JP7317074B2 - 電力変換装置 - Google Patents

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Description

本開示は、電力変換装置に関する。
従来の電力変換装置では、スイッチングパワーモジュールの正極と負極との間に、接続用配線板を介して、スナバ回路としての平滑用コンデンサが接続されている。スイッチングパワーモジュールには、直流電源からの電力が供給される(例えば、特許文献1参照)。
特許第3484122号公報
上記のような従来の電力変換装置において、直流電源からスイッチングパワーモジュールへ流れる電流を検出するための電流センサは、一般的に、直流電源の正極と平滑用コンデンサの正極側の端子との間に設けられる。従って、電流センサには、スイッチングパワーモジュールに流れる電流と、平滑用コンデンサに流れる電流とが流れる。そのため、電流センサにより測定された電流値と、実際にスイッチングパワーモジュールに流れる電流値との間に乖離が生じる。つまり、従来の電力変換装置では、スイッチングパワーモジュールに流れる電流が精度良く測定されないという問題が生じる。
本開示は、上記のような課題を解決するために為されたものであり、電力変換部に流れる電流の測定精度の低下を抑制することができる電力変換装置を得ることを目的とする。
本開示に係る電力変換装置は、第1入力端子と、第2入力端子と、第1出力端子と、第2出力端子とを有した電力変換装置であって、第1出力端子及び第2出力端子に接続されている電力変換部、第1入力端子から第1出力端子に流れる電流を検出する電流センサ、第1入力端子と第1出力端子との間に設けられている第1接続点と、第2入力端子と第2出力端子との間に設けられている第2接続点との間に接続されている第1コンデンサ、及び第1接続点と第1出力端子との間に設けられている第3接続点と、第2接続点と第2出力端子との間に設けられている第4接続点との間に接続されている第2コンデンサを備え、電流センサは、第1接続点と第3接続点との間に設けられており、第1入力端子から第1接続点までの配線の長さを第1配線長、第2入力端子から第2接続点までの配線の長さを第2配線長、第1接続点から第3接続点までの配線の長さを第3配線長、第2接続点から第4接続点までの配線の長さを第4配線長としたとき、第3配線長と第4配線長との和は、第1配線長と第2配線長との和よりも小さい。
本開示に係る電力変換装置によれば、電力変換部に流れる電流の測定精度の低下を抑制することができる。
実施の形態1に係る電力変換装置を示す回路図である。 図1の回路基板を示す上面図である。 図1の回路基板を示す下面図である。 実施の形態2に係る電力変換装置の回路基板を示す上面図である。 実施の形態2に係る電力変換装置の回路基板を示す下面図である。
以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1に係る電力変換装置を示す回路図である。図1の電力変換装置は、所謂絶縁型のフルブリッジDC/DCコンバータである。電力変換装置は、例えば、電気自動車に内蔵されている。
電力変換装置は、回路基板101と、第1コンデンサ102と、第2コンデンサ103と、電流センサ104と、電力変換部107と、トランス108と、4つの整流ダイオード109a、109b、109c、及び109dと、平滑リアクトル110と、制御回路112とを備えている。電力変換装置は、直流電源100からの電力を降圧し、降圧された電力を負荷111に供給する。
回路基板101は、直流電源100と電力変換部107との間に設けられている。回路基板101は、入力部105と出力部106とを有している。入力部105には直流電源100からの電力が入力される。
入力部105は、第1入力端子105aと、第2入力端子105bとを有している。第1入力端子105aは、直流電源100の正極に接続されている。第2入力端子105bは、直流電源100の負極に接続されている。
出力部106は、第1出力端子106aと、第2出力端子106bとを有している。第1出力端子106aには、第1入力端子105aからの電流が流れる。第2出力端子106bは、第2入力端子105bと接続されている。
