JP5611399B2 - Processing equipment - Google Patents

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JP5611399B2
JP5611399B2 JP2013062581A JP2013062581A JP5611399B2 JP 5611399 B2 JP5611399 B2 JP 5611399B2 JP 2013062581 A JP2013062581 A JP 2013062581A JP 2013062581 A JP2013062581 A JP 2013062581A JP 5611399 B2 JP5611399 B2 JP 5611399B2
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太輔 伊佐野
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Description

本発明は、一般には、加工装置に係り、特に、原版となるモールドのパターンをウエハ等の基板へ転写する加工装置に関する。 The present invention generally relates to a processing apparatus, particularly to a processing apparatus for transferring a mold pattern made of an original to a substrate such as a wafer. 本発明は、特に、ナノインプリント技術を利用する加工装置に好適である。 The present invention is especially suitable for machining device that utilizes nano-imprint technology.

紫外線やX線、あるいは、電子ビームによるフォトリソグラフィーを用いた半導体デバイスへの微細パターンの形成方法に代わる技術としてナノインプリントがある。 UV, X-ray, or there is a nanoimprint as a technology alternative to the fine pattern forming method of the semiconductor device using photolithography by electron beam. ナノインプリントとは、電子ビーム露光等によって、微細なパターンを形成した雛型(モールド)を、レジストを塗布したウエハ等の基板に押し付ける(押印する)ことによって、レジスト上にパターンを転写するものである(例えば、非特許文献1参照)。 The nanoimprint, by electron beam exposure or the like, forming a fine pattern was template (the mold), a resist is pressed against the substrate, such as a coated wafer by (imprinting), is to transfer the pattern on the resist (e.g., see non-Patent Document 1). 既に10nm程度の微細な形状の転写が可能であることが示されており、特に、磁気記録媒体の微細な周期構造の作成手段として注目されており、各地で盛んに研究開発が行われている。 Already been shown to be capable of transferring the order 10nm fine shape, in particular, has attracted attention as creating means of the fine periodic structure of the magnetic recording medium, it is actively research and development in various areas have been made .

ナノインプリントは、モールドと基板との間に気泡が入り込まないように、環境を真空にする場合もある。 Nanoimprint, as does not enter air bubbles between the mold and the substrate, there is a case where the environment in a vacuum. 押印時のレジストの流動が容易になるように、レジストとして使用されるポリマーガラス転移温度以上に加熱して転写する方法(熱サイクル法)が提案されている。 As resist flow is facilitated at the time of stamping, a method of transferring by heating to above the polymer glass transition temperature is used as a resist (heat cycle method) has been proposed. また、紫外線硬化型の樹脂をレジストとして使用し、透明なモールドで押印した状態で感光、硬化させてからモールドを剥離する方法(光硬化法)なども提案されている。 Further, by using the resin of ultraviolet curable type as a resist, it is photosensitive while stamping a transparent mold, also a method of separating the mold from the cured (photo-curing method) proposed.

半導体集積回路の作成には、基板に既に描画されている回路パターン上に、高精度に位置合わせして次のパターンを転写する重ね合わせが必須である。 The creation of a semiconductor integrated circuit, on a circuit pattern that has already been drawn on the substrate, it is essential superposition of transferring a next pattern is aligned with high precision. 熱サイクル法ではレジストを加熱するために、基板とモールドは温度上昇によって熱膨張してしまい、重ね合わせ精度を維持することは非常に困難である。 To heat the resist by heat cycle method, the substrate and the mold will be thermally expanded due to temperature rise, it is very difficult to maintain the overlay accuracy. そこで、ナノインプリントを半導体集積回路製造に適用する場合は、温度制御が比較的容易な光硬化法が適している。 Therefore, when applying the nanoimprinting to a semiconductor integrated circuit fabrication, the temperature control is relatively easy photo-curing method is suitable.

半導体集積回路パターンは最小線幅が100nm以下であり、モールドの微細な構造に確実にレジストが入り込むためには低粘度のレジスト材を使用する必要がある。 The semiconductor integrated circuit pattern is the minimum line width of 100nm or less, in order to ensure that the resist enters the fine structure of the mold it is necessary to use a resist material having a low viscosity. また、ナノインプリント装置は、通常、ステップアンドリピート方式でウエハ面に逐次パターンを転写する。 Further, nanoimprint apparatus normally, to transfer the sequential pattern on a wafer surface in a step-and-repeat method. ここで、「ステップアンドリピート方式」は、ウエハのショットの一括転写ごとにウエハをステップ移動して、次のショットの転写領域に移動する方法である。 Here, "step-and-repeat manner" is, a wafer is moved step for each batch transfer of shots of the wafer, a method of moving the transfer area for the next shot. この際、レジストの粘度が低いことから露光装置のように基板にレジストを予め塗布して搬送、装着することは困難である。 At this time, pre-applied to transport the resist to a substrate as an exposure device since the viscosity of the resist is low, it is difficult to mount. このため、各ショットへの転写時に、モールドを押印する毎に適量を滴下する方法が提案されている(非特許文献2)。 Therefore, at the time of transfer of each shot, a method of dropping an appropriate amount each time imprinting a mold has been proposed (Non-Patent Document 2).

特開2005−286061号公報 JP 2005-286061 JP

従来の「ステップアンドリピート方式」によるナノインプリントでは、転写領域への移動、レジストの滴下、モールド押印によるレジストへの転写、レジスト硬化、モールド剥離、という一連の工程のための時間が必要である。 The nanoimprint according to the conventional "step-and-repeat manner", move to the transfer region, dropping of the resist, transferring the resist by mold stamping, resist hardening, mold releasability, it takes time for the series of steps called. このため、時間当りの基板処理能力を表すスループットを高めることに限界があった。 Therefore, there is a limit in increasing the throughput which represents the substrate throughput per time.

そこで、本発明の目的は、より高いスループットを得ることが可能な加工装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide a machining apparatus capable of obtaining a higher throughput.

本発明は、凹凸パターンが形成されたモールドにレジストを塗布し、基板と前記レジストとを接触させ、前記レジストを硬化することによって前記パターンの転写されたレジストを基板に転写する加工装置であって、第1モールドヘッドと、第2モールドヘッドと The present invention, a resist is applied to the mold uneven pattern is formed is brought into contact with the resist and substrate, the transferred resist of the pattern A processing apparatus for transferring the substrate by curing the resist a first mold head, a second mold head,
前記基板を保持して移動する基板駆動部と、を有し、前記第1モールドヘッドが保持するモールドにレジストを塗布する処理を含む準備工程と前記第2モールドヘッドが保持するモールドに塗布されたレジストを基板に転写する転写工程とを並列して処理を行い、前記基板の直径をWとしたときに、前記第1および第2のモールドヘッドの間隔Lは、L<Wであることを特徴とする。 Anda substrate driving unit that moves while holding the substrate, wherein the preparation step and the second mold head including a process of first mold head for applying a resist to a mold for holding is applied to the mold to hold resist had lines parallel to process a transfer step of transferring the substrate, the diameter of the substrate is W, said distance L of the first and second mold head is L <W and features.

