JP7308087B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD - Google Patents

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD Download PDF

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本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

特許文献1には、テンプレート上に形成された転写パターンが転写される塗布膜を基板上に形成する基板処理装置が開示されている。 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2002-200001 discloses a substrate processing apparatus that forms a coating film on a substrate onto which a transfer pattern formed on a template is transferred.

特開2012-227318号公報JP 2012-227318 A

本開示にかかる技術は、基板処理装置における基板上への転写パターンの転写を効率的に行う。 A technique according to the present disclosure efficiently transfers a transfer pattern onto a substrate in a substrate processing apparatus.

本開示の一態様は、基板を処理する基板処理装置であって、前記基板処理装置には、前記基板の搬入出を行う搬入出領域と、前記基板に処理を施す処理領域と、が形成され、前記処理領域は、前記基板に所望の形状の型を押圧することで、前記基板に対する前記形状の転写を行う領域と、前記型の洗浄を行う領域と、を有し、前記基板処理装置は、前記基板を上面に支持する基板支持部と、前記基板支持部を前記搬入出領域と前記処理領域との間で移動させる支持部移動機構と、前記処理領域に設けられ、下面に前記所望の形状の型を有する転写部と、前記処理領域において、前記転写部を、前記基板支持部の移動方向と直交する方向に前記転写を行う領域と前記洗浄を行う領域との間で移動させる転写部移動機構と、を備える。
One aspect of the present disclosure is a substrate processing apparatus for processing a substrate, wherein the substrate processing apparatus includes a loading/unloading area for loading/unloading the substrate and a processing area for processing the substrate. the processing area includes an area for transferring the shape to the substrate by pressing a mold of a desired shape against the substrate, and an area for cleaning the mold, wherein the substrate processing apparatus comprises a substrate supporting part for supporting the substrate on the upper surface; a supporting part moving mechanism for moving the substrate supporting part between the loading/unloading area and the processing area; a transfer unit having a shape mold; and a transfer unit for moving the transfer unit in the processing area between the transfer area and the cleaning area in a direction orthogonal to the movement direction of the substrate support unit. and a moving mechanism.

本開示によれば、基板処理装置における基板上への転写パターンの転写を効率的に行うことができる。 According to the present disclosure, it is possible to efficiently transfer a transfer pattern onto a substrate in a substrate processing apparatus.

ウェハ処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。1 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of a wafer processing system; FIG. 転写装置の構成の概略を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of a transfer apparatus typically. 転写装置の構成の概略を模式的に示す平面図である。2 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of a transfer device; FIG. 基板支持部の構成の概略を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of a structure of a board|substrate support part typically. 転写部の構成の概略を模式的に示す(a)正面図(b)側面図である。It is (a) a front view (b) side view which shows the outline of a structure of a transfer part typically. 転写処理の主な工程を示すフロー図である。FIG. 2 is a flow diagram showing main steps of transfer processing; 転写処理の主な工程の概略を模式的に示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram schematically showing an outline of main steps of transfer processing; 他の実施形態にかかる転写装置の構成の概略を模式的に示す平面図である。FIG. 11 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of a transfer device according to another embodiment; 他の実施形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。FIG. 10 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of a wafer processing system according to another embodiment;

例えば半導体デバイスの製造工程では、例えば、基板としての半導体ウェハ(以下、単に「ウェハ」という。)にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上にレジストパターンを形成することが行われている。 For example, in the manufacturing process of semiconductor devices, for example, a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as "wafer") as a substrate is subjected to photolithography processing to form a resist pattern on the wafer.

上述のレジストパターンを形成する際には、半導体デバイスの更なる高集積化を図るため、当該レジストパターンの微細化が求められている。一般にフォトリソグラフィー処理における微細化の限界は、露光処理に用いる光の波長程度である。このため、従来、露光処理の光を短波長化することが進められている。しかしながら、露光光源の短波長化には技術的、コスト的な限界があり、光の短波長化を進める方法のみでは、例えば数ナノメートルオーダーの微細なレジストパターンを形成するのが困難な状況にある。 When forming the above-described resist pattern, miniaturization of the resist pattern is required in order to achieve further high integration of semiconductor devices. Generally, the limit of miniaturization in photolithography processing is about the wavelength of light used in exposure processing. For this reason, conventionally, efforts have been made to shorten the wavelength of the light used in the exposure process. However, there are technical and cost limits to shortening the wavelength of the exposure light source, and it is difficult to form a fine resist pattern, for example, on the order of several nanometers, by using only the method of shortening the wavelength of light. be.

そこで、ウェハにフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いてウェハ上に微細なレジストパターンを形成することが行われている。この方法は、表面に所望のレジストパターンを有するテンプレートをウェハ上に形成したレジスト膜の表面に圧着させ、その後剥離して当該レジスト膜の表面に直接パターンの転写を行うものである。 Therefore, instead of subjecting the wafer to photolithography, a method called imprinting is used to form a fine resist pattern on the wafer. In this method, a template having a desired resist pattern on its surface is pressed against the surface of a resist film formed on a wafer, then peeled off to transfer the pattern directly onto the surface of the resist film.

特許文献1に記載の基板処理装置は、上述のインプリント処理を行うための装置である。しかしながら特許文献1に記載の基板処理装置においては、当該基板処理装置内におけるウェハの移動や、当該基板処理装置を備えるインプリントシステム内におけるウェハの搬送等の観点から、更なる改善の余地があった。 The substrate processing apparatus described in Patent Literature 1 is an apparatus for performing the imprint processing described above. However, the substrate processing apparatus described in Patent Document 1 has room for further improvement in terms of movement of the wafer within the substrate processing apparatus, transfer of the wafer within the imprint system including the substrate processing apparatus, and the like. rice field.

本開示に係る技術は、基板処理装置における基板上への転写パターンの転写をより効率的に行う。以下、本実施形態にかかる基板処理装置としての転写装置について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 A technique according to the present disclosure efficiently transfers a transfer pattern onto a substrate in a substrate processing apparatus. A transfer apparatus as a substrate processing apparatus according to this embodiment will be described below with reference to the drawings. In the present specification and drawings, elements having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, thereby omitting redundant description.

基板を処理する基板処理装置であって、前記基板処理装置には、前記基板の搬入出を行う搬入出領域と、前記基板に処理を施す処理領域と、が形成され、前記処理領域は、前記基板に所望の形状の型を押圧することで、前記基板に対する前記形状の転写を行う領域と、前記型の洗浄を行う領域と、を有し、前記基板処理装置は、前記基板を上面に支持する基板支持部と、前記基板支持部を前記搬入出領域と前記処理領域との間で移動させる支持部移動機構と、前記処理領域に設けられ、下面に前記所望の形状の型を有する転写部と、前記処理領域において、前記転写部を、前記基板支持部の移動方向と直交する方向に前記転写を行う領域と前記洗浄を行う領域との間で移動させる転写部移動機構と、を備える。
A substrate processing apparatus for processing a substrate, wherein a loading/unloading area for loading/unloading the substrate and a processing area for processing the substrate are formed in the substrate processing apparatus. By pressing a mold having a desired shape against the substrate, the substrate processing apparatus has a region for transferring the shape to the substrate and a region for cleaning the mold, and the substrate processing apparatus supports the substrate on an upper surface. a substrate supporter that moves the substrate supporter between the loading/unloading area and the processing area; and a transfer unit that is provided in the processing area and has a mold of the desired shape on its lower surface. and a transfer section moving mechanism that moves the transfer section between the transfer area and the cleaning area in the processing area in a direction orthogonal to the moving direction of the substrate support section.

<ウェハ処理システム>
図1に示すようにウェハ処理システム1は、例えば外部との間で複数のウェハWを収容可能なカセットCが搬入出される搬入出ステーション2と、ウェハWに対して処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション3とを一体に接続した構成を有している。
<Wafer processing system>
As shown in FIG. 1, a wafer processing system 1 includes, for example, a loading/unloading station 2 for loading/unloading a cassette C capable of accommodating a plurality of wafers W to/from the outside, and various processing devices for processing the wafers W. It has a configuration in which the provided processing station 3 is integrally connected.

搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。図示の例では、カセット載置台10には複数、例えば4つのカセットCをX軸方向に一列に載置自在になっている。なお、カセット載置台10に載置されるカセットCの数は本実施形態に限定されず、任意に決定できる。 The loading/unloading station 2 is provided with a cassette mounting table 10 . In the illustrated example, a plurality of, for example, four cassettes C can be placed on the cassette table 10 in a row in the X-axis direction. The number of cassettes C to be placed on the cassette placing table 10 is not limited to that of the present embodiment, and can be determined arbitrarily.

