JP7300051B1 - リードフレーム及び半導体パッケージ - Google Patents
リードフレーム及び半導体パッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP7300051B1 JP7300051B1 JP2022180722A JP2022180722A JP7300051B1 JP 7300051 B1 JP7300051 B1 JP 7300051B1 JP 2022180722 A JP2022180722 A JP 2022180722A JP 2022180722 A JP2022180722 A JP 2022180722A JP 7300051 B1 JP7300051 B1 JP 7300051B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper alloy
- room temperature
- elongation
- mass
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 30
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 123
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 35
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 38
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 13
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 12
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 claims description 11
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 21
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 62
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 39
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 37
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 32
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 30
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 21
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 16
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- UREBDLICKHMUKA-CXSFZGCWSA-N dexamethasone Chemical compound C1CC2=CC(=O)C=C[C@]2(C)[C@]2(F)[C@@H]1[C@@H]1C[C@@H](C)[C@@](C(=O)CO)(O)[C@@]1(C)C[C@@H]2O UREBDLICKHMUKA-CXSFZGCWSA-N 0.000 description 10
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910017876 Cu—Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018098 Ni-Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018529 Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910020711 Co—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019819 Cr—Si Chemical class 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Ni 2 Si Chemical compound 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- JGUQDUKBUKFFRO-CIIODKQPSA-N dimethylglyoxime Chemical compound O/N=C(/C)\C(\C)=N\O JGUQDUKBUKFFRO-CIIODKQPSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/02—Alloys based on copper with tin as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/04—Alloys based on copper with zinc as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/05—Alloys based on copper with manganese as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/06—Alloys based on copper with nickel or cobalt as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/10—Alloys based on copper with silicon as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/08—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of copper or alloys based thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/02—Single bars, rods, wires, or strips