本発明によれば、より高いスループットを得ることが可能な加工装置を提供することが可能になる。 According to the present invention, it is possible to provide a processing apparatus capable of obtaining a higher throughput.

本発明の第1参考例としての加工装置の概略断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of a processing apparatus as a first reference example of the present invention. 図1に示す加工装置のモールド部の拡大断面図である。 It is an enlarged sectional view of the mold portion of the processing apparatus shown in FIG. 本発明の第2参考例としての加工装置に適用可能なモールド部の拡大断面図である。 It is an enlarged sectional view of applicable mold section to the processing device as a second reference example of the present invention. 本発明の第3参考例としての加工装置に適用可能なモールド部の拡大断面図である。 It is an enlarged sectional view of applicable mold section to the processing device as a third reference example of the present invention. 本発明の第1実施例としてのモールドヘッドを複数具備した加工装置の要部断面図である。 The mold head as a first embodiment of the present invention is a fragmentary cross-sectional view of a plurality including the processing device. 本発明の第2実施例としてのモールドヘッドを複数具備した別の加工装置の腰部断面図である。 A waist cross-sectional view of another processing apparatus the mold head has a plurality provision of a second embodiment of the present invention. 本発明のモールドヘッドとウエハの領域の関係を表す図である。 It is a graph showing a relationship between the mold head and the wafer area of ​​the present invention. 上述の加工装置を使用してデバイス(ICヤLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造方法を説明するためのフローチャートである。 Device using the above-described processing device is a flowchart for explaining a manufacturing method of the (semiconductor chips such as IC Ya LSI, LCD, CCD, etc.). 図8に示すステップ4の詳細なフローチャートである。 It is a detailed flowchart of step 4 shown in FIG.

モールドヘッドを複数有し、片方が転写工程中に他方でレジストの塗布工程をおこなうことにより並列処理が可能となりスループットの向上を実現するものである。 A plurality of mold head, in which one to realize improvement of throughput becomes possible parallel processing by performing the other hand resist coating step in the transfer process.

以下に実施例とともに詳述する。 Detail with examples below.

(参考例1) (Reference Example 1)
添付図面を参照して、加工装置としての光硬化法のナノインプリント装置について説明する。 With reference to the accompanying drawings, a description will be given nanoimprint apparatus of photo-curing method as a processing device. なお、各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。 In the drawings, the same members are denoted by the same reference numerals and the descriptions thereof will be omitted.

従来はウエハ等の基板にレジストを塗布し、その後、微細なパターンを形成した雛型(モールド)を基板に押し付ける(押印する)場合、基板にモールドを押し付ける力によって微細なパターン(凹凸)の隅々までレジストを行き渡らせる必要があった。 Conventionally resist is applied onto a substrate such as a wafer, then, the corners of the template forming a fine pattern (mold) the pressed against the substrate (imprinting), the fine pattern by the force pressing the mold on the substrate (irregularities) there was a need to spread the resist to people. そのため、パターンの転写に時間が必要であった。 Therefore, it was necessary time to transfer the pattern.

特許文献1には、パターンを上に向けたモールド上にレジストを塗布した後、被加工面を下向きに保持した基板面に押し付け、転写を行う構成が開示されている。 Patent Document 1, after a resist is applied to the mold for the top pattern, pressed against the substrate surface held down to the work surface, arrangement is disclosed for performing transfer. しかし、単にモールド上に塗布しただけではレジストは微細な凹凸に侵入しにくく、パターンの転写には従来と同様に基板に押し付ける力が必要であった。 However, merely coated on a mold resist is less likely to penetrate the fine irregularities, the transfer of the pattern was required force for pressing the substrate as in the prior art.

本参考例は、モールドにレジストを塗布した後、基板に押し付ける前に、パターンの凹凸にレジストを侵入させ、押印に要する時間を短縮するようにしたものである。 This reference example, a resist is applied to the mold, before pressing the substrate, the resist was entering the uneven pattern is obtained so as to shorten the time required for the stamping.

図1は、参考例1のナノインプリント装置10の概略断面図である。 Figure 1 is a schematic cross-sectional view of a nanoimprint device 10 of Example 1.

ナノインプリント装置10は、光硬化手段と、モールド11と、モールド駆動部と、ウエハ21と、ウエハ駆動部と、レジスト供給手段と、レジスト回収手段と、その他の機構とを有する。 Nanoimprint apparatus 10 includes a light-curing unit, the mold 11, a mold driver, the wafer 21, the wafer drive unit, and a resist supply unit, and the resist collecting means, and other mechanisms.

光硬化手段は、モールド11を介してレジスト42に紫外線を照射してレジストを硬化する手段であり、光源15と、照明光学系14とを有する。 Light curing means is a means for curing the resist by irradiating ultraviolet rays to the resist 42 through the mold 11, and includes a light source 15, an illumination optical system 14. 光源15は、UV光を発生するハロゲンランプ(不図示)などからなる。 Light source 15 is composed of a halogen lamp (not shown) for generating the UV light. 照明光学系14は、レジストを露光し、硬化させるための照明光を整えてレジスト面に照射するためのレンズ、アパーチャ、照射か遮光かを切り替えるためのシャッタなどを含む。 The illumination optical system 14 includes exposing the resist, a lens for irradiating the resist surface trimmed illumination light for curing, the aperture, etc. shutter for switching between the radiation or light.

モールド11は、転写すべき微細構造が形成されており、レジストを硬化するための露光光を透過するため、透明な部材で作られている。 Mold 11, the microstructure to be transferred is formed, for transmitting the exposure light for curing the resist, it is made of transparent material.

モールド駆動部は、モールド11を装置10に保持するためのモールドヘッド12と、モールド11を上方向に押し付ける駆動部としてのインプリント機構部13とを含む。 Mold driver includes a mold head 12 for holding the mold 11 to the apparatus 10, the imprint mechanism 13 as a drive unit for pressing the mold 11 upward. インプリント機構部13は、上下動作をさせるだけでなくモールド転写面とウエハ21とが密着するように姿勢のかわし機構や姿勢制御、回転方法の位置合わせ機能も有する。 Imprint mechanism 13 includes upper and lower mechanism and attitude control pulled posture as the mold transfer surface and the wafer 21 are brought into close contact not only to the operation, even the alignment function of the rotation process.

ウエハ21は、モールド11に形成されているパターンが転写され、後の工程を経て半導体集積回路が形成される対象であり、従来の半導体プロセスに用いられているものと同様である。 Wafer 21, the pattern formed on the mold 11 is transferred, a subject in which the semiconductor integrated circuit is formed through the subsequent process is similar to that used in conventional semiconductor processes.