搬入出ステーション2には、カセット載置台10に隣接してウェハ搬送領域20が設けられている。ウェハ搬送領域20には、X軸方向に延伸する搬送路21上を移動自在なウェハ搬送装置22が設けられている。ウェハ搬送装置22は、ウェハWを保持して搬送する搬送アーム23を有している。搬送アーム23は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸回りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム23の数や構成はこれに限定されず、任意の構成を取り得る。 The loading/unloading station 2 is provided with a wafer transfer area 20 adjacent to the cassette mounting table 10 . The wafer transfer area 20 is provided with a wafer transfer device 22 which is movable on a transfer path 21 extending in the X-axis direction. The wafer transfer device 22 has a transfer arm 23 that holds and transfers the wafer W. As shown in FIG. The transfer arm 23 is configured to be movable in the horizontal direction, the vertical direction, and around the horizontal axis and around the vertical axis. It should be noted that the number and configuration of the transfer arms 23 are not limited to this, and may take any configuration.

処理ステーション3には、ウェハ搬送領域20のY軸正方向側に、ウェハW上に所望のパターンを形成する転写装置30と、ウェハWの熱処理を行う熱処理装置40が、X軸方向に並べて配置されている。なお、転写装置30、熱処理装置40の数や配置は本実施形態に限定されず、任意に決定することができる。なお、転写装置30の詳細な構成については後述する。 In the processing station 3, a transfer device 30 for forming a desired pattern on the wafer W and a heat treatment device 40 for heat-treating the wafer W are arranged in the X-axis direction on the positive Y-axis side of the wafer transfer area 20. It is Note that the number and arrangement of the transfer devices 30 and the heat treatment devices 40 are not limited to the present embodiment, and can be determined arbitrarily. A detailed configuration of the transfer device 30 will be described later.

以上のウェハ処理システム1には制御装置50が設けられている。制御装置50は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理システム1におけるウェハWの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、ウェハ処理システム1における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。また、プログラム格納部には、転写装置30における後述の転写処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、当該記憶媒体Hから制御装置50にインストールされたものであってもよい。 A controller 50 is provided in the wafer processing system 1 described above. The control device 50 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). A program for controlling the processing of wafers W in wafer processing system 1 is stored in the program storage unit. The program storage unit also stores a program for controlling the operation of drive systems such as the various processing devices and transfer devices described above to realize wafer processing, which will be described later, in the wafer processing system 1 . The program storage unit also stores a program for realizing a transfer process, which will be described later, in the transfer device 30 . The program may be recorded in a computer-readable storage medium H and installed in the control device 50 from the storage medium H.

<ウェハ処理システムにおけるウェハ処理>
次に、以上のように構成されたウェハ処理システム1を用いて行われるウェハ処理について説明する。
<Wafer processing in wafer processing system>
Next, wafer processing performed using the wafer processing system 1 configured as described above will be described.

ウェハ処理システム1においては先ず、複数のウェハWを収納したカセットCが搬入出ステーション2のカセット載置台10に載置される。 In the wafer processing system 1 , first, a cassette C containing a plurality of wafers W is mounted on the cassette mounting table 10 of the loading/unloading station 2 .

次に、ウェハ搬送装置22によりカセットC内のウェハWが取り出され、転写装置30に搬送される。 Next, the wafer W in the cassette C is taken out by the wafer transfer device 22 and transferred to the transfer device 30 .

転写装置30では、ウェハW上に処理液を塗布した後、当該処理液が塗布されたウェハWの塗布面に、所望の形状のパターンが形成されたテンプレートを押圧して、当該塗布面に当該パターンが転写された処理膜を形成する。なお、転写装置30における基板処理方法としての転写処理方法の詳細な方法については後述する。 After applying the processing liquid onto the wafer W, the transfer device 30 presses a template having a pattern of a desired shape on the coated surface of the wafer W to which the processing liquid has been applied, thereby applying the pattern to the coated surface. A treatment film having a pattern transferred thereon is formed. A detailed method of a transfer processing method as a substrate processing method in the transfer device 30 will be described later.

転写装置30においてウェハW上に所望のパターンが転写されると、次に、ウェハ搬送装置22により転写装置30内のウェハWが取り出され、熱処理装置40に搬送される。 After the desired pattern is transferred onto the wafer W in the transfer device 30 , the wafer W in the transfer device 30 is taken out by the wafer transfer device 22 and transferred to the heat treatment device 40 .

熱処理装置40では、前記パターンが転写されたウェハWを加熱処理することで、前記パターンが形成された処理膜の硬化処理を行う。 In the heat treatment apparatus 40, the wafer W having the pattern transferred thereon is heat-treated to harden the treated film having the pattern formed thereon.

その後、全ての処理が施されたウェハWは、ウェハ搬送装置22により熱処理装置40から取り出され、カセット載置台10のカセットCに搬送される。こうして、ウェハ処理システム1における一連のウェハ処理が終了する。 After that, the wafer W that has undergone all the processes is taken out from the heat treatment device 40 by the wafer transfer device 22 and transferred to the cassette C on the cassette mounting table 10 . Thus, a series of wafer processing in the wafer processing system 1 is completed.

<転写装置>
次に、転写装置30の詳細な構成について説明する。図2及び図3は、それぞれ転写装置30の構成の概略を模式的に示す側面図及び平面図である。
<Transfer device>
Next, a detailed configuration of the transfer device 30 will be described. 2 and 3 are a side view and a plan view, respectively, schematically showing the outline of the configuration of the transfer device 30. FIG.

図2、図3に示すように転写装置30には水平面を有するステージ100が設けられている。ステージ100上には、搬入出領域30a(X軸方向負方向側)と処理領域30b(X軸方向正方向側)とが形成されている。また処理領域30bには、転写領域30c(Y軸方向負方向側)と、洗浄検査領域30d(Y軸方向正方向側)とが形成されている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the transfer device 30 is provided with a stage 100 having a horizontal surface. On the stage 100, a loading/unloading area 30a (X-axis direction negative direction side) and a processing area 30b (X-axis direction positive direction side) are formed. A transfer region 30c (Y-axis direction negative direction side) and a cleaning inspection region 30d (Y-axis direction positive direction side) are formed in the processing region 30b.

ステージ100の上面には、ウェハWを上面で支持する基板支持部110が設けられている。基板支持部110は、ウェハWの被処理面Waが上側となるように配置された状態で、ウェハWを支持する。 The upper surface of the stage 100 is provided with a substrate supporting portion 110 that supports the wafer W on its upper surface. The substrate support part 110 supports the wafer W in a state where the surface Wa to be processed of the wafer W faces upward.

また基板支持部110は、支持部移動機構としての移動機構111(例えばエアシリンダ)により、搬送路111aに沿って水平方向(X軸方向)に移動自在に構成されている。かかる移動機構111により、基板支持部110に支持されたウェハWが搬入出領域30aと処理領域30bとの間で移動自在に構成されている。 Further, the substrate supporting portion 110 is configured to be movable in the horizontal direction (X-axis direction) along the transport path 111a by a moving mechanism 111 (for example, an air cylinder) as a supporting portion moving mechanism. The moving mechanism 111 allows the wafer W supported by the substrate supporting section 110 to move freely between the loading/unloading area 30a and the processing area 30b.

図4は、基板支持部110の構成の概略を模式的に示す斜視図である。 FIG. 4 is a perspective view schematically showing the outline of the configuration of the substrate supporting portion 110. As shown in FIG.

図4に示すように基板支持部110は、ウェハWを上面に保持するチャック112を有している。チャック112は、平面視においてウェハWと同等、またはウェハW以上の面積を有している。また、チャック112は水平な上面を有し、当該上面には例えばウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。かかる吸引口からの吸引を行うことで、ウェハWの全面をチャック112上に吸着保持できる。 As shown in FIG. 4, the substrate support section 110 has a chuck 112 that holds the wafer W on its upper surface. The chuck 112 has an area equal to or larger than that of the wafer W in plan view. The chuck 112 has a horizontal upper surface, and the upper surface is provided with a suction port (not shown) for sucking the wafer W, for example. The entire surface of the wafer W can be sucked and held on the chuck 112 by performing suction from such a suction port.

また基板支持部110には、後述の転写処理においてウェハWのアライメントを行うための基準位置となるチャックマーク113と、後述のテンプレート141のチルト(平行度)を調節するためのチルト調整溝114と、が形成されている。なお、チャックマーク113及びチルト調整溝114の配置は図示の例には限定されず、任意に決定できる。 Further, the substrate supporting portion 110 has a chuck mark 113 serving as a reference position for aligning the wafer W in a transfer process described later, and a tilt adjustment groove 114 for adjusting the tilt (parallelism) of a template 141 described later. , are formed. Note that the arrangement of the chuck marks 113 and the tilt adjustment grooves 114 is not limited to the illustrated example, and can be arbitrarily determined.

