JP7287375B2 - 磁気センサアセンブリとこれを備えたカメラモジュール - Google Patents

磁気センサアセンブリとこれを備えたカメラモジュール Download PDF

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Description

本発明は磁気センサアセンブリとこれを備えたカメラモジュールに関し、特に磁気センサアセンブリの構成に関する。
様々な用途で、固定部に対する可動部の相対位置を検出する磁気センサアセンブリが用いられている。特許文献１には、カメラモジュールに適用される像ぶれ補正装置が開示されている。撮像素子を備える可動部に複数のホール素子が設けられ、カメラボディにホール素子と対向する磁石が設けられている。可動部のカメラボディに対する直交２方向の移動量と、当該２方向と直交する軸の周りの回転角度が、複数のホール素子の出力変化量から求められる。
特開２００６－９４１８５号公報
特許文献１に記載された像ぶれ補正装置では、ホール素子が磁石に対してどちらの方向に回転しても、素子出力の変化量が同じとなる。従って、可動部の回転方向を検出するためには別の手段が必要となる。
本発明は、簡易な構成で、可動部の固定部に対する位置関係と回転方向を検出することができる磁気センサアセンブリを提供することを目的とする。
本発明の磁気センサアセンブリは、第１～第３の磁気センサを含む第１の部材と、第１～第３の磁石を含む第２の部材と、を有する。第２の部材は３次元直交座標系１０１において、第１の部材に対してＸ、Ｙ方向への相対移動とＺ軸周りの相対回転が可能である。第１～第３の磁気センサは各々Ｚ方向に第１～第３の磁石と対向している。第１の磁気センサの出力は、第１の磁気センサの第１の磁石に対するＸ方向の相対変位に応じて単調変化し、第２の磁気センサの出力は、第２の磁気センサの第２の磁石に対するＸ方向の相対変位に応じて単調変化し、第３の磁気センサの出力は、第３の磁気センサの第３の磁石に対するＹ方向の相対変位に応じて単調変化する。第２の部材が第１の部材に対してＸ方向、Ｙ方向に相対変位し、Ｚ軸周りに相対回転したときの第１の磁気センサの出力変化と第２の磁気センサの出力変化は互いに異なる。第１～第３の磁石は各々、所定のＸ－Ｙ平面の原点を一端とする第１～第３の直線上にある。第１の直線とＸ軸とがなす第１の角度と、第２の直線とＸ軸とがなす第２の角度と、第３の直線とＹ軸とがなす第３の角度は同じである。
本発明によれば、簡易な構成で、可動部の固定部に対する位置関係と回転方向を検出することができる磁気センサアセンブリを提供することができる。
本発明の磁気センサアセンブリを備えたカメラモジュールの概念図である。 図１に示す磁気センサアセンブリの平面図である。 図１に示す磁気センサアセンブリの部分断面図である。 第１の実施形態とその変形例の磁気センサアセンブリの平面図である。 第１の実施形態の他の変形例の磁気センサアセンブリの平面図である。 第１の実施形態の他の変形例の磁気センサアセンブリの平面図である。 比較例の磁気センサアセンブリの平面図である。 第２の実施形態の磁気センサアセンブリの平面図である。 第２の実施形態の変形例の磁気センサアセンブリの平面図である。 第３の実施形態の磁気センサアセンブリの平面図である。 第４の実施形態の磁気センサアセンブリの平面図である。 その他の変形例を説明する図である。 その他の変形例を説明する図である。 その他の変形例を説明する図である。
図面を参照して、本発明のいくつかの実施形態に係る磁気センサアセンブリについて説明する。以下の実施形態において、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は３次元直交座標系１０１で定義される互いに直交する３方向である。Ｘ方向とＹ方向は後述のレンズの光軸と直交し、Ｚ方向はレンズの光軸と平行である。なお、図中Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の矢印の示す向きを＋Ｘ方向、＋Ｙ方向、＋Ｚ方向、これらと反対側の方向を－Ｘ方向、－Ｙ方向、－Ｚ方向ということがある。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る磁気センサアセンブリ１を備えたカメラモジュール１００の概略斜視図である。カメラモジュール１００は携帯電話の本体に装着されるが、カメラ専用機のカメラボディに装着されてもよい。カメラモジュール１００は携帯電話の本体に固定された第１の部材１０を有している。第１の部材１０は３次元直交座標系１０１に対して固定されている。第１の部材１０は、基板１１、撮像素子１２、第１～第３の磁気センサ１３Ａ～１３Ｃ、第１のコイル（図示せず）などを含む。撮像素子１２はＣＭＯＳ（Complementary metal-oxide-semiconductor）などで構成される。撮像素子１２と第１～第３の磁気センサ１３Ａ～１３Ｃは基板１１に搭載されている。基板１１は、撮像素子１２を外部と接続する電気配線部材１４と接続されている。