ウエハ駆動部は、ウエハ21を保持するウエハチャック22と、ウエハチャック22の位置、姿勢調整するためのウエハステージ23とを含む。 Wafer drive unit includes a wafer chuck 22 for holding the wafer 21, the position of the wafer chuck 22, and a wafer stage 23 for posture adjustment. ウエハステージ23は、x、y平面方向に移動可能であり、ウエハ全面を転写可能としている。 Wafer stage 23, x, is movable in the y plane direction, thereby enabling transfer of the entire wafer surface. ウエハステージ23は、高精密な位置決めも可能であり、微細なパターンの重ね合せを達成している。 Wafer stage 23 is also possible high precision positioning is achieved superposition of fine patterns. また、ウエハステージ23は、位置決めだけではなく、ウエハ21の表面の姿勢を調整する手段も有しており、ウエハ21の表面の姿勢を調整する役割を有する。 The wafer stage 23 is not only positioned, also has means for adjusting the orientation of the surface of the wafer 21 has a role of adjusting the orientation of the surface of the wafer 21.

レジスト供給手段は、紫外線照射前、つまり硬化前のレジスト42を保持するタンク31と、ウエハ面にレジストを滴下するためのノズル32と、ノズル32からレジスト42を滴下するか停止するかを切り替えるバルブ(不図示)を含む。 Resist supply unit switches before the ultraviolet irradiation, i.e. a tank 31 for holding a resist 42 before curing, and a nozzle 32 for dropping a resist on the wafer surface, or to stop or dropping a resist 42 from the nozzle 32 valve including the (not shown).

レジスト回収手段は、回収口33と回収機構(不図示)とを含む。 Resist collecting means comprises a collection port 33 recovery mechanism and (not shown). 回収口33は、モールドヘッド12の表面に設置され、モールドからこぼれ落ちたレジスト42を吸引回収する。 Recovery port 33 is disposed on the surface of the mold head 12 is sucked and recovered resist 42 spilled from the mold. 回収機構は、真空ポンプ、フィルタなど(いずれも不図示)から構成され、回収口下流を負圧状態にすることでレジストを回収する。 Recovery mechanism is composed of a vacuum pump, filters, etc. (all not shown), to collect the resist by the recovery port downstream negative pressure.

その他の機構は、定盤51、除振器25、フレーム52、アライメントスコープ27、基準マーク台28を含む。 Other mechanisms include surface plate 51, the vibration isolation device 25, a frame 52, alignment scope 27, the reference mark table 28. 定盤51は、装置10全体を支え、除振器25は、床からの振動を除去する機能を有し、定盤51を支える。 Platen 51 supports the entire apparatus 10, the vibration isolation device 25 has a function of removing vibration from the floor, support plate 51. フレーム52は、ウエハステージ23の移動の基準平面を形成する。 Frame 52 forms a reference plane of movement of the wafer stage 23. 定盤51は、モールド11より下方に位置する構成部分の光源15までを支える。 Platen 51 supports to the light source 15 of the structure portion located below the mold 11. アライメントスコープ27は、ウエハ21上のアライメントマーク位置を計測し、その結果に基づいてウエハステージ23の位置決めを行う。 Alignment scope 27, an alignment mark position on the wafer 21 is measured, to position the wafer stage 23 based on the result. 基準マーク台28は、基準マークを有し、アライメントスコープ27の座標と、ウエハステージ23の座標との位置合わせに使用される。 Reference mark table 28 has a reference mark, are used for alignment of the coordinates of the alignment scope 27, the coordinate of the wafer stage 23.

動作において、転写に供されるウエハ21は、不図示のウエハ搬送系によってウエハチャック22に載置される。 In operation, the wafer 21 to be subjected to transfer is placed on the wafer chuck 22 by the wafer transfer system (not shown). ウエハチャック22は真空吸着手段によってウエハ21を保持する。 Wafer chuck 22 holds the wafer 21 by vacuum suction means. ウエハステージ23によって、ウエハ面上のアライメントマークを順にアライメントスコープ27によって計測を行い、ウエハの位置を高精度に計測を行う。 The wafer stage 23 performs sequentially measured by the alignment scope 27 and alignment marks on the wafer surface, to measure the position of the wafer with high precision. その計測結果から各転写座標を演算する。 It calculates the respective transfer coordinates from the measurement result. その結果に基づいて逐次転写(ステップアンドリピート)を行う。 Performing sequentially transferred (step and repeat) based on the results. 全ての転写が完了したら、ウエハが搬出され、次の転写ウエハが搬入される。 When all of the transfer is complete, the wafer is carried out, following the transfer wafer is loaded.

図2(a)は参考例1を説明するため図1のモールドとノズル部分を拡大したものである。 2 (a) is an enlarged view of the mold and the nozzle portion of Figure 1 for illustrating a reference example 1.

ノズル32はノズル駆動部36によりモールド上を走査しながら適量のレジスト42をモールド11上に滴下する。 Nozzle 32 dropping a suitable amount of the resist 42 on the mold 11 while scanning the mold by the nozzle driving unit 36. モールドヘッド12は加振機54を有しており、水平および/または垂直の超音波振動をモールド11に加える。 Mold head 12 has a vibrator 54, applying ultrasonic vibrations in the horizontal and / or vertical to the mold 11. その振動により微小凹凸の中にレジスト42が侵入する。 The vibration resist 42 enters into the fine irregularities by. その後、ウエハステージ23がウエハ21を転写位置に移動し、位置決めを行う。 Thereafter, the wafer stage 23 moves the wafer 21 in the transfer position, for positioning. 位置決め完了後に、インプリント機構部13がモールド11を上昇させ、モールド11をウエハ21に押し付ける。 After completion of positioning, the imprint mechanism 13 so that raising the mold 11, pressed against the mold 11 to the wafer 21. 押し付け完了の判断は、インプリント機構部13の内部に設置された荷重センサによって行っている。 Pressing completion determination is performed by a load sensor placed inside the imprint mechanism 13. 加振によりレジスト42は微小凹凸に侵入しているので、全面が接触し所定の厚みになった直後に、照明光を照射し、レジスト42を硬化させる。 Since the resist 42 is penetrated into the minute uneven by excitation, immediately after the entire surface becomes a predetermined thickness in contact, illumination light is irradiated to cure the resist 42. レジスト硬化が終了した後、モールド11を引き下げる。 After the resist cured has ended, pulling the mold 11. そして、次の転写位置(ショット)へウエハステージ23を移動する。 Then, move the wafer stage 23 to the next transfer position (shot).