搬入出領域30aにおける基板支持部110の上方には、ウェハ搬送装置22によりチャック112上に受け渡されたウェハWのプリアライメント行うためのマーク検出部としてのプリアライメントカメラ120が、Y軸方向に並べて2つ設けられている。プリアライメントカメラ120は、例えばステージ100の上方に架設されるフレーム(図示せず)に設けられている。なお、転写装置30に設けられるプリアライメントカメラ120の数や配置は本実施形態に限定されず、任意に決定できる。 Above the substrate support section 110 in the loading/unloading area 30a, a prealignment camera 120 as a mark detection section for performing prealignment of the wafer W transferred onto the chuck 112 by the wafer transfer device 22 is arranged in the Y-axis direction. Two are set side by side. The pre-alignment camera 120 is provided, for example, on a frame (not shown) constructed above the stage 100 . Note that the number and arrangement of the pre-alignment cameras 120 provided in the transfer device 30 are not limited to the present embodiment, and can be determined arbitrarily.

処理領域30bには、塗布部としてのディスペンサー130と、転写部140とが設けられている。ディスペンサー130及び転写部140は、Y軸方向に延伸して配置されるフレーム150に設けられている。 A dispenser 130 as an application section and a transfer section 140 are provided in the processing area 30b. The dispenser 130 and the transfer section 140 are provided on a frame 150 extending in the Y-axis direction.

ディスペンサー130は、チャック112上に支持されたウェハWに対して処理液Sを供給する。処理液Sとしては、例えば後述の光照射部142から照射されるUV光や、熱処理装置40による熱処理により硬化するもの(例えばレジスト液)が使用される。 The dispenser 130 supplies the processing liquid S to the wafer W supported on the chuck 112 . As the treatment liquid S, for example, UV light emitted from the light irradiation unit 142 described later or a liquid hardened by heat treatment by the heat treatment device 40 (for example, a resist liquid) is used.

ディスペンサー130は、塗布部移動機構としての移動機構151(例えばエアシリンダ)により、搬送路151aに沿って水平方向(Y軸方向)に移動自在に構成されている。かかる移動機構151により、ディスペンサー130が転写領域30cと洗浄検査領域30dとの間で移動自在に構成されている。またディスペンサー130は、昇降機構(図示せず)により鉛直方向に昇降自在に構成されている。 The dispenser 130 is configured to be movable in the horizontal direction (Y-axis direction) along the transport path 151a by a moving mechanism 151 (for example, an air cylinder) as a coating portion moving mechanism. The moving mechanism 151 allows the dispenser 130 to move between the transfer area 30c and the cleaning inspection area 30d. In addition, the dispenser 130 is configured to be vertically movable by an elevating mechanism (not shown).

また図3の例では、フレーム150には複数、例えば3つのディスペンサー130がY軸方向に並べて配置され、それぞれのディスペンサー130が独立して移動機構151によりY軸方向に移動自在になっている。なお、転写装置30に配置されるディスペンサー130の数は本実施形態に限定されず、任意に決定できる。 In the example of FIG. 3, a plurality of, for example, three dispensers 130 are arranged in the Y-axis direction on the frame 150, and each dispenser 130 is independently movable in the Y-axis direction by a moving mechanism 151. Note that the number of dispensers 130 arranged in the transfer device 30 is not limited to this embodiment, and can be determined arbitrarily.

洗浄検査領域30dにおけるディスペンサー130の下方には、塗布部洗浄機構131が設けられている。塗布部洗浄機構131においては、ウェハWに対して処理液Sを塗布した後のディスペンサー130の洗浄を行うと共に、ディスペンサー130のダミーディスペンスが行われる。 A coating unit cleaning mechanism 131 is provided below the dispenser 130 in the cleaning inspection area 30d. In the coating unit cleaning mechanism 131, the dispenser 130 after coating the wafer W with the processing liquid S is cleaned, and dummy dispensing of the dispenser 130 is performed.

転写部140は、ウェハW上に所望のパターンを形成する。転写部140は、転写部移動機構としての移動機構152(例えばエアシリンダ)により、搬送路152aに沿って水平方向(Y軸方向)に移動自在に構成されている。かかる移動機構152により、転写部140が転写領域30cと洗浄検査領域30dとの間で移動自在に構成されている。 The transfer unit 140 forms a desired pattern on the wafer W. FIG. The transfer section 140 is configured to be movable in the horizontal direction (Y-axis direction) along the transport path 152a by a transfer mechanism 152 (for example, an air cylinder) as a transfer section movement mechanism. With such a moving mechanism 152, the transfer section 140 is configured to be movable between the transfer area 30c and the cleaning inspection area 30d.

図5は、転写部140の構成の概略を模式的に示す(a)正面図(b)側面図である。 FIG. 5 is (a) a front view and (b) a side view schematically showing the outline of the configuration of the transfer unit 140. As shown in FIG.

図2、図5に示すように転写部140は、所望の形状のパターンが形成された型としてのテンプレート141と、光照射部142と、テンプレート保持部143と、アライメントカメラ144と、高さ検出部としての変位計145と、を備えている。光照射部142、テンプレート141は、テンプレート保持部143の下面にこの順に配置されている。アライメントカメラ144、変位計145は、テンプレート保持部143の側面にそれぞれ配置されている。また、図5(b)に示すように、テンプレート保持部143は駆動機構146を有しており回転方向及び鉛直方向に移動自在に構成され、ボールねじ147を介して天板部148に接続されている。天板部148は既述の移動機構152と接続されている。 As shown in FIGS. 2 and 5, the transfer unit 140 includes a template 141 as a mold on which a pattern of a desired shape is formed, a light irradiation unit 142, a template holding unit 143, an alignment camera 144, and a height detector. and a displacement gauge 145 as a unit. The light irradiation section 142 and the template 141 are arranged in this order on the lower surface of the template holding section 143 . The alignment camera 144 and the displacement meter 145 are arranged on the side surface of the template holder 143 respectively. As shown in FIG. 5B, the template holder 143 has a drive mechanism 146 and is configured to be movable in the rotational direction and the vertical direction. ing. The top plate portion 148 is connected to the moving mechanism 152 already described.

テンプレート141の下面には、所望の転写パターンTが形成されている。転写パターンTは、テンプレート141の下面に2つ以上形成されていてもよい。そして、かかるテンプレート141を、ウェハWの被処理面Wa上に塗布された処理液Sに対して上方から押圧することにより、ウェハW上の処理液Sに前記転写パターンTを転写する。またテンプレート141の下面には、テンプレート141の水平方向の位置を調節するための複数のテンプレートマーク(図示せず)が形成されている。 A desired transfer pattern T is formed on the bottom surface of the template 141 . Two or more transfer patterns T may be formed on the bottom surface of the template 141 . Then, the transfer pattern T is transferred to the processing liquid S on the wafer W by pressing the template 141 from above against the processing liquid S applied onto the surface Wa of the wafer W to be processed. A plurality of template marks (not shown) are formed on the bottom surface of the template 141 for adjusting the horizontal position of the template 141 .

またテンプレート141は、図2に示すようにウェハW上にパターンを転写する際のショットエリアのサイズで形成されている。ここで「ショット」とは、ウェハW上において光照射部142を走査させながら、複数回照射することによりウェハWの全体にパターンを転写する場合に、1回に光が照射される領域のことを言う。なお、各ショットエリアは隣接するショットエリアと一部重複する。なおテンプレート141には、光照射部142から照射される光を透過可能な透明材料、例えば石英ガラスが用いられる。 The template 141 is formed in the size of the shot area when transferring the pattern onto the wafer W as shown in FIG. Here, the “shot” refers to a region irradiated with light at one time when a pattern is transferred to the entire wafer W by irradiating the wafer W a plurality of times while scanning the light irradiation unit 142 over the wafer W. say. Each shot area partially overlaps the adjacent shot area. Note that the template 141 is made of a transparent material, such as quartz glass, through which the light emitted from the light irradiation unit 142 can pass.

光照射部142は、ウェハW上に供給されテンプレート141により押圧された状態の処理液Sに対して光を照射する。光照射部142からの光は、テンプレート141を透過して下方に照射される。なお、本実施の形態においては光照射部142から照射される光としては紫外線(UV)が使用されるが、他の光、例えば可視光や近紫外光などであってもよい。そして、光照射部142からのUV光が照射されることにより、処理液SがUV硬化し、半硬化状態の処理膜Mが形成される。なお半硬化状態の処理膜Mは、既述の熱処理装置40による熱処理により完全に硬化する。 The light irradiation unit 142 irradiates the processing liquid S supplied onto the wafer W and pressed by the template 141 with light. Light from the light irradiation unit 142 passes through the template 141 and is irradiated downward. In the present embodiment, ultraviolet (UV) light is used as the light emitted from the light emitting unit 142, but other light such as visible light or near-ultraviolet light may be used. Then, the treatment liquid S is UV-cured by being irradiated with UV light from the light irradiation unit 142, and the treatment film M in a semi-cured state is formed. The semi-cured treatment film M is completely cured by heat treatment by the heat treatment device 40 described above.