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
このMAP方式では、図1に示すように、製品形状のリードフレームのリード部2,4が、コネクティングバー6を介して縦横に複数個繋がったリードフレーム素形体10xを用い、このリードフレーム素形体10xの所定位置にそれぞれ複数の半導体チップ102、104・・・を配置して各リード部2,4と電気的に接続するとともに、全体を一括して樹脂封止する。そして、コネクティングバー6と各リード部2,4との間の切断方向E1,E2を回転刃50によってダイシングして個片化し、個々の半導体パッケージ製品に切り分ける。
特に、MAP方式は、QFN(Quad Flat Non lead package)型半導体パッケージと称される、リードがはみ出ないリードレス構造に好適に適用される。
以上の点から、ダイシングバリを低減することが必要である。特に、電子部品の小型化にともない、リード部の幅および間隔は小さくなる傾向にあり、ダイシングバリを低減することがさらに要求される。
さらに、リード部と垂直な切断方向にダイシングした際のバリの幅W2の設計幅W0に対する比率が、加熱処理を受けたときの銅合金素材そのものの破断伸びとほぼ同一であることを見出した。これは、例えば上記したQFN(Quad Flat Non lead package)型半導体パッケージのように、リード部が樹脂に拘束された状態で切断されるため、銅素材の引張試験と同じような機構が働くためと考えられる。
0.2%耐力の測定方法:
引張試験機により、JIS-Z2241(2011)に従い、圧延方向と平行な方向における0.2%耐力(YS)をそれぞれ測定する。引張方向が圧延方向と平行な方向になるように、プレス機を用いてJIS13B号試験片を作製する。引張試験の条件は、試験片幅12.5mm、室温(25℃)、引張速度5mm/min、ゲージ長さ50mmとする。繰り返し回数N=2(2個の試験片)で試験を行い、2つのデータの平均値を得られた試料の0.2%耐力とする。
400℃30分加熱後に大気雰囲気中で静置して銅合金の温度が室温まで低下したときの破断伸びの測定方法:
引張方向が圧延方向になるように、プレス機を用いてJIS13B号試験片を作製する。当該試験片を表面の酸化を防止するため、厚みが35μmのタフピッチ銅箔で試料を包装し、外気から遮断された試料について、大気雰囲気で400℃で30分間の加熱を行う。その後、大気雰囲気中で試験片を静置し、銅合金の温度を室温(25℃)まで低下させる。その後にJIS-Z2241(2011)に準拠して、JIS-Z2241(2011)に規定される破断伸び(%)を引張試験機により測定する。引張試験の条件は、試験片幅12.5mm、室温(25℃)、引張速度5mm/min、ゲージ長さ50mmとする。繰り返し回数N=2(2個の試験片)で試験を行い、2つのデータの平均値を破断伸び(%)とする。
本発明の実施形態における銅合金はSiと化合物を形成する元素の一種以上を合計で0.5質量%以上含有することが好ましい。
本発明の実施形態における銅合金はSiと化合物を形成する元素の一種以上を合計で7.0質量%以下含有することができる。
本発明の実施形態における銅合金はCo,Cr,Mn,Mg及びFeからなる群から選択される一種以上の元素を合計で7.0質量%以下含むことができる。
更に別の一例として、コルソン合金はNiを0.5~4.5質量%、Siを0.1質量%超~1.3質量%、Coを0.5~2.5質量%、Crを0.03~0.5質量%含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。
更に別の一例として、コルソン合金は後述するCu-Ni-Si系銅合金の組成を有する。
Ni及びSiは、時効処理を行うことによりNiとSiが微細なNi2Siを主とした金属間化合物の析出粒子を形成し、合金の強度を著しく増加させる。また、時効処理でのNi2Siの析出に伴い、導電性が向上する。
Ni濃度が2.2%以上の場合、またはSi濃度が0.25%以上の場合は、所望とする強度が得られやすくなる。また、Ni濃度が4.2%以下の場合、またはSi濃度が1.2%以下の場合は、導電性が良好となりやすい。よって、Niの含有量を2.2~4.2%とし、Siの含有量を0.25~1.2%とする。好ましくは、Niの含有量を2.2~3.2%とし、Siの含有量を0.4~0.6%とする。
Ni(質量%)/Si(質量%)の比が3~5であることが好ましい。
Pbは、熱間加工性向上の観点から0.1質量%未満とすることが好ましい。
Znは、はんだ耐熱剥離特性を改善する元素であり、1.0質量%未満とすることで、導電性も良好となりやすい。
Feは、強度に寄与する元素であり、0.20質量%未満とすることで、導電性も良好となりやすい。
Mnは、熱間加工性を改善する元素であり、0.10質量%未満とすることで、導電性も良好となりやすい。
Mgは、強度に寄与する元素であり、0.30質量%以下とすることで、導電性も良好となりやすい。また、0.05質量%以上とすることでより強度を向上させることができる。