電力変換部107は、出力部106に接続されている。従って、電力変換部107は、回路基板101を介して、直流電源100に接続されている。電力変換部107は、4つのパワー半導体素子107a、107b、107c、及び107dを有している。電力変換部107は、4つのパワー半導体素子107a、107b、107c、及び107dを用いて、出力部106から入力される電力を変換して、トランス108に出力する。
各パワー半導体素子は、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)である。また、各パワー半導体素子のドレイン-ソース間には、フリーホイールダイオードが逆並列接続されている。
第1コンデンサ102は、第1接続点102aと、第2接続点102bとの間に接続されている。第1接続点102aは、第1入力端子105aと第1出力端子106aとの間に設けられている。第2接続点102bは、第2入力端子105bと第2出力端子106bとの間に設けられている。
第1コンデンサ102は、電圧振動抑制用のコンデンサである。第1コンデンサ102としては、セラミックコンデンサが用いられている。ここで、電圧振動とは、パワー半導体素子107a~107dのスイッチング時において、電力変換部107周辺の配線における寄生インダクタンスと、コンデンサとを含む容量成分に起因する振動である。
なお、第1コンデンサ102は、複数のコンデンサ又は複数の直列コンデンサが互いに並列接続されたコンデンサである。直列コンデンサは、複数のコンデンサ部品が直列に接続されたコンデンサである。
第2コンデンサ103は、第3接続点103aと、第4接続点103bとの間に接続されている。第3接続点103aは、第1接続点102aと第1出力端子106aとの間に設けられている。第4接続点103bは、第2接続点102bと第2出力端子106bとの間に設けられている。
第2コンデンサ103は、サージ電圧抑制用及び電圧振動抑制用のコンデンサである。第2コンデンサとしては、セラミックコンデンサが用いられる。第2コンデンサ103も、第1コンデンサ102と同様に、複数のコンデンサ又は複数の直列コンデンサが互いに並列接続されたコンデンサである。
電流センサ104は、第1接続点102aと第3接続点103aとの間に設けられている。具体的には、電流センサ104は、第1コンデンサ102の直近に設けられている。電流センサ104は、第1入力端子105aから第1出力端子106aに流れる電流を検出する。電流センサ104としては、CT(Current Transformer)方式の電流センサが用いられる。電流センサ104は、1次巻線及び2次巻線を有している。1次巻線の一端は、第1接続点102aに接続されており、1次巻線の他端は、第3接続点103aに接続されている。
トランス108は、一次側コイル及び二次側コイルを有している。トランス108は、電力変換部107において発生した電圧を降圧させる。
4つの整流ダイオード109a、109b、109c、及び109dは、トランス108の二次側コイルから出力される電圧を整流する。
平滑リアクトル110は、トランス108の二次側コイルから出力される電圧及びトランス108の二次側コイルから出力される電流を平滑化し、電圧及び電流が平滑化された電力を負荷111に供給する。
制御回路112は、電力変換部107の各パワー半導体をオンオフ制御するための制御信号を生成し、生成された各制御信号を電力変換部107に出力する。また、制御回路112は、電流センサ104により検出された電流を電流センサ104から取得する。
また、回路基板101上の各配線は、配線パターンに起因する寄生インダクタンスとして、第1寄生インダクタンス101c及び第2寄生インダクタンス101dを有している。第1寄生インダクタンス101cは、第1接続点102aから第1入力端子105aまでの経路と、第2接続点102bから第2入力端子105bまでの経路とが有している寄生インダクタンスである。第2寄生インダクタンス101dは、第1接続点102aから第3接続点103aまでの経路と、第2接続点102bから第4接続点103bまでの経路とが有している寄生インダクタンスである。
ここで、第1入力端子105aから第1接続点102aまでの配線の長さを第1配線長とする。第2入力端子105bから第2接続点102bまでの配線の長さを第2配線長とする。第1接続点102aから第3接続点103aまでの配線の長さを第3配線長とする。第2接続点102bから第4接続点103bまでの配線の長さを第4配線長とする。