モールド11のパターン凹部へのレジスト侵入をさらに加速するために、モールド11の表面の凹凸パターンは微小な空洞を多数有するポーラス層に形成されていてもよい。 To resist penetration further acceleration to the pattern recesses of the mold 11, the uneven pattern of the surface of the mold 11 may be formed on the porous layer having many fine voids. その一形態として図2(b)に示すように、モールド11をモールド基板61と微小凹凸パターンの形成されたポーラス層(多孔質層)60の2層で構成してもよい。 As shown in FIG. 2 (b) as one form, it may be composed of two layers of the mold 11 the mold board 61 and a porous layer formed of a fine uneven pattern (porous layer) 60. 凹凸パターン部をポーラス材料で構成することにより、空気が凹部に閉じ込められたとしても多孔質層に空気が吸収されるためレジストが短時間に凹部に侵入しやすくなる。 By configuring the irregularity pattern section of a porous material, comprising a resist tends to penetrate into the recess in a short time since the air air is absorbed in the porous layer even when trapped in the recess. ポーラス層としては、たとえばポーラスシリカ材料などの透明材料を使用することができる。 The porous layer can be used, for example a transparent material such as porous silica material. ポーラスシリカ層は、シリカ原料とポリスチレン粒子などの高分子材料を分散した混合液を基板上に数ミクロンないし数100ミクロンの厚さでコーティングし、熱を加えて高分子材料を除くことにより形成する方法などが知られており適用可能である。 Porous silica layer solution mixture prepared by dispersing a polymeric material such as silica raw material and polystyrene particles were coated to a thickness of several microns to several hundred microns on a substrate, applying heat to form by removing polymeric material the method can be applied are known, such as. このようにしてモールド基板61の上に数ナノメートル〜10数ナノメートルの空洞が規則的あるいは不規則に配列されたポーラス層60を得ることができる。 Such cavities of a few nanometers to 10 several nanometers on the mold substrate 61 can be obtained a porous layer 60 which are regularly or irregularly arranged in the. 数ナノメートル〜10数ナノメートルという空洞のサイズはレジスト界面の表面張力でレジストがポーラス層内部に侵入しないための大きさである。 The size of the cavity of a few nanometers to 10 several nanometers is the magnitude of the resist in the surface tension of the resist surface does not enter inside the porous layer.

別の実施形態として、図2(c)に示すようにモールド11全体をポーラス材料で形成してもよい。 As another embodiment, the mold 11 may be entirely formed of a porous material as shown in Figure 2 (c). そしてモールド背面(凹凸パターンの形成されていない面)に面する空間62を不図示の圧力可変手段により減圧することによってポーラス材料の微小空洞内が減圧され、レジストには凹部へ引き込まれる力が加えられる。 Then the microcavities of the porous material is reduced by the space 62 facing the mold back surface (surface not formed with the uneven pattern) is reduced in pressure by the pressure varying means (not shown), in addition the force drawn into the recess to resist It is. レジストを滴下する側の空間とモールド背面側の空間62の気圧差は、レジストの凹部への侵入が促進されるがポーラス材料の微小空洞には入り込まないような条件とすればよい。 Pressure difference between the space and the mold back side of the space 62 on the side of dropping a resist is entering the recesses of the resist is promoted may be the condition that does not enter the microcavities of the porous material.

なお、レジスト硬化後にモールド11をレジストから剥離する際には、モールド背面(凹凸パターンの形成されていない面)に面する空間62を、先ほどとは逆に高圧にする。 Incidentally, upon the release of the mold 11 after cured resist from the resist, a space 62 that faces the mold back surface (surface not formed with the uneven pattern), and the previous to the high-pressure reversed. それにより、モールドの凹部から硬化したレジストが押し出されるため、きれいに短時間に剥離をおこなうことができる。 Thereby, since the hardened resist from the recess of the mold is pushed out, can be performed cleanly short time separation. 短時間に剥離を行うと硬化したレジストの一部がモールド凹部に残ってしまい、レジストパターンの欠陥を生ずることがある。 Short time a part of the cured resist to perform the separation will remain on the mold recesses, which may result in defects in the resist pattern. しかし、本方法によればモールド背面側からの気圧によってレジストが自然に押し出されるため、短時間に剥離をおこなっても欠陥を生じにくい。 However, according to this method by pressure from the mold back side the resist is extruded naturally less likely to occur defects be performed flaking in a short time.

以上説明したように、ポーラス層の効果は気泡をモールド内部に吸収することであるため、図2のようにモールドに直接レジストを滴下する場合のみならず、基板にレジストを塗布した後モールドを押印する場合にも、押印時間を短縮することができる。 As described above, because the effect of the porous layer is to absorb the air bubbles inside the mold, not only dropping a resist directly in a mold as shown in FIG. 2, seal the mold after a resist is applied to the substrate If it also, it is possible to shorten the seal time.

(参考例2) (Reference Example 2)
図3を参照して第2参考例を説明する。 Referring to FIG. 3 illustrating a second embodiment.

図3に示すノズル32はインクジェットと同様の原理によりピエゾ等のアクチュエーター(不図示)によってタンク31のレジスト42を微小液滴としてモールド11上に滴下する。 Nozzle 32 shown in FIG. 3 is dropped onto the mold 11 the resist 42 of the tank 31 by an actuator (not shown) of the piezo or the like by the same principle as the ink jet as fine droplets. ノズル32は紙面に垂直方向に並んでおりレジスト42を線状に滴下しながらモールド11上を走査する。 Nozzle 32 scans the top mold 11 while dropping the resist 42 are arranged in the direction perpendicular to the sheet plane linearly. ノズル32がモールド11上を走査しレジスト42を滴下した後、ブレード55がその表面をなぞって走査する。 After the nozzle 32 has dropped resist 42 scans the mold 11, the blade 55 is scanned by tracing the surface. ブレード55により表面が平らに均されると同時に凹部にレジストを押し込む作用をする。 Surface acts to push the resist recess simultaneously made uniform flat by the blade 55. ノズル32とブレード55の走査によりレジスト42の塗布と凹凸部への侵入が促進すると同時に表面が平滑化される。 At the same time the surface when entering the coating and uneven portions of the resist 42 by the scanning of the nozzle 32 and the blade 55 is accelerated are smoothed. その後、ウエハステージ23の転写位置への移動と位置決めの完了後に、インプリント機構部13がモールド11を上昇させ、モールド11をウエハ21に押し付ける。 Then, after completion of the movement and positioning of the transfer position of the wafer stage 23, imprint mechanism 13 raises the mold 11, pressed against the mold 11 to the wafer 21.

レジスト表面は平滑化されているため、短時間に全面が接触し所定の厚みになった直後に、光源15からの照明光を照射し、レジスト42を硬化させることができる。 Since the resist surface is smoothed, immediately after the entire surface becomes a predetermined thickness in contact with the short time, irradiated with illumination light from the light source 15, it is possible to cure the resist 42.

(参考例3) (Reference Example 3)
図4を参照して第3参考例を説明する。 Referring to FIG. 4 illustrating a third embodiment.

図2、図3と同様に図4においてもノズル32の走査により、モールド11上にレジスト42が滴下される。 2, the scanning of the nozzle 32 in the same manner as FIG. 4 and FIG. 3, a resist 42 is dropped on mold 11. 滴下後、送風管56を通してガスが矢印57で示したようにレジスト42の表面に吹き付けられる。 After the dropwise addition, the gas through the blower tube 56 is sprayed on the surface of the resist 42 as indicated by arrows 57. 送風管56は紙面に並行に並んでおり、モールド11の幅全体に吹き付けるようになっている。 Blower tube 56 are aligned in parallel to the paper surface, so that the blown onto the entire width of the mold 11. この風圧によってレジスト42は微小凹凸の内部に侵入する。 Resist 42 by the wind pressure entering the interior of the fine irregularities. その後、送風管56はモールド11の上部から退避し、第2参考例と同様の動作でインプリントを行う。 Thereafter, air blowing tube 56 is retracted from the top of the mold 11, and an imprint in the same operation as the second embodiment.