帯状銅合金材の組成は蛍光X線分析により測定できる。具体的には、蛍光X線分析はリガク社製Simultix14を使用し測定する。
分析面は表面最大粗さRz(JIS-B0601(2013)が6.3μm以下となるように切削もしくは機械研磨したものを用いればよい。溶解鋳造中の溶湯から分析サンプルを採取する場合は30~40mmΦ、厚み50~80mm程度の形状に鋳込んだのち、厚み10~20mm程度に切断したのち切断面を分析面とする。
分析面は表面最大粗さRz(JIS-B0601(2013))が6.3μm以下になるまで切削もしくは機械研磨を繰り返す。
具体的には、日立ハイテクサイエンス社製ICP発光分光分析装置(ICP-OES)SPS3100を用いて測定を行う。ICP発光分光分析法の場合はサンプルを塩酸と硝酸による混酸(塩酸2,硝酸1,水2)にて溶解したものを希釈して用いる。ICP発光分光分析法における各元素の一般的な測定方法としては後述のJIS規格を参考にしても良い。具体的には、FeはJIS-H1054(2002)、PbはJIS-H1053(2009)、SnはJIS-H1052(2010)、PはJIS-H1058(2013)、ZnはJIS-H1062(2006)、CoはJIS-H1060(2002)、MnはJIS-H1055(2003)に従ってICP発光分光分析を実施すればよい。
本発明の銅合金は、JIS-Z2241(2011)に規定する0.2%耐力が550MPa以上である。0.2%耐力が550MPa未満であると、リードフレームを製造する際、エッチング時のスプレー圧によりリード部分が変形する場合がある。また、半導体パッケージに加工する際、ワイヤーボンディング部からの圧力や樹脂を金型に埋め込む際に圧力がかかり、リード部が変形する場合がある。
リード部分の変形をより抑制する観点からは0.2%耐力は630MPa以上が好ましく、750MPa以上がさらに好ましい。
なお、引張試験機により、JIS-Z2241(2011)に従い、JIS-13B号試験片につき、引張速度(ゲージ長さ50mm、引張速度5mm/min)で、圧延方向と平行な方向における0.2%耐力(YS)を繰り返し回数N=2(2個の試験片)で試験を行い、2つのデータの平均とする。
本発明の実施形態に係る銅合金は、表面の酸化を防止する雰囲気(アルゴン、窒素等の非酸化性ガス;又は、アルゴン若しくは窒素等のガスに水素等のガスを混合した還元性ガス)中、もしくは酸化防止のため35μmの銅箔にて包装し、外気から遮断されたものを大気雰囲気中で400℃で30分加熱後、静置して、銅合金の温度が室温まで低下した後に室温(25℃)で0.2%耐力を測定する際の引張試験を実施し、破断したときの伸びが10%以下である。ここで、伸びとはJIS-Z2241(2011)に規定される破断伸び(%)のことを意味する。なお、JISの付属書G及びHは適用していない。
破断伸びが10%以下であると、本発明の実施形態に係るCu-Ni-Si系銅合金から製造した半導体リードフレームにおいて、樹脂によって封止されたリード部をその延在方向に対して垂直な方向に切断したときのバリ(ダイシングバリ)の発生を抑制することができる。
ここで、400℃で30分加熱後の伸びとする理由は、上述のようにリード部と半導体チップとを電気的に接続する方法として、最も高温となる熱拡散法の温度(400℃程度)を想定したものである。
つまり、帯状銅合金材の伸びの上限を10%とすれば、帯状銅合金材から製造した半導体リードフレームにおけるリード部のダイシングバリの幅W2(図2)を、リード部の設計幅W0からの許容差(±10%)以下とすることができる。
破断伸びの測定は、繰り返し回数N=2(2個の試験片)引張試験にて、破断したときの伸び(JIS Z2241(2011)に規格される破断伸び(%))の2つのデータの平均とする。
本発明の実施形態に係る帯状銅合金材は、引張強さTSが800MPa以上であることが好ましい。引張強さTSを800MPa以上とすると強度がより向上し、リードフレームの変形等を防止できる。
半導体素子の高機能化に伴う処理能力の増大等により、リードフレーム等の回路の通電発熱が増大するので、帯状銅合金材の導電率を30%IACS以上とすることが好ましく、40%IACS以上とすることがより好ましい。また、400℃で30分加熱後の破断伸びを抑制するため、導電率を51%IACS以下とすることが好ましく、47%IACS以下とすることがより好ましく、43%IACS以下とすることがさらに好ましい。
例えば、導電率の好適範囲としては、30~51%IACS、30~47%IACS、30~43%IACS、40~51%IACS、40~47%IACSが挙げられる。
帯状銅合金材は、通常、インゴットを熱間圧延、冷間圧延、溶体化処理、時効処理、仕上冷間圧延、歪取焼鈍の順で行って製造することができる。溶体化処理前の冷間圧延は必須ではなく、必要に応じて実施してもよい。また、溶体化処理後で時効処理前に冷間圧延を必要に応じて実施してもよいし、溶体化処理と時効処理をそれぞれ2回以上行ってもよい。上記各工程の間に、表面の酸化スケール除去のための研削、研磨、ショットブラスト、酸洗、脱脂等を適宜行うことができる。
時効処理は、溶体化処理で固溶させたシリサイドを、Ni2Si、Co2Si、Cr2Siなどを主とした金属間化合物の微細粒子として析出させる。この時効処理で強度と導電率が上昇する。時効処理は、例えば375~625℃、1~50時間の条件で行うことができ、これにより強度を向上させことができる。
時効処理の温度や時間が上記範囲未満であると、Ni2Si、Co2Si、Cr2Siなどのシリサイドの析出量が少なく十分な強度(引張強さや0.2%耐力など)が得られないことがある。時効処理の温度や時間が上記範囲を超えると、析出粒子の粗大化や再固溶が起こり、強度や導電率が十分に向上しないことがある。なお、時効処理の温度や時間が上記範囲を超える場合においては時効時間が短いと、引張強さは高いが導電率は低い傾向にあり、時効温度が高いと、再固溶により引張強度、導電率ともに低い傾向にある。