カメラモジュール１００は３次元直交座標系１０１を移動可能な第２の部材２０を有している。第２の部材２０は、矩形形状の筐体２１と、筐体２１に固定された第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃと、を有している。第２の部材２０は３次元直交座標系１０１において、第１の部材１０に対してＸ、Ｙ方向への相対移動（並進運動）とＺ軸周りの相対回転が可能である。筐体２１の内側（内部）にはＺ方向からみて円形のレンズ３１が収容され、筐体２１はレンズ３１を取り囲んでいる。レンズ３１は、筐体２１に対してＺ方向に相対移動可能に、筐体２１に支持されている。レンズ３１は、第２の部材２０とは独立して移動可能な可動部材（第３の部材３０）の一部を構成する。レンズ３１の周囲に第２のコイル（図示せず）が配置されている。第２のコイルに通電すると、第２のコイルと第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃとの間に生ずるローレンツ力によって、レンズ３１が筐体２１に対しＺ方向に相対移動可能に駆動される。これによって、オートフォーカス機能が実行される。また、第１のコイルに通電すると、第１のコイルと第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃとの間に生ずるローレンツ力によって、第２の部材２０が第１の部材１０に対してＸ、Ｙ方向に相対移動するとともにＺ軸周りに相対回転する。これによって、光学式手振れ補正（ＯＩＳ）機能が実現される。本実施形態では、第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃがレンズ３１の駆動に用いられるが、レンズ３１を駆動するためのＯＩＳ用磁石を別途設けてもよい。
図２はＺ方向からみた磁気センサアセンブリ１の平面図であり、第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃ、第１～第３の磁気センサ１３Ａ～１３Ｃ、レンズ３１及び筐体２１を示している。図２（ａ）は第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃが基準位置にある状態（基準状態）を、図２（ｂ）は第２の部材２０が第１の部材１０に対して反時計回りにｄθ回転した状態を示している。ここで、基準位置とは、第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃの中心と第１～第３の磁気センサ１３Ａ～１３Ｃの中心がＺ方向に一致する位置である。図３（ａ）～３（ｃ）はそれぞれ、図２のＡ－Ａ線、Ｂ－Ｂ線、Ｃ－Ｃ線に沿った部分断面図である。
第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃは３次元直交座標系１０１の第１のＸ－Ｙ平面Ｐ１（所定のＸ－Ｙ平面）に位置している。第１～第３の磁気センサ１３Ａ～１３Ｃは３次元直交座標系１０１の第１のＸ－Ｙ平面Ｐ１とは異なる（本実施形態では－Ｚ側の）第２のＸ－Ｙ平面Ｐ２に位置している。第１～第３の磁気センサ１３Ａ～１３Ｃは各々、Ｚ方向に第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃと対向している。具体的には、基準状態で第１の磁気センサ１３Ａの中心と第１の磁石２２Ａの中心を通る線はＺ軸と平行であり、基準状態で第２の磁気センサ１３Ｂの中心と第２の磁石２２Ｂの中心を通る線はＺ軸と平行であり、基準状態で第３の磁気センサ１３Ｃの中心と第３の磁石２２Ｃの中心を通る線はＺ軸と平行である。第１の磁気センサ１３Ａと第１の磁石２２Ａが第１の位置検知体２Ａを構成し、第２の磁気センサ１３Ｂと第２の磁石２２Ｂが第２の位置検知体２Ｂを構成し、第３の磁気センサ１３Ｃと第３の磁石２２Ｃが第３の位置検知体２Ｃを構成する。
Ｚ方向からみて、第１の磁気センサ１３Ａ及び第１の磁石２２Ａ（第１の位置検知体２Ａ）と、第２の磁気センサ１３Ｂ及び第２の磁石２２Ｂ（第２の位置検知体２Ｂ）は、３次元直交座標系１０１のＸ軸を挟んで互いに対向する象限にある。また、Ｚ方向からみて、第３の磁気センサ１３Ｃ及び第３の磁石２２Ｃ（第３の位置検知体２Ｃ）は、第１の磁気センサ１３Ａ及び第１の磁石２２Ａ（第１の位置検知体２Ａ）のある象限（第２象限II）並びに第２の磁気センサ１３Ｂ及び第２磁石（第２の位置検知体２Ｂ）のある象限（第3象限III）とは異なる象限（第１象限I）にある。また、Ｚ方向からみて、第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃの中心及び第１～第３の磁気センサ１３Ａ～１３Ｃの中心は、３次元直交座標系１０１の原点を中心とする同一円Ｒ１上にある。さらに、第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃはすべて同じ構成且つ同じ重量を有している。従って、第２の部材２０の周方向の重量バランスを容易に確保することができる。また、第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃはすべて同じサイズを有していることが好ましい。
Ｚ方向からみて、第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃの中心は各々、第１のＸ－Ｙ平面Ｐ１の原点Ｏを一端とする第１～第３の直線Ｌ１～Ｌ３上にある。第１の磁石２２Ａと第２の磁石２２ＢはＸ軸に関し線対称の位置に設けられており、第１の直線Ｌ１とＸ軸とがなす第１の角度θ１と、第２の直線Ｌ２とＸ軸とがなす第２の角度θ２は等しい。第３の直線Ｌ３は第１の直線Ｌ１と直交している。従って、第３の直線Ｌ３とＹ軸とがなす第３の角度θ３は第１及び第２の角度θ１，θ２と等しい。ここで、第１～第３の角度θ１～θ３は０～９０度の範囲で定義される。後で詳細に説明するが、第１及び第２の角度θ１，θ２は０度を超え９０度以下の角度の任意の角度（すなわち、挟角または直角）であってよく、磁石のサイズ、位置、筐体２１の形状、大きさ等に応じて適宜定めることができる。
