JP7307021B2 - 蒸着装置、蒸着方法及び斜方蒸着膜の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、蒸着装置、蒸着方法及び斜方蒸着膜の製造方法に関する。

斜方蒸着法によって基板に蒸着膜を成膜する蒸着装置が知られている。斜方蒸着法は、蒸着物質を気化した蒸気を発する蒸着源に対して基板の蒸着面を傾斜させた状態で蒸着を行う方法である。斜方蒸着法によれば、蒸着物質の堆積により形成される柱状体が成長する方位（以下において、単に柱状体の方位という）を、蒸着面の法線に対して傾斜させることができる。

斜方蒸着の場合、蒸着源に対して基板を傾斜させることに起因して、基板の蒸着面の面内で蒸着源との距離が異なってしまう。特許文献１に記載の蒸着装置は、蒸着源に対して基板を傾斜させた姿勢で固定した上で、基板と蒸着源との間に蒸着物質を流通させる開口部を通じて、基板に蒸着物質を蒸着する。開口部の設置位置は固定されている。特許文献１に記載の蒸着装置において、開口部の大きさは調節可能になっており、開口部の大きさと蒸着時間とを変化させることで、蒸着源と基板の蒸着面内の距離の差に起因する膜厚変化を低減している。

特許文献２に記載の蒸着装置は、蒸着源に対して基板を傾斜させた姿勢で基板を保持する基板ホルダを備えており、基板ホルダを蒸着源に対して回転させながら、基板に蒸着物質を蒸着する。

特許文献１及び特許文献２に記載されている斜方蒸着法は、例えば、液晶表示装置に用いられる位相差補償板などの光学素子を製造するために採用される。

位相差補償板は、例えば、ＶＡ（Vertical Alignment)モードの液晶表示装置に使用される（特許文献３参照）。ＶＡモードの液晶表示装置においては、液晶層を挟む偏光子と検光子とは、光を透過するそれぞれの透過軸が直交するクロスニコル配置であり、また、低電圧状態における液晶層の配向が基板面に対して垂直になる。そのため、低電圧状態では偏光子を透過した直線偏光は、偏光軸の向きを保ったまま液晶層を透過して、検光子に入射する。検光子に入射する直線偏光の偏光軸と検光子の透過軸とは直交するため、理論上は検光子を透過する光はなく、黒表示になる。しかし、液晶層は、斜め配向成分に起因して、異なる偏光軸の偏光間で屈折率差を生じるという屈折率異方性（複屈折性とも呼ばれる）を有しているため、液晶層を透過する光は、異なる偏光軸を持つ偏光間で位相差を生じる。偏光間に位相差があると検光子に入射する光は楕円偏光となるため、低電圧状態でも、一部の光が検光子を透過する。これは、黒表示のコントラストの低下をもたらす。位相差補償板は、液晶層内で生じる位相差を補償する。すなわち、位相差補償板は、液晶層に起因する位相差をキャンセルするような位相差を生じさせることにより検光子を透過する光を減らす。これにより、黒表示のコントラストを向上させる機能を有する。

特許文献３に記載されているように、位相差補償板は、一例として、異なる光学異方性を有する複数のプレートの積層体として構成される（特許文献３の図３）。ここで光学異方性とは、入射角が異なる光に対して、異なる位相差を発生させる光学特性をいう。特許文献３には、複数のプレートとして、ＣプレートとＯプレートが記載されている。Ｃプレートは、屈折率が異なる層をプレートの法線方向に積層したものである。Ｃプレートは、屈折率異方性を示さない光学軸の向きがプレートの法線と一致しており、法線と異なる方向から入射する光に対しては位相差を生じさせる。

Ｏプレートは、斜方蒸着法によって形成されるプレートである。Ｏプレートの基板上に形成される蒸着膜は斜方蒸着されるため、上述のとおり、蒸着物質の堆積により形成される柱状体の方位がプレートの法線に対して傾斜する。柱状体の方位は、屈折率異方性を示さない光学軸の向きと一致する。そのため、Ｏプレートは、光学軸と一致する柱状体の方位から入射する光に対する位相差はほぼゼロに近いが、それ以外の入射角の光に対しては相対的に大きな位相差を生じさせる。

位相差補償板を構成するＣプレート及びＯプレートは、屈折率異方性を示さない光学軸の方位は異なるものの、どちらも、入射角が異なる光に対して、異なる位相差を発生させる光学異方性を有する光学素子である。位相差補償板はこうした光学異方性が異なる複数の光学素子の組み合わせによって構成される。こうした位相差補償板を用いることにより、液晶表示装置に表示面に対して正面から入射する光と斜めから入射する光の両方に対して位相差が補償される。

特開２００３－１２９２２８号公報 特開２００９－１６１８４３号公報 特許第４８９７７０７号公報

本開示の技術は、光学特性の面内のバラツキを従来よりも低減することが可能な蒸着装置、蒸着方法及び斜方蒸着膜の製造方法を提供する。

本開示の蒸着装置は、蒸着物質が蒸着される蒸着面を有する基板を回転させながら、基板に対して蒸着膜を成膜するための蒸着装置であって、
基板を円軌道に沿って回転させる回転機構と、
円軌道に沿って回転する基板の蒸着面に向けて、蒸着物質が気化した蒸気を発する蒸着源であって、円軌道を平面視した場合において、円軌道の内側で、かつ、円軌道の中心とは異なる位置に配置された蒸着源と、
蒸着源に対して蒸着面を傾斜させた姿勢で基板を保持する基板ホルダであって、蒸着面を傾斜させた姿勢を保ちながら、基板と共に円軌道に沿って回転する基板ホルダと、
蒸着源から蒸着面に向かう蒸気の一部を遮蔽するマスクであって、蒸着面と対向する位置に間隔を空けて配置され、かつ、蒸着面との相対位置が固定された状態で、基板と共に回転するマスクとを備えた蒸着装置である。

本開示の蒸着装置においては、円軌道を平面視したときに蒸着源と円軌道の中心とを通る直線と交わる円軌道上の２点をそれぞれ０°位置及び１８０°位置とした場合において、
０°位置及び１８０°位置に基板がある場合における蒸着物質の蒸着量が、０°位置及び１８０°位置から９０°回転した円軌道上の９０°位置及び２７０°位置に基板がある場合における蒸着量よりも少なくなる態様で、マスクの平面形状及びマスクと基板との相対位置が決定されていることが好ましい。

本開示の蒸着装置においては、０°位置及び１８０°位置に基板がある場合における蒸着量が最も少なく、９０°位置、及び２７０°位置に向かって、蒸着量が増加する態様で、マスクの平面形状及びマスクと基板との相対位置が決定されていることがより好ましい。

本開示の蒸着装置においては、マスクは板状であり、一面が蒸着面と対向する姿勢で配置されていることが好ましい。

本開示の蒸着装置においては、円軌道の接線方向を、蒸着面及びマスクの幅方向とした場合において、マスクの幅は蒸着面の幅以下であることが好ましい。

本開示の蒸着装置においては、蒸着源が蒸気を発する方向を上方とした場合において、円軌道は、蒸着源の上方に配置されており、
基板は、蒸着面と円軌道の接線とが平行になる姿勢で、かつ、蒸着面の上端が円軌道の内側に向く姿勢、かつ、蒸着面の下端記円軌道の外側に向く姿勢で配置されていることが好ましい。

本開示の蒸着装置においては、マスクの平面形状は線対称形状であることが好ましい。

本開示の蒸着装置においては、円軌道の接線方向を蒸着面の幅方向とした場合において、マスクの対称軸を蒸着面に投影した直線が、蒸着面の幅方向の中心線と一致する位置にマスクが配置されていることが好ましい。

本開示の蒸着装置においては、マスクの一面と蒸着面とが平行な場合の傾斜角を０°とした場合において、蒸着面に対するマスクの一面の傾斜角は５°～３０°であることが好ましい。

