JP2019204895A - Molding apparatus for molding composition on substrate using mold, molding method, substrate processing method, and article manufacturing method - Google Patents

Molding apparatus for molding composition on substrate using mold, molding method, substrate processing method, and article manufacturing method Download PDF

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教史 保坂
Kyoji Hosaka
教史 保坂
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Abstract

To provide an imprint apparatus advantageous in preventing a decrease in productivity.SOLUTION: The molding apparatus for molding a composition on a substrate after a substrate carried into a base molding apparatus is held by a plurality of holding units, includes a detection unit for identifying holding units to which foreign matters have adhered on the basis of detected adhesion positions of foreign matters by detecting the foreign matters adhering to a back of the substrate.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置、成形方法、基板処理方法、および、物品製造方法に関する。   The present invention relates to a molding apparatus, a molding method, a substrate processing method, and an article manufacturing method for molding a composition on a substrate using a mold.

半導体デバイスの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィ技術に加えて、基板上の未硬化のインプリント材を型(モールド)で成形して硬化させ、基板上にインプリント材のパターンを形成する微細加工技術が注目されている。かかる技術は、インプリント技術と呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細なパターンを形成することができる。   The demand for miniaturization of semiconductor devices has progressed, and in addition to conventional photolithography technology, an uncured imprint material on a substrate is molded with a mold and cured to form an imprint material pattern on the substrate. Attention has been focused on microfabrication technology. Such a technique is called an imprint technique, and can form a fine pattern on the order of several nanometers on a substrate.

インプリント技術の1つとして、例えば、光硬化法がある。光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板が装置内に搬入される。装置内に搬入された基板は、複数の保持部材を介して搬送され、その後基板ステージによって保持される。基板ステージに保持された基板上のショット領域には、光硬化性のインプリント材が供給される。次いで、基板上のインプリント材と型とを接触させた状態で光を照射してインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型を引き離すことで、基板上にパターンを形成する。基板上のインプリント材と型とを接触させる際に、基板の裏面に異物が存在すると、基板の平坦性が悪くなり、基板に形成されるパターンに歪が生じるなどの転写不良が発生しうる。   As one of the imprint techniques, for example, there is a photocuring method. In an imprint apparatus that employs a photocuring method, first, a substrate is carried into the apparatus. The substrate carried into the apparatus is transported through a plurality of holding members and then held by the substrate stage. A photocurable imprint material is supplied to the shot area on the substrate held by the substrate stage. Next, light is irradiated in a state where the imprint material on the substrate is in contact with the mold to cure the imprint material, and the pattern is formed on the substrate by pulling the mold away from the cured imprint material. When the imprint material on the substrate is brought into contact with the mold, if there is a foreign object on the back surface of the substrate, the flatness of the substrate is deteriorated, and a transfer defect such as distortion in the pattern formed on the substrate may occur. .

このような基板の裏面に付着した異物を除去する技術として、特許文献1の半導体製造装置では、表面に粘着剤層を有する清掃用プレートをステージに搬送し、所定の清掃動作を行うことで常にステージ表面を正常な状態に維持している。また、特許文献2のプリメンテナンス方法では、所定回数を超えて製造プロセスウエハを搬送した時に確認用のウエハを搬送してパーティクル・汚染チェックを行ってその結果からプリメンテナンス周期を決定している。決定したプリメンテナンス周期が経過した後、確認用のウエハを搬送して裏面測定及び裏面汚染チェックの結果から前記プリメンテナンス周期を適正化している。   As a technique for removing foreign substances adhering to the back surface of such a substrate, the semiconductor manufacturing apparatus of Patent Document 1 always transports a cleaning plate having an adhesive layer on the surface to a stage and performs a predetermined cleaning operation. The stage surface is maintained in a normal state. Further, in the pre-maintenance method of Patent Document 2, when a manufacturing process wafer is transferred more than a predetermined number of times, a confirmation wafer is transferred, particle / contamination check is performed, and a pre-maintenance period is determined from the result. After the determined pre-maintenance period has elapsed, a wafer for confirmation is transferred and the pre-maintenance period is optimized from the results of back surface measurement and back surface contamination check.

特開2004−172395号公報JP 2004-172395 A 特許第4822048号Japanese Patent No. 4822048

しかしながら、特許文献1の半導体製造装置では、基板ステージ以外の保持部材に異物が付着していた場合に、その異物が基板の裏面に付着することを抑制することが困難である。また、このような異物が発生した場合、装置の運転を停止させ、基板と接触する機構を全て清掃する必要があるため、生産性の低下を招来しうる。また、特許文献2のプリメンテナンス方法においても、所定の周期以外の期間において、突発的に発生した異物に対して、次回の清掃周期となるまで不具合ロットが多発するため、生産性が低下しうる。   However, in the semiconductor manufacturing apparatus disclosed in Patent Document 1, it is difficult to prevent the foreign matter from adhering to the back surface of the substrate when the foreign matter is attached to the holding member other than the substrate stage. In addition, when such foreign matter is generated, it is necessary to stop the operation of the apparatus and clean all the mechanisms that come into contact with the substrate, which may lead to a decrease in productivity. Also, in the pre-maintenance method of Patent Document 2, in the period other than the predetermined period, troubled lots occur frequently for the foreign matter that occurs unexpectedly until the next cleaning period, so that productivity can be reduced. .

本発明は、例えば、生産性の低下を抑制する点で有利なインプリント装置を提供することを目的とする。   An object of the present invention is, for example, to provide an imprint apparatus that is advantageous in terms of suppressing a decrease in productivity.

上記課題を解決するために、本発明は、成形装置内に搬入された基板が複数の保持部によって、保持された後に基板上の組成物を成形する成形装置であって、基板の裏面に付着した異物検知し、検知された異物の付着位置に基づき、異物が付着した保持部を特定する検知部を備えることを特徴とする。   In order to solve the above problems, the present invention provides a molding apparatus for molding a composition on a substrate after the substrate carried into the molding apparatus is held by a plurality of holding units, and adheres to the back surface of the substrate. And a detection unit that identifies the holding unit to which the foreign matter is attached based on the detected attachment position of the foreign matter.

本発明によれば、例えば、生産性の低下を抑制する点で有利なインプリント装置を提供することができる。   According to the present invention, for example, it is possible to provide an imprint apparatus that is advantageous in terms of suppressing a decrease in productivity.

第1実施形態に係るインプリント装置構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the imprint apparatus structure which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る複数の保持部の配置を例示した概念図である。It is the conceptual diagram which illustrated arrangement | positioning of the several holding part which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る検知部の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of the detection part which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る複数の保持部について説明する図である。It is a figure explaining the some holding | maintenance part which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る複数の保持部について説明する図である。It is a figure explaining the some holding | maintenance part which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る異物の付着位置について説明する図である。It is a figure explaining the adhesion position of the foreign material which concerns on 1st Embodiment. 異物が付着している保持部を特定するフローチャートを示した図である。It is the figure which showed the flowchart which pinpoints the holding | maintenance part to which the foreign material has adhered. 第2実施形態に係る異物検査のフローチャートを示した図である。It is the figure which showed the flowchart of the foreign material inspection which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る平坦化装置による処理を説明する図である。It is a figure explaining the process by the planarization apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 物品の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of articles | goods.

以下に、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
<第1実施形態>
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
<First Embodiment>

本実施形態では、型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置としてインプリント装置を用いた例について説明する。各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。まず、実施形態に係るインプリント装置の概要について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。   In the present embodiment, an example in which an imprint apparatus is used as a molding apparatus that molds a composition on a substrate using a mold will be described. In each figure, the same members are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. First, an outline of the imprint apparatus according to the embodiment will be described. The imprint apparatus is an apparatus that forms a pattern of a cured product in which a concave / convex pattern of a mold is transferred by bringing an imprint material supplied on a substrate into contact with a mold and applying energy for curing to the imprint material. is there.

インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、インプリント材供給部により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。   As the imprint material, a curable composition (which may be referred to as an uncured resin) that cures when energy for curing is applied is used. As the energy for curing, electromagnetic waves, heat, or the like can be used. The electromagnetic wave can be, for example, light having a wavelength selected from a range of 10 nm to 1 mm, for example, infrared rays, visible rays, ultraviolet rays, and the like. The curable composition may be a composition that is cured by light irradiation or by heating. Among these, the photocurable composition that is cured by light irradiation contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may further contain a non-polymerizable compound or a solvent as necessary. The non-polymerizable compound is at least one selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal release agent, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component. The imprint material can be placed on the substrate in the form of droplets or islands or films formed by connecting a plurality of droplets by the imprint material supply unit. The viscosity of the imprint material (viscosity at 25 ° C.) can be, for example, 1 mPa · s or more and 100 mPa · s or less. As the material of the substrate, for example, glass, ceramics, metal, semiconductor, resin, or the like can be used. If necessary, a member made of a material different from the substrate may be provided on the surface of the substrate. The substrate is, for example, a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, or quartz glass.

図1は、第1実施形態に係るインプリント装置1構成を示す概略図である。インプリント装置1は、基板の上のインプリント材と型とを接触させて前記インプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行う。インプリント装置1によるインプリント処理は、基板18の表面上にインプリント材を供給し、このインプリント材に型17を接触させた状態でインプリント材を硬化させることを含みうる。本実施形態において、インプリント装置1は、インプリント材の硬化法として、紫外線(UV光)の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化法を採用する。従って、インプリント装置1は、基板18上のインプリント材と型17(のパターン面)とを接触させた状態でインプリント材に紫外線を照射してインプリント材を硬化させることによって、基板18上にインプリント材のパターンを形成する。但し、インプリント装置1は、その他の波長域の光の照射によってインプリント材を硬化させてもよいし、その他のエネルギー、例えば、熱によってインプリント材を硬化させる熱硬化法を採用してもよい。また、以下では、インプリント材が供給される基板の表面に沿う平面内で互いに直交する方向をX軸およびY軸とし、X軸およびY軸に垂直な方向(例えば、インプリント材に対して照射する紫外線の光軸に平行な方向)をZ軸とする。   FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an imprint apparatus 1 according to the first embodiment. The imprint apparatus 1 performs an imprint process in which an imprint material on a substrate is brought into contact with a mold to form a pattern of the imprint material. The imprint process by the imprint apparatus 1 may include supplying an imprint material onto the surface of the substrate 18 and curing the imprint material in a state where the mold 17 is in contact with the imprint material. In the present embodiment, the imprint apparatus 1 employs a photocuring method in which the imprint material is cured by irradiation with ultraviolet rays (UV light) as a method for curing the imprint material. Accordingly, the imprint apparatus 1 cures the imprint material by irradiating the imprint material with ultraviolet rays while the imprint material on the substrate 18 is in contact with the mold 17 (pattern surface thereof). An imprint material pattern is formed thereon. However, the imprint apparatus 1 may cure the imprint material by irradiation with light in other wavelength ranges, or may employ a thermosetting method in which the imprint material is cured by other energy, for example, heat. Good. In the following, the directions perpendicular to each other in a plane along the surface of the substrate to which the imprint material is supplied are defined as an X axis and a Y axis, and a direction perpendicular to the X axis and the Y axis (for example, with respect to the imprint material) The direction parallel to the optical axis of the irradiated ultraviolet light is taken as the Z axis.