送風管56は紙面に垂直な線状の吹出しをもつものでもよい。 Blower tube 56 may be one having a balloon of vertical linear on paper. その場合は紙面内にスキャンをおこないモールド11の面全体にガスを吹き付けるようにする。 If this is to blow gas across the surface of the mold 11 scans in the plane of the paper.

ガスは大気でもよいが、二酸化炭素またはヘリウム混合ガスなどのレジストに可溶解なガスを使用することで、レジスト42より先にガスがモールド11の凹部に侵入しても気泡として残らないようにする効果がある。 Gas may be air, but by using a soluble dissolved gas in the resist such as carbon dioxide, or helium mixed gas, gas ahead of the resist 42 is so not remain as bubbles invade in the recess of the mold 11 effective.

また、ガスフロー57をレジスト42の滴下より前に使用することにより、モールド11表面に付着した残留レジストや異物を吹き飛ばして除去することもできる。 Further, by using the prior instillation of the gas flow 57 resist 42 can be removed by blowing off residual resist or foreign matter adhering to the mold 11 surface.

図4では、モールドヘッド12に温度調整器48を配し、温度制御器49で温度制御をおこなうことにより、モールドの大きさを膨張あるいは収縮により制御するようになっている。 In Figure 4, it arranged temperature regulator 48 to the mold head 12, by controlling the temperature in a temperature controller 49, so as to control the expansion or contraction of the size of the mold.

標準のモールドサイズより倍率を大きくしたい場合には、温度制御器49で温度調整器48を加熱することによりモールド11を膨張させ、所定の倍率に変形させた後、転写することができる。 If you want to increase the magnification than the standard mold size of the mold 11 is expanded by heating the temperature controller 48 at a temperature controller 49, after being deformed to a predetermined magnification can be transferred. 次の転写までの清掃・レジスト滴下の時間に次のショットサイズに倍率をあわせるための温度変更をおこなって温度を安定化させることができる。 It is possible to stabilize the temperature by performing temperature changes for adjusting the magnification cleaning resist dripping of time until the next transfer to the next shot size. 1つのモールドヘッドでは温度安定化のための時間が必要でスループットが低下するが、次に示す実施例のように複数のモールドヘッドを使用することで、スループットを低下することなく温度安定化の時間を確保することが可能となる。 Although one time requires a throughput for temperature stabilization in the mold head is lowered, the use of multiple mold heads as following embodiment, the time of temperature stabilization without decreasing the throughput it is possible to secure.

(実施例1) (Example 1)
図5を参照して第1実施例を説明する。 Referring to FIG 5 illustrating the first embodiment.

図5は今まで説明してきたモールドヘッドを複数(図では2つの場合を示す。左側を第1モールドヘッド、右側を第2モールドヘッドとする。)具備した加工装置を示している。 5 (in the figure to the. Left shows the case of the two first mold head, the right side second mold head.) A plurality of mold head has been described up to now shows a machining apparatus provided.

図5では2つのモールドヘッドとその上部で被加工面を下向きに支持されたウエハ21、ウエハを裏面から真空吸着して保持するウエハチャック22、ウエハを位置決めするウエハステージ23を取り出して示している。 5 In two mold head and the wafer 21 is supported to be processed surface downwardly at its upper portion, a wafer chuck 22 for holding by vacuum suction of the wafer from the back surface, it is shown out the wafer stage 23 that positions the wafer . 位置決めのためのアライメントスコープや全体を保持する定盤、除振器は図1と同様であるため省略している。 Alignment scope and the platen which holds the whole for positioning, dividing oscillator is omitted because it is similar to FIG.

左側の第1モールドヘッドはウエハ面から降下した位置で第1ノズル32によりレジスト42を滴下した状態である。 The first mold head on the left is in a state of dropped resist 42 by the first nozzle 32 at a position lowered from the wafer surface. 不図示であるが、図2のような加振機または図3のブレード、または図4のようなガスフローなどの手段を使用して、レジスト42をモールド11の凹凸パターンに侵入させれば時間を短縮する効果がある。 Although not shown, shakers or 3 blades, such as in Figure 2 or using a means such as a gas flow as in FIG. 4, a resist 42 time when caused to penetrate into the concavo-convex pattern of the mold 11, there is an effect of shortening the.

レジスト42の滴下は大気中でおこなってもよいが、以下に述べるように減圧下でおこなってもよい。 Dropping of the resist 42 may be carried out in air, but may be performed under reduced pressure as described below. 容器58はモールドヘッド12の部分をカバーする容器であり、モールドが降下した状態で、上部に蓋59をスライドさせ内部を密閉する。 Container 58 is a container covering the portion of the mold head 12, in a state where the mold drops to seal the internal slide the lid 59 at the top. そして不図示の真空配管により、容器58の内部を減圧とすることができる。 Then the vacuum line (not shown), the interior of the container 58 may be reduced pressure.

動作について以下に説明する。 It will be described below behavior.

ウエハ21への1ショットのインプリントが終了して第1モールドヘッドが容器58内に降下すると、容器58の上部に蓋59をスライドさせ、容器58内を密閉する。 When one shot imprint of the wafer 21 is first molded head ends falls into the container 58, slide the lid 59 to the top of the container 58 to seal the container 58. 不図示の真空配管により容器58の内部を減圧した後に第1ノズル32からレジスト42を滴下しながらモールド11の面を走査する。 Dropwise resist 42 from the first nozzle 32 after depressurizing the interior of the container 58 by a vacuum pipe (not shown) to scan the surface of the mold 11. 図5ではノズル駆動部36を容器58の外部に記してあるが、ノズル駆動部36を容器58内に置くことも可能である。 Figure 5 the nozzle driving unit 36 ​​are noted in the outside of the container 58, but it is also possible to place the nozzle driving unit 36 ​​in the container 58. 容器58の内部を真空にする必要はなく、容器外部の大気圧にくらべ80%以下の減圧とすることで効果が得られる。 Need not be the interior of the container 58 in a vacuum, effects can be obtained by the 80% or less of vacuum than the atmospheric pressure outside the container. 真空度を上げすぎると内部温度が変化してしまい安定までの時間が必要になり、またレジストの揮発により物性が変化するなどの影響が生じてしまう。 If too high a degree of vacuum becomes internal temperature takes time until a stable end up with different, also occurs the influence of the physical properties are changed by the volatilization of the resist.

レジストを滴下する環境を減圧状態とすることで、モールドパターンの凹部に空気の泡が残留することを防ぐことができ、滴下したレジストが凹部に侵入しやすくなる効果がある。 The environment of dropping a resist by a reduced pressure, the recess of the mold pattern can prevent air bubbles from remaining, the effect of the dropped resist is likely to penetrate into the recess.

モールドの必要部分にレジストが滴下された後、図2のような加振機または図3のブレード、または図4のようなガスフローなどの手段を使用して、レジストを凹凸パターンにさらに侵入させる。 After the resist is dropped on the necessary portion of the mold, using a means such as gas flows, such as shakers or 3 blades such as in FIG. 2 or FIG. 4, to further penetrate into the concavo-convex pattern of the resist . 蓋59にガスの吹出し口を一体に設ければ、密閉の完了と同時にガスの吹出しの準備を完了することができる。 By providing the outlet of the gas together with the lid 59, it may be simultaneously ready for blowing the gas and completion of sealing.