本開示の蒸着装置においては、マスクの平面形状は多角形とすることができる。

本開示の蒸着装置においては、マスクの平面形状が矩形である場合、蒸着面の幅を１とした場合、マスクの幅は０．０５～１であり、幅の方向と直交する方向のマスクの長さは０．５～１であり、蒸着面に対して傾斜して配置されるマスクの一面と蒸着面との最大間隔は、０．７５～１．５とすることが好ましい。

本開示の蒸着方法は、蒸着物質が蒸着される蒸着面を有する基板を回転させながら、基板に対して蒸着膜を成膜するための蒸着方法であって、
基板が回転する円軌道を平面視した場合において、円軌道の内側で、かつ、円軌道の中心とは異なる位置に、蒸着物質が気化した蒸気を発する蒸着源を配置し、
蒸着源に対して蒸着面を傾斜させた姿勢で基板を基板ホルダによって保持し、
蒸着源から蒸着面に向かう蒸気の一部を遮蔽するマスクを、蒸着面と対向する位置に間隔を空けて配置し、かつ、マスクと蒸着面との相対位置を固定し、
蒸着源に対して蒸着面を傾斜させた姿勢を保ちながら、基板と、相対位置が固定されたマスクとを円軌道に沿って回転させ、
マスクと共に円軌道に沿って回転する基板の蒸着面に対して、蒸着源から発する蒸気を蒸着させる蒸着方法である。

本開示の蒸着方法においては、円軌道を平面視したときに蒸着源と円軌道の中心とを通る直線と交わる円軌道上の２点をそれぞれ０°位置及び１８０°位置とした場合において、
０°位置及び１８０°位置に基板がある場合における蒸着物質の蒸着量が、０°位置及び１８０°位置から９０°回転した円軌道上の９０°位置及び２７０°位置に基板がある場合における蒸着量よりも少なくする態様で、マスクの平面形状及びマスクと基板との相対位置が決定されていることが好ましい。

本開示の蒸着方法においては、０°位置及び１８０°位置に基板がある場合における蒸着量が最も少なく、９０°位置、及び２７０°位置に向かって、徐々に蒸着量が増加する態様で、マスクの平面形状及びマスクと基板との相対位置が決定されていることが好ましい。

本開示の斜方蒸着膜の製造方法は、蒸着物質が蒸着される蒸着面を有する基板を回転させながら、基板に対して斜方蒸着膜を成膜する斜方蒸着膜の製造方法であって、
基板が回転する円軌道を平面視した場合において、円軌道の内側で、かつ、円軌道の中心とは異なる位置に、蒸着物質が気化した蒸気を発する蒸着源を配置し、
蒸着源に対して蒸着面を傾斜させた姿勢で基板を基板ホルダによって保持し、
蒸着源から蒸着面に向かう蒸気の一部を遮蔽するマスクを、蒸着面と対向する位置に間隔を空けて配置し、かつ、マスクと蒸着面との相対位置を固定し、
蒸着源に対して蒸着面を傾斜させた姿勢を保ちながら、基板と、相対位置が固定されたマスクとを円軌道に沿って回転させ、
マスクと共に円軌道に沿って回転する基板の蒸着面に対して、蒸着源から発する蒸気を蒸着させる斜方蒸着膜の製造方法である。

一実施形態の蒸着装置の概略構成図である。 斜方蒸着の説明図である。 斜方蒸着膜の適用例である位相差補償板の断面図である。 円軌道と蒸着源との位置関係を示す図である。図４Ａは円軌道を斜視した斜視図であり、図４Ｂは円軌道を平面視した平面図である。 円軌道上の位置の説明図である。 位置Ｐ１、Ｐ７における基板とマスク及び蒸着源の位置関係を示す図である。 位置Ｐ４における基板とマスク及び蒸着源の位置関係を示す図である。 蒸着源からみた円軌道上の各位置に位置する基板及びマスクを概念的に示す図である。 基板とマスクの位置関係及びサイズを示す図である。 マスクの他の例を示す図である。 マスクの他の例を示す図である。 基板上の測定位置を説明するための図である。 円軌道上の各位置で成膜した蒸着膜についての正面位相差を示す図である。 測定方法を説明するための図である。 円軌道上の各位置で成膜した蒸着膜についてのＲｅ比を示す図である。 実施例における基板と蒸着源及び円軌道の関係を説明する図である。

以下、図面を参照して本開示の実施形態について説明する。

図１は、本開示の一実施形態の蒸着装置１の概略構成を示す。蒸着装置１は、蒸着物質が蒸着される蒸着面１０ａを有する基板１０を回転させながら、基板１０に対して蒸着膜を成膜するための蒸着装置である。蒸着装置１は、内部を真空状態に維持する真空チャンバ１１と、基板１０を保持するドーム型の基板ホルダ１２と、回転軸１３と、蒸着源１４と、マスク２０とを有している。

本蒸着装置１は、図２に示すように、基板１０を、蒸着源１４に対して基板１０の蒸着面１０ａを傾斜させた姿勢で保持させた状態で、基板１０の蒸着面１０ａに蒸着源１４からの蒸着物質を斜めに入射させて蒸着する装置である。基板１０の蒸着面１０ａを蒸着源１４に対して傾斜させた姿勢とは、図２に示すように、蒸着源１４から発せられた蒸気の入射方向１６と蒸着面１０ａの法線Ｎとが傾きφを有する姿勢をいう。このように、基板１０の蒸着面１０ａに斜め方向から蒸着物質を蒸着することによって、蒸着物質の入射方向に沿って傾斜した柱状体が成長して、柱状体が林立した構造を有する斜方蒸着膜３０が形成される。なお、以下において、蒸着源１４と蒸着面１０ａの距離とは、蒸着源１４の蒸気出射中心と蒸着面１０ａの重心を結ぶ距離Ｂ０をいい、基板１０の蒸着源１４に対する傾きとは上述の蒸気の入射方向１６の法線Ｎからの傾きφをいう。

斜方蒸着膜は、例えば、液晶表示装置に用いられる位相差補償板の一要素として用いられる。既述の通り、位相差補償板は、液晶層で生じる位相差を補償する。ＶＡモードの液晶セルの位相差を補償する位相差補償板１００の一例を図３に示す。図３に示すように、位相差補償板１００は、透明な基板１０１上にＣプレート１０２、第１のＯプレート１０３及び第２のＯプレート１０４が積層された構造を有する。

Ｃプレート１０２は、基板１０１の法線方向に延びた光学軸を有し、法線と垂直な面方向に光学異方性を有する光学異方性膜である。法線と垂直な面方向に光学異方性を有するので、Ｃプレート１０２は液晶セルに斜めから入射する光の位相差を補償する。

第１のＯプレート１０３及び第２のＯプレート１０４は、２軸性複屈折率楕円体であり、基板１０１の法線方向に対して傾斜した光学軸を有する光学異方性膜である。この第１のＯプレート１０３あるいは第２のＯプレート１０４を構成する光学異方性膜として、本開示の方法で蒸着され、製造される斜方蒸着膜を適用することができる。斜方蒸着により作製された斜方蒸着膜は、蒸着物質の入射方向に沿って成長した柱状体の方位に光学軸を有する。位相差補償板１００に備えられる、第１のＯプレート１０３及び第２のＯプレート１０４は柱状体の方位、すなわち、光学軸の方向が互いに異なる。第１のＯプレート１０３及び第２のＯプレート１０４のそれぞれの光学軸は、例えば、液晶セルの液晶の配向方向に対して対称とされる。第１のＯプレート１０３及び第２のＯプレート１０４は、光学軸が基板１０１の法線に対して傾斜していることから、法線方向に入射する光に対して複屈折性を示す。これにより、第１のＯプレート１０３及び第２のＯプレート１０４は、液晶セルに法線方向から入射する光の位相差を補償する。

