JP7313160B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
前記第1カウンタは、前記第1発振信号のレベルに基づき直接的にリセット状態とリセット解除状態とを切替えられ、前記第2カウンタは、前記第1発振信号のレベルを反転させたレベルに基づきリセット状態とリセット解除状態とを切替えられることとしてもよい(第3の構成)。
前記監視部は、前記第1発振信号と、前記リセット解除信号に基づく信号とが入力されて、前記第1カウンタのリセット端子への出力を行う第3AND回路と、前記第1発振信号のレベルを反転させた信号と、前記リセット解除信号に基づく信号とが入力されて、前記第2カウンタのリセット端子への出力を行う第4AND回路と、を有することとしてもよい(第5の構成)。
前記オフ信号が所定レベルの場合に、前記イネーブル信号生成部は、前記リセット解除信号に関わらず無効を示す前記イネーブル信号を出力することとしてもよい(第10の構成)。
図1は、本発明の一実施形態に係るPMIC(パワーマネジメントIC)1の全体構成を示す概略的なブロック図である。PMIC1は、複数の電源回路を備えており、例えば車載用SOC(System On Chip)への電源供給を行う。
次に、クロック生成部8の詳細について述べる。図2は、クロック生成部8の構成をより具体的に示す図である。
図4は、RCオシレータ86の一構成例を示す回路図である。図4に示すRCオシレータ86は、CMOS回路CM1と、CMOS回路CM2と、CMOS回路CM3と、抵抗RAと、コンデンサCA,CBと、スイッチS86と、MOSトランジスタMA,MBと、インバータ86A~86Dと、を有する。
次に、クロック監視部88の構成の詳細について説明する。図6は、クロック監視部88の一構成例を示す回路図である。
図6に示すように、セレクタ87の一方の入力端には、水晶発振クロック信号XCが入力され、他方の入力端には、オシレータクロック信号OSCKが入力される。セレクタ87は、異常検出信号XOFFDETBのレベルに応じて、水晶発振クロック信号XCとオシレータクロック信号OSCKのいずれかを選択してクロック信号XCLKとして出力する。
図6に示すように、検出出力部89には、異常検出信号XOFFDETBとともに、テスト信号TS1,TS2が入力される。テスト信号TS1,TS2は、PMIC1の外部端子から入力される。図8は、検出出力部89の一構成例を示す回路図である。
ここで、水晶発振クロック信号XCの異常検出時の動作例を図9に示すタイミングチャートを用いて説明する。
また、PMIC1のテストを行う際には、水晶振動子Xを外部接続しないことが可能となる。水晶振動子Xを外部端子T2,T3に接続せずに、イネーブル信号ENはHighとし、RCオシレータ86の動作を有効とする。このとき、例えば外部端子T2,T3のいずれかをグランド電位にショートさせれば、クロック監視部88によって異常検出信号XOFFDETBは異常を示すLowとなる。これにより、セレクタ87によりオシレータクロック信号OSCKが選択されてクロック信号XCLKとしてロジック部7へ供給することが可能となる。
ここで、PMIC1は、例えば、WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)として構成される。WL-CSPでは、パッケージ底面に外部端子としての半田ボールが配列される。図10は、PMIC1をWL-CSPとして構成した場合の一例を示すパッケージ底面側の模式図である。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の趣旨の範囲内であれば、実施形態は種々の変更が可能である。
2A~2G DC/DCコントローラ
3 昇降圧コンバータ
4 リファレンスブロック
5 VCC_UVLO部
6 V15_LDO
7 ロジック部
71 OTP ROM
8 クロック生成部
81 クロック用LDO
811 DAC
812 UVLO部
82 発振回路
821 インバータ
X 水晶振動子
Rf 帰還抵抗
Rd 振幅制限抵抗
SW スイッチ
C11,C12 負荷容量
83 インバータ
84 レベルシフタ
85 カウンタ
86 RCオシレータ
87 セレクタ
88 クロック監視部
89 検出出力部
Claims (8)
- 水晶振動子を用いて第1発振信号の生成動作を行う第1発振回路と、
第2発振信号を生成する第2発振回路と、
前記第1発振信号を監視して前記第1発振信号の異常を検出する監視部と、