その後、上部の蓋59を取り去るとレジスト表面に大気圧がかかり、パターン凹部に気泡が残留していたとしても、大気圧により押し出される効果がある。 Then, it takes the atmospheric pressure to remove the resist surface top of the lid 59, even bubbles pattern depression was left, it has the effect of being pushed by the atmospheric pressure. モールド11の凹凸パターン面を図2のようなポーラス層としておくと、レジスト表面に大気圧がかかることにより、パターン凹部に閉じ込められた気泡はポーラス層の微細な空隙に吸収される。 When the uneven pattern surface of the mold 11 leave the porous layer as shown in FIG. 2, by the atmospheric pressure exerted on the resist surface, air bubbles trapped in the pattern depression is absorbed into fine pores of the porous layer.

次にインプリント機構部13でモールド11を上昇させる。 Then raising the mold 11 by imprinting mechanism 13. その前にウエハステージ23の転写位置への移動は行われていて、位置決めの完了後に、インプリント機構部13でモールド11をさらに上昇させ、モールド11をウエハ21に押し付ける。 Before that the movement of the transfer position of the wafer stage 23 have been carried out, after completion of the positioning, further increases the mold 11 by imprinting mechanism 13 presses the mold 11 to the wafer 21.

レジストの全面が基板に接触し所定の厚みになった直後に照明光を照射してレジスト42を硬化させる。 Resist entire surface to harden the resist 42 is irradiated with illumination light immediately became a predetermined thickness in contact with the substrate. すでに凹部へのレジストの侵入が促進されているため、短時間の接触でレジストを硬化させることが可能である。 Since it has already been promoted resist intrusion into the recess, it is possible to cure the resist in a short time of contact.

硬化終了後、インプリント機構部13でモールドヘッド12を降下させると、硬化したレジストはウエハ表面に残り、照明光が照射されずに硬化しなかった周囲の残留レジストとともにモールドヘッド12は容器58内に戻る。 After completion of curing, the lowering of the mold head 12 by imprinting mechanism 13, the hardened resist remaining on the wafer surface, the mold head 12 with the residual resist ambient illumination light is not cured without being irradiated in the container 58 Back to.

モールド表面の周囲に残った未硬化レジストや異物は、ガスフローなどを使用して清掃される。 Uncured resist or foreign matter remaining on the periphery of the mold surface is cleaned using such gas flow. また、モールドヘッドの外周部に残留した余分な未硬化レジストは回収機構により回収口から回収配管を通じて回収される。 Also, excess uncured resist remaining on the outer peripheral portion of the mold head is recovered through the recovery pipe from the recovery port by the recovery mechanism.

その後、再び容器58を減圧しレジストの滴下が開始される。 Then starts decompression dropped resist the container 58 again.

図5の左側の第1モールドヘッドが清掃・レジスト滴下中は、右側の第2モールドヘッドが上昇してウエハ面へのレジスト転写を行う。 The first mold head during cleaning and resist dropping on the left side of FIG. 5, the resist transfer to the wafer surface right side of the second mold head rises. 第2モールドヘッドが下降して清掃・レジスト滴下にはいると、今度は第1モールドヘッドが上昇してレジスト転写を行う。 When the second mold head enters the cleaning and resist dropping lowered, this time the resist is transferred first mold head rises.

このように複数のモールドヘッドを交互に動作させることによって、他方がウエハへの転写中に、もう一方のモールドヘッドで清掃・レジスト滴下とパターン凹部へのレジスト侵入を並行して進めておくことができる。 By operating in this manner a plurality of mold head alternately, during transfer the other to the wafer, it is allowed to progress in parallel resist entering the cleaning and resist dropping and pattern recess in the other mold head it can. このため、ウエハ面への短時間のパターン転写を繰り返すことが可能となり、処理速度を速めることができる。 Therefore, it is possible to repeat the short pattern transfer to the wafer surface and become, it is possible to increase the processing speed.

さらに図4で詳述したようにモールドヘッド12に温度調整器を配して、温度制御をおこなうことにより、モールドの大きさを制御すればさらに効果がある。 Further by arranging the temperature regulator to the mold head 12 as detailed in Figure 4, by controlling the temperature, there is a further effect by controlling the size of the mold. 複数のモールドヘッドを使用することで、スループットを低下することなく温度安定化の時間を確保することが可能となる。 By using a plurality of mold head, it is possible to secure the time for temperature stabilization without decreasing the throughput.

(実施例2) (Example 2)
以上、モールドヘッドをウエハの下側からインプリントする装置を説明してきたが、複数のモールドヘッドをウエハの上側に配置し、上側からインプリントする装置を図6により説明する。 Having thus described an apparatus for imprinting the mold head from the underside of the wafer, disposing a plurality of mold head above the wafer, it will be described with reference to FIG an apparatus for imprinting from above.

図6においてウエハ駆動部は、ウエハ21を保持するウエハチャック22と、ウエハチャック22の位置、姿勢調整するためのウエハステージ23とを含む。 Wafer drive unit 6 includes a wafer chuck 22 for holding the wafer 21, the position of the wafer chuck 22, and a wafer stage 23 for posture adjustment. ウエハステージ23は、x、y平面方向に移動可能であり、ウエハ全面を転写可能としている。 Wafer stage 23, x, is movable in the y plane direction, thereby enabling transfer of the entire wafer surface. ウエハステージ23は、高精密な位置決めも可能であり、微細なパターンの重ね合せを達成している。 Wafer stage 23 is also possible high precision positioning is achieved superposition of fine patterns. また、ウエハステージ23は、位置決めだけではなく、ウエハ21の表面の姿勢を調整する手段も有しており、ウエハ21の表面の姿勢を調整する役割を有することは図1と同様である。 The wafer stage 23 is not only positioned, also has means for adjusting the orientation of the surface of the wafer 21, to have a role in adjusting the attitude of the surface of the wafer 21 is similar to FIG.

本実施例ではモールド駆動部とレジスト供給手段とを複数有している。 In the present embodiment has a plurality of the mold driver and the resist supply means.

モールド駆動部は、モールド11を保持するためのモールドヘッド12と、モールド11を下方向に押し付ける駆動部としてのインプリント機構部13とを含む。 Mold driver includes a mold head 12 for holding the mold 11, the imprint mechanism 13 as a drive unit for pressing the mold 11 downward. インプリント機構部13は、上下動作をさせるだけでなくモールド転写面とウエハ21とが密着するように姿勢のかわし機構や姿勢制御、回転方法の位置合わせ機能も有する。 Imprint mechanism 13 includes upper and lower mechanism and attitude control pulled posture as the mold transfer surface and the wafer 21 are brought into close contact not only to the operation, even the alignment function of the rotation process.