位相差補償板１００は、上述のように、光学異方性が互いに異なるＣプレート１０２、第１のＯプレート１０３及び第２のＯプレート１０４の積層体から構成される。このような位相差補償板１００を用いることにより、液晶表示装置に表示面に対して正面から入射する光と斜めから入射する光の両方に対して位相差が補償される。

液晶表示装置における黒表示を均一にするためには、Ｏプレートとして、基板面内で面内位相差が均一であることが好ましい。基板面内で面内位相差に分布があると、液晶表示装置における黒表示時の黒レベルが面内で不均一となるため、基板面内での面内位相差のばらつきが小さいほど好ましい。

光学異方性膜として用いられる斜方蒸着膜において、面内位相差Ｒｅは（Ｎｏ－Ｎｅ）×ｄ／λであらわされる。ここで、Ｎｏは常光に対する屈折率であり、Ｎｅは異常光に対する屈折率、λは入射光の波長であり、ｄは斜方蒸着膜の膜厚である。なお、入射光のうち光学軸に平行な振動面の光成分を異常光、光学軸に垂直な振動面の光成分を常光という。面内位相差Ｒｅは蒸着膜の膜厚ｄに比例するため、膜厚に面内分布があると、面内位相差に面内分布が生じる。従って、膜厚の均一化により面内位相差の均一化が図れると考えられる。

以下、基板面内での面内位相差を従来よりも均一化することができる、本実施形態の蒸着装置１及び蒸着方法の詳細を説明する。

基板ホルダ１２は、真空チャンバ１１の上部位置に配置される回転型のドームであり、蒸着源１４に対して基板１０の蒸着面１０ａを傾斜させた姿勢で基板１０を保持する。真空チャンバ１１には基板１０を回転させる回転機構１５が設けられている。回転機構１５は、基板１０を円軌道に沿って回転させる。回転機構１５は、回転軸１３と、回転軸１３を駆動するモータ（図示せず）及びモータを制御する制御回路（図示せず）などを含んで構成される。回転軸１３は、基板ホルダ１２のドームの上面の回転中心に垂直方向に設けられており、この回転軸１３の回転により基板ホルダ１２の全体が回転する。基板１０は基板ホルダ１２と共に円軌道に沿って回転する。なお、図１において、基板ホルダ１２には１枚の基板１０のみが保持されているが、基板ホルダ１２は、円軌道に沿って複数の基板を同時に保持可能である。

図４は、基板１０の円軌道Ｃ及び蒸着源１４の位置を示す図である。図４の図４Ａは円軌道Ｃの斜視を示し、図４Ｂは円軌道Ｃの平面視を示す。基板１０は、回転軸１３の回転に伴い回転する基板ホルダ１２によって、回転軸１３の位置に対応する点Ｏを中心とする円軌道Ｃに沿って回転する。なお、円軌道Ｃは真円に限らず楕円軌道をとってもよい。

蒸着源１４が蒸気を発する方向を上方とした場合において、円軌道Ｃは蒸着源１４の上方に配置されており、基板１０は、蒸着面１０ａと円軌道Ｃの接線とが平行になる姿勢で、かつ、蒸着面１０ａの上端１０ｂが円軌道Ｃの内側に向く姿勢、かつ、蒸着面１０ａの下端１０ｃが円軌道Ｃの外側に向く姿勢で配置されている。

蒸着源１４は、円軌道Ｃに沿って回転する基板１０の蒸着面１０ａに向けて、蒸着物質が気化した蒸気を発する。図４Ｂに示すように、蒸着源１４は、円軌道Ｃを平面視した場合において、円軌道Ｃの内側で、かつ、円軌道Ｃの中心Ｏとは異なる位置に配置されている。すなわち、基板１０は蒸着源１４に対して偏心した円軌道Ｃ上を回転している。基板１０が円軌道Ｃ上を回転すると、蒸着源１４から基板１０の蒸着面１０ａまでの距離、及び基板の蒸着源１４に対する傾きが変化する。

マスク２０は、蒸着源１４から蒸着面１０ａに向かう蒸気の一部を遮蔽するマスクであって、蒸着面１０ａと対向する位置に間隔を空けて配置されている。マスク２０は、基板１０の蒸着面１０ａとの相対位置が固定された状態で、基板１０と共に回転する。

既述の通り、蒸着時において、基板１０とマスク２０とは、円軌道Ｃに沿って一体的に回転する。蒸着源１４は円軌道Ｃの中心Ｏからずれた位置に配置されているため、基板１０とマスク２０が円軌道Ｃに沿って一体的に回転した場合、蒸着源１４から見ると、基板１０の蒸着面１０ａに対してマスク２０が重畳する領域が変化する。従って、蒸着源１４から基板１０の蒸着面１０ａに向かう蒸気がマスク２０によって遮蔽される量が円軌道Ｃ上の位置によって変化する。言い換えれば、円軌道Ｃ上の位置によって、基板１０の蒸着面１０ａに蒸着される蒸着物質の蒸着量が変化する。

本蒸着装置１によれば、マスク２０と基板１０との相対位置及びマスク２０の平面形状を適宜設定することによって、円軌道Ｃ上における特定の位置において、蒸気の遮蔽量を多くして、蒸着面１０ａへの蒸着量を少なくしたり、他の特定の位置において、上記の遮蔽量を少なくして、蒸着面１０ａへの蒸着量を多くしたりできる。詳細は後述するが、円軌道Ｃの各位置で、基板１０と蒸着源１４と距離及び基板１０の蒸着源１４に対する傾きが異なるために、光学特性に面内ばらつきが生じやすい位置、及び面内ばらつきが生じにくい位置がある。このような場合、マスク２０を備えることで、面内ばらつきの生じにくい位置での蒸着量を多くし、面内ばらつきが生じやすい位置での蒸着量を小さくすることで全体として面内ばらつきが抑制され、面内位相差が従来よりも均一化された蒸着膜を得ることができる。

マスク２０の平面形状及び相対位置は、例えば、次のように決定されていることが好ましい。円軌道Ｃを平面視したときに蒸着源１４と円軌道の中心Ｏとを通る直線と交わる円軌道上の２点をそれぞれ０°位置及び１８０°位置とし、０°位置及び１８０°位置に基板１０がある場合における蒸着物質の蒸着量が、０°位置及び１８０°位置から９０°回転した円軌道Ｃ上の９０°位置及び２７０°位置に基板１０がある場合における蒸着量よりも少なくなる態様で、決定されている。

特に、０°位置及び１８０°位置に基板がある場合における蒸着量が最も少なく、９０°位置、及び２７０°位置に向かって、蒸着量が増加する態様で、マスクの平面形状及びマスクと基板との相対位置が決定されていることが好ましい。

ここで、図５に示すように、円軌道Ｃを平面視したときに蒸着源１４と円軌道の中心Ｏとを通る直線Ａと交わる円軌道Ｃ上の２点をそれぞれ０°位置Ｐ１及び１８０°位置Ｐ７とし、位置Ｐ１から時計回りに３０°間隔で位置Ｐ２、Ｐ３・・・とする。すなわち、０°から時計回りに９０°回転した９０°位置は位置Ｐ４であり、１８０°位置から時計まわりに９０°回転した２７０°位置は位置Ｐ１０である。

図６には、円軌道Ｃに垂直な位置Ｐ１と円軌道Ｃの中心及び位置Ｐ７を含む面における基板１０とマスク２０及び蒸着源１４との位置関係を示す。図６に示すように、円軌道Ｃにおいて、基板１０が位置Ｐ１又は位置Ｐ７にある場合に、蒸着源１４から基板１０の蒸着面１０ａに向かう蒸気のマスク２０による遮蔽量は最大となる。基板１０が位置Ｐ１又は位置Ｐ７にある場合、蒸着源１４とマスク２０の正面とが対向する状態となり、蒸着源１４から基板１０に向かう蒸気がマスク２０に遮蔽されることにより、蒸着面１０ａに蒸気が到達しにくくなるためである。