次に、時効処理の後に冷間圧延(仕上冷間圧延)を加工度40%以上で行うとよい。仕上冷間圧延によって材料に加工歪を与え、強度を向上させることができる。
仕上冷間圧延の加工度が40%未満であると、強度を十分に向上させることが困難な場合がある。仕上冷間圧延の加工度は40~90%が好ましい。加工度が90%を超えると、強加工の加工歪により強度が向上しても導電率が低下する場合がある。
仕上冷間圧延の加工度は、仕上冷間圧延の直前の材料厚みに対する、仕上冷間圧延による厚みの変化率である。
本発明のCu-Ni-Si系帯状銅合金材の厚みは特に限定されないが、例えば0.03~0.6mmとすることができる。
仕上冷間圧延の後に歪取焼鈍を行う。歪取焼鈍は一般的な条件で行えばよく、例えば300℃~550℃、保持時間を5秒~300秒で行うことができる。但し、歪取焼鈍後、大気雰囲気中で静置して銅合金の温度が室温(25℃)まで低下した後に室温で測定した伸びが10%未満、好ましくは7%以下、より好ましくは5%以下となる条件とする。仕上冷間圧延の後に歪取焼鈍において温度をより低くする、または、時間をより短くすることにより歪取焼鈍後、大気雰囲気中で静置して銅合金の温度が室温(25℃)まで低下した後に室温で測定した破断伸びをより小さくすることができる。上述のように、歪取焼鈍後、大気雰囲気中で静置して銅合金の温度が室温(25℃)まで低下した後に室温で測定した破断伸びを制御することにより、銅合金の400℃で30分間加熱後に、大気雰囲気中で静置して銅合金の温度が室温(25℃)まで低下した後に室温で測定した場合の破断伸びを10%以下に制御しやすくなる。
一般的な歪取焼鈍は、応力緩和特性、曲げ性、伸び、熱伸縮特性の向上又は残留応力の低減を目的として行われるが、最適な条件は、目的ごとに異なる。本発明の実施形態では、一般的な応力緩和特性、曲げ性、伸び、熱伸縮特性を改善、向上又は残留応力の低減する点からは不利な条件であっても、歪取焼鈍後、大気雰囲気中で静置して銅合金の温度が室温(25℃)まで低下した後に室温で測定した破断伸びが10%未満、好ましくは7%以下、より好ましくは5%以下となるような条件とする。
ΔELを3.0%以下とすることで、歪取焼鈍における析出物の粗大化を低減することができる。それによって、400℃30分加熱したときの析出物の粗大化を低減し、400℃30分加熱後に大気雰囲気中で静置して銅合金の温度が室温(25℃)まで低下した後に室温で測定したときの破断伸びを10%以下に制御することができる。
後述する表1、図3から、(引張強さ/導電率)すなわち、引張強さ(MPa)を導電率(%IACS)で割った値と、400℃で30分加熱後に大気雰囲気中で静置して銅合金の温度が室温(25℃)まで低下した後に室温で測定した破断伸びとの間に相関がみられた。引張強さは、強度の向上や加熱による軟化防止に寄与する微細な析出物や銅に固溶している元素がどの程度銅合金中に存在するかの指標となる。
すなわち、引張強さが高いと強度の向上や加熱による軟化防止に寄与する微細な析出物や、銅に固溶している元素が多いと推定できる。また、引張強さが低いと強度の向上や加熱による軟化防止に寄与する微細な析出物や、銅に固溶している元素が少ないと推定できる。
よって、引張強さが高い場合には、400℃で30分加熱後に大気雰囲気中で静置して銅合金の温度が室温(25℃)まで低下した後に室温で測定した破断伸びが小さくなる傾向にある。また、引張強さが低い場合には、400℃で30分加熱後に大気雰囲気中で静置して銅合金の温度が室温(25℃)まで低下した後に室温で測定した破断伸びが大きくなる傾向にある。
また、導電率が高いと、銅以外の元素が少なく固溶していると推定できる。そして、銅以外の元素が多く固溶していると、格子歪が大きくなり、延性が低下し、400℃で30分加熱後に大気雰囲気中で静置して銅合金の温度が室温(25℃)まで低下した後に室温で測定した破断伸びの値が小さくなる傾向にある。銅以外の元素が少なく固溶していると、格子歪は小さくなり、延性が向上し、400℃で30分加熱後に大気雰囲気中で静置して銅合金の温度が室温(25℃)まで低下した後に室温で測定した破断伸びの値は大きくなる傾向にある。
また、引張強さ/導電率の値が小さいほど、軟化防止に寄与する微細な析出物が少なく、また、銅合金中に固溶している銅以外の元素の量が少ないことを意味するため、400℃で30分加熱後に大気雰囲気中で静置して銅合金の温度が室温(25℃)まで低下した後に室温で測定した場合の破断伸びの値は大きくなる傾向にある。
そのため、まず、合金の組成や、溶体化処理後の各工程の順番や回数を固定して1度銅合金の製造を行い、引張強さ/導電率の値と、400℃で30分加熱後に大気雰囲気中で静置して銅合金の温度が室温(25℃)まで低下した後に室温で測定した破断伸びの値を測定する必要がある。その後、所望の400℃で30分加熱後に大気雰囲気中で静置して銅合金の温度が室温(25℃)まで低下した後に室温で測定した破断伸びを得るために、引張強さ/導電率の値を大きくするのか、小さくするのかの方針を決定する。
そして、当該方針に従って、引張強さ/導電率の値を調整するために、後述の内容を参考にして、仕上冷間圧延または時効処理の条件を調整して、引張強さ/導電率の値を大きく、または、小さくする。そして、引張強さ/導電率の値を大きく、または、小さくすることにより、400℃で30分加熱後に大気雰囲気中で静置して銅合金の温度が室温(25℃)まで低下した後に室温で測定した破断伸びの値を所望の値に制御することができる。
又、導電率は時効処理によって調整され、時効処理が弱い(より低温、より短時間)と、導電率が低くなる場合がある。
そのため、銅合金の組成や、溶体化処理後の各工程の順番や回数が異なる場合には、別途、図3と同様な図を作成する必要がある。