テンプレート保持部143は、球面軸受143aを有しており、球面方向に摺動自在に構成されている。なお球面軸受143aは、吸引機構(図示せず)に接続されており、当該吸引機構による吸引を行うことにより、傾斜方向を固定することができる。 The template holding portion 143 has a spherical bearing 143a and is configured to be slidable in the spherical direction. The spherical bearing 143a is connected to a suction mechanism (not shown), and the inclination direction can be fixed by suction by the suction mechanism.

また、テンプレート保持部143は駆動機構146を有している。駆動機構146は、図5(b)に示すように、変位計145から出力される管理値に基づいてテンプレート141の高さ方向位置を調節する転写部昇降機構としての昇降機構146aと、アライメントカメラ144から出力される補正値に基づいてテンプレート141の回転方向位置を調節する回転機構146bを有している。 Further, the template holder 143 has a drive mechanism 146 . As shown in FIG. 5B, the drive mechanism 146 includes an elevating mechanism 146a as a transfer unit elevating mechanism that adjusts the height direction position of the template 141 based on the control value output from the displacement meter 145, and an alignment camera. It has a rotation mechanism 146 b that adjusts the rotation direction position of the template 141 based on the correction value output from 144 .

昇降機構146aは例えばDDモータを有しており、テンプレート保持部143に保持されたテンプレート141をスライダ146cに沿って昇降自在に構成されている。 The lifting mechanism 146a has, for example, a DD motor, and is configured to move the template 141 held by the template holding portion 143 up and down along the slider 146c.

回転機構146bは例えばDDモータを有しており、テンプレート141を回転自在に構成されている。 The rotating mechanism 146b has, for example, a DD motor, and is configured to rotate the template 141 freely.

かかる構成により、テンプレート141は昇降機構146aにより降下して既述のチルト調整溝114に押圧された際に、基板支持部110の傾斜に追従して球面軸受143aの球面方向に摺動し、チャック112上に保持されたウェハWとの平行度が調節できる。 With such a configuration, when the template 141 is lowered by the elevating mechanism 146a and pressed against the tilt adjustment groove 114, the template 141 follows the inclination of the substrate supporting portion 110 and slides in the spherical direction of the spherical bearing 143a. Parallelism with the wafer W held on 112 can be adjusted.

アライメントカメラ144は、ウェハWに形成された複数のウェハマーク(図示せず)を上方から撮像し、チャック112上に支持されたウェハWの水平方向の位置(X軸方向位置、Y軸方向位置、回転方向位置)を検知する。またアライメントカメラ144は、チャックマーク113を上方から撮像することで、後述のテンプレート認識カメラ161との水平方向位置のずれ量を算出すると共に、テンプレート141とアライメントカメラ144との間の離隔距離Lを算出する。 Alignment camera 144 captures an image of a plurality of wafer marks (not shown) formed on wafer W from above, and determines the horizontal position (X-axis position, Y-axis position) of wafer W supported on chuck 112 . , rotational position). Further, the alignment camera 144 captures an image of the chuck mark 113 from above to calculate the amount of horizontal positional deviation from the template recognition camera 161 described later, and also to determine the separation distance L between the template 141 and the alignment camera 144. calculate.

また、かかるアライメントカメラ144と後述のテンプレート認識カメラ161による検知結果に基づいて、ウェハWとテンプレート141との水平方向のずれ量を調節するための補正値を算出する。算出された補正値は、制御装置50に出力される。 Further, a correction value for adjusting the amount of horizontal misalignment between the wafer W and the template 141 is calculated based on the results of detection by the alignment camera 144 and a template recognition camera 161 which will be described later. The calculated correction value is output to the control device 50 .

変位計145は、ウェハW上に形成された転写パターンのギャップを管理する。具体的には、ウェハ上に形成される転写パターンの厚みがウェハWの面内で一様になるように、テンプレート141の高さ方向位置を管理する。なお、変位計145によるテンプレート141の高さ方向位置の管理値は、制御装置50に出力される。 The displacement gauge 145 manages gaps in the transfer pattern formed on the wafer W. FIG. Specifically, the height direction position of the template 141 is controlled so that the thickness of the transfer pattern formed on the wafer is uniform within the plane of the wafer W. FIG. A management value of the height direction position of the template 141 obtained by the displacement meter 145 is output to the control device 50 .

洗浄検査領域30dには、テンプレート認識カメラ161、洗浄部としてのテンプレート洗浄部162、離型剤供給部163、検査部としてのテンプレート検査カメラ164、がY軸方向負方向側からこの順に配置されている。 In the cleaning inspection area 30d, a template recognition camera 161, a template cleaning unit 162 as a cleaning unit, a release agent supply unit 163, and a template inspection camera 164 as an inspection unit are arranged in this order from the Y-axis direction negative direction side. there is

テンプレート認識カメラ161は、テンプレート141の下面に形成された複数のテンプレートマーク(図示せず)を下方から撮像して検出し、テンプレート141の水平方向の位置(X軸方向位置、Y軸方向位置、回転方向位置)を算出する。またテンプレート認識カメラ161は、チャックマーク113を下方から撮像して認識することで、アライメントカメラ144との水平方向位置のずれ量を算出する。 The template recognition camera 161 captures and detects a plurality of template marks (not shown) formed on the lower surface of the template 141 from below, and detects the horizontal position of the template 141 (X-axis position, Y-axis position, position in the rotational direction). The template recognition camera 161 also captures and recognizes the chuck mark 113 from below, thereby calculating the amount of horizontal positional deviation from the alignment camera 144 .

テンプレート洗浄部162はテンプレート141の洗浄を行う。 A template cleaning unit 162 cleans the template 141 .

離型剤供給部163は、テンプレート141の転写パターンの形成面に対して離型剤を塗布する。 The release agent supply unit 163 applies a release agent to the transfer pattern formation surface of the template 141 .

テンプレート検査カメラ164は、テンプレート141を撮像することにより外観検査を行う。すなわち、例えばテンプレート141に破損が生じているか否か、テンプレート141に処理液Sや洗浄液が残存していないかを検査する。 The template inspection camera 164 performs appearance inspection by imaging the template 141 . That is, for example, it is inspected whether the template 141 is damaged or not, and whether the processing liquid S or the cleaning liquid remains in the template 141 .

本実施の形態にかかる処理装置としての転写装置30は、以上のように構成されている。続いて、転写装置30を用いて行われる転写処理の方法について説明する。 The transfer device 30 as a processing device according to this embodiment is configured as described above. Next, a method of transfer processing performed using the transfer device 30 will be described.

<転写処理方法>
図6、図7は、それぞれ転写処理の主な工程を示すフロー図および説明図である。
<Transfer processing method>
6 and 7 are a flow chart and an explanatory diagram, respectively, showing main steps of the transfer process.

本実施の形態にかかる転写処理においては先ず、ウェハ搬送装置22によりウェハWが転写装置30の内部に搬入され、搬入出領域30aの位置する基板支持部110のチャック112上に受け渡される(図6のステップP1)。 In the transfer process according to the present embodiment, first, the wafer W is loaded into the transfer device 30 by the wafer transport device 22 and transferred onto the chuck 112 of the substrate support section 110 located in the loading/unloading area 30a (FIG. 6 step P1).

チャック112上にウェハWが受け渡されると、続いてウェハWのプリアライメントが行われる(図6のステップP2)。プリアライメントにおいては、図7(a)に示すようにプリアライメントカメラ120によりウェハW上に形成された複数のウェハマークが座標位置として検出され、ウェハWがチャック112上の所定の位置に配置されるように、ウェハWの水平方向位置(X軸方向位置、Y軸方向位置、回転方向位置)が調節される。 After the wafer W is transferred onto the chuck 112, pre-alignment of the wafer W is subsequently performed (step P2 in FIG. 6). In pre-alignment, a plurality of wafer marks formed on wafer W are detected as coordinate positions by pre-alignment camera 120 as shown in FIG. , the horizontal position of the wafer W (X-axis position, Y-axis position, rotational position) is adjusted.