一方、図７に示すように、円軌道Ｃにおいて、位置Ｐ１及び位置Ｐ７のそれぞれに対して９０°回転した位置Ｐ４に基板１０がある場合、蒸着源１４から基板１０の蒸着面１０ａに向かう蒸気のマスク２０による遮蔽量は最小となる。基板１０が位置Ｐ４にある場合は、基板１０とマスク２０の側面と蒸着源１４とが対向する状態となり、基板１０とマスク２０の隙間から蒸気が蒸着面１０ａに到達しやすくなるためである。なお、本例の場合、位置Ｐ４に対して、円軌道Ｃの中心に１８０°回転した位置Ｐ１０における基板１０とマスク２０との位置関係は、位置Ｐ４の場合と同様となる。このように、基板１０とマスク２０は一体的に、蒸着源１４から偏心した円軌道Ｃに沿って移動するので、基板１０とマスク２０と蒸着源１４との位置関係は刻々と変化し、蒸着源１４からの蒸気が遮蔽される遮蔽量は変化する。また、円軌道Ｃ上の基板１０とマスク２０の位置によって、マスク２０によって遮蔽される蒸着面１０ａの領域も変化する。

図８は、蒸着源１４から見た基板１０とマスク２０との位置関係を概念的に示す図である。図中矢印は基板１０の移動方向であり、位置Ｐ１～位置Ｐ１２は円軌道Ｃ上の位置を示す。位置Ｐ１に基板１０がある時、マスク２０は基板１０に重畳し、蒸着源１４からの蒸気を遮蔽する量が最も大きくなる。基板１０が移動して位置Ｐ２、位置Ｐ３を経て位置Ｐ４に至るまでにマスク２０が基板１０と重畳する領域が徐々に小さくなり、基板１０が位置Ｐ４において、蒸着源１４からの蒸気を遮蔽する量が最も小さくなる。その後、位置Ｐ４から位置Ｐ７に向かってマスク２０と基板１０との重畳する領域が徐々に増加して、位置Ｐ７に基板１０がある時、位置Ｐ１に基板１０が位置する場合と同様にマスク２０は基板１０に重畳し、蒸着源１４からの蒸気を遮蔽する量が最も大きくなる。その後、位置Ｐ７から位置Ｐ１０に向かってマスク２０が基板１０と重畳する領域が徐々に小さくなり、位置Ｐ１０において、蒸着源１４からの蒸気を遮蔽する量が最も小さくなる。さらに、位置Ｐ１０から位置Ｐ１１、位置Ｐ１２を経て位置Ｐ１に向かってマスク２０が基板１０と重畳する領域が徐々に大きくなる。図８において、位置Ｐ４及び位置Ｐ１０においてマスク２０は基板１０と完全に重畳しない状態として示しているが、図８は概念図であり、位置Ｐ４及び位置Ｐ１０においても、実際には完全にマスク２０と基板１０とが重畳しないわけではなく、遮蔽量は最小となるが、遮蔽量がゼロになるわけではない。

図５に示すように、円軌道Ｃのうち位置Ｐ１は、蒸着源１４に最も近く、位置Ｐ７が最も遠い。マスク２０がない場合、蒸着源１４からの距離が近いほど、時間当たりに堆積される蒸着量は大きい。また、各位置においても、基板上端位置から蒸着源１４までの距離Ｂ１と基板下端位置から蒸着源１４までの距離Ｂ２とに差があり（図２参照）、蒸着源１４に近い基板下端の方が基板上端よりも、蒸着膜の膜厚は厚くなる。特に、蒸着源１４に近い位置では、基板の上端と下端での蒸着量の差が大きくなり、蒸着膜の膜厚に差が生じる。上記のように、位置Ｐ１及びその近傍において蒸着量を抑制することにより、膜厚の均一化を図ることができる。

また、位置Ｐ１及びその近傍での蒸着量を減らすだけであれば、基板１０と共に回転するマスクではなく、位置Ｐ１近傍にマスクを固定配置することが考えられる。しかし、位置Ｐ１近傍は蒸着源１４からの距離が近く、蒸着量が多いため、位置Ｐ１での蒸着を固定配置のマスクによって完全に遮蔽してしまうと、固定配置のマスクを備えない場合と比較して所望の厚みまで斜方蒸着膜を成長させる時間が大幅に長くなるために、コストアップとなる。この観点から、固定配置のマスクは好ましくない。これに対し、本実施形態ではマスク２０の基板１０に対する相対位置を固定して、マスク２０を基板１０と共に回転させることで、位置Ｐ１近傍での蒸着量を完全に遮蔽するのではなく、抑制するにとどめている。したがって、マスク２０を基板１０と共に回転させる本開示の技術によれば、所望の厚みまで斜方蒸着膜を成長させる時間を、固定配置のマスクを設ける場合と比較して短時間にすることができ、コストアップを抑制することができる。

マスク２０の具体的な例を図９に示す。マスク２０は、板状であり、一面２０ａが基板１０の蒸着面１０ａと対向する姿勢で配置されている。マスク２０を板状にし、一面２０ａを蒸着面１０ａと対向させることでマスク２０を軽量化しつつ、遮蔽量を増加させることができる。

本例では、マスク２０は基板１０に対して固定接続部１８で接続固定されている。但し、マスク２０は、基板１０に対する相対位置を変化させることなく、基板１０と共に円軌道Ｃに沿って回転可能であればよく、例えば、基板ホルダ１２に設けられたマスク支持部に設置されて、基板ホルダ１２に保持された基板１０との相対位置が固定されていてもよい。

円軌道Ｃの接線方向を、蒸着面１０ａ及びマスク２０の幅方向とした場合において、マスク２０の幅は蒸着面１０ａの幅以下であることが好ましい。マスク２０の幅が蒸着面１０ａの幅よりも広い場合と比べて単位時間当たりの蒸着量が多くなるため、蒸着効率がよい。

また、マスク２０の平面形状は線対称形状であることが好ましい。線対称とすることで、基板１０の蒸着面１０ａへの蒸着量の調整が容易になる。

円軌道Ｃの接線方向を蒸着面１０ａの幅方向とした場合において、マスク２０の対称軸を蒸着面１０ａに投影した直線が、蒸着面１０ａの幅方向の中心線と一致する位置にマスク２０が配置されていることが好ましい。これによって、基板１０への蒸着量の調整はさらに容易になる。

図９に示すマスク２０の平面形状は矩形である。ここで、基板１０の蒸着面１０ａの円軌道Ｃの接線に平行な方向の幅をＷ、上下方向の長さをＬとする。基板１０の蒸着面１０ａが正方形である場合、幅Ｗ＝長さＬである。幅及び長さのうち短い方（短辺）の長さを１とした場合、マスク２０の幅Ｗ１は、例えば、０．０５～１であり、幅方向と直交する方向の長さＬ１は、例えば、０．５～１であり、蒸着面に対して傾斜して配置されるマスク２０の一面２０ａと蒸着面１０ａとの最大間隔Ｔは、０．７５～１．５であることが好ましい。

また、マスク２０の一面２０ａと蒸着面１０ａとが平行な場合の傾斜角を０°とした場合において、蒸着面１０ａに対するマスク２０の一面２０ａの傾斜角θは５°～３０°であることが好ましい。傾斜角を５°～３０°とすることで、基板のうち蒸着源１４に近い基板下端側よりも蒸着源１４から遠い基板上端側での遮蔽量を小さくなるように調整することができ、基板の上端側と下端側での膜厚の差を小さくすることができる。

図９に示したマスク２０の平面形状は矩形であるが、本開示の蒸着装置及び方法において用いられるマスクの平面形状は矩形に限らず、円形であってもよいし、矩形以外の多角形であってもよい。例えば、図１０に示す三角形状のマスク２２、あるいは図１１に示す台形状のマスク２４などを用いることができる。