このとき、実施の形態1に係る回路基板101において、第3配線長と第4配線長との和は、第1配線長と第2配線長との和よりも小さい。
また、一般的には、寄生インダクタンスの大きさは、配線の長さに比例するので、第2寄生インダクタンス101dの値は、第1寄生インダクタンス101cの値よりも小さくなる。
第1コンデンサ102は、第1寄生インダクタンス101cに起因する電圧振動を抑制する。そのため、第1コンデンサ102の容量値は、第1寄生インダクタンス101cに起因する電圧振動を十分に抑制可能な値に設定される。
第2コンデンサ103は、第2寄生インダクタンス101dに起因する電圧振動を抑制する。また、第2コンデンサ103は、第1寄生インダクタンス101cに起因するサージ電圧及び第2寄生インダクタンス101dに起因するサージ電圧を抑制する。そのため、第2コンデンサ103の容量値は、第2寄生インダクタンス101dに起因する電圧振動と、第1寄生インダクタンス101cに起因するサージ電圧と、第2寄生インダクタンス101dに起因するサージ電圧とを十分に抑制可能な値に設定される。
上述したように、第2寄生インダクタンス101dは、第1寄生インダクタンス101cよりも小さいため、第2コンデンサ103の容量値は、第1コンデンサ102の容量値よりも小さい値に設定することができる。
第2寄生インダクタンス101dによる電圧振動を抑制するために必要なコンデンサの容量値は、第1寄生インダクタンス101cによるサージ電圧及び第2寄生インダクタンス101dによるサージ電圧を抑制するために必要なコンデンサの容量値よりも大きい。従って、第2コンデンサ103の容量値は、第2寄生インダクタンス101dに起因する電圧振動を抑制可能な値に設定されれば十分である。
次に、実施の形態1に係る電力変換装置との比較例として、第1コンデンサ102を備えていない電力変換装置を考える。そして、実施の形態1に係る電力変換装置における第2コンデンサ103の容量値と、比較例の電力変換装置における第2コンデンサの容量値との違いを説明する。
比較例の電力変換装置の回路構成は、図1に示した回路から第1コンデンサ102を除去した構成と等価である。従って、比較例の電力変換装置では、回路構成上、第1接続点102a及び第2接続点102bも存在しない。また、比較例の電力変換装置において、図1の第2コンデンサに対応するコンデンサは、便宜上、平滑用コンデンサと呼ばれる。
比較例の電力変換装置の回路基板における配線の寄生インダクタンスは、図1の第1寄生インダクタンス101c及び第2寄生インダクタンス101dとは異なっている。比較例の電力変換装置においては、第3寄生インダクタンスとして、第1入力端子105aから電流センサ104までの経路が有している寄生インダクタンスが存在する。また、第4寄生インダクタンスとして、電流センサ104から第3接続点103aまでの経路と、第4接続点103bから第2入力端子105bまでの経路とに起因する寄生インダクタンスが存在する。
平滑用コンデンサは、出力部106の直近に配置されている。これにより、平滑用コンデンサは、スナバ回路として機能し、寄生インダクタンスに起因するサージ電圧を抑制することができる。
比較例の電力変換装置では、平滑用コンデンサにより、第3寄生インダクタンスに起因する電圧振動及び第4寄生インダクタンスに起因する電圧振動の双方を抑制する必要がある。従って、平滑用コンデンサの容量値は、第3寄生インダクタンスに起因する電圧振動及び第4寄生インダクタンスに起因する電圧振動の双方を抑制するため、第2コンデンサ103の容量値よりも大きい値に設定されている。
よって、第2コンデンサ103に流れる電流は、平滑用コンデンサに流れる電流よりも小さくなる。従って、図1の電力変換装置では、比較例の電力変換装置にくらべて、電流センサ104の測定値と、実際に電力変換部107に流れる電流値との乖離を低減することができる。
次に、回路基板101における第1コンデンサ102、第2コンデンサ103、及び電流センサ104の配置と、配線パターンとについて説明する。上述したように、電流センサ104は、CT方式のセンサであるため、電流センサ104の1次巻線と2次巻線との間は、電気的に絶縁される必要がある。
回路基板101において、第1コンデンサ102及び第2コンデンサ103は、配線パターンを介して、電流センサ104の1次巻線と接続されている。従って、2次巻線と第1コンデンサ102との間及び2次巻線と第2コンデンサ103との間には、絶縁距離を設ける必要がある。