ウェハWのプリアライメントが完了すると、基板支持部110が移動機構111によりチルト調整溝114がテンプレート141の下方に配置されるように移動する。続いて、図7(b)に示すように昇降機構146aによりテンプレート141がチルト調整溝114に押圧される。なおかかる際、テンプレート保持部143の球面軸受143aは吸引機構の動作を停止することにより球面に沿って摺動自在になっている。そしてこれにより、テンプレート141とチルト調整溝114が平行となるように、すなわち、テンプレート141とチャック112上に保持されたウェハWが平行となるように、テンプレート141のチルトが調節される(図6のステップP3)。 When the pre-alignment of the wafer W is completed, the substrate supporter 110 is moved by the moving mechanism 111 so that the tilt adjustment groove 114 is arranged below the template 141 . Subsequently, as shown in FIG. 7B, the template 141 is pressed against the tilt adjusting groove 114 by the lifting mechanism 146a. At this time, the spherical bearing 143a of the template holding portion 143 is slidable along the spherical surface by stopping the operation of the suction mechanism. As a result, the tilt of the template 141 is adjusted so that the template 141 and the tilt adjustment groove 114 are parallel, that is, the template 141 and the wafer W held on the chuck 112 are parallel (see FIG. 6). step P3).

また係る際、変位計145によりテンプレート141がチルト調整溝114に押圧された際の高さを測定する。そして、この時の高さを0点高さ(基準高さ)として設定し、制御装置50に出力する(図6のステップP3)。 At this time, the displacement meter 145 measures the height when the template 141 is pressed against the tilt adjustment groove 114 . Then, the height at this time is set as the zero-point height (reference height) and output to the control device 50 (step P3 in FIG. 6).

続いて、移動機構111によりウェハWの上方にアライメントカメラ144が配置されるように基板支持部110を移動させる。そして図7(c)に示すように、アライメントカメラ144によりウェハW上に形成された複数のウェハマーク(図示せず)を検出することにより、ウェハWの水平方向位置(X軸方向位置、Y軸方向位置、回転方向位置)を座標位置として検出する(図6のステップP4)。 Subsequently, the substrate supporter 110 is moved so that the alignment camera 144 is arranged above the wafer W by the moving mechanism 111 . Then, as shown in FIG. 7C, by detecting a plurality of wafer marks (not shown) formed on the wafer W by the alignment camera 144, the horizontal position of the wafer W (X-axis position, Y Axial position, rotational position) are detected as coordinate positions (step P4 in FIG. 6).

続いて、移動機構111によりチャックマーク113の下方にテンプレート認識カメラ161が配置されるように基板支持部110を移動させる。そして図7(d)に示すように、チャックマーク113を介してテンプレート認識カメラ161によりテンプレート141の下面に形成された複数のテンプレートマーク(図示せず)を検出することにより、ウェハWに対するテンプレート141の水平方向位置(X軸方向位置、Y軸方向位置、回転方向位置)を座標位置として検出する(図6のステップP5)。 Subsequently, the substrate supporting section 110 is moved by the moving mechanism 111 so that the template recognition camera 161 is arranged below the chuck mark 113 . Then, as shown in FIG. 7D, the template recognition camera 161 detects a plurality of template marks (not shown) formed on the lower surface of the template 141 through the chuck marks 113, thereby detecting the template 141 relative to the wafer W. is detected as a coordinate position (X-axis position, Y-axis position, rotation direction position) (step P5 in FIG. 6).

ここで、ステップP4において検出されたウェハWの座標位置と、ステップP5において検出されたテンプレート141の座標位置とを比較することにより、ウェハWとテンプレート141の水平方向のずれ量を算出する。そして、算出されたずれ量に基づいて、ウェハWとテンプレート141の水平方向の位置合わせを行う(図6のステップP6)。 Here, by comparing the coordinate position of the wafer W detected in step P4 and the coordinate position of the template 141 detected in step P5, the amount of horizontal deviation between the wafer W and the template 141 is calculated. Then, the wafer W and the template 141 are aligned in the horizontal direction based on the calculated deviation amount (step P6 in FIG. 6).

ウェハWとテンプレート141のアライメントが行われると、続いて、ステップP2のプリアライメントで得られた座標位置に基づいて、図7(e)に示すように、ディスペンサー130からウェハW上に処理液Sが供給される(図6のステップP7)。処理液Sは、ウェハW上においてテンプレート141により1回にパターンが転写されるエリア毎、すなわち、ショットエリア毎に塗布される。 After the alignment of the wafer W and the template 141 has been performed, the processing liquid S is then poured onto the wafer W from the dispenser 130 as shown in FIG. is supplied (step P7 in FIG. 6). The processing liquid S is applied to each area on the wafer W where the pattern is transferred by the template 141 at one time, that is, to each shot area.

ここで転写装置30においては、移動機構111により基板支持部110がX軸方向に移動自在であると共に、移動機構151によりディスペンサー130がY軸方向に移動自在に構成されている。これにより、チャック112上に保持されたウェハWの全面に対して、適切に処理液Sを供給することができる。 Here, in the transfer device 30 , the substrate supporting portion 110 is movable in the X-axis direction by the moving mechanism 111 , and the dispenser 130 is movable in the Y-axis direction by the moving mechanism 151 . Thereby, the processing liquid S can be appropriately supplied to the entire surface of the wafer W held on the chuck 112 .

また、既述のようにディスペンサー130はY軸方向に並べて複数、例えば3つ設けられている。これにより、ウェハW上に処理液Sを供給するディスペンス処理にかかる時間を短縮することができる。 Moreover, as described above, a plurality of, for example, three dispensers 130 are provided side by side in the Y-axis direction. As a result, the time required for the dispensing process of supplying the processing liquid S onto the wafer W can be shortened.

なおウェハW上への処理液Sの供給は、既述のようにショットエリア毎に行われてもよいし、先にウェハWの全面に処理液Sを供給してもよい。 The processing liquid S may be supplied onto the wafer W for each shot area as described above, or the processing liquid S may be supplied to the entire surface of the wafer W first.

ウェハWに処理液Sが供給されると、次に、ステップP6のアライメントで得られた座標位置に基づいて、処理液Sが塗布された一のショットエリアがテンプレート141の下方に配置されるように基板支持部110を移動させる。 After the processing liquid S is supplied to the wafer W, one shot area coated with the processing liquid S is arranged below the template 141 based on the coordinate position obtained by the alignment in step P6. , the substrate support part 110 is moved.

続いて、ステップP3において出力された基準高さに基づいて昇降機構146aによりテンプレート141を降下させ、所望の転写パターンTを転写するための押圧量(押圧高さ)で、テンプレート141を処理液Sに対して押圧する。そして、図7(f)に示すように、かかる状態で光照射部142から処理液Sに向けてUV光を照射する。これにより、UV光が照射されたショットエリア内の処理液Sが半硬化して処理膜Mが形成され、テンプレート141に形成された所定のパターンが当該処理膜Mに転写される(図6のステップP8)。 Subsequently, the template 141 is lowered by the elevating mechanism 146a based on the reference height output in step P3, and the template 141 is lowered with the pressing amount (pressing height) for transferring the desired transfer pattern T. press against. Then, as shown in FIG. 7F, UV light is irradiated from the light irradiation unit 142 toward the treatment liquid S in this state. As a result, the treatment liquid S in the shot area irradiated with the UV light is semi-cured to form the treatment film M, and the predetermined pattern formed on the template 141 is transferred to the treatment film M (see FIG. 6). Step P8).

ここで転写装置30においては、処理液Sが供給されたショットエリア毎にテンプレート141の押圧、UV光の照射を行うこと繰り返すことにより、ウェハWの全面に転写パターンTを形成する必要がある。しかしながら、テンプレート141の表面に処理液Sや処理膜Mが残存した状態で次のショットエリアの転写処理を行った場合、当該次のショットエリアにおいて、転写パターンTが適切に形成されない恐れがある。 Here, in the transfer device 30, it is necessary to form the transfer pattern T on the entire surface of the wafer W by repeating pressing of the template 141 and irradiation of UV light for each shot area supplied with the processing liquid S. However, if the next shot area is transferred while the treatment liquid S or treatment film M remains on the surface of the template 141, the transfer pattern T may not be properly formed in the next shot area.

そこでステップP8における一のショットエリアの転写処理が完了すると、次に、移動機構152により転写部140を洗浄検査領域30dへ移動させる。そして図7(g)に示すように、テンプレート洗浄部162によるテンプレート141の洗浄、離型剤供給部163によるテンプレート141への離型剤の供給が、順次行われる(図6のステップP9)。なおかかる際、基板支持部110は転写領域30cで待機していてもよいし、搬入出領域30aへ退避してもよい。 Therefore, when the transfer processing of one shot area in step P8 is completed, next, the transfer unit 140 is moved by the moving mechanism 152 to the cleaning inspection area 30d. Then, as shown in FIG. 7G, the cleaning of the template 141 by the template cleaning unit 162 and the supply of the release agent to the template 141 by the release agent supply unit 163 are sequentially performed (step P9 in FIG. 6). At this time, the substrate supporting section 110 may be on standby in the transfer area 30c, or may be retracted to the loading/unloading area 30a.