図１０に示すように、マスク２２の平面形状が三角形の場合、三角形は中心線に対称な二等辺三角形であることが好ましい。また、マスク２２は三角形の頂点を基板１０の上辺の中点に対向させて配置することが好ましい。基板１０の上記短辺の長さを１とした場合、二等辺三角形のマスクの底辺長Ｗ１は、例えば、０．０５～０．２、好ましくは０．１～０．１５であり、長さＬ１は、例えば、０．５～１．５、好ましくは０．７５である。

図１１に示すように、マスク２４の平面形状が台形の場合、台形は線対称な形状であることが好ましい。また、マスク２４は台形の上辺の中点を基板１０の上辺の中点に対向させて配置することが好ましい。基板１０の上記短辺の長さを１とした場合、台形のマスクの上辺長Ｗ１は、例えば、０．０１～０．０５好ましくは０．０２５～０．０３５であり、底辺長Ｗ２は、例えば、０．０５～０．２５、好ましくは０．１～０．１５である。

以下、本開示の蒸着装置においてマスクを使うことによる効果を詳細に説明する。

最初に、マスクを備えない従来の蒸着装置の問題点について図１２から図１５を用いて説明する。図１３及び図１５は、マスク２０を備えずに、かつ、基板１０を回転させずに、基板１０に対して複数の位置で蒸着を行った場合の測定結果を示す。具体的には、図１に示す蒸着装置１において、マスク２０を備えず、かつ、図５に示す円軌道Ｃ上の位置Ｐ１～Ｐ１２の各位置に基板１０を設置する。この状態で、基板ホルダ１２を回転させず、それぞれの基板１０に斜方蒸着膜を成膜した。すなわち、円軌道Ｃ上の位置Ｐ１～Ｐ１２の各位置に基板１０を固定した状態で斜方蒸着膜を成膜した。各基板位置で成膜したそれぞれの蒸着膜について基板上下の位相差特性及び光学異方性について調べた。ここでは、図１２に示す１００ｍｍ×１００ｍｍの正方形の基板１０を用いた。基板１０の幅方向中心線上の基板上端から１２．５ｍｍの位置を基板上とし、下辺から１２．５ｍｍの位置を基板下とする。

まず、基板上及び基板下の２か所における蒸着膜の面内位相差Ｒｅ（０）を測定した。Ｒｅ（０）は入射角０°すなわち、蒸着膜の法線方向に光を入射させた場合の面内位相差Ｒｅ（０）であり、これを正面位相差という。Ｒｅ（０）の測定方法は、後述の実施例と同様である。

各位置Ｐ１～Ｐ１２におけるＲｅ（０）を図１３に示す。図１３において、横軸の基板位置１～１２は、円軌道Ｃ上の位置Ｐｎ（ｎは１～１２）である。図１３中、基板上での測定値をダイヤ型マーカーで示し、基板下での測定値を四角形マーカーで示し、基板上と基板下の測定値の差ΔＲｅ（０）を三角形マーカーで示す。

図１３に示すように、基板１０の位置を固定した状態で蒸着した場合、正面位相差の値は、円軌道Ｃ上の位置によって異なる。また、図１３において破線で囲まれた位置Ｐ１～Ｐ３、位置Ｐ１１～Ｐ１において、基板上と基板下とで正面位相差の差ΔＲｅ（０）が大きいことが分かる。これは、蒸着源１４に近い位置において、基板上下での蒸着膜の膜厚の差が大きく、膜厚の差に起因する面内位相差が大きく生じているためと考えられる。なお、基板幅方向においては、Ｒｅ（０）の差は±３ｎｍ以下であり、ほぼ均一であった。

次に、基板上及び基板下の２か所における蒸着膜の光学異方性の評価を行った。光学異方性は、図１４に示すように、蒸着膜３０に対して、入射角１５°で光を入射させた場合の面内位相差Ｒｅ（１５°）と入射角－１５°で光を入射させた場合の面内位相差Ｒｅ（－１５°）をそれぞれ測定し、Ｒｅ比＝Ｒｅ（１５°）／Ｒｅ（－１５°）で評価した。面内位相差Ｒｅ（１５°）及びＲｅ（－１５°）の測定方法は、後述の実施例と同様である。ここでは、柱状体の成長方向の傾斜方向を負の傾きとして示している。

Ｒｅ比が大きいほど光学異方性が高い２軸性屈折率楕円体であることを示し、Ｏプレートとして機能が高いことを意味する。Ｒｅ比が１以上であれば、Ｏプレートとしての機能を生じるが、Ｒｅ比が１に近いほど１軸性屈折率楕円体に近く、Ｏプレートとしての機能は低い。

各位置Ｐ１～Ｐ１２におけるＲｅ比を図１５に示す。図１５において、横軸の基板位置１～１２は、円軌道Ｃ上の位置Ｐｎ（ｎは１～１２）である。図１５中、基板上でのＲｅ比をダイヤ型マーカーで示し、基板下でのＲｅ比を四角形マーカーで示し、基板上と基板下の測定値の差ΔＲｅ比を三角形マーカーで示す。

図１５に示すように、蒸着源１４に近い位置Ｐ１近傍で成膜された蒸着膜は２軸性の光学異方性（すなわち、２軸性屈折率楕円体としての光学特性）を強く示すが、蒸着源１４から距離が遠い位置で成膜された蒸着膜の光学異方性は２軸性屈折率楕円体から１軸性屈折率楕円体に近い構造に変化している。すなわち、蒸着源から遠い位置Ｐ５～Ｐ１０で蒸着された場合十分な斜め蒸着が実現されていないと考えられる。また、図１５に示すように、位置Ｐ１近傍で成膜された蒸着膜においては、入射角が±１５°である場合の面内位相差についても基板上下の差が生じている。

以上の通り、位置Ｐ１近傍で、基板上下の面内位相差のばらつきが最も大きく、位置Ｐ７近傍で、２軸性屈折率楕円体としての機能が最も小さい。

実際には、基板１０を円軌道Ｃに沿って回転させつつ、蒸着を行うため、位置Ｐ１～Ｐ１２で順次蒸着され、面内位相差の面内ばらつきは平均化される。しかし、回転させつつ蒸着を行った場合であっても、位置Ｐ１を中心とする位置Ｐ１～Ｐ３及び位置Ｐ１１～Ｐ１で生じる基板上下間での面内位相差の差の影響により、基板１０を円軌道Ｃに沿って回転させた場合でも基板上下間で面内位相差の差が生じる。基板の面内において、面内位相差にばらつきがあると、位相差補償板として用いる場合に面内ばらつきが生じて、均等な位相差補償ができなくなるという問題が生じる。

同様に、位置Ｐ１～Ｐ１２で順次蒸着されることにより、光学異方性についても平均化される。しかし、回転させつつ蒸着を行った場合であっても、位置Ｐ７を中心とする位置Ｐ５～Ｐ９で生じる１軸性屈折率楕円体に近い光学特性のために、全体として、２軸性屈折率楕円体としての光学特性が小さくなるという問題が生じる。

上記考察によれば、位置Ｐ４及び位置Ｐ１０近傍で蒸着した場合、面内位相差の面内ばらつきは小さく、かつ、良好な異方性を示す蒸着膜を得ることができる。しかし、位置Ｐ４及び位置Ｐ１０近傍に基板を固定配置して蒸着膜を成膜する手法では、１枚の基板の蒸着に時間がかかり、効率よい生産を行うことができない、という問題がある。図１に示す蒸着装置１においては、基板ホルダ１２に複数の基板を配置して、回転させつつ蒸着することによって、複数の基板に同時に蒸着膜を成膜することが可能であるが、位置Ｐ４、位置Ｐ１０のみに基板を設置して回転させることなく蒸着する手法では、著しく生産性が低下する。