本実施形態では、第１の磁石２２Ａと第２の磁石２２Ｂはある程度離れていることが好ましい。具体的には、第１の角度θ１と第２の角度θ２は２０～７０度であることが好ましい。これによって、第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃを筐体２１のコーナー部２３またはその近傍に設けることが可能となり、筐体２１のサイズアップ、ひいてはカメラモジュール１００の大型化を防止することができる。また、第１の磁石２２Ａと第２の磁石２２ＢのＹ方向の離隔距離が確保されることで、第１の磁気センサ１３Ａは主に第１の磁石２２Ａが発生する磁束を検知し、第２の磁気センサ１３Ｂは主に第２の磁石２２Ｂが発生する磁束を検知することができる。これによって、磁気センサアセンブリ１の精度が向上する。
第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃは、Ｎ極が筐体２１あるいはレンズ３１の中心、ないし第１のＸ－Ｙ平面Ｐ１の原点Ｏと対向する向きで筐体２１に取り付けられている。ただし、第１及び第２の磁石２２Ａ，２２ＢのＮ極の端面２５から引いた垂線はＸ軸と平行であり、原点Ｏを通っていない。第３の磁石２２ＣのＮ極の端面２５から引いた垂線はＹ軸と平行であり、原点Ｏを通っていない。第１の磁石２２Ａと第２の磁石２２Ｂは同じ方向に着磁されており、第３の磁石２２Ｃは第１及び第２の磁石２２Ａ，２２Ｂと直交する方向に着磁されている。具体的には、基準状態で、第１の磁石２２Ａと第２の磁石２２ＢのＮ極は＋Ｘ方向を向き、第３の磁石２２ＣのＮ極は－Ｙ方向を向いている。
第１～第３の磁気センサ１３Ａ～１３Ｃは、所定の方向の磁界を感知する磁界検出素子を備えている。磁界検出素子は、ホール素子であってもよく、ＧＭＲ素子、ＴＭＲ素子、ＡＭＲ素子などの磁気抵抗効果素子であってもよい。第１～第３の磁気センサ１３Ａ～１３Ｃは同一の構成と同一の感度を有している。磁気センサアセンブリ１は、第１～第３の磁気センサ１３Ａ～１３Ｃからの出力を処理する演算部（図示せず）を有している。演算部は通常筐体２１の外部に設置されるが、筐体２１の内部に設置してもよい。
磁気センサアセンブリ１の作動について説明する。ここでは、第２の部材２０が第１の部材１０に対して＋Ｘ方向にｄＸ、＋Ｙ方向にｄＹ相対変位（並進運動）し、Ｚ軸周りに反時計回りでｄθ相対回転すると仮定する。これらの変位及び回転は微小であるため、別々に考慮することが可能である。まず、第２の部材２０が反時計回りにｄθ回転すると仮定する。このとき、図２（ｂ）及び図３に示すように、第１の磁石２２Ａは－Ｘ方向に移動し、第２の磁石２２Ｂは＋Ｘ方向に移動し、第３の磁石２２Ｃは＋Ｙ方向に移動する。
第１～第３の磁気センサ１３Ａ～１３Ｃの磁界検出素子はＺ方向の感磁軸を有している。ここでは、第１～第３の磁気センサ１３Ａ～１３Ｃの出力電圧は、検出される磁束密度に比例するとともに、－Ｚ方向を向く磁束を検出すると増加し、＋Ｚ方向を向く磁束を検出すると減少すると仮定する。図３に実線で示すように、基準位置では、Ｚ方向からみて、第１～第３の磁気センサ１３Ａ～１３Ｃの中心は各々第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃの中心と一致している。従って、第１～第３の磁気センサ１３Ａ～１３Ｃが検知するＺ方向磁界は概ねゼロである。これに対し、図３（ａ）に破線で示すように、第１の磁石２２Ａが－Ｘ方向に移動すると、－Ｚ方向を向く磁束が検出されるため、第１の磁気センサ１３Ａの出力電圧は増加する。同様に、図３（ｂ）に破線で示すように、第２の磁石２２Ｂが＋Ｘ方向に移動すると、＋Ｚ方向を向く磁束が検出されるため、第２の磁気センサ１３Ｂの出力電圧は減少する。同様に、図３（ｃ）に破線で示すように、第３の磁石２２Ｃが＋Ｙ方向に移動すると、－Ｚ方向を向く磁束が検出されるため、第３の磁気センサ１３Ｃの出力電圧は増加する。第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃが逆方向に移動すると、出力電圧の増減も逆となる。従って、第１の磁気センサ１３Ａの出力は、第１の磁気センサ１３Ａと第１の磁石２２ＡのＸ方向の相対変位に応じて単調変化し、第２の磁気センサ１３Ｂの出力は、第２の磁気センサ１３Ｂと第２の磁石２２ＢのＸ方向の相対変位に応じて単調変化し、第３の磁気センサ１３Ｃの出力は、第３の磁気センサ１３Ｃと第３の磁石２２ＣのＹ方向の相対変位に応じて単調変化する。便宜上は、図２（ｂ）において、磁気センサの中心がＮ極と相対する場合は出力電圧が増加し、Ｓ極と相対する場合は出力電圧が減少すると理解することができる。
第２の部材２０が第１の部材１０に対してＸ方向にｄＸ相対変位（並進運動）した場合も、同様に考えることができる。図３（ａ）から理解されるように、第１の磁石２２Ａが＋Ｘ方向に移動すると、第１の磁気センサ１３Ａの出力電圧は減少し、－Ｘ方向に移動すると、第１の磁気センサ１３Ａの出力電圧は増加する。図３（ｂ）から理解されるように、第２の磁石２２Ｂが＋Ｘ方向に移動すると、第２の磁気センサ１３Ｂの出力電圧は減少し、－Ｘ方向に移動すると、第２の磁気センサ１３Ｂの出力電圧は増加する。同様に、図３（ｃ）から理解されるように、第３の磁石２２Ｃが＋Ｙ方向に移動すると、第３の磁気センサ１３Ｃの出力電圧は増加し、－Ｙ方向に移動すると、第３の磁気センサ１３Ｃの出力電圧は減少する。また、以上のことから分かる通り、第１及び第２の磁気センサ１３Ａ，１３ＢはＸ方向の変位センサとして、第３の磁気センサ１３ＣはＹ方向の変位センサとして機能する。