前記監視部より出力される異常検出信号に応じて前記第1発振信号と前記第2発振信号のいずれかを選択してクロック信号として出力するセレクタと、
を備え、
前記第2発振信号の周波数は、前記第1発振信号の周波数よりも低く、
前記監視部は、
前記第2発振信号をカウントする第1カウンタと、
前記第2発振信号をカウントする第2カウンタと、
前記第1カウンタから出力される第1カウント信号と前記第2カウンタから出力される第2カウント信号とが入力されて前記異常検出信号を出力する第1AND回路と、
を有し、
前記第1カウンタは、前記第1発振信号のレベルに基づき直接的にリセット状態とリセット解除状態とを切替えられ、
前記第2カウンタは、前記第1発振信号のレベルを反転させたレベルに基づきリセット状態とリセット解除状態とを切替えられ、
前記監視部は、
前記第1発振信号をカウントする第3カウンタと、
前記第1カウント信号と前記第2カウント信号とが入力される第2AND回路と、
をさらに有し、
前記第3カウンタは、前記第2AND回路の出力レベルに基づきリセット状態とリセット解除状態とを切替えられ、
前記第3カウンタから出力される第3カウント信号は前記第1AND回路に入力される、半導体装置。 - 水晶振動子を用いて第1発振信号の生成動作を行う第1発振回路と、
第2発振信号を生成する第2発振回路と、
前記第1発振信号を監視して前記第1発振信号の異常を検出する監視部と、
前記監視部より出力される異常検出信号に応じて前記第1発振信号と前記第2発振信号のいずれかを選択してクロック信号として出力するセレクタと、
を備えた半導体装置であって、
前記第2発振信号の周波数は、前記第1発振信号の周波数よりも低く、
前記監視部は、
前記第2発振信号をカウントする第1カウンタと、
前記第2発振信号をカウントする第2カウンタと、
前記第1カウンタから出力される第1カウント信号と前記第2カウンタから出力される第2カウント信号とが入力されて前記異常検出信号を出力する第1AND回路と、
を有し、
前記第1カウンタは、前記第1発振信号のレベルに基づき直接的にリセット状態とリセット解除状態とを切替えられ、
前記第2カウンタは、前記第1発振信号のレベルを反転させたレベルに基づきリセット状態とリセット解除状態とを切替えられ、
当該半導体装置は、前記第1発振信号をカウントしてカウント結果としてリセット解除信号を出力する第4カウンタをさらに備え、
前記監視部は、
前記第1発振信号と、前記リセット解除信号に基づく信号とが入力されて、前記第1カウンタのリセット端子への出力を行う第3AND回路と、
前記第1発振信号のレベルを反転させた信号と、前記リセット解除信号に基づく信号とが入力されて、前記第2カウンタのリセット端子への出力を行う第4AND回路と、
を有する、半導体装置。 - 前記異常検出信号に基づいた検出出力信号を入力されるロジック部をさらに備える、請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記ロジック部は、異常を示す前記検出出力信号を入力されると、シャットダウンシーケンスを実行する、請求項3に記載の半導体装置。
- テスト信号と、前記異常検出信号とに基づき前記検出出力信号を出力する検出出力部をさらに備え、
前記テスト信号が所定レベルの場合に、前記検出出力部は、前記異常検出信号に関わらず正常を示す前記検出出力信号を出力する、請求項3または請求項4に記載の半導体装置。 - WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)として構成される請求項5に記載の半導体装置であって、
前記テスト信号を入力するための外部端子としての半田ボールは、パッケージ底面における隅の領域に配置される、半導体装置。 - 前記第1発振信号をカウントしてカウント結果としてリセット解除信号を出力する第4カウンタと、
前記第2発振回路の動作を無効として当該半導体装置を低消費電力状態へ移行させるためのオフ信号と前記リセット解除信号とに基づき、前記第2発振回路用のイネーブル信号を生成するイネーブル信号生成部と、
をさらに備え、
前記オフ信号が所定レベルの場合に、前記イネーブル信号生成部は、前記リセット解除信号に関わらず無効を示す前記イネーブル信号を出力する、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 車載用である請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の半導体装置。
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