一方、蒸着装置において、位置Ｐ１及び位置Ｐ７近傍での蒸着を遮蔽するためのマスクであって、基板と共に回転せず、位置が固定された固定配置のマスクを設け、基板を回転させつつ蒸着する態様も考えられる。しかしながら、蒸着源１４からの距離が比較的近い領域である位置Ｐ１近傍での蒸着を完全に遮蔽してしまうと、蒸着膜を所望の膜厚まで成膜するためには相当時間を要し、やはり生産性の低下は著しい。

以上の通り、マスク２０を備えない従来の蒸着装置あるいは、固定設置されたマスクを備えた蒸着装置では、上記の問題がある。これに対し、本蒸着装置１においては、既述の通り、蒸着源１４に対して偏心した円軌道を回転する基板１０に対する相対位置が固定された状態で基板１０と共に円軌道Ｃに沿って回転するマスク２０を備えている。このマスク２０によって、基板１０が位置Ｐ１及び位置Ｐ７近傍を通過する際の蒸着を抑制することができるので、基板上下の面内位相差ばらつきが小さく、かつ良好な２軸性屈折率楕円体構造を得られる。また、マスク２０により基板１０が位置Ｐ１及び位置Ｐ７近傍を通過する際の蒸着を完全に遮蔽するのではなく、部分的に遮蔽するものであるので、蒸着膜を所望の膜厚まで成膜するまでの時間を、マスク２０を備えていない場合の成膜時間から大幅に増加させずに済む。したがって、所望の膜厚の蒸着膜を製造する際の生産性の低下を抑制することが可能である。

上記実施形態においては、基板ホルダ１２に基板１０を１つだけ保持させた場合について説明したが、基板ホルダ１２に、複数の基板１０に対して、同時に斜方蒸着膜を成膜することが好ましい。さらに、基板ホルダ１２は、ドーム形状の斜面に沿って複数の段に基板を保持可能に構成されていてもよい。この場合、異なる段に保持された基板はそれぞれ、直径が異なる、同心円状の円軌道に沿って回転することになる。このように複数の基板１０に対して同時に斜方蒸着膜を成膜することにより、生産効率を大幅に向上させることができる。

基板１０は、例えば、正方形の平板状のガラス薄板などの透明基板であるが、蒸着膜を形成するものであればよく、透明性を有しない基板であってもよい。基板１０の形状は、正方形や矩形に限らず、任意の形状を採用できる。基板１０の形状がどのようなものであっても、マスク２０の平面形状、寸法、蒸着面１０ａとマスク２０との距離、及びマスク２０の蒸着面１０ａに対する傾きを適宜調整することで、円軌道上の各位置における蒸着面１０ａへの蒸着量を変化させることで、蒸着膜の膜厚の均一化を図ることができる。

蒸着物質は、斜方蒸着によって蒸気の入射方向に沿って柱状に成長する材料であれば特に限定されないが、光学異方性膜として用いる場合には、五酸化タンタル、酸化チタン、酸化シリコンなどが好適に用いられる。

上記蒸着装置及び蒸着方法によって製造される斜方蒸着膜の用途は、位相差補償板に備えられる光学異方性膜に限られない。例えば、斜方蒸着膜は、液晶層を配向させるための下地層として用いることもできる。

以下、本開示の蒸着装置及び蒸着方法を用いた斜方蒸着膜の製造方法について実施例を説明する。
蒸着装置として、図１に示した蒸着装置と同様の構成の装置を用いた。斜方蒸着膜を成膜する基板として、正方形状の基板を用いた。図１６に、基板の一辺の長さを１として、マスクの寸法及び円軌道の寸法及び蒸着源の配置位置を規格化して示す。図１６においてマスクは省略している。以下の各例においては、基板設置角度を７８°、目標の正面位相差Ｒｅ（０）＝４０ｎｍとした。なお、ここで、基板設置角度は、基板の蒸着面が円軌道を含む面となす角度である。蒸着物質としては五酸化タンタルを用いた。

（比較例）
比較例として、マスクを備えない状態で、基板を円軌道に沿って回転させつつ、基板に蒸着して斜方蒸着膜を成膜した。

比較例のマスクなしで成膜した斜方蒸着膜について、基板中心振り分けで５ｍｍ間隔として合計４９ヶ所で垂直入射に対する面内位相差Ｒｅ（０）を測定し、平均値及び標準偏差を算出した。また、同様に４９ヶ所で入射角１５°及び－１５°入射に対する面内位相差Ｒｅ（１５°）及びＲｅ（－１５°）を測定し、Ｒｅ比＝Ｒｅ（１５°）／Ｒｅ（－１５°）を算出し、さらにその平均値及び標準偏差を求めた。後記の表中においてσは標準偏差を示す。各面内位相差は、大塚電子株式会社製、位相差測定機：型番RETS1200VAを用いて測定した。測定に際しては、測定光を図１４で示す３つの角度０°、１５°及び－１５°で斜方蒸着膜に入射させた際に生じる位相差値を、それぞれＲｅ（０）、Ｒｅ（１５°）及びＲｅ（－１５°）として取得した。ここで、蒸着膜の膜面の法線方向を測定光の入射角０°と定義し、柱状体が成長する方向と平行であり、かつ蒸着膜の膜面に垂直な面内において、蒸着膜の膜面の法線から ±１５°傾斜した角度がそれぞれ測定光の入射角１５°及び－１５°である。なお、柱状体は－１５°方位に傾斜している。

（実施例１）
平面形状が矩形であるマスクを用いた（図９参照）。マスク幅Ｗ１とマスク長Ｌ１、マスクと基板との距離Ｔ、及びマスク傾斜角度θを変化させた実施例１－１～実施例１－６の装置によって斜方蒸着膜を成膜した。表１にそれぞれの寸法を示す。表１においてマスク幅Ｗ１、マスク長Ｌ１及び距離Ｔは基板の一辺を１とした場合の値である。

各実施例１－１～１－６の装置で成膜した斜方蒸着膜について、比較例と同様にしてＲｅ（０）の平均値及び標準偏差、Ｒｅ比の平均値及び標準偏差を求めた。求めた結果を表１に示す。表１には比較のため、比較例についての結果を併せて示す。

マスクの平面形状が矩形である場合、マスク幅Ｗ１は０．０５～１、マスク長Ｌ１は０．５～１、基板－マスク間距離は０．７５～１．５を満たす全ての実施例１－１～１－６でマスクなしの場合よりもＲｅ（０）の面内ばらつきを低減することができた。また、Ｒｅ比の面内ばらつきも低減することができ、かつ、Ｒｅ比をマスクなしの場合よりも高くすることができ、二軸異方性を改善できた。また、マスク傾斜角度は５°～３０°の範囲で、良好な結果が得られた。なお、マスク幅が小さいほど、所望の膜厚の斜方蒸着膜を得る時間は短時間であった。

実施例１－６のように、マスク長が基板の長さより短くい場合にも面内位相差の面内ばらつきを抑制する効果が得られた。また、マスク長が基板の長さより短い方がＲｅ比は高く、良好な二軸異方性が得られた。

（実施例２）
平面形状が二等辺三角形であるマスクを用いた（図１０参照）。マスクの底辺長Ｗ１とマスク長Ｌ１、マスクと基板との距離Ｔ、及びマスク傾斜角度θを変化させた実施例２－１～２－４の装置によって斜方蒸着膜を成膜した。表２にそれぞれの寸法を示す。表２においてマスク底辺長Ｗ１、マスク長Ｌ１及び距離Ｔは基板の一辺を１とした場合の値である。

各実施例２－１～２－４の装置で成膜した斜方蒸着膜について、比較例と同様にしてＲｅ（０）の平均値及び標準偏差、Ｒｅ比の平均値及び標準偏差を求めた。求めた結果を表２に示す。表２には比較のため、比較例についての結果を併せて示す。