そのため、第1コンデンサ102、第2コンデンサ103、及び電流センサ104をすべて回路基板101の同一面に配置しようとすると、配線のレイアウトの自由度が低下してしまう。これにより、第3配線長及び第4配線長を小さく設定することが困難になるという問題が生じる。
図2は、図1の回路基板101を示す上面図である。図3は、図1の回路基板101を示す下面図である。回路基板101は、第1導電層、第2導電層、及び絶縁基板を有している。絶縁基板は、第1導電層と第2導電層との間に介在している。第1導電層の表面は、回路基板101の第1面であり、第2導電層の表面は、回路基板101の第2面である。
図2には、回路基板101の第1面が示されており、図3には、第1面とは反対側の面である第2面が示されている。電流センサ104は、回路基板101の第1面に配置されている。第1面には、電流センサ104の4隅において、4つの配線パターン104A、104B、104C、及び104Dが形成されている。
2つの配線パターン104A及び104Bは、電流センサ104内の1次巻線と接続されている。2つの配線パターン104C及び104Dは、電流センサ104内の2次巻線と接続されている。
第1コンデンサ102及び第2コンデンサ103は、第2面コンデンサとして、回路基板101の第2面に配置されている。領域102Dは、第2面において、第1コンデンサ102が配置されている領域である。領域103Dは、第2面において、第2コンデンサ103が配置されている領域である。
第1コンデンサ102及び第2コンデンサ103は、2つの配線パターン104A及び104Bを介して、電流センサ104の1次巻線と電気的に接続されている。従って、第1コンデンサ102及び第2コンデンサ103は、2つの配線パターン104C及び104Dと電気的に絶縁される必要がある。
電流センサ104及び配線パターン104Cと、第1コンデンサ102とは、回路基板101の第1面の法線方向に互いに重なっている。電流センサ104及び配線パターン104Cと第1コンデンサ102との間は、回路基板101の絶縁層により電気的に絶縁されている。
また、電流センサ104及び配線パターン104Dと、第2コンデンサ103とは、回路基板101の第1面の法線方向に互いに重なっている。電流センサ104及び配線パターン104Dと第2コンデンサ103との間は、回路基板101の絶縁層により電気的に絶縁されている。
このように、第2面コンデンサは、回路基板101の電流センサ104が配置されている面とは反対側の面に配置されている。また、回路基板101の法線方向において、電流センサ104の一部と、電流センサ104が配置されている面とは反対側の面に配置されているコンデンサの一部とが互いに重なっている。そして、回路基板101の絶縁層によって、第1面に配置された電流センサ104の2次巻線と、第2面に配置されたコンデンサ部品との間の絶縁が確保される。
第2面コンデンサは、第1コンデンサ102及び第2コンデンサ103の少なくともいずれか一方のコンデンサである。
このように、実施の形態1に係る電力変換装置は、第1入力端子105aと、第2入力端子105bと、第1出力端子106aと、第2出力端子106bとを有している。また、実施の形態1に係る電力変換装置は、電力変換部107、電流センサ104、第1コンデンサ102、及び第2コンデンサ103を備えている。
電力変換部107は、第1出力端子106a及び第2出力端子106bに接続されている。電流センサ104は、第1入力端子105aから第1出力端子106aに流れる電流を検出する。
第1コンデンサ102は、第1接続点102aと第2接続点102bとの間に接続されている。第1接続点102aは、第1入力端子105aと第1出力端子106aとの間に設けられている。第2接続点102bは、第2入力端子105bと第2出力端子106bとの間に設けられている。
第2コンデンサ103は、第3接続点103aと第4接続点103bとの間に接続されている。第3接続点103aは、第1接続点102aと電力変換部107との間に設けられている。第4接続点103bは、第2接続点102bと電力変換部107との間に設けられている。
電流センサ104は、第1接続点102aと第3接続点103aとの間に設けられている。