第１及び第２の磁石２２Ａ，２２ＢのＹ方向寸法は、第１及び第２の磁気センサ１３Ａ，１３ＢのＹ方向寸法より長い。また、基準状態で、第１及び第２の磁気センサ１３Ａ，１３Ｂはそれぞれ、第１及び第２の磁石２２Ａ，２２ＢのＹ方向中央に位置している。従って、第２の部材２０がＹ方向に移動しても第１及び第２の磁気センサ１３Ａ，１３Ｂの出力は影響を受けない。同様に、第３の磁石２２ＣのＸ方向寸法は第３の磁気センサ１３ＣのＸ方向寸法より長い。また、基準状態で、第３の磁気センサ１３Ｃは第３の磁石２２ＣのＸ方向中央に位置している。従って、第２の部材２０がＸ方向に移動しても第３の磁気センサ１３Ｃの出力は影響を受けない。
本実施形態では、Ｚ方向からみて、第１及び第２の磁石のＮ極とＳ極の中間の面２４は円Ｒ１と交差する。例えば、図２（ａ）において破線の位置にある第１の磁石２２Ａは比較例を示しており、中間の面２４は円Ｒ１と接するので、円Ｒ１とは交差しない。この場合、上述の説明から理解できるように、第１の磁石２２Ａが時計回り、反時計回りのどちら方向に回転してもＮ極が第１の磁気センサ１３Ａの中心と相対し、第１の磁気センサ１３Ａの出力電圧は増加する。従って、第２の部材２０が回転したことは検知できるが、どちら向きに回転したかは検知することができない。これに対し本実施形態では、中間の面２４は円Ｒ１と交差するため、第２の部材２０が回転する方向によって、第１の磁気センサ１３Ａの出力電圧は増加または減少する。従って、第２の部材２０がどちら向きに回転したかを検知することができる。第２及び第３の磁気センサ１３Ｂ，１３Ｃについても同様である。また、本実施形態では、第２の部材２０がＺ軸周りに回転したとき、第１の磁石２２Ａと第２の磁石２２ＢはＸ方向に関し互いに反対側に動く。従って、本実施形態では、第１の磁気センサ１３Ａの出力変化と第２の磁気センサ１３Ｂの出力変化は互いに異なる。
以上を踏まえると、第２の部材２０が第１の部材１０に対してＸ方向にｄＸ変位（並進運動）し、Ｙ方向にｄＹ変位（並進運動）し、Ｚ軸周りにｄθ回転したときの第１の磁気センサ１３Ａの出力変化Ｖx1、第２の磁気センサ１３Ｂの出力変化Ｖx2、第３の磁気センサ１３Ｃの出力変化Ｖyは以下のように求められる。
ＶX1＝ｆ(dX)＋f(dθ) ・・・ （式１）
ＶX2＝ｆ(dX)－f(dθ) ・・・ （式２）
Ｖy＝ｆ(dY)＋f(dθ) ・・・ （式３）
ここで、ｆ(dX)、ｆ(dY)、ｆ(dθ)は各磁気センサのｄＸ、ｄＹ、ｄθによる出力変化である。（式１）～（式３）を変形すると、
ｆ(dx)＝Ｖx1－（Ｖx1－Ｖx2）／２ ・・・ （式４）
ｆ(dy)＝Ｖy－（Ｖx1－Ｖx2）／２ ・・・ （式５）
ｆ(dθ)＝（Ｖx1－Ｖx2）／２ ・・・ （式６）
となる。ｆ(dx)、ｆ(dy)、ｆ(dθ)から第２の部材２０の第１の部材１０に対する移動量（ｄＸ、ｄＹ、ｄθ）を求めることができる。この演算は演算部１６で実行することができる。
このように、本実施形態では、３つの磁石２２Ａ～２２Ｃと３つの磁気センサ１３Ａ～１３Ｃで、第２の部材２０の第１の部材１０に対するＸ方向及びＹ方向への相対移動量、並びにＺ軸周りの相対回転角を求めることができる。第１～第３の角度θ１～θ３の選択可能な範囲が大きいため、第１～第３の磁気センサ１３Ａ～１３Ｃ及び第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃの配置を工夫することで、磁気センサアセンブリ１の小型化が可能となる。
（第１の実施形態の変形例及び比較例）
第１～第３の磁気センサ１３Ａ～１３Ｃ、及び第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃが配置される位置は、（式１）～（式６）が成立する限り第１の実施形態に限定されない。図４には第１の実施形態とその変形例を示す。第２の部材２０は反時計回りにｄθ回転している。変形例１－１では、第３の磁石２２Ｃが第１の磁石２２Ａと同様、第２象限IIに配置されており、第３の直線Ｌ３は第２の直線Ｌ２と直交している。換言すれば、第３の磁石２２Ｃは第１の実施形態の第３の磁石２２Ｃと、Ｙ軸に関し線対称の関係にある。変形例１－２では、第３の磁石２２Ｃが第４象限IVに配置されており、第３の直線Ｌ３は第２の直線Ｌ２と直交している。換言すれば、第３の磁石２２Ｃは第１の実施形態の第３の磁石２２Ｃと、Ｘ軸に関し線対称の関係にある。変形例１－３では、第３の磁石２２Ｃが第3象限ＩIIに配置されており、第３の直線Ｌ３は第１の直線Ｌ１と直交している。換言すれば、第３の磁石２２Ｃは第１の実施形態の第３の磁石２２Ｃと、原点Ｏに関し点対称の関係にある。これらの場合も、第２の部材２０が反時計回りにｄθ回転すると、第３の磁石２２ＣのＮ極が第３の磁気センサ１３Ｃの中心と相対するため、（式１）～（式６）が成立する。
図５には第１の実施形態の他の変形例を示す。第２の部材２０は反時計回りにｄθ回転している。変形例１－４～１－７の第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃの配置されている位置はそれぞれ、第１の実施形態及び変形例１－１～１－３と同じであるが、第３の磁石２２Ｃの着磁方向が逆になっている。これらの場合、以下の式が成立する。
ＶX1＝ｆ(dX)＋f(dθ) （式１）
ＶX2＝ｆ(dX)－f(dθ) （式２）
Ｖy＝ｆ(dY)－f(dθ) （式３’）
ｆ(dx)＝Ｖx1－（Ｖx1－Ｖx2）／２ （式４）
ｆ(dy)＝Ｖy＋（Ｖx1－Ｖx2）／２ （式５’）
ｆ(dθ)＝（Ｖx1－Ｖx2）／２ （式６）
つまり、（式３）と（式５）が変わるだけで、基本的には第１の実施形態と同様の方法でｆ(dx)、ｆ(dy)、ｆ(dθ)を求めることができる。図示は省略するが、第３のセンサの極性を逆にしても（すなわち、－Ｚ方向を向く磁束を検出すると出力電圧が減少し、＋Ｚ方向を向く磁束を検出すると出力電圧が増加）同様の結果が得られる。