テンプレート141を洗浄し、当該洗浄面に対する離型剤供給部163による離型剤の供給が行われると、続いて、図7(h)に示すようにテンプレート検査カメラ164によるテンプレート141の外観検査が行われる(図6のステップP10)。すなわち、転写処理によりテンプレート141に破損が生じていないか、テンプレート141の洗浄が適切に行われているか、が検査される。 After the template 141 is washed and the release agent is supplied to the cleaning surface by the release agent supply unit 163, the appearance of the template 141 is inspected by the template inspection camera 164 as shown in FIG. 7(h). (step P10 in FIG. 6). That is, it is inspected whether the template 141 is damaged by the transfer process and whether the template 141 is properly cleaned.

そして、当該外観検査によりテンプレート141に異常がないと判断されると、図7(i)に示すように、他のショットエリアに対する転写処理(図6のステップP8)及びテンプレート141の洗浄、検査(図6のステップP9、P10)が繰り返し行われる。 When the appearance inspection determines that there is no abnormality in the template 141, as shown in FIG. Steps P9 and P10) in FIG. 6) are repeated.

そして、全てのショットエリアにおける転写処理が終了すると、転写装置30における一連の転写処理が終了する。 When the transfer processing for all shot areas is completed, a series of transfer processing in the transfer device 30 is completed.

本実施の形態にかかる基板処理装置としての転写装置30によれば、基板支持部110、ディスペンサー130、転写部140がそれぞれ独立して移動機構により移動可能であるため、装置内における処理動線を最適化することができる。すなわち、ウェハW上への転写パターンTの転写を効率的に行うことができる。 According to the transfer apparatus 30 as the substrate processing apparatus according to the present embodiment, the substrate support section 110, the dispenser 130, and the transfer section 140 can be independently moved by the moving mechanism, so that the process flow line in the apparatus can be reduced. can be optimized. That is, the transfer pattern T can be transferred onto the wafer W efficiently.

また本実施形態によれば、一の転写装置30の内部にディスペンサー130、テンプレート141、光照射部142がそれぞれ設けられているため、当該転写装置30の内部で処理液Sの供給、押圧、処理膜Mの形成を完結することができる。すなわち、ウェハWを複数の装置間で搬送する必要が無いため、転写処理にかかる時間を更に適切に短縮することができる。 Further, according to the present embodiment, since the dispenser 130, the template 141, and the light irradiation unit 142 are provided inside one transfer device 30, the treatment liquid S is supplied, pressed, and processed inside the transfer device 30. The formation of membrane M can be completed. That is, since there is no need to transfer the wafer W between a plurality of apparatuses, the time required for the transfer process can be shortened more appropriately.

また更に、本実施形態によればテンプレート141がショットエリアのサイズで成形されている。 Furthermore, according to this embodiment, the template 141 is shaped to have the size of the shot area.

一般的に、転写パターンが形成されたテンプレートは、特許文献1に開示されるようにウェハWと略同径のサイズで成形される。ここでテンプレートに形成された転写パターンの一部に破損が生じた場合、当該破損個所のみを修繕することは困難であり、当該破損を残したまま使用を継続するか、ウェハサイズのテンプレートそのものを交換する必要があった。 In general, a template on which a transfer pattern is formed is formed to have a size approximately the same as the diameter of the wafer W as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-200313. Here, if a portion of the transfer pattern formed on the template is damaged, it is difficult to repair only the damaged portion. had to replace.

また、新たなテンプレートを成形するにあたっては、当該テンプレートの全面において精密な転写パターンが形成される必要があり、テンプレートの再成形には多大なコストや時間が必要となった。 Moreover, when molding a new template, it is necessary to form a precise transfer pattern on the entire surface of the template, and remolding the template requires a great deal of cost and time.

一方、本実施形態にかかるテンプレート141がショットエリアのサイズで成形されるため、上述した再成形にかかるコストや時間を低減することができる。 On the other hand, since the template 141 according to the present embodiment is molded in the size of the shot area, it is possible to reduce the cost and time required for remolding as described above.

なお、前述のようにテンプレート141は、一回の転写処理を行う毎にテンプレート洗浄部162による洗浄が行われる必要がある。しかしながら、このように転写処理と洗浄処理を交互に繰り返して行う場合、ウェハWの全面に所望のパターンを得るためには時間を要する。 As described above, the template 141 needs to be cleaned by the template cleaning unit 162 each time the transfer process is performed. However, when the transfer process and the cleaning process are alternately repeated in this manner, it takes time to obtain a desired pattern on the entire surface of the wafer W. As shown in FIG.

そこで転写装置30には、図8に示すように転写部140が複数設けられていてもよい。かかる場合、一の転写部140においてウェハWの転写処理を行っている際に、他の転写部140においてテンプレート141の洗浄を行うことができる。このように洗浄処理と転写処理を並行して行うことができるので、転写装置30における転写処理を更に効率的に行うことができる。 Therefore, the transfer device 30 may be provided with a plurality of transfer units 140 as shown in FIG. In such a case, the template 141 can be cleaned in the other transfer unit 140 while the wafer W is being transferred in the one transfer unit 140 . Since the cleaning process and the transfer process can be performed in parallel in this manner, the transfer process in the transfer device 30 can be performed more efficiently.

なおこのように転写部140を複数設ける場合、当該転写部140の数に合わせてテンプレート洗浄部162、離型剤供給部163、テンプレート検査カメラ164が複数設けられることが望ましい。ただし、転写装置30の構成はこれに限定されるものではなく、複数の転写部140がそれぞれ同一のテンプレート洗浄部162、離型剤供給部163、テンプレート検査カメラ164にアクセス可能に構成されていてもよい。 When a plurality of transfer units 140 are provided in this way, it is desirable to provide a plurality of template cleaning units 162 , release agent supply units 163 and template inspection cameras 164 in accordance with the number of transfer units 140 . However, the configuration of the transfer device 30 is not limited to this, and a plurality of transfer units 140 are configured to be able to access the same template cleaning unit 162, release agent supply unit 163, and template inspection camera 164, respectively. good too.

また、それぞれの転写部140に設けられるテンプレート141は、それぞれ同一の転写パターンTを有していてもよいし、それぞれ異なる転写パターンTを有していてもよい。 Also, the templates 141 provided in the respective transfer units 140 may have the same transfer pattern T, or may have different transfer patterns T. As shown in FIG.

なお以上の実施形態においては、ディスペンサー130によるウェハW上への処理液Sの供給は、図6のステップP2において行われたプリアライメントで検出された座標位置
に基づいてショットエリアの位置が決定された。すなわち、ディスペンサー130による処理液Sの供給は、図6、図7に示したように必ずしもアライメント処理(図6のステップP7)の後に行われる必要はなく、プリアライメント処理(図6のステップP2)の後であれば任意のタイミングで行うことができる。
In the above embodiment, the supply of the processing liquid S onto the wafer W by the dispenser 130 is performed by determining the position of the shot area based on the coordinate position detected in the pre-alignment performed in step P2 of FIG. rice field. That is, the supply of the treatment liquid S by the dispenser 130 does not necessarily have to be performed after the alignment process (step P7 in FIG. 6) as shown in FIGS. It can be done at any time after

また例えば、ディスペンサー130による処理液の塗布は転写装置30の外部で行われてもよい。すなわち、例えば図9に示すように、ウェハ処理システム1の処理ステーション3には、ウェハ搬送領域20のY軸正方向側に、内部にディスペンサー130を備える塗布装置230と、転写装置30と、熱処理装置40が、X軸方向に並べて配置されていてもよい。なお、塗布装置230の数や配置も本実施形態に限定されず、任意に決定することができる。 Further, for example, the application of the treatment liquid by the dispenser 130 may be performed outside the transfer device 30 . That is, for example, as shown in FIG. 9, the processing station 3 of the wafer processing system 1 includes a coating device 230 having a dispenser 130 therein, a transfer device 30, a heat treatment device 30, and a coating device 230 provided inside the wafer transfer area 20 on the Y-axis positive direction side. The devices 40 may be arranged side by side in the X-axis direction. In addition, the number and arrangement of the coating devices 230 are not limited to the present embodiment, and can be arbitrarily determined.

かかる場合、塗布装置230において表面に処理液Sが供給された状態のウェハWが、ウェハ搬送装置22によって転写装置30に搬送され、転写装置30で転写処理が施された後、熱処理装置40で処理膜Mが硬化される。 In such a case, the wafer W whose surface is supplied with the treatment liquid S in the coating device 230 is transferred to the transfer device 30 by the wafer transfer device 22 and subjected to transfer processing in the transfer device 30 . The treated film M is cured.