ここで、第1入力端子105aから第1接続点102aまでの配線の長さを第1配線長とする。第2入力端子105bから第2接続点102bまでの配線の長さを第2配線長とする。第1接続点102aから第3接続点103aまでの配線の長さを第3配線長とする。第2接続点102bから第4接続点103bまでの配線の長さを第4配線長とする。このとき、第3配線長と第4配線長との和は、第1配線長と第2配線長との和よりも小さい。
このような構成により、第1コンデンサ102の容量値は、第1寄生インダクタンス101cに起因する電圧振動を抑制可能な値に設定される。第2コンデンサ103の容量値は、第2寄生インダクタンス101dに起因する電圧振動と、第1寄生インダクタンス101cに起因するサージ電圧と、第2寄生インダクタンス101dに起因するサージ電圧とを抑制可能な値に設定される。
上述したように、第3配線長と第4配線長との和は、第1配線長と第2配線長との和よりも小さい。そのため、第2寄生インダクタンス101dは、第1寄生インダクタンス101cよりも小さくなる。このように、電流センサ104の前段及び後段にそれぞれ第1コンデンサ102及び第2コンデンサ103を設けることにより、第2コンデンサ103の容量値は、比較例の平滑用コンデンサの容量値よりも低い値に設定することができる。
従って、実施の形態1に係る電力変換装置によれば、電力変換部107に流れる電流の測定精度の低下を抑制することができる。また、サージ電圧の抑制効果及び電圧振動の抑制効果も維持することができる。
なお、実施の形態1に係る電力変換装置において、第1配線長及び第2配線長の和に対する第3配線長及び第4配線長の和の比は、小さいほどよい。
例えば、第1入力端子105aから第1出力端子106aまでの配線上において、電流センサ104が第1出力端子106aに近付く方向に、電流センサ104を移動させる場合を考える。また、この場合、第1接続点102a及び第2接続点102bが、それぞれ第1出力端子106a及び第2出力端子106bに近付く方向に、第1接続点102a及び第2接続点102bを移動させる。
この場合、第1配線長及び第2配線長は、より長くなり、第3配線長及び第4配線長は、より短くなる。従って、第1寄生インダクタンス101cの値は増加するが、第1コンデンサ102の容量値を第1寄生インダクタンス101cの値の増加に応じて増加させることにより、第1寄生インダクタンス101cに起因する電圧振動は抑制することができる。
一方で、第2コンデンサ103の容量値は、第1コンデンサ102の容量値の増加分だけ低くすることができる。従って、電力変換部107に流れる電流の測定精度の低下をより抑制することができる。
また、第2コンデンサ103の容量値は、第1コンデンサ102の容量値よりも小さい。従って、電力変換部107に流れる電流の測定精度の低下をより抑制することができる。
また、第1コンデンサ102及び第2コンデンサ103として、いずれもセラミックコンデンサが用いられる。セラミックコンデンサは、アルミ電解コンデンサ及びフィルムコンデンサよりも小型である。従って、セラミックコンデンサが回路基板101を占有する面積は、アルミ電解コンデンサ及びフィルムコンデンサが回路基板101を占有する面積よりも小さい。
従って、第1コンデンサ102及び第2コンデンサ103として、セラミックコンデンサが用いられることにより、回路基板101内の部品レイアウトの自由度が高くなる。従って、第3配線長及び第4配線長をより小さくすることができる。つまり、電力変換部107に流れる電流の測定精度の低下をより抑制することができる。
また、実施の形態1において、第1コンデンサ102として、セラミックコンデンサが用いられていたが、第1コンデンサ102として、アルミ電解コンデンサが用いられてもよい。少なくとも、第2コンデンサ103として、セラミックコンデンサが用いられることにより、第3配線長及び第4配線長を小さくすることができる。
配線レイアウトの制約により、第1寄生インダクタンス101cが比較的高い値となった場合、第1寄生インダクタンス101cに起因する電圧振動が大きくなる。また、第1寄生インダクタンス101cが比較的高い値となった場合、第1寄生インダクタンス101cに起因するサージ電圧のピークと、第2寄生インダクタンス101dに起因するサージ電圧のピークとが高くなる。