図６には第１の実施形態の他の変形例を示す。図６は、本変形例に係る磁気センサアセンブリ１の、Ｚ方向からみた図２と同様の平面図である。本変形例では第１～第３の角度θ１～θ３がすべて９０度となっている。第１の磁石２２Ａと第２の磁石２２ＢのＮ極の端面２５から引いた垂線はＸ軸と平行であり、原点Ｏを通っていない。第３の磁石２２ＣのＮ極の端面２５から引いた垂線はＹ軸と平行であり、原点Ｏを通っていない。第１の磁石２２Ａと第２の磁石２２Ｂは同じ方向に着磁されており、第３の磁石２２Ｃは第１及び第２の磁石２２Ａ，２２Ｂと直交する方向に着磁されている。すなわち、本変形例は第１～第３の角度θ１～θ３がすべて９０度となっている点を除き、第１の実施形態と同じである。従って、本変形例は式（１）～（６）を満足し、第１の実施形態と同様に作動する。
図７には比較例を示す。第２の部材２０は反時計回りにｄθ回転している。比較例１－１～１－４はそれぞれ、第１の実施形態及び変形例１－２～１－４に対応するが、第２の磁石２２Ｂの着磁方向が逆になっている。従って、第２の部材２０が反時計回りにｄθ回転すると、第２の磁石２２ＢのＮ極が第２の磁気センサ１３Ｂの中心と相対する。第１の磁石２２ＡのＮ極も第１の磁気センサ１３Ａの中心と相対するため、第１の磁気センサ１３Ａと第２のセンサ１３Ｂの出力が同じになる（Ｖx1＝Ｖx2）。この場合、ｆ(dx)を求めることができないため、ｆ(dy)、ｆ(dθ)も求めることができない。比較例より、（式１）～（式６）が成立するためには、第１の磁気センサ１３Ａと第２のセンサの出力が異なることが必要であることが理解される。
（第２の実施形態）
図８は、第２の実施形態に係る磁気センサアセンブリ１の、Ｚ方向からみた図２と同様の平面図である。図８（ａ）は第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃが基準位置にある状態（基準状態）を、図８（ｂ）は第２の部材２０が第１の部材１０に対して反時計回りにｄθ回転した状態を示している。本実施形態では、第１の直線Ｌ１と第２の直線Ｌ２は同一の直線上にあり、第３の直線Ｌ３は第１の直線Ｌ１及び第２の直線Ｌ２と直交している。Ｚ方向からみて、第１の磁気センサ１３Ａ及び第１の磁石２２Ａ（第１の位置検知体２Ａ）と、第２の磁気センサ１３Ｂ及び第２の磁石２２Ｂ（第２の位置検知体２Ｂ）は、３次元直交座標系１０１の原点を挟んで互いに対向する象限にある。すなわち、第１の磁気センサ１３Ａ及び第１の磁石２２Ａ（第１の位置検知体２Ａ）は第２象限IIにあり、第２の磁気センサ１３Ｂ及び第２の磁石２２Ｂ（第２の位置検知体２Ｂ）は第４象限IVにある。また、第３の磁気センサ１３Ｃ及び第３の磁石２２Ｃ（第３の位置検知体２Ｃ）は第１象限Iにある。このため、第１の実施形態と比べて第２の部材２０の周方向の重量バランスがさらに向上する。図８（ｂ）からわかる通り、第２の部材２０が反時計回りにｄθ回転したときの第２の磁石２２Ｂと第２の磁気センサ１３Ｂの位置関係は第１の実施形態と同じである（第２の磁石２２ＢのＳ極が第２の磁気センサ１３Ｂの中心と相対する）。従って、（式１）～（式６）は本実施形態においても成立する。図示は省略するが、第３の磁石２２Ｃは第３象限III、すなわち、図８に示す第３の磁石２２Ｃと原点Ｏに関し点対称の位置に設けることもできる。
（第２の実施形態の変形例）
図９は、第２の実施形態の変形例に係る磁気センサアセンブリ１の、Ｚ方向からみた図２（ａ）と同様の平面図である。本変形例では、原点Ｏを挟んで磁石２２Ｃの反対側に、第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃと同じ重量のバランサー２２Ｄが設けられている。バランサー２２Ｄは第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃと同じ重量の磁石でもよいが、重量が同じであればどのようなものでも使用できる。Ｚ方向からみて、バランサー２２Ｄの中心は、第１のＸ－Ｙ平面Ｐ１の原点Ｏを一端とする第４の直線Ｌ４上にある。第４の直線Ｌ４は第１の直線Ｌ１及び第２の直線Ｌ２と直交している。従って、第４の直線Ｌ４とＹ軸とがなす第４の角度θ４は第１～第３の角度θ１～θ３と等しい。第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃとバランサー２２Ｄは同一の円上に９０度間隔で設置されるため、第２の実施形態と比べて第２の部材２０の周方向の重量バランスがさらに向上する。バランサー２２Ｄは、第１の磁気センサ１３Ａ及び第１の磁石２２Ａ（第１の位置検知体２Ａ）のある象限、第２の磁気センサ１３Ｂ及び第２の磁石２２Ｂ（第２の位置検知体２Ｂ）のある象限、並びに第３の磁気センサ１３Ｃ及び第３の磁石２２Ｃ（第３の位置検知体２Ｃ）のある象限とは異なる象限にあればよく、第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃと回転対称の関係になくてもよい。
（第３の実施形態）
図１０は、第３の実施形態に係る磁気センサアセンブリ１の、Ｚ方向からみた図２（ａ）と同様の平面図である。Ｚ方向からみて、第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃのいずれかの中心と他のいずれかの中心は、３次元直交座標系１０１の原点を中心とし径の異なる同心円Ｒ１，Ｒ２上にある。本実施形態では第１の磁石２２Ａの中心は、第２及び第３の磁石２２Ｂ，２２Ｃの中心よりも原点Ｏから離れている。これに伴い、第１の磁気センサ１３Ａの中心も、第２及び第３の磁気センサ１３Ｂ，１３Ｃの中心よりも原点Ｏから離れている。このため、ｄθ回転した際の第１の磁気センサ１３ＡのＸ方向変位が大きくなる。換言すれば、第１の磁気センサ１３Ａの感度が高められる。第１の磁石２２Ａの中心の原点Ｏからの距離：第２及び第３の磁石２２Ｂ，２２Ｃの中心の原点Ｏからの距離＝ｎ：１とすると（式１）～（式６）は以下のように書き換えられる。