インプリント装置1は、硬化部2、型17を保持するインプリントヘッド6、基板を保持する基板ステージ13、供給部14、アライメント計測部16、制御部10を含みうる。硬化部2は、インプリント処理の際に、型17に対して紫外線を照射する。硬化部2は、例えば、光源4と、光源から照射された紫外線3をインプリントに適切な光に調整するための複数の光学系5を含む。   The imprint apparatus 1 can include a curing unit 2, an imprint head 6 that holds a mold 17, a substrate stage 13 that holds a substrate, a supply unit 14, an alignment measurement unit 16, and a control unit 10. The curing unit 2 irradiates the mold 17 with ultraviolet rays during the imprint process. The curing unit 2 includes, for example, a light source 4 and a plurality of optical systems 5 for adjusting the ultraviolet light 3 irradiated from the light source to light suitable for imprinting.

型17は、例えば、外周部が矩形で、基板18に対する対向面に、基板18上に供給されたインプリント材に形成する凹凸のパターンが3次元形状に形成されたパターン領域を備える型である。なお、型17の材質には石英などの紫外線を透過させる素材が用いられる。   The mold 17 is, for example, a mold that has a rectangular outer peripheral portion and a pattern region in which a concave / convex pattern formed on the imprint material supplied on the substrate 18 is formed in a three-dimensional shape on a surface facing the substrate 18. . The material of the mold 17 is a material that transmits ultraviolet rays such as quartz.

インプリントヘッド6は、例えば、型チャック7、型ステージ8、型形状補正機構9を含む。型チャック7は、真空吸着力や静電吸着力などの機械的保持手段(不図示)によって型17を保持する。また、型チャック7は、機械的保持手段(不図示)によって、型ステージ8に保持される。型ステージ8は、型17と基板18とを接触させる際に型17と基板18との間隔を位置決めするための駆動系を備え、型17をZ軸方向に移動させる。なお、型ステージ8の駆動系は、Z軸方向だけではなく、例えばX軸方向、Y軸方向およびθ方向(X軸周り、Y軸周り、Z軸周りの回転方向)に型17を移動させる機能を備えていてもよい。型形状補正機構9は、型17の形状を補正するための機構であり、型の外周部を取り囲むように複数箇所に設置されている。   The imprint head 6 includes, for example, a mold chuck 7, a mold stage 8, and a mold shape correction mechanism 9. The mold chuck 7 holds the mold 17 by mechanical holding means (not shown) such as a vacuum suction force or an electrostatic suction force. The mold chuck 7 is held on the mold stage 8 by mechanical holding means (not shown). The mold stage 8 includes a drive system for positioning the distance between the mold 17 and the substrate 18 when the mold 17 and the substrate 18 are brought into contact with each other, and moves the mold 17 in the Z-axis direction. Note that the drive system of the mold stage 8 moves the mold 17 not only in the Z-axis direction but also in, for example, the X-axis direction, the Y-axis direction, and the θ direction (the X-axis, Y-axis, and Z-axis rotation directions). It may have a function. The mold shape correction mechanism 9 is a mechanism for correcting the shape of the mold 17 and is installed at a plurality of locations so as to surround the outer periphery of the mold.

基板ステージ13は、基板18を保持し、型17と基板18とを接触させる際に、型17と基板18との並進シフトの補正(位置合せ)をする。基板ステージ13は、基板チャック12を備える。基板チャック12は、基板18を基板吸着パッド(基板吸着部)によって保持する。なお、吸着方式は、真空吸着、静電吸着、その他の吸着方式を利用しても良い。基板ステージ13は、型17と基板18との並進シフトの補正(位置合せ)をするためのX軸方向およびY軸方向に駆動する駆動系を備える。また、X軸方向とY軸方向の駆動系は、粗動駆動系と微動駆動系など複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Z軸方向の位置調整のための駆動系や、基板18のθ(Z軸周りの回転)方向位置調整機能、基板18の傾きを補正するためのチルト機能を有していても良い。基板ステージ13は、複数の保持部の一つである。   The substrate stage 13 holds the substrate 18 and corrects (aligns) the translational shift between the mold 17 and the substrate 18 when the mold 17 and the substrate 18 are brought into contact with each other. The substrate stage 13 includes a substrate chuck 12. The substrate chuck 12 holds the substrate 18 by a substrate suction pad (substrate suction portion). Note that vacuum suction, electrostatic suction, and other suction methods may be used as the suction method. The substrate stage 13 includes a drive system that drives in the X-axis direction and the Y-axis direction for correcting (alignment) the translational shift between the mold 17 and the substrate 18. Further, the drive system in the X-axis direction and the Y-axis direction may be composed of a plurality of drive systems such as a coarse drive system and a fine drive system. Furthermore, a drive system for adjusting the position in the Z-axis direction, a function for adjusting the position of the substrate 18 in the θ (rotation around the Z-axis) direction, and a tilt function for correcting the tilt of the substrate 18 may be provided. The substrate stage 13 is one of a plurality of holding units.

基板18は、ガラス、セラミックス、金属、半導体または樹脂等で構成される部材でありうる。必要に応じて、該部材の表面に該部材とは別の材料からなる層が形成されていてもよい。基板18は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、または、石英ガラスプレートなどである。基板18には複数のショット領域が形成されており、インプリント処理をショット領域毎に繰り返すことで、基板18のショット領域上にパターンを形成することができる。なお、基板18はパターンを形成するための基板18のほか、異物の検出などを行うためのメンテナンス専用基板を用いても良い。インプリント装置1は、基板ステージ13を保持するためのベース定盤19、インプリントヘッド6を保持するためのブリッジ定盤20、ブリッジ定盤20を支えるための支柱21をさらに備えうる。   The substrate 18 can be a member made of glass, ceramics, metal, semiconductor, resin, or the like. If necessary, a layer made of a material different from the member may be formed on the surface of the member. The substrate 18 is, for example, a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, or a quartz glass plate. A plurality of shot areas are formed on the substrate 18, and a pattern can be formed on the shot areas of the substrate 18 by repeating the imprint process for each shot area. In addition to the substrate 18 for forming the pattern, a maintenance-dedicated substrate for detecting foreign matters may be used as the substrate 18. The imprint apparatus 1 may further include a base surface plate 19 for holding the substrate stage 13, a bridge surface plate 20 for holding the imprint head 6, and a column 21 for supporting the bridge surface plate 20.

供給部14(ディスペンサ)は、基板18上にインプリント材を供給する。供給部14は、例えば、吐出ノズル(不図示)を有しており、吐出ノズルから基板18上にインプリント材15を供給する。なお、本実施形態において、インプリント材15は紫外線によって硬化する性質を持つ樹脂を一例として用いる。また、供給されるインプリント材の量は、必要となるインプリント材の厚さや形成するパターン密度などによって決められても良い。   The supply unit 14 (dispenser) supplies the imprint material onto the substrate 18. The supply unit 14 includes, for example, a discharge nozzle (not shown), and supplies the imprint material 15 onto the substrate 18 from the discharge nozzle. In the present embodiment, the imprint material 15 uses a resin having a property of being cured by ultraviolet rays as an example. Further, the amount of imprint material to be supplied may be determined depending on the required thickness of the imprint material, the pattern density to be formed, and the like.

アライメント計測部16は、型17および基板18に形成されたアライメントマークを検出して、基板上に形成されたパターンと型のパターン領域とのX軸方向およびY軸方向への位置ずれや、形状差を計測するための計測部である。   The alignment measurement unit 16 detects the alignment marks formed on the mold 17 and the substrate 18, and the positional deviation or shape between the pattern formed on the substrate and the pattern area of the mold in the X-axis direction and the Y-axis direction It is a measuring unit for measuring the difference.

制御部10は、インプリント装置1を構成する各部の動作、および調整等を制御する制御手段である。制御部10は、例えば、コンピュータなどで構成され、インプリント装置1を構成する各部に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各部の制御を実行しうる。また、制御部10は、後述の搬入ステーション22、搬出ステーション23、搬送ハンド24、温度調節部25、および、位置合わせ部26の動作の制御も行う。さらに、制御部10は、複数の保持部のそれぞれが接触する基板18の裏面の位置などを記憶する記憶部を含みうる。また、制御部10は、後述する検知部の検査結果に基づき、基板18または複数の保持部に対する処理を決定する。   The control unit 10 is a control unit that controls the operation, adjustment, and the like of each unit constituting the imprint apparatus 1. The control unit 10 is configured by, for example, a computer, and is connected to each unit configuring the imprint apparatus 1 via a line, and can control each unit according to a program or the like. The control unit 10 also controls operations of a carry-in station 22, a carry-out station 23, a transport hand 24, a temperature adjustment unit 25, and an alignment unit 26 which will be described later. Furthermore, the control unit 10 can include a storage unit that stores the position of the back surface of the substrate 18 with which each of the plurality of holding units contacts. Moreover, the control part 10 determines the process with respect to the board | substrate 18 or several holding | maintenance part based on the test result of the detection part mentioned later.

インプリント装置1は、型17をインプリント装置1の外部からインプリントヘッド6へ搬送する型搬送機構(不図示)などを含み得る。また、インプリント装置1は、インプリント装置1内部と外部との基板の受け渡しを行うためにインラインステーションを備える。インラインステーションは、搬入ステーション22および搬出ステーション23を含みうる。搬入ステーション22および搬出ステーション23は、複数の保持部の一つである。例えば、コータデベロッパやEFEM等の装置とインプリント装置1を接続した場合、まず、搬入ステーション22に基板18が搬送され、複数の保持部によって基板18が保持された後に、インプリント処理が実施される。その後、インプリント処理が完了した基板18は、搬出ステーション23へと搬送される。   The imprint apparatus 1 may include a mold transport mechanism (not shown) that transports the mold 17 from the outside of the imprint apparatus 1 to the imprint head 6. Further, the imprint apparatus 1 includes an inline station in order to transfer the substrate between the inside and the outside of the imprint apparatus 1. The inline station can include a carry-in station 22 and a carry-out station 23. The carry-in station 22 and the carry-out station 23 are one of a plurality of holding units. For example, when a device such as a coater developer or EFEM is connected to the imprint apparatus 1, first, the substrate 18 is transported to the carry-in station 22, and after the substrate 18 is held by a plurality of holding units, an imprint process is performed. The Thereafter, the substrate 18 on which the imprint process has been completed is transported to the carry-out station 23.