レジスト供給手段は、レジストを保持するタンク31と、ウエハ面にレジストを滴下するためのノズル32と、ノズル32からレジスト42を滴下するか停止するかを切り替えるバルブ(不図示)を含む。 Resist supply means includes a tank 31 for holding a resist nozzle 32 for dropping a resist on the wafer surface, a valve (not shown) for switching whether to activate or deactivate dropped resist 42 from the nozzle 32. タンク31はノズルに対して一つずつ描かれているが、共通の一つのタンクから複数のノズルにレジストを供給するように設計することは同業者であれば容易である。 Tank 31 is depicted one by one with respect to the nozzle, it is easy if colleagues designed to provide a resist to a plurality of nozzles from one common tank.

ノズルはそれぞれ独立に可動であり、他方のモールドヘッドがウエハに押印している間に次に押印する領域にノズルが移動しレジストを滴下することができるようになっている。 Nozzles are each independently movable, then the nozzles in a region seal is adapted to be able to dropping the moved resist while the other mold head is stamped on the wafer. このように複数のモールドヘッドをもつことにより、押印とレジスト滴下を並列的におこなうことができるためスループットの向上に効果がある。 By thus having a plurality of mold head, it is effective in improving the throughput for the stamping and resist dropping can be performed in parallel.

N個のモールドヘッドを持つ場合、ウエハ上の領域をN個に分割し、それぞれの対応する領域を各モールドヘッドが押印することで、ウエハの移動距離を少なくしスループットを向上することができる。 If with N mold head, the area on the wafer is divided into N, that each of the corresponding areas each mold head seal, it is possible to reduce the moving distance of the wafer to improve the throughput.

図7は2個のモールドヘッド121、122とウエハ上の領域211、212を示している。 Figure 7 shows the two mold heads 121, 122 and regions 211 and 212 on the wafer. 図7aは正面図であり、図7bはウエハの平面図である。 Figure 7a is a front view, FIG. 7b is a plan view of a wafer. 左側に図示されている第1のモールドヘッド121はウエハ上の第1領域211(一点鎖線より左側の領域)、右側に図示されている第2のモールドヘッド122はウエハ上の第2領域212(一点鎖線より右側の領域)をインプリントする。 The first mold head 121 and the second region 212 first region 211 on the wafer (left region from the dashed line), a second mold head 122 depicted on the right side of the wafer depicted in the left side ( imprinting the right region) than one-dot chain line. ウエハの内部に描かれている長方形は一回のインプリントで形成されるショットをあらわしている。 Rectangle depicted in the interior of the wafer represent the shots that are formed in a single imprint. 一回のショット毎にウエハはステージによって移動し次にインプリントすべきショット位置をモールドヘッドの対応する位置に移動する。 Wafer moves the shot position to be subsequently imprinted moved by the stage in the corresponding positions of the mold head per one shot. 図中201、202、〜207はショットの順番を例示したものである。 Figure 201, 202 to 207 is an illustration of a sequence of shots. ショット順はこの例示に限られずトータルの移動時間が短くなるように選ぶことができる。 Shot order can be chosen to move the total time is not limited to this example is shortened. また、必ずしも順番に処理する必要はなく、インプリント時の光による基板の加熱膨張を考慮に入れて隣接しないショットの経路を選んでもよい。 Moreover, it is not always necessary to be processed sequentially, may choose a path of the shot which is not adjacent take into account the thermal expansion of the substrate with light of at imprinting.

ウエハの直径をWとしたとき、モールドヘッドの間隔Lは、L<Wとすることが好ましい。 When the diameter of the wafer was is W, the distance L of the mold head is preferably in the L <W. さらにLはWの2分の1程度とするとなお良い。 In addition L is still good and about one-half of the W.

図7はモールドヘッドが2個の場合を図示したが、3個あるいは4個の場合はウエハ上を3分割または4分割し、それぞれの領域を各モールドヘッドに対応させればよいことは言うまでも無い。 Figure 7 is illustrating the case where the mold head is two, until the case of three or four on the wafer 3 is divided or four-divided, it says that each of the regions may be made to correspond to each mold head there is no.

次に、図8及び図9を参照して、上述のナノインプリント装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。 Next, with reference to FIGS. 8 and 9, a description will be given of an embodiment of a device manufacturing method using the above nanoimprint apparatus. 図8は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。 Figure 8 is a flowchart for explaining a fabrication of devices (semiconductor chips such as IC and LSI, LCD, CCD, etc.). ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。 Here, a description will be given of a fabrication of a semiconductor chip as an example. ステップ1(回路設計)では、デバイスの回路設計を行う。 In step 1 (circuit design), circuit design of the device. ステップ2(モールド製作)では、設計した回路パターンに対応するパターンを形成したモールドを製作する。 In Step 2 (mold fabrication) a mold to form a pattern corresponding to the designed circuit pattern. ステップ3(ウエハ製造)では、シリコンなどの材料を用いてウエハを製造する。 In step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using materials such as silicon. ステップ4(ウエハプロセス)は、前工程と呼ばれ、モールドとウエハを用いてナノインプリント装置によってウエハ上に実際の回路を形成する。 Step 4 (wafer process) is referred to as a pretreatment, forms actual circuitry on the wafer through the nanoimprint apparatus with a mold and the wafer. ステップ5(組み立て)は、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作成されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。 Step 5 (assembly) called a post-process, a semiconductor chip by using the wafer produced in step 4 and includes an assembly step (dicing, bonding), a packaging step (chip encapsulation) including. ステップ6(検査)では、ステップ5で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。 In step 6 (inspection) performs various tests for the semiconductor device made in Step 5, the inspection of durability tests conducted. こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷(ステップ7)される。 The semiconductor device is completed with these processes, it is shipped (step 7).

図9は、ステップ4のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。 Figure 9 is a detailed flowchart of the wafer process in Step 4. ステップ11(酸化)では、ウエハの表面を酸化させる。 In step 11 (oxidation), the wafer surface is oxidized. ステップ12(CVD)では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。 In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the surface of the wafer. ステップ13(電極形成)では、ウエハ上に電極を蒸着などによって形成する。 In step 13 (electrode formation) forms electrodes by vapor deposition on the wafer. ステップ14(イオン打ち込み)では、ウエハにイオンを打ち込む。 In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. ステップ15(転写処理)では、ウエハに感光剤を塗布しつつモールドをウエハに押し付け、紫外線を照射して回路パターンをウエハに転写する。 In step 15 (the transfer process), pressed against the mold wafer while the wafer is coated with a photosensitive agent to transfer the circuit pattern on the wafer is irradiated with ultraviolet rays. ステップ16(エッチング)では、リアクティブイオンエッチング(RIE)によってパターニングを完了する。 In step 16 (etching), to complete the patterning by reactive ion etching (RIE). ステップ17(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。 In step 17 (resist stripping) removes disused resist after etching. デバイス(半導体素子、LCD素子、撮像素子(CCDなど)、薄膜磁気ヘッドなど)を製造する。 Devices (such as semiconductor devices, LCD devices, photographing devices (CCD, etc.), thin-film magnetic heads, etc.) to produce a. これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。 Multiple circuit patterns are formed on the wafer by repeating these steps.