ＶX1＝ｆ(dX)＋ｎ×f(dθ) （式１”）
ＶX2＝ｆ(dX)－f(dθ) （式２）
Ｖy＝ｆ(dY)＋f(dθ) （式３）
ｆ(dx)＝Ｖx1－（Ｖx1－Ｖx2）／（１＋ｎ） （式４”）
ｆ(dy)＝Ｖy－（Ｖx1－Ｖx2）／（１＋ｎ） （式５”）
ｆ(dθ)＝（Ｖx1－Ｖx2）／（１＋ｎ） （式６”）
つまり、（式１）と（式４）～（式６）が変わるだけで、基本的には第１の実施形態と同様の方法でｆ(dx)、ｆ(dy)、ｆ(dθ)を求めることができる。なお、本実施形態では、Ｚ方向からみて、第１及び第２の磁石のＮ極とＳ極の中間の面２４は円Ｒ１と交差しているが、接していてもよい。ｎ≠１なので、比較例と異なり、Ｖx1＝Ｖx2とならないためである。
図示は省略するが、第３の磁石２２Ｃは第３象限III、すなわち、図１０に示す第３の磁石２２Ｃと原点Ｏに関し点対称の位置に設けることもできる。また、第２の磁石２２Ｂは第３象限III、すなわち、図２に示す第２の磁石２２Ｂの位置に設けることもでき、その場合、図４，５に示す変形例１－１～１－７も適用可能である。さらに、本実施形態では第１の磁石２２Ａの位置を第１の実施形態から変更しているが、第２の磁石２２Ｂまたは第３の磁石２２Ｃの位置を変更してもよく、第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃを原点Ｏから互いに距離の異なる位置に配置してもよい。
（第４の実施形態）
図１１は、第４の実施形態に係る磁気センサアセンブリ１の、Ｚ方向からみた図２（ａ）と同様の平面図である。本実施形態では、第１の磁石２２Ａと第２の磁石２２ＢがＸ軸を挟んで一体化されて、第１の磁石１２２Ａとされている。第３の磁石２２ＣはＹ軸に関して対称となるように第２象限IIまで延ばされている。つまり、第３の磁石２２ＣはＹ軸の両側をＸ軸と平行に延びている。図２（ａ）と図２（ｂ）との対比から理解できるように、第１の磁石２２Ａと第２の磁石２２Ｂは、原点Ｏの周りを、相互の位置関係を変えることなく回転する。換言すれば、第１の磁石２２Ａと第２の磁石２２Ｂは、たとえ相互に拘束されていても（すなわち、本実施形態のように一体化されていても）、第１の実施形態と同様に移動可能である。従って、本実施形態に係る磁気センサアセンブリ１は式（１）～（６）を満足し、第１の実施形態に係る磁気センサアセンブリ１と同様に作動する。なお、第１の磁石２２Ａまたは第２の磁石２２Ｂが長い場合はレンズ３１と干渉しないよう、磁石の取り付け位置や取り付け方法に注意する必要がある。
磁石１２２Ａ、２２Ｃが長尺化されたことによって、第１～第３の磁気センサ１３Ａ～１３Ｃの設置位置の自由度が高まり、例えば、第１～第３の角度θ１～θ３をより小さく設定することが可能となる。つまり、本実施形態によれば、磁気センサアセンブリ１の設計自由度を高めることが可能である。カメラモジュールにおける磁石の配置は図１に示す例に限定されず、例えば、図１１に示す位置にレンズ３１駆動用及びＯＩＳ用の磁石が配置されることがある。本実施形態では、このような磁石を第１の磁石１２２Ａ及び第３の磁石２２Ｃとして利用することができる。なお、第３の磁石２２Ｃは長尺化する必要はなく、第１～第３の実施形態と同様の形状を有していてもよい。
以上の各実施形態をより一般化すると、第２の部材２０が第１の部材１０に対してＸ方向にｄＸ変位（並進運動）し、Ｙ方向にｄＹ変位（並進運動）し、Ｚ軸周りにｄθ回転したときの第１の磁気センサ１３Ａの出力変化Ｖx1、第２の磁気センサ１３Ｂの出力変化Ｖx2、第３の磁気センサ１３Ｃの出力変化Ｖyは以下のように求められる。
ＶX1＝ｆ(dX)＋ａ×f(dθ) （式７）
ＶX2＝ｆ(dX)＋ｂ×f(dθ) （式８）
Ｖy＝ｆ(dY)＋ｃ×f(dθ) （式９）
ここで、ｆ(dX)、ｆ(dY)、ｆ(dθ)は各磁気センサのｄＸ、ｄＹ、ｄθによる出力変化、ａ、ｂ、ｃは定数である。（式７）～（式９）を変形すると、
ｆ(dx)＝Ｖx1－ａ×（Ｖx1－Ｖx2）／（ａ－ｂ） （式１０）
ｆ(dy)＝Ｖy－ｃ×（Ｖx1－Ｖx2）／（ａ－ｂ） （式１１）
ｆ(dθ)＝（Ｖx1－Ｖx2）／（ａ－ｂ） （式１２）
となる。ａ，ｂ，ｃは例えば、第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃの配置位置で決まる定数で、ａ＝１，ｂ＝－ｒ２／ｒ１，ｃ＝ｒ３／ｒ１（ここで、ｒ１、ｒ２、ｒ３は、Ｚ方向からみた、第１～第３の磁石２２Ａ～２２Ｃの中心の３次元直交座標系１０１における原点からの距離）である。（式７）～（式９）から理解されるように、ａ，ｂ，ｃはf(dθ)に掛かる係数であるので、例えば、第３の磁気センサ１３Ｃの感度に比例する定数であってもよい。（式１０）～（式１２）から理解されるように、Ｖx1＝Ｖx2であるとｆ(dx)＝Ｖx1、ｆ(dy)＝Ｖy、ｆ(dθ)＝０となり、回転角を求めることができない。これより、Ｖx1≠Ｖx2が必須の条件であることがわかる。なお、（式１０）～（式１２）からはａ≠ｂも必要であるが、（式７）、（式８）の対比より、Ｖx1≠Ｖx2であればこの条件は自動的に満たされる。
