JP7293918B2 - 共振識別子の製造方法 - Google Patents
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Description
基材と当該基材上に配設された共振素子を構成する導体パターン層とを有する共振識別子の製造方法であって、
前記導体パターン層は、少なくとも箔基材、剥離層及び金属層がこの順に配設されて構成された転写箔を用いて、オンデマンド箔押し法で、前記基材上に前記金属層をパターン転写することにより形成され、
前記基材の上面の前記金属層を配設する予定の第1領域に、接着層を形成する第1工程と、
前記基材の上面に対して、押圧部材にて、前記転写箔を押し付ける第2工程と、
前記基材から前記転写箔を引き離して、前記基材の前記第1領域に存在する前記転写箔の前記剥離層を前記箔基材から剥離させる第3工程と、を有し、
前記第1工程は、前記第1領域に形成された前記接着層の周縁部の厚さが、前記接着層の中央部の厚さよりも厚くなるように実行される、
共振識別子の製造方法である。
また、前述した課題を解決する本開示の一態様は、
基材と当該基材上に配設された共振素子を構成する導体パターン層とを有する共振識別子の製造方法であって、
前記導体パターン層は、少なくとも箔基材、剥離層及び金属層がこの順に配設されて構成された転写箔を用いて、オンデマンド箔押し法で、前記基材上に前記金属層をパターン転写することにより形成され、
前記基材の上面に対して、少なくとも前記箔基材、前記剥離層、前記金属層及び接着補強層がこの順に配設されて構成された前記転写箔を押し付けつつ、前記転写箔のうち、前記基材の上面の前記金属層を配設する予定の第1領域に対応する領域を選択的に加熱する第4工程と、
前記基材から前記転写箔を引き離して、前記基材の前記第1領域に存在する前記転写箔の前記剥離層を前記箔基材から剥離させる第5工程と、を有し、
前記第4工程は、前記第1領域の周縁部を加熱する際の熱出力が、前記第1領域の中央部を加熱する際の熱出力よりも大きくなるように実行される、
共振識別子の製造方法である。
[RFIDシステムの構成]
まず、図1を参照して、本実施形態に係るRFIDシステムAの全体構成について説明する。
図2は、本実施形態に係る共振識別子1の斜視図である。図3は、本実施形態に係る共振識別子1の電磁波に対する反射特性を示す図である。図3の反射特性は、共振識別子1に所定周波数の電磁波を照射した際に共振識別子1から発せられる反射波の挙動を示している。図3の横軸は照射する電磁波の周波数[Hz]、縦軸は共振シグナル[dB](即ち、電磁波が照射された際に検出される反射波の強度)を表している。
次に、図4、図5を参照して、共振識別子1の製造方法について、説明する。
以上のように、本実施形態に係る共振識別子1の製造方法においては、導体パターン層12は、箔基材P1上に剥離層P2及び0.1μmより大きく且つ4μm未満の厚さの金属層P3が順に形成された転写箔Pを用いて、オンデマンド箔押し法により、基材11上に金属層P3をパターン転写することにより形成される。
次に、図6~図8を参照して、第2の実施形態に係る共振識別子1の製造方法について説明する。
次に、図9を参照して、第3の実施形態に係る共振識別子1の製造方法について説明する。
次に、図10、図11を参照して、第4の実施形態に係る共振識別子1の製造方法について説明する。
次に、図12を参照して、第5の実施形態に係る共振識別子1の製造方法について説明する。
次に、図13、図14を参照して、上記各実施形態で説明した共振識別子1の製造方法で製造した共振識別子1の信号評価の評価結果を示す。
<組成1(プライマー層形成用塗布液)>
ブチル化メラミン(三羽研究所製:RP-50) 15重量部
パラトルエンスルホン酸アミン(三羽研究所製:CP硬化剤) 1重量部
アクリルモノマー共重合体(日立化成工業製:ヒタロイド3004) 3重量部
トルエン 100重量部
<組成2(剥離層形成用塗布液)>
メタクリル酸エステル+ポリエチレンワックス(大日精化工業製:TM-600) 15重量部
ケトン・トルエン混合溶剤 85重量部
<組成3(接着補強層形成用塗布液)>
アクリルモノマー共重合体(和信化学工業製:SE-70) 33重量部
変性アクリル酸エステル(三羽研究所製:100ED) 19重量部
ケトン・トルエン混合溶剤 98重量部
共振識別子1の信号評価は、ベクトルネットワークアナライザー(P9373A;キーサイト社製)を用いて行った。具体的には、ベクトルネットワークアナライザーのポート1(送信用)及びポート2(受信用)それぞれにホーンアンテナを設置し、当該ホーンアンテナから20cm離間した位置に作製したサンプルNo.1~No.42の共振識別子1を設置した。そして、掃引周波数7.25~10.25GHz、送信強度-41.3dBm、IFBW=1kHz、ポイント数401pointの条件によって、SパラメータS21から共振識別子1の共振シグナルを読取った。
〇…ピーク周波数ズレが15MHzに収まっている。デコーディングのミスが発生しない。
△…ピーク周波数ズレは15MHz~30MHzに収まっている。読取り環境条件を整えることでデコーディングのミスが発生しない。
×…ピーク周波数ズレは30MHzを超えている。誤ったデコーディングが生じる。
〇…ピーク強度が15dB以上。ノイズが存在する外部環境でもピーク信号が読取れる。