本発明のデバイス製造方法によれば、光硬化法を使用するので重ね合わせ精度を高くすることが可能となる。 The device fabrication method of the present invention, it is possible to increase the overlay accuracy because it uses photo-curing method. さらに、低粘度のレジストを使用するので微細なモールドパターンにレジストが入り込み易くなり、微細加工を実現することが可能となる。 Furthermore, the resist is easily enter a fine mold pattern because it uses a resist having a low viscosity, it is possible to realize fine processing. また、周辺ショットにもモールドパターンを転写することが可能となるので経済性に優れた装置を提供することが可能となる。 Further, it is possible to provide an excellent apparatus economical because it is possible to transfer the mold pattern in peripheral shot. 更に、レジストを回収するのでレジストによる装置やウエハの汚染を防止することが可能となり、高品位のデバイスを製造することが可能となる。 Further, since the recovery of resist becomes possible to prevent contamination of the device and a wafer according to the resist, it is possible to manufacture higher quality devices. このように、本発明のナノインプリント装置を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。 Thus, the device manufacturing method using the nanoimprint apparatus of the present invention and resultant devices, constitute one aspect of the present invention. また、本発明は、かかるデバイス製造方法の中間及び最終結果物であるデバイス自体もカバーする趣旨である。 Further, the present invention is meant to device itself covers intermediate and final products of such a device manufacturing method. また、かかるデバイスは、例えば、LSIやVLSIなどの半導体チップ、CCD、LCD、磁気センサ、薄膜磁気ヘッドなどを含む。 Such devices include semiconductor chips like an LSI and VLSI, CCD, LCD, magnetic sensor, a thin-film magnetic heads, etc..

本発明は以上に述べたように、微細なモールドのパターンをウエハ等の基板へ転写する加工装置、特に、ナノインプリント装置に好適であり、微細加工及び経済性に優れたナノインプリント装置を提供することができる。 The invention as described above, the processing apparatus for transferring a fine mold pattern on a substrate such as a wafer, in particular, is suitable for nanoimprint apparatus, to provide excellent nanoimprint apparatus for fine processing and economy it can.

以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。 Having thus described the embodiments of the present invention, the present invention is not limited to these embodiments, and various variations and modifications may be within the scope of the invention.

10 ナノインプリント装置 11 モールド 12 モールドヘッド 13 インプリント機構部 14 照明光学系 15 光源 21 ウエハ 22 ウエハチャック 23 ウエハステージ 25 除振器 27 アライメントスコープ 28 基準マーク台 31 タンク 32 ノズル 33 回収口 36 ノズル駆動部 42 転写用レジスト 48 温度調整器 49 温度制御器 51 定盤 52 ステージ支持フレーム 54 加振機 55 ブレード 56 送風管 57 ガスフロー 58 容器 59 蓋 60 ポーラス層 61 モールド基板 62 モールドの背面側空間 121 第1のモールドヘッド 122 第2のモールドヘッド 201〜207 ショット 211 ウエハの第1領域 212 ウエハの第2領域 10 nanoimprint apparatus 11 mold 12 mold head 13 in printing mechanism unit 14 the illumination optical system 15 light source 21 wafer 22 wafer chuck 23 wafer stage 25 vibration isolator 27 the alignment scope 28 reference mark table 31 tank 32 nozzle 33 collection port 36 nozzle driving unit 42 transfer the resist 48 temperature controller 49 temperature controller 51 surface plate 52 stage support frame 54 vibrator 55 blades 56 of the blower pipe 57 gas flow 58 container 59 lid 60 porous layer 61 molded substrate 62 molded rear side space 121 first the second region of the first region 212 wafers of the mold head 122 second mold head 201-207 shots 211 wafers

Claims (8)

  1. 凹凸パターンが形成されたモールドにレジストを塗布し、基板と前記レジストとを接触させ、前記レジストを硬化することによって前記パターンの転写されたレジストを基板に転写する加工装置であって、 A resist mold having an uneven pattern formed thereon by coating, is brought into contact with the resist and substrate, the transferred resist of the pattern A processing apparatus for transferring the substrate by curing the resist,
    第1モールドヘッドと第2モールドヘッドと A first mold head and the second mold head,
    前記基板を保持して移動する基板駆動部と、を有し、 Anda substrate driving unit that moves while holding the substrate,
    前記第1モールドヘッドが保持するモールドにレジストを塗布する処理を含む準備工程と、前記第2モールドヘッドが保持するモールドに塗布されたレジストを基板に転写する転写工程とを並列して行い Performs said a preparation process including a process for applying a resist mold first mold head holds, the second mold head is applied to the mold to hold the resist in parallel and a transfer step of transferring the substrate,
    前記基板の直径をWとしたときに、前記第1および第2のモールドヘッドの間隔Lは、L<Wであることを特徴とする加工装置。 The diameter of the substrate is W, the distance L of the first and second mold head, machining apparatus, characterized in that the L <W.
  2. 前記第2モールドヘッドが保持するモールドの転写が終了した後、前記第1モールドが保持するモールドに塗布されたレジストを基板に転写することを特徴とする請求項1に記載の加工装置。 After the transfer of the mold in which the second mold head is held is completed, the processing apparatus according to claim 1, characterized in that to transfer the first mold has been applied to the mold to hold the resist to the substrate.
  3. 前記準備工程は、モールドにレジストを塗布する前にモールド上の異物を除去する清掃工程を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の加工装置。 The preparation step, the processing apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that it comprises a cleaning step of removing the foreign matter on the mold prior to applying the resist to the mold.
  4. 前記準備工程において、レジストの塗布工程は減圧下においてなされることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の加工装置。 In the above preparation step, the processing apparatus according to claim 1, the resist coating step is characterized in that it is made under vacuum.
  5. 前記モールドヘッドは、前記モールドの外周に余分なレジストを受けるための回収口を有し、 The mold head has a recovery port for receiving excess resist on the outer periphery of the mold,
    転写工程につづく準備工程において、未硬化のレジストを前記回収口から回収する回収機構とを有することを特徴とする請求項1記載の加工装置。 In preparation process following the transfer process, the processing apparatus according to claim 1; and a recovery mechanism for recovering resist uncured from the recovery port.
  6. 前記モールドヘッドは、モールドの温度を調整するための温度調整器を有し、転写すべき倍率に合わせてモールドを膨張あるいは収縮させることを特徴とする請求項1記載の加工装置。 The mold head has a temperature regulator for regulating the temperature of the mold, processing apparatus according to claim 1, wherein the inflating or deflating the mold in accordance with the magnification to be transferred.
  7. 前記加工装置は、前記レジストを硬化するための光を照射する手段を更に有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の加工装置。 The processing device, processing device according to claim 1, characterized by further comprising means for irradiating light to cure the resist.
  8. 請求項1〜7のうちいずれか1項に記載の加工装置を用いて前記凹凸パターンを基板に転写するステップと、 And transferring the concavo-convex pattern on the substrate using the processing apparatus according to any one of claims 1 to 7,
    前記基板にエッチングを行うステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。 Device manufacturing method characterized by a step of etching the substrate.
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