以上、本発明をいくつかの実施形態を例に説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。例えば、本実施形態では第１の部材１０が固定部材であり、第２の部材２０が可動部材であるが、第１の部材１０が可動部材であり、第２の部材２０が固定部材であってもよい。また、第１の磁石２２Ａと第２の磁石２２Ｂはそれぞれ一つの象限内に設けられているが、Ｘ軸またはＹ軸上（例えば、図２Ａにおける破線の位置）に、すなわち象限を跨いで設けることもできる。この場合も、第１及び第２の磁石２２Ａ，２２ＢのＮ極とＳ極の中間の面２４が円Ｒ１と交差していれば、Ｖx1≠Ｖx2が成立するため、（式１）～（式６）に従って、第２の部材２０の変位を求めることができる。また、ここでは本発明をカメラモジュール１００に適用される磁気センサアセンブリ１を例に説明したが、磁気センサアセンブリ１がカメラモジュール１００以外の用途に適用可能であることは言うまでもない。
また、第１の実施形態では、第１の角度θ１と第２の角度θ２を２０～７０度とすることで筐体２１のサイズアップを防止することができることを説明した。一方、第１の角度θ１と第２の角度θ２を０～２０°とすることでも、筐体２１のサイズアップを防止することができる。ここでは、説明の便宜上磁気センサが回転するとするが、磁石が回転しても同じである。図１２において、磁気センサ１１３が磁石２２２と対向し、角度θの初期位置に配置されている。図１２には、初期位置から反時計回りにｄθ回転した磁気センサ１１３も示している。ｄθ回転した後の磁気センサ１１３のＸ方向及びＹ方向の移動距離をａ，ｂ、原点からの磁気センサ１１３の感磁部の距離をｒとすると、
ａ＝２×ｒ×ｓｉｎ（ｄθ／２）×ｓｉｎ（ｄθ／２＋θ）＝Ｃ×ｓｉｎ（θ）
ｂ＝２×ｒ×ｓｉｎ（ｄθ／２）×ｃｏｓ（ｄθ／２＋θ）＝Ｃ’×ｃｏｓ（θ）
となる。ここで、Ｃ，Ｃ’は定数である。ｄθは例えばＯＩＳ機能によって実現される。
磁気センサ１１３の感磁部がＺ方向からみて磁石２２２の内部にあれば磁気センサ１１３の作動が可能であるが、磁石２２２の外部にあると磁気センサ１１３の作動は困難である。角度θが小さい場合、上式に示す通りａが小さくなる。従って、磁石２２２のＸ方向寸法を縮小し、これによって筐体２１のサイズアップを防止することができる。角度θは０＜θ≦～２０°の範囲が好ましく、一例ではθ＝８°である。
また、図７を参照し、比較例１－１～１－４ではｆ(dx)、ｆ(dy)、ｆ(dθ)を求めることができないと説明した。しかし、この場合も信号処理を変更することによって、ｆ(dx)、ｆ(dy)、ｆ(dθ)を求めることができる。図１３（ａ）は、ホール素子、ＭＲ素子などの第１～第４の磁界検出素子Ｓ１～Ｓ４がブリッジ回路（ホイートストンブリッジ）で相互に接続された磁気センサを示している。４つの磁界検出素子Ｓ１～Ｓ４は２つの組Ｓ１，Ｓ２及びＳ３，Ｓ４に分割され、それぞれの組の磁界検出素子Ｓ１，Ｓ２及び磁界検出素子Ｓ３，Ｓ４は直列接続されている。磁界検出素子の組Ｓ１，Ｓ２及びＳ３，Ｓ４のそれぞれの一端が電源電圧Ｖccに接続され、他端が接地（ＧＮＤ）されている。また、磁界検出素子Ｓ１と磁界検出素子Ｓ２の間の中点電圧Ｖ１と、磁界検出素子Ｓ３と磁界検出素子Ｓ４の間の中点電圧Ｖ２が取り出される。各磁界検出素子Ｓ１～Ｓ４における電圧降下はほぼ各磁界検出素子Ｓ１～Ｓ４の電気抵抗に比例する。従って、磁界検出素子Ｓ１～Ｓ４の電気抵抗をそれぞれＲ１～Ｒ４とすると、中点電圧Ｖ１、Ｖ２はそれぞれ下式のように求められ、通常は中点電圧の差分Ｖ１－Ｖ２が磁気センサの出力として出力される。
Figure 0007287375000001
Figure 0007287375000002
図１３（ｂ）は磁石と磁界検出素子の一般的な配置と出力処理方法を示している。ケース１とケース３が通常行われる差動出力の出力方法である。しかし、ケース１とケース２の比較（またはケース３とケース４の比較）からわかる通り、磁石の着磁方向が同じでも、差動出力ｄＶをＶ１－Ｖ２とするかＶ２－Ｖ１とするかで出力の極性が変わる。図１４（ａ）は図７に示す比較例１－３と同様の磁気センサの概略構成図であり、図１４（ｂ）は全ての磁気センサの差動出力ｄＶをＶ１－Ｖ２とした場合の、各磁気センサの出力を概念的に示している。この場合、第１、第２の磁気センサ１３Ａ、１３Ｂの出力は同じであるため、ｆ(dx)、ｆ(dy)、ｆ(dθ)を求めることができない。これに対し、図１４（ｃ）は第２の磁気センサ１３Ｂの差動出力ｄＶをＶ２－Ｖ１としている。これにより、磁気センサ１３Ａ、１３Ｂの出力が互いに異なるものとなり、ｆ(dx)、ｆ(dy)、ｆ(dθ)を求めることができる。このように、第１、第２の磁気センサ１３Ａ、１３Ｂの差動出力の極性を互いに逆にすることでもｆ(dx)、ｆ(dy)、ｆ(dθ)を求めることができる。
１ 磁気センサアセンブリ
１０ 第１の部材
１３Ａ～１３Ｃ 第１～第３の磁気センサ
２０ 第２の部材
２１ 筐体
２２Ａ～２２Ｃ 第１～第３の磁石
１２２Ａ 第１の磁石
２２Ｄ バランサー
２４ Ｎ極とＳ極の境界面
３０ 第３の部材
１００ カメラモジュール
Ｌ１～Ｌ４ 第１～第４の直線
θ１～θ４ 第１～第４の角度

Claims (19)

  1. 第１～第３の磁気センサを含む第１の部材と、第１～第３の磁石を含む第２の部材と、を有し、前記第２の部材は３次元直交座標系において、前記第１の部材に対してＸ、Ｙ方向への相対移動とＺ軸周りの相対回転が可能であり、前記第１～第３の磁気センサは各々Ｚ方向に前記第１～第３の磁石と対向しており、
    前記第１の磁気センサの出力は、前記第１の磁気センサと前記第１の磁石のＸ方向の相対変位に応じて単調変化し、前記第２の磁気センサの出力は、前記第２の磁気センサと前記第２の磁石のＸ方向の相対変位に応じて単調変化し、前記第３の磁気センサの出力は、前記第３の磁気センサと前記第３の磁石のＹ方向の相対変位に応じて単調変化し、