ここで、基板18が搬入ステーション22に搬送されてから、搬出ステーション23に搬送されるまでに経由する複数の保持部について説明する。図2は、第1実施形態に係る複数の保持部の配置を例示した概念図である。本図は概念図であるため、各部の位置関係について、図1と必ずしも一致しない部分が含まれる。まず、搬入ステーション22に搬送された基板18は、搬送ハンド24によって保持され、温度調節部25に搬送される。搬送ハンド24は、基板18を保持して、各保持部に搬送する。搬送ハンド24は、基板18を保持するための機構としてパッドを用いた真空吸着やエッジクランプ等を備えうる。本実施形態において、搬送ハンド24は、一例として基板18を保持するため2つ吸着パッド40を備える。搬送ハンド24は、複数の保持部の一つである。   Here, a plurality of holding units through which the substrate 18 is transferred from the carry-in station 22 to the carry-out station 23 will be described. FIG. 2 is a conceptual diagram illustrating the arrangement of a plurality of holding units according to the first embodiment. Since this figure is a conceptual diagram, the positional relationship of each part includes a part that does not necessarily match FIG. First, the substrate 18 transported to the carry-in station 22 is held by the transport hand 24 and transported to the temperature adjustment unit 25. The transport hand 24 holds the substrate 18 and transports it to each holding unit. The transport hand 24 can include a vacuum suction using a pad, an edge clamp, or the like as a mechanism for holding the substrate 18. In the present embodiment, the transport hand 24 includes two suction pads 40 for holding the substrate 18 as an example. The transport hand 24 is one of a plurality of holding units.

温度調節部25は、基板18を保持し、基板18を任意に設定された温度に調節する機構である。温度調節部25は、例えば、基板18を保持するための基板チャック29、基板18の温度を調節するための温度調節プレート30を備えうる(図4(d)参照)。温度調節部25は、複数の保持部の一つである。設定温度に温度調節された基板18は、搬送ハンド24により再び保持され、位置合わせ部26に搬送される。位置合わせ部26は、基板18を基板ステージ13へ搬送する際の送り込み位置が、常に一定となるように基板18の中心位置と回転方向の位置合せを行う。位置合わせ部26は、複数の保持部の一つである。位置合わせ部26により位置合せされた基板18は、再び搬送ハンド24により保持され、基板ステージ13へと搬送される。   The temperature adjustment unit 25 is a mechanism that holds the substrate 18 and adjusts the substrate 18 to an arbitrarily set temperature. The temperature adjustment unit 25 may include, for example, a substrate chuck 29 for holding the substrate 18 and a temperature adjustment plate 30 for adjusting the temperature of the substrate 18 (see FIG. 4D). The temperature adjustment unit 25 is one of a plurality of holding units. The substrate 18 whose temperature has been adjusted to the set temperature is again held by the transport hand 24 and transported to the alignment unit 26. The alignment unit 26 aligns the center position of the substrate 18 with the rotation direction so that the feeding position when the substrate 18 is transported to the substrate stage 13 is always constant. The alignment unit 26 is one of a plurality of holding units. The substrate 18 aligned by the alignment unit 26 is again held by the transfer hand 24 and transferred to the substrate stage 13.

基板ステージ13は、前述のとおり複数の保持部の一つである。基板ステージ13に搬送された基板18は、基板チャック12により保持され、インプリント処理が実施される。なお、本実施形態において、複数の保持部とは、基板ステージ13、搬入ステーション22、搬出ステーション23、搬送ハンド24、温度調節部25、および、位置合わせ部26を指すものとする。また単に保持部という場合には、基板ステージ13、搬入ステーション22、搬出ステーション23、搬送ハンド24、温度調節部25、または、位置合わせ部26の何れかを指すものとする。   The substrate stage 13 is one of a plurality of holding units as described above. The substrate 18 transported to the substrate stage 13 is held by the substrate chuck 12 and imprint processing is performed. In the present embodiment, the plurality of holding units refer to the substrate stage 13, the carry-in station 22, the carry-out station 23, the transfer hand 24, the temperature adjustment unit 25, and the alignment unit 26. In addition, when simply referred to as a holding unit, it refers to any of the substrate stage 13, the carry-in station 22, the carry-out station 23, the transfer hand 24, the temperature adjustment unit 25, or the alignment unit 26.

インプリント処理が完了した基板18は、再び搬送ハンド24により保持され、基板ステージ13から、検知部27へと搬送される。図3は、第1実施形態に係る検知部27の構成を示す概略図である。図3(a)は、検知部27を基板18の裏面方向である−Z方向から見た図である。図3(b)は、検知部27を側面であるY方向から見た図である。検知部27は、基板18の裏面(パターンが形成されていな面)の異物を検知し、例えば、異物が付着している位置(付着位置)や、付着している異物の量(付着量)を検知する機構である。検知部27は、基板18の裏面を照明する照明部36と、基板18の裏面の異物の画像を取得する取得部38と、取得部38によって取得された画像を処理する画像処理部39とを備える。   The substrate 18 for which the imprint process has been completed is again held by the transport hand 24 and transported from the substrate stage 13 to the detection unit 27. FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a configuration of the detection unit 27 according to the first embodiment. FIG. 3A is a diagram of the detection unit 27 viewed from the −Z direction that is the back surface direction of the substrate 18. FIG. 3B is a diagram of the detection unit 27 viewed from the Y direction that is a side surface. The detection unit 27 detects foreign matter on the back surface (the surface on which the pattern is not formed) of the substrate 18 and, for example, a position where the foreign matter is attached (attachment position) and an amount of attached foreign matter (attachment amount). Is a mechanism for detecting The detection unit 27 includes an illumination unit 36 that illuminates the back surface of the substrate 18, an acquisition unit 38 that acquires an image of a foreign object on the back surface of the substrate 18, and an image processing unit 39 that processes the image acquired by the acquisition unit 38. Prepare.

照明部36は、基板18の裏面側に配置され、照明部36を駆動するための駆動機構(不図示)を有し、移動可能である。照明部36としては、例えば、半導体レーザを用いても良い。照明部36は、駆動機構により裏面全体を照射するように駆動される。取得部38は、照明部36によって照明されたの基板18の裏面からの散乱光37をCCDなどの撮像素子により受光し測定処理する。基板18の裏面に異物の付着がなければ、照明部36からの光は正反射となり照明部36とは逆の方向へ向かう。しかし、基板18の裏面に異物の付着があると、照明部36からの光は散乱され、別の方向に散乱光37が発生する。取得部38はこの散乱光を測定する。なお、取得部38は、リニアイメージセンサやフォトディテクタ等の撮像素子を用いても良いし、散乱光を測定するのではなく、反射光により異物を検出する手段を用いてもよい。   The illumination unit 36 is disposed on the back side of the substrate 18, has a drive mechanism (not shown) for driving the illumination unit 36, and is movable. As the illumination unit 36, for example, a semiconductor laser may be used. The illumination unit 36 is driven so as to irradiate the entire back surface by a drive mechanism. The acquisition unit 38 receives the scattered light 37 from the back surface of the substrate 18 illuminated by the illumination unit 36 by an imaging device such as a CCD, and performs measurement processing. If no foreign matter adheres to the back surface of the substrate 18, the light from the illumination unit 36 is specularly reflected and travels in the direction opposite to the illumination unit 36. However, if foreign matter adheres to the back surface of the substrate 18, light from the illumination unit 36 is scattered, and scattered light 37 is generated in another direction. The acquisition unit 38 measures the scattered light. Note that the acquisition unit 38 may use an imaging element such as a linear image sensor or a photodetector, or may use a means for detecting a foreign substance by reflected light instead of measuring scattered light.

取得部38にて取得された画像は、画像処理部39により画像処理され、異物の有無が検知される。画像処理部39は、照明部36の移動情報と画像処理により検知された異物の有無の情報から、基板18の裏面の異物の付着位置(以下、「付着位置情報」という。)と付着量(以下、「付着量情報」という。)を算出する。以降、基板18の裏面に付着した異物の付着位置(付着位置情報)と付着量(付着量情報)の総称を付着情報という。なお、本実施形態では照明部36を駆動させたが、基板18を駆動させても良いし、照明部36および基板18の両方を駆動させても良い。   The image acquired by the acquisition unit 38 is subjected to image processing by the image processing unit 39, and the presence or absence of foreign matter is detected. The image processing unit 39 uses the movement information of the illumination unit 36 and the presence / absence information of foreign matter detected by the image processing, and the attachment position (hereinafter referred to as “attachment position information”) and the attachment amount (hereinafter referred to as “attachment position information”) of the substrate 18. Hereinafter, it is referred to as “attachment amount information”). Hereinafter, the generic name of the attachment position (attachment position information) and the amount of attachment (attachment amount information) of the foreign matter attached to the back surface of the substrate 18 is referred to as attachment information. In the present embodiment, the illumination unit 36 is driven, but the substrate 18 may be driven, or both the illumination unit 36 and the substrate 18 may be driven.

また、本実施形態では、インプリント処理が完了した後に基板18の異物検査を実行したが、インプリント処理が実行される前、即ち、基板ステージ13に搬送される前に、基板18を検知部27に搬送し、異物検査を実施しても良い。   In the present embodiment, the foreign matter inspection of the substrate 18 is performed after the imprint process is completed. However, before the imprint process is performed, that is, before the substrate 18 is transported to the substrate stage 13, the substrate 18 is detected. It may be conveyed to 27 and foreign matter inspection may be performed.