実施例1と比較例1の各工程における製造条件の違いは以下のとおりである。
実施例1は、仕上冷間圧延にて、0.2%耐力が550MPa以上になる加工度を設定した。ここで、比較例1は、引張強さが低く、導電率が高くなる時効温度であったため、比較例1の仕上冷間圧延では、実施例1に比べ加工度を高く設定した。
又、仕上冷間圧延後の歪取焼鈍は、表1に記載のΔELの条件で行った。
得られた試料につき、JIS-H0505(1975)に基づいて4端子法により、25℃の導電率(%IACS)を測定した。
得られた試料につき、引張試験機により、JIS-Z2241(2011)に従い、圧延方向と平行な方向における引張強さ(TS)をそれぞれ測定した。まず、各試料から、引張方向が圧延方向になるように、プレス機を用いてJIS13B号試験片を作製した。引張試験の条件は、試験片幅12.5mm、室温(25℃)、引張速度5mm/min、ゲージ長さ50mmとした。繰り返し回数N=2個の試験片)で試験を行い、2つのデータの平均値を得られた試料の引張強さ(TS)とした。
得られた試料につき、引張試験機により、JIS-Z2241(2011)に従い、圧延方向と平行な方向における0.2%耐力(YS)をそれぞれ測定した。
まず、各試料から、引張方向が圧延方向と平行な方向になるように、プレス機を用いてJIS13B号試験片を作製した。引張試験の条件は、試験片幅12.5mm、室温(25℃)、引張速度5mm/min、ゲージ長さ50mmとした。繰り返し回数N=2(2個の試験片)で試験を行い、2つのデータの平均値を得られた試料の0.2%耐力とした。
まず、各試料から、引張方向が圧延方向になるように、プレス機を用いてJIS13B号試験片を作製した。当該試験片の表面の酸化を防止するため、厚みが35μmのタフピッチ銅箔で試料を包装し、外気から遮断された試料について、大気雰囲気で400℃で30分間の加熱を行った。
その後、大気雰囲気中で試験片を静置し、十分に銅合金の温度を室温(25℃)まで低下させた。その後にJIS-Z2241(2011)に準拠して、JIS-Z2241(2011)に規定される破断伸び(%)を引張試験機により測定した。
引張試験の条件は、試験片幅12.5mm、室温(25℃)、引張速度5mm/min、ゲージ長さ50mmとした。繰り返し回数N=2(2個の試験片)で試験を行い、2つのデータの平均値を得られた試料の400℃で30分間加熱後に室温まで冷却して測定した場合の破断伸び(%)とした。なお、JIS-Z2241(2011)の付属書GおよびHは適用しなかった。
得られた試料につき、所定寸法のリード部を作成して樹脂に埋設し、所定の丸刃を用いてリード部の延びる方向に垂直にダイシングした。バリの寸法が顧客基準を満たしている場合には良好、顧客基準を満たしていない場合には不良とする。なお、リードフレームにおいて要求される寸法精度等を考慮すると、バリ寸法がリード部の幅の10%以下であればダイシングバリは良好に抑制されているといえる。そのため顧客基準も、バリ寸法がリード部の幅の10%以下である場合には良好と判断し、バリ寸法がリード部の幅の10%超である場合には不良と判断するものであると思われる。
一方、400℃で30分加熱後に大気雰囲気中で静置して十分に銅合金の温度が室温まで低下した後に室温(25℃)で測定した破断伸びが10%を超えた比較例1の場合、ダイシングバリが生じた。
一方、比較例1は、ΔELの値が大きい条件での歪取焼鈍を行ったため歪取焼鈍前の伸びが10%未満であったが、歪取焼鈍後の時点で破断伸びが大幅に高くなり、ほぼ10%のレベルに達した。これより、比較例1は、加熱により破断伸びが高くなりやすい性質を顕著に有することが明らかになった。原因として、比較例は、(引張強さ/導電率)の比が実施例1より小さいために、歪取焼鈍および400℃で30分加熱といった加熱により塑性変形能が高くなりやすい特性を持つと考えられる。
また、仕上げ冷間の加工度を高くしたことにより、その後の加熱処理で軟化しやすくなったと考えられる。
次に、実施例1および比較例1のデータに基づき、種々の製造条件および銅合金組成における特性を推定し、実施例2~5として表1に示す。時効処理の温度を実施例1よりも高く、比較例1よりも低くした場合の実施例として実施例2が得られる。但し、この比は、銅合金の組成、製造工程の順番や回数等により異なるので、銅合金の組成や、溶体化処理後の製造工程の順番や回数が異なる場合には、それぞれに実験を行ってこの比を求める必要がある。
一方で、比較例1ほどはNiとSiとの化合物である析出粒子が粗大化しないため、比較例1よりは引張強さ、0.2%耐力は高い値となる。また、母相中に固溶していたNiとSiとが実施例1よりも多く析出し、比較例1よりはその析出量が少ないため、導電率は実施例1よりも高く、比較例1よりも低い値となる。
また、時効処理の温度を実施例1よりも高く、比較例1よりも低くした場合、実施例1よりも、NiとSiとの化合物である析出粒子が一部粗大化して、実施例1よりも軟化するため、400℃で30分間加熱後に大気雰囲気中で静置して十分に銅合金の温度が室温まで低下した後に室温(25℃)で測定する場合の破断伸びは、実施例1よりも大きい値となる。
そうすると、実施例1よりもNiとSiとの濃度が高い銅合金については、実施例1と同様に製造した場合、実施例1よりも延性が低下するため、400℃30分加熱した後に大気雰囲気中で静置して十分に銅合金の温度が室温まで低下した後に室温(25℃)で測定する場合の破断伸びを測定すると、実施例1の伸び4.9%よりも小さい値となると考えられる。
また、Mgについては、銅合金中に固溶することで、格子歪が大きくなった結果、延性は低下すると考えられる。
実施例4は400℃30分加熱した後に大気雰囲気中で静置して十分に銅合金の温度が室温まで低下した後に室温(25℃)で測定する場合の破断伸びは、実施例4の破断伸び4.9%よりも小さい値となり、ダイシングバリの発生メカニズムに基づくと、ダイシングバリは良好に抑制できると推定される。