    前記第２の部材が前記第１の部材に対してＸ方向、Ｙ方向に相対変位し、Ｚ軸周りに相対回転したときの前記第１の磁気センサの出力変化と前記第２の磁気センサの出力変化は互いに異なり、
    第１～第３の磁石は各々、所定のＸ－Ｙ平面の原点を一端とする第１～第３の直線上にあり、前記第１の直線とＸ軸とがなす第１の角度と、前記第２の直線とＸ軸とがなす第２の角度と、前記第３の直線とＹ軸とがなす第３の角度は同じである磁気センサアセンブリ。
  2. 前記第１の角度と前記第２の角度と前記第３の角度は、０度を超え９０度以下の角度である、請求項１に記載の磁気センサアセンブリ。
  3. 前記第１の角度と前記第２の角度と前記第３の角度は２０～７０度の範囲にある、請求項２に記載の磁気センサアセンブリ。
  4. 前記第１の角度と前記第２の角度と前記第３の角度は９０度である、請求項２に記載の磁気センサアセンブリ。
  5. 第１～第３の磁気センサを含む第１の部材と、第１～第３の磁石を含む第２の部材と、を有し、前記第２の部材は３次元直交座標系において、前記第１の部材に対してＸ、Ｙ方向への相対移動とＺ軸周りの相対回転が可能であり、前記第１～第３の磁気センサは各々Ｚ方向に前記第１～第３の磁石と対向しており、
    前記第１の磁気センサの出力は、前記第１の磁気センサと前記第１の磁石のＸ方向の相対変位に応じて単調変化し、前記第２の磁気センサの出力は、前記第２の磁気センサと前記第２の磁石のＸ方向の相対変位に応じて単調変化し、前記第３の磁気センサの出力は、前記第３の磁気センサと前記第３の磁石のＹ方向の相対変位に応じて単調変化し、
    前記第２の部材が前記第１の部材に対してＸ方向にｄｘ、Ｙ方向にｄｙ変位し、Ｚ軸周りにｄθ回転したときの前記第１の磁気センサの出力変化をＶx1、前記第２の磁気センサの出力変化をＶx2、前記第３の磁気センサの出力変化をＶyとしたときに、ｄｘ、ｄｙ、ｄθによる前記第１～第３の磁気センサの出力変化ｆ(dx)、ｆ(dy)、ｆ(dθ)は
    ｆ(dx)＝Ｖx1－ａ×（Ｖx1－Ｖx2）／（ａ－ｂ）
    ｆ(dy)＝Ｖy－ｃ×（Ｖx1－Ｖx2）／（ａ－ｂ）
    ｆ(dθ)＝（Ｖx1－Ｖx2）／（ａ－ｂ）
    ここで、ａ、ｂ、ｃは定数であり、Ｖx1≠Ｖx2である磁気センサアセンブリ。
  6. Ｚ方向からみた、前記第１～第３の磁石の中心の前記３次元直交座標系における原点からの距離をｒ１、ｒ２、ｒ３としたときにａ＝１，ｂ＝－ｒ２／ｒ１，ｃ＝ｒ３／ｒ１である、請求項５に記載の磁気センサアセンブリ。
  7. Ｚ方向からみて、前記第１の磁気センサ及び前記第１の磁石と、前記第２の磁気センサ及び前記第２の磁石は、前記３次元直交座標系の原点を挟んで互いに対向する象限にある、請求項１から６のいずれか１項に記載の磁気センサアセンブリ。
  8. Ｚ方向からみて、前記第１の磁気センサ及び前記第１の磁石と、前記第２の磁気センサ及び前記第２の磁石は、前記３次元直交座標系のＸ軸を挟んで互いに対向する象限にある、請求項１から６のいずれか１項に記載の磁気センサアセンブリ。
  9. Ｚ方向からみて、前記第３の磁気センサ及び前記第３の磁石は、前記第１の磁気センサ及び前記第１の磁石のある象限並びに前記第２の磁気センサ及び前記第２磁石のある象限とは異なる象限にある、請求項７または８に記載の磁気センサアセンブリ。
  10. 前記第２の部材は前記３次元直交座標系に対して可動であり、前記第１～第３の磁石は同じ重量を有し、
    前記第２の部材に、前記第１の磁石のある象限、前記第２の磁石のある象限、及び前記第３の磁石のある象限とは異なる象限に、第１～第３の磁石と同じ重量のバランサーが設けられている、請求項９に記載の磁気センサアセンブリ。
  11. Ｚ方向からみて、前記第１～第３の磁石の中心は、前記３次元直交座標系の所定のＸ－Ｙ平面の原点を中心とする同一円上にある、請求項１から１０のいずれか１項に記載の磁気センサアセンブリ。
  12. Ｚ方向からみて、前記第１及び第２の磁石のＮ極とＳ極の中間の面は前記円と交差する、請求項１１に記載の磁気センサアセンブリ。
  13. Ｚ方向からみて、前記第１～第３の磁石のいずれかの中心と他のいずれかの中心は、前記３次元直交座標系の所定のＸ－Ｙ平面の原点を中心とし径の異なる同心円上にある、請求項１から１０のいずれか１項に記載の磁気センサアセンブリ。
  14. 前記第１の磁石と前記第２の磁石は同じ方向に着磁されており、前記第３の磁石は前記第１及び第２の磁石と直交する方向に着磁されている、請求項１から１３のいずれか１項に記載の磁気センサアセンブリ。
  15. 前記第２の部材の内側に、前記第１～第３の磁石によって、前記第２の部材に対して相対移動可能に駆動される第３の部材が設けられている、請求項１から１４のいずれか１項に記載の磁気センサアセンブリ。
  16. 前記第２の部材は前記第３の部材を取り囲む矩形形状の筐体を有し、前記第３の部材はＺ方向からみて円形であり、前記第１～第３の磁石は前記筐体のコーナー部に設けられている、請求項１５に記載の磁気センサアセンブリ。
  17. 前記第１の磁石と前記第２の磁石は前記Ｘ軸を挟んで一体化されている、請求項８に記載の磁気センサアセンブリ。
  18. 前記第３の磁石は前記Ｙ軸の両側を前記Ｘ軸と平行に延びている、請求項１７に記載の磁気センサアセンブリ。
  19. 請求項１から１８のいずれか１項に記載の磁気センサアセンブリを有するカメラモジュール。
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