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are illustrative in all respects and not restrictive. The above-described embodiments may be omitted, substituted, or modified in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims.

なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
(1)基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板処理装置には、
前記基板の搬入出を行う搬入出領域と、
前記基板に処理を施す処理領域と、が形成され、
前記基板処理装置は、
前記基板を上面に支持する基板支持部と、
前記基板支持部を前記搬入出領域と前記処理領域との間で移動させる支持部移動機構と、
前記処理領域に設けられ、下面に所望の形状の型を有する転写部と、
前記処理領域において、前記基板支持部の移動方向と直交する方向に前記転写部を移動させる転写部移動機構と、を備える、基板処理装置。
前記(1)によれば、基板処理装置における基板上への転写パターンの転写を効率的に行うことができる。
Note that the following configuration also belongs to the technical scope of the present disclosure.
(1) A substrate processing apparatus for processing a substrate,
The substrate processing apparatus includes
a loading/unloading area for loading/unloading the substrate;
a processing region for performing processing on the substrate;
The substrate processing apparatus is
a substrate support that supports the substrate on the upper surface;
a support portion moving mechanism for moving the substrate support portion between the loading/unloading area and the processing area;
a transfer unit provided in the processing area and having a mold of a desired shape on the lower surface;
a transfer section moving mechanism that moves the transfer section in the processing area in a direction perpendicular to the movement direction of the substrate support section.
According to (1) above, the transfer pattern can be efficiently transferred onto the substrate in the substrate processing apparatus.

(2)前記処理領域に設けられ、前記基板上に処理液を供給する塗布部と、
前記処理領域において、前記塗布部を前記基板支持部の移動方向と直交する方向に移動させる塗布部移動機構と、を備える、前記(1)に記載の基板処理装置。
前記(2)によれば、一の基板処理装置の内部において基板に対する処理液の供給、転写を行うことができるため、基板処理装置における転写を更に効率的に行うことができる。
(2) a coating unit provided in the processing area for supplying a processing liquid onto the substrate;
The substrate processing apparatus according to (1) above, further comprising: a coating section moving mechanism that moves the coating section in the processing area in a direction perpendicular to the moving direction of the substrate supporting section.
According to the above (2), since the processing liquid can be supplied to the substrate and the transfer can be performed inside one substrate processing apparatus, the transfer in the substrate processing apparatus can be performed more efficiently.

(3)前記搬入出領域に設けられ、前記基板上に形成された複数のマークの座標位置を検出するマーク検出部を備える、前記(2)に記載の基板処理装置。 (3) The substrate processing apparatus according to (2), further comprising a mark detection unit provided in the loading/unloading area and configured to detect coordinate positions of a plurality of marks formed on the substrate.

(4)前記マーク検出部により検出された前記座標位置に基づいて前記塗布部の動作を制御する、前記(3)に記載の基板処理装置。 (4) The substrate processing apparatus according to (3), wherein the operation of the coating section is controlled based on the coordinate position detected by the mark detection section.

(5)前記処理領域に設けられ、前記転写部の高さ位置を検出する高さ検出部と、
前記処理領域において、前記高さ検出部の測定結果に基づいて前記転写部を鉛直方向に移動させる転写部昇降機構と、を備える、前記(1)~(4)のいずれか1に記載の基板処理装置。
(5) a height detection unit provided in the processing area for detecting a height position of the transfer unit;
The substrate according to any one of (1) to (4) above, further comprising: a transfer section elevating mechanism that vertically moves the transfer section in the processing area based on the measurement result of the height detection section. processing equipment.

(6)前記転写部は、前記基板支持部に支持された前記基板に向けて光を照射する光照射部を更に備える、前記(1)~(5)のいずれか1に記載の基板処理装置。
前記(6)によれば、一の基板処理装置の内部において、更に処理液に対して光を照射し、処理膜を形成することができるため、基板処理装置における転写を更に効率的に行うことができる。
(6) The substrate processing apparatus according to any one of (1) to (5), wherein the transfer unit further includes a light irradiation unit that irradiates light toward the substrate supported by the substrate support unit. .
According to the above (6), the processing liquid can be further irradiated with light to form the processing film inside one substrate processing apparatus, so that the transfer in the substrate processing apparatus can be performed more efficiently. can be done.

(7)前記光はUV光である、前記(6)に記載の基板処理装置。 (7) The substrate processing apparatus according to (6), wherein the light is UV light.

(8)前記型は、前記光照射部が一度に光を照射するショットサイズで成形されている、前記(6)または前記(7)に記載の基板処理装置。
前記(8)によれば、転写部の修繕にかかる時間やコストを低減させることができる。
(8) The substrate processing apparatus according to (6) or (7), wherein the mold is formed in a shot size that allows the light irradiation unit to irradiate the light at once.
According to (8) above, it is possible to reduce the time and cost required for repairing the transfer section.

(9)前記処理領域に設けられ、前記転写部の外観検査を行う検査部を備える、前記(1)~(8)のいずれか1に記載の基板処理装置。 (9) The substrate processing apparatus according to any one of (1) to (8), further comprising an inspection unit provided in the processing area and performing an appearance inspection of the transfer unit.

(10)前記搬入出領域及び前記処理領域が同一ステージ上に形成される、前記(1)~(9)のいずれか1に記載の基板処理装置。 (10) The substrate processing apparatus according to any one of (1) to (9), wherein the loading/unloading area and the processing area are formed on the same stage.

(11)前記処理領域において、前記転写部及び前記転写部移動機構が複数設けられる、前記(1)~(10)のいずれか1に記載の基板処理装置。
前記(11)によれば、一の転写部において転写処理を行っている間に、他の転写部の型を洗浄できるため、基板処理装置における転写を更に効率的に行うことができる。
(11) The substrate processing apparatus according to any one of (1) to (10), wherein a plurality of transfer units and transfer unit moving mechanisms are provided in the processing area.
According to (11) above, since the molds of the other transfer units can be cleaned while the transfer processing is being performed in one transfer unit, the transfer in the substrate processing apparatus can be performed more efficiently.

(12)基板処理装置により基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板処理装置には、
前記基板の搬入出を行う搬入出領域と、
前記基板に処理を施す処理領域と、が形成され、
前記処理領域において、
下面に所望の形状の型を有する転写部を前記基板の処理液の塗布面に押圧する工程と、
前記型が押圧された状態で前記処理液に光を照射する工程と、を含む、基板処理方法。
(12) A substrate processing method for processing a substrate by a substrate processing apparatus,
The substrate processing apparatus includes
a loading/unloading area for loading/unloading the substrate;
a processing region for performing processing on the substrate;
In the processing area,
a step of pressing a transfer part having a mold of a desired shape on the lower surface against the treatment liquid applied surface of the substrate;
and irradiating the processing liquid with light while the mold is being pressed.

(13)前記塗布面に転写部を押圧する工程よりも前に、
前記処理領域において、前記基板に処理液を供給して前記塗布面を形成する工程を含む、前記(12)に記載の基板処理方法。
(13) Prior to the step of pressing the transfer portion against the coating surface,
The substrate processing method according to (12) above, comprising supplying a processing liquid to the substrate in the processing region to form the coating surface.

(14)前記搬入出領域において、前記基板上に形成された複数のアライメントマークの座標位置を検出する工程を含む、前記(13)に記載の基板処理方法。 (14) The substrate processing method according to (13) above, including the step of detecting coordinate positions of a plurality of alignment marks formed on the substrate in the loading/unloading area.

(15)前記塗布面を形成する工程は、前記座標位置に基づいて行われる、前記(14)に記載の基板処理方法。 (15) The substrate processing method according to (14), wherein the step of forming the coated surface is performed based on the coordinate position.

(16)前記処理領域において、洗浄部により前記型を洗浄する工程を含む、前記(12)~(15)のいずれか1に記載の基板処理方法。 (16) The substrate processing method according to any one of (12) to (15) above, including a step of cleaning the mold by a cleaning unit in the processing region.

(17)前記基板処理装置は前記転写部を複数備え、
一の前記転写部による転写が行われている間に、他の転写部の洗浄が行われる、前記(16)に記載の基板処理方法。
(17) The substrate processing apparatus includes a plurality of transfer units,
The substrate processing method according to (16) above, wherein while the transfer is being performed by one of the transfer units, the other transfer unit is cleaned.

(18)前記処理領域において、前記型の外観検査を行う工程を更に備える、前記(12)~(17)のいずれか1に記載の基板処理方法。 (18) The substrate processing method according to any one of (12) to (17), further comprising the step of performing a visual inspection of the mold in the processing area.