時効処理の温度を上述の時効処理条件の範囲内において高くすると加熱における軟化を防止するのに有効な析出粒子が粗大化し、加熱により軟化し易くなり、400℃で30分間の加熱処理を行った後に大気雰囲気中で静置して十分に銅合金の温度が室温まで低下した後に室温(25℃)で測定する場合の破断伸びは大きくなると推察される。
したがって、本実施例1と他の条件を同じにして時効処理の温度を低くした場合、本実施例1より強度が向上したとしても400℃で30分間の加熱処理後後に大気雰囲気中で静置して十分に銅合金の温度が室温まで低下した後に室温(25℃)で測定する場合の破断伸びは10%以下とすることができると推察される。
すなわち、他の条件を同じにして仕上げ冷間圧延の加工度を低くした場合、400℃で30分間の加熱処理後に大気雰囲気中で静置して十分に銅合金の温度が室温まで低下した後に室温(25℃)で測定する場合の破断伸びを低減することができると推察される。
したがって、本実施例1と他の条件を同じにして仕上げ冷間圧延の加工度を低くした場合、本実施例より強度は落ちたとしても400℃で30分間の加熱処理後に大気雰囲気中で静置して十分に銅合金の温度が室温まで低下した後に室温(25℃)で測定する場合の破断伸びは10%以下とすることができると推察される。
以上のことから、所望する強度かつ加熱処理したときの銅合金の破断伸びを10%以下に維持できる銅合金を得ることができる。
Claims (4)
- 複数のリード部と、コネクティングバーとを備え、前記複数のリード部が前記コネクティングバーを介して繋がっているリードフレームであって、
Siを0.1質量%超、1.8質量%以下と、
Niを0.5質量%~4.5質量%と、
さらに、Co、Cr、Mn、Mg及びFeからなる群から選択される一種以上の元素と、
残部銅及び不可避不純物から成り、
400℃30分加熱後に大気雰囲気中で静置して室温まで低下したときの破断伸びが10%以下であり、かつ0.2%耐力が550MPa以上、導電率が38.0%以上である帯状銅合金材からなることを特徴とするリードフレーム。
0.2%耐力の測定方法:
引張試験機により、JIS-Z2241(2011)に従い、圧延方向と平行な方向における0.2%耐力(YS)をそれぞれ測定する。引張方向が圧延方向と平行な方向になるように、プレス機を用いてJIS13B号試験片を作製する。引張試験の条件は、試験片幅12.5mm、室温(25℃)、引張速度5mm/min、ゲージ長さ50mmとする。繰り返し回数N=2(2個の試験片)で試験を行い、2つのデータの平均値を得られた試料の0.2%耐力とする。
破断伸びの測定方法:
引張方向が圧延方向になるように、プレス機を用いてJIS13B号試験片を作製する。当該試験片を表面の酸化を防止するため、厚みが35μmのタフピッチ銅箔で試料を包装し、外気から遮断された試料について、大気雰囲気で400℃で30分間の加熱を行う。その後、大気雰囲気中で試験片を静置し、銅合金の温度を室温(25℃)まで低下させる。その後にJIS-Z2241(2011)に準拠して、JIS-Z2241(2011)に規定される破断伸び(%)を引張試験機により測定する。引張試験の条件は、試験片幅12.5mm、室温(25℃)、引張速度5mm/min、ゲージ長さ50mmとする。繰り返し回数N=2(2個の試験片)で試験を行い、2つのデータの平均値を破断伸び(%)とする。 - 請求項1に記載のリードフレームと、複数の半導体チップと、導線と、を備え、
前記半導体チップが前記リード部と前記導線で電気的に接続されている、半導体パッケージ。 - 樹脂をさらに備え、
前記リード部が前記樹脂で封止されている、請求項2に記載の半導体パッケージ。 - 前記コネクティングバーと前記リード部との間をダイシングした場合に、前記リード部の幅W1は設計幅W0からの許容差|W1-W0|が、W0の±10%以下である、請求項3に記載の半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022180722A JP7300051B1 (ja) | 2022-03-29 | 2022-11-11 | リードフレーム及び半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022052880A JP7166476B1 (ja) | 2022-03-29 | 2022-03-29 | 帯状銅合金材及びその利用方法、帯状銅合金材を用いた半導体リードフレーム、半導体集積回路及び電子機器、並びにリードフレームを製造する方法及び帯状銅合金材をリードフレームとして使用する方法 |
JP2022170354A JP7300049B1 (ja) | 2022-03-29 | 2022-10-25 | リードフレーム素形体を製造する方法及び半導体パッケージを製造する方法 |
JP2022180722A JP7300051B1 (ja) | 2022-03-29 | 2022-11-11 | リードフレーム及び半導体パッケージ |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022170354A Division JP7300049B1 (ja) | 2022-03-29 | 2022-10-25 | リードフレーム素形体を製造する方法及び半導体パッケージを製造する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7300051B1 true JP7300051B1 (ja) | 2023-06-28 |
JP2023147170A JP2023147170A (ja) | 2023-10-12 |
Family