マスクの平面形状が二等辺三角形である場合、マスク底辺長Ｗ１は０．１～０．１５、マスク長Ｌ１は０．７５、基板－マスク間距離Ｔは３．７５とした全ての実施例２－１～２－４でマスクなしの場合よりもＲｅ（０）の面内ばらつきを低減することができた。また、Ｒｅ比の面内ばらつきも低減することができ、かつ、Ｒｅ比をマスクなしの場合よりも高くすることができ、二軸異方性を改善できた。また、マスク傾斜角度は７°～１４°の範囲で、良好な結果が得られた。

（実施例３）
平面形状が台形であるマスクを用いた（図１１参照）。マスク上辺長Ｗ１、底辺長Ｗ２、マスク長Ｌ１、マスクと基板との距離Ｔ、及びマスク傾斜角度θを変化させた実施例３－１～３－４の装置によって斜方蒸着膜を成膜した。表３にそれぞれの寸法を示す。表３においてマスク上辺長Ｗ１、底辺長Ｗ２、マスク長Ｌ１及び距離Ｔは基板の一辺を１とした場合の値である。

各実施例３－１～３－４の装置で成膜した斜方蒸着膜について、比較例と同様にしてＲｅ（０）の平均値及び標準偏差、Ｒｅ比の平均値及び標準偏差を求めた。求めた結果を表３に示す。表３には比較のため、比較例についての結果を併せて示す。

マスクの平面形状が台形である場合、マスク上辺長Ｗ１は０．０２５～０．０３５、マスクの底辺長Ｗ２は０．１～０．１５、マスク長は０．７５、基板－マスク間距離は０．７５とした全ての実施例３－１～３－４でマスクなしの場合よりもＲｅ（０）の面内ばらつきを低減することができた。また、Ｒｅ比の面内ばらつきも低減することができ、かつ、Ｒｅ比をマスクなしの場合よりも高くすることができ、光学異方性を改善できた。また、マスク傾斜角度は５°～１０°で、良好な結果が得られた。

１ 蒸着装置
１０ 基板
１０ａ 蒸着面
１０ｂ 蒸着面の上端
１０ｃ 蒸着面の下端
１１ 真空チャンバ
１２ 基板ホルダ
１３ 回転軸
１４ 蒸着源
１５ 回転機構
１６ 入射方向
１８ 固定接続部
２０ マスク
２０ａ 一面
２２ マスク
２４ マスク
３０ 蒸着膜
３０ 斜方蒸着膜
１００ 位相差補償板
１０１ 基板
１０２ Ｃプレート
１０３ 第１のＯプレート
１０４ 第２のＯプレート

Claims (17)

1. 蒸着物質が蒸着される蒸着面を有する基板を回転させながら、前記基板に対して蒸着膜を成膜するための蒸着装置であって、
   前記基板を円軌道に沿って回転させる回転機構と、
   前記円軌道に沿って回転する前記基板の前記蒸着面に向けて、前記蒸着物質が気化した蒸気を発する蒸着源であって、前記円軌道を平面視した場合において、前記円軌道の内側で、かつ、前記円軌道の中心とは異なる位置に配置された蒸着源と、
   前記蒸着源に対して前記蒸着面を傾斜させた姿勢で前記基板を保持する基板ホルダであって、前記蒸着面を傾斜させた姿勢を保ちながら、前記基板と共に前記円軌道に沿って回転する基板ホルダと、
   前記蒸着源から前記蒸着面に向かう蒸気の一部を遮蔽するマスクであって、前記蒸着面と対向する位置に間隔を空けて配置され、かつ、前記蒸着面との相対位置が固定された状態で、前記基板と共に回転するマスクとを備え、
   前記円軌道を平面視したときに前記蒸着源と前記円軌道の中心とを通る直線と交わる前記円軌道上の２点をそれぞれ０°位置及び１８０°位置とした場合において、
   前記０°位置及び前記１８０°位置に前記基板がある場合における前記蒸着物質の蒸着量が、前記０°位置及び前記１８０°位置から９０°回転した前記円軌道上の９０°位置及び２７０°位置に前記基板がある場合における前記蒸着量よりも少なくなる態様で、前記マスクの平面形状及び前記マスクと前記基板との相対位置が決定されている、蒸着装置。
2. 前記０°位置及び前記１８０°位置に前記基板がある場合における前記蒸着量が最も少なく、前記９０°位置、及び前記２７０°位置に向かって、前記蒸着量が増加する態様で、前記マスクの平面形状及び前記マスクと前記基板との相対位置が決定されている、請求項１に記載の蒸着装置。
3. 蒸着物質が蒸着される蒸着面を有する基板を回転させながら、前記基板に対して蒸着膜を成膜するための蒸着装置であって、
   前記基板を円軌道に沿って回転させる回転機構と、
   前記円軌道に沿って回転する前記基板の前記蒸着面に向けて、前記蒸着物質が気化した蒸気を発する蒸着源であって、前記円軌道を平面視した場合において、前記円軌道の内側で、かつ、前記円軌道の中心とは異なる位置に配置された蒸着源と、
   前記蒸着源に対して前記蒸着面を傾斜させた姿勢で前記基板を保持する基板ホルダであって、前記蒸着面を傾斜させた姿勢を保ちながら、前記基板と共に前記円軌道に沿って回転する基板ホルダと、
   前記蒸着源から前記蒸着面に向かう蒸気の一部を遮蔽するマスクであって、前記蒸着面と対向する位置に間隔を空けて配置され、かつ、前記蒸着面との相対位置が固定された状態で、前記基板と共に回転するマスクとを備え、
   前記マスクは、一面が前記蒸着面と対向する姿勢で配置されており、
   前記蒸着源が前記蒸気を発する方向を上方とした場合において、前記円軌道は、前記蒸着源の上方に配置されており、
   前記基板は、前記蒸着面と前記円軌道の接線とが平行になる姿勢で、かつ、前記蒸着面の上端が前記円軌道の内側に向く姿勢、かつ、前記蒸着面の下端が前記円軌道の外側に向く姿勢で配置されており、かつ、
   前記マスクは、前記一面の下端が上端よりも前記蒸着面に近接する方向に傾斜した姿勢で配置されており、前記マスクの前記一面と前記蒸着面とが平行な場合の傾斜角を０°とした場合において、前記蒸着面に対する前記マスクの前記一面の傾斜角は５°～３０°である、蒸着装置。
4. 前記マスクは、一面が前記蒸着面と対向する姿勢で配置されている、請求項１又は２に記載の蒸着装置。
5. 前記円軌道の接線方向を、前記蒸着面及び前記マスクの幅方向とした場合において、前記マスクの幅は前記蒸着面の幅以下である、請求項３又は４に記載の蒸着装置。
6. 前記蒸着源が前記蒸気を発する方向を上方とした場合において、前記円軌道は、前記蒸着源の上方に配置されており、
   前記基板は、前記蒸着面と前記円軌道の接線とが平行になる姿勢で、かつ、前記蒸着面の上端が前記円軌道の内側に向く姿勢、かつ、前記蒸着面の下端が前記円軌道の外側に向く姿勢で配置されている、請求項４を引用する請求項５に記載の蒸着装置。
7. 前記マスクの前記一面と前記蒸着面とが平行な場合の傾斜角を０°とした場合において、前記蒸着面に対する前記マスクの前記一面の傾斜角は５°～３０°である請求項６に記載の蒸着装置。
8. 前記マスクの平面形状は線対称形状である、請求項３、６及び７のいずれか１項に記載の蒸着装置。
9. 前記円軌道の接線方向を前記蒸着面の幅方向とした場合において、前記マスクの対称軸を前記蒸着面に投影した直線が、前記蒸着面の幅方向の中心線と一致する位置に前記マスクが配置されている、請求項８に記載の蒸着装置。
10. 前記マスクの平面形状は多角形である、請求項３、及び請求項７から９のいずれか１項に記載の蒸着装置。
11. 前記マスクの平面形状が矩形であり、
    前記蒸着面の幅を１とした場合、前記マスクの幅は０．０５～１であり、
    前記幅の方向と直交する方向の前記マスクの長さは０．５～１であり、
    前記蒸着面に対して傾斜して配置される前記マスクの前記一面と前記蒸着面との最大間隔は、０．７５～１．５である請求項３、及び請求項７から１０のいずれか１項に記載の蒸着装置。
12. 前記マスクは板状である、請求項１から１１のいずれか１項に記載の蒸着装置。
13. 蒸着物質が蒸着される蒸着面を有する基板を回転させながら、前記基板に対して蒸着膜を成膜するための蒸着方法であって、
    前記基板が回転する円軌道を平面視した場合において、前記円軌道の内側で、かつ、前記円軌道の中心とは異なる位置に、前記蒸着物質が気化した蒸気を発する蒸着源を配置し、
    前記蒸着源に対して前記蒸着面を傾斜させた姿勢で前記基板を基板ホルダによって保持し、
    前記蒸着源から前記蒸着面に向かう蒸気の一部を遮蔽するマスクを、前記蒸着面と対向する位置に間隔を空けて配置し、かつ、前記マスクと前記蒸着面との相対位置を固定し、
    前記蒸着源に対して前記蒸着面を傾斜させた姿勢を保ちながら、前記基板と、前記相対位置が固定された前記マスクとを前記円軌道に沿って回転させ、
    前記マスクと共に前記円軌道に沿って回転する前記基板の前記蒸着面に対して、前記蒸着源から発する前記蒸気を蒸着させる蒸着方法であり、
    前記円軌道を平面視したときに前記蒸着源と前記円軌道の前記中心とを通る直線と交わる前記円軌道上の２点をそれぞれ０°位置及び１８０°位置とした場合において、
    前記０°位置及び前記１８０°位置に前記基板がある場合における前記蒸着物質の蒸着量が、前記０°位置及び前記１８０°位置から９０°回転した前記円軌道上の９０°位置及び２７０°位置に前記基板がある場合における前記蒸着量よりも少なくする態様で、前記マスクの平面形状及び前記マスクと前記基板との相対位置が決定されている、蒸着方法。
14. 前記０°位置及び前記１８０°位置に前記基板がある場合における前記蒸着量が最も少なく、前記９０°位置、及び前記２７０°位置に向かって、徐々に前記蒸着量が増加する態様で、前記マスクの平面形状及び前記マスクと前記基板との相対位置が決定されている、請求項１３に記載の蒸着方法。
15. 蒸着物質が蒸着される蒸着面を有する基板を回転させながら、前記基板に対して斜方蒸着膜を成膜する斜方蒸着膜の製造方法であって、
    前記基板が回転する円軌道を平面視した場合において、前記円軌道の内側で、かつ、前記円軌道の中心とは異なる位置に、前記蒸着物質が気化した蒸気を発する蒸着源を配置し、
    前記蒸着源に対して前記蒸着面を傾斜させた姿勢で前記基板を基板ホルダによって保持し、
    前記蒸着源から前記蒸着面に向かう蒸気の一部を遮蔽するマスクを、前記蒸着面と対向する位置に間隔を空けて配置し、かつ、前記マスクと前記蒸着面との相対位置を固定し、
    前記蒸着源に対して前記蒸着面を傾斜させた姿勢を保ちながら、前記基板と、前記相対位置が固定された前記マスクとを前記円軌道に沿って回転させ、
    前記マスクと共に前記円軌道に沿って回転する前記基板の前記蒸着面に対して、前記蒸着源から発する前記蒸気を蒸着させる斜方蒸着膜の製造方法であり、
    前記円軌道を平面視したときに前記蒸着源と前記円軌道の前記中心とを通る直線と交わる前記円軌道上の２点をそれぞれ０°位置及び１８０°位置とした場合において、
    前記０°位置及び前記１８０°位置に前記基板がある場合における前記蒸着物質の蒸着量が、前記０°位置及び前記１８０°位置から９０°回転した前記円軌道上の９０°位置及び２７０°位置に前記基板がある場合における前記蒸着量よりも少なくする態様で、前記マスクの平面形状及び前記マスクと前記基板との相対位置を決定されている、斜方蒸着膜の製造方法。
16. 蒸着物質が蒸着される蒸着面を有する基板を回転させながら、前記基板に対して蒸着膜を成膜するための蒸着方法であって、
    前記基板が回転する円軌道を平面視した場合において、前記円軌道の内側で、かつ、前記円軌道の中心とは異なる位置に、前記蒸着物質が気化した蒸気を発する蒸着源を配置し、
    前記蒸着源に対して前記蒸着面を傾斜させた姿勢で前記基板を基板ホルダによって保持し、
    前記蒸着源から前記蒸着面に向かう蒸気の一部を遮蔽するマスクを、前記蒸着面と対向する位置に間隔を空けて配置し、かつ、前記マスクと前記蒸着面との相対位置を固定し、
    前記蒸着源に対して前記蒸着面を傾斜させた姿勢を保ちながら、前記基板と、前記相対位置が固定された前記マスクとを前記円軌道に沿って回転させ、
    前記マスクと共に前記円軌道に沿って回転する前記基板の前記蒸着面に対して、前記蒸着源から発する前記蒸気を蒸着させる蒸着方法であり、
    前記マスクを、一面が前記蒸着面と対向する姿勢で配置し、
    前記蒸着源が前記蒸気を発する方向を上方とした場合において、前記円軌道を、前記蒸着源の上方に配置し、
    前記基板を、前記蒸着面と前記円軌道の接線とが平行になる姿勢で、かつ、前記蒸着面の上端が前記円軌道の内側に向く姿勢、かつ、前記蒸着面の下端が前記円軌道の外側に向く姿勢で配置し、かつ、
    前記マスクを、前記一面の下端が上端よりも前記蒸着面に近接する方向に傾斜した姿勢で配置し、前記マスクの前記一面と前記蒸着面とが平行な場合の傾斜角を０°とした場合において、前記蒸着面に対する前記マスクの前記一面の傾斜角を５°～３０°とする、蒸着方法。
17. 蒸着物質が蒸着される蒸着面を有する基板を回転させながら、前記基板に対して斜方蒸着膜を成膜する斜方蒸着膜の製造方法であって、
    前記基板が回転する円軌道を平面視した場合において、前記円軌道の内側で、かつ、前記円軌道の中心とは異なる位置に、前記蒸着物質が気化した蒸気を発する蒸着源を配置し、
    前記蒸着源に対して前記蒸着面を傾斜させた姿勢で前記基板を基板ホルダによって保持し、
    前記蒸着源から前記蒸着面に向かう蒸気の一部を遮蔽するマスクを、前記蒸着面と対向する位置に間隔を空けて配置し、かつ、前記マスクと前記蒸着面との相対位置を固定し、
    前記蒸着源に対して前記蒸着面を傾斜させた姿勢を保ちながら、前記基板と、前記相対位置が固定された前記マスクとを前記円軌道に沿って回転させ、
    前記マスクと共に前記円軌道に沿って回転する前記基板の前記蒸着面に対して、前記蒸着源から発する前記蒸気を蒸着させる斜方蒸着膜の製造方法であり、
    前記マスクを、一面が前記蒸着面と対向する姿勢で配置し、
    前記蒸着源が前記蒸気を発する方向を上方とした場合において、前記円軌道を、前記蒸着源の上方に配置し、
    前記基板を、前記蒸着面と前記円軌道の接線とが平行になる姿勢で、かつ、前記蒸着面の上端が前記円軌道の内側に向く姿勢、かつ、前記蒸着面の下端が前記円軌道の外側に向く姿勢で配置し、かつ、
    前記マスクを、前記一面の下端が上端よりも前記蒸着面に近接する方向に傾斜した姿勢で配置し、前記マスクの前記一面と前記蒸着面とが平行な場合の傾斜角を０°とした場合において、前記蒸着面に対する前記マスクの前記一面の傾斜角を５°～３０°とする、斜方蒸着膜の製造方法。

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