30 転写装置
30a 搬入出領域
30b 処理領域
110 基板支持部
111 移動機構
140 転写部
141 テンプレート
152 移動機構
W ウェハ
30 transfer device 30a loading/unloading area 30b processing area 110 substrate supporting unit 111 moving mechanism 140 transferring unit 141 template 152 moving mechanism W wafer

Claims (20)

基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板処理装置には、
前記基板の搬入出を行う搬入出領域と、
前記基板に処理を施す処理領域と、が形成され、
前記処理領域は、
前記基板に所望の形状の型を押圧することで、前記基板に対する前記形状の転写を行う領域と、
前記型の洗浄を行う領域と、を有し、
前記基板処理装置は、
前記基板を上面に支持する基板支持部と、
前記基板支持部を前記搬入出領域と前記処理領域との間で移動させる支持部移動機構と、
前記処理領域に設けられ、下面に前記所望の形状の型を有する転写部と、
前記処理領域において、前記転写部を、前記基板支持部の移動方向と直交する方向に前記転写を行う領域と前記洗浄を行う領域との間で移動させる転写部移動機構と、を備える、基板処理装置。
A substrate processing apparatus for processing a substrate,
The substrate processing apparatus includes
a loading/unloading area for loading/unloading the substrate;
a processing region for performing processing on the substrate;
The processing area is
a region for transferring the shape to the substrate by pressing a mold of a desired shape against the substrate;
and a region for washing the mold,
The substrate processing apparatus is
a substrate support that supports the substrate on the upper surface;
a support portion moving mechanism for moving the substrate support portion between the loading/unloading area and the processing area;
a transfer unit provided in the processing area and having the mold of the desired shape on its lower surface;
a transfer unit moving mechanism that moves the transfer unit in the processing area between the transfer area and the cleaning area in a direction perpendicular to the movement direction of the substrate supporting unit. Device.
前記型の洗浄を行う領域は、
前記型の洗浄を行う洗浄部と、
前記転写部の外観検査を行う検査部と、を有し、
前記洗浄部と前記検査部は、前記基板支持部の移動方向と直交する方向に一列に配置されている、請求項1に記載の基板処理装置。
The areas of the mold to be washed are:
a washing unit for washing the mold;
an inspection unit that performs an appearance inspection of the transfer unit ;
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said cleaning section and said inspection section are arranged in a line in a direction perpendicular to the movement direction of said substrate support section.
前記型の洗浄を行う領域は、The areas of the mold to be washed are:
前記型に向けて離型材を塗布する離型材供給部、を更に有し、further comprising a release material supply unit that applies a release material toward the mold;
前記離型材供給部は、前記基板支持部の移動方向と直交する方向に、前記洗浄部及び前記検査部と一列に配置されている、請求項2に記載の基板処理装置。3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein said mold release material supply section is arranged in line with said cleaning section and said inspection section in a direction orthogonal to the movement direction of said substrate support section.
前記型の洗浄を行う領域において、前記洗浄部、前記離型材供給部及び前記検査部が、前記転写を行う領域側からこの順に配置されている、請求項3に記載の基板処理装置。4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein said cleaning unit, said release material supply unit and said inspection unit are arranged in this order from the transfer area side in said mold cleaning area. 前記処理領域に設けられ、前記基板に処理液を供給する塗布部と、
前記処理領域において、前記塗布部を前記基板支持部の移動方向と直交する方向に移動させる塗布部移動機構と、を備える、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
a coating unit provided in the processing region for supplying a processing liquid to the substrate;
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising a coating section moving mechanism that moves the coating section in the processing area in a direction perpendicular to the moving direction of the substrate supporting section.
前記搬入出領域に設けられ、前記基板に形成された複数のマークの座標位置を検出するマーク検出部を備える、請求項5に記載の基板処理装置。 6. The substrate processing apparatus according to claim 5 , further comprising a mark detection unit provided in said loading/unloading area and detecting coordinate positions of a plurality of marks formed on said substrate. 前記マーク検出部により検出された前記座標位置に基づいて前記塗布部の動作を制御する、請求項6に記載の基板処理装置。 7. The substrate processing apparatus according to claim 6 , wherein the operation of said coating section is controlled based on said coordinate position detected by said mark detection section. 前記処理領域に設けられ、前記転写部の高さ位置を検出する高さ検出部と、
前記処理領域において、前記高さ検出部の測定結果に基づいて前記転写部を鉛直方向に移動させる転写部昇降機構と、を備える、請求項1~7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
a height detection unit provided in the processing area for detecting a height position of the transfer unit;
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, further comprising a transfer section elevating mechanism that vertically moves the transfer section in the processing area based on the measurement result of the height detection section. .
前記転写部は、前記基板支持部に支持された前記基板に向けて光を照射する光照射部を更に備える、請求項1~8のいずれか一項に記載の基板処理装置。 9. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said transfer section further comprises a light irradiation section for irradiating light onto said substrate supported by said substrate support section. 前記光はUV光である、請求項9に記載の基板処理装置。 10. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein said light is UV light. 前記型は、前記光照射部が一度に光を照射するショットサイズで成形されている、請求項9または10に記載の基板処理装置。 11. The substrate processing apparatus according to claim 9 , wherein said mold is molded in a shot size that allows said light irradiation unit to irradiate light at once. 前記搬入出領域及び前記処理領域が同一ステージ上に形成される、請求項1~11のいずれか一項に記載の基板処理装置。 12. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said loading/ unloading area and said processing area are formed on the same stage. 前記処理領域において、前記転写部及び前記転写部移動機構が複数設けられる、請求項1~12のいずれか一項に記載の基板処理装置。 13. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of said transfer units and said transfer unit moving mechanisms are provided in said processing area. 基板処理装置により基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板処理装置には、
前記基板の搬入出を行う搬入出領域と、
前記基板に処理を施す処理領域と、が形成され、
前記処理領域には、
前記基板に所望の形状の型を押圧することで、前記基板に対する前記形状の転写を行う領域と、
前記型の洗浄を行う領域と、が形成され、
前記転写を行う領域において、
下面に前記所望の形状の型を有する転写部を前記基板の処理液の塗布面に押圧する工程と、
前記型が押圧された状態で前記処理液に光を照射する工程と、
前記型の洗浄を行う領域において、
転写処理が行われた後の前記型を洗浄部により洗浄する工程と、を含む、基板処理方法。
A substrate processing method for processing a substrate by a substrate processing apparatus,
The substrate processing apparatus includes
a loading/unloading area for loading/unloading the substrate;
a processing region for performing processing on the substrate;
In the processing area,
a region for transferring the shape to the substrate by pressing a mold of a desired shape against the substrate;
A region for cleaning the mold is formed,
In the transcription region,
a step of pressing a transfer portion having a mold of the desired shape on its lower surface against the treatment liquid applied surface of the substrate;
irradiating the treatment liquid with light while the mold is pressed;
In the area where the mold is washed,
and a step of cleaning the mold by a cleaning unit after the transfer processing is performed .
前記型の洗浄を行う領域において、前記型の外観検査を行う工程を更に備える、請求項14に記載の基板処理方法。 15. The substrate processing method according to claim 14 , further comprising the step of performing a visual inspection of said mold in a region where said mold is cleaned . 前記型の洗浄を行う領域において、前記型に向けて離型材を塗布する工程を更に備える、請求項15に記載の基板処理方法。16. The substrate processing method according to claim 15, further comprising the step of applying a release material toward the mold in a region where the mold is to be cleaned. 前記塗布面に転写部を押圧する工程よりも前に、
前記処理領域において、前記基板に処理液を供給して前記塗布面を形成する工程を含む、請求項14~16のいずれか一項に記載の基板処理方法。
Before the step of pressing the transfer portion against the coating surface,
17. The substrate processing method according to claim 14, further comprising the step of supplying a processing liquid to said substrate in said processing region to form said coating surface.
前記搬入出領域において、前記基板に形成された複数のアライメントマークの座標位置を検出する工程を含む、請求項17に記載の基板処理方法。 18. The substrate processing method according to claim 17 , further comprising detecting coordinate positions of a plurality of alignment marks formed on said substrate in said loading/unloading area. 前記塗布面を形成する工程は、前記座標位置に基づいて行われる、請求項18に記載の基板処理方法。 19. The substrate processing method according to claim 18 , wherein the step of forming said coated surface is performed based on said coordinate position. 前記基板処理装置は前記転写部を複数備え、
一の前記転写部による転写が行われている間に、他の転写部の洗浄が行われる、請求項14~19のいずれか一項に記載の基板処理方法。
The substrate processing apparatus includes a plurality of transfer units,
20. The substrate processing method according to any one of claims 14 to 19, wherein cleaning of another transfer unit is performed while the transfer is being performed by one of the transfer units .
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