図4および図5は、第1実施形態に係る複数の保持部について説明する図である。図4(a)は、インラインステーションの搬入ステーション22の構成を示す概略図である。図4(a)は、搬入ステーション22を側面であるY方向から見た図である。なお、ここでは搬入ステーション22の構造について説明をするが、搬出ステーション23も同様の構成である。搬入ステーション22は、基板18を支持するピン28を、例えば3本備える。搬入ステーション22の3本のピン28は、例えば、搬送ハンド24やコータデベロッパ等のハンドが搬入ステーション22に基板18の搬入搬出をする際に衝突しない位置に配置される。搬入ステーション22に搬送された基板18は、ピン28上に載置される。したがって、搬入ステーション22に搬送された基板18の裏面は、ピン28と接触することとなる。図4(b)は、搬入ステーション22において、ピン28と接触する基板18の裏面の位置を例示した図である。ピン28に付着し堆積した異物は、基板18が搬送された際に基板18の裏面に位置28aに付着しうる。よって、検知部27にて異物を検査した場合にこの位置28aが、付着位置情報として検出された場合は、搬入ステーション22または搬出ステーション23が異物により汚染されている可能性が高い。   4 and 5 are diagrams illustrating a plurality of holding units according to the first embodiment. FIG. 4A is a schematic diagram showing the configuration of the carry-in station 22 of the inline station. FIG. 4A is a view of the carry-in station 22 as viewed from the Y direction that is a side surface. In addition, although the structure of the carrying-in station 22 is demonstrated here, the carrying-out station 23 is also the same structure. The carry-in station 22 includes, for example, three pins 28 that support the substrate 18. The three pins 28 of the carry-in station 22 are arranged at a position where the hands such as the transport hand 24 and the coater developer do not collide when the board 18 is carried into and out of the carry-in station 22. The substrate 18 transported to the carry-in station 22 is placed on the pins 28. Therefore, the back surface of the substrate 18 conveyed to the carry-in station 22 comes into contact with the pins 28. FIG. 4B is a diagram illustrating the position of the back surface of the substrate 18 in contact with the pins 28 in the carry-in station 22. The foreign matter deposited and deposited on the pins 28 can adhere to the position 28a on the back surface of the substrate 18 when the substrate 18 is transported. Therefore, if the position 28a is detected as the adhesion position information when the detection unit 27 inspects the foreign object, there is a high possibility that the carry-in station 22 or the carry-out station 23 is contaminated with the foreign object.

図4(c)は、搬送ハンド24おいて、吸着パッド40と基板18の裏面がと接触する位置を例示した図である。搬送ハンド24は、基板18を保持するため2つの吸着パッド40を備える。したがって、基板18の裏面は、搬送ハンド24の吸着パッドと接触する。このため、吸着パッドに付着し堆積した異物は、基板18が搬送ハンド24によって搬送された際に、基板18の裏面の位置40aに付着しうる。よって、検知部27にて異物を検査した場合にこの位置40aが、付着位置情報として検出された場合は、搬送ハンド24が異物により汚染されている可能性が高い。   FIG. 4C is a diagram illustrating a position where the suction pad 40 and the back surface of the substrate 18 are in contact with each other in the transport hand 24. The transport hand 24 includes two suction pads 40 for holding the substrate 18. Therefore, the back surface of the substrate 18 contacts the suction pad of the transport hand 24. For this reason, the foreign matter deposited and deposited on the suction pad can adhere to the position 40 a on the back surface of the substrate 18 when the substrate 18 is transported by the transport hand 24. Therefore, if the position 40a is detected as the attachment position information when the detection unit 27 inspects the foreign object, there is a high possibility that the transport hand 24 is contaminated with the foreign object.

図4(d)は、温度調節部25において基板18を温度調節している際の状態をY方向から見た図である。温度調節部25は、基板18を保持するための基板チャック29、基板18の温度を調節するための温度調節プレート30および基板18を昇降させるピン31(図4(e)に図示)を有する。温度調節プレート30は、温度コントローラ(不図示)にて任意温度になるように制御される。基板チャック29は、温度調節プレート30上に配置され、基板18と同等の大きさもしくはそれ以上の直径を有する。基板チャック29は、温度調節プレート30により調節された熱を基板18に伝えることで基板18の温度を任意の温度に調節する。基板チャック29には、複数の小さな突起51が備えられており、基板チャック29に載置された基板18は、この突起51と接触することとなる。   FIG. 4D is a view of the temperature adjusting unit 25 when the temperature of the substrate 18 is adjusted as seen from the Y direction. The temperature adjustment unit 25 includes a substrate chuck 29 for holding the substrate 18, a temperature adjustment plate 30 for adjusting the temperature of the substrate 18, and a pin 31 (shown in FIG. 4E) for moving the substrate 18 up and down. The temperature adjustment plate 30 is controlled to have an arbitrary temperature by a temperature controller (not shown). The substrate chuck 29 is disposed on the temperature adjustment plate 30 and has a diameter equal to or larger than that of the substrate 18. The substrate chuck 29 adjusts the temperature of the substrate 18 to an arbitrary temperature by transferring the heat adjusted by the temperature adjustment plate 30 to the substrate 18. The substrate chuck 29 is provided with a plurality of small protrusions 51, and the substrate 18 placed on the substrate chuck 29 comes into contact with the protrusions 51.

図4(e)は、温度調節部25におけるピンを説明する図である。ピン31は、ピン31を昇降させるための駆動機構を有する。温度調節部25は、搬送ハンド24により基板18が搬入されるときにピン31を上昇駆動(図4(e)に示す状態)することで、基板18を受け取る。搬送ハンド24は、上昇したピン31上に基板18を載置する。ピン31上に載置された基板18はピン31が下降駆動(図4(d)に示す状態)することで、基板チャック29に基板18を保持される。従って、温度調節部25に搬送された基板18の裏面は、ピン31とも接触する。即ち、温度調節部25に保持された基板18は、基板チャック29の突起51およびピン31と接触することとなる。   FIG. 4E is a diagram for explaining pins in the temperature adjustment unit 25. The pin 31 has a drive mechanism for moving the pin 31 up and down. The temperature adjustment unit 25 receives the substrate 18 by driving the pins 31 upward (the state shown in FIG. 4E) when the substrate 18 is carried in by the transport hand 24. The transport hand 24 places the substrate 18 on the raised pins 31. The substrate 18 placed on the pins 31 is held by the substrate chuck 29 when the pins 31 are driven downward (as shown in FIG. 4D). Therefore, the back surface of the substrate 18 conveyed to the temperature adjustment unit 25 also contacts the pins 31. That is, the substrate 18 held by the temperature adjusting unit 25 comes into contact with the protrusions 51 and the pins 31 of the substrate chuck 29.

図4(f)は、温度調節部25におけるピン31および基板チャック29と基板18の裏面とが接触する位置を例示した図である。ピン31に付着し堆積した異物は、基板18が温度調節部25に搬送された際に、基板18の裏面の位置31aに付着しうる。よって、検知部27にて異物を検査した際にこの位置31aが、付着位置情報として検出された場合は、温度調節部25が異物により汚染されている可能性が高い。また、基板チャック29に付着し堆積した異物は、突起51と接触する位置に付着しうるため、基板チャック29が異物により汚染されている場合には、基板18の裏面の全面のいずれかの位置が、付着位置情報として検出されることとなる。   FIG. 4F is a view illustrating positions where the pins 31 and the substrate chuck 29 contact the back surface of the substrate 18 in the temperature adjusting unit 25. The foreign matter deposited and deposited on the pins 31 can adhere to the position 31 a on the back surface of the substrate 18 when the substrate 18 is transported to the temperature adjustment unit 25. Therefore, when the position 31a is detected as the attachment position information when the detection unit 27 inspects the foreign object, there is a high possibility that the temperature adjustment unit 25 is contaminated with the foreign object. Further, the foreign matter deposited and deposited on the substrate chuck 29 can adhere to the position where it contacts the protrusion 51. Therefore, when the substrate chuck 29 is contaminated with foreign matter, any position on the entire back surface of the substrate 18 is used. Is detected as adhesion position information.

図5(a)は、位置合わせ部26の構成を示した図である。位置合わせ部26は、駆動ステージ34、支持部35、基板チャック33および計測部32を含む。駆動ステージ34は、X、Y方向およびθ回転方向の駆動機構(不図示)を有する。支持部35は、駆動ステージ34を支持する。基板チャック33は、基板吸着パッドなどにより基板18を吸着保持する。なお、吸着方式は、真空吸着、静電吸着、その他の吸着方式を利用しても良い。基板18の位置合わせは、例えば、基板を回転させながら基板外周部の位置情報(基板位置情報)を取得して実施する。よって、基板チャック33は、この回転により基板18がずれない程度の吸着面積を有する必要がある。   FIG. 5A is a diagram illustrating the configuration of the alignment unit 26. The alignment unit 26 includes a drive stage 34, a support unit 35, a substrate chuck 33, and a measurement unit 32. The drive stage 34 has drive mechanisms (not shown) in the X and Y directions and the θ rotation direction. The support unit 35 supports the drive stage 34. The substrate chuck 33 sucks and holds the substrate 18 by a substrate suction pad or the like. Note that vacuum suction, electrostatic suction, and other suction methods may be used as the suction method. The alignment of the substrate 18 is performed by, for example, acquiring position information (substrate position information) of the outer periphery of the substrate while rotating the substrate. Therefore, the substrate chuck 33 needs to have an adsorption area so that the substrate 18 is not displaced by this rotation.

計測部32は、基板18の端部(外周部)を計測するため、基板18の端部の計測が可能な位置に配置される。搬送ハンド24により、位置合わせ部26に搬送された基板18は、駆動ステージ34上の基板チャック33に載置される。その後、基板18は、基板チャック33の基板吸着パッドによって吸着保持される。次いで、駆動ステージ34が回転され、計測部32にて基板18の端部が計測されることにより、基板18の位置が検出される。計測部32により取得された画像は、画像処理装置(不図示)により処理され、基板18の中心位置を含む基板位置情報が求められる。求められた基板位置情報より、駆動ステージ34をX、Y方向に移動、およびθ方向に回転させて、基板18の位置合せを行う。これにより、搬送ハンド24が位置合わせ部26から基板18を搬出する際に、搬送ハンド24の基準点と基板18の基準点とが合った状態で搬送ハンド24上に基板18が配置される。したがって、位置合わせ部26に搬送された基板18の裏面は、基板チャック33と接触することとなる。   The measuring unit 32 is arranged at a position where the end of the substrate 18 can be measured in order to measure the end (outer peripheral portion) of the substrate 18. The substrate 18 transported to the alignment unit 26 by the transport hand 24 is placed on the substrate chuck 33 on the drive stage 34. Thereafter, the substrate 18 is sucked and held by the substrate suction pad of the substrate chuck 33. Next, the drive stage 34 is rotated, and the end of the substrate 18 is measured by the measuring unit 32, whereby the position of the substrate 18 is detected. The image acquired by the measurement unit 32 is processed by an image processing apparatus (not shown), and substrate position information including the center position of the substrate 18 is obtained. Based on the obtained substrate position information, the drive stage 34 is moved in the X and Y directions and rotated in the θ direction to align the substrate 18. Thereby, when the transport hand 24 carries the substrate 18 out of the alignment unit 26, the substrate 18 is arranged on the transport hand 24 in a state where the reference point of the transport hand 24 and the reference point of the substrate 18 are aligned. Accordingly, the back surface of the substrate 18 conveyed to the alignment unit 26 comes into contact with the substrate chuck 33.