ID=83931121
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022052880A Active JP7166476B1 (ja) | 2022-03-29 | 2022-03-29 | 帯状銅合金材及びその利用方法、帯状銅合金材を用いた半導体リードフレーム、半導体集積回路及び電子機器、並びにリードフレームを製造する方法及び帯状銅合金材をリードフレームとして使用する方法 |
JP2022170354A Active JP7300049B1 (ja) | 2022-03-29 | 2022-10-25 | リードフレーム素形体を製造する方法及び半導体パッケージを製造する方法 |
JP2022180722A Active JP7300051B1 (ja) | 2022-03-29 | 2022-11-11 | リードフレーム及び半導体パッケージ |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022052880A Active JP7166476B1 (ja) | 2022-03-29 | 2022-03-29 | 帯状銅合金材及びその利用方法、帯状銅合金材を用いた半導体リードフレーム、半導体集積回路及び電子機器、並びにリードフレームを製造する方法及び帯状銅合金材をリードフレームとして使用する方法 |
JP2022170354A Active JP7300049B1 (ja) | 2022-03-29 | 2022-10-25 | リードフレーム素形体を製造する方法及び半導体パッケージを製造する方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP7166476B1 (ja) |
CN (1) | CN118302550A (ja) |
WO (1) | WO2023188748A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7166476B1 (ja) | 2022-03-29 | 2022-11-07 | Jx金属株式会社 | 帯状銅合金材及びその利用方法、帯状銅合金材を用いた半導体リードフレーム、半導体集積回路及び電子機器、並びにリードフレームを製造する方法及び帯状銅合金材をリードフレームとして使用する方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011190469A (ja) | 2010-03-11 | 2011-09-29 | Hitachi Cable Ltd | 銅合金材、及びその製造方法 |
JP2014036129A (ja) | 2012-08-09 | 2014-02-24 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム |
JP2016113564A (ja) | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用樹脂組成物、半導体装置、および構造体 |
JP2017179407A (ja) | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 古河電気工業株式会社 | 銅合金板材およびコネクタならびに銅合金板材の製造方法 |
JP2020158837A (ja) | 2019-03-27 | 2020-10-01 | Jx金属株式会社 | 金型摩耗性に優れたCu−Ni−Si系銅合金条 |
JP7166476B1 (ja) | 2022-03-29 | 2022-11-07 | Jx金属株式会社 | 帯状銅合金材及びその利用方法、帯状銅合金材を用いた半導体リードフレーム、半導体集積回路及び電子機器、並びにリードフレームを製造する方法及び帯状銅合金材をリードフレームとして使用する方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6762333B2 (ja) | 2018-03-26 | 2020-09-30 | Jx金属株式会社 | Cu−Ni−Si系銅合金条 |
-
2022
- 2022-03-29 JP JP2022052880A patent/JP7166476B1/ja active Active
- 2022-10-25 JP JP2022170354A patent/JP7300049B1/ja active Active
- 2022-11-11 JP JP2022180722A patent/JP7300051B1/ja active Active
-
2023
- 2023-01-25 WO PCT/JP2023/002212 patent/WO2023188748A1/ja unknown
- 2023-01-25 CN CN202380014413.2A patent/CN118302550A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011190469A (ja) | 2010-03-11 | 2011-09-29 | Hitachi Cable Ltd | 銅合金材、及びその製造方法 |
JP2014036129A (ja) | 2012-08-09 | 2014-02-24 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム |
JP2016113564A (ja) | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用樹脂組成物、半導体装置、および構造体 |
JP2017179407A (ja) | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 古河電気工業株式会社 | 銅合金板材およびコネクタならびに銅合金板材の製造方法 |