△…ピーク強度が3dB~15dB。電波吸収剤の保護により外部環境でもピーク信号が読取れる。
×…ピーク信号が3dB未満。ピーク信号は読み取れない。
〇…Q値は30以上。高bitの情報容量化が可能。
△…Q値は30~10。低bitの情報容量が可能。
×…Q値は10未満。1bitの情報容量しか得られない。
本発明は、上記実施形態に限らず、種々に変形態様が考えられる。
1 共振識別子
2 リーディング機構
11 基材
12 導体パターン層
13a、13b、13c スリット
13Qa、13Qb、13Qc 共振素子
14 接着層
P 転写箔
P1 箔基材
P2 剥離層
P3 金属層
P4 接着補強層
U タグ製造装置
U1 搬送装置
U2、U2X、U2Y 接着材塗布装置
U2a 感光ドラム
U2b 露光装置
U2c 現像装置
U3 箔定着装置
U3a 転写箔繰出装置
U3b 定着装置
U3c サーマルヘッド
U4 ワイプ部材
Claims (14)
- 基材と当該基材上に配設された共振素子を構成する導体パターン層とを有する共振識別子の製造方法であって、
前記導体パターン層は、少なくとも箔基材、剥離層及び金属層がこの順に配設されて構成された転写箔を用いて、オンデマンド箔押し法で、前記基材上に前記金属層をパターン転写することにより形成され、
前記基材の上面の前記金属層を配設する予定の第1領域に、接着層を形成する第1工程と、
前記基材の上面に対して、押圧部材にて、前記転写箔を押し付ける第2工程と、
前記基材から前記転写箔を引き離して、前記基材の前記第1領域に存在する前記転写箔の前記剥離層を前記箔基材から剥離させる第3工程と、を有し、
前記第1工程は、前記第1領域に形成された前記接着層の周縁部の厚さが、前記接着層の中央部の厚さよりも厚くなるように実行される、
共振識別子の製造方法。 - 前記第1工程は、前記第1領域全体に略均一の厚さに接着材を塗布する工程と、前記第1領域の周縁部に選択的に前記接着材を塗布する工程と、を含む、
請求項1に記載の共振識別子の製造方法。 - 前記第2工程及び前記第3工程は、所定方向に繰り出される前記転写箔を用いて実行され、
前記導体パターン層は、前記共振素子の共振周波数を規定する部分の延在方向が、前記所定方向に対して交差する方向となるように形成される、
請求項1又は2に記載の共振識別子の製造方法。 - 基材と当該基材上に配設された共振素子を構成する導体パターン層とを有する共振識別子の製造方法であって、
前記導体パターン層は、少なくとも箔基材、剥離層及び金属層がこの順に配設されて構成された転写箔を用いて、オンデマンド箔押し法で、前記基材上に前記金属層をパターン転写することにより形成され、
前記基材の上面に対して、少なくとも前記箔基材、前記剥離層、前記金属層及び接着補強層がこの順に配設されて構成された前記転写箔を押し付けつつ、前記転写箔のうち、前記基材の上面の前記金属層を配設する予定の第1領域に対応する領域を選択的に加熱する第4工程と、
前記基材から前記転写箔を引き離して、前記基材の前記第1領域に存在する前記転写箔の前記剥離層を前記箔基材から剥離させる第5工程と、を有し、
前記第4工程は、前記第1領域の周縁部を加熱する際の熱出力が、前記第1領域の中央部を加熱する際の熱出力よりも大きくなるように実行される、
共振識別子の製造方法。 - 前記第3工程の後、ワイプ部材にて、前記導体パターン層の表面に対してワイプ処理を施す第6工程を更に有する、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の共振識別子の製造方法。 - 前記第5工程の後、ワイプ部材にて、前記導体パターン層の表面に対してワイプ処理を施す第6工程を更に有する、
請求項4に記載の共振識別子の製造方法。 - 前記金属層は、蒸着法又は電解メッキ法で形成された、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の共振識別子の製造方法。 - 前記金属層の厚さは、0.1μmより大きく且つ4μm未満である、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の共振識別子の製造方法。 - 前記金属層の厚さは、0.1μmより大きく且つ2μm未満である、
請求項1乃至8のいずれか一項に記載の共振識別子の製造方法。 - 前記金属層の厚さは、0.2μmより大きく且つ1.0μm未満である、
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の共振識別子の製造方法。 - 前記導体パターン層は、前記共振素子の共振周波数が、3.1GHz以上で且つ10.6GHz以下の周波数帯域となるように形成される、
請求項1乃至10のいずれか一項に記載の共振識別子の製造方法。 - 前記導体パターン層は、前記共振素子を構成するスリットを有する、
請求項1乃至11のいずれか一項に記載の共振識別子の製造方法。 - 前記スリットは、略長方形状を呈する、
請求項12に記載の共振識別子の製造方法。 - 前記基材は、印刷物であって、
前記導体パターン層は、当該印刷物の印刷面と反対側の面に形成される、
請求項1乃至13のいずれか一項に記載の共振識別子の製造方法。
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