図5(b)は、位置合わせ部26において、基板18の裏面が基板チャック33と接触接触する位置を例示した図である。基板チャック33の表面に付着し堆積した異物は、基板18が、位置合わせ部26に搬送された際に基板18の裏面の位置33aに付着しうる。よって、検知部27にて異物を検査した際にこの位置33aが、付着位置情報として検出された場合は、位置合わせ部26が異物により汚染されている可能性が高い。   FIG. 5B illustrates the position where the back surface of the substrate 18 contacts the substrate chuck 33 in the alignment unit 26. The foreign matter deposited and deposited on the surface of the substrate chuck 33 can adhere to the position 33 a on the back surface of the substrate 18 when the substrate 18 is transported to the alignment unit 26. Therefore, when the position 33a is detected as the attachment position information when the detection unit 27 inspects the foreign object, there is a high possibility that the alignment unit 26 is contaminated with the foreign object.

図5(c)は、基板ステージ13の構成を示す図である。基板ステージ13は、基板18を支持するピン41を、例えば3本備える。ピン41は、搬送ハンド24が基板18の搬入搬出をする際に衝突しない位置に配置される。基板ステージ13に搬送された基板18は、ピン41上に載置される。基板ステージ13は、ピン41を上昇駆動することにより、搬送ハンド24から基板18を受け取る。その後、基板ステージ13は、ピン41aを下降駆動し、基板チャック12に基板18を吸着することで、基板18を保持する。基板チャック12は、型17と基板18とを引き離す際に、基板チャック12から基板18が外れないように、基板18の裏面を吸着保持する。即ち、基板ステージ13に保持された基板18は、基板チャック12の全面およびピン41と接触することとなる。   FIG. 5C is a diagram showing the configuration of the substrate stage 13. The substrate stage 13 includes, for example, three pins 41 that support the substrate 18. The pin 41 is disposed at a position where it does not collide when the transport hand 24 loads and unloads the substrate 18. The substrate 18 transported to the substrate stage 13 is placed on the pins 41. The substrate stage 13 receives the substrate 18 from the transport hand 24 by driving the pins 41 upward. After that, the substrate stage 13 holds the substrate 18 by driving the pins 41 a downward and attracting the substrate 18 to the substrate chuck 12. The substrate chuck 12 sucks and holds the back surface of the substrate 18 so that the substrate 18 is not detached from the substrate chuck 12 when the mold 17 and the substrate 18 are separated from each other. That is, the substrate 18 held on the substrate stage 13 comes into contact with the entire surface of the substrate chuck 12 and the pins 41.

図5(d)は、基板ステージ13におけるピン41および基板チャック12と基板18の裏面とが接触する位置を例示した図である。ピン41に付着し堆積した異物は、基板18が基板ステージ13に搬送された際に、基板18の裏面の位置41aに付着しうる。よって、検知部27にて異物を検査した際にこの位置41aが、付着位置情報として検出された場合は、基板ステージ13が異物により汚染されている可能性が高い。また、基板チャック12に付着し堆積した異物は、基板18の裏面の全面に付着しうるため、基板チャック12が異物により汚染されている場合には、基板18の裏面の全面のいずれかの位置が、付着位置情報として検出されることとなる。   FIG. 5D is a diagram illustrating positions where the pins 41 and the substrate chuck 12 on the substrate stage 13 are in contact with the back surface of the substrate 18. The foreign matter deposited and deposited on the pins 41 can adhere to the position 41 a on the back surface of the substrate 18 when the substrate 18 is transported to the substrate stage 13. Therefore, when the position 41a is detected as the attachment position information when the detection unit 27 inspects the foreign object, there is a high possibility that the substrate stage 13 is contaminated with the foreign object. In addition, since the foreign matter adhering to and deposited on the substrate chuck 12 can adhere to the entire back surface of the substrate 18, any position on the entire back surface of the substrate 18 when the substrate chuck 12 is contaminated with the foreign material. Is detected as adhesion position information.

図6は、第1実施形態に係る異物の付着位置について説明する図である。図6(a)は、図4および図5で示した各保持部と基板18の裏面との接触位置を同一基板上に示した図である。複数の保持部のそれぞれが基板18を保持する際に、基板18の裏面と接触する位置の座標(以下、「接触位置情報」という。)は、予め制御部10内の記憶部に記憶される。なお、接触位置情報は、基板18に基準として設けられるノッチNの位置と基板18の外周部の位置を含む基板位置情報に基づき決定される。なお、本実施形態において、基板位置情報とは、ノッチNの位置と基板18の外周部の位置を含む概念である。   FIG. 6 is a diagram for explaining a foreign matter adhesion position according to the first embodiment. FIG. 6A is a diagram showing the contact position between each holding portion shown in FIGS. 4 and 5 and the back surface of the substrate 18 on the same substrate. When each of the plurality of holding units holds the substrate 18, coordinates of a position in contact with the back surface of the substrate 18 (hereinafter referred to as “contact position information”) are stored in advance in a storage unit in the control unit 10. . The contact position information is determined based on the substrate position information including the position of the notch N provided as a reference on the substrate 18 and the position of the outer peripheral portion of the substrate 18. In the present embodiment, the substrate position information is a concept including the position of the notch N and the position of the outer peripheral portion of the substrate 18.

図6(b)は、検知部27にて検出される異物の付着位置情報と付着量情報の一例を示す図である。本図においては、異物Pをドットで示している。複数の保持部のそれぞれに異物Pが付着していた場合、複数の保持部によって保持された基板18の裏面に異物が付着しうる。このような場合、図6(b)に示すように、複数の保持部のそれぞれと基板18の裏面とが接触する位置に異物Pが付着することとなる。よって、検知部27にて異物を検査した場合、図6(b)に示す位置が異物の付着位置情報として検出されることとなる。検知部27は、異物の付着位置情報と制御部10に記憶された接触位置情報とを比較することで異物が付着している保持部を特定する。なお、本図では図示していないが、異物が特定の箇所ではなく基板全体に付着している場合は、基板ステージ13に構成される基板チャック12または温度調節部25に構成される基板チャック29に異物が付着していることを示している。   FIG. 6B is a diagram illustrating an example of the adhesion position information and adhesion amount information of the foreign matter detected by the detection unit 27. In the figure, the foreign matter P is indicated by dots. When the foreign matter P adheres to each of the plurality of holding portions, the foreign matter may adhere to the back surface of the substrate 18 held by the plurality of holding portions. In such a case, as shown in FIG. 6B, the foreign matter P adheres to a position where each of the plurality of holding portions and the back surface of the substrate 18 come into contact with each other. Therefore, when the detection unit 27 inspects the foreign matter, the position illustrated in FIG. 6B is detected as the foreign matter attachment position information. The detection unit 27 compares the attachment position information of the foreign matter with the contact position information stored in the control unit 10 to identify the holding unit to which the foreign matter is attached. Although not shown in the drawing, when the foreign matter adheres to the entire substrate instead of a specific portion, the substrate chuck 12 configured on the substrate stage 13 or the substrate chuck 29 configured on the temperature adjustment unit 25. It shows that foreign matter is attached to.

図6(c)〜(e)は、搬送される基板18のノッチNの位置を変更した場合の各保持部と基板18の裏面とが接触する位置を例示した図である。図6(c)は、インプリント装置1内部に搬入されてから、位置合わせ部26に搬送される前までの、各保持部と基板18の裏面とが接触する位置を示している。図6(d)は、位置合わせ部26に搬送されてから、インプリント装置1外部へと搬出されるまでの各保持部と基板18の裏面とが接触する位置を示している。図6(e)は、図6(c)および図6(d)で示した各保持部と基板18の裏面との接触位置を同一基板上に示した図である。インプリント装置外部から内部へと搬入される際の基板18のノッチNの位置は、コータデベロッパやEFEM等により常に同じ位置であり、位置合わせ部26において、位置合わせが実施されるまで、変更されない。ノッチNは、基板18の方位の基準である。位置合わせ部26に搬送された基板18は、位置合わせが実施されることにより、ノッチNの位置が変更される。位置合わせが実施された後のノッチNの位置は、常に同じ位置となり、変更されない。よって、インプリント装置1外部から搬入される際のノッチNの位置と位置合わせ部26による位置合わせ後のノッチNの位置に基づき、接触位置情報の座標を変更する。これにより、ノッチNの位置が搬送途中で変更された場合でも異物が付着した保持部を特定することができる。なお、基板位置情報としては、ノッチNの位置情報のみを用いてもよい。また、基板18に基準として設けられるオリエンテーションフラットの位置を基板位置情報として用いても良い。   FIGS. 6C to 6E are diagrams illustrating positions where the holding portions and the back surface of the substrate 18 are in contact with each other when the position of the notch N of the substrate 18 to be conveyed is changed. FIG. 6C shows a position where each holding unit and the back surface of the substrate 18 come into contact after being carried into the imprint apparatus 1 and before being conveyed to the alignment unit 26. FIG. 6D shows a position where each holding unit and the back surface of the substrate 18 come into contact after being transported to the alignment unit 26 and carried out to the outside of the imprint apparatus 1. FIG. 6E is a view showing the contact position between each holding portion shown in FIGS. 6C and 6D and the back surface of the substrate 18 on the same substrate. The position of the notch N of the substrate 18 when it is carried from the outside to the inside of the imprint apparatus is always the same position by a coater developer, EFEM, or the like, and is not changed until the alignment is performed in the alignment unit 26. . The notch N is a reference for the orientation of the substrate 18. The position of the notch N is changed when the substrate 18 conveyed to the alignment unit 26 is aligned. The position of the notch N after alignment is always the same position and is not changed. Therefore, the coordinates of the contact position information are changed based on the position of the notch N when the imprint apparatus 1 is carried in from the outside and the position of the notch N after alignment by the alignment unit 26. Thereby, even when the position of the notch N is changed during the conveyance, it is possible to specify the holding unit to which the foreign matter has adhered. Note that only the position information of the notch N may be used as the substrate position information. Further, the position of the orientation flat provided as a reference on the substrate 18 may be used as the substrate position information.

図6(f)は、接触位置情報を座標ではなく、領域とする方法を示した図である。各保持部と基板18の裏面との接触位置を領域として記憶することにより、基板位置情報を使用せずに異物の付着した保持部を特定することが可能である。具体的には、ノッチNの方向が変更された場合に各保持部が基板18の裏面と接触しうる領域(以下、「接触領域」という。)を図6(d)に示すように、リング状または円形に設け、その接触領域を接触位置情報として記憶する。   FIG. 6F is a diagram showing a method of using the contact position information as an area instead of coordinates. By storing the contact position between each holding unit and the back surface of the substrate 18 as an area, it is possible to specify the holding unit to which foreign matter is attached without using the substrate position information. Specifically, when the direction of the notch N is changed, an area (hereinafter referred to as “contact area”) in which each holding portion can come into contact with the back surface of the substrate 18 is shown in FIG. The contact area is stored as contact position information.

例えば、基板18の外周部から、リング状に、接触領域42、接触領域43、接触領域44、基板18の中心部に円形の接触領域45とする。接触領域42は、搬入ステーション22および搬出ステーション23のピン28が接触しうる領域である。接触領域43は、温度調節部25のピン31および基板ステージ13のピン41が接触しうる領域である。接触領域44は、搬送ハンド24の吸着パッド40が接触しうる領域である。接触領域45は、位置合わせ部26の基板チャック33が接触する領域である。   For example, the contact region 42, the contact region 43, the contact region 44, and the circular contact region 45 are formed in a ring shape from the outer peripheral portion of the substrate 18. The contact area 42 is an area where the pins 28 of the carry-in station 22 and the carry-out station 23 can come into contact with each other. The contact area 43 is an area where the pin 31 of the temperature adjusting unit 25 and the pin 41 of the substrate stage 13 can come into contact with each other. The contact area 44 is an area where the suction pad 40 of the transport hand 24 can come into contact. The contact area 45 is an area where the substrate chuck 33 of the alignment unit 26 contacts.

制御部10は、各接触領域を記憶し、検知部27は、接触領域内に異物が付着していた場合にその付着位置情報と接触領域から、異物が付着している保持部を特定する。このように、各保持部と基板18の裏面との接触位置を領域として記憶することで、インプリント装置1内にて搬送される基板18の向きが常に一定でない場合でもノッチ情報を使用せずに異物が付着した保持部の特定が可能となる。   The control unit 10 stores each contact area, and the detection unit 27 specifies a holding unit to which a foreign substance is attached from the attachment position information and the contact area when the foreign substance is attached to the contact area. Thus, by storing the contact position between each holding portion and the back surface of the substrate 18 as an area, notch information is not used even when the orientation of the substrate 18 conveyed in the imprint apparatus 1 is not always constant. It becomes possible to specify the holding part on which foreign matter has adhered.

図7は、異物が付着している保持部を特定するフローチャートを示した図である。各ステップは、制御部10による各部の制御により実行される。S701では、インラインステーションの搬入ステーション22に載置された基板18を搬送ハンド24により保持する。S702では、搬送ハンド24は、保持した基板18を温度調節部25に搬送し、ピン31上に載置する。S703では、ピン31を下降させて、基板チャック29上に基板18を載置する。基板チャック29は、温度調節プレート30と接触しているため、温度調節プレートの温度を制御することにより、基板チャック29の温度が所定の温度に保たれる。基板18は、基板チャック29に吸着保持されることにより、基板チャック29と接触するため、基板18の温度が所定の温度に調節される。   FIG. 7 is a diagram showing a flowchart for specifying a holding unit to which foreign matter is attached. Each step is executed by the control of each unit by the control unit 10. In step S <b> 701, the substrate 18 placed on the carry-in station 22 of the inline station is held by the transport hand 24. In S <b> 702, the transport hand 24 transports the held substrate 18 to the temperature adjustment unit 25 and places it on the pins 31. In step S <b> 703, the pins 31 are lowered and the substrate 18 is placed on the substrate chuck 29. Since the substrate chuck 29 is in contact with the temperature adjustment plate 30, the temperature of the substrate chuck 29 is maintained at a predetermined temperature by controlling the temperature of the temperature adjustment plate. Since the substrate 18 is attracted and held by the substrate chuck 29, the substrate 18 comes into contact with the substrate chuck 29, so that the temperature of the substrate 18 is adjusted to a predetermined temperature.

S704では、所定温度となった基板18をピン31の上昇により、基板チャック29から引きはがし、搬送ハンド24により位置合わせ部26へと搬送し、位置合わせを行う。これにより、搬送ハンド24の基準点と基板18の基準点があった状態で搬送ハンドに基板18が保持される。S705では、搬送ハンド24により基板18を基板ステージ13へ搬送し、基板チャック12に基板18を保持させる。   In step S <b> 704, the substrate 18 that has reached a predetermined temperature is peeled off from the substrate chuck 29 by the ascent of the pin 31, and is transported to the alignment unit 26 by the transport hand 24 for alignment. As a result, the substrate 18 is held by the transfer hand in a state where the reference point of the transfer hand 24 and the reference point of the substrate 18 exist. In step S <b> 705, the substrate 18 is transported to the substrate stage 13 by the transport hand 24 and the substrate chuck 12 holds the substrate 18.

S706では、基板18上にパターンを形成するインプリント処理を行う。基板18上に形成されたショット領域に従いインプリント処理が実施され、基板上の全てのショット領域へのインプリント処理が完了すると、基板18へのインプリント処理が終了する。S707では、搬送ハンド24は、インプリント処理が完了した基板18を検知部27へと搬送する。S708では、基板18の裏面の異物付着を検査する。具体的には、基板18の裏面に照明部36を照射し、その散乱光を取得部38で測定することにより、基板18の裏面の異物の付着位置情報および付着量情報を取得する。S709では、検知部27の検査結果である付着情報と予め記憶部に記憶された接触位置情報とを比較し、複数の保持部の中から異物が付着している保持部を特定する。S710では、異物の付着位置と異物の付着量をインプリント装置1に構成されたモニタ(不図示)に表示する。S711では、搬送ハンド24は、基板18を保持し、検知部27から搬出ステーション23へと基板18を搬送する。   In S706, an imprint process for forming a pattern on the substrate 18 is performed. The imprint process is performed according to the shot area formed on the substrate 18, and when the imprint process for all the shot areas on the substrate is completed, the imprint process on the substrate 18 is finished. In step S <b> 707, the transport hand 24 transports the substrate 18 on which the imprint process has been completed to the detection unit 27. In S708, the adhesion of foreign matter on the back surface of the substrate 18 is inspected. Specifically, the back surface of the substrate 18 is irradiated with the illumination unit 36, and the scattered light is measured by the acquisition unit 38, thereby acquiring the adhesion position information and the adhesion amount information of the foreign matter on the back surface of the substrate 18. In S709, the adhesion information, which is the inspection result of the detection unit 27, is compared with the contact position information stored in advance in the storage unit, and the holding unit to which the foreign matter is attached is specified from the plurality of holding units. In step S <b> 710, the position and amount of foreign matter attached are displayed on a monitor (not shown) configured in the imprint apparatus 1. In S <b> 711, the transport hand 24 holds the substrate 18 and transports the substrate 18 from the detection unit 27 to the carry-out station 23.

なお、S710において異物の付着位置と付着量および特定された異物の付着した保持部をモニタ等に表示するとしているが、制御部10は、検知部27の検査結果に基づき、基板18または複数の保持部に対する処理を決定しても良い。ここで、基板18または複数の保持部に対する処理とは、例えば、基板の交換、または、保持部の自動クリーニング、若しくは、手動クリーニングの実施などである。具体的な一例としては、基板18の検査毎に異物の付着位置と付着量のデータを保存し、付着量の積算値が閾値を超えた場合に該当の保持部に対するクリーニングの実施を決定する、などである。この場合、適切な時期にクリーニングを行うことが可能となるなど、検査結果に基づき適切な処理を決定することができる。また、製品不良の原因に大きな影響を及ぼす保持部、例えば基板ステージ13に異物の付着があることが判明した場合には即時にクリーニングの実施を決定することとしてもよい。   In S710, the position and amount of the foreign matter and the holding portion to which the specified foreign matter has been attached are displayed on a monitor or the like. However, the control unit 10 determines whether the substrate 18 or the plurality of substrates are based on the inspection result of the detection unit 27. You may determine the process with respect to a holding | maintenance part. Here, the process for the substrate 18 or the plurality of holding units is, for example, replacement of the substrate, automatic cleaning of the holding unit, or manual cleaning. As a specific example, for each inspection of the substrate 18, data on the adhesion position and the amount of foreign matter is stored, and when the integrated value of the amount of adhesion exceeds a threshold value, execution of cleaning for the corresponding holding unit is determined. Etc. In this case, appropriate processing can be determined based on the inspection result, such as cleaning can be performed at an appropriate time. In addition, when it is determined that foreign matter is attached to a holding unit that has a great influence on the cause of product failure, for example, the substrate stage 13, the cleaning may be immediately determined.

さらに、検知部27での異物の検知はインプリント装置1内に搬入された基板毎に行っても良いし、予め設定されたタイミングで行っても良い。   Further, the detection of the foreign matter by the detection unit 27 may be performed for each substrate carried into the imprint apparatus 1 or may be performed at a preset timing.

以上の構成とすることにより、基板18の裏面に付着した異物の付着情報と接触位置情報から、複数ある保持部の中から異物が付着している保持部を特定することが可能となる。
<第2実施形態>
With the above configuration, it is possible to identify a holding unit to which a foreign substance is attached from among a plurality of holding units from the adhesion information and contact position information of the foreign substance attached to the back surface of the substrate 18.
Second Embodiment

次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態として言及しない事項は、前述の実施形態に従う。図8は、第2実施形態に係る異物検査のフローチャートを示した図である。各ステップは、制御部10による各部の制御により実行される。第2実施形態では、メンテナンス専用の基板を用いて、複数の保持部のうち、任意の保持部のみの異物検査を実施する。   Next, a second embodiment will be described. Matters not mentioned in the second embodiment are the same as those in the above-described embodiment. FIG. 8 is a view showing a flowchart of foreign object inspection according to the second embodiment. Each step is executed by the control of each unit by the control unit 10. In the second embodiment, a foreign substance inspection is performed only on an arbitrary holding unit among a plurality of holding units, using a substrate dedicated for maintenance.

S801では、異物による汚れを確認したい保持部を選択する。S802では、搬入ステーション22に載置されたメンテナンス専用の基板を搬送ハンド24により保持する。S803では、搬送ハンド24は、選択された保持部にメンテナンス専用の基板を搬送する。なお選択する保持部は、1つではなく複数であってもよい。複数の保持部が選択された場合、選択された保持部の全てに基板を搬送する。S804では、搬送ハンド24が基板を検知部27に搬送する。S805では、基板の裏面の異物付着を検査する。具体的には、基板の裏面に照明部36を照射し、その散乱光を取得部38で測定することにより、基板18の裏面の異物の付着位置情報および付着量情報を取得する。S806では、検知部27の検査結果である付着情報と予め記憶部に記憶された接触位置情報とを比較し、選択された保持部のクリーニングの要否を判断、または、複数の保持部が選択された場合は、異物が付着している保持部を特定する。S807では、異物の付着位置と付着量をモニタ(表示部)に表示する。S808では、搬送ハンド24が基板を保持し、検知部27から搬出ステーション23へと搬送する。   In step S801, a holding unit for which contamination due to foreign matter is to be confirmed is selected. In step S <b> 802, the maintenance-only substrate placed on the carry-in station 22 is held by the transport hand 24. In S803, the transport hand 24 transports the maintenance-dedicated substrate to the selected holding unit. Note that the number of holding units to be selected may be plural instead of one. When a plurality of holding units are selected, the substrate is transferred to all of the selected holding units. In S <b> 804, the transport hand 24 transports the substrate to the detection unit 27. In S805, the adhesion of foreign matter on the back surface of the substrate is inspected. Specifically, the illumination unit 36 is irradiated on the back surface of the substrate, and the scattered light is measured by the acquisition unit 38 to acquire the adhesion position information and the adhesion amount information of the foreign substance on the back surface of the substrate 18. In S806, the adhesion information, which is the inspection result of the detection unit 27, is compared with the contact position information stored in advance in the storage unit to determine whether the selected holding unit needs to be cleaned, or a plurality of holding units are selected. If it is, the holding part to which the foreign matter is attached is specified. In step S807, the position and amount of foreign matter are displayed on the monitor (display unit). In step S <b> 808, the transport hand 24 holds the substrate and transports the substrate from the detection unit 27 to the carry-out station 23.

なお、S807において異物の付着位置と付着量および特定された異物の付着している保持部をモニタ等に表示するとしているが、制御部10は、検知部27の検査結果に基づき、複数の保持部に対する処理を決定しても良い。ここで、複数の保持部に対する処理とは、例えば、保持部の自動クリーニング、または、手動クリーニングの実施などである。具体的な一例としては、メンテナンス専用の基板の検査毎に異物の付着位置と付着量のデータを保存し、付着量の積算値が閾値を超えた場合に、該当の保持部に対するクリーニングの実施を決定する、などである。この場合、適切な時期にクリーニングを行うことが可能となるなど、検査結果に基づき適切な処理を決定することができる。また、基板のノッチ方向については、搬入ステーションに基盤を載置する際に方向を特定方向に揃えておいてもよいし、位置合わせ部26に搬送して位置合わせを行った後に選択された保持部に基板を搬送してもよい。   Note that, in S807, the position and amount of foreign matter and the holding portion to which the specified foreign matter is attached are displayed on a monitor or the like. However, the control unit 10 performs a plurality of holdings based on the inspection result of the detection unit 27. You may determine the process with respect to a part. Here, the processing with respect to the plurality of holding units is, for example, automatic cleaning of the holding units or implementation of manual cleaning. As a specific example, data on the position and amount of foreign matter attached is stored for each inspection of a board dedicated to maintenance, and if the integrated value of the attached amount exceeds a threshold value, the corresponding holding unit is cleaned. To decide. In this case, appropriate processing can be determined based on the inspection result, such as cleaning can be performed at an appropriate time. Further, the notch direction of the substrate may be aligned in a specific direction when the substrate is placed on the carry-in station, or selected after being transferred to the alignment unit 26 and aligned. You may convey a board | substrate to a part.

以上によれば、特定の保持部についてクリーニングを実施すべきかの判断が可能となる。また、検査を行う保持部を限定することでより正確に異物の付着による汚染の状況が確認できる。なお、本フローは、クリーニング実施後に行っても良い。クリーニング実施後に行うことで、クリーニング後の各保持部の状態を確認することが可能となる。これにより、メンテナンス時間を短縮することが可能となり、製造ラインの停止における生産性の低下を低減させることができる。
<第3実施形態>
According to the above, it is possible to determine whether or not the specific holding unit should be cleaned. In addition, by limiting the holding parts to be inspected, it is possible to confirm the state of contamination due to adhesion of foreign matters more accurately. This flow may be performed after cleaning. By performing after cleaning, the state of each holding part after cleaning can be confirmed. Thereby, it is possible to shorten the maintenance time, and it is possible to reduce a decrease in productivity when the production line is stopped.
<Third Embodiment>

第3実施形態は、成形装置の例として、基板の上に平坦化層を形成する形成処理を行う平坦化装置について説明する。なお、ここで言及しない事項は、前述の実施形態に従い得る。前述の実施形態では、型17として、凹凸状のパターンが形成された型について述べたが、凹凸状のパターンが形成されていない平面部を有するモールド(平面テンプレート)であってもよい。平面テンプレートは、平面部によって基板上の組成物を平坦化するように成形する平坦化処理(成形処理)を行う平坦化装置(成形装置)に用いられる。平坦化処理は、基板上に供給された硬化性組成物に平面テンプレートの平坦部を接触させた状態で、光の照射によって、或いは、加熱によって硬化性組成物を硬化させる工程を含む。   3rd Embodiment demonstrates the planarization apparatus which performs the formation process which forms a planarization layer on a board | substrate as an example of a shaping | molding apparatus. Note that matters not mentioned here can follow the above-described embodiment. In the above-described embodiment, a mold having a concavo-convex pattern is described as the mold 17. However, a mold (planar template) having a flat portion on which a concavo-convex pattern is not formed may be used. The planar template is used in a planarization apparatus (molding apparatus) that performs a planarization process (molding process) that molds the composition on the substrate by a planar portion. The planarization treatment includes a step of curing the curable composition by light irradiation or heating while the flat portion of the planar template is in contact with the curable composition supplied on the substrate.

平坦化装置では、平面テンプレートを用いて、基板の上に平坦化層を形成する。基板上の下地パターンは、前の工程で形成されたパターン起因の凹凸プロファイルを有しており、特に近年のメモリ素子の多層構造化に伴いプロセス基板は100nm前後の段差を持つものも出てきている。基板全体の緩やかなうねりに起因する段差は、フォト工程で使われているスキャン露光装置のフォーカス追従機能によって補正可能である。しかし、露光装置の露光スリット面積内に収まってしまうピッチの細かい凹凸は、そのまま露光装置のDOF(Depth Of Focus)を消費してしまう。基板の下地パターンを平滑化する従来手法としてSOC(Spin On Carbon)、CMP(Chemical Mechanical Polishing)のような平坦化層を形成する手法が用いられている。しかし従来技術では十分な平坦化性能が得られない問題があり、今後多層化による下地の凹凸差は更に増加する傾向にある。   In the planarization apparatus, a planarization layer is formed on a substrate using a planar template. The underlying pattern on the substrate has a concavo-convex profile resulting from the pattern formed in the previous process, and in particular with the recent multi-layer structure of memory elements, some process substrates have steps of about 100 nm. Yes. The level difference caused by the gentle undulation of the entire substrate can be corrected by the focus tracking function of the scan exposure apparatus used in the photo process. However, fine pitch irregularities that fall within the exposure slit area of the exposure apparatus consume the DOF (Depth Of Focus) of the exposure apparatus as it is. As a conventional method for smoothing the base pattern of the substrate, a method of forming a planarizing layer such as SOC (Spin On Carbon) or CMP (Chemical Mechanical Polishing) is used. However, the conventional technique has a problem that sufficient flattening performance cannot be obtained, and in the future, the difference in unevenness of the base due to multilayering tends to further increase.

この問題を解決するために、本実施形態の平坦化装置は、基板に予め塗布された未硬化の組成物に対して平面テンプレート(平面プレート)を押し当てて基板面内の局所平面化を行う。本実施形態において、平坦化装置の構成は、図1に示したインプリント装置1と概ね同様とすることができる。ただし平坦化装置では、凹凸パターンが形成されたパターン部を有する型の代わりに、基板と同じかそれより大きい面積の平面プレートを使用し、基板の上の組成物層の全面に接触させる。型保持部は、そのような平面プレートを保持するように構成される。   In order to solve this problem, the planarization apparatus of the present embodiment performs local planarization in the substrate surface by pressing a planar template (planar plate) against an uncured composition pre-applied to the substrate. . In the present embodiment, the configuration of the flattening apparatus can be substantially the same as that of the imprint apparatus 1 shown in FIG. However, in the flattening apparatus, a flat plate having the same area as or larger than the substrate is used in place of the mold having the pattern portion on which the uneven pattern is formed, and is brought into contact with the entire surface of the composition layer on the substrate. The mold holder is configured to hold such a flat plate.

図9は、第3実施形態に係る平坦化装置による処理を説明する図である。図9(a)は、平坦化加工を行う前の下地パターン46が形成された基板18を示す図である。孤立パターンエリア47は、パターン凸部分の面積が少なく、Denseエリア48はパターン凸部分の占める面積は凹部分の占める面積と1:1である。図9(b)は、基板上に組成物52を供給し、平面プレート49を接触させる前の状態を示しており、この組成物52の供給パターンは、孤立パターンエリア47およびDenseエリア48などの基板全面での凹凸情報を考慮して計算されたものである。図9(c)は、平面プレート49を基板上の組成物52と接触させ、組成物52に光源4からの光を照射して組成物52を硬化させている状態を示している。図9(d)は、硬化させた組成物52から平面プレート49を引き離した状態を示している。   FIG. 9 is a diagram for explaining processing by the planarization apparatus according to the third embodiment. FIG. 9A is a diagram showing the substrate 18 on which the base pattern 46 before the flattening process is formed. In the isolated pattern area 47, the area of the pattern convex portion is small, and in the dense area 48, the area occupied by the pattern convex portion is 1: 1 with the area occupied by the concave portion. FIG. 9B shows a state before the composition 52 is supplied onto the substrate and the flat plate 49 is brought into contact. The supply pattern of the composition 52 includes an isolated pattern area 47 and a dense area 48. This is calculated in consideration of unevenness information on the entire surface of the substrate. FIG. 9C shows a state in which the flat plate 49 is brought into contact with the composition 52 on the substrate, and the composition 52 is cured by irradiating the composition 52 with light from the light source 4. FIG. 9D shows a state in which the flat plate 49 is pulled away from the cured composition 52.

上述したように、実際の基板はパターンの段差のみでなく、基板全面で凹凸をもっているため、その凹凸の影響により、平面プレート49が組成物52と接触するタイミングが異なる。本実施形態では、最初に接触した位置では、接触直後から組成物52の移動が始まるが、その程度に応じて組成物52を多く配置している。また、最後に接触した位置では、組成物の移動の始まりが遅く、周辺から流入する組成物が加わるが、その程度に応じて組成物の量を減らしている。このような対処により、基板全面で均一な厚みの平坦化層を形成することができる。   As described above, since the actual substrate has not only the pattern step but also the unevenness on the entire surface of the substrate, the timing at which the flat plate 49 contacts the composition 52 is different due to the influence of the unevenness. In this embodiment, the movement of the composition 52 starts immediately after the contact at the position where the contact is made first, but a large amount of the composition 52 is arranged according to the degree. In addition, at the last contact position, the start of the movement of the composition is slow and the composition flowing in from the periphery is added, but the amount of the composition is reduced according to the degree. By such measures, a flattened layer having a uniform thickness can be formed on the entire surface of the substrate.

前述の実施形態に係る発明は、本実施形態の平坦化装置についても同様に適用することが可能であり、前述の実施形態と同様の効果が得られる。
(デバイス製造方法)
物品として、例えば、デバイス(半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等)、カラーフィルター、またはハードディスク等の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置を用いてパターンを基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等)に形成する工程を含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。該処理ステップは、該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性および生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。また、実施例1〜実施例2に係るインプリント装置は、単独で実施するだけでなく、実施例1〜実施例2の全ての組合せで実施することができる。
The invention according to the above-described embodiment can be similarly applied to the planarization apparatus of the present embodiment, and the same effect as the above-described embodiment can be obtained.
(Device manufacturing method)
As an article, for example, a manufacturing method of a device (semiconductor device, magnetic storage medium, liquid crystal display element, etc.), a color filter, or a hard disk will be described. Such a manufacturing method includes a step of forming a pattern on a substrate (a wafer, a glass plate, a film-like substrate, etc.) using an imprint apparatus. The manufacturing method further includes a step of processing the substrate on which the pattern is formed. The processing step may include a step of removing a residual film of the pattern. Further, other known steps such as a step of etching the substrate using the pattern as a mask may be included. The method for manufacturing an article in this embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.
As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary. Moreover, the imprint apparatus which concerns on Example 1-Example 2 can be implemented not only by itself but with all the combinations of Example 1-Example 2. FIG.

<物品製造方法に係る実施形態>
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布されたインプリント材に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程(基板にインプリント処理を行う工程)と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、組成物剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
<Embodiment related to article manufacturing method>
The method for manufacturing an article according to an embodiment of the present invention is suitable, for example, for manufacturing an article such as a microdevice such as a semiconductor device or an element having a fine structure. The method of manufacturing an article according to the present embodiment includes a step of forming a pattern on the imprint material applied to the substrate using the above-described imprint apparatus (a step of performing imprint processing on the substrate), and a pattern is formed by such a step. And processing the processed substrate. Further, the manufacturing method includes other well-known steps (oxidation, film formation, vapor deposition, doping, planarization, etching, composition peeling, dicing, bonding, packaging, and the like). The method for manufacturing an article according to the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.

インプリント装置1を用いて成形した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、モールド等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。モールドとしては、インプリント用のモールド等が挙げられる。   The pattern of the cured product formed using the imprint apparatus 1 is used permanently on at least a part of various articles or temporarily used when manufacturing various articles. The article is an electric circuit element, an optical element, a MEMS, a recording element, a sensor, a mold, or the like. Examples of the electric circuit elements include volatile or nonvolatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory, and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. Examples of the mold include an imprint mold.

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、組成物マスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、組成物マスクは除去される。   The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least a part of the article or temporarily used as a composition mask. After etching or ion implantation or the like is performed in the substrate processing step, the composition mask is removed.

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図10(a)に示すように、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコン基板等の基板1zを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。   Next, a specific method for manufacturing an article will be described. As shown in FIG. 10A, a substrate 1z such as a silicon substrate on which a workpiece 2z such as an insulator is formed is prepared. Subsequently, the substrate 1z is formed on the surface of the workpiece 2z by an inkjet method or the like. A printing material 3z is applied. Here, a state is shown in which the imprint material 3z in the form of a plurality of droplets is applied on the substrate.

図10(b)に示すように、インプリント用の型4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図10(c)に示すように、インプリント材3zが付与された基板1zと型4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zは型4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を、型4zを透して照射すると、インプリント材3zは硬化する。   As shown in FIG. 10B, the imprint mold 4z is made to face the imprint material 3z on the substrate with the side on which the concavo-convex pattern is formed facing. As shown in FIG. 10C, the substrate 1z provided with the imprint material 3z is brought into contact with the mold 4z, and pressure is applied. The imprint material 3z is filled in a gap between the mold 4z and the workpiece 2z. In this state, when light is irradiated as energy for curing through the mold 4z, the imprint material 3z is cured.

図10(d)に示すように、インプリント材3zを硬化させた後、型4zと基板1zを引き離すと、基板1z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、モールドの凹部が硬化物の凸部に、モールドの凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zに型4zの凹凸パターンが転写されたことになる。   As shown in FIG. 10D, after the imprint material 3z is cured, when the mold 4z and the substrate 1z are separated, a pattern of a cured product of the imprint material 3z is formed on the substrate 1z. This cured product pattern has a shape in which the concave portion of the mold corresponds to the convex portion of the cured product, and the convex portion of the mold corresponds to the concave portion of the cured product, that is, the concave / convex pattern of the mold 4z is transferred to the imprint material 3z. It will be done.

図10(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。図10(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。   As shown in FIG. 10 (e), when etching is performed using the pattern of the cured product as an etching resistant mask, a portion of the surface of the workpiece 2z where there is no cured product or remains thin is removed, and the grooves 5z and Become. As shown in FIG. 10F, when the pattern of the cured product is removed, an article in which the groove 5z is formed on the surface of the workpiece 2z can be obtained. Although the cured product pattern is removed here, it may be used as, for example, a film for interlayer insulation contained in a semiconductor element or the like, that is, a constituent member of an article without being removed after processing.

(その他の実施形態)
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変更が可能である。
(Other embodiments)
As mentioned above, although embodiment of this invention has been described, this invention is not limited to these embodiment, A various change is possible within the range of the summary.

1 インプリント装置
10 制御部
13 基板ステージ
22 搬入ステーション
23 搬出ステーション
24 搬送ハンド
25 温度調節部
26 位置合わせ部
27 検知部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Imprint apparatus 10 Control part 13 Substrate stage 22 Carry-in station 23 Carry-out station 24 Transport hand 25 Temperature control part 26 Positioning part 27 Detection part

Claims (13)

成形装置内に搬入された基板が複数の保持部によって、保持された後に前記基板上の組成物を成形する成形装置であって、
前記基板の裏面に付着した異物を検知し、検知された前記異物の付着位置に基づき、前記異物が付着した前記保持部を特定する検知部を備えることを特徴とする成形装置。
A molding apparatus that molds the composition on the substrate after the substrate carried into the molding apparatus is held by a plurality of holding units,
A molding apparatus, comprising: a detection unit that detects foreign matter attached to the back surface of the substrate and identifies the holding unit to which the foreign matter is attached based on the detected attachment position of the foreign matter.
前記検知部は、前記付着位置、および、前記複数の保持部のそれぞれが前記基板を保持する際に、前記基板と接触する位置である接触位置情報に基づき、前記特定を行う、ことを特徴とする請求項1に記載の成形装置。   The detection unit performs the identification based on contact position information that is a position in contact with the substrate when the attachment position and each of the plurality of holding units hold the substrate. The molding apparatus according to claim 1. 前記接触位置情報は、前記複数の保持部のそれぞれが前記基板を保持する際に、前記基板と接触する位置の座標であることを特徴とする請求項2に記載の成形装置。   The molding apparatus according to claim 2, wherein the contact position information is coordinates of a position where each of the plurality of holding units comes into contact with the substrate when holding the substrate. 前記検知部は、前記基板上に設けられる基準の位置に基づき、前記特定を行う、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の成形装置。   The molding apparatus according to claim 1, wherein the detection unit performs the identification based on a reference position provided on the substrate. 前記接触位置情報は、前記複数の保持部のそれぞれが前記基板を保持する際に、前記基板と接触しうる領域であることを特徴とする請求項2に記載の成形装置。   The molding apparatus according to claim 2, wherein the contact position information is an area where each of the plurality of holding units can come into contact with the substrate when holding the substrate. 前記検知部の検査結果に基づき、前記基板または前記複数の保持部に対する処理を決定する制御部を備えることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の成形装置。   The molding apparatus according to claim 1, further comprising a control unit that determines processing for the substrate or the plurality of holding units based on an inspection result of the detection unit. 前記制御部は、前記異物の付着量が閾値を超えた場合に、前記保持部に対するクリーニングの実施を決定する、ことを特徴とする請求項6に記載の成形装置。   The molding apparatus according to claim 6, wherein the control unit determines to perform cleaning on the holding unit when an amount of the foreign matter attached exceeds a threshold value. 前記検知部は、
前記基板の裏面を照明する照明部と、
前記基板の裏面に付着した異物によって散乱された前記照明部からの光を受光し、画像を取得する取得部と、
前記取得された画像を処理する画像処理部と、
を備えることを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の成形装置。
The detector is
An illumination unit for illuminating the back surface of the substrate;
An acquisition unit that receives light from the illumination unit scattered by the foreign matter attached to the back surface of the substrate and acquires an image;
An image processing unit for processing the acquired image;
The molding apparatus according to any one of claims 1 to 7, further comprising:
前記照明部は、移動可能である、ことを特徴とする請求項8に記載の成形装置。   The molding apparatus according to claim 8, wherein the illumination unit is movable. 前記検知部は、前記成形装置内に搬入された前記基板毎に、前記異物の検知を行う、ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の成形装置。   The molding apparatus according to claim 1, wherein the detection unit detects the foreign matter for each of the substrates carried into the molding apparatus. 前記検知部は、予め設定されたタイミングで、前記異物の検知を行う、ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の成形装置。   The molding apparatus according to claim 1, wherein the detection unit detects the foreign matter at a preset timing. 成形装置内に搬入された基板が複数の保持部によって、保持された後に前記基板上の組成物を成形する成形方法であって、
前記基板の裏面に付着した異物を検知し、検知された前記異物の位置に基づき、前記異物が付着した前記保持部を特定することを特徴とする成形方法。
A molding method for molding a composition on the substrate after the substrate carried into the molding apparatus is held by a plurality of holding units,
A molding method characterized by detecting foreign matter adhering to the back surface of the substrate and identifying the holding portion to which the foreign matter has adhered based on the detected position of the foreign matter.
請求項1乃至11のいずれか1項に記載の成形装置を用いて基板上の組成物を成形する工程と、
前記工程で組成物が形成された前記基板を処理する工程と、
処理された前記基板から物品を製造する工程と、を含む、
ことを特徴とする物品の製造方法。
Forming the composition on the substrate using the molding apparatus according to any one of claims 1 to 11,
Treating the substrate on which the composition has been formed in the step;
Producing an article from the treated substrate.
A method for manufacturing an article.
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