そのため、これらの電圧振動及びサージ電圧を抑制するために、第1コンデンサ102及び第2コンデンサ103として、大容量のコンデンサを用いる必要があるため、コンデンサの体積が大きくなり、電力変換装置が大型化するといった問題が生じる。
アルミ電解コンデンサの容量密度は、セラミックコンデンサの容量密度よりも高いため、第1コンデンサ102として、アルミ電解コンデンサを用いることにより、大容量化に伴う体積増加を抑制することができる。一方で、第2コンデンサ103として、周波数特性に優れたセラミックコンデンサを用いることにより、高いサージ電圧抑制効果を得ることができる。
これにより、電圧振動の抑制及びサージ電圧の抑制を行いながら、コンデンサ体積を低減することができるため、電力変換装置を小型化することができる。
また、実施の形態1において、第1コンデンサ102として、セラミックコンデンサが用いられていたが、第1コンデンサ102として、フィルムコンデンサが用いられてもよい。少なくとも、第2コンデンサ103として、セラミックコンデンサが用いられることにより、第3配線長及び第4配線長を小さくすることができる。
アルミ電解コンデンサと同様に、フィルムコンデンサの容量密度は、セラミックコンデンサの容量密度よりも高い。従って、第1コンデンサ102として、フィルムコンデンサを用いることにより、大容量化に伴う体積増加を抑制することができる。一方で、第2コンデンサとして、周波数特性に優れたセラミックコンデンサを用いることにより、高いサージ電圧抑制効果を得ることができる。
これにより、電圧振動の抑制及びサージ電圧の抑制を行いながら、コンデンサ体積を低減することができるため、電力変換装置を小型化することができる。
また、回路基板101は、第1面と、第1面とは反対側の面である第2面とを有している。電流センサ104は、回路基板101の第1面に配置されており、第2面コンデンサは、第2面に配置されている。第2面コンデンサは、第1コンデンサ102及び第2コンデンサ103の少なくともいずれか一方である。そして、第2面コンデンサの少なくとも一部は、第1面の法線方向に電流センサ104と重なっている。
これによれば、電流センサ104が配置されている面とは反対側の面に配置されたコンデンサを電流センサ104の2次巻線の近傍に配置することができる。従って、回路基板101における配線レイアウトの自由度が高まり、第3配線長及び第4配線長を小さく設定することができる。
また、第1コンデンサ102の定格リプル電流は、第2コンデンサ103の定格リプル電流よりも大きくされてもよい。つまり、第1コンデンサ102として、高許容リプルセラミックコンデンサが用いられてもよい。
第1コンデンサ102は、第1寄生インダクタンスに起因する電圧振動を抑制するために大容量化される。そのため、第1コンデンサ102には、比較的大きな電流が流れる。第1コンデンサ102として、定格リプル電流が低いコンデンサを用いる場合、第1コンデンサ102を構成している複数のコンデンサ部品の個数を増やすことにより、1つのコンデンサ部品に流れる電流を小さくする必要がある。つまり、定格リプル電流が低いコンデンサを用いる場合、複数のコンデンサ部品の個数が増加し、その結果、電力変換装置のコストが増加する。
また、第1寄生インダクタンス101cの値が高いため、第1寄生インダクタンス101cに起因するサージ電圧及び第2寄生インダクタンス101dに起因するサージ電圧も高くなる。そして、第2コンデンサ103が大容量となり、電流センサ104の測定値と、実際に電力変換部107に流れる電流値とに乖離が生じる恐れがある。
従って、第1コンデンサ102として、定格リプル電流の大きいコンデンサを用いることにより、第1コンデンサ102は、比較的少ない直列数で定格リプル電流を満たすことができる。つまり、コンデンサ部品の部品数の増加を抑えることができる。
また、第2コンデンサ103の等価直列抵抗(ESR:Equivalent Series Resistance)は、第1コンデンサ102の等価直列抵抗よりも低くされてもよい。つまり、第2コンデンサ103として、等価直列抵抗が低いセラミックコンデンサが用いられてもよい。
このように、第2コンデンサ103として、周波数特性により優れた低ESR品を用いることにより、第2コンデンサ103を大容量化することなく、高いサージ電圧抑制効果が得られる。従って、第1コンデンサ102のコスト増加を抑制しつつ、第2コンデンサ103の容量を小さくすることができる。
実施の形態2.
次に、実施の形態2に係る電力変換装置について説明する。実施の形態2に係る電力変換装置では、電流センサ104として、ホール素子による電流センサが用いられる。電流センサ104として、ホール素子による電流センサが用いられることを除く他の構成は、実施の形態1に係る電力変換装置と同様である。
図4は、実施の形態2に係る電力変換装置の回路基板101を示す上面図である。図5は、実施の形態2に係る電力変換装置の回路基板101を示す下面図である。回路基板101は、第1導電層、第2導電層、及び絶縁基板を有している。絶縁基板は、第1導電層と第2導電層との間に介在している。第1導電層の表面は、回路基板101の第1面であり、第2導電層の表面は、回路基板101の第2面である。
図4には、回路基板101の第1面が示されており、図5には、第1面とは反対側の面である第2面が示されている。電流センサ104Eは、回路基板101の第1面に配置されている。第1面には、電流センサ104Eの4隅において、4つの配線パターン104a、104b、104c、及び104dが形成されている。
2つの配線パターン104a及び104bは、電流センサ104E内の1次側導体と接続されている。2つの配線パターン104c及び104dは、電流センサ104E内の1次側導体に流れる電流に応じた電圧を出力する。
第1コンデンサ102及び第2コンデンサ103は、第2面コンデンサとして、回路基板101の第2面に配置されている。領域102Dは、第2面において、第1コンデンサ102が配置されている領域である。領域103Dは、第2面において、第2コンデンサ103が配置されている領域である。
第1コンデンサ102及び第2コンデンサ103は、2つの配線パターン104a及び104bを介して、電流センサ104Eの1次側導体と電気的に接続されている。従って、第1コンデンサ102及び第2コンデンサ103は、2つの配線パターン104c及び104dと電気的に絶縁される必要がある。
電流センサ104及び配線パターン104cと、第1コンデンサ102とは、回路基板101の第1面の法線方向に互いに重なっている。電流センサ104及び配線パターン104cと第1コンデンサ102との間は、回路基板101の絶縁層により電気的に接続されている。
また、電流センサ104及び配線パターン104dと、第2コンデンサ103とは、回路基板101の第1面の法線方向に互いに重なっている。電流センサ104及び配線パターン104dと第2コンデンサ103との間は、回路基板101の絶縁層により電気的に絶縁されている。
このように、実施の形態2に係る電力変換装置によれば、回路基板101は、第1面と、第1面とは反対側の面である第2面とを有している。電流センサ104は、回路基板101の第1面に配置されており、第2面コンデンサは、第2面に配置されている。第2面コンデンサは、第1コンデンサ102及び第2コンデンサ103の少なくともいずれか一方である。そして、第2面コンデンサの少なくとも一部は、第1面の法線方向に電流センサ104と重なっている。
これにより、第2面に配置されたコンデンサを電流センサ104の2次巻線の近傍に配置することができる。従って、回路基板101における配線レイアウトの自由度が高まり、第3配線長及び第4配線長を小さく設定することができる。
なお、実施の形態1及び2において、各パワー半導体素子として、MOSFETが用いられていたが、MOSFETに代えて、他のパワー半導体素子、例えば、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)が用いられてもよい。
また、実施の形態1及び2において、第1入力端子105a及び第2入力端子105bは、直流電源100に接続されていたが、第1入力端子105a及び第2入力端子105bは、整流回路を介して、交流電源に接続されてもよい。
100 直流電源、101 回路基板、101c 第1寄生インダクタンス、101d 第2寄生インダクタンス、102 第1コンデンサ、102a 第1接続点、102b 第2接続点、103 第2コンデンサ、103a 第3接続点、103b 第4接続点、104 電流センサ、105a 第1入力端子、105b 第2入力端子、106a 第1出力端子、106b 第2出力端子、107 電力変換部。

Claims (7)

  1. 第1入力端子と、第2入力端子と、第1出力端子と、第2出力端子とを有した電力変換装置であって、
    前記第1出力端子及び前記第2出力端子に接続されている電力変換部、
    記第1入力端子と前記第1出力端子との間に設けられている第1接続点と、前記第2入力端子と前記第2出力端子との間に設けられている第2接続点との間に接続されている第1コンデンサ、
    記第1接続点と前記第1出力端子との間に設けられている第3接続点と、前記第2接続点と前記第2出力端子との間に設けられている第4接続点との間に接続されている第2コンデンサ
    前記第1接続点と前記第3接続点との間に設けられており、前記第1接続点と前記第3接続点との間の配線を流れる電流を検出する電流センサ、及び
    回路基板
    を備え、
    記第1入力端子から前記第1接続点までの配線の長さを第1配線長、前記第2入力端子から前記第2接続点までの配線の長さを第2配線長、前記第1接続点から前記第3接続点までの配線の長さを第3配線長、前記第2接続点から前記第4接続点までの配線の長さを第4配線長としたとき、
    前記第3配線長と前記第4配線長との和は、前記第1配線長と前記第2配線長との和よりも小さく、
    前記第1接続点から前記第3接続点までの経路と前記第2接続点から前記第4接続点までの経路とが有している第2寄生インダクタンスの値は、前記第1入力端子から前記第1接続点までの経路と前記第2入力端子から前記第2接続点までの経路とが有している第1寄生インダクタンスの値よりも小さく、
    前記第1コンデンサは、前記第1寄生インダクタンスに起因する電圧振動を抑制し、
    前記第2コンデンサは、前記第2寄生インダクタンスに起因する電圧振動を抑制し、
    前記回路基板は、第1面と、前記第1面とは反対側の面である第2面とを有しており、 前記電流センサは、前記第1面に配置されており、
    前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサの少なくともいずれか一方である第2面コンデンサは、前記第2面に配置されており、
    前記第2面コンデンサの少なくとも一部は、前記第1面の法線方向に前記電流センサと重なっている
    電力変換装置。
  2. 前記第2コンデンサの容量値は、前記第1コンデンサの容量値よりも小さい
    請求項1に記載の電力変換装置。
  3. 前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサとして、セラミックコンデンサが用いられている
    請求項1又は請求項2に記載の電力変換装置。
  4. 前記第1コンデンサとして、アルミ電解コンデンサが用いられており、前記第2コンデンサとして、セラミックコンデンサが用いられている
    請求項1又は請求項2に記載の電力変換装置。
  5. 前記第1コンデンサとして、フィルムコンデンサが用いられており、前記第2コンデンサとして、セラミックコンデンサが用いられている
    請求項1又は請求項2に記載の電力変換装置。
  6. 前記第1コンデンサの定格リプル電流は、前記第2コンデンサの定格リプル電流よりも大きい
    請求項3から請求項までのいずれか1項に記載の電力変換装置。
  7. 前記第2コンデンサの等価直列抵抗は、前記第1コンデンサの等価直列抵抗よりも低い
    請求項3から請求項までのいずれか1項に記載の電力変換装置。
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