JP2020158837A (ja) | 2019-03-27 | 2020-10-01 | Jx金属株式会社 | 金型摩耗性に優れたCu−Ni−Si系銅合金条 |
JP7166476B1 (ja) | 2022-03-29 | 2022-11-07 | Jx金属株式会社 | 帯状銅合金材及びその利用方法、帯状銅合金材を用いた半導体リードフレーム、半導体集積回路及び電子機器、並びにリードフレームを製造する方法及び帯状銅合金材をリードフレームとして使用する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7166476B1 (ja) | 2022-11-07 |
JP2023145952A (ja) | 2023-10-12 |
JP7300049B1 (ja) | 2023-06-28 |
JP2023147168A (ja) | 2023-10-12 |
WO2023188748A1 (ja) | 2023-10-05 |
TW202338110A (zh) | 2023-10-01 |
CN118302550A (zh) | 2024-07-05 |
JP2023147170A (ja) | 2023-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5962707B2 (ja) | 電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金塑性加工材、電子・電気機器用銅合金塑性加工材の製造方法、電子・電気機器用部品及び端子 | |
EP2184371B1 (en) | Copper alloy sheet | |
TWI503425B (zh) | 電子機器用銅合金,電子機器用銅合金之製造方法以及電子機器用銅合金軋製材 | |
KR100420564B1 (ko) | 전기 및 전자부품용 구리합금 | |
JP5225787B2 (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si系合金板又は条 | |
CN103842551B (zh) | 电子设备用铜合金、电子设备用铜合金的制造方法、电子设备用铜合金轧材及电子设备用组件 | |
KR20180125446A (ko) | 전자·전기 기기용 구리 합금, 전자·전기 기기용 구리 합금판 조재, 전자·전기 기기용 부품, 단자, 버스바, 및 릴레이용 가동편 | |
JP5461711B2 (ja) | 高強度、高伝導性を有する銅合金及びその製造方法 | |
TWI429768B (zh) | Cu-Co-Si based copper alloy for electronic materials and method for producing the same | |
JP7300051B1 (ja) | リードフレーム及び半導体パッケージ | |
JP3418301B2 (ja) | 打抜加工性に優れた電気電子機器用銅合金 | |
JP5682278B2 (ja) | 電子・電気機器用銅合金 | |
JP3735005B2 (ja) | 打抜加工性に優れた銅合金およびその製造方法 | |
CN110358946B (zh) | Cu-Ni-Si系铜合金条 | |
TWI842388B (zh) | 帶狀銅合金材、使用其之半導體引線架、半導體積體電路及電子機器,以及製造引線架之方法及將帶狀銅合金材使用作為引線架之方法 | |
JP4349631B2 (ja) | 電機、電子機器部品用コルソン合金細線の製造方法 | |
JP5755892B2 (ja) | 銅合金板の製造方法 | |
JP7187989B2 (ja) | 電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金薄板、電子・電気機器用導電部品及び端子 | |
JP2000080426A (ja) | 電子機器用銅合金 | |
CN115315793A (zh) | Al接合线 | |
JP5776831B1 (ja) | 電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金薄板、電子・電気機器用部品及び端子 | |
JP2020015986A (ja) | Cu−Ni−Si系銅合金条及びその製造方法 | |
JPH0325495B2 (ja) | ||
CN117305651A (zh) | 一种综合性能优异的极大规模集成电路芯片封装用引线框架铜合金带材及其制备方法 | |
JP2000096164A (ja) | 電子機器用銅合金 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221114 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221114 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20221114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230123 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230606 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230616 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7300051 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |