-emitting display fabricated by the method |
| JP2014241313A (ja) | 2013-06-11 | 2014-12-25 | シチズンホールディングス株式会社 | Ｌｅｄ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190084114A (ko) | 2019-07-15 |
| US11302890B2 (en) | 2022-04-12 |
| EP3724936A4 (en) | 2021-08-25 |
| CN109935717A (zh) | 2019-06-25 |
| EP3724936A1 (en) | 2020-10-21 |
| WO2019114648A1 (en) | 2019-06-20 |
| JP2021507500A (ja) | 2021-02-22 |
| US20210280821A1 (en) | 2021-09-09 |
| CN109935717B (zh) | 2021-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11404670B2 (en) | Light-emitting device and method for manufacturing same, and display device | |
| JP7318174B2 (ja) | 封入構造、封入方法、電界発光装置及び表示装置 | |
| US10930886B2 (en) | Method for manufacturing OLED display screen and OLED display screen | |
| WO2016127581A1 (zh) | 像素结构、显示装置以及像素结构的制作方法 | |
| WO2021148007A1 (zh) | 显示基板母板、显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| US20180212187A1 (en) | Packaging method for organic semiconductor device | |
| CN109360843B (zh) | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN111463242B (zh) | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 | |
| JP7404608B2 (ja) | 封止構造、封止方法及び表示装置 | |
| US20200044010A1 (en) | Shadow mask for oled evaporation and manufacturing method therefor, and oled panel manufacturing method | |
| CN109994657B (zh) | Oled显示面板制作方法及由该方法制备的显示面板 | |
| KR100767903B1 (ko) | 마스크의 제조 방법, 성막 방법, 전자 장치 및 전자기기 | |
| WO2019184641A1 (zh) | 一种薄膜封装方法、薄膜封装结构、显示装置 | |
| CN109411583B (zh) | 发光单元及其制造方法、显示装置 | |
| CN109817817A (zh) | 一种柔性oled器件及其制备方法 | |
| CN110797303B (zh) | 一种基板及其制备方法、显示装置 | |
| WO2020155943A1 (zh) | 柔性有机发光显示面板及其制作方法 | |
| CN111430423B (zh) | Oled显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| TWI491053B (zh) | A method of etching a glass substrate | |
| US11264595B2 (en) | Display panel and method of manufacturing the same | |
| CN110943180A (zh) | 一种柔性oled器件封装结构及其封装方法 | |
| TWI630742B (zh) | 可撓性有機發光二極體的結構及其製造方法 | |
| CN110190095B (zh) | 一种显示面板及其制备方法 | |
| CN106953025B (zh) | 有机发光显示装置的制造方法 | |
| CN114695794A (zh) | 柔性基板、其制作方法、显示基板及显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211206 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221222 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230110 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20230329 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230410 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230620 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230630 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7318174 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |